存儲器件、以及存儲器件和存儲系統(tǒng)的操作方法
【專利摘要】一種存儲器件的操作方法包括以下步驟：進(jìn)入修復(fù)模式；響應(yīng)于修復(fù)模式的進(jìn)入，而將設(shè)定數(shù)據(jù)的輸入路徑從設(shè)定路徑改變成修復(fù)路徑；與設(shè)定命令一起接收設(shè)定數(shù)據(jù)；在所述接收被重復(fù)設(shè)定的次數(shù)之后結(jié)束修復(fù)模式；響應(yīng)于修復(fù)模式的結(jié)束，而將設(shè)定數(shù)據(jù)的輸入路徑從修復(fù)路徑改變成設(shè)定路徑；以及利用設(shè)定數(shù)據(jù)而將用于存儲器件的缺陷存儲器單元的修復(fù)地址編程至非易失性存儲器。
【專利說明】存儲器件、以及存儲器件和存儲系統(tǒng)的操作方法
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求2013年10月7日提交的申請?zhí)枮?0-2013-0119045的韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用合并于此。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種存儲器件和包括所述存儲器件的存儲系統(tǒng)，且更具體而言，涉及一種修復(fù)相關(guān)的技術(shù)。

【背景技術(shù)】
[0004]圖1是用于解釋在典型的存儲器件(例如，DRAM)中的修復(fù)操作的視圖。
[0005]圖1說明與存儲器件中的一個存儲體相對應(yīng)的配置。參見圖1，存儲器件包括:存儲器陣列110，其包括多個存儲器單元；行電路120，用于激活通過行地址R_ADD選中的字線；以及列電路130，用于存取(讀取或?qū)懭?通過列地址選中的位線的數(shù)據(jù)。
[0006]行熔絲電路140將與存儲器陣列110中的缺陷存儲器單元相對應(yīng)的行地址作為修復(fù)行地址REPAIR_R_ADD存儲。行修復(fù)電路150將存儲在行熔絲電路140中的修復(fù)行地址REPAIR_R_ADD與從存儲器件的外部輸入的行地址R_ADD進(jìn)行比較。當(dāng)修復(fù)行地址REPAIR_R_ADD與行地aR_ADD—致時，行修復(fù)電路150控制行電路120來激活冗余字線以代替由行地址R_ADD表示的字線。即，與存儲在行熔絲電路140中的修復(fù)行地址REPAIR_R_ADD相對應(yīng)的行(字線)用冗余行(字線)來代替。
[0007]在圖1中，信號RACT表不如下的信號:響應(yīng)于用于激活存儲器陣列110中的字線的激活命令而被激活，而響應(yīng)于用于去激活字線的預(yù)充電命令而被去激活。此外，信號RD表示讀取命令，而信號WR表示寫入命令。
[0008]在行熔絲電路140中，主要使用激光熔絲。激光熔絲根據(jù)熔絲是否被切斷來存儲“高”或“低”數(shù)據(jù)。激光熔絲可以在晶片狀態(tài)下被編程，但是不能在晶片被安裝在封裝體中之后來編程激光熔絲。因?yàn)樵跍p少激光熔絲的節(jié)距方面存在限制，所以難以設(shè)計具有小面積的激光熔絲。
[0009]因此，如在美國專利登記號為6904751、6777757、6667902、7173851 和 7269047 中所公開的，諸如E熔絲陣列電路、與非(NAND)快閃存儲器、或非(NOR)快閃存儲器、MRAM (M性隨機(jī)存取存儲器)、STT-MRAM (自旋轉(zhuǎn)移力矩-磁性隨機(jī)存取存儲器)、ReRAM (電阻式隨機(jī)存取存儲器)、或者PCRAM (相變隨機(jī)存取存儲器)的非易失性存儲器中的一種包括在存儲器件中，且修復(fù)信息(修復(fù)地址)存儲在非易失性存儲器中以供使用。
[0010]圖2是說明非易失性存儲器用于存儲器件中以存儲修復(fù)信息的實(shí)例的視圖。
[0011]參見圖2，存儲器件包括:多個存儲體BKO至BK3、被提供至相應(yīng)的存儲體BKO至BK3來存儲修復(fù)信息的寄存器210_0至210_3、以及非易失性存儲器201。
[0012]非易失性存儲器201代替熔絲電路140。非易失性存儲器201存儲與全部的存儲體BKO至BK3相對應(yīng)的修復(fù)信息，即修復(fù)地址。非易失性存儲器可以包括非易失性存儲器中的一種，諸如=E熔絲陣列電路、與非(NAND)快閃存儲器、或非(NOR)快閃存儲器、MRAM (磁性隨機(jī)存取存儲器)、STT-MRAM (自旋轉(zhuǎn)移力矩-磁性隨機(jī)存取存儲器)、ReRAM (電阻式隨機(jī)存取存儲器)、或者PCRAM (相變隨機(jī)存取存儲器)。
[0013]被提供至相應(yīng)的存儲體BKO至BK3的寄存器210_0至210_3存儲相應(yīng)的存儲體的修復(fù)信息。寄存器210_0存儲存儲體BKO的修復(fù)信息，而寄存器210_2存儲存儲體BK2的修復(fù)信息。寄存器210_0至210_3中的每個包括鎖存電路，且能夠僅在被供電時存儲修復(fù)信息。要存儲在寄存器210_0至210_3中的修復(fù)信息從非易失性存儲器201中接收。
[0014]存儲在非易失性存儲器201中的修復(fù)信息不是被直接使用，而是存儲在寄存器210_0至210_3中且然后被使用的原因如下。由于非易失性存儲器201具有陣列結(jié)構(gòu)，所以需要預(yù)定的時間來調(diào)用其中存儲的數(shù)據(jù)。由于難以立即調(diào)用數(shù)據(jù)，所以通過直接利用存儲在非易失性存儲器201中的數(shù)據(jù)不能正確地執(zhí)行修復(fù)操作。因此，執(zhí)行啟動操作來將存儲在非易失性存儲器201中的修復(fù)信息傳送至寄存器210_0至210_3供存儲，并且在執(zhí)行啟動操作之后利用存儲在寄存器210_0至210_3中的數(shù)據(jù)來執(zhí)行修復(fù)操作。
[0015]在利用非易失性存儲器201和寄存器210_0至210_3來代替包括激光熔絲的熔絲電路140的情況下，在晶片狀態(tài)之后可以找到并修復(fù)額外的缺陷。已經(jīng)對即使在制造半導(dǎo)體器件之后(例如，即使在產(chǎn)品售出之后)也能夠檢查非易失性存儲器201并且對檢查出的缺陷進(jìn)行修復(fù)的技術(shù)進(jìn)行了研究。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0016]本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種即使在制造存儲器件之后也能夠修復(fù)存儲器件的技術(shù)。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實(shí)施例，一種存儲器件的操作方法包括以下步驟:進(jìn)入修復(fù)模式；響應(yīng)于修復(fù)模式的進(jìn)入而將設(shè)定數(shù)據(jù)的輸入路徑從設(shè)定路徑改變成修復(fù)路徑；與設(shè)定命令一起接收設(shè)定數(shù)據(jù)；在接收被重復(fù)設(shè)定的次數(shù)之后結(jié)束修復(fù)模式；響應(yīng)于修復(fù)模式的結(jié)束而將設(shè)定數(shù)據(jù)的輸入路徑從修復(fù)路徑改變成設(shè)定路徑；以及利用設(shè)定數(shù)據(jù)而將存儲器件的缺陷存儲器單元的修復(fù)地址編程至非易失性存儲器。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實(shí)施例，一種存儲器件包括:命令輸入單元，適用于接收一個或更多個命令信號；命令/地址輸入單元，適用于接收多個命令/地址信號；命令解碼器，適用于對命令信號和命令/地址信號解碼，以確定是否進(jìn)入修復(fù)模式并且產(chǎn)生設(shè)定命令；設(shè)定電路，適用于響應(yīng)于不同于修復(fù)模式的其它模式中的設(shè)定命令，利用通過命令/地址輸入單元輸入的信號來設(shè)定存儲器件；以及非易失性存儲器電路，適用于響應(yīng)于在修復(fù)模式中的設(shè)定命令，而利用通過命令/地址輸入單元輸入的信號來編程存儲器件的缺陷存儲器單元的修復(fù)地址。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實(shí)施例，一種存儲系統(tǒng)的操作方法包括以下步驟:響應(yīng)于從存儲器控制器輸入的一個或更多個控制信號而確定存儲器件是否進(jìn)入修復(fù)模式；基于對于存儲器件進(jìn)入修復(fù)模式的確定來改變在存儲器件中控制信號的輸入路徑；在修復(fù)模式中將設(shè)定數(shù)據(jù)作為控制信號而從存儲器控制器向存儲器件施加設(shè)定的次數(shù)；以及利用設(shè)定數(shù)據(jù)而將用于存儲器件的缺陷存儲器單元的修復(fù)地址編程至存儲器件的非易失性存儲器。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，即使在安裝存儲器件之后也可以修復(fù)存儲器件。
[0021]此外，即使在諸如用戶難以任意地控制數(shù)據(jù)和地址的LPDDR (低功率雙倍數(shù)據(jù)速率)存儲器件的存儲器件中，也可以利用簡單的方法來修復(fù)存儲器件。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1是用于解釋在典型的存儲器件(例如，DRAM)中的修復(fù)操作的視圖。
[0023]圖2是說明具有非易失性存儲器來存儲修復(fù)信息的存儲器件的示例性視圖。
[0024]圖3是說明根據(jù)比較實(shí)例的存儲器件的后封裝修復(fù)過程的時序圖。
[0025]圖4是根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的存儲器件的框圖。
[0026]圖5A和5B是命令真值表。
[0027]圖6是圖4中所示的非易失性存儲器電路的框圖。
[0028]圖7是圖6中所示的管道鎖存器的詳細(xì)視圖。
[0029]圖8是圖4中所示的存儲器陣列相關(guān)配置的框圖。
[0030]圖9是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的存儲系統(tǒng)的框圖。
[0031]圖10是說明根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的存儲器件的修復(fù)過程的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0032]下面將參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以用不同的形式實(shí)施，而不應(yīng)解釋為局限于本文所陳列的實(shí)施例。確切地說，提供這些實(shí)施例使得本說明書充分與完整，并向本領(lǐng)域的技術(shù)人員充分地傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在本公開中，附圖標(biāo)記直接對應(yīng)于本發(fā)明的不同附圖和實(shí)施例中相似的部分。應(yīng)當(dāng)注意的是，在本說明書中，“連接/耦合”不僅涉及一個部件與另一個部件直接耦接，還涉及經(jīng)由中間部件與另一個部件間接耦接。另外，只要未在句子中特意提及，單數(shù)形式可以包括復(fù)數(shù)形式。
[0033]圖3是說明根據(jù)比較實(shí)例的存儲器件的后封裝修復(fù)過程的時序圖。后封裝修復(fù)表示在制造存儲器件(即，封裝)之后執(zhí)行的修復(fù)，并且諸如DDR (雙倍數(shù)據(jù)速率)3或DDR4的一般存儲器的后封裝修復(fù)可以按照圖3中所示的順序來執(zhí)行。
[0034]參見圖3，在時間點(diǎn)‘301’，用于進(jìn)入修復(fù)模式的地址的組合(ENT表示修復(fù)模式進(jìn)入)可以與設(shè)定命令(MRS:模式寄存器設(shè)定)一起被輸入至存儲器件。例如，模式寄存器6MR6可以與設(shè)定命令MRS的施加一起被選中，并且地址8可以被輸入為‘I’。因此，存儲器件可以進(jìn)入修復(fù)模式。在圖3中，由于tMOD表示從輸入設(shè)定命令MRS的時刻起，直到可以輸入除了設(shè)定命令MRS之外的命令(非MRS命令)的時間，所以tMOD可以被視為通過設(shè)定命令MRS和在時間點(diǎn)‘301’輸入的地址組合，存儲器件進(jìn)入修復(fù)模式所需的時間。在存儲器件進(jìn)入修復(fù)模式之前，存儲器件應(yīng)基本保持在全部的存儲體已經(jīng)被預(yù)充電的狀態(tài)。
[0035]在完成存儲器件的修復(fù)模式進(jìn)入之后(在經(jīng)過時間tMOD之后)，在時間點(diǎn)‘303’激活命令A(yù)CT和缺陷地址RA被輸入至存儲器件。然后，存儲器件可以暫時存儲輸入的缺陷地址RA。缺陷地址RA可以代表表示存儲器件中缺陷單元的位置的地址。
[0036]在從施加激活命令A(yù)CT的時間點(diǎn)起經(jīng)過時間tRCD (Ras至Cas延遲時間)之后，寫入命令WR和有效地址VALID可以在時間點(diǎn)‘305’輸入至存儲器件。存儲器件可以不關(guān)注與寫入命令WR —起輸入的有效地址VALID的值(存儲器件將有效地址視為不關(guān)注)。在從施加寫入命令WR的時間點(diǎn)‘305’起經(jīng)過與寫入延遲(WL=CWL (Cas寫入延遲)+AL (附加延遲)+PL (奇偶校驗(yàn)延遲))相對應(yīng)的時間后，存儲器件可以在時間點(diǎn)‘307’檢查數(shù)據(jù)焊盤DQ的邏輯狀態(tài)是否為‘O’。當(dāng)數(shù)據(jù)焊盤DQ的邏輯狀態(tài)為‘0’時，其可以表示存儲器件是目標(biāo)，而當(dāng)數(shù)據(jù)焊盤DQ的邏輯狀態(tài)為‘I’時，其可以表示存儲器件不是目標(biāo)。所述目標(biāo)可以表示系統(tǒng)中的存儲器件之中將執(zhí)行修復(fù)操作的存儲器件。
[0037]當(dāng)在時間點(diǎn)‘307’檢查出存儲器件是目標(biāo)時，存儲器件可以將與激活命令A(yù)CT —起輸入的暫時存儲的缺陷地址RA編程至非易失性存儲器(表示與圖2的非易失性存儲器201類似的存儲用于修復(fù)的缺陷地址的非易失性存儲器)。在圖3中，tPGM可以表示存儲器件將缺陷地址RA編程至非易失性存儲器所需的時間。
[0038]在缺陷地址RA被編程至非易失性存儲器之后(在時間tPGM之后)，在時間點(diǎn)‘309’輸入預(yù)充電命令PRE，使得釋放存儲器件的激活狀態(tài)。然后，在時間點(diǎn)‘311’，用于退出修復(fù)模式的地址的組合(EXIT表示退出修復(fù)模式)與設(shè)定命令MRS —起被輸入至存儲器件。例如，模式寄存器6MR6可以與施加設(shè)定命令MRS —起被選中，且地址8可以被輸入為‘0’。因此，存儲器件的修復(fù)模式可以結(jié)束，而正常操作可以開始。
[0039]圖3的后封裝修復(fù)過程可以簡要地概述如下:(1)存儲器件進(jìn)入修復(fù)模式；(2)與激活命令A(yù)CT —起施加缺陷地址RA ; (3)施加寫入命令WR ； (4)在從寫入命令WR起經(jīng)過時間WL之后，通過數(shù)據(jù)焊盤DQ來檢查存儲器件是否是目標(biāo)；(5)當(dāng)存儲器件是目標(biāo)時，將與激活命令A(yù)CT —起施加的缺陷地址RA編程至非易失性存儲器；(6)在完成編程之后，施加預(yù)充電命令PRE ;以及(7)退出修復(fù)模式。這些過程通過將期望的信號施加至命令引腳CMD、地址引腳ADD和數(shù)據(jù)引腳DQ來執(zhí)行，并且由于在諸如DDR3或DDR4的存儲器中這些引腳的控制是自由的，所以可以實(shí)現(xiàn)上述的順序。然而，在諸如LPDDR (低功率雙倍數(shù)據(jù)速率)存儲器的存儲器中，用于地址和命令輸入的引腳被組合并且針對系統(tǒng)利用虛擬地址。對那些弓丨腳的訪問上存在各種限制且這種控制是困難的。為此，在諸如LPDDR的移動存儲器中，用于后封裝修復(fù)的新順序和控制方法是必需的，且以下將進(jìn)行描述。
[0040]圖4是根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的存儲器件的框圖。
[0041 ] 參見圖4，存儲器件400可以包括:命令輸入單元401、命令/地址輸入單元402、數(shù)據(jù)輸入單元403、數(shù)據(jù)輸出單元404、時鐘輸入單元405、命令解碼器410、路徑選擇單元420、設(shè)定電路430、非易失性存儲器電路440以及存儲器陣列相關(guān)配置450。即，命令輸入單元401、命令/地址輸入單元402、數(shù)據(jù)輸入單元402以及數(shù)據(jù)輸出單元404基于存儲器陣列相關(guān)配置450來確定。例如，表示存儲器陣列相關(guān)配置450的特定操作的命令、和表示要在存儲器陣列相關(guān)配置450中訪問的存儲器單元的位置的地址通過命令/地址輸入單元402來輸入。然而，這些命令和地址不可以是基于其他的配置(例如，非易失性存儲器電路440)的命令和地址。
[0042]命令輸入單元401可以接收從存儲器件400的外部輸入的命令信號CKE和CS。輸入至存儲器件400的命令信號可以包括時鐘使能信號CKE和芯片選擇信號CS。
[0043]命令/地址輸入單元402可以接收從存儲器件400的外部輸入的命令/地址信號CAO至CA9。命令/地址信號CAO至CA9可以是10個信號。這些信號CAO至CA9可以用作用于存儲器陣列相關(guān)配置450的命令信號或地址信號。此外，這些信號CAO至CA9可以用作用于非易失性存儲器電路440的命令信號、地址信號或數(shù)據(jù)。
[0044]數(shù)據(jù)輸入單元403可以接收從存儲器件400的外部輸入的多比特數(shù)據(jù)DQ，而數(shù)據(jù)輸出單元404可以將數(shù)據(jù)輸出至存儲器件400的外部。例如，要寫入在存儲器陣列相關(guān)配置450中的數(shù)據(jù)可以通過數(shù)據(jù)輸入單元403來輸入，并且從存儲器陣列相關(guān)配置450讀出的數(shù)據(jù)可以通過數(shù)據(jù)輸出單元404來輸出。
[0045]時鐘輸入單元405可以接收從存儲器件400的外部輸入的時鐘CK。時鐘CK可以用于存儲器件400的同步操作。
[0046]命令解碼器410可以對通過命令輸入單元401輸入的命令信號CKE和CS、以及通過命令/地址輸入單元402輸入的命令/地址信號CAO至CA9進(jìn)行解碼，并產(chǎn)生作為用于存儲器陣列相關(guān)配置的內(nèi)部命令信號的激活信號(ACT:激活)、預(yù)充電信號(PRE:預(yù)充電)、讀取信號(RD:讀取)、寫入信號(WR:寫入)、刷新信號(REF:刷新)等。在使用地址的操作中，諸如激活、寫入或預(yù)充電操作中，命令解碼器410可以將命令/地址信號CAO至CA9中的一些傳送至存儲器陣列相關(guān)配置450作為地址ADD。圖5A和5B是在LPDDR2 (低功率雙倍數(shù)據(jù)速率2)存儲器的JEDEC (聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會)說明書中的命令真值表。參見圖5A和5B，可以檢查命令信號CKE和CS以及命令/地址信號CAO至CA9的組合，所述命令信號CKE和CS以及命令/地址信號CAO至CA9用來產(chǎn)生用于存儲器陣列相關(guān)配置450的內(nèi)部命令信號ACT、PRE、RD、WR和REF、和地址ADD。例如，參見圖5A和5B，當(dāng)時鐘使能信號基本上保持‘H’電平兩個周期時，信號CS在時鐘CK的上升沿處為‘H’電平，且(CA0，CA1) =(L，H)，激活命令通過命令解碼器410來識別，并且激活命令A(yù)CT被激活。此外，由于在時鐘CK的上升沿輸入的命令/地址信號CA2至CA9、和在時鐘CK的下降沿輸入的命令/地址信號CAO至CA9被識別為用于激活操作的地址，所以命令解碼器410將這些信號供應(yīng)至存儲器陣列相關(guān)配置450作為地址ADD。
[0047]命令解碼器410可以產(chǎn)生用于設(shè)定電路430的設(shè)定記錄命令信號MRW。設(shè)定記錄命令信號MRW是用于將設(shè)定值記錄在設(shè)定電路430中的信號。參見圖5A和5B，在時鐘使能信號CKE基本上保證‘H’電平兩個周期的狀態(tài)下，當(dāng)在時鐘CK的上升沿(CS, CAO, CAl, CA2, CA3)= (L, L, L, L, L)時，命令解碼器410激活設(shè)定記錄命令信號MRW。此夕卜，在時鐘CK的上升沿輸入的命令/地址信號CA4至CA9、和在時鐘CK的下降沿輸入的命令/地址信號CAO至CAl被識別為MAO至MA5，以及在時鐘CK的下降沿輸入的命令/地址信號CA2至CA9被識別為OPO至0P7。MAO至MA5可以是用于表示設(shè)定的類型的設(shè)定標(biāo)示碼，而OPO至0P7可以是用于確定由設(shè)定標(biāo)示碼MAO至MA5表示的設(shè)定中的值的設(shè)定數(shù)據(jù)碼。例如，在各種設(shè)定類型中設(shè)定參考電壓可以通過設(shè)定標(biāo)示碼MAO至MA5來確定，而參考電壓的值可以通過設(shè)定數(shù)據(jù)碼OPO至0P7來確定。在應(yīng)用(例如，移動電話)中安裝諸如LPDDR的移動存儲器之后，用戶最容易存取設(shè)定數(shù)據(jù)碼OPO至0P7。因此，在本實(shí)施例中，利用設(shè)定數(shù)據(jù)碼OPO至0P7將修復(fù)地址編程至非易失性存儲器電路440。即，修復(fù)存儲器陣列相關(guān)配置450中的缺陷。
[0048]可以通過命令解碼器410來控制用于將修復(fù)地址編程至非易失性存儲器電路440的修復(fù)模式的進(jìn)入。參見圖5A和5B，在JEDEC說明書的命令真值表中存在未用的組合。這些組合中的一個可以被規(guī)定為用于進(jìn)入修復(fù)模式的命令。例如，命令真值表中的表示NOP(不操作)的組合中的一個可以被規(guī)定為用于進(jìn)入修復(fù)模式的命令。當(dāng)命令信號CKE和CS以及命令/地址信號CAO至CA9被輸入為與進(jìn)入修復(fù)模式相對應(yīng)的組合時，命令解碼器410可以激活修復(fù)模式信號MODE_REPAIR，然后在足夠?qū)⑿迯?fù)地址編程至非易失性存儲器電路440的信息被傳送之后去激活修復(fù)模式信號MODE_REPAIR。
[0049]路徑選擇單元420可以根據(jù)修復(fù)模式信號M0DE_REPAIR的激活/去激活，來將從命令解碼器410輸出的設(shè)定命令信號MRW、設(shè)定標(biāo)示碼MAO至MA5以及設(shè)定數(shù)據(jù)碼OPO至0P7傳送至設(shè)定電路430或非易失性存儲器電路440。在修復(fù)模式信號M0DE_REPAIR被去激活時，路徑選擇單元420可以將輸入的信號MRW、MAO至MA5以及OPO至0P7傳送至設(shè)定電路430，而在修復(fù)模式信號M0DE_REPAIR被激活時，路徑選擇單元420可以將輸入的信號MRff和OPO至0P7傳送至非易失性存儲器電路440。由于非易失性存儲器電路440可以不利用設(shè)定標(biāo)示碼MAO至MA5，所以非易失性存儲器電路440可以不從路徑選擇單元420接收設(shè)定標(biāo)示碼。
[0050]設(shè)定電路430利用從路徑選擇單元420傳送的信號MRW、MAO至MA5以及OPO至0P7來執(zhí)行設(shè)定操作。設(shè)定命令信號MRW用作用于允許設(shè)定電路430啟動設(shè)定操作的激活信號，而設(shè)定標(biāo)示碼MAO至MA5用于選擇要執(zhí)行的設(shè)定操作的類型。例如，可以通過設(shè)定標(biāo)示碼MAO至MA5來選擇具體定時參數(shù)的設(shè)定，且可以通過設(shè)定數(shù)據(jù)碼OPO至0P7來確定選中的定時參數(shù)的值。
[0051]非易失性存儲器電路440可以響應(yīng)于啟動信號BOOTUP的激活而輸出其中存儲的信息B00TUP_DATA。非易失性存儲器電路440可以存儲表示存儲器陣列相關(guān)配置450中的缺陷單元的位置的信息(修復(fù)信息)。非易失性存儲器電路440可以利用從路徑選擇單元420傳送的信號MRW和OPO至0P7來編程修復(fù)信息。將參照圖6來詳細(xì)地描述非易失性存儲器電路440的配置。
[0052]存儲器陣列相關(guān)配置450可以根據(jù)命令解碼器410的指令來執(zhí)行諸如激活、預(yù)充電、讀取或?qū)懭氩僮鞯牟僮鳌Ｔ趯懭氩僮髦?，從存儲器?00的外部通過數(shù)據(jù)輸入單元403輸入的數(shù)據(jù)可以被存儲在存儲器陣列相關(guān)配置450中，而在讀取操作中，存儲在存儲器陣列相關(guān)配置450中的數(shù)據(jù)可以通過數(shù)據(jù)輸出單元404被輸出至存儲器件400的外部。將參照圖8來詳細(xì)地描述存儲器陣列相關(guān)配置450的配置。
[0053]存儲器件400的主要功能是用于存儲從存儲器件400的外部輸入的數(shù)據(jù)的寫入操作、和用于將存儲的數(shù)據(jù)提供至存儲器件400的外部的讀取操作。因此，于其中執(zhí)行讀取和寫入操作的存儲器陣列相關(guān)配置450的容量較大，而簡單存儲用于存儲器陣列相關(guān)配置修復(fù)的信息的非易失性存儲器電路440的容量可以相對小。例如，當(dāng)數(shù)吉比特的數(shù)據(jù)存儲在存儲器陣列相關(guān)配置450中時，可以在非易失性存儲器電路中存儲幾兆比特至數(shù)十兆比特的數(shù)據(jù)。
[0054]在圖4中，未描述存儲器件400的所有配置和操作，而描述了與后封裝修復(fù)相關(guān)的配置和操作。
[0055]圖6是圖4中所示的非易失性存儲器電路的框圖。
[0056]參見圖6，非易失性存儲器電路440可以包括多個管道鎖存器611至618、地址/數(shù)據(jù)分類部620、控制部630、非易失性存儲器640以及計數(shù)器650。
[0057]每當(dāng)設(shè)定命令信號MRW被激活四次時，計數(shù)器650可以激活控制信號MRW4。每當(dāng)設(shè)定數(shù)據(jù)OPO至0P7與設(shè)定命令信號MRW —起輸入四次時，非易失性存儲器電路440執(zhí)行一次編程操作，其中控制信號MRW4可以用作用于通知設(shè)定命令信號MRW已經(jīng)被激活四次的信號。
[0058]多個管道鎖存器611至618可以存儲設(shè)定數(shù)據(jù)OPO至0P7，并將設(shè)定數(shù)據(jù)OPO至0P7提供至地址/數(shù)據(jù)分類部620。管道鎖存器611至618中的每個可以響應(yīng)于設(shè)定命令信號MRW的激活而接收、存儲以及移位設(shè)定數(shù)據(jù)。管道鎖存器611至618中的每個可以具有串行輸入并行輸出的結(jié)構(gòu)。管道鎖存器611至618可以向地址/數(shù)據(jù)分類部620提供被輸入四次的八個設(shè)定數(shù)據(jù)OPO至0P7，即總計32個設(shè)定數(shù)據(jù)0P0_1至0P0_4、0P1_1至0P1_4、0P2_1 至 0P2_4、0P3_1 至 0P3_4、0P4_1 至 0P4_4、0P5_1 至 0P5_4、0P6_1 至 0P6_4 以及0P7_1至0P7_4。例如，管道鎖存器611的輸出0P0_1是與設(shè)定命令信號MRW的第一次激活同步輸入至管道鎖存器611的設(shè)定數(shù)據(jù)0P0，管道鎖存器611的輸出0P0_2是與設(shè)定命令信號MRW的第二次激活同步輸入至管道鎖存器611的設(shè)定數(shù)據(jù)0P0，管道鎖存器611的輸出0P0_3是與設(shè)定命令信號MRW的第三次激活同步輸入至管道鎖存器611的設(shè)定數(shù)據(jù)0P0，以及管道鎖存器611的輸出0P0_4是與設(shè)定命令信號MRW的第四次激活同步輸入至管道鎖存器611的設(shè)定數(shù)據(jù)0P0。管道鎖存器611至618可以響應(yīng)于控制信號MRW4而被重新設(shè)定。將參照圖7來詳細(xì)地描述管道鎖存器611至618的內(nèi)部配置。
[0059]地址/數(shù)據(jù)分類部620可以將從管道鎖存器611至618傳送的32個設(shè)定數(shù)據(jù)0Ρ0_1 至 0Ρ0_4、0Ρ1_1 至 0Ρ1_4、0Ρ2_1 至 0Ρ2_4、0Ρ3_1 至 0Ρ3_4、0Ρ4_1 至 0Ρ4_4、0Ρ5_1 至0Ρ5_4、0Ρ6_1至0Ρ6_4以及0Ρ7_1至0Ρ7_4分類成地址ADD和數(shù)據(jù)DATA。例如，在32個設(shè)定數(shù)據(jù) 0P0_1 至 0P0_4、0P1_1 至 0P1_4、0P2_1 至 0P2_4、0P3_1 至 0P3_4、0P4_1 至 0P4_4、0P5_1至0P5_4、0P6_1至0P6_4以及0P7_1至0P7_4之中，16個設(shè)定數(shù)據(jù)可以被分類成地址ADD〈0:15>，而剩余的16個設(shè)定數(shù)據(jù)可以被分類成數(shù)據(jù)DATA〈0:15>。
[0060]控制部630可以控制非易失性存儲器640的操作。由控制部630控制的非易失性存儲器640的操作可以包括啟動操作和編程操作。在激活啟動信號BOOTUP的啟動操作中，控制部630周期性地激活非易失性存儲器640的讀取信號ARE_RD，使得可以讀取存儲在非易失性存儲器640中的所有信息。每當(dāng)讀取信號ARE_RD被激活時，控制部630就可以改變供應(yīng)至非易失性存儲器640的地址ARE_ADD〈0:15>，并且控制存儲在非易失性存儲器640中的所有信息以被順序讀取。在啟動操作中，供應(yīng)至非易失性存儲器640的地址ARE_AD D〈0:15>可以通過計數(shù)方案來產(chǎn)生?？梢皂憫?yīng)于控制信號MRW4的激活而執(zhí)行控制部630的編程操作控制。在編程操作中，控制部630可以激活非易失性存儲器640中的編程信號ARE_PG，并且向非易失性存儲器640供應(yīng)要被編程至非易失性存儲器640的數(shù)據(jù)ARE_DATA〈0:15>、和表示要被編程至非易失性存儲器640的數(shù)據(jù)的位置的地址ARE_ADD〈0:15>。在編程操作中，數(shù)據(jù)DATA〈0:15>和地址ADD〈0:15>可以從地址/數(shù)據(jù)分類部620供應(yīng)至非易失性存儲器640，以分別作為數(shù)據(jù)ARE_DATA〈0:15>和地址ARE_ADD〈0:15>。
[0061 ] 當(dāng)讀取信號ARE_RD被激活時，非易失性存儲器640可以將已經(jīng)存儲在與地址ARE_ADD<0:15>相對應(yīng)的位置處的數(shù)據(jù)ARE_DATA〈0:15>作為啟動數(shù)據(jù)B00TUP_DATA輸出。此夕卜，當(dāng)編程信號ARE_PG被激活時，非易失性存儲器640可以編程與地址ARE_ADD〈0:15>相對應(yīng)的位置處的數(shù)據(jù)。非易失性存儲器640可以是非易失性存儲器中的一種，諸如:E熔絲陣列電路、與非(NAND)快閃存儲器、或非(NOR)快閃存儲器、MRAM (磁性隨機(jī)存取存儲器)、STT-MRAM (自旋轉(zhuǎn)移力矩-磁性隨機(jī)存取存儲器)、ReRAM (電阻式隨機(jī)存取存儲器)、或者PCRAM (相變隨機(jī)存取存儲器)。
[0062]圖7是圖6中的管道鎖存器611的框圖。
[0063]參見圖7，管道鎖存器611可以包括彼此串聯(lián)耦接的四個鎖存器701至704。鎖存器701至704中的每個鎖存器可以與設(shè)定命令信號MRW同步地操作。每當(dāng)設(shè)定命令信號MRW被激活時，存儲在鎖存器701至704中的值可以被移位至后一級的鎖存器。例如，當(dāng)設(shè)定命令信號MRW被激活時，設(shè)定數(shù)據(jù)OPO可以被輸入至且被存儲在鎖存器701中，設(shè)定數(shù)據(jù)0P0_1可以被輸入至且被存儲在鎖存器702中，設(shè)定數(shù)據(jù)0P0_2可以被輸入至且被存儲在鎖存器703中，以及設(shè)定數(shù)據(jù)0P0_3可以被輸入至且被存儲在鎖存器704中。
[0064]存儲在鎖存器701至704中的值可以響應(yīng)于控制信號MRW4的激活而被初始化。
[0065]圖8是圖4中所示的存儲器陣列相關(guān)配置的框圖。
[0066]參見圖8，存儲器陣列相關(guān)配置450可以包括:存儲器陣列810，其包括多個存儲器單元；行電路820 ;列電路830 ;行寄存器841 ;列寄存器842 ;行修復(fù)電路850以及列修復(fù)電路 860。
[0067]行寄存器841可以存儲從非易失性存儲器電路440傳送的啟動數(shù)據(jù)B00TUP_DATA之中的用于修復(fù)存儲器陣列的行的信息。用于修復(fù)行的信息可以是指示存儲器陣列810中的缺陷行的修復(fù)行地址REPAIR_R_ADD。
[0068]行修復(fù)電路850可以將從行寄存器841傳送的修復(fù)行地址REPAIR_R_ADD與行地址R_ADD進(jìn)行比較，并將比較結(jié)果傳送至行電路820。
[0069]行電路820可以在內(nèi)部激活信號ACT的激活時刻激活通過存儲器陣列810中的行地址R_ADD選中的字線。當(dāng)行電路820被通知行地址R_ADD與來自行修復(fù)電路850的修復(fù)行地址REPAIR_R_ADD —致時，行電路820不激活與行地址R_ADD相對應(yīng)的字線，而激活冗余字線。S卩，與存儲在行寄存器841中的修復(fù)行地址REPAIR_R_ADD相對應(yīng)的行(字線)用冗余行(字線)來代替。當(dāng)內(nèi)部預(yù)充電命令PRE被激活時，行電路820去激活激活的字線。
[0070]行寄存器842可以存儲從非易失性存儲器440傳送的啟動數(shù)據(jù)B00TUP_DATA之中的用于修復(fù)存儲器陣列的列的信息。用于修復(fù)列的信息可以是指示存儲器陣列810中的缺陷列的修復(fù)列地址REPAIR_C_ADD。
[0071]列修復(fù)電路860可以比較從列寄存器842傳送的修復(fù)列地址REPAIR_C_ADD與列地址C_ADD，并將比較結(jié)果傳送至列電路830。
[0072]列電路830存取通過列地址C_ADD選中的位線的數(shù)據(jù)。當(dāng)內(nèi)部讀取信號RD被激活時，列電路830輸出來自選中的位線的數(shù)據(jù)，而當(dāng)內(nèi)部寫入信號WT被激活時，列電路830將數(shù)據(jù)傳送至選中的位線，并且允許數(shù)據(jù)寫入。當(dāng)列電路830被通知列地址C_ADD與來自列修復(fù)電路860的修復(fù)列地址REPAIR_C_ADD —致時，列電路830不訪問與列地址C_ADD對應(yīng)的位線，而訪問冗余位線。即，與存儲在列寄存器842中的修復(fù)列地址相對應(yīng)的列(位線)用冗余列(位線)來代替。
[0073]圖9是根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的存儲系統(tǒng)的框圖。
[0074]參見圖9，存儲系統(tǒng)包括存儲器控制器910和存儲器件400。
[0075]存儲器控制器910將命令信號CKE和CS、命令/地址信號CAO至CA9以及時鐘CK施加至存儲器件400，與存儲器件400交換數(shù)據(jù)DQ，以及將數(shù)據(jù)DQ寫入存儲器件400或者從存儲器件400讀取數(shù)據(jù)DQ。存儲器控制器910可以設(shè)定存儲器件400或者控制存儲器件400，使得存儲器件400中的缺陷得到修復(fù)。存儲器件400的修復(fù)可以通過編程存儲器件400中的非易失性存儲器電路440來執(zhí)行。
[0076]圖10是示出根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的存儲器件400的修復(fù)過程的流程圖。
[0077]首先，存儲器件400可以進(jìn)入修復(fù)模式(S1001 )?？梢栽诖鎯ζ骺刂破?10的控制下執(zhí)行存儲器件400進(jìn)入修復(fù)模式。如上所述，圖5A和5B的真值表中未使用的組合和表示NOP的組合中的一個可以用作用于進(jìn)入修復(fù)模式的命令組合。
[0078]存儲器件400進(jìn)入修復(fù)模式(修復(fù)模式信號M0DE_REPAIR被激活)，使得設(shè)定命令信號MRW和設(shè)定數(shù)據(jù)OPO至0P7的傳送路徑可以從設(shè)定電路430改變成非易失性存儲器電路440(S1003)。即，改變傳送路徑使得設(shè)定命令信號MRW和設(shè)定數(shù)據(jù)OPO至0P7不被傳送至用于設(shè)定存儲器件400的路徑，而被傳送至用于修復(fù)存儲器件的路徑。
[0079]設(shè)定數(shù)據(jù)與設(shè)定命令一起施加至存儲器件400的過程可以重復(fù)四次(S1005、S1007、S1009和S1011)。設(shè)定命令和設(shè)定數(shù)據(jù)可以從存儲器控制器910施加至存儲器件400。在步驟S1005、S1007、S1009和SlOll中，設(shè)定命令信號MRW可以在存儲器件400中被激活四次，可以響應(yīng)于設(shè)定命令信號MRW的激活而將設(shè)定數(shù)據(jù)OPO至0P7輸入至非易失性存儲器電路440四次，以及總計32個設(shè)定數(shù)據(jù)0P0_1至0P0_4、0P1_1至0P1_4、0P2_1至 0P2_4、0P3_1 至 0P3_4、0P4_1 至 0P4_4、0P5_1 至 0P5_4、0P6_1 至 0P6_4 以及 0P7_1 至0P7_4可以被存儲在管道鎖存器611至618中。
[0080]當(dāng)設(shè)定命令和設(shè)定數(shù)據(jù)的施加被重復(fù)預(yù)定的次數(shù)(四次)時，存儲器件400的修復(fù)模式(S1013)可以結(jié)束。修復(fù)模式結(jié)束(修復(fù)模式信號M0DE_REPAIR被去激活)，使得存儲器件400中的設(shè)定數(shù)據(jù)的傳送路徑可以從非易失性存儲器電路440改變成設(shè)定電路430(S1015)。
[0081]由于可以充分確保用于編程非易失性存儲器電路440所需的設(shè)定數(shù)據(jù)，所以非易失性存儲器電路440可以被編程(S1017)。這可以通過如下來執(zhí)行:利用地址/數(shù)據(jù)分類部610將存儲在管道鎖存器611至618中的數(shù)據(jù)0P0_1至0P0_4、0P1_1至0P1_4、0P2_1至 0P2_4、0P3_1 至 0P3_4、0P4_1 至 0P4_4、0P5_1 至 0P5_4、0P6_1 至 0P6_4 以及 0P7_1 至0P7_4分類成地址ADD〈0:15>和數(shù)據(jù)DATA〈0:15>，以及在控制部630的控制下對非易失性存儲器640進(jìn)行編程。被編程至非易失性存儲器640的數(shù)據(jù)ARE_DATA〈0:15>可以是用于修復(fù)存儲器陣列相關(guān)配置450的信息。
[0082]如上所述，存儲器件400中的非易失性存儲器電路440可以通過輸入設(shè)定數(shù)據(jù)OPO至0P7來編程。因此，即使存儲器件400安裝在應(yīng)用上之后，存儲器件400也可以容易地修復(fù)其缺陷。
[0083]圖10說明步驟S1017在步驟S1013和S1015之后執(zhí)行。然而，如果在執(zhí)行步驟S1005、S1007、S1009和SlOll之后執(zhí)行步驟S1017,也是可行的。因此，步驟S1017可以在步驟S1013和S1015之前執(zhí)行，或者可以同時執(zhí)行步驟S1017與步驟S1013和步驟S1015。
[0084]盡管已經(jīng)參照具體的實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員顯然的是，可以在不脫離所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下進(jìn)行各種改變和修改。
[0085]具體地，已經(jīng)使用LPDDR存儲器描述了上述實(shí)施例。然而，應(yīng)當(dāng)注意的是，本發(fā)明也可以應(yīng)用于其他類型的存儲器以及LPDDR存儲器。
[0086]通過以上實(shí)施例可以看出，本申請?zhí)峁┝艘韵碌募夹g(shù)方案。
[0087]技術(shù)方案1.一種存儲器件的操作方法，包括以下步驟:
[0088]進(jìn)入修復(fù)模式；
[0089]響應(yīng)于所述修復(fù)模式的進(jìn)入而將設(shè)定數(shù)據(jù)的輸入路徑從設(shè)定路徑改變成修復(fù)路徑;
[0090]與設(shè)定命令一起接收所述設(shè)定數(shù)據(jù)；
[0091]在所述接收被重復(fù)設(shè)定的次數(shù)之后結(jié)束所述修復(fù)模式；
[0092]響應(yīng)于所述修復(fù)模式的結(jié)束而將所述設(shè)定數(shù)據(jù)的所述輸入路徑從所述修復(fù)路徑改變成所述設(shè)定路徑；以及
[0093]利用所述設(shè)定數(shù)據(jù)而將用于所述存儲器件的缺陷存儲器單元的修復(fù)地址編程至非易失性存儲器。
[0094]技術(shù)方案2.如技術(shù)方案I所述的操作方法，其中，在與所述設(shè)定命令一起接收所述設(shè)定數(shù)據(jù)的步驟中，在時鐘的上升沿處傳送所述設(shè)定命令，而在所述時鐘的下降沿處傳送所述設(shè)定數(shù)據(jù)。
[0095]技術(shù)方案3.如技術(shù)方案I所述的操作方法，其中，在所述存儲器件的存儲器陣列中，與編程至所述非易失性存儲器的所述修復(fù)地址相對應(yīng)的存儲器單元用冗余存儲器單元來代替。
[0096]技術(shù)方案4.如技術(shù)方案I所述的操作方法，其中，所述存儲器件包括LPDDR低功率雙倍數(shù)據(jù)速率存儲器件。
[0097]技術(shù)方案5.—種存儲器件,包括:
[0098]命令輸入單元，所述命令輸入單元適用于接收一個或更多個命令信號；
[0099]命令/地址輸入單元，所述命令/地址輸入單元適用于接收多個命令/地址信號；
[0100]命令解碼器，所述命令解碼器適用于對所述命令信號和所述命令/地址信號進(jìn)行解碼，以確定是否進(jìn)入修復(fù)模式并且產(chǎn)生設(shè)定命令；
[0101]設(shè)定電路，所述設(shè)定電路適用于:響應(yīng)于不同于所述修復(fù)模式的其它模式中的所述設(shè)定命令，而利用通過所述命令/地址輸入單元輸入的信號來設(shè)定所述存儲器件；以及
[0102]非易失性存儲器電路，所述非易失性存儲器電路適用于:響應(yīng)于所述修復(fù)模式中的所述設(shè)定命令，而利用通過所述命令/地址輸入單元輸入的信號來編程用于所述存儲器件的缺陷存儲器單元的修復(fù)地址。
[0103]技術(shù)方案6.如技術(shù)方案5所述的存儲器件,還包括:
[0104]存儲器陣列，所述存儲器陣列包括多個存儲器單元；
[0105]寄存器，所述寄存器適用于在所述存儲器件的初始操作中接收并存儲所述非易失性存儲器電路中存儲的所述修復(fù)地址；以及
[0106]修復(fù)電路，所述修復(fù)電路適用于將所述存儲器陣列中的與所述寄存器中存儲的所述修復(fù)地址相對應(yīng)的存儲器單元用冗余存儲器單元來代替。
[0107]技術(shù)方案7.如技術(shù)方案5所述的存儲器件，其中，所述非易失性存儲器電路包括:
[0108]非易失性存儲器；
[0109]多個管道鎖存器，所述多個管道鎖存器適用于存儲通過所述命令/地址輸入單元輸入的信號的設(shè)定數(shù)據(jù)；
[0110]地址/數(shù)據(jù)分類部，所述地址/數(shù)據(jù)分類部適用于將存儲在所述多個管道鎖存器中的所述設(shè)定數(shù)據(jù)分類成地址和數(shù)據(jù)；以及
[0111]控制部，所述控制部適用于:控制通過所述地址/數(shù)據(jù)分類部分類的所述數(shù)據(jù)以被編程至所述非易失性存儲器中的由所述地址/數(shù)據(jù)分類部分類的所述地址所表示的位置。
[0112]技術(shù)方案8.如技術(shù)方案5所述的存儲器件，其中，所述命令解碼器通過解碼來確定是否進(jìn)入所述修復(fù)模式，在進(jìn)入所述修復(fù)模式時激活修復(fù)模式信號。
[0113]技術(shù)方案9.如技術(shù)方案8所述的存儲器件，還包括:
[0114]路徑選擇單元，所述路徑選擇單元適用于:響應(yīng)于所述修復(fù)模式信號，而將通過所述命令/地址輸入單元輸入的所述信號傳送至所述設(shè)定電路或者所述非易失性存儲器電路。
[0115]技術(shù)方案10.如技術(shù)方案8所述的存儲器件，其中，在進(jìn)入所述修復(fù)模式之后所述設(shè)定命令被激活設(shè)定的次數(shù)時，所述命令解碼器去激活所述修復(fù)模式信號。
[0116]技術(shù)方案11.如技術(shù)方案5所述的存儲器件，其中，所述存儲器件包括LPDDR低功率雙倍數(shù)據(jù)速率存儲器件。
[0117]技術(shù)方案12.—種存儲系統(tǒng)的操作方法，包括以下步驟:
[0118]響應(yīng)于從存儲器控制器輸入的一個或更多個控制信號而確定存儲器件是否進(jìn)入修復(fù)模式；
[0119]基于對于所述存儲器件進(jìn)入所述修復(fù)模式的確定，來改變所述控制信號在所述存儲器件中的輸入路徑；
[0120]在所述修復(fù)模式中將設(shè)定數(shù)據(jù)作為所述控制信號而從所述存儲器控制器向所述存儲器件施加設(shè)定的次數(shù)；以及
[0121]利用所述設(shè)定數(shù)據(jù)而將所述存儲器件的缺陷存儲器單元的修復(fù)地址編程至所述存儲器件的非易失性存儲器。
[0122]技術(shù)方案13.如技術(shù)方案12所述的操作方法，還包括以下步驟:
[0123]在施加所述設(shè)定數(shù)據(jù)之后，結(jié)束所述存儲器件的修復(fù)模式；以及
[0124]在結(jié)束所述修復(fù)模式之后，改變所述控制信號在所述存儲器件中的輸入路徑。
[0125]技術(shù)方案14.如技術(shù)方案12所述的操作方法，其中，所述控制信號包括一個或更多個命令信號和命令/地址信號。
【權(quán)利要求】
1.一種存儲器件的操作方法，包括以下步驟: 進(jìn)入修復(fù)模式； 響應(yīng)于所述修復(fù)模式的進(jìn)入而將設(shè)定數(shù)據(jù)的輸入路徑從設(shè)定路徑改變成修復(fù)路徑； 與設(shè)定命令一起接收所述設(shè)定數(shù)據(jù)； 在所述接收被重復(fù)設(shè)定的次數(shù)之后結(jié)束所述修復(fù)模式； 響應(yīng)于所述修復(fù)模式的結(jié)束而將所述設(shè)定數(shù)據(jù)的所述輸入路徑從所述修復(fù)路徑改變成所述設(shè)定路徑；以及 利用所述設(shè)定數(shù)據(jù)而將用于所述存儲器件的缺陷存儲器單元的修復(fù)地址編程至非易失性存儲器。
2.如權(quán)利要求1所述的操作方法，其中，在與所述設(shè)定命令一起接收所述設(shè)定數(shù)據(jù)的步驟中，在時鐘的上升沿處傳送所述設(shè)定命令，而在所述時鐘的下降沿處傳送所述設(shè)定數(shù)據(jù)。
3.如權(quán)利要求1所述的操作方法，其中，在所述存儲器件的存儲器陣列中，與編程至所述非易失性存儲器的所述修復(fù)地址相對應(yīng)的存儲器單元用冗余存儲器單元來代替。
4.如權(quán)利要求1所述的操作方法，其中，所述存儲器件包括LPDDR低功率雙倍數(shù)據(jù)速率存儲器件。
5.—種存儲器件,包括: 命令輸入單元，所述命令輸入單元適用于接收一個或更多個命令信號； 命令/地址輸入單元，所述命令/地址輸入單元適用于接收多個命令/地址信號；命令解碼器，所述命令解碼器適用于對所述命令信號和所述命令/地址信號進(jìn)行解碼，以確定是否進(jìn)入修復(fù)模式并且產(chǎn)生設(shè)定命令； 設(shè)定電路，所述設(shè)定電路適用于:響應(yīng)于不同于所述修復(fù)模式的其它模式中的所述設(shè)定命令，而利用通過所述命令/地址輸入單元輸入的信號來設(shè)定所述存儲器件；以及 非易失性存儲器電路，所述非易失性存儲器電路適用于:響應(yīng)于所述修復(fù)模式中的所述設(shè)定命令，而利用通過所述命令/地址輸入單元輸入的信號來編程用于所述存儲器件的缺陷存儲器單元的修復(fù)地址。
6.如權(quán)利要求5所述的存儲器件，還包括: 存儲器陣列，所述存儲器陣列包括多個存儲器單元； 寄存器，所述寄存器適用于在所述存儲器件的初始操作中接收并存儲所述非易失性存儲器電路中存儲的所述修復(fù)地址；以及 修復(fù)電路，所述修復(fù)電路適用于將所述存儲器陣列中的與所述寄存器中存儲的所述修復(fù)地址相對應(yīng)的存儲器單元用冗余存儲器單元來代替。
7.如權(quán)利要求5所述的存儲器件，其中，所述非易失性存儲器電路包括: 非易失性存儲器； 多個管道鎖存器，所述多個管道鎖存器適用于存儲通過所述命令/地址輸入單元輸入的信號的設(shè)定數(shù)據(jù)； 地址/數(shù)據(jù)分類部，所述地址/數(shù)據(jù)分類部適用于將存儲在所述多個管道鎖存器中的所述設(shè)定數(shù)據(jù)分類成地址和數(shù)據(jù)；以及 控制部，所述控制部適用于:控制通過所述地址/數(shù)據(jù)分類部分類的所述數(shù)據(jù)以被編程至所述非易失性存儲器中的由所述地址/數(shù)據(jù)分類部分類的所述地址所表示的位置。
8.如權(quán)利要求5所述的存儲器件，其中，所述命令解碼器通過解碼來確定是否進(jìn)入所述修復(fù)模式，在進(jìn)入所述修復(fù)模式時激活修復(fù)模式信號。
9.如權(quán)利要求8所述的存儲器件，還包括: 路徑選擇單元，所述路徑選擇單元適用于:響應(yīng)于所述修復(fù)模式信號，而將通過所述命令/地址輸入單元輸入的所述信號傳送至所述設(shè)定電路或者所述非易失性存儲器電路。
10.如權(quán)利要求8所述的存儲器件，其中，在進(jìn)入所述修復(fù)模式之后所述設(shè)定命令被激活設(shè)定的次數(shù)時，所述命令解碼器去激活所述修復(fù)模式信號。
【文檔編號】G11C16/06GK104517643SQ201410119959
【公開日】2015年4月15日 申請日期:2014年3月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月7日
【發(fā)明者】李周炫 申請人:愛思開海力士有限公司