電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器以及操作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明揭示了一種電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器的操作方法，包括：選擇需進(jìn)行擦除操作的所述存儲(chǔ)單元；需擦除的所述存儲(chǔ)單元耦合的位線施加第一電壓，需擦除的所述存儲(chǔ)單元耦合的字線施加第二電壓，需擦除的所述存儲(chǔ)單元耦合的控制柵施加第三電壓，以對(duì)需擦除的所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除操作；其中，所述第一電壓與所述第三電壓之間的電壓差大于所述第二電壓與所述第三電壓之間的電壓差。本發(fā)明還揭示了一種使用上述的操作方法的電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器。采用本操作方法的電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器無(wú)需設(shè)置開(kāi)關(guān)單元，即可實(shí)現(xiàn)所述存儲(chǔ)單元的擦除操作，并且同一行的其它所述存儲(chǔ)單元不受影響，從而節(jié)約電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器的面積。
【專(zhuān)利說(shuō)明】電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器以及操作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器以及操作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]集成電路技術(shù)自上世紀(jì)40年代以來(lái)發(fā)展迅速，極大地改善了人們的生活。摩爾定律指出，隨著工藝水平的進(jìn)步，單片集成電路上可以集成的晶體管數(shù)目大約每三年增加四倍。
[0003]存儲(chǔ)器是集成電路的一個(gè)重要分支，是所有電子系統(tǒng)的核心單元。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分為揮發(fā)性存儲(chǔ)器和非揮發(fā)性存儲(chǔ)器兩類(lèi)，兩者的區(qū)別是去掉電源電壓后揮發(fā)性存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)丟失，而非揮發(fā)性存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)依然能保持。非揮發(fā)性存儲(chǔ)器有多種類(lèi)型，如紫外線擦除可編程存儲(chǔ)器、電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(Electrically Erasable Programmable ReadOnly Memory，簡(jiǎn)稱(chēng)EEPROM)以及閃存等。與其他類(lèi)型非揮發(fā)性存儲(chǔ)器相比，EEPROM具有以下優(yōu)點(diǎn)？很好的編程粒度，很小的功耗，允許大量的存儲(chǔ)單元同時(shí)擦寫(xiě)以減少測(cè)試時(shí)間，可擦寫(xiě)次數(shù)多等等。所以，EEPROM更適合用在非揮發(fā)性存儲(chǔ)器容量要求小、要求電路功耗小且可擦寫(xiě)次數(shù)多的場(chǎng)合，比如蜂窩電話、汽車(chē)、計(jì)算機(jī)通訊產(chǎn)品和消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品等等。
[0004]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器的陣列結(jié)構(gòu)圖。如圖1所示，電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器的陣列包括P
[0005]多行及多列存儲(chǔ)單元(如Cl、C2和C3)；
[0006]多個(gè)字線(WL〈0>?WL〈n>)，其耦合到多行存儲(chǔ)單元，與各存儲(chǔ)單元的柵極連接，通過(guò)預(yù)充電電路提供的字線電壓控制各行存儲(chǔ)單元的選通情況；
[0007]多個(gè)位線(BL〈0>?BL〈k>)，其耦合到多列存儲(chǔ)單元，與各存儲(chǔ)器單元的有源電極(S/D)連接，通過(guò)控制相鄰兩位線的電壓控制各列存儲(chǔ)單元的編程及讀寫(xiě)動(dòng)作。
[0008]圖2為圖1中存儲(chǔ)單元Cl的示意圖。如圖2所示，存儲(chǔ)單元Cl位于半導(dǎo)體襯底10上，存儲(chǔ)單元Cl具有:與位線30(BL〈0>)連接在一起的漏極11，與字線WL〈1>連接在一起的選擇柵40，用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的浮柵21和控制柵22，選擇柵40與浮柵21和控制柵22間有絕緣物50間隔。存儲(chǔ)單元Cl在編程過(guò)程中，電子從漏極11進(jìn)入浮柵21 ;存儲(chǔ)單元Cl在擦除過(guò)程中，電子從浮柵21進(jìn)入選擇柵40，從而從字線WL〈1>流出。
[0009]一般的，存儲(chǔ)單元Cl在擦除過(guò)程中，在字線WL〈1>上施加8V左右的電壓，存儲(chǔ)單元Cl的控制柵22施加-7V左右的電壓，其余的字線上施加OV左右的電壓，所有的位線上施加OV左右的電壓，使得存儲(chǔ)單元Cl的浮柵21中的電子從字線WL〈1>流出；與存儲(chǔ)單元Cl不同行的存儲(chǔ)單元，以存儲(chǔ)單元C2為例，存儲(chǔ)單元C2的字線WL〈0>上施加OV左右的電壓，存儲(chǔ)單元C2的控制柵22施加OV左右的電壓，存儲(chǔ)單元C2的位線BL〈0>上施加OV左右的電壓，存儲(chǔ)單元Cl不被擦除；與存儲(chǔ)單元Cl同行的存儲(chǔ)單元，以存儲(chǔ)單元C3為例，存儲(chǔ)單元C3的字線WL〈1>上施加8V左右的電壓，存儲(chǔ)單元C2的控制柵22施加-7V左右的電壓，存儲(chǔ)單元C3的位線BL〈0>上施加OV左右的電壓，為了使存儲(chǔ)單元C3不被擦除，需要使存儲(chǔ)單元C3的選擇柵40的電壓為0，所以，在現(xiàn)有技術(shù)中，會(huì)在存儲(chǔ)單元Cl與存儲(chǔ)單元C3之間加入開(kāi)關(guān)單元SI，如圖3所示，使得存儲(chǔ)單元C3的選擇柵40的電壓為O。
[0010]然而，由于設(shè)置了開(kāi)關(guān)單元SI，使得電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器的陣列的面積增大，增加電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器的成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]本發(fā)明的目的在于，提供一種電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器以及操作方法，可以降低電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器的面積。
[0012]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器的操作方法，所述電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器包括:多行及多列存儲(chǔ)單元；多個(gè)字線，所述多個(gè)字線耦合到所述多行存儲(chǔ)單元；多個(gè)位線，所述多個(gè)位線耦合到所述多列存儲(chǔ)單元；多個(gè)控制柵，所述多個(gè)控制柵耦合到所述多行存儲(chǔ)單元；所述電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器的操作方法包括:
[0013]選擇需進(jìn)行擦除操作的所述存儲(chǔ)單元；
[0014]需擦除的所述存儲(chǔ)單元耦合的位線施加第一電壓，需擦除的所述存儲(chǔ)單元耦合的字線施加第二電壓，需擦除的所述存儲(chǔ)單元耦合的控制柵施加第三電壓，以對(duì)需擦除的所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除操作；
[0015]其中，所述第一電壓與所述第三電壓之間的電壓差大于所述第二電壓與所述第三電壓之間的電壓差。
[0016]進(jìn)一步的，所述存儲(chǔ)單元為雙浮柵、雙控制柵結(jié)構(gòu)，所述存儲(chǔ)單元包括用于存儲(chǔ)兩個(gè)相互獨(dú)立字節(jié)的兩個(gè)存儲(chǔ)子單元。
[0017]進(jìn)一步的，所述第一電壓的取值范圍為3V?8V。
[0018]進(jìn)一步的,所述第一電壓為5.5V。
[0019]進(jìn)一步的，所述第二電壓的取值范圍為OV?-5V。
[0020]進(jìn)一步的，所述第二電壓為-2V。
[0021]進(jìn)一步的，所述第三電壓的取值范圍為-4V?-10V。
[0022]進(jìn)一步的，所述第三電壓為-6.5V。
[0023]根據(jù)本發(fā)明的另一面，本發(fā)明還提供一種采用上述任意一種操作方法的電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器。
[0024]進(jìn)一步的，每行的存儲(chǔ)單元之間直接串聯(lián)連接。
[0025]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器的操作方法以及存儲(chǔ)器具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0026]在本發(fā)明提供的電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器以及操作方法中，在需擦除的所述存儲(chǔ)單元耦合的位線施加第一電壓，需擦除的所述存儲(chǔ)單元耦合的字線施加第二電壓，需擦除的所述存儲(chǔ)單元耦合的控制柵施加第三電壓，以對(duì)需擦除的所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除操作，其中，所述第一電壓與所述第三電壓之間的電壓差大于所述第二電壓與所述第三電壓之間的電壓差，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的操作方法，在所述存儲(chǔ)單元的漏極與控制柵之間形成一個(gè)較高的電壓差，在所述存儲(chǔ)單元的漏極與控制柵之間形成FN隧穿效應(yīng)，使得所述存儲(chǔ)單元的浮柵中存儲(chǔ)的電子從所述存儲(chǔ)單元的漏極流出，從而將電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器進(jìn)行擦除操作，在同一行的其它所述存儲(chǔ)單元中(與需擦除的所述存儲(chǔ)單元共用同一條字線的其它所述存儲(chǔ)單兀)，字線上施加第二電壓(一般小于OV的值)小于位線的電壓(一般不需擦除的所述存儲(chǔ)單元的字線的電壓為0V)，所以，不會(huì)進(jìn)行擦除操作，所以，采用本操作方法的電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器無(wú)需設(shè)置開(kāi)關(guān)單元，即可實(shí)現(xiàn)所述存儲(chǔ)單元的擦除操作，并且同一行的其它所述存儲(chǔ)單元不受影響，從而節(jié)約電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器的面積。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0027]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器的陣列結(jié)構(gòu)圖；
[0028]圖2為圖1中存儲(chǔ)單元的示意圖；
[0029]圖3為現(xiàn)有技術(shù)中開(kāi)關(guān)單元的示意圖；
[0030]圖4為本發(fā)明一實(shí)施例中存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)圖；
[0031]圖5為本發(fā)明一實(shí)施例中存儲(chǔ)單元的等效示意圖；
[0032]圖6為本發(fā)明一實(shí)施例中電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器的陣列結(jié)構(gòu)圖；
[0033]圖7為本發(fā)明一實(shí)施例中電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器在擦除過(guò)程中的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0034]下面將結(jié)合示意圖對(duì)本發(fā)明的電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器以及操作方法進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0035]為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠?huì)使本發(fā)明由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開(kāi)發(fā)中，必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開(kāi)發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開(kāi)發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的，但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)僅僅是常規(guī)工作。
[0036]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書(shū)，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的目的。
[0037]本發(fā)明的核心思想在于，提供一種電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器的操作方法，所述電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器包括:多行及多列存儲(chǔ)單元；多個(gè)字線，所述多個(gè)字線耦合到所述多行存儲(chǔ)單元；多個(gè)位線，所述多個(gè)位線耦合到所述多列存儲(chǔ)單元；多個(gè)控制柵，所述多個(gè)控制柵耦合到所述多行存儲(chǔ)單元；所述電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器的操作方法包括；選擇需進(jìn)行擦除操作的所述存儲(chǔ)單元；需擦除的所述存儲(chǔ)單元耦合的位線施加第一電壓，需擦除的所述存儲(chǔ)單元耦合的字線施加第二電壓，需擦除的所述存儲(chǔ)單元耦合的控制柵施加第三電壓，以對(duì)需擦除的所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除操作；其中，所述第一電壓與所述第三電壓之間的電壓差大于所述第二電壓與所述第三電壓之間的電壓差。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的操作方法，在所述存儲(chǔ)單元的漏極與控制柵之間形成一個(gè)較高的電壓差，在所述存儲(chǔ)單元的漏極與控制柵之間形成FN隧穿效應(yīng)，使得所述存儲(chǔ)單元的浮柵中存儲(chǔ)的電子從所述存儲(chǔ)單元的漏極流出，從而將電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器進(jìn)行擦除操作，在同一行的其它所述存儲(chǔ)單元中(與需擦除的所述存儲(chǔ)單元共用同一條字線的其它所述存儲(chǔ)單元)，字線上施加第二電壓(一般小于OV的值)小于位線的電壓(一般不需擦除的所述存儲(chǔ)單元的字線的電壓為0V)，所以，不會(huì)進(jìn)行擦除操作，所以，采用本操作方法的電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器無(wú)需設(shè)置開(kāi)關(guān)單元，即可實(shí)現(xiàn)所述存儲(chǔ)單元的擦除操作，并且同一行的其它所述存儲(chǔ)單元不受影響，從而節(jié)約電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器的面積。
[0038]以下結(jié)合具體實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明的核心思想。較佳的，在本實(shí)施例中，所述存儲(chǔ)單元為雙浮柵、雙控制柵結(jié)構(gòu)，所述存儲(chǔ)單元包括用于存儲(chǔ)兩個(gè)相互獨(dú)立字節(jié)的兩個(gè)存儲(chǔ)子單元。
[0039]如圖4所示，所述存儲(chǔ)單元包括兩個(gè)存儲(chǔ)子單元500、600，所述存儲(chǔ)單元位于半導(dǎo)體襯底100上，所述存儲(chǔ)單元具有與字線WL連接在一起的選擇柵400，選擇柵400與存儲(chǔ)子單元500、600間有絕緣氧化物700間隔，每一存儲(chǔ)子單元500、600均包括一用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的浮柵520/620和控制柵510/520，該存儲(chǔ)單元通過(guò)漏極110與位線200/300連接。該存儲(chǔ)單元可存儲(chǔ)兩個(gè)相互獨(dú)立的字節(jié)。所述存儲(chǔ)單元的等效示意圖如圖5所示，存儲(chǔ)子單元500,600等效為CellO和Celll，選擇柵400連接字線WL’，兩個(gè)漏極110分別與位線BL，O和位線BL，I連接，控制柵510/520等效為CG，O和CG，I。
[0040]圖6為本發(fā)明一實(shí)施例中電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器的陣列結(jié)構(gòu)圖。如圖6所示，電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器的陣列包括:
[0041]多行及多列存儲(chǔ)單元，所述存儲(chǔ)單元包括兩個(gè)存儲(chǔ)子單元(如CellO和Celll、Cell2 和 Cell3、Cell4 和 Cell5)；
[0042]多個(gè)字線(WL’〈0>~WL’ <n>)，其耦合到對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元，與各存儲(chǔ)單元的選擇柵連接；
[0043]多個(gè)位線(BL’〈0>~BL’〈k>)，其耦合到對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元，與各存儲(chǔ)器單元的漏極連接；
[0044]多個(gè)控制柵(CG’〈0>~CG’ <2η+1?，其耦合到對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元。
[0045]在本實(shí)施例中，將存儲(chǔ)子單元CellO選中進(jìn)行操作，則存儲(chǔ)子單元Cel 12和Cel 13為同列不同行(使用相同的位線以及不同的字線)的存儲(chǔ)單元，存儲(chǔ)子單元Cell4和Cell5為同行不同列(使用相同的字線以及不同的位線)的存儲(chǔ)單元。
[0046]在編程過(guò)程中，BL’〈0>施加3V~8V的電壓，例如5.5V，BL’ <1>施加編程電流，CG，〈0>施加6V~IOV的電壓，例如8V，CG，<1>施加3V~8V的電壓，例如5V，WL，〈0>施加IV~3V的電壓，例如1.5V，其余的字線、位線以及控制柵均為OVJlJ:
[0047]在存儲(chǔ)子單元CellO 中，BL’ <0>=5.5V，CG’ <0>=8V,ffL> <0>=1.5V,電子從漏極 110進(jìn)入浮柵520，實(shí)現(xiàn)編程過(guò)程；
[0048]在存儲(chǔ)子單元Celll中，BL’〈1>=編程電流，CG’ <1>=5V，WL’〈0>=1.5V，存儲(chǔ)子單兀Celll不被編程；
[0049]在存儲(chǔ)子單元Cell2 和 Cell3 中，BL’ <0>=5.5V，BL，〈1>=編程電流，CG’ <2n>=0V,CG，<2n+l>=0V, WL’ <n>=0V，存儲(chǔ)子單元 Cel 12 和 Cel 13 不被編程；
[0050]在存儲(chǔ)子單元Cell4 和 Cell5 中，BL’ <2>=0V, BL’ <3>=0V, CG’ <0>=8V, CG’ <1>=5V,WL，<0>=1.5V，存儲(chǔ)子單元Cell4和Cell5不被編程。
[0051 ] 在讀取過(guò)程中 ，BL’〈0>施加OV的電壓，BL’〈1>施加0.2V~2V的電壓，例如0.8V,CG，〈0>施加0V, CGj <1>施加3V~6V的電壓，例如4.5V，WL’〈0>施加3V~6V的電壓，例如4.5V，其余的字線、位線以及控制柵均為0V，則:
[0052]在存儲(chǔ)子單元CellO 中，BL’ <0>=0V, CG’ <0>=0V, WL’ <0>=4.5V，實(shí)現(xiàn)讀取過(guò)程；
[0053]在存儲(chǔ)子單元Celll 中，BL，<1>=0.8V, CG，<1>=4.5V, WL，<0>=4.5V，存儲(chǔ)子單元Celll不被讀取；
[0054]在存儲(chǔ)子單元Cell2 和 Cell3 中，BL，<0>=0V, BL，<1>=0.8V, CG，<2n>=0V,CG，<2n+l>=0V, WL’ <n>=0V，存儲(chǔ)子單元 Cel 12 和 Cel 13 不被讀?。?br> [0055]在存儲(chǔ)子單元Cell4和Cell5中，BL，<2>=0V(或懸空)，BL，<3>=0V(或懸空)，CG，<0>=0V，CG’ <1>=4.5V，WL’ <0>=4.5V，存儲(chǔ)子單元 Cell4 和 Cell5 不被讀取。 [0056]在擦除過(guò)程中，BL’〈0>施加第一電壓，WL’〈0>施加第二電壓，例如4.5V，CG’〈0>施加第三電壓，其余的字線、位線以及控制柵均為0V，其中，所述第一電壓與所述第三電壓之間的電壓差大于所述第二電壓與所述第三電壓之間的電壓差。
[0057]一般的，所述第一電壓為較高的電壓，所述第一電壓的取值范圍較佳的為3V~8V，如4V、5V、6V、7V，在本實(shí)施例中，所述第一電壓為5.5V。
[0058]一般的，所述第二電壓為中間值的電壓，所述第二電壓的取值范圍較佳的為OV~-5V，如-1V、-2V、-3V、-4V，在本實(shí)施例中，所述第二電壓為-2V。
[0059]一般的，所述第三電壓為較低的電壓，通常低于OV (其余位線上的電壓)，所述第二電壓的取值范圍較佳的為-4V~-1OVJn -5V、-6V、-7V、-8V、-9V，在本實(shí)施例中，所述第三電壓為-6.5V。
[0060]則在擦除過(guò)程中:
[0061]在存儲(chǔ)子單元CellO 中，BL，〈0>=5.5V, CG，〈0>=_6.5V, WL，<0>=~2V,電子從浮柵520進(jìn)入漏極110，如圖7所示，然后從位線200 (BL’〈O?流出，實(shí)現(xiàn)擦除過(guò)程；
[0062]在存儲(chǔ)子單元Celll 中，BL’ <1>=0V，CG’ <l>=0V,ffL> <0>=_2V，存儲(chǔ)子單元 Celll不被擦除；
[0063]在存儲(chǔ)子單元Cell2 和 Cell3 中，BL，〈0>=5.5V, BL，<1>=0V, CG，<2n>=0V,CG，<2n+l>=0V, WL’ <n>=0V，存儲(chǔ)子單元 Cel 12 和 Cel 13 不被擦除；
[0064]在存儲(chǔ)子單元Cel 14 和 Cel 15 中，BL，<2>=0V, BL，<3>=0V, CG，〈0>=_6.5V,CG，<1>=0V，WL’ <0>=-2V，存儲(chǔ)子單元 Cell4 和 Cell5 不被擦除。
[0065]本發(fā)明還提供一種采用上述任意一種操作方法的電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器。其中，每行的存儲(chǔ)單元之間直接串聯(lián)連接，無(wú)需設(shè)置開(kāi)關(guān)單元。所述電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器采用上述的操作方法，在所述存儲(chǔ)單元的漏極與控制柵之間形成一個(gè)較高的電壓差，在所述存儲(chǔ)單元的漏極與控制柵之間形成FN隧穿效應(yīng)，使得所述存儲(chǔ)單元的浮柵中存儲(chǔ)的電子從所述存儲(chǔ)單元的漏極流出，從而將電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器進(jìn)行擦除操作，在同一行的其它所述存儲(chǔ)單元中(與需擦除的所述存儲(chǔ)單元共用同一條字線的其它所述存儲(chǔ)單元)，字線上施加第二電壓(一般小于OV的值)小于位線的電壓(一般不需擦除的所述存儲(chǔ)單元的字線的電壓為0V)，所以，不會(huì)進(jìn)行擦除操作，所以，采用本操作方法的電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器無(wú)需設(shè)置開(kāi)關(guān)單元，即可實(shí)現(xiàn)所述存儲(chǔ)單元的擦除操作，并且同一行的其它所述存儲(chǔ)單元不受影響，從而節(jié)約電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器的面積。
[0066]當(dāng)然，所述電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器以及操作方法并不限于上述實(shí)施例，例如，所述存儲(chǔ)單元還可以只存儲(chǔ)一個(gè)字節(jié)，亦在本發(fā)明的思想范圍之內(nèi)。[0067]綜上所述，本發(fā)明提供一種電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器以及操作方法，所述電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器包括:多行及多列存儲(chǔ)單元；多個(gè)字線，所述多個(gè)字線耦合到所述多行存儲(chǔ)單元；多個(gè)位線，所述多個(gè)位線耦合到所述多列存儲(chǔ)單元；多個(gè)控制柵，所述多個(gè)控制柵耦合到所述多行存儲(chǔ)單元；所述電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器的操作方法包括:選擇需進(jìn)行擦除操作的所述存儲(chǔ)單元；需擦除的所述存儲(chǔ)單元耦合的位線施加第一電壓，需擦除的所述存儲(chǔ)單元耦合的字線施加第二電壓，需擦除的所述存儲(chǔ)單元耦合的控制柵施加第三電壓，以對(duì)需擦除的所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除操作；其中，所述第一電壓與所述第三電壓之間的電壓差大于所述第二電壓與所述第三電壓之間的電壓差。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的含有電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器以及操作方法具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0068]本發(fā)明的操作方法，在所述存儲(chǔ)單元的漏極與控制柵之間形成一個(gè)較高的電壓差，在所述存儲(chǔ)單元的漏極與控制柵之間形成FN隧穿效應(yīng)，使得所述存儲(chǔ)單元的浮柵中存儲(chǔ)的電子從所述存儲(chǔ)單元的漏極流出，從而將電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器進(jìn)行擦除操作，在同一行的其它所述存儲(chǔ)單元中(與需擦除的所述存儲(chǔ)單元共用同一條字線的其它所述存儲(chǔ)單元)，字線上施加第二電壓(一般小于OV的值)小于位線的電壓(一般不需擦除的所述存儲(chǔ)單元的字線的電壓為0V)，所以，不會(huì)進(jìn)行擦除操作，所以，采用本操作方法的電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器無(wú)需設(shè)置開(kāi)關(guān)單元，即可實(shí)現(xiàn)所述存儲(chǔ)單元的擦除操作，并且同一行的其它所述存儲(chǔ)單元不受影響，從而節(jié)約電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器的面積。
[0069]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器的操作方法，其特征在于，所述電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器包括:多行及多列存儲(chǔ)單元多個(gè)字線，所述多個(gè)字線耦合到所述多行存儲(chǔ)單元多個(gè)位線，所述多個(gè)位線耦合到所述多列存儲(chǔ)單元多個(gè)控制柵，所述多個(gè)控制柵耦合到所述多行存儲(chǔ)單元所述電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器的操作方法包括 選擇需進(jìn)行擦除操作的所述存儲(chǔ)單元 需擦除的所述存儲(chǔ)單元耦合的位線施加第一電壓，需擦除的所述存儲(chǔ)單元耦合的字線施加第二電壓，需擦除的所述存儲(chǔ)單元耦合的控制柵施加第三電壓，以對(duì)需擦除的所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除操作 其中，所述第一電壓與所述第三電壓之間的電壓差大于所述第二電壓與所述第三電壓之間的電壓差。
2.如權(quán)利要求1所述的電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器的操作方法，其特征在于，所述存儲(chǔ)單元為雙浮柵、雙控制柵結(jié)構(gòu)，所述存儲(chǔ)單元包括用于存儲(chǔ)兩個(gè)相互獨(dú)立字節(jié)的兩個(gè)存儲(chǔ)子單元。
3.如權(quán)利要求1所述的電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器的操作方法，其特征在于，所述第一電壓的取值范圍為3V?8V。
4.如權(quán)利要求3所述的電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器的操作方法，其特征在于，所述第一電壓為5.5V。
5.如權(quán)利要求1所述的電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器的操作方法，其特征在于，所述第二電壓的取值范圍為OV?-5V。
6.如權(quán)利要求5所述的電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器的操作方法，其特征在于，所述第二電壓為-2V。
7.如權(quán)利要求1所述的電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器的操作方法，其特征在于，所述第三電壓的取值范圍為-4V?-10V。
8.如權(quán)利要求1所述的電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器的操作方法，其特征在于，所述第三電壓為-6.5V。
9.一種采用權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的操作方法的電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器。
10.如權(quán)利要求9所述的電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器，其特征在于，每行的存儲(chǔ)單元之間直接串聯(lián)連接。
【文檔編號(hào)】G11C16/14GK103839587SQ201410098537
【公開(kāi)日】2014年6月4日 申請(qǐng)日期:2014年3月17日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月17日
【發(fā)明者】楊光軍, 胡劍 申請(qǐng)人:上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司