專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體設(shè)計(jì)技術(shù)，且尤其涉及一種半導(dǎo)體裝置的熔絲電路。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體裝置包括熔絲電路，熔絲電路用于設(shè)置內(nèi)部電路、用于改變內(nèi)部電路的選 項(xiàng)或用于編程修復(fù)地址。通過(guò)經(jīng)熔絲編程改變?nèi)劢z電路中的熔絲的電連接狀態(tài)，來(lái)改變預(yù) 定設(shè)置信息或儲(chǔ)存地址。當(dāng)激光束或電應(yīng)力施加至熔絲時(shí)，熔絲的電連接狀態(tài)改變。意即， 若激光束或電應(yīng)力施加至熔絲，則熔絲的電阻改變。因此，使用熔絲的電連接狀態(tài)(諸如， 短路狀態(tài)或開(kāi)路狀態(tài))的變化來(lái)編程預(yù)定數(shù)據(jù)。激光燒斷型(blowing type)熔絲使用激光束使熔絲的電連接狀態(tài)成為短路狀態(tài)。 激光燒斷型熔絲一般稱為物理熔絲(physical fuse) 0物理熔絲在晶片階段中使用激光束 改變其電連接狀態(tài)。此處，晶片階段為在將半導(dǎo)體裝置制造為封裝之前的制造階段。物理 熔絲可稱為激光熔絲。在封裝階段中，使用電方法來(lái)代替使用物理方法，該物理方法使用激光束。將可在 封裝階段中編程的熔絲稱為電熔絲(E-Fuse)。意即，通過(guò)施加諸如過(guò)電流或高電壓的電應(yīng) 力來(lái)改變?nèi)劢z的電連接狀態(tài)，電熔絲改變編程?？蓪㈦娙劢z分類成反型(anti-type)熔絲 和燒斷型熔絲。反型熔絲將電連接狀態(tài)自開(kāi)路狀態(tài)改變成短路狀態(tài)，且燒斷型熔絲將電連 接狀態(tài)自短路狀態(tài)改變成開(kāi)路狀態(tài)。電熔絲廣泛地用于封裝階段中，因?yàn)殡娙劢z可在封裝 工藝之后編程。然而，電熔絲在大小上與物理熔絲相比非常大且需要用于控制熔絲的控制 電路。因此，電熔絲在應(yīng)用范圍上及設(shè)置能力上受限。因此，需要開(kāi)發(fā)類似物理熔絲具有小尺寸且類似電熔絲具有甚至在封裝之后仍可 實(shí)施修復(fù)工藝的能力的熔絲。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例針對(duì)一種具有插入于接觸孔中的接觸熔絲(contactfuse)的半 導(dǎo)體裝置。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，一種半導(dǎo)體裝置包括第一傳輸線及第二傳輸線，第一 傳輸線及第二傳輸線位于不同層處；接觸熔絲，其與第一傳輸線及第二傳輸線耦接；電源 驅(qū)動(dòng)器，其被配置成將電應(yīng)力施加至接觸熔絲；及熔絲狀態(tài)輸出單元，其被配置成輸出具有 與接觸熔絲的電連接狀態(tài)相對(duì)應(yīng)的邏輯電平的熔絲狀態(tài)信號(hào)。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，一種半導(dǎo)體裝置包括第一傳輸線；第二傳輸線；接觸 熔絲，其與第一傳輸線及第二傳輸線耦接；第一信號(hào)驅(qū)動(dòng)器，其被配置成將輸入信號(hào)驅(qū)動(dòng)至第一傳輸線；第二信號(hào)驅(qū)動(dòng)器，其被配置成將輸入信號(hào)驅(qū)動(dòng)至位于與第一傳輸線的層不同 的層處的第二傳輸線；及電源驅(qū)動(dòng)器，其被配置成通過(guò)將電應(yīng)力施加至接觸熔絲而改變接 觸熔絲的電連接狀態(tài)。根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例，一種半導(dǎo)體裝置包括第一傳輸線；第二傳輸線；主傳 輸線，其位于與第一傳輸線及第二傳輸線的層不同的層處；第一接觸熔絲，其與第一傳輸線 及主傳輸線耦接；第二接觸熔絲，其與第二傳輸線及主傳輸線耦接；第一信號(hào)驅(qū)動(dòng)器，其被 配置成將輸入信號(hào)驅(qū)動(dòng)至第一傳輸線；第二信號(hào)驅(qū)動(dòng)器，其被配置成將輸入信號(hào)驅(qū)動(dòng)至第 二傳輸線；及電源驅(qū)動(dòng)器，其被配置成通過(guò)將電應(yīng)力選擇性地施加至作為被選接觸熔絲的、 第一接觸熔絲及第二接觸熔絲中的一個(gè)而改變所選擇的被選接觸熔絲的電連接狀態(tài)。根據(jù)本發(fā)明的再一實(shí)施例，一種半導(dǎo)體裝置包括第一傳輸線及第二傳輸線；激 光熔絲，其位于與第一傳輸線及第二傳輸線的層不同的層處；接觸熔絲，其被配置成連接 第一傳輸線與激光熔絲的一端；連接線，其被配置成連接第二傳輸線與激光熔絲的另一端； 電源驅(qū)動(dòng)器，其被配置成將電應(yīng)力選擇性地施加至接觸熔絲；及熔絲狀態(tài)輸出單元，其被配 置成輸出具有與接觸熔絲的電連接狀態(tài)對(duì)應(yīng)的邏輯電平的熔絲狀態(tài)信號(hào)。根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例，一種半導(dǎo)體裝置包括第一傳輸線、第二傳輸線及第三 傳輸線；激光熔絲，其位于與第一傳輸線、第二傳輸線及第三傳輸線的層不同的層處；第一 接觸熔絲，其被配置成連接第一傳輸線與激光熔絲的一端；第二接觸熔絲，其被配置成連接 第二傳輸線與激光熔絲的另一端；連接線，其耦接于第三傳輸線與激光熔絲的一端之間或 第三傳輸線與激光熔絲的另一端之間；電源驅(qū)動(dòng)器，其被配置成將電應(yīng)力選擇性地施加至 第一接觸熔絲及第二接觸熔絲中的一個(gè)；及熔絲狀態(tài)輸出單元，其被配置成輸出具有與第 一接觸熔絲及第二接觸熔絲的電連接狀態(tài)相對(duì)應(yīng)的邏輯電平的熔絲狀態(tài)信號(hào)。


圖1示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的圖IOA及等效電路圖IOB ；圖2示出根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的圖20A及等效電路圖20B ；圖3示出根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的圖30A及等效電路圖30B ；圖4示出根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的圖40A及等效電路圖40B ；及圖5說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的圖50A及等效電路圖50B。
具體實(shí)施例方式將參看附圖在下文更詳細(xì)地描述本發(fā)明的例示性實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以不同 形式來(lái)具體化，且不應(yīng)解釋為限于本文中所闡述的實(shí)施例。實(shí)情為，提供這些實(shí)施例以使得 本公開(kāi)將是透徹的且完整的，且將向本領(lǐng)域的技術(shù)人員充分地傳達(dá)本發(fā)明的范圍。遍及本 公開(kāi)，類似附圖標(biāo)記遍及本發(fā)明的各圖及實(shí)施例指代類似部分。一般而言，可將電路的邏輯信號(hào)及二進(jìn)制數(shù)據(jù)值識(shí)別為對(duì)應(yīng)于電壓電平的邏輯高 電平H或邏輯低電平L。可將邏輯信號(hào)表示為‘1’或‘0’。在必要時(shí)，可將邏輯信號(hào)或二進(jìn) 制數(shù)據(jù)值定義或描述為具有諸如高阻抗?fàn)顟B(tài)Hi-z的額外狀態(tài)。本說(shuō)明書中的P溝道金屬 氧化物半導(dǎo)體(PMOS)及N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體 管。用于連接金屬材料與非金屬材料的接觸孔可區(qū)別于用于連接金屬材料與金屬材料的過(guò)孔。然而，在本實(shí)施例中，接觸孔表示接觸孔及過(guò)孔兩者。圖1示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置。圖1包括根據(jù)第一實(shí)施例的半 導(dǎo)體裝置的圖IOA及等效電路圖10B。參看圖1，根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置包括第一傳輸線11及第二傳輸線12，其 位于不同層中；接觸熔絲13，其位于第一傳輸線11與第二傳輸線12之間；電源驅(qū)動(dòng)器14， 其用于施加電應(yīng)力；及熔絲狀態(tài)輸出單元15，其用于輸出具有與接觸熔絲13的電連接狀態(tài) (諸如，短路狀態(tài)或開(kāi)路狀態(tài))對(duì)應(yīng)的邏輯電平的熔絲狀態(tài)信號(hào)FUSE_0UT。接觸熔絲13插入至用于連接第一傳輸線11與第二傳輸線12的接觸孔中。因?yàn)?接觸孔由絕緣材料圍繞，所以當(dāng)施加應(yīng)力電流時(shí)，接觸熔絲13的溫度通過(guò)焦耳發(fā)熱(Joule heating)突然增加。當(dāng)溫度增加高于預(yù)定溫度時(shí)，接觸熔絲13熔融且最終斷開(kāi)。意即，接 觸熔絲13變成開(kāi)路狀態(tài)。僅供參考，第一傳輸線11及第二傳輸線12為位于金屬層上的金 屬傳輸線。因此，當(dāng)電源驅(qū)動(dòng)器14經(jīng)由第一傳輸線11及第二傳輸線12所形成的應(yīng)力電流路 徑將應(yīng)力電流施加至接觸熔絲13時(shí)，接觸熔絲13的狀態(tài)自短路狀態(tài)改變成開(kāi)路狀態(tài)，且輸 出對(duì)應(yīng)于接觸熔絲13的電連接狀態(tài)的熔絲狀態(tài)信號(hào)FUSE_0UT。下文中，將參看等效電路圖IOB詳細(xì)描述根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)及 操作。電源驅(qū)動(dòng)器14包括用于響應(yīng)于應(yīng)力電流驅(qū)動(dòng)信號(hào)/CFUSE_EN及熔絲選擇信號(hào)SEL 將應(yīng)力電流施加至接觸熔絲Cl的電流驅(qū)動(dòng)器MP2及MNl。當(dāng)電流驅(qū)動(dòng)信號(hào)/CFUSE_EN被激 活至邏輯低電平且將熔絲選擇信號(hào)SEL激活至邏輯高電平時(shí)，PMOS晶體管MP2及NMOS晶 體管MNl導(dǎo)通。結(jié)果，應(yīng)力電流施加至接觸熔絲Cl。若施加應(yīng)力電流歷時(shí)預(yù)定時(shí)間，則接觸 熔絲Cl變成電開(kāi)路狀態(tài)。熔絲狀態(tài)輸出單元15包括用于響應(yīng)于熔絲驅(qū)動(dòng)信號(hào)/FUSE_EN及熔絲選擇信號(hào) SEL將驅(qū)動(dòng)電流提供至接觸熔絲Cl的熔絲驅(qū)動(dòng)器MPl及麗1。熔絲狀態(tài)輸出單元15進(jìn)一 步包括用于鎖存與經(jīng)由接觸熔絲Cl傳送的電流的量值相對(duì)應(yīng)的熔絲狀態(tài)信號(hào)FUSE_0UT的 鎖存單元INVl及INV2。在初始狀態(tài)(諸如，供電狀態(tài))時(shí)，應(yīng)力電流驅(qū)動(dòng)信號(hào)/CFUSE_EN去激活至邏輯高 電平且熔絲選擇信號(hào)SEL去激活至邏輯低電平。當(dāng)熔絲驅(qū)動(dòng)信號(hào)/FUSE_EN激活至邏輯低 電平時(shí)，PMOS晶體管MPl導(dǎo)通。結(jié)果，驅(qū)動(dòng)電流施加至接觸熔絲Cl。鎖存單元INVl及INV2 的輸入節(jié)點(diǎn)NlO的電位增加。最終，輸出邏輯低電平的熔絲狀態(tài)信號(hào)FUSE_0UT。接著，若熔絲選擇信號(hào)SEL激活至邏輯高電平，而應(yīng)力電流驅(qū)動(dòng)信號(hào)/CFUSE_EN及 熔絲驅(qū)動(dòng)信號(hào)/FUSE_EN去激活至邏輯高電平，則根據(jù)接觸熔絲Cl的電連接狀態(tài)確定鎖存 單元INVi及INV2的輸入節(jié)點(diǎn)mo的電位。意即，若接觸熔絲Cl處于電開(kāi)路狀態(tài)，則鎖存 單元INVi及INV2的輸入節(jié)點(diǎn)mo的電位繼續(xù)保持處于邏輯高電平。最終，輸出邏輯低電 平的熔絲狀態(tài)信號(hào)FUSE_0UT。相反，若接觸熔絲Cl處于電短路狀態(tài)，則鎖存單元INVl及 INV2的輸入節(jié)點(diǎn)NlO的電位下降。最終，輸出邏輯高電平的熔絲狀態(tài)信號(hào)FUSE_0UT。意即， 若接觸熔絲Cl處于電開(kāi)路狀態(tài)，則電流不流經(jīng)接觸熔絲Cl。最終，鎖存單元INVl及INV2 的輸入節(jié)點(diǎn)NlO的電位增加。若接觸熔絲Cl處于電短路狀態(tài)，則電流經(jīng)由接觸熔絲Cl流 至接地電壓端子VSS。因此，鎖存單元INVl及INV2的輸入節(jié)點(diǎn)附0的電位下降。
圖2示出根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置。圖2包括根據(jù)第二實(shí)施例的半 導(dǎo)體裝置的圖20A及等效電路圖20B。參看圖2，根據(jù)第二實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置包括第一信號(hào)驅(qū)動(dòng)器21，其用于將輸入 信號(hào)IN驅(qū)動(dòng)至第一傳輸線23 ；第二信號(hào)驅(qū)動(dòng)器22，其用于將輸入信號(hào)IN驅(qū)動(dòng)至位于與第 一傳輸線23的層不同層處的第二傳輸線24 ；接觸熔絲25，其與第一傳輸線23及第二傳輸 線24耦接；及電源驅(qū)動(dòng)器26，其用于將電應(yīng)力施加至接觸熔絲25以改變接觸熔絲25的電 連接狀態(tài)(諸如，短路狀態(tài)或開(kāi)路狀態(tài))。接觸熔絲25插入至用于連接第一傳輸線23與第二傳輸線24的接觸孔中。因?yàn)?接觸孔由絕緣材料圍繞，所以當(dāng)施加應(yīng)力電流時(shí)，接觸熔絲25的溫度通過(guò)焦耳發(fā)熱突然增 加。當(dāng)溫度增加高于預(yù)定溫度時(shí)，接觸熔絲25熔化且最終斷開(kāi)。意即，接觸熔絲25變成電 開(kāi)路狀態(tài)。僅供參考，第一傳輸線23及第二傳輸線24為位于金屬層處的金屬傳輸線。因此，當(dāng)電源驅(qū)動(dòng)器26經(jīng)由第一傳輸線23及第二傳輸線24所形成的應(yīng)力電流路 徑將應(yīng)力電流施加至接觸熔絲25時(shí)，接觸熔絲25的電連接狀態(tài)自短路狀態(tài)改變成開(kāi)路狀 態(tài)。根據(jù)接觸熔絲25的電連接狀態(tài)，控制驅(qū)動(dòng)至第二傳輸線24的信號(hào)的驅(qū)動(dòng)力。下文中，將參看等效電路圖20B詳細(xì)描述根據(jù)第二實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)及 操作。電源驅(qū)動(dòng)器26包括用于響應(yīng)于應(yīng)力電流驅(qū)動(dòng)信號(hào)/CFUSE_EN及CFUSE_EN將應(yīng) 力電流施加至接觸熔絲Cl的電流驅(qū)動(dòng)器MPl及麗1。當(dāng)應(yīng)力電流驅(qū)動(dòng)信號(hào)/CFUSE_EN及 CFUSE_EN激活至邏輯高電平時(shí)，PMOS晶體管MPl及NMOS晶體管麗1導(dǎo)通。結(jié)果，應(yīng)力電流 施加至接觸熔絲Cl。在施加應(yīng)力電流歷時(shí)預(yù)定時(shí)間之后，接觸熔絲Cl變成電開(kāi)路狀態(tài)。同時(shí)，第一信號(hào)驅(qū)動(dòng)器21將輸入信號(hào)IN驅(qū)動(dòng)至第一傳輸線23，且第二信號(hào)驅(qū)動(dòng)器 22將輸入信號(hào)IN驅(qū)動(dòng)至位于與第一傳輸線23的層不同的層處的第二傳輸線24。此處，若 與第一傳輸線23及第二傳輸線24耦接的接觸熔絲Cl處于短路狀態(tài)，則由第一信號(hào)驅(qū)動(dòng)器 21及第二信號(hào)驅(qū)動(dòng)器22驅(qū)動(dòng)的兩個(gè)輸入信號(hào)IN被傳送至第二傳輸線24。相反，若第一傳 輸線23與第二傳輸線24之間的接觸熔絲Cl處于開(kāi)路狀態(tài)，則由第一信號(hào)驅(qū)動(dòng)器21驅(qū)動(dòng) 的輸入信號(hào)IN不被傳送至第二傳輸線24。僅由第二信號(hào)驅(qū)動(dòng)器22驅(qū)動(dòng)的輸入信號(hào)IN被 傳送至第二傳輸線24。因此，根據(jù)接觸熔絲Cl的電連接狀態(tài)來(lái)控制至第二傳輸線24的信 號(hào)的驅(qū)動(dòng)力。圖3示出根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置。圖3包括根據(jù)第三實(shí)施例的半 導(dǎo)體裝置的圖30A及等效電路圖30B。參看圖3，根據(jù)第三實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置包括第一信號(hào)驅(qū)動(dòng)器31，其用于將輸入 信號(hào)IN驅(qū)動(dòng)至第一傳輸線33 ；第二信號(hào)驅(qū)動(dòng)器32，其用于將輸入信號(hào)IN驅(qū)動(dòng)至第二傳輸 線34 ；主傳輸線35，其位于與第一傳輸線33及第二傳輸線34的層不同的層處；第一接觸熔 絲36，其位于第一傳輸線33與主傳輸線35之間且連接第一傳輸線33與主傳輸線35 ；第二 接觸熔絲37，其位于第二傳輸線34與主傳輸線35之間且連接第二傳輸線34與主傳輸線 35 ；及電源驅(qū)動(dòng)器38，其用于通過(guò)將電應(yīng)力選擇性地施加至第一接觸熔絲36和第二接觸熔 絲37之一而改變所選擇的連接狀態(tài)(諸如，短路狀態(tài)或開(kāi)路狀態(tài))。第一接觸熔絲36插入于用于連接第一傳輸線33與主傳輸線35的接觸孔中。第二 接觸熔絲37插入至用于連接第二傳輸線34與主傳輸線35的接觸孔中。因?yàn)榻佑|孔由絕緣材料圍繞，所以當(dāng)施加應(yīng)力電流時(shí)，接觸熔絲的溫度通過(guò)焦耳發(fā)熱突然增加。當(dāng)接觸熔絲 的溫度增加高于預(yù)定溫度時(shí)，接觸熔絲熔化且最終斷開(kāi)。意即，接觸熔絲變成電開(kāi)路狀態(tài)。 在本實(shí)施例中，第一傳輸線33和第二傳輸線34以及主傳輸線35為位于金屬層處的金屬傳 輸線。因此，當(dāng)電源驅(qū)動(dòng)器38經(jīng)由主傳輸線35及第一傳輸線33所形成的第一應(yīng)力電流 路徑(應(yīng)力電流路徑1)將應(yīng)力電流施加至第一接觸熔絲36時(shí)，或當(dāng)電源驅(qū)動(dòng)器38經(jīng)由主 傳輸線35及第二傳輸線34所形成的第二應(yīng)力電流路徑(應(yīng)力電流路徑2)將應(yīng)力電流施 加至第二接觸熔絲37時(shí)，接觸熔絲的連接狀態(tài)自短路狀態(tài)改變成開(kāi)路狀態(tài)。傳送至主傳輸 線35的信號(hào)可根據(jù)第一接觸熔絲36及第二接觸熔絲37的電連接狀態(tài)來(lái)選擇。意即，由第一信號(hào)驅(qū)動(dòng)器31驅(qū)動(dòng)的信號(hào)或由第二信號(hào)驅(qū)動(dòng)器32驅(qū)動(dòng)的信號(hào)可選 擇性地傳送至主傳輸線35。若第一信號(hào)驅(qū)動(dòng)器31和第二信號(hào)驅(qū)動(dòng)器32具有不同內(nèi)部延遲 值，則傳送至主傳輸線35的信號(hào)的延遲值可通過(guò)第一接觸熔絲36及第二接觸熔絲37的電 連接狀態(tài)來(lái)控制。若第一信號(hào)驅(qū)動(dòng)器31和第二信號(hào)驅(qū)動(dòng)器32同時(shí)驅(qū)動(dòng)輸入信號(hào)IN，則傳 送至主傳輸線35的信號(hào)的驅(qū)動(dòng)力可通過(guò)第一接觸熔絲36及第二接觸熔絲37的電連接狀 態(tài)來(lái)控制。下文中，將參看等效電路圖30B詳細(xì)描述根據(jù)第三實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)及 操作。電源驅(qū)動(dòng)器38包括用于響應(yīng)于第一熔絲選擇信號(hào)SELl及第二熔絲選擇信號(hào)SEL2 將應(yīng)力電流施加至所選擇的接觸熔絲的電流驅(qū)動(dòng)器MPl、Mm及MN2。當(dāng)激活應(yīng)力電流驅(qū)動(dòng) 信號(hào)/CFUSE_EN及第一熔絲選擇信號(hào)SELl時(shí)，PMOS晶體管MPl及第一 NMOS晶體管麗1導(dǎo) 通且應(yīng)力電流施加至第一接觸熔絲Cl。在施加應(yīng)力電流歷時(shí)預(yù)定時(shí)間之后，第一接觸熔絲 Cl變成電開(kāi)路狀態(tài)。當(dāng)激活應(yīng)力電流驅(qū)動(dòng)信號(hào)/CFUSE_EN及第二熔絲選擇信號(hào)SEL2時(shí)， PMOS晶體管MPl及第二 NMOS晶體管MN2導(dǎo)通且應(yīng)力電流施加至第二接觸熔絲C2。在施加 應(yīng)力電流歷時(shí)預(yù)定時(shí)間之后，第二接觸熔絲C2變成電開(kāi)路狀態(tài)。同時(shí)，第一信號(hào)驅(qū)動(dòng)器31將輸入信號(hào)IN驅(qū)動(dòng)至第一傳輸線33，且第二信號(hào)驅(qū)動(dòng)器 32將輸入信號(hào)IN驅(qū)動(dòng)至第二傳輸線34。第一傳輸線33經(jīng)由第一接觸熔絲36將信號(hào)傳送 至主傳輸線35。第二傳輸線34經(jīng)由第二接觸熔絲37將信號(hào)驅(qū)動(dòng)至主傳輸線35。因此，當(dāng) 第一接觸熔絲36處于短路狀態(tài)且第二接觸熔絲37處于開(kāi)路狀態(tài)時(shí)，由第一信號(hào)驅(qū)動(dòng)器31 驅(qū)動(dòng)的信號(hào)被傳送至主傳輸線35。當(dāng)?shù)谝唤佑|熔絲36處于開(kāi)路狀態(tài)且第二接觸熔絲37處 于短路狀態(tài)時(shí)，由第二信號(hào)驅(qū)動(dòng)器32驅(qū)動(dòng)的信號(hào)被傳送至主傳輸線35。因此，由第一信號(hào) 驅(qū)動(dòng)器31驅(qū)動(dòng)的信號(hào)或由第二信號(hào)驅(qū)動(dòng)器32驅(qū)動(dòng)的信號(hào)可選擇性地傳送至主傳輸線35。圖4示出根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置。圖4包括根據(jù)第四實(shí)施例的半 導(dǎo)體裝置的圖40A及等效電路圖40B。參看圖4，根據(jù)第四實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置包括第一傳輸線41及第二傳輸線42 ； 激光熔絲43，其位于與第一傳輸線41及第二傳輸線42的層不同的層處；接觸熔絲44，其用 于將激光熔絲43的一端連接至第一傳輸線41 ；連接線45，其用于將激光熔絲43的另一端 連接至第二傳輸線42 ；電源驅(qū)動(dòng)器46，其用于將電應(yīng)力施加至接觸熔絲44 ；及熔絲狀態(tài)輸 出單元47，其用于輸出具有與接觸熔絲44的電連接狀態(tài)(諸如，短路狀態(tài)和開(kāi)路狀態(tài))及 激光熔絲43的電連接狀態(tài)相對(duì)應(yīng)的邏輯電平的熔絲狀態(tài)信號(hào)FUSE_0UT。
接觸熔絲44插入至用于將激光熔絲43的一端連接至第一傳輸線41的接觸孔中。 因?yàn)榻佑|孔由絕緣材料圍繞，所以當(dāng)施加應(yīng)力電流時(shí)，接觸熔絲44的溫度通過(guò)焦耳發(fā)熱突 然增加。當(dāng)接觸熔絲44的溫度增加高于預(yù)定溫度時(shí)，接觸熔絲44熔化且最終斷開(kāi)。意即， 接觸熔絲44變成開(kāi)路狀態(tài)。在本實(shí)施例中，第一傳輸線41及第二傳輸線42為位于金屬層 處的金屬傳輸線。一般而言，激光熔絲43位于金屬層處。當(dāng)根據(jù)第四實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置處于晶片階段中時(shí)，激光熔絲43的電連接狀態(tài) 可通過(guò)使用激光束使激光熔絲43熔融來(lái)改變。此外，當(dāng)根據(jù)第四實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置處于 封裝階段中時(shí)，接觸熔絲44的電連接狀態(tài)可通過(guò)經(jīng)由第一傳輸線41及第二傳輸線42所形 成的應(yīng)力電流路徑(STRESS CURRENT PATH)將應(yīng)力電流自電源驅(qū)動(dòng)器46施加至接觸熔絲 44來(lái)改變。因此，輸出具有與接觸熔絲44的電連接狀態(tài)及激光熔絲43的電連接狀態(tài)相對(duì) 應(yīng)的邏輯電平的熔絲狀態(tài)信號(hào)FUSE_0UT。連接線45被配置成具有不由電應(yīng)力改變的電特 性為較佳。下文中，將參看等效電路圖40B詳細(xì)描述根據(jù)第四實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)及 操作。電源驅(qū)動(dòng)器46包括用于響應(yīng)于電流驅(qū)動(dòng)信號(hào)/CFUSE_EN及熔絲選擇信號(hào)SEL將 應(yīng)力電流施加至接觸熔絲Cl的電流驅(qū)動(dòng)器MP2及MNl。當(dāng)應(yīng)力電流驅(qū)動(dòng)信號(hào)/CFUSE_EN激 活至邏輯低電平且將熔絲選擇信號(hào)SEL激活至邏輯高電平時(shí)，PMOS晶體管MP2及NMOS晶 體管MNl導(dǎo)通且應(yīng)力電流施加至接觸熔絲Cl。在施加應(yīng)力電流歷時(shí)預(yù)定時(shí)間之后，接觸熔 絲Cl變成電開(kāi)路狀態(tài)。熔絲狀態(tài)輸出單元47包括用于響應(yīng)于熔絲驅(qū)動(dòng)信號(hào)/FUSE_EN及熔絲選擇信號(hào) SEL將驅(qū)動(dòng)電流施加至接觸熔絲Cl及激光熔絲PFUSE的熔絲驅(qū)動(dòng)器MPl及MNl ；及用于鎖 存與經(jīng)由接觸熔絲Cl及激光熔絲PFUSE傳送的電流的量值相對(duì)應(yīng)的熔絲狀態(tài)信號(hào)FUSE_ OUT的鎖存單元INVl及INV2。當(dāng)半導(dǎo)體裝置處于晶片階段中時(shí)，根據(jù)激光熔絲PFUSE的電連接狀態(tài)的內(nèi)部操作 如下執(zhí)行。此處，假設(shè)接觸熔絲Cl處于電短路狀態(tài)。在初始階段(諸如，供電階段)中，應(yīng)力電流驅(qū)動(dòng)信號(hào)/CFUSE_EN去激活至邏輯高 電平且熔絲選擇信號(hào)SEL去激活至邏輯低電平。此處，若熔絲驅(qū)動(dòng)信號(hào)/FUSE_EN激活至邏 輯低電平，則PMOS晶體管MPl導(dǎo)通且驅(qū)動(dòng)電流施加至接觸熔絲Cl及激光熔絲PFUSE。通過(guò) 該驅(qū)動(dòng)電流，鎖存單元INVl及INV2的輸入節(jié)點(diǎn)NlO的電位增加。結(jié)果，輸出邏輯低電平熔 絲狀態(tài)信號(hào)FUSE_0UT。若熔絲選擇信號(hào)SEL激活至邏輯高電平，而應(yīng)力電流驅(qū)動(dòng)信號(hào)/CFUSE_EN及熔絲 驅(qū)動(dòng)信號(hào)/FUSE_EN去激活至邏輯高電平，則鎖存單元INVl及INV2的輸入節(jié)點(diǎn)NlO的電位 由激光熔絲PFUSE的電連接狀態(tài)決定。意即，若激光熔絲PFUSE處于電開(kāi)路狀態(tài)，則鎖存單 元INVl及INV2的輸入節(jié)點(diǎn)NlO的電位保持為邏輯高電平。最終，輸出邏輯低電平熔絲狀 態(tài)信號(hào)FUSE_0UT。相反，若激光熔絲PFUSE處于電短路狀態(tài)，則鎖存單元INVl及INV2的輸 入節(jié)點(diǎn)NlO的電位下降。最終，輸出邏輯高電平熔絲狀態(tài)信號(hào)FUSE_0UT。意即，若激光熔絲 PFUSE處于電開(kāi)路狀態(tài)，則因?yàn)殡娏鞑涣鹘?jīng)激光熔絲PFUSE，所以鎖存單元INVl及INV2的 輸入節(jié)點(diǎn)NlO的電位增加。若激光熔絲PFUSE處于電短路狀態(tài)，則因?yàn)殡娏鹘?jīng)由激光熔絲 PFUSE流至接地電壓端子VSS，所以鎖存單元INVl及INV2的輸入節(jié)點(diǎn)NlO的電位下降。
下文中，將描述當(dāng)半導(dǎo)體裝置處于封裝階段中時(shí)，根據(jù)接觸熔絲Cl的電連接狀態(tài) 的內(nèi)部操作。此處，假設(shè)激光熔絲PFUSE電短路。在初始階段(諸如，供電階段)中，應(yīng)力電流驅(qū)動(dòng)信號(hào)/CFUSE_EN去激活至邏輯高 電平且熔絲選擇信號(hào)SEL去激活至邏輯低電平。此處，當(dāng)熔絲驅(qū)動(dòng)信號(hào)/FUSE_EN激活至邏 輯低電平時(shí)，PMOS晶體管MPl導(dǎo)通且驅(qū)動(dòng)電流施加至接觸熔絲Cl及激光熔絲PFUSE。鎖存 單元INVl及INV2的輸入節(jié)點(diǎn)NlO的電位通過(guò)該驅(qū)動(dòng)電流增加。最終，輸出邏輯低電平熔 絲狀態(tài)信號(hào)FUSE_0UT。若熔絲選擇信號(hào)SEL激活至邏輯高電平，而應(yīng)力電流驅(qū)動(dòng)信號(hào)/CFUSE_EN去激活 至邏輯高電平，則鎖存單元INVl及INV2的輸入節(jié)點(diǎn)NlO的電位通過(guò)接觸熔絲Cl的電連接 狀態(tài)判定。意即，接觸熔絲Cl處于電開(kāi)路狀態(tài)，鎖存單元INVl及INV2的輸入節(jié)點(diǎn)NlO的 電位保持成邏輯高電平。最終，輸出邏輯低電平熔絲狀態(tài)信號(hào)FUSE_0UT。相反，若接觸熔 絲Ci處于電短路狀態(tài)，則鎖存單元INVi及INV2的輸入節(jié)點(diǎn)mo的電位下降。最終，輸出 邏輯高電平熔絲狀態(tài)信號(hào)FUSE_OUT。意即，若接觸熔絲Cl處于電開(kāi)路狀態(tài)，則因?yàn)殡娏鞑?流經(jīng)接觸熔絲Cl，所以鎖存單元INVl及INV2的輸入節(jié)點(diǎn)NlO的電位增加。若接觸熔絲Cl 處于電短路狀態(tài)，則因?yàn)殡娏鹘?jīng)由接觸熔絲Cl流至接地電壓端子VSS，所以鎖存單元INVl 及INV2的輸入節(jié)點(diǎn)NlO的電位下降。最終，當(dāng)激光熔絲PFUSE和接觸熔絲Cl之一變成開(kāi)路狀態(tài)時(shí)，輸出邏輯低電平熔 絲狀態(tài)信號(hào)FUSE_OUT。當(dāng)激光熔絲PFUSE和接觸熔絲Cl變成短路狀態(tài)時(shí)，輸出邏輯高電平 熔絲狀態(tài)信號(hào)FUSE_OUT。根據(jù)本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置可甚至在封裝階段中使用接觸熔絲 Cl來(lái)改變內(nèi)部設(shè)置和選項(xiàng)。圖5示出根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置。圖5包括根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí) 施例的半導(dǎo)體裝置的圖50A及等效電路圖50B。參看圖5，根據(jù)第五實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置包括第一傳輸線至第三傳輸線51、52及 53 ；激光熔絲54，其位于與第一傳輸線至第三傳輸線51、52及53的層不同的層處；第一接 觸熔絲55，其用于連接激光熔絲54的一端與第一傳輸線51 ；第二接觸熔絲56，其用于連接 激光熔絲54的另一端與第二傳輸線52 ；連接線57，其耦接于第三傳輸線53與激光熔絲54 的一端或另一端之間；電源驅(qū)動(dòng)器58，其用于將電應(yīng)力選擇性地施加至第一接觸熔絲55和 第二接觸熔絲56中的一個(gè)；及熔絲狀態(tài)輸出單元59，其用于輸出具有與第一接觸熔絲55 及第二接觸熔絲56的電連接狀態(tài)(諸如，短路狀態(tài)及開(kāi)路狀態(tài))以及激光熔絲54的電連 接狀態(tài)相對(duì)應(yīng)的邏輯電平的熔絲狀態(tài)信號(hào)FUSE_OUT。在本實(shí)施例中，第三傳輸線53位于與 第一傳輸線51、第二傳輸線52及激光熔絲54的層不同的層處。第一接觸熔絲55插入至用于連接第一傳輸線51與激光熔絲54的一端的接觸孔 中。第二接觸熔絲56插入至用于連接第二傳輸線52與激光熔絲54的另一端的接觸孔中。 因?yàn)榻佑|孔由絕緣材料圍繞，所以當(dāng)施加應(yīng)力電流時(shí)，接觸熔絲的溫度通過(guò)焦耳發(fā)熱突然 增加。當(dāng)接觸熔絲的溫度增加高于預(yù)定溫度時(shí)，接觸熔絲熔化且最終斷開(kāi)。意即，接觸熔絲 變成電開(kāi)路狀態(tài)。僅供參考，第一傳輸線51至第三傳輸線53為位于金屬層中的金屬傳輸 線。一般而言，激光熔絲54亦位于金屬層中。當(dāng)根據(jù)第五實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置處于晶片階段中時(shí)，激光熔絲54的電連接狀態(tài) 可通過(guò)使用激光束使激光熔絲54短路來(lái)改變。當(dāng)根據(jù)第五實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置處于封裝階段中時(shí)，若電源驅(qū)動(dòng)器58經(jīng)由第一傳輸線51及第三傳輸線53所形成的第一應(yīng)力電流路 徑(應(yīng)力電流路徑1)將應(yīng)力電流施加至第一接觸熔絲55，或若電源驅(qū)動(dòng)器58經(jīng)由第一傳 輸線51及第二傳輸線52所形成的第二應(yīng)力電流路徑(應(yīng)力電流路徑2)將應(yīng)力電流施加 至第二接觸熔絲56，則接觸熔絲的連接狀態(tài)自短路狀態(tài)改變成開(kāi)路狀態(tài)。因此，輸出具有與 第一接觸熔絲55及第二接觸熔絲56的電連接狀態(tài)以及激光熔絲54的電連接狀態(tài)對(duì)應(yīng)的 邏輯電平的熔絲狀態(tài)信號(hào)FUSE_0UT。僅供參考，連接線57被配置成不由電應(yīng)力改變電特性 為較佳。下文中，將參看等效電路圖50B詳細(xì)描述根據(jù)第五實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)及 操作。電源驅(qū)動(dòng)器58包括用于響應(yīng)于應(yīng)力電流驅(qū)動(dòng)信號(hào)/CFUSE_EN、第一熔絲選擇信號(hào) SELl及第二熔絲選擇信號(hào)SEL2將應(yīng)力電流施加至所選擇的接觸熔絲的電流驅(qū)動(dòng)器MP2、 MNl及MN2。當(dāng)應(yīng)力電流驅(qū)動(dòng)信號(hào)/CFUSE_EN激活至邏輯低電平且第一熔絲選擇信號(hào)SELl 激活至邏輯高電平時(shí)，PMOS晶體管MP2及第一 NMOS晶體管麗1導(dǎo)通且應(yīng)力電流施加至第一 接觸熔絲Cl。當(dāng)施加應(yīng)力電流歷時(shí)預(yù)定時(shí)間時(shí)，第一接觸熔絲Cl變成電開(kāi)路狀態(tài)。同樣， 當(dāng)將應(yīng)力電流驅(qū)動(dòng)信號(hào)/CFUSE_EN激活至邏輯低電平且將第二熔絲選擇信號(hào)SEL2激活至 邏輯高電平時(shí)，PMOS晶體管MP2及第二 NMOS晶體管麗2導(dǎo)通且應(yīng)力電流施加至第二接觸 熔絲C2。當(dāng)施加應(yīng)力電流歷時(shí)預(yù)定時(shí)間時(shí)，第二接觸熔絲C2變成電開(kāi)路狀態(tài)。熔絲狀態(tài)輸出單元59包括用于響應(yīng)于熔絲驅(qū)動(dòng)信號(hào)/FUSE_EN及第二熔絲選擇 信號(hào)SEL2將驅(qū)動(dòng)電流提供至第一接觸熔絲Cl和第二接觸熔絲C2以及激光熔絲PFUSE的 熔絲驅(qū)動(dòng)器MPl及麗2 ；以及用于鎖存與經(jīng)由第一接觸熔絲Cl和第二接觸熔絲C2以及激 光熔絲PFUSE傳送的電流的量值相對(duì)應(yīng)的熔絲狀態(tài)信號(hào)FUSE_0UTPUT的鎖存單元INVl及 INV2。僅供參考，根據(jù)圖5的第五實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的內(nèi)部操作大體上相同于根據(jù)圖 4的第四實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的內(nèi)部操作。因?yàn)槿缟衔脑敿?xì)地描述了根據(jù)第四實(shí)施例的半 導(dǎo)體裝置的內(nèi)部操作，所以省略根據(jù)第五實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的相同內(nèi)部操作。在下文將 僅描述根據(jù)第五實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的特定結(jié)構(gòu)及內(nèi)部操作。根據(jù)第五實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置可通過(guò)第一熔絲選擇信號(hào)SELl和第二熔絲選擇信 號(hào)SEL2將應(yīng)力電流選擇性地施加至第一接觸熔絲Cl或第二接觸熔絲C2。因此，接收應(yīng)力 電流的接觸熔絲變成電開(kāi)路狀態(tài)。當(dāng)激光熔絲PFUSE斷開(kāi)時(shí)，因?yàn)椴恍纬傻诙?yīng)力電流路 徑(應(yīng)力電流路徑2)，所以第二接觸熔絲C2的電連接狀態(tài)不改變。然而，與激光熔絲PFUSE 的連接狀態(tài)無(wú)關(guān)，第一接觸熔絲Cl可經(jīng)由第一應(yīng)力電流路徑(應(yīng)力電流路徑1)接收應(yīng)力 電流。因此，激光熔絲PFUSE、第一接觸熔絲Cl及第二接觸熔絲C2可在需要時(shí)選擇性地改 變?？傊?，當(dāng)激光熔絲PFUSE、第一接觸熔絲Cl及第二接觸熔絲C2中之一變成開(kāi)路狀 態(tài)時(shí)，最終輸出邏輯低電平熔絲狀態(tài)信號(hào)FUSE_0UT。當(dāng)激光熔絲PFUSE、第一接觸熔絲Cl 及第二接觸熔絲C2全部變成短路狀態(tài)時(shí)，最終輸出邏輯高電平熔絲狀態(tài)信號(hào)FUSE_0UT。根 據(jù)本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置可在晶片階段中使用激光熔絲PFUSE和在封裝階段中使用第一 接觸熔絲Cl及第二接觸熔絲C2來(lái)改變內(nèi)部設(shè)置及選項(xiàng)。如上文描述，插入至接觸孔中的接觸熔絲與物理熔絲(Physical Fuse)及電熔絲(E-FUSE)相比占據(jù)小區(qū)域。因此，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置需要小區(qū)域用于接觸熔絲。當(dāng)將根據(jù)本實(shí)施例的接觸熔絲應(yīng)用至具有由物理熔絲形成的修復(fù)熔絲集合的半 導(dǎo)體裝置時(shí)，半導(dǎo)體裝置可不僅在晶片階段中而且在封裝階段中使用激光束實(shí)施修復(fù)工 藝。意即，雖然缺陷在封裝工藝之后發(fā)現(xiàn)，但可以使用接觸熔絲來(lái)實(shí)施修復(fù)工藝。根據(jù)本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置可簡(jiǎn)單地改變內(nèi)部電路的設(shè)置及選項(xiàng)(諸如，延遲控 制和驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度控制)，而無(wú)需顯著修改。雖然已關(guān)于特定實(shí)施例描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域技術(shù)人員將易明白，在不脫離所 附權(quán)利要求中所限定的本發(fā)明的精神及范圍的情況下，可做出各種改變及修改。為了清楚地描述本發(fā)明，可例示性地描述具有額外結(jié)構(gòu)的實(shí)施例，盡管這些額外 結(jié)構(gòu)并不直接地與本發(fā)明的技術(shù)概念及范圍有關(guān)。用于表示信號(hào)及電路的激活狀態(tài)的高態(tài) 作用(Active High)和低態(tài)作用(Active Low)的配置可根據(jù)實(shí)施例而改變。此外，晶體管 的結(jié)構(gòu)可改變用于實(shí)現(xiàn)同一功能。意即，PMOS晶體管和NMOS晶體管的結(jié)構(gòu)可被更換，或可 使用各種晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)。為了實(shí)現(xiàn)同一功能，邏輯門的結(jié)構(gòu)可改變。意即，NAND構(gòu)件及NOR 構(gòu)件可由NAND門、NOR門和反相器的各種組合形成。特定而言，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的接觸熔絲形成為通過(guò)電應(yīng)力將電連接狀態(tài)自短 路狀態(tài)改變成開(kāi)路狀態(tài)的燒斷型。然而，在另一實(shí)施例中，接觸熔絲可形成為通過(guò)電應(yīng)力將 電連接狀態(tài)自開(kāi)路狀態(tài)改變成短路狀態(tài)的反型。在反型接觸熔絲的狀況下，電源驅(qū)動(dòng)器被 配置成將高電壓應(yīng)力施加至接觸熔絲。此外，接觸熔絲可位于被耦接至諸如聚合物(poly) 的其它材料的部分處而非位于金屬層之間。因?yàn)楦鶕?jù)本發(fā)明的實(shí)施例的接觸熔絲插入至接 觸孔中，所以安置接觸熔絲的位置可改變。因?yàn)殡娐房梢栽S多方式修改且本領(lǐng)域技術(shù)人員 易明白接觸熔絲的位置根據(jù)電路的修改而改變，所以省略其詳細(xì)描述。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體裝置，其包括位于不同層處的第一傳輸線和第二傳輸線；接觸熔絲，其與第一傳輸線及第二傳輸線耦接；電源驅(qū)動(dòng)器，其被配置成將電應(yīng)力施加至所述接觸熔絲；及熔絲狀態(tài)輸出單元，其被配置成輸出具有與所述接觸熔絲的電連接狀態(tài)相對(duì)應(yīng)的邏輯電平的熔絲狀態(tài)信號(hào)。
2.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置，其中所述接觸熔絲包括在配置成連接第一傳輸線與第 二傳輸線的接觸孔上形成的熔絲。
3.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置，其中第一傳輸線及第二傳輸線為金屬線。
4.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置，其中所述電源驅(qū)動(dòng)器包括配置成響應(yīng)于應(yīng)力電流驅(qū)動(dòng) 信號(hào)及熔絲選擇信號(hào)將應(yīng)力電流施加至所述接觸熔絲的電流驅(qū)動(dòng)器。
5.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置，其中所述熔絲狀態(tài)輸出單元包括熔絲驅(qū)動(dòng)器，其被配置成響應(yīng)于熔絲驅(qū)動(dòng)信號(hào)及熔絲選擇信號(hào)將驅(qū)動(dòng)電流提供至所述 接觸熔絲；及鎖存單元，其被配置成鎖存與經(jīng)由所述接觸熔絲傳送的電流的量值相對(duì)應(yīng)的熔絲狀態(tài)信號(hào)。
6.一種半導(dǎo)體裝置，其包括 第一傳輸線；第二傳輸線；接觸熔絲，其與第一傳輸線及第二傳輸線耦接； 第一信號(hào)驅(qū)動(dòng)器，其被配置成將輸入信號(hào)驅(qū)動(dòng)至第一傳輸線； 第二信號(hào)驅(qū)動(dòng)器，其被配置成將輸入信號(hào)驅(qū)動(dòng)至位于與第一傳輸線的層不同的層處的 第二傳輸線 ’及電源驅(qū)動(dòng)器，其被配置成通過(guò)將電應(yīng)力施加至所述接觸熔絲而改變所述接觸熔絲的電 連接狀態(tài)。
7.如權(quán)利要求6的半導(dǎo)體裝置，其中所述接觸熔絲包括在用于連接第一傳輸線與第二 傳輸線的接觸孔上形成的熔絲。
8.如權(quán)利要求6的半導(dǎo)體裝置，其中第一傳輸線及第二傳輸線為金屬線。
9.如權(quán)利要求6的半導(dǎo)體裝置，其中所述電源驅(qū)動(dòng)器包括被配置成響應(yīng)于應(yīng)力電流驅(qū) 動(dòng)信號(hào)而將應(yīng)力電流施加至所述接觸熔絲的電流驅(qū)動(dòng)器。
10.一種半導(dǎo)體裝置，其包括 第一傳輸線；第二傳輸線；主傳輸線，其位于與第一傳輸線及第二傳輸線的層不同的層處； 第一接觸熔絲，其與第一傳輸線及主傳輸線耦接； 第二接觸熔絲，其與第二傳輸線及主傳輸線耦接； 第一信號(hào)驅(qū)動(dòng)器，其被配置成將輸入信號(hào)驅(qū)動(dòng)至第一傳輸線； 第二信號(hào)驅(qū)動(dòng)器，其被配置成將輸入信號(hào)驅(qū)動(dòng)至第二傳輸線；及 電源驅(qū)動(dòng)器，其被配置成通過(guò)將電應(yīng)力選擇性地施加至作為被選接觸熔絲的、第一接觸熔絲和第二接觸熔絲中的一個(gè)而改變所述被選接觸熔絲的電連接狀態(tài)。
11.如權(quán)利要求10的半導(dǎo)體裝置，其中第一信號(hào)驅(qū)動(dòng)器和第二信號(hào)驅(qū)動(dòng)器具有不同的 內(nèi)部延遲值。
12.如權(quán)利要求10的半導(dǎo)體裝置，其中第一接觸熔絲包括在用于連接第一傳輸線與主 傳輸線的接觸孔上形成的熔絲。
13.如權(quán)利要求12的半導(dǎo)體裝置，其中第二接觸熔絲包括在用于連接第二傳輸線與主 傳輸線的接觸孔上形成的熔絲。
14.如權(quán)利要求10的半導(dǎo)體裝置，其中第一傳輸線、第二傳輸線及主傳輸線為金屬線。
15.如權(quán)利要求10的半導(dǎo)體裝置，其中所述電源驅(qū)動(dòng)器包括被配置成響應(yīng)于應(yīng)力電流 驅(qū)動(dòng)信號(hào)、第一熔絲選擇信號(hào)及第二熔絲選擇信號(hào)將應(yīng)力電流供應(yīng)至所選擇的接觸熔絲的 電流驅(qū)動(dòng)器。
16.一種半導(dǎo)體裝置，其包括 第一傳輸線及第二傳輸線；激光熔絲，其位于與第一傳輸線及第二傳輸線的層不同的層處； 接觸熔絲，其被配置成連接第一傳輸線與所述激光熔絲的一端； 連接線，其被配置成連接第二傳輸線與所述激光熔絲的另一端； 電源驅(qū)動(dòng)器，其被配置成將電應(yīng)力選擇性地施加至所述接觸熔絲；及 熔絲狀態(tài)輸出單元，其被配置成輸出具有與所述接觸熔絲的電連接狀態(tài)相對(duì)應(yīng)的邏輯 電平的熔絲狀態(tài)信號(hào)。
17.如權(quán)利要求16的半導(dǎo)體裝置，其中所述接觸熔絲包括在用于連接第一傳輸線與所 述激光熔絲的一端的接觸孔上形成的熔絲。
18.如權(quán)利要求16的半導(dǎo)體裝置，其中第一傳輸線及第二傳輸線為金屬線。
19.如權(quán)利要求18的半導(dǎo)體裝置，其中所述激光熔絲位于金屬層處。
20.如權(quán)利要求16的半導(dǎo)體裝置，其中所述電源驅(qū)動(dòng)器包括電流驅(qū)動(dòng)器，所述電流驅(qū) 動(dòng)器被配置成響應(yīng)于應(yīng)力電流驅(qū)動(dòng)信號(hào)及熔絲選擇信號(hào)將應(yīng)力電流施加至所述接觸熔絲。
21.如權(quán)利要求16的半導(dǎo)體裝置，其中所述熔絲狀態(tài)輸出單元包括熔絲驅(qū)動(dòng)器，其被配置成響應(yīng)于熔絲驅(qū)動(dòng)信號(hào)及熔絲選擇信號(hào)將驅(qū)動(dòng)電流提供至所述 接觸熔絲及所述激光熔絲；及鎖存單元，其被配置成鎖存與經(jīng)由所述接觸熔絲及所述激光熔絲傳送的電流的量值相 對(duì)應(yīng)的熔絲狀態(tài)信號(hào)。
22.—種半導(dǎo)體裝置，其包括第一傳輸線、第二傳輸線及第三傳輸線；激光熔絲，其位于與第一傳輸線、第二傳輸線及第三傳輸線的層不同的層處； 第一接觸熔絲，其被配置成連接第一傳輸線與所述激光熔絲的一端； 第二接觸熔絲，其被配置成連接第二傳輸線與所述激光熔絲的另一端； 連接線，其耦接于第三傳輸線與所述激光熔絲的一端之間或第三傳輸線與所述激光熔 絲的另一端之間；電源驅(qū)動(dòng)器，其被配置成將電應(yīng)力選擇性地施加至第一接觸熔絲和第二接觸熔絲中的 一個(gè)；及熔絲狀態(tài)輸出單元，其被配置成輸出具有與第一接觸熔絲及第二接觸熔絲的電連接狀 態(tài)相對(duì)應(yīng)的邏輯電平的熔絲狀態(tài)信號(hào)。
23.如權(quán)利要求22的半導(dǎo)體裝置，其中第一接觸熔絲包括在用于連接第一傳輸線與所 述激光熔絲的一端的接觸孔上形成的熔絲。
24.如權(quán)利要求23的半導(dǎo)體裝置，其中第二接觸熔絲包括在用于連接第二傳輸線與所 述激光熔絲的另一端的接觸孔上形成的熔絲。
25.如權(quán)利要求22的半導(dǎo)體裝置，其中第一傳輸線、第二傳輸線及第三傳輸線為金屬線。
26.如權(quán)利要求25的半導(dǎo)體裝置，其中所述激光熔絲位于金屬層處。
27.如權(quán)利要求22的半導(dǎo)體裝置，其中所述電源驅(qū)動(dòng)器包括電流驅(qū)動(dòng)器，所述電流驅(qū) 動(dòng)器被配置成響應(yīng)于應(yīng)力電流驅(qū)動(dòng)信號(hào)、第一熔絲選擇信號(hào)及第二熔絲選擇信號(hào)將應(yīng)力電 流施加至所選擇的接觸熔絲。
28.如權(quán)利要求22的半導(dǎo)體裝置，其中所述熔絲狀態(tài)輸出單元包括熔絲驅(qū)動(dòng)器，其被配置成響應(yīng)于熔絲驅(qū)動(dòng)信號(hào)及熔絲選擇信號(hào)而將驅(qū)動(dòng)電流提供至第 一接觸熔絲、第二接觸熔絲及所述激光熔絲；及鎖存單元，其被配置成鎖存與經(jīng)由第一接觸熔絲、第二接觸熔絲及所述激光熔絲傳送 的電流的量值相對(duì)應(yīng)的熔絲狀態(tài)信號(hào)。
29.如權(quán)利要求22的半導(dǎo)體裝置，其中第三傳輸線位于與第一傳輸線、第二傳輸線及 所述激光熔絲的層不同的層處。
全文摘要
一種半導(dǎo)體裝置，包括位于不同層處的第一傳輸線及第二傳輸線；接觸熔絲，其與第一傳輸線及第二傳輸線耦接；電源驅(qū)動(dòng)器，其被配置成將電應(yīng)力施加至接觸熔絲；及熔絲狀態(tài)輸出單元，其被配置成輸出具有與接觸熔絲的電連接狀態(tài)相對(duì)應(yīng)的邏輯電平的熔絲狀態(tài)信號(hào)。
文檔編號(hào)G11C17/18GK101944524SQ20101011270
公開(kāi)日2011年1月12日 申請(qǐng)日期2010年2月4日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月1日
發(fā)明者崔俊基, 李炯東, 辛尚勛 申請(qǐng)人:海力士半導(dǎo)體有限公司