專利名稱：通過(guò)從磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)時(shí)間中檢測(cè)磁頭磁盤(pán)接觸確定操作飛行高度的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的制作方法
通過(guò)從磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)時(shí)間中檢測(cè)磁頭磁盤(pán)接觸確定操作飛行高度的磁
盤(pán)驅(qū)動(dòng)器
背景技術(shù)：
0001磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器包括磁盤(pán)和連接在驅(qū)動(dòng)臂遠(yuǎn)端的磁頭，該驅(qū)動(dòng)臂 通過(guò)音圈馬達(dá)(VCM)圍繞樞軸旋轉(zhuǎn)，以將磁頭徑向定位于磁盤(pán)上。 磁盤(pán)包括多個(gè)徑向間隔的同心磁道用以記錄用戶數(shù)據(jù)扇區(qū)和伺服扇 區(qū)。伺服扇區(qū)包括磁頭定位信息(例如磁道地址)，該信息通過(guò)磁頭讀 取并且通過(guò)伺服控制系統(tǒng)處理以便隨著磁頭在磁道間的尋道，控制驅(qū) 動(dòng)臂的速度。
0002因?yàn)榇疟P(pán)以固定的角速度旋轉(zhuǎn)，所以數(shù)據(jù)傳輸率一般向著外 徑磁道增加(此處磁盤(pán)表面旋轉(zhuǎn)的較快)，以便使穿過(guò)磁盤(pán)半徑的線性 位密度更穩(wěn)定。為了簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)考慮，數(shù)據(jù)磁道一般結(jié)合成多個(gè)物理區(qū)， 其中穿過(guò)一個(gè)區(qū)的數(shù)據(jù)傳輸率是常數(shù)，并且數(shù)據(jù)傳輸率從內(nèi)徑區(qū)域到 外徑區(qū)域逐漸增加。在圖1中圖示說(shuō)明，現(xiàn)有技術(shù)的磁盤(pán)格式2包括 多個(gè)數(shù)據(jù)磁道4，其中在此示例中，從磁盤(pán)內(nèi)徑(區(qū)域l)到磁盤(pán)外徑
(區(qū)域3)，數(shù)據(jù)磁道結(jié)合形成三個(gè)物理區(qū)。圖l中的現(xiàn)有技術(shù)磁盤(pán)格 式還包括多個(gè)伺服扇區(qū)6Q-6N，其被記錄在每個(gè)數(shù)據(jù)磁道的周長(zhǎng)上。每 個(gè)伺服扇區(qū)6i包括前置序列8和同步標(biāo)記10;其中前置序列8用以存 儲(chǔ)周期模式，其允許適當(dāng)?shù)脑鲆嬲{(diào)整和讀信號(hào)時(shí)間同步，同步標(biāo)記10 用以存儲(chǔ)具體模式，該具體模式用來(lái)使符號(hào)與伺服數(shù)據(jù)字段12同步。 伺服數(shù)據(jù)字段12存儲(chǔ)粗略的磁頭定位信息，諸如磁道地址，該定位信 息用來(lái)在尋到操作期間在目標(biāo)數(shù)據(jù)磁道上定位磁頭。每個(gè)伺服扇區(qū)6, 進(jìn)一步包括伺服脈沖組14 (如A, B， C和D脈沖)，其包括在準(zhǔn)確的
間隔中記錄的多個(gè)連續(xù)躍遷和關(guān)于數(shù)據(jù)磁道中線的偏移。伺服脈沖組 14提供精細(xì)的磁頭定位信息，當(dāng)在寫(xiě)/讀操作期間訪問(wèn)數(shù)據(jù)磁道時(shí)，該 信息用于中線跟蹤。
0003由于磁盤(pán)高速旋轉(zhuǎn)，在磁頭和磁盤(pán)之間形成空氣軸承。因?yàn)閷?xiě)/讀信號(hào)的質(zhì)量取決于磁頭的飛行高度，所以傳統(tǒng)的磁頭(例如磁阻 磁頭)可包括加熱器，其通過(guò)熱膨脹控制飛行高度。因此需要確定適 當(dāng)?shù)募訜崞鞴β?如施加到加熱器的適當(dāng)電流)，以使磁頭達(dá)到目標(biāo)飛 行高度。


0004圖1顯示現(xiàn)有技術(shù)的磁盤(pán)格式，其包括多個(gè)磁道，其中每條 磁道包括多個(gè)數(shù)據(jù)扇區(qū)和多個(gè)伺服扇區(qū)。
0005圖2A顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其包括磁盤(pán)、 在磁盤(pán)上驅(qū)動(dòng)的磁頭和控制電路，其中磁頭包括DFH加熱器。
0006圖2B是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的控制電路為DFH加熱器選擇 操作控制設(shè)定所執(zhí)行的流程圖。
0007圖2C顯示包括開(kāi)關(guān)的主軸馬達(dá)和主軸控制電路，在一個(gè)實(shí)施 例中，在至少部分DFH加熱器校正過(guò)程期間，所述開(kāi)關(guān)被置于第三態(tài)。
0008圖3是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的控制電路執(zhí)行的流程圖，其中 測(cè)量楔形到楔形的時(shí)間(the wedge-to-wedge times)以便為DFH加熱
器選擇操作設(shè)定。
0009圖4A顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的控制電路執(zhí)行的流程圖，其 中當(dāng)測(cè)量楔形到楔形的時(shí)間時(shí)，主軸馬達(dá)被置于第三態(tài)。
0010圖4B顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的控制電路執(zhí)行的流程圖，其 中計(jì)算楔形到楔形的時(shí)間的斜率，以檢測(cè)磁頭磁盤(pán)的接觸。
0011圖5A說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的磁頭與磁盤(pán)接觸的楔形到楔 形的時(shí)間的斜率和磁頭與磁盤(pán)未接觸的楔形到楔形的時(shí)間的斜率的示例。
0012圖5B說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，由于磁盤(pán)的可重復(fù)跳動(dòng)而包 含正弦分量的楔形到楔形的時(shí)間的示例。
0013圖6是顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的楔形到楔形的時(shí)間斜率與 DFH加熱器控制設(shè)定的關(guān)系示例圖，其中當(dāng)斜率超過(guò)閾值時(shí)，磁頭磁 盤(pán)接觸被檢測(cè)到。
具體實(shí)施例方式
0014圖2A顯示包括磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的本發(fā)明實(shí)施例，該磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器包 括磁盤(pán)16,該磁盤(pán)16具有多個(gè)磁道18,其中每條磁道包括多個(gè)數(shù)據(jù) 扇區(qū)和多個(gè)伺服扇區(qū)20o-2(^。磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器進(jìn)一步包括主軸馬達(dá)22 (圖 2C)和在磁盤(pán)16上被徑向驅(qū)動(dòng)的磁頭24，其中主軸馬達(dá)22用以旋轉(zhuǎn) 磁盤(pán)16，磁頭24包括動(dòng)態(tài)飛行高度(DFH)加熱器。可以操作磁盤(pán)驅(qū) 動(dòng)器內(nèi)的控制電路26以通過(guò)執(zhí)行圖2B的流程圖為DFH加熱器選擇操 作控制設(shè)定27。將磁頭24定位于一條磁道上(步驟28)，初始化DFH 加熱器的控制設(shè)定(步驟30)，并且響應(yīng)伺服扇區(qū)20。-20n中的至少一 個(gè)測(cè)量磁盤(pán)16的第一旋轉(zhuǎn)時(shí)間(步驟32)。調(diào)整DFH加熱器的控制設(shè) 定(步驟36)，并且響應(yīng)伺服扇區(qū)20o-20w中的至少一個(gè)測(cè)量磁盤(pán)的第 二旋轉(zhuǎn)時(shí)間(步驟32)。重復(fù)該過(guò)程直到測(cè)量的旋轉(zhuǎn)時(shí)間顯示磁頭已經(jīng) 與磁盤(pán)接觸(步驟34)。
0015在圖2A的實(shí)施例中，控制電路26處理磁頭24發(fā)出的讀信號(hào) 38，來(lái)解調(diào)嵌入的伺服扇區(qū)2(V20w并產(chǎn)生位置偏差信號(hào)(PES)，該位 置偏差信號(hào)表示磁頭24與目標(biāo)磁道的徑向偏移?？刂齐娐?6使用適 當(dāng)?shù)乃欧a(bǔ)償器處理該P(yáng)ES，以產(chǎn)生施加到音圈馬達(dá)(VCM) 42的控 制信號(hào)40。 VCM42使驅(qū)動(dòng)臂44圍繞樞軸旋轉(zhuǎn)以便在磁盤(pán)16的一個(gè) 方向上徑向驅(qū)動(dòng)磁頭24以減少該P(yáng)ES。
0016圖2C顯示本發(fā)明的實(shí)施例，其中控制電路26包括開(kāi)關(guān) 46A-46C和驅(qū)動(dòng)主軸馬達(dá)22的主軸控制電路48。主軸馬達(dá)22包括多 個(gè)線圈，諸如圖2C所示實(shí)施例中的三個(gè)線圈cl)A、 4B、 cJ)C。主軸控 制電路48配置開(kāi)關(guān)46A-46C以根據(jù)適當(dāng)?shù)膿Q向順序?qū)⒕€圈連接在電源 電壓50或地52上。在下面更詳細(xì)描述的實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)46A-46C可 以被置于第三態(tài)，從而使線圈處于第三態(tài)以便在至少部分DFH加熱器 校正過(guò)程中，線圈不與電源電壓50或地52連接。
0017在一個(gè)實(shí)施例中，控制電路26通過(guò)測(cè)量至少一個(gè)楔形到楔形 (WTW)的時(shí)間來(lái)測(cè)量旋轉(zhuǎn)時(shí)間。 一個(gè)WTW時(shí)間可以等于圖2A所 示的兩個(gè)連續(xù)的伺服扇區(qū)20o-20N之間的間隔，或其可以等于多于一個(gè) 伺服扇區(qū)20o-20N之間的時(shí)間間隔。在一個(gè)實(shí)施例中，相對(duì)于開(kāi)環(huán)頻率測(cè)量WTW時(shí)間，該開(kāi)環(huán)頻率是在兩個(gè)連續(xù)伺服扇區(qū)20o-20w檢測(cè)的伺
服同步標(biāo)記之間的多個(gè)時(shí)鐘周期。在可替代實(shí)施例中，可以相對(duì)閉環(huán)
頻率(如鎖相回路PLL)測(cè)量WTW時(shí)間，該閉環(huán)頻率與磁盤(pán)的角速 度同步。例如，可以通過(guò)評(píng)估(例如集成)應(yīng)用于PLL的控制信號(hào)來(lái) 測(cè)量WTW時(shí)間，其中PLL試圖在連續(xù)的伺服同步標(biāo)記之間保持穩(wěn)定 數(shù)量的時(shí)鐘周期。因?yàn)榇疟P(pán)的角速度改變，相應(yīng)地調(diào)整PLL控制信號(hào)， 因此可以通過(guò)將集成PLL控制信號(hào)添加給PLL的中心頻率控制信號(hào)， 測(cè)量WTW時(shí)間。
0018相對(duì)于所測(cè)的WTW時(shí)間，可以以任何適當(dāng)方式測(cè)量磁盤(pán)旋 轉(zhuǎn)時(shí)間。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，在當(dāng)前磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)期間，可以相對(duì)于 每個(gè)連續(xù)WTW時(shí)間測(cè)量磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)時(shí)間，其中假設(shè)連續(xù)伺服扇區(qū)之間 的間隔基本相同。在另一個(gè)實(shí)施例中，可以相對(duì)于相同的WTW時(shí)間 測(cè)量磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)時(shí)間，該相同的WTW時(shí)間是通過(guò)對(duì)于相同的兩個(gè)連續(xù) 的伺服扇區(qū)的多個(gè)磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)測(cè)得的。
0019圖3顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的控制電路26執(zhí)行的流程圖，其 中通過(guò)測(cè)量多個(gè)WTW吋間測(cè)量磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)時(shí)間(步驟33)。例如，在一 個(gè)實(shí)施例中，如上所述測(cè)量多個(gè)連續(xù)的WTW時(shí)間，其中每個(gè)WTW 吋間提供一個(gè)磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)時(shí)間的指示。在另一個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)WTW 時(shí)間(如每?jī)蓚€(gè)WTW時(shí)間)可以累積成表示所測(cè)的磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)時(shí)間的 單個(gè)測(cè)量值。
0020圖4A顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的控制電路26執(zhí)行的流程圖， 其中當(dāng)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例測(cè)量磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)時(shí)間時(shí)(步驟32)，主軸馬達(dá) 22是被置于第三態(tài)(步驟54)。在一個(gè)實(shí)施例中，使主軸馬達(dá)處于第 三態(tài)包括使開(kāi)關(guān)46A-46C處于第三態(tài)(打開(kāi))，其中開(kāi)關(guān)46A-46C驅(qū) 動(dòng)主軸馬達(dá)線圈以便線圈浮置(floating)(未連接在電源電壓或地上)。
0021圖4B顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的控制電路執(zhí)行的流程圖，其中 計(jì)算磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)時(shí)間(如WTW時(shí)間)的斜率以檢測(cè)磁頭磁盤(pán)的接觸。 首先，測(cè)量多個(gè)WTW時(shí)間以產(chǎn)生基線(步驟56)，使主軸馬達(dá)處于第 三態(tài)(步驟54)，并再次測(cè)量多個(gè)WTW時(shí)間(步驟33)。然后計(jì)算 WTW時(shí)間的斜率(步驟58)，其中在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)WTW時(shí)間的斜率超過(guò)閾值時(shí)，磁頭磁盤(pán)接觸被檢測(cè)(步驟34)。圖5A圖示說(shuō)明此
實(shí)施例的示例，其顯示在使主軸馬達(dá)處于第三態(tài)后，WTW時(shí)間增加。 如圖5A所示，當(dāng)DFH加熱器的控制設(shè)定調(diào)整到磁頭與磁盤(pán)接觸的點(diǎn) 時(shí)，WTW時(shí)間的斜率增加。
0022在一個(gè)實(shí)施例中，由于磁盤(pán)16的可重復(fù)跳動(dòng)，WTW時(shí)間可 以包括正弦分量。可重復(fù)跳動(dòng)是由磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)的偏心率引起的，例如， 磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)的偏心率是由于將伺服扇區(qū)20o-20w寫(xiě)入磁盤(pán)16，或當(dāng)將磁盤(pán) 16被夾在主軸馬達(dá)22時(shí)，磁盤(pán)16的非中心對(duì)齊造成的。圖5B圖示 說(shuō)明磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)時(shí)間(如WTW時(shí)間)的正弦分量的示例，其中虛線表 示無(wú)重復(fù)跳動(dòng)，實(shí)線表示具有重復(fù)跳動(dòng)的WTW時(shí)間。在一個(gè)實(shí)施例 中，通過(guò)兩次磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)為每個(gè)DFH加熱器控制設(shè)定測(cè)量WTW時(shí)間， 其中在第一次旋轉(zhuǎn)期間，驅(qū)動(dòng)主軸馬達(dá)22，在第二次旋轉(zhuǎn)期間，使主 軸馬達(dá)處于第三態(tài)。如圖5B所示，在一個(gè)實(shí)施例中，在每次旋轉(zhuǎn)開(kāi)始 吋，從相同的伺服扇區(qū)開(kāi)始WTW時(shí)間測(cè)量，以便每次磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)的正 弦分量相同。用這種方式，當(dāng)計(jì)算WTW時(shí)間的斜率吋，WTW時(shí)間中 的正弦分量可以被補(bǔ)償。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，可以使用曲線擬合 算法找出穿過(guò)正弦曲線(如圖5B中的虛線)的最佳擬合線，以便計(jì)算 WTW時(shí)間的斜率。
0023圖6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的WTW時(shí)間與DFH加熱器控制設(shè) 定的關(guān)系示例圖，其中當(dāng)WTW時(shí)間的斜率超過(guò)閾值時(shí)，磁頭磁盤(pán)接 觸被檢測(cè)。圖6中示例的x軸根據(jù)數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器(DAC)設(shè)定表示 DFH加熱器的控制設(shè)定。在x軸左側(cè)初始化DAC設(shè)定(圖4B中的步 驟30)，并且為兩次磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)中的第二次計(jì)算WTW時(shí)間的斜率。然后 調(diào)整DAC設(shè)定(圖4B中的步驟36)并且為兩次磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)中的第二次 計(jì)算WTW時(shí)間的相應(yīng)斜率。如圖6中的示例所示，重復(fù)此過(guò)程直到 WTW時(shí)間的斜率超過(guò)閾值。
0024在本發(fā)明實(shí)施例中可以使用任意適當(dāng)?shù)拈撝禉z測(cè)磁頭磁盤(pán)的 接觸。例如，可以選擇足夠高的閾值以考慮WTW時(shí)間測(cè)量中的噪音， 選擇足夠低的閾值以最小化由于磁頭與磁盤(pán)接觸而引起的磁頭損壞。 可選擇地，在一個(gè)實(shí)施例中，可以相對(duì)適當(dāng)?shù)姆讲顪y(cè)量選擇閾值，諸如適當(dāng)?shù)腛 (如30)。在另一個(gè)實(shí)施例中， 一旦檢測(cè)到導(dǎo)致磁頭磁盤(pán)
接觸的DFH加熱器控制設(shè)定，就可以根據(jù)適當(dāng)?shù)挠嗔窟x擇DFH加熱
器的操作控制設(shè)定，所述余量遠(yuǎn)離導(dǎo)致磁頭磁盤(pán)接觸的設(shè)定。
0025在一個(gè)實(shí)施例中，控制電路26為磁頭24的不同徑向位置選 擇DFH加熱器的操作控制設(shè)定。例如，控制電路26可以為第一磁道 和第二磁道選擇操作控制設(shè)定，其中第二磁道與第一磁道徑向分離預(yù) 定數(shù)目的磁道。在一個(gè)實(shí)施例中，磁盤(pán)包括多個(gè)區(qū)(諸如圖1所示的 物理區(qū))，其中第一磁道在第一區(qū)，第二磁道在第二區(qū)。
0026在本發(fā)明實(shí)施例中，可以使用任何適當(dāng)?shù)目刂齐娐?6，諸如
任何適當(dāng)集成電路或電路。例如，可以在讀通道集成電路中應(yīng)用控制 電路26，或在與讀通道分離的組件中應(yīng)用控制電路26，諸如磁盤(pán)控制 器，或通過(guò)讀通道執(zhí)行上述某些步驟，通過(guò)磁盤(pán)控制器執(zhí)行其他步驟。 在一個(gè)實(shí)施例中，讀通道和磁盤(pán)控制器作為分離的集成電路被應(yīng)用， 并且在一個(gè)可選實(shí)施例中，讀通道和磁盤(pán)控制器被制造成單一的集成 電路或片上系統(tǒng)(SOC)。此外，控制電路可以包括適當(dāng)?shù)那爸梅糯笃?電路，該前置放大器電路作為分離的集成電路應(yīng)用，其可以集成在讀 通道或磁盤(pán)控制電路中，或集成在SOC中。
0027在一個(gè)實(shí)施例中，控制電路26包括執(zhí)行指令的微處理器，可 以操作該指令使微處理器執(zhí)行此處所述流程圖中的步驟。指令可以存 儲(chǔ)在任意計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中。在一個(gè)實(shí)施例中，指令可以存儲(chǔ)在微處 理器的外部的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中，或與SOC中的微處理器集成 在一起。在另一個(gè)實(shí)施例中，指令存儲(chǔ)在磁盤(pán)16中，并且當(dāng)磁盤(pán)驅(qū)動(dòng) 器上電時(shí)，指令可以讀入易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。在另一個(gè)實(shí)施例中， 控制電路26包括適當(dāng)?shù)倪壿嬰娐罚T如狀態(tài)機(jī)電路。
權(quán)利要求
1. 一種磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其包括磁盤(pán)，其包括多個(gè)磁道，其中每條磁道包括多個(gè)數(shù)據(jù)扇區(qū)和多個(gè)伺服扇區(qū)；主軸馬達(dá)，其用以旋轉(zhuǎn)所述磁盤(pán)；磁頭，其在所述磁盤(pán)上被徑向驅(qū)動(dòng)，其中所述磁頭包含動(dòng)態(tài)飛行高度DFH加熱器；及可操作控制電路，其用以通過(guò)下列為所述DFH加熱器選擇操作控制設(shè)定將所述磁頭定位在所述磁道中的一條上；響應(yīng)所述伺服扇區(qū)中的至少一個(gè)測(cè)量所述磁盤(pán)的第一旋轉(zhuǎn)時(shí)間；為DFH加熱器調(diào)整所述控制設(shè)定；響應(yīng)所述伺服扇區(qū)中的至少一個(gè)測(cè)量所述磁盤(pán)的第二旋轉(zhuǎn)時(shí)間；以及響應(yīng)所述第一旋轉(zhuǎn)時(shí)間和第二旋轉(zhuǎn)時(shí)間檢測(cè)所述磁頭是否與所述磁盤(pán)接觸。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其屮測(cè)量所述第一旋轉(zhuǎn)吋 間和第二旋轉(zhuǎn)時(shí)間包括測(cè)量楔形到楔形的時(shí)間，該楔形到楔形的時(shí)間 表示兩個(gè)所述伺服扇區(qū)之間的時(shí)間間隔。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其中所述楔形到楔形的時(shí) 間是通過(guò)評(píng)估施加到鎖相回路的控制信號(hào)測(cè)量的。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其中所述磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)時(shí)間包 括正弦分量，并且可進(jìn)一步操作所述控制電路來(lái)補(bǔ)償所述正弦分量。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其中測(cè)量所述第一旋轉(zhuǎn)時(shí) 間和第二旋轉(zhuǎn)時(shí)間包括為多個(gè)所述伺服扇區(qū)測(cè)量多個(gè)楔形到楔形的時(shí)間。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其中所述控制電路包括用 以驅(qū)動(dòng)所述主軸馬達(dá)的開(kāi)關(guān)，并且當(dāng)測(cè)量所述第一旋轉(zhuǎn)時(shí)間和第二旋 轉(zhuǎn)時(shí)間時(shí)，可進(jìn)一步操作所述控制電路來(lái)使所述開(kāi)關(guān)處于第三態(tài)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其中測(cè)量所述第一旋轉(zhuǎn)時(shí) 間和第二旋轉(zhuǎn)時(shí)間包括計(jì)算所述楔形到楔形的時(shí)間的斜率。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其中檢測(cè)所述磁頭是否與所述磁盤(pán)接觸包括將所述楔形到楔形的時(shí)間的斜率與閾值比較。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其中響應(yīng)被調(diào)整的控制設(shè) 定，可進(jìn) -歩操作所述控制電路為所述DFH加熱器選擇所述操作控制 設(shè)定。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其中，可進(jìn)一步操作所述 控制電路來(lái)為所述DFH加熱器選擇對(duì)應(yīng)至少第一磁道和第二磁道的至 少兩個(gè)不同的操作控制設(shè)定。
11. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其中 所述磁道在所述磁盤(pán)上形成多個(gè)區(qū)； 所述第一磁道在第一區(qū)；以及 所述第二磁道在第二區(qū)。
12. —種操作磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的方法，所述磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器包括磁盤(pán)、主軸 馬達(dá)和磁頭；該磁盤(pán)包括多個(gè)磁道，其中每條磁道包括多個(gè)數(shù)據(jù)扇區(qū) 和多個(gè)伺服扇區(qū)，該主軸馬達(dá)用于旋轉(zhuǎn)所述磁盤(pán)，該磁頭在所述磁盤(pán) 上被徑向驅(qū)動(dòng)，其中所述磁頭包括動(dòng)態(tài)飛行高度(DFH)加熱器，所 述方法包括；將所述磁頭定位于所述磁道中的一條上；響應(yīng)至少一個(gè)所述伺服扇區(qū)，測(cè)量所述磁盤(pán)的第一旋轉(zhuǎn)時(shí)間； 為所述DFH加熱器調(diào)整所述控制設(shè)定；響應(yīng)至少一個(gè)所述伺服扇區(qū)，測(cè)量所述磁盤(pán)的第二旋轉(zhuǎn)時(shí)間；以及響應(yīng)所述第一旋轉(zhuǎn)時(shí)間和第二旋轉(zhuǎn)時(shí)間，檢測(cè)所述磁頭是否與所 述磁盤(pán)接觸。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中測(cè)量所述第一旋轉(zhuǎn)時(shí)間和 第二旋轉(zhuǎn)時(shí)間包括測(cè)量楔形到楔形的時(shí)間，該楔形到楔形的時(shí)間表示 兩個(gè)所述伺服扇區(qū)之間的時(shí)間間隔。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述楔形到楔形的時(shí)間是 通過(guò)評(píng)估對(duì)鎖相回路施加的控制信號(hào)測(cè)量的。
15. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)時(shí)間包括正 弦分量，所述方法進(jìn)一步包括補(bǔ)償所述正弦分量。
16. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中測(cè)量所述第- 旋轉(zhuǎn)時(shí)間和 第二旋轉(zhuǎn)時(shí)間包括為多個(gè)所述伺服扇區(qū)測(cè)量多個(gè)楔形到楔形的吋間。
17. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器進(jìn)一步包 括用于驅(qū)動(dòng)所述主軸馬達(dá)的開(kāi)關(guān)，并且當(dāng)測(cè)量所述第-一旋轉(zhuǎn)時(shí)間和第 二旋轉(zhuǎn)時(shí)間時(shí)，所述方法進(jìn)一步包括使所述開(kāi)關(guān)處于第三態(tài)。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中測(cè)量所述第一旋轉(zhuǎn)時(shí)間和 第二旋轉(zhuǎn)時(shí)間包括計(jì)算所述楔形到楔形的時(shí)間的斜率。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中檢測(cè)所述磁頭是否與所述 磁盤(pán)接觸包括將所述楔形到楔形的時(shí)間的斜率與閾值比較。
20. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其進(jìn)一步包括響應(yīng)被調(diào)整的控 制設(shè)定，為DFH加熱器選擇所述操作控制設(shè)定。
21. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其進(jìn)一步包括為所述DFH加熱器選擇至對(duì)應(yīng)至少第一磁道和第二磁道的少兩個(gè)不同的操作控制設(shè)定。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中 所述磁道在所述磁盤(pán)上形成的多個(gè)區(qū)； 所述第一磁道在第一區(qū)；及 所述第二磁道在第二區(qū)。
23. —種磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其包括磁盤(pán)，其包括多個(gè)磁道，其中每條磁道包括多個(gè)數(shù)據(jù)扇區(qū)和多個(gè) 主軸馬達(dá)，其用以旋轉(zhuǎn)所述磁盤(pán)；磁頭，其在所述磁盤(pán)上被徑向驅(qū)動(dòng)，其中所述磁頭包括動(dòng)態(tài)飛行高度DFH加熱器；及--裝置，其將所述磁頭定位在所述磁道中的一條上；一裝置，其響應(yīng)至少一個(gè)所述伺服扇區(qū)，測(cè)量所述磁盤(pán)的第一旋轉(zhuǎn)吋間；一裝置，其為DFH加熱器調(diào)整所述控制設(shè)定；一裝置，其響應(yīng)至少一個(gè)所述伺服扇區(qū)，測(cè)量所述磁盤(pán)的第二旋 轉(zhuǎn)時(shí)間；及一裝置，其響應(yīng)所述第一旋轉(zhuǎn)時(shí)間和第二旋轉(zhuǎn)時(shí)間，檢測(cè)所述磁
全文摘要
公開(kāi)了一種磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其包括具有多個(gè)磁道的磁盤(pán)，其中每條磁道包括多個(gè)數(shù)據(jù)扇區(qū)和多個(gè)伺服扇區(qū)。磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器進(jìn)一步包括旋轉(zhuǎn)磁盤(pán)的主軸馬達(dá)，及在磁盤(pán)上徑向驅(qū)動(dòng)的磁頭，其中磁頭包括動(dòng)態(tài)飛行高度(DFH)加熱器。可以操作磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部的控制電路通過(guò)把磁頭定位于一條磁道上，響應(yīng)至少一個(gè)伺服扇區(qū)測(cè)量磁盤(pán)的第一旋轉(zhuǎn)時(shí)間，調(diào)整DFH加熱器的控制設(shè)定，響應(yīng)至少一個(gè)伺服扇區(qū)測(cè)量磁盤(pán)的第二旋轉(zhuǎn)時(shí)間，并且響應(yīng)第一旋轉(zhuǎn)時(shí)間和第二旋轉(zhuǎn)時(shí)間檢測(cè)磁頭是否與磁盤(pán)接觸，為DFH加熱器選擇操作控制設(shè)定。
文檔編號(hào)G11B5/60GK101436411SQ20081018145
公開(kāi)日2009年5月20日 申請(qǐng)日期2008年11月13日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月15日
發(fā)明者N·克米謝, S·A·圣約翰 申請(qǐng)人:西部數(shù)字(弗里蒙特)公司