專利名稱：帶電壓轉(zhuǎn)換器的存儲(chǔ)卡的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種存儲(chǔ)卡，特別是指一種帶電壓轉(zhuǎn)換器、可支持兩種電壓的SD/MMC存儲(chǔ)卡。
背景技術(shù)：
普通的兼容SD和MMC規(guī)范的存儲(chǔ)卡一般由以下幾部分組成(1)卡界面單元；(2)存儲(chǔ)控制器；(3)存儲(chǔ)模塊(Flash Memory Module)。
存儲(chǔ)模塊采用可擦寫、非易失的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，如閃存器件(FlashMemory)，電可擦寫只讀存儲(chǔ)器EEPROM(Electrically Erasable andProgrammable Read-Only Memory)等，用于接收和儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。
存儲(chǔ)控制器和卡界面單元一起，完成數(shù)據(jù)的傳送和配置、狀態(tài)的報(bào)告、SD/MMC的界面功能及其兼容性，同時(shí)也完成對(duì)存儲(chǔ)模塊的操作，如讀、寫、擦和備份的命令。
SD/MMC規(guī)范現(xiàn)廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域，如數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)和游戲機(jī)等。SD/MMC規(guī)范中支持主機(jī)(Host)可用兩種不同的界面去訪問SD/MMC存儲(chǔ)卡1.8V或3.3V。為滿足功耗和數(shù)據(jù)傳送速度等不同的要求，有些主機(jī)會(huì)采用1.8V界面，而有些主機(jī)會(huì)采用3.3V界面。由此相應(yīng)地對(duì)存儲(chǔ)器件也提出了更高的要求，即不能僅局限于單電壓的應(yīng)用，而需要兼容1.8V和3.3V這兩種電壓。
目前市場(chǎng)上尚未有兼容兩種電壓的存儲(chǔ)器件。以最常用的FlashMemory為例，3.3V的Flash Memory只能工作在3.3V左右，而1.8V的Flash Memory只能工作在1.8V左右。所以，如果不在SD/MMC存儲(chǔ)卡加入低電壓到高電壓的電壓轉(zhuǎn)換器，以單電壓的Flash Memory為存儲(chǔ)器件的SD/MMC存儲(chǔ)卡將不能滿足規(guī)范中同時(shí)支持兩種電壓的要求，這在市場(chǎng)應(yīng)用領(lǐng)域上會(huì)有很大的局限性。

發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型提供了一種帶電壓轉(zhuǎn)換器的存儲(chǔ)卡，該存儲(chǔ)卡實(shí)現(xiàn)了同時(shí)支持SD/MMC規(guī)范兩種電壓的要求。
一種帶電壓轉(zhuǎn)換器的存儲(chǔ)卡，包括界面單元、存儲(chǔ)控制器和存儲(chǔ)模塊，界面單元一端用于與主機(jī)通訊，另一端連接存儲(chǔ)控制器，存儲(chǔ)控制器與存儲(chǔ)模塊通過總線進(jìn)行通訊，所述的存儲(chǔ)卡內(nèi)設(shè)有電壓轉(zhuǎn)換器，電壓轉(zhuǎn)換器一端連接1.8V電壓，另一端連接存儲(chǔ)模塊。
所述的界面單元采用SD/MMC界面連接器或金手指。
所述的存儲(chǔ)模塊可采用一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器件。
所述的存儲(chǔ)器件可采用可擦寫、非易失的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。
所述的電壓轉(zhuǎn)換器可以是電荷泵、步進(jìn)的DC/DC轉(zhuǎn)換器或推進(jìn)轉(zhuǎn)換器。
本實(shí)用新型通過在原有存儲(chǔ)卡中接入一個(gè)可將低電壓轉(zhuǎn)換成高電壓的電壓轉(zhuǎn)換器，使得該存儲(chǔ)卡能支持雙電壓的SD/MMC規(guī)范，為以單電壓的Flash Memory為存儲(chǔ)器件的SD/MMC存儲(chǔ)卡支持雙電壓提出了一種解決方案。


圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意框圖。
具體實(shí)施方式
如圖1所示，一種帶電壓轉(zhuǎn)換器的存儲(chǔ)卡，包括界面單元1、存儲(chǔ)控制器2、存儲(chǔ)模塊3和電壓轉(zhuǎn)換器4。
界面單元1可采用SD/MMC界面連接器或金手指，其一端與主機(jī)5連接，另一端連接存儲(chǔ)控制器2，主機(jī)通過該界面單元向存儲(chǔ)卡提供1.8V或3.3V電壓。
存儲(chǔ)控制器2與存儲(chǔ)模塊3通過總線進(jìn)行通訊，存儲(chǔ)控制器2和界面單元1一起，完成數(shù)據(jù)的傳送和配置、狀態(tài)的報(bào)告、SD/MMC的界面功能及兼容性，同時(shí)也完成對(duì)存儲(chǔ)模塊3的操作，如讀、寫、擦和備份等的命令。
存儲(chǔ)模塊3可采用一個(gè)或多個(gè)可擦寫、非易失的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，用于接收和存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
電壓轉(zhuǎn)換器4一端連接1.8V電壓，另一端連接存儲(chǔ)模塊3，可采用電荷泵(Charge Pump)、步進(jìn)的DC/DC轉(zhuǎn)換器(A Step-Up DC/DC Converter)或推進(jìn)轉(zhuǎn)換器(Boost Converter)實(shí)現(xiàn)；電壓轉(zhuǎn)換器4可將1.60V-1.85V的低電壓轉(zhuǎn)換到3.0V-3.6V的高電壓，從而將主機(jī)提供給存儲(chǔ)卡的低電壓提升到存儲(chǔ)模塊3所要求的電壓水平。
權(quán)利要求1.一種帶電壓轉(zhuǎn)換器的存儲(chǔ)卡，包括界面單元(1)、存儲(chǔ)控制器(2)和存儲(chǔ)模塊(3)，界面單元(1)一端用于連接主機(jī)，另一端連接存儲(chǔ)控制器(2)，存儲(chǔ)控制器(2)與存儲(chǔ)模塊(3)通過總線進(jìn)行通訊，其特征在于所述的存儲(chǔ)卡內(nèi)設(shè)有電壓轉(zhuǎn)換器(4)，電壓轉(zhuǎn)換器(4)一端接1.8V電壓，另一端連接存儲(chǔ)模塊(3)。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)卡，其特征在于所述的界面單元(1)采用SD/MMC界面連接器或金手指。
3.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)卡，其特征在于所述的存儲(chǔ)模塊(3)可采用一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器件。
4.如權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)卡，其特征在于所述的存儲(chǔ)器件可采用可擦寫、非易失的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。
5.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)卡，其特征在于所述的電壓轉(zhuǎn)換器(4)可以是電荷泵、步進(jìn)的DC/DC轉(zhuǎn)換器或推進(jìn)轉(zhuǎn)換器。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種帶電壓轉(zhuǎn)換器的存儲(chǔ)卡，包括界面單元、存儲(chǔ)控制器和存儲(chǔ)模塊，界面單元一端用于連接主機(jī)，另一端連接存儲(chǔ)控制器，存儲(chǔ)控制器與存儲(chǔ)模塊通過總線進(jìn)行通訊，存儲(chǔ)卡內(nèi)設(shè)有電壓轉(zhuǎn)換器，電壓轉(zhuǎn)換器一端連接1.8V電壓，另一端連接存儲(chǔ)模塊。本實(shí)用新型通過在原有存儲(chǔ)卡中接入一個(gè)可將低電壓轉(zhuǎn)換成高電壓的電壓轉(zhuǎn)換器，使得該存儲(chǔ)卡能支持雙電壓的SD/MMC規(guī)范，為以單電壓的Flash Memory為存儲(chǔ)器件的SD/MMC存儲(chǔ)卡支持雙電壓提出了一種解決方案。
文檔編號(hào)G11C5/14GK2859750SQ20062010054
公開日2007年1月17日 申請(qǐng)日期2006年1月20日 優(yōu)先權(quán)日2006年1月20日
發(fā)明者駱建軍, 楚傳仁 申請(qǐng)人:駱建軍, 楚傳仁