專利名稱：藍(lán)光dvd、cd光學(xué)讀取頭的反射鏡膜系及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種藍(lán)光DVD、⑶光學(xué)讀取頭的反射鏡膜系及其制備方法。
背景技術(shù)：
405nm、665nm、790nm分別對(duì)應(yīng)于光學(xué)讀取頭藍(lán)光DVD、⑶三種激光頭波長(zhǎng)。與傳 統(tǒng)DVD相比，藍(lán)光DVD需要利用波長(zhǎng)較短(405nm)的藍(lán)色激光?，F(xiàn)有的藍(lán)光DVD為在傳統(tǒng) DVD基礎(chǔ)上增加一組藍(lán)光光路，設(shè)備系統(tǒng)復(fù)雜，而且體積大。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種反射鏡膜系，在使用DVD激光頭時(shí)，鍍有 該膜系的反射鏡高反，對(duì)原有光路不影響，而使用405nm藍(lán)光激光頭時(shí)，鍍有該膜系的反射 鏡又達(dá)到使405nm高反的效果。使藍(lán)光和原有DVD光路組合在一起，減少體積，降低成本。本發(fā)明提供的藍(lán)光DVD、CD光學(xué)讀取頭的反射鏡膜系，單面鍍覆于反射鏡的基底 上，所述反射鏡膜系由33層膜構(gòu)成，其中，與基底相接觸的膜為第一層膜，所述反射鏡膜系 的奇數(shù)層膜為TiA膜，偶數(shù)層膜為SiA膜，所述反射鏡膜系各層的光學(xué)厚度為
第一層膜331nm;第二層膜2^nm;
第三層膜208nm;第四層膜173nm;
第五層膜213nm;第六層膜176nm;
第七層膜217nm;第八層膜185nm;
第九層膜178nm;第十層膜2^nm;
第—^一層膜172nm;第十二層膜182nm;
第十三層膜631nm;第十四層膜376nm;
第十五層膜208nm;第十六層膜199nm;
第十七層膜163nm;第十八層膜183nm;
第十九層膜227nm;第二十層膜153nm;
第二—^一層膜225nm;第二十二層膜140nm;
第二十三層膜268nm;第二十四層膜131nm;
第二十五層膜279nm ；第二十六層膜122nm;
第二十七層膜461nm ；第二十八層膜137nm;
第二十九層膜101nm ；第三十層膜335nm;
第三—^一層膜99nm;第三十二層膜146nm;
第三十三層膜83nm。優(yōu)選地，所述反射鏡的基底為B270。上述的反射鏡膜系的制備方法為所述膜系的各層膜通過真空蒸鍍單面鍍覆在所 述反射鏡的基底上。優(yōu)選地，上述的制備方法，包括以下步驟1)清洗基底；
2)計(jì)算所述反射鏡膜系各層膜的物理厚度；
3)將步驟1)所得的基底放入高真空鍍膜設(shè)備中，抽真空，加熱基底至28(T30(TC，保溫，啟動(dòng)離子源設(shè)備清洗基底；
4)以電子束蒸發(fā)源蒸鍍，使所述反射鏡膜系的各層膜以物理厚度依次鍍覆于所述反射鏡基底的一面上。優(yōu)選地，步驟4)所述電子束蒸發(fā)源蒸鍍SiO2膜時(shí)，真空度為3X 10_3 Pa，沉積速率為0. 7nm/s ；所述電子束蒸發(fā)源蒸鍍TiO2膜時(shí)，真空度為2X 10_2Pa，沉積速率為0. 3nm/s。本發(fā)明通過設(shè)計(jì)鍍制這種膜系，有效的簡(jiǎn)化了光學(xué)系統(tǒng)，減少儀器的體積和重量。 本發(fā)明設(shè)計(jì)的膜系是使用角度45° 在藍(lán)光405nm高反，DVD665nm⑶790nm波段高反。通過本發(fā)明選用的工藝，偏光S光和P光的反射率能達(dá)到97%以上，本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單，重復(fù)性好。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明，以使本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以更好的理解本發(fā)明并能予以實(shí)施，但所舉實(shí)施例不作為對(duì)本發(fā)明的限定。本發(fā)明的藍(lán)光DVD、CD光學(xué)讀取頭的反射鏡膜系，所述反射鏡膜系單面鍍覆于反射鏡的基底上，所述反射鏡膜系由33層膜構(gòu)成，其中，與基底相接觸的膜為第一層膜，所述反射鏡膜系的奇數(shù)層膜為TiO2膜，偶數(shù)層膜為SiO2膜，所述反射鏡膜系各層的光學(xué)厚度為
第二層膜226nm;
層膜33Inm 208nm
第
第三層膜第五層膜第七層膜第九層膜第十一層膜第十三層膜第十五層膜第十七層膜第十九層膜 十一層膜 十三層膜 十五層膜 十七層膜 十九層膜 十一層膜 十三層膜
213nm 217nm 178nm 172nm 631nm 208nm 163nm 227nm 225nm 268nm 279nm 46 Inm IOlnm 99nm; 83nm。
第四層膜173nm 第六層膜176nm 第八層膜185nm 第十層膜226nm 第十二層膜182nm; 第十四層膜:376nm; 第十六層膜199nm; 第十八層膜183nm; 第二十層膜153nm; 十二層膜:140nm; 二十四層膜131nm 二十六層膜122nm 二十八層膜 Ξ十層膜 十二層膜
第二第: 第二第二
第 第 第 第 第 第: 第:
光線45入射時(shí)，鍍覆有本發(fā)明膜系的反射鏡，在藍(lán)光405nm高反，DVD 665nm- 二 I
第第
137nm; 335nm; 146nm;
CD
4790nm波段高反。所謂高反指反射率95%以上。反射鏡膜系的制備方法，包括以下步驟
1)清洗基底；
2)計(jì)算所述反射鏡膜系各層膜的物理厚度，物理厚度=光學(xué)厚度/材料折射率，本發(fā)明中SiO2的折射率為1. 45，TiO2的折射率為2. 25 ；
3)將步驟1)所得的基底放入高真空鍍膜設(shè)備中，抽真空，加熱基底至28(T30(TC，保溫，啟動(dòng)離子源設(shè)備清洗基底；
4)以電子束蒸發(fā)源蒸鍍，使所述反射鏡膜系的各層膜以物理厚度依次鍍覆于所述反射鏡基底的其中一面上。步驟4)中，所述電子束蒸發(fā)源蒸鍍SiO2膜時(shí)，真空度為3X10_3 Pa，沉積速率為 0. 7nm/s ；所述電子束蒸發(fā)源蒸鍍TiO2膜時(shí)，真空度為2X 10_2Pa，沉積速率為0. 3nm/s。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是①采用多層非規(guī)整膜系，鍍制的膜層在藍(lán)光405nm反射高，位相差在10°以內(nèi)，CD-DVD波段反射率高，帶寬寬；②采用離子源清潔基底表面，鍍制的膜層結(jié)合力好，光學(xué)特性優(yōu)；③鍍膜過程中，被鍍零件隨夾具一起轉(zhuǎn)動(dòng)，鍍制的零件均勻性好；④ 本發(fā)明設(shè)計(jì)的膜系使用角度45° 在藍(lán)光405nm高反，DVD665nm,⑶790nm波段高反。具體實(shí)施例如下
本發(fā)明的反射鏡膜系的制備方法，具體的工藝過程如下 1.準(zhǔn)備工作
①清潔真空室、鍍膜夾具、遮藥擋板及離子源網(wǎng)柵；
②分別將兩種膜料填裝至要求的坩堝內(nèi)；
③更換石英晶振片；
④編制鍍膜程序。2.清潔零件
①采用超聲波清洗B270基底光學(xué)零件表面；
②裝入專用工裝夾具并盡可能快的裝入真空室內(nèi)。3.鍍制膜層
關(guān)閉真空室門，啟動(dòng)鍍膜程序開始鍍膜，工作步驟如下
1.啟動(dòng)抽氣系統(tǒng)，真空室內(nèi)氣體不斷排出，當(dāng)真空度達(dá)到IXlO-2Pa時(shí)，開啟加熱烘烤設(shè)備；
2.烘烤基底，將被鍍零件放入夾具上放入高真空鍍膜設(shè)備中，未鍍AR膜面向下，抽真空為1 X10_2Pa時(shí)，加熱基底至280-300°C，保溫1小時(shí)，啟動(dòng)離子源設(shè)備清洗基底300秒， 關(guān)掉離子源；
3.鍍制TiO2膜，1102膜料由電子束蒸發(fā)源蒸鍍，蒸鍍時(shí)沖氧后真空度為2X10_2Pa，沉積速率0.3nm/s，控制光學(xué)厚度331nm，由石英晶體膜厚控制儀控制，工具因子為1，TiO2折射率為2. 25時(shí)，膜厚儀控制物理厚度為147nm ；4.鍍制SiO2膜，SiO2 膜料由電子束蒸發(fā)源蒸鍍，蒸鍍時(shí)真空度為3 X 10_3Pa，沉積速率0.7nm/s，控制光學(xué)厚度 266nm，由石英晶體膜厚控制儀控制，工具因子為1，3102折射率為1. 45時(shí)，膜厚儀控制物理厚度為183nm ；
5.鍍制TiO2膜，1102膜料由電子束蒸發(fā)源蒸鍍，蒸鍍時(shí)沖氧后真空度為2X10_2Pa，沉積速率0.3nm/s，控制光學(xué)厚度208nm，由石英晶體膜厚控制儀控制，工具因子為1，TiO2折射率為2. 25時(shí)，膜厚儀控制物理厚度為93nm ；
6.鍍制SiO2膜，SiO2膜料由電子束蒸發(fā)源蒸鍍，蒸鍍時(shí)真空度為3X10_3Pa，沉積速率
0.7nm/s,控制光學(xué)厚度173 nm，由石英晶體膜厚控制儀控制，工具因子為1，SiO2折射率為
1.45時(shí)，膜厚儀控制物理厚度為119nm ；
7.鍍制TiO2膜，1102膜料由電子束蒸發(fā)源蒸鍍，蒸鍍時(shí)沖氧后真空度為2X10_2Pa，沉積速率0.3nm/s，控制光學(xué)厚度213 nm，由石英晶體膜厚控制儀控制，工具因子為1，TiO2折射率為2. 25時(shí)，膜厚儀控制物理厚度為95nm ；
8.鍍制SiO2膜，SiO2膜料由電子束蒸發(fā)源蒸鍍，蒸鍍時(shí)真空度為3X10_3Pa，沉積速率
0.7nm/s,控制光學(xué)厚度176 nm，由石英晶體膜厚控制儀控制，工具因子為1，SiO2折射率為
1.45時(shí)，膜厚儀控制物理厚度為121nm ；
9.鍍制TiO2膜，1102膜料由電子束蒸發(fā)源蒸鍍，蒸鍍時(shí)沖氧后真空度為2X10_2Pa，沉積速率0.3nm/s，控制光學(xué)厚度217 nm，由石英晶體膜厚控制儀控制，工具因子為1，TiO2折射率為2. 25時(shí)，膜厚儀控制物理厚度為96nm ；
10.鍍制SiO2膜，5102膜料由電子束蒸發(fā)源蒸鍍，蒸鍍時(shí)真空度為3X10_3Pa，沉積速率
0.7nm/s,控制光學(xué)厚度185 nm，由石英晶體膜厚控制儀控制，工具因子為1，SiO2折射率為
1.45時(shí)，膜厚儀控制物理厚度為127nm ；
11.鍍制TiO2膜，1102膜料由電子束蒸發(fā)源蒸鍍，蒸鍍時(shí)沖氧后真空度為2X10_2Pa，沉積速率0. 3nm/s,控制光學(xué)厚度178nm，由石英晶體膜厚控制儀控制，工具因子為1，TiO2折射率為2. 25時(shí)，膜厚儀控制厚度為79nm ；
12.鍍制SiO2膜，SiO2膜料由電子束蒸發(fā)源蒸鍍，蒸鍍時(shí)真空度為3X10_3Pa，沉積速率0.7nm/s，控制光學(xué)厚度226nm，由石英晶體膜厚控制儀控制，工具因子為1，SiO2折射率為1. 45時(shí)，膜厚儀控制物理厚度為155nm ；
13.鍍制TiO2膜，1102膜料由電子束蒸發(fā)源蒸鍍，蒸鍍時(shí)沖氧后真空度為2X10_2Pa，沉積速率0. 3nm/s,控制光學(xué)厚度172nm，由石英晶體膜厚控制儀控制，工具因子為1，TiO2折射率為2. 25時(shí)，膜厚儀控制物理厚度為76nm ；
14.鍍制SiO2膜，SiO2膜料由電子束蒸發(fā)源蒸鍍，蒸鍍時(shí)真空度為3X10_3Pa，沉積速率0. 7nm/s,控制光學(xué)厚度182nm，由石英晶體膜厚控制儀控制，工具因子為1，SiO2折射率為1. 45時(shí)，膜厚儀控制物理厚度為125nm ；
15.鍍制TiO2膜，1102膜料由電子束蒸發(fā)源蒸鍍，蒸鍍時(shí)沖氧后真空度為2X10_2Pa，沉積速率0.3nm/s，控制光學(xué)厚度631nm，由石英晶體膜厚控制儀控制，工具因子為1，TiO2折射率為2. 25時(shí)，膜厚儀控制物理厚度為281nm ；
16.鍍制SiO2膜，SiO2膜料由電子束蒸發(fā)源蒸鍍，蒸鍍時(shí)真空度為3X10_3Pa，沉積速率0.7nm/s，控制光學(xué)厚度376nm，由石英晶體膜厚控制儀控制，工具因子為1，SiO2折射率為1. 45時(shí)，膜厚儀控制物理厚度為259nm ；
17.鍍制TiO2膜，1102膜料由電子束蒸發(fā)源蒸鍍，蒸鍍時(shí)沖氧后真空度為2X10_2Pa，沉積速率0.3nm/s，控制光學(xué)厚度208nm，由石英晶體膜厚控制儀控制，工具因子為1，TiO2折射率為2. 25時(shí)，膜厚儀控制物理厚度為92nm ；
18.鍍制SiO2膜，SiO2膜料由電子束蒸發(fā)源蒸鍍，蒸鍍時(shí)真空度為3X10_3Pa，沉積速率0. 7nm/s,控制光學(xué)厚度199nm，由石英晶體膜厚控制儀控制，工具因子為1，SiO2折射率為1. 45時(shí)，膜厚儀控制物理厚度為137nm ；
19.鍍制TiO2膜，1102膜料由電子束蒸發(fā)源蒸鍍，蒸鍍時(shí)沖氧后真空度為2X10_2Pa，沉積速率0.3nm/s，控制光學(xué)厚度163 nm，由石英晶體膜厚控制儀控制，工具因子為1，TiO2折射率為2. 25時(shí)，膜厚儀控制物理厚度為73nm ；
20.鍍制SiO2膜，5102膜料由電子束蒸發(fā)源蒸鍍，蒸鍍時(shí)真空度為3X10_3Pa，沉積速率
0.7nm/s,控制光學(xué)厚度183 nm，由石英晶體膜厚控制儀控制，工具因子為1，SiO2折射率為
1.45時(shí)，膜厚儀控制物理厚度為126nm ；
21.鍍制TiO2膜，1102膜料由電子束蒸發(fā)源蒸鍍，蒸鍍時(shí)沖氧后真空度為2X10_2Pa，沉積速率0.3nm/s，控制光學(xué)厚度227 nm，由石英晶體膜厚控制儀控制，工具因子為1，TiO2折射率為2. 25時(shí)，膜厚儀控制物理厚度為IOlnm ；
22.鍍制SiO2膜，5102膜料由電子束蒸發(fā)源蒸鍍，蒸鍍時(shí)真空度為3X10_3Pa，沉積速率
0.7nm/s,控制光學(xué)厚度153 nm，由石英晶體膜厚控制儀控制，工具因子為1，SiO2折射率為
1.45時(shí)，膜厚儀控制物理厚度為105nm ；
23.鍍制TiO2膜，1102膜料由電子束蒸發(fā)源蒸鍍，蒸鍍時(shí)沖氧后真空度為2X10_2Pa，沉積速率0.3nm/s，控制光學(xué)厚度225 nm，由石英晶體膜厚控制儀控制，工具因子為1，TiO2折射率為2. 25時(shí)，膜厚儀控制物理厚度為IOOnm ；24.鍍制SiO2膜，SiO2 膜料由電子束蒸發(fā)源蒸鍍，蒸鍍時(shí)真空度為3 X 10_3Pa，沉積速率0.7nm/s，控制光學(xué)厚度 140 nm,由石英晶體膜厚控制儀控制，工具因子為1，SiO2折射率為1. 45時(shí)，膜厚儀控制物理厚度為96nm ；
25.鍍制TiO2膜，1102膜料由電子束蒸發(fā)源蒸鍍，蒸鍍時(shí)沖氧后真空度為2X10_2Pa，沉積速率0.3nm/s，控制光學(xué)厚度268 nm，由石英晶體膜厚控制儀控制，工具因子為1，TiO2折射率為2. 25時(shí)，膜厚儀控制物理厚度為119nm ；
26.鍍制SiO2膜，SiO2膜料由電子束蒸發(fā)源蒸鍍，蒸鍍時(shí)真空度為3X10_3Pa，沉積速率0. 7nm/s,控制光學(xué)厚度131nm，由石英晶體膜厚控制儀控制，工具因子為1，SiO2折射率為1. 45時(shí)，膜厚儀控制物理厚度為90nm ；
27.鍍制TiO2膜，1102膜料由電子束蒸發(fā)源蒸鍍，蒸鍍時(shí)沖氧后真空度為2X10_2Pa，沉積速率0.3nm/s，控制光學(xué)厚度279nm，由石英晶體膜厚控制儀控制，工具因子為1，TiO2折射率為2. 25時(shí)，膜厚儀控制物理厚度為124nm ；
28.鍍制SiO2膜，SiO2膜料由電子束蒸發(fā)源蒸鍍，蒸鍍時(shí)真空度為3X10_3Pa，沉積速率0. 7nm/s,控制光學(xué)厚度122nm，由石英晶體膜厚控制儀控制，工具因子為1，SiO2折射率為1. 45時(shí)，膜厚儀控制物理厚度為84nm ；
29.鍍制TiO2膜，1102膜料由電子束蒸發(fā)源蒸鍍，蒸鍍時(shí)沖氧后真空度為2X10_2Pa，沉積速率0.3nm/s，控制光學(xué)厚度461nm，由石英晶體膜厚控制儀控制，工具因子為1，TiO2折射率為2. 25時(shí)，膜厚儀控制物理厚度為205nm ；
30.鍍制SiO2膜，5102膜料由電子束蒸發(fā)源蒸鍍，蒸鍍時(shí)真空度為3X10_3Pa，沉積速率
0.7nm/s,控制光學(xué)厚度137 nm，由石英晶體膜厚控制儀控制，工具因子為1，SiO2折射率為
1.45時(shí)，膜厚儀控制物理厚度為94nm ；
31.鍍制TiO2膜，1102膜料由電子束蒸發(fā)源蒸鍍，蒸鍍時(shí)沖氧后真空度為2X10_2Pa，沉積速率0.3nm/s，控制光學(xué)厚度101 nm，由石英晶體膜厚控制儀控制，工具因子為1，TiO2折射率為2. 25時(shí)，膜厚儀控制物理厚度為45nm ；
32.鍍制SiO2膜，SiO2膜料由電子束蒸發(fā)源蒸鍍，蒸鍍時(shí)真空度為3X10_3Pa，沉積速率0.7nm/s，控制光學(xué)厚度335nm，由石英晶體膜厚控制儀控制，工具因子為1，SiO2折射率為1. 45時(shí)，膜厚儀控制物理厚度為231nm ；
33.鍍制TiO2膜，1102膜料由電子束蒸發(fā)源蒸鍍，蒸鍍時(shí)沖氧后真空度為2X10_2Pa，沉積速率0.3nm/s，控制光學(xué)厚度99 nm，由石英晶體膜厚控制儀控制，工具因子為1，TiO2折射率為2. 25時(shí)，膜厚儀控制物理厚度為44nm ；
34.鍍制SiO2膜，5102膜料由電子束蒸發(fā)源蒸鍍，蒸鍍時(shí)真空度為3X10_3Pa，沉積速率0. 7nm/s,控制光學(xué)厚度146nm，由石英晶體膜厚控制儀控制，工具因子為1，SiO2折射率為1. 45時(shí)，膜厚儀控制物理厚度為IOOnm ；
35.鍍制TiO2膜，1102膜料由電子束蒸發(fā)源蒸鍍，蒸鍍時(shí)沖氧后真空度為2X10_2Pa，沉積速率0.3nm/s，控制光學(xué)厚度83 nm，由石英晶體膜厚控制儀控制，工具因子為1，TiO2折射率為2. 25時(shí)，膜厚儀控制物理厚度為37nm ；
36.真空室冷卻至60°C以下取出鍍制好的光學(xué)零件。
采用以上方法鍍制好膜層的光學(xué)零件各項(xiàng)性能指標(biāo)均滿足要求，在光線45°入射下測(cè)試，在藍(lán)光405nm高反，DVD665nm,⑶790nm波段高反，所要求的反射率均在97%以上。本發(fā)明的反射鏡膜系在高溫儲(chǔ)存；低溫儲(chǔ)存；高溫高濕；熱沖擊實(shí)驗(yàn)后，光學(xué)性能滿足高反，無外觀不良。膜層的附著力和環(huán)境適應(yīng)性均滿足光學(xué)薄膜國(guó)家軍用標(biāo)準(zhǔn) GJB2485-95規(guī)定的要求。以上所述實(shí)施例僅是為充分說明本發(fā)明而所舉的較佳的實(shí)施例，本發(fā)明的保護(hù)范圍不限于此。本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明基礎(chǔ)上所作的等同替代或變換，均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求書為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種藍(lán)光DVD、CD光學(xué)讀取頭的反射鏡膜系，其特征在于，所述反射鏡膜系單面鍍覆于反射鏡的基底上，所述反射鏡膜系由33層膜構(gòu)成，其中，與基底相接觸的膜為第一層膜， 所述反射鏡膜系的奇數(shù)層膜為TiO2膜，偶數(shù)層膜為SiO2膜，所述反射鏡膜系各層的光學(xué)厚度為第二層膜226nm;層膜33 Inm 208nm第第三層膜第五層膜第七層膜第九層膜第十一層膜第十三層膜第十五層膜第十七層膜第十九層膜第 第第 第第 第第213nm 217nm 178nm 172nm 631nm 208nm 163nm 227nm十一層膜225nm十三層膜268nm十五層膜279nm十七層膜46 Inm十九層膜IOlnm十一層膜99nm;十三層膜83nm。第四層膜173nm 第六層膜176nm 第八層膜185nm 第十層膜226nm 第十二層膜182nm; 第十四層膜:376nm; 第十六層膜199nm; 第十八層膜183nm; 第二十層膜153nm; 第二十二層膜140nm; 第二十四層膜:131nm; 第二十六層膜122nm; 第二十八層膜137nm; 第三十層膜:335nm; 第三十二層膜146nm;
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射鏡膜系，其特征在于，所述反射鏡的基底為B270。
3.權(quán)利要求廣2任一項(xiàng)所述的反射鏡膜系的制備方法，其特征在于，所述膜系的各層膜通過真空蒸鍍單面鍍覆在所述反射鏡的基底上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，包括以下步驟1)清洗基底；2)計(jì)算所述反射鏡膜系各層膜的物理厚度；3)將步驟1)所得的基底放入高真空鍍膜設(shè)備中，抽真空，加熱基底至28(T30(TC，保溫，啟動(dòng)離子源設(shè)備清洗基底；4)以電子束蒸發(fā)源蒸鍍，使所述反射鏡膜系的各層膜以物理厚度依次鍍覆于所述反射鏡基底的一面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，步驟4)所述電子束蒸發(fā)源蒸鍍SiO2 膜時(shí)，真空度為3 X 10_3 Pa,沉積速率為0. 7nm/s ；所述電子束蒸發(fā)源蒸鍍TiO2膜時(shí)，真空度為2X l(T2Pa，沉積速率為0. 3nm/s。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種藍(lán)光DVD、CD光學(xué)讀取頭的反射鏡膜系，所述反射鏡膜系單面鍍覆于反射鏡的基底上，所述反射鏡膜系由33層膜構(gòu)成，其中，與基底相接觸的膜為第一層膜，所述反射鏡膜系的奇數(shù)層膜為SiO2膜，偶數(shù)層膜為TiO2膜。本發(fā)明的反射鏡膜系，在使用DVD激光頭時(shí)，鍍有該膜系的反射鏡高反，對(duì)原有光路不影響，而使用405nm藍(lán)光激光頭時(shí)，鍍有該膜系的反射鏡又達(dá)到使405nm高反的效果。使藍(lán)光和原有DVD光路組合在一起，減少體積，降低成本。
文檔編號(hào)G11B7/22GK102332274SQ201110268819
公開日2012年1月25日 申請(qǐng)日期2011年9月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月13日
發(fā)明者葉小兵, 范利康 申請(qǐng)人:武漢正源高理光學(xué)有限公司