專利名稱：校正存儲器裝置的方法及其相關(guān)的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于存儲器裝置，尤指一種用于校正存儲器裝置的方法及其相關(guān)的裝置(METHOD FOR CALIBRATION OF MEMORY DEVICES，ANDAPPARATUS THEREOF)。
背景技術(shù)：
存儲器是眾多電子裝置內(nèi)常見的一種重要組件。隨著科技快速發(fā)展，動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)的供應(yīng)量大幅增加，并已成為電子裝置中常使用的存儲器。實際上，DRAM可進一步細分為幾種不同的類型，例如同步動態(tài)隨機存取存儲器(synchronous DRAM，SDRAM)為一種可以與接口的時鐘脈沖同步，以高速度持續(xù)寫入與讀取的DRAM(此讀/寫的動作也可稱為叢發(fā)傳輸(burst transfer))；雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)存取存儲器(Double Data Rate SDRAM，DDR SDRAM)為一種同步于時鐘脈沖信號的前緣(leading edge)和后緣(trailing edge)執(zhí)行叢發(fā)傳輸，以達到雙倍的叢發(fā)傳輸速率的DRAM。由于DRAM是一種價格低廉且容量龐大的存儲器來源，使它們更普遍地應(yīng)用于各種電子裝置之中。
相關(guān)技術(shù)提出了幾種可在存儲器裝置的系統(tǒng)初始化過程中進行校正的機制。例如根據(jù)電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(Joint Electron DeviceEngineering Council，JEDEC)編號79-2B的標準，在系統(tǒng)初始化過程中可調(diào)整第二代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存取存儲器(DDR2 SDRAM)中芯片外驅(qū)動器(Off-Chip driver，OCD)的阻抗。更明確地說，由利用延伸模式緩存器設(shè)置(Extended Mode Register Set，EMRS)指令，可在系統(tǒng)初始化過程中完成DDR2 SDRAM的OCD阻抗的調(diào)整程序。圖1為JEDEC編號79-2B的標準所提出的OCD阻抗調(diào)整程序流程圖。
根據(jù)JEDEC編號79-2B的標準，使用兩種EMRS模式(驅(qū)動模式與調(diào)整模式)將可達成調(diào)整OCD阻抗的目的。首先，在驅(qū)動模式中，DDR2 SDRAM驅(qū)動所有的輸出，更明確地說，在驅(qū)動一模式(Drive(1)mode)中，所有的DQ、DQS(與RDQS)信號都會被驅(qū)動到高位準(level)，且所有的/DQS信號都會被驅(qū)動到低位準。而在驅(qū)動零模式(Drive(0)mode)中，所有的DQ、DQS(與RDQS)信號都會被驅(qū)動到低位準，且所有的/DQS信號都會被驅(qū)動到高位準。另外，在調(diào)整模式中，依照前述驅(qū)動模式的驅(qū)動結(jié)果來調(diào)整OCD阻抗值。圖2與圖3分別為前述的OCD驅(qū)動模式與OCD調(diào)整模式的菜單。
圖4為現(xiàn)有的一存儲器系統(tǒng)400的示意圖，其包含一存儲器控制器410與一存儲器裝置450，而存儲器裝置450在此一例子中為一DDR2 SDRAM。依據(jù)JEDEC編號79-2B的標準，存儲器系統(tǒng)400可在系統(tǒng)初始化過程中執(zhí)行OCD阻抗調(diào)整程序，而前述的OCD阻抗調(diào)整程序的目的在于最佳化(optimize)DDR2 SDRAM 450的輸出驅(qū)動器460與470在拉高電壓(Pull high)與拉低電壓(Pull low)時的驅(qū)動強度。在存儲器控制器410中，指令產(chǎn)生器430負責(zé)發(fā)送控制指令(例如讀、寫指令與EMRS指令)給DDR2 SDRAM 450，其中，透過EMRS指令，存儲器控制器410可調(diào)整DDR2 SDRAM 450的OCD阻抗，以最佳化輸出驅(qū)動器460與470的驅(qū)動強度。OCD檢測器420負責(zé)檢測輸出驅(qū)動器460與470所輸出的信號的電壓位準。在處于驅(qū)動模式時，若輸出驅(qū)動器460與470輸出的信號的電壓位準落于理想的目標范圍之內(nèi)，則校正程序即可結(jié)束，存儲器系統(tǒng)400可進入正常的操作模式。若輸出驅(qū)動器460與470所輸出的信號的電壓位準不在理想的目標范圍之內(nèi)，指令產(chǎn)生器430即送出EMRS指令給DDR2 SDRAM 450，以調(diào)整OCD阻抗值，之后，指令產(chǎn)生器430會控制DDR2 SDRAM 450回到驅(qū)動模式，并由OCD檢測器420重新檢測輸出驅(qū)動器460與470所輸出的信號的電壓位準。前述的校正程序?qū)⒊掷m(xù)進行，直到輸出驅(qū)動器460與470所輸出的信號的電壓位準調(diào)整到理想的目標范圍之內(nèi)為止。
相關(guān)技術(shù)的存儲器系統(tǒng)只會在系統(tǒng)初始化過程中進行校正程序。舉例來說，由DDR2 SDRAM所構(gòu)成的存儲器系統(tǒng)只會在系統(tǒng)初始化過程中進行OCD阻抗的校正程序，此點只能確保在系統(tǒng)剛開始運作時，DDR2 SDRAM拉高/拉低電壓的驅(qū)動強度是最佳化的。然而，在系統(tǒng)之后的操作過程，DDR2 SDRAM的操作環(huán)境(包含操作電壓與操作溫度)可能會隨著時間變化，而導(dǎo)致DDR2SDRAM拉高/拉低電壓的驅(qū)動強度呈現(xiàn)不穩(wěn)定變化。特別在經(jīng)過長時間的使用之后，DDR2 SDRAM的溫度可能會大幅升高，而導(dǎo)致拉高/拉低電壓的驅(qū)動強度變得更不準確，使得存儲器系統(tǒng)變得不穩(wěn)定，甚至可能發(fā)生運作錯誤的情形。因此，需提供新的機制，來確保存儲器系統(tǒng)在整個操作過程中都能維持最佳的運作狀況。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，揭露一種控制一存儲器裝置的存儲器控制器，其包含一第一傳感器、一第二傳感器以及一指令產(chǎn)生器，其中該第一傳感器用以檢測該存儲器控制器的操作環(huán)境，該第二傳感器用以檢測該存儲器控制器的操作狀態(tài)，而該指令產(chǎn)生器耦接于該第一傳感器、該第二傳感器與該存儲器裝置，用來在該第一傳感器檢測到的操作環(huán)境符合一第一條件以及該第二傳感器檢測到的操作狀態(tài)符合一第二條件時，發(fā)送指令給該存儲器裝置以校正該存儲器裝置。
本發(fā)明的另一目的在于，揭露一種用以控制一存儲器裝置的裝置，其包含一第一傳感器與一存儲器控制器。該第一傳感器用來檢測該存儲器裝置的操作環(huán)境，該存儲器控制器耦接于該第一傳感器與該存儲器裝置，并包含一第二傳感器與一指令傳感器。該第二傳感器用于檢測該存儲器控制器的操作狀態(tài)，該指令產(chǎn)生器耦接于該第一傳感器、該第二傳感器與該存儲器裝置，用來在該第一傳感器檢測到的操作環(huán)境符合一第一條件以及該第二傳感器檢測到的操作狀態(tài)符合一第二條件時，發(fā)送指令給該存儲器裝置以校正該存儲器裝置。
本發(fā)明的又一目的在于，揭露一種校正一存儲器裝置的方法，其中，一存儲器控制器用于控制該存儲器裝置。該方法包含檢測該存儲器控制器的操作環(huán)境，檢測該存儲器裝置的操作狀態(tài)，判定檢測到的操作環(huán)境是否符合一第一條件以及判定檢測到的操作狀態(tài)是否符合一第二條件，并且在檢測到的操作環(huán)境符合該第一條件且檢測到的操作狀態(tài)符合該第二條件時，發(fā)送指令給該存儲器裝置以校正該存儲器裝置。
根據(jù)本發(fā)明的再一目的在于，揭露一種校正一存儲器裝置的方法，而該方法包含檢測該存儲器裝置的操作環(huán)境，檢測該存儲器裝置的操作狀態(tài)，判定檢測到的操作環(huán)境是否符合一第一條件以及判定該檢測到的操作狀態(tài)是否符合一第二條件，并且在檢測到的操作環(huán)境符合該第一條件且檢測到的操作狀態(tài)符合該第二條件時，發(fā)送指令給該存儲器裝置以校正該存儲器裝置。
本發(fā)明確保存儲器系統(tǒng)在整個操作過程中都能維持最佳的運作狀況，使得存儲器系統(tǒng)變得穩(wěn)定。


圖1為JEDEC編號79-2B的標準中的OCD阻抗調(diào)整程序流程圖。
圖2為JEDEC編號79-2B的標準中的OCD驅(qū)動模式菜單。
圖3為JEDEC編號79-2B的標準中的OCD調(diào)整模式菜單。
圖4為一現(xiàn)有的存儲器系統(tǒng)。
圖5為第一實施例的一存儲器系統(tǒng)。
圖6為OCD狀態(tài)機操作的一流程圖。
500存儲器系統(tǒng)510存儲器控制器
520OCD檢測器530指令產(chǎn)生器540芯片內(nèi)環(huán)境傳感器545動態(tài)傳感器550DDR2 SDRAM560輸出驅(qū)動器570輸出驅(qū)動器590芯片外環(huán)境傳感器具體實施方式
圖5為第一實施例的一存儲器系統(tǒng)。本實施例的存儲器系統(tǒng)500包含一存儲器控制器(memory controller)510、一存儲器裝置550、與一芯片外環(huán)境傳感器(Off-Chip Environment Sensor)590。而DDR2 SDRAM為存儲器裝置550的一個例子，芯片外環(huán)境傳感器590則用來檢測DDR2 SDRAM的操作環(huán)境。存儲器控制器510用于控制DDR2 SDRAM 550，其包含一OCD檢測器(OCDDetector)520、一指令產(chǎn)生器(Command Generator)530、一芯片內(nèi)環(huán)境傳感器(On-Chip Environment Sensor)540、以及一動態(tài)傳感器(ActivitySensor)545。OCD檢測器520用于檢測DDR2 SDRAM 550中的輸出驅(qū)動器560與570的驅(qū)動強度。芯片內(nèi)環(huán)境傳感器540用于檢測存儲器控制器510的操作環(huán)境。動態(tài)傳感器545則用于檢測存儲器控制器510的操作狀態(tài)。由于包含了芯片內(nèi)環(huán)境傳感器540、芯片外環(huán)境傳感器590、與動態(tài)傳感器545，存儲器系統(tǒng)500不僅可在系統(tǒng)初始化的過程中執(zhí)行OCD阻抗的校正程序，甚至在系統(tǒng)初始化的過程結(jié)束后，依舊可視狀況進行OCD阻抗的校正程序。
在系統(tǒng)初始化過程中，本實施例的存儲器控制器510可由指令控制器530發(fā)送EMRS指令給DDR2 SDRAM 550，并利用OCD檢測器520來檢測輸出驅(qū)動器560與570的驅(qū)動強度，以據(jù)以校正DDR2 SDRAM 550的OCD阻抗值。
在系統(tǒng)初始化之后，芯片外環(huán)境傳感器590可用來監(jiān)測DDR2 SDRAM 550的操作環(huán)境(舉例來說，此處所述的操作環(huán)境指的可以是操作電壓及/或操作溫度)。借著檢測DDR2 SDRAM 550的操作電壓及/或操作溫度，可以判定是否有重新校正DDR2 SDRAM 550的OCD阻抗的需求。更明確地說，當(dāng)芯片外環(huán)境傳感器590檢測到的操作環(huán)境符合一第一條件(該第一條件為可程控的)時，可判定確實有重新校正DDR2 SDRAM 550的OCD阻抗的需求，舉例來說，前述可程控的第一條件可以是“DDR2 SDRAM 550的溫度高于一閥值”。而環(huán)形振蕩器為可用以實現(xiàn)芯片外環(huán)境傳感器590的電路組件的一個例子，DDR2 SDRAM 550的操作環(huán)境可由環(huán)形振蕩器的振蕩頻率來判定。
由于DDR2 SDRAM 550的運作直接受到其操作環(huán)境的影響，將芯片外環(huán)境傳感器590設(shè)置于DDR2 SDRAM 550的附近，將能確保芯片外環(huán)境傳感器590可準確地檢測出DDR2 SDRAM 550的操作環(huán)境的變化，以據(jù)以判定是否需要對DDR2 SDRAM 550進行OCD阻抗的校正程序。
但芯片外環(huán)境傳感器590需使用額外的輸入/輸出(I/O)接腳來將檢測結(jié)果回報給存儲器控制器510，此點可能會導(dǎo)致硬件成本的增加。對于本來就包含有外部總線(例如I2C總線)的系統(tǒng)，芯片外環(huán)境傳感器590則可直接利用外部總線來與存儲器控制器510進行聯(lián)系，此時系統(tǒng)即可不用包含額外的輸入/輸出接腳。
相似地，在系統(tǒng)初始化之后，芯片內(nèi)環(huán)境傳感器540持續(xù)監(jiān)測存儲器控制器510的操作環(huán)境，舉例來說，此處所述的操作環(huán)境可包含有存儲器控制器510的操作電壓及/或操作溫度。雖然芯片內(nèi)環(huán)境傳感器540檢測到的是存儲器控制器510的操作環(huán)境，而非DDR2 SDRAM 550的操作環(huán)境，然而，芯片內(nèi)環(huán)境傳感器540的檢測結(jié)果在某種程度上依舊可以反應(yīng)出DDR2 SDRAM550的操作環(huán)境。因此，由檢測存儲器控制器510的操作電壓及/或操作溫度，存儲器控制器510可以推論出是否有對DDR2 SDRAM 550的OCD阻抗值進行重新校正的需求。更明確地說，當(dāng)芯片內(nèi)環(huán)境傳感器540檢測到的操作環(huán)境符合一第一條件(該第一條件為可程控的)時，可判定確實有重新校正DDR2SDRAM 550的OCD阻抗的需求，舉例來說，前述可程控的第一條件可以是“存儲器控制器510的溫度高于一閥值”。而環(huán)形振蕩器為可用以實現(xiàn)芯片內(nèi)環(huán)境傳感器540的電路組件的一個例子，存儲器控制器510的操作環(huán)境可由環(huán)形振蕩器的振蕩頻率來判定。
因為同時包含有芯片外環(huán)境傳感器590以及芯片內(nèi)環(huán)境傳感器540，故存儲器控制器510可依據(jù)此二者的檢測結(jié)果來判斷DDR2 SDRAM 550的OCD阻抗是否有重新校正的需要。舉例來說，若芯片內(nèi)環(huán)境傳感器540檢測到的操作環(huán)境符合一可程控條件及/或芯片外環(huán)境傳感器590檢測到的操作環(huán)境符合另一可程控條件，存儲器控制器510將可判定確實有重新校正DDR2SDRAM 550的OCD阻抗的需求。
雖然前述實施例中的存儲器系統(tǒng)500同時包含芯片內(nèi)環(huán)境傳感器540與芯片外環(huán)境傳感器590，但在其它的實施例中，存儲器系統(tǒng)也可以僅包含有芯片內(nèi)環(huán)境傳感器與芯片外環(huán)境傳感器此二者中的一者。
動態(tài)傳感器545用于檢測存儲器控制器510的操作狀態(tài)，而存儲器控制器510的操作狀態(tài)則與DDR2 SDRAM 550的操作狀態(tài)息息相關(guān)。明確地說，動態(tài)傳感器545由檢測存儲器控制器510的操作狀態(tài)，來判斷是否可對輸出驅(qū)動器560與570的OCD阻抗進行重新校正，當(dāng)動態(tài)傳感器545檢測到的操作狀態(tài)符合一可程控條件時(例如動態(tài)傳感器545檢測到存儲器控制器510處于一閑置狀態(tài))，則表示此時可以對DDR2 SDRAM 550的OCD阻抗進行重新校正；當(dāng)動態(tài)傳感器545檢測到的操作狀態(tài)不符合該可程控條件時，則表示DDR2 SDRAM 550可能處于操作狀態(tài)，故此時并不能對OCD阻抗進行重新校正。
芯片內(nèi)環(huán)境傳感器540、芯片外環(huán)境傳感器590、與動態(tài)傳感器545所檢測到的結(jié)果都會被傳送至指令產(chǎn)生器530。指令產(chǎn)生器530可另包含有一OCD狀態(tài)機(state machine)，用來控制指令產(chǎn)生器530在系統(tǒng)初始化過程中進行OCD校正程序，以及控制指令產(chǎn)生器530在系統(tǒng)初始化過程結(jié)束后，重新進行OCD校正程序。
在系統(tǒng)初始化結(jié)束之后，該OCD狀態(tài)機會依據(jù)芯片內(nèi)環(huán)境傳感器540與芯片外環(huán)境傳感器590的檢測結(jié)果來判斷是否有重新校正OCD阻抗的需求，若芯片內(nèi)環(huán)境傳感器540與芯片外環(huán)境傳感器590的檢測結(jié)果都符合相對應(yīng)的校正條件，則該OCD狀態(tài)機將判定DDR2 SDRAM 550是需要重新校正的。若判定DDR2 SDRAM 550尚不需重新校正，則該OCD狀態(tài)機將持續(xù)監(jiān)控由芯片內(nèi)環(huán)境傳感器540與芯片外傳感器590所回報的檢測結(jié)果。
若該OCD狀態(tài)機判斷出確實有重新校正OCD阻抗的需求，則其會再進一步根據(jù)動態(tài)傳感器545的檢測結(jié)果來判定是否可執(zhí)行重新校正程序。明確地說，若動態(tài)傳感器545的檢測結(jié)果符合相對應(yīng)的條件(例如在動態(tài)傳感器545檢測到存儲器控制器510處于閑置狀態(tài)時)，該OCD狀態(tài)機將認定此時可以對DDR2 SDRAM 550進行重新校正，并控制指令產(chǎn)生器530重新進行校正程序，若動態(tài)傳感器545的檢測結(jié)果不符合相對應(yīng)的條件，則表示DDR2 SDRAM550并非處于閑置狀態(tài)，故此時并不能控制指令產(chǎn)生器530重新進行校正程序，該OCD狀態(tài)機構(gòu)將持續(xù)監(jiān)控動態(tài)傳感器545所回報的檢測結(jié)果，直到檢測結(jié)果顯示可以對DDR2 SDRAM 550進行重新校正為止。
圖6為該OCD狀態(tài)機運作時的一流程圖。在系統(tǒng)開始運作時，該OCD狀態(tài)機控制指令產(chǎn)生器530執(zhí)行如圖1所示的OCD校正程序。而在校正程序完成之后，DDR2 SDRAM 550的OCD阻抗將會暫時性處于最佳化的狀態(tài)。接下來，OCD狀態(tài)機會持續(xù)追蹤芯片內(nèi)環(huán)境傳感器540與芯片外環(huán)境傳感器590所回報的檢測結(jié)果，并且依據(jù)芯片內(nèi)環(huán)境傳感器540與芯片外環(huán)境傳感器590所回報的檢測結(jié)果來判定是否需對DDR2 SDRAM 550進行重新校正。若有判斷出有對DDR2 SDRAM 550進行重新校正的需求，該OCD狀態(tài)機將持續(xù)監(jiān)控該動態(tài)傳感器545所回報的檢測結(jié)果，并依據(jù)動態(tài)傳感器545所回報的檢測結(jié)果來判斷是否可以對DDR2 SDRAM 550進行重新校正。若存儲器控制器510與DDR2 SDRAM 550都處于閑置狀態(tài)，則表示可以對DDR2 SDRAM 550進行重新校正，此時該OCD狀態(tài)機將控制指令產(chǎn)生器530進行重新校正程序，而指令產(chǎn)生器530則會依照圖1所示的流程來重新校正DDR2 SDRAM 550的OCD阻抗。
雖然在本實施例使用一DDR2 SDRAM來作為存儲器裝置550的例子，但本發(fā)明的概念與方法也可應(yīng)用于其它類型的存儲器所構(gòu)成的存儲器系統(tǒng)中。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，凡依本發(fā)明的權(quán)利要求所做的均等變化與修飾，都應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種用于控制一存儲器裝置的存儲器控制器，其特征在于，所述控制器包含有一第一傳感器，用于檢測所述存儲器控制器的操作環(huán)境；一第二傳感器，用于檢測所述存儲器控制器的操作狀態(tài)；以及一指令產(chǎn)生器，耦接所述第一傳感器、所述第二傳感器與所述存儲器裝置，用來在所述第一傳感器檢測到的操作環(huán)境符合一第一條件且所述第二傳感器檢測到的操作狀態(tài)符合一第二條件時，發(fā)送指令至所述存儲器裝置以校正所述存儲器裝置。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲器控制器，其特征在于，所述第一傳感器包含一環(huán)形振蕩器。
3.如權(quán)利要求2所述的存儲器控制器，其特征在于，所述第一傳感器根據(jù)所述環(huán)形振蕩器的振蕩頻率來判斷其所檢測到的操作環(huán)境是否符合所述第一條件。
4.如權(quán)利要求1所述的存儲器控制器，其特征在于，在所述第二傳感器檢測到的操作狀態(tài)符合閑置狀態(tài)時，所述指令產(chǎn)生器判定所述操作狀態(tài)符合所述第二條件。
5.如權(quán)利要求1所述的存儲器控制器，其特征在于，所述存儲器裝置為一第二代雙倍數(shù)據(jù)率動態(tài)隨機存取存儲器。
6.如權(quán)利要求5所述的存儲器控制器，其特征在于，若所述第一傳感器檢測到的操作環(huán)境符合所述第一條件且所述第二傳感器檢測到的操作狀態(tài)符合所述第二條件，則所述指令產(chǎn)生器發(fā)送延伸模式緩存器設(shè)置指令給所述第二代雙倍數(shù)據(jù)率動態(tài)隨機存取存儲器以校正所述第二代雙倍數(shù)據(jù)率動態(tài)隨機存取存儲器的芯片外驅(qū)動器阻抗值。
7.一種用于控制一存儲器裝置的裝置，其特征在于，所述裝置包含有一第一傳感器，用于檢測所述存儲器裝置的操作環(huán)境；一存儲器控制器，耦接所述第一傳感器與所述存儲器裝置，其包含有一第二傳感器，用于檢測所述存儲器控制器的操作狀態(tài)；以及一指令產(chǎn)生器，耦接所述第一傳感器、所述第二傳感器與所述存儲器裝置，用來在所述第一傳感器檢測到的操作環(huán)境符合一第一條件且所述第二傳感器檢測到的操作狀態(tài)符合一第二條件時，發(fā)送指令給所述存儲器裝置以校正所述存儲器裝置。
8.如權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述第一傳感器包含一環(huán)形振蕩器。
9.如權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，所述第一傳感器根據(jù)所述環(huán)形振蕩器的振蕩頻率來決定其所檢測到的操作環(huán)境是否符合所述第一條件。
10.如權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，當(dāng)所述第二傳感器檢測到的操作狀態(tài)處于閑置狀態(tài)，所述指令產(chǎn)生器判定所述操作狀態(tài)符合所述第二條件。
11.如權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述存儲器裝置為一第二代雙倍數(shù)據(jù)率動態(tài)隨機存取存儲器。
12.如權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于，若所述第一傳感器檢測到的操作環(huán)境符合所述第一條件且所述第二傳感器檢測到的操作狀態(tài)符合所述第二條件，則所述指令產(chǎn)生器發(fā)送EMRS指令至所述第二代雙倍數(shù)據(jù)率動態(tài)隨機存取存儲器以校正所述第二代雙倍數(shù)據(jù)率動態(tài)隨機存取存儲器的芯片外驅(qū)動器阻抗值。
13.一種校正一存儲器裝置的方法，所述存儲器裝置受一存儲器控制器所控制，其特征在于，所述方法包含有檢測所述存儲器控制器的操作環(huán)境；檢測所述存儲器控制器的操作狀態(tài)；判定檢測到的操作環(huán)境是否符合一第一條件，以及判定檢測到的操作狀態(tài)是否符合一第二條件；以及在所述操作環(huán)境符合所述第一條件且所述操作狀態(tài)符合所述第二條件的狀況下，發(fā)送指令至所述存儲器裝置以校正所述存儲器裝置。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述存儲器裝置為一第二代雙倍數(shù)據(jù)率動態(tài)隨機存取存儲器。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，發(fā)送指令至所述存儲器裝置以校正所述存儲器裝置的步驟包含有發(fā)送EMRS指令至所述第二代雙倍數(shù)據(jù)率動態(tài)隨機存取存儲器以調(diào)整所述第二代雙倍數(shù)據(jù)率動態(tài)隨機存取存儲器的芯片外驅(qū)動器阻抗值。
16.一種校正一存儲器裝置的方法，其特征在于，所述方法包含有檢測所述存儲器裝置的操作環(huán)境；檢測所述存儲器裝置的操作狀態(tài)；判定檢測到的操作環(huán)境是否符合一第一條件，以及判定檢測到的操作狀態(tài)是否符合一第二條件；以及在所述操作環(huán)境符合所述第一條件且所述操作狀態(tài)符合所述第二條件的狀況下，發(fā)送指令至所述存儲器裝置以校正所述存儲器裝置。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述存儲器裝置為一第二代雙倍數(shù)據(jù)率動態(tài)隨機存取存儲器。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，發(fā)送指令至所述存儲器裝置以校正所述存儲器裝置的步驟包含有發(fā)送EMRS指令至所述第二代雙倍數(shù)據(jù)率動態(tài)隨機存取存儲器以調(diào)整所述第二代雙倍數(shù)據(jù)率動態(tài)隨機存取存儲器的芯片外驅(qū)動器阻抗值。
全文摘要
本發(fā)明提供一種校正存儲器裝置的方法及其相關(guān)的裝置，該裝置包含一第一傳感器、一第二傳感器與一指令產(chǎn)生器。該第一傳感器用于檢測該存儲器控制器的操作環(huán)境。該第二傳感器用于檢測該存儲器控制器的操作狀態(tài)。該指令產(chǎn)生器連接于該第一傳感器、該第二傳感器與該存儲器裝置，用來在該第一傳感器檢測到的操作環(huán)境符合一第一條件且該第二傳感器檢測到的操作狀態(tài)符合一第二條件時，發(fā)送指令至該存儲器裝置以校正該存儲器裝置。本發(fā)明確保存儲器系統(tǒng)在整個操作過程中都能維持最佳的運作狀況，使得存儲器系統(tǒng)變得穩(wěn)定。
文檔編號G11C29/00GK101047021SQ20071009151
公開日2007年10月3日 申請日期2007年3月26日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月30日
發(fā)明者黃祥毅 申請人:聯(lián)發(fā)科技股份有限公司