專利名稱：減小存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元，特別涉及減小存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂的方法。
背景技術(shù)：
非易失性(non-volatile)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器由包括字線和位線的存儲(chǔ)單元陣列 構(gòu)成，通常場(chǎng)效應(yīng)晶體管是存儲(chǔ)單元的基本組成單元。字線連接晶體管的柵 極，而位線連接晶體管的漏極。通過(guò)打開(kāi)某一字線和位線，就能對(duì)于選定的 存儲(chǔ)單元(selected cell)進(jìn)行寫(xiě)入操作。在實(shí)際應(yīng)用中發(fā)現(xiàn)，當(dāng)對(duì)于某一選 定的存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作時(shí)，其相鄰的受同一字線控制的存儲(chǔ)單元可能也 會(huì)產(chǎn)生寫(xiě)入操作。這種現(xiàn)象被稱為"寫(xiě)入擾亂"。
美國(guó)專利號(hào)為6469933的發(fā)明公開(kāi)了一種減小存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂的方法。 對(duì)于共用字線的相鄰存儲(chǔ)單元，當(dāng)存儲(chǔ)單元陣列開(kāi)始進(jìn)行寫(xiě)入操作時(shí)，通過(guò) 對(duì)于需要進(jìn)行寫(xiě)入操作的存儲(chǔ)單元上的位線加接地電壓，而對(duì)于相鄰的不需 要進(jìn)行寫(xiě)入操作的存儲(chǔ)單元上的位線加高電壓，從而形成互補(bǔ)位線以減小寫(xiě) 入擾亂的影響。這種方法的本質(zhì)是從對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作的過(guò)程進(jìn)行控 制這一角度來(lái)減小寫(xiě)入擾亂，因此不僅要控制需要進(jìn)行寫(xiě)入操作的存儲(chǔ)單元 上的位線電壓，還要額外控制相鄰的不需要進(jìn)行寫(xiě)入操作的存儲(chǔ)單元上的位 線電壓，所以操作不方便。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問(wèn)題是解決現(xiàn)有技術(shù)中減小存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂操作需要進(jìn) 行控制的地方較多，操作不方便的問(wèn)題。
為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種減小存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂的方法，包括 以下步驟
尋找能保證存儲(chǔ)單元正常寫(xiě)入的初始寫(xiě)入條件；
挑選初始寫(xiě)入條件中的 一個(gè)參數(shù)作為寫(xiě)入擾亂測(cè)試的變量；
至少針對(duì)該變量的兩個(gè)變量值，對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入擾亂測(cè)試；
根據(jù)寫(xiě)入擾亂測(cè)試結(jié)果，得到使存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂最小的最小擾亂寫(xiě)入 條件；
應(yīng)用得到的最小擾亂寫(xiě)入條件作為存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作時(shí)的寫(xiě)入條件。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)通過(guò)寫(xiě)入擾亂測(cè)試得到使存儲(chǔ) 單元寫(xiě)入擾亂最小的最小擾亂寫(xiě)入條件并應(yīng)用于存儲(chǔ)單元的寫(xiě)入操作，從而 在保證存儲(chǔ)單元能夠正常寫(xiě)入的基礎(chǔ)上，使寫(xiě)入擾亂最小，并且在對(duì)存儲(chǔ)單 元進(jìn)行寫(xiě)入操作的時(shí)候不必再進(jìn)行額外控制，因而操作方便。


圖1是本發(fā)明減小存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂的方法尋找能保證存儲(chǔ)單元正常寫(xiě) 入的結(jié)果柱狀圖2是本發(fā)明減小存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂的方法測(cè)試源極電壓與寫(xiě)入擾亂的 關(guān)系的結(jié)果柱狀圖3是本發(fā)明減小存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂的方法測(cè)試基極電壓與寫(xiě)入擾亂的 關(guān)系的結(jié)果線狀圖4是本發(fā)明減小存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂的方法流程圖5是尋找能保證存儲(chǔ)單元正常寫(xiě)入的初始寫(xiě)入條件的方法流程圖6是寫(xiě)入擾亂測(cè)試流程圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明減小存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂的方法通過(guò)寫(xiě)入擾亂測(cè)試得到使存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂最小的最小擾亂寫(xiě)入條件并應(yīng)用于存儲(chǔ)單元的寫(xiě)入操作中，從而使 存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作時(shí)的寫(xiě)入擾亂最小。本發(fā)明減小存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂的
方法包括以下步驟
步驟sl,尋找能保證存儲(chǔ)單元正常寫(xiě)入的初始寫(xiě)入條件；
步驟s2，挑選初始寫(xiě)入條件中的一個(gè)參數(shù)作為寫(xiě)入擾亂測(cè)試的變量；
步驟s3,至少針對(duì)該變量的兩個(gè)變量值，對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入擾亂測(cè)試；
步驟s4,根據(jù)寫(xiě)入擾亂測(cè)試結(jié)果，得到使存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂最小的最小
擾亂寫(xiě)入條件；
步驟s5,應(yīng)用得到的最小擾亂寫(xiě)入條件作為存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作時(shí)的 寫(xiě)入條件。
所述尋找能保證存儲(chǔ)單元正常寫(xiě)入的初始寫(xiě)入條件的步驟包括，
步驟sll,測(cè)量存儲(chǔ)單元中晶體管的閾值電壓初始值；
步驟s12， 保持存儲(chǔ)單元中晶體管的源極和基極接地，對(duì)存儲(chǔ)單元中晶 體管的柵極施加電壓值為IOV的電壓，設(shè)定漏極電壓對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操
作；
步驟sl3,再次測(cè)量存儲(chǔ)單元中晶體管的閾值電壓；
步驟sl4，判斷存儲(chǔ)單元中晶體管的閾值電壓差值是否大于對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)單 元中晶體管規(guī)格的標(biāo)稱值；
步驟sl5，如閾值電壓差值小于標(biāo)稱值，則設(shè)定的漏極電壓值不能夠使存 儲(chǔ)單元正常寫(xiě)入，對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除操作，使存儲(chǔ)單元中晶體管的閾值電 壓降到初始值，返回步驟sl2;
步驟sl6，如閾值電壓差值達(dá)到標(biāo)稱值，則設(shè)定的漏極電壓值能夠使存儲(chǔ) 單元正常寫(xiě)入，對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除操作，使存儲(chǔ)單元中晶體管的閾值電壓 降到初始值；
步驟s17,記錄使存儲(chǔ)單元能夠正常寫(xiě)入的漏極電壓至少2個(gè)以及源極、基極和柵極的電壓，作為初始寫(xiě)入條件。
所述標(biāo)稱值是2.5V。
所述的使存儲(chǔ)單元能夠正常寫(xiě)入時(shí)的漏極電壓是3.6V、 3.8V、 4.0V、 4.2V 和4.4V。
所述的初始寫(xiě)入條件是存儲(chǔ)單元中晶體管的源極和基極接地，柵極施加1OV的電壓，漏才及施加3.6V、 3.8V、 4.0V、 4.2V和4.4V的電壓。 所述的寫(xiě)入擾亂測(cè)試包括以下步驟，
步驟s41,取所挑選的變量的一個(gè)值，保持初始寫(xiě)入條件中的其他參數(shù)的值不變，對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作；
步驟s42,測(cè)量并記錄寫(xiě)入擾亂；
步驟s43,判斷是否還有未取的變量值； 若還有未取的變量值，則返回步驟s41;
若沒(méi)有未取的變量值，則寫(xiě)入擾亂測(cè)試完成。
所述的最小擾亂寫(xiě)入條件是分別使得存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂最小的各個(gè)寫(xiě)入 條件參數(shù)的對(duì)應(yīng)值的集合。
所述挑選初始寫(xiě)入條件中的一個(gè)參數(shù)作為變量是挑選源極電壓或基極電 壓作為變量。
所述源極電壓設(shè)斷開(kāi)、IV、 L5V和2V四個(gè)值；所述基極電壓設(shè)-lV、 OV 和1V三個(gè)值。
下面通過(guò)具體的操作過(guò)程來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明減小存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂的方 法，如圖4所示
第一步，尋找能保證存儲(chǔ)單元正常寫(xiě)入的初始寫(xiě)入條件，如圖5所示
首先，測(cè)量存儲(chǔ)單元中晶體管的閾值電壓初始值；
接著，保持存儲(chǔ)單元中晶體管的源極和基極接地，對(duì)存儲(chǔ)單元中晶體管的柵極施加電壓值為IOV的電壓，設(shè)定漏極電壓為3.6V對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入 操作；
當(dāng)寫(xiě)入操作完成后，再次測(cè)量存儲(chǔ)單元的閾值電壓；
將再次測(cè)量的閾值電壓值減去測(cè)得的閾值電壓初始值得到閾值電壓差 值，判斷閾值電壓差值是否大于2.5V;
如圖1所示，當(dāng)漏才及電壓為3.6V時(shí)，對(duì)應(yīng)的閾值電壓差值達(dá)到了 2.5V， 說(shuō)明漏極電壓為3.6V時(shí)存儲(chǔ)單元能夠正常寫(xiě)入，對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除操作， 使存儲(chǔ)單元的閾值電壓降到初始值，這樣做的目的是保證后續(xù)的寫(xiě)入操作是 在存儲(chǔ)單元的同一電壓狀態(tài)上進(jìn)行的，提高測(cè)量的精確度；
接下來(lái)，仍保持存儲(chǔ)中單元晶體管的源極和基極接地，對(duì)存儲(chǔ)單元中晶 體管的柵極施加電壓值為IOV的電壓，再分別設(shè)定漏極電壓為3.8V、 4.0V、 4.2V和4.4V，對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作，得到如圖1所示的各個(gè)閾值電壓差 值，從圖中可以看到，當(dāng)漏極電壓為3.8V、 4.0V、 4.2V和4.4V時(shí)，存儲(chǔ)單元 都能夠正常寫(xiě)入。然后記錄這5個(gè)漏極電壓值3.6V、 3.8V、 4.0V、 4.2V和4.4V 以及源極、基極接地和柵極的電壓，即將存儲(chǔ)單元中晶體管源極和基極接地， 4冊(cè)才及施力。10V的電壓，漏才及施加3.6V、 3.8V、 4.0V、 4.2V和4.4V的電壓作 為初始寫(xiě)入條件。
第二步，挑選初始寫(xiě)入條件中的源極電壓作為變量；
第三步，設(shè)定源極電壓為斷開(kāi)、IV、 1.5V和2V四個(gè)值，對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn) 行寫(xiě)入擾亂測(cè)試，如圖6所示
首先，取源極電壓值為斷開(kāi)，保持初始寫(xiě)入條件中的其他參數(shù)的值不變， 即將基極接地，對(duì)柵極施加脈沖寬度大于2微秒、電壓值為IOV的電壓，對(duì) 漏極施加脈沖寬度為2微秒，電壓值為3.6V的電壓對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作， 測(cè)量并記錄寫(xiě)入擾亂；接著，只改變漏極電壓，保持源極電壓值為斷開(kāi)，保 持基極接地，保持對(duì)柵極施加脈沖寬度為2微秒、電壓值為10V的電壓，分別對(duì)漏極施加3.8V的電壓對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作，測(cè)量并記錄寫(xiě)入擾亂； 對(duì)漏極施加4.0V的電壓對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作，測(cè)量并記錄寫(xiě)入擾亂；對(duì) 漏極施加4.2V的電壓對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作，測(cè)量并記錄寫(xiě)入擾亂；對(duì)漏 極施加4.4V的電壓對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作，測(cè)量并記錄寫(xiě)入擾亂。其中， 在每一 次改變漏極電壓進(jìn)行寫(xiě)入4乘作之前都要對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行一 次擦除操 作，使存儲(chǔ)單元的閾值電壓降到初始值以保證后續(xù)的寫(xiě)入操作是在存儲(chǔ)單元 的同一電壓狀態(tài)上進(jìn)行的，提高測(cè)量的精確度。
接著，取源極電壓值為IV,保持初始寫(xiě)入條件中的其他參數(shù)的值不變， 即將基極接地，對(duì)柵極施加脈沖寬度大于2微秒、電壓值為IOV的電壓，對(duì) 漏極施加脈沖寬度為2微秒，電壓值為3.6V的電壓對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作， 測(cè)量并記錄寫(xiě)入擾亂；接著，只改變漏極電壓，保持源極電壓值為斷開(kāi)，保 持基極接地，保持對(duì)柵極施加脈沖寬度為2微秒、電壓值為1OV的電壓，分 別對(duì)漏極施加3.8V的電壓對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入才喿作，測(cè)量并記錄寫(xiě)入擾亂； 對(duì)漏極施加4.0V的電壓對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作，測(cè)量并記錄寫(xiě)入擾亂；對(duì) 漏極施加4.2V的電壓對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作，測(cè)量并記錄寫(xiě)入擾亂；對(duì)漏 極施加4.4V的電壓對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作，測(cè)量并記錄寫(xiě)入擾亂。其中， 在每一次改變漏極電壓進(jìn)行寫(xiě)入操作之前都要對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行一次擦除操 作，使存儲(chǔ)單元的闊值電壓降到初始值以保證后續(xù)的寫(xiě)入操作是在存儲(chǔ)單元 的同一電壓狀態(tài)上進(jìn)行的，提高測(cè)量的精確度。
然后，取源極電壓值為1.5V,保持初始寫(xiě)入條件中的其他參數(shù)的值不變， 即將基極接地，對(duì)柵極施加脈沖寬度大于2微秒、電壓值為1OV的電壓，對(duì) 漏極施加脈沖寬度為2微秒，電壓值為3.6V的電壓對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作， 測(cè)量并記錄寫(xiě)入擾亂；接著，只改變漏極電壓，保持源極電壓值為斷開(kāi)，保 持基極接地，保持對(duì)柵極施加脈沖寬度為2微秒、電壓值為1OV的電壓，分 別對(duì)漏極施加3.8V的電壓對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操:作，測(cè)量并記錄寫(xiě)入擾亂；對(duì)漏極施加4.0V的電壓對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作，測(cè)量并記錄寫(xiě)入擾亂；對(duì) 漏極施加4.2V的電壓對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作，測(cè)量并記錄寫(xiě)入擾亂；對(duì)漏 極施加4.4V的電壓對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作，測(cè)量并記錄寫(xiě)入擾亂。其中， 在每 一 次改變漏極電壓進(jìn)行寫(xiě)入操作之前都要對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行一 次擦除搡 作，使存儲(chǔ)單元的閾值電壓降到初始值以保證后續(xù)的寫(xiě)入操作是在存儲(chǔ)單元 的同一電壓狀態(tài)上進(jìn)行的，提高測(cè)量的精確度。
接下來(lái)，取源極電壓值為2V,保持初始寫(xiě)入條件中的其他參數(shù)的值不變， 即將基極接地，對(duì)柵極施加脈沖寬度大于2微秒、電壓值為IOV的電壓，對(duì) 漏極施加脈沖寬度為2微秒，電壓值為3.6V的電壓對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作， 測(cè)量并記錄寫(xiě)入擾亂；接著，只改變漏極電壓，保持源極電壓值為斷開(kāi)，保 持基極接地，保持對(duì)柵極施加脈沖寬度為2微秒、電壓值為IOV的電壓，分 別對(duì)漏極施加3.8V的電壓對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作，測(cè)量并記錄寫(xiě)入擾亂； 對(duì)漏極施加4.0V的電壓對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作，測(cè)量并記錄寫(xiě)入擾亂；對(duì) 漏極施加4.2V的電壓對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作，測(cè)量并記錄寫(xiě)入擾亂；對(duì)漏 極施加4.4V的電壓對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作，測(cè)量并記錄寫(xiě)入擾亂。其中， 在每一次改變漏極電壓進(jìn)行寫(xiě)入操作之前都要對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行一次擦除操 作，使存儲(chǔ)單元的閾值電壓降到初始值以保證后續(xù)的寫(xiě)入操作是在存儲(chǔ)單元 的同一電壓狀態(tài)上進(jìn)行的，提高測(cè)量的精確度。
最后，取源極電壓值為3V,保持初始寫(xiě)入條件中的其他參數(shù)的值不變， 即將基極接地，對(duì)柵極施加脈沖寬度大于2微秒、電壓值為IOV的電壓，對(duì) 漏極施加脈沖寬度為2微秒，電壓值為3.6V的電壓對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作， 測(cè)量并記錄寫(xiě)入擾亂；接著，只改變漏極電壓，保持源極電壓值為斷開(kāi)，保 持基極接地，保持對(duì)柵極施加脈沖寬度為2微秒、電壓值為IOV的電壓，分 別對(duì)漏極施加3.8V的電壓對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入4喿作，測(cè)量并記錄寫(xiě)入擾亂； 對(duì)漏極施加4.0V的電壓對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作，測(cè)量并記錄寫(xiě)入擾亂；對(duì)
漏極施加4.2V的電壓對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作，測(cè)量并記錄寫(xiě)入擾亂；對(duì)漏 極施加4.4V的電壓對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入4喿作，測(cè)量并記錄寫(xiě)入護(hù)L亂。其中， 在每一次改變漏極電壓進(jìn)行寫(xiě)入操作之前都要對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行一次擦除操 作，使存儲(chǔ)單元的閾值電壓降到初始值以保證后續(xù)的寫(xiě)入操作是在存儲(chǔ)單元 的同一電壓狀態(tài)上進(jìn)行的，提高測(cè)量的精確度。
圖2是通過(guò)記錄的寫(xiě)入擾亂繪制的柱狀圖，從圖2中可以看到，寫(xiě)入擾 亂隨著施加于存儲(chǔ)單元中晶體管的漏極上的脈沖電壓的升高而增大，但卻隨 著施加于存儲(chǔ)單元中晶體管的源極上的電壓的升高而逐漸減小，在存儲(chǔ)單元 中晶體管的源極上電壓為2V時(shí)寫(xiě)入擾亂的電壓低于0.5V。但在存儲(chǔ)單元中 晶體管的源極電壓繼續(xù)升高到3V的時(shí)候，相鄰位線的寫(xiě)入擾亂反而變得很 高。因此可以得出結(jié)論，在存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作時(shí)，在其他寫(xiě)入條件參數(shù) 不變的情況下，存儲(chǔ)單元中晶體管的源極電壓是2V的時(shí)候，寫(xiě)入擾亂最小。
接下來(lái)返回到第二步，挑選初始寫(xiě)入條件中的基極電壓作為變量；
設(shè)定基極電壓值為-lV、 0V和1V三個(gè)值；
對(duì)存儲(chǔ)單元再次進(jìn)行寫(xiě)入擾亂測(cè)試
首先，取基極電壓值為-lV,保持初始寫(xiě)入條件中的其他參數(shù)的值不變， 即保持源極接地，對(duì)柵極施加脈沖寬度大于2微秒、電壓值為IOV的電壓， 對(duì)漏極施加脈沖寬度為2微秒，電壓值為3.6V的電壓對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操 作，測(cè)量并記錄寫(xiě)入擾亂；接著，只改變漏極電壓，保持基極電壓值為-lV, 保持源極接地，保持對(duì)柵極施加脈沖寬度為2孩￡秒、電壓值為IOV的電壓， 對(duì)漏極施加3.8V的電壓對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作，測(cè)量并記錄寫(xiě)入擾亂。其 中，在每一次改變漏極電壓進(jìn)行寫(xiě)入操作之前都要對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行一次擦除 操作，使存儲(chǔ)單元的閾值電壓降到初始值以保證后續(xù)的寫(xiě)入操作是在存儲(chǔ)單 元的同一電壓狀態(tài)上進(jìn)行的，提高測(cè)量的精確度。
接著，取基極電壓值為ov，保持初始寫(xiě)入條件中的其他參數(shù)的值不變， 即保持源極接地，對(duì)柵極施加脈沖寬度大于2微秒、電壓值為IOV的電壓， 對(duì)漏極施加脈沖寬度為2孩i秒，電壓值為3.6V的電壓對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操 作，測(cè)量并記錄寫(xiě)入擾亂；接著，只改變漏極電壓，保持基極電壓值為0V， 保持源極接地，保持對(duì)柵極施加脈沖寬度為2微秒、電壓值為IOV的電壓， 對(duì)漏極施加3.8V的電壓對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作，測(cè)量并記錄寫(xiě)入擾亂。其 中，在每一次改變漏極電壓進(jìn)行寫(xiě)入操作之前都要對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行一次擦除 操作，使存儲(chǔ)單元的閾值電壓降到初始值以保證后續(xù)的寫(xiě)入操作是在存儲(chǔ)單 元的同一電壓狀態(tài)上進(jìn)行的，提高測(cè)量的精確度。
最后，取基極電壓值為IV,保持初始寫(xiě)入條件中的其他參數(shù)的值不變， 即保持源極接地，對(duì)柵極施加脈沖寬度大于2微秒、電壓值為IOV的電壓， 對(duì)漏極施加脈沖寬度為2微秒，電壓值為3.6V的電壓對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操 作，測(cè)量并記錄寫(xiě)入擾亂；接著，只改變漏極電壓，保持基極電壓值為IV， 保持源極接地，保持對(duì)柵極施加脈沖寬度為2微秒、電壓值為IOV的電壓， 對(duì)漏極施加3.8V的電壓對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入纟喿作，測(cè)量并記錄寫(xiě)入擾亂。其 中，在每一次改變漏極電壓進(jìn)行寫(xiě)入操作之前都要對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行一次擦除 操作，使存儲(chǔ)單元的閾值電壓降到初始值以保證后續(xù)的寫(xiě)入操作是在存儲(chǔ)單 元的同一電壓狀態(tài)上進(jìn)行的，提高測(cè)量的精確度。
圖3是通過(guò)記錄的寫(xiě)入護(hù)C^W會(huì)制的線狀圖，從圖3中可以看到，隨著施 加于存儲(chǔ)單元中晶體管的漏極上的脈沖電壓的升高，寫(xiě)入擾亂也越來(lái)越大， 而隨著施加于存儲(chǔ)單元中晶體管的基極上的電壓的升高，寫(xiě)入擾亂逐漸減小， 在基極電壓為IV時(shí)，寫(xiě)入擾亂低于2.4V。因此，可以得出結(jié)論，在存儲(chǔ)單 元中晶體管進(jìn)行寫(xiě)入操作時(shí)，在其他寫(xiě)入條件參數(shù)不變的情況下，存儲(chǔ)單元 中晶體管的基極電壓為1V的時(shí)候，在存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作的時(shí)候，寫(xiě)入擾 亂最小。
第四步，綜合上述數(shù)據(jù)結(jié)杲，在對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入搡作時(shí)，在存儲(chǔ)單
元中晶體管的源極施加2V的電壓，在存儲(chǔ)單元中晶體管的基極施加IV的電 壓，能夠使得寫(xiě)入擾亂最小，因此設(shè)定源極施加2V電壓，基極施加IV電壓 為最小擾亂寫(xiě)入條件。
第五步，在對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作時(shí)，設(shè)定源極電壓施加2電壓，基 極電壓施加IV電壓。
綜上所述，本發(fā)明減小存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂的方法通過(guò)寫(xiě)入擾亂測(cè)試得到 使存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂最小的最小擾亂寫(xiě)入條件，并應(yīng)用于存儲(chǔ)單元的寫(xiě)入操 作，從而在保證存儲(chǔ)單元能夠正常寫(xiě)入的基礎(chǔ)上，使寫(xiě)入擾亂最小，并且在 對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作的時(shí)候不必再進(jìn)行額外的控制，因而操作方便。
權(quán)利要求
1. 一種減小存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂的方法，其特征在于，包括下列步驟，(1)尋找能保證存儲(chǔ)單元正常寫(xiě)入的初始寫(xiě)入條件；(2)挑選初始寫(xiě)入條件中的一個(gè)參數(shù)作為寫(xiě)入擾亂測(cè)試的變量；(3)至少針對(duì)該變量的兩個(gè)變量值，對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入擾亂測(cè)試；(4)根據(jù)寫(xiě)入擾亂測(cè)試結(jié)果，得到使存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂最小的最小擾亂寫(xiě)入條件；(5)應(yīng)用得到的最小擾亂寫(xiě)入條件作為存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作時(shí)的寫(xiě)入條件。
2. 如權(quán)利要求1所述的減小存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂的方法，其特征在于，所述尋 找能保證存儲(chǔ)單元正常寫(xiě)入的初始寫(xiě)入條件的步驟包括，(11) 測(cè)量存儲(chǔ)單元中晶體管的閾值電壓初始值；(12) 保持存儲(chǔ)單元中晶體管的源極和基極接地，對(duì)存儲(chǔ)單元中晶體管的柵 極施加電壓值為IOV的電壓，設(shè)定漏極電壓對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作；(13) 再次測(cè)量存儲(chǔ)單元中晶體管的閾值電壓；(14) 判斷存儲(chǔ)單元中晶體管的閾值電壓差值是否大于對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)單元中 晶體管規(guī)格的標(biāo)稱值；(15) 如閾值電壓差值小于標(biāo)稱值，則設(shè)定的漏極電壓值不能夠使存儲(chǔ)單元 正常寫(xiě)入，對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除操作，使存儲(chǔ)單元中晶體管的閾值電壓降到 初始值，返回步驟(12);(16) 如閾值電壓差值達(dá)到標(biāo)稱值，則設(shè)定的漏極電壓值能夠使存儲(chǔ)單元正 常寫(xiě)入，對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除操作，使存儲(chǔ)單元中晶體管的閾值電壓降到初 始值；(17) 記錄使存儲(chǔ)單元能夠正常寫(xiě)入的漏才及電壓至少2個(gè)以及源極、基極和 柵極的電壓，作為初始寫(xiě)入條件。
3. 如權(quán)利要求2所述的減小存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂的方法，其特征在于，所述標(biāo)稱值是2.5V。
4. 如權(quán)利要求2所述的減小存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂的方法，其特征在于，所述的 使存儲(chǔ)單元能夠正常寫(xiě)入時(shí)的漏極電壓是3.6V、 3.8V、 4.0V、 4.2V和4.4V。
5. 如權(quán)利要求2所述的減小存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂的方法，其特征在于，所述的 初始寫(xiě)入條件是存儲(chǔ)單元中晶體管的源才及和基才及接地，柵極施加10V的電壓， 漏才及施力口3.6V、 3.8V、 4.0V、 4.2V和4.4V的電壓。
6. 如權(quán)利要求1所述的減小存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂的方法，其特征在于，所述的 寫(xiě)入擾亂測(cè)試包括以下步驟，(31) 取所述變量的一個(gè)值，保持初始寫(xiě)入條件中的其他參數(shù)的值不變，對(duì)存儲(chǔ) 單元進(jìn)行寫(xiě)入操作；(32) 測(cè)量并記錄寫(xiě)入4^亂；(33) 判斷是否還有未取的變量值； 若還有未取的變量值，則返回步驟(31); 若沒(méi)有未取的變量值，則寫(xiě)入擾亂測(cè)試完成。
7. 如權(quán)利要求1所述的減小存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂的方法，其特征在于，所述的 最小擾亂寫(xiě)入條件是分別使得存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂最小的各個(gè)寫(xiě)入條件參數(shù)的 對(duì)應(yīng)值的集合。
8. 如權(quán)利要求1所述的減小存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂的方法，其特征在于，挑選初 始寫(xiě)入條件中的參數(shù)源極電壓或基極電壓作為變量。
9. 如權(quán)利要求8所述的減小存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂的方法，其特征在于，設(shè)定所 述的源極電壓的值是斷開(kāi)、IV、 L5V和2V四個(gè)值。
10. 如權(quán)利要求8所述的減小存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂的方法，其特征在于，設(shè)定 所述的基極電壓的值是-lV、 0V和1V三個(gè)值。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種減小存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂的方法，包括以下步驟尋找能保證存儲(chǔ)單元正常寫(xiě)入的初始寫(xiě)入條件；挑選初始寫(xiě)入條件中的一個(gè)參數(shù)作為寫(xiě)入擾亂測(cè)試的變量；至少針對(duì)該變量的兩個(gè)變量值，對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入擾亂測(cè)試；根據(jù)寫(xiě)入擾亂測(cè)試結(jié)果，得到使存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂最小的最小擾亂寫(xiě)入條件；應(yīng)用得到的最小擾亂寫(xiě)入條件作為存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作時(shí)的寫(xiě)入條件。通過(guò)本發(fā)明減小存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂的方法使得存儲(chǔ)單元寫(xiě)入操作時(shí)的寫(xiě)入擾亂最小，并且操作方便。
文檔編號(hào)G11C16/10GK101206920SQ200610147708
公開(kāi)日2008年6月25日 申請(qǐng)日期2006年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月21日
發(fā)明者劉鑒常, 繆威權(quán), 燦 鐘, 陳良成 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司