專利名稱：具有不同讀取與程序化路徑的存儲單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及存儲器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種使用存儲材料的高密度存儲裝置，例如電阻隨機(jī)存取存儲裝置RRAM，以及用以制造這種裝置的方 法。存儲材料可通過施加能量而在兩種電氣性質(zhì)狀態(tài)之間切換。存儲材料 可為相變化存儲材料，包括含硫化物材料與其它材料。
背景技術(shù)：
相變化存儲材料廣泛地用于讀寫光盤中。這些材料包括有至少兩種固 態(tài)相，即非晶態(tài)的固態(tài)相，以及結(jié)晶態(tài)的固態(tài)相。激光脈沖用于讀寫光盤 片中，以在二種固態(tài)相中切換，并讀取這種材料在相變化之后的光學(xué)性質(zhì)。如硫化物及類似材料的這種相變化存儲材料，可通過施加其幅度適用 于集成電路中的電流，而致使晶相變化。 一般而言非晶態(tài)的特征在于非晶 態(tài)的電阻高于結(jié)晶態(tài)，此電阻值可輕易測量得到而用以作為指示。這種特 性則引發(fā)使用可程序化電阻材料以形成非易失性存儲器電路等興趣，此電 路可用于隨機(jī)存取讀寫。從非晶態(tài)轉(zhuǎn)變至結(jié)晶態(tài)一般為一低電流步驟。從結(jié)晶態(tài)轉(zhuǎn)變至非晶態(tài) (以下指稱為重置(reset))—般為一高電流步驟，該高電流步驟包括一短暫的 高電流密度脈沖以融化或破壞結(jié)晶結(jié)構(gòu)，其后此相變化材料會快速冷卻， 抑制相變化的過程，使得至少部份相變化結(jié)構(gòu)得以維持在非晶態(tài)。理想狀 態(tài)下，致使相變化材料從結(jié)晶態(tài)轉(zhuǎn)變至非晶態(tài)的重置電流幅度應(yīng)越低越 好。為降低重置所需的重置電流幅度，可通過減低在存儲器中的相變化材 料元件的尺寸、以及減少電極與此相變化材料的接觸面積而實(shí)現(xiàn)，因此可 針對此相變化材料元件施加較小的絕對電流值而實(shí)現(xiàn)較高的電流密度。此領(lǐng)域發(fā)展的一種方法是致力于在一集成電路結(jié)構(gòu)上形成微小孔洞， 并使用微量可程序化的電阻材料填充這些微小孔洞。致力于這種微小孔洞 的專利包括在1997年11月11日公告的美國專利第5,687，112號"MultibitSingle Cell Memory Element Having Tapered Contact"、發(fā)明人為Ovshinky; 在1998年8月4日公告的美國專利第5,789,277號"Method of Making Chalogenide [sic] Memory Device"、發(fā)明人為Zahorik等；在2000年11月 21曰公告的美國專利第6,150,253號"Controllable Ovonic Phase-Change Semiconductor Memory Device and Methods of Fabricating the Same"、發(fā)明 人為Doan等。在相變化存儲器中，通過施加電流而致使相變化材料在非晶態(tài)與結(jié)晶 態(tài)之間切換而儲存數(shù)據(jù)。電流會加熱此材料并致使在各狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換。從 非晶態(tài)轉(zhuǎn)變至結(jié)晶態(tài)一般為一低電流步驟。從結(jié)晶態(tài)轉(zhuǎn)變至非晶態(tài)(以下指 稱為重置(reset))—般為一高電流步驟。較佳地，將用以導(dǎo)致相變化材料進(jìn) 行轉(zhuǎn)換(從結(jié)晶態(tài)轉(zhuǎn)換至非晶態(tài))的重置電流幅度最小化。重置所需要的 重置電流幅度可以通過將存儲單元中的主動相變化材料元件的尺寸減少 而降低。發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種存儲單元，該存儲單元為 一存儲裝置的一部分，該存儲單元包括一位線、 一讀取字線、以及一程序 化字線。此存儲單元包括多個(gè)其它元件，包括具有第一讀取終端與第二讀 取終端的讀取裝置，第二讀取終端連接至讀取字線。 一包括具有第一程序 化終端與第二程序化終端的程序化裝置，第二程序化終端連接至程序化字 線。 一存儲元件其具有一第一存儲元件終端與一第二存儲元件終端，且在 該第一存儲元件終端與該第二存儲元件終端之間包括有一存儲區(qū)域。該存 儲元件的至少存儲區(qū)域包括相變化材料，其具有可通過施加能量而改變的 電氣性質(zhì)。第一存儲元件終端連接至第一讀取終端、且第二存儲元件終端 連接至位線。 一能量發(fā)射元件包括一第一能量發(fā)射元件終端與一第二能量 發(fā)射元件終端、以及位于該第一能量發(fā)射元件終端與該第二能量發(fā)射元件 終端之間的能量發(fā)射區(qū)域。能量發(fā)射區(qū)域與存儲區(qū)域之間具有一能量傳導(dǎo) 關(guān)系。第一能量發(fā)射元件終端連接至第一程序化終端，而第二能量發(fā)射元 件終端連接至位線。本發(fā)明還提供了一種用以程序化存儲單元的方法，包括改變以及檢測步驟，如下所述。此存儲單元為一存儲裝置的一部份，且包括了多種元件。 一存儲元件包括介于第一存儲元件終端與第二存儲元件終端間的一存儲 區(qū)域。此存儲元件的該存儲區(qū)域至少包括一存儲材料，該存儲材料具有可 通過施加能量而改變的電氣性質(zhì)。 一能量發(fā)射元件包括一第一能量發(fā)射元 件終端與一第二能量發(fā)射元件終端、以及位于第一能量發(fā)射元件終端與第二能量發(fā)射元件終端之間的能量發(fā)射區(qū)域。能量區(qū)域與存儲區(qū)域之間具有 一能量傳導(dǎo)關(guān)系。通過在該第一能量發(fā)射元件終端與第二能量發(fā)射元件終 端之間加載一第一電流、而從該能量發(fā)射區(qū)域傳導(dǎo)能量至該存儲區(qū)域，以 改變該存儲區(qū)域的該電氣性質(zhì)狀態(tài)。通過在該第一存儲元件終端與該第二 存儲元件終端之間加載一第二電流，而檢測該存儲材料元件的電氣性質(zhì)狀 態(tài)。在某些方法中，電氣性質(zhì)狀態(tài)改變步驟，包括了從能量傳導(dǎo)區(qū)域傳導(dǎo) 熱量到存儲區(qū)域。以下詳細(xì)說明了本發(fā)明的結(jié)構(gòu)與方法。本發(fā)明內(nèi)容說明章節(jié)目的并非 在于定義和限制本發(fā)明。本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍由權(quán)利要求的范圍所定 義。凡本發(fā)明的實(shí)施例、特征、目的及優(yōu)點(diǎn)等將可通過下列說明申請專利 范圍及所附圖獲得充分了解。


圖1為本發(fā)明的一存儲單元。圖2示出了圖1的存儲元件與能量發(fā)射元件的相對方向示意圖。圖3示出了圖2的結(jié)構(gòu)中，穿過能量發(fā)射元件的電流路徑。圖4為溫度與壓力對于時(shí)間的變化圖，示出了現(xiàn)有技術(shù)中使一相變化材料轉(zhuǎn)換成結(jié)晶態(tài)(典型地特征為l)以及非晶態(tài)(典型地特征為0)。 圖5示出了圖2的結(jié)構(gòu)中，穿過存儲元件的電流路徑，以允許讀取存儲元件的狀態(tài)。主要元件符號說明10 存儲單元 12 程序化字線 14 讀取字線716位線17程序化裝置18讀取裝置20漏極(第一程序化終端)22柵極(第二程序化終端)24源極26漏極(第一讀取終端)28柵極(第二讀取終端)30源極32接地36存儲元件38存儲區(qū)域40能量發(fā)射元件42能量發(fā)射區(qū)域具體實(shí)施方式
以下的說明內(nèi)容將參照至特定結(jié)構(gòu)實(shí)施例與方法?？梢岳斫獾氖?，本 發(fā)明的范疇并非限制于特定所公開的實(shí)施例，且本發(fā)明可利用其它特征、 元件、方法與實(shí)施例進(jìn)行實(shí)施。較佳實(shí)施例被描述以了解本發(fā)明，而非用 以限制本發(fā)明的范疇，本發(fā)明的范疇以權(quán)利要求所要求保護(hù)的范圍為準(zhǔn)。 本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)后續(xù)的敘述而了解本發(fā)明的均等變化。在各實(shí)施 例中的類似元件將以類似標(biāo)號進(jìn)行指定。圖1為一電路圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的存儲單元10的實(shí)施例。存儲 單元10典型地為一半導(dǎo)體存儲裝置(例如一RRAM裝置)的部分。存儲 單元IO包括一程序化字線12、 一讀取字線14、以及一位線16。存儲單元 10還包括一程序化裝置17 (以程序化晶體管方式)、以及一讀取裝置18 (以讀取晶體管方式)。程序化裝置17包括一漏極20 (作用為一第一程序 化終端20)、 一柵極22 (作用為第二程序化終端22)、以及一源極24。讀 取裝置18包括一漏極26 (作用為第一讀取終端26)、 一柵極28 (作用為 第二讀取終端28)、以及一源極30。第二程序化終端22連接至程序化字線12，且第二讀取終端28連接至讀取字線14。在此實(shí)施例中，源極24，30系彼此連接，并接地32。存儲單元10還包括一存儲元件36，存儲元件36將第一讀取終端26連接至位線16。存儲元件36包括一存儲區(qū)域38，存儲區(qū)域38包括一存儲材料，而存儲材料的電氣性質(zhì)狀態(tài)可通過施加能量而改變。目前存儲材 料可為一程序化電阻型存儲材料，尤其是相變化材料。各種相變化材料如下所詳述。然而，本發(fā)明的發(fā)明人無法得知現(xiàn)今存在的存儲材料、或者未 來所發(fā)現(xiàn)的存儲材料，也可能適用于本發(fā)明中。存儲單元10也包括能量 發(fā)射元件40，能量發(fā)射元件40將第一程序化終端20連接至位線16。能 量發(fā)射元件40包括一能量發(fā)射區(qū)域42。能量發(fā)射區(qū)域與存儲區(qū)域38之間 具有一能量傳導(dǎo)關(guān)系。在圖l的實(shí)施例中，能量發(fā)射元件為一電阻元件， 并發(fā)射熱量能量以加熱存儲元件36的存儲區(qū)域38。在某些實(shí)施例中，能 量發(fā)射區(qū)域與存儲區(qū)域電氣地隔離。能量發(fā)射元件40可被建構(gòu)以發(fā)射其 它類型的能量，例如磁場能量或光能量，具體發(fā)射哪種類型的能量由能量 發(fā)射元件40所使用的存儲材料決定。能量發(fā)射元件40中，至少能量發(fā)射區(qū)域42可由適當(dāng)?shù)母唠娮鑼?dǎo)體所 構(gòu)成，包括如碳化物、碳、鎢、以及氮化鎢等。在所公開的實(shí)施例中，存儲元件36與能量發(fā)射元件40大致上彼此垂 直，以將存儲區(qū)域38的尺寸減到最小，如圖2所示。存儲單元10的程序化是通過將電流從程序化裝置17導(dǎo)通到能量發(fā)射 元件40而實(shí)現(xiàn)的。通過將適量的電流通過能量發(fā)射元件40，存儲區(qū)域38 可被加熱，以使得存儲區(qū)域成為大致結(jié)晶態(tài)的低電阻態(tài)(亦即「設(shè)置」) 或大致非晶態(tài)的高電阻態(tài)(亦即重置)。存儲區(qū)域38的電流流通以及加熱 效應(yīng)如圖3與圖4所示。圖5示出了將電流從讀取裝置18的第一讀取終 端26導(dǎo)通至位線16而通過存儲元件36，以典型地通過感應(yīng)放大器(未示) 檢測存儲元件的狀態(tài)。存儲單元10電氣地隔離了存儲元件36與能量發(fā)射元件，該隔離方式 是將程序化電流通過能量發(fā)射元件40但不通過存儲元件36、并且將讀取 電流通過存儲元件36但不通過能量發(fā)射元件40。具有分離的讀取與程序 ,化路徑時(shí)，與現(xiàn)有程序化電阻存儲裝置相較之下，允許了讀取電流的增加，因?yàn)槟芰堪l(fā)射元件40并非與存儲元件36串聯(lián)。此外，與現(xiàn)有程序化電阻 存儲裝置相較之下，通過使用一較高電阻的能量發(fā)射元件40，可減低程序 化電流。相變化材料的有用特征，包括此材料的電阻值以可逆的方式進(jìn)行程序 化，例如其具有至少二固態(tài)相而可逆地通過施加電流而誘發(fā)。此至少二固 態(tài)相包括一非晶相以及一結(jié)晶相。然而，在操作中，相變化材料可能不會 完全轉(zhuǎn)變成非晶相或結(jié)晶相。中間相或混合相也可能在材料特征上具有可 檢測的特征。此二固態(tài)相應(yīng)該大致為雙穩(wěn)態(tài)，并具有不同的電氣性質(zhì)。相 變化材料可為一硫化物材料。 一硫化物材料可包括GST (鍺銻碲)。在后 續(xù)的說明書中，相變化材料通常以GST指稱，且可以理解的是，也可使 用其它類型的相變化材料。在本發(fā)明的存儲單元中可供使用的材料為 Ge2Sb2Te5 。本發(fā)明的存儲單元IO可利用標(biāo)準(zhǔn)的光刻與薄膜沉積技術(shù)而輕易制作， 不需要額外形成次光刻圖案的步驟，并可使得細(xì)胞中在程序化時(shí)實(shí)際改變 電阻率的區(qū)域的尺寸非常微小。存儲元件36中，產(chǎn)生相變化的的存儲區(qū) 域38較佳地為小尺寸，因此，用以產(chǎn)生相變化的重置電流幅度也可縮小。存儲單元10的實(shí)施例，包括在存儲元件36含有硫化物材料與其它相 變化材料。硫化物包括下列四元素的任一者氧(O)、硫(S)、硒(Se)、 以及碲(Te)，形成元素周期表上第VI族的部分。硫?qū)倩锇▽⒁涣驅(qū)?元素與一為正電性的元素或自由基結(jié)合而得。硫化合物合金包括將硫化合 物與其它物質(zhì)如過渡金屬等結(jié)合。 一硫化合物合金通常包括一個(gè)以上選自 元素周期表第六欄的元素，例如鍺(Ge)以及錫(Sn)。通常，硫化合物 合金包括下列元素中一個(gè)以上的復(fù)合物銻(Sb)、鎵(Ga)、銦(In)、 以及銀(Ag)。許多以相變化為基礎(chǔ)的存儲材料已經(jīng)被描述于技術(shù)文件中， 包括下列合金鎵/銻、銦/銻、銦/硒、銻/碲、鍺/碲、鍺/銻/碲、銦/銻/碲、 鎵/硒/碲、錫/銻/碲、銦/銻/鍺、銀/銦/銻/碲、鍺/錫/銻/碲、鍺/銻/硒/碲、以 及碲/鍺/銻/硫。在鍺/銻/碲合金家族中，可以嘗試大范圍的合金成分。此 成分可以下列特征式表示TeaGebSb1Q(Ha+b)，其中a與b代表了所組成元素 的原子總數(shù)為100%時(shí)，各原子的百分比。一位研究員描述了最有用的合 金為，在沉積材料中所包含的平均碲濃度遠(yuǎn)低于70%，典型地低于60%，并在一般型態(tài)合金中的碲含量范圍從最低23%至最高58%,且最佳地介于 48%至58%的碲含量。鍺的濃度高于約5%，且其在材料中的平均范圍從 最低8%至最高30%， 一般低于50%。最佳地，鍺的濃度范圍介于8%至 40%。在此成分中所剩下的主要成分則為銻。(Ovshinky '112專利，欄 10~11)由另一研究者所評估的特殊合金包括Ge2Sb2Tes、 GeSb2Te4、以及 GeSb4Te7。 (Noboru Yamada， "Potential of Ge-Sb-Te Phase-change Optical Disks for High-Data-Rate Recording", SP正v.3109, pp. 28-37(1997))更一般 地，過渡金屬如鉻(Cr)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈮(Nb)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、以及上 述的混合物或合金，可與鍺/銻/碲結(jié)合以形成一相變化合金其包括有可程 序化的電阻性質(zhì)。可使用的存儲材料的特殊范例，例如Ovshinsky'112專 利中欄11-13所述，該范例在此列入以供參考。相變化材料能在此細(xì)胞主動信道區(qū)域內(nèi)依其位置順序在材料為一般 非晶狀態(tài)的第一結(jié)構(gòu)狀態(tài)與為一般結(jié)晶固體狀態(tài)的第二結(jié)構(gòu)狀態(tài)之間切 換。這些材料至少為雙穩(wěn)定態(tài)。此詞匯「非晶」用以指稱一相對較無次序 的結(jié)構(gòu)，其較之一單晶更無次序性，而帶有可檢測的特征如較之結(jié)晶態(tài)更 高的電阻值。此詞匯「結(jié)晶態(tài)」用以指稱一相對較有次序的結(jié)構(gòu)，其較之 非晶態(tài)更有次序，因此包括有可檢測的特征例如比非晶態(tài)更低的電阻值。 典型地，相變化材料可電切換至完全結(jié)晶態(tài)與完全非晶態(tài)之間所有可檢測 的不同狀態(tài)。其它受到非晶態(tài)與結(jié)晶態(tài)的改變而影響的材料特中包括，原 子次序、自由電子密度、以及活化能。此材料可切換成為不同的固態(tài)、或 可切換成為由兩種以上固態(tài)所形成的混合物，提供從非晶態(tài)至結(jié)晶態(tài)之間 的灰階部分。此材料中的電性質(zhì)也可能隨之改變。相變化材料可通過施加一電脈沖而從一種相態(tài)切換至另一相態(tài)。先前 觀察指出， 一較短、較大幅度的脈沖傾向于將相變化材料的相態(tài)改變成大 體為非晶態(tài)。 一較長、較低幅度的脈沖傾向于將相變化材料的相態(tài)改變成 大體為結(jié)晶態(tài)。在較短、較大幅度脈沖中的能量夠大，因此足以破壞結(jié)晶 結(jié)構(gòu)的鍵能，同時(shí)夠短因此可以防止原子再次排列成結(jié)晶態(tài)。在沒有不適 當(dāng)實(shí)驗(yàn)的情形下，可以利用實(shí)驗(yàn)方法決定特別適用于一特定相變化材料以 及裝置結(jié)構(gòu)的適當(dāng)脈沖量變曲線。以下簡略介紹一種相變化材料。硫化物材料GexSbyTez x:y:z = 2:2:5或其它成分為x: 0~5; y: 0~5; z: 0~10以氮、硅、鈦或其它元素?fù)诫s的GeSbTe也可被使用。形成方法利用PVD濺射或磁控(Magnetron)濺射方式，其反應(yīng)氣體為氬氣、氮?dú)?、?或氦氣、壓力為1 mTorr至100 mTorr。此沉積步驟一般在室溫下進(jìn)行。 一長寬比為1~5的準(zhǔn)直器(collimater)可用以改良其填入表現(xiàn)。為了改善其填入表現(xiàn)，還可使用數(shù)十至數(shù)百伏特的直流偏壓。另一方面，同時(shí)合并使用直流偏壓以及準(zhǔn)直器也是可行的。有時(shí)需要在真空中或氮?dú)猸h(huán)境中進(jìn)行一沉積后退火處理，以改良硫化物材料的結(jié)晶態(tài)。此退火處理的溫度典型地介于10(TC至40(TC，而退火時(shí)間則少于30分鐘。硫化物材料的厚度隨著單元結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)而定。 一般而言，硫化物的厚度大于8納米的可以具有相變化特性，使得此材料展現(xiàn)至少雙穩(wěn)定的電阻態(tài)。與相變化隨機(jī)存取存儲裝置的制造、元件材料、使用、與操作方式相 關(guān)的額外信息，請參見美國專利申請案號第11/155,067號"Thin Film Fuse Phase Change Ram And Manufacturing Method"，申請日為2005/6/17 。上述說明中所提到的詞匯如之上、之下、上、底等，僅為協(xié)助了解本 發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。雖然本發(fā)明已參照較佳實(shí)施例來加以描述，但所應(yīng)理解的是，本發(fā)明 創(chuàng)作并未受限于其詳細(xì)描述內(nèi)容。替換方式及修改樣式已于先前描述中所 建議，并且其它替換方式及修改樣式將為本領(lǐng)域技術(shù)人員所可能想到。特 別是，根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)與方法，所有具有實(shí)質(zhì)上相同于本發(fā)明的構(gòu)件結(jié) 合而達(dá)成與本發(fā)明實(shí)質(zhì)上相同結(jié)果的皆不脫離本發(fā)明的精神范疇。因此， 所有此等替換方式及修改樣式意欲落在本發(fā)明于隨附權(quán)利要求范圍及其 均等物所界定的范疇之中。任何在前文中提及的專利申請案以及印刷文本，均可作為本發(fā)明的參考。
權(quán)利要求
1.一種存儲單元，該存儲單元為一存儲裝置的一部分，其特征在于，該存儲單元包括一位線、一讀取字線、以及一程序化字線；一讀取裝置其具有一第一讀取終端與一第二讀取終端，該第二讀取終端連接至該讀取字線；一程序化裝置其具有一第一程序化終端與一第二程序化終端，該第二程序化終端連接至該程序化字線；一存儲元件其具有一第一存儲元件終端與一第二存儲元件終端，且在該第一存儲元件終端與該第二存儲元件終端之間包括一存儲區(qū)域，該存儲元件的該存儲區(qū)域包括一存儲材料，該存儲材料的電氣性質(zhì)可通過施加能量而改變；該第一存儲元件終端連接至該第一讀取終端，且該第二存儲元件終端連接至該位線；一能量發(fā)射元件，包括一第一能量發(fā)射元件終端與一第二能量發(fā)射元件終端、以及位于該第一能量發(fā)射元件終端與該第二能量發(fā)射元件終端之間的一能量發(fā)射區(qū)域；該能量發(fā)射區(qū)域與該存儲區(qū)域之間具有一能量傳導(dǎo)關(guān)系；以及該第一能量發(fā)射元件終端連接至該第一程序化終端，且該第二能量發(fā)射元件終端連接至該位線。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲單元，其特征在于，該存儲材料包括 一相變化材料。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲單元，其特征在于，該存儲材料的電 氣性質(zhì)可通過施加熱量而改變。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲單元，其特征在于，該能量發(fā)射元件 發(fā)射熱能。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲單元，其特征在于，該能量發(fā)射元件 包括一電阻。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲單元，其特征在于，該能量發(fā)射區(qū)域 系與該存儲區(qū)域以電氣分隔。
7、 一種相變化存儲單元，該存儲單元為一相變化存儲裝置的一部份，其特征在于，該存儲單元包括一位線、 一讀取字線、以及一程序化字線；該讀取裝置具有一第一讀取終端與一第二讀取終端，該第二讀取終端連接至該讀取字線；一程序化裝置其具有一第一程序化終端與一第二程序化終端，該第二 程序化終端連接至該程序化字線；一相變化元件其具有一第一相變化元件終端與一第二相變化元件終 端，且在該第一相變化元件終端與該第二相變化元件終端之間包括一相變 化區(qū)域，該相變化元件的該相變化區(qū)域包括一相變化材料，該相變化材料 的電阻可通過施加熱量而改變；該第一相變化元件終端連接至該第一讀取終端，且該第二相變化元件 終端連接至該位線-;一熱量發(fā)射元件其包括一第一熱量發(fā)射元件終端與一第二熱量發(fā)射 元件終端、以及介于該第一熱量發(fā)射元件終端與該第二熱量發(fā)射元件終端 之間的一熱量發(fā)射區(qū)域；該熱量發(fā)射區(qū)域與該相變化區(qū)域之間具有一熱量傳導(dǎo)關(guān)系；以及該第一熱量發(fā)射元件終端連接至該第一程序化終端、且該第二熱量發(fā) 射元件終端連接至該位線。
8、 一種用以程序化存儲單元的方法，其特征在于，該存儲單元為一存儲裝置的一部份，該存儲單元包括 一存儲元件其在一第一存儲元件終 端與一第二存儲元件終端之間包括一存儲區(qū)域，該存儲元件的該存儲區(qū)域包括一存儲材料，該存儲材料的電氣性質(zhì)可通過施加能量而改變； 一能量 發(fā)射元件包括一第一能量發(fā)射元件終端與一第二能量發(fā)射元件終端、以及 位于該第一能量發(fā)射元件終端與第二能量發(fā)射元件終端之間的一能量發(fā)射區(qū)域；該能量區(qū)域與該存儲區(qū)域之間具有一能量傳導(dǎo)關(guān)系；該方法包括 通過在該第一能量發(fā)射元件終端與第二能量發(fā)射元件終端之間加載一第一電流、而從該能量發(fā)射區(qū)域傳導(dǎo)能量至該存儲區(qū)域，以改變該存儲區(qū)域的該電氣性質(zhì)狀態(tài)；通過在該第一存儲元件終端與該第二存儲元件終端之間加載一第二電流，而檢測該存儲材料元件的該電氣性質(zhì)狀態(tài)。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的用以程序化存儲單元的方法，其特征在于， 該電氣性質(zhì)狀態(tài)改變步驟包括從該能量傳導(dǎo)區(qū)域傳導(dǎo)熱能至該存儲區(qū)域。
10、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的用以程序化存儲單元的方法，其特征在于， 該存儲材料包括一相變化材料。
11、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的用以程序化存儲單元的方法，其特征在于， 該電氣性質(zhì)狀態(tài)改變步驟包括改變該存儲元件的電阻值。
12、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的用以程序化存儲單元的方法，其特征在于， 該改變步驟的進(jìn)行未使該第一電流進(jìn)入該存儲元件，且該檢測步驟的進(jìn)行 未使該第二電流進(jìn)入該能量發(fā)射元件。
全文摘要
本發(fā)明涉及存儲器技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種存儲單元，包括一位線、一讀取字線、一程序化字線、一讀取裝置，與一程序化裝置。一存儲元件在第一與第二存儲元件終端之間包括一存儲區(qū)域，其包括一存儲材料，此存儲材料的電氣性質(zhì)可通過施加能量而改變。一能量發(fā)射元件包括彼此分離的第一與第二能量發(fā)射元件終端，在此二終端之間包括一能量發(fā)射區(qū)域，其與存儲區(qū)域之間具有一能量傳導(dǎo)關(guān)系。
文檔編號G11C11/56GK101241756SQ200710148919
公開日2008年8月13日 申請日期2007年9月12日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月7日
發(fā)明者龍翔瀾 申請人:旺宏電子股份有限公司