專利名稱：：光記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種具有多個(gè)記錄層的光記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
：作為信息記錄介質(zhì)，CD(CompactDisc光盤)、DVD(DigitalVersatileDisc數(shù)字通用光盤)等光記錄介質(zhì)被廣泛利用。而且，近幾年，通過采用藍(lán)色或藍(lán)紫色激光作為照射光，從而記錄與以往相比更大容量的信息變成可能的光記錄介質(zhì)受到人們的關(guān)注。另外，光記錄介質(zhì)大體分為不能增加或改寫數(shù)據(jù)的ROM(ReadOnlyMemory只讀存儲(chǔ)器)型、可以改寫數(shù)據(jù)的RW(Rewritable可重寫)型、只能增加一次數(shù)據(jù)的R(Recordable可記錄)型。R型光記錄介質(zhì)是通過激光照射記錄層，形成與周圍的間隔部相比反射率低的記錄標(biāo)記來記錄數(shù)據(jù)的。另外，也用記錄用的激光照射記錄標(biāo)記周圍的間隔部，但是，由于照射間隔部的記錄用的激光的光量少，所以間隔部的反射率和激光照射之前的記錄層的反射率相同。另外，R型的光記錄介質(zhì)是通過激光照射記錄層而用光電檢測器檢測出記錄標(biāo)記的反射率和間隔部的反射率的差來再現(xiàn)數(shù)據(jù)。像這樣的光記錄介質(zhì)由于具有多個(gè)記錄層，僅此就可以相應(yīng)提高記錄容量。在具有多個(gè)記錄層的R型光記錄介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)時(shí)，通過以使記錄用的激光的焦點(diǎn)對(duì)應(yīng)到記錄對(duì)象的記錄層上的方式進(jìn)行調(diào)整，從而能夠選擇性地將數(shù)據(jù)記錄到記錄對(duì)象的記錄層。另外，通過以使再現(xiàn)用的激光的焦點(diǎn)對(duì)應(yīng)到再現(xiàn)對(duì)象的記錄層上的方式進(jìn)行調(diào)整，能夠選擇性地將再現(xiàn)對(duì)象的記錄層的數(shù)據(jù)再現(xiàn)。像這樣的具有多個(gè)記錄層的R型光記錄介質(zhì)優(yōu)選通過對(duì)各記錄層照射同等輸出的再現(xiàn)用的激光，而在光電檢測器中以接近的值檢測出各記錄層的反射光的強(qiáng)度。具體地說，優(yōu)選在光電檢測器中以未滿2倍的范圍內(nèi)的接近的值檢測出相鄰2個(gè)記錄層的反射光的反射率。但是，激光經(jīng)由上側(cè)記錄層來照射配置在與激光的入射面相對(duì)遠(yuǎn)離側(cè)的下側(cè)記錄層，由于該激光的一部分被上側(cè)記錄層所吸收，因此，到達(dá)下側(cè)記錄層的激光的光量相應(yīng)地減少。因此，當(dāng)照射下側(cè)記錄層的再現(xiàn)用激光的輸出和照射上側(cè)記錄層的再現(xiàn)用的激光輸出相同時(shí)，到達(dá)下側(cè)記錄層的激光的光量比到達(dá)上側(cè)記錄層的激光的光量小。進(jìn)而，由于照射下側(cè)記錄層的激光的反射光是經(jīng)由上側(cè)記錄層到達(dá)光電檢測器的，所以一部分的反射光也被上側(cè)記錄層吸收。因此，當(dāng)照射下側(cè)記錄層的再現(xiàn)用的激光的輸出和照射上側(cè)記錄層的再現(xiàn)用的激光的輸出相同，且，下側(cè)記錄層的反射率和上側(cè)記錄層的反射率相同時(shí)，由光電檢測器檢測的下側(cè)記錄層的反射率的值比上側(cè)記錄層的反射率的值低。對(duì)此，公知有使上側(cè)記錄層比下側(cè)記錄層薄的R型光記錄介質(zhì)(例如參照J(rèn)P特開2003-266936號(hào)公報(bào))。簡單地說明其作用。圖6是表示單層記錄層的厚度和反射率的關(guān)系的曲線圖。另外，在圖6中，帶有附圖標(biāo)記S的曲線是記錄層的間隔部的反射率，帶有附圖標(biāo)記M的曲線是記錄標(biāo)記的反射率。如附圖標(biāo)記S曲線所示，記錄層在規(guī)定的厚度時(shí)，間隔部的反射率最大，比規(guī)定的厚度薄或厚，其反射率都有下降的趨勢。另外，如附圖標(biāo)記M曲線所示，對(duì)于記錄標(biāo)記也是一樣，在大致相同的厚度時(shí)其反射率最大，比上述厚度薄或厚，其反射率都有下降的趨勢。另外，記錄標(biāo)記的反射率和間隔部的反射率的差也是在這些反射率成為最大時(shí)的厚度附近為最大，比上述厚度薄或厚，反射率的差都減少，如果記錄層過厚或過薄，那么反射率的差會(huì)過小而不能讀取記錄標(biāo)記。因此，例如通過以使反射率為最大時(shí)的厚度形成下側(cè)記錄層，而上側(cè)記錄層比該厚度薄，從而能夠使下側(cè)記錄層的反射率比上側(cè)記錄層的反射率高。通過這樣的構(gòu)造，即使照射下側(cè)記錄層的激光的輸出和照射上側(cè)記錄層的激光的輸出相同，由此到達(dá)下側(cè)記錄層的激光的光量比到達(dá)上側(cè)記錄層的激光的光量小，更進(jìn)一步，照射下側(cè)記錄層的激光的反射光的一部分被上側(cè)記錄層吸收再到達(dá)光電檢測器時(shí)，在光電檢測器中也能夠以接近值檢測出來自雙方的記錄層的反射光的反射率。另外，在比使反射率為最大時(shí)的厚度還厚的區(qū)域，能夠得到記錄標(biāo)記的反射率和間隔部的反射率的足夠的差的范圍窄，而且在此范圍內(nèi)，相對(duì)于接近最大值的下側(cè)記錄層的反射率，由于不能充分地減少上側(cè)記錄層的反射率，所以在這點(diǎn)上也選擇上側(cè)記錄層比下側(cè)記錄層薄的構(gòu)成。進(jìn)一步，由于還能得到以下效果通過使上側(cè)記錄層比下側(cè)記錄層薄，從而可以減少上側(cè)記錄層中的激光吸收量，增加到達(dá)下側(cè)記錄層的激光的光量，因此在這點(diǎn)上也選擇上側(cè)記錄層比下側(cè)記錄層薄的構(gòu)成。另外，公知有上側(cè)記錄層的折射率比下側(cè)記錄層的折射率低的R型光記錄介質(zhì)(例如參照J(rèn)P特開平9-198709號(hào)公報(bào))。簡單地說明其作用。圖7是表示以記錄層的折射率為參數(shù)表示單層記錄層的厚度和反射率的關(guān)系的曲線圖。另外，n1＞n2，在圖7中，帶有附圖標(biāo)記S1的曲線是折射率為n1時(shí)的記錄層的間隔部的反射率，帶有附圖標(biāo)記S2的曲線是折射率為n2時(shí)的記錄層的間隔部的反射率。另外，帶有附圖標(biāo)記M1的曲線是折射率為n1時(shí)的記錄層的記錄標(biāo)記的反射率，帶有附圖標(biāo)記M2的曲線是折射率為n2時(shí)的記錄層的記錄標(biāo)記的反射率。如圖7所示，如果記錄層的厚度相等，那么折射率越低，對(duì)于間隔部及記錄標(biāo)記中的任意一個(gè)，反射率也越低。因此，通過使下側(cè)記錄層的折射率為n1，上側(cè)記錄層的折射率為n2，使上側(cè)記錄層的反射率比下側(cè)記錄層的反射率低，由此在光電檢測器中能夠以接近的值檢測出來自雙方記錄層的反射光的反射率。但是，由于記錄層越薄越難形成記錄標(biāo)記，因此，由于使上側(cè)記錄層的厚度比下側(cè)記錄層的厚度薄，從而有時(shí)在上側(cè)記錄層不能形成期望的特性良好的記錄標(biāo)記。另外，記錄層的折射率越低，間隔部的反射率和記錄標(biāo)記的反射率的差越小，因此，由于使上側(cè)記錄層的折射率比下側(cè)記錄層的折射率低，有時(shí)上側(cè)記錄層得不到期望的再現(xiàn)精度。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于上述問題而提出的，其目的在于提供一種具有多個(gè)記錄層而在所有的記錄層上都能夠形成良好的記錄標(biāo)記、且能夠得到所期望的再現(xiàn)精度的光記錄介質(zhì)。本發(fā)明是通過這樣一種光記錄介質(zhì)來實(shí)現(xiàn)上述目的其包含有通過照射激光而形成與周圍的間隔部相比增加了厚度的記錄標(biāo)記的多個(gè)記錄層，在這些記錄層中，配置在相對(duì)接近上述激光的入射面一側(cè)的記錄層的折射率低于與該記錄層相比配置在遠(yuǎn)離上述激光的入射面一側(cè)的記錄層的折射率。另外，本發(fā)明是通過這樣一種光記錄介質(zhì)來實(shí)現(xiàn)上述目的其包含有通過照射激光而形成與周圍的間隔部相比增加了厚度的記錄標(biāo)記的多個(gè)記錄層，在這些記錄層中，配置在相對(duì)接近上述激光的入射面一側(cè)的記錄層的消光系數(shù)低于與該記錄層相比配置在遠(yuǎn)離上述激光的入射面一側(cè)的記錄層的消光系數(shù)。本發(fā)明人在研究本發(fā)明的過程中，嘗試使用各種材料來形成記錄層時(shí)發(fā)現(xiàn)，規(guī)定材料的記錄層，通過照射激光而能夠形成與周圍的間隔部相比增加了厚度的記錄標(biāo)記。另外還發(fā)現(xiàn)該記錄層的消光系數(shù)顯著地低于以往的記錄層。由于與周圍相比記錄標(biāo)記部分的厚度增加，所以該記錄標(biāo)記的反射率相對(duì)于上述圖7中以帶有附圖標(biāo)記M1及M2的曲線表示的記錄標(biāo)記的反射率，是與僅加厚了厚度增加量的記錄層的記錄標(biāo)記的反射率是相等的。換句話說，記錄標(biāo)記的反射率相對(duì)于記錄層的厚度的關(guān)系如圖1所示那樣變?yōu)橐韵玛P(guān)系相對(duì)于圖7，附圖標(biāo)記M1及M2的曲線只以厚度增加量向厚度薄的方向平行移動(dòng)。由此，在間隔部的反射率成為最大的厚度附近以及與其相比更厚的區(qū)域中，間隔部的反射率和記錄標(biāo)記的反射率的差變大。因此，例如，將下側(cè)記錄層及上側(cè)記錄層的厚度均設(shè)定為接近于使間隔部的反射率成為最大的厚度，由于上側(cè)記錄層的反射率比下側(cè)記錄層的反射率低，因此即使上側(cè)記錄層的折射率比下側(cè)記錄層的折射率低，也可以使上側(cè)記錄層的記錄標(biāo)記的反射率和間隔部的反射率的差足夠大，并且，通過使上側(cè)記錄層的厚度和下側(cè)記錄層的厚度相等，或者使上側(cè)記錄層比下側(cè)記錄層厚，從而能夠在上側(cè)的記錄層形成期望的特性良好的記錄標(biāo)記。另外，通過將記錄層的消光系數(shù)控制在例如0.35或其以下的低值，即使相對(duì)的配置在激光入射面?zhèn)鹊纳蟼?cè)記錄層的厚度和下側(cè)記錄層的厚度相等或比其厚，由于上側(cè)記錄層很難吸收照射到下側(cè)記錄層的激光，因此，能夠提高光電檢測器檢測出的下側(cè)記錄層的反射率，同時(shí)，在下側(cè)記錄層也能夠形成良好的記錄標(biāo)記。另外，通過使上側(cè)記錄層的消光系數(shù)小于下側(cè)記錄層的消光系數(shù)，能夠使下側(cè)記錄層的記錄靈敏度和光電檢測器檢測出的反射率接近于上側(cè)記錄層的記錄靈敏度和反射率，進(jìn)一步，通過使上側(cè)記錄層的厚度和下側(cè)記錄層的厚度相等，或者，使上側(cè)記錄層比下側(cè)記錄層厚，從而在上側(cè)的記錄層能夠形成期望的特性良好的記錄標(biāo)記。本發(fā)明是這樣一種光記錄介質(zhì)，其通過使用形成與間隔部相比增加了厚度的記錄標(biāo)記的材料來至少構(gòu)成上側(cè)的記錄層，從而使即使上側(cè)記錄層的折射率比下側(cè)記錄層的折射率低，也能夠得到足夠大的上側(cè)記錄層的記錄標(biāo)記的反射率和間隔部的反射率的差，與以往的技術(shù)相比，本發(fā)明是基于完全不同的概念而研制的。另外，本發(fā)明是這樣一種光記錄介質(zhì)，其使用形成與間隔部相比增加了厚度的記錄標(biāo)記的材料來至少構(gòu)成上側(cè)的記錄層，通過使上側(cè)記錄層的消光系數(shù)比下側(cè)記錄層的消光系數(shù)小，從而使下側(cè)記錄層的記錄靈敏度和光電檢測器檢測出的反射率接近上側(cè)記錄層的記錄靈敏度和光電檢測器檢測的反射率，同時(shí)，可以在上側(cè)記錄層形成期望的特性良好的記錄標(biāo)記，與以往的技術(shù)相比，本發(fā)明是基于完全不同的概念而研制的。即，通過如下所述的發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)上述目的。(1)一種光記錄介質(zhì)，其特征在于，包含有通過照射激光而形成與周圍的間隔部相比增加了厚度的記錄標(biāo)記的多個(gè)記錄層，在這些記錄層中配置在相對(duì)接近上述激光的入射面一側(cè)的記錄層的折射率低于與該記錄層相比配置在遠(yuǎn)離上述激光的入射面一側(cè)的記錄層的折射率。(2)一種光記錄介質(zhì)，其特征在于，包含有通過照射激光而形成與周圍的間隔部相比增加了厚度的記錄標(biāo)記的多個(gè)記錄層，在這些記錄層中配置在相對(duì)接近上述激光的入射面一側(cè)的記錄層的消光系數(shù)低于與該記錄層相比配置在遠(yuǎn)離上述激光的入射面一側(cè)的記錄層的消光系數(shù)。(3)如(1)或是(2)所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，包含有3層或3層以上的記錄層，在這些記錄層中，至少與配置在最遠(yuǎn)離激光入射面的位置的記錄層相比而配置在上述激光的入射面?zhèn)鹊亩鄠€(gè)記錄層，是通過照射上述激光而形成與周圍的間隔部相比增加了厚度的記錄標(biāo)記的記錄層。(4)如(1)至(3)中任意一項(xiàng)所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述多個(gè)記錄層的厚度相等。(5)如(1)至(3)中任意一項(xiàng)所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，在上述多個(gè)記錄層中，配置在相對(duì)接近上述激光的入射面一側(cè)的記錄層厚于與該記錄層相比配置在遠(yuǎn)離上述激光的入射面一側(cè)的記錄層。(6)如(1)至(5)中任意一項(xiàng)所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，在上述多個(gè)記錄層中，最接近于上述激光的入側(cè)面而配置的記錄層的折射率比最遠(yuǎn)離上述激光的入側(cè)面而配置的記錄層的折射率低0.1～0.6。(7)如(1)至(6)中任意一項(xiàng)所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，在上述多個(gè)記錄層中，最接近于上述激光的入側(cè)面而配置的記錄層的消光系數(shù)比最遠(yuǎn)離上述激光的入側(cè)面而配置的記錄層的消光系數(shù)小0.01～0.20。(8)如(1)至(7)中任意一項(xiàng)所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述記錄層的材料具有根據(jù)厚度而上述間隔部的反射率發(fā)生變化、并且在規(guī)定的厚度下上述間隔部的反射率成為最大的特性，各記錄層是以使其間隔部的反射率成為最大的厚度而形成的。(9)如(1)至(8)中任意一項(xiàng)所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，在上述多個(gè)記錄層中，與配置在最遠(yuǎn)離上述激光的入射面的位置的記錄層相比而配置在上述激光的入射面?zhèn)鹊闹辽僖粋€(gè)記錄層實(shí)質(zhì)上是由Bi及O構(gòu)成的，該記錄層中的O原子數(shù)的比率為62％或其以上。(10)如(9)所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，在上述多個(gè)記錄層中，與配置在最遠(yuǎn)離上述激光的入射面的位置的記錄層相比而配置在上述入射面?zhèn)鹊闹辽僖粋€(gè)記錄層實(shí)質(zhì)上是由Bi、O及X(X為從Mg、Al、Si、V、Zn、Ge、Y、Sn、Sb、Dy中選擇的至少一種元素)構(gòu)成。另外，在本申請(qǐng)中所謂“記錄層的厚度相等”的意思是在沒有形成記錄標(biāo)記的狀態(tài)下，相對(duì)于最厚的記錄層的厚度，最薄的記錄層的厚度為10％以內(nèi)，并不限定于記錄層的厚度完全一致的狀況。另外，在本申請(qǐng)中所謂“記錄層實(shí)質(zhì)上是由Bi、O構(gòu)成”的意思是指記錄層中的Bi、O的原子數(shù)的合計(jì)值相對(duì)于構(gòu)成記錄層的總的原子數(shù)的比率為80％或其以上。記錄層實(shí)質(zhì)上是由Bi、O構(gòu)成時(shí)，更優(yōu)選是記錄層中的Bi、O的原子數(shù)的合計(jì)值相對(duì)于構(gòu)成記錄層的總的原子數(shù)的比率為90％或其以上。記錄層實(shí)質(zhì)上是由Bi、O構(gòu)成，記錄層中的Bi、O的原子數(shù)的合計(jì)值相對(duì)于構(gòu)成記錄層的總的原子數(shù)的比率為80％或其以上時(shí)，記錄層也可以含有Bi、O以外的其他的添加元素。添加元素可以是一種元素，也可以是兩種或其以上的元素。另外，所謂“記錄層實(shí)質(zhì)上是由Bi、O以及X構(gòu)成”的意思是指記錄層中的Bi、O以及X的原子數(shù)的合計(jì)值為80％或其以上。記錄層實(shí)質(zhì)上是由Bi、O以及X構(gòu)成時(shí)，更優(yōu)選是記錄層中的Bi、O以及X的原子數(shù)的合計(jì)值相對(duì)于構(gòu)成記錄層的總的原子數(shù)的比率為90％或其以上。根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)崿F(xiàn)具有多個(gè)記錄層、在所有的記錄層都可以形成良好的記錄標(biāo)記、且能夠確實(shí)地再現(xiàn)該記錄標(biāo)記的光記錄介質(zhì)。圖1是以記錄層的折射率為參數(shù)來表示本發(fā)明第一實(shí)施方式涉及的光記錄介質(zhì)的記錄層的反射率相對(duì)于記錄層的厚度的關(guān)系的曲線圖。圖2是示意地表示該光記錄介質(zhì)的記錄層周邊的結(jié)構(gòu)的側(cè)剖面圖。圖3是示意地表示該光記錄介質(zhì)的整體結(jié)構(gòu)的側(cè)剖面圖。圖4是示意地表示本發(fā)明第二實(shí)施方式涉及的光記錄介質(zhì)的整體結(jié)構(gòu)的側(cè)剖面圖。圖5是示意地表示本發(fā)明第三實(shí)施方式涉及的光記錄介質(zhì)的整體結(jié)構(gòu)的側(cè)剖面圖。圖6是表示以往的光記錄介質(zhì)的記錄層的反射率相對(duì)于記錄層的厚度的關(guān)系的曲線圖。圖7是以記錄層的折射率為參數(shù)來表示以往的光記錄介質(zhì)的記錄層的反射率相對(duì)于記錄層的厚度的關(guān)系的曲線圖。具體實(shí)施例方式以下，針對(duì)實(shí)施本發(fā)明的最佳形式，參照附圖進(jìn)行詳細(xì)說明。本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的光記錄介質(zhì)10是外徑約為120nm，厚度約為1.2mm的圓盤形狀，其特征在于，如圖2以及圖3所示，包含有通過照射激光而形成有與周圍的間隔部11相比增加了厚度的記錄標(biāo)記12的第一記錄層14及第二記錄層16，配置在相對(duì)接近激光的入射面18一側(cè)的第二記錄層16的折射率n2，比與該第二記錄層相比配置在遠(yuǎn)離激光的入射面18一側(cè)的第一記錄層14的折射率n1低。關(guān)于其他結(jié)構(gòu)和以往的光記錄介質(zhì)相同，或是類似于以往的光記錄介質(zhì)，對(duì)于理解本發(fā)明來說并不特別重要，因此，適當(dāng)?shù)厥÷哉f明。第一記錄層14和第二記錄層16實(shí)質(zhì)上是由Bi及O構(gòu)成的，這些第一記錄層14和第二記錄層16中的O原子數(shù)的比率為62％或其以上。另外，優(yōu)選第一記錄層14和第二記錄層16中的O原子數(shù)的比率為73％或其以下。第二記錄層16的材料包含從Mg、Al、Si、V、Zn、Ge、Y、Sn、Sb、Dy中選擇的至少一種元素，由此使第二記錄層16的折射率n2比第一記錄層14的折射率n1低。另外，通過添加這些元素，也能夠得到降低第二記錄層16的消光系數(shù)，增大到達(dá)第一記錄層14的激光的光量的效果。如此，通過添加Bi、O以外的元素而降低第二記錄層16的消光系數(shù)，從而能夠使隔著第二記錄層16照射激光的第一記錄層14的反射率接近于第二記錄層16的反射率。另外，也能夠使第一記錄層14的記錄靈敏度接近于第二記錄層16的記錄靈敏度。另外，作為第一記錄層14的材料實(shí)質(zhì)上由Bi及O構(gòu)成，進(jìn)而，通過使用含有從Fe、Cu、Mo、Ag、W、Ir、Pt、Au中選擇的至少一種元素的材料，能夠增加第一記錄層14的消光系數(shù)，提高第一記錄層14的記錄靈敏度(使記錄標(biāo)記容易地形成)，由此也能夠使第一記錄層14的記錄靈敏度接近于第二記錄層16的記錄靈敏度。由這些材料構(gòu)成的第一記錄層14、第二記錄層16的厚度和反射率的關(guān)系如上述圖1中帶有附圖標(biāo)記S1、S2、M1、M2的曲線所示。在此所示的反射率為記錄層自身的反射率，第二記錄層16的自身反射率和用光電檢測器20檢測出的反射率大體相等，但是，第一記錄層14的自身反射率比用光電檢測器20檢測出的反射率高。這些第一記錄層14及第二記錄層16的材料如圖1所示，間隔部11的反射率具有在規(guī)定的厚度(在本第一實(shí)施方式中約為40nm)時(shí)反射率為最大的特性。第一記錄層14及第二記錄層16均以與使間隔部11的反射率為最大的厚度大致相等的厚度約45nm來形成。如上所述，第二記錄層16的折射率n2比第一記錄層14的折射率n1低，從而使第二記錄層16的反射率，無論是間隔部的，還是記錄標(biāo)記12的，都比第一記錄層14的反射率低。另外，優(yōu)選第二記錄層16的折射率n2比第一記錄層14的折射率n1低0.1～0.6，更優(yōu)選是低0.2～0.5。另外，第一記錄層14和第二記錄層16的消光系數(shù)為0.35或其以下。優(yōu)選第二記錄層16的消光系數(shù)比第一記錄層14的消光系數(shù)小0.01～0.20，更優(yōu)選是小0.02～0.14。這些第一記錄層14和第二記錄層16形成在基板22上，在第二記錄層16與基板22相反一側(cè)形成有保護(hù)層24。另外，在第一記錄層14和第二記錄層16之間形成有間隔層26?；?2的厚度約為1.1mm，其在保護(hù)層24一側(cè)的面上形成有構(gòu)成槽的凹凸圖案。另外，所謂“槽”一般是指為了數(shù)據(jù)的記錄/再現(xiàn)而使用的凹部，但是，在本申請(qǐng)中，為了方便，將用于數(shù)據(jù)的記錄/再現(xiàn)的部位，即使是向保護(hù)層24側(cè)突出的凸部也使用用語“槽”來表示。在本第一實(shí)施方式中，向著保護(hù)層24側(cè)突出的凸部為槽。另外，作為基板22的材料可以使用聚碳酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、硅酮樹脂、氟類樹脂、ABS樹脂、聚氨酯樹脂等。保護(hù)層24的厚度例如為30～150μm。作為保護(hù)層24的材料可以使用具有透光性的丙烯類紫外線固化性樹脂、環(huán)氧類紫外線固化性樹脂等能量射線固化性樹脂。在此，所謂“能量射線”，是對(duì)具有使流動(dòng)狀態(tài)的特定的樹脂固化的性質(zhì)的、如紫外線、電子射線等電磁波、粒子射線的總稱。另外，作為形成保護(hù)層24的材料的方法，可以將具有流動(dòng)性的樹脂涂敷在基板上后，再照射能量射線使其固化，也可以將預(yù)先制作的透光性的薄膜粘貼在基板上。間隔層26的厚度例如為9～50μm左右，其兩面為和基板22相同的槽狀的凹凸圖案。另外，作為間隔層26的材料可以和保護(hù)層24相同，使用具有透光性的丙烯類紫外線固化性樹脂、環(huán)氧類紫外線固化性樹脂等能量射線固化性樹脂。第一記錄層14是仿照基板22的凹凸圖案，而以凹凸圖案形成。另外，第二記錄層16也是仿照間隔層26的凹凸圖案，以凹凸圖案形成。下面，對(duì)光記錄介質(zhì)10的作用進(jìn)行說明。光記錄介質(zhì)10通過照射激光，而在第一記錄層14和第二記錄層16上形成與周圍的間隔部11相比增加了厚度的記錄標(biāo)記12，因此如圖1所示，在間隔部11的反射率成為最大的厚度附近以及與其相比更厚的區(qū)域中，間隔部11的反射率和記錄標(biāo)記12的反射率的差大。因此，將第一記錄層14及第二記錄層16的厚度均設(shè)定在使間隔部11的反射率最大的厚度附近，由于第二記錄層16的反射率比第一記錄層14的反射率低，因此，即使將第二記錄層16的折射率設(shè)定得比第一記錄層14的折射率低，也可以在第二記錄層16得到記錄標(biāo)記12的反射率和間隔部11的反射率的足夠的差，且由于第二記錄層16具有和第一記錄層14相等的厚度，所以，能夠在第二記錄層上形成所期望的特性良好的記錄標(biāo)記。另外，第二記錄層16的消光系數(shù)為0.35或其以下，因此，即使第二記錄層16具有和第一記錄層14相等的厚度，第二記錄層16也很難吸收照射到第一記錄層14的激光，從而可以提高光電檢測器20檢測出的第一記錄層14的反射率，同時(shí)，也可以在第一記錄層14上形成良好的記錄標(biāo)記。下面，對(duì)本發(fā)明的第二實(shí)施方式進(jìn)行說明。如圖4所示，相對(duì)于上述第一實(shí)施方式涉及的光記錄介質(zhì)10，本第二實(shí)施方式涉及的光記錄介質(zhì)30是在上述第一記錄層14、第二記錄層16的基礎(chǔ)之上還具有第三記錄層32、第四記錄層34的四層記錄式介質(zhì)。有關(guān)其他的結(jié)構(gòu)，和上述第一實(shí)施方式相同，因此，對(duì)于相同的結(jié)構(gòu)，使用和第一實(shí)施方式相同的附圖標(biāo)記，適當(dāng)?shù)厥÷云湔f明。第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34的厚度相同，并且以從基板22向激光的入射面18的方向按次序地并列配置。在第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32以及第四記錄層34之間分別配置間隔層26。另外，第四記錄層34相接于保護(hù)層24。第三記錄層32、第四記錄層34的材料和第一記錄層14以及第二記錄層16的材料同樣，實(shí)質(zhì)上是由Bi以及O構(gòu)成，這些第三記錄層32、第四記錄層34中的O原子數(shù)的比率為62％或其以上。第三記錄層32的折射率n3比第二記錄層16的折射率n2低，第四記錄層34的折射率n4比第三記錄層32的折射率n3低。即，光記錄介質(zhì)30是第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34的折射率的關(guān)系為n1＞n2＞n3＞n4的結(jié)構(gòu)。從而使光記錄介質(zhì)30的第四記錄層34、第三記錄層32、第二記錄層16、第一記錄層14的(記錄層自身的)反射率按該次序從激光入射面18向基板22的方向逐層變高。光記錄介質(zhì)30與光記錄介質(zhì)10相同，通過照射激光而在第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32以及第四記錄層34上形成與周圍的間隔11相比增加了厚度的記錄標(biāo)記12，因此，在使間隔部11的反射率成為最大的厚度附近以及與其相比更厚的區(qū)域中，間隔部11的反射率和記錄標(biāo)記12的反射率的差大。因此，將第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32以及第四記錄層34的厚度均設(shè)定在使間隔部11的反射率成為最大的厚度附近，由于第二記錄層16、第三記錄層32以及第四記錄層34的反射率比第一記錄層14的反射率低，因此，即使第二記錄層16、第三記錄層32以及第四記錄層34的折射率n2、n3、n4比第一記錄層14的折射率n1低，也可以使第二記錄層16、第三記錄層32以及第四記錄層34的記錄標(biāo)記12的反射率和間隔部11的反射率的差足夠大，且由于第二記錄層16、第三記錄層32以及第四記錄層34具有和第一記錄層14相等的厚度，所以，能夠在第二記錄層16、第三記錄層32以及第四記錄層34上形成所期望的特性良好的記錄標(biāo)記。另外，由于第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34的消光系數(shù)為0.35或其以下，因此，即使第二記錄層16、第三記錄層32以及第四記錄層34具有和第一記錄層14同樣的厚度，第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34也很難吸收照射到第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32上的激光，從而可以提高光電檢測器20檢測出的第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32的反射率，同時(shí)，也可以在第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32上形成良好的記錄標(biāo)記。下面，對(duì)本發(fā)明的第三實(shí)施方式進(jìn)行說明。如圖5所示，相對(duì)于上述第二實(shí)施方式涉及的光記錄介質(zhì)30，本第三實(shí)施方式涉及的光記錄介質(zhì)40是在上述第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34的基礎(chǔ)之上，還具有第五記錄層42、第六記錄層44的六層記錄式介質(zhì)。有關(guān)其他的結(jié)構(gòu)，和上述第一以及第二實(shí)施方式相同，因此，對(duì)于相同的結(jié)構(gòu)，使用和第一以及第二實(shí)施方式相同的附圖標(biāo)記，適當(dāng)?shù)厥÷云湔f明。第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44的厚度相同，并且以從基板22向激光的入射面18的方向按次序地并列配置。第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42以及第六記錄層44之間分別配置有間隔層26。另外，第六記錄層44相接于保護(hù)層24。第五記錄層42、第六記錄層44的材料和第一記錄層14以及第二記錄層16等相同，實(shí)質(zhì)上是由Bi以及O構(gòu)成的，這些第五記錄層42、第六記錄層44中的O原子數(shù)的比率為62％或其以上。第五記錄層42的折射率n5比第四記錄層34的折射率n4低，第六記錄層44的折射率n6比第五記錄層42的折射率n5低。即，光記錄介質(zhì)40是第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44的折射率的關(guān)系為n1＞n2＞n3＞n4＞n5＞n6的結(jié)構(gòu)。從而使光記錄介質(zhì)40的第六記錄層44、第五記錄層42、第四記錄層34、第三記錄層32、第二記錄層16、第一記錄層14的(記錄層自身的)反射率按該次序從激光入射面18向基板22的方向逐層變高。光記錄介質(zhì)40也與光記錄介質(zhì)10相同，通過照射激光而在第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42以及第六記錄層44上形成與周圍的間隔部11相比增加了厚度的記錄標(biāo)記12，因此，在使間隔部11的反射率成為最大的厚度附近以及與其相比更厚的區(qū)域，間隔部11的反射率和記錄標(biāo)記12的反射率的差大。因此，將第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42以及第六記錄層44的厚度均設(shè)定在使間隔部11的反射率成為最大的厚度附近，由于第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42以及第六記錄層44的反射率比第一記錄層14的反射率低，因此，即使第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42以及第六記錄層44的折射率n2、n3、n4、n5、n6比第一記錄層14的折射率n1低，也可以得到使第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42以及第六記錄層44的記錄標(biāo)記12的反射率和間隔部11的反射率的足夠的差，且由于第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42以及第六記錄層44具有和第一記錄層14相等的厚度，所以，能夠在第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42以及第六記錄層44上形成所期望的特性良好的記錄標(biāo)記。另外，由于第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42以及第六記錄層44的消光系數(shù)為0.35或其以下，因此，即使第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42以及第六記錄層44具有和第一記錄層14同樣的厚度，第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42以及第六記錄層44中也很難吸收照射到第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42上的激光，從而可以提高光電檢測器20檢測出的第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42的反射率，同時(shí)，也可以在第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42上形成良好的記錄標(biāo)記。另外，在上述第一～第三實(shí)施方式中，是以和使間隔部11的反射率成為最大的厚度大致相等的厚度來形成第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44的，但是，如果關(guān)于第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44，是能夠得到記錄標(biāo)記12的反射率和間隔部11的反射率之間的足夠的差、且從激光的入射面18向基板22的方向記錄層自身的反射率逐層變大的結(jié)構(gòu)，那么第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44的厚度可以比使反射率成為最大的厚度薄，也可以比其厚。在既能夠加大記錄標(biāo)記12的反射率和間隔部11的反射率的差，又能夠提高記錄靈敏度這一點(diǎn)上，優(yōu)選厚于使反射率成為最大的厚度。另外，在上述第一～第三實(shí)施方式中，第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44的材料為使間隔部11的反射率成為最大的厚度約是40nm的材料，但是，作為第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44的材料，可以使用比使間隔部11的反射率成為最大的厚度40nm厚的材料，也可以使用比使間隔部11的反射率成為最大的厚度40nm薄的材料。另外，在上述第一～第三實(shí)施方式中，第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44的厚度相等，但是，在這些記錄層中，也可以為以下結(jié)構(gòu)使配置在相對(duì)接近激光的入射面18一側(cè)的記錄層厚于與該記錄層相比配置在遠(yuǎn)離激光的入射面18一側(cè)的記錄層。這樣，通過使配置在相對(duì)接近激光的入射面18一側(cè)的記錄層變厚，從而能夠提高其記錄靈敏度。另外，在上述第一～第三實(shí)施方式中，第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44的材料實(shí)質(zhì)上是由Bi以及O構(gòu)成，但只要是通過照射激光而形成與周圍的間隔部相比增加了厚度的記錄標(biāo)記的材料即可，也可以使用其他的材料作為第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44的材料。這種情況下，優(yōu)選使用消光系數(shù)為0.35或其以下的材料。例如可以使用含有Bi、Ge以及N的材料。另外，在上述第一～第三實(shí)施方式中，第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44含有共同的構(gòu)成元素(Bi以及O)，但是，第一記錄層14也可以不含有和第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44共同的構(gòu)成元素。例如作為第一記錄層14的材料，也可以使用消光系數(shù)為大于0.35的材料。另外，作為第一記錄層14的材料也可以使用通過照射激光并沒有形成與周圍的間隔部相比增加了厚度的記錄標(biāo)記的材料。另外，在上述第二實(shí)施方式中，光記錄介質(zhì)30是第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32以及第四記錄層34按此次序從基板22向激光入射面18的方向折射率逐層變低的結(jié)構(gòu)，并且是按照第四記錄層34、第三記錄層32、第二記錄層16、第一記錄層14的順序從激光的入射面18向基板22的方向(記錄層自身的)反射率逐層變高的結(jié)構(gòu)，在上述第三實(shí)施方式中，光記錄介質(zhì)40是第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44按此次序從基板22向激光的入射面18的方向折射率逐層變低的結(jié)構(gòu)，并且是按照第六記錄層44、第五記錄層42、第四記錄層34、第三記錄層32、第二記錄層16、第一記錄層14的順序從激光的入射面18向基板22的方向(記錄層自身的)反射率逐層變高的結(jié)構(gòu)，但是，針對(duì)這些記錄層中的任意2層的組合，如果是配置在相對(duì)接近激光的入射面18一側(cè)的上側(cè)記錄層的折射率低于與該記錄層相比配置在遠(yuǎn)離激光的入射面18一側(cè)的下層記錄層的折射率的結(jié)構(gòu)，那么關(guān)于其他的組合，折射率不滿足這種關(guān)系也可以。這種情況下也可以得到由光電檢測器檢測出的這些記錄層的反射率相接近的一定的效果。另外，在上述第一實(shí)施方式的圖2中，記錄標(biāo)記12為厚度整體相同的形狀，但是，只要是至少記錄標(biāo)記12的一部分比周圍的間隔部厚的形狀即可，對(duì)記錄標(biāo)記的形狀沒有特別限定，既可以是整體比周圍的間隔部厚、且厚度根據(jù)部位而不規(guī)則的形狀，也可以是只有一部分比周圍的間隔部厚而其他的部位和間隔部厚度相等的形狀。還可以是例如中心附近最厚、而離開中心則逐漸變薄的形狀。實(shí)際上形成這種形狀的記錄標(biāo)記較多。另外，記錄標(biāo)記中的各個(gè)部位的厚度可以通過使用TEM(TransmissionElectronMicroscopy透射電子顯微鏡)觀察記錄標(biāo)記的剖面來確認(rèn)。另外，上述第一～第三實(shí)施方式中，光記錄介質(zhì)10、光記錄介質(zhì)30、光記錄介質(zhì)40中，第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44都是直接與基板22、保護(hù)層24、間隔層26的任意一層相接的結(jié)構(gòu)，但是，也可以例如在第一記錄層14和基板22的之間設(shè)置反射層。作為反射層的材料可以使用Al、Ag、Au、Cu、Mg、Ti、Cr、Fe、Co、Ni、Zn、Ge、Pt、Pd或它們的合金等。在這些金屬中，在能夠得到高反射率這一點(diǎn)上優(yōu)選使用Al、Ag、Au、Cu、AgPdCu等的合金。另外，也可以使用電介質(zhì)材料作為反射層的材料。另外，也可以在一部分或是全部的記錄層的一側(cè)或是兩側(cè)設(shè)置電介質(zhì)層。作為電介質(zhì)層的材料可以使用例如SiO2、Al2O3、ZnO、CeO2、Ta2O5、TiO2等氧化物，SiN、AlN、GeN、GeCrN等氮化物，ZnS等硫化物，另外還可以使用例如像ZnS和SiO2的混合物那樣的、以上述化合物的組合材料為主要成分的材料。另外，在上述第一實(shí)施方式中，光記錄介質(zhì)10是配置在相對(duì)接近激光的入射面18一側(cè)的第二記錄層16的折射率n2比與該第二記錄層16相比配置在遠(yuǎn)離激光的入射面18一側(cè)的第一記錄層14的折射率n1低的結(jié)構(gòu)，在上述第二實(shí)施方式中，光記錄介質(zhì)30是第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34的折射率的關(guān)系為n1＞n2＞n3＞n4的結(jié)構(gòu)，在上述第三實(shí)施方式中，光記錄介質(zhì)40是第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44的折射率的關(guān)系為n1＞n2＞n3＞n4＞n5＞n6的結(jié)構(gòu)，但是，即使記錄層的折射率不滿足這樣的關(guān)系，如果是這樣的構(gòu)成，即，含有通過照射激光而形成與周圍的間隔部相比增加了厚度的記錄標(biāo)記的多個(gè)記錄層，并且，在這些記錄層中，如果配置在相對(duì)接近上述激光的入射面一側(cè)的記錄層的消光系數(shù)低于與該記錄層相比配置在遠(yuǎn)離上述激光的入射面一側(cè)的記錄層的消光系數(shù)，那么是可以使下側(cè)記錄層的記錄靈敏度和光電檢測器檢測出的反射率接近于上側(cè)記錄層的記錄靈敏度和光電檢測器檢測出的反射率，同時(shí)，可以在上側(cè)記錄層形成所期望的特性良好的記錄標(biāo)記。另外，上述第一實(shí)施方式中，光記錄介質(zhì)10具有2層記錄層，上述第二實(shí)施方式中，光記錄介質(zhì)30具有4層記錄層，另外，上述第三實(shí)施方式中，光記錄介質(zhì)40具有6層記錄層，但是，本發(fā)明也適用于具有3層記錄層的光記錄介質(zhì)和具有5層記錄層的光記錄介質(zhì)，甚至具有7層或其以上的記錄層的光記錄介質(zhì)。另外，在上述第一～第三實(shí)施方式中，光記錄介質(zhì)10、30、40為只在單面具有記錄層的單面記錄式介質(zhì)，但是，本發(fā)明當(dāng)然也能夠適用于雙面具有記錄層的雙面記錄式的光記錄介質(zhì)。另外，在上述第一～第三實(shí)施方式中，光記錄介質(zhì)10、30、40是保護(hù)層24比基板22薄的結(jié)構(gòu)，但是，本發(fā)明當(dāng)然也能夠適用于如同DVD那樣的基板和保護(hù)層具有相同厚度的光記錄介質(zhì)。另外，這時(shí)，基板以及保護(hù)層的形狀大致相等，但是，在本申請(qǐng)中，將照射記錄/再現(xiàn)用的激光的一側(cè)稱為保護(hù)層。(實(shí)施例1)制作了14種與上述第一實(shí)施方式的光記錄介質(zhì)10結(jié)構(gòu)相同的2層記錄式的光記錄介質(zhì)。這14種光記錄介質(zhì)為第二記錄層16的組成互不相同的結(jié)構(gòu)，而第二記錄層16以外的結(jié)構(gòu)是相同的。具體地說，使用了含有Bi以及O的材料作為第一記錄層14、第二記錄層16的材料。第一記錄層14中的O原子數(shù)的比率為68％、Bi原子數(shù)的比率為32％，未添加其他元素。另一方面，在第二記錄層16中添加了Si、Al、Mg、V、Zn、Ge、Y、Sn、Sb、Dy，使其折射率比第一記錄層14的折射率低。另外，第一記錄層14、第二記錄層16的厚度均為接近于用這些材料使反射率最大時(shí)的厚度，約為45nm。針對(duì)這些14種光記錄介質(zhì)測定了第一記錄層14、第二記錄層16的折射率、消光系數(shù)、(未記錄部分的)反射率、記錄靈敏度以及8TC/N值。測定結(jié)果如表1所示。另外，同時(shí)將第一記錄層14、第二記錄層16的組成以及成膜條件記入表1。另外，使用下述方法來測定記錄靈敏度。首先，將不同功率的激光照射在各個(gè)光記錄介質(zhì)上形成記錄標(biāo)記12。其次，通過記錄/再現(xiàn)裝置測定各記錄標(biāo)記12的時(shí)基誤差值。由于把用于形成時(shí)基誤差值最低的記錄標(biāo)記12的激光輸出作為適合于該光記錄介質(zhì)的激光的輸出，因此，作為記錄靈敏度去捕捉該輸出。另外，所謂激光的輸出是指將到達(dá)入射面18的激光的強(qiáng)度換算成功率。顯示出表示記錄靈敏度的激光的輸出越低，越容易形成記錄標(biāo)記，記錄靈敏度越敏感。表1所示的第一記錄層14、第二記錄層16的反射率是將再現(xiàn)用激光照射于在各個(gè)記錄層上照射與其記錄靈敏度相當(dāng)?shù)妮敵龅挠涗浻眉す舛纬傻挠涗洏?biāo)記12，由光電檢測器20來檢測出的。另外，照射在第一記錄層14、第二記錄層16上的再現(xiàn)用激光的輸出相同。表1(實(shí)施例2)相對(duì)于上述實(shí)施例1，制作了一種在第一記錄層14中添加了Fe，在第二記錄層16中添加了Al的兩層記錄方式的光記錄介質(zhì)。這些第一記錄層14、第二記錄層16的厚度均大約為55nm。其他的結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1相同。針對(duì)該光記錄介質(zhì)測定了第一記錄層14、第二記錄層16的折射率、消光系數(shù)、反射率、記錄靈敏度以及8TC/N值。測定結(jié)果如表2所示。另外，同時(shí)將第一記錄層14、第二記錄層16的組成以及成膜條件記入表2。表2(實(shí)施例3)制作了與上述第二實(shí)施方式的光記錄介質(zhì)30相同的四層記錄式的光記錄介質(zhì)。另外，第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34的厚度按此順序逐層變厚。具體地說，使用由Bi、O以及Ge構(gòu)成的材料作為第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34的材料，制作了一種使這些第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34中的Bi、O以及Ge的原子數(shù)的比率在各記錄層各不相同的光記錄介質(zhì)。第一記錄層14的厚度接近以該材料反射率成為最大的厚度為48nm。對(duì)此，第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34的厚度比第一記錄層14厚，分別為62nm、68nm、73nm。測定了該光記錄介質(zhì)的第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34的折射率、消光系數(shù)、反射率、記錄靈敏度以及8TC/N值。測定結(jié)果如表3所示。另外，同時(shí)將第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34的組成以及成膜條件記入表3。表3(實(shí)施例4)制作了與上述第三實(shí)施方式的光記錄介質(zhì)40相同的六層記錄方式的光記錄介質(zhì)。另外，第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44的厚度按此順序逐層變厚。具體地說，第一記錄層14是由Si層和Cu層層疊而成，照射激光而形成的記錄標(biāo)記并沒有比周圍的間隔部厚。Cu層在基板22側(cè)，Si層在保護(hù)層24側(cè)。另外，Cu層的折射率為0.2，Si層的折射率為3.3，但是，沒能測出第一記錄層14整體的折射率n1。另外，使用由Bi、O以及Ge構(gòu)成的材料作為第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44的材料，制作了一種使這些第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44中的Bi、O以及Ge的原子數(shù)的比率在各記錄層各不相同的光記錄介質(zhì)。第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44的折射率的關(guān)系為n2＞n3＞n4＞n5＞n6。第一記錄層14的Si層、Cu層的厚度均為6nm，第一記錄層14的總厚度為12nm。另外，在第一記錄層14的兩側(cè)設(shè)置有材料為ZnS和SiO2的混合物(ZnS∶SiO2＝80∶20)的電介質(zhì)層。各電介質(zhì)層的厚度為40nm。另外，在基板22側(cè)的電介質(zhì)層和基板22之間，設(shè)置有材料為AgPdCu合金的反射層。反射層的厚度為100nm。另一方面，第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44的厚度分別為33nm、37nm、40nm、43nm、46nm。另外，在第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44的兩側(cè)設(shè)置有材料為TiO2的電介質(zhì)層。第二記錄層16兩側(cè)的電介質(zhì)層的厚度分別為10nm。第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42兩側(cè)的電介質(zhì)層的厚度分別為14nm。第六記錄層44兩側(cè)的電介質(zhì)層的厚度分別為15nm。測定了該光記錄介質(zhì)的第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44的折射率、反射率、記錄靈敏度、8TC/N值以及消光系數(shù)、。測定結(jié)果如表4所示。另外，同時(shí)將第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44的組成以及成膜條件記入表4。表4(比較例)相對(duì)于上述實(shí)施例1，制作了第二記錄層16的折射率和第一記錄層14的折射率相等的光記錄介質(zhì)。具體地說，制作了一種使第二記錄層16的組成和上述實(shí)施例1的第一記錄層14的組成相同的光記錄介質(zhì)。測定了該光記錄介質(zhì)的第一記錄層14、第二記錄層16的折射率、消光系數(shù)、反射率、記錄靈敏度以及8TC/N值。測定結(jié)果如表5所示。另外，同時(shí)將第一記錄層14、第二記錄層16的組成以及成膜條件記入表5。表5如表1～4所示，實(shí)施例1～4的光記錄介質(zhì)均是各記錄層的8TC/N值均在50或其以上為良好。即，確認(rèn)了在實(shí)施例1～4的光記錄介質(zhì)的各記錄層上形成的記錄標(biāo)記12均為良好。另外，實(shí)施例1～4的光記錄介質(zhì)均是將相鄰的2層記錄層的記錄標(biāo)記12的反射率在光電檢測器20中以未滿2倍的范圍內(nèi)的接近的值檢測出，為良好。實(shí)施例1～3的任意一個(gè)光記錄介質(zhì)的多個(gè)記錄層的主要組成元素均以Bi以及O為共同的元素，最接近激光的入射面18而配置的記錄層的折射率比第一記錄層14的折射率低0.1～0.6。換句話說，優(yōu)選如果最接近激光的入射面18而配置的記錄層的折射率比第一記錄層14的折射率低0.1～0.6，那么光電檢測器20檢測出的多個(gè)記錄層的反射率的差將被控制在4％以內(nèi)，是優(yōu)選的。進(jìn)一步，如果最接近激光的入射面18而配置的記錄層的折射率比第一記錄層14的折射率低0.2～0.5，那么光電檢測器20檢測出的多個(gè)記錄層的反射率的差將被控制在3％以內(nèi)，是更加優(yōu)選的。另外，如上所述，在實(shí)施例4中，未能測出第一記錄層14整體的折射率，但是，在激光照射形成比周圍間隔部厚的記錄標(biāo)記的第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44中，最接近激光入射面18而配置的第六記錄層44的折射率和最遠(yuǎn)離激光入射面18而配置的第二記錄層16的折射率的差為(0.2～0.5的范圍內(nèi)的)0.5，這些五層記錄層的反射率的差被控制在3％以內(nèi)。另外，實(shí)施例1～4的光記錄介質(zhì)均是各記錄層的記錄靈敏度為5mW以內(nèi)的接近值，是良好的。實(shí)施例1～3任意一個(gè)的光記錄介質(zhì)的多個(gè)記錄層的主要組成元素均以Bi以及O為共同的元素，最接近激光的入射面18而配置的記錄層的消光系數(shù)比第一記錄層14的消光系數(shù)小0.02～0.14。換句話說，當(dāng)多個(gè)記錄層的主要組成元素共同時(shí)，如果最接近激光入射面18而配置的記錄層的消光系數(shù)比第一記錄層14的消光系數(shù)小0.02～0.14，那么各記錄層的記錄靈敏度的差將被控制在5mW以內(nèi)，是優(yōu)選的。進(jìn)一步，如果最接近激光入射面18而配置的記錄層的消光系數(shù)比第一記錄層14的消光系數(shù)小0.02～0.07，那么各記錄層的記錄靈敏度的差將被控制在3mW以內(nèi)，是更加優(yōu)選的。另外，如上所述，在實(shí)施例4中，第一記錄層14的主要組成元素不同于其他記錄層的主要組成元素，第一記錄層14的消光系數(shù)比其他記錄層的消光系數(shù)明顯的高，因此，如果包含第一記錄層14，那么上述的關(guān)系就不成立，但是，在實(shí)施例4中也同樣，在組成元素相同的第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44中，最接近激光入射面18而配置的第六記錄層44的消光系數(shù)比最遠(yuǎn)離激光入射面18而配置的第二記錄層16的消光系數(shù)小(0.02～0.14的范圍內(nèi)的)0.08，這些主要組成元素共同的五層記錄層的記錄靈敏度的差被控制在5mW以內(nèi)。相對(duì)于此，對(duì)于第二記錄層16的折射率和第一記錄層14的折射率相等的比較例的光記錄介質(zhì)，無論怎樣在第一記錄層14上進(jìn)行激光對(duì)焦，還是將焦點(diǎn)對(duì)到了第二記錄層16，沒有能夠在第一記錄層上形成記錄標(biāo)記。即，不能對(duì)第一記錄層14進(jìn)行評(píng)價(jià)?？梢哉J(rèn)為，這是由于光電檢測器檢測出的第一記錄層14的反射率相對(duì)于第二記錄層16的反射率過低的緣故。本發(fā)明可以用于具有多個(gè)記錄層的光記錄介質(zhì)。權(quán)利要求1.一種光記錄介質(zhì)，其特征在于，包含有通過照射激光而形成與周圍的間隔部相比增加了厚度的記錄標(biāo)記的多個(gè)記錄層，在這些記錄層中配置在相對(duì)接近上述激光的入射面一側(cè)的記錄層的折射率低于與該記錄層相比配置在遠(yuǎn)離上述激光的入射面一側(cè)的記錄層的折射率。2.一種光記錄介質(zhì)，其特征在于，包含有通過照射激光而形成與周圍的間隔部相比增加了厚度的記錄標(biāo)記的多個(gè)記錄層，在這些記錄層中配置在相對(duì)接近上述激光的入射面一側(cè)的記錄層的消光系數(shù)低于與該記錄層相比配置在遠(yuǎn)離上述激光的入射面一側(cè)的記錄層的消光系數(shù)。3.如權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，包含有3層或3層以上的記錄層，在這些記錄層中，至少與配置在最遠(yuǎn)離激光入射面的位置的記錄層相比而配置在上述激光的入射面?zhèn)鹊亩鄠€(gè)記錄層，是通過照射上述激光而形成與周圍的間隔部相比增加了厚度的記錄標(biāo)記的記錄層。4.如權(quán)利要求2所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，包含有3層或3層以上的記錄層，在這些記錄層中，至少與配置在最遠(yuǎn)離激光入射面的位置的記錄層相比而配置在上述激光的入射面?zhèn)鹊亩鄠€(gè)記錄層，是通過照射上述激光而形成與周圍的間隔部相比增加了厚度的記錄標(biāo)記的記錄層。5.如權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述多個(gè)記錄層的厚度相同。6.如權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，在上述多個(gè)記錄層中，配置在相對(duì)接近上述激光的入射面一側(cè)的記錄層厚于與該記錄層相比配置在遠(yuǎn)離上述激光的入射面一側(cè)的記錄層。7.如權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，在上述多個(gè)記錄層中，最接近于上述激光的入側(cè)面而配置的記錄層的折射率比最遠(yuǎn)離上述激光的入側(cè)面而配置的記錄層的折射率低0.1～0.6。8.如權(quán)利要求2所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，在上述多個(gè)記錄層中，最接近于上述激光的入側(cè)面而配置的記錄層的消光系數(shù)比最遠(yuǎn)離上述激光的入側(cè)面而配置的記錄層的消光系數(shù)小0.01～0.20。9.如權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述記錄層的材料具有根據(jù)厚度而上述間隔部的反射率發(fā)生變化、并且在規(guī)定的厚度下上述間隔部的反射率成為最大的特性，各記錄層是以使其間隔部的反射率成為最大的厚度而形成的。10.如權(quán)利要求1至9中任意一項(xiàng)所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，在上述多個(gè)記錄層中，與配置在最遠(yuǎn)離上述激光的入射面的位置的記錄層相比而配置在上述激光的入射面?zhèn)鹊闹辽僖粋€(gè)記錄層實(shí)質(zhì)上是由Bi及O構(gòu)成的，該記錄層中的O原子數(shù)的比率為62％或62％以上。全文摘要本發(fā)明提供一種具有多個(gè)記錄層、針對(duì)任意一個(gè)記錄層都能夠形成良好的記錄標(biāo)記、且能夠得到期望的再現(xiàn)精度的光記錄介質(zhì)。光記錄介質(zhì)(10)包含有通過照射激光而形成與周圍的間隔部(11)相比增加了厚度的記錄標(biāo)記(12)得第一記錄層(14)以及第二記錄層(16)，配置在相對(duì)接近激光入射面(18)一側(cè)的第二記錄層(16)的折射率(n文檔編號(hào)G11B7/242GK1897134SQ20061010584公開日2007年1月17日申請(qǐng)日期2006年7月13日優(yōu)先權(quán)日2005年7月15日發(fā)明者三島康兒,由德大介申請(qǐng)人:Tdk股份有限公司