專利名稱：一種基于msata接口的微固態(tài)硬盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種基于MSATA接口的微固態(tài)硬盤，屬于計算機存儲裝置類。
背景技術(shù)：
MSATA接口，是SATA-IO (SATA國際接口標(biāo)準(zhǔn)組織)發(fā)布的一種新型的接口標(biāo)準(zhǔn)， 帶MSATA接口的微固態(tài)硬盤在平板計算機、手機、Netbook, P0S、機上盒(STB)、打印機等領(lǐng) 域有著廣泛的應(yīng)用。現(xiàn)有市售的帶MSATA接口的微固態(tài)硬盤，一般包括PCB板，所述PCB板 上有主控芯片、電源模塊、NAND FLASH陣列芯片、EPROM存儲器、MSATA接插件，對于帶MSATA 接口的微固態(tài)硬盤來說，性能指標(biāo)主要包括持續(xù)讀寫速度以及隨機讀寫速度，還有讀寫速 度的穩(wěn)定性、小文件讀寫速度以及工作可靠性等指標(biāo)，現(xiàn)有市售的帶MSATA接口的微固態(tài) 硬盤的持續(xù)讀取水平一般為200MB/S、持續(xù)寫入水平一般為80MB/s，4KB隨機讀取水平一般 為25K I OPS, 4KB隨機寫入水平一般為2. 5K I OPS,這種性能的MSATA接口的微固態(tài)硬盤， 滿足一般的應(yīng)用需要還是可以，但顯然難以滿足高水平應(yīng)用的需要。在另一個方面，對于帶 MSATA接口的微固態(tài)硬盤來說，持續(xù)讀寫速度以及隨機讀寫速度雖說主要取決于主控芯片 和NAND FLASH陣列芯片的性能，但帶MSATA接口的微固態(tài)硬盤的性能和穩(wěn)定性也與電路的 方案，包括PCB板的方案有密切的關(guān)系，一般的帶MSATA接口的微固態(tài)硬盤的性能，在持續(xù) 讀寫速度以及隨機讀寫速度方面均達不到主控芯片的標(biāo)稱值，顯然是在電路安排和PCB板 的規(guī)劃和設(shè)計方面存在一定的問題，綜上所述，現(xiàn)有技術(shù)有進一步改進的必要。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的在于提供一種基于MSATA接口的微固態(tài)硬盤，以克服現(xiàn)有技術(shù) 存在的問題。本實用新型的一種基于MSATA接口的微固態(tài)硬盤，包括PCB板，所述PCB板上有主 控芯片、電源模塊、NAND FLASH陣列芯片、EPROM存儲器、MSATA接插件，所述主控芯片包括 MCU,FLASH控制模塊以及MSATA接口模塊，所述NAND FLASH陣列芯片通過FLASH控制模塊 與主控芯片連接，所述MSATA接口模塊與MSATA接插件連接，所述EPROM存儲器與MCU連 接，其特征在于還包括電壓監(jiān)控模塊，所述電壓監(jiān)控模塊的標(biāo)準(zhǔn)電壓信號輸入端接至主控 芯片、比較電壓輸入端接至電壓模塊，輸出接至主控芯片的重置輸入端。作為進一步改進或優(yōu)選，所述PCB板分為正面和反面，所述正面分為正面上區(qū)域 和正面下區(qū)域，所述反面分為反面上區(qū)域和反面下區(qū)域，所述NAND FLASH陣列芯片分別位 于PCB板的正面下區(qū)域和反面下區(qū)域上，所述主控芯片位于PCB板正面上區(qū)域中間的位置 上，所述電源模塊位于PCB板正面上區(qū)域的左側(cè)邊位置上，所述電壓監(jiān)控模塊位于PCB板的 反面上區(qū)域左側(cè)邊的位置上，所述EPROM存儲器位于PCB板的反面上區(qū)域右側(cè)邊上方位置 處，所述MSATA接插件位于PCB板的上側(cè)邊上。本實用新型發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，一般帶MSATA接口的微固態(tài)硬盤的工作不穩(wěn)定很大程度 上是由于工作電壓的不穩(wěn)定造成的，經(jīng)常由于工作電壓的不穩(wěn)定導(dǎo)致死機和數(shù)據(jù)丟失，本實用新型的一種基于MSATA接口的微固態(tài)硬盤，通過增設(shè)電壓監(jiān)控模塊來對電源模塊提供 的多路工作電壓進行監(jiān)控，任何一路工作電壓出現(xiàn)不穩(wěn)定的情況，所述電壓監(jiān)控模塊則輸 出一控制信號到主控芯片的重置輸入端，控制主控芯片重置，這樣有效解決了死機的問題， 同時也在很大程度上解決了數(shù)據(jù)丟失的問題。同時，本實用新型發(fā)明人還通過對PCB板上各主要芯片和器件的優(yōu)化安排，盡可 能地減少了由于PCB板上電路安排和規(guī)劃的不合理對MSATA接口的微固態(tài)硬盤所帶來的 影響，通過前述的設(shè)置和安排，本實用新型的一種基于MSATA接口的微固態(tài)硬盤在穩(wěn)定工 作以及在主控芯片采用SF-1200，同時采用MLC類型的NAND FLASH陣列芯片的情況下， 持續(xù)讀取能力達到了 200MB/S、持續(xù)寫入能力達到了 136MB/s，4KB隨機讀取能力達到了 30919 I0PS、4KB隨機寫入能力達到了 17228 I0PS，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的一種基 于MSATA接口的微固態(tài)硬盤，在持續(xù)寫入能力和4KB隨機寫入能力方面有顯著地進步，一般 來說，MLC類型的NAND FLASH陣列芯片的表現(xiàn)要差于SLC類型的NAND FLASH陣列芯片的 表現(xiàn)，為此，如果選用SLC類型的NAND FLASH,則這性能指標(biāo)將更好，顯然本實用新型的目 的得以實現(xiàn)。

圖1是本實用新型較佳實施例提供的一種基于MSATA接口的微固態(tài)硬盤系統(tǒng)結(jié)構(gòu) 框圖。圖2是本實用新型較佳實施例提供的一種基于MSATA接口的微固態(tài)硬盤PCB板正 面視圖。圖3是本實用新型較佳實施例提供的一種基于MSATA接口的微固態(tài)硬盤PCB板反 面視圖。各圖中，1為主控芯片、101為MCU、102為MSATA接口模塊、103為FLASH控制模塊、 2為NAND FLASH陣列芯片、3為電壓監(jiān)控模塊、4為電源模塊、5為MSATA接插件、6為EPROM 存儲器、7為PCB板、71為PCB板正面、72為PCB板反面、711為正面上區(qū)域、712為正面下區(qū) 域、721為反面上區(qū)域、722為反面下區(qū)域。
具體實施方式
以下將結(jié)合本實用新型較佳實施例提供的一種基于MSATA接口的微固態(tài)硬盤及 其附圖對本實用新型作進一步說明。本實用新型較佳實施例提供的一種基于MSATA接口的微固態(tài)硬盤，如附圖1、附圖 2、附圖3所示，包括PCB板7，所述PCB板7上有主控芯片1、電源模塊4、NAND FLASH陣列 芯片2、EPROM存儲器6、MSATA接插件5，所述主控芯片1包括MCUlOl、FLASH控制模塊103 以及MSATA接口模塊102，所述NAND FLASH陣列芯片2通過FLASH控制模塊103與主控芯 片1連接，所述MSATA接口模塊102與MSATA接插件5連接，所述EPROM存儲器6與MCUlOl 連接，其要點在于還包括電壓監(jiān)控模塊3，所述電壓監(jiān)控模塊3的標(biāo)準(zhǔn)電壓信號輸入端接至 主控芯片1、比較電壓輸入端接至電壓模塊4，輸出接至主控芯片1的重置輸入端。在本較佳實施例中，所述PCB板7分為正面71和反面72，所述正面71分為正面上 區(qū)域711和正面下區(qū)域712，所述反面72分為反面上區(qū)域721和反面下區(qū)域722，所述NANDFLASH陣列芯片2分別位于PCB板7的正面下區(qū)域712和反面下區(qū)域722上，所述主控芯 片1位于PCB板7正面上區(qū)域711中間的位置上，所述電源模塊4位于PCB板7正面上區(qū) 域711的左側(cè)邊位置上，所述電壓監(jiān)控模塊3位于PCB板7的反面上區(qū)域721左側(cè)邊的位 置上，所述EPROM存儲器6位于PCB板7的反面上區(qū)域721右側(cè)邊上方位置處，所述MSATA 接插件5位于PCB板7的上側(cè)邊上。綜上所述，本實用新型的一種基于MSATA接口的微固態(tài)硬盤，包括PCB板，所述PCB 板上有主控芯片、電源模塊、NAND FLASH陣列芯片、EPROM存儲器、MSATA接插件，其特征 在于還包括電壓監(jiān)控模塊，所述電壓監(jiān)控模塊的標(biāo)準(zhǔn)電壓信號輸入端接至主控芯片、比較 電壓輸入端接至電壓模塊，輸出接至主控芯片的重置輸入端，作為優(yōu)選，所述主控芯片位于 PCB板正面上區(qū)域中間的位置上，所述NAND FLASH陣列芯片分別位于PCB板的正面下區(qū)域 和反面下區(qū)域上，本實用新型相對現(xiàn)有技術(shù)提升了帶MSATA接口的微固態(tài)硬盤的性能和可 靠性。以上所述，僅為本實用新型的具體實施方式
。但本實用新型保護范圍并不局限于 此。任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實用新型披露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化 或替換，都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)，因此，本實用新型的保護范圍應(yīng)以權(quán)利要 求的保護范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種基于MSATA接口的微固態(tài)硬盤，包括PCB板，所述PCB板上有主控芯片、電源模 塊、NAND FLASH陣列芯片、EPROM存儲器、MSATA接插件，所述主控芯片包括MCU、FLASH控 制模塊以及MSATA接口模塊，所述NAND FLASH陣列芯片通過FLASH控制模塊與主控芯片連 接，所述MSATA接口模塊與MSATA接插件連接，所述EPROM存儲器與MCU連接，其特征在于 還包括電壓監(jiān)控模塊，所述電壓監(jiān)控模塊的標(biāo)準(zhǔn)電壓信號輸入端接至主控芯片、比較電壓 輸入端接至電壓模塊，輸出接至主控芯片的重置輸入端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于MSATA接口的微固態(tài)硬盤，其特征在于所述PCB板 分為正面和反面，所述正面分為正面上區(qū)域和正面下區(qū)域，所述反面分為反面上區(qū)域和反 面下區(qū)域，所述NAND FLASH陣列芯片分別位于PCB板的正面下區(qū)域和反面下區(qū)域上，所述 主控芯片位于PCB板正面上區(qū)域中間的位置上，所述電源模塊位于PCB板正面上區(qū)域的左 側(cè)邊位置上，所述電壓監(jiān)控模塊位于PCB板的反面上區(qū)域左側(cè)邊的位置上，所述EPROM存儲 器位于PCB板的反面上區(qū)域右側(cè)邊上方位置處，所述MSATA接插件位于PCB板的上側(cè)邊上。
專利摘要本實用新型的一種基于MSATA接口的微固態(tài)硬盤，包括PCB板，所述PCB板上有主控芯片、電源模塊、NANDFLASH陣列芯片、EPROM存儲器、MSATA接插件，其特征在于還包括電壓監(jiān)控模塊，所述電壓監(jiān)控模塊的輸出接至主控芯片的重置輸入端，作為優(yōu)選，所述主控芯片位于PCB板正面上區(qū)域中間的位置上，所述NANDFLASH陣列芯片分別位于PCB板的正面下區(qū)域和反面下區(qū)域上，本實用新型相對現(xiàn)有技術(shù)提升了帶MSATA接口的微固態(tài)硬盤的性能和可靠性。
文檔編號G11C7/10GK201936611SQ20112002797
公開日2011年8月17日 申請日期2011年1月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月27日
發(fā)明者楚一兵 申請人:楚一兵