專利名稱：磁頭噪聲測(cè)試過(guò)程中的頻譜模擬方法及磁頭噪聲測(cè)試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及記錄磁盤驅(qū)動(dòng)單元，尤其涉及磁盤驅(qū)動(dòng)單元中的磁頭的噪聲測(cè)試方法，以及其中使用的頻譜模擬方法。更具體地，本發(fā)明涉及一種在較高頻率帶寬下利用靜態(tài)測(cè)試機(jī)測(cè)試磁頭噪聲的方法。
背景技術(shù)：
隨著磁盤驅(qū)動(dòng)裝置的容量逐漸增加、尺寸逐漸縮小，當(dāng)前需要更高靈敏度和高分辨率的薄膜型磁頭迎合此需求。例如，現(xiàn)廣泛應(yīng)用的巨磁效應(yīng)(GMR)薄膜型磁頭，其具有的GMR讀頭元件包括由磁化固定層和磁化自由層等的多層結(jié)構(gòu)；又如現(xiàn)正投入實(shí)際應(yīng)用的隧道磁阻效應(yīng)(TMR)薄膜型磁頭，其具有更高靈敏度和更高分辨率的TMR讀頭元件。在具有MR讀頭元件的薄膜型磁頭中，可能包含在其輸出中產(chǎn)生噪聲，如巴克豪森噪聲的不良磁頭。巴克豪森噪聲的產(chǎn)生主要是由于當(dāng)磁疇墻移動(dòng)時(shí)，磁疇墻在由MR讀頭元件組成的磁性薄膜上發(fā)生損壞，并被施加于MR讀頭元件上的壓力影響。由于該噪聲的產(chǎn)生，磁頭的性能會(huì)降低，例如，磁頭的飛行高度不穩(wěn)定，使得穩(wěn)定性下降，進(jìn)而讀取數(shù)據(jù)的性能也降低。因此，在磁頭產(chǎn)品投入使用之前必須進(jìn)行噪聲測(cè)試。其中一種常用的方法是通過(guò)測(cè)量相應(yīng)于流過(guò)磁頭的具有變化頻率帶寬的感應(yīng)電流而產(chǎn)生的噪聲從而判斷磁頭是否合格或不良。由此，可獲得磁頭的噪聲觀測(cè)圖并能測(cè)量出該磁頭的噪聲水平，從而判斷該磁頭是否合格。具體地，傳統(tǒng)的噪聲測(cè)試方法包括準(zhǔn)靜態(tài)測(cè)試和動(dòng)態(tài)測(cè)試方法。相應(yīng)地，在測(cè)試過(guò)程中分別使用的是準(zhǔn)靜態(tài)測(cè)試機(jī)和動(dòng)態(tài)測(cè)試機(jī)。其中，準(zhǔn)靜態(tài)測(cè)試機(jī)省時(shí)，效率高，但其只能在O 80MHz的頻率帶寬上測(cè)量磁頭噪聲。即，其電流頻率帶寬只能擴(kuò)展至80MHz，準(zhǔn)靜態(tài)測(cè)試機(jī)很難測(cè)試在高于80MHz的頻率帶寬上磁頭表現(xiàn)出來(lái)的噪聲。而動(dòng)態(tài)測(cè)試機(jī)則能在較寬的 頻率帶寬上測(cè)試磁頭噪聲，當(dāng)前，其能檢測(cè)噪聲的頻率帶寬能擴(kuò)展得很高，如1GHz，甚至依測(cè)試裝置的設(shè)定而擴(kuò)展得更高頻率帶寬。一般地，頻率帶寬和噪聲的關(guān)系可在噪聲觀測(cè)圖中呈現(xiàn)，其展示了磁頭的噪聲特征，從噪聲觀測(cè)圖則可計(jì)算出磁頭的噪聲水平。與準(zhǔn)靜態(tài)測(cè)試方法對(duì)比，動(dòng)態(tài)測(cè)試方法的精度更高，能檢測(cè)到磁頭在更高頻率帶寬上產(chǎn)生的噪聲。然而，動(dòng)態(tài)測(cè)試方法花費(fèi)的時(shí)間很長(zhǎng)，因此測(cè)試效率十分低，不符合批量磁頭的大批量測(cè)試。因此，亟待一種具有改進(jìn)的準(zhǔn)靜態(tài)測(cè)試方法，其能利用準(zhǔn)靜態(tài)測(cè)試機(jī)在更寬的頻率帶寬下測(cè)試磁頭的噪聲，以克服上述缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種磁頭噪聲測(cè)試過(guò)程中的頻譜模擬方法，其能模擬噪聲觀測(cè)圖的在較高頻率帶寬范圍下的第二噪聲曲線，并根據(jù)該第二噪聲曲線建立相關(guān)方程。本發(fā)明的另一目的在于提供一種使用頻譜模擬方法進(jìn)行的磁頭噪聲測(cè)試方法，其能用準(zhǔn)靜態(tài)測(cè)試機(jī)檢測(cè)磁頭在較高頻率帶寬下產(chǎn)生的噪聲，從而節(jié)省測(cè)試時(shí)間，提高測(cè)試效率并提高測(cè)試精度。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種用于磁頭噪聲測(cè)試的頻譜模擬方法，其特征在于，包括以下步驟:(11)采用一動(dòng)態(tài)測(cè)試機(jī)在第一頻率帶寬范圍內(nèi)對(duì)若干磁頭進(jìn)行檢測(cè)，從而獲得多個(gè)第一噪聲觀測(cè)圖； (22)在一預(yù)定頻率帶寬上將每一所述噪聲觀測(cè)圖劃分成至少兩段噪聲曲線，其包括第一噪聲曲線和第二噪聲曲線，其中所述第一噪聲曲線的頻率帶寬范圍低于所述第二噪聲曲線的頻率帶寬范圍；(33)將每一所述第二噪聲曲線擬合成數(shù)學(xué)方程；以及

(44)在多個(gè)所述數(shù)學(xué)方程之間建立一相關(guān)方程，從而模擬出每一磁頭的所述第二噪聲曲線。較佳地，步驟(33)中的所述數(shù)學(xué)方程和步驟(44)中的所述相關(guān)方程均為線性函數(shù)。作為一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，所述步驟(33)包括子步驟(331):將每一所述第二噪聲曲線擬合成直線，從而根據(jù)多個(gè)所述直線計(jì)算出多個(gè)斜率和多個(gè)截距；所述步驟(44)包括子步驟(441):根據(jù)多個(gè)所述斜率和多個(gè)所述截距建立第一線性函數(shù)。較佳地，所述步驟(44)還包括子步驟(442):在不同的預(yù)定頻率帶寬上重復(fù)所述步驟(22)，從而獲得多個(gè)所述第二噪聲曲線；重復(fù)所述子步驟(331)和(441)，從而建立多個(gè)不同的第一線性函數(shù)并獲得一個(gè)固定截距。較佳地，所述步驟(44)還包括子步驟(443):根據(jù)不同的所述第一線性函數(shù)建立第二線性函數(shù)，從而獲得所述預(yù)定頻率帶寬和所述第一線性函數(shù)的斜率之間的關(guān)系。較佳地，所述步驟(44)還包括子步驟(444):根據(jù)在所述子步驟(443)中建立的所述第二線性函數(shù)和在所述子步驟(442)中計(jì)算出的所述固定截距建立一顯示噪聲水平和所述預(yù)定頻率帶寬之間關(guān)系的通式。作為另一個(gè)實(shí)施例，所述第一頻率帶寬范圍是OHz 1GHz。較佳地，所述第一頻率帶寬范圍是OHz 300MHz，更佳地，作為又一實(shí)施例，所述預(yù)定頻率帶寬的取值范圍是OHz 200MHz，較佳地，所述預(yù)定頻率帶寬為80MHz。本發(fā)明提供一種采用上述的頻譜模擬方法的磁頭噪聲測(cè)試方法，包括以下步驟:(I)采用一靜態(tài)測(cè)試機(jī)在OHz至所述預(yù)定頻率帶寬之間的范圍內(nèi)對(duì)一磁頭進(jìn)行檢測(cè)，從而獲得第二噪聲觀測(cè)圖的第三噪聲曲線；(2)放大所述第三噪聲曲線，從而使得所述第三噪聲曲線的增益與所述第一噪聲觀測(cè)圖的所述第一噪聲曲線的增益相一致；以及(3)根據(jù)所述相關(guān)方程模擬出高于所述預(yù)定頻率帶寬的頻率帶寬上的所述第二噪聲觀測(cè)圖的第四噪聲曲線。其中，該模擬方法包括以下步驟:(11)采用一動(dòng)態(tài)測(cè)試機(jī)在第一頻率帶寬范圍內(nèi)對(duì)若干磁頭進(jìn)行檢測(cè)，從而獲得多個(gè)第一噪聲觀測(cè)(22)在一預(yù)定頻率帶寬上將每一所述噪聲觀測(cè)圖劃分成至少兩段噪聲曲線，其包括第一噪聲曲線和第二噪聲曲線，其中所述第一噪聲曲線的頻率帶寬范圍低于所述第二噪聲曲線的頻率帶寬范圍；(33)將每一所述第二噪聲曲線擬合成數(shù)學(xué)方程；以及(44)在多個(gè)所述數(shù)學(xué)方程之間建立一相關(guān)方程，從而模擬出每一磁頭的所述第二噪聲曲線。較佳地，步驟(33)中的所述數(shù)學(xué)方程和步驟(44)中的所述相關(guān)方程均為線性函數(shù)。作為一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，所述步驟(33)包括子步驟(331):將每一所述第二噪聲曲線擬合成直線，從而根據(jù)多個(gè)所述直線計(jì)算出多個(gè)斜率和多個(gè)截距；所述步驟(44)包括子步驟(441):根據(jù)多個(gè)所述斜率和多個(gè)所述截距建立第一線性函數(shù)。較佳地，所述步驟(44)還包括子步驟(442):在不同的預(yù)定頻率帶寬上重復(fù)所述步驟(22)，從而獲得多個(gè)所述第二噪聲曲線；重復(fù)所述子步驟(331)和(441)，從而建立多個(gè)不同的第一線性函數(shù)并獲得一個(gè)固定截距。較佳地，所述步驟(44)還包括子步驟(443):根據(jù)不同的所述第一線性函數(shù)建立第二線性函數(shù)，從而獲得所述預(yù)定頻率帶寬和所述第一線性函數(shù)的斜率之間的關(guān)系。較佳地，所述步驟(44)還包括子步驟(444):根據(jù)在所述子步驟(443)中建立的所述第二線性函數(shù)和在所述子步驟(442)中計(jì)算出的所述固定截距建立一顯示噪聲水平和所述預(yù)定頻率帶寬 之間關(guān)系的通式。作為另一個(gè)實(shí)施例，所述第一頻率帶寬范圍是OHz 1GHz。較佳地，所述第一頻率帶寬范圍是OHz 300MHz。作為又一實(shí)施例，所述預(yù)定頻率帶寬的取值范圍是OHz 200MHz。較佳地，所述預(yù)定頻率帶寬為80MHz。與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于本發(fā)明將噪聲觀測(cè)圖劃分呈較低頻率帶寬曲線和較高頻率帶寬曲線，并為較高頻率帶寬曲線模擬建立相關(guān)方程，因此，本發(fā)明能夠首先采用準(zhǔn)靜態(tài)測(cè)試機(jī)在較低頻率帶寬下檢測(cè)磁頭的噪聲曲線，繼而按照該相關(guān)方程模擬出在較高頻譜帶寬下的噪聲曲線，從而獲得磁頭在一個(gè)足夠的頻率帶寬范圍下的完整的噪聲觀測(cè)圖，此過(guò)程中無(wú)需使用動(dòng)態(tài)測(cè)試機(jī)。因此，僅用靜態(tài)測(cè)試機(jī)則能檢測(cè)出具有噪聲的不良磁頭，其花費(fèi)時(shí)間短、測(cè)試效率高而且測(cè)試精度高。通過(guò)以下的描述并結(jié)合附圖，本發(fā)明將變得更加清晰，這些附圖用于解釋本發(fā)明的實(shí)施例。


圖1展示了磁頭滑塊的立體圖，其與動(dòng)態(tài)測(cè)試機(jī)相連。圖2展示了本發(fā)明利用動(dòng)態(tài)測(cè)試機(jī)對(duì)多個(gè)磁頭樣品進(jìn)行噪聲檢測(cè)的噪聲觀測(cè)圖。圖3為本發(fā)明的磁頭噪聲檢測(cè)過(guò)程中的頻譜模擬方法的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。圖4展示了圖2所示的噪聲觀測(cè)圖中的第二噪聲曲線擬合成直線的情況。圖5展示了圖4所示的多條直線的斜率和截距之間的關(guān)系。圖6展不了預(yù)定頻率帶寬和表I所不的斜率之間的關(guān)系。
圖7為本發(fā)明的磁頭噪聲測(cè)試方法的一個(gè)實(shí)施例。圖8展示了本發(fā)明采用頻譜模擬方法進(jìn)行磁頭噪聲測(cè)試的測(cè)試精度。
具體實(shí)施例方式下面將參考附圖闡述本發(fā)明幾個(gè)不同的最佳實(shí)施例，其中不同圖中相同的標(biāo)號(hào)代表相同的部件。如上所述，本發(fā)明的實(shí)質(zhì)在于一種磁頭噪聲測(cè)試過(guò)程中的頻譜模擬方法以及使用頻譜模擬方法進(jìn)行的磁頭噪聲測(cè)試方法，其能用準(zhǔn)靜態(tài)測(cè)試機(jī)檢測(cè)磁頭在較高頻率帶寬下產(chǎn)生的噪聲，從而節(jié)省測(cè)試時(shí)間，提高測(cè)試效率并提高測(cè)試精度。圖1為單獨(dú)的磁頭滑塊，其展示了其上的磁頭，以及用于執(zhí)行磁頭噪聲測(cè)試的動(dòng)態(tài)測(cè)試機(jī)30。如圖所示，標(biāo)號(hào)20標(biāo)示為獨(dú)立分離的一個(gè)磁頭滑塊。磁頭滑塊20的尾面為元件形成表面20a，其上形成有一薄膜型磁頭210。在磁頭滑塊20上的與元件形成表面20垂直的面上形成空氣承載面(ABS) 20b從而獲得一個(gè)合適的飛行高度。該磁頭210包括用以從磁盤讀取數(shù)據(jù)信號(hào)的MR讀頭211和將數(shù)據(jù)信號(hào)寫進(jìn)磁盤的寫頭212。MR讀頭211與多個(gè)終端201相連以向MR讀頭211施加電流，MR讀頭211和動(dòng)態(tài)測(cè)試機(jī)30通過(guò)一對(duì)輸出端(圖未示)相連。在此情況下，通過(guò)向MR讀頭211施加變化的具體不同頻帶的電流，就能測(cè)量出MR讀頭211輸出中包含的如巴克豪森等噪聲，從而分辨出在特定環(huán)境下會(huì)產(chǎn)生噪聲的潛在問(wèn)題磁頭。圖2展示了本發(fā)明利用動(dòng)態(tài)測(cè)試機(jī)對(duì)多個(gè)磁頭樣品進(jìn)行噪聲檢測(cè)的噪聲觀測(cè)圖Pl Pn。X軸標(biāo)示頻率帶寬，Y軸標(biāo)示磁頭的噪聲水平。一般地，施加的電流的頻率帶寬越寬，磁頭的噪聲水平越低。本發(fā)明旨在模擬噪聲觀測(cè)圖的在較高頻率帶寬范圍下的噪聲曲線。下面對(duì)該模擬方法進(jìn)行詳細(xì)描述。圖3為本發(fā)明的磁頭噪聲檢測(cè)過(guò)程中的頻譜模擬方法的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。如圖所示，該頻譜模擬方法包括:步驟(301)，采用動(dòng)態(tài)測(cè)試機(jī)在第一頻率帶寬范圍內(nèi)對(duì)若干磁頭進(jìn)行檢測(cè)，從而獲得多個(gè)第一噪聲觀測(cè)圖；步驟(302)，在預(yù)定頻率帶寬上將每一噪聲觀測(cè)圖劃分成至少兩段噪聲曲線，其包括第一噪聲曲線和第二噪聲曲線，其中第一噪聲曲線的頻率帶寬范圍低于第二噪聲曲線的頻率帶寬范圍；步驟(303)，將每一第二噪聲曲線擬合成數(shù)學(xué)方程；以及步驟(304)，在多個(gè)數(shù)學(xué)方程之間建立一相關(guān)方程，從而模擬出每一磁頭的第二噪聲曲線。結(jié)合圖2所示，該第一頻率帶寬范圍是OHz 1GHz，較佳為OHz 300MHz。多個(gè)磁頭樣品的第一噪聲觀測(cè)圖Pl Pn在步驟(301)中獲得。在步驟(302)中，每一個(gè)第一噪聲觀測(cè)線Pl Pn在預(yù)定頻率帶寬上被分成兩段，包括第一噪聲曲線Fl Fn以及第二噪聲曲線SI Sn?？蛇x地，該第一噪聲觀測(cè)線Pl Pn可被劃分成兩段以上?？蛇x地，該預(yù)定頻率帶寬可在OHz 200MHz上取值。較佳地，該預(yù)定頻率帶寬取值為準(zhǔn)靜態(tài)測(cè)試機(jī)適用，如50MHz或80MHz等。在本實(shí)施例中，該預(yù)定頻率帶寬為80MHz。由此可見，第一噪聲曲線Fl Fn所在的頻率帶寬低于第二噪聲曲線SI Sn所在的頻率帶寬。在本實(shí)施例 中，步驟(303)中的數(shù)學(xué)方程和步驟(304)中的相關(guān)方程均為線性函數(shù)。具體地，步驟(303)包括將每一第二噪聲曲線擬合成直線，從而根據(jù)多個(gè)直線計(jì)算出多個(gè)斜率和多個(gè)截距。所述步驟(304)包括根據(jù)多個(gè)上述斜率和多個(gè)上述截距建立第一線性函數(shù)。在將噪聲觀測(cè)圖Pl Pn劃分之后，可見，第二噪聲曲線SI Sn呈現(xiàn)出線性函數(shù)的趨勢(shì)，因此，本發(fā)明將第二噪聲曲線SI Sn通過(guò)線性函數(shù)模擬出來(lái)。具體地，如圖4所示，將第二噪聲曲線Fl擬合成直線LI，類似地，將其他第二噪聲曲線F2 Fn分別擬合成直線L2 Ln。按照直線LI上的兩個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)，則可計(jì)算出該直線的斜率和截距。類似地，直線L2 Ln的斜率和截距均可計(jì)算出。而圖5則描繪出直線LI Ln的斜率和截距，其中，X軸表示直線LI Ln的截距，Y軸表示直線LI Ln的斜率。由此圖可建立出第一線性函數(shù):Y = -0.00162X+0.00046------------方程(I)因此，第二噪聲曲線SI Sn可由方程⑴模擬出。為提高模擬精度，以下描述基于上述實(shí)施例的較佳實(shí)施例。在本實(shí)施例中，設(shè)置有多個(gè)不同的預(yù)定頻率帶寬，例如50MHz、80MHz、IOOMHz、150MHz，180MHz和200MHz，但并不限于此。換言之，每一第一噪聲觀測(cè)圖Pl Pn分別在50MHz、80MHz、IOOMHz、150MHz，180MHz和200MHz的頻帶點(diǎn)上劃分成兩段。按照上述實(shí)施例的模擬方法，建立出多個(gè)不同的第一線性函數(shù)，而它們的斜率和截距分別展示在以下表I。表I
權(quán)利要求
1.一種用于磁頭噪聲測(cè)試的頻譜模擬方法，其特征在于，包括以下步驟: (11)采用一動(dòng)態(tài)測(cè)試機(jī)在第一頻率帶寬范圍內(nèi)對(duì)若干磁頭進(jìn)行檢測(cè)，從而獲得多個(gè)第一噪聲觀測(cè)圖； (22)在一預(yù)定頻率帶寬上將每一所述噪聲觀測(cè)圖劃分成至少兩段噪聲曲線，其包括第一噪聲曲線和第二噪聲曲線，其中所述第一噪聲曲線的頻率帶寬范圍低于所述第二噪聲曲線的頻率帶寬范圍； (33)將每一所述第二噪聲曲線擬合成數(shù)學(xué)方程；以及 (44)在多個(gè)所述數(shù)學(xué)方程之間建立一相關(guān)方程,從而模擬出每一磁頭的所述第二噪聲曲線。
2.如權(quán)利要求1所述的頻譜模擬方法，其特征在于:步驟(33)中的所述數(shù)學(xué)方程和步驟(44)中的所述相關(guān)方程均為線性函數(shù)。
3.如權(quán)利要求2所述的頻譜模擬方法，其特征在于:所述步驟(33)包括子步驟(331):將每一所述第二噪聲曲線擬合成直線，從而根據(jù)多個(gè)所述直線計(jì)算出多個(gè)斜率和多個(gè)截距；所述步驟(44)包括子步驟(441):根據(jù)多個(gè)所述斜率和多個(gè)所述截距建立第一線性函數(shù)。
4.如權(quán)利要求3所述的頻譜模擬方法，其特征在于:所述步驟(44)還包括子步驟(442):在不同的預(yù)定頻率帶寬上重復(fù)所述步驟(22)，從而獲得多個(gè)所述第二噪聲曲線；重復(fù)所述子步驟(331)和(441)，從而建立多個(gè)不同的第一線性函數(shù)并獲得一個(gè)固定截距。
5.如權(quán)利要求4所述的頻譜模擬方法，其特征在于:所述步驟(44)還包括子步驟(443):根據(jù)不同的所述第一線性函數(shù)建立第二線性函數(shù)，從而獲得所述預(yù)定頻率帶寬和所述第一線性函數(shù)的斜率之間的關(guān)系。
6.如權(quán)利要求5所述的頻譜模擬方法，其特征在于:所述步驟(44)還包括子步驟(444):根據(jù)在所述子步驟(443)中建立的所述第二線性函數(shù)和在所述子步驟(442)中計(jì)算出的所述固定截距建立一顯示噪聲水平和所述預(yù)定頻率帶寬之間關(guān)系的通式。
7.如權(quán)利要求1所述的頻譜模擬方法，其特征在于:所述第一頻率帶寬范圍是OHz IGHz。
8.如權(quán)利要求7所述的頻譜模擬方法，其特征在于:所述第一頻率帶寬范圍是OHz 300MHz ο
9.如權(quán)利要求1所述的頻譜模擬方法，其特征在于:所述預(yù)定頻率帶寬的取值范圍是OHz 200MHz。
10.如權(quán)利要求1所述的頻譜模擬方法，其特征在于:所述預(yù)定頻率帶寬為80MHz。
11.一種采用如權(quán)利要求1所述的頻譜模擬方法的磁頭噪聲測(cè)試方法，其特征在于，包括以下步驟: (1)采用一靜態(tài)測(cè)試機(jī)在OHz至所述預(yù)定頻率帶寬之間的范圍內(nèi)對(duì)一磁頭進(jìn)行檢測(cè)，從而獲得第二噪聲觀測(cè)圖的第三噪聲曲線； (2)放大所述第三噪聲曲線，從而使得所述第三噪聲曲線的增益與所述第一噪聲觀測(cè)圖的所述第一噪聲曲線的增益相一致；以及 (3)根據(jù)所述相關(guān)方程模擬出高于所述預(yù)定頻率帶寬的頻率帶寬上的所述第二噪聲觀測(cè)圖的第四噪聲曲線。
12.如權(quán)利要求11所述的磁頭噪聲測(cè)試方法，其特征在于:所述步驟(33)中的所述數(shù)學(xué)方程和步驟(44)中的所述相關(guān)方程均為線性函數(shù)。
13.如權(quán)利要求12所述的磁頭噪聲測(cè)試方法，其特征在于:所述步驟(33)包括子步驟(331):將每一所述第二噪聲曲線擬合成直線，從而根據(jù)多個(gè)所述直線計(jì)算出多個(gè)斜率和多個(gè)截距；所述步驟(44)包括子步驟(441):根據(jù)多個(gè)所述斜率和多個(gè)所述截距建立第一線性函數(shù)。
14.如權(quán)利要求13所述的磁頭噪聲測(cè)試方法，其特征在于:所述步驟(44)還包括子步驟(442):在不同的預(yù)定頻率帶寬上重復(fù)所述步驟(22)，從而獲得多個(gè)所述第二噪聲曲線；重復(fù)所述子步驟(331)和(441)，從而建立多個(gè)不同的第一線性函數(shù)并獲得一個(gè)固定截距。
15.如權(quán)利要求14所 述的磁頭噪聲測(cè)試方法，其特征在于:所述步驟(44)還包括子步驟(443):根據(jù)不同的所述第一線性函數(shù)建立第二線性函數(shù)，從而獲得所述預(yù)定頻率帶寬和所述第一線性函數(shù)的斜率之間的關(guān)系。
16.如權(quán)利要求15所述的磁頭噪聲測(cè)試方法，其特征在于:所述步驟(44)還包括子步驟(444):根據(jù)在所述子步驟(443)中建立的所述第二線性函數(shù)和在所述子步驟(442)中計(jì)算出的所述固定截距建立一顯示噪聲水平和所述預(yù)定頻率帶寬之間關(guān)系的通式。
17.如權(quán)利要求16所述的磁頭噪聲測(cè)試方法，其特征在于:還包括根據(jù)所述通式模擬所述第二噪聲觀測(cè)圖的所述第四噪聲曲線。
18.如權(quán)利要求11所述的磁頭噪聲測(cè)試方法，其特征在于:所述第一頻率帶寬范圍是OHz IGHz。
19.如權(quán)利要求11所述的磁頭噪聲測(cè)試方法，其特征在于:所述第一頻率帶寬范圍是OHz 300MHz。
20.如權(quán)利要求11所述的磁頭噪聲測(cè)試方法，其特征在于:所述預(yù)定頻率帶寬的取值范圍是OHz 200MHz。
21.如權(quán)利要求11所述的磁頭噪聲測(cè)試方法，其特征在于:所述預(yù)定頻率帶寬為80MHz ο
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于磁頭噪聲測(cè)試的頻譜模擬方法，包括以下步驟(11)采用一動(dòng)態(tài)測(cè)試機(jī)在第一頻率帶寬范圍內(nèi)對(duì)若干磁頭進(jìn)行檢測(cè)，從而獲得多個(gè)第一噪聲觀測(cè)圖；(22)在一預(yù)定頻率帶寬上將每一所述噪聲觀測(cè)圖劃分成至少兩段噪聲曲線，其包括第一噪聲曲線和第二噪聲曲線，其中所述第一噪聲曲線的頻率帶寬范圍低于所述第二噪聲曲線的頻率帶寬范圍；(33)將每一所述第二噪聲曲線擬合成數(shù)學(xué)方程；以及(44)在多個(gè)所述數(shù)學(xué)方程之間建立一相關(guān)方程，從而模擬出每一磁頭的所述第二噪聲曲線。本發(fā)明能模擬噪聲觀測(cè)圖的在較高頻率帶寬范圍下的第二噪聲曲線，并根據(jù)該第二噪聲曲線建立相關(guān)方程，從而節(jié)省測(cè)試時(shí)間，提高測(cè)試效率并提高測(cè)試精度。
文檔編號(hào)G11B5/455GK103247300SQ201210027288
公開日2013年8月14日 申請(qǐng)日期2012年2月8日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月8日
發(fā)明者林浩基, 雷卓文, 梁釗明, 張啟超, 陳華俊, 丁菊仁, 倪榮光 申請(qǐng)人:新科實(shí)業(yè)有限公司