專利名稱：預加載數(shù)據(jù)到快閃存儲裝置中的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及快閃存儲裝置，且更具體地涉及預加載數(shù)據(jù)至快閃存儲裝置的方法及使用該方法的存儲裝置。
背景技術(shù)：
快閃存儲裝置的使用這些年來不斷迅速增加，因為這些裝置是可攜式且其具有小物理尺寸及大存儲容量。快閃存儲裝置出現(xiàn)各種設計。一些存儲裝置被視為“可移除式的”， 此意指用戶可將其從一個主機裝置移至另一主機裝置，或用一個存儲裝置來替換另一存儲裝置。其它存儲裝置被視為“嵌入式的”，此意指其不可且并不意圖由用戶從這些存儲裝置與其一同操作的主機裝置移除。由于各種原因，嵌入式存儲裝置的制造者在嵌入式存儲裝置被并入至主機中之前將用戶數(shù)據(jù)預加載至這些存儲裝置中。一般而言，在主機與嵌入于其中的存儲裝置一同被分配至最終用戶之前將用戶數(shù)據(jù)預加載至該存儲裝置中。全球定位系統(tǒng)(“GPS”)地圖、音樂文件、視頻文件、視頻游戲等是用戶數(shù)據(jù)的實例。已知操作為每單元單個位(“SBC”)的單元的存儲器單元比操作為每單元多個位 (“MBC”)的單元的存儲器單元具有更高的數(shù)據(jù)保持耐久性。然而，用戶數(shù)據(jù)傳統(tǒng)上存儲于操作為MBC單元的存儲器單元中，因為用戶數(shù)據(jù)通常大(例如，以數(shù)百兆字節(jié)至千兆字節(jié)的量級)，且將其緊致地存儲于MBC單元中節(jié)省存儲空間。通常，通過使用回流焊接(reflow soldering)工藝來將存儲裝置嵌入于主機裝置中。具有預加載的用戶數(shù)據(jù)的MBC單元對從回流焊接工藝所產(chǎn)生的熱量的可能影響敏感， 且這些單元中的數(shù)據(jù)因此可能被改動，尤其是因為這些存儲器單元的不同二進制狀態(tài)之間存在相對小的誤差容限(即，比SBC單元中的二進制狀態(tài)之間的那些誤差容限小的誤差容限)。換句話說，由于回流工藝而產(chǎn)生的過多熱量降低了存儲器單元的閾值電壓電平，因此導致這些存儲器單元無意地從指定的二進制狀態(tài)轉(zhuǎn)換到其它(即，錯誤的)二進制狀態(tài)。因此，需要在將存儲裝置嵌入于主機裝置中時解決存儲器單元中電荷的回流所致的放電的問題。也需要預加載用戶數(shù)據(jù)至MBC單元，且同時保證用戶數(shù)據(jù)的完整性。

發(fā)明內(nèi)容
因此，能夠以用戶數(shù)據(jù)將經(jīng)受住回流工藝的方式將用戶數(shù)據(jù)存儲于存儲裝置中將是有利的。在完成回流工藝且將存儲裝置嵌入于主機裝置中之后將用戶數(shù)據(jù)存儲于MBC單元中也將是有利的。設計各種實施例以實施此耐久性，本文中提供其實例。為解決前述問題，通過使用耐久數(shù)據(jù)保持存儲方案將從編程裝置傳送至存儲裝置的編程器的數(shù)據(jù)初始地存儲于該存儲裝置的存儲器裝置中。在將該存儲裝置嵌入于主機裝置中之后，從該存儲器裝置內(nèi)部地讀取該編程器的數(shù)據(jù)并通過使用傳統(tǒng)存儲方案將其重寫至該存儲器裝置中。該耐久數(shù)據(jù)保持存儲方案在下文中稱為“第一存儲設置”，且該傳統(tǒng)存儲方案在下文中稱為“第二存儲設置”。(注意編程器的數(shù)據(jù)在本文中也稱為“用戶數(shù)據(jù)”)。
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使用第一存儲設置可以包含暫時地(即，在存儲裝置嵌入于主機中之前)將存儲器裝置的存儲器單元操作為傳統(tǒng)SBC單元，或暫時地將存儲器裝置的存儲器單元操作為非傳統(tǒng)MBC單元。在該存儲裝置嵌入于主機裝置中之后，通過執(zhí)行一個或多個讀操作從存儲器裝置完全讀取編程器數(shù)據(jù)，或通過使用第一存儲設置從存儲器裝置僅讀取編程器數(shù)據(jù)的一個或多個所選部分，且通過使用第二存儲設置將該所讀取的編程器數(shù)據(jù)或其一個或多個所選部分重寫至該存儲器裝置中。


以這些實例不是限制性的意圖在附圖中例示各個示例性實施例。將認識到，為了例示的簡明及清晰，下文所參考的圖中所示出的元件未必按比例繪制。此外，在認為適當時，可在這些圖中重復參考標號來指示相同、對應或類似元件。在附圖中圖1是根據(jù)示例性實施例的存儲裝置的方塊圖；圖2更詳細地示出圖1的存儲裝置；圖3A是根據(jù)示例性實施例的第一存儲設置；圖3B是根據(jù)示例性實施例的第二存儲設置；圖4A是根據(jù)另一示例性實施例的第一存儲設置；圖4B是根據(jù)另一示例性實施例的第二存儲設置；圖5是根據(jù)示例性實施例用于預加載編程器數(shù)據(jù)至存儲裝置的方法；圖6是根據(jù)示例性實施例用于將預加載數(shù)據(jù)重寫至存儲裝置中的方法；圖7示出根據(jù)示例性實施例提供有用以檢測連接的編程裝置的部件的存儲裝置； 以及圖8示出根據(jù)示例性實施例提供有用于檢測連接的裝置(即，編程裝置或主機裝置)的部件的存儲裝置。
具體實施例方式以下描述提供示例性實施例的各種細節(jié)。然而，此描述不意圖限制權(quán)利要求的范圍而是解釋本發(fā)明的各種原理及其實踐方式。由回流引起的熱量所造成的問題的一個解決方案涉及永久地預加載用戶數(shù)據(jù)至 SBC存儲元件或至存儲裝置內(nèi)的SBC分區(qū)。此解決方案可由最終用戶(即，使用主機裝置的用戶，無論該主機裝置是否是數(shù)字相機、蜂窩電話等)所接受，但從主機裝置制造者的觀點來看這是有問題的，因為它們需要單獨處置(裝配、測試、操作等)幾個存儲裝置或存儲分區(qū)。另外，將SBC存儲裝置或如果使用SBC分區(qū)則將永久SBC存儲區(qū)域?qū)Ｓ糜诖鎯τ脩魯?shù)據(jù)消耗了主機裝置中的實際資源(real-estate)，且單獨管理MBC存儲裝置及SBC裝置或 SBC區(qū)域/分區(qū)是低效率的。另一解決方案涉及將用戶數(shù)據(jù)存儲于MBC單元中并執(zhí)行在閃存裝置的領(lǐng)域中稱為“修復(healing)工藝”的工藝。在該修復工藝期間，通過控制回流溫度曲線來減輕存儲器單元的電荷的熱致放電。然而，修復效率依賴于修復工藝的具體細節(jié)且依賴于所涉及的封裝技術(shù)。措辭“閾值電壓分布曲線在閾值電壓軸上的傳統(tǒng)位置”、“傳統(tǒng)閾值電壓(分布)范圍”、“傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線”及“傳統(tǒng)讀取參考電壓”是指被閃存行業(yè)普遍接受為對于操作閃存單元最佳的數(shù)據(jù)存儲實例?！安僮?快閃)存儲器單元”意指對該(快閃)存儲器單元執(zhí)行各種存儲及與存儲相關(guān)的操作，比如將數(shù)據(jù)寫入至該(快閃)存儲器單元中及從該(快閃)存儲器單元讀取數(shù)據(jù)。對于“單元計數(shù)對(vs.)單元的閾值電壓電平”圖(其作為實例示出于圖3A中)，存儲器單元的閾值電壓的傳統(tǒng)電平(S卩，存儲器單元的閾值電壓在該圖的電壓軸上的位置)依賴于存儲裝置的類型(例如，以每單元2位為基礎的裝置、以每單元3位為基礎的裝置等)、所涉及的技術(shù)(例如，NAND、NOR)及相關(guān)存儲過程的具體細節(jié)。即，傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線的位置及其相關(guān)傳統(tǒng)閾值電壓范圍被預定以使得數(shù)據(jù)寫入及數(shù)據(jù)讀取在可靠性及性能方面是最佳化的。因此，與一個類型的存儲裝置(例如，以每單元2位為基礎的裝置)有關(guān)的傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線的位置及其相關(guān)傳統(tǒng)閾值電壓范圍可能不同于與另一類型的存儲裝置(即，以每單元3位為基礎的裝置)有關(guān)的傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線的位置及其相關(guān)傳統(tǒng)閾值電壓范圍。通常將作為存儲裝置的存儲元件的閃存單元實施為浮置柵極晶體管。存儲器單元的浮置柵極能夠保持受浮置柵極的物理尺寸限制的最大電荷量。將存儲器單元的不同電荷量解釋為不同的二進制狀態(tài)，其中存儲器單元的二進制狀態(tài)對應于存儲于其中的數(shù)據(jù)(例如，“00”、“01”等)?？赏ㄟ^檢測存儲器單元的閾值電壓來檢測該存儲器單元的電荷及因此的其二進制狀態(tài)及數(shù)據(jù)。稱存儲器單元例如處于二進制狀態(tài)“0”(在此情形下，該單元存儲一個數(shù)據(jù)位)、處于二進制狀態(tài)“11” (在此情形下，該單元存儲兩個數(shù)據(jù)位)或處于二進制狀態(tài)“101”(在此情形下，該單元存儲三個數(shù)據(jù)位)以及稱該存儲器單元分別存儲(示例性)二進制數(shù)據(jù)“0”、“11”或“101”被視為等同的。存儲器單元所存儲的數(shù)據(jù)位的數(shù)目 (例如，1、2、3等)依賴于用于操作該存儲器單元的存儲方案?！盎亓骱附印?或簡稱為“回流”)是其中加熱電路板組裝件以便將組件的電端子焊接至電路板上的對應焊墊的焊接工藝。當存儲裝置被焊接至主機的電路板時，通常在175°C 至270°C的范圍內(nèi)的高焊接溫度導致存儲器單元丟失電荷。當存儲器單元丟失顯著量的電荷時，該單元的閾值電壓可能改變且因此該單元的二進制狀態(tài)可能改變，因此改動了存儲于該單元中的數(shù)據(jù)。此數(shù)據(jù)改變當然是不期望的。圖1是根據(jù)示例性實施例的存儲裝置100的方塊圖。存儲裝置100包括存儲管理器110 ；存儲器裝置120，其包括多個可以是例如NAND閃存單元的電荷存儲存儲器單元 122。存儲器單元122中的每一個保存數(shù)據(jù)的K個位(即，K個數(shù)據(jù)位)且可編程至2K個二進制狀態(tài)中的一個，且該2Κ個二進制狀態(tài)中的每一個由2Κ個閾值電壓范圍中的特定一個表示且可通過使用2Κ-1個讀取參考電壓來讀取。如下文所述，存儲裝置100還包括可配置存儲設置模塊(“CSSM”) 130，其可由存儲管理器110以使存儲裝置100能夠根據(jù)第一存儲設置和第二存儲設置中的一個或其兩者將數(shù)據(jù)寫入至存儲器單元122中的存儲器單元及從這些存儲器單元讀取數(shù)據(jù)的方式配置。存儲裝置100還包括主機接口(即，主機I/F 140) 以促進存儲管理器110與編程裝置或主機裝置之間的雙向通信。舉例而言，示出存儲裝置100嵌入至主機170中且經(jīng)由控制和數(shù)據(jù)總線172連接至該主機。由于技術(shù)及其它原因，在存儲裝置100嵌入至主機170中之前，存儲裝置100由其制造者通過將有關(guān)數(shù)據(jù)預加載至存儲器裝置120中而進行數(shù)據(jù)方面的(data-wise)初始化。雖然在圖1中示出存儲裝置100連接至編程器160 (示例性編程裝置)且嵌入于主機
9170中，但事實上情形并非如此。即，在將存儲裝置100嵌入于主機170中之前，首先將存儲裝置100連接至編程器160以便經(jīng)由命令和數(shù)據(jù)總線162將初始數(shù)據(jù)預加載至存儲器裝置 120。(從編程器160傳送至存儲裝置的初始數(shù)據(jù)在下文中也稱為“編程器數(shù)據(jù)”。)由編程器160預加載至存儲器裝置120的編程器數(shù)據(jù)可以是或包括例如GPS地圖、音樂文件、視頻文件、游戲文件及其它類型的數(shù)據(jù)。換句話說，雖然示出編程器160與主機170兩者都連接至主機I/F 140，但每一裝置是在不同時間連接至該主機I/F 編程器160連接至該主機I/ F以便將編程器數(shù)據(jù)預加載至存儲器裝置120，且主機170是在裝配主機170時物理地連接至該主機I/F，還在電接“通”主機170時操作地連接至該主機I/F。命令和數(shù)據(jù)總線162具有連接器，該連接器可以可移除地連接至存儲裝置100的編程插座。圖1中未示出存儲裝置的編程插座及命令和數(shù)據(jù)總線162的連接器。在通過編程器160對存儲裝置100的編程期間，命令和數(shù)據(jù)總線162的連接器連接至存儲裝置的編程插座，且在主機170的裝配期間，控制和數(shù)據(jù)總線172接線至主機I/F 140?？刂坪蛿?shù)據(jù)總線172可以是扁平電纜或電路板導體。在主機的制造商或裝配者裝配主機170期間，存儲裝置100被焊接至主機170的電路板174。在完成主機170的裝配過程且對主機170加電之后，存儲裝置100與主機170可以以傳統(tǒng)方式交互。存儲管理器110耦接142至主機I/F140且通過其與諸如編程器160及主機170 的外部裝置交換數(shù)據(jù)/信息、狀態(tài)信息和命令。存儲管理器110也管理包括將數(shù)據(jù)寫入至存儲器裝置120中及從存儲器裝置120讀取及擦除數(shù)據(jù)或與這些相關(guān)聯(lián)的存儲操作。如下文例如結(jié)合圖2更詳細地解釋的，CSSM 130操作性地耦接132至存儲器裝置120，且存儲管理器110通過控制CSSM 130的操作管理將數(shù)據(jù)寫入至存儲器單元122及從其讀取數(shù)據(jù)的方式。存儲管理器110經(jīng)由數(shù)據(jù)總線114將數(shù)據(jù)傳送至存儲器裝置120或從其接收數(shù)據(jù)；經(jīng)由地址總線116將存儲器單元的地址傳送至存儲器裝置120，及經(jīng)由控制總線118將控制信號傳送至CSSM 130以根據(jù)第一存儲設置和第二存儲設置中的一個或其兩者促進數(shù)據(jù)寫入、數(shù)據(jù)讀取及數(shù)據(jù)擦除。舉例而言，如果例如由編程器160或由主機170請求存儲管理器110將數(shù)據(jù)寫入至存儲器裝置120內(nèi)的特定存儲器單元中，則存儲管理器110將該數(shù)據(jù)與該特定存儲器單元的有關(guān)地址以及促進將數(shù)據(jù)寫入至正確的存儲器單元中的控制信號一起轉(zhuǎn)發(fā)至存儲器裝置120。同樣，如果請求存儲管理器110從存儲器裝置120內(nèi)的特定存儲器單元讀取數(shù)據(jù)，則存儲管理器110將這些特定存儲器單元的地址與促進從正確的存儲器單元讀取數(shù)據(jù)的控制信號一起轉(zhuǎn)發(fā)至存儲器裝置120。CSSM 130在某種意義上可由存儲管理器110配置存儲管理器110可以配置并使用CSSM 130以通過使用第一存儲設置或第二存儲設置來操作存儲器裝置120內(nèi)的存儲器單元(即，將數(shù)據(jù)寫入至存儲器單元中、從其讀取數(shù)據(jù)及從其擦除數(shù)據(jù))。通過“存儲設置”在本文中意指CSSM 130的配置，其使存儲管理器110能夠通過使用例如特定數(shù)據(jù)密度 (即，SBC或MBC)或假定已給定數(shù)據(jù)密度(例如，MBC)、非傳統(tǒng)地使用給定數(shù)據(jù)密度來操作存儲器裝置120或其所選部分(例如，單元的組124)以便相對于其傳統(tǒng)使用改進數(shù)據(jù)保持性?！皵?shù)據(jù)密度”是指存儲器單元所存儲的位的數(shù)目(K) :K越大，存儲于存儲器單元中的數(shù)據(jù)越密集。K依賴于存儲設置的具體細節(jié)。舉例而言，使用第一存儲設置可以包含將存儲器單元122的存儲器單元操作為例如每單元1個位的單元，且使用第二存儲設置可以包含將存儲器單元122的存儲器單元操作為例如每單元2個位的單元。使用第一存儲設置及第二存儲設置可能涉及使用相同數(shù)據(jù)密度(即，每單元的位數(shù)目相同)或不同數(shù)據(jù)密度(即，每單元的位數(shù)目不同)。舉例而言，第一存儲設置可使存儲管理器110能夠?qū)⒋鎯ζ鲉卧?22 管理為SBC單元(即，作為每單元1個位的單元)以便提供耐久數(shù)據(jù)保持性，且第二存儲設置可使得存儲管理器110能夠?qū)⒋鎯ζ鲉卧?22管理為MBC單元以更緊湊地存儲數(shù)據(jù)。措辭“存儲設置”也是關(guān)于被選擇以獲得特定可靠性或性能(例如，改進的數(shù)據(jù)保持耐久性、更緊湊的數(shù)據(jù))的可改變的閾值電壓分布及讀取參考電壓的集合或由該集合定義。該閾值電壓分布及讀取參考電壓的集合是可改變的，此意指閾值電壓分布的數(shù)目及讀取參考電壓的數(shù)目可根據(jù)要使用的存儲設置而改變。如果閾值電壓分布的數(shù)目及讀取參考電壓的數(shù)目改變，則新的閾值電壓分布及讀取參考電壓在電壓軸上的位置也改變以便容易地在不同閾值電壓分布之間區(qū)分。然而，根據(jù)本公開，閾值電壓分布及讀取參考電壓的位置可在不改變閾值電壓分布或讀取參考電壓的數(shù)目的情形下改變。在制造存儲裝置100之后，在存儲裝置10嵌入于可以是例如蜂窩電話或數(shù)字相機的主機170中之前，編程器的數(shù)據(jù)被預加載至存儲器裝置120中。在裝配階段發(fā)生之前，編程器數(shù)據(jù)被預加載至存儲器裝置120中，因為在存儲裝置嵌入于主機中之后將數(shù)據(jù)預加載至存儲裝置及執(zhí)行各種測試程序來測試該存儲裝置需要傳統(tǒng)主機制造線/工藝的顯著改變，且這些改變是昂貴的。因此，在將編程器數(shù)據(jù)預加載至存儲器裝置120之后，在存儲裝置100嵌入于主機裝置(例如，主機170)中之前，由編程器16執(zhí)行測試。在完成數(shù)據(jù)預加載過程之后，通過使用回流工藝或類似于該回流工藝的工藝來將存儲裝置100嵌入于主機170中。在存儲裝置100嵌入于主機170中之后，主機170及存儲裝置100通常經(jīng)受正常環(huán)境溫度。然而，在回流工藝期間，存儲裝置100經(jīng)受比正常環(huán)境溫度高得多的溫度。如本文中所解釋，高焊接溫度導致數(shù)據(jù)保持的降級，且因此導致數(shù)據(jù)丟失。因此，為在整個回流焊接工藝期間確保存儲于存儲器單元122中的編程器數(shù)據(jù)的完整性，通過使用提供、促進或支持耐久數(shù)據(jù)保持的第一存儲設置初始地(即，在存儲卡嵌入于主機中之前)將編程器160傳送至存儲裝置100的數(shù)據(jù)寫入至存儲器單元122中。然后， 在存儲裝置100嵌入于主機170中之后，且假定存儲裝置100由主機170加電，通過使用第二存儲設置將存儲于存儲器單元122中的編程器數(shù)據(jù)或其一個或多個所選部分重寫至存儲器單元122中。該第二存儲設置提供正常數(shù)據(jù)保持。(注意在存儲裝置嵌入于主機中之后使用正常數(shù)據(jù)保持是令人滿意的，因為在完成主機裝配過程之后，存儲裝置經(jīng)受正常操作及環(huán)境條件。)在通過使用第二存儲設置將編程器數(shù)據(jù)或其所選部分重寫至存儲器單元122中之前，通過使用第一存儲設置從存儲器單元122讀取該編程器數(shù)據(jù)或其一個或多個所選部分。是否(將要)從存儲器單元122讀取所有編程器數(shù)據(jù)或其所選部分并在此后將其重寫至存儲器單元122中以及需要多少讀取/寫入操作的問題依賴于由回流工藝/在回流工藝期間所導致的數(shù)據(jù)方面的損壞，且依賴于保存該數(shù)據(jù)的存儲器單元對數(shù)據(jù)讀取故障的敏感程度。一般而言，可完全地或部分地從存儲器單元122讀取編程器數(shù)據(jù)且此后將其重寫至存儲器單元122中。更具體而言，從存儲器單元122讀取編程器數(shù)據(jù)/將編程器數(shù)據(jù)重寫至存儲器單元122中存在三個選項(1)可以通過使用一個讀取操作及一個寫入操作從存儲器單元122讀取全部編程器數(shù)據(jù)/將其重寫至存儲器單元122中；或(2)可以通過使用多個讀取操作(即，一次一部分地讀取全部編程器數(shù)據(jù))及同樣多的寫入操作從存儲器單元122讀取全部編程器數(shù)據(jù)/將其重寫至存儲器單元122中；或(3)可以從存儲器單元122僅讀取編程器數(shù)據(jù)的所選部分并此后將其重寫至存儲器單元122中。選項(2)在其中存儲管理器忙于做其它事情且其可作為后臺操作讀取/重寫編程器數(shù)據(jù)的部分的情形下是有利的。選項(3)在其中回流工藝并不嚴重影響初始地存儲編程器數(shù)據(jù)的存儲器單元 122內(nèi)的一些存儲器單元的情形下是有利的。在這些情形下，僅讀取及重寫存儲于嚴重受影響的存儲器單元中的數(shù)據(jù)部分可足夠。換句話說，無需讀取及重寫存儲于受影響可忽略的存儲器單元中的數(shù)據(jù)部分。如果預先(例如，根據(jù)經(jīng)驗)知道存儲器單元122內(nèi)的特定存儲器單元在存儲方面將有問題，例如因為它們對回流工藝很敏感，則可僅讀取編程器數(shù)據(jù)的存儲于有問題的存儲器單元中的部分且此后將該部分重寫于存儲器單元122中。因此， 可基于單元對故障的敏感性預定(即，預先選擇)(將要)從其讀取編程器數(shù)據(jù)的部分的存儲器單元。分別以以下方式來設計第一存儲設置及第二存儲設置將存儲器裝置120的存儲器單元操作為SBC單元以提供耐久數(shù)據(jù)保持，以及將其操作為MBC單元以將相同數(shù)據(jù)更緊湊地存儲于存儲器裝置120中，如圖3A及3B中所示出，這在下文描述?；蛘?，第一存儲設置及第二存儲設置兩者可以按將存儲器裝置120的存儲器單元操作為MBC單元的方式設計。然而，如果這兩個存儲設置都被設計為將存儲器單元操作為MBC單元，則使用第一存儲設置涉及使用非傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線及(可選地使用)非傳統(tǒng)讀取參考電壓，如圖4A及 4B中所示出，這在下文描述。用于將編程器數(shù)據(jù)(即，從編程器160傳送的數(shù)據(jù))預加載至存儲裝置100的第一存儲設置可以是SBC存儲設置。如上文所解釋，如果存儲器單元被操作為SBC單元而非 MBC單元，則這些存儲器單元以較佳方式保持其電荷，且因此保持其閾值電壓電平及二進制狀態(tài)。因此，存儲管理器110以選擇性地將存儲器單元122的第一組(例如，組124)操作為SBC單元的方式配置CSSM 130。然后，存儲管理器110通過使用SBC存儲設置暫時地將編程器數(shù)據(jù)寫入至單元組124中。在初始地將編程器數(shù)據(jù)寫入至單元組124中之后的某一時間，將存儲裝置100焊接至主機170的電路板174。在裝配主機170之后，將其接“通”對存儲裝置100加電。在存儲裝置100由主機 170加電之后不久，存儲管理器110從單元組124讀取編程器數(shù)據(jù)。由于存儲管理器110通過使用SBC存儲設置暫時地將編程器數(shù)據(jù)寫入至單元組124中，因此存儲管理器110通過使用SBC存儲設置從單元組124讀取編程器數(shù)據(jù)?！巴ㄟ^使用xBC存儲設置將數(shù)據(jù)寫入至存儲器單元中或從存儲器單元讀取數(shù)據(jù)”意指通過將該存儲器單元操作為xBC單元(“X” 可以是“S”，8卩“單個”或可是“M”，即“多個”)將數(shù)據(jù)寫入至該存儲器單元中或從其讀取數(shù)據(jù)。使用第二存儲設置來重調(diào)整(recondition)數(shù)據(jù)包括使用MBC存儲設置。在存儲管理器Iio從單元組124讀取編程器數(shù)據(jù)之后，其暫時地將該數(shù)據(jù)存儲152于隨機存取存儲器(“RAM”)150中。此后或同時，存儲管理器110以根據(jù)第二存儲設置操作存儲器單元 122的方式重新配置CSSM 130。由于在此階段將編程器數(shù)據(jù)更緊湊地存儲于存儲器單元 122中是有利的，因此第二存儲設置涉及將存儲器單元122操作為MBC單元；例如操作為每單元2個位的單元(即，K = 2)或操作為每單元3個位的單元(即，K = 3)，等等(即，K>
123)。然后，存儲管理器110從RAM 150讀取152數(shù)據(jù)且將其緊湊地重寫至存儲器單元122的第二組(例如，組126或組128)中，此次通過使用作為MBC存儲設置的第二存儲設置。改變存儲設置并不一定意指必須將所有用戶數(shù)據(jù)重寫至第二組存儲器單元中。即，存儲設置可改變?yōu)閮H改變從存儲器單元的第一組存儲器單元讀取數(shù)據(jù)或其部分的方式或僅處置第一組存儲器單元內(nèi)的對數(shù)據(jù)錯誤或?qū)Σ僮鞴收厦舾械臄?shù)據(jù)區(qū)/ “區(qū)域”。換句話說，可以僅將存儲于第一組中的看上去敏感的存儲器單元中的數(shù)據(jù)重寫至第二組存儲器單元中。第一組存儲器單元及第二組存儲器單元可是單獨的組，如單獨的組124及128所示?；蛘?，第一組存儲器單元及第二組存儲器單元可共同具有一個或多個存儲器單元，如組 124與126的部分重疊所示。圖1中示出第二組存儲器單元(例如，組126或組128)小于組124(即，組126及組128的每個包括少于組124的存儲器單元)，因為相同量的數(shù)據(jù)(即， 編程器數(shù)據(jù))更緊湊地重寫至第二組存儲器單元中(即，第二組的每個存儲器單元保存比由第一組的每個存儲器單元存儲的數(shù)據(jù)位更多的數(shù)據(jù)位)。使用第一存儲設置可以包括通過以非傳統(tǒng)方式使用MBC存儲設置來預加載數(shù)據(jù)；以及通過以傳統(tǒng)方式使用MBC存儲設置來重調(diào)整數(shù)據(jù)，如下文所述。可以按通過使用 MBC存儲方案將編程器數(shù)據(jù)寫入至存儲器單元122中的方式設計第一存儲設置。如上文所解釋，傳統(tǒng)地使用MBC存儲方案是有問題的，因為焊接熱量降低存儲器單元的閾值電壓且此導致數(shù)據(jù)無意地被改變。因此，如下文所解釋，如果MBC存儲方案被用作第一存儲設置， 則以非傳統(tǒng)方式使用該方案。如上文所解釋，過多熱量加速了存儲器單元中電荷的丟失，且因此導致有關(guān)閾值電壓電平降低(即，在閾值電壓分布圖的電壓軸上向左移位)。然而，通過初始地向右移位存儲器單元的閾值電壓分布(因此非傳統(tǒng)地使用閾值電壓分布)，焊接熱量的影響可在很大程度上得以補償?？梢岳绺鶕?jù)經(jīng)驗確定存儲器單元的閾值電壓分布要相對于其傳統(tǒng)位置初始地向右移位的程度，以使得該初始右移位將補償高焊接溫度對存儲器單元122的不利影響。 即，預期高焊接溫度將使存儲器單元122的閾值電壓分布移位“回”至其在閾值電壓軸上的傳統(tǒng)位置，或至少充分接近這些位置?！俺浞纸咏鼈鹘y(tǒng)位置”意指可通過使用移位的閾值電壓分布、以可忽略的可靠性及性能降低、初始地將編程器數(shù)據(jù)寫入至存儲器單元122中并稍后從存儲器單元122讀取該數(shù)據(jù)，即使移位的閾值電壓分布的位置及形狀偏離傳統(tǒng)閾值電壓分布的位置及形狀。如果存儲管理器110比如通過感測或推斷或者通過由編程器160通知而“知曉” 存儲裝置100連接至編程器160，則無論使用哪種類型的第一存儲設置(即，傳統(tǒng)SBC或非傳統(tǒng)MBC)，存儲管理器110都使用該第一存儲設置來初始地將編程器數(shù)據(jù)寫入至存儲器單元122中。同樣，如果存儲管理器110比如通過感測或推斷或者通過由主機170通知而“知曉”存儲裝置100連接至主機170，則存儲管理器110使用第一存儲設置來讀取編程器數(shù)據(jù)并使用第二存儲設置來將該編程器的數(shù)據(jù)重寫至存儲器單元122中。下文描述使存儲管理器110能夠確定存儲裝置100是否連接至編程器160或連接至主機170的各種示例方式。 存儲管理器110可執(zhí)行應用112以便執(zhí)行本文中所闡述的CSSM 130的各種配置、步驟、操作、確定等。圖2是根據(jù)示例性實施例的可配置的存儲設置模塊(“CSSM”)130的方塊圖。將與圖1相關(guān)聯(lián)地闡述圖2。如上所述，CSSM 130操作性地連接至存儲器裝置120且存儲管理器110通過控制CSSM 130的操作來管理存儲器裝置120。CSSM 130由存儲管理器110 配置，且此后被存儲管理器110用來選擇性地通過使用第一存儲設置或第二存儲設置操作 (即，將數(shù)據(jù)寫入至、從其讀取或擦除數(shù)據(jù))存儲器單元122內(nèi)的存儲器單元。通過存儲管理器110選擇閾值電壓分布及讀取參考電壓的適當集合使得存儲管理器110能夠以確保存儲器單元在存儲裝置100嵌入于主機170中之后仍保持編程器數(shù)據(jù)的第一方式或以確保在編程器數(shù)據(jù)被焊接工藝破壞的情形下其可被恢復的第二方式操作存儲器單元122。可通過使用低數(shù)據(jù)密度來促進編程器數(shù)據(jù)的保持，且在存儲裝置100嵌入于主機170中之后使用較高數(shù)據(jù)密度來緊湊地存儲數(shù)據(jù)。通過以下來促進數(shù)據(jù)的恢復在電壓方面(voltage-wise)充分向左移位讀取參考電壓中的至少一些電壓以使存儲管理器 110能夠正確地解譯這些單元的由于回流工藝而向左移位的閾值電壓電平。CSSM 130包含實施第一存儲設置及第二存儲設置所需要的配置信息。為方便起見，將實施該兩個存儲設置所需要的信息在功能上劃分為兩個部分與第一存儲設置有關(guān)的信息示出于210處，且與第二存儲設置有關(guān)的信息示出于220處。如果存儲管理器110 確定應使用第一存儲設置，則其將選擇240信息210的命令發(fā)送118至CSSM 130。如果存儲管理器110確定應使用第二存儲設置，則其將選擇250信息220的命令發(fā)送118至CSSM 130。信息210包括信息212，其與2K個傳統(tǒng)閾值電壓范圍/分布或——依賴于實際使用的第一存儲設置的類型——非傳統(tǒng)閾值電壓范圍/分布的集合有關(guān)。信息210還包括信息214，其與2Κ-1個傳統(tǒng)讀取參考電壓或——依賴于所使用的第一存儲設置的類型——非傳統(tǒng)讀取參考電壓的集合有關(guān)。信息212及信息214定義第一存儲設置。舉例而言，K = 1 (即，(要)將存儲器單元操作為每單元1個位的單元)意指(要)被操作為每單元1個位的單元的存儲器單元122的存儲器單元中的每個每次可處于兩個(21) 二進制狀態(tài)(即， “0”或“1”)之一。因此(繼續(xù)該實例)，信息212與兩個閾值電壓范圍/分布有關(guān)表示該兩個相關(guān)二進制狀態(tài)中的一個的一個閾值電壓范圍/分布；及表示該兩個二進制狀態(tài)中的另一個的另一閾值電壓范圍/分布。同樣，信息220包括信息222，其與浐個傳統(tǒng)閾值電壓電平的范圍的集合有關(guān)；及信息224，其與個傳統(tǒng)讀取參考電壓的集合有關(guān)。信息222及信息224定義第二存儲設置。舉例而言，L = 2 (即，(要)將存儲器單元122內(nèi)的存儲器單元操作為每單元2個位的單元)意指(要)被操作為每單元2個位的單元的這些存儲器單元中的每個每次可處于四個(22) 二進制狀態(tài)(即，“00”、“01”、“10”或“11”)之一。因此(繼續(xù)后一個實例)，信息222與四個閾值電壓范圍/分布有關(guān)，其中該四個閾值電壓范圍/分布中的每個表示該相關(guān)四個二進制狀態(tài)中的特定一個。每當存儲管理器110將數(shù)據(jù)寫入至存儲器單元122中或從其讀取數(shù)據(jù)時，其確定哪個存儲設置與該具體數(shù)據(jù)寫入及與該具體數(shù)據(jù)讀取相關(guān)，且基于確定結(jié)果，指示118CSSM 130選擇與相關(guān)存儲設置有關(guān)的信息。如果存儲管理器110確定第一存儲設置是相關(guān)的存儲設置，則其指示118CSSM 130選擇信息210 (信息210的選擇示出于240處)。然而，如果存儲管理器110確定第二存儲設置是相關(guān)的存儲設置，則其指示118CSSM 130選擇信息 220 (信息220的選擇示出于250處)。舉例而言，示出存儲管理器110選擇240第一存儲設置且取消選擇250第二存儲設置。稱CSSM 130正使用信息210 (或信息220)操作存儲器單元以及稱CSSM 130被配置為根據(jù)第一存儲設置(或，如果選擇信息220，則根據(jù)第二存儲設置)操作這些單元被視為等效的。存儲器裝置120包括編程單元230。編程單元230負責存儲器單元122的實際編程(即，將數(shù)據(jù)寫入至單元)以及從存儲器單元122讀取及擦除數(shù)據(jù)。編程單元230包括存儲器編程器232及感測單元234。為了將數(shù)據(jù)寫入至存儲器單元122中，存儲管理器110將該數(shù)據(jù)與應將該數(shù)據(jù)寫入到的存儲器單元的地址傳送至編程單元230。為使編程單元230 能夠通過使用正確的存儲設置將數(shù)據(jù)寫入于存儲器單元122中，存儲管理器110將存儲設置選擇命令傳送118至CSSM 130以采用正確信息。該存儲設置選擇命令向CSSM 130指示哪個信息(即，信息210或信息220)應該用于寫數(shù)據(jù)。然后，編程單元230從CSSM 130接收132選擇的信息(例如，信息210)并相應地使用該信息。假定從CSSM 130傳送132至編程單元230的信息是信息210。存儲管理器110使用存儲器編程器232來通過使用第一存儲設置將該數(shù)據(jù)寫入至存儲器單元122的存儲器單元中。即，在編程單元230接收(i)要被寫入于存儲器單元122中的數(shù)據(jù)(例如，編程器數(shù)據(jù))、( )有關(guān)地址及(iii)有關(guān)存儲設置信息(在此實例中的信息210)之后，存儲管理器110使用存儲器編程器232來逐步編程有關(guān)存儲器單元(例如，單元的組124)，同時在每一編程步驟期間，存儲器編程器232增加存儲器單元的閾值電壓電平。在每一編程步驟之后，存儲管理器110使用感測單元234來通過使用信息210中所規(guī)定或由其定義的閾值電壓范圍/分布及讀取參考電壓的集合來檢測被編程的存儲器單元的當前二進制狀態(tài)。然后，存儲管理器110使用感測單元234來確定被編程的存儲器單元的當前二進制狀態(tài)是否已達到目標二進制狀態(tài)。(存儲器單元的“目標”二進制狀態(tài)是要存儲于其中的數(shù)據(jù)的逐位(bitwise)部分“X”、“Xy”、“Xyz”等(其中“x”、“y”及“ζ”中的每個是二進制值“0”或 “1”))。如果存儲器單元的當前二進制狀態(tài)不同于其目標二進制狀態(tài)，則該存儲器單元經(jīng)受額外編程步驟。重復增加存儲器單元的閾值電壓電平及比較所得的二進制狀態(tài)與相應目標二進制狀態(tài)的過程，直至被編程的存儲器單元的每個達到其目標二進制狀態(tài)，即，直至每一被編程的存儲器單元存儲了要存儲于其中的數(shù)據(jù)的逐位部分。存儲管理器110還使用感測單元234來從存儲器單元122讀取數(shù)據(jù)。為從存儲器單元讀取數(shù)據(jù)，感測單元234逐漸增加施加至該單元的浮置柵極的電壓的電平直至電流開始流過該單元。電流在其之下開始流過存儲器單元的最小電壓電平是該存儲器單元的閾值電壓，且如上文所解釋，存儲器單元的閾值電壓指示該單元的二進制狀態(tài)。因此，存儲管理器110使用感測單元234來檢測存儲器單元的閾值電壓電平。然后，存儲管理器110比較單元的閾值電壓電平與信息210中所規(guī)定或由其定義的讀取參考電壓的集合以便確定存儲器單元的二進制狀態(tài)。當存儲裝置100連接至編程器160時，存儲管理器110使用CSSM 130及編程單元 230來根據(jù)第一存儲設置將編程器數(shù)據(jù)寫入至存儲器單元122內(nèi)的存儲器單元中。在存儲裝置100嵌入于主機170中之后，存儲管理器110使用CSSM130及編程單元230來根據(jù)第二存儲設置將該編程器數(shù)據(jù)重寫于存儲器單元122的存儲器單元中。下文闡述的圖3Α及圖4Α示出了替代的第一存儲設置。也在下文闡述的圖3Β及圖4Β示出了替代的第二存儲設置。
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編程器160可以包括存儲裝置接口，用于與存儲裝置100接口 ；及控制器，用于經(jīng)由該存儲裝置接口與存儲管理器Iio通信。圖1及2中未示出編程器160的存儲裝置接口及控制器。編程器160的控制器可將指令發(fā)送至存儲管理器110以將CSSM 130配置為根據(jù)第一存儲設置操作第一組存儲器單元122，并經(jīng)由存儲裝置接口將編程器數(shù)據(jù)傳送至存儲管理器110以便存儲管理器110通過使用該第一存儲設置將其寫入于存儲器單元122 的第一組中。主機170可以包括存儲裝置接口，用于與存儲裝置100接口 ；及控制器，用于經(jīng)由該存儲裝置接口與存儲管理器Iio通信。圖1及2中未示出主機170的存儲裝置接口及控制器。主機170的控制器可致使存儲管理器110 根據(jù)第一存儲設置從存儲器單元122的第一組中全部或部分地讀取編程器數(shù)據(jù)或僅讀取編程器數(shù)據(jù)的所選部分；配置CSSM 130 來根據(jù)第二存儲設置操作存儲器單元122 ；以及通過使用第二存儲設置將編程器數(shù)據(jù)全部或部分地或僅將編程器數(shù)據(jù)的所選部分寫入至存儲器單元122的第二組中。圖3A示出SBC存儲方案(即，K = 1)作為示例性第一存儲設置用于在存儲裝置嵌入于主機中之前將編程器數(shù)據(jù)預加載至該存儲裝置。將與圖1及圖2相關(guān)聯(lián)地闡述圖3A。 如閃存裝置技術(shù)中已知的，存儲器單元的閾值電壓直接與存儲器單元的浮置柵極所保存的電荷量相關(guān)，且通過比較該單元的閾值電壓與一個或多個讀取參考電壓來檢測該單元的二進制狀態(tài)(即，存儲于該單元中的數(shù)據(jù))?；氐綀D3A，使用SBC存儲方案除其它以外意指被操作為SBC單元的每個存儲器單元每次可處于兩個二進制狀態(tài)之一，S卩，處于二進制狀態(tài) “A”，其由傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線310表示，或處于二進制狀態(tài)“B”，其由傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線320表示。一般而言，物理二進制狀態(tài)表示(即，其被解譯為)依賴于所使用的慣例的具體二進制值。舉例而言(回到圖3A)，物理二進制狀態(tài)“A”及“B”可分別表示二進制值 “1”及“0”。一般而言，二進制狀態(tài)由閾值電壓分布曲線/范圍表示，且如果存儲器單元的閾值電壓存在于對應于特定二進制狀態(tài)的閾值電壓分布范圍內(nèi)，則稱該單元處于該特定二進制狀態(tài)中。舉例而言，如果存儲器單元的閾值電壓存在于閾值電壓分布范圍312內(nèi)則該存儲器單元處于二進制狀態(tài)“A”中，且如果其閾值電壓存在于閾值電壓分布范圍322內(nèi)則處于二進制狀態(tài)“B”中。根據(jù)圖3A，由于存在兩個(2K = 21 = 2) 二進制狀態(tài)(即，二進制狀態(tài)“Α”及“B”)，因此它們可通過使用一個(2Κ-1 = = 1)讀取參考電壓(即，讀取參考電壓314)檢測。由于兩個二進制狀態(tài)之間存在相對寬的電壓誤差容限316，因此SBC存儲方案以耐久數(shù)據(jù)保持為特征，甚至在諸如例如在回流工藝期間所產(chǎn)生的過多熱量的異常條件下。因此，可在存儲裝置100嵌入于主機170中之前將SBC存儲設置用作第一存儲設置以將編程器數(shù)據(jù)寫入至存儲器單元122中。將閾值電壓分布范圍312及322視為該SBC 存儲方案的“傳統(tǒng)閾值電壓范圍”。一般而言，閾值電壓分布曲線的數(shù)目N及其相關(guān)范圍依賴于K(即，N= 2Κ)。假定將存儲裝置100嵌入于主機170中包括回流焊接階段，在該回流焊接階段期間，存儲裝置100被焊接至電路板174。由于由回流工藝/在回流工藝期間所產(chǎn)生的過多熱量，保存編程器數(shù)據(jù)的存儲器單元(例如，單元組124)相對于正常條件下的電荷丟失速率以增加的速率丟失電荷。電荷的丟失導致有關(guān)單元的閾值電壓電平的降低，其在圖3Α中示出為閾值電壓范圍312及322在閾值電壓軸上的向左移位。一般而言，焊接溫度越高及存儲器單元向焊接溫度的暴露越長，其閾值電壓向左的移位越大。舉例而言，閾值電壓分布曲線310及320向左移位至非傳統(tǒng)位置。在移位之后，閾值電壓分布曲線310及320分別示出于330及340處。閾值電壓分布范圍312及322同樣向左移位至非傳統(tǒng)位置。在移位之后，分布范圍312及322被示出于332及342處。(注意如果處于二進制狀態(tài)“A”的所有存儲器單元初始地沒有存儲任何電荷，則閾值電壓分布曲線310保持在相同位置處，因為如果單元丟失電荷則該單元的閾值電壓可向左移位)。如上文所解釋，SBC存儲方案可用作第一存儲設置來將數(shù)據(jù)預加載至存儲裝置，因為此種類型的存儲方案具有容納回流工藝的不利影響的相對寬的“狀態(tài)A”至“狀態(tài)B”容限(即，誤差容限316)。即，傳統(tǒng)讀取參考電壓314與閾值電壓分布范圍322的傳統(tǒng)位置之間的寬誤差容限可容納閾值電壓分布范圍向左的相對大移位。然而，通過使用SBC存儲方案存儲大量編程器數(shù)據(jù)在存儲空間方面是不經(jīng)濟的。因此，為了釋放存儲空間，將編程器數(shù)據(jù)緊湊地重寫至存儲器單元122中是有利的。在編程器數(shù)據(jù)可以緊湊地重寫至存儲裝置中之前，其必須被從有關(guān)存儲器單元讀取。如上文所解釋，使用SBC存儲方案將所論及的數(shù)據(jù)預加載至存儲裝置。因此，讀取該數(shù)據(jù)也通過使用SBC存儲方案執(zhí)行。分別表示經(jīng)移位的閾值電壓分布曲線310及320的閾值電壓分布曲線330及340仍然(即，在完成回流工藝之后)可容易地檢測，因為其閾值電壓最初位于傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線320上的所有存儲器單元在完成回流工藝之后具有仍顯著高于傳統(tǒng)讀取參考電壓314的閾值電壓。換句話說，不存在處于二進制狀態(tài)“B”中的存儲器單元的閾值電壓由于回流工藝而接近傳統(tǒng)讀取參考電壓314。此意指傳統(tǒng)讀取參考電壓314仍可以用于(即，無需調(diào)整或傳統(tǒng)地)從存儲器單元讀取數(shù)據(jù)。為了將SBC存儲方案用作第一存儲設置，第一信息210定義或包括與兩個(2K = 21)傳統(tǒng)閾值電壓分布范圍(例如，閾值電壓分布范圍312及322)的集合及與一個傳統(tǒng)讀取參考電壓(例如，傳統(tǒng)讀取參考電壓314)有關(guān)的信息。在存儲裝置100嵌入于主機170 中之前，編程單元230使用信息210來(i)編程或避免編程存儲器單元122的第一組，例如組124，以便這些單元將狀態(tài)改變?yōu)槎M制狀態(tài)“A”或保持在二進制狀態(tài)“A”;及(ii)編程組124的其它存儲器單元以便它們處于二進制狀態(tài)“B”，即，在其它存儲器單元應處于二進制狀態(tài)“B”中的情形下。在完成嵌入工藝之后，編程單元230使用信息210來讀取經(jīng)編程的數(shù)據(jù)。參照圖3A中所示出的實例，K = 1，信息212定義兩個(21)在此實例中傳統(tǒng)的閾值電壓分布曲線310及320以及相應閾值電壓分布范圍312及322的集合，且信息214定義一個O1-I)在此實例中傳統(tǒng)的讀取參考電壓314的集合。圖3B示出每單元2個位的存儲方案以用作示例性第二存儲設置方案，用于將編程器數(shù)據(jù)重寫至存儲裝置中。將與圖1及圖2相關(guān)聯(lián)地闡述圖3B。圖3B中所示出的存儲方案是示例性MBC存儲方案，其中L = 2，但可替代地使用其它MBC存儲方案，其中L大于2(例如，L = 3、L = 4 等)。在完成存儲裝置嵌入工藝之后，可安全地將通過使用SBC存儲方案預加載至存儲器單元組124且此后從其讀取的編程器數(shù)據(jù)緊湊地重寫至存儲器單元122中(“安全地”——不使存儲裝置暴露于回流工藝所導致的熱量)。使用圖3B的傳統(tǒng)MBC方案，通過在有關(guān)存儲器單元中的每個中存儲兩個數(shù)據(jù)位(K = 2)將編程器數(shù)據(jù)重寫至存儲裝置中 (例如，至存儲器單元組126、至存儲器單元組128或存儲器單元122中的別處)。在存儲器單元中存儲兩個數(shù)據(jù)位意指該存儲器單元可處于四個二進制狀態(tài)之一處于二進制狀態(tài)
17“A”，其由傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線350表示；處于二進制狀態(tài)“B”，其由傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線360表示；處于二進制狀態(tài)“C”，其由傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線370表示；或處于二進制狀態(tài)“D”，其由傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線380表示。閾值電壓分布曲線350、360、370及380被視為MBC存儲方案的“傳統(tǒng)閾值電壓曲線”，該方案在此實例中涉及在被操作為MBC單元的存儲器單元中存儲兩個位。二進制狀態(tài)“A”可解譯為二進制值“ 11 ”，二進制狀態(tài)“B”可解譯為二進制值“01”，等等。如上文所解釋，通過檢測存儲器單元的閾值電壓電平及將其與一個或多個讀取參考電壓比較來進行檢測存儲器單元的二進制狀態(tài)?；氐綀D3B，存在被指示為390、392及394的三個傳統(tǒng)讀取參考電壓，因為需要三個讀取參考電壓來確定存儲器單元是否處于四個二進制狀態(tài)“A”、“B ”、“ C”或“D ”之一。在存儲管理器110從單元組124讀取編程器數(shù)據(jù)之后且在其將該數(shù)據(jù)重寫至存儲器單元122中(例如，至單元組126或128中)之前，存儲管理器110暫時地將該編程器數(shù)據(jù)存儲于暫時存儲器(例如，RAM 150)中。然后，存儲管理器110可以在可根據(jù)MBC存儲設置來操作當前被操作為SBC單元的存儲器單元(即，初始地保存編程器數(shù)據(jù)的單元，例如單元組124)之前擦除這些存儲器單元。在此時通過使用MBC存儲設置將編程器數(shù)據(jù)從SBC 單元擦除且將其重寫至存儲器單元122中之后，存儲管理器110將編程器數(shù)據(jù)從暫時存儲器(即，RAM 150)擦除。此時作為MBC操作的單元，存儲管理器110可將編程器數(shù)據(jù)重寫至存儲器單元122中的任一空閑/經(jīng)擦除的單元組中，例如組126中或組128中。組126 及128中的每個具有組124的存儲區(qū)的一半，因為編程器數(shù)據(jù)是通過使用每單元1個位的存儲方案初始地被寫入至組124中，而使用每單元2個位的存儲方案將相同數(shù)據(jù)重寫至組 126中或組128中或存儲器單元122中的別處。如上文所解釋，存儲管理器110可選擇性地根據(jù)SBC存儲方案(S卩，作為SBC單元) 或根據(jù)MBC存儲方案(即，作為MBC單元)操作存儲器單元122，且如上文結(jié)合信息210及信息220所闡述，通過存儲管理器110將選擇命令傳送118至CSSM 130來完成選擇存儲設置。一般而言，在存儲裝置100嵌入于主機170中之后，存儲裝置100經(jīng)受正常操作及環(huán)境條件。因此，可通過使用傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線350、360、370及380以及傳統(tǒng)讀取參考電壓390、392及394來安全地管理(S卩，寫入、擦除、讀取等)數(shù)據(jù)(包括編程器數(shù)據(jù))。參照圖3B中所示出的實例，L = 2，信息222定義四個(22)傳統(tǒng)閾值電壓分布范圍352、362、372 及382的集合，且信息224定義三個(22-1)傳統(tǒng)讀取參考電壓390、392及394的集合。圖4A及圖4B示出其中MBC存儲方案被用作第一存儲設置與第二存儲設置兩者的示例性情形。圖4A及圖4B關(guān)于其中K = L = 2的個別情形。圖4A示出MBC存儲方案作為示例性第一存儲設置方案用于在存儲裝置嵌入于主機中之前將編程器數(shù)據(jù)預加載至該存儲裝置中。將與圖1及圖2相關(guān)聯(lián)地闡述圖4A。傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線410、420、430及 440分別表示二進制狀態(tài)“A”、“B”、“C”及“D”。如果存儲器單元的閾值電壓存在于傳統(tǒng)閾值電壓分布范圍480內(nèi)，則該存儲器單元傳統(tǒng)地處于二進制狀態(tài)“A”中；如果其閾值電壓存在于傳統(tǒng)閾值電壓分布范圍482內(nèi)，則處于二進制狀態(tài)“B”中；如果其閾值電壓存在于傳統(tǒng)閾值電壓分布范圍484內(nèi)，則處于二進制狀態(tài)“C”中；且如果其閾值電壓存在于傳統(tǒng)閾值電壓分布范圍486內(nèi)，則處于二進制狀態(tài)“D”中。如果存儲器單元的閾值電壓存在于相應傳統(tǒng)閾值電壓分布范圍之外、例如在非傳統(tǒng)閾值電壓分布范圍490、492、494或496內(nèi)，則該存儲器單元非傳統(tǒng)地處于二進制狀態(tài)“A”、“B”、“C”或“D”中。
注入至存儲器單元中的電荷量是可控制的。通過控制注入至存儲器單元中的電荷量，存儲管理器110可在很大程度上將該單元的閾值電壓的初始電平控制在所需閾值電壓分布范圍內(nèi)，如下文所解釋，其可以是傳統(tǒng)的(例如，閾值電壓范圍480、482、484或488)或非傳統(tǒng)的。換句話說，存儲管理器110可視需要設定具體閾值電壓分布曲線的初始電壓方面的位置及初始形狀(例如，最大電壓寬度或窄度)?？筛鶕?jù)經(jīng)驗(至少大致地)估計閾值電壓分布曲線及其相關(guān)范圍由于回流工藝而向左移位(即，移動)的程度?；诟鶕?jù)經(jīng)驗的估計，通過以相對于傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線升高(即，在圖4A中向右移動)相應閾值電壓分布曲線的方式初始地編程存儲器單元來至少部分地補償存儲器單元的閾值電壓電平的熱致向左移位?；氐綀D4A，使用存儲管理器110 “重新定位”閾值電壓分布曲線(即，為這些曲線設定新位置)及重新定形這些閾值電壓分布曲線的能力來創(chuàng)建并使用替代的(即，非傳統(tǒng)的)閾值電壓分布曲線以安全地將編程器數(shù)據(jù)預加載至存儲器單元122中。與二進制狀態(tài) “A”、“B”、“C”及“D”相關(guān)聯(lián)的這些非傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線分別示出于412、422、432及 442 處。非傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線412是傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線410的替換；非傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線422是傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線420的替換；非傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線432是傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線430的替換；且非傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線442是傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線440的替換。如圖4A中所示出，非傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線412、422、432及442在電壓方面明顯窄于傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線410、420、430及440，如閾值電壓范圍490窄于閾值電壓范圍480 ；閾值電壓范圍492窄于閾值電壓范圍482 ；閾值電壓范圍494窄于閾值電壓范圍484 ；且閾值電壓范圍496窄于閾值電壓范圍486。如本文中所例示，移位及縮窄閾值電壓分布曲線補償了回流工藝的兩種影響(1) 降低存儲器單元的閾值電壓電平(即，向左移位其閾值電壓電平)；及(2)加寬閾值電壓分布曲線。因此，可將非傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線412、422、432及442或類似閾值電壓分布曲線用作第一存儲設置以在存儲裝置100嵌入于主機170中之前將編程器數(shù)據(jù)預加載至存儲裝置100。注意，使用窄閾值電壓分布曲線增加了每兩個相鄰閾值電壓分布曲線之間的誤差容限。即，閾值電壓分布曲線越窄，相鄰閾值電壓分布曲線之間的誤差容限越大，且有關(guān)存儲器單元的數(shù)據(jù)保持能力越好。在通過使用非傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線412、422、432及442 將編程器數(shù)據(jù)預加載至存儲器單元122且將存儲裝置100嵌入于主機中之后，必須首先讀取該編程器數(shù)據(jù)并然后通過使用第二存儲設置將其重寫至存儲器單元122中。為了通過使用閾值電壓分布曲線412、422、432及442將編程器數(shù)據(jù)預加載至存儲器單元122，存儲管理器110使用傳統(tǒng)讀取參考電壓450、460及470或非傳統(tǒng)讀取參考電壓 452、462及472。依賴于使用讀取參考電壓的哪個集合，存儲管理器110可相對于傳統(tǒng)讀取參考電壓450、460及470或相對于非傳統(tǒng)讀取參考電壓452、462及472來定位閾值電壓分布曲線 412、422、432 及 442。參照圖4A中所示出的實例，K = 2，信息212定義四個(22)在此實例中非傳統(tǒng)的閾值電壓范圍490、492、494及496的集合，且信息214定義三個(22_1)傳統(tǒng)讀取參考電壓 450,460及470或者替換地三個非傳統(tǒng)讀取參考電壓452、462及472的集合。參照圖4B， 其示出MBC存儲方案作為示例性第一存儲設置方案，用于在存儲裝置100嵌入于主機170中之后從有關(guān)存儲器單元讀取編程器數(shù)據(jù)。圖4B還示出MBC存儲方案作為示例性第二存儲設置方案，用于在存儲裝置100嵌入于主機170中之后將編程器數(shù)據(jù)重寫于存儲器單元中。圖4B還展示高焊接溫度對圖4A的非傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線的不利影響。將與圖2及圖4A相關(guān)聯(lián)地闡述圖4B。當主機170的裝配焊接正在進行時，回流工藝導致存儲器單元122丟失電荷。由于電荷存儲存儲器單元的不規(guī)律行為，這些存儲器單元不均勻地丟失電荷。因此，在完成存儲裝置嵌入工藝之后，非傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線412、422、432及442的位置及形狀改變?yōu)閳D4B中所示出的位置及形狀。即，非傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線412變?yōu)榉莻鹘y(tǒng)閾值電壓分布曲線414 ；非傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線422變?yōu)榉莻鹘y(tǒng)閾值電壓分布曲線424 ；非傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線432變?yōu)榉莻鹘y(tǒng)閾值電壓分布曲線434 ；且非傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線442變?yōu)榉莻鹘y(tǒng)閾值電壓分布曲線444。舉例而言，非傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線414、424、434及444分別存在于傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線410、420、430及440內(nèi)且窄于這些曲線。非傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線與相應傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線的位置及形狀的偏差依賴于多個因素，其中上文所提及的根據(jù)經(jīng)驗的估計、焊接溫度、焊接周期及各個存儲器單元的不規(guī)律行為是主要因素。依賴于這些因素，在完成嵌入工藝之后，非傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線中的一些可以比圖4B中所示出的曲線更向右或更向左和/或更寬。舉例而言，非傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線434可位于更接近讀取參考電壓470和/或更寬。由于非傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線414、424、434及444分別類似于傳統(tǒng)讀取參考電壓 450,460及470的位置，因此存儲管理器110可通過使用傳統(tǒng)讀取參考電壓450、460及470 讀取已使用閾值電壓分布曲線412、422、432及442初始地預加載至存儲器單元的第一組 (例如，組124)的編程器數(shù)據(jù)。在存儲管理器110從存儲器單元的第一組讀取編程器數(shù)據(jù)且暫時地將其存儲于另一存儲器裝置(例如，RAM 150)中之后，存儲管理器110通過使用傳統(tǒng)閾值電壓分布曲線410、420、430及440以及傳統(tǒng)讀取參考電壓450、460及470傳統(tǒng)地將該編程器數(shù)據(jù)重寫至存儲器單元122中。參照圖4A及圖4B中所示出的實例，L = K = 2，信息220定義四個(22)傳統(tǒng)閾值電壓范圍410、420、430及440的集合，且信息224定義三個(22_1)傳統(tǒng)讀取參考電壓450、 460及470的集合。圖5是根據(jù)示例性實施例用于將數(shù)據(jù)預加載至存儲裝置中的方法。將與圖1及圖 2相關(guān)聯(lián)地闡述圖5。假定存儲裝置100的固件存儲于安全且單獨的存儲器裝置中(例如， ROM 180中)且存儲裝置100連接至編程器160以便從編程器160接收數(shù)據(jù)。在步驟510 處，存儲管理器110確定存儲裝置100連接至編程器160。在步驟520處，在確定存儲裝置 100連接至編程器160之后，存儲管理器110配置CSSM 130以根據(jù)第一存儲設置操作存儲器單元的第一組(例如，組124)。在步驟530處，存儲管理器110從編程器160接收編程器數(shù)據(jù)(即，GPS地圖等)，且在步驟540處，存儲管理器110使用CSSM 130來通過使用第一存儲設置將該編程器數(shù)據(jù)寫入至存儲器單元的組124中。如上文所解釋，第一存儲設置使存儲管理器110能夠?qū)⒌谝唤M124中的每個存儲器單元(就此而言還有存儲器122的任何其它存儲器單元)編程到2K個二進制狀態(tài)中的具體一個以由此在如此編程的每個存儲器單元中存儲K個數(shù)據(jù)位。一般而言，第二存儲設置使存儲管理器110能夠?qū)⒋鎯ζ鲉卧?22中的每個編程到滬個二進制狀態(tài)中的具體一個以由此在如此編程的每個存儲器單元中存儲L個數(shù)據(jù)位。
如圖3A中及圖;3B中所示，K可等于1且L可等于2。如圖4A及圖4B中所示，K 可等于L。如果K = L，則存儲管理器110應用第一存儲設置來通過將該組存儲器單元中的每個編程到2K個二進制狀態(tài)中的具體一個而將編程器數(shù)據(jù)寫入至存儲器單元的第一組中。 2Κ個二進制狀態(tài)中的每個是由與傳統(tǒng)地表示2Κ個二進制狀態(tài)的2Κ個傳統(tǒng)閾值電壓范圍的集合不同的2Κ個非傳統(tǒng)閾值電壓范圍的集合中的具體一個表示。存儲管理器110還應用第一存儲設置來通過使用2Κ-1個傳統(tǒng)讀取參考電壓的集合或不同于該2Κ-1個傳統(tǒng)讀取參考電壓的集合的2Κ-1個非傳統(tǒng)讀取參考電壓的集合從存儲器單元的第一組讀取數(shù)據(jù)。在存儲管理器110通過應用第一存儲設置(通過使用2Κ-1個傳統(tǒng)讀取參考電壓的集合或2Κ-1個非傳統(tǒng)讀取參考電壓的集合)讀取數(shù)據(jù)之后，其通過應用第二存儲設置將該數(shù)據(jù)寫入至存儲器單元的第二組(例如，組1 或1 或者另一組)中。應用第二存儲設置包括使用2K 個傳統(tǒng)閾值電壓范圍的集合及2Κ-1個傳統(tǒng)讀取參考電壓的集合。
存儲管理器110具有幾種方式“知曉”其是否連接至編程器160、即示例性編程裝置或連接至主機170 :(1)存儲管理器110可從編程器160接收指示將被傳送至其處的數(shù)據(jù)是編程器數(shù)據(jù)的信息或信號；( 存儲管理器110可以從編程器160接收通過使用第一存儲設置存儲數(shù)據(jù)的明確命令；或C3)存儲管理器110可使用基于內(nèi)部/本地的決定機制，如下文中所詳述。
存儲管理器110可基于/視以下任一個來確定存儲裝置100自主地連接至編程器 160 從編程器160所接收的命令、從編程器160所接收的數(shù)據(jù)或具體數(shù)據(jù)串、及存儲管理器 110從編程器160所接收的一個或多個數(shù)據(jù)存儲請求。在接收第一數(shù)據(jù)之前或之后，存儲管理器110可選擇第一存儲設置作為默認存儲設置。(注意假定存儲管理器110 “知曉”其接收的用于存儲于存儲器單元122中的數(shù)據(jù)是否是“第一數(shù)據(jù)”、“第二數(shù)據(jù)”等，因為其管理數(shù)據(jù)存儲，且因此存儲管理器110可假定該第一數(shù)據(jù)從編程裝置傳送至其處)?；蛘撸幊唐?60通知存儲管理器110其與編程裝置通信而不是與主機裝置通信。舉例而言，編程器160可使用專用命令或指示來通知存儲管理器110其連接至編程裝置。編程器160可在編程器I60開始與存儲管理器110的任意數(shù)據(jù)傳送會話之前將此命令或通知發(fā)送至存儲管理器110?；蛘?，存儲管理器110可通過檢測由編程裝置而非由主機唯一地使用的、數(shù)據(jù)中或與數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的元數(shù)據(jù)中的數(shù)據(jù)串(例如，具體前綴、具體后綴等)而知曉其正與編程器 160通信。
圖6是根據(jù)示例性實施例用于在存儲裝置嵌入于主機裝置中時重調(diào)整預加載于該存儲裝置中的編程器數(shù)據(jù)的方法。將與圖1及圖2相關(guān)聯(lián)地闡述圖6。假定將存儲裝置 100嵌入于主機170中以便允許主機的用戶使用編程器160預加載至存儲裝置100中的編程器數(shù)據(jù)(例如，GPS地圖、視頻剪輯及歌曲等)。在步驟610處，存儲管理器110確定存儲裝置100嵌入于主機170中且包含預加載的數(shù)據(jù)(即，編程器數(shù)據(jù))，且在確定存儲裝置 100嵌入于主機170中且包含該預加載的數(shù)據(jù)之后，在步驟620處，存儲管理器110通過使用第一存儲設置從存儲器單元的第一組(例如，從組124)讀取該預加載的數(shù)據(jù)(即，編程器數(shù)據(jù))。(注意當存儲裝置100連接至編程器160時，存儲管理器110配置CSSM 130以根據(jù)第一存儲設置操作存儲器單元的第一組，且其維持第一存儲設置配置以便在存儲裝置100由主機170加電之后從存儲器單元的第一組讀取編程器數(shù)據(jù)。)在步驟630處，存儲管理器Iio配置CSSM130以根據(jù)第二存儲設置操作存儲器單元122，且在步驟640處，存儲管理器110通過使用該第二存儲設置將編程器數(shù)據(jù)或其部分(即，被懷疑對錯誤/故障敏感的部分)寫入至存儲器單元的第二組中(例如，至組1 中或至組1 中或者至存儲器122 內(nèi)的另一組存儲器單元中)。
存在存儲管理器110可通過其確定連接至主機170而并非連接至編程器160的幾種方式(1)存儲管理器110可從主機170接收指示其正與主機裝置通信的信息或信號； (2)存儲管理器110可從主機170接收通過使用第一存儲設置從第一組單元讀取編程器數(shù)據(jù)并通過使用第二存儲設置將其重寫至第二組單元中的明確命令；C3)存儲管理器110可使用基于內(nèi)部/本地的決定機制或電路，如下文中所詳述。
存儲管理器110可以例如基于/視以下任一個來確定存儲裝置100自主地嵌入于主機170中其從主機170所接收的命令、其從主機170所接收的數(shù)據(jù)或具體數(shù)據(jù)串、以及其從主機170所接收的、匹配于預定樣式的一個或多個數(shù)據(jù)存儲請求。為從存儲器單元的第一組讀取編程器數(shù)據(jù)，存儲管理器110可在其由主機170加電之后或在其與主機170通信時初始地將第一存儲設置用作默認存儲設置。假定存儲管理器110知曉其被加電多少次，則當其第二次被加電時，存儲管理器110可假定其是被主機裝置而非被編程裝置加電。 在存儲管理器110的第二次加電之后，存儲管理器110通過使用初始地由存儲管理器110 選擇的第一存儲設置讀取編程器數(shù)據(jù)或其部分，且此后通過使用第二存儲設置對其進行重寫。
關(guān)于上文所提及的編程器數(shù)據(jù)串，如果存儲管理器110正與裝置通信且未接收唯一數(shù)據(jù)串，則存儲管理器110假定其正與主機裝置通信并相應地采取行動(即，使用第一存儲設置來讀取數(shù)據(jù)，并使用第二存儲設置來重寫該數(shù)據(jù))?；蛘?，Iio可通過從主機170接收由主機裝置而非由編程裝置唯一地使用的數(shù)據(jù)串(例如，具體前綴、具體后綴等)而知曉其正與主機170通信?；蛘撸绻鎯芾砥?10從主機170接收到將第二數(shù)據(jù)(即，除編程器160預加載至存儲器122的數(shù)據(jù)以外的數(shù)據(jù))寫入至一個或多個存儲器單元中的請求，則存儲管理器110可確定其連接至主機170，且可通過使用超出預定界限或范圍的邏輯塊尋址(“LBA”)地址來存取這些存儲器單元?；蛘?，如果存儲管理器110從主機170接收到通過使用LBA地址“m”寫入第二數(shù)據(jù)的請求及使用LBA地址“η”寫入第三數(shù)據(jù)的后續(xù)請求、使得η小于或等于m，則存儲管理器110可確定其連接至主機170?；蛘?，如果存儲管理器110從主機170接收到使用已經(jīng)在使用的LBA地址寫入數(shù)據(jù)的請求，則存儲管理器110 可確定其連接至主機170。或者，如果存儲管理器110從主機170接收到將過大的數(shù)據(jù)寫入至存儲裝置中的請求，則存儲管理器110可確定其連接至主機170。舉例而言，“過大的數(shù)據(jù)”可以是其大小近似為所涉及的存儲裝置的存儲容量的大小的一半的數(shù)據(jù)?；蛘撸鎯ρb置100可以包括用于為存儲管理器110產(chǎn)生信號的電端子及電路，存儲管理器110通過該信號確定其是否連接至編程裝置(例如，編程器160)或嵌入于主機(例如，主機170)中。 該電端子及電路所產(chǎn)生的該信號在本文中稱為“連接性信號”。如果存儲裝置100在其第一次被主機加電時已存儲了數(shù)據(jù)，則存儲管理器110可確定已存儲于存儲裝置中的數(shù)據(jù)是 (該)預加載的數(shù)據(jù)(即，編程器數(shù)據(jù))。存儲管理器110可以確定存儲裝置100不包含預加載的數(shù)據(jù)。在確定存儲裝置100不包含預加載的數(shù)據(jù)之后，存儲管理器110可配置CSSM22130以操作存儲器單元122，且此后根據(jù)第二存儲設置操作存儲器單元122。
圖7示出根據(jù)示例性實施例用于為存儲管理器110產(chǎn)生連接性信號750的電端子 730及電路740。將與圖1相關(guān)聯(lián)地闡述圖7。存儲裝置100可以包括用于從編程器160或從主機170接收關(guān)于存儲裝置100與編程器160或與主機170的連接的第一信號的電端子。 存儲裝置100還可以包括連接至該電端子且連接至存儲管理器110的電路。該電路可從該第一信號產(chǎn)生第二信號，該第二信號向存儲管理器110指示存儲裝置100是否連接至編程器160或連接至主機170。參照圖7，存儲裝置100包括傳統(tǒng)端子的集合710，且編程器160 包括傳統(tǒng)端子的集合720。當連接存儲裝置100與編程器160(以便預加載數(shù)據(jù)至存儲器 122)時，端子710中的每個接觸端子720的一端子。端子710及720中的一些端子促進電力從編程器160的傳送以對存儲裝置100加電，且端子710及720中的其它端子促進在該兩個裝置之間的通信及數(shù)據(jù)傳送。
存儲裝置100還包括端子730及電路740，用于為存儲管理器110產(chǎn)生連接性信號 750。連接性信號750可在“高”狀態(tài)和“低”狀態(tài)之間切換。舉例而言，編程器160迫使連接性信號750為“高”狀態(tài)以由此向存儲管理器110指示存儲裝置100當前連接至編程裝置。當存儲裝置100被連接至不是編程裝置的裝置(例如，連接至主機170)時，內(nèi)部地迫使連接性信號750為“低”狀態(tài)。因此，存儲管理器110基于連接性信號750是處于“高”狀態(tài)中還是處于“低”狀態(tài)中來確定存儲裝置100連接至編程器160還是嵌入于主機170中。 連接性信號750如下文所闡述而產(chǎn)生。編程器160包括端子760，其在該兩個裝置接合時接觸端子730。端子730及760在本文中稱為“連接性端子”。(注意不同于存儲裝置100 及編程器160，主機170不具有連接性端子。)
如圖7中所示出，連接性端子760內(nèi)部地連接至參考電壓“+V” (例如，+5V)，其示出在762。因此，當存儲裝置100連接至編程器160時，參考電壓762 (即，上文所提及的第一信號)從連接性端子760經(jīng)由連接性端子730傳送至電路740。電路740包含下拉電阻器 742以及其電壓增益(G)可等于1的信號放大器744(即，一致放大器(unity amplifier) )0 參考電壓762被饋送至信號放大器744的輸入端子770，且假定G = 1，信號放大器744輸出其電平是與輸入電壓“+V”的電平基本相同的電平的電壓(S卩，連接性信號750，上文所提及的第二信號)。即，連接性信號750處于“高”狀態(tài)。G的值可具有不同于1的值，且在這樣的情形下，如果連接性信號750的電壓電平大于預定值(例如，大于參考電壓762的電平的60% )，則連接性信號750可被認為處于“高”狀態(tài)。
圖8示出圖7的連接至主機的存儲裝置。將與圖1及圖7相關(guān)聯(lián)地闡述圖8。當存儲裝置100與編程器160斷開連接且嵌入于主機170中時，通過下拉電阻器742迫使存儲裝置100的連接性端子730為接地電位(即，示出于732處的“&id. ”)。因此，信號放大器744的輸入端子770處的電壓基本為零。因此，信號放大器744輸出其電平基本為零的電壓(即，連接性信號750)，此意指連接性信號750處于“低”狀態(tài)。
如圖7及8中所展示，電路740可整體地或部分地存在于存儲管理器110中，或其可在存儲管理器Iio外部。下拉電阻器742可被上拉電阻器替換，且放大器744可以是邏輯反相器。依賴于所使用的電路，存儲管理器110可將連接性信號750的“高”狀態(tài)解譯為存儲裝置100連接至編程裝置，如上文所闡述，或解譯為存儲裝置100連接至主機裝置，且存儲管理器110將相應地解譯“低”狀態(tài)。舉例而言，提供第一信號的電端子(即，電端子760)存在于編程器160中。然而，其可以存在于主機裝置中且存儲管理器110可相應地解譯第二信號(例如，連接性信號750)。
存儲管理器110可以是標準現(xiàn)貨供應的芯片上系統(tǒng)(“SoC”)裝置或封裝的系統(tǒng) (“SiP”)裝置或具有專門軟件或應用(例如，應用11 的通用處理單元，該軟件或應用在由存儲管理器110執(zhí)行時進行本文中所闡述的配置、步驟、操作、確定及評估?；蛘撸鎯芾砥?10可以是專用集成電路(“ASIC”)，其通過使用硬件來實施本文中所闡述的配置、步驟、操作、確定及評估。
依賴于上下文，冠詞“一 (a) ”及“一 (an) ”在本文中用于指代一個或多于一個(即， 指代至少一個)該冠詞的語法對象。舉例而言，依賴于上下文，“元件”可意指一個元件或多于一個元件。措辭“包括”在本文中用于意指短語“包括但不限于”，且可與該短語互換使用。除非上下文明確地另外指示，否則措辭“或”和“以及”在本文中用于意指措辭“和/ 或”，且可與該措辭互換使用。措辭“諸如”在本文中用于意指短語“比如但不限于”，且可與該短語互換使用。
注意，上文與各種類型的大容量存儲裝置相關(guān)，比如存儲器卡、SD驅(qū)動閃存卡、 快閃存儲裝置、被提供有通用串行總線(“USB”)接口的“隨身盤”裝置、USB快閃驅(qū)動器 (“UFD”)、多媒體卡(“MMC”)、安全數(shù)字(“SD”)、迷你型SD及微型SD等。
已如此闡述了本發(fā)明的示例性實施例，對本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是，對所公開的實施例的修改將在本發(fā)明的范圍內(nèi)。因此，替代性實施例可以包括更多模塊，更少模塊和/或功能上等效的模塊。因此，以下權(quán)利要求的范圍不受本文中的公開的限制。
權(quán)利要求
1.一種用于將數(shù)據(jù)預加載至存儲裝置中的方法，該方法包括在具有多個存儲電荷的存儲器單元、存儲設置模塊及存儲管理器的存儲裝置中，其中該存儲設置模塊可由該存儲管理器配置以選擇性地根據(jù)第一存儲設置和第二存儲設置之一或其兩者來操作該多個存儲電荷的存儲器單元，通過該存儲管理器進行，確定該存儲裝置是否連接至編程裝置；以及當該存儲裝置連接至該編程裝置時，配置該存儲設置模塊以根據(jù)該第一存儲設置來操作該多個存儲電荷的存儲器單元的第一組，從該編程裝置接收第一數(shù)據(jù)；以及使用該第一存儲設置將該第一數(shù)據(jù)寫入至存儲電荷的存儲器單元的該第一組中。
2.如權(quán)利要求1的方法，其中該第一存儲設置促進將該第一組中的每個存儲電荷的存儲器單元編程到2K個二進制狀態(tài)中的具體一個以便在其中存儲K個數(shù)據(jù)位。
3.如權(quán)利要求2的方法，其中K等于1。
4.如權(quán)利要求2的方法，其中K大于1。
5.如權(quán)利要求2的方法，其中使用該第一存儲設置包括，當該存儲裝置連接至該編程裝置時，通過使用2Κ個非傳統(tǒng)閾值電壓范圍的集合將有關(guān)存儲電荷的存儲器單元中的每個編程到該2Κ個二進制狀態(tài)中的具體一個而將該第一數(shù)據(jù)寫入至存儲電荷的存儲器單元的該第一組中；以及在該存儲裝置與該編程裝置斷開連接且嵌入于主機中之后，通過使用2Κ-1個傳統(tǒng)讀取參考電壓的集合或2Κ-1個非傳統(tǒng)讀取參考電壓的集合從存儲電荷的存儲器單元的該第一組讀取該第一數(shù)據(jù)或者其一個或多個所選部分。
6.如權(quán)利要求5的方法，其中從存儲電荷的存儲器單元的該第一組讀取該第一數(shù)據(jù)或所選部分涉及一個或多個讀取操作。
7.如權(quán)利要求5的方法，其中從其讀取該第一數(shù)據(jù)的所選的一個或多個部分的這些存儲器單元基于其對故障的敏感性而預定。
8.如權(quán)利要求5的方法，其中分別相對于與該2Κ個二進制狀態(tài)相關(guān)的2Κ個傳統(tǒng)閾值電壓范圍的集合及2Κ-1個傳統(tǒng)讀取參考電壓的集合來升高2Κ個非傳統(tǒng)閾值電壓范圍的集合及2Κ-1個非傳統(tǒng)讀取參考電壓的集合。
9.如權(quán)利要求1的方法，其中該確定由該存儲管理器自主執(zhí)行。
10.如權(quán)利要求1的方法，其中該確定視以下任一個而定從該編程裝置所接收的命令；從該編程裝置所接收的數(shù)據(jù)或數(shù)據(jù)串；以及從該編程裝置所接收的一個或多個數(shù)據(jù)存儲請求。
11.如權(quán)利要求1的方法，其中在從該編程裝置接收該第一數(shù)據(jù)之前或之后，由該存儲管理器將該第一存儲設置選擇為默認存儲設置。
12.一種用于在存儲裝置嵌入于主機裝置中時重調(diào)整預加載至該存儲裝置中的數(shù)據(jù)的方法，該方法包括在存儲裝置中，該存儲裝置具有多個存儲電荷的存儲器單元，該多個存儲電荷的存儲器單元的第一組根據(jù)第一存儲設置存儲第一數(shù)據(jù)；存儲管理器以及存儲設置模塊，其中該存儲設置模塊可由該存儲管理器配置以選擇性地根據(jù)該第一存儲設置和第二存儲設置之一或其兩者來操作該多個存儲電荷的存儲器單元，通過該存儲管理器進行 確定該存儲裝置嵌入于主機裝置中且包含預加載的數(shù)據(jù)；以及當該存儲裝置嵌入于該主機裝置中且包含該預加載的數(shù)據(jù)時， 通過使用該第一存儲設置從存儲電荷的存儲器單元的該第一組讀取該第一數(shù)據(jù)或者其一個或多個所選部分；配置該存儲設置模塊以根據(jù)第二存儲設置操作該多個存儲電荷的存儲器單元；以及使用該第二存儲設置將所讀取的第一數(shù)據(jù)或者該一個或多個所選部分寫入至該多個存儲電荷的存儲器單元的第二組中。
13.如權(quán)利要求12的方法，其中如果該存儲裝置不包含該預加載的數(shù)據(jù)，則配置該存儲設置模塊以根據(jù)該第二存儲設置來操作該多個存儲電荷的存儲器單元；以及通過使用該第二存儲設置來操作該多個存儲電荷的存儲器單元。
14.如權(quán)利要求12的方法，其中該第一數(shù)據(jù)存儲于存儲器單元的該第一組中以使得該第一組中的每個存儲電荷的存儲器單元被編程到2K個二進制狀態(tài)中的具體一個以由此在其中存儲K個數(shù)據(jù)位，且其中該第二存儲設置促進將該第二組中的存儲電荷的存儲器單元的每個編程到滬個二進制狀態(tài)中的具體一個以由此在其中存儲L個數(shù)據(jù)位。
15.如權(quán)利要求14的方法，其中K= L且該2Κ個二進制狀態(tài)中的每個由2Κ個非傳統(tǒng)閾值電壓范圍的集合中的具體一個表示，且其中，(i)通過使用2K-1個傳統(tǒng)讀取參考電壓的集合或2Κ-1個非傳統(tǒng)讀取參考電壓的集合來促進從存儲電荷的存儲器單元的該第一組讀取該第一數(shù)據(jù)或者其一個或多個所選部分； 以及( )通過使用2K個傳統(tǒng)閾值電壓范圍的集合及2Κ-1個傳統(tǒng)讀取參考電壓的集合來促進將所讀取的第一數(shù)據(jù)或者其一個或多個所選部分寫入至該多個存儲電荷的存儲器單元的該第二組中。
16.如權(quán)利要求15的方法，其中讀取以及寫入該第一數(shù)據(jù)或所選部分分別涉及一個或多個讀取操作及一個或多個寫入操作。
17.如權(quán)利要求15的方法，其中從其讀取該第一數(shù)據(jù)的所選一個或多個部分的存儲器單元基于其對故障的敏感性而預定。
18.如權(quán)利要求15的方法，其中分別相對于2Κ個傳統(tǒng)閾值電壓范圍的集合及2Κ-1個傳統(tǒng)讀取參考電壓的集合來升高2Κ個非傳統(tǒng)閾值電壓范圍的集合及2Κ-1個非傳統(tǒng)讀取參考電壓的集合。
19.如權(quán)利要求14的方法，其中K等于1且L等于或大于2。
20.如權(quán)利要求12的方法，其中該第一組中的至少一個存儲電荷的存儲器單元也是該第二組中的存儲電荷的存儲器單元。
21.如權(quán)利要求12的方法，其中確定該存儲裝置嵌入于該主機裝置中是由該存儲管理器自主執(zhí)行。
22.如權(quán)利要求12的方法，其中確定該存儲裝置嵌入于該主機裝置中視以下任一個而定從該主機裝置所接收的命令； 從該主機裝置所接收的數(shù)據(jù)或數(shù)據(jù)串；以及從該主機裝置所接收的一個或多個數(shù)據(jù)存儲請求。
23.如權(quán)利要求12的方法，其中該確定由該存儲管理器在以下之后執(zhí)行(i)從該主機裝置接收將第二數(shù)據(jù)寫入至可通過超出預定界限或范圍的邏輯塊尋址 (LBA)地址來存取的一個或多個存儲電荷的存儲器單元中的請求，或者( )從該主機裝置接收通過使用LBA地址“m”寫入該第二數(shù)據(jù)的請求以及隨后從該主機裝置接收使用LBA地址“η”寫入第三數(shù)據(jù)的請求，其中η小于或等于m，或者(iii)從該主機裝置接收使用已經(jīng)在使用的LBA地址寫入數(shù)據(jù)的請求，或者(iv)從該主機裝置接收將過大的數(shù)據(jù)寫入至該存儲裝置中的請求。
24.如權(quán)利要求12的方法，其中在確定該存儲裝置嵌入于該主機中之后，由該存儲管理器將該第一存儲設置初始地選擇為默認存儲。
25.—種可連接至編程裝置且可嵌入于主機裝置中的存儲裝置，該存儲裝置包括 存儲器裝置，具有多個存儲電荷的存儲器單元，用于存儲數(shù)據(jù)；可配置的存儲設置模塊；存儲管理器，用于配置該存儲設置模塊以選擇性地根據(jù)第一存儲設置和第二存儲設置之一或其兩者來操作該多個存儲電荷的存儲器單元； 其中該存儲管理器被配置，A)以確定該存儲裝置是否連接至編程裝置，且當該存儲裝置連接至該編程裝置時， (i)從該編程裝置接收第一數(shù)據(jù)，以及( )通過使用該第一存儲設置將該第一數(shù)據(jù)寫入至該多個存儲電荷的存儲器單元的第一組中；B)以確定該存儲裝置是否嵌入于主機裝置中，且當該存儲裝置嵌入于該主機裝置中時，(iii)通過使用該第一存儲設置從存儲電荷的存儲器單元的該第一組讀取該第一數(shù)據(jù)或者其一個或多個所選部分，且在讀取該第一數(shù)據(jù)或者其一個或多個所選部分之后，(iv)通過使用該第二存儲設置將所讀取的第一數(shù)據(jù)或者其一個或多個所選部分重寫至該多個存儲電荷的存儲器單元的第二組存儲電荷的存儲器單元中。
26.如權(quán)利要求25的存儲裝置，其中該存儲管理器進一步被配置， 以確定該存儲裝置不包含該預加載的數(shù)據(jù)，以及如果該存儲裝置不包含該預加載的數(shù)據(jù)，則(i)配置該存儲設置模塊以根據(jù)該第二存儲設置操作該多個存儲電荷的存儲器單元；及( )通過使用該第二存儲設置來操作該多個存儲電荷的存儲器單元。
27.如權(quán)利要求25的存儲裝置，其中該存儲管理器使用該第一存儲設置來將該第一組中的每個存儲電荷的存儲器單元編程到2K個二進制狀態(tài)中的具體一個，以由此在其中存儲 K個數(shù)據(jù)位，且其中該存儲管理器使用該第二存儲設置來將該第二組中的每個存儲電荷的存儲器單元編程到滬個二進制狀態(tài)中的具體一個以由此在其中存儲L個數(shù)據(jù)位。
28.如權(quán)利要求27的存儲裝置，其中K等于1，且L等于或大于2。
29.如權(quán)利要求27的存儲裝置，其中K= L，且該2K個二進制狀態(tài)中的每個由2Κ個非傳統(tǒng)閾值電壓范圍的集合中的具體一個表示，且可通過使用2Κ-1個傳統(tǒng)讀取參考電壓的集合或2Κ-1個非傳統(tǒng)讀取參考電壓的集合來檢測。
30.如權(quán)利要求27的存儲裝置，其中該存儲管理器使用該第二存儲設置來通過使用2Κ 個傳統(tǒng)閾值電壓范圍的集合和2Κ-1個傳統(tǒng)讀取參考電壓的集合將該第一數(shù)據(jù)或者其一個或多個所選部分寫入至存儲電荷的存儲器單元的該第二組中。
31.如權(quán)利要求25的存儲裝置，其中該存儲管理器自主地決定是否將該第一數(shù)據(jù)寫入至存儲電荷的存儲器單元的該第一組中或?qū)⒃摰谝粩?shù)據(jù)或其所選部分重寫至存儲電荷的存儲器單元的該第二組中。
32.如權(quán)利要求25的存儲裝置，其中該存儲管理器響應于從主機接收到匹配于預定樣式的數(shù)據(jù)存儲請求，將該第一數(shù)據(jù)整體地或部分地或者將其所選部分寫入至存儲電荷的存儲器單元的該第二組中。
33.如權(quán)利要求25的存儲裝置，其中該存儲器裝置是快閃存儲器。
34.如權(quán)利要求25的存儲裝置，進一步包括電端子，用于從該編程裝置或從該主機裝置接收關(guān)于該存儲裝置與該編程裝置或與該主機裝置的連接的第一信號；以及電路，連接至該電端子且連接至該存儲管理器，該電路從該第一信號產(chǎn)生第二信號以便向該存儲管理器指示該存儲裝置是否連接至該編程裝置或連接至該主機裝置。
35.如權(quán)利要求25的存儲裝置，其中該存儲管理器通過分別使用一個或多個讀取操作以及一個或多個寫入操作來讀取以及寫入該第一數(shù)據(jù)或所選部分。
36.如權(quán)利要求25的存儲裝置，其中該存儲管理器從其選擇該第一數(shù)據(jù)的一個或多個部分的存儲器單元基于其對故障的敏感性而預定。
37.一種可連接至存儲裝置的編程裝置，該存儲裝置包括用于存儲數(shù)據(jù)的多個存儲電荷的存儲器單元、存儲管理器以及存儲設置模塊，其中該存儲設置模塊可由該存儲管理器配置以選擇性地根據(jù)第一存儲設置和第二存儲設置之一或其兩者來操作該多個存儲電荷的存儲器單元，該編程裝置包括；存儲裝置接口，用于與該存儲裝置相接口 ；控制器，用于經(jīng)由該存儲裝置接口與該存儲管理器通信，其中該控制器被配置，(i)以將指令發(fā)送至該存儲管理器以配置該存儲設置模塊根據(jù)第一存儲設置來操作存儲電荷的存儲器單元的第一組，以及( )以經(jīng)由該存儲裝置接口將數(shù)據(jù)傳送至該存儲管理器，以便該存儲管理器通過使用該第一存儲設置將該數(shù)據(jù)寫入存儲電荷的存儲器單元的該第一組中。
38.如權(quán)利要求37的編程裝置，進一步包括電端子，用于將關(guān)于該編程裝置與該存儲裝置的連接的信號傳送至該存儲裝置。
39.一種能夠嵌入存儲裝置的主機裝置，該存儲裝置包括多個存儲電荷的存儲器單元，該多個存儲電荷的存儲器單元的第一組根據(jù)第一存儲設置存儲數(shù)據(jù)；存儲設置模塊； 以及存儲管理器，其中該存儲設置模塊可由該存儲管理器配置以選擇性地根據(jù)第一存儲設置和第二存儲設置之一或其兩者來操作該多個存儲電荷的存儲器單元，該主機裝置包括存儲裝置接口，用于與該存儲裝置相接口 ；控制器，用于經(jīng)由該存儲裝置接口與該存儲管理器通信；其中該控制器被配置以致使該存儲管理器，(i)根據(jù)該第一存儲設置從存儲電荷的存儲器單元的該第一組讀取數(shù)據(jù)或者其一個或多個所選部分；(ii)配置該存儲設置模塊以根據(jù)該第二存儲設置操作該多個存儲電荷的存儲器單元；以及(iii)通過使用該第二存儲設置將該數(shù)據(jù)或者其一個或多個所選部分寫入至存儲電荷的存儲器單元的第二組中。
全文摘要
通過使用耐久數(shù)據(jù)保持存儲設置(210)初始地將從編程裝置(160)傳送至存儲裝置(100)的編程器數(shù)據(jù)存儲于該存儲裝置(100)的存儲器裝置(120)中。在該存儲裝置嵌入于主機裝置(170)中之后，從該存儲器裝置內(nèi)部地(即，在該存儲裝置中)讀取該編程器數(shù)據(jù)并通過使用傳統(tǒng)存儲設置(220)將其重寫至該存儲器裝置中。使用耐久數(shù)據(jù)保持存儲設置可包含暫時地(即，在該存儲裝置嵌入于主機中之前)將該存儲器裝置的所選存儲器單元操作為傳統(tǒng)每單元單個位的(SBC)單元或操作為非傳統(tǒng)的每單元多個位的(MBC)單元。在該存儲裝置(100)嵌入于主機裝置(170)中之后，從該存儲器裝置(120)讀取該編程器數(shù)據(jù)或其所選部分并通過將該存儲器裝置的所選存儲器單元(126，128)操作為傳統(tǒng)MBC單元而將其重寫至該存儲器裝置中。
文檔編號G11C16/10GK102483949SQ200980161096
公開日2012年5月30日 申請日期2009年10月5日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月31日
發(fā)明者D.英巴, O.M.斯特恩, S.巴-奧, Y.埃利 申請人:桑迪士克以色列有限公司