一種熔絲架構(gòu)的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種熔絲架構(gòu)，其包括熔絲單元及與熔絲單元連接的電源與感應(yīng)電路，該熔絲單元設(shè)有能加載控制信號(hào)的字線與傳輸燒錄與讀取數(shù)據(jù)所需電流的位線，該熔絲單元通過(guò)該位線連接該電源與感應(yīng)電路。其中熔絲單元包括有一個(gè)開(kāi)關(guān)元件及連接該開(kāi)關(guān)元件一端的第一連接組件與連接該開(kāi)關(guān)元件另一端的第二連接組件，該第一連接組件另一端接地，該第二連接組件另一端為位線并連接該電源與感應(yīng)電路，所述字線連接開(kāi)關(guān)元件的控制端并控制開(kāi)關(guān)元件的導(dǎo)通與截止，借由第二連接組件的熔斷與感應(yīng)電路對(duì)位線電壓的偵測(cè)，可實(shí)現(xiàn)熔絲的燒錄與讀取的功能，本發(fā)明的熔絲架構(gòu)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，只需要一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管或可擴(kuò)充多個(gè)熔絲單元，同時(shí)燒錄電流小，并且有利于生產(chǎn)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種熔絲架構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明有關(guān)一種熔絲，特別是指一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、工藝簡(jiǎn)便、并可進(jìn)行任意擴(kuò)充的熔絲架構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]熔絲在芯片中的作用如同一個(gè)非揮發(fā)性內(nèi)存元件，芯片中需要記錄信息或記錄芯片狀態(tài)，可由熔絲提供這些功能，傳統(tǒng)的熔絲架構(gòu)有兩種，一種是多晶硅熔絲，另一種是電荷存儲(chǔ)型的熔絲結(jié)構(gòu)。
[0003]目前使用一種多晶硅熔絲，其為電子式熔線結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)借由多晶硅層上的硅化層形成，其以第一介電材料部分區(qū)隔電子式熔線與半導(dǎo)體基底，并以第二介電材料部分區(qū)隔電子式熔線與在熔線正上方的至少一個(gè)導(dǎo)體，多晶硅層具有至少約2000埃的厚度與不大于0.14微米的寬度。但這種熔絲結(jié)構(gòu)在布線時(shí)精度要求極高，尤其對(duì)于多晶硅的長(zhǎng)度、寬度及長(zhǎng)寬比例等都有嚴(yán)格要求，且生產(chǎn)效率低，同時(shí)多晶硅的形狀、尺寸會(huì)因不同生產(chǎn)商及不同工藝而不同。目前還有一種電荷存儲(chǔ)型的熔絲結(jié)構(gòu)，其可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器包含有兩個(gè)串接的P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中第一 P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(PMOS)作為選擇晶體管，其柵極連接至選擇柵極電位(VSG)，第一端點(diǎn)(源極)連接至源極線電位(VSL)。第二端點(diǎn)(漏極)則串接至第二 PMOS的第一端點(diǎn)，第二 PMOS的第二端點(diǎn)連接至位線電位(VBL)，第二PMOS的柵極作為浮置柵極。但這種熔絲細(xì)胞域較大，同樣容量造成芯片面積比較大。目前還有一種擊穿氧化層架構(gòu)的熔絲結(jié)構(gòu)，每一個(gè)內(nèi)存晶胞具有一建構(gòu)在一超薄介電層(例如一柵極氧化層)周?chē)臄?shù)據(jù)儲(chǔ)存元件，上述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存元件可用來(lái)存儲(chǔ)信息，其方法通過(guò)上述的超薄介電層施加應(yīng)力使其崩潰(軟崩潰或硬崩潰)以建立該內(nèi)存晶胞的漏電流電平，上述內(nèi)存晶胞是通過(guò)檢測(cè)該晶胞吸收的電流以進(jìn)行讀出。但這種熔絲結(jié)構(gòu)生產(chǎn)復(fù)雜，量率不好管控，同時(shí)需要光罩，生產(chǎn)效率低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、工藝簡(jiǎn)便、并可進(jìn)行任意擴(kuò)充的熔絲架構(gòu)。
[0005]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種熔絲架構(gòu)，其包括熔絲單元及與熔絲單元連接的電源與感應(yīng)電路，該熔絲單元設(shè)有能加載控制信號(hào)的字線與傳輸燒錄與讀取數(shù)據(jù)所需電流的位線，該熔絲單元通過(guò)該位線連接該電源與感應(yīng)電路。
[0006]所述熔絲單元包括有一個(gè)開(kāi)關(guān)元件及連接該開(kāi)關(guān)元件一端的第一連接組件與連接該開(kāi)關(guān)元件另一端的第二連接組件，該第一連接組件另一端接地，該第二連接組件另一端為位線并連接該電源與感應(yīng)電路，所述字線連接開(kāi)關(guān)元件的控制端并控制開(kāi)關(guān)元件的導(dǎo)通與截止。
[0007]用于連接所述開(kāi)關(guān)元件的第一連接組件的連接端子為兩個(gè)以上，所述第二連接組件的阻抗大于所述第一連接組件的阻抗。[0008]所述控制信號(hào)為高電平，所述開(kāi)關(guān)元件導(dǎo)通，所述電源提供燒錄電流并將與該開(kāi)關(guān)元件連接的第二連接組件的端點(diǎn)熔斷。
[0009]所述字線置為高電平，所述感應(yīng)電路對(duì)所述位線充電，當(dāng)所述第二連接組件被燒斷，所述位線上的電壓為高電位，當(dāng)所述第二連接組件沒(méi)有被燒斷，所述位線上的電壓為低電位，由所述感應(yīng)電路偵測(cè)所述位線上的電壓，判斷出熔絲單元的狀態(tài)。
[0010]所述開(kāi)關(guān)元件為場(chǎng)效應(yīng)管，該場(chǎng)效應(yīng)管的源極連接該第一連接組件，該場(chǎng)效應(yīng)管的漏極連接該第二連接組件，該場(chǎng)效應(yīng)管的柵極連接所述字線。
[0011]所述場(chǎng)效應(yīng)管的漏極的連接形式為:漏極、接觸層、第一金屬層依次連接，或漏極、接觸層、第一金屬層、第一導(dǎo)通段及第二金屬層依次連接，或漏極、接觸層、第一金屬層、第一導(dǎo)通段、第二金屬層、第二導(dǎo)通段及第三金屬層依次連接，或漏極、接觸層、第一金屬層、第一導(dǎo)通段、第二金屬層、第二導(dǎo)通段、第三金屬層、第三導(dǎo)通段及第四金屬層依次連接。
[0012]所述開(kāi)關(guān)元件為晶體管，該晶體管的基極連接所述字線，發(fā)射極連接所述第一連接組件，集電極連接所述第二連接組件。
[0013]本發(fā)明還提供一種熔絲架構(gòu)，其包括多個(gè)熔絲單元，該熔絲單元組成陣列結(jié)構(gòu)，每行熔絲單元共用一個(gè)能加載控制信號(hào)的字線，每列熔絲單元共用一個(gè)用于傳輸燒錄與讀取數(shù)據(jù)所需電流的位線，每一位線均連接電源與感應(yīng)電路。
[0014]每一所述熔絲單元包括有一個(gè)開(kāi)關(guān)元件及連接該開(kāi)關(guān)元件一端的第一連接組件與連接該開(kāi)關(guān)元件另一端的第二連接組件，該第一連接組件另一端接地，該第二連接組件另一端連接該熔絲單元所在列的位線，每一行所述字線連接該行開(kāi)關(guān)元件的控制端并控制該開(kāi)關(guān)元件的導(dǎo)通與截止。
[0015]用于連接所述開(kāi)關(guān)元件的第一連接組件的連接端子為兩個(gè)以上，所述第二連接組件的阻抗大于所述第一連接組件的阻抗。
[0016]所述控制信號(hào)為高電平，該控制信號(hào)所在行的開(kāi)關(guān)元件導(dǎo)通，該行開(kāi)關(guān)元件連接的所述電源提供燒錄電流并將與該行的開(kāi)關(guān)元件連接的第二連接組件的端點(diǎn)熔斷。
[0017]所述字線置為高電平，所述感應(yīng)電路對(duì)該字線所在行的所述位線充電，當(dāng)該行的所述第二連接組件被燒斷，該行的所述位線上的電壓為高電位，當(dāng)該行的所述第二連接組件沒(méi)有被燒斷，該行的所述位線上的電壓為低電位，由所述感應(yīng)電路偵測(cè)該行所述位線上的電壓，判斷出熔絲單元的狀態(tài)。
[0018]所述開(kāi)關(guān)元件為場(chǎng)效應(yīng)管，該場(chǎng)效應(yīng)管的源極連接該第一連接組件，該場(chǎng)效應(yīng)管的漏極連接該第二連接組件，該場(chǎng)效應(yīng)管的柵極連接所述字線。
[0019]所述場(chǎng)效應(yīng)管的漏極的連接形式為:漏極、接觸層、第一金屬層依次連接，或漏極、接觸層、第一金屬層、第一導(dǎo)通段及第二金屬層依次連接，或漏極、接觸層、第一金屬層、第一導(dǎo)通段、第二金屬層、第二導(dǎo)通段及第三金屬層依次連接，或漏極、接觸層、第一金屬層、第一導(dǎo)通段、第二金屬層、第二導(dǎo)通段、第三金屬層、第三導(dǎo)通段及第四金屬層依次連接。
[0020]所述開(kāi)關(guān)元件為晶體管，該晶體管的基極連接所述字線，發(fā)射極連接所述第一連接組件，集電極連接所述第二連接組件。
[0021]本發(fā)明的熔絲架構(gòu)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，只需要一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管或可擴(kuò)充多個(gè)熔絲單元，同時(shí)燒錄電流小，并且有利于生產(chǎn)。【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0022]圖1為本發(fā)明熔絲架構(gòu)的結(jié)構(gòu)原理圖；
圖2為本發(fā)明熔絲單元的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖；
圖3為本發(fā)明在熔絲燒錄時(shí)的狀態(tài)示意圖；
圖4為本發(fā)明熔絲架構(gòu)的另一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖；
圖5為本發(fā)明另一實(shí)施例在燒錄時(shí)的狀態(tài)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]為便于對(duì)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)及達(dá)到的效果有進(jìn)一步的了解，現(xiàn)結(jié)合附圖并舉較佳實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明如下。
[0024]如圖1所示,本發(fā)明的熔絲架構(gòu)包括有熔絲單元及與熔絲單元連接的電源與感應(yīng)電路，該熔絲單元設(shè)有能加載控制信號(hào)的字線與傳輸燒錄與讀取程序所需電流的位線，該熔絲單元通過(guò)位線連接電源與感應(yīng)電路。
[0025]該熔絲單元包括有一個(gè)開(kāi)關(guān)元件及連接該開(kāi)關(guān)元件一端的第一連接組件與連接該開(kāi)關(guān)元件另一端的第二連接組件，該第一連接組件另一端接地，該第二連接組件另一端為位線并連接該電源與感應(yīng)電路，所述字線連接開(kāi)關(guān)元件的控制端并控制開(kāi)關(guān)元件的導(dǎo)通與截止。
[0026]如圖2所示，其中開(kāi)關(guān)元件可以為場(chǎng)效應(yīng)管(M0S管)，該場(chǎng)效應(yīng)管的源極S(Source)連接第一連接組件,該場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D (Drain)連接第二連接組件,與場(chǎng)效應(yīng)管源極連接的該第一連接組件的連接端子為B端，與該場(chǎng)效應(yīng)管漏極連接的第二連接組件的連接端子為A端，該電源通過(guò)位線提供燒錄程序單元時(shí)所需的電流及讀取數(shù)據(jù)時(shí)所需的電流或電壓，場(chǎng)效應(yīng)管的柵極G連接字線。
[0027]本發(fā)明中用于連接場(chǎng)效應(yīng)管源極的B端子的個(gè)數(shù)為兩個(gè)以上，場(chǎng)效應(yīng)管漏極的連接以四層金屬層為例，可以有以下四種形式:
1.漏極、接觸層(contactlayer)、第一金屬層依次連接，即漏極-接觸層-金屬I(mǎi) ;
2.漏極、接觸層、第一金屬層、第一導(dǎo)通段、第二金屬層依次連接，即漏極-接觸層-金屬1-導(dǎo)通1-金屬2 ；
3.漏極、接觸層、第一金屬層、第一導(dǎo)通段、第二金屬層、第二導(dǎo)通段、第三金屬層依次連接，即漏極-接觸層-金屬1-導(dǎo)通1-金屬2-導(dǎo)通2-金屬3 ;
4.漏極、接觸層、第一金屬層、第一導(dǎo)通段、第二金屬層、第二導(dǎo)通段、第三金屬層、第三導(dǎo)通段、第四金屬層依次連接，即漏極-接觸層-金屬1-導(dǎo)通1-金屬2-導(dǎo)通2-金屬
3-導(dǎo)通3-金屬4。其中優(yōu)選第3、4種連接方式。
[0028]本發(fā)明中字線上可加載控制信號(hào)，當(dāng)字線為高電平時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通，場(chǎng)效應(yīng)管上有電流流過(guò)，使電源通過(guò)第二連接組件、場(chǎng)效應(yīng)管及第一連接組件連接至地(GND)。通過(guò)電源適當(dāng)調(diào)整流經(jīng)場(chǎng)效應(yīng)管的電流大小，可使第二連接組件處的A端點(diǎn)上的導(dǎo)通或連接因?yàn)槟筒蛔‰娏鞫蹟?依據(jù)物理定則，每個(gè)組件根據(jù)材料特性不同，布線形狀不同，其所能忍受的電流能力也不一樣)。
[0029]本發(fā)明的熔絲在燒錄時(shí)，若要將熔絲燒斷，需要在字線上加載高電平，并打開(kāi)電源，此時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通，位線上有電流流過(guò)，流經(jīng)A點(diǎn)，流經(jīng)MOS管，流經(jīng)B點(diǎn)到地，由于端點(diǎn)A與端點(diǎn)B的結(jié)構(gòu)不同，在燒錄時(shí)A端點(diǎn)阻抗較大，在整個(gè)回路中，端點(diǎn)A的耐流能力最小，當(dāng)流過(guò)的電流夠大時(shí)，A點(diǎn)會(huì)被熔斷,如圖3所示。
[0030]本發(fā)明的熔絲在讀取時(shí)，字線置為高電平，由感應(yīng)電路對(duì)位線充電，MOS管的功能如同一打開(kāi)的開(kāi)關(guān)，當(dāng)A點(diǎn)(第二連接組件)是被燒斷(或高阻抗?fàn)顟B(tài))的情況下，位線上的電壓為高電位，當(dāng)A點(diǎn)(第二連接組件)是沒(méi)有被燒斷(或低阻抗?fàn)顟B(tài)，維持原來(lái)的連接狀態(tài))，位線上的電壓為低電位，借由感應(yīng)電路偵測(cè)位線上的電壓，可判斷出熔絲單元的狀態(tài)。一個(gè)熔絲單元的狀態(tài)(I或O)可提供芯片一個(gè)信息，或儲(chǔ)存芯片一種狀態(tài)。
[0031]本發(fā)明中的熔絲架構(gòu)可以包括多個(gè)熔絲單元組成陣列結(jié)構(gòu)，每行熔絲單元共用一個(gè)字線，每列熔絲單元共用一個(gè)位線，每一位線同時(shí)連接電源與感應(yīng)電路。如圖4所示，將四個(gè)熔絲單元排列成兩行兩列，第一行字線為字線_1，第二行字線為字線_0，第一列位線為位線_0，第二列位線為位線_1。如圖5所示，當(dāng)要燒錄(熔斷)熔絲單元(0，I)時(shí)，字線_0為低電平，字線_1為高電平，選到(0，I)與(1，I)熔絲單元，位線_0為高，輸入燒錄電流，位線_1為低(不提供電流)，其他功能與上述相同。單個(gè)熔絲單元的結(jié)構(gòu)與圖1中熔絲單元的結(jié)構(gòu)相同，不再贅述。
[0032]本發(fā)明中的開(kāi)關(guān)元件還可以為BJT (Bipolar Junction Transistor,雙極結(jié)型晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)晶體管)，其基極B連接字線，發(fā)射極E連接第一連接組件，集電極C連接第二連接組件，其余連接方式及功能原理與上述場(chǎng)效應(yīng)管相同，不再贅述。
[0033]本發(fā)明的熔絲架構(gòu)具有如下有益效果:
1.架構(gòu)簡(jiǎn)單，只需一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管，布線尺寸也是最基本的尺寸，不需額外光罩；適用于各種工藝，任何工廠都可以生產(chǎn)，不會(huì)因?yàn)橹荒茉诠潭üS生產(chǎn)產(chǎn)生的限制；
2.燒錄電流小，燒錄電流約ImA?3mA，與一般熔絲比起來(lái)，此架構(gòu)的燒錄(熔斷)電流較小，若電流過(guò)大，芯片面積會(huì)增加，芯片需要更多保護(hù)；
3.可擴(kuò)充性，可任意組合成多個(gè)熔絲單元，有利于多個(gè)熔絲的應(yīng)用；
4.利于生產(chǎn)，因結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，所以適用于大多數(shù)工廠，因此利于轉(zhuǎn)移生產(chǎn)廠家，以利于生產(chǎn);
5.穩(wěn)定性高，與熱傳送模式的熔絲比起來(lái)，其穩(wěn)定性相對(duì)高，且不怕紫外光的照射。
[0034]以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種熔絲架構(gòu)，其特征在于，其包括熔絲單元及與熔絲單元連接的電源與感應(yīng)電路，該熔絲單元設(shè)有能加載控制信號(hào)的字線與傳輸燒錄與讀取數(shù)據(jù)所需電流的位線，該熔絲單元通過(guò)該位線連接該電源與感應(yīng)電路。
2.如權(quán)利要求1所述的熔絲架構(gòu)，其特征在于，所述熔絲單元包括有一個(gè)開(kāi)關(guān)元件及連接該開(kāi)關(guān)元件一端的第一連接組件與連接該開(kāi)關(guān)元件另一端的第二連接組件，該第一連接組件另一端接地，該第二連接組件另一端為位線并連接該電源與感應(yīng)電路，所述字線連接開(kāi)關(guān)元件的控制端并控制開(kāi)關(guān)元件的導(dǎo)通與截止。
3.如權(quán)利要求2所述的熔絲架構(gòu)，其特征在于，用于連接所述開(kāi)關(guān)元件的第一連接組件的連接端子為兩個(gè)以上，所述第二連接組件的阻抗大于所述第一連接組件的阻抗。
4.如權(quán)利要求2所述的熔絲架構(gòu)，其特征在于，所述控制信號(hào)為高電平，所述開(kāi)關(guān)元件導(dǎo)通，所述電源提供燒錄電流并將與該開(kāi)關(guān)元件連接的第二連接組件的端點(diǎn)熔斷。
5.如權(quán)利要求2所述的熔絲架構(gòu)，其特征在于，所述字線置為高電平，所述感應(yīng)電路對(duì)所述位線充電，當(dāng)所述第二連接組件被燒斷，所述位線上的電壓為高電位，當(dāng)所述第二連接組件沒(méi)有被燒斷，所述位線上的電壓為低電位，由所述感應(yīng)電路偵測(cè)所述位線上的電壓，判斷出熔絲單元的狀態(tài)。
6.如權(quán)利要求2所述的熔絲架構(gòu)，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)元件為場(chǎng)效應(yīng)管，該場(chǎng)效應(yīng)管的源極連接該第一連接組件，該場(chǎng)效應(yīng)管的漏極連接該第二連接組件，該場(chǎng)效應(yīng)管的柵極連接所述字線。
7.如權(quán)利要求6 所述的熔絲架構(gòu)，其特征在于，所述場(chǎng)效應(yīng)管的漏極的連接形式為:漏極、接觸層、第一金屬層依次連接，或漏極、接觸層、第一金屬層、第一導(dǎo)通段及第二金屬層依次連接，或漏極、接觸層、第一金屬層、第一導(dǎo)通段、第二金屬層、第二導(dǎo)通段及第三金屬層依次連接，或漏極、接觸層、第一金屬層、第一導(dǎo)通段、第二金屬層、第二導(dǎo)通段、第三金屬層、第三導(dǎo)通段及第四金屬層依次連接。
8.如權(quán)利要求2所述的熔絲架構(gòu)，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)元件為晶體管，該晶體管的基極連接所述字線，發(fā)射極連接所述第一連接組件，集電極連接所述第二連接組件。
9.一種熔絲架構(gòu)，其特征在于，其包括多個(gè)熔絲單元，該熔絲單元組成陣列結(jié)構(gòu)，每行熔絲單元共用一個(gè)能加載控制信號(hào)的字線，每列熔絲單元共用一個(gè)用于傳輸燒錄與讀取數(shù)據(jù)所需電流的位線，每一位線均連接電源與感應(yīng)電路。
10.如權(quán)利要求9所述的熔絲架構(gòu)，其特征在于，每一所述熔絲單元包括有一個(gè)開(kāi)關(guān)元件及連接該開(kāi)關(guān)元件一端的第一連接組件與連接該開(kāi)關(guān)元件另一端的第二連接組件，該第一連接組件另一端接地，該第二連接組件另一端連接該熔絲單元所在列的位線，每一行所述字線連接該行開(kāi)關(guān)元件的控制端并控制該開(kāi)關(guān)元件的導(dǎo)通與截止。
11.如權(quán)利要求10所述的熔絲架構(gòu)，其特征在于，用于連接所述開(kāi)關(guān)元件的第一連接組件的連接端子為兩個(gè)以上，所述第二連接組件的阻抗大于所述第一連接組件的阻抗。
12.如權(quán)利要求10所述的熔絲架構(gòu)，其特征在于，所述控制信號(hào)為高電平，該控制信號(hào)所在行的開(kāi)關(guān)元件導(dǎo)通，該行開(kāi)關(guān)元件連接的所述電源提供燒錄電流并將與該行的開(kāi)關(guān)元件連接的第二連接組件的端點(diǎn)熔斷。
13.如權(quán)利要求10所述的熔絲架構(gòu)，其特征在于，所述字線置為高電平，所述感應(yīng)電路對(duì)該字線所在行的所述位線充電，當(dāng)該行的所述第二連接組件被燒斷，該行的所述位線上的電壓為高電位，當(dāng)該行的所述第二連接組件沒(méi)有被燒斷，該行的所述位線上的電壓為低電位，由所述感應(yīng)電路偵測(cè)該行所述位線上的電壓，判斷出熔絲單元的狀態(tài)。
14.如權(quán)利要求10所述的熔絲架構(gòu)，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)元件為場(chǎng)效應(yīng)管，該場(chǎng)效應(yīng)管的源極連接該第一連接組件，該場(chǎng)效應(yīng)管的漏極連接該第二連接組件，該場(chǎng)效應(yīng)管的柵極連接所述字線。
15.如權(quán)利要求14所述的熔絲架構(gòu)，其特征在于，所述場(chǎng)效應(yīng)管的漏極的連接形式為:漏極、接觸層、第一金屬層依次連接，或漏極、接觸層、第一金屬層、第一導(dǎo)通段及第二金屬層依次連接，或漏極、接觸層、第一金屬層、第一導(dǎo)通段、第二金屬層、第二導(dǎo)通段及第三金屬層依次連接，或漏極、接觸層、第一金屬層、第一導(dǎo)通段、第二金屬層、第二導(dǎo)通段、第三金屬層、第三導(dǎo)通段及第四金屬層依次連接。
16.如權(quán)利要求10所述的熔絲架構(gòu)，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)元件為晶體管，該晶體管的基極連接所述字線，發(fā)射極連接所述第一連接組件，集電極連接所述第二連接組件。
【文檔編號(hào)】G11C17/16GK103956188SQ201410185667
【公開(kāi)日】2014年7月30日 申請(qǐng)日期:2014年5月5日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月5日
【發(fā)明者】郭建峰 申請(qǐng)人:北京佳瑞欣科技發(fā)展有限公司