專利名稱：光信息記錄媒體用記錄層和光信息記錄媒體的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及光信息記錄媒體用記錄層和光信息記錄媒體。
背景技術(shù)：
光信息記錄媒體(光盤)由⑶、DVD、BD這樣的光盤代表，根據(jù)記錄再生方式，被大致區(qū)分為只讀型、追記型、重寫型三類。其中，追記型的光盤的記錄方式，主要被大致區(qū)分為如下方式使記錄層相變的相變方式；使多個記錄層反應的層間反應方式；使構(gòu)成記錄層的化合物分解的分解方式；使記錄層上局部性地形成孔和凹坑等的記錄標記的開孔方式。在所述相變方式中，作為記錄層的材料提出的是，利用了基于記錄層的結(jié)晶化造成光學特性變化的材料。例如在專利文獻1中，提出了含有Te-0-M(M為從金屬元素、半金屬元素和半導體元素中選出的至少一種元素)的記錄層，在專利文獻2中，提出了含有Sb 和Te的記錄層。作為所述層間反應方式的光信息記錄媒體的記錄層，例如在專利文獻3中提出有一種記錄層，其使第一記錄層由含有h-0-(Ni、Mn、Mo)的合金構(gòu)成，并且使第二記錄層由含有％和/或Te元素、0(氧)、以及從Ti、Pd、&之中選出的一個元素的合金構(gòu)成。另外在專利文獻4中提出，第一記錄層含有以h為主成分的金屬，第二記錄層含有屬于5B或6B 族元素的至少一種元素，層疊氧化物以外的金屬或非金屬，通過加熱帶來的反應或合金化進行記錄。作為分解構(gòu)成所述記錄層的化合物的分解方式的記錄層，例如在專利文獻5中， 公開了以氮化物為主成分的記錄層，其研究的是，通過加熱來分解該氮化物，從而進行記錄的材料和有機色素材料。作為所述開孔方式的記錄層，研究了由低熔點金屬材料構(gòu)成的記錄層。例如在專利文獻6中，提出有一種由在Sn合金中添加有:3B族、4B族、5B族的元素的合金構(gòu)成的記錄層。另外在專利文獻7中，提出有一種由Sn基合金構(gòu)成的記錄層，該Sn基合金在1 50 原子％的范圍內(nèi)含有Ni和/或Co。此外在專利文獻8中公開有一種由h合金構(gòu)成的記錄層，該h合金含有20 65原子％的Co，其中還含有從Sn、Bi、Ge、Si中選出的一種以上的元素19原子％以下。另外在專利文獻9中公開有一種記錄層，其由Pd、Ag、0構(gòu)成，該Pd、 Ag、0的原子數(shù)的比率被控制在規(guī)定范圍內(nèi)。專利文獻1特開2005-135568號公報專利文獻2特開2003-331461號公報專利文獻3特開2003-3^848號公報專利文獻4日本專利第34997M號公報專利文獻5國際公開第2003/101750號手冊專利文獻6特開2002-22M33號公報專利文獻7特開2007-196683號公報專利文獻8日本專利第4110194號公報
專利文獻9特開2005-238516號公報在光信息記錄媒體所要求的需求特性中，要求的有通過寫入激光的入射，具有記錄信號再生充分的信號振幅(高調(diào)制度)；信號強度高(高C/N比)；難以產(chǎn)生劣化和環(huán)境劣化的高耐久性。C/N比是載波噪聲比(Carrier to Noise ratio)的意思，讀取時的信號和背景的噪音輸出級別的比。作為上述現(xiàn)有技術(shù)所公開的記錄材料，以記錄材料單體難以滿足這些要求。在相變方式中，記錄層單獨的反射率低，所以應該提高光盤狀態(tài)下的反射率，需要反射膜，并且為了增加調(diào)制度，需要在記錄層的上下設置SiS-SiO2等電介體層(電介質(zhì)膜)，構(gòu)成光盤的層數(shù)增多，生產(chǎn)率差。由于層間反應方式也需要多層記錄層，因此構(gòu)成光盤的層數(shù)增多，生產(chǎn)率差。在分解方式中，作為記錄層，使用有機色素材料的光信息記錄媒體被廣泛使用，但是，因為難以吸收藍色激光和藍紫色激光這樣短波長GOOnm附近)的可見光線，所以得不到良好的記錄信息，不能提高記錄密度。另外，使用了有機色素材料的光信息記錄媒體，抑制日光等的光造成的劣化和長期保存造成的劣化有困難。相對于此，所述開孔方式，因為記錄層自身的反射率高，并且也能夠確保大的調(diào)制度，所以能夠降低構(gòu)成光盤的層數(shù)，但要達成更高的記錄靈敏度時，還需要進一步研究。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于這種情況而做，其目的在于，提供一種既能夠降低光盤的層數(shù)，又滿足上述要求特性，能夠提高光信息記錄媒體的生產(chǎn)率的光信息記錄媒體用記錄層，和具有該記錄層的光信息記錄媒體。能夠解決上述課題的本發(fā)明，是光信息記錄媒體用記錄層，即通過激光的照射而進行記錄的記錄層，其具有如下要旨含有Mn氧化物，在構(gòu)成所述記錄層中所含氧化物的全部金屬元素中所占的Mn的原子比為80原子％以下，并且不含金屬Mn。此外，也優(yōu)選的實施方式是，還含有從h氧化物、Zn氧化物、Sn氧化物和Cu氧化物構(gòu)成的群中選出的至少一種氧化物。本發(fā)明還包括光信息記錄媒體，其特征在于，具有所述光信息記錄媒體用記錄層。此外，本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，是一種光信息記錄媒體，其在所述光信息記錄媒體用記錄層之上和/或之下，層疊有電介體層。本發(fā)明的所述光記錄信息媒體，優(yōu)選不含金屬層。另外優(yōu)選的實施方式為，所述光信息記錄媒體，具有多層所述光信息記錄媒體用記錄層，并在多層光信息記錄媒體用記錄層的層間具有透明中間層。根據(jù)本發(fā)明，能夠提高實用性的記錄激光功率下的記錄靈敏度優(yōu)異的光信息記錄媒體用記錄層(特別是追記型光信息記錄媒體用記錄層)，和具有該記錄層的光信息記錄媒體(特別是追記型光信息記錄媒體)。還有，在本說明書中，所謂“記錄靈敏度優(yōu)異”，如后述的實施例一欄中所詳述的， 意思是，通過對記錄層照射激光(寫入激光)，即使是比較低的記錄激光功率，大致5 15mff,也能夠?qū)崿F(xiàn)高C/N比和高調(diào)制度。


圖1是表示實施例1制作的光信息記錄媒體的概略的模式圖。符號說明1 基板2、4電介體層3 記錄層5 透光層
具體實施例方式本發(fā)明者們，為了實現(xiàn)通過寫入激光的照射，記錄靈敏度優(yōu)異的追記型光信息記錄媒體用記錄層而進行了銳意研究。其結(jié)果發(fā)現(xiàn)，如果使用的記錄層，其含有與現(xiàn)有的記錄層不同的材料，即，其是含有Mn氧化物的記錄層，或是優(yōu)選含有Mn氧化物，和從^氧化物、 Zn氧化物、Sn氧化物和Cu氧化物構(gòu)成的群中選出的至少一種氧化物的記錄層，則能夠達成預期的目的。若對上述記錄層照射激光，則Mn氧化物被激光加熱分解，放出氧(O2氣)，在被激光照射的部分生成氣泡。其結(jié)果是，膜形狀變化，標記形成。如果采用這樣的伴隨著激光照射而來的氣泡生成的不可逆的記錄方式，則發(fā)現(xiàn)記錄靈敏度比以往提高，從而完成了本發(fā)明。在本發(fā)明的記錄層進行的記錄方式中，激光照射前的記錄層的構(gòu)造為非晶質(zhì)，在激光照射后也是非晶質(zhì)，這一點與相變方式不同，相變方式利用的是，非晶質(zhì)通過激光照射而變成結(jié)晶。作為本發(fā)明的記錄層記錄靈敏度優(yōu)異的理由被認為是，在通過激光照射而發(fā)生氣泡，進行標記形成的部分，與沒有發(fā)生氣泡的部分(即，未形成標記的部分)相比，透射率增加(即反射率降低)，從而能夠增大調(diào)制度。另外，如本發(fā)明通過在記錄層中含有Mn氧化物，與不含Mn氧化物的記錄層相比， 能夠加大膜的光吸收率，因此能夠?qū)懭牍獾募す獾哪芰扛咝实剞D(zhuǎn)換成熱能。此外在本發(fā)明中，在構(gòu)成記錄層所含的氧化物的全部金屬元素(優(yōu)選為Mn和從h、Zn、Sn和Cu構(gòu)成的群中選出的至少一種元素)中，因為適當控制著其中所占的Mn量的比(原子比)，所以能夠控制記錄所需要的激光功率。其結(jié)果是，根據(jù)本發(fā)明，在實用的記錄激光的功率(大致 5 15mW)，上述氧化Mn的分解被促進，能夠使記錄靈感度提高。還有，本發(fā)明的記錄層不含金屬Mn。這是由于，若金屬Mn包含在記錄層中，則金屬 Mn的氧化和分解進行，耐久性降低。因此，本發(fā)明的記錄層不含金屬Mn，從而能夠抑制記錄層因環(huán)境劣化造成的長期可靠性降低。根據(jù)本發(fā)明者們的研究結(jié)果，因為適當控制了上述 Mn量的比(原子比)，所以如后述的實施例所示，能夠得到良好的特性。以下，詳細說明本發(fā)明的記錄層的結(jié)構(gòu)。在本說明書中，為了說明的方便，有將從 In、Zn、Sn和Cu構(gòu)成群出選出的至少一種元素稱為X群元素的情況如前述，本發(fā)明的記錄層，是通過激光的照射進行記錄的記錄層，其特征在于，含有Mn氧化物。優(yōu)選的本發(fā)明的記錄層，含有Mn氧化物，和從h氧化物、Si氧化物、Sn氧化物和Cu氧化物構(gòu)成的群中選出的至少一種氧化物。如上述在記錄層中，不含金屬Mn。本發(fā)明的記錄層含有Mn氧化物，只要Mn氧化物的形態(tài)是通常存在的形態(tài)，則沒有特別限定。作為Mn氧化物，除了 MnO、Mn3O4, Mn203、MnO2等這樣由Mn和氧(0)構(gòu)成的氧化物以外，還可以列舉與上述記錄層中所含的其他元素(X群元素=^uZruSn和Cu的至少一種)的復合氧化物(X-Mnx-Oy)。在本發(fā)明的記錄層中，含有上述Mn氧化物，并且需要Mn在構(gòu)成記錄層所含的氧化物的全部金屬元素中所占的原子比為80原子％以下。若Mn被含有超過80原子％，則通過激光照射無法良好地形成氣泡，得不到記錄信號。本發(fā)明的記錄層，除了 Mn氧化物以外，也可以含有從h氧化物、Zn氧化物、Sn氧化物和Cu氧化物構(gòu)成的群中選出的至少一種氧化物。這些氧化物在膜折射率的控制和記錄靈敏度(調(diào)制度和C/N比)的控制上有用。h氧化物、Zn氧化物、Sn氧化物和Cu氧化物的形態(tài)也是通常存在的形態(tài)，沒有特別限定，例如對于h氧化物來說，可例示M2O3等，Zn 氧化物可例示ZnO等，Sn氧化物可例示SnO或SnA等，Cu氧化物可例示CuO、Cu2O等。在本發(fā)明中，含有上述氧化物的至少一種即可，可以分別單獨含有^氧化物、Si氧化物、Sn氧化物和Cu氧化物，也可以含有兩種以上的氧化物。其中優(yōu)選的氧化物是^氧化物。還有，記錄層中含有上述選擇氧化物，即h氧化物、Zn氧化物、Sn氧化物和Cu氧化物時，優(yōu)選不含它們的金屬元素(即，金屬金屬Si、金屬Sn、金屬Cu)。這是因為，這些金屬元素會從其他氧化物奪取氧而發(fā)生氧化，在這樣的情況下，會對記錄層的特性造成影響。為了得到記錄靈敏度優(yōu)異的記錄層，優(yōu)選在構(gòu)成形成本發(fā)明的記錄層的氧化物 (Mn氧化物，和優(yōu)選從h氧化物、Si氧化物、Sn氧化物和Cu氧化物構(gòu)成的群中選出的至少一種氧化物)的金屬元素(Mn和X群元素)中所占的Mn量的原子比(由下式表示，以下有簡稱為“Mn比”的情況)為10原子％以上。Mn 量(原子% ) = {[Mn]/([Mn] + [In] + [Zn] + [Sn] + [Cu])} XlOO式中，[Mn]、[In]、[Zn]、[Sn]和[Cu]意思分別是，在本發(fā)明的記錄層中所含的Mn 量(原子％ )、&量(原子％ )、&!量(原子％ )、&!量(原子％ )、CU量(原子％ )。還有，記錄層中不含h、Zn、SruCu時，分別作為0原子％計算。在此，若Mn低于10原子％，則激光照射時分解的氧化Mn少，因此放出的氧量不充分，生成的氣泡變少，結(jié)果是信號強度(C/N比)變小。另外在記錄層存在2層以上的多層光盤中，距激光入面最遠的記錄層要求有一定程度的透射率。若Mn比低于10原子％，則記錄層的光吸收率也變小，因此記錄所需要的激光功率變大，不為優(yōu)選。Mn比優(yōu)選為10原子％ 以上，更優(yōu)選為12原子％以上，進一步優(yōu)選為15原子％以上?？墒?，若氧化Mn多，則調(diào)制度變小，因此Mn比為80原子％以下，優(yōu)選為70原子％ 以下，更優(yōu)選為60原子％以下。本發(fā)明的記錄層，如上述含有Mn氧化物，并可含有在制作時不可避免混入的不可避免的雜質(zhì)。另外優(yōu)選本發(fā)明的記錄層含有Mn氧化物，和從氧化物、Si氧化物、Sn氧化物和Cu氧化物構(gòu)成的群中選出的至少一種氧化物，并可含有在制作時不可避免混入的不可避免的雜質(zhì)。上述記錄層的優(yōu)選的膜厚，在記錄層之上和/或之下插入電介體層等其他層的情況，和沒有這些其他層的情況是不同的。雖然根據(jù)光信息記錄媒體的構(gòu)造也有所不同，但主要在單層使用記錄層時(不設電介體層時)，優(yōu)選使記錄層的膜厚為10 60nm。若記錄層的膜厚過薄，則分解的Mn量變少，因此難以獲得記錄帶來的充分的反射率變化。更優(yōu)選為 20nm以上，特別優(yōu)選為30nm以上。另一方面，若記錄層的膜厚過厚，則膜的形成花費時間， 生產(chǎn)率降低，并且記錄所需要的激光功率變大。更優(yōu)選為50nm以下，進一步優(yōu)選為45nm以下。另外，在記錄層之上和/或之下設置電介體層時，優(yōu)選使記錄層的膜厚為2 50nm，更優(yōu)選為3nm以上，進一步優(yōu)選為5nm以上，再更進一步優(yōu)選為IOnm以上，更優(yōu)選為40nm以下，進一步優(yōu)選為15nm以下。本發(fā)明的記錄層如上述，含有Mn氧化物(特定的比例的Mn)，優(yōu)選含有Mn氧化物， 和從^氧化物、Si氧化物、Sn氧化物和Cu氧化物構(gòu)成的群中選出的至少一種氧化物，但為了得到這樣的形態(tài)的記錄層，優(yōu)選以濺射法形成記錄層。根據(jù)濺射法，還能夠確保盤片面內(nèi)的膜厚分布均勻性，因此優(yōu)選。為了以濺射法形成含有上述氧化物的記錄層，進行反應性濺射，作為濺射條件，優(yōu)選調(diào)整氣體流量而進行。特別是優(yōu)選使氧流量對于Ar (氬)流量的比為0.5倍以上，更優(yōu)選為1.0倍以上。另外，氧流量對于Ar流量的比優(yōu)選為5.0倍以下。濺射法的其他條件沒有特別限定，能夠采用通用的方法，將氣壓控制在例如0. 1 1. OPa的范圍，將濺射電子控制在例如0. 5 20W/cm2的范圍。作為所述濺射法中使用的濺射靶(以下僅稱為“靶”)，可列舉含有Mn氧化物，余量是不可避免的雜質(zhì)的靶。優(yōu)選的靶為，(A)含有Mn氧化物，和從h氧化物、Si氧化物、Sn氧化物和Cu氧化物構(gòu)成的群中選出的至少一種氧化物，余量為不可避免的雜質(zhì)?；蛘咭部梢允褂?B)含有 Mn金屬靶，和從^uZruSn和Cu構(gòu)成的群中選出的至少一種元素的金屬靶來替代(A)的靶， 使它們同時放電而進行多元濺射。此外也可以使用(C)金屬和氧化物混合靶。金屬元素通過導入氧而成為氧化物。也能夠使用如下濺射靶，即，相對于上述㈧ (C)的濺射靶所含的Mn原子，和從 In原子、Zn原子、Sn原子和Cu原子構(gòu)成的群中選出的至少一種原子(實際含有的原子) 的合計，Mn原子的比率為10 80原子％。還有，作為上述(A)和(C)的濺射靶，特別是將Mn的金屬粉末或Mn氧化物的粉末， 和從h氧化物、Zn氧化物、Sn氧化物和Cu氧化物構(gòu)成的群中選出的至少一種氧化物或金屬的粉末進行混合，使之燒結(jié)，使用這樣的濺射靶，在生產(chǎn)率和所形成的薄膜的組成的面內(nèi)均勻性和厚度控制的點上優(yōu)選。在上述濺射靶的制造時，盡管微量，但還是有雜質(zhì)混入濺射靶中。但是，本發(fā)明的濺射靶的成分組成，沒有規(guī)定至這些不可避免混入的微量成分，只要不阻礙本發(fā)明的上述特性，這些不可避免的雜質(zhì)的微量混入是被允許的。本發(fā)明的光信息記錄媒體，具有的特征是具備上述記錄層這一點，利用Mn的氧化物分解而發(fā)生的A氣的效果來形成標記。在本發(fā)明中，上述記錄層以外的構(gòu)成沒有特別限定，能夠采用光信息記錄媒體的領域中公知的構(gòu)成。本發(fā)明的光信息記錄媒體，具有上述記錄層，還在記錄層之上和/或之下(至少單面)層疊有電介體層，由此，能夠省略以往為了提高反射率所需要的金屬層(Ag、Au、Cu、Al、 Ni、Cr、Ti等的金屬層和其合金層)的形成。如上述本發(fā)明的記錄層，具有高反射率、變化率，因此即使不特別設置反射層，也可以充分地進行信號再生。
另外，通過在記錄層之上和/或之下設置電介體層，能夠提高信號強度，能夠進一步改善信號特性。這是由于，防止了因激光照射導致記錄層分解而發(fā)生的氧的逃散，從而能夠降低反射率的降低，能夠確保作為記錄層所需要的反射率。作為上述電介體層的種類可列舉公知的，可例示例如Si、AlJn、Zn、&、Ti、Nb、Ta、 Cr、Sn 等的氧化物；Si、Al、In、Ge、Cr、Nb、Mo、Ti 等的氮化物；Zn 硫化物；Cr、Si、Al、Ti、
Zr、Ta等的碳化物；Mg、Ca、La等的氟化物；或其混合物等。若考慮生產(chǎn)率和記錄靈敏度的提高等，則優(yōu)選使用L2O3。上述電介體層的膜厚，優(yōu)選大致為2 30nm。若電介體層的膜厚過薄，則發(fā)生的& 氣體的覆蓋性不充分，記錄靈敏度降低。另一方面，若電介體層的膜厚過厚，則由于光的干涉，導致作為層疊膜(記錄層+電介體層)整體吸收降低，因此需要的寫入激光功率變高， 并且標記形成時的形態(tài)變化(氣泡的生成)難以發(fā)生，因此記錄靈敏度降低。若考慮這樣的情況，則將電介體層設于記錄層的下層(激光非入射側(cè))時的優(yōu)選的膜厚為3 15nm，設于記錄層的上層(激光入射側(cè))時的優(yōu)選的膜厚大致為2 30nm。另外，作為光信息記錄媒體(光盤)，其構(gòu)造可列舉為，在刻有激光的引導用的凹槽的基板上層疊記錄層，再在其上層疊透光層。例如，作為所述基板的原材，可列舉聚碳酸酯樹脂、降冰片烯系樹脂、環(huán)烯烴系共聚物、非晶聚烯烴等。另外，作為所述光透過層可以使用聚碳酸酯或紫外線硬化樹脂。作為透光層的材質(zhì)，優(yōu)選對于進行記錄再生的激光具有高透射率，光吸收率小。所述基板的厚度可列舉例如0. 5 1. 2mm。另外所述透光層的厚度可列舉例如0. 1 1. 2mm。本發(fā)明的記錄層記錄特性優(yōu)異，但為了記錄層的耐久性提高或記錄特性的進一步提高，也可以在記錄層的上層和/或下層，設置氧化物層、氮化物層、硫化物層等。通過層疊這些層，能夠改善記錄層的耐久性，并且能夠進一步提高記錄特性。還有，上述顯示的是記錄層和透光層分別各形成1層的1層光盤，但并不限定于此，也可以是記錄層和透光層多層層疊的2層以上的光盤。所述2層以上的光盤的情況下，由記錄層和根據(jù)需要層疊的光學調(diào)節(jié)層以及電介體層所構(gòu)成的記錄層群與其他記錄層群之間，也可以具有例如由紫外線硬化樹脂或聚碳酸酯等透明樹脂等構(gòu)成的透明中間層。通過設置透明中間層，能夠為了多層記錄而在縱深方向會聚激光的焦點。本發(fā)明的特征在于，采用前述的記錄層，優(yōu)選的記錄層之上和/或之下設置有電介體層的層疊膜這一點，所述記錄層以外的基板和透光層，還有透明中間層等的形成方法沒有特別限定，以通常進行的方法形成來制造光信息記錄媒體即可。作為光信息記錄媒體，可列舉⑶、DVD或BD，作為具體例，例如可列舉BD-R，其可以將波長約380nm至450nm，優(yōu)選約405nm的藍色激光照射到記錄層上，進行數(shù)據(jù)的記錄和再生。實施例以下，列舉實施例更具體地說明本發(fā)明，但本發(fā)明當然不受下述實施例限制，在不脫離前后述的宗旨的范圍內(nèi)也可以適宜加以變更實施，這些均包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。在本實施例中，使用的記錄層由如下構(gòu)成Mn氧化物，和從h氧化物、Si氧化物、Sn氧化物和Cu氧化物構(gòu)成的群中選出的至少一種，調(diào)查記錄層所含的Mn元素的比率和X 群元素的組合對記錄特性等造成的影響。(1)光盤的制作本實施例中使用的光盤的構(gòu)成概略模式圖顯示在圖1中。如圖1所示，光盤具有在聚碳酸酯基板1之上按順序?qū)盈B如下層的構(gòu)造電介體層2 ；含Mn氧化物的記錄層3 ；電介體層4;透光層5。上述光盤的制作方法如下。作為盤片基板，使用聚碳酸酯基板1(厚度1. 1mm，直徑120mm，磁道間距 0. 32 μ m,凹槽深度約25nm)，在基板1上，通過DC磁控管濺射法，依次形成表1記述的下側(cè)電介體層2、如表1所示Mn比不同的記錄層3、表1記述的上側(cè)電介體層4。記錄層3的膜厚為40nm，記錄層之上/之下分別層疊的電介體層2、4的厚度，上/下均為10nm。用于記錄層形成的濺射，以如下方式進行。這時的濺射條件為，Ar流量10SCCm， 并且氧流量10sCCm，氣壓0. 2Pa, DC濺射功率100 200W，基板溫度室溫。表1的No. 1、2中使用純Mn靶。表1的No. 3 7中，利用純Mn和純Cu這兩種元素的靶，通過多元濺射成膜，由此使Mn比變化。同樣在表1的No. 8 12、15、16中，利用純Mn和純h這兩種元素的靶， No. 13中利用純Mn和純Sn這兩種元素的靶，No. 14中利用純Mn和純Si這兩種元素的靶。在電介體層2、4中，使用濺射靶，Ar流量dOsccm，并且氧流量dOsccm，氣壓 0. 2Pa, DC濺射功率100 200W，基板溫度室溫，形成表1的成分組成的電介體層(濺射靶是表1的成分組成的公知的濺射靶，No. 2、4 14是In2O3，No. 15是SnO2,No. 16是ZnO2)。接著，在電介體層4上旋涂紫外線硬化性樹脂(日本化藥社制“BRD-864”)后，照射紫外線而形成膜厚約0. Imm的透光層，得到光盤。記錄層的成分組成，以上述同樣的條件形成記錄層的單層膜(沒有電介體層)，使用ICP發(fā)光分析法對于該記錄層單層膜進行分析。(XPS 分析)對于表1的各試料，通過XPS法，分析記錄層中所含的Mn和In、Si、Sn、Cu等的狀態(tài)。具體來說，使用physical Electronics社制X射線光電子能譜儀Quantera SXM，實施基于最表面的廣域光電子能譜的定性分析。其后，通過Ar濺射從表面向深度方向進行蝕刻， 在每個固定深度測量膜的構(gòu)成元素和在最表面檢測到的元素的狹域光電子能譜。根據(jù)在各深度得到的狹域光電子能譜的面積強度比和相對靈敏度系數(shù)，計算深度方向組成分布(原子％)。另外，根據(jù)各元素的混合能譜(montage spectrum)的峰值位置推定結(jié)合狀態(tài)。其結(jié)果是，在No.3 16的各試料中，未確認到記錄層中有Mn和X群原子作為金屬存在(記錄層3除了 No. 1、2全部含有Mn氧化物，不含金屬Mn，此外No. 3 16含有X群元素的氧化物)。對于電介體層2、4也進行上述同樣的分析。(2)光盤的評價以如下方式評價制作的光盤的初期記錄特性(記錄激光的功率、C/N比、調(diào)制度)。首先，使用“WW"工業(yè)社制“0DU-1000”的光盤評價裝置(記錄激光中心波長405nm、NA (數(shù)值孔徑)0. 85)，照射再生/記錄激光，進行光盤的讀取、記錄。線速度作為4. 92m/s進行評價。關(guān)于調(diào)制度(C/N比成為最大的點的調(diào)制度)，使用橫河電機株式會社制數(shù)字示波器“DL1640”，測量記錄部分的最大反射率和最小反射率，基于下式進行計算。調(diào)制度(比)=(最大反射率-最小反射率)/ (最大反射率)關(guān)于C/N比，使用ADVANTEST社制R3131A譜線分析器，測量能夠得到最高C/N比的記錄功率。詳細地說，就是反復記錄0. 60 μ m的標記(相當于Blu-tay Disk的8T)，測量再生激光功率0. 3mW下的信號讀取時的4. 12MHz頻率成分的信號強度(載波C/dB)，和其前后的頻率成分的信號強度(噪音N/dB)，計算C/N比。這些結(jié)果量并顯示在表1中。表1中記述了能夠昨到最高C/N比時刻的記錄激光的功率(記錄功率)和該最高C/N比。在本實施例中，調(diào)制度(比)為0. 4以上，C/N比為43以上的為記錄靈敏度優(yōu)異。表1
權(quán)利要求
1.一種光信息記錄媒體用記錄層，其特征在于，是通過激光的照射進行記錄的記錄層， 其中，含有Mn氧化物，并不含金屬Mn，并且，構(gòu)成所述記錄層中所含的氧化物的全部金屬元素中所占的Mn的原子比為80原子％以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光信息記錄媒體用記錄層，其中，還含有從^氧化物、Zn氧化物、Sn氧化物和Cu氧化物構(gòu)成的群中選出的至少一種氧化物。
3.一種光信息記錄媒體，其特征在于，具有權(quán)利要求1或2所述的光信息記錄媒體用記錄層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光信息記錄媒體，其中，在所述光信息記錄媒體用記錄層之上和/或之下層疊有電介體層。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的光信息記錄媒體，其中，所述光記錄信息媒體不含金屬層。
6.根據(jù)權(quán)利要求3 5中任一項所述的光信息記錄媒體，其中，所述光信息記錄媒體具有多層所述光信息記錄媒體用記錄層，并且在所述多層光信息記錄媒體用記錄層的層間具有透明中間層。
全文摘要
提供一種記錄特性優(yōu)異的光信息記錄媒體用記錄層和具有該記錄層的光信息記錄媒體。是通過激光的照射而進行記錄的記錄層，具有如下要旨，含有Mn氧化物，構(gòu)成包含在所述記錄層中的氧化物的全部金屬元素中所占的Mn的原子比為80原子％以下，并且不含金屬Mn。
文檔編號G11B7/24GK102568503SQ20111041385
公開日2012年7月11日 申請日期2011年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月28日
發(fā)明者志田陽子, 田內(nèi)裕基 申請人:株式會社神戶制鋼所