專利名稱：一種大容量nand flash擴(kuò)展模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種應(yīng)用于智能設(shè)備及大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域，具體地說(shuō)是一 種大容量NAND FLASH擴(kuò)展模塊，。
背景技術(shù)：
隨著技術(shù)的發(fā)展，越來(lái)越多的電子產(chǎn)品需要更多的智能化，這也對(duì)這些產(chǎn)品的數(shù) 據(jù)和程序的存儲(chǔ)提出了更高的要求。NAND FLASH芯片在對(duì)大容量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需要中日益 發(fā)展，幾乎所有的數(shù)碼產(chǎn)品內(nèi)都能看到NAND FLASH芯片的身影，但是對(duì)于需要大容量，如 20GB以上的場(chǎng)合，單片的NAND FLASH芯片還不能做到，或者是即使能做到的話，但對(duì)于普 通用戶而言要么不方便購(gòu)買，要么是供貨不穩(wěn)定。但是對(duì)于4GB以下的NAND FLASH芯片，其 購(gòu)買比較容易，供貨也比較穩(wěn)定，故考慮將小容量的NAND FLASH芯片擴(kuò)展成大容量的NAND FLASH芯片使用。經(jīng)驗(yàn)證，本模塊在數(shù)據(jù)采集記錄儀上使用良好，其穩(wěn)定性和可擴(kuò)展性均滿 足要求。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種大容量NAND FLASH擴(kuò)展模塊。本實(shí)用新型的目的方法是按以下方式實(shí)現(xiàn)的，其結(jié)構(gòu)是由一個(gè)CPU、一個(gè)CPLD芯 片和至少2片小容量NAND FLASH芯片組成，小容量NAND FLASH芯片通過(guò)數(shù)據(jù)線與CPLD芯 片并聯(lián)組成大容量NAND FLASH擴(kuò)展模塊，所有NAND FLASH芯片的block具有統(tǒng)一編址，用 戶通過(guò)CPU對(duì)CPLD芯片編程，CPLD芯片根據(jù)輸入地址線決定控制信號(hào)在不同的NAND FLASH 芯片間切換，然后CPU就對(duì)切入連接的NAND FLASH芯片進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫操作。本實(shí)用新型的優(yōu)異效果是采用了一個(gè)CPLD芯片加2 16片小容量NAND FLASH 芯片組合的辦法實(shí)現(xiàn)大容量NAND FLASH模塊的擴(kuò)展，用戶對(duì)CPLD芯片編程后可自動(dòng)實(shí)現(xiàn) 在不同的FLASH芯片間切換，但是整個(gè)模塊的外部接口和單片的NANDFLASH芯片比起來(lái)沒(méi) 有大的變化，這為接口的規(guī)范化和模塊的可移植性提供了便利。模塊可實(shí)現(xiàn)NAND FLASH芯 片容量的任意擴(kuò)展及彈性定制，同時(shí)對(duì)于NAND FLASH芯片接口影響不大，保證了模塊接口 的標(biāo)準(zhǔn)化。

圖1是大容量NAND FLASH擴(kuò)展模塊結(jié)構(gòu)框圖。
具體實(shí)施方式
參照附圖對(duì)本實(shí)用新型的大容量NAND FLASH模塊擴(kuò)展方法作以下詳細(xì)的說(shuō)明。采用了一個(gè)CPLD芯片加2 16片小容量NAND FLASH芯片組合的辦法實(shí)現(xiàn)大容 量NAND FLASH模塊的擴(kuò)展，用戶對(duì)CPLD芯片編程后可自動(dòng)實(shí)現(xiàn)在不同的FLASH芯片間切 換，但是整個(gè)模塊的外部接口和單片的NAND FLASH芯片比起來(lái)沒(méi)有大的變化，這為接口的規(guī)范化和模塊的可移植性提供了便利。CPLD芯片型號(hào)采用Lattice公司的LC4128V，其主要的功能是對(duì)NAND FLASH芯片 控制信號(hào)的切換以及地址譯碼，同時(shí)還能提高驅(qū)動(dòng)能力。本實(shí)用新型的模塊采用了四根片選線，最多可實(shí)現(xiàn)16片NAND FLASH芯片的切換， NAND FLASH芯片的容量大小及片數(shù)由用戶根據(jù)空間，價(jià)格等需求定。如果用戶采用的單片 4GB的NAND FLASH芯片那么模塊的容量最對(duì)可以達(dá)到64GB。在該模塊下，所有芯片的block統(tǒng)一編址，具體選擇哪一片F(xiàn)LASH芯片由程序給 CPLD芯片發(fā)送指令，CPLD芯片根據(jù)輸入地址線決定將NAND FLASH芯片控制器的控制信號(hào) 切換到某個(gè)具體的FLASH芯片，然后CPU就可以對(duì)該FLASH芯片進(jìn)行讀寫操作。實(shí)施例附圖中采用4個(gè)NAND FLASH芯片，使用者根據(jù)需要可加至最多16個(gè)NAND FLASH 芯片，只要保證NAND FLASH芯片的型號(hào)一致即可。在做PCB時(shí)，若空間允許，可預(yù)留幾個(gè) NAND FLASH芯片的封裝，使用者可根據(jù)應(yīng)用的需求選擇是全部使用還是部分使用。當(dāng)容 量需求發(fā)生變化時(shí)，還可以把PCB上的NAND FLASH芯片取下，重新焊上更大容量的NAND FLASH芯片即可。模塊可實(shí)現(xiàn)NAND FLASH容量的任意擴(kuò)展及彈性定制，同時(shí)對(duì)于NAND FLASH接口影響不大，保證了模塊接口的標(biāo)準(zhǔn)化。除說(shuō)明書所述的技術(shù)特征外，均為本專業(yè)技術(shù)人員的已知技術(shù)。
權(quán)利要求一種大容量NAND FLASH擴(kuò)展模塊，其特征在于，其結(jié)構(gòu)是由一個(gè)CPU、一個(gè)CPLD芯片和至少2片小容量NAND FLASH芯片組成，小容量NAND FLASH芯片通過(guò)數(shù)據(jù)線與CPLD芯片并聯(lián)組成大容量NAND FLASH擴(kuò)展模塊，所有NAND FLASH芯片的block具有統(tǒng)一編址，用戶通過(guò)CPU對(duì)CPLD芯片編程，CPLD芯片根據(jù)輸入地址線決定控制信號(hào)在不同的NAND FLASH芯片間切換，然后CPU就對(duì)切入連接的NAND FLASH芯片進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫操作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴(kuò)展模塊，其特征在于，CPLD芯片型號(hào)采用Lattice公司的 LC4128V。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種大容量NAND FLASH擴(kuò)展模塊，其結(jié)構(gòu)是由一個(gè)CPU、一個(gè)CPLD芯片和至少2片小容量NAND FLASH芯片組成，小容量NAND FLASH芯片通過(guò)數(shù)據(jù)線與CPLD芯片并聯(lián)組成大容量NAND FLASH擴(kuò)展模塊，所有NAND FLASH芯片的block具有統(tǒng)一編址，用戶通過(guò)CPU對(duì)CPLD芯片編程，CPLD芯片根據(jù)輸入地址線決定控制信號(hào)在不同的NAND FLASH芯片間切換，然后CPU就對(duì)切入連接的NAND FLASH芯片進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫操作。本實(shí)用新型的大容量NAND FLASH擴(kuò)展模塊，可廣泛應(yīng)用在智能設(shè)備、數(shù)據(jù)采集終端、及對(duì)模塊空間和功耗有嚴(yán)格需求的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域。
文檔編號(hào)G11C16/06GK201741409SQ20102027035
公開(kāi)日2011年2月9日 申請(qǐng)日期2010年7月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月26日
發(fā)明者李偉, 梁華勇, 鄧昕岳 申請(qǐng)人:浪潮電子信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司