專利名稱：光學存儲設備的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種采用諸如盒式MO等等的可重寫介質的光學存儲設備，更具體地說，是涉及用于把一個激光二極管在裝載介質時的光發(fā)射功率有效地調節(jié)到一個優(yōu)化功率的光學存儲設備。
光盤作為近年來得到迅；發(fā)展的多媒體的主要介質的存儲介質，得到了注意。例如，當考慮3.5英寸的盒式MO時，除了傳統(tǒng)的128MB和230MB的盒式MO，近年還提供了540MB和640MB的高密度記錄介質。因此，作為光盤驅動器，希望的是該光盤驅動器能夠使用目前能夠獲得的128MB、230MB、540MB和640MB等所有介質。在近年已經得到迅速推廣的個人計算機中，作為只讀存儲介質的緊湊盤(CD)的再現(xiàn)功能是不可缺少的。從空間和成本的角度看，在用于CD的光盤驅動器之外再安裝用于作為可重寫光盤設備的盒式MO的光盤驅動器，是困難的。在近年，既可以使用盒式MO又可以使用CD的光盤驅動器因而已經得到了開發(fā)。在這種CD/MO共同使用類型的光盤驅動器中，對于一個光學系統(tǒng)、一個機械結構、以及一個控制電路單元來說，它們盡可能既被用于CD又被用于盒式MO。
另一方面，在用于該光盤驅動器中的盒式MO中，介質的道被分成區(qū)，并采用了ZCAV記錄(區(qū)恒定角速度記錄)—其中區(qū)的扇區(qū)的數(shù)目是相等的。馬達介質的區(qū)的數(shù)目在傳統(tǒng)的128MB介質中被設定為一個區(qū)，而在230MB介質中被設定為10個區(qū)。另一方面，在已經在近年中被實際使用的540MB或640MB的高密度PWM記錄介質中，與記錄密度的改善相關地，介質的道間距變窄且區(qū)的數(shù)目也增大了。即，雖然540MB介質中區(qū)的數(shù)目被設定為18個，640MB介質中區(qū)的數(shù)目被設定為11個，這幾乎是傳統(tǒng)的區(qū)數(shù)的兩個倍。通常，在采用盒式MO的光盤介質的情況下，由于光發(fā)射功率即每一種介質的最佳激光二極管記錄功率有不同，所以當裝載介質時，對每一個區(qū)都進行一個測試寫入，并執(zhí)行一個光發(fā)射調節(jié)，以將記錄功率調節(jié)到最佳值。在傳統(tǒng)的128MB或230MB介質中，該記錄是借助坑位置調節(jié)(PPM)來進行的，且只要使激光二極管的光發(fā)射功率在一個擦除功率和一個記錄功率兩個電平之間改變就足夠了。另一方面，在540MB或640MB的PWM記錄介質中，采用了借助脈寬調制(PWM)的記錄以提高記錄密度。
在這種脈沖串記錄中，需要在一個擦除功率、一個第一寫入功率、和一個第二寫入功率總共三個電平之間改變激光二極管的光發(fā)射功率。因此，對于其中區(qū)的數(shù)目增大的540MB或640MB介質，如果對每一個區(qū)進行激光二極管的光發(fā)射調節(jié)，就會出現(xiàn)一個問題，即除了由于脈沖串記錄而引起的光發(fā)射功率的種類增加之外，還需要較長的時間來進行調節(jié)。在調節(jié)激光二極管的光發(fā)射時，與實際的坑位置調節(jié)記錄或PWM記錄中的即時光發(fā)射相比，光發(fā)射是借助一個缺省值來驅動的，而該缺省值是借助用于其中需要調節(jié)的較長時間的固件來指定的。這實際上使得激光二極管成為直流光發(fā)射的(連續(xù)光發(fā)射)。如果借助高光發(fā)射功率來進行光發(fā)射調節(jié)，就會損壞激光二極管，且這種損壞有加速的危險。
在傳統(tǒng)的光盤驅動器中，作為用于將數(shù)據(jù)寫入介質的寫入功率，優(yōu)化的功率根據(jù)介質的溫度和種類而有所不同。因此，當介質被裝載到光盤驅動器時，通過進行一個測試模式的測試寫入，即對介質的測試寫入，來執(zhí)行對激光二極管的功率調節(jié)處理，以確定優(yōu)化功率。根據(jù)傳統(tǒng)的激光二極管功率調節(jié)處理，如

圖1所示，作為缺省功率而給出的寫入功率在一個啟動點401被設定為一個功率，且在逐漸減小寫入功率的同時重復測試模式的例如寫入和讀取操作，從而計數(shù)數(shù)據(jù)的不一致的次數(shù)(誤差數(shù)目)。當寫入功率被減小到幾乎極限功率的值時，數(shù)據(jù)的不一致次數(shù)增大。例如，在極限點404處的極限功率WPa下獲得了超過1000次的數(shù)據(jù)不一致。隨后，在從開始點401開始逐漸增大寫入功率的同時，重復測試模式的寫入和讀取操作，從而計數(shù)數(shù)據(jù)的不一致次數(shù)(誤差次數(shù))。當寫入增大到幾乎一個極限功率的值時，數(shù)據(jù)的不一致次數(shù)增大。例如，在極限點406處的一個極限功率WPb下，獲得了超過1000次的數(shù)據(jù)的不一致。當上和下限功率WPa和WPb可以如上地得到檢測時，中間寫入功率(WPb-WPa)/2可以被確定為最佳寫入功率WP-best。然而，在與這種傳統(tǒng)光盤驅動器中的測試寫入有關的激光二極管的寫入功率調節(jié)處理中，需要在增大和減小寫入功率的同時通過將開始功率設定到一個初始點來檢測兩個極限功率。因此，需要一定的時間來檢測這些極限功率，因而有一個問題，即需要一定的時間，例如直到設備在介質被裝載之后進入一個準備好的狀態(tài)。另一方面，由于對于寫入功率調節(jié)需要通過以高功率驅動激光二極管來進行測試寫入，激光二極管的負擔很大。另外，由于寫入功率調節(jié)在設備使用期間也是頻繁進行的，因而有加速激光二極管損壞和縮短設備壽命的問題。
(光發(fā)射調節(jié))根據(jù)本發(fā)明，提供了一種光學存儲設備，它即使當區(qū)的數(shù)目很大時也能夠有效地進行光發(fā)射調節(jié)而不使激光二極管的負擔過大。本發(fā)明的一種光學存儲設備具有用于發(fā)射激光束的激光二極管，該激光束被用來向介質記錄或從介質再現(xiàn)信息。在介質記錄時，根據(jù)多個不同的具體功率的組合的一個驅動電流從一個光發(fā)射電流源被提供給激光二極管。該光發(fā)射電流源由一個寄存器、一個D/A轉換器、以及一個電流源電路組成。從光發(fā)射電流源提供的電流的值，由一個光發(fā)射電流指令單元利用一個寄存器和一個D/A轉換器來指令。提供了一個自動功率控制單元(APC)，用于將激光二極管的光發(fā)射功率控制在指定的目標功率。該自動功率控制單元將光發(fā)射功率控制在例如指定的目標讀取功率。為激光二極管提供了一個監(jiān)測器光敏裝置，用于接收激光束的一部分并輸出一個光敏電流。在介質記錄時，與指定的光發(fā)射功率和目標讀取功率之差相對應的一個指定減除電流，被從該光敏電流中減去，且所獲得的電流被設定為監(jiān)測器電流。該監(jiān)測器電流被饋送回自動功率控制單元。因此，即使當擦除功率和寫入功率的光發(fā)射超過了目標讀取功率時，與讀取功率對應的監(jiān)測器電流也被送回到APC。一個減除電流源由一個寄存器、一個D/A轉換器、和一個電流源電路組成。采用一個D/A轉換器的一個減除電流指令單元，控制著電流源電路，且提供了一個寄存器指令值的減除電流。從該減除電流源導出的一個監(jiān)測器電流被用于一個監(jiān)測器的A/D轉換器讀出，而該監(jiān)測器被用作功率測量單元。
隨后一個光發(fā)射調節(jié)處理單元依次通過設定一個調節(jié)模式來指令對光發(fā)射電流源的D/A轉換器的兩個點的預定測試功率下的光發(fā)射和命令用該光發(fā)射來驅動激光二極管，向該D/A轉換器指令與在兩個點測試功率對應的指定減除電流以進行減除電流源的減除，并測量來自一個監(jiān)測器測量單元的監(jiān)測器A/D轉換器的測試功率。根據(jù)該測量結果，通過線性近似獲得了電流指令值與光發(fā)射電流源和減除電流源中的任意功率之間的關系，并將其寄存到一個功率表中。
更具體地說，光發(fā)射調節(jié)處理單元由一個光發(fā)射粗調處理單元和一個光發(fā)射細調處理單元組成。在其中上道控制被釋放的狀態(tài)下，光發(fā)射粗調處理單元指令在光發(fā)射電流源的D/A轉換器的兩個點處的預定測試功率的光發(fā)射并用該光發(fā)射來驅動激光二極管，向減除電流源的D/A轉換器指令與兩個點的測試功率相對應的指定減除電流，并測量來自監(jiān)測器測量單元的A/D轉換器的各個測試功率。根據(jù)在這兩個點的測量結果，借助線性近似分別獲得了I.監(jiān)測器的功率測量值與任意光發(fā)射功率之間的關系II.光發(fā)射的電流指令值與任意光發(fā)射功率的關系III.用于減去的電流指令值與任意光發(fā)射功率的關系并將這種寄存在一個功率表中。在其中上道控制得到進行且自動功率控制被接通的狀態(tài)下，光發(fā)射細調處理單元依次向光發(fā)射電流源的D/A轉換器指令在兩個點處的預定測試功率下的光發(fā)射，用該光發(fā)射驅動激光二極管，向減除電流源的D/A轉換器指令與在兩個點處的測試功率相對應的指定減除電流，并調節(jié)光發(fā)射電流源的D/A轉換器的一個指令值以把監(jiān)測器測量單元的A/D轉換器測量到的功率被設定為目標讀取功率。根據(jù)在兩個點處的調節(jié)結果，借助線性近似而獲得了光發(fā)射的電流指令值與任意光發(fā)射功率的關系，且功率表得到校正。如上所述，在本發(fā)明的光發(fā)射調節(jié)中，通過指定在兩個點處的測試功率，從測量到的功率獲得了斜率(a)和與y軸的交點(b)，作為關系方程(y＝ax+b)的系數(shù)，在該方程中電流指令值(y)與光發(fā)射電流源的光發(fā)射功率(x)之間的關系得到了線性近似。因此，能夠計算出在任意光發(fā)射功率(x)下至光發(fā)射電流源的電流指令值。因此，足以獲得在借助在兩點處的光發(fā)射進行調節(jié)時的測試功率。具體地，通過將在兩點處的測試功率設定在低功率側的值，能夠減小激光二極管的負擔。
用于光發(fā)射的電流源具有一個讀取功率電流源、一個擦除功率電流源、一個第一寫入功率電流源、以及一個第二寫入功率電流源。在激光二極管以一個讀取功率、一個擦除功率P、一個第一寫入功率、以及一個第二寫入功率進行光發(fā)射時，讀取功率電流源把用于以第一功率電平(例如記錄功率電平)進行光發(fā)射的一個讀取功率電流I0提供給激光二極管。當激光二極管以一個擦除功率、一個第一寫入功率、以及一個第二寫入功率進行光發(fā)射時，擦除功率電流源將用于使激光二極管以擦除功率進行光發(fā)射的一個擦除功率電流I1加到讀取功率電流I0上，并將所獲得的電流提供給激光二極管。當激光二極管以第一寫入功率進行光發(fā)射時，第一寫入功率電流源將用于使激光二極管以第二功率電平(例如第一寫入功率電平)進行光發(fā)射的一個第一寫入功率電流I2加到讀取功率電流I0和擦除功率電流I1上，并將所獲得的電流提供給激光二極管。另外，當激光二極管以第二寫入功率進行光發(fā)射時，第二寫入功率電流源將用于使激光二極管以第三功率電平(例如第二寫入功率電平)的一個第二寫入功率電流I3加到讀取功率電流I0和擦除功率電流I1上，并將所產生的該電流提供給激光二極管。光發(fā)射電流指令單元具有用于指令讀取功率電流源、第一寫入功率電流源、和第二寫入功率電流源的指令電流值的D/A轉換器。減除電流源具有擦除功率減除電流源、第一寫入功率減除電流源、以及一個第二寫入功率減去電流源。擦除功率減除電流源在以擦除功率進行光發(fā)射時從光敏裝置的光敏電流i0中減去擦除功率的光敏電流i1。在以第一寫入功率進行光發(fā)射時，第一寫入功率減除電流源從光敏裝置的光敏電流i0中減去第一寫入功率的光敏電流i2。進一步地，在以第二寫入功率進行光發(fā)射時，第二寫入功率減去電流源從光敏裝置的光敏電流i0中減去第二寫入功率的光敏電流i3。減除電流指令單元分別具有用于指令讀取功率減除電流源的電流值的D/A轉換器、第一寫入功率減除電流源、以及第二寫入功率減去電流源。
當裝載到設備中的介質是坑位置調制(PPM)式記錄介質時，光發(fā)射粗調處理單元和光發(fā)射細調處理單元調節(jié)各個擦除功率和第一寫入功率。當裝載到設備中的介質是脈寬調制(PWM)式介質時，光發(fā)射粗調處理單元和光發(fā)射細調處理單元對擦除功率、第一寫入功率和第二寫入功率中的每一個進行調節(jié)。
光發(fā)射粗調處理單元和光發(fā)射細調處理單元把介質的區(qū)分割成多個區(qū)域—例如三個區(qū)域，而在這些區(qū)中道沿著徑向方向得到分割。
對于各個區(qū)的最里圈區(qū)和最外圈區(qū)，測試功率都得到指令，且在測量光發(fā)射功率的同時光發(fā)射在兩點處得到調節(jié)。從測試功率與在兩點處的測量功率之間的線性近似關系方程，最里圈區(qū)和最外圈區(qū)的外周邊緣之間的區(qū)的調節(jié)值得到計算和設定。因此，即使區(qū)的數(shù)目增大，也只要在內圈和外圈的兩個區(qū)中進行用于調節(jié)的寫入功率下的光發(fā)射就足夠了。與寫入功率下的光發(fā)射有關的調節(jié)所需的時間因而顯著地減小了。光發(fā)射粗調處理單元和光發(fā)射細調處理單元分別指定和調節(jié)擦除功率和寫入功率作為測試功率。根據(jù)受到光發(fā)射粗調處理單元調節(jié)的功率表的調節(jié)值(調節(jié)缺省值)，光發(fā)射細調處理單元計算并設定光發(fā)射電流指令單元和減除電流指令單元的D/A轉換器與測試功率相對應的指令值。當借助介質的測試寫入而確定的最佳寫入功率作為校正系數(shù)(偏移比值(ratio))—其中寄存在功率表中的寫入功率由利用調節(jié)值(缺省值)作為基準的一個比值表示—而給定時光發(fā)射細調處理單元被校正系數(shù)乘到測試功率上，并校正到最佳測試功率。當優(yōu)化功率的校正系數(shù)給定時，光發(fā)射細調處理單元將這樣的校正系數(shù)與帶有具有校正系數(shù)的一個上限值和一個下限值的預定系數(shù)限制范圍進行比較。當該校正系數(shù)超過了該系數(shù)限制范圍時，該功率校正系數(shù)被限制在該上限值或下限值。對于功率校正系數(shù)的上限值和下限值，光發(fā)射細調處理單元將其中道沿著徑向方向按照多個單元得到分割的介質的區(qū)分成多個區(qū)域，通過將各個分出的區(qū)域的最里圈區(qū)的寫入功率設定為最小功率而獲得與下限值的下限比值，通過將最外圈區(qū)的寫入功率設定為最大功率而獲得對上限值的上限比值，從下限比值和上限比值的線性近似關系方程計算出最里圈區(qū)與最外圈區(qū)的外周邊緣之間的任意區(qū)，并設定上限比值和下限比值。因此，不需要為每一個區(qū)設定上限值和下限值，且上和下限可以容易地設定。
當裝載到設備中的介質是坑位置調制(PPM)記錄介質和脈寬調制(PWM)記錄介質時，在任何情況下，光發(fā)射粗調處理單元都調節(jié)擦除功率和第一寫入功率，并將調節(jié)值寄存到功率表中。另一方面，當裝載的介質是脈寬調制(PWM)記錄介質時，光發(fā)射細調處理單元，除了擦除功率和第一寫入功率之外，寄存利用第一寫入功率作為基準的第二寫入功率的功率比值。所要設定的第二寫入功率，通過將該功率比值乘到指定的第一寫入功率上，而得到計算。在此情況下，光發(fā)射細調處理單元，對于每一個區(qū)數(shù)，都把各個功率和功率比值寄存到功率表中。所設定的第二寫入功率，通過將相同的指定區(qū)的功率比值乘到指定區(qū)的第一寫入功率上，而被計算出來。該功率比值具有隨著溫度而改變的值。
為了獲得基于溫度的功率比值，光發(fā)射細調處理單元，利用對于兩個溫度T1和T2的功率比值的線性近似，而獲得了兩個關系方程(y＝a1·T+b1)和(y＝a2·T+b2)，其中該方程是從內圈側區(qū)的兩個不同點處的溫度T1和T2的功率比值y1和y2和在外圈側區(qū)的兩個不同點處的溫度T1和T2四個點獲得的。隨后，對于這兩個線性關系方程的斜率a1和a2和功率比值與y軸的交點b1和b2，借助對于內圈側和外圈側的兩個區(qū)的數(shù)目N1和N2的線性近似，獲得了兩個關系方程(a＝α·N+β)和(b＝γ·N+δ)。斜率α和γ以及與y軸的交點β和δ，被寄存到功率表中，當區(qū)的數(shù)目N被指定時，光發(fā)射細調處理單元為指定的區(qū)的數(shù)目N讀出斜率α和γ以及與y軸的交點β和δ，計算溫度T下關系方程的斜率a1和a2以及與y軸的交點b1和b2，并從此時的測量溫度T最后計算出指定的區(qū)的功率比值。
當借助PWM進行記錄從而借助數(shù)目與擦除功率、第一寫入功率、和脈沖寬度對應的第二寫入功率的脈沖串發(fā)射光時，響應于光發(fā)射脈沖串的結束，功率被減小到低于自動功率控制單元的目標讀取功率的功率，且脈沖串被移到下一個光發(fā)射脈沖串；光發(fā)射細調處理單元減小至用于減除第一寫入電流的D/A轉換器的減除電流i1的指令值，以使目標讀取功率的不足功率的時間乘積與超過該目標功率的第一寫入功率的時間乘積相等并抵消。因此，進行了功率減小控制，從而通過響應于PWM記錄的脈沖串的結束而將寫入功率減小到零或等于或小于記錄功率的一個值，即使對自動功率控制進行了大的反饋以補償多余的功率，也在其之前執(zhí)行了用于復合不足量的功率減小和抵消。因而，能夠在不使寫入功率由于功率不足而發(fā)生漂移的情況下，進行寫入功率的穩(wěn)定自動功率控制。
(最佳寫入功率調節(jié))根據(jù)本發(fā)明，提供了一種光學存儲設備，它能夠適當進行一種處理，以在不給激光二極管產生負擔的情況下在短時間里借助測試寫入來確定最佳寫入功率。因此，本發(fā)明的光學存儲設備具有一個最佳寫入功率調節(jié)單元—它包括一個調節(jié)時序判定單元，用于判定對寫入功率調節(jié)處理的需要，以優(yōu)化介質的寫入功率；以及，一個寫入功率調節(jié)單元，它根據(jù)調節(jié)時序判定單元的判定結果而得到激活，并被用于在逐漸減小寫入功率的同時把預定的測試模式寫入介質，隨后讀出該預定的測試模式并與原來的測試模式相比較，計數(shù)數(shù)據(jù)的不一致的次數(shù)，檢測不一致的次數(shù)超過一個預定閾值的、作為極限寫入功率的寫入功率，將一個預定的偏移加到該極限寫入功率，并將所產生的值確定為最佳寫入功率。因此，作為確定最佳寫入功率的調節(jié)處理，只要從一個開始功率逐漸減小寫入功率并檢測下限側上的極限功率，就已經足夠了。與傳統(tǒng)的情況—其中需要確定在上和下限兩點處的極限功率—相比，調節(jié)處理所需的時間能夠減小一半。由于測試寫入不需要高功率，激光二極管不會被損壞，且設備的壽命得到了改善。
該寫入功率調節(jié)單元具有至少兩個寫入功率—即擦除介質的記錄坑的第一功率和形成記錄坑的第二功率，并在逐漸減小寫入功率時不時按照預定的比例關系來改變第一和第二功率。當寫入功率被逐漸減小時，還可以改變寫入功率，從而使第二功率的漲落比值小于第一功率的漲落比值。這種處理被稱為DOW(直接覆蓋寫入)。更具體地說，在DOW的PPM記錄介質中，第一功率是擦除功率且第二功率是第一寫入功率。在PWM介質中，第一功率是擦除功率且第二功率被設定為第一和第二寫入功率兩個功率。寫入功率調節(jié)單元把盤介質的一個用戶不使用的區(qū)域的一部分指定為測試區(qū)域，并寫入和讀出測試模式。因此，即使進行測試寫入，也不會對用戶區(qū)域的介質性能產生影響。寫入功率調節(jié)單元通過利用構成測試區(qū)域的多個道中的特定的道的連續(xù)部分扇區(qū)，來寫入和讀出測試模式。在此情況下，還可以通過在構成測試區(qū)域的多個道中通過產生隨機數(shù)而隨機指定適當?shù)纳葏^(qū)，來寫入和讀出測試模式。還希望在不連續(xù)使用已經被使用的測試區(qū)域的扇區(qū)的情況下，每次都偏離這些扇區(qū)。在讀出測試模式時，當不能檢測到一個數(shù)據(jù)同步圖案，即剛好在道格式中的用戶區(qū)域之前的一個同步字節(jié)時，寫入功率調節(jié)單元計不一致的最大次數(shù)。即該同步字節(jié)是檢測數(shù)據(jù)區(qū)域的開始的重要信息。當不能檢測到該同步字節(jié)時，立即判定不一致的次數(shù)是最大的，且在不計數(shù)據(jù)的不一致的次數(shù)的情況下處理得到加速。在讀出測試模式時，當在從開頭的扇區(qū)至預定數(shù)目的扇區(qū)的范圍中的不一致的次數(shù)等于或小于產生的閾值時，寫入功率調節(jié)單元認為所有的扇區(qū)都是質量良好的扇區(qū)，中斷數(shù)據(jù)比較，并計數(shù)作為不一致次數(shù)的預定最小值(例如零)。例如，當在開頭扇區(qū)處的不一致次數(shù)為1或更小時，在此之后不執(zhí)行比較處理，不一致的次數(shù)被設定為零，且處理程序進行到下一個扇區(qū)的處理，從而提高了處理速度。當不一致的次數(shù)超過了表示一個功率界限的預定閾值時—該功率界限是借助首先設定的寫入功率的測試模式寫入和讀取的功率界限，寫入功率調節(jié)單元將測試功率增大到一個預定值并再次嘗試。當極限功率超過了開始功率并由于設備的溫度而很高時，就進行這樣的處理。寫入功率調節(jié)單元從設備的溫度判定寫入功率是初始設定的。即，由于有這樣的相關性，即當設備的溫度高時，極限功率減小，且當設備溫度低時極限功率高，因而開始功率是在考慮到與溫度的相關性的情況下設定的。寫入功率調節(jié)單元當設備溫度低時增大所要加到記錄極限功率上的偏移量，并當設備溫度高時減小該偏移量，從而根據(jù)設備溫度來確定最佳寫入功率。寫入功率調節(jié)單元以這樣的方式改變所要加到記錄極限功率上的偏移量，即當設備溫度低時，在內圈側上的偏移量被減小且在外圈側上的偏移量增大。另外，當設備溫度高時，在內圈側上的偏移量被增大且在外圈側上的偏移量被減小。即，最佳寫入功率是根據(jù)設備溫度和沿著介質的徑向方向的位置而確定的。由于區(qū)CAV被用作介質格式，外圈側和內圈側表示了由區(qū)號確定的內圈側和外圈側。
一個調節(jié)時序判定單元與從一個上的設備發(fā)出的寫入指令同步地激活對寫入功率的調節(jié)。即，在設備通過裝載介質而得到激活之后，當從該上級設備發(fā)出了第一寫入指令時，調節(jié)時序判定單元激活對寫入功率的調節(jié)。由于剛好在介質被裝載之后的介質溫度不同于設備溫度，除非功率調節(jié)是在介質溫度與設備溫度平衡之后進行的，最佳寫入功率將被改變。因此，在激活時，寫入功率不受到調節(jié)，但第一寫入功率調節(jié)是當認為介質溫度與設備溫度相平衡時與第一寫入指令的產生同步地執(zhí)行的。當寫入功率調節(jié)結果的有效性得到了保證時，調節(jié)時序判定單元從一個經過時間確定一個有效時間，其中該經過時間是從盤被激活的時序至當?shù)谝粚懭牍β收{節(jié)與從上設備產生的寫入指令同步地得到執(zhí)行的一個時序的時間。當該經過時間短于預定的閾值時間(大約兩至三分鐘)時，有效時間按照該經過時間而被減小。當經過時間超過了該閾值時間時，有效時間被設定為這樣的閾值時間。即，保證寫入功率調節(jié)結果的有效時間被設定為激活之后的一個短時間。在介質溫度與設備溫度相平衡之后，有效時間被設定為一個長時間。當從前一個寫入功率調節(jié)開始的經過時間超過了有效時間時，調節(jié)時序判定單元激活下一個寫入功率調節(jié)。即使從前一寫入功率調節(jié)開始的經過時間沒有達到該有效時間，當目前的設備溫度的漲落超過了在前一寫入功率調節(jié)時設備溫度的預定溫度范圍時，即，當設備溫度的改變很大時，調節(jié)時序判定單元激活寫入功率調節(jié)，在實際的光盤驅動器的寫入功率調節(jié)單元中，當設定測試功率時，通過利用設定的寫入功率與作為基準的一個預定缺省寫入功率的比值，而使寫入功率得到改變。當確定最佳寫入功率時，預定的偏移量比值被加到極限功率的該缺省比值上，從而確定最佳寫入功率的一個缺省比值。另外，當缺省寫入功率得到調節(jié)時，調節(jié)時序判定單元激活寫入功率調節(jié)。通常，寫入功率是通過提供與至激光二極管的多種功率增加量相對應的一個驅動電流而獲得的。例如，在PPM記錄介質中，通過提供驅動電流(讀取功率電流)+(擦除功率電流)+(寫入功率電流)，而導出了缺省寫入功率。因此，當激光二極管的驅動電流得到調節(jié)時，缺省功率本身改變，且現(xiàn)在不能使用用于確定最佳寫入功率的缺省比值。因此，當進行對激光二極管驅動電流的調節(jié)即對缺省寫入功率的調節(jié)時，用于確定最低寫入功率的缺省比值的寫入功率調節(jié)得到了有把握的執(zhí)行。
從以下結合附圖的詳細描述，本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點將變得更為顯而易見。
圖1用于說明傳統(tǒng)的最佳寫入功率調節(jié)處理；圖2A和2B是根據(jù)本發(fā)明的光盤驅動器的框圖；圖3用于說明其中裝載有盒式MO的設備的內部結構；圖4是圖2的激光二極管控制電路的框圖；圖5A至5J是本發(fā)明的PWM的脈沖串記錄中的信號、光發(fā)射電流、減除電流以及監(jiān)測器電流的時序圖；圖6A至圖6J是本發(fā)明的PPM記錄中的信號、光發(fā)射電流、減除電流、以及監(jiān)測器電流的時序圖；圖7A和7B是借助圖2的MPU實現(xiàn)的LD光發(fā)射處理單元的功能框圖；圖8是根據(jù)圖7A和7B的LD光發(fā)射調節(jié)處理的總體流程圖；圖9是圖8中的LD光發(fā)射粗調處理的總體流程圖；圖10是圖9中的一個監(jiān)測器ADC歸一化處理的流程圖；圖11用于說明借助圖10的處理的線性近似的關系方程；圖12是圖9中的用于擦除的光發(fā)射粗調處理的流程圖；圖13用于說明圖12中的擦除光發(fā)射電流中的線性近似的關系方程；圖14用于說明圖12中的擦除減除電流中的線性近似的關系方程；圖15是圖9中的第一寫入功率的光發(fā)射粗調的流程圖；圖16是圖9中的第二寫入功率的光發(fā)射粗調的流程圖；圖17用于說明圖9的LD光發(fā)射粗調在功率表中的寄存內容；圖18是圖8中的LD光發(fā)射細調處理的總體流程圖；圖19是圖18的擦除功率細調的流程圖；圖20是圖18中的一個第一寫入功率細調的流程圖；圖21是圖18中的第二寫入功率細調的流程圖22是根據(jù)細調結果的區(qū)域分割的功率表設定處理的流程圖；圖23用于說明圖22中的區(qū)域分割和線性近似；圖24用于說明借助圖22中的設定處理獲得的功率表中的寄存內容；圖25是在被一個第二寫入功率作為功率比值來處理的情況下的溫度校正的流程圖；圖26用于說明圖25中功率比值對溫度的線性近似；圖27用于說明借助圖25的處理而獲得的功率表中的寄存內容；圖28是圖8中的功率界限計算處理的流程圖；圖29用于說明在圖28的功率界限的計算中的線性近似；圖30用于說明借助圖28的處理獲得的功率表的寄存內容；圖31是流程圖，用于說明借助PWM記錄的自動功率控制而發(fā)生的寫入功率漂移；圖32A至32C是時序圖，用于說明用于補償圖31中的寫入功率漂移的減除電流調節(jié)；圖33A至33D是用于實現(xiàn)圖32的漂移補償?shù)牡谝粚懭牍β使獍l(fā)射粗調的時序圖；圖34是在光發(fā)射調節(jié)完成之后利用功率表的功率設定處理的流程圖；圖35是借助圖2中的MPU實現(xiàn)的最佳寫入功率調節(jié)單元的功能框圖；圖36用于說明圖35中的缺省擦除功率表；圖37用于說明圖35中的缺省寫入功率表；圖38用于說明圖35中的溫度校正系數(shù)表；圖39是在圖35的最佳寫入功率調節(jié)之前的盤激活處理的流程圖；圖40是包括圖35的最佳寫入功率調節(jié)的寫入處理的流程圖；圖41A和41B是關于是否需要圖40的測試寫入的判定的流程圖；圖42A和42B是圖40中的測試寫入處理的流程圖；圖43用于說明在圖42的測試寫入中極限功率的檢測和優(yōu)化功率的設定；圖44用于說明一個溫度校正系數(shù)，它用于校正一個偏移量比值以通過加上圖42中的極限功率而獲得一個優(yōu)化功率；圖45用于說明用于偏移量比值的區(qū)位置的一個校正系數(shù)，用于通過加上圖42中的極限功率而獲得一個優(yōu)化功率；圖46A至46C顯示了溫度造成的最佳寫入功率的移動；圖47是隨機形成圖42中的測試寫入的寫入地址的流程圖；圖48用于說明介質的區(qū)域；圖49用于說明分配給圖48中的非用戶區(qū)域的功率調節(jié)區(qū)域；圖50用于說明借助圖47的隨機地址的測試寫入；圖51是在圖42的測試寫入中依次形成寫入地址的流程圖；圖52用于說明根據(jù)圖51中的依次地址的測試寫入；圖53是借助圖42的測試寫入而進行的測試數(shù)據(jù)的讀取處理的流程圖；圖54用于說明作為圖53的數(shù)據(jù)讀取操作的目標的道格式；圖55是計數(shù)圖42的測試寫入中的數(shù)據(jù)的不一致的次數(shù)的處理的流程圖；圖56是利用最佳寫入功率的調節(jié)結果的功率表設定處理的流程圖。
(設備的結構)圖2A和2B是作為本發(fā)明的光學存儲設備的光盤驅動器的電路框圖。本發(fā)明的光盤驅動器由控制器10和外殼12組成?？刂破?0具有MPU14，用于控制整個光盤驅動器；一個接口控制器16，用于向一個上設備傳送或從該上設備接收指令和數(shù)據(jù)；一個格式化器18，用于執(zhí)行向一個光盤介質寫入或從該光盤介質接收數(shù)據(jù)所需的處理；以及，一個緩沖存儲器20，它由MPU14、接口控制器16和格式化器18所共同使用。作為格式化器18的寫入系統(tǒng)，提供了一個編碼器22和一個激光二極管控制電路24。激光二極管控制電路24的控制輸出被提供到為外殼12側面的一個光學單元設置的激光二極管30。激光二極管單元30整體地具有一個激光二極管和用于監(jiān)測的一個光敏裝置。在本實施例中，可以采用128MB、230MB、540MB和640MB介質中的任何一種，來作為利用激光二極管單元30記錄和再現(xiàn)的光盤，即可重寫盒式MO介質。在它們之中，對于128MB和230MB的盒式MO介質，采用了坑位置記錄(PPM記錄)—其中數(shù)據(jù)是對應著介質上的標志的有或無來記錄的。該介質的記錄格式是ZCAV并對于128MB被設定為一個區(qū)和對于230MB被設定為十個區(qū)。對于540MB和640MB的盒式MO介質—其中進行高密度記錄，采用了脈寬記錄(PWM記錄)—其中標志的邊緣即前緣和后緣與數(shù)據(jù)相對應。640MB和540MB之間的存儲容量的不同，是由于扇區(qū)容量之間的不同造成的。當扇區(qū)容量等于2k字節(jié)時，存儲容量等于640MB。當扇區(qū)容量等于512字節(jié)時，存儲容量等于540MB。該介質的記錄格式對應于區(qū)CAV(ZCAV)且對于540MB有18個區(qū)且對于640MB有11個區(qū)。如上所述的本發(fā)明的光盤驅動器能夠適應128MB、230MB、540MB和640MB中的每一個的存儲容量。因此，當盒式MO被裝載到光盤驅動器上時介質的一個ID部分首先被讀取，在MPU14中從一個坑間隔識別介質的種類，且關于種類的識別結果被通知給格式化器18。在128MB或230MB介質的情況下，執(zhí)行與PPM記錄對應的格式化處理。在540MB或640MB介質的情況下，進行根據(jù)PWM記錄的格式化處理。作為用于格式化器18的讀取系統(tǒng)，提供了一個解碼器26和一個讀取LSI電路28。來自激光二極管30的光束的、被為外殼12設置的檢測器32所返回的光的光敏信號，通過一個頭放大器34而被輸入到讀取LSI電路28，以被作為ID信號和MO信號。為讀取LSI電路28提供了AGC電路、濾波器、扇區(qū)標志檢測電路、合成器、PLL等等的電路的作用。從輸入的ID信號和MO信號形成了一個讀取時鐘和讀取數(shù)據(jù)，并將它們提供給解碼器26。由于區(qū)CAV被一個轉軸馬達40用作介質的記錄系統(tǒng)，對于讀取LSI電路28，由MPU14為內裝合成器進行與區(qū)對應的時鐘頻率的切換控制。對于128MB和230MB介質，按照格式化器18的介質種類，編碼器22的調制系統(tǒng)和解碼器26的解調系統(tǒng)被切換到PPM記錄的調制和解調系統(tǒng)。另一方面，對于540MB和640MB介質，它們被切換到PWM記錄的模型和解調系統(tǒng)。設置在外殼12側面的溫度檢測器36的檢測信號被提供給MPU14。根據(jù)溫度檢測器36檢測到的設備的環(huán)境溫度，MPU14把激光二極管控制電路24中用于讀取、寫入和擦除的每一種光發(fā)射功率控制在最佳值。MPU借助一個驅動器38控制設置在外殼12側面的轉軸馬達40。由于盒式MO的記錄格式被設定為ZCAV，轉軸馬達40以例如3600rpm的速度轉動。MPU14通過一個驅動器42控制設置在外殼12側面的電磁鐵44。電磁鐵44被設置在與裝載在設備中的盒式MO的光束發(fā)射側相對的一側上，并設置記錄和擦除時將一個外部磁場加在介質上。一個DSP15實現(xiàn)了將來自激光二極管30的光束定位到介質上的伺服功能。為此，為外殼12側面的光學單元設置了一個兩分檢測器46，用于接收來自介質的光束模式的光。一個FES檢測電路(聚焦誤差信號檢測電路)48從兩分檢測器46的輸出形成了一個聚焦誤差信號E1，并將其提供給DSP15。一個TES檢測電路(跟蹤誤差信號檢測電路)50從兩分檢測器46的光敏輸出形成了一個跟蹤誤差信號E2，并將其提供給DSP15。跟蹤誤差信號E2被輸入到一個TZC電路(道零交叉檢測電路)45，借助該電路形成了一個道零交叉脈沖E3并將其提供給DSP15。另外，在外殼12側面設置了一個透鏡位置檢測器52，用于檢測一個用于將激光束照射到介質上的物鏡的位置。檢測器52的透鏡位置檢測信號(LPOS)E4被提供給DSP 15。為了定位激光束，DSP15分別通過驅動器54、58和62控制并驅動一個聚焦致動器56、一個透鏡致動器60以及一個VCM64。
圖3是光盤驅動器中的外殼的示意圖。轉軸馬達40被設置在一個外殼66上。通過從一個進入門68側將盒式MO70插入轉軸馬達40的轉軸的輪轂上，執(zhí)行了將一個內部MO介質72附著到轉軸馬達40的轉軸的輪轂上的裝載?？捎蒝CM64沿著與介質道相交的方向移動的一個支架76，被設置在裝載的盒式MO70的MO介質72的下側上。在支架76上安裝有一個物鏡80。來自為一個固定光學系統(tǒng)78設置的半導體激光器的激光束，通過一個棱鏡82而被輸入到物鏡80上，且在MO介質72的介質表面上形成了作為圖象的一個光束點。物鏡80由圖2B中的外殼12的聚焦致動器56沿著光軸方向移動和控制，并能夠由透鏡致動器60在沿著與介質道相交的徑向方向例如十條道的范圍內移動。裝在支架76上的物鏡80的位置由圖2B中的透鏡位置檢測器52檢測。透鏡位置檢測器52在其中物鏡80的光軸正好指向上方的中性位置將一個透鏡位置檢測信號設定為0，并根據(jù)向外的運動和向內的運動的不同極性的運動量，產生透鏡位置檢測信號E4。
(LD光發(fā)射調節(jié))圖4是為圖2A中的控制器10設置的激光二極管控制電路24的電路框圖。為激光二極管單元30整體地設置了一個激光二極管100和一個監(jiān)測器光電二極管102。激光二極管100接收電源電壓Vcc提供的驅動電流I、發(fā)射光、借助一個光學單元形成激光束、并將該激光束照射到介質表面上，從而進行記錄和再現(xiàn)。來自激光二極管100的一部分光被輸入到監(jiān)測器光電二極管102上，從而使監(jiān)測器光電二極管102產生與激光二極管100的光發(fā)射功率成正比的光敏電流I0。一個讀取功率電流源104、一個擦除功率電流源106、一個第一寫入功率電流源108、以及一個第二寫入功率電流源110與激光二極管100相并聯(lián)，從而分別向激光二極管100提供一個讀取功率電流I0、一個擦除功率電流I1、一個第一寫入功率電流I2、以及一個第三寫入功率電流I3。即，在以讀取功率進行光發(fā)射時，讀取功率電流I0流過。在以擦除功率進行光發(fā)射時，擦除功率電流I1被加到讀取功率電流I0上而形成的電流(I0+I1)流過。當以第一寫入功率進行光發(fā)射時，進一步加上了第一寫入功率電流I2的電流(I0+I1+I2)流過。當以第二寫入功率進行光發(fā)射時，其中第二寫入功率電流I3被加到讀取功率電流I0和擦除功率電流I1上的電流(I0+I1+I3)流過。為讀取功率電流源104設置了一個自動功率控制單元(以下縮寫為APC)138。借助一個目標DAC寄存器120和一個D/A轉換器(以下縮寫為DAC)136，為APC138設置了作為目標功率的具體目標讀取功率。為擦除功率電流源106設置了一個EP電流DAC寄存器122和一個DAC140，作為一個EP電流指令單元。為WP1電流源108設置了一個WP1電流DAC寄存器124和一個DAC142，作為WP1電流指令單元。另外，還為第二寫入功率電流源110設置了一個WP2電流DAC寄存器126和DAC144，作為WP2電流指令單元。因此，來自電流源104、106、108和110的電流，能夠通過為相應的寄存器120、122、124和126設置一個DAC指令值，而得到適當?shù)母淖?。在此一個光發(fā)射電流源電路由一個寄存器、一個DAC和一個恒流源組成。作為借助APC138的控制，執(zhí)行了一種反饋控制，從而使從光電二極管102的光敏電流i0導出的監(jiān)測器電流與DAC136與一個目標讀取功率相對應的一個目標電壓相一致。因此，為監(jiān)測器光電二極管102設置了減除電流源112、114和116，以當以擦除功率和超過讀取功率的第一和第二寫入功率進行光發(fā)射時減去光敏電流，并把與讀取功率相對應的監(jiān)測器電流im反饋到APC。對于擦除功率，可以借助作為EP減除電流指令單元的EP減除DAC寄存器128和DAC146，為減除電流源112設定任意的減除電流i1。對于第一寫入功率，可以借助作為WP1減除電流指令單元的WP1減除DAC寄存器130和一個DAC148，為減除電流源114設定任意的減除電流i2。另外，借助作為WP2減除電流指令單元的WP2減除DAC寄存器132和一個DAC150，可以為第二寫入功率減除電流源116設定任意的減除電流i3。在這三個減除電流源i1、i2、i3的光發(fā)射模式下的監(jiān)測器電流im如下。
I.當以讀取功率進行光發(fā)射時im＝i0II.當以擦除功率進行光發(fā)射時im＝i0-i1III.當以第一寫入功率進行光發(fā)射時im＝i0-(i1+i2)IV.當以第二寫入功率進行光發(fā)射時im＝i0-(i1+i3)因此，即使當以擦除功率和超過了目標讀取功率的第一或第二寫入功率中的任何一個進行光發(fā)射時，通過從光敏電流i0中減去相應的減除電流，在一個監(jiān)測電壓檢測電阻118中作為與讀取功率對應的電流而流過的監(jiān)測器電流也都被反饋到APC138。因此，APC138控制了讀取功率電流源104，從而總是保持目標讀取功率，而不論光發(fā)射功率的值如何，從而實現(xiàn)了具體的擦除功率、第一寫入功率和第二寫入功率的自動功率控制。對于減除電流，減除電流源電路也由一個寄存器、一個DAC和一個恒流源組成。監(jiān)測電壓檢測電阻118提供的與監(jiān)測器電流im對應的一個監(jiān)測電壓，被一個A/D轉換器(以下縮寫為ADC)152轉換成數(shù)字數(shù)據(jù)并被輸入到一個監(jiān)測ADC寄存器134。在此之后，該數(shù)字數(shù)據(jù)被讀出到MPU14側。因此，ADC152和監(jiān)測ADC寄存器134構成了監(jiān)測器電流im的一個測量單元。
圖5A至5J是圖4中的激光二極管控制電路24中PWM脈沖串記錄的信號、光發(fā)射電流和減除電流的時序圖?，F(xiàn)在，假定圖5B中的寫入數(shù)據(jù)是與圖5A中的寫入選通信號同步地給出的，該寫入數(shù)據(jù)與圖5C的寫入時鐘同步進入門68被轉換成圖5D的脈寬數(shù)據(jù)。根據(jù)該脈寬數(shù)據(jù)，形成了如圖5E所示的擦除脈沖，且進一步形成了如圖5F所示的第一寫入脈沖。進一步形成了如圖5G所示的第二寫入脈沖。該第二寫入脈沖的脈沖數(shù)目與圖5D的脈寬數(shù)據(jù)的脈沖寬度相對應。例如，對于頭的脈寬數(shù)據(jù)，它具有四個時鐘的脈沖寬度，下一個脈寬數(shù)據(jù)具有兩個時鐘的脈沖寬度，且再下一個的脈寬數(shù)據(jù)具有三個時鐘的脈沖寬度。與其相對應，作為圖5G的第二寫入脈沖，對于在圖5F的第一寫入脈沖之后的頭數(shù)據(jù)的四個時鐘的寬度，產生了兩個脈沖，對于隨后兩個時鐘的脈沖寬度產生了0個脈沖，對于三個時鐘的第三脈沖寬度產生了一個脈沖，且表示該脈沖寬度的信息得到記錄。圖5H顯示了光發(fā)射電流和根據(jù)圖5E、5F和5G的擦除脈沖、第一寫入脈沖、和第二寫入脈沖的光發(fā)射電流和功率，并涉及了在作為例子的540MB和640MB覆蓋寫入介質中的PWM記錄。首先，始終提供記錄電流，并借助讀取功率RP進行直流光發(fā)射。因此，光發(fā)射電流(I0+I1)與擦除脈沖同步地流過，從而使電流借助擦除功率EP而得到增大。光發(fā)射電流I2以第一寫入脈沖的時序被加上，且電流借助第一寫入功率WP1而得到增大。進一步地，光發(fā)射電流I3以第二寫入脈沖的時序被加上，且電流被設定為(I0+I1+I3)，從而使電流借助一個第二寫入功率WP2而得到增大。在圖5I中所示的一個減除電流被與圖5H的光發(fā)射電流同步地提供到圖4中的減除電流源112、114和116。即，對應于擦除功率EP的增大量的減除電流i1流過，對應于下一個第一寫入功率WP1的增大量的減除電流i2被加上，從而使減除電流(I1+I2)流過。進一步地，對應于第二寫入功率WP2的增大量的減除電流i3被加上， 從而使減除電流(I1+I3)流過。因此，圖5J的監(jiān)測器電流im被設定為這樣的值，即該值是通過從對應于圖5H的光發(fā)射電流和光發(fā)射功率的光敏電流i0中減去圖5H的減除電流而獲得的。即使在光發(fā)射期間，監(jiān)測器電流也始終被轉換成對應于讀取功率的恒定電流，并被反饋到APC138。在128MB和230MB的覆蓋寫入介質的PWM記錄中，圖5H中的(RP+EP+WP1)被設定為擦除功率且(RP+EP+WP2)被設定為寫入功率。另外，(EP+RP)作為一個輔助功率而被加上，以進行與圖5E的擦除脈沖同步的光發(fā)射，從而使功率能夠被高速地提高到擦除功率和寫入功率。
圖6A和6J是在PPM介質的記錄時的信號、光發(fā)射電流、減除電流和監(jiān)測器電流的時序圖。現(xiàn)在，假定圖6B的寫入數(shù)據(jù)是與圖6A的寫入選通信號同步地給出的，圖6D的一個坑邊緣脈沖是與圖6C的寫入時鐘同步地形成的。響應于該坑邊緣脈沖，形成了圖6E的擦除脈沖和圖6F的第一寫入脈沖。在PPM記錄中，不采用圖6G的第二寫入脈沖。通過借助這樣的擦除脈沖和第一寫入脈沖向激光二極管提供圖6H的光發(fā)射電流，導出了光發(fā)射功率P。在PPM記錄中，由于擦除功率與讀取功率RP相同，即使以擦除脈沖的時序，也能夠保持讀取功率RP和讀取功率電流I0下的光發(fā)射。在第一寫入脈沖的時序，光發(fā)射電流被增大到(I1+I2)并被設定為通過將擦除功率EP加到第一寫入脈沖WP1上而獲得的功率。作為圖6I的減除電流，以第一寫入脈沖的光發(fā)射時序提供了減除電流(i1+i2)。因此，圖6J的監(jiān)測器電流im始終被保持在與讀取功率的光敏電流相對應的電流。
圖7A和7B是本發(fā)明的光發(fā)射調節(jié)的功能框圖，且它是借助圖2A中的MPU14實現(xiàn)的。為LD光發(fā)射處理單元160，設置了光發(fā)射粗調處理單元162、光發(fā)射細調處理單元164、以及功率設定處理單元166。光發(fā)射粗調處理單元162和光發(fā)射細調處理單元164構成了本發(fā)明的光發(fā)射處理單元。裝載的介質的種類、響應于來自上級設備的存取的寫入或擦除模式、從存取道獲得的區(qū)號、以及在圖2中外殼12側面設置的溫度檢測器36獲得的設備溫度，都從外界通過寄存器168、170、172和174而為LD光發(fā)射處理單元160設定，并被用于光發(fā)射調節(jié)和通常的操作中的功率設定處理。為LD光發(fā)射處理單元160設置了一個功率表存儲單元180。作為功率表存儲單元180，采用了一個存儲器—諸如圖2A中的MPU14所具有的DRAM等等。首先，如在右側所示的，在功率表存儲單元180中，設置了一個監(jiān)測ADC系數(shù)表182、一個EP電流DAC系數(shù)表184、一個EP減除DAC系數(shù)表186、一個WP1電流DAC系數(shù)表188、一個WP1減除DAC系數(shù)表190、一個WP2電流DAC系數(shù)表192、以及一個WP2減除DAC系數(shù)表194。借助光發(fā)射調節(jié)處理，獲得了用于一個任意功率的一個ADC輸出的線性近似的關系方程—其中該任意功率提供了圖4中的用于監(jiān)測的DAC152中的輸入監(jiān)測電壓，且該關系方程的和斜率a0和與y軸的交點b0被寄存在監(jiān)測ADC系數(shù)表182中。對于其中一個關系方程—其中圖4中的DAC140、142、144、146、148和150的每一個中的一個任意功率的寄存指令值都是借助由光發(fā)射調節(jié)的測量結果的線性近似獲得的，這種關系方程的斜率和與y軸的交點被存儲在各個表184、186、188、190、192和194中。對于光發(fā)射電流的系數(shù)表184、188、和192，由于線性近似的關系方程由(y＝ax+b)設定，系數(shù)a1、a2和a3以及交點b1、b2和b3都得到寄存。另一方面，對于減除電流的系數(shù)表186、190和194，由于線性近似的關系方程(y＝cx+d)是確定的，斜率c1、c2和c3以及與y軸的交點b1、b2和b3得到寄存。另一方面，在功率表存儲單元180中，提供了一個擦除功率表196、一個第一寫入功率表198、一個第二寫入功率表200、一個功率比值表202、一個溫度校正系數(shù)表204、以及一個極限功率表206。雖然與介質的所有區(qū)對應的具體功率值都已經預先存儲在這些表中，在本發(fā)明中，在介質已經得到裝載的初始狀態(tài)下，它們不具有所有區(qū)的功率，而是只存儲了光發(fā)射調節(jié)所需的至少兩個區(qū)的功率值。因此，光發(fā)射粗調處理單元162獲得了一個關系方程，以借助利用已經初始設定在各個表中的兩個區(qū)的功率值的光發(fā)射調節(jié)來對區(qū)號的各個功率進行線性近似，從這種關系方程計算所有區(qū)的相應功率，并將這些功率寄存在表中。具體地說，光發(fā)射細調處理單元164，借助利用初始設定的兩個區(qū)的光發(fā)射功率的光發(fā)射調節(jié)，和根據(jù)線性近似的關系方程的每一個區(qū)的各個功率的設定，來執(zhí)行測量處理，其中該線性近似是根據(jù)利用光發(fā)射粗調處理單元162的ADC和DAC調節(jié)結果的測量結果而進行的。另外，在功率表存儲單元180中設置了一個最佳功率表208。各個區(qū)與此時的設備溫度對應的最佳功率，是借助測試寫入而獲得的，而該測試寫入利用了在完成了光發(fā)射調節(jié)之后得到調節(jié)的各個功率。各個區(qū)的最佳功率被寄存在最佳功率表208中。當在此情況下被寄存到最佳功率表208中時，最佳功率自己沒有被寄存，而是一個缺省放大率K(缺省比值)被寄存在最佳功率表208中，而該缺省放大率K是通過用在各個功率表中的一個調節(jié)值除所得到的最佳功率而導出的，而該調節(jié)值是通過光發(fā)射調節(jié)獲得的并被作為一個基準。因此，當利用最佳功率表208中的缺省放大率來設定功率時，實際所要設定的功率能夠通過把缺省放大率K乘到相應功率表的功率調節(jié)值上而獲得。利用最佳功率表208的最佳功率設定由功率設定處理單元166執(zhí)行。第二寫入功率WP2與第一寫入功率WP1之間的比值(WP2/WP1)已經被存儲在設置在功率表存儲單元180中的功率比值表202中。當功率比值表202被形成時，就不再需要第二寫入功率表200。提供了溫度校正系數(shù)表204，以通過與功率比值表202相應的時間的設備溫度來校正功率比值。另外，當相應缺省放大率K被從最佳功率表208讀出并被乘到調節(jié)的缺省值上時的上和下限，被功率設定處理單元166設定并被寄存到極限功率表206中。以與最佳功率表208的情況中類似的方式，極限功率表206中的上和下限已經被作為缺省放大率而得到寄存。當在最佳功率表中的缺省放大率與極限功率表中的極限放大率Kmax和Kmin有偏離時，缺省放大率受到極限比值的限制。
圖8顯示了借助圖7A和7B中的LD光發(fā)射處理單元160的激光二極管光發(fā)射調節(jié)處理的總體流程圖。首先在步驟S1，介質被裝載和轉動。在步驟S2，通過驅動圖3的支架76，使光束被移到例如在介質的最外側上的非用戶區(qū)域。在此狀態(tài)下，步驟S3隨后進行，且執(zhí)行激光二極管的光發(fā)射粗調。當進行激光二極管的光發(fā)射粗調時，一個聚焦伺服被關斷且APC138也被關斷。在步驟S4，聚焦伺服和跟蹤伺服被接通，且APC138也被接通。在此狀態(tài)下，在步驟S5識別介質的種類。當識別介質的種類時，通過從道的ID部分的讀取數(shù)據(jù)識別一個坑間隔，能夠識別介質的處理，即裝載的介質是128MB介質、230MB介質、540MB介質還是640MB介質。當在步驟S5識別了介質的種類時，在步驟S6借助多個讀取、擦除和寫入功率來進行激光二極管的光發(fā)射細調。在此情況下，當介質是128MB或230MB介質時，進行根據(jù)PPM記錄的光發(fā)射細調。當介質是540MB或640MB介質時，進行根據(jù)PWM記錄的光發(fā)射細調。
圖9是圖8的步驟S3中進行的LD光發(fā)射粗調的總體流程圖。在該LD光發(fā)射粗調中，首先在步驟S1對圖4中用于監(jiān)測的ADC152進行歸一化。在步驟S2，調節(jié)用于光發(fā)射電流的DAC136、140、142和144以及圖4中用于減除電流的DAC146、148和150。
圖10是用于圖9中的步驟S1的監(jiān)測ADC的歸一化處理的流程圖。
在監(jiān)測ADC的歸一化處理中，在步驟S1，一個具體的讀取功率作為指令值y0而被設定到圖4的目標DAC寄存器120中，且激光二極管100受到該讀取功率的驅動以發(fā)射光。在此狀態(tài)下，在系統(tǒng)2讀出監(jiān)測ADC寄存器134中的一個值x0。在步驟S3，一個指令值y1(＝2mW)被置于目標DAC寄存器120中。在步驟S4，讀出監(jiān)測ADC寄存器134中的一個值x1。以與上述類似的方式，在步驟S5將一個指令值y2(＝4mW)被置于目標DAC寄存器120中。在步驟S6，讀出監(jiān)測ADC寄存器134中的一個值x2。通過步驟S1至步驟S6的處理，獲得了與2mW和4mW的讀取功率的三個點處的功率相應的ADC152的測量值。因而在步驟S7，從三個關系方程計算作為系數(shù)的斜率a0和與y軸的交點b0，并將它們寄存到圖7A和7B的監(jiān)測ADC系數(shù)表182中。因此，在完成了歸一化之后，通過將從監(jiān)測ADC寄存器134獲得的測量值x代入關系方程(y＝a0x+b0)，而隨后計算出一個測量值y。
圖11顯示了圖10的監(jiān)測的ADC歸一化中的線性近似的關系方程。即，由于在坐標軸y上的測量功率表示了2mW和4mW的讀取功率，從在橫坐標軸上相對于這些功率而獲得的寄存值x0、x1和x2，確定了三個點Q0、Q1和Q2。從連接這些點的直線(y＝a0·x+b0)的關系方程獲得系數(shù)a0和b0，就已經足夠了。在此情況下，雖然獲得了三個點Q0、Q1和Q2且關系方程的精度得到了提高，也可以測量兩個點。
圖12是命令擦除的光發(fā)射電流的DAC140和用于指令進行圖4的擦除的減除電流的DAC146的光發(fā)射粗調的流程圖。首先在步驟S1，在讀取監(jiān)測ADC寄存器134的同時，EP電流DAC寄存器122的寄存值y被增大，從而獲得了測量功率x1(＝2mW)，從而得到了(x1，y1)。在步驟S2，在讀取監(jiān)測ADC寄存器134的同時，在EP減除DAC寄存器128中的一個寄存值z得到增大，從而使測量功率被設定為讀取功率，從而獲得了(x1，z1)。在步驟S3，在讀取監(jiān)測ADC寄存器134的同時，EP電流DAC寄存器122中的一個寄存值y被增大，從而獲得了測量功率x2(＝4mW)，從而得到了(x2，y2)。在步驟S4，在讀取監(jiān)測ADC寄存器134的同時，在EP減除DAC寄存器128中的一個寄存值z被增大，從而使測量功率被設定到讀取功率，從而獲得了(x2，z2)。在借助上述光發(fā)射完成了功率測量之后，在步驟S5，對于在步驟S1和S3獲得的兩個點(x1，y1)和(x2，y2)，EP電流DAC寄存器中對于功率x的值y被代入線性近似的關系方程(y＝a1·x+b1)，從而從這兩個方程計算出斜率a1和與y軸的交點b1。具體地說，如圖13所示，連接Q1(x1，y1)和Q2(x2，y2)的直線的關系方程(y＝a1·x+b1)得到近似，且作為系數(shù)而獲得了斜率a1和與y軸的交點b1。在步驟S6，對于在步驟S2和S4獲得的兩個點(x1，z1)和(x2，z2)，如圖14所示地設定Q3和Q4，連接這兩點的一個直線得到近似，獲得了關系方程(y＝c1·x+d1)，且Q3和Q4的值被代入到該方程中，從而計算出斜率c1和與y軸的交點d1。寄存指令值的線性近似的關系方程的斜率a和與y軸的交點b被寄存到圖7A和7B中的EP電流DAC系數(shù)表184中，其中該指令值是用于DAC140的一個任意功率的，以指令在步驟S5計算出的、在圖4中的擦除功率光發(fā)射電流。線性近似的關系方程的斜率c和與y軸的交點b被寄存到圖7A和7B中的EP減除DAC系數(shù)表186中，而該線性近似用于為步驟S6中計算出的任意功率獲得用于減除電流DAC146的寄存值y。
圖15是用于第一寫入功率的光發(fā)射的DAC142和用于指令圖4中的減除電流的DAC148的光發(fā)射粗調的流程圖。第一寫入功率光發(fā)射粗調基本上與圖12中用于擦除的光發(fā)射粗調相同，其不同在于至WP1電流DAC寄存器124的指令功率被設定為4mW和8mW兩個點。通過在步驟S1至S4設定減除電流從而獲得用于4mW和8mW的光發(fā)射的讀取功率，對于寫入功率光發(fā)射電流獲得了兩個點(x1，y1)和(x2，y2)，且對于減除電流獲得了兩個點(x1，z1)和(x2，z2)。在步驟S5，計算出任意的第一寫入功率x的寄存值y的線性近似的關系方程的斜率a2和與y軸的交點b2。在步驟S6，計算出任意第一寫入功率x的減除電流的寄存值z的線性近似的關系方程的斜率c2和與y軸的交點d2。上述的計算出的值被分別寄存到圖7A和7B中的WP1電流DAC系數(shù)表188和WP1減除DAC系數(shù)表190。
圖16是圖4中的用于指令第二寫入功率的光發(fā)射的電流的DAC144和用于指令減除電流的DAC150的第二寫入功率粗調處理的流程圖。在該第二寫入功率粗調處理中，第一在步驟S1，檢查裝載的介質是否PPM記錄介質。在PPM記錄介質的情況下，跳過第二寫入功率的調節(jié)處理。在步驟S2，檢查PWM介質是否被擦除。如果“是”，由于未采用第二寫入功率，在此情況下寫入功率粗調的處理也被跳過。顯然，第二寫入功率粗調總是可以進行，而不用鑒別PPM介質還是PWM介質的擦除操作。在步驟S3中的光發(fā)射調節(jié)基本上與圖12中的擦除光發(fā)射粗調相同。在此情況下，光發(fā)射調節(jié)也是在4mW和8mW兩點進行的，且減除電流隨后得到調節(jié)以獲得讀取功率。在步驟S7和S8，計算線性近似的關系方程的斜率a3和與y軸的交點b3，其中該線性近似是對于用于指令以第二寫入功率的光發(fā)射的電流的DAC144的。在步驟S8，計算線性近似的關系方程的斜率c3和與y軸的交點d3，其中該線性近似是對于用于在第二寫入功率的光發(fā)射時指令減除電流的DAC150的。上述的計算值被分別寄存到圖7A和7B中不中的WP2電流DAC系數(shù)表192和WP2減除系數(shù)表194中。
圖17顯示了由上述光發(fā)射粗調寄存的圖7A和7B中的功率表存儲單元180中的系數(shù)表182和194中的寄存內容。通過利用斜率和與y軸的交點的值而形成它們之間的線性近似的關系方程。能夠實現(xiàn)從任意的監(jiān)測電壓測量值至測量功率的轉換和從任意功率至向ADC的電流指令值的轉換。
圖18是借助圖7A和7B中的光發(fā)射細調處理單元164進行的激光二極管的光發(fā)射細調的流程圖。在光發(fā)射細調處理中，在步驟S1，借助光發(fā)射粗調從系數(shù)表讀出斜率和與y軸的交點—其中該光發(fā)射粗調已經完成，并對于用于測量光發(fā)射調節(jié)所需的監(jiān)測器電流的ADC152、用于指令該電流以控制該電流而獲得各個功率的DAC140至144、以及用于指令減除電流的DAC146至150而獲得關系方程。在步驟S2，形成介質的區(qū)的功率表。在步驟S3，形成用于這些區(qū)和溫度的功率比值表。在步驟S4，計算功率界限。
圖19是在圖18的步驟S2中區(qū)的功率表的形成處理中執(zhí)行的擦除功率細調的流程圖。在該擦除功率細調中，第一在步驟S1，設定關于借助擦除功率的光發(fā)射粗調獲得的電流指令DAC140的關系方程(y＝a1·x+c1)和相應的減除電流指令DAC146的關系方程(z＝c1·x+d1)。在步驟S2，通過將x1(＝3mW)代入關系方程，計算相應的電流DAC寄存值y1，且激光二極管100受到驅動以發(fā)射光。在此狀態(tài)下，減除DAC寄存值x1(x1＝3mW)以類似方式得到計算，且減除電流得到提供，從而形成一種狀態(tài)—它被從監(jiān)測器電流中減除。在此3mW功率的光發(fā)射和減除電流狀態(tài)下，處理程序進行到步驟S3。在利用監(jiān)測ADC152的寄存值作為測量值y而進行讀取的同時，用于EP電流DAC寄存器122的寄存值x1得到改變以獲得讀取功率，從而借助DAC140來調節(jié)光發(fā)射功率。因此，能夠獲得調節(jié)值(x1，y1)。在步驟S4，光發(fā)射功率增大到5mW，相應的減除電流得到類似設定并從監(jiān)測器電流減去，且EP電流DAC140的寄存器122的寄存值x2得到改變以使監(jiān)測ADC值y被設定為讀取功率，從而在步驟S5調節(jié)光發(fā)射電流。因此，導出了第二點(x2，y2)。最后在步驟S6，通過把通過調節(jié)而獲得的兩個點代入EP電流的DAC140的關系方程，計算出該關系方程的系數(shù)a1和與y軸的交點b1，且它們作為擦除功率細調結果而被寄存圖7A和7B中的EP電流DAC系數(shù)表184中并得到校正。
圖20是第一寫入功率的細調處理的流程圖，其中該處理是在圖18的步驟S2的區(qū)功率表的形成處理中執(zhí)行的。在第一寫入功率細調處理中，由于采用了擦除功率的光發(fā)射電流和第一寫入功率的光發(fā)射電流兩個電流，在步驟S1，借助對于擦除功率的粗調而獲得的電流DAC值的關系方程和減除DAC的關系方程得到設定，且以類似方式在粗調中獲得的第二寫入功率的電流DAC值的關系方程和相應的減除DAC值的關系方程得到設定。在步驟S2，對于5mW的第一寫入功率的光發(fā)射，第一寫入功率被設定為WP1＝3mW，擦除功率被設定為EP＝2mW，且電流DAC值和減除DAC值從在步驟S1設定的關系方程得到計算，從而進行光發(fā)射控制。在此狀態(tài)下，在步驟S3，監(jiān)測ADC值作為測量值y而被讀出，且第一寫入功率PW1的電流ADC寄存值x1得到改變以獲得讀取功率，從而借助DAC142調節(jié)光發(fā)射功率。在此時刻，得到(x1，y1)。在步驟S4，第一寫入功率被設定為9mW。9mW的第一寫入功率是借助第一寫入功率WP(＝7mW)和擦除功率EP(＝2mW)而實現(xiàn)的。因此，對于7mW和2mW中每一個，都在步驟S1從關系方程計算出關于第一寫入功率和擦除功率的減除DAC值，從而進行光發(fā)射控制。在光發(fā)射控制狀態(tài)下，在如步驟S5所示地讀出監(jiān)測ADC值y的同時，WP1電流DAC值x2得到改變以獲得讀取功率，從而調節(jié)光發(fā)射功率。此時，獲得了(x2，y2)。在最后的步驟S6，從在調節(jié)數(shù)據(jù)的兩點處的關系方程的減除方程計算出在以第二寫入功率進行光發(fā)射時指令第一寫入功率WP1的電流的DAC142的關系方程中的系數(shù)a2和與y軸的交點b2，并將它們被寄存到圖7A和7B中的WP1電流DAC系數(shù)表188中，并對它們進行校正。
圖21是在圖18的步驟S2的區(qū)功率表的形成處理中執(zhí)行的第二寫入功率的細調處理的流程圖。首先在步驟S1，借助對于第二寫入功率的粗調而獲得的關系方程得到設定，根據(jù)該關系方程在5mW和9mW兩個點進行光發(fā)射，從測量結果計算系數(shù)a3和與y軸的交點b3，且圖7A和7B中的WP2電流DAC系數(shù)表192得到校正。其他的點基本上與圖20中的第一寫入功率光發(fā)射調節(jié)處理中的點相同。
圖22是區(qū)分割功率表形成處理的流程圖，該處理用于從用于區(qū)號的線性近似的關系方程獲得圖7A和7B中的功率表存儲單元180中設置的擦除功率表196、第一寫入功率表198、以及第二寫入功率表200。首先在步驟S1，如圖23所示，例如對于540MB的介質的區(qū)號0至17的18個區(qū)，它們被分成內圈區(qū)域、中間區(qū)域和外圈區(qū)域三個區(qū)域。在步驟S2，在區(qū)的擦除模式下在各個區(qū)域的兩端的擦除功率的值，即圖23中的功率P11至P16得到設定。在擦除模式下的第一寫入功率WP1的值P21至P26得到設定。在步驟S3，對于內圈、中間和外圈區(qū)域的各個區(qū)域的區(qū)號，在步驟S3設定的擦除功率和第一寫入功率WP1得到線性近似，并從關系方程導出斜率和與y軸的交點。具體地說，例如，對于擦除功率，對于內圈、中間和外圈區(qū)域中的每一個，它們借助直線210、212和214而得到近似，從而分別從直線210、212和214的關系方程而導出斜率和與y軸的交點。在此情況下，作為與y軸的交點，采用了在各個區(qū)域的內圈邊緣的區(qū)號0、7和12功率值P11、P13和P15。類似地，對于第一寫入功率，它們也利用直線216、218和220而得到線性近似，從而從關系方程導出了斜率和與y軸的交點。在步驟S3，對于寫入模式，圖23中的內圈、中間和外圈區(qū)域的每一個的兩端處的區(qū)的擦除功率、第一寫入功率WP1和第二寫入功率WP2得到了設定。在此情況下，除了在擦除模式下的擦除功率和第一寫入功率，第二寫入功率WP2得到重新設定，從而將第二寫入功率P31至P36置入圖23的內圈、中間和外圈區(qū)域每一個的兩端的區(qū)。在步驟S4，對于擦除功率EP、第一寫入功率WP1和第二寫入功率WP2的每一個，進行如圖23中的直線210至226的線性近似，從而從關系方程導出斜率和與y軸的交點。在完成了上述處理之后，關于內圈、中間和外圈區(qū)域三區(qū)域，對于擦除模式和寫入模式中的每一個，擦除功率EP、第一寫入功率WP1和第二寫入功率WP2(不包括擦除模式)的關系方程的斜率和與y軸的交點被寄存到圖7A和7B中的擦除功率表196、第一寫入功率表198、第二寫入功率表200。現(xiàn)在，假定各個功率是對于所有18個區(qū)獲得的，由于在擦除模式和寫入模式兩種模式下都需要(18個區(qū))×(3個功率)＝54個功率，所以需要在表中存儲108個功率。另一方面，在本發(fā)明的借助區(qū)的區(qū)域分割的線性近似的關系方程系數(shù)寄存中，由于每個區(qū)域寄存六個系數(shù)，所以只需要存儲
(3個區(qū)域)×(6個系數(shù))×(2個模式)＝36個功率。寄存表中的數(shù)據(jù)量能夠得到顯著的減小。圖24顯示了如上獲得的圖7A和7B中的擦除功率表196、第一寫入功率表198和第二寫入功率表200中的線性近似的關系方程的系數(shù)的寄存內容。
圖25是光發(fā)射細調處理中寫入功率比值溫度校正處理的流程圖。該寫入功率比值溫度校正處理被用于這樣的情況—即其中采用了寄存與第一寫入功率的功率比值的功率比值表202來取代圖7中的第二寫入功率表200。溫度校正系數(shù)表204與功率比值表202相對應地得到準備。首先在步驟S1，例如在540MB介質的情況下，設定在最里圈區(qū)的兩個不同的溫度T1和T2 (例如10℃和55℃)下功率比值(WP2/WP1)的四個點，以及在與這些溫度(即10℃和55℃)相同的不同溫度T1和T2下的功率比值(WP2/WP1)。
圖26顯示了圖25的步驟S1中在最里圈區(qū)中在兩個點Q1和Q2處溫度T (橫坐標軸)和功率比值(WP2/WP1)(y軸)和最外圈區(qū)的兩個點Q3和Q4。在步驟S2，Q1和Q2的值通過最里圈區(qū)的溫度T1和T2處的各個功率比值—即通過連接圖26中的兩點Q1和Q2的直線的線性近似—而被代入關系方程(y＝a1·T+b1)，從而計算斜率a1和與y軸的交點b1。類似地，在步驟S3，最外圈區(qū)的Q3和Q4的值被代入其中它們兩者得到線性近似的直線的關系方程(y＝a17·T+b17)，從而計算斜率a17和與y軸的交點b17。在步驟S4，圖26中的兩個關系方程中的最里圈區(qū)的斜率a1和最外圈區(qū)的斜率a17，被代入區(qū)號N的線性近似的關系方程(a＝α·N+β)中，從而計算斜率α和與y軸的交點β。類似地，在步驟S5，最里圈區(qū)的與y軸的交點b1和最外圈區(qū)的交點b17被代入區(qū)號N的線性近似的關系方程(b＝γ·N+δ)中，從而計算斜率γ和與y軸的交點δ。在步驟S6，采用區(qū)號N的系數(shù)(α，β)和(γ，δ)作為一個指標而被寄存到圖27所示的表中。圖27中的表中的內容構成了圖7A和7B中所示的功率比值表202和溫度校正系數(shù)表204。從圖27的功率表，當此時設備的區(qū)號N和溫度T給定時，就能夠獲得指定的區(qū)號N的功率比值。例如，假定指定了區(qū)號N＝2，從表獲得了系數(shù)α02和β02，并將它們代入斜率計算方程(a＝α·N+β)，從而獲得功率比值計算方程的斜率a。同時，從區(qū)號N＝2讀出系數(shù)γ02和δ02，并代入交點計算方程(b＝γ·N+δ)，從而計算功率比值計算方程與y軸的交點b2。計算出的斜率a和與y軸的交點b被置入功率比值計算方程。進一步地，通過將此時設備的溫度T代入，能夠計算功率比值(WP2/WP1)。根據(jù)設備溫度和區(qū)號N的功率比值計算每一次都能夠執(zhí)行，或者根據(jù)此時的設備溫度T的計算值也能夠與區(qū)號N對應地被預先寄存到功率比值表202中。進一步地，以與其中圖23中的區(qū)被分成內圈、中間和外圈區(qū)域且線性近似的斜率被寄存到表中的情況相類似地，還可以以這樣的方式構成，即在此時的設備溫度下在內圈、中間和外圈區(qū)域的兩端的區(qū)的功率比值是從圖27中的表中的內容獲得的，且對于它們，與圖23的情況類似地，相對于功率比值獲得內圈、中間和外圈區(qū)域三者的線性近似中各個直線的斜率和與y軸的交點且它們被寄存到功率比值表202中。
圖28是一個功率界限的計算處理的流程圖，該處理是在光發(fā)射調節(jié)處理中進行的。在功率界限的計算處理中，第一在步驟S1，區(qū)被分成如圖29所示的內圈、中間和外圈區(qū)域三個區(qū)域，且溫度被分成每一個為8℃的溫度范圍。例如，溫度被分成0-7℃、8-15℃、……和64-71℃八個溫度范圍。在步驟S2，為每一個溫度范圍設定功率上限Pmax和功率下限Pmin。對于圖29的溫度范圍，功率上限Pmax和功率下限Pmin得到設定。在步驟S3，對于各個溫度范圍，設定內圈、中間和外圈區(qū)域三個區(qū)域中每一個中的最大功率Pmax和最小功率Pmin。圖29涉及PWM記錄的功率界限計算的一個例子。在此情況下，當設定各個區(qū)域的最大功率和最小功率時，采用了通過將讀取功率RP、擦除功率EP和第二寫入功率WP2相加而獲得的功率(RP+EP+WP2)。即，對于功率(RP+EP+WP2)，內圈、中間和外圈區(qū)域區(qū)域中每一個的外圈邊緣區(qū)6、11和17的功率P32、P34和P36被設定為最大功率，且內圈邊緣區(qū)0、7、和12的功率P31、P33和P35被設定為最小功率Pmin。在PPM記錄介質的情況下，各個區(qū)域的最大功率和最小功率，借助通過把讀取功率RP、擦除功率EP和第一寫入功率WP1相加而獲得的功率(RP+EP+WP1)，而得到設定。在步驟S4，對于各個溫度范圍，計算功率上限的放大率Kmax，在該功率上限中內圈、中間和外圈區(qū)域三個區(qū)域的最大功率Pmax被設定為缺省值。類似地，利用作為缺省值的最小功率Pmin計算功率下限的放大率Kmin。在步驟S5，形成圖7A和7B中的極限功率表206—其中每8℃的溫度范圍和區(qū)區(qū)域被用作指標且功率上和下限的缺省放大率已經得到寄存。根據(jù)這種極限功率表，從設備溫度T和區(qū)號，參照極限功率表206而獲得了相應的功率上限的缺省放大率Kmax和相應功率下限的缺省放大率Kmin。例如，在其中區(qū)域的最大功率給定的PWM介質的情況下，通過將功率(EP+WP2)乘以這些放大率Kmax和Kmin，能夠獲得功率上限和功率下限。上述操作基本上與這樣的操作相同—即在這些操作中對圖29中的每一個區(qū)域執(zhí)行借助功率上限234、236和238的線性近似的設定和借助功率下限228、230和232的線性近似的設定。如上所述地設定的這種功率上和下限，并與缺省放大率相比較，以獲得當在完成光發(fā)射調節(jié)之后進行寫入操作時給定的最佳寫入功率。當獲得最佳寫入功率的缺省放大率超過了如圖29所示地設定的功率上限或功率下限時，給出最佳功率的缺省放大率被限制在功率上限或功率下限并得到采用。圖30顯示了借助圖28的功率界限計算處理而形成的極限功率表的寄存內容。
圖31的流程圖顯示了本發(fā)明的第一寫入功率光發(fā)射粗調處理的另一實施例。該實施例的特征，在于圖4中的APC138中的PWM記錄的寫入功率的自動光發(fā)射控制中出現(xiàn)的漂移，在光發(fā)射粗調時得到了調節(jié)并能夠得到補償。
圖32A至32C顯示了PWM記錄中寫入功率的光發(fā)射中發(fā)生的功率漂移。對于PWM記錄中的寫入功率下的光發(fā)射，如圖32A所示，擦除功率EP、第一寫入功率WP1和第二寫入功率WP2三級光發(fā)射的組合，以及當完成了第一時間的光發(fā)射脈沖串時的光發(fā)射功率，被設定為零，且操作移到下一個脈沖的光發(fā)射。與圖32A中的光發(fā)射功率相對應，形成了圖32B所示的減除電流。通過從監(jiān)測器光電二極管102的光敏電流i0中減除該減除電流，形成了與讀取功率P1相對應的監(jiān)測器電流im。監(jiān)測器電流im被反饋到圖4的APC138，且執(zhí)行保持目標讀取功率的自動功率控制。然而，由于圖32A中的PWM記錄的光發(fā)射脈沖串的最后光發(fā)射功率下降到零功率240，該光發(fā)射功率被減小到低于APC138中的目標讀取功率的值。在零功率240，實際的光發(fā)射功率與APC138的目標讀取功率相比是缺乏的。因此，為了補充不足的功率，APC138借助一個反饋來進行一個校正，以增大功率，如虛線所示。因此，隨后的光發(fā)射脈沖串如虛線所示地被移動了。即，由于圖32C中的監(jiān)測器電流im沿著使功率總是缺乏的方向變化，在總體上發(fā)生了這樣的漂移，即該漂移使得光發(fā)射脈沖串沿著增大寫入功率的方向移動。
因此，在本發(fā)明中，為了使圖33A中的光發(fā)射功率與圖3A中的相同，如圖33B中所示，與第一寫入功率WP1(其中在PWM記錄中對每一個脈沖都有把握地產生了一個功率)相對應的減除電流i2得到減小，從而補償了功率缺乏量—其中圖33C中的監(jiān)測器電流等于或小于目標讀取功率。圖33D顯示了與第一寫入功率WP1的一個監(jiān)測器電流ia的時間相對應的一個區(qū)域246，在該第一寫入功率WP1中圖33C中的監(jiān)測器電流中的目標讀取功率RP被設定為一個基準；還顯示了一個區(qū)域248，它具有監(jiān)測器電流ib的時間寬度，而監(jiān)測器電流ib對應于由于光發(fā)射功率在脈沖串結束時被設定為0而產生的不足功率。第一寫入功率WP1的一個脈沖間隔Ta和其間產生不足功率的間隔Tb之間保持著固定的關系Ta∶Tb＝3∶2因為當相對于圖5H的光發(fā)射功率而考慮了圖5C的寫入時鐘的時序時Ta＝1.5個時鐘且Tb＝1個時鐘。第一寫入功率WP1具有這樣的關系，即象在圖5G的第一寫入脈沖一樣，為圖5D的每一個脈寬數(shù)據(jù)都肯定產生一個功率。因此，如果當以圖33D中的讀取功率RP作為基準時功率增大區(qū)域246的時間乘積和功率不足區(qū)域248的時間乘積相等，就能夠防止寫入功率由于如圖32A至32C所示的不足功率而產生的漂移。即，只要進行如下的設定就足夠了。
(Ta×ia)＝(Tb×ib)由于Ta被固定為3且Tb被固定設定為2，功率增大區(qū)域246的具有與不足區(qū)域248相同的時間乘積的監(jiān)測器電流ia為ia＝ib×2/3為了獲得這樣的監(jiān)測器電流ia，把圖33B的減除電流中的第一寫入功率減除電流i2設定為(i1-ia)(它比i2小ia)就足夠了。即獲得了(i2-ia)＝i2-[ib×(2/3)]在第一寫入功率WP1的時序，與其對應的值被置于圖4中的WP1減除DAC寄存器130，且把用于第一寫入功率的減除電流源114的減除電流i2設定為(i2-ia)(它僅減小了ia)就足夠了。在圖31的第一寫入功率光發(fā)射粗調中，為了保持如圖33D所示的關系，監(jiān)測器電流得到調節(jié)，從而與功率的一個值(ia)相等，以在完成了步驟S1中4mW的光發(fā)射之后通過在步驟S2中的WP1減除DAC寄存值z的增大而得到抵消，從而獲得(x1，z1)。類似地，對于在其中在步驟S3以8mW進行光發(fā)射的狀態(tài)中在步驟S4進行的WP1減除DAC寄存器Z的調節(jié)，監(jiān)測器電流得到調節(jié)以等于給出相同功率的監(jiān)測器電流ia，從而進行抵消，從而獲得(x2，z2)。根據(jù)(x1，z1)和(x2，z2)—其中減除電流得到調節(jié)從而等于與在步驟S5中進行抵消的功率對應的ia，從在步驟S6中的WP1減除電流DAC寄存器Z的線性近似的關系方程，計算出斜率c2和與y軸的交點d2，并將它們寄存到表中。通過利用斜率c2和與y軸的交點d2來設定WP1電流DAC寄存值y，進行了對由于減除電流在圖33B中的減除電流的第一寫入功率WP1的時序處的減小而產生的不足功率的補償。因此，如圖33C所示，在第一寫入功率WP1的時序，監(jiān)測器電流ia增大到目標讀取功率RP之上，且APC 138反饋該電流，從而抑制增大的功率，如虛線所示。因此，當光發(fā)射脈沖串完成且功率被設定為0時，APC138沿著抑制功率的方向進行反饋控制。在零功率，即使比目標讀取功率RP小很多的監(jiān)測器電流被反饋且功率得到提高，由于功率已經在前一級得到了抑制，即使功率由于缺少反饋量而得到了增大，前一級的不足量也得到了抵消。在下一個光發(fā)射脈沖串中的寫入功率的變化能夠得到吸收。因此，即使功率在PWM記錄的脈沖串的結束時刻被設定為0，也不出現(xiàn)沿著使功率被APC138所增大的方向的漂移，且實現(xiàn)了穩(wěn)定的寫入操作。
在圖33A至33D中，雖然作為一個例子而顯示和描述了在PWM的功率脈沖串結束時將功率被設定為0的情況，但功率并不總是被設定為0，且本發(fā)明也能夠以類似的方式被應用到將功率減小到目標讀取功率RP或更小的情況。
圖34是寫入功率的設定處理的流程圖，該處理是在借助圖7的光發(fā)射粗調處理單元162和光發(fā)射細調處理單元164而完成了所有的光發(fā)射調節(jié)之后，由功率設定處理單元166執(zhí)行的。在該功率設定處理中，首先在步驟S1，通過對來自上級設備的指令的解碼，判定操作模式是寫入模式還是擦除模式，并從道地址導出區(qū)號。在步驟S2，通過利用通過讀取寄存器174而獲得的此時的設備溫度和在步驟S1中獲得的區(qū)號作為索引，從極限功率表206讀出在此情況下的最佳功率的缺省放大率。如果最佳功率的缺省放大率超過了功率界限，則功率界限被校正到限定的值。在步驟S3，檢查裝載的介質是否PWM記錄介質。在PPM記錄介質的情況下，在步驟S4，從指定的擦除或寫入模式以及區(qū)號并參照擦除功率表196和第一寫入功率表198，計算出與相應的擦除功率EP和第一寫入功率WP1相對應的各個功率。在PWM介質的情況下，處理程序進行到步驟S5。以與PPM介質的情況類似的方式，從指定的擦除或寫入模式以及區(qū)號，計算出各個擦除功率EP和第一寫入功率WP1。另外，對于第二寫入功率WP2，從設備的溫度T和此時的區(qū)號并參照功率比值表202，獲得功率比值(WP2/WP1)。通過將已經計算出的第一寫入功率WP1乘到獲得的功率比值上，計算出第二寫入功率WP2。當能夠計算出上述各個功率時，在步驟S4，把此時給出的最佳寫入功率的缺省放大率乘到計算出的擦除功率EP、第一寫入功率WP1、和第二寫入功率WP2上，從而計算出所要設定的功率。在步驟S7，從計算出的功率計算DAC的指令值，用于指令光發(fā)射電流和最佳電流。在DAC指令值的計算中，從圖7A和7B中的系數(shù)表184至194讀出線性近似的關系方程的斜率和與y軸的交點，并形成關系方程。通過將步驟S6中計算出的功率代入關系方程，計算電流DAC寄存值和減除DAC寄存值。在最后的步驟S8，計算出的寄存值被置入圖4所示的激光二極管控制電路，且一系列的功率設定處理得到完成。
(最佳寫入功率調節(jié))圖35是寫入功率調節(jié)功能的功能框圖，用于把激光二極管的寫入功率設定到由圖2A的光盤驅動器的MPU14實現(xiàn)的最佳值。一個寫入功率調節(jié)單元300由MPU14組成。為寫入功率調節(jié)單元300設置了一個調節(jié)時序判定單元302、一個測試寫入執(zhí)行單元304、以及一個功率表形成單元306。設備溫度由寄存器308輸入寫入功率調節(jié)單元300。為寫入功率調節(jié)單元300設置了一個功率表存儲單元310。在功率表存儲單元310中，設置有一個缺省擦除功率表312、一個缺省寫入功率表314以及一個溫度校正系數(shù)表316。例如，作為缺省擦除功率表312，如圖36所示，已經與第i區(qū)(＝1至11)對應地存儲了缺省擦除功率(＝3.0至4.5mW)。如圖37所示，與第i區(qū)(＝1至11)相對應，已經在缺省寫入功率表314中存儲了缺省寫入功率(＝6.0至11.0mW)。另外，如圖38所示，與第i區(qū)(＝1至11)對應地，已經在溫度校正系數(shù)表316中存儲了溫度校正系數(shù)Kt(＝-0.1至0.10)。圖38中的溫度校正系數(shù)表316中的溫度校正系數(shù)Kt，對應于當設備溫度T等于(T＝25℃)時的值。進一步地，在功率表存儲單元310中，設置了一個擦除功率表318、一個第一寫入功率表320和一個第二寫入功率表322。因此，給出由寫入功率調節(jié)單元300確定的最佳寫入功率的缺省放大率被乘到與區(qū)號對應的缺省擦除功率表312和缺省寫入功率表314，從而使一個擦除功率表318和一個第一寫入功率表320的各個功率能夠得到計算和寄存。對于第二寫入功率表322，由于已經預先確定了利用第一寫入功率作為基準的第二寫入功率的功率比值，通過將該功率比值乘到從與區(qū)號對應的缺省寫入功率表314獲得的第一寫入功率上，能夠獲得第二寫入功率。進一步地，對于擦除功率和第一與第二寫入功率中的每一個，根據(jù)此時的設備溫度T而利用溫度校正系數(shù)表316中的溫度校正系數(shù)而得到溫度校正的值，得到了采用。利用如上所述的寫入功率調節(jié)單元300確定的最佳寫入功率的缺省值來形成擦除功率表318、第一寫入功率表320和第二寫入功率表322，是由功率表形成單元306進行的。為功率表存儲單元310設置了一個功率設定處理單元324。功率設定處理單元324在完成了最佳寫入功率的調節(jié)之后由上級設備存取，并根據(jù)設備溫度、介質種類、寫入或擦除存取模式以及表示寄存器326的組中顯示的存取道的區(qū)號，而借助激光二極管的光發(fā)射控制來設定功率。當功率得到設定時，功率設定處理單元324根據(jù)設備溫度、介質種類、寫入或擦除存取模式以及區(qū)號，訪問功率表存儲單元310中的擦除功率表318、第一寫入功率表320、第二寫入功率表322和溫度校正系數(shù)表316，根據(jù)從這些表中檢索到的數(shù)據(jù)計算圖4所示的激光二極管控制電路24的各個寄存器的電流指令值，并產生計算出的電流指令值。為寫入功率調節(jié)單元300設置的調節(jié)時序判定單元302確定測試寫入執(zhí)行單元304的時序并進行激活。在介質剛好被裝載到光盤驅動器中之后，調節(jié)時序判定單元302不激活最佳寫入功率的調節(jié)處理。當在完成了光盤驅動器的初始化處理之后從上設備產生了第一寫入指令時，調節(jié)時序判定單元302鑒別該寫入指令，從而使測試寫入執(zhí)行單元304執(zhí)行一個測試寫入，以借助最佳寫入功率來執(zhí)行。在一旦完成了測試寫入執(zhí)行單元304進行的寫入功率調節(jié)處理之后，計算寫入功率調節(jié)結果的有效時間。當從調節(jié)結束始經過時間達到了計算出的有效時間時，測試寫入執(zhí)行單元304為下一個寫入功率調節(jié)而進行的處理得到了激活。對于其間經過時間達到有效時間的時期，當從寄存器308輸入的設備溫度T超過例如±3℃時，通過激活測試寫入執(zhí)行單元304而進行的寫入功率調節(jié)得到了強迫執(zhí)行。測試寫入執(zhí)行單元304重復進行處理，從而使裝載的介質的非用戶區(qū)域中的一個任意測試區(qū)域得到了指定，且在預定的測試模式在逐漸減小寫入功率的同時被寫入介質之后，該測試模式被讀出并與原來的測試模式相比較，從而計數(shù)數(shù)據(jù)的不一致的次數(shù)。在上述的測試寫入處理中，當計數(shù)的不一致次數(shù)超過了預定的最大數(shù)(例如1000)時的寫入功率得到了檢測，作為極限寫入功率。如上所述，當極限寫入功率在逐漸減小寫入功率的同時得到檢測時，通過將預定的偏移量加到極限寫入功率上而獲得的值，被確定為最佳寫入功率。寫入功率在測試寫入執(zhí)行單元304中的設定，是利用此時的寫入功率缺省值作為基準并利用缺省放大率而執(zhí)行的。因此，極限寫入功率也作為表示極限寫入功率的缺省放大率而得到檢測。通過將一個預定偏移量比值加到缺省放大率上而獲得的一個值，被確定為最佳寫入功率的缺省比值。
現(xiàn)在結合一個流程圖來描述借助圖35中的寫入功率調節(jié)單元300來確定最佳寫入功率的調節(jié)處理的細節(jié)。圖39是當介質被裝載到本發(fā)明的光盤驅動器中時的盤激活處理的流程圖。作為被用作根據(jù)本發(fā)明的光盤驅動器的介質，有四種介質，包括作為PPM記錄介質的128MB介質和230MB介質，以及作為PWM記錄介質的540MB介質和640MB介質。在圖39中，介質在步驟1被裝載并如圖3所示地被置于轉軸馬達40上，并以恒定速度轉動。在步驟S2，設定測試寫入請求標記FL。進一步地，在步驟S3，目前時間得到初始化。在步驟S4，當前的設備溫度T得到檢測，且完成了在激活時調節(jié)寫入功率所需的處理。在盤激活處理中，作為確定最佳寫入功率的準備處理以外的處理，形成DAC的各個系數(shù)表—這些DAC被用于借助圖7A和7B所示的LD光發(fā)射處理單元160而提供的電流指令，并形成存儲光發(fā)射功率的缺省值的功率表。因此，準備了圖36、37和38中所示的缺省擦除功率表312、缺省寫入功率表314和溫度校正系數(shù)表316。
圖40是在激活了光盤驅動器之后的寫入處理的總體流程圖。在該寫入處理中，在步驟S1判定是否有來自上級設備的測試寫入請求。如果有測試寫入請求，則隨后進行步驟S4，并執(zhí)行測試寫入。在通常的狀態(tài)下，由于沒有來自上級設備的測試寫入請求，處理程序進行到步驟S2，且判定是否需要測試寫入。關于是否需要測試寫入的判定由圖35的調節(jié)時序判定單元302進行。當在步驟S3判定需要測試寫入時，隨后進行步驟S4，且測試寫入執(zhí)行單元304執(zhí)行測試寫入并確定最佳寫入功率。當確定了最佳寫入功率時，在步驟S5測試寫入請求標記FL得到復置。在步驟S6，當前時間得到更新且通過執(zhí)行測試寫入而確定的最佳寫入功率的時間得到保持。在步驟S7，當前溫度得到更新且當通過執(zhí)行測試寫入而確定最佳寫入功率時的設備溫度也得到保持。在步驟S8，當在此情況下的上級設備請求寫入存取時，執(zhí)行來自上級設備的寫入操作。圖41A和41B是判定是否需要圖40中的步驟S3中的測試寫入的處理的流程圖。在判定是否需要測試寫入的處理中，首先在步驟S1讀出當前時間。在步驟S2，計算從光盤驅動器激活至前一測試寫入的時間。在步驟S3，通過用一個預定時間(例如20秒)除激活的時間A，將時間A轉換成單元時間B。在步驟S4，檢查單元時間B的數(shù)目是否少于8個，即從激活至第一測試寫入的時間A是否小于160秒。當時間A小于160秒時，隨后進行步驟S5，且檢查單元時間B的數(shù)目是否小于4，即時間A是否小于30秒。當溫度T在80至160秒之間時，單元時間B的數(shù)目被固定在3，即時間A在步驟S6被固定在30秒，且處理程序進行到步驟S7。當在步驟S5時間A小于80秒時，處理程序進行到步驟S7。在步驟S7，計算一個有效時間C—其間保證了采用由前一測試寫入確定的最佳寫入功率。在此情況下，有效時間C被設定為(20秒×2B(單元時間的數(shù)目))。有效時間的最大值被限制在160秒。因此，只要從激活至測試寫入的時間A小于160秒，其間保證了測試寫入確定的最佳寫入功率的有效時間C被設定為對應于2B的時間。當時間A超過了160秒時，有效時間C被固定于預定的時間(C＝160秒)。當計算這種有效時間C時，它根據(jù)一個所要求的時間而變化，直到裝載到光盤驅動器中的介質的溫度被穩(wěn)定在設備溫度。即，在介質剛被裝載之后的初始化時，由于介質溫度與設備溫度有所不同，根據(jù)設備溫度的最佳寫入功率調節(jié)在此階段不能有效地進行。因此，在激活時不執(zhí)行對寫入功率的調節(jié)。當大約一或兩分鐘的時間過去時，裝載的介質的溫度與設備溫度達到了平衡。因此，第一寫入功率調節(jié)，與一個時序同步地得到執(zhí)行，而該時序是在光盤驅動器得到激活之后第一次從上級設備發(fā)出寫入指令的時序。在激活之后，由于從上級設備發(fā)出寫入指令的時序是變化的，在圖41A的步驟S1至S7，獲得從激活至首先測試寫入的時間A，且從時間A確定用于鑒別下一個和隨后的測試寫入時序的有效時間C。當有效時間C能夠在步驟S7中得到計算時，在步驟S8，作為通過將計算出的的有效時間C加到前一測試寫入的時間上而獲得的時間的有效判定時間D得到計算。在圖41B中的步驟S9，檢查當前時間是否超過了有效判定時間D。當當前時間超過了有效判定時間D時，隨后進行步驟S14，且一個測試寫入標記被接通。處理程序進行到下一個測試寫入的執(zhí)行。當在步驟S9中當前時間沒有達到有效判定時間D時，在步驟S17測試寫入標記被關斷。當單元時間B等于或大于8，即當在步驟S4有效時間等于或長于160秒時，隨后進行步驟S10，并檢查通過從當前時間減去前一測試寫入時間而獲得的時間是否小于一小時。如果“是”，則在步驟S11讀出當前溫度。在步驟S12，檢查當前溫度是否處于前一溫度的±3℃的范圍內。如果“是”，在步驟S13，測試寫入標記被關斷且不進行測試寫入。當有超過前一溫度的±3℃的溫度漲落時，測試寫入標記被接通且在步驟S14執(zhí)行測試寫入。當在步驟S10當前時間與前一測試寫入時間之差等于或長于一小時時，測試寫入標記在步驟S14被強迫接通并執(zhí)行測試寫入。在關于是否需要測試寫入的判定處理中設定的閾值時間，可以根據(jù)需要得到適當確定。
圖42A和42B顯示了一個測試寫入執(zhí)行處理的流程圖，該處理是在圖40A中的步驟S4執(zhí)行的，且該處理是由圖35中的測試寫入執(zhí)行單元304執(zhí)行的。首先在步驟S1，測量設備溫度T。在步驟S2，在為圖2的控制器10設置的緩沖存儲器20中形成十六進制符號的寫入圖案組成的測試模式(pattern)“596595”和“FEDC，……3210”。測試模式“596595”是最壞的圖案，其中誤差的發(fā)生率是最大的?！癋EDC，……3210”是十六進制符號的各個字的整個圖案。在步驟S3，形成測試寫入執(zhí)行扇區(qū)。如將在下面描述的，對于測試寫入執(zhí)行扇區(qū)，在介質的非用戶區(qū)域中確定的一個測試區(qū)域得到指定，且扇區(qū)地址得到產生。在步驟S4，從設備溫度計算開始寫入功率WP的缺省比值WPO。在步驟S5，通過將此時的缺省寫入功率DWP乘到缺省寫入功率比值WPO上，計算出寫入功率WP。在步驟S6，利用缺省比值WPO計算擦除功率EP。當計算缺省擦除功率EP時，采用了一個值的擦除功率的缺省比值—該值是以這樣的方式獲得的，即一個值—其中系數(shù)0.7被乘到通過從寫入功率的缺省比值WPO減去1.0而獲得的一個值上—被加到1上；且這樣的缺省比值被乘到一個缺省擦除功率DEP上，從而計算出擦除功率EP。即，擦除功率的流程圖比值與寫入功率相比得到了抑制。在步驟S7，通過采用計算出的寫入功率WP和擦除功率EP，將在步驟S2在緩沖存儲器中形成的兩種寫入圖案寫入到介質的測試區(qū)域中。在此例中，當介質是128MB或230MB介質時，進行PPM記錄。當介質是540MB或640MB介質時，執(zhí)行PWM記錄。在完成了數(shù)據(jù)寫入操作之后，在步驟S8執(zhí)行測試模式的數(shù)據(jù)的讀取操作。在步驟S9，讀取圖案被與緩沖存儲器中的原來的寫入圖案相比較，且以字為單位來計數(shù)數(shù)據(jù)的不一致的次數(shù)。在步驟S10，當數(shù)據(jù)的不一致的次數(shù)小于1000時，這意味著功率沒有達到下限點的寫入功率，處理程序進行到步驟S11。寫入功率的缺省比值WPO被減小了預定的值0.05。處理程序再次返回到步驟S5，且執(zhí)行利用減小了0.05的缺省比值WPO的測試寫入。該數(shù)據(jù)寫入操作在如上所述地減小寫入功率的缺省比值WPO的同時得到重復。當數(shù)據(jù)的不一致的次數(shù)在步驟S10等于或大于1000時，判定功率已經達到了寫入功率下限點。在步驟S12，缺省比值被校準到25℃C處的下限功率的缺省比值(WPO-EDG)。即，通過將溫度校正系數(shù)乘到一個值—其中從當前溫度減去了25℃—而獲得的一個值，被加到在步驟S10確定的寫入功率下限點(WPO-EDG)。在步驟S13，預定的偏移量比值ΔWPO被加到溫度校準值上，從而計算最佳功率的缺省比值WPO。在步驟S14，根據(jù)確定的最佳寫入功率的缺省比值WPO的各個區(qū)的寫入功率得到設定。
圖43顯示了一個測試寫入，其中在圖42A和42B中的測試寫入的執(zhí)行中的測試功率被逐漸減小。首先，在一個開始點328，通過設定缺省寫入功率DWP而開始測試寫入。通過在每次將開始的缺省比值1.0減小0.05的同時進行測試寫入，獲得不一致的次數(shù)。當寫入功率WP達到下限寫入功率WP時，不一致的次數(shù)增大。當不一致的次數(shù)達到了預定的閾值(例如1000個)時，它被檢測為極限點330。通過將預定的偏移量比值ΔWPO加到與在極限點330處的下限寫入功率WP相對應的缺省比值WPO—極限上，確定了一個缺省比值WP—最佳，它給出了最佳寫入功率WP。
圖44是曲線圖，顯示了溫度校正系數(shù)Kt與偏移量比值ΔWPO的特性，而偏移量比值ΔWPO在圖42B的步驟S13中被加到極限功率的缺省比值上。用于為溫度T校正偏移量比值ΔWPO的溫度校正系數(shù)Kt，是借助作為線性近似(其中在溫度T(＝25℃)處的校正系數(shù)Kt被設定為Kt＝1.0)的關系方程(Kt＝A·T+B)的系數(shù)的斜率A和與y軸的交點B而確定的。因此，通過將此時的設備溫度T代入關系方程，獲得了相應的溫度系數(shù)Kt的值。通過將在溫度T(＝25℃)下獲得的缺省偏移量比值ΔWPO乘到Kt的值上，能夠獲得用于計算最佳寫入功率的偏移量比值ΔWPO。
圖45顯示了區(qū)校正Ki的線性近似的關系方程，其中該校正是用于用在圖42B的步驟S13中的偏移量比值ΔWPO的區(qū)號的。該關系方程由(Ki＝C·i+D)確定，且斜率C和與y軸的交點D是作為關系方程的系數(shù)而確定的。由于在中心第i區(qū)＝6處區(qū)校正系數(shù)Ki被設定為1.0，確定了在區(qū)號6處的缺省偏移量比值ΔWPO。因此，區(qū)校正系數(shù)Ki是從對于任意第i區(qū)的關系方程(Ki＝C·i+D)獲得的，并被乘到第i區(qū)的缺省偏移量比值ΔWPO上，從而能夠獲得用于在步驟S13計算最佳寫入功率的偏移量比值ΔWPO。
圖46A至46C是曲線圖，顯示了圖42A和42B中的測試寫入中的用于寫入功率WPO的不一致次數(shù)與設備溫度的特征。圖46A涉及這樣的情況，即其中設備溫度等于25℃。圖46B涉及該溫度被減小到T＝10℃的情況。圖46C涉及其中溫度被增大到T＝55℃的情況。對于圖46A中的T＝25℃，當設備溫度減小時，如圖46B中的T＝10℃所示，不一致次數(shù)對寫入功率的特性曲線360沿著使寫入功率由于溫度的降低而被增大的方向而被移到特性364。相反地，當溫度被增大到如圖46C所示的T＝55℃時，曲線360沿著減小寫入功率的方向被移到特性368。因此，最佳寫入功率點根據(jù)溫度而改變，如362、366、370所示。對于寫入功率和不一致次數(shù)取決于設備溫度的特性，例如，假定測試寫入的開始功率在T＝25℃被固定在低功率側的開始功率WP。在此狀態(tài)下，當溫度如圖46B所需地減小到T＝10℃時，低于在超過1000的不一致次數(shù)的極限點30寫入功率的寫入功率，被設定為啟動功率。因此，在圖42A和42B的測試寫入的執(zhí)行中，如果在第一測試寫入中數(shù)據(jù)的不一致的次數(shù)超過了在低功率側上的極限點處的閾值1000，則在步驟S11執(zhí)行一個處理，以增大寫入功率的缺省比值ΔWPO一個預定的比值。因此，即使溫度下降，通過將開始功率移到高于在極限點330處的功率側，也能夠進行正常的測試寫入。顯然可以理解的，是當一個預定的缺省值被設定為開始寫入功率時，通過進行基于設備溫度T的溫度校正，也能夠根據(jù)圖46A至46C所示的與溫度對應的特性，來設定測試寫入的最佳開始功率。即使借助這種方法，如果測試功率的開始功率低于低功率側上的極限點，只要將一個偏移量比值加上以借助類似的處理來增大開始功率，就足夠了。
圖47是形成測試寫入執(zhí)行扇區(qū)的地址的流程圖，該處理是在圖42A和42B中的測試寫入執(zhí)行的步驟S3執(zhí)行的。測試寫入執(zhí)行地址的形成，涉及隨機扇區(qū)地址的產生的一個例子。首先在步驟S1，設定介質的區(qū)域開頭地址。在本發(fā)明的測試寫入中，圖48的介質72中的用戶區(qū)域334之外的一個非用戶區(qū)域338或之內的非用戶區(qū)域336被分配給一個功率調節(jié)區(qū)域。圖49顯示了圖48中的非用戶區(qū)域338，且相對于非用戶區(qū)域338中的一個預定道范圍設定了一個功率調節(jié)區(qū)域340。因此，在步驟S1，一個區(qū)域開頭地址，即功率調節(jié)區(qū)域340中的任意測試寫入的一個道地址和一個扇區(qū)數(shù)，得到了設定。在步驟S2，從一個一道的區(qū)域長度減去其中已經完成了測試寫入的扇區(qū)的數(shù)目，從而獲得剩余的區(qū)域長度。這是由于對于其中曾經進行了測試寫入的扇區(qū)不繼續(xù)進行測試寫入。在步驟S3，通過將一個隨機數(shù)乘到剩余的區(qū)域長度上，獲得了偏移扇區(qū)的數(shù)。作為一個隨機數(shù)，根據(jù)預定的隨機數(shù)程序產生在從0至1范圍中的一個任意值。當偏移扇區(qū)的數(shù)被如上所述地獲得時，在步驟S4，通過將偏移扇區(qū)的數(shù)加到區(qū)域開頭地址上，獲得執(zhí)行地址。圖50顯示了通過形成圖47中的隨機測試寫入地址的測試寫入。三次的測試寫入342-1、342-2和342-3，是用四扇區(qū)作為一個單位，而隨機執(zhí)行的。
圖51顯示了測試寫入執(zhí)行扇區(qū)的地址形成的另一實施例，該地址形成是在圖42A和42B中的測試寫入執(zhí)行的步驟S3執(zhí)行的，且其特征在于測試寫入執(zhí)行地址是依次形成的。首先在步驟S1，通過從區(qū)域最后地址減去已經得到測試的測試寫入扇區(qū)的數(shù)，而獲得功率調節(jié)區(qū)域的最后開始地址。在步驟S2，前一個執(zhí)行地址被置入執(zhí)行地址。在步驟S3，前一執(zhí)行地址和最后開始地址得到比較。當前一執(zhí)行地址沒有達到最后開始地址時，隨后進行步驟S5，且執(zhí)行地址被設定為[(前一執(zhí)行地址)+(測試寫入扇區(qū)的數(shù))]，并執(zhí)行測試寫入。當前一執(zhí)行地址超過了最后開始地址時，在步驟S4將區(qū)域開頭地址置入執(zhí)行地址，并執(zhí)行測試寫入。圖52顯示了通過圖51的測試寫入地址的依次形成而進行的功率調節(jié)區(qū)域的測試寫入，且測試寫入344-1、344-2和344-3，是以四扇區(qū)作為一個單位而執(zhí)行的。
圖53是圖42A和42B中的步驟S8中的數(shù)據(jù)讀取處理的流程圖。在測試寫入結束之后的數(shù)據(jù)讀取操作中，首先在步驟S1讀出扇區(qū)。對于扇區(qū)讀取操作，在步驟S2鑒別異常結束是否存在。在異常結束的情況下，檢查錯誤的因素是否基于同步字節(jié)的同步錯誤。如圖54的道格式所示，同步字節(jié)354是表示數(shù)據(jù)356的開始位置的重要信息。如果該錯誤因素是基于同步字節(jié)354的同步錯誤，由于不能讀出隨后的數(shù)據(jù)356，處理程序進行到步驟S5。為了將不一致的次數(shù)強行設定到最大值，與測試模式完全不同的一個圖案被存儲到讀取緩沖器中。因此，數(shù)據(jù)的不一致的次數(shù)，通過比較讀取緩沖器中的不同圖案和測試模式，而達到最大。在步驟S3中錯誤不是同步字節(jié)的同步錯誤的情況下，在步驟S4根據(jù)需要執(zhí)行另一種錯誤處理。在步驟S6，檢查扇區(qū)是否功率調節(jié)區(qū)域中的最后一個扇區(qū)。從步驟S1開始的處理得到重復，直到扇區(qū)達到最后扇區(qū)。在最后扇區(qū)的情況下，處理程序進行到不一致的次數(shù)的下一個判定處理。
圖55是在圖42A和42B中的步驟S9中以字為單位計數(shù)數(shù)據(jù)的不一致的次數(shù)的處理的流程圖。首先在步驟S1，將D＝0置入用于鑒別質量良好的扇區(qū)的計數(shù)器D。在步驟S2，通過將測試模式與讀取圖案相比較而獲得一個扇區(qū)的不一致的次數(shù)。在步驟S3，檢查一個扇區(qū)的不一致次數(shù)是否小于預定的閾值(例如10)。如果它小于10，則判定扇區(qū)是質量良好的扇區(qū)。在步驟S4，表示質量良好的扇區(qū)的計數(shù)器D被加1。當不一致的次數(shù)等于或大于10時，不一致的次數(shù)的計數(shù)增大。當在步驟S7沒有鑒別到最后扇區(qū)時，處理程序再次返回到步驟S2，且通過比較處理獲得下一個扇區(qū)的不一致次數(shù)。在步驟S4，當質量良好的扇區(qū)的計數(shù)器D被增大1時，隨后進行步驟S5并檢查計數(shù)器D是否等于或大于1。當D小于1時，即當它等于0時，處理程序進行到步驟S6，且所有的扇區(qū)都被認為是質量良好的扇區(qū)。不一致的次數(shù)被設定為0。因此，當測試寫入的開頭扇區(qū)被認為是質量良好的扇區(qū)時，對隨后的扇區(qū)不進行不一致次數(shù)的比較，而是進行下一個測試寫入。因此，實現(xiàn)了高處理速度的測試寫入，且調節(jié)時間得到了縮短。
圖56是圖42A和42B中的步驟S14中最后執(zhí)行的各個區(qū)的寫入功率設定處理，即功率表形成處理，的流程圖。在該功率表形成處理中，在步驟S1，從設備溫度計算擦除功率EP的缺省功率表和每一個區(qū)的第一寫入功率WP1。在步驟S2，設定第i區(qū)的寫入功率(WP)i，把在寫入功率調節(jié)中獲得的最佳缺省比值WPO乘到缺省寫入功率DWPi上，并進一步執(zhí)行溫度校正，從而計算寫入功率。在步驟S3，檢查介質是否PWM介質。在PWM介質的情況下，隨后進行步驟S4，且與在步驟S2中獲得的第一寫入功率對應的一個寫入功率(WP1)i乘到第i區(qū)的功率比值(WP2/WP1)上，從而計算一個第二寫入功率(WP2)i。在步驟S5，設定第i區(qū)的一個擦除功率(EP)i。當計算擦除功率時，把抑制漲落量的一個系數(shù)0.7乘到一個值上—在該值中從通過寫入功率調節(jié)而導出的最佳寫入功率的缺省比值WPO減去了1.0，且所得到的乘積被加1.0。所得到的和值又被乘到缺省擦除功率EPi上。借助此時測量的溫度進行的溫度校正顯然得到了進行。借助圖56的功率表形成處理，形成了圖35的功率表存儲單元310中所示的擦除功率表318、第一寫入功率表320、和第二寫入功率表322。響應于來自上級設備的隨后的寫入存取，讀出與區(qū)號對應的功率，并進行根據(jù)此時的設備溫度的溫度校正。在此之后，計算并設定圖4的激光二極管控制電路中的寄存器的DAC指令值，且激光二極管100的光發(fā)射得到了控制。
根據(jù)如上所述的本發(fā)明，通過在兩個功率—它們是低功率因而不會損壞激光二極管—進行激光二極管的光發(fā)射控制，能夠在不損壞設備的情況下在短時間里進行光發(fā)射調節(jié)。即使區(qū)的數(shù)目增大(例如它們被分成三個區(qū)域)，光發(fā)射調節(jié)也得到進行，且在任意功率下在所有區(qū)中的調節(jié)值能夠借助調節(jié)結果的線性近似而得到設定。即使區(qū)的數(shù)目增大，也能夠在短時間內進行光發(fā)射調節(jié)。另外，即使區(qū)的數(shù)目由于介質的格式改變而改變，設備也能夠方便地適應。
根據(jù)本發(fā)明，在不給激光二極管產生負擔的情況下，能夠在短時間里適當?shù)剡M行借助測試寫入的最佳寫入功率確定處理。即，作為確定最佳寫入功率的調節(jié)處理，只要從開始功率逐漸減小寫入功率并檢測下限側上的極限功率，就足夠了。與在兩個點處檢測上和下限功率的傳統(tǒng)情況相比，使用一半的時間就足夠了。由于測試寫入不需要高功率，不會對激光二極管產生損壞，且設備的壽命得到了改善。
本發(fā)明不限于前述實施例，且在本發(fā)明的所附權利要求書的精神和范圍內可以有很多修正和變化。本發(fā)明不僅限于在本發(fā)明的前述實施例中公布的數(shù)值。
權利要求
1.一種光學存儲設備，包括一個激光二極管，用于發(fā)射激光束；一個光發(fā)射電流源電路，用于根據(jù)多個功率向所述激光二極管提供驅動電流；一個自動功率控制單元，用于將所述激光二極管的光發(fā)射功率控制在指定的目標功率；一個監(jiān)測器光敏裝置，用于接收所述激光二極管的激光束的一部分，并輸出一個光敏電流；一個減除電流源電路，用于從所述光敏電流減去與一個特定的光發(fā)射功率與所述目標功率之差相對應的一個特定減除電流，并轉換成一個監(jiān)測器電流并將所述監(jiān)測器電流反饋到所述自動功率控制單元；一個測量單元，用于進行監(jiān)測以讀取從所述減除電流源電路導出的監(jiān)測器電流作為功率測量值；以及一個光發(fā)射調節(jié)處理單元，用于以在兩個點處的預定測試功率依次指令所述光發(fā)射電流源電路進行光發(fā)射，對所述激光二極管進行光發(fā)射驅動，把與在兩個點處的所述測試功率相對應的特定減除電流指令給所述減除電流源電路，從用于監(jiān)測的所述測量單元測量各個測試功率，并根據(jù)所述測量的結果并借助一個線性近似來獲得在任意功率下所述光發(fā)射電流源電路和所述減除電流源電路的指令值之間的關系。
2.根據(jù)權利要求1的設備，其中所述光發(fā)射調節(jié)處理單元包括一個光發(fā)射粗調處理單元，用于在其中上道控制被取消的狀態(tài)下借助在兩點處的預定測試功率依次指令所述光發(fā)射電流源電路進行光發(fā)射，對所述激光二極管進行光發(fā)射，把與在兩點處的所述測試功率相對應的指定減除電流指令給所述減除電流源電路，從用于監(jiān)測的所述測量單元測量各個測試功率，根據(jù)所述測量的結果并借助線性近似，獲得用于監(jiān)測的所述測量單元的一個功率測量值與一個任意光發(fā)射功率的關系，用于進行光發(fā)射的所述指令值與該任意光發(fā)射功率的關系，以及用于減除的所述指令值與該任意光發(fā)射功率的關系，并將所述關系寄存到一個功率表中；以及一個光發(fā)射細調處理單元，用于依次指令所述光發(fā)射電流源電路在其中上道控制有效的狀態(tài)下借助在兩點處的預定測試功率進行光發(fā)射，對所述激光二極管進行光發(fā)射驅動，把與所述在兩點處的測試功率對應的指定減除電流指令給所述減除電流源電路，調節(jié)到所述光發(fā)射電流源電路的指令值從而使所述測量單元的一個測量功率等于所述目標功率，根據(jù)所述調節(jié)的結果并借助線性近似而獲得所述光發(fā)射電流源電路的指令值與任意光發(fā)射功率的關系，并校正所述功率表。
3.根據(jù)權利要求1的設備，其中所述光發(fā)射電流源電路包括一個讀取功率電流源，用于提供一個讀取功率電流，以使所述激光二極管能夠在借助所述激光二極管而以一個讀取功率、一個擦除功率、一個第一寫入功率和一個第二寫入功率進行光發(fā)射時以一個第一功率電平進行光發(fā)射，一個擦除功率電流源，用于在借助所述激光二極管以擦除功率、第一寫入功率和第二寫入功率進行光發(fā)射時，將一個使所述激光二極管能夠以一個第二功率電平發(fā)射光的擦除功率電流加到所述讀取功率電流上，并提供所產生的和電流，一個第一寫入功率電流源，用于在所述激光二極管以該第一寫入功率進行光發(fā)射時將使得所述激光二極管能夠以第一寫入功率進行光發(fā)射的一個第一寫入功率電流加到所述讀取功率電流和所述擦除功率電流上，并提供所產生的和電流，一個第二寫入功率電流源，用于在所述激光二極管以第二寫入功率進行光發(fā)射時把使所述激光二極管能夠以一個第三功率電平進行光發(fā)射的一個第二寫入功率電流加到所述讀取功率電流和所述擦除功率電流上，并提供所產生的和電流，以及一個光發(fā)射電流指令單元，它具有分別用于指令所述讀取功率電流源、所述第一寫入功率電流源和所述第二寫入功率電流源中每一個的電流值的D/A轉換器；且其中所述減除電流源電路包括一個擦除功率減除電流源，用于在以所述擦除功率、所述第一寫入功率和所述第二寫入功率進行光發(fā)射時從所述光敏裝置的光敏電流減去擦除功率的光敏電流，一個第一寫入功率減除電流源，用于在以所述第一寫入功率進行光發(fā)射時從所述光敏裝置的光敏電流減去所述第一寫入功率的光敏電流，一個第二寫入功率減除電流源，用于在以所述第二寫入功率進行光發(fā)射時從所述光敏裝置的光敏電流減去所述第二寫入功率的光敏電流，以及一個減除電流指令單元，它具有分別用于指令所述讀取功率減除電流源、所述第一寫入功率減除電流源和所述第二寫入功率減除電流源之每一個的電流值的D/A轉換器。
4.根據(jù)權利要求2的設備，其中所述光發(fā)射調節(jié)處理單元將介質的區(qū)—這些區(qū)是通過在多個單位的基礎上沿著徑向方向分割道而獲得的—分成多個區(qū)域，對每一個所述分割出的區(qū)域的最里圈區(qū)和最外圈區(qū)之每一個都指令所述測試功率，在測量光發(fā)射功率的同時調節(jié)光發(fā)射功率，從所述測量功率和所述測試功率的線性近似的關系方程計算所述最里圈區(qū)和所述最外圈區(qū)的一個外圈邊緣之間的區(qū)的調節(jié)值，并設定所述調節(jié)值。
5.根據(jù)權利要求4的設備，其中所述光發(fā)射粗調處理單元和所述光發(fā)射細調處理單元分別指定和調節(jié)一個擦除功率和一個寫入功率為所述測試功率。
6.根據(jù)權利要求2的設備，其中根據(jù)受到所述光發(fā)射粗調處理單元調節(jié)的所述功率表的調節(jié)值，所述光發(fā)射細調處理單元為所述光發(fā)射電流指令單元和所述減除電流指令單元計算與所述測試功率相對應的指令值，并設定所述指令值。
7.根據(jù)權利要求6的設備，其中當由所述介質的測試寫入確定的最佳寫入功率作為一個校正系數(shù)而給定時—在該校正系數(shù)中寄存在所述功率表中的寫入功率是以用調節(jié)值作為基準的一個比值來顯示的，所述光發(fā)射細調處理單元將所述校正系數(shù)乘到所述測試功率上，從而把所述測試功率校正到一個最佳測試功率。
8.根據(jù)權利要求7的設備，其中當所述最佳功率的所述校正系數(shù)給定時，所述光發(fā)射細調處理單元將所述校正系數(shù)與一個預定校正系數(shù)的一個系數(shù)限制范圍相比較—該系數(shù)限制范圍具有上限值和下限值，并當所述功率校正系數(shù)超出了所述系數(shù)限制范圍時將所述功率校正系數(shù)限制在所述上限值或所述下限值。
9.根據(jù)權利要求7的設備，其中對于所述上限值和所述下限值，當通過在多個單位的基礎上沿著徑向方向分割道而獲得的介質的區(qū)被分成多個區(qū)域時，所述光發(fā)射細調處理單元通過將各個所述分割的區(qū)域的最里圈區(qū)的寫入功率設定在一個最小功率而獲得所述下限值的一個下限比值，通過將最外圈區(qū)的寫入功率設定到一個最大功率而獲得所述上限值的一個上限比值，從所述下限比值和所述上限比值的線性近似的關系方程計算最里圈區(qū)和最外圈區(qū)的一個外圈邊緣之間的任意區(qū)的上限比值和下限比值，并設定所述上限比值和所述下限比值。
10.根據(jù)權利要求2的設備，其中當裝載到所述設備中的介質是坑位置調制(PPM)記錄介質和脈寬調制(PWM)記錄介質時，所述光發(fā)射粗調處理單元為所述記錄介質的任何一個調節(jié)一個擦除功率和一個第一寫入功率并將調節(jié)的功率寄存到所述功率表中；以及當裝載的介質是脈寬調制(PWM)記錄介質時，所述光發(fā)射細調處理單元在擦除功率和第一寫入功率之外還寄存一個第二寫入功率的一個功率比值—其中所述第一寫入功率被作為基準，并通過將所述功率比值乘到指定的第一寫入功率上而計算所述第二寫入功率，并設定所述第二寫入功率。
11.根據(jù)權利要求10的設備，其中所述光發(fā)射細調處理單元把每一個區(qū)號的各個所述功率和所述功率比值寄存到所述功率表中，并通過將指定區(qū)的功率比值乘到同一指定區(qū)的第一寫入功率上而計算所述第二寫入功率，并設定所述第二寫入功率。
12.根據(jù)權利要求11的設備，其中所述的功率比值是一個依據(jù)該設備的溫度而變化的值。
13.根據(jù)權利要求12的設備，其中所述光發(fā)射細調處理單元借助在兩個溫度T1和T2下的功率比值的線性近似而獲得兩個關系方程(y＝a1·T+b1)和(y＝a1·T+b1)—其中該線性近似是從在內圈側區(qū)的兩個不同點處在溫度T1和T2每一個下的功率比值y1和y2以及在外圈側區(qū)的兩個不同點處的溫度T1和T2每一個下的功率比值y3和y4總共四個點獲得的，借助所述內圈側和所述外圈側上的兩個區(qū)號N1和N2的所述線性近似為所述兩個線性關系方程的功率比值的兩個斜率a1和a2以及與y軸的交點b1和b2的每一個獲得兩個關系方程(a＝α·N+β)和(b＝γ·N+δ)，并將斜率α和γ和與y軸的交點β和δ寄存到所述功率表中。
14.根據(jù)權利要求13的設備，其中所述光發(fā)射細調處理單元為指定的區(qū)號N讀出功率比值的所述關系方程的斜率α和γ以及與y軸的交點β和δ，計算溫度T下關系方程的斜率a1和a2以及與y軸的交點b1和b2，并從測量的溫度最后計算功率比值。
15.根據(jù)權利要求3的設備，其中在借助脈寬調制進行記錄從而以數(shù)目對應于擦除功率、第一寫入功率和一個脈沖寬度的第二寫入功率的脈沖串進行光發(fā)射且在所述光發(fā)射脈沖串結束處功率減小到低于所述自動功率控制單元的目標功率的值且脈沖串被移到下一個光發(fā)射脈沖串的情況下，所述光發(fā)射細調處理單元減小用于減除第一寫入電流的所述D/A轉換器的減除電流的指令值，以通過使所述目標功率的不足功率的時間乘積與超過所述目標功率的第一寫入功率的時間乘積相等而進行抵消。
16.根據(jù)權利要求2的設備，其中所述光發(fā)射粗調處理單元和所述光發(fā)射細調處理單元將所述測試功率設定到低功率側上的兩點。
17.根據(jù)權利要求2的設備，其中所述自動功率控制單元將所述激光二極管的光發(fā)射功率控制到特定的目標讀取功率。
18.一種光學存儲設備，包括激光二極管，用于發(fā)射激光束；一個光發(fā)射電流源電路，用于向所述激光二極管提供根據(jù)多個功率的驅動電流；一個自動功率控制單元，用于把所述激光二極管的光發(fā)射功率控制在一個特定的目標功率；一個監(jiān)測器光敏裝置，用于接收所述激光二極管的激光束的一部分并輸出一個光敏電流；一個減除電流源電路，用于從所述光敏電流減除與一個特定光發(fā)射功率和所述目標功率之差相對應的特定減除電流，并轉換成一個監(jiān)測器電流并將所述監(jiān)測器電流反饋到所述自動功率控制單元；以及一個測量單元，用于進行監(jiān)測以讀取從所述減除電流源電路導出的監(jiān)測器電流作為功率測量值，其中當裝載到所述設備中的介質是坑位置調制(PPM)記錄介質時，所述光發(fā)射粗調處理單元和所述光發(fā)射細調處理單元調節(jié)所述擦除功率和所述第一寫入功率之每一個，且當裝載到所述設備中的介質是脈寬調制(PWM)記錄介質時，所述光發(fā)射粗調處理單元和所述光發(fā)射細調處理單元調節(jié)所述擦除功率、所述第一寫入功率和所述第二寫入功率之每一個。
19.一種光學存儲設備，包括一個激光二極管，用于發(fā)射激光束；以及一個寫入功率調節(jié)單元，用于在分步逐漸減小所述激光二極管的寫入功率的同時把預定的測試模式寫入介質，在此之后讀出所述測試模式并與一個原來的測試模式相比較，計數(shù)數(shù)據(jù)的不一致的次數(shù)，檢測其中所述不一致的次數(shù)超過一個閾值的寫入功率以作為極限寫入功率，并通過將一個預定偏移量加到所述極限寫入功率上而確定一個值以作為最佳寫入功率。
20.根據(jù)權利要求19的設備，其中所述寫入功率調節(jié)單元至少具有兩個功率—用于擦除介質的記錄坑的第一功率和用于形成記錄坑的作為寫入功率的第二功率，并當所述寫入功率被分步逐漸減小時以預定的比例關系改變所述第一和第二功率。
21.根據(jù)權利要求19的設備，其中所述寫入功率調節(jié)單元具有至少兩個功率—擦除介質的記錄坑的第一功率和形成記錄坑的作為寫入功率的第二功率，并當所述寫入功率被分步逐漸減小時改變所述寫入功率從而使所述第二功率的漲落比值小于所述第一功率的漲落比值。
22.根據(jù)權利要求19的設備，其中當不一致的次數(shù)超過了表示一個功率界限的預定閾值時—其中該功率界限是以首先設定的一個寫入功率進行的測試模式的寫入和讀取操作的功率界限，所述寫入功率調節(jié)單元將測試功率增大一個預定的值并再次嘗試寫入和讀取操作。
23.根據(jù)權利要求19的設備，其中所述寫入功率調節(jié)單元當設備的溫度低時增大加到所述記錄極限功率上的偏移量并當設備溫度高時減小所述偏移量，從而根據(jù)設備溫度來確定最佳寫入功率。
24.根據(jù)權利要求19的設備，其中所述寫入功率調節(jié)單元以這樣的方式調節(jié)加到所述記錄極限功率上的偏移量，即當設備溫度低時一個內圈側被減小和一個外圈側被增大，且當設備溫度高時內圈側被增大且外圈側被減小，從而根據(jù)設備溫度和沿著介質的徑向方向的位置來確定最佳寫入功率。
25.一種光學記錄設備，包括一個寫入功率調節(jié)單元，用于在分步逐漸改變寫入功率的同時將一個預定測試模式寫入到介質上，在此之后讀出所述測試模式，將所述測試模式與一個原來的測試模式相比較，計數(shù)數(shù)據(jù)的不一致的次數(shù)，并從所述不一致次數(shù)和所述寫入功率確定一個最佳寫入功率；以及一個調節(jié)時序判定單元，用于判定是否需要一個寫入功率調節(jié)處理以優(yōu)化至所述介質的寫入功率并根據(jù)所述判定的結果來激活所述調節(jié)時序判定單元。
26.根據(jù)權利要求25的設備，其中所述調節(jié)時序判定單元與從一個上級設備產生的寫入指令同步地激活寫入功率調節(jié)。
27.根據(jù)權利要求26的設備，其中在設備借助介質的裝載而得到激活之后，當從所述上級設備產生了一個第一寫入指令時，所述調節(jié)時序判定單元激活寫入功率調節(jié)。
28.根據(jù)權利要求27的設備，其中所述調節(jié)時序判定單元從一個經過的時間來確定一個有效時間，在該有效時間寫入功率調節(jié)的結果的有效性得到了保證，而該經過時間是從介質的激活至首先寫入功率調節(jié)與來自上級設備的寫入指令同步地得到執(zhí)行的時序的時間。
29.根據(jù)權利要求28的設備，其中當所述經過時間短于預定的閾值時間時，所述調節(jié)時序判定單元根據(jù)所述經過時間來減小所述有效時間，且當所述經過時間超過所述閾值時間時所述調節(jié)時序判定單元將所述有效時間設定在所述閾值時間。
30.根據(jù)權利要求29的設備，其中當來自前一寫入功率調節(jié)的時序的經過時間超過了所述有效時間時，所述調節(jié)時序判定單元激活下一個寫入功率調節(jié)。
31.根據(jù)權利要求29的設備，其中直到從前一寫入功率調節(jié)的時序的經過時間超過了所述有效時間，所述調節(jié)時序判定單元當當前的設備溫度在前一寫入功率調節(jié)時的設備溫度的預定溫度范圍上漲落時激活寫入功率調節(jié)。
32.根據(jù)權利要求31的設備，其中當所述測試功率得到設定時，所述寫入功率調節(jié)單元利用以預定的缺省寫入功率作為基準的設定寫入功率的缺省比值來改變寫入功率，且當所述最佳寫入功率得到確定時，一個預定的偏移量比值被加到所述極限功率的缺省比值上，從而確定最佳寫入功率的一個缺省比值。
33.根據(jù)權利要求32的設備，其中當所述缺省寫入功率的調節(jié)得到執(zhí)行時，所述調節(jié)時序判定單元激活所述寫入功率調節(jié)。
34.一種光學記錄設備，包括一個寫入功率調節(jié)單元，用于在分步逐漸改變寫入功率的同時將預定的測試模式寫入到介質上，在此之后讀出所述測試模式，將所述測試模式與一個原來的測試模式相比較，計數(shù)數(shù)據(jù)的不一致的次數(shù)，并從所述不一致次數(shù)和所述寫入功率確定一個最佳寫入功率，其中所述寫入功率調節(jié)單元將盤介質的一個用戶未使用區(qū)域指定為測試區(qū)域并執(zhí)行測試模式的寫入操作和讀取操作。
35.一種光學記錄設備，包括一個寫入功率調節(jié)單元，用于在分步逐漸改變寫入功率的同時將預定的測試模式寫入到介質上，在此之后讀出所述測試模式，將所述測試模式與一個原來的測試模式相比較，計數(shù)數(shù)據(jù)的不一致的次數(shù)，并從所述不一致次數(shù)和所述寫入功率確定一個最佳寫入功率，其中所述寫入功率調節(jié)單元利用構成所述測試區(qū)域的多個道中的一個特定道的連續(xù)部分扇區(qū)而執(zhí)行測試模式的寫入操作和讀取操作。
36.一種光學記錄設備，包括一個寫入功率調節(jié)單元，用于在分步逐漸改變寫入功率的同時將預定的測試模式寫入到介質上，在此之后讀出所述測試模式，將所述測試模式與一個原來的測試模式相比較，計數(shù)數(shù)據(jù)的不一致的次數(shù)，并從所述不一致次數(shù)和所述寫入功率確定一個最佳寫入功率，其中所述寫入功率調節(jié)單元通過產生一個隨機數(shù)在構成所述測試區(qū)域的多個道中隨機指定適當?shù)纳葏^(qū)，并執(zhí)行該測試模式的寫入操作和讀取操作。
37.一種光學記錄設備，包括一個寫入功率調節(jié)單元，用于在分步逐漸改變寫入功率的同時將預定的測試模式寫入到介質上，在此之后讀出所述測試模式，將所述測試模式與一個原來的測試模式相比較，計數(shù)數(shù)據(jù)的不一致的次數(shù)，并從所述不一致次數(shù)和所述寫入功率確定一個最佳寫入功率，其中當在讀取測試模式期間不能檢測到數(shù)據(jù)同步模式時，所述寫入功率調節(jié)單元計數(shù)不一致的最大次數(shù)。
38.一種光學記錄設備，包括一個寫入功率調節(jié)單元，用于在分步逐漸改變寫入功率的同時將預定的測試模式寫入到介質上，在此之后讀出所述測試模式，將所述測試模式與一個原來的測試模式相比較，計數(shù)數(shù)據(jù)的不一致的次數(shù)，并從所述不一致次數(shù)和所述寫入功率確定一個最佳寫入功率，其中當讀取測試模式期間，在從開頭扇區(qū)至預定數(shù)的扇區(qū)的范圍中的不一致次數(shù)等于或小于預定的閾值時，所述寫入功率調節(jié)單元認為所有的扇區(qū)都是質量良好的扇區(qū)、中斷數(shù)據(jù)比較、并計數(shù)一個預定的最小值來作為不一致次數(shù)。
39.一種光學記錄設備，包括一個寫入功率調節(jié)單元，用于在分步逐漸改變寫入功率的同時將預定的測試模式寫入到介質上，在此之后讀出所述測試模式，將所述測試模式與一個原來的測試模式相比較，計數(shù)數(shù)據(jù)的不一致的次數(shù)，并從所述不一致次數(shù)和所述寫入功率確定一個最佳寫入功率，其中所述寫入功率調節(jié)單元從設備溫度確定所要首先設定的寫入功率。
40.一種光學記錄設備，包括一個寫入功率調節(jié)單元，用于在分步逐漸改變寫入功率的同時將預定的測試模式寫入到介質上，在此之后讀出所述測試模式，將所述測試模式與一個原來的測試模式相比較，計數(shù)數(shù)據(jù)的不一致的次數(shù)，并從所述不一致次數(shù)和所述寫入功率確定一個最佳寫入功率；以及一個測試執(zhí)行單元，用于將盤介質的一個用戶未使用區(qū)域的一部分指定為測試區(qū)域，并在借助所述寫入功率調節(jié)單元進行調節(jié)時執(zhí)行測試模式的寫入操作和讀取操作。
41.根據(jù)權利要求40的設備，其中所述寫入功率調節(jié)單元通過利用構成所述測試區(qū)域的多個道中的一條特定道的連續(xù)部分扇區(qū)來執(zhí)行測試模式的寫入和讀取操作。
42.根據(jù)權利要求40的設備，其中所述寫入功率調節(jié)單元通過產生一個隨機數(shù)來隨機指定構成所述測試區(qū)域的多個道中的適當扇區(qū)，并執(zhí)行測試模式的寫入和讀取操作。
全文摘要
激光二極管的光發(fā)射調節(jié)處理單元依次指令一個用于發(fā)光的D/A轉換器在預定的兩點以檢驗功率進行光發(fā)射，使激光二極管能夠發(fā)光，向一個用于減除的D/A轉換器指令與在兩點的溫度對應的減除電流，并借助一個用于監(jiān)測的A/D轉換器來測量各個功率。從測量結果，借助線性近似獲得各個D/A轉換器中的指令值與一個任意功率的關系，并將其寄存到一個功率表中。
文檔編號G11B7/125GK1164095SQ9710240
公開日1997年11月5日 申請日期1997年1月31日 優(yōu)先權日1996年4月26日
發(fā)明者正木功, 柳茂知 申請人:富士通株式會社