專(zhuān)利名稱：：磁記錄媒體及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及具有高矯頑力的磁記錄媒體及其制造方法。本發(fā)明的磁記錄媒體特別適合用于硬磁盤(pán)，軟磁盤(pán)和磁帶等。
背景技術(shù)：
：業(yè)已知道，已有的磁記錄媒體及其制造方法包括下面的技術(shù)。圖11是作為已有的磁記錄媒體的一個(gè)實(shí)例的硬磁盤(pán)的示意圖。在圖11中，圖11(a)為磁記錄媒體的整體斜視圖，圖11(b)為沿圖11(a)中的A-A’線的局部剖面圖。基體1是這樣形成的，即在Al基板2的表面上設(shè)置非磁性(Ni-P)層3。之后，在該基板1上依次層疊Cr襯層4，強(qiáng)磁性金屬層5以及保護(hù)層6。通過(guò)電鍍法或?yàn)R射法在下述Al基板2表面上形成非磁性(Ni-P)層3，從而形成基體1，該Al基板2為圓盤(pán)形，其直徑為89mm(3.5英寸)、厚度為1.27mm(50密耳)。另外，通過(guò)機(jī)械研磨處理，在非磁性(Ni-P)層3表面上形成呈同心圓形的痕跡(后面稱為紋理)。一般來(lái)說(shuō)，非磁性(Ni-P)層3的表面粗糙度，即沿半徑方向測(cè)定時(shí)的平均中心線粗糙度Ra為5nm～15nm。此外，Cr襯層4和強(qiáng)磁性金屬層5(一般為Co合金系磁性膜)通過(guò)濺射法形成于上述基體1的表面上，最后通過(guò)濺射法形成碳等構(gòu)成的保護(hù)層6，對(duì)強(qiáng)磁性金屬層5的表面進(jìn)行保護(hù)。典型的每個(gè)層的厚度為下述值，即非磁性(Ni-P)層35μm～15μm，Cr襯層450nm～150nm，強(qiáng)磁性金屬層530nm～100nm，保護(hù)層620nm～50nm。具有上述層結(jié)構(gòu)的已有的磁記錄媒體是在下述的條件下制造的，該條件為濺射成膜之前的成膜室所達(dá)到的真空度為10-7乇，并且成膜時(shí)所用的Ar氣體中的雜質(zhì)濃度在1ppm以上。在上述制造方法中，在制造具有高矯頑力的磁記錄媒體的場(chǎng)合，廣泛采用在構(gòu)成強(qiáng)磁性金屬層的Co合金系磁性膜中包括Pt元素的工藝。包括上述Pt元素的Co合金系磁性膜還具有下述的優(yōu)點(diǎn)，即在進(jìn)行大批量生產(chǎn)時(shí)保持穩(wěn)定，從而很容易制造具有高矯頑力的媒體。但是，未包括Pt元素的Co合金系磁性膜例如與CoCrTa膜相比較，具有下述的問(wèn)題。1.制造成本較高。2.電磁轉(zhuǎn)換特性中的媒體噪音較大。因此，會(huì)產(chǎn)生S/N比值降低的趨向。國(guó)際專(zhuān)利申請(qǐng)PCT/JP94/01184號(hào)公報(bào)中公開(kāi)了解決上述問(wèn)題的技術(shù)。上述文獻(xiàn)描述了一種磁記錄媒體及其制造方法，該磁記錄媒體在不采用高價(jià)的強(qiáng)磁性金屬層的情況下，具有高的矯頑力，并且價(jià)格較低。在該文獻(xiàn)中公開(kāi)了下述的技術(shù)，即通過(guò)金屬襯層在基體表面上形成強(qiáng)磁性金屬層，在磁通反轉(zhuǎn)型磁記錄媒體中，使成膜時(shí)所使用的Ar氣體中的雜質(zhì)濃度保持在10ppb以下，從而使金屬襯層或/和強(qiáng)磁性金屬層中的氧濃度在100ppm(重量)以下。另外，上述文獻(xiàn)還可指出，由于在形成上述金屬襯層之前，使用其雜質(zhì)濃度在10ppb以下的Ar氣體，通過(guò)高頻濺射法對(duì)上述基體表面進(jìn)行清理處理，將上述基體表面去除0.2nm～1nm，這樣可進(jìn)一步增加矯頑力。但是為了使磁記錄媒體實(shí)現(xiàn)高密度記錄，還必須進(jìn)行高頻記錄。在此場(chǎng)合，單位長(zhǎng)度的磁通反轉(zhuǎn)次數(shù)會(huì)趨向進(jìn)一步增加。即，相當(dāng)于1位的位長(zhǎng)度變短。另外由于磁道寬度也必須較窄，這樣記錄1位的面積不得不更小。上述位面積的減小存在更容易受到由磁通反轉(zhuǎn)造成的轉(zhuǎn)化區(qū)域的影響，即成為低的S/N比(S表示記錄信號(hào)，N表示媒體噪音)的傾向。因此，希望提供一種下述的高矯頑力磁記錄媒體及其制造方法，該磁記錄媒體即使在位面積較小的情況下，仍可實(shí)現(xiàn)具有較大矯頑力的磁化特性曲線。本發(fā)明的第1目的在于提供一種下述的磁通反轉(zhuǎn)型磁記錄媒體，在其基體表面上通過(guò)或不通過(guò)由Cr形成的金屬襯層，設(shè)置由Co合金形成的強(qiáng)磁性金屬層，而且上述金屬襯層或/和上述強(qiáng)磁性金屬層的氧濃度在100ppm(重量)以下，由于在該磁記錄媒體中設(shè)置有α層和β層，從而在不依賴于基體材質(zhì)的情況下，可穩(wěn)定地獲得高的矯頑力。另外，本發(fā)明的第2目的在于提供一種下述的磁記錄媒體制造方法，該方法通過(guò)穩(wěn)定地制作α層和β層，從而可形成具有高矯頑力的強(qiáng)磁性金屬層。發(fā)明的公開(kāi)本發(fā)明的磁記錄媒體是下述的磁通反轉(zhuǎn)型磁記錄媒體，在其基體表面上通過(guò)至少由Cr形成的金屬襯層，設(shè)置由Co合金形成的強(qiáng)磁性金屬層，而且上述金屬襯層或/和上述強(qiáng)磁性金屬層的氧濃度在100ppm(重量)以下，其特征在于，在上述基體和金屬襯層之間設(shè)置α層和β層，該α層至少由鎳(Ni)和磷(P)的金屬及氧化物形成，上述β層至少具有酯基。另外，該磁記錄媒體的特征在于，其層結(jié)構(gòu)是基體/α層/β層/金屬襯層/強(qiáng)磁性金屬層。本發(fā)明的磁記錄媒體是下述的磁記錄媒體，在其基體表面上設(shè)置至少由Co合金形成的強(qiáng)磁性金屬層，而且該強(qiáng)磁性金屬層的氧濃度在100ppm(重量)以下，其特征在于，在上述基體和金屬襯層之間設(shè)置α層和β層，該α層至少由鎳(Ni)和磷(P)的金屬及氧化物形成，上述β層至少具有酯基。另外，該磁記錄媒體的特征在于，其層結(jié)構(gòu)是基體/α層/β層/強(qiáng)磁性金屬層。此外，最好上述α層的膜厚度tα和β層的膜厚度tβ之和滿足3nm≤(tα+tβ)≤12nm，最好上述α層的膜厚度tα和β層的膜厚度tβ之比滿足0＜(tα/tβ)≤1。上述磁記錄媒體的還一特征在于，具有酯基的β層為下述的有機(jī)分子，該有機(jī)分子的熔點(diǎn)高于形成上述金屬襯層或強(qiáng)磁性金屬層時(shí)的基體溫度。本發(fā)明的磁記錄媒體的制造方法的特征在于，用于形成上述α層，β層，金屬襯層，以及強(qiáng)磁性金屬層的成膜室所達(dá)到的真空度在10-9乇以下。本發(fā)明的磁記錄媒體的制造方法的另一特征在于，形成上述金屬襯層或/和強(qiáng)磁性金屬層時(shí)的基體溫度低于形成上述β層的有機(jī)分子的熔點(diǎn)。按照權(quán)利要求1所述的發(fā)明，由于在基體和金屬襯層之間設(shè)置α層和β層，該α層至少由鎳(Ni)和磷(P)的金屬及氧化物形成，上述β層至少具有酯基，這樣可使Cr金屬襯層和Co合金強(qiáng)磁性金屬層的結(jié)晶取向不規(guī)則。其結(jié)果是，可提高沿基體所在平面方向的矯頑力。按照權(quán)利要求2所述的發(fā)明，由于上述磁記錄媒體的層結(jié)構(gòu)為基體/α層/β層/金屬襯層/強(qiáng)磁性金屬層，這樣可在基體表面上形成均勻的α層，可在α層上形成均勻的β層。其結(jié)果是，可減少α層和β層的局部脫落，并且可減小沿基體所在平面方向的矯頑力的偏差。因此，可獲得適合于在其所在平面進(jìn)行穩(wěn)定的磁記錄的磁記錄媒體。按照權(quán)利要求3所述的發(fā)明，由于在基體和強(qiáng)磁性金屬層之間設(shè)置α層和β層，該α層至少由鎳(Ni)和磷(P)的金屬及氧化物形成，上述β層至少具有酯基，這樣可使Co合金強(qiáng)磁性金屬層的結(jié)晶取向不規(guī)則。其結(jié)果是，可提高沿基體垂直方向的矯頑力。按照權(quán)利要求4所述的發(fā)明，由于該磁記錄媒體的層結(jié)構(gòu)為基體/α層/β層/強(qiáng)磁性金屬層，這樣可在基體表面上形成均勻的α層，可在α層上形成均勻的β層。其結(jié)果是，可減少α層和β層的局部脫落，并且可減小沿基體垂直方向的矯頑力的偏差。因此，可獲得適合于穩(wěn)定地進(jìn)行垂直磁記錄的磁記錄媒體。按照權(quán)利要求5所述的發(fā)明，由于上述α層的膜厚度tα和β層的膜厚度tβ之和滿足3nm≤(tα+tβ)≤12nm，這樣可獲得其矯頑力在2000Oe以上的磁記錄媒體。按照權(quán)利要求6所述的發(fā)明，由于上述α層的膜厚度tα和β層的膜厚度tβ之比滿足0＜(tα/tβ)≤1，這樣可獲得其矯頑力在2000Oe以上的磁記錄媒體。按照權(quán)利要求7所述的發(fā)明，由于具有酯基的β層為下述的有機(jī)分子，該有機(jī)分子的熔點(diǎn)高于形成上述金屬襯層和強(qiáng)磁性金屬層時(shí)的基體溫度，這樣可防止具有酯基的β層脫離。其結(jié)果是，上述金屬襯層和強(qiáng)磁性金屬層可以穩(wěn)定地形成一定的結(jié)晶取向面。按照權(quán)利要求8所述的發(fā)明，由于用于形成上述α層，β層，金屬襯層，以及強(qiáng)磁性金屬層的成膜室所達(dá)到的真空度在10-9乇以下，這樣可使基體與α層的界面，以及各層之間的界面保持清潔的狀態(tài)。其結(jié)果是，可穩(wěn)定地控制金屬襯層和強(qiáng)磁性金屬層的結(jié)晶取向。按照權(quán)利要求9所述的發(fā)明，由于形成上述金屬襯層或/和強(qiáng)磁性金屬層時(shí)的基體溫度低于形成上述β層的有機(jī)分子的熔點(diǎn)，這樣在形成金屬襯層或/和強(qiáng)磁性金屬層時(shí)，可防止作為固體的β層產(chǎn)生脫離，分解的現(xiàn)象。下面對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式例進(jìn)行說(shuō)明?；w本發(fā)明的基體例如可為鋁、鈦及其合金，硅，玻璃，碳，陶瓷，塑料，樹(shù)脂及其復(fù)合物，并在這些材料表面通過(guò)濺射法，蒸鍍法，電鍍法等敷設(shè)異種材料的非磁性膜而進(jìn)行表面涂敷處理。最好敷設(shè)于上述基體表面上的非磁性膜不會(huì)因高溫而磁化，具有導(dǎo)電性，易于進(jìn)行機(jī)加工等，另一方面該膜具有適度的表面硬度。作為滿足上述條件的非磁性膜，最好是通過(guò)濺射法制作的(Ni-P)膜。在用于磁盤(pán)的場(chǎng)合，基體采用環(huán)形圓盤(pán)形狀。設(shè)有后面描述的磁性層等的基體，即磁記錄媒體在進(jìn)行磁記錄和再生時(shí)，以圓盤(pán)中心為軸，以比如3600rpm的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)使用。此時(shí)，磁頭越過(guò)磁記錄媒體上方空間以0.1μm的高度飛行。因此，必須對(duì)基體的表面平坦性，內(nèi)外兩個(gè)表面的平行性，沿基體圓周方向的彎曲度，以及表面粗糙度進(jìn)行適當(dāng)?shù)目刂?。此外，在基體旋轉(zhuǎn)/停止的場(chǎng)合，磁記錄媒體和磁頭的表面彼此發(fā)生接觸和滑動(dòng)(ContactStartStop，簡(jiǎn)稱為CSS)。作為應(yīng)付上述情況的措施，有時(shí)還要在基體表面上形成呈同心圓形的輕微痕跡(紋理)。金屬襯層本發(fā)明的金屬襯層具體可舉出Cr，Ti，W和其合金。在形成合金的場(chǎng)合，建議與V，Nb，Ta等組合。特別以Cr為佳，因?yàn)樗鼘?duì)后述的強(qiáng)磁性金屬層產(chǎn)生偏析作用。另外，成膜方法采用在大量生產(chǎn)中廣泛使用的濺射法，蒸鍍法等。上述金屬襯層的作用是用于在其上設(shè)置以Co為基形成的強(qiáng)磁性金屬層時(shí)，促進(jìn)強(qiáng)磁性金屬層的晶體生長(zhǎng)，以便使強(qiáng)磁性金屬層的容易磁化軸沿基體所在平面的方向，即增加基體所在平面方向的矯頑力。在通過(guò)濺射法制作由Cr形成的金屬襯層的場(chǎng)合，控制其結(jié)晶度的成膜因素包括有基體的表面形狀，表面狀態(tài)，或表面溫度，成膜時(shí)的氣體壓力，外加于基體上的偏壓，以及所形成的膜厚度等。特別是，因?yàn)閺?qiáng)磁性金屬層的矯頑力有與Cr的膜厚度成比例地增加的趨向，所以在過(guò)去，以Cr膜厚度例如在50nm～150nm的范圍內(nèi)使用。在這里，已有的成膜條件(本發(fā)明的成膜條件)指成膜室的反壓力為10-7(10-9)乇，并且成膜時(shí)所采用的Ar氣體中的雜質(zhì)濃度在1ppm以上(100ppt以下，最好在10ppb以下)。另外在形成金屬襯層時(shí)所采用的靶中的雜質(zhì)濃度最好在150ppm以下。為了提高記錄密度，必須減小磁頭從媒體表面的懸浮量。如果上述Cr膜厚度較大，則媒體的表面粗糙度也趨向增加。因此，最好采用較薄的Cr膜厚度，從而獲得高的矯頑力。強(qiáng)磁性金屬層本發(fā)明的強(qiáng)磁性金屬層具體可舉出下述的兩種。第1種適合用于通過(guò)金屬襯層將其設(shè)置于基體表面上的場(chǎng)合(即在基體所在平面內(nèi)記錄用的磁性膜的場(chǎng)合)，例如可舉出CoNiCr、CoCrTa、CoCrPt、CoNiPt、CoNiCrTa、CoCrPtTa等。在這里，已有的成膜條件(本發(fā)明的成膜條件)指成膜室的反壓力為10-7(10-9)乇，并且成膜時(shí)所采用的Ar氣體中的雜質(zhì)濃度在1ppm以上(100ppt以下，最好在10ppb以下)。另外，在形成強(qiáng)磁性金屬層時(shí)所采用的靶中的雜質(zhì)濃度最好在30ppm以下。在屬于上述第1種中，由于CoNiCr價(jià)格較低，不易受到成膜氣氛的影響，另外由于CoCrTa的媒體噪音較低，而CoPt系材料可獲得采用CoNiCr和CoCrTa制造時(shí)難于達(dá)到的1800Oe以上的矯頑力，故最好采用上述材料。上述第1種所需要解決的問(wèn)題是開(kāi)發(fā)下述的材料及其制造方法，該材料的成本較低，媒體噪音較小，可獲得較高的矯頑磁力，以便提高記錄密度，降低制造成本。第2種適合用于不通過(guò)金屬襯層而直接將其形成于基體表面上的場(chǎng)合(即垂直記錄用磁性膜的場(chǎng)合)，例如可舉出CoCr、CoPt、CoCrTa等。另外，有時(shí)還可在上述強(qiáng)磁性金屬層的下面設(shè)置作為襯里層的軟磁性金屬層。上述第2種所需要解決的問(wèn)題是開(kāi)發(fā)下述的材料以及制造方法，該材料即使在強(qiáng)磁性金屬層的膜厚度較薄的情況下，仍可保持較高的沿與膜表面相垂直的方向的矯頑力。磁通反轉(zhuǎn)型磁記錄媒體本發(fā)明的“磁通反轉(zhuǎn)型磁記錄媒體”有下述的兩種類(lèi)型，即在上述的強(qiáng)磁性金屬層的膜面上，以與其保持平行的方式進(jìn)行記錄磁化處理的媒體(在其所在平面上進(jìn)行磁性記錄的媒體)，以及在上述膜面上，以與其相垂直的方式進(jìn)行記錄磁化處理的媒體(垂直磁記錄媒體)。無(wú)論哪一種媒體，不言而喻，均必須謀求記錄磁化的小型化，以便提高記錄密度。由于上述小型化減小每次進(jìn)行記錄磁化處理時(shí)泄漏的磁通量，從而可減小磁頭再生信號(hào)的輸出值。因此，人們希望進(jìn)一步降低受進(jìn)行相鄰的記錄磁化影響的媒體噪音。強(qiáng)磁性金屬層的氧濃度已知，在采用已有的濺射法制作CoNiCr膜的場(chǎng)合，本發(fā)明的“強(qiáng)磁性金屬層的氧濃度”是250ppm(重量)以上。最好對(duì)強(qiáng)磁性金屬層氧濃度的影響，即對(duì)媒體的矯頑力和媒體噪音的影響進(jìn)行分析。上述已有的濺射法指在下述條件下成膜，該條件為用于形成強(qiáng)磁性金屬層的成膜室所達(dá)到的真空度為10-7乇，形成強(qiáng)磁性金屬層時(shí)所采用的Ar氣體中的雜質(zhì)濃度是1ppm以上。金屬襯層的氧濃度已知，例如在采用已有的濺射法制作Cr膜的場(chǎng)合，本發(fā)明的“金屬襯層的氧濃度”是250ppm(重量)以上。最好對(duì)金屬襯層氧濃度的影響，即對(duì)取決于金屬襯層的膜厚度的晶體生長(zhǎng)過(guò)程的影響，對(duì)在金屬襯層上所形成的強(qiáng)磁性金屬層的影響等進(jìn)行分析。上述已有的濺射法的含義與在上述“強(qiáng)磁性金屬層的氧濃度”一項(xiàng)中說(shuō)明的相同。強(qiáng)磁性金屬層的標(biāo)準(zhǔn)化矯頑力(表示為Hc/Hkgrain)本發(fā)明的“強(qiáng)磁性金屬層的標(biāo)準(zhǔn)化矯頑力”指矯頑力Hc與晶粒的各向異性磁場(chǎng)Hkgrain的比值，它表示晶粒的隔磁性的提高程度，上述內(nèi)容參見(jiàn)文獻(xiàn)“MagnetizationReversalMechanismEvaluatedbyRotationalHysteresisLossAnalysisfortheThinFilmMedia”MigakuTakahashi，T.Shimatsu，M.Suekane，M.Miyamura，K.YamaguchiandH.YamasakiIEEETRANSACTIONSONMAGUNETICS，VOL.28，1992，pp.3285”。僅限于強(qiáng)磁性金屬層是以Co為基的材料時(shí)，采用已有的濺射法制作的強(qiáng)磁性金屬層的標(biāo)準(zhǔn)矯頑力小于0.3。按照Stoner-Wohlfarth理論，在晶粒完全隔磁的場(chǎng)合，上述標(biāo)準(zhǔn)矯頑力為0.5，該數(shù)值為標(biāo)準(zhǔn)矯頑磁力的上限值。另外，在“J.-GZhuandH.N.BertramJournalofAppliedPhysics，VOL.63，1988.pp3248”文獻(xiàn)中指出所謂強(qiáng)磁性金屬層的標(biāo)準(zhǔn)矯頑力高表示構(gòu)成強(qiáng)磁性金屬層的各個(gè)晶粒之間的磁相互作用低，可獲得高的矯頑力。在這里，矯頑力Hc是指由使用振動(dòng)試樣型磁力計(jì)(VariableSampleMagnetometer，簡(jiǎn)稱為VSM)測(cè)定的磁化曲線求出的媒體的矯頑力。晶粒的各向異性磁場(chǎng)Hkgrain指采用高靈敏度扭矩磁力計(jì)測(cè)定的旋轉(zhuǎn)磁滯損耗完全消失的外加磁場(chǎng)。在通過(guò)金屬襯層在基體表面上形成強(qiáng)磁性金屬層的磁記錄媒體的場(chǎng)合，矯頑力和各向異性磁場(chǎng)指在沿薄膜所在平面方向測(cè)定的值，在基體表面上形成強(qiáng)磁性金屬層的磁記錄媒體的場(chǎng)合，矯頑力和各向異性磁場(chǎng)指在與薄膜所在平面相垂直的方向測(cè)定的值。鋁合金本發(fā)明的鋁合金例如可舉出由鋁和鎂構(gòu)成的合金。目前在用于HD(硬磁盤(pán))時(shí)，使用最多的是以鋁合金作為基體。由于使用目的為進(jìn)行磁記錄，故最好采用金屬氧化物含量較少的合金。此外，大多采用電鍍法或?yàn)R射法將非磁性的(Ni-P)膜設(shè)置在鋁合金表面上。其目的是提高耐腐蝕性，增加基體表面硬度。為了減小磁頭在媒體表面滑動(dòng)時(shí)所產(chǎn)生的摩擦力，在上述(Ni-P)膜的表面上形成同心圓形的輕微的痕跡(紋理)。以鋁合金作為基體的場(chǎng)合所要解決的問(wèn)題是基體的薄板化，降低基體的表面粗糙度。目前，上述基體的薄板化的極限值為0.5mm，而表面粗糙度的極限值為0.5nm。玻璃本發(fā)明的玻璃例如可舉出對(duì)玻璃表面進(jìn)行離子摻雜等強(qiáng)化處理的玻璃，以及由玻璃本身進(jìn)行微晶化的結(jié)構(gòu)而構(gòu)成的玻璃等。上述兩者均不需要消除稱為“易碎”的玻璃缺點(diǎn)的措施。由于玻璃的表面硬度比鋁合金的高，故其優(yōu)點(diǎn)在于不必設(shè)置(Ni-P)膜等。另外，對(duì)基體的薄板化、基體平面的平滑性、基體的耐高溫性等方面也是有利的。但是，為了制作具有高矯頑力的磁性膜，最好成膜時(shí)的基體表面溫度較高，而且可以邊對(duì)基體外加偏壓，邊進(jìn)行成膜，所以往往在玻璃表面上設(shè)置非磁性層。另外，為了防止有害的元素從玻璃侵入到磁性膜中，有時(shí)要設(shè)置非磁性層?；蛘邽榱私档痛蓬^在媒體上滑動(dòng)所產(chǎn)生的摩擦力，有時(shí)也要在玻璃表面上形成具有細(xì)微凹凸形狀的非磁性層。以玻璃為基體的場(chǎng)合所需要解決的問(wèn)題在于同時(shí)兼顧基體的薄板化及防止基體破裂這兩個(gè)方面。硅本發(fā)明的硅具體可采用將半導(dǎo)體領(lǐng)域中實(shí)際上所使用的硅片制成圓形得到的產(chǎn)品。與玻璃相同，硅的表面硬度較高，可使基體薄板化，另外，基體表面的平滑性也較高，基體的耐高溫特性較好，所以優(yōu)于鋁合金。除此之外，由于基體表面的結(jié)晶位向和晶格常數(shù)能進(jìn)行選擇，故能夠期望提高在其上形成磁性膜的晶體生長(zhǎng)的控制性。另外，與鋁合金相同，由于基體具有導(dǎo)電性，故可對(duì)基體外加偏壓，由于從基體內(nèi)部放出的H2O等氣體量較少，故可使成膜空間保持清潔，因此，在上述方面采用硅也是有利的。與玻璃相同，以硅為基體的場(chǎng)合所需要解決的問(wèn)題在于同時(shí)兼顧基體的薄板化及防止基體破裂這兩個(gè)方面。濺射法本發(fā)明的濺射法例如可舉出在基體從靶前方移動(dòng)的同時(shí)，形成薄膜的傳送式，以及將基體固定于靶前方形成薄膜的靜止式。由于前者的產(chǎn)量較高，故有利于制造較低成本的媒體，由于后者可使濺射粒子對(duì)基體的入射角保持穩(wěn)定，故可制造記錄再生特性優(yōu)良的媒體。依次形成金屬襯層和強(qiáng)磁性金屬層本發(fā)明的“依次形成金屬襯層和強(qiáng)磁性金屬層”指在基體表面上形成金屬襯層之后，直至在該金屬襯層表面上形成強(qiáng)磁性金屬層的期間內(nèi)，在成膜時(shí)的氣體壓力以上時(shí)不曝露于高壓力氣氛中。眾所周知，在金屬襯層的表面曝露于大氣中后，當(dāng)在其上形成強(qiáng)磁性金屬層時(shí)，媒體的矯頑力顯著下降(比如，未暴露1500Oe→曝露500Oe以下)。成膜時(shí)使用的Ar氣體中的雜質(zhì)及其濃度本發(fā)明的“成膜時(shí)使用的Ar氣體中的雜質(zhì)”例如可舉出H2O、O2、CO2、H2、N2、CxHy、H、C、O、CO等。特別是，可斷定影響進(jìn)入膜中的氧量的雜質(zhì)為H2O、O2、CO2、O、CO。因此，本發(fā)明的雜質(zhì)濃度指成膜時(shí)使用的Ar氣體中所含的H2O、O2、CO2、O、CO之和。利用高頻濺射法進(jìn)行的清潔處理本發(fā)明的“利用高頻濺射法進(jìn)行的清潔處理”例如可舉出從RF(射頻13.56MHz)電源對(duì)位于可放電的氣體壓力空間內(nèi)的基體施加交流電壓的方法。該方法的特點(diǎn)在于還可適合用于基體不具有導(dǎo)電性的場(chǎng)合。一般來(lái)說(shuō)，清潔處理的效果包括提高薄膜在基體上的附著性。但是，在進(jìn)行清潔處理之后，對(duì)在基體表面上形成的薄膜本身的性質(zhì)的影響，有許多還不清楚。在形成金屬襯層時(shí)使用的Cr靶中的雜質(zhì)及其濃度本發(fā)明的“在形成金屬襯層時(shí)使用的Cr靶中的雜質(zhì)”例如可舉出Fe、Si、Al、C、O、N、H等。特別是，可斷定影響進(jìn)入膜中的氧量的雜質(zhì)為O。因此，本發(fā)明的雜質(zhì)濃度指在形成金屬襯層時(shí)使用的Cr靶中的含氧量。形成強(qiáng)磁性金屬層時(shí)使用的靶中的雜質(zhì)及其濃度本發(fā)明的“形成強(qiáng)磁性金屬層時(shí)使用的Co基靶中的雜質(zhì)”例如可舉出Fe、Si、Al、C、O、N等。特別是，可斷定影響進(jìn)入膜中的氧量的雜質(zhì)為O。因此，本發(fā)明的雜質(zhì)濃度指在形成強(qiáng)磁性金屬層時(shí)使用的靶中的含氧量。在基體上外加負(fù)偏壓本發(fā)明的“在基體上外加負(fù)偏壓”指在形成作為磁記錄媒體的Cr底膜和磁性膜時(shí)，對(duì)基體外加直流偏壓。已知，如果外加適合的偏壓，則增加媒體的矯頑力。上述外加偏壓的效果是公知的，即與僅僅在制作任何一個(gè)膜時(shí)外加偏壓的場(chǎng)合相比較，同時(shí)對(duì)兩個(gè)層外加偏壓的場(chǎng)合的效果更大。但是，上述偏壓的施加多數(shù)是作用于基體附近的物體，即基體支承部件和基體支架上。其結(jié)果是，在基體附近的空間中會(huì)產(chǎn)生氣體和灰塵，該氣體和灰塵進(jìn)入成膜中的薄膜內(nèi)，容易產(chǎn)生各種膜特性不穩(wěn)定的不良情況。另外對(duì)基體外加偏壓還會(huì)產(chǎn)生下述的問(wèn)題。1.不適合用于玻璃等非導(dǎo)電性基體。2.形成的磁性膜的飽和磁通密度(Ms)降低。3.必須在成膜室內(nèi)部設(shè)置復(fù)雜的機(jī)構(gòu)。4.對(duì)基體外加偏壓的程度容易發(fā)生變化，其結(jié)果是，磁特性容易產(chǎn)生偏差。因此，希望提供一種即使不外加上述偏壓也可獲得符合指標(biāo)的各種膜特性的制造方法。用于形成金屬襯層和/或強(qiáng)磁性金屬層的成膜室所達(dá)到的真空度本發(fā)明的“用于形成金屬襯層和/或強(qiáng)磁性金屬層的成膜室所達(dá)到的真空度”隨強(qiáng)磁性金屬層材料的不同而變化，是控制矯頑力數(shù)值的成膜因素之一。特別是，過(guò)去認(rèn)為，強(qiáng)磁性金屬層中包含Ta的Co基材料，在上述所達(dá)到的真空度較低的場(chǎng)合(比如，5×10-6乇以上的場(chǎng)合)，對(duì)上述矯頑力產(chǎn)生較大的影響。但是，按照本發(fā)明可知，即使在不包含Ta的Co基材料CoNiCr、CoCrPt中，就能否在晶粒之間形成由非晶形結(jié)構(gòu)構(gòu)成的晶界層的觀點(diǎn)來(lái)說(shuō)，成膜室所達(dá)到的真空度是起作用的。形成金屬襯層和/或強(qiáng)磁性金屬層時(shí)的基體表面溫度本發(fā)明的“形成金屬襯層和/或強(qiáng)磁性金屬層時(shí)的基體表面溫度”與強(qiáng)磁性金屬層的材料無(wú)關(guān)，它是控制矯頑力數(shù)值的成膜因素之一。在不對(duì)基體造成損傷的范圍，以較高的表面溫度來(lái)形成膜可獲得更高的矯頑力。上述基體的損傷指彎曲、膨脹、裂紋等外部變化，或發(fā)生磁化、產(chǎn)生的氣體量增加等內(nèi)部變化。但是為了實(shí)現(xiàn)較高的基體表面溫度，一般必須通過(guò)成膜室或其前面的室進(jìn)行一定的加熱處理。該加熱處理會(huì)產(chǎn)生下述的不利情況，即在基體附近的空間中產(chǎn)生氣體和灰塵，該氣體和灰塵會(huì)進(jìn)入成膜過(guò)程中的薄膜中，從而使各種膜的特性不穩(wěn)定。另外，較高的基體表面溫度還產(chǎn)生下述的問(wèn)題。1.位于NiP/Al基體上的非磁性NiP層發(fā)生磁化。2.基體發(fā)生變形。3.對(duì)于玻璃等導(dǎo)熱率較低的基體，很難提高或保持基體溫度。因此，希望提供一種不進(jìn)行上述的加熱處理，或者即使進(jìn)行較低溫度的加熱處理也可獲得符合指標(biāo)的各種膜特性的制造方法。基體表面粗糙度Ra本發(fā)明的“基體表面粗糙度”具體可為在下述場(chǎng)合下的平均中心線粗糙度Ra，該場(chǎng)合指沿半徑方向?qū)A盤(pán)形基體表面進(jìn)行測(cè)定。測(cè)定儀采用RANKTAYLORHOBSON公司制造的TALYSTEP。在基體從停止?fàn)顟B(tài)開(kāi)始旋轉(zhuǎn)的場(chǎng)合，或與此相反的場(chǎng)合，磁記錄媒體與磁頭表面相接觸，并產(chǎn)生滑動(dòng)(ContactStartStop，簡(jiǎn)稱為CSS)。此時(shí)，為了抑制磁頭的吸附和摩擦系數(shù)的上升，最好Ra的值較大。另一方面，在基體達(dá)到最高轉(zhuǎn)速的場(chǎng)合，由于必須確保磁記錄媒體和磁頭之間的間距，即磁頭的懸浮量，最好Ra的值較小。因此，要根據(jù)上述理由及對(duì)磁記錄媒體要求的技術(shù)條件，適當(dāng)確定基體的表面粗糙度、Ra的最大值和最小值。比如，在磁頭的懸浮量為2微英寸的場(chǎng)合，Ra＝6nm～8nm。但是，為了進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)高密度記錄，必須進(jìn)一步減小磁頭懸浮量(在進(jìn)行記錄再生動(dòng)作時(shí)，磁頭離開(kāi)磁記錄媒體表面的距離)。為了滿足上述需要，進(jìn)一步使磁記錄媒體表面更平坦化是很重要的。根據(jù)上述理由，希望進(jìn)一步減小基體的表面粗糙度。因此，希望提供一種即使進(jìn)一步減小基體的表面粗糙度也可獲得符合指標(biāo)的各種膜特性的制作方法。紋理處理本發(fā)明的紋理處理例如可舉出機(jī)械研磨法，化學(xué)腐蝕法，附加物理凹凸膜的方法等。特別是，在磁記錄媒體的基體為使用得最多的鋁合金的場(chǎng)合，上述處理采用機(jī)械研磨法。比如，有將表面粘接有研磨用顆粒的研磨砂帶按壓于旋轉(zhuǎn)的基體上，對(duì)設(shè)置在鋁合金表面上的(Ni-P)膜進(jìn)行研磨，形成呈同心圓形的輕微的痕跡的方法。上述方法還有使研磨用顆粒從砂帶上游離下來(lái)使用的情況。但是，由于上述“基體的表面粗糙度”一項(xiàng)中所描述的原因，人們希望提供一種即使在不進(jìn)行上述的紋理處理，或形成更加輕微的痕跡也可獲得符合指標(biāo)的各種膜特性的制作方法。復(fù)合電解研磨處理本發(fā)明的“復(fù)合電解研磨處理”例如可舉出下述的處理，即在形成磁性膜等時(shí)使用的真空室的內(nèi)壁上設(shè)置以氧化鉻作為生成物的氧化鈍態(tài)膜。在此場(chǎng)合，作為構(gòu)成真空室內(nèi)壁的材料，例如以SU316L等為佳。由于上述處理可降低真空室內(nèi)壁產(chǎn)生的O2、H2O的排放量，這樣可進(jìn)一步減少進(jìn)入所制作的薄膜中的氧量。在本發(fā)明所采用的阿乃魯巴公司(ァネルバ)生產(chǎn)的磁控管濺射裝置(型號(hào)為ILC3013負(fù)載鎖緊式靜止對(duì)置型)中，所有的真空室(進(jìn)料/出料室、成膜室、清潔室)的內(nèi)壁均進(jìn)行上述的處理。附圖的簡(jiǎn)要說(shuō)明圖1是說(shuō)明本發(fā)明的磁記錄媒體的示意圖；圖2是沿疊層薄膜截面方向?qū)τ嘘P(guān)實(shí)施例1的條件3的磁記錄媒體進(jìn)行組成分析的結(jié)果；圖3是圖2中的α層和β層相互疊置處附近的放大圖；圖4是沿疊層薄膜截面方向?qū)τ嘘P(guān)實(shí)施例1的條件2的磁記錄媒體進(jìn)行組成分析的結(jié)果；圖5是沿疊層薄膜截面方向?qū)τ嘘P(guān)實(shí)施例1的條件1的磁記錄媒體進(jìn)行組成分析的結(jié)果；圖6是圖3所示的α層中的Ni(2p3/2)和P(2p)衍射強(qiáng)度的測(cè)定結(jié)果的曲線圖；圖7是圖3所示的β層中的C(ls)衍射強(qiáng)度的測(cè)定結(jié)果的曲線圖；圖8是用薄膜X射線衍射法對(duì)有關(guān)實(shí)施例1的條件1～條件4的磁記錄媒體進(jìn)行分析的結(jié)果；圖9是實(shí)施例2的α層的膜厚度tα和β層的膜厚度tβ之和，即(tα+tβ)與已制成媒體的矯頑力之間的關(guān)系曲線圖；圖10是實(shí)施例3的α層的膜厚度tα和β層的膜厚度tβ之比，即(tα/tβ)與已制成媒體的矯頑力之間的關(guān)系曲線圖；圖11是說(shuō)明已有的磁記錄媒體的示意圖。符號(hào)的說(shuō)明1基體2Al基板3非磁性(Ni-P)層4Cr襯層5強(qiáng)磁性金屬層6保護(hù)層11Si基片12α層13β層14Cr襯層15強(qiáng)磁性層實(shí)施本發(fā)明的最佳方式下面通過(guò)實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更具體的說(shuō)明，但是本發(fā)明并不限于這些實(shí)施例。實(shí)施例1本實(shí)施例表示下述的效果，該效果指在基體和金屬襯層之間，設(shè)有α層和β層所產(chǎn)生的效果，上述α層至少由含有鎳(Ni)和磷(P)的金屬及氧化物形成，上述β層至少含有酯基。為了確認(rèn)上述效果，對(duì)下述場(chǎng)合進(jìn)行分析，該場(chǎng)合包括基體采用Si基板(表面粗糙度Ra＝0.5nm)，而在基體和金屬襯層之間，與已有的媒體相同什么也不設(shè)置的場(chǎng)合(條件1)，僅僅設(shè)置α層的場(chǎng)合(條件2)，設(shè)置α層和β層這兩個(gè)層的場(chǎng)合(條件3)。另外，還對(duì)下述場(chǎng)合(條件4)進(jìn)行分析，該場(chǎng)合指僅僅在條件3中，采用表面粗糙度較大的Si基板(Ra＝15nm)。但是，用于形成α層和β層的成膜室所達(dá)到的真空度為10-9乇，α層的膜厚度為3nm，β層的膜厚度為5nm。正如后面將要描述的那樣，形成金屬襯層和強(qiáng)磁性金屬層的條件完全保持不變。圖1是作為對(duì)應(yīng)于上述條件3的磁記錄媒體的一個(gè)實(shí)施例的硬磁盤(pán)的示意圖。在該圖1中，圖1(a)為磁記錄媒體的整體斜視圖，圖1(b)為沿圖1(a)中A-A’線的局部剖面圖。基體11采用其表面經(jīng)過(guò)紋理處理的Si基板。而且，在該基體11上疊置α層12、β層13、Cr襯層14及強(qiáng)磁性金屬層15。另外，在本實(shí)施例中，之所以未在強(qiáng)磁性金屬層15上設(shè)置保護(hù)層，是因?yàn)椴粫?huì)對(duì)上述效果造成任何的影響。下面對(duì)圖1所示條件3的磁記錄媒體的制作方法進(jìn)行描述。條件1的場(chǎng)合指不形成α層和β層，而進(jìn)行下述工序的場(chǎng)合，而條件2的場(chǎng)合指不形成β層，而進(jìn)行下述工序的場(chǎng)合。另外，條件4與條件3的不同之處僅僅在于采用具有較大表面粗糙度的基體。首先，對(duì)在基體表面上形成α層和β層的第1工序進(jìn)行說(shuō)明。但是本工序結(jié)束后的基體通過(guò)其真空度為10-9乇的過(guò)渡(buffer)室，而移動(dòng)到后面將要描述的第2工序的第3成膜室中(形成金屬襯層)。本實(shí)施例的第1工序采用的成膜裝置由真空室(進(jìn)料/出料室)(兼清潔室)、第1成膜室(形成α層)及第2成膜室(形成β層)這3個(gè)室構(gòu)成，這些室的內(nèi)壁均進(jìn)行復(fù)合電解研磨處理。表1列出了形成本實(shí)施例中的α層和β層時(shí)的成膜條件。表1<下面對(duì)本實(shí)施例中的α層和β層的制作方法按照順序進(jìn)行說(shuō)明。下面加括號(hào)的序號(hào)表示上述方法的順序。(1)基體采用下述圓盤(pán)形的Si基片，其內(nèi)/外徑為25mm/89mm，厚度為1.27mm。在Si基片表面上用機(jī)械方法加工出同心圓形的輕微紋理，沿圓盤(pán)半徑方向掃描時(shí)的基體的表面粗糙度Ra＝0.5nm。(2)在后面將要描述的成膜之前，通過(guò)機(jī)械和化學(xué)方法對(duì)上述基體進(jìn)行清洗處理，并通過(guò)熱風(fēng)等進(jìn)行干燥處理。(3)將經(jīng)過(guò)上述干燥處理的基體設(shè)置于基體支架上，該支架設(shè)置于濺射裝置中的進(jìn)料室中，由鋁形成。通過(guò)真空排氣裝置對(duì)進(jìn)料室內(nèi)部抽真空，待真空度達(dá)到3×10-9乇后，采用紅外線燈對(duì)基體進(jìn)行250℃、5分鐘的加熱處理。(4)將上述基體支架從進(jìn)料室移動(dòng)到用于制作α層的第1成膜室。用紅外線燈對(duì)移動(dòng)后的基體加熱，使其溫度保持在100℃。但是，預(yù)先對(duì)第1成膜室抽真空，使其真空度達(dá)到3×10-9乇。另外，在上述基體支架移動(dòng)后，將位于進(jìn)料室和第1成膜室之間的門(mén)式閥關(guān)閉。所使用的Ni3P靶中的雜質(zhì)濃度為1ppm。(5)將Ar氣體和O2氣體構(gòu)成的混合氣體注入第1成膜室中，使第1成膜室中的氣體壓力為2毫乇。所使用的Ar氣體中含有的雜質(zhì)濃度一直保持在10ppb，O2氣體中含有的雜質(zhì)濃度一直保持在1ppm。(6)從直流電源向Ni3P靶施加電壓，其功率為200W，產(chǎn)生等離子體。其結(jié)果是，使Ni3P靶飛濺，在位于與靶相平行的相對(duì)位置的基體表面上形成膜厚度為3nm的α層。(7)在形成α層后，從第1成膜室將上述基體支架移動(dòng)到用于制作β層的第2成膜室中。在移動(dòng)之后，也用紅外線燈對(duì)基體加熱，使其溫度保持在100℃。但是，預(yù)先對(duì)第2成膜室抽真空，使其真空度達(dá)到3×10-9乇。另外，在上述基體支架移動(dòng)后，將位于第1成膜室和第2成膜室之間的門(mén)式閥關(guān)閉。(8)通過(guò)設(shè)置于基體附近的噴嘴，向基體表面噴射經(jīng)過(guò)單獨(dú)加熱處理而氣化的脂肪族酯(C12～C16)，從而形成膜厚度為5nm的β層。上述膜厚度通過(guò)基體暴露于上述氣體中的時(shí)間控制。(9)在形成β層后，將上述基體支架從第2成膜室移到連接第1工序和第2工序的過(guò)渡室中。用紅外線燈對(duì)移動(dòng)后的基體加熱，使其溫度保持在250℃。但是，預(yù)先對(duì)過(guò)渡室抽真空，使其真空度達(dá)到3×10-9乇。另外，在上述基體支架移動(dòng)后，將位于第2成膜室和過(guò)渡室之間的門(mén)式閥關(guān)閉。下面對(duì)在第1工序終了后的基體表面上形成金屬襯層、強(qiáng)磁性金屬層及保護(hù)層的第2工序進(jìn)行描述。本實(shí)施例中的第2工序使用的成膜裝置為阿乃魯巴(ァネルバ)公司制造的磁控管濺射裝置(其型號(hào)為ILC3013負(fù)載鎖緊式靜止對(duì)置型)，對(duì)所有真空室(過(guò)渡室，第3成膜室(形成金屬襯層)，第4成膜室(形成強(qiáng)磁性金屬層))的內(nèi)壁均進(jìn)行復(fù)合電解研磨處理。表2列出了制作本實(shí)施例中的第2工序中的各層時(shí)的成膜條件。表2</tables>下面對(duì)本實(shí)施例中的第2工序的制作方法按照順序進(jìn)行說(shuō)明。下面加括號(hào)的序號(hào)表示該方法的順序。(10)將上述基體支架從過(guò)渡室移到用于制作Cr膜的第3成膜室中。在移動(dòng)之后，也用紅外線燈對(duì)基體進(jìn)行加熱，使其溫度保持在250℃。但是，預(yù)先對(duì)第3成膜室抽真空，使其真空度達(dá)到3×10-9乇。另外，在上述基體支架移動(dòng)后，將位于過(guò)渡室和第3成膜室之間的門(mén)式閥關(guān)閉。所采用的Cr靶中的雜質(zhì)濃度為120ppm。(14)將Ar氣體注入到第3成膜室內(nèi)，使第3成膜室中的氣體壓力為2毫乇。所用的Ar氣體中含有的雜質(zhì)濃度一直保持在10ppb。(15)從直流電源對(duì)Cr靶施加電壓，其功率為200W，產(chǎn)生等離子體。其結(jié)果時(shí)，Cr靶飛濺，在位于與靶相平行的相對(duì)位置上的基體表面上形成膜厚度為50nm的Cr層。(16)在形成Cr層后，將上述基體支架從第3成膜室移到用于制作CoNiCr膜的第4成膜室中。同樣在移動(dòng)之后，用紅外線燈對(duì)基體進(jìn)行加熱，使其溫度保持在250℃。但是，預(yù)先對(duì)第4成膜室抽真空，使其真空度達(dá)到3×10-9乇。另外，在上述基體支架移動(dòng)后，將位于第3成膜室和第4成膜室之間的門(mén)式閥關(guān)閉。所用的靶的成分為Co62.5％(at)、Ni30％(at)、Cr7.5％(at)，靶中的雜質(zhì)濃度為20ppm。(17)將Ar氣體注入第4成膜室中，使第4成膜室中的氣體壓力為2毫乇。所采用的Ar氣體中含有的雜質(zhì)濃度一直保持在10ppb。(18)從直流電源向CoNiCr靶施加電壓，其功率為200W，產(chǎn)生等離子體。其結(jié)果是，CoNiCr靶飛濺，在位于與靶相平行的相對(duì)位置上的帶有Cr層的基體表面上形成膜厚度為40nm的CoNiCr層。(19)在形成CoNiCr層后，將上述基體支架從第4成膜室移到出料室中。之后，將N2氣體注入出料室內(nèi)，待達(dá)到大氣壓后，取出基體。通過(guò)上述(1)～(19)的工序，便可制成磁記錄媒體，其疊層結(jié)構(gòu)為Si基片/α層/β層/Cr金屬襯層/CoNiCr強(qiáng)磁性金屬層。另外，靶采用可盡可能抑制雜質(zhì)的材料。形成Cr用的靶中的雜質(zhì)為Fe88、Si34、Al10、C60、O120、N60、H1.1(ppm(重量))。此外，形成強(qiáng)磁性金屬層用的靶的成分為Ni29.2％(at)、Cr7.3％(at)，其余為Co，雜質(zhì)為Fe27、Si＜10、Al＜10、C30、O20、N＞10(ppm(重量))。圖2～圖5表示對(duì)磁記錄媒體的組成成分沿疊層薄膜截面方向，以15秒的間隔進(jìn)行Ar+蝕刻(0.5kV-10mA)后，使用角度分解X射線光電子分光光度計(jì)(ARXPSAngleResolvedX-rayPhotoSpectroscopy)進(jìn)行分析的結(jié)果。圖2和圖3是引入α層和β層的條件3的磁記錄媒體。圖3是圖2中的α層和β層相互疊置處附近的放大圖。圖4是僅僅引入α層的條件2的磁記錄媒體。圖5是與已有的媒體相同，不設(shè)置α層和β層的條件1的磁記錄媒體。從圖2和圖3可以很容易確認(rèn)下述的狀態(tài)，該狀態(tài)指在條件3的場(chǎng)合，在Si基體表面上形成α層的狀態(tài)，以及在α層表面上按順序疊置β層后，又在其上形成Cr層和Co合金層的狀態(tài)。另外，在條件2(圖4)的場(chǎng)合，確認(rèn)在Si基體表面上通過(guò)α層，按順序疊置Cr層和Co合金層的狀態(tài)。與上述情況相對(duì)，在條件4的場(chǎng)合(基體的表面粗糙度較大的場(chǎng)合)，按照觀測(cè)部位觀測(cè)對(duì)應(yīng)于圖3或圖4的兩種類(lèi)型的截面輪廓。圖6表示圖3所示的α層中的Ni(2p3/2)和P(2p)的衍射強(qiáng)度的測(cè)定結(jié)果，圖7表示圖3所示的β層中的C(1s)的衍射強(qiáng)度的測(cè)定結(jié)果。從圖6可知，α層至少由鎳(Ni)和磷(P)的金屬及氧化物構(gòu)成。另外，從圖7可知，β層至少具有酯基(-C(＝O)-O-)。表3列出了對(duì)應(yīng)于上述條件1～4的磁記錄媒體的矯頑力的測(cè)定結(jié)果。在每一種條件下，從圓盤(pán)基體上取下10個(gè)試樣，分別調(diào)查每個(gè)試樣的偏差。表3</tables>從表3可知，在條件3和條件4的場(chǎng)合，與條件1和條件2相比較，可獲得較高的矯頑力。從上述試驗(yàn)結(jié)果可作出下述判斷，即由于在基體和金屬襯層之間設(shè)置有α層和β層，該α層至少由鎳(Ni)和磷(P)的金屬及氧化物構(gòu)成，上述β層至少具有酯基，這樣矯頑力增加。另外可知道，在基體上，α層和β層明顯分開(kāi)，沒(méi)有進(jìn)行面內(nèi)分布進(jìn)行制作的條件3的矯頑力值大于有面內(nèi)分布的條件4的矯頑力值，并且其偏差較小。根據(jù)上述試驗(yàn)結(jié)果可作出下述判斷，在沒(méi)有面內(nèi)分布的狀態(tài)，即在磁記錄媒體的疊層結(jié)構(gòu)為基體/α層/β層/金屬襯層/強(qiáng)磁性金屬層的場(chǎng)合，由于可進(jìn)行穩(wěn)定的沿其平面方向的磁記錄，故其效果更好。圖8表示采用薄膜X射線衍射法對(duì)條件1～條件4的磁記錄媒體進(jìn)行分析的結(jié)果。圖8(a)表示條件1的場(chǎng)合，圖8(b)表示條件2的場(chǎng)合，圖8(c)表示條件4的場(chǎng)合，圖8(d)表示條件3的場(chǎng)合。在條件1(無(wú)α層和β層)的場(chǎng)合，金屬襯層和強(qiáng)磁性金屬層的結(jié)晶取向?yàn)镃r(110)和CoNiCr(101)。而在條件2(僅僅有α層)的場(chǎng)合，上述結(jié)晶取向變?yōu)镃r(200)和CoNiCr(110)。與上述場(chǎng)合相對(duì)，在條件4(同時(shí)具有α層和β層，并且基體的表面粗糙度較大)的場(chǎng)合，雖然晶體取向與條件2的基本相同，但是其衍射峰強(qiáng)度較小。另外，在條件3(具有α層和β層，并且基體表面粗糙度較小)的場(chǎng)合，同時(shí)觀測(cè)到比相當(dāng)于條件2的條件4弱的衍射峰，以及相當(dāng)于條件1的弱的衍射峰。從條件3和條件4的結(jié)果可看出，在于基體和金屬襯層之間設(shè)置α層和β層的場(chǎng)合，強(qiáng)磁性金屬層的結(jié)晶有發(fā)生無(wú)規(guī)則取向的傾向?；w表面粗糙度越小，上述趨向越強(qiáng)。而且，可確認(rèn)在設(shè)置α層和β層，成為非面內(nèi)分布狀態(tài)時(shí)，這種傾向最大，沿所在平面方向的矯頑力也為最大值。在本實(shí)施例中，形成α層、β層、金屬襯層及強(qiáng)磁性金屬層的成膜室所達(dá)到的真空度均為10-9乇。按照下面方式單獨(dú)確認(rèn)下述的效果，該效果指在形成已有的磁記錄媒體的成膜室所達(dá)到的真空度(10-7乇)條件下，設(shè)置α層和β層。(a)在僅僅用于形成α層和β層的成膜室所達(dá)到的真空度為10-7乇的場(chǎng)合，每層的含氧量增加，在其上所形成的Cr層和CoNiCr膜的結(jié)晶取向與條件1中的相同，即Cr(110)和CoNiCr(101)。其結(jié)果是，矯頑力的最大值大大小于1300Oe。(b)在僅僅用于形成金屬襯層和強(qiáng)磁性金屬層的成膜室所達(dá)到的真空度為10-7乇的場(chǎng)合，每層的含氧量超過(guò)100ppm。此場(chǎng)合下的Cr層和CoNiCr膜的結(jié)晶取向與條件2中的相同，即Cr(200)和CoNiCr(110)，矯頑力的最大值小于1500Oe。(c)在用于形成α層、β層、金屬襯層及強(qiáng)磁性金屬層的成膜室所達(dá)到的真空度均為10-8乇的場(chǎng)合，Cr層和CoNiCr膜的結(jié)晶取向與條件4中的接近。即，觀測(cè)到較弱的Cr(200)和較弱的CoNiCr(110)。此場(chǎng)合下的矯頑力為1800Oe。從上述(a)～(c)的試驗(yàn)結(jié)果可知，所達(dá)到的真空度越低，設(shè)置α層和β層所產(chǎn)生的效果越好。另外，按照本發(fā)明，為了形成具有酯基的β層，原料氣體采用的是使間苯二甲酸氣化得到的產(chǎn)物。但是，對(duì)于原料氣體，只要構(gòu)成β層的有機(jī)分子為酯基，其可為任意的材料。但是，如果不能耐形成金屬襯層和強(qiáng)磁性金屬層時(shí)的加熱處理，則不能保持薄膜形狀。因此，具有酯基的β層必須由有機(jī)分子形成，該有機(jī)分子具有高于形成上述金屬襯層或上述強(qiáng)磁性金屬層時(shí)的基體溫度的熔點(diǎn)。另外可知道，形成上述金屬襯層或/和上述強(qiáng)磁性金屬層時(shí)的上述基體溫度低于形成上述β層的有機(jī)分子的熔點(diǎn)是很重要的。此外，按照本發(fā)明，雖然基體采用的是Si基片，但是已另外確認(rèn)，如果設(shè)置α層和β層，則認(rèn)為它與基板的材質(zhì)無(wú)關(guān)。但是，由于基體表面粗糙度較小時(shí)，設(shè)置α層和β層所產(chǎn)生的效果達(dá)到最好，故最好采用表面平坦度較好的基體。該基體的具體實(shí)例可為鋁、鈦及其合金，玻璃，碳，陶瓷，塑料，樹(shù)脂及其復(fù)合物，以及在這些材料表面通過(guò)濺射法，蒸鍍法，電鍍法等敷設(shè)不同類(lèi)型材料的非磁性膜而進(jìn)行表面涂敷處理。實(shí)施例2本實(shí)施例與實(shí)施例1不同點(diǎn)在于改變了α層的膜厚度tα和β層的膜厚度tβ之和，即(tα+tβ)。對(duì)(tα+tβ)在0～25nm的范圍的場(chǎng)合進(jìn)行了研究。此時(shí)，α層的膜厚度tα與β層的膜厚度tβ之比，固定為(tα/tβ)＝3/5。其它的方面與實(shí)施例1中的條件3相同。圖9是本實(shí)施例的磁記錄媒體的矯頑力的測(cè)定結(jié)果。從圖9可知，當(dāng)(tα+tβ)在3nm以上、12nm以下時(shí)，可穩(wěn)定地形成具有大于2000Oe矯頑力的磁記錄媒體，其數(shù)值比已有的媒體(沒(méi)有α層和β層的場(chǎng)合，即橫坐標(biāo)為0的場(chǎng)合)高出25％以上。實(shí)施例3本實(shí)施例與實(shí)施例1的不同點(diǎn)在于改變了α層的膜厚度tα和β層的膜厚度tβ之比，即(tα/tβ)。對(duì)(tα/tβ)為0～2的范圍的場(chǎng)合進(jìn)行了研究。此時(shí)，α層的膜厚度tα和β層的膜厚度tβ之和，固定為(tα+tβ)＝8nm。其它的方面與實(shí)施例1中的條件1相同。圖10是本實(shí)施例的磁記錄媒體的矯頑磁力的測(cè)定結(jié)果。從圖10可知，當(dāng)(tα/tβ)大于0、而小于1時(shí)，可穩(wěn)定地形成具有大于2000Oe矯頑力的磁記錄媒體，其數(shù)值比沒(méi)有α層和β層的場(chǎng)合(橫坐標(biāo)在0的位置)高出25％以上。實(shí)施例4本實(shí)施例表示不通過(guò)金屬襯層，而在基體和強(qiáng)磁性金屬層之間設(shè)置α層和β層所產(chǎn)生的效果，該α層至少由鎳(Ni)和磷(P)的金屬及氧化物構(gòu)成，上述β層至少具有酯基。強(qiáng)磁性金屬層采用Co85Cr15(at％)。為了確認(rèn)上述效果，基體采用Si基片(表面粗糙度Ra＝0.5nm)，對(duì)下述場(chǎng)合進(jìn)行研究，該場(chǎng)合包括在基體和強(qiáng)磁性金屬層之間，與已有的媒體相同不設(shè)置任何層的場(chǎng)合(條件5)，僅僅設(shè)置α層的場(chǎng)合(條件6)，設(shè)置α層和β層的場(chǎng)合(條件7)。另外，還研究了下述場(chǎng)合(條件8)，在該場(chǎng)合中，使用僅條件7的表面粗糙度較大的Si基片(Ra＝15nm)。但是，在用于形成α層和β層的成膜室所達(dá)到的真空度為10-9乇的條件下，α層的膜厚度設(shè)定為3nm，β層的膜厚度設(shè)定為5nm。其它的方面與實(shí)施例1相同。表4表示對(duì)沿與磁記錄媒體表面相垂直的方向的矯頑力的研究結(jié)果。在每種條件下，從圓盤(pán)狀基體上取下10個(gè)試樣，分別對(duì)每個(gè)試樣的偏差進(jìn)行研究。表4<tablesid="table5"num="005"><tablewidth="488">條件矯頑力(Oe)56781600～16501700～21002400～26002050～2300</table></tables>與實(shí)施例1相同，采用角度分解X射線光電子分光光度計(jì)(XPSX-rayPhotoSpectroscopy)，沿層疊薄膜的截面方向?qū)l件5～8的磁記錄媒體的組成進(jìn)行分析，其判斷結(jié)果如下。(1)條件6的場(chǎng)合已確認(rèn)在Si基體表面上通過(guò)α層按順序?qū)盈BCr層和Co合金層的狀態(tài)。(2)條件7的場(chǎng)合能清楚確認(rèn)在Si基體表面上層疊α層，在該α層上層疊β層，再在其上形成Cr層和Co合金層的狀態(tài)。(3)在條件8的場(chǎng)合(基體表面粗糙度較大的場(chǎng)合)，根據(jù)觀測(cè)部位觀測(cè)到相當(dāng)于條件6和條件7的兩種截面輪廓。另外，對(duì)條件7的α層進(jìn)行Ni(2p3/2)和P(2p)的衍射強(qiáng)度研究的結(jié)果，觀測(cè)到來(lái)源于鎳(Ni)和磷(P)的金屬及氧化物的峰。對(duì)條件7的β層進(jìn)行C(1s)衍射強(qiáng)度研究的結(jié)果，觀測(cè)到來(lái)源于酯基(-C(＝O)-O-)的峰。從表4可知，與條件5和條件6相比較，條件7和條件8的場(chǎng)合可獲得高的矯頑力。根據(jù)上述試驗(yàn)結(jié)果可得出下述結(jié)論，由于在基體和強(qiáng)磁性金屬層之間設(shè)置有α層和β層，而使矯頑力增加，該α層至少由鎳(Ni)和磷(P)的金屬及氧化物構(gòu)成，上述層至少具有酯基。此外可知，在上述基體上，α層和β層明顯分開(kāi)，沒(méi)有進(jìn)行面內(nèi)分布進(jìn)行制作的條件7的矯頑力高于有面內(nèi)分布的條件8的矯頑力值，并且其偏差也較小。從上述試驗(yàn)結(jié)果可得出下述結(jié)論，沒(méi)有面內(nèi)分布的狀態(tài)，即在磁記錄媒體的層結(jié)構(gòu)為基體/α層/β層/強(qiáng)磁性金屬層的場(chǎng)合，因?yàn)榭蛇M(jìn)行穩(wěn)定的垂直磁記錄，所以這樣該狀態(tài)的效果更好。工業(yè)實(shí)用性本發(fā)明提供了一種下述的磁記錄媒體，在該磁記錄媒體中由于設(shè)置有α層和β層，從而可不依賴于基體材質(zhì)，就能穩(wěn)定地獲得高的矯頑力。另外本發(fā)明提供了一種制造方法，該方法通過(guò)穩(wěn)定地形成α層和β層，從而可以很容易地形成具有高矯頑力的強(qiáng)磁性金屬層的磁記錄媒體。權(quán)利要求1.一種磁記錄媒體，它是在其基體表面上通過(guò)至少由Cr形成的金屬襯層，設(shè)置由Co合金構(gòu)成的強(qiáng)磁性金屬層，而且上述金屬襯層或/和上述強(qiáng)磁性金屬層的氧濃度在100ppm(重量)以下，利用磁通反轉(zhuǎn)的磁記錄媒體，其特征在于，在上述基體和金屬襯層之間設(shè)置有α層和β層，該α層至少由鎳(Ni)和磷(P)的金屬及氧化物構(gòu)成，上述β層至少具有酯基。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄媒體，其特征在于，該磁記錄媒體的層結(jié)構(gòu)是基體/α層/β層/金屬襯層/強(qiáng)磁性金屬層。3.一種磁記錄媒體，它是在其基體表面上設(shè)置至少由Co合金構(gòu)成的強(qiáng)磁性金屬層，而且該強(qiáng)磁性金屬層的氧濃度在100ppm(重量)以下的磁記錄媒體，其特征在于，在上述基體和上述金屬襯層之間設(shè)置α層和β層，該α層至少由鎳(Ni)和磷(P)的金屬及氧化物構(gòu)成，上述β層至少具有酯基。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁記錄媒體，其特征在于，該磁記錄媒體的層結(jié)構(gòu)是基體/α層/β層/強(qiáng)磁性金屬層。5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任何一項(xiàng)所述的磁記錄媒體，其特征在于，上述α層的膜厚度tα和β層的膜厚度tβ之和滿足3nm≤(tα+tβ)≤12nm。6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任何一項(xiàng)所述的磁記錄媒體，其特征在于，上述α層的膜厚度tα和β層的膜厚度tβ之比滿足0＜(tα/tβ)≤1。7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任何一項(xiàng)所述的磁記錄媒體，其特征在于，具有酯基的β層是下述的有機(jī)分子，該有機(jī)分子的熔點(diǎn)高于形成上述金屬襯層和強(qiáng)磁性金屬層時(shí)的基體溫度。8.一種根據(jù)權(quán)利要求1～7中任何一項(xiàng)所述的磁記錄媒體的制造方法，其特征在于，用于形成上述α層、β層、金屬襯層及強(qiáng)磁性金屬層的成膜室所達(dá)到的真空度是10-9乇以下。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，形成上述金屬襯層或/和強(qiáng)磁性金屬層時(shí)的基體溫度低于形成上述β層的有機(jī)分子的熔點(diǎn)。全文摘要本發(fā)明的目的在于提供一種磁記錄媒體及其制造方法,在該磁記錄媒體中由于設(shè)置α層和β層,從而不依賴于基體材質(zhì),可獲得高的矯頑力。本發(fā)明的磁記錄媒體為下述的磁通反轉(zhuǎn)型磁記錄媒體,在其基體表面上通過(guò)或不通過(guò)至少由Cr構(gòu)成的金屬襯層,設(shè)置由Co合金構(gòu)成的強(qiáng)磁性金屬層,而且,上述金屬襯層或/和上述強(qiáng)磁性金屬層的氧濃度是100ppm(重量)以下,其特征在于,在上述基體與金屬襯層或強(qiáng)磁性金屬層之間設(shè)置α層和β層,該α層至少由鎳(Ni)和磷(P)的金屬及氧化物構(gòu)成,上述β層至少具有酯基。另外,本發(fā)明的磁記錄媒體的制造方法的特征在于,用于形成上述α層、β層、金屬襯層及強(qiáng)磁性金屬層的成膜室所達(dá)到的真空度是10文檔編號(hào)G11B5/85GK1178026SQ95197758公開(kāi)日1998年4月1日申請(qǐng)日期1995年3月8日優(yōu)先權(quán)日1995年3月8日發(fā)明者高橋研申請(qǐng)人:高橋研