專利名稱：磁頭、磁頭的生產(chǎn)方法以及使用該磁頭的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種將信息信號記錄到磁記錄介質(zhì)上或?qū)ζ溥M行重放的磁頭、磁頭的生產(chǎn)方法、以及用該磁頭進行磁記錄/重放的裝置。特別是涉及一種在數(shù)字式VCR或類似物中使用的適合于高密度磁記錄的窄道磁頭，這種磁頭的生產(chǎn)方法，以及用該磁頭進行磁記錄/重放的裝置。
為了對例如出現(xiàn)在數(shù)字式VCR中的大量信息信號進行記錄/重放，需要采用高密度磁記錄/重放技術(shù)，例如窄道技術(shù)和短波長技術(shù)。通常，公知的是，為了實現(xiàn)高密度磁記錄/重放，最好是提高記錄介質(zhì)的矯頑力或增加磁頭的飽和磁通密度(以下稱之為“Bs”)。
然而，在已有技術(shù)中主要作為磁頭材料使用的鐵氧體材料的“Bs”約為0.5T，這個量級不夠大。因此，當(dāng)在具有80KA/m或更高矯頑力的金屬帶上使用由鐵氧體材料制成的公知磁頭時，就會產(chǎn)生磁飽和從而無法準確地傳導(dǎo)記錄和重放的信息。
為了解決上述問題，最近提出了一種用新型材料制成的磁頭，這種新型材料的Bs大于鐵氧體材料的Bs，所述材料是例如鐵硅鋁磁合金薄膜(Bs約1.0T)或鈷類非晶體薄膜(Bs約0.8T-約1.1T)，或Bs約為1.3T或更大的其它材料，例如鈷類超結(jié)構(gòu)氮合金膜、鐵類超結(jié)構(gòu)氮化物膜或鐵類氮化物膜。在這些材料中，特別是對復(fù)合材料磁頭或所謂的MIG進行了極積的研究，其中用鐵氧體制作主磁芯并且至少在前縫隙附近將磁薄膜布置于主磁芯的表面上。
圖13是表示已有技術(shù)中MIG磁頭外形結(jié)構(gòu)的透視圖。
在圖13所示的公知MIG磁頭500中，將一對凸形的或?qū)η械拇判?02和503相對設(shè)置，它們彼此之間帶有磁縫隙501。磁芯502包括一個用鐵氧體制成的凸形或?qū)η械男倔w504(以下簡稱為“芯體504”)和在芯體504表面形成的具有高飽和磁通密度的磁性薄膜506。同樣，磁芯503包括一個用鐵氧體制成的凸形或?qū)η械男倔w505(以下簡稱為“芯體505”)和在芯體505表面形成的具有高飽和磁通密度的磁性薄膜507。形成磁性薄膜506和507為得是分別蓋住芯體504、505上面對磁縫隙501的突出端面而且還蓋住由此開始的兩個側(cè)表面。磁縫隙501中設(shè)有圖13中未示出的非磁性薄膜(稱為“磁縫隙件”)。磁芯502和503彼此對接并留有其中插有縫隙件的磁縫隙501。此外，這樣對接的磁芯502和503與一對玻璃件508、509彼此相接合，使這對玻璃件位于磁芯對接端的兩側(cè)。把可供線圈通過的繞線口510設(shè)在MIG磁頭500側(cè)面的中部。
從窄道技術(shù)的觀點看，由于制造誤差例如兩個磁芯502和503的對接精度，或是由于受磁性薄膜506和507磁道邊緣處圓度的影響，上述MIG磁頭在磁道寬度方面不能達到足夠的精度。而且，由于不能唯一地確定磁道寬度，所以在組裝過程中進行磁道高度調(diào)整步驟時不能獲得足夠的精度。由此導(dǎo)致了在生產(chǎn)MIG磁頭500時產(chǎn)量降低。
為了解決這些問題，本申請的申請人提出了一種MIG磁頭，類似的磁頭公開在日本公開專利公報NO.7-2202218中，其對應(yīng)于1994年9月29日申請且目前正在審查中的美國專利申請S.N.08/313,594。在圖14中，示意性地示出了MIG磁頭600的頂面外形，即，相對磁帶的滑動表面。
MIG磁頭600的基本外形與上述MIG磁頭500的外形相似。將一對凸形的或?qū)η械拇判?02和603相對設(shè)置，它們彼此之間帶有磁縫隙601。磁芯602包括一個用鐵氧體制成的凸形或?qū)η械男倔w604(以下簡稱為“芯體604”)和在芯體604表面形成的具有高飽和磁通密度的磁性薄膜606。同樣，磁芯603包括一個用鐵氧體制成的凸形或?qū)η械男倔w605(以下簡稱為“芯體605”)和在芯體605表面形成的具有高飽和磁通密度的磁性薄膜607。形成磁性薄膜606和607為得是分別蓋住芯體604、605上面對磁縫隙601的突出端面而且還蓋住由此開始的兩個側(cè)表面。磁縫隙601中設(shè)有作為縫隙件的非磁性薄膜。磁芯602和603彼此對接并留有其中插有縫隙件的磁縫隙601。此外，這樣對接的磁芯602和603與一對玻璃件608、609彼此相接合，使這對玻璃件位于磁芯對接端的兩側(cè)。
在MIG磁頭600的磁帶滑動表面上設(shè)有凹口613a和614a，其跨越除經(jīng)凸起加工過的部分639之外的整個磁芯602和603，該凹口用于調(diào)節(jié)磁道寬度。通過設(shè)置這些凹口613a和614a，可消除與磁頭600內(nèi)的磁芯602和603對接精度有關(guān)的磁道不重合現(xiàn)象，并能有效地減少因磁道邊緣或稱為邊紋的圓度而引起的精度下降。
然而，在生產(chǎn)MIG磁頭600時由于在加工凹口613a和614a的步驟之后還要進行一些加工，所以可能會造成磁芯602和603之間的磁道出現(xiàn)輕微程度的不重合，而且這可能是不能以足夠的精度保持原有磁道寬度的原因。
此外，在位于玻璃件608、609和磁性薄膜606、607之間并加工成凸形或?qū)η胁糠?39的磁芯602和603的側(cè)表面上設(shè)有由例如二氧化硅、二氧化鋯、五氧化二鉭、玻璃、鉻或它們的復(fù)合物構(gòu)成的防再生膜640。這樣，可分別阻止磁芯602、603(更準確地說是磁性薄膜606、607)與玻璃件608、609之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。然而，在凹口613a和614a處，在磁性薄膜606、607和玻璃件608、609之間沒有設(shè)置這種防再生膜640。所以在此處的磁性薄膜和玻璃件之間會發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，結(jié)果，磁道邊緣處可能出現(xiàn)污損。
由于上述問題，既使是采用圖14中所示的MIG磁頭600，也仍然存在與磁道寬度的精度有關(guān)的問題。
另一方面，迄今為止在一些已有技術(shù)中已經(jīng)在改進磁道寬度的精度方面作出了一些努力。
例如，美國專利No.4,110,902公開了一種利用從滑動表面的頂面引出的導(dǎo)線來調(diào)整磁道寬度的方法。對固定的磁道寬度來說這需要處理整個滑動表面。然而，由于與運行的磁介質(zhì)相接觸而會出現(xiàn)與耐磨性有關(guān)的問題，并且存在使磁特性顯著變壞的可能性。
美國專利NO3,668,775公開了一種磁頭，它的結(jié)構(gòu)使整個磁芯的尺寸與磁道寬度相匹配。然而，既使采用了這種結(jié)構(gòu)，也仍然存在磁特性明顯降低的可能性。而且，還會引起磁頭強度下降。
此外，美國專利NO5,298,113中公開了一種生產(chǎn)磁頭的方法，其中用車刀對磁道附近區(qū)域進行加工。然而，在這種方法中，有可能損壞磁縫隙邊緣，而磁縫隙是磁頭上用于磁記錄/重放的重要部分。出現(xiàn)這種損壞會導(dǎo)致磁特性下降，而且從磁頭工作特性的角度看也是不利的。而且，從機械加工精度的角度看，很難達到約1微米或更小的加工精度。特別是，在磁縫隙深度的方向上很難保持恒定的機械加工精度。
而且，在已公開的用車刀進行機械加工的方法中，在實施加工方法時，為了把磁芯加工成預(yù)定形狀必須相對于磁芯壓住車刀。結(jié)果是，無法加工棒形型鋼材料，從而使批量生產(chǎn)成為問題。此外，由于加工時在加工表面上形成的變性層會使磁特性下降，所以帶來了不能精確地保持預(yù)定有效磁道寬度的問題。
最近，由于提高了磁記錄中的密度，所以需要一種以約+-0.5微米或更小的精度加工磁道寬度約為10微米或更小的磁頭。然而，如上所述，在使磁特性不下降的情況下用已有技術(shù)來滿足上述要求幾乎是不可能的。
本發(fā)明的目的在于提出一種可以克服上述缺點的磁頭及其制造方法。
本發(fā)明的磁頭包括一對磁芯，每個磁芯上均帶有加工成凸形的部分，所說加工成凸形的部分彼此相對設(shè)置，其中間可插入磁性縫隙件；一對玻璃件，其設(shè)置在所說一對磁芯的兩側(cè)上，將所說一對磁芯熔合在一起。在所說磁芯的每一個中至少在所說加工成凸形部分的突出端面上形成有磁性薄膜；在所說一對磁芯的磁帶滑動表面上通過放電加工形成調(diào)節(jié)磁道寬度的一對凹口，其從兩側(cè)與所說一對磁芯上加工成凸形的對接部分相接，所說一對凹口的形狀應(yīng)能保證當(dāng)所說磁帶移動時，兩凹口的內(nèi)表面不會處于磁帶上記錄圖案的邊緣之外。
優(yōu)選的是，所說一對凹口的形狀為圓形。更優(yōu)選的是，在磁縫隙和凹口的交叉點處，凹口圓弧的切線基本上平行于所說磁帶的移動方向。其它的或進一步的優(yōu)選方式是，使所說凹口的圓弧半徑小于設(shè)在所說突出端面上的磁薄膜的最小厚度。
在一個實施例中，所說磁性薄膜和所說磁芯間的內(nèi)表面基本上平行于位于所說突出端面處的磁縫隙表面。
優(yōu)選的是，至少在所說一對凹口和所說一對玻璃件之間進一步設(shè)有防再生膜。
優(yōu)選的是，所說一對玻璃件中的每一個均包括靠近磁頭上磁帶滑動表面設(shè)置的前玻璃件和遠離所說磁帶滑動表面設(shè)置的后玻璃件。將所說前玻璃件的軟化點設(shè)定的低于所說后玻璃件的軟化點。
根據(jù)本發(fā)明的另一種形式，一種磁頭包括一對磁芯，每個磁芯都帶有加工成凸形的部分，所說加工成凸形的部分彼此相對設(shè)置，其中間插有磁性件；一對玻璃件，其設(shè)置在所說磁芯的兩側(cè)，以便將所說的一對磁芯熔合到一起。在所說一對磁芯中至少一個磁芯上的至少加工成凸形部分的突出端面上形成磁性薄膜。在所說一對磁芯的磁帶滑動表面上形成用于調(diào)節(jié)磁道寬度的一對凹口，并使之從兩側(cè)與一對磁芯上加工成凸形部分的對接部分相接。至少在所說一對凹口和所說一對玻璃件之間設(shè)置防再生膜。
根據(jù)本發(fā)明的另一種形式，一種磁頭包括一對磁芯，每個磁芯上均帶有加工成凸形的部分，所說加工成凸形的部分彼此相對設(shè)置，其中間插有磁性縫隙件；一對玻璃件，其設(shè)置在所說磁芯的兩側(cè)上，將所說磁芯熔合在一起。至少在所說一對磁芯的一個中且至少在所說加工成凸形部分的突出端面上形成有磁性薄膜。在所說一對磁芯的磁帶滑動表面上形成調(diào)節(jié)磁道寬度的一對凹口，其從兩側(cè)與所說一對磁芯上加工成凸形部分的對接部分相接。所說一對玻璃件中的每一個均包括靠近磁頭上磁帶滑動表面設(shè)置的前玻璃件和遠離所說磁帶滑動表面設(shè)置的后玻璃件，將所說前玻璃件的軟化點設(shè)定的低于所說后玻璃件的軟化點。
在具有上述結(jié)構(gòu)的磁頭中，所說凹口最好通過放電加工形成。
優(yōu)選的是，所說的一對磁芯包括鐵氧體芯，在每個鐵氧體芯的表面上設(shè)有磁性薄膜，而且所說的一對凹口僅形成在所說的磁性薄膜中。
在一個實施例中，磁頭進一步包括一個用于纏繞線圈的繞線口，所說的一對凹口延伸到所說的繞線口。
本發(fā)明提供了一種包含磁頭的磁記錄/重放裝置，所說的磁頭具有上述結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的另一方面在于提供一種制造磁頭的方法，其中所說的磁頭包括一對磁芯，每個磁芯上均帶有加工成凸形的部分和至少設(shè)置在加工成凸形部分的突出端面上的磁性薄膜；一個玻璃件，其包括靠近所說磁芯的前表面設(shè)置的前玻璃件和遠離所說磁芯的前表面設(shè)置的后玻璃件。所說的方法包括第一步，將所說突出端面彼此相對對接并在其中間插入一個磁性縫隙件；第二步，通過放電加工，在所說一對磁芯的磁帶滑動表面上形成一對用于調(diào)節(jié)磁道寬度的凹口，并使其從兩側(cè)與所說一對磁芯上加工成凸形部分的對接區(qū)相接；第三步，至少在所說一對凹口的表面上形成防再生膜以防止金屬磁性膜與所說的玻璃件之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)；第四步，通過熱處理，用玻璃材料填充預(yù)先在所說磁芯的預(yù)定位置上形成的槽以便構(gòu)成前玻璃件。
優(yōu)選的是，該方法進一步包括在形成所說凹口之前，將所說一對磁芯與所說的后玻璃件熔合到一起的步驟。
本發(fā)明還提供一種制造磁頭的方法，其中所說的磁頭包括一對磁芯，每個磁芯上均帶有加工成凸形的部分和至少設(shè)置在加工成凸形部分的突出端面上的金屬磁性薄膜；一個玻璃件，其包括靠近所說磁芯的前表面設(shè)置的前玻璃件和遠離所說磁芯的前表面設(shè)置的后玻璃件。所說的方法包括第一步，將所說突出端面彼此相對對接并在其中間插入一個磁性縫隙件；第二步，將所說的一對磁芯與所說的后玻璃件熔合在一起；第三步，通過放電加工，在所說一對磁芯的磁帶滑動表面上設(shè)置一對用于調(diào)節(jié)磁道寬度的凹口，使該凹口從兩側(cè)與所說一對磁芯上加工成凸形部分的對接部分相接；第四步，通過熱處理，用玻璃材料填充預(yù)先在所說磁芯的預(yù)定位置上形成的槽以便構(gòu)成前玻璃件。
優(yōu)選的是，將所說前玻璃件的軟化點設(shè)置的低于后玻璃件的軟化點，把在通過熱填充形成所說前玻璃件的步驟中使用的熱處理溫度設(shè)定的得低于所說后玻璃件的軟化溫度。
優(yōu)選的是，在通過放電加正形成凹口的步驟中，在轉(zhuǎn)動電極的同時，通過放電加工電極對所說磁芯的端部進行加工。
在一個實施例中，在通過放電加工形成所說凹口的步驟中，用至少延伸到繞線口的放電加工電極的頂部對所說磁芯的端部進行加工。
本發(fā)明提供一種磁記錄/重放裝置，其包含用上述制造方法構(gòu)成的磁頭。
因此，上述發(fā)明所體現(xiàn)的優(yōu)點在于(1)提供了一種高效能的窄道磁頭，該磁頭適用于高密度磁記錄技術(shù)，(2)提供了一種能以高產(chǎn)量低價格生產(chǎn)上述窄道磁頭的方法，(3)通過采用上述磁頭和生產(chǎn)磁頭的方法提供了一種適合于窄道間隔的磁記錄/重放裝置。
對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，通過參照附圖閱讀和理解下面的詳細說明，將能更清楚地看到本發(fā)明的這些和其它優(yōu)點。
圖1是示意性表示在本發(fā)明的一個實施例中磁頭結(jié)構(gòu)的透視圖。
圖2是示意性表示在本發(fā)明的上述實施例中磁頭上磁帶滑動表面結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖3是示意性表示在本發(fā)明的上述實施例中磁頭上縫隙部分結(jié)構(gòu)的放大視圖，其中還示出了磁帶的移動方向。
圖4是在本發(fā)明的上述實施例中描述磁頭制造方法中一個步驟的透視圖。
圖5是在本發(fā)明的上述實施例中描述磁頭制造方法中一個步驟的另一個透視圖。
圖6是在本發(fā)明的上述實施例中描述磁頭制造方法中一個步驟的再一個透視圖。
圖7是在本發(fā)明的上述實施例中描述磁頭制造方法中一個步驟的再一個透視圖。
圖8是在本發(fā)明的上述實施例中描述磁頭制造方法中一個步驟的再一個透視圖。
圖9是在本發(fā)明的上述實施例中描述磁頭制造方法中一個步驟的再一個透視圖。
圖10是在本發(fā)明的上述實施例中描述磁頭制造方法中一個步驟的再一個透視圖。
圖11是表示在本發(fā)明的一個實施例中磁記錄/重放裝置的磁頭附近的結(jié)構(gòu)透視圖。
圖12是示意性表示由圖11所示本發(fā)明的磁記錄/重放裝置記錄的記錄介質(zhì)上的記錄圖案示圖。
圖13是示意性表示已有技術(shù)中磁頭結(jié)構(gòu)的透視圖。
圖14是示意性表示已有技術(shù)中另一種磁頭上磁帶滑動表面的結(jié)構(gòu)平面圖。
下面將參照


本發(fā)明的實施例。
圖1是示意性表示在本發(fā)明的一個實施例中磁頭100的結(jié)構(gòu)透視圖，圖2是示意性表示磁頭100頂面，即磁帶滑動表面的結(jié)構(gòu)平面圖。
在磁頭100中，把一對彼此相對設(shè)置且中間帶有磁縫隙1的凸形或?qū)η械拇判?1和12相互接合并與一對玻璃件粘接在一起。磁縫隙1中設(shè)有縫隙件40(圖中未示，參見圖2)。一對玻璃件中的每一個包括位置靠近磁芯11和12上磁帶滑動表面的前玻璃件15a和位置遠離磁帶滑動表面的后玻璃件15b。同樣，一對玻璃件中的另一個包括位置靠近磁芯11和12上磁帶滑動表面的前玻璃件16a和位置遠離磁帶滑動表面的后玻璃件16b。
凸形磁芯11包括構(gòu)成磁芯主體的鐵氧體芯17和具有高飽和磁通密度的磁性薄膜19，設(shè)置磁性薄膜19為的是蓋住鐵氧體17上加工成凸形部分39的突出端面和從突出端面延續(xù)的側(cè)表面。同樣，凸形磁芯12包括構(gòu)成磁芯主體的鐵氧體芯18和具有高飽和磁通密度的磁性薄膜20，設(shè)置磁性薄膜20為得是蓋住鐵氧體18上加工成凸形部分39的突出端面和從突出端面延續(xù)的側(cè)表面。
此外，磁芯11和12還包括凹口13a和14a，設(shè)置凹口是為了從兩側(cè)夾住磁縫隙1。凹口13a和14a的形狀為弧形且僅形成在磁道邊緣附近的磁性薄膜19或20中。將凹口13a和14a設(shè)置在磁芯11和12的整個區(qū)域中使其從兩側(cè)與加工成凸形部分39的對接部分相接。在保持磁頭100頂表面即磁帶滑動表面上的磁道寬度的同時，這些凹口13a和14a延伸至設(shè)在磁頭100的側(cè)面中部處的繞線口21。也可以將凹口13a和14a設(shè)計成使之延伸到鐵氧體17和18。
正如下面將要根據(jù)制造步驟詳細說明的那樣，通過設(shè)置這些凹口13a和14a，通過在形成凹口13a和14a時把凸形磁芯11和12與后玻璃件15b和16b固定在一起，可以防止在磁頭100中磁道邊緣處出現(xiàn)的哪怕是微小量級的對接錯位。
此外，通過選擇玻璃件的結(jié)構(gòu)材料使前玻璃件15a和16a的材料軟化點低于后玻璃件15b和16b的材料軟化點，可進一步減小磁芯11和12的對接錯位。這是由于當(dāng)熔融前玻璃件15a和16a時，可以將熱處理溫度設(shè)定得低于后玻璃件15b和16b軟化點的溫度，這樣，在熔融前玻璃件15a和16a時，后玻璃件15b和16b就不會軟化。
而且在磁頭100中，將防再生膜50(圖1中未示，參見圖2)設(shè)置在凹口13a和14a處的磁性薄膜19、20和玻璃件之間的內(nèi)表面上。這樣可以避免磁性薄膜19、20和玻璃件在凹口13a和14a處直接接觸，從而可防止它們之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。這樣做的結(jié)果是，磁道邊緣不會出現(xiàn)膨脹，而且磁道邊緣的磁性邊緣很清晰。
因此，本發(fā)明所述的磁頭100能夠高精度地將磁道寬度Tw調(diào)整到初始值。
圖3是示意性表示磁頭100的頂面，即，磁帶滑動表面上磁縫隙1附近區(qū)域的放大視圖，其中的箭頭表示磁帶34的運動方向。如圖中所示，磁帶34相對于磁頭100的磁縫隙1沒有沿正常的方向移動，而是傾斜一定角度以便進行方位角記錄。為簡單起見，在圖3中未示出磁性薄膜、防再生膜和縫隙材料。
在磁頭100中，所形成的圓弧形凹口13a和14a應(yīng)使得在磁縫隙1與凹口13a和14a的交叉點P處的圓弧切線基本上平行于磁帶34的運行方向。由于這種結(jié)構(gòu)，在磁帶34上形成的記錄圖案的周邊部分既不與凹口13a、14a和前玻璃件15a、16a之間的內(nèi)表面相接觸也不在該表面上移動。結(jié)果是，在這些內(nèi)表面上不會出現(xiàn)邊紋，所以使得磁頭100適合于以窄道間隔進行磁記錄。按照本發(fā)明，還可以提供一種在方位角取任意值情況下的合適磁頭100。本發(fā)明還提供一種零方位角的磁頭。
當(dāng)通過放電加工形成凹口13a和14a來制造本發(fā)明的磁頭100時，可減少在加工表面上因加工過程而引發(fā)的變性層，而且還能降低加工表面的表面粗糙度。而且，提供了一種不會出現(xiàn)如磁縫隙邊緣損壞、磁特性下降、有效磁道寬度精度降低等問題的適合進行高密度磁記錄的窄道磁頭。此外，上述放電加工在加工期間不會使磁頭100的結(jié)構(gòu)件例如磁芯11和12承受物理應(yīng)力，所以可以避免裂縫等問題的發(fā)生。相反，在已有技術(shù)中采用的使用車刀或類似物進行的切削加工中，被加工物體例如磁芯上所承受的物理應(yīng)力是非常高的。因此，這種加工不適合進行上述的精密加工。
此外，在進行放電加工時，優(yōu)選的是使放電電極轉(zhuǎn)動并且使這個轉(zhuǎn)動的放電電極從磁道邊緣的側(cè)面進入被加工的物體處。用這種方式，可以在磁縫隙1的深度方向上穩(wěn)定磁道寬度的加工精度。而且，由于使用了很薄且直徑極小的長形放電電極，所以既使被加工的物體是棒形也同樣可以加工，由此實現(xiàn)了磁頭100的批量生產(chǎn)。
如上所述，按照本發(fā)明，可以提供一種產(chǎn)量高和價格低的磁頭100，該磁頭不存在磁道錯位并適用于窄道技術(shù)，進而可實現(xiàn)高密度磁記錄。磁頭100還能減少記錄/重放邊紋。而且，通過采用這種磁頭100，還能夠提供一種適用于數(shù)字式VCR的高密度記錄/重放裝置。
可在磁頭100上作為磁性薄膜19、20使用的材料包括鐵硅鋁磁合金薄膜、鈷類非晶體薄膜、鈷類超結(jié)構(gòu)氮合金膜、鐵類超結(jié)構(gòu)氮化物膜、和鐵類氮化物膜等。利用例如蒸發(fā)、離子鍍膜、或陰極真空噴鍍等真空鍍膜形成技術(shù)，通過在鐵氧體芯17和18的表面上沉積由這些材料制成的膜就可以形成磁性薄膜19和20。
既使在已有技術(shù)的磁頭結(jié)構(gòu)中，有時也在每個磁芯的表面部分而不是在凹口部分上設(shè)置其厚度相當(dāng)于半個磁縫隙寬度的防再生膜，為得是在磁芯和前玻璃件之間獲得防再生效果。然而，已有技術(shù)中的這種防再生膜還起縫隙件的作用，并且該防再生膜是在形成凹口之前，和在形成磁縫隙的過程中生成的。在最近的具有窄磁縫隙寬度的窄縫隙磁頭中，很難使上述防再生膜的厚度大于磁縫隙寬度的一半，因此，不能產(chǎn)生足夠的防再生效果。雖然這與磁道邊緣膨脹的問題沒有直接關(guān)系，但是，由于前玻璃件和磁性薄膜之間產(chǎn)生的相互擴散反應(yīng)會導(dǎo)致玻璃強度下降，從而可能會降低磁頭的產(chǎn)量。
然而，根據(jù)本發(fā)明，在形成磁縫隙1之后且在結(jié)構(gòu)件由縫隙件分隔的情況下形成防再生膜50。結(jié)果是，可以隨意地選擇材料和厚度，且能使加工成形過程具有較高的自由度。例如，由于已有技術(shù)中的防再生膜必須同時作為縫隙件，而磁芯和防再生膜之間因熱膨脹系數(shù)不同會導(dǎo)致產(chǎn)生應(yīng)力和應(yīng)變，所以有時會發(fā)生斷裂。另一方面，按照本發(fā)明，通過適當(dāng)?shù)剡x擇防再生膜50的材料或膜厚度能夠避免出現(xiàn)這種問題。
可以作為縫隙件40的結(jié)構(gòu)材料使用的材料包括二氧化硅、二氧化鋯、五氧化二鉭、玻璃、鉻、氧化鉻，以及它們的組合物。
可以將防再生膜50只設(shè)置在凹口13a和14a處的磁性薄膜19和20的表面上。然而，如參照圖2所述的那樣，通過將防再生膜50同時設(shè)置在磁性薄膜19、20而不只是凹口13a、14a上，可同時避免因上述原因引起的玻璃強度的下降?？勺鳛榉涝偕?0的結(jié)構(gòu)材料使用的材料包括二氧化硅、二氧化鋯、五氧化二鉭、玻璃、鉻、氧化鉻，以及它們的組合物。
下面參照圖4-圖10說明磁頭100的制造方法。
首先，制作一對由例如錳-鋅鐵氧體構(gòu)成的基體17和18，其表面通過研磨或類似加工已具有極好的平行度和平滑度。如圖4所示，用砂輪或類似物在每個基體17和18上加工出多個彼此平行的磁道槽17a和18a。這使一對基體17和18中的每一個都具有包含多個結(jié)構(gòu)件的結(jié)構(gòu)，在完工狀態(tài)下，構(gòu)成一對鐵氧體芯17和18的每一個結(jié)構(gòu)件均處在磁頭100中。在下文中，把形狀與鐵氧體芯17和18對應(yīng)的基體稱為“鐵氧芯體”，且用與鐵氧體芯相同的參考標號即17、18來標注該“鐵氧芯體”。
鐵氧芯體17和18中的至少一個上設(shè)有可供線圈通過的繞線槽22。在完工狀態(tài)下，磁道槽17a和18a確定了在磁頭100中加工成凸形或?qū)η胁糠?9的形狀，而且在完工狀態(tài)下繞線槽22對應(yīng)于磁頭100中的繞線口21。下面如圖5所示，利用真空薄膜成形技術(shù)通過沉積，在鐵氧芯體17和18的側(cè)表面上形成具有高飽和磁通密度的磁性薄膜19、20。這樣便構(gòu)成了一對磁芯體11和12，在此使用的術(shù)語“磁性芯體”指多個構(gòu)件所構(gòu)成的形狀，在完工狀態(tài)下，每個構(gòu)件都與磁頭100中的磁芯11和12相對應(yīng)，而且用與磁芯11、12相同的參考標號即11、12對它們進行標注。
可以作為磁性薄膜19、20的結(jié)構(gòu)材料使用的材料包括鐵硅鋁磁合金薄膜、鈷類非晶體薄膜、鈷類超結(jié)構(gòu)氮合金膜、鐵類氮化物膜等。這些薄膜是通過真空薄膜成形技術(shù)例如蒸發(fā)、電離鍍膜、陰極真空噴鍍等形成的。
接著，在一對磁芯體11和12中的一個或兩個上設(shè)置用于形成磁縫隙的薄膜形縫隙件(圖4-10中未示)。然后，通過將該縫隙件夾在中間，而使磁芯體11和12如圖6中所示那樣彼此對置?？勺鳛榭p隙件結(jié)構(gòu)材料使用的材料包括二氧化硅、二氧化鋯、五氧化二鉭、玻璃、鉻、氧化鉻以及它們的組合物。
按照本發(fā)明，由于防再生膜50是在形成磁縫1之后生成的，所以不必要求縫隙件的結(jié)構(gòu)材料具有抑制磁性膜19、20和前玻璃件15a、16a之間的擴散反應(yīng)的作用。因此，可以使用最適合作為縫隙件結(jié)構(gòu)材料的薄膜，例如只用二氧化硅或金的金屬構(gòu)成的薄膜。這樣可以減少形成磁縫隙的工序并降低成本。而且，可以在極好的條件下形成磁縫隙，結(jié)果是能夠獲得穩(wěn)定的電磁轉(zhuǎn)換。
接著，如圖7所示，將后玻璃棒23插入繞線槽22中，并通過熱處理將磁芯體11和12接合到一起。在完工狀態(tài)下，在熱處理中熔融的后玻璃棒23構(gòu)成磁頭100中的后玻璃件15b和16b。
接著，如圖8所示，用使放電電極25進入每個磁道側(cè)面附近的方式，開始對這一對磁芯體11和12進行放電，這時磁芯體處于用后玻璃棒23通過上述熱處理把磁芯的后部對接部分與后玻璃件15b、16b熔合在一起的狀態(tài)。通過放電形成了凹口13a和14a。用這種方式，便可在保持頂表面上磁道寬度Tw的同時形成延伸到繞線槽22的凹口13a和14a。形成凹口13a和14a是為了在兩個磁芯體11和12的范圍內(nèi)從兩側(cè)與加工成凸形部分39的對接部分相接。由于在放電加工期間使用的是轉(zhuǎn)動的柱形放電電極，所以在放電過程中因加工而引起的放電電極25的磨損是均勻的。這樣可防止放電電極25發(fā)生彎曲，而且可以使形成的凹口13a和14a具有固定的形狀。此外，放電電極25的轉(zhuǎn)數(shù)能在最大范圍內(nèi)將凹口13a和14a的表面粗糙度降低到約0.1微米至0.2微米。此外，能夠?qū)伎?3a和14a加工成幾乎完美的圓形。
此外，優(yōu)選使圓形凹口13a和14a的半徑R小于縫隙1處磁性薄膜19和20的厚度t(參見圖2)。這樣可防止凹口13a和14a延伸到鐵氧體芯17和18。如果凹口13a和14a延伸到鐵氧體17和18，那么，當(dāng)隨著對窄道要求的不斷提高而要求減小在鐵氧體芯17和18上加工成凸形部分的頂部寬度時，就會增加使磁特性變壞的可能性。另一方面，如果只是通過加工磁性薄膜19和20來形成凹口13a和14a，則可以使凹口13a和14a不延伸到鐵氧體芯17和18，這樣就可以避免上述問題。
優(yōu)選的是使所用放電電極25的直徑為約10微米至約30微米。如果直徑小于約10微米，放電電極25將不能保持足夠的強度而且在加工時還會出現(xiàn)斷裂。另一方面，如果所使用的放電電極25的直徑大于約30微米，那么作為被加工體的磁性薄膜19、20的厚度必須足夠大。然而，由于在磁性薄膜19、20的內(nèi)側(cè)出現(xiàn)渦流損耗或是由于與磁頭100的形狀有關(guān)的擠壓作用下降，而使這種具有較大厚度的磁性薄膜19和20的電磁轉(zhuǎn)換特性下降。因此，要求放電電極25的直徑處于上述范圍內(nèi)。
更優(yōu)選的是，將放電電極25的直徑定為約16微米-約18微米較為合適。這也確定了磁性薄膜19和20在磁縫隙1處的厚度。磁性薄膜19和20的優(yōu)選厚度是約8微米-約10微米。
為了批量生產(chǎn)磁頭100，通過加工圖8中所示的棒狀材料來形成凹口13a和14a。具體地說，在一根棒上有幾十個磁道。在這種情況下，為了在每個磁道邊緣處形成凹口13a和14a，需要將放電電極25插到每個窄孔26中并對其側(cè)表面進行加工。通常，這些窄孔26中每一個的直徑約為100微米，所以用車刀對其進行加工實際上是不可能的。然而，直徑在上述范圍內(nèi)的放電電極25完全能夠加工窄孔26的內(nèi)表面，而且適合于磁頭100的批量生產(chǎn)。
此外，通過放電電極25可以把加工位置控制在亞微米級。也就是說，在放電加工中，當(dāng)使放電電極25靠近被加工物體時，可以用放電電極25本身作為傳感器來識別放電電極的啟動位置。由于這樣做之后可以在由顯微鏡或類似物觀察沒有出現(xiàn)位置偏移的情況下連續(xù)跟蹤放電電極25當(dāng)前的位置，所以放電加工適合于批量生產(chǎn)。
而且，如圖3中詳細表示的那樣，由于放電加工能夠識別微米級的加工位置，所以完全可以用這樣的方式加工凹口13a和14a的弧形，即，使得弧形和磁縫隙1交點P處的切線基本上平行于磁帶的移動方向。此外，可以高精度地構(gòu)成預(yù)定值的磁道寬度。
通常，是在把被加工物體浸入絕緣油中時進行放電加工的。也可以在純水中進行加工。在純水中進行加工不需要清洗絕緣油的后一步工序，所以簡化了生產(chǎn)過程。
按照本發(fā)明，在形成凹口13a和14a時用后玻璃件15b和16b來固定磁芯體11和12。鑒于此，磁道邊緣不會出現(xiàn)那怕是微量級的偏離。
接著，在圖9中所示的按上述方式加工而成的凹口13a和14a的表面上形成防再生薄膜(圖9中未示)?？勺鳛樾纬煞涝偕げ牧鲜褂玫牟牧习ǘ趸?、二氧化鋯、五氧化二鉭、玻璃、鉻、氧化鉻以及它們的組合物。通常用陰極真空噴鍍來形成該薄膜。
在陰極真空噴鍍過程中，僅從由圖9中的“方向A”指示的前部頂表面完成薄膜沉積。然而，通過使相對于噴鍍目標以合適角度接合在一起的這對磁芯體11和12傾斜，便可在凹口13a和14a的表面上形成具有合適的膜質(zhì)量和膜厚度的薄膜。
此外，在較好的條件下，作為干式生產(chǎn)方法的實例可以用等離子化學(xué)汽相沉積法，而作為濕式生產(chǎn)方法的實例可以用浸鍍或電鍍法來代替陰極真空噴鍍形成薄膜。
在圖9中，后玻璃件15b和16b處于在磁芯體11和12之間形成的窄孔26的下部。之后，通過熱處理至少在后玻璃件15b和16b上面的部分剩余空間中填充前玻璃件15a和16a。進行該工序的同時，如圖2中詳細表示的那樣，分別在凹口13a、14a和填充的前玻璃件15a、16a之間的內(nèi)表面上設(shè)置防再生膜50。因此，磁性薄膜19、20和前玻璃件15a、16a并不發(fā)生反應(yīng)，磁道邊緣也不會出現(xiàn)膨脹。結(jié)果是，可以提供這樣一種磁頭，其磁道邊緣的磁性很清晰。
此外，優(yōu)選把前玻璃件15a和16a的軟化點設(shè)定得低于后玻璃件15b和16b的軟化點。在這種情況下，通過把使玻璃件15a和16a填充、熔融、和固化等熱處理的處理溫度設(shè)定為前玻璃件15a、16a的軟化點和后玻璃件15b、16b的軟化點之間的中間溫度，就可以在后玻璃件15b、16b不軟化的情況下，使前玻璃件15a、16a熔融和固化。這樣在完成放電加工之后就可以形成甚至連微量磁道錯位都不存在的具有較好加工精度的磁頭100。
而且，在圖6所示的工序中，當(dāng)用合適的熔接材料，例如低熔點玻璃或石英玻璃，在磁縫隙1處將一對磁芯體11和12熔接在一起時，可以得到更穩(wěn)定的磁道寬度。在這種情況下，還能夠避免使縫隙1受損和穩(wěn)定電磁轉(zhuǎn)換特性。
此外，由于用放電加工來形成凹口13a和14a，所以降低了加工表面的表面粗糙度。這樣，在通過熱處理填充前玻璃件15a和16a時，有利于它們的流動，而且減少了在前玻璃件15a和16a中生成且能造成疵點的氣泡量。
因此，如圖10所示，沿著圖中的點劃線將磁芯體11和12切成分離的塊。并且在每個分離塊上纏繞線圈，至此便制成的本發(fā)明的磁頭100。
如上所述，本發(fā)明對窄縫隙和窄道MIG磁頭是特別有效的。然而，本發(fā)明還適用于只在一個磁芯上具有磁性薄膜的MIG磁頭或磁道寬度較寬的磁頭。在這兩種情況下，由于提高了磁道寬度的精度，所以可以提高產(chǎn)量。
圖11是示意性表示在本發(fā)明磁記錄/重放裝置的一個特定實施例中磁頭附近結(jié)構(gòu)情況的視圖。
將磁頭32設(shè)在安裝于固定柱形體36上的轉(zhuǎn)動柱形體33上并進行螺旋式掃描。由傾斜的柱體35和37引導(dǎo)的磁帶34在保持與磁頭32接觸的同時產(chǎn)生運動。在磁帶34運行期間，將信號記錄在磁帶34上或?qū)τ涗浀酱艓系男盘栠M行重放。重放的信號在信號處理電路38中進行處理使之成為立體聲信號或視頻圖象信號。
圖12是示意性表示記錄在磁帶34上的信號圖案。如圖案6所示，信號是傾斜地記錄到磁帶34上的，記錄的圖案與磁帶縱向形成一定角度。圖12中的參考符號“TP”相當(dāng)于磁帶34上的磁道寬度。
如果使用了由本發(fā)明提供的不存在對接錯位的窄道磁頭，在記錄面上就不會出現(xiàn)因邊紋或類似情況在磁道邊緣處引起的模糊磁道。而且?guī)缀醪粫霈F(xiàn)磁道之間的數(shù)據(jù)丟失區(qū)(在圖12中用“d”表示的未記錄信號的區(qū)域)。結(jié)果，磁道寬度Tp并不變窄且在磁帶34上記錄了大量信息。此外，在把磁頭32安裝到轉(zhuǎn)動柱形體33上時，由于可唯一地確定磁頭32的磁道邊緣，所以可以精確地調(diào)整磁道的高度。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的磁頭制造方法，把一支預(yù)先加工成凸形的磁芯對接在一起，并用玻璃件將它們的后部熔合在一起。在這種情況下，在位于磁縫隙附近的一對磁性薄膜部分上加工出一對用于調(diào)整磁道寬度的凹口。用這種方式，可提供一種連微量磁道錯位都沒有的磁頭。
此外，用放電加工方法形成的凹口能夠降低加工表面的表面粗糙度，而且還能防止在加工表面上產(chǎn)生因加工而引起的變性層。這樣可避免出現(xiàn)諸如損傷磁縫隙邊緣、磁特性變壞、有效磁道寬度的精度下降等問題，從而能提供一種具有極好工作性能的窄道磁頭。而且，由于放電加工不會在加工期間使被加工物體承受大的物理應(yīng)力，所以可避免出現(xiàn)斷裂等現(xiàn)象。
而且，相對于被加工物體從側(cè)面引入轉(zhuǎn)動的放電電極能夠在磁縫隙的深度方向上穩(wěn)定磁道寬度的加工精度。并且，如果使用非常薄的放電電極，則可以加工棒形物體和易實現(xiàn)批量生產(chǎn)。
如上所述，本發(fā)明提供了一種低價格高產(chǎn)出的磁頭，這種磁頭不存在磁道錯位問題而且該磁頭適用于能實現(xiàn)高密度磁記錄的窄道技術(shù)。由于設(shè)置了這樣的磁頭，減少了記錄/重放邊紋。此外，用這種磁頭可構(gòu)成適用于數(shù)字式VCR的高密度記錄/重放裝置。
很顯然，對于熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明范圍和構(gòu)思的情況下能夠很容易地做出各種改進。因此，后面所附加的權(quán)利要求的范圍并不受說明書的限制，而是在更廣泛意義上構(gòu)成的。
權(quán)利要求
1.一種磁頭，其特征在于，包括一對磁芯，每個磁芯上均帶有加工成凸形的部分，所說加工成凸形的部分彼此相對設(shè)置，其中間可插入磁性縫隙件；和一對玻璃件，其設(shè)置在所說一對磁芯的兩側(cè)上，將所說一對磁芯熔合在一起；其中，在所說磁芯的每一個中至少在所說加工成凸形部分的突出端面上形成有磁性薄膜；在所說一對磁芯的磁帶滑動表面上通過放電加工形成調(diào)節(jié)磁道寬度的一對凹口，其從兩側(cè)與所說一對磁芯上加工成凸形的對接部分相接，所說一對凹口的形狀應(yīng)能保證當(dāng)所說磁帶移動時，兩凹口的內(nèi)表面不會處于磁帶上記錄圖案的邊緣之外。
2.如權(quán)利要求1所述的磁頭，其中所說一對凹口的形狀為圓形。
3.如權(quán)利要求2所述的磁頭，其中在磁縫隙和凹口圓弧的交叉點處，凹口圓弧的切線基本上平行于所說磁帶的移動方向。
4.如權(quán)利要求2所述的磁頭，其中所說凹口的圓弧半徑小于設(shè)在所說突出端面上的磁性薄膜的最小厚度。
5.如權(quán)利要求1所述的磁頭，其中所說磁性薄膜和所說磁芯間的內(nèi)表面基本上平行于位于所說突出端面處的磁縫隙表面。
6.如權(quán)利要求1所述的磁頭，其中至少在所說一對凹口和所說一對玻璃件之間進一步設(shè)有防再生膜。
7.如權(quán)利要求1所述的磁頭，其中所說一對玻璃件中的每一個均包括靠近磁頭上所說磁帶滑動表面設(shè)置的前玻璃件和遠離所說磁帶滑動表面設(shè)置的后玻璃件，所說前玻璃件的軟化點設(shè)定的低于所說后玻璃件的軟化點。
8.一種磁頭，其特征在于，包括一對磁芯，每個磁芯都帶有加工成凸形的部分，所說加工成凸形的部分彼此相對設(shè)置，其中間插有磁性件；一對玻璃件，其設(shè)置在所說磁芯的兩側(cè)，以便將所說的一對熔合到一起，其中，在所說一對磁芯中至少一個磁芯上的至少加工成凸形部分的突出端面上形成磁性薄膜；在所說一對磁芯的磁帶滑動表面上形成用于調(diào)節(jié)磁道寬度的一對凹口，并使之從兩側(cè)與一對磁芯上加工成凸形部分的對接部分相接；和至少在所說一對凹口和所說一對玻璃件之間設(shè)置防再生膜。
9.一種磁頭，其特征在于，包括一對磁芯，每個磁芯上均帶有加工成凸形的部分，所說加工成凸形的部分彼此相對設(shè)置，其中間插有磁性縫隙件；和一對玻璃件，其設(shè)置在所說磁芯的兩側(cè)上，將所說磁芯熔合在一起，其中，至少在所說一對磁芯的一個中且至少在所說加工成凸形部分的突出端面上形成有磁性薄膜；在所說一對磁芯的磁帶滑動表面上形成調(diào)節(jié)磁道寬度的一對凹口，其從兩側(cè)與所說一對磁芯上加工成凸形部分的對接部分相接；和所說一對玻璃件中的每一個均包括靠近磁頭上磁帶滑動表面設(shè)置的前玻璃件和遠離所說磁帶滑動表面設(shè)置的后玻璃件，將所說前玻璃件的軟化點設(shè)定的低于所說后玻璃件的軟化點。
10.如權(quán)利要求8所述的磁頭，其中所說凹口通過放電加工形成。
11.如權(quán)利要求9所述的磁頭，其中所說凹口通過放電加工形成。
12.如權(quán)利要求8所述的磁頭，其中所說的一對磁芯中的每一個都包括鐵氧體芯，在所說每個鐵氧體芯的表面上設(shè)有所說的磁性薄膜，而且所說的一對凹口僅形成在所說的磁性薄膜中。
13.如權(quán)利要求9所述的磁頭，其中所說的一對磁芯中的每一個都包括鐵氧體芯，在所說每個鐵氧體芯的表面上設(shè)有所說的磁性薄膜，而且所說的一對凹口僅形成在所說的磁性薄膜中。
14.如權(quán)利要求1所述的磁頭，進一步包括一個用于纏繞線圈的繞線口，所說的一對凹口延伸到所說的繞線口。
15.如權(quán)利要求8所述的磁頭，進一步包括一個用于纏繞線圈的繞線口，所說的一對凹口延伸到所說的繞線口。
16.如權(quán)利要求9所述的磁頭，進一步包括一個用于纏繞線圈的繞線口，所說的一對凹口延伸到所說的繞線口。
17.一種磁記錄/重放裝置，其中包括權(quán)利要求1所述的磁頭。
18.一種磁記錄/重放裝置，其中包括權(quán)利要求8所述的磁頭。
19.一種磁記錄/重放裝置，其中包括權(quán)利要求9所述的磁頭。
20.一種制造磁頭的方法，其特征在于，所說的磁頭包括一對磁芯，每個磁芯上均帶有加工成凸形的部分和至少設(shè)置在所說加工成凸形部分的突出端面上的磁性薄膜；一個玻璃件，其包括靠近所說磁芯的前表面設(shè)置的前玻璃件和遠離所說磁芯的前表面設(shè)置的后玻璃件，其中所說的方法包括第一步，將所說突出端面彼此相對對接并在其中間插入一個磁性縫隙件；第二步，通過放電加工，在所說一對磁芯的磁帶滑動表面上形成一對用于調(diào)節(jié)磁道寬度的凹口，并使其從兩側(cè)與所說一對磁芯上加工成凸形部分的對接區(qū)相接；第三步，至少在所說一對凹口的表面上形成防再生膜以防止金屬磁性膜與所說的玻璃件之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)；第四步，通過熱處理，用玻璃材料填充預(yù)先在所說磁芯的預(yù)定位置上形成的槽以便構(gòu)成前玻璃件。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，進一步包括在形成所說凹口之前，將所說一對磁芯與所說的后玻璃件熔合到一起的步驟。
22.一種制造磁頭的方法，其特征在于，所說的磁頭包括一對磁芯，每個磁芯上均帶有加工成凸形的部分和至少設(shè)置在加工成凸形部分的突出端面上的金屬磁性薄膜；一個玻璃件，其包括靠近所說磁芯的前表面設(shè)置的前玻璃件和遠離所說磁芯的前表面設(shè)置的后玻璃件，其中所說的方法包括第一步，將所說突出端面彼此相對對接并在其中間插入一個磁性縫隙件；第二步，將所說的一對磁芯與所說的后玻璃件熔合在一起；第三步，通過放電加工，在所說一對磁芯的磁帶滑動表面上設(shè)置一對用于調(diào)節(jié)磁道寬度的凹口，使該凹口從兩側(cè)與所說一對磁芯上加工成凸形部分的對接部分相接；和第四步，通過熱處理，用玻璃材料填充預(yù)先在所說磁芯的預(yù)定位置上形成的槽以便構(gòu)成前玻璃件。
23.如權(quán)利要求20所述的方法，其中將所說前玻璃件的軟化點設(shè)置得低于后玻璃件的軟化點，把在通過熱填充形成所說前玻璃件的步驟中使用的熱處理溫度設(shè)定得低于所說后玻璃件的軟化溫度。
24.如權(quán)利要求22所述的方法，其中將所說前玻璃件的軟化點設(shè)置得低于后玻璃件的軟化點，把在通過熱填充形成所說前玻璃件的步驟中使用的熱處理溫度設(shè)定得低于所說后玻璃件的軟化溫度。
25.如權(quán)利要求20所述的方法，其中，在通過放電加工形成凹口的步驟中，在轉(zhuǎn)動電極的同時，通過柱形的放電加工電極對所說磁芯的端部進行加工。
26.如權(quán)利要求22所述的方法，其中，在通過放電加工形成凹口的步驟中，在轉(zhuǎn)動電極的同時，通過柱形的放電加工電極對所說磁芯的端部進行加工。
27.如權(quán)利要求20所述的方法，其中在通過放電加工形成所說凹口的步驟中，用至少延伸到繞線口的放電加工電極的頂部對所說磁芯的端部進行加工。
28.如權(quán)利要求22所述的方法，其中在通過放電加工形成所說凹口的步驟中，用至少延伸到繞線口的放電加工電極的頂部對所說磁芯的端部進行加工。
29.一種磁記錄/重放裝置，其包含用權(quán)利要求20的方法制造的磁頭。
30.一種磁記錄/重放裝置，其包含用權(quán)利要求22的方法制造的磁頭。
全文摘要
一種磁頭包括一對磁芯，每個磁芯上均帶有加工成凸形的部分，彼此相對設(shè)置，其中間可插入磁性縫隙件；一對玻璃件，用于將所說的磁芯熔合在一起。在磁頭中，在一對磁芯的凸形部分的突出端面上形成有金屬磁膜。在一對磁芯的磁帶滑動表面上通過放電加工形成一對凹口，其從兩側(cè)與所說一對磁芯上加工成凸形的對接部分相接。一對凹口中每一個的形狀應(yīng)能保證當(dāng)所說磁帶移動時，兩凹口的內(nèi)表面不會處于磁帶上記錄圖案的邊緣之外。
文檔編號G11B5/127GK1139793SQ9610509
公開日1997年1月8日 申請日期1996年5月20日 優(yōu)先權(quán)日1995年5月18日
發(fā)明者本間義康 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社