專利名稱：增進(jìn)多級(jí)單元非揮發(fā)性內(nèi)存的數(shù)據(jù)存取可靠度的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種增進(jìn)數(shù)據(jù)存取可靠度的方法，尤其涉及一種增進(jìn)多級(jí)單元 非揮發(fā)性內(nèi)存的數(shù)據(jù)存取可靠度的方法。
背景技術(shù)：
NAND閃存具有低寫入和擦除時(shí)間、高密度(高存放空間)和低制造成本 的特性，由于它的1/0接口只允許連續(xù)讀取，所以并不適合計(jì)算機(jī)內(nèi)存，但是卻 很適合應(yīng)用在儲(chǔ)存卡上。而目前NAND閃存除了在儲(chǔ)存卡被大量應(yīng)用外，手機(jī)、 MP3播放器、數(shù)字多媒體播放器也已大量使用，作為存放多媒體檔案的媒介之
NAND閃存分為單級(jí)單元(Single Level Cell, SLC)與多級(jí)單元(Multi Level Cell,MLC)兩種儲(chǔ)存結(jié)構(gòu)。在使用單元的方式上，SLC閃存裝置與EEPROM相 同，但在浮置柵極(Floatinggate)與源極(Source)之中的氧化薄膜更薄。而SLC閃 存裝置的數(shù)據(jù)寫入是通過對(duì)浮柵的電荷加電壓，經(jīng)過源極將所儲(chǔ)存的電荷消除。 通過這樣的方式，以儲(chǔ)存一個(gè)信息位(l代表消除，0代表寫入)。而MLC閃存則 是在浮柵中使用不同程度的電荷，因此能在單一 晶體管(transistor)中儲(chǔ)存多個(gè)位 的信息，并通過單元的寫入與感應(yīng)的控制，在單一晶體管中產(chǎn)生多層狀態(tài)。
以4LC閃存為例， 一個(gè)單元(Cell)包含兩個(gè)位(bit)，小的稱為最低有 效位(Least Significant Bit, LSB ),大的稱為最高有效位(Most Significant Bit, MSB),可產(chǎn)生4層狀態(tài)(00、 01、 11、 10),以寫入?yún)^(qū)塊內(nèi)的不同頁(page) 內(nèi)。其中，如圖6所示，每個(gè)單元(Y0，Y1,Y2…)的兩位(LSB 、 MSB)分別 寫入?yún)^(qū)塊(block)的LSB頁和MSB頁內(nèi)。當(dāng)程序化(program) LSB頁的Y0 位時(shí)，單元的電壓層(voltage level)會(huì)改變，并影響到MSB頁的Y0位。同樣 的，程序化MSB頁的Y0位時(shí)，LSB頁的Y0位也會(huì)改變。
存取^t據(jù)的過程，主;^L由LSB頁開始，再經(jīng)過MSB頁持續(xù)寫入。而在寫 入MSB頁時(shí)，如果因不正常插拔或電池沒電等現(xiàn)象所造成的不正常斷電，將使得MSB頁與原先寫入LSB頁的數(shù)據(jù)同時(shí)損壞。此種問題或許對(duì)于90納米(nm) 加工的NAND閃存會(huì)產(chǎn)生較小的影響，但隨著加工的微縮，如圖7A所示，70 納米加工結(jié)構(gòu)的LSB頁的頁O及頁1寫入后，緊接著寫入MSB頁的頁2和頁3; 或如圖7B所示，在50納米加工結(jié)構(gòu)下，寫入LSB的頁O、頁1、頁2及和頁3 后，緊，接著寫入MSB的頁4、頁5、頁6及和頁7。如此一來，在50納米加工 結(jié)構(gòu)中，頁0至頁3之間的數(shù)據(jù)相似度，或頁4至頁7之間的數(shù)據(jù)相似度常會(huì) 有很大的不同，甚至存在不同的檔案， 一旦產(chǎn)生不正常斷電時(shí)，容易造成難以 補(bǔ)救的損失。
對(duì)于SLC及MLC閃存而言，同樣容量的單元要儲(chǔ)存1位與儲(chǔ)存多位的穩(wěn) 定度和復(fù)雜度不同，SLC閃存比MLC閃存穩(wěn)定，且SLC閃存寫入速度較快。 雖然具有多位的MLC閃存可提高儲(chǔ)存容量，但由于先天物理極限，在理論上， SLC寫入次數(shù)為每一區(qū)塊(Block)十萬次，比起寫入次數(shù)僅一萬次的MLC技術(shù)， 其使用壽命多十倍，也即MLC閃存的壽命比以SLC制成的閃存短。
現(xiàn)有技術(shù)并不能提供一種方法，使不僅能減少閃存區(qū)塊抹除的頻率，以延 長多級(jí)單元非揮發(fā)性內(nèi)存的使用壽命，且可確保數(shù)據(jù)存取的完整。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在提供一種增進(jìn)多級(jí)單元非揮發(fā)性內(nèi)存的數(shù)據(jù)存取可靠 度的方法，通過以一頁跳接器在跳過其它對(duì)應(yīng)到屬于同一儲(chǔ)存單元的實(shí)體頁的 數(shù)據(jù)儲(chǔ)存頁時(shí)，選取至少一組對(duì)應(yīng)到同一儲(chǔ)存單元的實(shí)體頁的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存頁，以 存取于至少一個(gè)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊內(nèi)的步驟，能減少數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊抹除的頻率，以 延長多級(jí)單元非揮發(fā)性內(nèi)存的使用壽命。
本發(fā)明的次要目的在提供一種增進(jìn)多級(jí)單元非揮發(fā)性內(nèi)存的數(shù)據(jù)存取可靠
在不正常斷電時(shí)，避免因多級(jí)單元非揮發(fā)性內(nèi)存的存取特性而造成正在存取的 數(shù)據(jù)與原先存取數(shù)據(jù)同時(shí)損壞，而可確保數(shù)據(jù)存取的完整。
為達(dá)上述發(fā)明的目的，本發(fā)明提供的增進(jìn)多級(jí)單元非揮發(fā)性內(nèi)存的數(shù)據(jù)存 取可靠度的方法，包括下列步驟a.根據(jù)所述多級(jí)單元非揮發(fā)性內(nèi)存，取得復(fù)數(shù) 個(gè)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊以做為主機(jī)數(shù)據(jù)的存??；以及b.提供一頁跳接器(page jumper), 根據(jù)所述頁跳接器的跳接，在跳過其它對(duì)應(yīng)到屬于同 一儲(chǔ)存單元的實(shí)體頁的數(shù) 據(jù)儲(chǔ)存頁時(shí)，選取至少一組對(duì)應(yīng)到同 一儲(chǔ)存單元(Storage Cell)的實(shí)體頁(physicalpage)的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存頁，以存取于至少一個(gè)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊內(nèi)。
實(shí)施時(shí)，根據(jù)所述頁跳接器的跳接，可選取至少一組對(duì)應(yīng)到同一儲(chǔ)存單元 (Storage Cell)的實(shí)體頁的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存頁，以存取于至少一個(gè)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊內(nèi)；并跳 過其它對(duì)應(yīng)到屬于同一儲(chǔ)存單元的實(shí)體頁的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存頁，使所述數(shù)據(jù)儲(chǔ)存頁不 使用頁跳接器以存取數(shù)據(jù)于另 一數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊內(nèi)。
實(shí)施時(shí)，本發(fā)明所述方法還包括以下步驟將所述頁跳接器所進(jìn)行存取的 數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊合并于一 空白區(qū)塊(Clean Block)內(nèi)，使構(gòu)成不具有頁跳接的儲(chǔ)存容 量的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊，并將所述復(fù)數(shù)個(gè)數(shù)據(jù)暫存區(qū)塊內(nèi)的數(shù)據(jù)抹除。
的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊的數(shù)據(jù)備份區(qū)塊，并在數(shù)據(jù)驗(yàn)證無誤后，將數(shù)據(jù)備份區(qū)塊內(nèi)的 數(shù)據(jù)抹除。
本發(fā)明還提供了一種增進(jìn)多級(jí)單元非揮發(fā)性內(nèi)存的數(shù)據(jù)存取可靠度的方 法，使用于主機(jī)對(duì)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊的數(shù)據(jù)存取過程中，所述方法包括
a. 根據(jù)所述多級(jí)單元非揮發(fā)性內(nèi)存，取得復(fù)數(shù)個(gè)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊以作為主機(jī)數(shù) 才居的存?。灰约?br> b. 提供一頁跳接器，根據(jù)所述頁跳接器的跳接，選取至少一組對(duì)應(yīng)到同一儲(chǔ) 存單元的實(shí)體頁的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存頁，以存取于至少一個(gè)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊內(nèi)；并跳過其 它對(duì)應(yīng)到屬于同一儲(chǔ)存單元的實(shí)體頁的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存頁，使對(duì)應(yīng)所述儲(chǔ)存單元的各 數(shù)據(jù)儲(chǔ)存頁不使用頁跳接器，以存取數(shù)據(jù)于另 一數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊內(nèi)。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的增進(jìn)多級(jí)單元非揮發(fā)性內(nèi)存的數(shù)據(jù)存取可 靠度的方法，不僅能減少閃存區(qū)塊抹除的頻率，以延長多級(jí)單元非揮發(fā)性內(nèi)存 的使用壽命，且可確保數(shù)據(jù)存取的完整


圖1是本發(fā)明所述的方法的實(shí)施例的流程圖2是本發(fā)明所述的方法的實(shí)施例的方塊示意圖3是本發(fā)明所述的方法的實(shí)施例的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存時(shí)的動(dòng)作示意圖4是本發(fā)明所述的方法的頁跳接器保留一旁道路線時(shí)的方塊示意圖5是本發(fā)明所述的方法的另一實(shí)施例的方塊示意圖6是4LC閃存的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存架構(gòu)的示意圖7A是4LC閃存于70納米加工時(shí)的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存架構(gòu)示意圖；圖7B是4LC閃存于50納米加工時(shí)的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存架構(gòu)示意圖； 圖8是現(xiàn)有8LC閃存的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存架構(gòu)的示意圖。
附圖標(biāo)記說明數(shù)據(jù)暫存區(qū)塊-1、 10、 11;數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊-14、 15、 16。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的上述目的及其結(jié)構(gòu)與功能上的特性，將依據(jù)附圖所示的優(yōu)選實(shí)施 例予以"i兌明。
如同本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所了解的，任一多級(jí)單元非揮發(fā)性內(nèi)存，由復(fù)數(shù) 個(gè)多級(jí)(Multi-Level)儲(chǔ)存單元(Storage Cell)以數(shù)組的方式組合而成，任一儲(chǔ)存單 元儲(chǔ)存有n個(gè)位，且所述MLC (多級(jí)單元)非揮發(fā)性內(nèi)存區(qū)分有復(fù)數(shù)個(gè)數(shù)據(jù)儲(chǔ) 存區(qū)塊(block),每一個(gè)數(shù)椐儲(chǔ)存區(qū)塊再區(qū)分為復(fù)數(shù)個(gè)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存頁(Page)。.所 述數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊是執(zhí)行數(shù)據(jù)抹除的最小單位，而所述數(shù)據(jù)儲(chǔ)存頁是執(zhí)行數(shù)據(jù)編 程(Program)的最小單位。
以8LC(Level Cell)非揮發(fā)性內(nèi)存為例， 一般而言，如圖8所示，所述MLC 非揮發(fā)性內(nèi)存的任一儲(chǔ)存單元(Y0、 Yl...)都儲(chǔ)存有3個(gè)位(0、 1、 2位)。 在主機(jī)存取數(shù)據(jù)時(shí)，通過映射器(mapper)將一邏輯地址映射3個(gè)實(shí)體地址 (0,1,2bit),使一邏輯頁映射3個(gè)實(shí)體頁，并使各儲(chǔ)存單元的O、 1、 2位分別 組成一第0階位頁(the Oth order bit page )、第1階位頁(the 1th order bit page ) 及第2階位頁(the 2th order bit page)。其中，所述8LC非揮發(fā)性內(nèi)存的每一 數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊都包括48頁，如同本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所知，所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū) 塊也可包括任意數(shù)量的頁，所述頁的數(shù)量取決于所述非揮發(fā)性內(nèi)存的大小。
請(qǐng)參閱圖1，其為本發(fā)明所述的增進(jìn)多級(jí)單元(Multi Level Cell, MLC)非揮發(fā) 性內(nèi)存的數(shù)據(jù)存取可靠度的方法的優(yōu)選實(shí)施例，供使用在主機(jī)對(duì)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊 (block)的數(shù)據(jù)存取過程中。該方法包括下列步驟
a. 根據(jù)所述多級(jí)單元非揮發(fā)性內(nèi)存，取得復(fù)數(shù)個(gè)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊以作為主機(jī)數(shù) 據(jù)的存??；以及
b. 提供一頁跳接器(pagejumper),根據(jù)所述頁跳接器的跳接，在跳過其它 對(duì)應(yīng)到屬于同一儲(chǔ)存單元的實(shí)體頁的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存頁時(shí)，選取至少一組對(duì)應(yīng)到同一 儲(chǔ)存單元(StorageCell)的實(shí)體頁(physical page )的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存頁，以存取在至少 一個(gè)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊內(nèi)。
請(qǐng)參閱圖2，是本實(shí)施例的方塊圖，其中，所述頁跳接器使用在頁映射器(pages mapper)之前,在邏輯頁映射實(shí)體頁(logical to physical page mapping ) 時(shí)，供選取至少一組對(duì)應(yīng)到同一儲(chǔ)存單元的實(shí)體頁的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存頁，以存取于至 少一個(gè)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊內(nèi)，使復(fù)數(shù)個(gè)使用頁跳接器所進(jìn)行存取的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊， 作為主機(jī)正在存取的邏輯(Logical)數(shù)據(jù)區(qū)塊的數(shù)據(jù)暫存區(qū)塊。其中，在主機(jī)對(duì) MLC非揮發(fā)性內(nèi)存的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊的數(shù)據(jù)存取過程中，所述數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊的頁 是實(shí)質(zhì)的連續(xù)。也即如同本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所理解的，所述數(shù)據(jù)存取區(qū)塊內(nèi) 的數(shù)據(jù)以頁地址(page address)由小到大的排列方式，進(jìn)行數(shù)據(jù)儲(chǔ)存頁(Page)的 數(shù)據(jù)編程(Program)。
請(qǐng)同時(shí)參閱圖2、圖3，以8LC非揮發(fā)性內(nèi)存為例加以說明，其中，如本發(fā) 明的步驟a，取得3個(gè)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊以作為主機(jī)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)暫存區(qū)塊(1、 10、 11);而在步驟b中，所述頁跳接器選取僅映射到同一儲(chǔ)存單元的3個(gè)位中的0 位所組成的第0階位頁(the 0th order bit page ),以分別儲(chǔ)存在所述3個(gè)數(shù)據(jù)暫 存區(qū)塊(l、 10、 11)內(nèi)，而當(dāng)主機(jī)將全部48pages的數(shù)據(jù)寫完，并更換所進(jìn)行 存取的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊之后，再尋找適當(dāng)?shù)臅r(shí)機(jī)，將復(fù)數(shù)個(gè)數(shù)據(jù)暫存區(qū)塊(1、 10、 11)內(nèi)的數(shù)據(jù)合并在一空白區(qū)塊(CleanBlock)2內(nèi)，使構(gòu)成一不具有頁跳接的數(shù) 據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊后，重新再映射指向，同時(shí)將復(fù)數(shù)個(gè)數(shù)據(jù)暫存區(qū)塊(1、 10、 11)內(nèi) 的數(shù)據(jù)抹除。實(shí)施時(shí)，所述多個(gè)數(shù)據(jù)暫存區(qū)塊(1、 10、 ll)是空白區(qū)塊，也可 為已儲(chǔ)存有數(shù)據(jù)的區(qū)塊；而所述的頁跳接器也可同時(shí)選取并儲(chǔ)存，映射到同一 儲(chǔ)存單元的0位和1位所分別組成的第0階位頁(the 0th order bit page )和第1 階位頁(the lth order bit page )。
實(shí)施時(shí)，本發(fā)明也可適用于各種不同的MLC非揮發(fā)性內(nèi)存。以4LC非揮 發(fā)性內(nèi)存為例，任一儲(chǔ)存單元儲(chǔ)存2個(gè)位，而所述頁跳接器則是僅選取2個(gè)位 中的最低位(LSB, Least Significant Bit )所組成的LSB頁，而不選用最高位(MSB, Most Significant Bit)所組成的MSB頁。
因此，通過上述頁跳接器的選取步驟，可增加主機(jī)數(shù)據(jù)寫入的速度，但在 數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊的容量較小。而如圖4所示，在頁跳接器選取至少一組映射到同 一儲(chǔ)存單元的實(shí)體頁的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存頁，以存取于至少一個(gè)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊內(nèi)時(shí)，同 時(shí)保留一旁道(bypass)路線，所述旁道路線同時(shí)映射到第0階位頁、第1階位 頁和第2階位頁。當(dāng)所述頁跳接器不選取所述旁道路線，也即跳過同時(shí)映射到 第0階位頁、第1階位頁和第2階位頁的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存頁時(shí)，即可使所述數(shù)據(jù)儲(chǔ)存 頁不使用頁跳接器以存取主機(jī)數(shù)據(jù)于另 一數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊內(nèi)，以呈現(xiàn)原數(shù)據(jù)儲(chǔ)存
8區(qū)塊的容量。
請(qǐng)參閱圖5，是本發(fā)明的另一實(shí)施例，其中，使用頁跳接器所進(jìn)行存取的數(shù) 據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊，作為主機(jī)正在存取的數(shù)據(jù)區(qū)塊的數(shù)據(jù)備份區(qū)塊(Data Backup Block)。以8LC非揮發(fā)性內(nèi)存為例，當(dāng)主才幾正在以頁地址由小到大的排列方式 進(jìn)行數(shù)據(jù)儲(chǔ)存頁的數(shù)據(jù)編程時(shí)，取三個(gè)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊(14、 15、 16)，其中一 數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊14包括所有主機(jī)正在連續(xù)存取的第0階位頁、第1階位頁和第2 階位頁的數(shù)據(jù)，而另外兩個(gè)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊(15、 16)是經(jīng)過頁跳接器的跳接， 分別備份第0階位頁和第1階位頁的數(shù)據(jù)。
藉此，當(dāng)主機(jī)正在存取的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊14發(fā)生數(shù)據(jù)讀取錯(cuò)誤時(shí)，可以讀取 所述作為備份的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊(15、 16)內(nèi)的相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存頁，以取得正 確的數(shù)據(jù)。而當(dāng)主機(jī)更換所進(jìn)行存取的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊之后，再尋適當(dāng)時(shí)機(jī)，.將 此數(shù)據(jù)備份區(qū)塊內(nèi)的數(shù)據(jù)抹除。另外，當(dāng)所述數(shù)據(jù)備份區(qū)塊內(nèi)的數(shù)據(jù)在抹除之 前，先進(jìn)行主機(jī)所進(jìn)行存取的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊14的數(shù)據(jù)驗(yàn)證，以確保存取數(shù)據(jù)的 正確。
因此，本發(fā)明具有以下的優(yōu)點(diǎn)
1、 本發(fā)明所設(shè)的頁跳接器是可選擇性的選取程序化速度最快和可靠度最佳 的第O階位頁或LSB頁，并使常用的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊僅使用LSB頁，使減少數(shù)據(jù) 儲(chǔ)存區(qū)塊抹除的頻率，以提升區(qū)塊壽命，從而使多級(jí)單元非揮發(fā)性內(nèi)存的使用 壽命延長。
2、 本發(fā)明可通過頁跳接器的跳接，使主機(jī)所連續(xù)存取的數(shù)據(jù)分別儲(chǔ)存在各 暫存區(qū)塊內(nèi)，再合并為具數(shù)據(jù)完整性的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊。因此，在不正常斷電時(shí)， 可避免MLC非揮發(fā)性內(nèi)存正在存取的數(shù)據(jù)與原先存取數(shù)據(jù)同時(shí)損壞，以確保數(shù) 據(jù)存取的完整。
本發(fā)明提供的增進(jìn)多級(jí)單元非揮發(fā)性內(nèi)存的數(shù)據(jù)存取可靠度的方法，可達(dá) 到發(fā)明的預(yù)期目的，提供一種不僅能減少閃存區(qū)塊抹除的頻率，以延長多級(jí)單 元非揮發(fā)性內(nèi)存的使用壽命，且可確保數(shù)據(jù)存取的完整的增進(jìn)多級(jí)單元非揮發(fā) 性內(nèi)存的數(shù)據(jù)存取可靠度的方法。
以上說明對(duì)本發(fā)明而言只是說明性的，而非限制性的，本領(lǐng)域普通技術(shù)人 員理解，在不脫離以下所附權(quán)利要求所限定的精神和范圍的情況下，可做出許 多修改，變化，或等效，但都將落入本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種增進(jìn)多級(jí)單元非揮發(fā)性內(nèi)存的數(shù)據(jù)存取可靠度的方法，供使用于主機(jī)對(duì)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊的數(shù)據(jù)存取過程中，其特征在于，所述方法包括a.根據(jù)所述多級(jí)單元非揮發(fā)性內(nèi)存，取得復(fù)數(shù)個(gè)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊，以存取主機(jī)數(shù)據(jù)；b.提供一頁跳接器，根據(jù)所述頁跳接器的跳接，在跳過其它對(duì)應(yīng)到屬于同一儲(chǔ)存單元的實(shí)體頁的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存頁時(shí)，選取至少一組對(duì)應(yīng)到同一儲(chǔ)存單元的實(shí)體頁的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存頁，以將所述數(shù)據(jù)存取于至少一個(gè)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊內(nèi)。
2、 如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，其還包括一步驟將所述頁跳 接器所進(jìn)行存取的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊，合并于一空白區(qū)塊內(nèi)，以構(gòu)成不具有頁跳接 的儲(chǔ)存容量的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊。
3、 如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，將使用所述頁跳接器進(jìn)行存取 的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊，作為主機(jī)正在存取的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊的數(shù)據(jù)備份區(qū)塊；當(dāng)主機(jī) 正在存取的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊發(fā)生數(shù)據(jù)讀取錯(cuò)誤時(shí)，讀取所述數(shù)據(jù)備份區(qū)塊的相對(duì) 應(yīng)的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存頁，以取得正確的數(shù)據(jù)，而當(dāng)主機(jī)更換所進(jìn)行存取的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū) 塊之后，將所述數(shù)據(jù)備份區(qū)塊內(nèi)的數(shù)據(jù)抹除。
4、 如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，其還包括一個(gè)步驟在所述數(shù) 據(jù)備份區(qū)塊內(nèi)的數(shù)據(jù)抹除之前，對(duì)主機(jī)所進(jìn)行存取的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊的數(shù)據(jù)進(jìn)行 驗(yàn)證。
5、 如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，將復(fù)數(shù)個(gè)使用所述頁跳接器進(jìn) 行存取的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊，作為主機(jī)正在存取的邏輯數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊的數(shù)據(jù)暫存區(qū) 塊，當(dāng)主機(jī)更換所進(jìn)行存取的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊之后，將所述復(fù)數(shù)個(gè)數(shù)據(jù)暫存區(qū)塊 內(nèi)的數(shù)據(jù)合并于一空白區(qū)塊內(nèi)，以構(gòu)成一不具有頁跳接的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊，并將 所述復(fù)數(shù)個(gè)數(shù)據(jù)暫存區(qū)塊內(nèi)的數(shù)據(jù)抹除。
6、 如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)存取區(qū)塊內(nèi)的數(shù)據(jù)以 頁地址由小到大的排列方式，進(jìn)行數(shù)據(jù)儲(chǔ)存頁的數(shù)據(jù)編程。
7、 如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，所述多級(jí)單元包括復(fù)數(shù)個(gè)儲(chǔ)存 單元，任一儲(chǔ)存單元儲(chǔ)存n個(gè)位，所述頁跳接器選取所述n個(gè)位中的最低位所 組成的頁。
8、 一種增進(jìn)多級(jí)單元非揮發(fā)性內(nèi)存的數(shù)據(jù)存取可靠度的方法，使用于主機(jī)對(duì)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊的數(shù)據(jù)存取過程中，其特征在于，所述方法包括a. 根據(jù)所述多級(jí)單元非揮發(fā)性內(nèi)存，取得復(fù)數(shù)個(gè)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊以作為主機(jī)數(shù) 據(jù)的存??；以及b. 提供一頁跳接器，根據(jù)所述頁跳接器的跳接，選取至少一組對(duì)應(yīng)到同一儲(chǔ) 存單元的實(shí)體頁的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存頁，以存取于至少一個(gè)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊內(nèi)；并跳過其 它對(duì)應(yīng)到屬于同一儲(chǔ)存單元的實(shí)體頁的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存頁，使對(duì)應(yīng)所述儲(chǔ)存單元的各 數(shù)據(jù)儲(chǔ)存頁不使用頁跳接器，以存取數(shù)據(jù)于另 一數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊內(nèi)。
9、 如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，其還包括一步驟將頁跳接器 進(jìn)行存取的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊合并于一空白區(qū)塊內(nèi)，以構(gòu)成不具有頁跳接的儲(chǔ)存容 量的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊。
10、 如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，使用所述頁跳接器進(jìn)行存取 的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊，作為主機(jī)正在存取的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊的數(shù)據(jù)備份區(qū)塊，當(dāng)發(fā)生 主機(jī)正在存取的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊發(fā)生數(shù)據(jù)讀取錯(cuò)誤時(shí)，讀取所述數(shù)據(jù)備份區(qū)塊的 相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存頁，以取得正確的數(shù)據(jù)；當(dāng)主機(jī)更換所進(jìn)行存取的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存 區(qū)塊并確認(rèn)所存取的數(shù)據(jù)無誤后，將所述數(shù)據(jù)備份區(qū)塊內(nèi)的數(shù)據(jù)抹除。
11、 如權(quán)利要求IO所述的方法，其特征在于，其還包括一個(gè)步驟在所述 數(shù)據(jù)備份區(qū)塊內(nèi)的數(shù)據(jù)抹除之前，進(jìn)行主機(jī)所進(jìn)行存取的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊的數(shù)據(jù) 驗(yàn)證。
12、 如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，復(fù)數(shù)個(gè)使用所述頁跳接器進(jìn) 行存取的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊，作為主機(jī)正在存取的邏輯數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊的數(shù)據(jù)暫存區(qū) 塊，在主機(jī)更換所進(jìn)行存取的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊之后，將所述復(fù)數(shù)個(gè)數(shù)據(jù)暫存區(qū)塊 內(nèi)的數(shù)據(jù)合并于一空白區(qū)塊內(nèi)，以構(gòu)成一不具有頁跳接的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊，并將 所述復(fù)數(shù)個(gè)數(shù)據(jù)暫存區(qū)塊內(nèi)的數(shù)據(jù)抹除。
13、 如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)存取區(qū)塊內(nèi)的數(shù)據(jù) 以頁地址由小到大的排列方式進(jìn)行數(shù)據(jù)儲(chǔ)存頁的數(shù)據(jù)編程。
14、 如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述多級(jí)單元包括復(fù)數(shù)個(gè)儲(chǔ) 存單元，任一儲(chǔ)存單元儲(chǔ)存n個(gè)位，而所述頁跳接器選取n個(gè)位中的最低位所 組成的頁。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種增進(jìn)多級(jí)單元非揮發(fā)性內(nèi)存的數(shù)據(jù)存取可靠度的方法，先依照各種多級(jí)單元非揮發(fā)性內(nèi)存的儲(chǔ)存結(jié)構(gòu)的不同，取得復(fù)數(shù)個(gè)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊以做為主機(jī)數(shù)據(jù)的存取，再根據(jù)一頁跳接器(page jumper)的跳接，在選取至少一組對(duì)應(yīng)到同一儲(chǔ)存單元(Storage Cell)的實(shí)體頁的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存頁時(shí)，跳過其它對(duì)應(yīng)到屬于同一儲(chǔ)存單元的實(shí)體頁的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存頁，并將所選取的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存頁存取于至少一個(gè)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊內(nèi)，使減少閃存區(qū)塊被抹除的頻率，以延長多級(jí)單元非揮發(fā)性內(nèi)存的使用壽命，并在不正常斷電時(shí)，確保完整的存取數(shù)據(jù)。
文檔編號(hào)G11C16/06GK101604291SQ20081011064
公開日2009年12月16日 申請(qǐng)日期2008年6月12日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月12日
發(fā)明者林傳生 申請(qǐng)人:聯(lián)陽半導(dǎo)體股份有限公司