本技術(shù)屬于服務(wù)器，具體涉及一種存儲器的適配能力測試裝置。

背景技術(shù)：

1、存儲器根據(jù)斷電后是否保留存儲的信息可分為易失性存儲器和非易失性存儲器，其中只讀存儲器（rom）是主要的非易失性存儲器，其特點是一旦在其體內(nèi)存儲了資料就無法再被改寫或刪除，但其存儲過的內(nèi)容也不會因為電源關(guān)閉而丟失。

2、作為一種電可擦除可編程只讀存儲器，flash存儲器不但能進行擦除和編程操作，具有非易失性的同時還可以快速讀取數(shù)據(jù)。目前占據(jù)主流市場的flash存儲器分為norflash和nand?flash，nor?flash的讀取速度較快，常用于存儲系統(tǒng)固件、引導(dǎo)程序和操作系統(tǒng)，nand?flash的寫入速度較快，常用于存儲大量數(shù)據(jù)，如圖像、音頻和視頻文件。

3、在服務(wù)器領(lǐng)域，nor?flash通常用于存儲主控芯片的啟動代碼，初始化相關(guān)的硬件配置，實現(xiàn)相應(yīng)的功能邏輯，因此，主控芯片需要與nor?flash進行適配，方可正常使用。通常，芯片廠商會在avl清單中列出芯片所適配的flash型號，然而實際使用過程中，avl清單中的nor?flash可能存在eol或是交期跳票的情況，這時需要我們自行對主控芯片的norflash進行適配。面對不同封裝、不同廠商的各種nor?flash，通常采用飛線的方式，將主控板的spi總線連接到待適配nor?flash上，若適配失敗需要重新飛線，費時費力，效果不理想，而且需要在板卡上進行多處飛線操作，操作不當(dāng)容易造成板卡短路，燒壞板卡。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、針對現(xiàn)有技術(shù)的上述不足，本實用新型提供一種存儲器的適配能力測試裝置，以解決上述技術(shù)問題。

2、本實用新型提供一種存儲器的適配能力測試裝置，包括：

3、存儲器插槽，所述存儲器插槽用于搭載待測存儲器；所述存儲器插槽搭載的待測存儲器通過二選一開關(guān)芯片分別連接主控芯片和bmc，所述bmc連接所述二選一開關(guān)芯片的控制端口；所述主控芯片的io接口連接bmc；所述bmc通過i2c線路連接復(fù)雜可編程邏輯器件；所述存儲器插槽連接供電電源，且所述存儲器插槽與供電電源之間串聯(lián)有供電開關(guān)。

4、在一個可選的實施方式中，包括多個存儲器插槽，多個所述存儲器插槽搭載多個存儲器，多個所述存儲器的spi總線端口均連接二選一開關(guān)芯片的輸出端，二選一開關(guān)芯片的一個輸入端連接主控芯片的spi接口，二選一開關(guān)芯片的另一個輸入端連接bmc的spi接口。

5、在一個可選的實施方式中，bmc通過同步串行信號線連接二選一開關(guān)芯片的第一輸入端，主控芯片通過同步串行信號線連接二選一開關(guān)芯片的第二輸入端，二選一開關(guān)芯片的輸出端通過同步串行信號線連接多個存儲器插槽。

6、在一個可選的實施方式中，所述存儲器插槽通過第一線路連接第一供電電源，所述存儲器插槽通過第二線路連接第二供電電源，第一線路上串聯(lián)有第一插針開關(guān)，第二線路上串聯(lián)有第二插針開關(guān)。

7、在一個可選的實施方式中，所述第一供電電源為3.3v電源，所述第二供電電源為1.8v電源。

8、在一個可選的實施方式中，所述bmc通過i2c線路連接輔助芯片，所述輔助芯片的io引腳連接存儲器插槽的電源接口。

9、在一個可選的實施方式中，所述輔助芯片電連接led燈。

10、在一個可選的實施方式中，所述輔助芯片采用ca9555芯片。

11、在一個可選的實施方式中，所述bmc通過三個io引腳連接目標選擇芯片。

12、在一個可選的實施方式中，二選一開關(guān)芯片的多條與待測存儲器相連接的輸出端支路上，均設(shè)有開關(guān)芯片；所述目標選擇芯片的多個引腳分別連接對應(yīng)的開關(guān)芯片的控制端

13、本實用新型的有益效果在于，本實用新型提供的存儲器的適配能力測試裝置，通過構(gòu)建bmc、主控芯片、目標選擇芯片和待測存儲器之間的連接拓撲，針對flash芯片擦寫失敗導(dǎo)致與主控芯片適配失敗的情況加以區(qū)分，排除此種情況下flash型號與主控芯片不適配的結(jié)果，提高了檢測的可靠性。

14、此外，本實用新型設(shè)計原理可靠，結(jié)構(gòu)簡單，具有非常廣泛的應(yīng)用前景。

技術(shù)特征：

1.一種存儲器的適配能力測試裝置，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器的適配能力測試裝置，其特征在于，包括多個存儲器插槽，多個所述存儲器插槽搭載多個存儲器，多個所述存儲器的spi總線端口均連接二選一開關(guān)芯片的輸出端，二選一開關(guān)芯片的一個輸入端連接主控芯片的spi接口，二選一開關(guān)芯片的另一個輸入端連接bmc的spi接口。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器的適配能力測試裝置，其特征在于，bmc通過同步串行信號線連接二選一開關(guān)芯片的第一輸入端，主控芯片通過同步串行信號線連接二選一開關(guān)芯片的第二輸入端，二選一開關(guān)芯片的輸出端通過同步串行信號線連接多個存儲器插槽。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器的適配能力測試裝置，其特征在于，所述存儲器插槽通過第一線路連接第一供電電源，所述存儲器插槽通過第二線路連接第二供電電源，第一線路上串聯(lián)有第一插針開關(guān)，第二線路上串聯(lián)有第二插針開關(guān)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲器的適配能力測試裝置，其特征在于，所述第一供電電源為3.3v電源，所述第二供電電源為1.8v電源。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器的適配能力測試裝置，其特征在于，所述bmc通過i2c線路連接輔助芯片，所述輔助芯片的io引腳連接存儲器插槽的電源接口。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲器的適配能力測試裝置，其特征在于，所述輔助芯片電連接led燈。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲器的適配能力測試裝置，其特征在于，所述輔助芯片采用ca9555芯片。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器的適配能力測試裝置，其特征在于，所述bmc通過三個io引腳連接目標選擇芯片。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器的適配能力測試裝置，其特征在于，二選一開關(guān)芯片的多條與待測存儲器相連接的輸出端支路上，均設(shè)有開關(guān)芯片；所述目標選擇芯片的多個引腳分別連接對應(yīng)的開關(guān)芯片的控制端。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及服務(wù)器技術(shù)領(lǐng)域，具體提供一種存儲器的適配能力測試裝置，包括：存儲器插槽，所述存儲器插槽用于搭載待測存儲器；所述存儲器插槽搭載的待測存儲器通過二選一開關(guān)芯片分別連接主控芯片和BMC，所述BMC連接所述二選一開關(guān)芯片的控制端口；所述主控芯片的IO接口連接BMC；所述BMC通過I2C線路連接復(fù)雜可編程邏輯器件；所述存儲器插槽連接供電電源，且所述存儲器插槽與供電電源之間串聯(lián)有供電開關(guān)。本技術(shù)提高了存儲器適配能力檢測的可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：楊德浩
受保護的技術(shù)使用者：蘇州元腦智能科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240430
技術(shù)公布日：2024/12/19