專利名稱：在記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種記錄介質(zhì)，尤其是，涉及一種當(dāng)制造記錄介質(zhì)的時候有效地使用 的物理結(jié)構(gòu)，和一種用于在使用該物理結(jié)構(gòu)的記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的方法和裝置。
背景技術(shù)：
通常，已經(jīng)廣泛地將光盤作為能夠在其中記錄大量數(shù)據(jù)的記錄介質(zhì)使用。尤其近 來已經(jīng)開發(fā)了一種能夠長時間記錄/存儲高質(zhì)量視頻數(shù)據(jù)和高質(zhì)量音頻數(shù)據(jù)的高密度光 記錄介質(zhì)，例如，藍(lán)光光盤(BD, Blu-ray Disc)?；谙乱淮涗浗橘|(zhì)技術(shù)的BD被認(rèn)為是能夠比常規(guī)的DVD存儲更多的數(shù)據(jù)的下 一代光記錄解決方案。最近許多的開發(fā)者已經(jīng)與其他的數(shù)字設(shè)備一起對與BD有關(guān)的國際 標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)規(guī)范實施了深入細(xì)致的研究。但是，還沒有建立用于BD的優(yōu)選的物理結(jié)構(gòu)以及在所述物理結(jié)構(gòu)中使用的優(yōu)選 的數(shù)據(jù)管理方法，這使得在開發(fā)基于BD的光記錄/再現(xiàn)設(shè)備的過程中存在許多的限制和問題。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種在多層的記錄介質(zhì)中形成物理結(jié)構(gòu)的方法，所 述記錄介質(zhì)的每層均包括內(nèi)部區(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)和外部區(qū)，所述方法包括在第一層中的所述內(nèi)部 區(qū)中至少形成第一測試區(qū)和控制信息區(qū)，所述控制信息區(qū)被以搖擺的形式凸刻；和在第二 層中的所述內(nèi)部區(qū)中至少形成第二測試區(qū)。其中所述第一層中的所述控制信息區(qū)相對于入 射光束物理上位于與所述第二層中的所述第二測試區(qū)的位置部分或全部相同的位置處。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種在多層的記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的方法，所述記 錄介質(zhì)的每層均包括內(nèi)部區(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)和外部區(qū)，所述方法包括a)測試在第一層的第一測 試區(qū)或者第二層的第二測試區(qū)中的記錄功率，并且確定最佳記錄功率；和b)按所確定的最 佳記錄功率來記錄數(shù)據(jù)。其中在所述第一層中被以搖擺的形式凸刻的控制信息區(qū)相對于入 射光束物理上位于與所述第二層中的所述第二測試區(qū)的位置部分或全部相同的位置處。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種在多層的記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的裝置，所述記 錄介質(zhì)的每層均包括內(nèi)部區(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)和外部區(qū)，所述裝置包括拾取單元，所述拾取單元被 配置成在所述記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)；和控制單元，所述控制單元被配置用于控制所述拾 取單元來測試在第一層的第一測試區(qū)或者第二層的第二測試區(qū)中的記錄功率，進(jìn)行控制以 使得基于所述測試確定最佳記錄功率，以及控制所述拾取單元按所確定的最佳記錄功率來 記錄數(shù)據(jù)。其中在所述第一層中被以搖擺的形式凸刻的控制信息區(qū)相對于入射光束物理上 位于與所述第二層中的所述第二測試區(qū)的位置部分或全部相同的位置處。
應(yīng)該明白，上文的概述和下面的本發(fā)明的詳細(xì)說明是示范性和說明性的，并且是 對權(quán)利要求所限定的本發(fā)明提供進(jìn)一步的說明。


所包括的附圖用于提供對本發(fā)明進(jìn)一步的理解，并且構(gòu)成本申請書的一部分，其 圖示本發(fā)明的實施例，并且與該說明書一起可以起解釋本發(fā)明原理的作用。其中圖1是按照本發(fā)明的雙層的BD-R ；圖2是按照本發(fā)明的雙層的BD-RE ；圖3是舉例說明按照本發(fā)明第一個優(yōu)選實施例的光盤內(nèi)部區(qū)的結(jié)構(gòu)圖；圖4是舉例說明按照本發(fā)明第二個優(yōu)選實施例的光盤內(nèi)部區(qū)的結(jié)構(gòu)圖；圖5是舉例說明按照本發(fā)明第三個優(yōu)選實施例的光盤內(nèi)部區(qū)的結(jié)構(gòu)圖；圖6是舉例說明按照本發(fā)明第四個優(yōu)選實施例的光盤內(nèi)部區(qū)的結(jié)構(gòu)圖；圖7是舉例說明按照本發(fā)明第五個優(yōu)選實施例的光盤內(nèi)部區(qū)的結(jié)構(gòu)圖；圖8是舉例說明按照本發(fā)明用于在記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的裝置的方框圖；和圖9是舉例說明按照本發(fā)明用于在記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的方法的流程圖。
具體實施例方式現(xiàn)在將詳細(xì)地介紹本發(fā)明的優(yōu)選實施例，其例子在附圖中舉例說明。只要可能，貫 穿該附圖相同的參考數(shù)字將用于指示相同的或者類似的部分。在下文中將參考附帶的附圖描述按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)和用于在記錄介質(zhì)中記 錄數(shù)據(jù)的方法和裝置。在描述本發(fā)明之前，應(yīng)當(dāng)注意到，在本發(fā)明中公開的大多數(shù)術(shù)語對應(yīng)于在該技術(shù) 領(lǐng)域中眾所周知的常規(guī)術(shù)語，但是，已經(jīng)由本申請人根據(jù)需要選擇了一些術(shù)語，并且將在下 文中在以下本發(fā)明的描述中公開。因此，最好是，由本申請人定義的術(shù)語以在本發(fā)明中的含 義為基礎(chǔ)理解。供本發(fā)明使用的術(shù)語“記錄介質(zhì)”表示能夠按照各種各樣的記錄方案在其中存儲 數(shù)據(jù)的所有的介質(zhì)。該記錄介質(zhì)的有代表性的例子是光盤和磁帶等等。為了描述和更好地理解本發(fā)明的方便起見，諸如BD-R的光盤在下文中將示范性 地用作在本發(fā)明中的以上提及的記錄介質(zhì)。應(yīng)當(dāng)注意到，本發(fā)明的技術(shù)想法可以應(yīng)用于不 脫離本發(fā)明的范圍和精神的其它的記錄介質(zhì)。作為一個示范的測試區(qū)的術(shù)語“最佳功率控制(OPC)區(qū)”表示分配去在記錄介質(zhì) 中執(zhí)行OPC處理的區(qū)域。該術(shù)語“最佳功率控制(OPC) ”表示當(dāng)在可記錄的光盤中記錄數(shù)據(jù) 的時候能夠計算最佳記錄功率的處理過程。換句話說，如果光盤被放在特定的光記錄/再現(xiàn)設(shè)備中，該光記錄/再現(xiàn)設(shè)備重復(fù) 地執(zhí)行用于在光盤的OPC區(qū)中記錄數(shù)據(jù)的過程，并且再現(xiàn)所記錄的數(shù)據(jù)，使得其計算可適 用于光盤的最佳記錄功率。此后，當(dāng)在光盤中記錄數(shù)據(jù)的時候，該光記錄/再現(xiàn)設(shè)備使用計 算的最佳記錄功率。因此，該OPC區(qū)是可記錄的光盤所需要的。與以上提及的描述有關(guān)， TDMA(臨時光盤管理區(qū))是管理區(qū)的例子。例如，BD-R必須更新當(dāng)前的光盤使用狀態(tài)(例 如，光盤記錄狀態(tài)或者由數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)過程產(chǎn)生的缺陷)，并且必須反映該更新的信息。
5為了這個目的，TDMA在光盤使用時間期間被使用。包括在TDMA中的控制信息包括與TDMA 記錄在其中的記錄層和其它的記錄層相關(guān)的信息。術(shù)語“多層”表示至少二層。特別地，如果多層僅僅包括二層，這種結(jié)構(gòu)稱為雙層。 該多層按照每層具有不同的物理特性，使得每層需要其唯一的OPC區(qū)。特別地，本發(fā)明可以有效地用于由至少由三層組成的多層的光盤。在這種情況下， 雖然在以上提及的光盤中存在三層，即，覆蓋層、隔離層和記錄層，為了描述的方便起見假 設(shè)，本發(fā)明局限于記錄層，使得所述記錄層被稱為一層，并且根據(jù)所述記錄層的數(shù)目，一層 光盤和多層的光盤相互區(qū)分開來。在下文中將參考附帶的附圖描述記錄介質(zhì)和用于在記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的方法 和裝置。本發(fā)明涉及多層的光盤的內(nèi)部區(qū)。例如，如果在該光盤中包含N層，在特定的 層通常遠(yuǎn)離光束的入射方向的基礎(chǔ)上，這些層被以第一層(層0，“L0”)、第二層(層1， “L1”)，，，，，第N層(層N-l，“Ln-l”)的順序順序地安排。不必說，以上提及的層也可以在 特定的層最靠近于光束入射方向的基礎(chǔ)上順序地安排，并且本發(fā)明的范圍不局限于以上提 及的例子。與以上提及的描述有關(guān)，雖然包含在光盤中的層的數(shù)目不局限于特定的數(shù)目，最 好是，考慮到光盤厚度(t)典型地設(shè)置為1. 2mm，在單個光盤中可容許的最大層數(shù)大約是8。
參考光盤的剖視圖，該光盤的每層(L0、L1.....或者Ln-1)可以劃分為內(nèi)部區(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)和基
于光盤內(nèi)部區(qū)的外部區(qū)。包含在內(nèi)部區(qū)和外部區(qū)的每個中的特定的區(qū)，或者用作供記錄光盤管理信息 (DMI)的記錄區(qū)，或者用作測試區(qū)。數(shù)據(jù)區(qū)在其中記錄實際用戶數(shù)據(jù)。在這種情況下，用于光盤管理的備用區(qū)也可以包含在以上提及的數(shù)據(jù)區(qū)中。本發(fā) 明涉及一種可記錄的記錄介質(zhì)，使得OPC區(qū)包含在包含于光盤中的所有層的每個中，并且 相鄰層(或者鄰近層)的OPC區(qū)沒有物理定位在基于光束前進(jìn)方向的相同的位置上。換句話說，為了執(zhí)行OPC過程，用于測試的功率值被順序地在從大功率值到小功 率值的范圍內(nèi)使用，或者其它可選地使用。如果OPC區(qū)是物理定位在基于光束在鄰近層之 間前進(jìn)的方向的相同位置上的，則遇到光束干擾的概率增加，所述干擾不僅能夠在實際上 使用的OPC區(qū)中、而且也能在包含在鄰近層中的其它的OPC區(qū)中出現(xiàn)。從能夠計算最佳記錄功率的OPC區(qū)的目的的視點出發(fā)，所述光束干擾的概率的增 加，可能對計算最佳記錄功率具有消極影響。因此，假設(shè)本發(fā)明按照OPC區(qū)的目的包括鋸齒 形配置的OPC區(qū)，并且考慮到OPC區(qū)位置，可以建立能夠受OPC結(jié)果影響的TDMA位置。圖1是按照本發(fā)明的雙層的BD-R。圖2是按照本發(fā)明的雙層的BD-RE。圖1-2示出雙層的光盤。特別地，在下文中將參考圖1 2描述來自在光盤的每 層的多個區(qū)之中的、BD-R和BD-RE的單獨的內(nèi)部區(qū)。在下文中將描述所述內(nèi)部區(qū)的詳細(xì)說明。所述內(nèi)部區(qū)包括PIC(永久性信息和控 制數(shù)據(jù))區(qū)，用于執(zhí)行OPC過程的OPC區(qū)。該P(yáng)IC區(qū)將光盤管理信息作為凸出的HFM(高頻 調(diào)制的)信號記錄。與以上提及的描述有關(guān)，一次性寫入的BD-R進(jìn)一步包括毗臨于OPC區(qū)的臨時光盤 管理區(qū)(TDMA)，但是，BD-RE包括在OPC區(qū)附近的保留區(qū)。
參考圖1的BD-R的內(nèi)部區(qū)，PIC區(qū)、OPCO區(qū)和TDMAO區(qū)順序地包含在層LO中。 OPCl區(qū)、TDMAl區(qū)和保留區(qū)包含在層Ll中。參考圖2的BD-RE的內(nèi)部區(qū)，PIC區(qū)、OPCO區(qū)和保留區(qū)順序地包含在層“L0”中。 PIC區(qū)、保留區(qū)和OPCl區(qū)包含在層“Li”中。如上所述，圖1的BD-R的內(nèi)部區(qū)不同于圖2的BD-RE的內(nèi)部區(qū)，并且BD-R的內(nèi)部 區(qū)不同于BD-RE的內(nèi)部區(qū)的理由如下。第一，BD-R起著一次性寫入的記錄介質(zhì)的作用，使得數(shù)據(jù)僅僅可以一次性地記錄 在BD-R中。換句話說，BD-RE的光盤管理方案和缺陷管理方案不同于BD-R的光盤管理方 案和缺陷管理方案。與以上提及的光盤管理方案有關(guān)，BD-RE的內(nèi)部區(qū)不需要包括TDMA，但是，BD-R的 內(nèi)部區(qū)必須包括用于數(shù)據(jù)記錄過程所需的光盤管理的TDMA。因此，被分配有TDMA的BD-R 的內(nèi)部區(qū)，不同于沒有分配有TDMA的BD-RE的內(nèi)部區(qū)。第二，OPC區(qū)被分配給內(nèi)部區(qū)。更詳細(xì)地，BD-RE不包括記錄數(shù)據(jù)的特定區(qū)(例如， TDMA)，所述數(shù)據(jù)可以被OPC區(qū)的OPC結(jié)果影響，使得在BD-RE中不存在問題。但是，BD-R包括能夠受到OPC結(jié)果影響的TDMA，使得包含在每層中的OPC區(qū)和 TDMA必須分配在不同的位置上，以防止出現(xiàn)由OPC區(qū)和TDMA的安排所引起的消極影響。結(jié) 果，BD-RE的內(nèi)部區(qū)必須被設(shè)計成不同于BD-R的內(nèi)部區(qū)。與以上提及的描述有關(guān)，本發(fā)明提供了一種改進(jìn)的內(nèi)部區(qū)結(jié)構(gòu)，用于防止存儲在 TDMA中的數(shù)據(jù)由于在多層光盤中的鄰近層的OPC結(jié)果而被損壞，這使得其可以有效地使用 光盤。參考在圖2中示出的BD-RE的層LO和Ll的內(nèi)部區(qū)結(jié)構(gòu)，至少一個OPC區(qū)被包含在 每個層中，并且OPCO區(qū)和OPCl區(qū)物理定位在相對于入射光束不同的位置上。結(jié)果，在OPCO 區(qū)和OPCl區(qū)之間的OPC結(jié)果，S卩，高功率記錄效應(yīng)，可以不影響鄰近層。參考在圖1中示出 的BD-R的層LO和Ll的內(nèi)部區(qū)結(jié)構(gòu)，層Ll的OPCl區(qū)定位在相對于入射光束的、與層LO的 PIC區(qū)相同的位置上。在這種情況下，沒有數(shù)據(jù)記錄在PIC區(qū)中，并且PIC區(qū)被以搖擺形狀的形式配置， 使得PIC區(qū)不受層Ll的OPC區(qū)的OPC結(jié)果的影響。用于在其中記錄光盤管理信息和其它數(shù)據(jù)的TDMA，被定位在相對于入射光束的、 與層LO的OPCl區(qū)相同的位置上，使得OPCO區(qū)的OPC結(jié)果可能影響TDMA1。以上提及的情形表示OPC結(jié)果可能不可避免地使每層的RF信號抖動惡化。因此，最好是，重要的RF格式數(shù)據(jù)不能被記錄在BD-R的層中。雖然已經(jīng)在圖1中公開了雙層的光盤，應(yīng)當(dāng)注意到，在單張光盤(諸如，BD)中可 容許的最大層數(shù)可以確定為大約是“8”。在下文中將參考圖3 7描述能夠有效地使用光盤的內(nèi)部區(qū)結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的特征在于OPC區(qū)和TDMA沒有物理定位在相對于入射光束的、相同的位置 上，以便防止TDMA數(shù)據(jù)由于OPC結(jié)果被損壞。如果OPC區(qū)定位在與TDMA相同的位置上，OPC結(jié)果可能影響TDMA的數(shù)據(jù)，使得在 光盤管理信息中出現(xiàn)想不到的缺陷，導(dǎo)致在光盤的數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)操作中出現(xiàn)問題。因此，每層的OPC區(qū)和TDMA必須不被物理定位在相對于入射光束的、相同的位置 上。在這種情況下，每層的每個TDMA不必定位在相同的位置上。為了描述的方便起見，假
7設(shè)每層的每個TDMA定位在相同的位置上。圖3是舉例說明按照本發(fā)明第一個優(yōu)選實施例 的光盤內(nèi)部區(qū)的結(jié)構(gòu)圖。圖3示出雙層的光盤。如可以從圖3看到的，層LO的內(nèi)部區(qū)在光 盤內(nèi)部區(qū)的基礎(chǔ)上順序地包括PIC區(qū)、OPC區(qū)和TDMAO區(qū)。層Ll的內(nèi)部區(qū)在光盤內(nèi)部區(qū)的 基礎(chǔ)上順序地包括OPCl區(qū)、保留區(qū)和TDMAl。來自在層Ll的內(nèi)部區(qū)之中的OPCl區(qū)的OPC結(jié)果可能對層LO的PIC區(qū)幾乎不具
有影響。但是，來自在層LO的內(nèi)部區(qū)之中的OPCO區(qū)的OPC結(jié)果可能影響層Ll的TDMAl。 因此，本發(fā)明的光盤包括沒有物理定位在相對于入射光束的、與OPCO區(qū)相同的位置上的 TDMA。因此，保留區(qū)，而不是TDMA1，被物理定位在相對于入射光束的、與OPCO區(qū)相同的位置 上，使得數(shù)據(jù)不被記錄在該保留區(qū)中，并且該光盤不受OPC結(jié)果的影響。因此，在按照本發(fā)明的內(nèi)部區(qū)結(jié)構(gòu)(參見圖3)的情況下，每個層LO和Ll的TDMAO 和TDMAl都被物理定位在相對于入射光束的、相同的位置上，并且保留區(qū)被物理定位在相 對于入射光束的、與OPC區(qū)相同的位置上。圖4是舉例說明按照本發(fā)明第二個優(yōu)選實施例的光盤內(nèi)部區(qū)的結(jié)構(gòu)圖。圖3的概 念擴(kuò)展為圖4的結(jié)構(gòu)。圖4示范性地示出由4層組成的光盤的內(nèi)部區(qū)結(jié)構(gòu)。參考以上提及的圖4的內(nèi)部區(qū)結(jié)構(gòu)，層LO和Ll具有與圖3的雙層的光盤相同的 內(nèi)部區(qū)。即，層L2和L3等于層LO和Li。圖4的結(jié)構(gòu)通過重復(fù)圖3的雙層的光盤的內(nèi)部區(qū) 來形成。因此，層LO的內(nèi)部區(qū)順序地包括PIC區(qū)、OPCO區(qū)和TDMA0。層Ll的內(nèi)部區(qū)順序地 包括OPCl區(qū)、保留區(qū)和TDMAl。層L2的內(nèi)部區(qū)順序地包括PIC區(qū)、0PC2區(qū)和TDMA2。層L3 的內(nèi)部區(qū)順序地包括0PC3區(qū)、保留區(qū)和TDMA3。在這種情況下，OPCl區(qū)的OPC結(jié)果，和0PC3區(qū)的OPC結(jié)果對該光盤幾乎不具有影 響，因為層LO的PIC區(qū)和層L2的PIC區(qū)被以搖擺的形式凸刻。但是，層LO的OPCO區(qū)的OPC結(jié)果和層L2的0PC2區(qū)的OPC結(jié)果影響單獨的臨近 層，所述臨近層定位在相對于入射光束的、相同的位置上。換句話說，OPCO區(qū)的OPC結(jié)果影 響層Li，并且0PC2區(qū)的OPC結(jié)果影響層Ll或者L3。因此，為了將由以上提及的OPCO區(qū)和0PC2區(qū)的OPC結(jié)果所引起的影響減到最小， TDMAl和TDMA3不被物理定位在相對于入射光束的、與OPCO和0PC2區(qū)相同的位置上，并且 沒有數(shù)據(jù)的保留區(qū)被物理定位在與OPCO和0PC2區(qū)相同的位置上，使得OPC結(jié)果的影響可 以被減到最小。在這種情況下，如果每個TDMA被如上所述安排，在圖4中示出的整個內(nèi)部區(qū)結(jié)構(gòu) 被擴(kuò)展為層LO L3，每個層LO L3的TDMA被物理定位在相對于入射光束的、相同的位置 上，并且保留區(qū)被物理定位在相對于入射光束的、與OPC區(qū)相同的位置上，使得OPC區(qū)和保 留區(qū)被交替地安排在層LO L3中。因此，該光盤不受OPC區(qū)的OPC結(jié)果的影響，使得該光 盤可以被更加有效地使用。圖5是舉例說明按照本發(fā)明第三個優(yōu)選實施例的光盤內(nèi)部區(qū)的結(jié)構(gòu)圖。正如前面 提到的那樣，在單個光盤中最多可以包含8層。圖5示范性地示出當(dāng)在一個光盤中包含8 層時的內(nèi)部區(qū)結(jié)構(gòu)。更詳細(xì)地，圖5示范性地示出通過擴(kuò)展圖3的雙層的光盤和圖4的4層的光盤來形成的8層的光盤。圖5的LO和Ll結(jié)構(gòu)等于在圖3中示出的雙層的光盤的內(nèi)部區(qū)的LO和Ll結(jié)構(gòu)。 圖5的L2和L3結(jié)構(gòu)等于圖4的LO和Ll結(jié)構(gòu)。更詳細(xì)地，圖5的結(jié)構(gòu)是通過重復(fù)圖3的 雙層的光盤的內(nèi)部區(qū)來形成的。因此，層LO的內(nèi)部區(qū)順序地包括PIC區(qū)、OPCO區(qū)和TDMA0。層L2的內(nèi)部區(qū)順序地 包括Pic區(qū)、0PC2區(qū)和TDMA2。層L4的內(nèi)部區(qū)順序地包括PIC區(qū)、0PC4區(qū)和TDMA4。層L6 的內(nèi)部區(qū)順序地包括PIC區(qū)、0PC6區(qū)和TDMA6。層Ll的內(nèi)部區(qū)順序地包括OPCl區(qū)、保留區(qū) 和TDMAl。層L3的內(nèi)部區(qū)順序地包括0PC3區(qū)、保留區(qū)和TDMA3。層L5的內(nèi)部區(qū)順序地包 括0PC5區(qū)、保留區(qū)和TDMA5。層L7的內(nèi)部區(qū)順序地包括0PC7區(qū)、保留區(qū)和TDMA7。OPC區(qū)和TDMA的存取順序在從層LO到層L7的范圍中被順序地確定。包含在圖5的層L0、L2、L4和L6中的PIC區(qū)不受包含在層Li、L3、L5和L7中的 OPC區(qū)(即，OPCU 0PC3、0PC5和0PC7區(qū))的OPC結(jié)果的影響，層Li、L3、L5和L7毗臨層 L0、L2、L4 禾口 L6。但是，在每層中包括光盤管理信息的TDMA受以上提及的OPC結(jié)果的影響。換句話說，層LO的OPCO區(qū)的OPC結(jié)果影響層Li，并且層L2的0PC2區(qū)的OPC結(jié)果 影響層Ll和L3。此外，在層L4中的0PC4區(qū)的OPC結(jié)果影響層L3和L5，并且在層L6中的 0PC6區(qū)的其它OPC結(jié)果影響層L5和L7。為了將由以上提及的OPC結(jié)果所引起的相鄰層的消極影響減到最小，本發(fā)明的 OPC區(qū)沒有被物理定位在相對于入射光束的、與TDMA相同的位置上。在這種情況下，最好是，在圖5中示出的光盤的每層的TDMA被物理定位在實際上 相對于入射光束的、相同的位置上。保留區(qū)，而不是能夠受OPC結(jié)果影響的數(shù)據(jù)記錄區(qū)，可以被物理定位在相對于入 射光束的、與0PC2區(qū)、0PC4區(qū)和0PC6區(qū)相同的位置上。因此，按照本發(fā)明的以上提及的內(nèi)部區(qū)結(jié)構(gòu)，防止出現(xiàn)由OPC結(jié)果所引起的問題， 導(dǎo)致提高光盤的效率。圖6是舉例說明按照本發(fā)明第四個優(yōu)選實施例的光盤內(nèi)部區(qū)的結(jié)構(gòu)圖。圖7是舉 例說明按照本發(fā)明第五個優(yōu)選實施例的光盤內(nèi)部區(qū)的結(jié)構(gòu)圖。圖6 7示出在圖3至5中示出的光盤的概念和結(jié)構(gòu)圖。圖6是4層的光盤的內(nèi) 部區(qū)結(jié)構(gòu)的例子。圖7是8層的光盤的內(nèi)部區(qū)結(jié)構(gòu)的例子。換句話說，由于存儲在包含在圖4 5的光盤中的多個PIC區(qū)中的數(shù)據(jù)單元彼此 相等，除了包含在由多層組成的光盤的起始層中的PIC區(qū)之外，圖6 7示出以未記錄的區(qū) (即，在其中不能記錄數(shù)據(jù)的區(qū))代替的光盤內(nèi)部區(qū)(例如，緩沖區(qū))的例子。圖6的結(jié)構(gòu)基本上等于圖4的結(jié)構(gòu)。如可以從圖6中看到的，在層L2中PIC區(qū)被 緩沖區(qū)代替。圖7的結(jié)構(gòu)基本上等于圖5的結(jié)構(gòu)。如可以從圖7中看到的，在相對于入射光束 的層L2、L4和L6中，PIC區(qū)被緩沖區(qū)代替。以上提及的圖3 7的光盤內(nèi)部區(qū)結(jié)構(gòu)描述本發(fā)明的各種各樣的優(yōu)選實施例。雖 然內(nèi)部區(qū)結(jié)構(gòu)改變?yōu)榱硪环N結(jié)構(gòu)，由于能夠在其中記錄光盤管理信息的TDMA，所述改變的 結(jié)構(gòu)不受OPC結(jié)果的影響，這使得本發(fā)明的范圍和構(gòu)思不局限于以上提及的例子，并且還可以根據(jù)需要應(yīng)用于其它的例子。圖8是舉例說明按照本發(fā)明用于在記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的裝置的方框圖。參考圖8，用于在記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的裝置包括用于向/從光盤記錄/再現(xiàn)數(shù) 據(jù)的記錄/再現(xiàn)單元10，和用于控制記錄/再現(xiàn)單元10的控制器12。該記錄/再現(xiàn)單元 10包括拾取單元11、信號處理器13、伺服單元14、存儲器15和微處理器16。該拾取單元 11在光盤中直接記錄數(shù)據(jù)，或者讀取記錄在光盤中的數(shù)據(jù)。信號處理器13接收從拾取單 元11讀取的信號，將接收信號恢復(fù)為期望的信號值，或者將待記錄的信號調(diào)制為記錄在該 光盤中的另一個信號，使得它傳送恢復(fù)的或者調(diào)制的結(jié)果。伺服單元14控制拾取單元11 的操作，使得其正確地從光盤讀取所需信號，并且正確地在光盤中記錄信號。存儲器15不 僅臨時地存儲管理信息，而且臨時地存儲數(shù)據(jù)。微處理器16控制以上提及的部件的整個操 作。以上提及的記錄/再現(xiàn)單元10在記錄介質(zhì)的測試區(qū)中執(zhí)行測試，計算最佳記錄功率， 并且使用該計算的最佳記錄功率記錄數(shù)據(jù)。與以上提及的描述有關(guān)，僅僅由記錄/再現(xiàn)單元10組成的記錄設(shè)備稱為驅(qū)動器， 并且通常地用作計算機(jī)的外圍設(shè)備。控制器12控制整個構(gòu)成部件的操作。與本發(fā)明有關(guān)，該控制器12通過與用戶接 口引用用戶命令，并且將能夠向/從該光盤記錄/再現(xiàn)數(shù)據(jù)的記錄/再現(xiàn)命令傳送給記錄 /再現(xiàn)單元10。微處理器16在第一層的測試區(qū)中執(zhí)行與記錄功率有關(guān)的測試，計算最佳記錄功 率，并且使用計算的最佳記錄功率記錄數(shù)據(jù)，使得其按照數(shù)據(jù)記錄過程、在分配在鄰近于第 一層的第二層中的管理區(qū)中記錄控制信息(例如，光盤管理信息)。在這種情況下，在第一 層中的測試區(qū)沒有物理定位在相對于入射光束的、與在第二層中的管理區(qū)相同的位置上。與本發(fā)明有關(guān)，控制器12和微處理器16的功能可以分別地由第一控制單元和第 二控制單元分開和操作。作為選擇，該控制器12和微處理器16的功能可以作為一個控制 單元組合和操作。一旦從控制器12收到控制信號，解碼器17解碼從光盤讀取的信號，將解碼的信號 恢復(fù)為期望的信息，并且將所恢復(fù)的信號傳送給用戶。編碼器18從控制器12接收一個控制信號以在光盤中記錄期望的信號，將接收信 號轉(zhuǎn)換為特定格式信號(例如，MPEG 2傳輸流)，并且將該特定格式信號傳送給信號處理器 13。在下文中將參考圖9描述一種使用在圖8中示出的裝置、用于在多層的記錄介質(zhì) 中記錄數(shù)據(jù)的方法。圖9是舉例說明按照本發(fā)明用于在記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的方法的流程圖。參考圖9，必須首先計算用于在記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的最佳記錄功率，以在多層的 記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)。對于這個操作，OPC區(qū)的記錄功率被測試，使得在步驟SlO上確定最 佳記錄功率。然后，在步驟S20上，用于記錄數(shù)據(jù)的裝置使用確定的該記錄介質(zhì)的最佳記錄功 率記錄數(shù)據(jù)。如果以上提及的記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)記錄操作開始，用于記錄數(shù)據(jù)的裝置以以上提及 的確定的最佳記錄功率、在由記錄過程產(chǎn)生的TDMA中記錄光盤管理信息(DMI)和其它的數(shù)據(jù)。在這種情況下，每層的OPC區(qū)沒有被物理定位在相對于入射光束的、與鄰近的層 的TDMA相同的位置上，所述鄰近的層毗臨以上提及的、包括OPC區(qū)的層。例如，在8層的記錄介質(zhì)的情況下，OPC區(qū)存在于層L5中，層L4和L6的TDMA沒 有物理定位在相對于在步驟S30上入射的光束的、與層L5的OPC區(qū)相同的位置上，使得層 L4和L6的TDMA不受由OPC區(qū)執(zhí)行的OPC結(jié)果的影響。如從以上的描述中清晰可見的，按 照本發(fā)明的記錄介質(zhì)，和用于在記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的方法和裝置，可以應(yīng)用于，用于制造 近來開發(fā)的多層的BD的方法，并且可以有效地向/從光盤記錄/再現(xiàn)數(shù)據(jù)。工業(yè)實用性對于那些本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見，不脫離本發(fā)明的精神或者范圍，可以在 本發(fā)明中進(jìn)行各種各樣的修改和變化。因此，本發(fā)明意欲覆蓋歸入所附的權(quán)利要求和其等 效范圍之內(nèi)的、所提供的本發(fā)明的改進(jìn)和變化。
權(quán)利要求
一種在多層的記錄介質(zhì)中形成物理結(jié)構(gòu)的方法，所述記錄介質(zhì)的每層均包括內(nèi)部區(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)和外部區(qū)，所述方法包括在第一層中的所述內(nèi)部區(qū)中至少形成第一測試區(qū)和控制信息區(qū)，所述控制信息區(qū)被以搖擺的形式凸刻；和在第二層中的所述內(nèi)部區(qū)中至少形成第二測試區(qū)，其中所述第一層中的所述控制信息區(qū)相對于入射光束物理上位于與所述第二層中的所述第二測試區(qū)的位置部分或全部相同的位置處。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一和第二測試區(qū)是用于每層的最佳功率控 制(0PC)區(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一層中的所述第一測試區(qū)相對于所述入射 光束物理上不位于與所述第二層中的所述第二測試區(qū)的位置部分或全部相同的位置處。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二層中的所述數(shù)據(jù)區(qū)相對于所述入射光束 物理上不位于與所述第一層中的所述第一測試區(qū)的位置部分或全部相同的位置處。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在所述第二層中形成保留區(qū)，在所述第二層中的所述保留區(qū)相對于所述入射光束物理 上位于與所述第一層中的所述第一測試區(qū)的位置部分或全部相同的位置處。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在所述第二層中形成緩沖區(qū)，在所述第二層中的所述緩沖區(qū)相對于所述入射光束物理 上位于與所述第一層中的所述第一測試區(qū)的位置部分或全部相同的位置處。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一層鄰近于所述第二層。
8.一種在多層的記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的方法，所述記錄介質(zhì)的每層均包括內(nèi)部區(qū)、數(shù) 據(jù)區(qū)和外部區(qū)，所述方法包括a)測試在第一層的第一測試區(qū)或者第二層的第二測試區(qū)中的記錄功率，并且確定最佳 記錄功率；和b)按所確定的最佳記錄功率來記錄數(shù)據(jù)，其中在所述第一層中被以搖擺的形式凸刻的控制信息區(qū)相對于入射光束物理上位于 與所述第二層中的所述第二測試區(qū)的位置部分或全部相同的位置處。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述第一和第二測試區(qū)是用于記錄測試數(shù)據(jù)以確 定所述最佳記錄功率的最佳功率控制(0PC)區(qū)；并且其中所述測試步驟包括在所述第一測試區(qū)或者所述第二測試區(qū)中記錄所述測試數(shù)據(jù)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述第一層鄰近于所述第二層。
11.一種在多層的記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的裝置，所述記錄介質(zhì)的每層均包括內(nèi)部區(qū)、數(shù) 據(jù)區(qū)和外部區(qū)，所述裝置包括拾取單元，所述拾取單元被配置成在所述記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)；和控制單元，所述控制單元被配置用于控制所述拾取單元來測試在第一層的第一測試 區(qū)或者第二層的第二測試區(qū)中的記錄功率，進(jìn)行控制以使得基于所述測試確定最佳記錄功 率，以及控制所述拾取單元按所確定的最佳記錄功率來記錄數(shù)據(jù)，其中在所述第一層中被以搖擺的形式凸刻的控制信息區(qū)相對于入射光束物理上位于 與所述第二層中的所述第二測試區(qū)的位置部分或全部相同的位置處。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述第一和第二測試區(qū)是用于記錄測試數(shù)據(jù)以 確定所述最佳記錄功率的最佳功率控制(0PC)區(qū)，以及其中所述控制器被配置成控制所述拾取單元以通過記錄所述測試數(shù)據(jù)來確定所述最 佳記錄功率。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述控制器被配置成控制所述拾取單元以測試 在所述第一層的所述第一測試區(qū)中的所述記錄功率，以及所述第一層的所述第一測試區(qū)相 對于所述入射光束位于與所述第二層中的保留區(qū)的位置部分或全部相同的位置處。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述第一層鄰近于所述第二層。
全文摘要
公開了在記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的方法和裝置。一種在多層的記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的方法，所述記錄介質(zhì)的每層均包括內(nèi)部區(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)和外部區(qū)，所述方法包括a)測試在第一層的第一測試區(qū)或者第二層的第二測試區(qū)中的記錄功率，并且確定最佳記錄功率；和b)按所確定的最佳記錄功率來記錄數(shù)據(jù)。其中在所述第一層中被以搖擺的形式凸刻的控制信息區(qū)相對于入射光束物理上位于與所述第二層中的所述第二測試區(qū)的位置部分或全部相同的位置處。
文檔編號G11B20/12GK101944370SQ20101027083
公開日2011年1月12日 申請日期2006年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月30日
發(fā)明者徐相運(yùn) 申請人:Lg電子株式會社