專利名稱：集成電路裝置及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種集成電路裝置及電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
作為驅(qū)動(dòng)液晶屏等顯示面板的集成電路裝置，包括顯示驅(qū)動(dòng)器(LCD驅(qū)動(dòng)器)。對(duì)于這種顯示驅(qū)動(dòng)器，為了低成本化而要求縮小芯片的尺寸。
然而，組裝在如便攜式電話機(jī)等設(shè)備中的顯示面板的大小幾乎是確定的。所以，如果要想通過(guò)采用微細(xì)加工技術(shù)來(lái)單純縮小顯示驅(qū)動(dòng)器的集成電路裝置而縮小芯片尺寸，就會(huì)帶來(lái)安裝的難題。
而且，顯示面板的種類(非晶形TFT、低溫多晶硅TFT)或顯示像素?cái)?shù)(QCI/F、QVGA、VGA)是多種多樣的。因此，就需要向用戶提供對(duì)應(yīng)這些各種類型的顯示面板。
而且，當(dāng)變更集成電路裝置的電路塊的布局時(shí)，如果其影響波及到其他的電路塊，就會(huì)導(dǎo)致設(shè)計(jì)的低效率和開(kāi)發(fā)周期延長(zhǎng)等問(wèn)題。
專利文獻(xiàn)1 日本特開(kāi)2001-222249號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述技術(shù)缺陷，本發(fā)明的目的在于提供一種可實(shí)現(xiàn)縮小電路面積和提高設(shè)計(jì)效率的集成電路裝置以及包括該集成電路裝置的電子設(shè)備。
本發(fā)明涉及一種集成電路裝置，在以從作為集成電路裝置的短邊的第一邊朝向?qū)γ娴牡谌叺姆较驗(yàn)榈谝环较?、以從作為集成電路裝置的長(zhǎng)邊的第二邊朝向?qū)γ娴牡谒倪叺姆较驗(yàn)榈诙较驎r(shí)，包括沿著上述第一方向配置的第一～第N電路塊(N為大于等于2的整數(shù))，上述第一～第N電路塊包括存儲(chǔ)圖像數(shù)據(jù)的至少一個(gè)存儲(chǔ)塊、以及用于驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)線的至少一個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊，沿著上述第一方向鄰接配置上述存儲(chǔ)塊和上述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊。
在本發(fā)明中，第一～第N電路塊沿著第一方向配置，該第一～第N的電路塊包括存儲(chǔ)塊和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊。而且，存儲(chǔ)塊和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊沿著第一方向鄰接配置。因此，與沿著第二方向配置存儲(chǔ)塊和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊的方法相比，可縮小集成電路裝置在第二方向上的寬度，從而可提供薄而細(xì)長(zhǎng)集成電路裝置。而且，當(dāng)改變存儲(chǔ)塊和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊的結(jié)構(gòu)等時(shí)，可將對(duì)其他電路塊的影響控制在最小限度，從而可提高設(shè)計(jì)效率。
而且，在本發(fā)明中，也可以是，上述第一～第N電路塊包括第一～第I存儲(chǔ)塊(I為大于等于2的整數(shù))；以及第一～第I數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊，相對(duì)于上述第一～第I存儲(chǔ)塊，分別沿著上述第一方向鄰接配置。
這樣，就可以配置與應(yīng)存儲(chǔ)的圖像數(shù)據(jù)的位數(shù)等對(duì)應(yīng)的優(yōu)選塊數(shù)的第一～第I存儲(chǔ)塊、以及與其對(duì)應(yīng)的第一～第I數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊。而且，還可根據(jù)塊數(shù)調(diào)整集成電路裝置的第二方向的寬度和第一方向的長(zhǎng)度，特別是可縮小第二方向的寬度。
而且，在本發(fā)明中，也可以是，當(dāng)以上述第一方向的相反方向?yàn)榈谌较驎r(shí)，在上述第一～第I存儲(chǔ)塊中的第J存儲(chǔ)塊(1≤J＜I)的上述第三方向，鄰接配置上述第一～第I數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊中的第J數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊，在上述第J存儲(chǔ)塊的上述第一方向，鄰接配置上述第一～第I存儲(chǔ)塊中的第J+1存儲(chǔ)塊，在上述第J+1存儲(chǔ)塊的上述第一方向，鄰接配置上述第一～第I數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊中的第J+1數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊。
而且，在本發(fā)明中，也可以是，在上述第J存儲(chǔ)塊和上述第J+1存儲(chǔ)塊之間共用列地址譯碼器。
如果這樣，可以進(jìn)一步使電路小規(guī)?；?br> 而且，在本發(fā)明中，也可以是，當(dāng)以上述第一方向的相反方向?yàn)榈谌较驎r(shí)，在上述第一～第I存儲(chǔ)塊內(nèi)的第J存儲(chǔ)塊(1≤J＜I)的上述第三方向，鄰接配置上述第一～第I數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊中的第J數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊，在上述第J存儲(chǔ)塊的上述第一方向，配置上述第一～第I的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊中的第J+1數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊，在上述第J+1的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊的上述第一方向，鄰接配置上述第一～第I存儲(chǔ)塊中的第J+1的存儲(chǔ)塊。
如果這樣，就可以使來(lái)自第一～第I的各數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊的數(shù)據(jù)信號(hào)輸出線的間距均勻化。
而且，在本發(fā)明中，也可以是，當(dāng)從自主機(jī)側(cè)存取時(shí)，只選擇上述第一～第I存儲(chǔ)塊內(nèi)對(duì)應(yīng)存取區(qū)域的存儲(chǔ)塊字線。
如果這樣，當(dāng)從主機(jī)側(cè)存取時(shí)，由于不用選擇第一～第I存儲(chǔ)塊的所有存儲(chǔ)塊的字線，所以可降低電力消耗。
而且，在本發(fā)明中，也可以是，包括分別鄰接配置在上述第一～第I存儲(chǔ)塊的多個(gè)轉(zhuǎn)發(fā)塊，上述多個(gè)轉(zhuǎn)發(fā)塊，包括分別來(lái)自上述第一～第I存儲(chǔ)塊的讀數(shù)據(jù)信號(hào)用緩沖器，存儲(chǔ)選擇信號(hào)變?yōu)榧せ?，在選擇上述第一～第I存儲(chǔ)塊中的第J存儲(chǔ)塊(1≤J＜I)時(shí)，來(lái)自上述第J存儲(chǔ)塊的讀數(shù)據(jù)信號(hào)，通過(guò)與上述第J存儲(chǔ)塊對(duì)應(yīng)的轉(zhuǎn)發(fā)塊的緩沖器進(jìn)行緩沖處理，然后向讀出數(shù)據(jù)線輸出，當(dāng)上述存儲(chǔ)選擇信號(hào)變?yōu)榉羌せ?、且上述第J存儲(chǔ)塊為非選擇時(shí)，與上述第J存儲(chǔ)塊對(duì)應(yīng)的轉(zhuǎn)發(fā)塊的緩沖器的輸出狀態(tài)被設(shè)定為高阻抗?fàn)顟B(tài)。
如果這樣，第J存儲(chǔ)塊的存儲(chǔ)選擇信號(hào)為非激活、且選擇第J存儲(chǔ)塊以外的存儲(chǔ)塊時(shí)，通過(guò)讀數(shù)據(jù)線準(zhǔn)確傳送來(lái)自所選擇的存儲(chǔ)塊的讀數(shù)據(jù)信號(hào)。
而且，在本發(fā)明中也可以是，在上述存儲(chǔ)塊內(nèi)中，沿上述第二方向，對(duì)連接于上述存儲(chǔ)塊的存儲(chǔ)單元的字線進(jìn)行配線；在上述存儲(chǔ)塊內(nèi)中，沿上述第一方向，對(duì)存儲(chǔ)在上述存儲(chǔ)塊內(nèi)的圖像數(shù)據(jù)輸出到上述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊的位線進(jìn)行配線。
如果這樣，可縮短字線的長(zhǎng)度，從而實(shí)現(xiàn)在字線上的信號(hào)延遲優(yōu)化。
而且，在本發(fā)明中，也可以是，在一個(gè)水平掃描期間，相對(duì)于上述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊，從上述存儲(chǔ)塊多次讀出存儲(chǔ)于上述存儲(chǔ)塊的圖像數(shù)據(jù)。
如果這樣，由于減少了存儲(chǔ)塊的在第二方向的存儲(chǔ)單元數(shù)，所以，可縮小存儲(chǔ)塊的第二方向的寬度，也可縮小集成電路裝置的第二方向的寬度。
而且，在本發(fā)明中也可以是，在一個(gè)水平掃描期間，選擇上述存儲(chǔ)塊內(nèi)的多個(gè)不相同的字線，由此，在一個(gè)水平掃描期間，多次讀出存儲(chǔ)于上述存儲(chǔ)塊的圖像數(shù)據(jù)。
而且，在本發(fā)明中，也可以是，上述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊包括沿著上述第一方向堆棧配置的多個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器。
如果這樣，就可有效地配置各種結(jié)構(gòu)、類型的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器。
而且，在本發(fā)明中，也可以是，上述多個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器中的第一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器，在第一水平掃描期間鎖存從上述存儲(chǔ)塊第一次讀出的圖像數(shù)據(jù)，對(duì)鎖存的圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行D/A轉(zhuǎn)換，并將通過(guò)D/A轉(zhuǎn)換所得到的數(shù)據(jù)信號(hào)向數(shù)據(jù)信號(hào)輸出線輸出；上述多個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器中的第二數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器，在第一水平掃描期間中鎖存從上述存儲(chǔ)塊第二次讀出的圖像數(shù)據(jù)，對(duì)鎖存的圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行D/A轉(zhuǎn)換，并將通過(guò)D/A轉(zhuǎn)換所得到的數(shù)據(jù)信號(hào)向數(shù)據(jù)信號(hào)輸出線輸出。
如果這樣，各第一、第二數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器只要將第一、第二次讀出的圖像數(shù)據(jù)鎖存、并進(jìn)行D/A轉(zhuǎn)換即可。因此，可以防止因第一、第二數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器規(guī)模的大小而使集成電路裝置在第二方向的寬度變大的情況發(fā)生。
而且，在本發(fā)明中，也可以是，上述多個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器中第一、第二數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器分別包括第一電路區(qū)域，配置有以第一電壓電平的電源進(jìn)行工作的電路；以及第二電路區(qū)域，配置有比上述第一電壓電平高的第二電壓電平的電源進(jìn)行工作的電路，上述第一、第二數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器配置成上述第一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的第一電路區(qū)域鄰接第一存儲(chǔ)塊，上述第二數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的第一電路區(qū)域鄰接第一存儲(chǔ)塊。
如果這樣，將以第一電壓電平的電源進(jìn)行工作的第一、第二存儲(chǔ)塊和第一、第二數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的第一電路區(qū)域鄰接配置，所以可提高布局的效率。
而且，在本發(fā)明中，也可以是，當(dāng)以顯示面板的水平掃描方向的像素?cái)?shù)為HPN、以一個(gè)像素的圖像數(shù)據(jù)的位數(shù)為PDB、將存儲(chǔ)塊的塊數(shù)作為MBN、以一個(gè)水平掃描期間中從存儲(chǔ)塊讀出圖像數(shù)據(jù)的讀出次數(shù)為RN時(shí)，上述存儲(chǔ)塊的讀出放大器塊包括沿著上述第二方向排列的P個(gè)讀出放大器，上述讀出放大器的個(gè)數(shù)P為P＝(HPN×PDB)/(MBN×RN)。
如果這樣，可將第一～第N電路塊的第二方向的寬度設(shè)定成與存儲(chǔ)塊的塊數(shù)MBN和圖像數(shù)據(jù)讀出次數(shù)RN對(duì)應(yīng)的優(yōu)化的寬度。
而且，在本發(fā)明中，也可以是，在上述存儲(chǔ)塊的讀出放大器塊中，在上述第一方向堆棧配置多個(gè)讀出放大器。
如果這樣，由于可以使來(lái)自存儲(chǔ)塊的圖像數(shù)據(jù)供給線在第二方向的輸出間距變窄，所以可縮小存儲(chǔ)塊在第二方向的寬度。
而且，在本發(fā)明中，也可以是，在堆棧配置的第一、第二讀出放大器的上述第一方向側(cè)沿著上述第一方向排列的兩行存儲(chǔ)單元列中，將上側(cè)的行的存儲(chǔ)單元列的位線連接于上述第一讀出放大器，將下側(cè)行的存儲(chǔ)單元列的位線連接于上述第二讀出放大器。
如果這樣，作為存儲(chǔ)單元，可以使用在第二方向的寬度窄的單元，從而實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)塊的高集成化。
而且，在本發(fā)明中，也可以是，將用于把上述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊的輸出線和上述數(shù)據(jù)線進(jìn)行電連接的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器用焊盤(pán)配置在上述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊的上述第二方向側(cè)，同時(shí)，還配置在上述存儲(chǔ)塊的上述第二方向側(cè)。
如果這樣，就可以有效利用存儲(chǔ)塊的第二方向側(cè)的空區(qū)域，并可配置數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器用焊盤(pán)。
而且，在本發(fā)明中，也可以是，上述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊包括用于輸出分別與一個(gè)子像素的圖像數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)的多個(gè)子像素驅(qū)動(dòng)單元，用于將上述子像素驅(qū)動(dòng)單元的輸出信號(hào)的引出線的排列順序進(jìn)行替換排列的替換排列配線區(qū)域設(shè)置在上述子像素驅(qū)動(dòng)單元的配置區(qū)域內(nèi)。
這樣，如果將替換排列配線區(qū)域設(shè)置在子像素驅(qū)動(dòng)單元的配置區(qū)域內(nèi)，可以將焊盤(pán)與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊之間的在配線區(qū)域的配線層的切換等控制在最小限度，從而可縮小配線區(qū)域在第二方向的寬度。
而且，在本發(fā)明中，也可以是，在第一替換排列配線區(qū)域，對(duì)第一組引出線的排列順序進(jìn)行替換排列，其中，第一組引出線是指屬于上述多個(gè)子像素驅(qū)動(dòng)單元中的第一組的子像素驅(qū)動(dòng)單元的輸出信號(hào)的引出線；在第二替換排列配線區(qū)域，對(duì)第二組引出線的排列順序進(jìn)行替換排列，其中，第二組引出線是指屬于上述多個(gè)子像素驅(qū)動(dòng)單元中的第二組的子像素驅(qū)動(dòng)單元的輸出信號(hào)的引出線。
如果這樣，在第一替換排列配線區(qū)域，對(duì)第一組引出線的排列順序進(jìn)行替換排列，在第二替換排列配線區(qū)域，對(duì)第二組引出線的排列順序進(jìn)行替換排列。因此，可以在多處替換排列配線區(qū)域?qū)ε帕许樞蜻M(jìn)行替換排列，所以，可進(jìn)一步縮小在焊盤(pán)與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊之間的配線區(qū)域的第二方向的寬度。
而且，在本發(fā)明中也可以是，上述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊包括用于分別輸出與一個(gè)子像素的圖像數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)的多個(gè)子像素驅(qū)動(dòng)單元，用于將來(lái)自上述存儲(chǔ)塊的圖像數(shù)據(jù)供給上述子像素驅(qū)動(dòng)單元的圖像數(shù)據(jù)供給線橫跨多個(gè)上述子像素驅(qū)動(dòng)單元，并沿著上述第一方向配線。
如果這樣，就可以使用圖像數(shù)據(jù)供給線向多個(gè)子像素驅(qū)動(dòng)單元高效地供給來(lái)自存儲(chǔ)塊的圖像數(shù)據(jù)。
而且，在本發(fā)明中，也可以是，上述子像素驅(qū)動(dòng)單元包括使用灰階電壓、并進(jìn)行圖像數(shù)據(jù)的D/A轉(zhuǎn)換的D/A轉(zhuǎn)換器，用于向上述D/A轉(zhuǎn)換器供給上述灰階電壓的灰階電壓供給線橫跨多個(gè)上述子像素驅(qū)動(dòng)單元，并沿著上述第二方向配線。
如果這樣，通過(guò)沿著第二方向配線的灰階電壓供給線，向沿著第二方向配置的多個(gè)子像素驅(qū)動(dòng)單元的D/A轉(zhuǎn)換器高效地供給灰階電壓，從而可提高布局的效率。而且，可有效地利用引出線的空配線區(qū)域，配置灰階電壓供給線。
而且，在本發(fā)明中，也可以是，在上述子像素驅(qū)動(dòng)單元的上述D/A轉(zhuǎn)換器的配置區(qū)域，沿著上述第二方向配置N型晶體管區(qū)域、P型晶體管區(qū)域，在上述子像素驅(qū)動(dòng)單元的上述D/A轉(zhuǎn)換器以外的配置區(qū)域內(nèi)，沿著上述第一方向配置N型晶體管區(qū)域、P型晶體管區(qū)域。
如果這樣，對(duì)于沿著第二方向配置的N型晶體管區(qū)域的N型晶體管和P型晶體管區(qū)域的P型晶體管，可共同連接灰階電壓供給線，從而可提高布局效率。另一方面，如果將D/A轉(zhuǎn)換器以外的電路的N型晶體管區(qū)域、P型晶體管區(qū)域沿著第一方向排列配置，就可成為沿著信號(hào)的流動(dòng)方向的高效的布局。
而且，在本發(fā)明中，也可以是，由配置在上述D/A轉(zhuǎn)換器的上述配置區(qū)域的N型晶體管區(qū)域、P型晶體管區(qū)域的N型晶體管、P型晶體管構(gòu)成上述D/A轉(zhuǎn)換器的電壓選擇器的傳輸門(mén)。
如果這樣，對(duì)于構(gòu)成傳輸門(mén)的N型、P型晶體管，可以共同連接灰階電壓供給線，從而可提高布局的效率。
而且，在本發(fā)明中，也可以包括第一接口區(qū)域，在上述第一～第N電路塊的上述第二方向側(cè)上，沿著上述第四邊設(shè)置；以及第二接口區(qū)域，當(dāng)把上述第二方向的相反方向作為第4方向時(shí)，在上述第一～第N電路塊的上述第四方向側(cè)上，沿著上述第二邊設(shè)置。
而且，本發(fā)明涉及一種包括上述任一記載的集成電路裝置、以及通過(guò)上述集成電路裝置驅(qū)動(dòng)的顯示面板的電子設(shè)備。


圖1(A)、圖1(B)、圖1(C)是本實(shí)施方式的比較例的說(shuō)明圖；圖2(A)、圖2(B)是關(guān)于集成電路裝置安裝的說(shuō)明圖；圖3是本實(shí)施方式的集成電路裝置的構(gòu)成例；圖4是各種類型的顯示驅(qū)動(dòng)器和內(nèi)置顯示驅(qū)動(dòng)器的電路框圖的示例；圖5(A)、圖5(B)是本實(shí)施方式的集成電路裝置平面配置的示例；圖6(A)、圖6(B)是集成電路裝置的截面圖的例子；
圖7是集成電路裝置的電路結(jié)構(gòu)的例于；圖8(A)、圖8(B)、圖8(C)是數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器、掃描驅(qū)動(dòng)器的構(gòu)成例；圖9(A)、圖9(B)是電源電路、灰階電壓生成電路的構(gòu)成例；圖10(A)、圖10(B)、圖10(C)是D/A轉(zhuǎn)換電路、輸出電路的構(gòu)成例；圖11(A)、圖11(B)是將存儲(chǔ)塊和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊鄰接配置的方法說(shuō)明圖；圖12(A)、圖12(B)是比較例的說(shuō)明圖；圖13(A)、圖13(B)是存儲(chǔ)塊、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊的配置說(shuō)明圖；圖14是在一個(gè)水平掃描期間多次讀出像素?cái)?shù)據(jù)的方法說(shuō)明圖；圖15是數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器、驅(qū)動(dòng)單元的配置示例；圖16(A)、圖16(B)、圖16(C)是存儲(chǔ)單元的構(gòu)成例；圖17是橫向型單元情況下的存儲(chǔ)塊、驅(qū)動(dòng)單元的配置例；圖18是縱向型單元情況下的存儲(chǔ)塊、驅(qū)動(dòng)單元的配置例；圖19(A)、圖19(B)是電子設(shè)備的構(gòu)成例；圖20(A)、圖20(B)是宏單元化方法的說(shuō)明圖；圖21是轉(zhuǎn)發(fā)塊的構(gòu)成例；
圖22是子像素驅(qū)動(dòng)單元的配置例；圖23是讀出放大器、存儲(chǔ)單元的配置例；圖24是焊盤(pán)配線方法的說(shuō)明圖；圖25(A)、圖25(B)是鋁配線層的使用形態(tài)等的說(shuō)明圖；圖26是子像素驅(qū)動(dòng)單元的構(gòu)成例；圖27是D/A轉(zhuǎn)換器的構(gòu)成例；以及圖28(A)、圖28(B)、圖28(C)是D/A轉(zhuǎn)換器的子譯碼器的真值表、D/A轉(zhuǎn)換器的配置說(shuō)明圖。
具體實(shí)施例方式
以下，詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施例。而且，以下說(shuō)明的本實(shí)施例并不限定于要求保護(hù)范圍所述的載的本發(fā)明的內(nèi)容，而且，也不限定本實(shí)施例所說(shuō)明的構(gòu)成全部都是本發(fā)明的必須的解決方法。
1.比較例圖1(A)表示作為本實(shí)施例的比較例的集成電路裝置500。圖1(A)的集成電路裝置500包括存儲(chǔ)塊MB(顯示數(shù)據(jù)RAM)和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊DB。而且，存儲(chǔ)塊MB和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊DB沿D2方向配置。另外，存儲(chǔ)塊MB、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊DB的沿D1方向的長(zhǎng)度與在D2方向的寬度相比為較長(zhǎng)的超扁平的塊。
來(lái)自主機(jī)側(cè)的圖像數(shù)據(jù)被寫(xiě)入存儲(chǔ)塊MB。然后，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊DB把寫(xiě)進(jìn)存儲(chǔ)塊MB的數(shù)字圖像數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為模擬的數(shù)據(jù)電壓，然后驅(qū)動(dòng)顯示面板的數(shù)據(jù)線。這樣，在圖1(A)中圖像信號(hào)流是D2方向。因此，在圖1(A)比較例中，根據(jù)該信號(hào)流，存儲(chǔ)塊MB和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊DB沿D2方向配置。這樣一來(lái)，輸入和輸出之間為短路徑，可以優(yōu)化信號(hào)的延遲，可以傳輸效率好的信號(hào)。
然而，對(duì)于圖1(A)的比較例，存在如下技術(shù)缺陷。
第一，就驅(qū)動(dòng)器等集成電路裝置而言，為了低成本化，要求縮小芯片的尺寸?？墒?，如果采用微細(xì)加工，并通過(guò)單純縮小集成電路裝置500以縮小芯片尺寸的話，不僅是短邊方向，而且連長(zhǎng)邊方向也被縮小。所以，導(dǎo)致如圖2(A)所示的安裝困難的技術(shù)缺陷。也就是說(shuō)，即使優(yōu)選輸出間距例如大于等于22μm，可是，由于如圖2(A)所示的單純縮小后的間距例如只有17μm，間距太窄，所以安裝變得困難。再者，顯示面板的玻璃框變寬，玻璃的需要數(shù)量減少，造成成本增加。
第二，在顯示驅(qū)動(dòng)器中，根據(jù)顯示面板的種類(非晶形TFT、低溫多晶硅TFT)、像素?cái)?shù)(QCIF、QVGA、VGA)和產(chǎn)品的技術(shù)規(guī)格等，存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的構(gòu)成有所變化。所以，就圖1(A)的比較例而言，即使有的產(chǎn)品如圖1(B)所示，其焊盤(pán)間距、存儲(chǔ)器的單元間距和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的單元間距是一致的，只要存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的構(gòu)成發(fā)生變化，如圖1(C)所示，它們的間距也就不一致了。而且，如圖1(C)所示，如果間距不一致，在電路塊之間，為了吸收間距的不一致，不得不形成多余的配線區(qū)域。特別是，對(duì)于在D1方向塊是扁平的圖1(A)的比較例，用于吸收間距不一致的多余配線區(qū)域更大。其結(jié)果是，集成電路裝置500的D2方向的寬度W增大，芯片面積增加，并導(dǎo)致成本的增加。
另一方面，為了避免這類事態(tài)，為使焊盤(pán)間距和單元間距取齊而改變存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的布局，這又導(dǎo)致開(kāi)發(fā)周期延長(zhǎng)，結(jié)果，導(dǎo)致成本增加。也就是說(shuō)，對(duì)于圖1(A)的比較例，各電路塊的電路構(gòu)成和布局都進(jìn)行單獨(dú)設(shè)計(jì)，再進(jìn)行調(diào)整間距的作業(yè)，因而生成不必要的空區(qū)域，并且導(dǎo)致設(shè)計(jì)低效化等問(wèn)題。
2.集成電路裝置的構(gòu)成圖3示出能夠解決上述技術(shù)缺陷的本實(shí)施例的集成電路裝置10的構(gòu)成。就本實(shí)施例而言，以從集成電路裝置10的短邊即第一邊SD1朝著對(duì)面的第三邊SD3的方向?yàn)榈谝环较駾1，以D1的反方向?yàn)榈谌较駾3。以從集成電路裝置10的長(zhǎng)邊即第二邊SD2朝著對(duì)面的第四邊SD4的方向?yàn)榈诙较駾2，以D2的反方向?yàn)榈谒姆较駾4。此外，在圖3中，雖然集成電路裝置10的左邊為第一邊SD1，右邊為第三邊SD3，但是，也可以是左邊為第三邊SD3、右邊為第一邊SD1。
如圖3所示，本實(shí)施例的集成電路裝置10包括沿D1方向配置的第一～第N個(gè)電路塊CB1～CBN(N為大于等于2的整數(shù))。亦即，在圖1(A)的比較例中，電路塊沿D2方向排列，而在本實(shí)施例中，電路塊CB1～CBN沿D1方向排列。而且，各電路塊不像圖1(A)的比較例那樣呈超扁平的塊，而是比較接近方形的塊。
另外，集成電路裝置10包括在第一～第N的電路塊CB1～CBN的D2方向側(cè)沿邊SD4設(shè)置的輸出側(cè)I/F區(qū)域12(廣義為第一接口區(qū))。而在第一～第N電路塊CB1～CBN的D4方向側(cè)包括沿邊SD2設(shè)置的輸入側(cè)I/F區(qū)域14(廣義為第二接口區(qū))。更具體地說(shuō)，輸出側(cè)I/F區(qū)域12(第一個(gè)I/O區(qū)域)配置在電路塊CB1～CBN的D2方向一側(cè)，而不通過(guò)例如其它電路塊。而輸入側(cè)I/F區(qū)域14(第二個(gè)I/O區(qū)域)也不通過(guò)例如其它電路塊而直接配置在電路塊CB1～CBN的D4方向一側(cè)。亦即，至少在數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊存在的部分，在D2方向只存在一個(gè)電路塊(數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊)。此外，在把集成電路裝置10作為IP(知識(shí)產(chǎn)權(quán))核心來(lái)使用，并組裝于其他集成電路裝置時(shí)，也可以形成不設(shè)有I/F區(qū)域12、14中至少一個(gè)的構(gòu)成。
輸出側(cè)(顯示面板側(cè))I/F區(qū)域12是與顯示面板形成接口的區(qū)域，包括焊盤(pán)、連接于焊盤(pán)的輸出用晶體管和保護(hù)元件等各種元件。具體地說(shuō)，包括向數(shù)據(jù)線輸出數(shù)據(jù)信號(hào)、向掃描線輸出掃描信號(hào)的輸出用晶體管等。此外，在顯示面板是觸摸面板等時(shí)，也可以包括輸入用晶體管。
輸入側(cè)(主機(jī)側(cè))I/F區(qū)域14是與主機(jī)(MPU、圖像處理控制器、基帶引擎)形成接口的區(qū)域，可以包括焊盤(pán)、連接于焊盤(pán)的輸入(輸入/輸出用)晶體管、輸出用晶體管和保護(hù)元件等各種元件。具體地說(shuō)，包括用于輸入來(lái)自主機(jī)的信號(hào)(數(shù)字信號(hào))的輸入用晶體管、用于向主機(jī)輸出信號(hào)的輸出用晶體管等。
此外，也可以設(shè)置沿短邊即邊SD1、SD3的輸出側(cè)或者輸入側(cè)I/F區(qū)域。另外，作為外部連接端子的凸起等也可以設(shè)置在I/F(接口)區(qū)域12、14，也可以設(shè)置在其以外的區(qū)域(第一～第N電路塊CB1～CBN)。當(dāng)設(shè)在I/F區(qū)域12、14以外的區(qū)域時(shí)，可以采用金屬凸起以外的小型凸起技術(shù)(以樹(shù)脂為核心的凸起技術(shù))來(lái)實(shí)現(xiàn)。
第一～第N電路塊CB1～CBN可以至少包括兩個(gè)(或者三個(gè))不同的電路塊(具備不同功能的電路塊)。以集成電路裝置10是顯示驅(qū)動(dòng)器的情況為例，電路塊CB1～CBN可以包括如數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器、存儲(chǔ)器、掃描驅(qū)動(dòng)器、邏輯電路、灰階電壓發(fā)生電路和電源電路中的至少兩個(gè)電路塊。更具體地講，電路塊CB1～CBN至少可以包括數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊和邏輯電路塊，而且，可以包括灰階電壓發(fā)生電路塊。另外，在內(nèi)置存儲(chǔ)器的情況下，還可以包括存儲(chǔ)塊。
例如，圖4表示各種類型的顯示驅(qū)動(dòng)器和內(nèi)置顯示驅(qū)動(dòng)器的電路塊的例子。就內(nèi)置存儲(chǔ)器(RAM)的非晶形TFT(Thin FilmTransistor，薄膜晶體管)面板用顯示驅(qū)動(dòng)器而言，電路塊CB1～CBN包括存儲(chǔ)器、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(源極驅(qū)動(dòng)器)、掃描驅(qū)動(dòng)器(柵極驅(qū)動(dòng)器)、邏輯電路(門(mén)陣列電路)、灰階電壓發(fā)生電路(γ校正電路)以及電源電路這些電路塊。另一方面，就存儲(chǔ)器內(nèi)置的低溫多晶硅(LTPS)TFT面板用顯示驅(qū)動(dòng)器而言，因?yàn)榭梢栽诓ＡЩ迳闲纬蓲呙栩?qū)動(dòng)器，所以可以省略掃描驅(qū)動(dòng)電路塊。而對(duì)于存儲(chǔ)器非內(nèi)置的非晶形TFT面板，可以省略存儲(chǔ)塊，對(duì)于存儲(chǔ)器非內(nèi)置的低溫多晶硅TFT面板，可以省略存儲(chǔ)器和掃描驅(qū)動(dòng)器的電路塊。另外，就CSTN(Color Super Twisted Nematic)面板、TFD(Thin Film Diode，薄膜二極管)面板而言，則可以省略灰階電壓發(fā)生電路塊。
圖5(A)、圖5(B)表示本實(shí)施例的顯示驅(qū)動(dòng)器集成電路裝置10的平面布局的例子。圖5(A)、圖5(B)是存儲(chǔ)器內(nèi)置的非晶形TFT面板用的例子，例如圖5(A)以QCIF、32階用顯示驅(qū)動(dòng)器為目標(biāo)，而圖5(B)則以QVGA、64階用顯示驅(qū)動(dòng)器為目標(biāo)。
就圖5(A)、(B)而言，其第一～第N電路塊CB1～CBN包括第一～第四存儲(chǔ)塊MB1～MB4(廣義為第一～第I個(gè)存儲(chǔ)塊，I是大于等于2的整數(shù))。與各第一～第四存儲(chǔ)塊MB1～MB4對(duì)應(yīng)，包括沿D1方向其各自鄰接配置的第一～第四數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊DB1～DB4(廣義為第一～第I的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊)。具體地說(shuō)，存儲(chǔ)塊MB1和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊DB1沿D1方向相鄰配置，存儲(chǔ)塊MB2則和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊DB2沿D1方向相鄰配置。而且，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊DB1用于驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)線的圖像數(shù)據(jù)(顯示數(shù)據(jù))由鄰接的存儲(chǔ)塊MB1存儲(chǔ)，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊DB2用于驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)線的圖像數(shù)據(jù)則由鄰接的存儲(chǔ)塊MB2存儲(chǔ)。
在圖5(A)中，在存儲(chǔ)塊MB1～MB4中的MB1(廣義為第J存儲(chǔ)塊，1≤J＜I)的D3方向一側(cè)鄰接配置數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊DB1～DB4中的DB1(廣義為第J數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊)。另外，在存儲(chǔ)塊MB1的D1方向一側(cè)鄰接配置存儲(chǔ)塊MB2(廣義地是第J+1的存儲(chǔ)塊)。然后，在存儲(chǔ)塊MB2的D1方向一側(cè)鄰接配置數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊DB2(廣義地是第J+1的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊)。存儲(chǔ)塊MB3、MB4、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊DB3、DB4的配置也是一樣。這樣，在圖5(A)中，相對(duì)于MB1、MB2的邊界線，MB1、DB1和MB2、DB2對(duì)稱地配置，而相對(duì)于MB3、MB4的邊界線，MB3、DB3和MB4、DB4對(duì)稱地配置。此外，在圖5(A)中，雖然DB2和DB3鄰接配置，但是，不鄰接而在其間配置其它的電路塊也可以。
另一方面，圖5(B)中，對(duì)于在存儲(chǔ)塊MB1～MB4之中的MB1(廣義地為第J存儲(chǔ)塊)的D3方向一側(cè)鄰接配置數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊DB1～DB4中的DB1(第J數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊)。另外，在存儲(chǔ)塊MB1的D1方向一側(cè)鄰接配置DB2(第J+1的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊)。在DB2的D1方向一側(cè)鄰接配置MB2(第J+1的存儲(chǔ)塊)。DB3、MB3、DB4、MB4也同樣配置。此外，雖然在圖5(B)中MB1和DB2、MB2和DB3、MB3和DB4都分別為鄰接配置，但是，不鄰接而在其間配置其它的電路塊也可以。
根據(jù)圖5(A)的配置，具有在存儲(chǔ)塊MB1和MB2以及MB3和MB4之間(在第J、第J+1的存儲(chǔ)塊之間)共用列地址譯碼器的優(yōu)點(diǎn)。另一方面，根據(jù)圖5(B)的配置，能夠使從數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊DB1～DB4到輸出側(cè)I/F區(qū)域12的數(shù)據(jù)信號(hào)輸出線的配線間距均勻化，具有可以提高配線效率的優(yōu)點(diǎn)。
本實(shí)施例的集成電路裝置10的布局并非限定于圖5(A)、(B)。例如，存儲(chǔ)塊和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊的塊數(shù)量也可以是2、3或大于等于5，也可以對(duì)存儲(chǔ)塊和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊不進(jìn)行塊的分割而構(gòu)成。而且，也可以實(shí)施存儲(chǔ)塊和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊不相鄰的實(shí)施方式。而且，即使不設(shè)存儲(chǔ)塊、掃描驅(qū)動(dòng)器塊、電源電路塊或灰階電壓發(fā)生電路塊等這樣的構(gòu)成也是可以的。在電路塊CB1～CBN和輸出側(cè)I/F區(qū)域12、或者輸入側(cè)I/F區(qū)域14之間，也可以設(shè)置在D2方向上的寬度極窄的電路塊(小于等于WB的細(xì)長(zhǎng)電路塊)。另外，電路塊CB1～CBN還可以包括不同的電路塊在D2方向多級(jí)排列的電路塊。例如，也可以把掃描驅(qū)動(dòng)器電路和電源電路作為一個(gè)電路塊。
圖6(A)表示本實(shí)施例的集成電路裝置10沿D2方向的截面圖的例子。圖中W1、WB、W2分別為輸出側(cè)I/F區(qū)域12、電路塊CB1～CBN、輸入側(cè)I/F區(qū)域14在D2方向的寬度。另外，W是集成電路裝置10在D2方向的寬度。
對(duì)于本實(shí)施例，如圖6(A)所示，在D2方向上，可以不在電路塊CB1～CBN(數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊DB)和輸出側(cè)、輸入側(cè)I/F區(qū)域12、14之間夾入其它電路塊來(lái)構(gòu)成。所以，就可以使W1+WB+W2≤W＜W1+2×WB+W2，能夠?qū)崿F(xiàn)細(xì)長(zhǎng)的集成電路裝置。具體地說(shuō)，可以使D2方向的寬度W＜2mm，更具體的，可以使W＜1.5mm。而考慮到芯片的檢查和裝配，優(yōu)選W＞0.9mm。此外，長(zhǎng)邊方向的長(zhǎng)度LD則可以做到15mm＜LD＜27mm。芯片的形狀比SP＝LD/W可以做到SP＞10，更具體地說(shuō)，SP＞12。
圖6(A)的寬度W1、WB、W2分別為輸出側(cè)I/F區(qū)域12、電路塊CB1～CBN、輸入側(cè)I/F區(qū)域14的晶體管形成區(qū)域(主體區(qū)域、激活區(qū)域)的寬度。亦即，在I/F區(qū)域12、14形成輸出用晶體管、輸入用晶體管、輸入/輸出用晶體管和靜電保護(hù)元件的晶體管等。另外，在電路塊CB1～CBN區(qū)域形成構(gòu)成電路的晶體管。而且，以形成這類晶體管的阱和擴(kuò)散區(qū)作為基準(zhǔn)決定W1、WB、W2。例如，為了實(shí)現(xiàn)更細(xì)長(zhǎng)的集成電路裝置，希望是在電路塊CB1～CBN的晶體管上也形成凸起(能動(dòng)面凸起)。具體的，在晶體管上面(激活區(qū)域)形成以樹(shù)脂形成其芯、在樹(shù)脂的表面形成金屬層的樹(shù)脂芯凸起等。而且，該凸起(外部連接端子)通過(guò)金屬配線被連接到配置在I/F區(qū)域12、14的焊盤(pán)上。本實(shí)施例的W1、WB、W2不是這樣的突起的形成區(qū)域的寬度，而是在凸起下面形成的晶體管形成區(qū)域的寬度。
電路塊CB1～CBN各自在D2方向的寬度例如可以統(tǒng)一為同寬。此時(shí)，只要各電路塊的寬度實(shí)質(zhì)上相同就可以，例如有數(shù)μm～20μm(數(shù)十μm)程度的差異是在容許范圍以內(nèi)的。而且，在電路塊CB1～CBN中存在寬度不同的電路塊時(shí)，寬度WB可以是電路塊CB1～CBN的寬度中最大的寬度。此時(shí)的最大寬度可以是例如數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊的在D2方向的寬度。或者，在存儲(chǔ)器內(nèi)置的集成電路裝置的情況下，可以是存儲(chǔ)塊的在D2方向的寬度。此外，在電路塊CB1～CBN和I/F區(qū)域12、14之間可以設(shè)置例如寬20～30μm程度的空區(qū)域。
就本實(shí)施例而言，在輸出側(cè)I/F區(qū)域12上可以配置在D2方向的級(jí)數(shù)為一級(jí)或多級(jí)的焊盤(pán)。所以，如果考慮焊盤(pán)寬度(例如0.1μm)和焊盤(pán)間距，輸出側(cè)I/F區(qū)域12的在D2方向的寬度W1可以做到0.13mm≤W1≤0.4mm。另外，因?yàn)樵谳斎雮?cè)I/F區(qū)域14可以配置在D2方向的級(jí)數(shù)為一級(jí)或多級(jí)的焊盤(pán)，所以輸入側(cè)I/F區(qū)域14的寬度W2就可以做到0.1mm≤W2≤0.2mm。為了實(shí)現(xiàn)細(xì)長(zhǎng)的集成電路裝置，在電路塊CB1～CBN上需要通過(guò)公用配線形成來(lái)自邏輯電路塊的邏輯信號(hào)、來(lái)自灰階電壓發(fā)生電路塊的灰階電壓信號(hào)和電源的配線，這類配線的合計(jì)寬度例如在0.8～0.9mm的程度。因而，考慮到這些情況，電路塊CB1～CBN的寬度WB可以做到0.65≤WB≤1.2mm。
而且，即使W1＝0.4mm，W2＝0.2mm，可是因?yàn)?.65≤WB≤1.2mm，所以WB＞W(wǎng)1+W2成立。另外，在W1、WB、W2都為最小值的情況下，即W1＝0.13mm、WB＝0.65mm、W2＝0.1mm，集成電路裝置的寬度為W＝0.88mm。所以，W＝0.88mm＜2×WB＝1.3mm成立。在W1、WB、W2都為最大值的情況下，W1＝0.4mm、WB＝1.2mm、W2＝0.2mm，則集成電路裝置的寬度為W＝1.8mm的程度。所以，W＝1.8mm＜2×WB＝2.4mm成立。因此，關(guān)系式W＜2×WB成立，能夠?qū)崿F(xiàn)細(xì)長(zhǎng)的集成電路裝置。
對(duì)于圖1(A)的比較例，如圖6(B)所示，沿D2方向配置兩個(gè)以上的多個(gè)電路塊。另外，在D2方向，在電路塊之間、以及在電路塊和I/F區(qū)域之間形成有配線區(qū)域。所以，集成電路裝置500在D2方向(短邊方向)的寬度W就變寬，不能實(shí)現(xiàn)薄而細(xì)長(zhǎng)芯片。因而，即使利用微細(xì)加工使芯片收縮，但是，如圖2(A)所示，由于D1方向(長(zhǎng)邊方向)的長(zhǎng)度LD縮短，輸出間距變成窄間距，所以，導(dǎo)致安裝困難。
針對(duì)這一技術(shù)缺陷，如圖3、圖5(A)、圖5(B)所示，在本實(shí)施例中，沿D1方向配置多個(gè)電路塊CB1～CBN。另外，如圖6(A)所示，可以把晶體管(電路元件)配置在焊盤(pán)(凸起)的下面(能動(dòng)面凸起)。通過(guò)在電路塊內(nèi)部配線的局部配線的上層(焊盤(pán)的下層)形成的公用配線，也可以形成電路塊之間或者電路塊和I/F區(qū)域之間等的信號(hào)線。所以，如圖2(B)所示，可以在集成電路裝置10在D1方向的長(zhǎng)度LD維持不變的情況下使D2方向的寬度W變窄，實(shí)現(xiàn)超薄而細(xì)長(zhǎng)芯片。結(jié)果是，能夠使輸出間距維持在例如大于等于22μm，可以容易地進(jìn)行安裝。
而且，在本實(shí)施例中，由于沿D1方向配置多個(gè)電路塊CB1～CBN，故可以容易地應(yīng)對(duì)產(chǎn)品規(guī)格的變更。亦即，由于可以用公共的平臺(tái)設(shè)計(jì)各種規(guī)格的產(chǎn)品，所以能夠提高設(shè)計(jì)效率。例如在圖5(A)、(B)中，在顯示面板的像素?cái)?shù)或灰階數(shù)有增有減的情況下，只需增減存儲(chǔ)塊和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊的塊數(shù)、在一個(gè)水平掃描周期中圖像數(shù)據(jù)的讀取次數(shù)等就可以對(duì)應(yīng)。另外，雖然圖5(A)、(B)是存儲(chǔ)器內(nèi)置的非晶形TFT面板用例子，但是，在開(kāi)發(fā)存儲(chǔ)器內(nèi)置的低溫多晶硅TFT面板用產(chǎn)品的情況下，只要從電路塊CB1～CBN中去掉掃描驅(qū)動(dòng)器塊即可。又如，在開(kāi)發(fā)存儲(chǔ)器非內(nèi)置的產(chǎn)品的情況下，只要去掉存儲(chǔ)塊即可。而且，如上所述，即使根據(jù)規(guī)格去掉電路塊，在本實(shí)施例中，因?yàn)榭梢詫?duì)其它電路塊產(chǎn)生的影響抑制到最小，故而能夠提高設(shè)計(jì)效率。
在本實(shí)施例中，可以把各個(gè)電路塊CB1～CBN在D2方向的寬度(高度)統(tǒng)一于例如數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊和存儲(chǔ)塊的寬度(高度)。而且，在各個(gè)電路塊的晶體管有增減的情況下，由于可以通過(guò)增減各個(gè)電路塊在D1方向的長(zhǎng)度來(lái)進(jìn)行調(diào)整，故能夠使設(shè)計(jì)進(jìn)一步高效化。例如，在圖5(A)、(B)中，在灰階電壓發(fā)生電路塊和電源電路塊的構(gòu)成變更、晶體管數(shù)量增減的情況下，也可以通過(guò)增減灰階電壓發(fā)生電路塊和電源電路塊在D1方向的長(zhǎng)度來(lái)對(duì)應(yīng)。
此外，作為第二比較例，還可以考慮如下配置方法例如，在D1方向上，將數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊細(xì)長(zhǎng)地配置，在數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊的D4方向一側(cè)，沿D1方向配置存儲(chǔ)塊等其他多個(gè)電路塊。但是，對(duì)于該第二比較例，由于幅度較寬的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊夾入存儲(chǔ)塊等其它電路塊與輸出側(cè)I/F區(qū)域之間，所以，集成電路裝置在D2方向的寬度W變寬，難以實(shí)現(xiàn)薄而細(xì)長(zhǎng)芯片。而且，在數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊和存儲(chǔ)器驅(qū)動(dòng)器塊之間產(chǎn)生了多余的配線區(qū)域，就更加擴(kuò)大了寬度W。在數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊或存儲(chǔ)塊的構(gòu)成發(fā)生變化的情況下，出現(xiàn)在圖1(B)、(C)中說(shuō)明的間距不一致的問(wèn)題，無(wú)法提高設(shè)計(jì)效率。
作為本實(shí)施例的第三比較例，還可以考慮只對(duì)同一功能的電路塊(例如數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊)進(jìn)行塊的分割、并沿D1方向排列配置的方法。但是，對(duì)于該第三比較例，由于只能使集成電路裝置具有同一的功能(例如數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器功能)，故不可能實(shí)現(xiàn)多種產(chǎn)品的擴(kuò)展。針對(duì)該問(wèn)題，在本實(shí)施例中，電路塊CB1～CBN包括至少具有兩個(gè)不同功能的電路塊。所以，如圖4、圖5(A)、圖5(B)所示，具有能夠提供對(duì)應(yīng)于各種類型顯示面板的多機(jī)種集成電路裝置的優(yōu)點(diǎn)。
3.電路構(gòu)成圖7表示集成電路裝置10的電路構(gòu)成。而且，集成電路裝置10的電路構(gòu)成并不限定于圖7的示例，可以實(shí)施各種變形。存儲(chǔ)器20(顯示數(shù)據(jù)RAM)用于存儲(chǔ)圖像數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)單元陣列22包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，至少存儲(chǔ)一幀(一幅畫(huà)面)的圖像數(shù)據(jù)。此時(shí)，一個(gè)像素由例如R、G、B等三個(gè)子像素(三點(diǎn))構(gòu)成，各子像素例如存儲(chǔ)著六位(k位)的圖像數(shù)據(jù)。行地址譯碼器24(MPU/LCD行地址譯碼器)進(jìn)行有關(guān)行地址的譯碼處理，并進(jìn)行存儲(chǔ)單元陣列22的字線的選擇處理。列地址譯碼器26(MPU列地址譯碼器)則進(jìn)行有關(guān)列地址的譯碼處理，并進(jìn)行存儲(chǔ)單元陣列22的位線的選擇處理。寫(xiě)/讀電路28(MPU寫(xiě)/讀電路)進(jìn)行把圖像數(shù)據(jù)寫(xiě)入存儲(chǔ)單元陣列22的處理和從存儲(chǔ)單元陣列讀出圖像數(shù)據(jù)的處理。用例如以起始地址和結(jié)束地址為對(duì)頂點(diǎn)的矩形來(lái)定義存儲(chǔ)單元陣列22的存取區(qū)域。亦即，用起始地址的列地址及行地址和結(jié)束地址的列地址及行地址來(lái)定義存取區(qū)域，并進(jìn)行存儲(chǔ)器的存取。
邏輯電路40(例如自動(dòng)配置配線電路)生成用于控制顯示時(shí)刻的控制信號(hào)和用于控制數(shù)據(jù)處理時(shí)刻的控制信號(hào)等。該邏輯電路40可以由例如門(mén)陣列(G/A)等自動(dòng)配置配線形成?？刂齐娐?2生成各種控制信號(hào)，進(jìn)行裝置整體的控制。具體地說(shuō)，向灰階電壓發(fā)生電路110輸出灰階特性(γ特性)的調(diào)整數(shù)據(jù)(γ校正數(shù)據(jù))，并控制電源電路90的電壓生成。另外，對(duì)使用了行地址譯碼器24、列地址譯碼器26、寫(xiě)/讀電路28的存儲(chǔ)器進(jìn)行寫(xiě)/讀處理的控制。顯示時(shí)刻控制電路44生成用于控制顯示時(shí)刻的各種控制信號(hào)，控制從存儲(chǔ)器到顯示面板側(cè)的圖像數(shù)據(jù)的讀取。主機(jī)(MPU)接口電路46對(duì)從主機(jī)的每次訪問(wèn)生成內(nèi)部脈沖，實(shí)現(xiàn)對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行訪問(wèn)的主接口。RGB接口電路48通過(guò)點(diǎn)時(shí)鐘實(shí)現(xiàn)將動(dòng)畫(huà)的RGB數(shù)據(jù)寫(xiě)入存儲(chǔ)器的RGB接口。而且，也可以是只設(shè)置主接口電路46、RGB接口電路48中的任一者的構(gòu)成。
在圖7中，從主接口電路46、RGB接口電路48以一個(gè)像素單位向存儲(chǔ)器20進(jìn)行訪問(wèn)。另一方面，根據(jù)與主接口電路46、RGB接口電路48獨(dú)立的內(nèi)部顯示時(shí)刻，每一個(gè)行周期以行地址所指定的行單位向數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器50輸送圖像數(shù)據(jù)。
數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器50是用于驅(qū)動(dòng)顯示面板的數(shù)據(jù)線的電路，其構(gòu)成示于圖8(A)。數(shù)據(jù)鎖存電路52鎖存來(lái)自存儲(chǔ)器20的數(shù)字圖像數(shù)據(jù)。D/A轉(zhuǎn)換電路54(電壓選擇電路)進(jìn)行鎖存于數(shù)據(jù)鎖存電路52的數(shù)字圖像數(shù)據(jù)的D/A轉(zhuǎn)換，并生成模擬的數(shù)據(jù)電壓。具體地說(shuō)，接受來(lái)自灰階發(fā)生電路110的多個(gè)(例如64階)灰階電壓(基準(zhǔn)電壓)，從這些多個(gè)灰階電壓中選擇與數(shù)字圖像數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的電壓，并作為數(shù)據(jù)電壓輸出。輸出電路56(驅(qū)動(dòng)電路、緩沖電路)緩沖來(lái)自D/A轉(zhuǎn)換電路54的數(shù)據(jù)電壓，而后輸出至顯示面板的數(shù)據(jù)線，并驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)線。而且，也可以是將輸出電路56的一部分(例如運(yùn)算放大器的輸出級(jí))不包括在數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器50中、而配置在其他區(qū)域的構(gòu)成。
掃描驅(qū)動(dòng)器70是用于驅(qū)動(dòng)顯示面板的掃描線的電路，其構(gòu)成例示于圖8(B)。移位寄存器72包括依次連接的多個(gè)觸發(fā)器，與移位時(shí)鐘信號(hào)SCK同步，對(duì)許可輸入輸出信號(hào)EIO進(jìn)行依次移位。電平移位器76將來(lái)自移位寄存器72的信號(hào)的電壓電平轉(zhuǎn)換成用于掃描線選擇的高電壓電平。輸出電路78緩沖由電平移位器76轉(zhuǎn)換并輸出的掃描電壓，然后輸出到顯示面板的掃描線，對(duì)掃描線進(jìn)行選擇驅(qū)動(dòng)。掃描驅(qū)動(dòng)器70也可以是如圖8(C)所示的構(gòu)成。圖8(C)中，掃描地址生成電路73生成掃描地址并輸出，地址譯碼器74進(jìn)行掃描地址的譯碼處理。而且，對(duì)于通過(guò)該譯碼處理而特定的掃描線，通過(guò)電平移位器器76、輸出電路78輸出掃描電壓。
電源電路90是用于生成各種電源電壓的電路，其構(gòu)成示于圖9(A)。升壓電路92是使用升壓用電容、升壓用晶體管以電荷泵的方式使輸入電源電壓和內(nèi)部電源電壓升壓、并生成升壓電壓的電路，可以包括1次～4次升壓電路等。通過(guò)該升壓電路92能夠生成掃描驅(qū)動(dòng)器70和灰階電壓發(fā)生電路110使用的高電壓。調(diào)整電路94進(jìn)行由升壓電路92生成的升壓電壓的電平調(diào)整。VCOM生成電路96生成供給顯示面板的對(duì)向電極的VCOM電壓并輸出?？刂齐娐?8用于進(jìn)行電源電路90的控制，它包括各種控制寄存器等。
灰階電壓發(fā)生電路(γ校正電路)110是用于生成灰階電壓的電路，其構(gòu)成示于圖9(B)。選擇用電壓生成電路112(分壓電路)根據(jù)由電源電路90生成的高電壓的電源電壓VDDH、VSSH輸出選擇用電壓VS0～VS255(廣義為R個(gè)選擇用電壓)。具體地說(shuō)，選擇用電壓生成電路112包括具有串聯(lián)的多個(gè)電阻元件的梯形電阻電路。而且，將通過(guò)該梯形電阻電路將VDDH、VSSH分壓后的電壓作為選擇用電壓VS0～VS255輸出。灰階電壓選擇電路114根據(jù)通過(guò)邏輯電路40設(shè)定于調(diào)整寄存器116的灰階特性的調(diào)整數(shù)據(jù)，從選擇用電壓VS0～VS255中，例如在64階的情況下，選擇64個(gè)(廣義地是S個(gè)，R＞S)電壓，作為灰階電壓V0～V63輸出。這樣，可以生成適應(yīng)于顯示面板的優(yōu)選灰階特性(γ校正特性)的灰階電壓。而且，在極性反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的情況下，也可以把正極性用的梯形電阻電路和負(fù)極性用的梯形電阻電路設(shè)置在選擇用電壓生成電路112中。另外，梯形電阻電路的各電阻元件的阻值也可以根據(jù)在調(diào)整寄存器116設(shè)定的調(diào)整數(shù)據(jù)變更。也可以是在選擇用電壓生成電路112或灰階電壓選擇電路114中設(shè)置阻抗轉(zhuǎn)換電路(連接電壓輸出器的運(yùn)算放大器)的構(gòu)成。
圖10(A)表示包括圖8(A)的D/A轉(zhuǎn)換電路54的各DAC(Digital Analog Converter，數(shù)模轉(zhuǎn)換器)的構(gòu)成例。圖10(A)的各DAC可以按每個(gè)子像素(或者每個(gè)像素)設(shè)置，并由ROM譯碼器等構(gòu)成。而且，根據(jù)來(lái)自存儲(chǔ)器20的六位數(shù)字圖像數(shù)據(jù)D0～D5及其反轉(zhuǎn)數(shù)據(jù)XD0～XD5，選擇來(lái)自灰階電壓發(fā)生電路110的灰階電壓V0～V63中任一個(gè)，由此，將圖像數(shù)據(jù)D0～D5轉(zhuǎn)換成模擬電壓。而且，把所得的模擬電壓信號(hào)DAQ(DAQR、DAQG、DAQB)輸出到輸出電路56。
對(duì)于低溫多晶硅TFT用的顯示驅(qū)動(dòng)器等，將R用、G用、B用數(shù)據(jù)信號(hào)進(jìn)行多路轉(zhuǎn)換后輸送至顯示驅(qū)動(dòng)器的情況下(圖10(C)的情況下)，可以用一個(gè)公共的DAC對(duì)R用、G用、B用的圖象數(shù)據(jù)進(jìn)行D/A轉(zhuǎn)換。在這種情況下，圖10(A)的各個(gè)DAC按每個(gè)像素來(lái)設(shè)置。
圖10(B)示出圖8(A)的輸出電路56所含的各輸出部分SQ的構(gòu)成。圖10(B)的各輸出部分SQ可以按每個(gè)像素來(lái)設(shè)置。各輸出部分SQ包括R(紅)用、G(綠)用、B(藍(lán))用阻抗轉(zhuǎn)換電路OPR、OPG、OPB(連接電壓跟隨器的運(yùn)算放大器)，進(jìn)行來(lái)自DAC的信號(hào)DAQR、DAQG、DAQB的阻抗轉(zhuǎn)換，并將數(shù)據(jù)信號(hào)DATAR、DATAG、DATAB輸出到R、G、B用數(shù)據(jù)信號(hào)輸出線。例如在低溫多晶硅TFT面板的情況下，也可以設(shè)置如圖10(C)所示的開(kāi)關(guān)元件(開(kāi)關(guān)用晶體管)SWR、SWG、SWB，復(fù)用R用、G用、B用的數(shù)據(jù)信號(hào)后的數(shù)據(jù)信號(hào)DATA由阻抗轉(zhuǎn)換電路OP輸出。另外，也可以在多個(gè)像素中復(fù)用數(shù)據(jù)信號(hào)。而且，還可以是不在輸出部分SQ設(shè)置圖10(B)、(C)所示的阻抗轉(zhuǎn)換電路、而只設(shè)開(kāi)關(guān)元件等的構(gòu)成。
4.數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器塊和存儲(chǔ)器塊的鄰接如圖11(A)所示，在本實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器塊DB和存儲(chǔ)器塊MB在D1方向上鄰接配置。
這點(diǎn)，對(duì)于圖1(A)的比較例，如圖12(A)所示，存儲(chǔ)器塊MB和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器塊DB按照信號(hào)的流動(dòng)沿著作為短邊方向的D2方向配置。因此，在D2方向上的集成電路裝置的寬度變大，很難實(shí)現(xiàn)薄而細(xì)長(zhǎng)芯片。而且，顯示面板的像素?cái)?shù)、顯示驅(qū)動(dòng)器的規(guī)格、存儲(chǔ)器單元的構(gòu)成等會(huì)發(fā)生變化，如果存儲(chǔ)器塊MB和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器塊DB在D2方向上的寬度和在D1方向上的長(zhǎng)度發(fā)生變化，其影響就會(huì)波及到其他電路塊，設(shè)計(jì)效率很低。
對(duì)此，在本實(shí)施方式中，由于數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器塊DB和存儲(chǔ)器塊MB沿著D1方向配置，可縮小D2方向上的集成電路裝置的寬度W，從而可實(shí)現(xiàn)圖2(B)所示的超薄而細(xì)長(zhǎng)芯片。而且，如果顯示面板的像素?cái)?shù)等發(fā)生變化，如圖11(B)所示，可通過(guò)分割存儲(chǔ)器塊等來(lái)對(duì)應(yīng)，所以可提高設(shè)計(jì)效率。
而且，在圖12(A)中，由于將字線WL沿著作為長(zhǎng)邊方向的D1方向配置，在字線WL上的信號(hào)延遲變大，圖像數(shù)據(jù)讀出的速度變慢。特別是，通過(guò)多晶硅層形成連接于存儲(chǔ)器單元的字線WL，所以，該信號(hào)延遲的問(wèn)題更嚴(yán)重。在這種情況下，為了降低信號(hào)延遲，也有設(shè)置如圖12(B)所示的緩沖器電路520、522的方法。然而，如果采用該方法，僅該部分的電路規(guī)模就會(huì)增大，從而導(dǎo)致成本增加。
對(duì)此，在本實(shí)施方式中，如圖11(A)所示，在存儲(chǔ)器塊MB中，字線WL沿著作為短邊方向的D2方向配線，位線BL沿著作為長(zhǎng)邊方向的D1方向配置。而且，在本實(shí)施方式中，在D2方向上的集成電路裝置的寬度W很短。因此，可以縮短存儲(chǔ)器塊MB內(nèi)的字線WL的長(zhǎng)度，與圖12(A)的比較例相比，可顯著縮小WL上的信號(hào)延遲。而且，如圖12(B)所示，即使不設(shè)置緩沖器電路520、522也可以，所以還可縮小電路面積。而且，在圖12(A)的比較例中，當(dāng)從主機(jī)向存儲(chǔ)器的一部分的存取區(qū)域進(jìn)行存取時(shí)，由于在D1方向選擇了很長(zhǎng)的寄生容量大的字線WL，所以電力消耗增大。對(duì)此，如圖11(B)所示，如果采用在D1方向?qū)⒋鎯?chǔ)器進(jìn)行塊分割的方法，當(dāng)主機(jī)存取時(shí)(來(lái)自主機(jī)側(cè)的存取時(shí))，則只選擇對(duì)應(yīng)存取區(qū)域的存儲(chǔ)器塊(第J存儲(chǔ)器塊)的字線WL，所以可實(shí)現(xiàn)低能耗。
再者，圖11(A)的WL是連接于存儲(chǔ)器塊MB的存儲(chǔ)器單元的字線。即，是連接于存儲(chǔ)器單元的轉(zhuǎn)送晶體管的柵極的本地字線。另一方面，圖11(A)的BL是把存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器塊MB(存儲(chǔ)器單元陣列)內(nèi)的圖像數(shù)據(jù)(存儲(chǔ)數(shù)據(jù)信號(hào))向數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器塊DB輸出的位線。即，存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器塊MB內(nèi)的圖像數(shù)據(jù)信號(hào)以沿著位線BL方向從存儲(chǔ)器塊MB向數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器塊DB輸出。
如圖12(A)的比較例所示，如果考慮信號(hào)的流動(dòng)的方向，沿D2方向配置存儲(chǔ)器塊MB、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器塊DB的方法是合理的。
這點(diǎn)，在本實(shí)施方式中如圖11(A)所示，將來(lái)自數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器塊DB的數(shù)據(jù)信號(hào)的輸出線DQL在DB中沿著D2方向配線。另一方面，在輸出側(cè)I/F區(qū)域12(第一接口區(qū)域)內(nèi)將數(shù)據(jù)信號(hào)輸出線DQL沿D1(D3)方向配線。具體來(lái)說(shuō)，在輸出側(cè)I/F區(qū)域12中，在焊盤(pán)下層，采用區(qū)域內(nèi)本地配線(晶體管配線)的上層的公用配線，將數(shù)據(jù)信號(hào)輸出線DQL沿D1方向配線。如果這樣，即使沿D1方向配置數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器塊DB和存儲(chǔ)器塊MB，也可以將來(lái)自DB的數(shù)據(jù)信號(hào)通過(guò)焊盤(pán)準(zhǔn)確地輸出到顯示面板。而且，如圖11(A)所示，如果配置數(shù)據(jù)信號(hào)輸出線DQL，就可以利用輸出側(cè)I/F區(qū)域12將數(shù)據(jù)信號(hào)輸出線DQL連接到焊盤(pán)等，從而可防止集成電路裝置在D2方向的寬度W增加。
5.存儲(chǔ)器塊、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器塊的詳細(xì)內(nèi)容5.1塊分割如圖13(A)所示，顯示面板是一種在垂直掃描方向(數(shù)據(jù)線方向)的像素為VPN＝320、在水平掃描方向(掃描線方向)的像素?cái)?shù)為HPN＝240的QVGA面板。而且，一個(gè)像素的圖像(顯示)數(shù)據(jù)的位數(shù)PDB在R、G、B分別是六位時(shí)則為PDB＝18位。在這種情況下，顯示面板的1幀顯示所需要的圖像數(shù)據(jù)的位數(shù)為VPN×HPN×PDB＝320×240×18位。因此，集成電路裝置的存儲(chǔ)器至少儲(chǔ)存320×240×18位的圖像數(shù)據(jù)。而且，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器在每一個(gè)水平掃描期間(掃描一個(gè)掃描線的期間)，向顯示面板輸出HPN＝240個(gè)的數(shù)據(jù)信號(hào)(對(duì)應(yīng)240×18位圖像數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)信號(hào))。
然后，在圖13(B)中，將數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器分割為DBN＝4個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊DB1～DB4。而且，也將存儲(chǔ)器分割為MBN＝DBN＝4個(gè)存儲(chǔ)塊MB1～MB4。因此，各數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊DB1～DB4在每一個(gè)水平掃描期間向顯示面板輸出HPN/DBN＝240/4＝60個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)。而且，各存儲(chǔ)塊MB1～MB4儲(chǔ)存(VPN×HPN×PDB)/MBN＝(320×240×18)/4位圖像數(shù)據(jù)。
而且，如圖13(B)所示，在本實(shí)施方式中，在存儲(chǔ)塊MB1和MB2上共用列地址譯碼器CD12。而且，在存儲(chǔ)塊MB3和MB4上共用列地址譯碼器CD34。如在圖12(A)的比較例中，由于列地址譯碼器配置在存儲(chǔ)器單元陣列的D4方向側(cè)，所以，不能如圖13(B)那樣共用列地址譯碼器。對(duì)此，在本實(shí)施方式中，由于可共用列地址譯碼器CD12、譯碼器CD34，所以可實(shí)現(xiàn)縮小電路面積、降低成本。而且，如果如圖5(B)那樣配置數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊DB1～DB4、存儲(chǔ)塊MB1～MB4，就不能這樣共用列地址譯碼器。代替這種方法，在圖5(B)中，可將來(lái)自數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊的數(shù)據(jù)信號(hào)線的間距進(jìn)行均勻化，從而具有容易進(jìn)行配線的布置的優(yōu)點(diǎn)。
5.2一個(gè)水平掃描期間多次讀出在圖13(B)中，各數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊DB1～DB4在一個(gè)水平掃描期間輸出60個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)。因此，在每一個(gè)水平掃描期間，需要從對(duì)應(yīng)DB1～DB4的存儲(chǔ)塊MB1～MB4讀出對(duì)應(yīng)240個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)的圖像數(shù)據(jù)。
然而，一旦在每一個(gè)水平掃描期間增加讀出圖像數(shù)據(jù)的位數(shù)，就需要增加在D2方向上排列的存儲(chǔ)單元(讀出放大器)的個(gè)數(shù)。其結(jié)果是，集成電路裝置在D2方向上的寬度W變大，從而影響芯片的細(xì)長(zhǎng)化。而且，字線WL變長(zhǎng)，從而導(dǎo)致WL的信號(hào)延遲。
所以，在本實(shí)施方式中，采用如下方法在一個(gè)水平掃描期間中，從各存儲(chǔ)塊MB1～MB4將各存儲(chǔ)塊MB1～MB4中儲(chǔ)存的圖像數(shù)據(jù)多次(RN次)讀出到各數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊DB1～DB4。
例如在圖14中A1、A2所示，在一個(gè)水平掃描期間中，只有RN＝2次存儲(chǔ)器存取信號(hào)MACS(字選擇信號(hào))成為激活狀態(tài)(高電平)。由此，在一個(gè)水平掃描期間中，從各存儲(chǔ)塊到各數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊讀出RN＝2次圖像數(shù)據(jù)。于是，在數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊內(nèi)設(shè)置的圖15的第一、第二數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器DRa、DRb包含的數(shù)據(jù)鎖存電路根據(jù)A3、A4所示的鎖存信號(hào)LATa、LATb，鎖存已讀出的圖像數(shù)據(jù)。然后，第一、第二數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器DRa、DRb包含的D/A轉(zhuǎn)換電路將已鎖存的圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行D/A轉(zhuǎn)換，DRa、DRb包含的輸出電路將通過(guò)D/A轉(zhuǎn)換所得到的數(shù)據(jù)信號(hào)DATAa、DATAb如A5、A6所示輸出給數(shù)據(jù)信號(hào)輸出線。此后，如A7所示，輸入到顯示面板的各像素的TFT的柵極的掃描信號(hào)SCSEL成為激活狀態(tài)，將數(shù)據(jù)信號(hào)輸入顯示面板的各像素并保持。
另外，在圖14中，在第一水平掃描期間兩次讀出圖像數(shù)據(jù)，在同樣的第一水平掃描期間中，將數(shù)據(jù)信號(hào)DATAa、DATAb輸出給數(shù)據(jù)信號(hào)輸出線。但是，也可以是，在第一水平掃描期間兩次讀出圖像數(shù)據(jù)并鎖存后，在下一個(gè)第二水平掃描期間，將對(duì)應(yīng)被鎖存的圖像數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)信號(hào)DATAa、DATAb輸出給數(shù)據(jù)信號(hào)輸出線。另外，在圖14中，表示是讀出次數(shù)RN＝2的情況，但也可以是RN≥3。
根據(jù)圖14的方法，如圖15所示，從各存儲(chǔ)塊讀出對(duì)應(yīng)30個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)的圖像數(shù)據(jù)，各數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器DRa、DRb輸出30個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)。由此，從各數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊輸出60個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)。這樣，在圖14中，從各存儲(chǔ)塊，只在一次讀出中，讀出對(duì)應(yīng)30個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)的圖像數(shù)據(jù)就可以了。因此，與在一個(gè)水平掃描期間只讀出一次的方法相比，在圖15的D2方向上就可以減少存儲(chǔ)單元、讀出放大器的個(gè)數(shù)。其結(jié)果是，可縮小集成電路裝置在D2方向上的寬度，可實(shí)現(xiàn)如圖2(B)所示的超薄而細(xì)長(zhǎng)芯片。特別是，如果是QVGA，一個(gè)水平掃描期間的長(zhǎng)度則是52μsec的程度。另一方面，存儲(chǔ)器讀出的時(shí)間例如是40nsec的程度，比52μsec短很多。因此，在一個(gè)水平掃描期間讀出次數(shù)即使從一次增加到多次，但對(duì)顯示特性帶來(lái)的影響并不是那么大。
另外，圖13(A)是QVGA(320×240)的顯示面板，但是，如果使在一個(gè)水平掃描期間的讀出次數(shù)為例如RN＝4，就可以對(duì)應(yīng)VGA(640×480)的顯示面板了，從而可增加設(shè)計(jì)的自由度。
另外，在一個(gè)水平掃描期間的多次讀出，也可以用行地址譯碼器(字線選擇電路)在一個(gè)水平掃描期間選擇各存儲(chǔ)塊內(nèi)不同的多根字線的第一方法加以實(shí)現(xiàn)，也可以用行地址譯碼器(字線們擇電路)在一個(gè)水平掃描期間中多次選擇各存儲(chǔ)塊內(nèi)相同的字線的第二方法加以實(shí)現(xiàn)?；蛘哌€可以通過(guò)將第一、第二方法組合來(lái)加以實(shí)現(xiàn)。
5.3數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器、驅(qū)動(dòng)單元的配置圖15表示數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器包含的驅(qū)動(dòng)單元的配置例子。如圖15所示，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊包括沿D1方向堆棧配置的多個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器DRa、DRb(第一～第m數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器)。另外，各數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器DRa、DRb包含多個(gè)30個(gè)(廣義為Q個(gè))的驅(qū)動(dòng)單元DRC1～DRC30。
當(dāng)選擇存儲(chǔ)塊的字線WL1a、并如圖14的A1所示從存儲(chǔ)塊讀出第一次的圖像數(shù)據(jù)時(shí)，第一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器DRa則根據(jù)A3所示的鎖存信號(hào)LATa鎖存讀出的圖像數(shù)據(jù)。然后，進(jìn)行鎖存的圖像數(shù)據(jù)的D/A轉(zhuǎn)換，如A5所示，將對(duì)應(yīng)第一次讀出圖像數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)信號(hào)DATAa輸出給數(shù)據(jù)信號(hào)輸出線。
另一方面，當(dāng)選擇存儲(chǔ)塊的字線WL1b并如圖14的A2所示從存儲(chǔ)塊讀出第二次圖像數(shù)據(jù)時(shí)，第二數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器DRb則根據(jù)A4所示的鎖存信號(hào)LATb鎖存讀出的圖像數(shù)據(jù)。然后進(jìn)行鎖存的圖像數(shù)據(jù)的D/A轉(zhuǎn)換，如A6所示，將對(duì)應(yīng)第二次讀出圖像數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)信號(hào)DATAb輸出給數(shù)據(jù)信號(hào)輸出線。
這樣，由于各數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器DRa、DRb輸出對(duì)應(yīng)30個(gè)像素的30個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)，所以，共計(jì)輸出對(duì)應(yīng)60個(gè)像素的60個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)。
如圖15所示，如果沿D1方向配置(堆棧)多個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器DRa、DRb，可以防止因數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器規(guī)模的大小導(dǎo)致集成電路裝置在D2方向上的寬度W變大的問(wèn)題。另外，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器根據(jù)顯示面板的類型可以采用各種構(gòu)成。在這種情況下，如果采用沿D1方向配置多個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的方法，也可以高效地布置各種構(gòu)成的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器。另外，在圖15中表示D1方向的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的配置數(shù)為兩個(gè)的情況，但配置數(shù)也可以大于等于三個(gè)。
另外在圖15中，各數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器DRa、DRb包括沿D2方向排列配置的30個(gè)(Q個(gè))驅(qū)動(dòng)單元DRC1～DRC30。在這里，各個(gè)驅(qū)動(dòng)單元DRC1～DRC30分別接收一個(gè)像素的圖像數(shù)據(jù)。然后，進(jìn)行一個(gè)像素的圖像數(shù)據(jù)的D/A轉(zhuǎn)換，并輸出對(duì)應(yīng)一個(gè)像素的圖像數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)信號(hào)。每個(gè)驅(qū)動(dòng)單元DRC1～DRC30均可分別包括數(shù)據(jù)鎖存電路、圖10(A)的DAC(一個(gè)像素的DAC)、和圖10(B)、圖10(C)的輸出部SQ。
然后在圖15中，顯示面板水平掃描方向的像素?cái)?shù)(如果由多個(gè)集成電路裝置分擔(dān)并驅(qū)動(dòng)顯示面板的數(shù)據(jù)線時(shí)，各集成電路裝置負(fù)責(zé)的水平掃描方向的像素?cái)?shù))為HPN、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊的塊數(shù)(塊分割數(shù))為DBN、對(duì)驅(qū)動(dòng)單元在一個(gè)水平掃描期間輸入的圖像數(shù)據(jù)的輸入次數(shù)為IN。另外，IN與圖14說(shuō)明的在一個(gè)水平掃描期間內(nèi)的圖像數(shù)據(jù)讀出的次數(shù)RN相等。在這種情況下，沿D2方向排列的驅(qū)動(dòng)單元DRC1～DRC30的個(gè)數(shù)Q可表示為Q＝HPN/(DBN×IN)。在圖15的情況下，因?yàn)槭荋PN＝240、DBN＝4、IN＝2，所以，Q＝240/(4×2)＝30個(gè)。
另外，當(dāng)驅(qū)動(dòng)單元DRC1～DR30的D2方向的寬度(間距)為WD、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊包含的周圍電路部分(緩沖器電路、配線區(qū)域等)在D2方向的寬度為WPCB時(shí)，第一～第N電路塊CB1～CBN在D2方向的寬度WB(最大寬度)可表示為Q×WD≤WB＜(Q+1)×WD+WPCB。另外，當(dāng)存儲(chǔ)塊包括的周圍電路部分(行地址譯碼器RD、配線區(qū)域等)在D2方向上的寬度為WPC時(shí)，可表示為Q×WD≤WB＜(Q+1)×WD+WPC。
另外，顯示面板水平掃描方向的像素?cái)?shù)為HPN、一個(gè)像素的圖像數(shù)據(jù)的位數(shù)為PDB、存儲(chǔ)塊的塊數(shù)為MBN(＝DBN)、在一個(gè)水平掃描期間內(nèi)從存儲(chǔ)塊讀出的圖像數(shù)據(jù)的讀出次數(shù)為RN。在這種情況下，在讀出放大器塊SAB中，沿D2方向排列的讀出放大器(輸出1位圖像數(shù)據(jù)的讀出放大器)的個(gè)數(shù)P可表示為P＝(HPN×PDB)/(MBN×RN)。在圖15的情況下，因?yàn)镠PN＝240、PDB＝18、MBN＝4、RN＝2，所以P＝(240×18)/(4×2)＝540個(gè)。另外，個(gè)數(shù)P是對(duì)應(yīng)有效存儲(chǔ)單元數(shù)的有效讀出放大器數(shù)，而不包括虛擬存儲(chǔ)單元用讀出放大器等不是有效的讀出放大器的個(gè)數(shù)。
另外，當(dāng)把讀出放大器塊SAB包括的各讀出放大器在D2方向的寬度(間距)作為WS時(shí)，讀出放大器塊SAB(存儲(chǔ)塊)在D2方向的寬度WSAB可表示為WSAB＝P×WS。然后，當(dāng)存儲(chǔ)塊包含的周圍電路部分在D2方向的寬度為WPC時(shí)，電路塊CB1～CBN在D2方向上的寬度WB(最大寬度)也可表示為P×WS≤WB＜(P+PDB)×WS+WPC。
5.4存儲(chǔ)單元圖16(A)表示存儲(chǔ)塊包括的存儲(chǔ)單元(SRAM)的構(gòu)成例。該存儲(chǔ)單元包括轉(zhuǎn)送晶體管TRA1、TRA2、負(fù)荷晶體管TRA3、TRA4、驅(qū)動(dòng)晶體管TRA5、TRA6。一旦字線WL為激活狀態(tài)，轉(zhuǎn)送晶體管TRA1、TRA2就變成導(dǎo)通狀態(tài)，于是，就可以向節(jié)點(diǎn)NA1、NA2寫(xiě)入圖像數(shù)據(jù)、從節(jié)點(diǎn)NA1、NA2讀出圖像數(shù)據(jù)。另外，寫(xiě)入的圖像數(shù)據(jù)通過(guò)由晶體管TRA3～TRA6構(gòu)成的觸發(fā)器電路保持在節(jié)點(diǎn)NA1、NA2。另外，本實(shí)施方式的存儲(chǔ)單元并不局限于圖16(A)的構(gòu)成，還可以進(jìn)行變形，例如作為負(fù)荷晶體管TRA3、TRA4使用電阻元件，或增加其他的晶體管等。
圖16(B)、圖16(C)表示存儲(chǔ)單元的布局例。圖16(B)是橫向型單元的布局例，圖16(C)是縱向型單元的布局例。在這里，如圖16(B)所示，橫向型單元在各存儲(chǔ)單元內(nèi)字線WL是比位線BL、XBL還長(zhǎng)的單元。另一方面，如圖16(C)所示，縱向型單元在各存儲(chǔ)單元內(nèi)中位線BL、XBL是比字線WL長(zhǎng)的單元。另外，圖16(C)的WL是在多晶硅層形成、并連接于轉(zhuǎn)送晶體管TRA1、TRA2的本地字線，但還可以設(shè)置用于防止WL的信號(hào)延遲和使電位穩(wěn)定的金屬層的字線。
圖17表示當(dāng)使用了作為存儲(chǔ)單元在圖16(B)中所示的橫向型單元的存儲(chǔ)塊、驅(qū)動(dòng)單元的配置例。另外，圖17表示在驅(qū)動(dòng)單元、存儲(chǔ)塊中對(duì)應(yīng)一個(gè)像素的部分的詳細(xì)情況。
如圖17所示，接收一個(gè)像素的圖像數(shù)據(jù)的驅(qū)動(dòng)單元DRC包括R(紅)用、G(綠色)用、B(青)用的數(shù)據(jù)鎖存電路DLATR、DLATG、DLATB。如果鎖存信號(hào)LAT(LATa、LATb)為激活，則各數(shù)據(jù)鎖存電路DLATR、DLATG、DLATB鎖存圖像數(shù)據(jù)。另外，驅(qū)動(dòng)單元DRC包括在圖10(A)中說(shuō)明的R用、G用、B用的DACR、DACG、DACB。另外，還包括在圖10(B)、圖10(C)中說(shuō)明的輸出部SQ。
對(duì)應(yīng)讀出放大器塊SAB中一個(gè)像素的部分包括R用讀出放大器SAR0～SAR5、G用讀出放大器SAG0～SAG5、B用讀出放大器SAB0～SAB5。然后，在讀出放大器SAR0的D1方向側(cè)沿D1方向排列的存儲(chǔ)單元MC的位線BL、XBL連接于SAR0。另外，在讀出放大器SAR1的D1方向側(cè)沿D1方向排列的存儲(chǔ)單元MC的位線BL、XBL連接于SAR1。其他的讀出放大器和存儲(chǔ)單元的關(guān)系也相同。
一旦選擇字線WL1a，就從將轉(zhuǎn)送晶體管的柵極連接到WL1a的存儲(chǔ)單元MC向位線BL、XBL讀出圖像數(shù)據(jù)，并進(jìn)行讀出放大器SAR0～SAR5、SAG0～SAG5、SAB0～SAB5的信號(hào)放大動(dòng)作。然后，DLATR鎖存來(lái)自SAR0～SAR5的六位R用圖像數(shù)據(jù)D0R～D5R，DACR進(jìn)行鎖存的圖像數(shù)據(jù)的D/A轉(zhuǎn)換，輸出部SQ輸出數(shù)據(jù)信號(hào)DATAR。另外，DLATG鎖存來(lái)自SAG0～SAG5的六位的G用圖像數(shù)據(jù)D0G～D5G，DACG進(jìn)行鎖存的圖像數(shù)據(jù)的D/A轉(zhuǎn)換，輸出部SQ輸出數(shù)據(jù)信號(hào)DATAG。另外，DLATB鎖存來(lái)自SAB0～SAB5的六位的B用圖像數(shù)據(jù)D0B～D5B，DACB進(jìn)行鎖存的圖像數(shù)據(jù)的D/A轉(zhuǎn)換，輸出部SQ輸出數(shù)據(jù)信號(hào)DATAB。
在圖17的構(gòu)成的情況下，圖14所示的在一個(gè)水平掃描期間內(nèi)的圖像數(shù)據(jù)的多次讀出可如以下實(shí)現(xiàn)。即在第一水平掃描期間(第一掃描線的選擇期間)內(nèi)，首先選擇字線WL1a，并進(jìn)行圖像數(shù)據(jù)的第一次讀出，如圖14的A5所示，輸出第一次的數(shù)據(jù)信號(hào)DATAa。接著，在相同的第一水平掃描期間內(nèi)，選擇字線WL1b，并進(jìn)行圖像數(shù)據(jù)的第二次讀出，圖14的A6所示，輸出第二次數(shù)據(jù)信號(hào)DATAb。另外，在下面的第二水平掃描期間(第二掃描線的選擇期間)內(nèi)，首先選擇字線WL2a，進(jìn)行圖像數(shù)據(jù)的第一次讀出，并輸出第一次數(shù)據(jù)信號(hào)DATAa。接著，在相同的第二水平掃描期間內(nèi)，選擇字線W12b，并進(jìn)行圖像數(shù)據(jù)的第二次讀出，并輸出第二次數(shù)據(jù)信號(hào)DATAb。這樣，當(dāng)采用橫向型單元時(shí)，在一個(gè)水平掃描期間內(nèi)選擇存儲(chǔ)塊中不同的多條字線(WL1a、WL1b)，所以，可以實(shí)現(xiàn)在一個(gè)水平掃描期間的多次讀出。
圖18表示作為存儲(chǔ)單元采用圖16(C)所示的縱向型單元時(shí)的存儲(chǔ)塊、驅(qū)動(dòng)單元的配置例。在縱向型單元中，可使D2方向的寬度比橫向型單元短。因此，在D2方向上的存儲(chǔ)單元的個(gè)數(shù)與橫向型單元相比可以做成2倍。而且，在縱向型單元中，利用列選擇信號(hào)COLa、COLb，切換連接于各讀出放大器的存儲(chǔ)單元列。
例如在圖18中，一旦列選擇信號(hào)COLa為激活狀態(tài)，就選擇讀出放大器SAR0～SAR5在D1方向側(cè)的存儲(chǔ)單元MC中的列Ca側(cè)的存儲(chǔ)單元MC，并連接于讀出放大器SAR0～SAR5。然后，將存儲(chǔ)在這些被選擇的存儲(chǔ)單元MC內(nèi)的圖像數(shù)據(jù)的信號(hào)放大，并作為D0R～D5R輸出。另一方面，一旦列選擇信號(hào)COLb為激活狀態(tài)，就選擇讀出放大器SAR0～SAR5在D1方向側(cè)的存儲(chǔ)單元MC中的列Cb側(cè)的存儲(chǔ)單元MC，并連接于讀出放大器SAR0～SAR5。然后，將儲(chǔ)存在這些被選擇的存儲(chǔ)單元MC內(nèi)的圖像數(shù)據(jù)的信號(hào)放大，并作為D0R～D5R輸出。其他連接于讀出放大器的存儲(chǔ)單元的圖像數(shù)據(jù)的讀出也相同。
然后在圖18的構(gòu)成的情況下，在圖14所示一個(gè)水平掃描期間內(nèi)的圖像數(shù)據(jù)的多次讀出可如以下實(shí)現(xiàn)。即在第一水平掃描期間內(nèi)，首先選擇字線WL1，使列選擇信號(hào)COLa激活，并進(jìn)行圖像數(shù)據(jù)的第一次讀出，如圖14的A5所示，輸出第一次數(shù)據(jù)信號(hào)DATAa。接著，在相同的第一水平掃描期間內(nèi)選擇相同的字線WL1，使列選擇信號(hào)COLb激活，并進(jìn)行圖像數(shù)據(jù)的第二次讀出，如圖14的A6所示，輸出第二次數(shù)據(jù)信號(hào)DATAb。另外，在下面的第二水平掃描期間內(nèi)，選擇字線WL2，使列選擇信號(hào)COLa激活，并進(jìn)行圖像數(shù)據(jù)的一次讀出，并輸出第一次數(shù)據(jù)信號(hào)DATAa。接著，在相同的第二水平掃描期間內(nèi)，選擇相同的字線WL2，使列選擇信號(hào)COLb激活，進(jìn)行圖像數(shù)據(jù)的第二次讀出，并輸出第二次數(shù)據(jù)信號(hào)DATAb。這樣，在縱向型單元時(shí)，在存儲(chǔ)塊內(nèi)中，在一個(gè)水平掃描期間內(nèi)多次選擇相同的字線，故可實(shí)現(xiàn)在一個(gè)水平掃描期間內(nèi)的多次讀出。
另外，驅(qū)動(dòng)單元DRC的構(gòu)成、配置不局限于圖17、圖18，可進(jìn)行各種變形。例如以低溫多晶硅TFT用的顯示驅(qū)動(dòng)器等，如圖10(C)所示，將R用、G用、B用的數(shù)據(jù)信號(hào)多路傳輸并傳送給顯示面板的情況下，采用一個(gè)共用的DAC，可進(jìn)行R用、G用、B用的圖像數(shù)據(jù)(一個(gè)像素的圖像數(shù)據(jù))的D/A轉(zhuǎn)換。因此，在這種情況下，驅(qū)動(dòng)單元DRC包括一個(gè)圖10(A)的構(gòu)成的共用的DAC就可以了。另外，在圖17、圖18中，R用的電路(DLATR、DACR)、G用的電路(DLATG、DACG)、B用的電路(DLATB、DACB)，沿著D2(D4)方向配置。然而，也可以沿著D1(D3)方向配置R用、G用、B用的電路。
6.電子設(shè)備包括本實(shí)施例的集成電路裝置10的電子設(shè)備(電氣光學(xué)裝置)的例子示于圖19(A)、圖19(B)。而且，電子設(shè)備還可以包括圖19(A)(B)所示以外的構(gòu)成部件(比如照相機(jī)、操作部或電源等)。而且，本實(shí)施例的電子設(shè)備并不限定在便攜式電話機(jī)，數(shù)碼相機(jī)、PDA、電子備忘錄、電子詞典、投影儀、背投電視機(jī)或者便攜式信息終端等等均可。
在圖19(A)、圖19(B)中，主機(jī)設(shè)備410比如是MPU(MicroProcessor Unit，微處理單元)、基帶引擎(基帶處理器)等。該主機(jī)設(shè)備410進(jìn)行顯示驅(qū)動(dòng)器即集成電路裝置10的控制?；蛘?，也可以進(jìn)行作為應(yīng)用引擎和基帶引擎的處理、以及壓縮、伸長(zhǎng)、校準(zhǔn)等的作為圖像引擎的處理。另外，圖19(B)的圖像處理控制器420則代替主機(jī)設(shè)備410，進(jìn)行壓縮、伸長(zhǎng)、校準(zhǔn)等作為圖像引擎的處理。
顯示面板400包括多根數(shù)據(jù)線(源極線)、多根掃描線(柵極線)、以及由數(shù)據(jù)線及掃描線確定的多個(gè)像素。而且，通過(guò)改變各個(gè)像素區(qū)域的電氣光學(xué)元件(狹義的是液晶元件)的光學(xué)特性來(lái)實(shí)現(xiàn)顯示動(dòng)作。該顯示面板400可以由采用TFT、TFD等開(kāi)關(guān)元件的有源矩陣方式的面板構(gòu)成。而且，顯示面板400也可以是有源矩陣方式以外的面板，也可以是液晶面板以外的面板。
在圖19(A)的情況下，作為集成電路裝置10，可以用存儲(chǔ)器內(nèi)置型的。亦即，在此情況下，集成電路裝置10把來(lái)自主機(jī)410的圖像數(shù)據(jù)暫時(shí)寫(xiě)入內(nèi)置存儲(chǔ)器，并且從內(nèi)置存儲(chǔ)器讀出被寫(xiě)入的圖像數(shù)據(jù)，用于驅(qū)動(dòng)顯示面板。另一方面，在圖19(B)的情況下，作為集成電路裝置10可以用存儲(chǔ)器非內(nèi)置的存儲(chǔ)器。亦即，在此情況下，來(lái)自主機(jī)410的圖像數(shù)據(jù)被寫(xiě)入圖像處理控制器420的內(nèi)置存儲(chǔ)器中。而且，集成電路裝置10在圖像處理控制器420的控制下驅(qū)動(dòng)顯示面板400。
7.變形例7.1宏模塊化在本實(shí)施方式中，如圖20(A)所示，也可以將驅(qū)動(dòng)塊DB、存儲(chǔ)塊MB和焊盤(pán)塊PDB進(jìn)行宏單元化(宏化、宏模塊化)。在圖20(A)中，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊DB和存儲(chǔ)塊MB沿D1方向配置，焊盤(pán)塊PDB配置在數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊DB及存儲(chǔ)塊MB的D2方向側(cè)。在這里，焊盤(pán)塊PDB上配置有用于與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊DB的輸出線和顯示面板的數(shù)據(jù)線進(jìn)行電連接的多個(gè)焊盤(pán)。具體來(lái)說(shuō)，焊盤(pán)塊PDB包括在D2方向上錯(cuò)開(kāi)配置的兩行(廣義的數(shù)行)焊盤(pán)列，各焊盤(pán)列沿著D1方向排列焊盤(pán)(焊盤(pán)金屬)。另外，圖20(A)的驅(qū)動(dòng)器宏單元(驅(qū)動(dòng)器宏塊)例如其配線及電路單元配置已成為被固化的硬件宏。具體來(lái)說(shuō)，例如配線和電路單元配置由手工作業(yè)進(jìn)行布置。另外，配線、配置的一部分也可以自動(dòng)進(jìn)行。另外，也可以實(shí)施其它的變形，如在數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊DB和存儲(chǔ)塊MB之間設(shè)置其他的附加電路，或?qū)嵤┰隍?qū)動(dòng)器宏單元中不包括存儲(chǔ)塊MB的變形。
根據(jù)圖20(A)的方法，將數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的輸出線通過(guò)手工布局高效地完成焊盤(pán)配線的方法作為驅(qū)動(dòng)器宏單元進(jìn)行登錄就可以使用了。因此，與通過(guò)自動(dòng)配線工具對(duì)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的輸出線進(jìn)行配線的方法相比，可以縮小輸出線的配線區(qū)域，所以可實(shí)現(xiàn)薄而細(xì)長(zhǎng)芯片。另外，只將驅(qū)動(dòng)器宏單元沿D1方向排列配置，就可以實(shí)現(xiàn)如圖5(A)、圖5(B)所示布局的集成電路裝置，所以，可提高電路設(shè)計(jì)和布局工作的效率。例如，即使當(dāng)顯示面板的像素?cái)?shù)的規(guī)格發(fā)生改變時(shí)，只是變更配置的驅(qū)動(dòng)器宏單元的個(gè)數(shù)就可以對(duì)應(yīng)，不需要對(duì)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的輸出線重新進(jìn)行配線，所以，可提高工作效率。在圖20(A)中，不僅數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊DB的D2方向側(cè)的區(qū)域、而且存儲(chǔ)塊MB的D2方向側(cè)的區(qū)域也可以作為焊盤(pán)配置區(qū)域而有效地利用。因此，可以對(duì)寬度WPB的焊盤(pán)塊PDB進(jìn)行沒(méi)有浪費(fèi)的焊盤(pán)配置，從而提高布局效率。
在圖20(A)、圖20(B)中，在將數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊DB、存儲(chǔ)塊MB、焊盤(pán)塊PDB的D1方向上的寬度分別作為WDB、WMB、WPB時(shí)，也可以使例如WDB+WMB≤WPB的關(guān)系成立。即在圖20(A)中，焊盤(pán)塊PDB在D1方向的寬度WPB，變成與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊DB的寬度WDB和存儲(chǔ)塊MB的寬度WMB之和大體上相等，例如變成WDB+WMB＝WPB。另一方面，在圖20(B)中，配置有作為附加電路的轉(zhuǎn)發(fā)塊RP。該轉(zhuǎn)發(fā)塊RP是一個(gè)包括緩沖器的電路塊，用于將到存儲(chǔ)塊MB的至少寫(xiě)數(shù)據(jù)信號(hào)(或地址信號(hào)、存儲(chǔ)器控制信號(hào))進(jìn)行緩沖處理向存儲(chǔ)塊MBT輸出。而且，在圖20(B)的情況下，WDB+WMB＜WPB。
如果WDB+WMB＝WPB的關(guān)系成立，當(dāng)在D1方向排列配置多個(gè)驅(qū)動(dòng)器宏單元時(shí)，就不會(huì)在鄰接的焊盤(pán)塊之間產(chǎn)生無(wú)用的空間，多個(gè)焊盤(pán)塊沿D1方向排列。因此，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器用焊盤(pán)也可在D1方向沒(méi)有浪費(fèi)地排列，從而可縮小集成電路裝置在D1方向的寬度。
如果WDB+WMB＜WPB的關(guān)系成立，如圖20(B)所示，可配置作為附加電路的轉(zhuǎn)發(fā)塊RP，從而可提高布局效率。即因焊盤(pán)間距的限制，焊盤(pán)塊PDB的寬度WPB變大，在存儲(chǔ)塊MB和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊DB的相鄰處產(chǎn)生空區(qū)域時(shí)，就可以在該空置區(qū)域配置附加性電路。另外，在這樣的空區(qū)域間配置的附加電路，不受轉(zhuǎn)發(fā)塊RP的限制。例如可以配置灰階電壓生成電路的一部分、將數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的輸出線設(shè)定在規(guī)定電位的電路、靜電保護(hù)電路等附加電路。
另外，將作為附加電路塊的轉(zhuǎn)發(fā)塊RP在D1方向的寬度作為WAB，將焊接塊PDB中的焊盤(pán)個(gè)數(shù)為NP。于是，例如(NP-1)×PP＜WDB+WMB+WAB＜(NP+1)×PP的關(guān)系成立。如果該關(guān)系成立，當(dāng)在D1方向排列配置多個(gè)驅(qū)動(dòng)器宏單元時(shí)，多個(gè)焊盤(pán)塊不會(huì)產(chǎn)生空區(qū)域地排列在D1方向，從而可以均勻的焊盤(pán)間距沿D1方向排列焊盤(pán)。而且，如果以均勻地焊盤(pán)間距排列焊盤(pán)，在采用凸起等將集成電路裝置安裝到玻璃基板上時(shí)，在焊盤(pán)配置區(qū)域產(chǎn)生的應(yīng)力均一，從而可防止接觸不良。而且，如果焊盤(pán)之間產(chǎn)生空置區(qū)域時(shí)，因其空區(qū)域的原因，ACF等各向異性導(dǎo)電材料的粘結(jié)材料的流動(dòng)發(fā)生變化，可能產(chǎn)生粘接不良等問(wèn)題，但如果以均勻的焊盤(pán)間距排列焊盤(pán)時(shí)，可以防止這種情況的發(fā)生。而且，還可以使WDB+WMB+WAB≤NP×PP的關(guān)系成立。如果這樣，可以使D1方向上的焊盤(pán)間距更均勻，從而實(shí)現(xiàn)應(yīng)力更均勻。
另外，當(dāng)不配置如轉(zhuǎn)發(fā)塊RP那樣的附加電路時(shí)，可做成WAB＝0。另外，也可以在焊盤(pán)塊PDB上配置數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器用焊盤(pán)以外的虛擬焊盤(pán)(未連接凸起、接合線的焊盤(pán)等)。在這種情況下，也可以將數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器用焊盤(pán)和虛擬焊盤(pán)的個(gè)數(shù)相加的數(shù)作為焊盤(pán)的個(gè)數(shù)NP。
7.2轉(zhuǎn)發(fā)塊圖21表示轉(zhuǎn)發(fā)塊的構(gòu)成例。該轉(zhuǎn)發(fā)塊可與例如各存儲(chǔ)塊(第J存儲(chǔ)塊)鄰接配置。例如在圖5(B)中，將用于轉(zhuǎn)送來(lái)自邏輯電路塊LB的寫(xiě)數(shù)據(jù)信號(hào)、地址信號(hào)、存儲(chǔ)器控制信號(hào)的存儲(chǔ)器用全局線在電路塊上沿D1方向配線，將這些信號(hào)從邏輯電路塊LB提供給各存儲(chǔ)塊MB1～MB4。在這種情況下，如果對(duì)這些信號(hào)不進(jìn)行緩沖處理，則信號(hào)上升的波形和下降的波形變鈍，對(duì)存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)間變長(zhǎng)，有可能發(fā)生寫(xiě)入錯(cuò)誤。
這一點(diǎn)，如果在各存儲(chǔ)塊的例如D1方向側(cè)鄰接配置圖21那樣的轉(zhuǎn)發(fā)塊，則這些寫(xiě)數(shù)據(jù)信號(hào)、地址信號(hào)、存儲(chǔ)器控制信號(hào)通過(guò)轉(zhuǎn)發(fā)塊進(jìn)行緩沖處理后，輸入到各存儲(chǔ)塊。其結(jié)果，可降低信號(hào)上升波形和下降波形鈍化的問(wèn)題，從而可實(shí)現(xiàn)對(duì)存儲(chǔ)塊的準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)寫(xiě)入。
在圖21中，來(lái)自邏輯電路塊LB的寫(xiě)數(shù)據(jù)信號(hào)(WD0、WD1…)，通過(guò)由兩個(gè)轉(zhuǎn)換器組成的緩沖器BFA1、BFA2…進(jìn)行緩沖處理，并向下級(jí)的轉(zhuǎn)發(fā)塊輸出。具體來(lái)說(shuō)，在圖5(B)中，從配置在存儲(chǔ)塊MB4的D1方向側(cè)的轉(zhuǎn)發(fā)塊，向配置在存儲(chǔ)塊MB3的D1方向側(cè)的下級(jí)的轉(zhuǎn)發(fā)塊輸出被緩沖處理的信號(hào)。另外，來(lái)自邏輯電路塊LB的寫(xiě)數(shù)據(jù)信號(hào)通過(guò)緩沖器BFB1、BFB2…進(jìn)行緩沖處理后，輸出給存儲(chǔ)塊。具體來(lái)說(shuō)，在圖5(B)中，從配置在存儲(chǔ)塊MB4的D1方向側(cè)的轉(zhuǎn)發(fā)塊向存儲(chǔ)塊MB4輸出被緩沖處理的信號(hào)。這樣，在本實(shí)施方式中，關(guān)于寫(xiě)數(shù)據(jù)信號(hào)，不僅設(shè)置到下級(jí)的存儲(chǔ)塊的輸出用緩沖器BFA1、BFA2…，而且，還設(shè)置各存儲(chǔ)塊用緩沖器BFB1、BFB2…。由此，可有效防止因存儲(chǔ)塊的存儲(chǔ)單元的寄生電容導(dǎo)致寫(xiě)數(shù)據(jù)信號(hào)的波形鈍化、寫(xiě)入時(shí)間延長(zhǎng)和寫(xiě)入錯(cuò)誤的產(chǎn)生。
而且，通過(guò)緩沖器BFC1…對(duì)來(lái)自邏輯電路塊LB的地址信號(hào)(CPU列地址、CPU行地址、LCD行地址等)進(jìn)行緩沖處理，并向存儲(chǔ)塊及下級(jí)的轉(zhuǎn)發(fā)塊輸出。而且，通過(guò)緩沖器BFD…對(duì)來(lái)自邏輯電路塊LB的存儲(chǔ)器控制信號(hào)(讀/寫(xiě)轉(zhuǎn)換信號(hào)、CPU使能信號(hào)、存儲(chǔ)選擇信號(hào)等)進(jìn)行緩沖處理，并向存儲(chǔ)塊及下級(jí)的轉(zhuǎn)發(fā)塊輸出。
而且，在圖21的轉(zhuǎn)發(fā)塊中，還設(shè)置來(lái)自存儲(chǔ)塊的讀數(shù)據(jù)信號(hào)用緩沖器。具體來(lái)說(shuō)，當(dāng)存儲(chǔ)選擇信號(hào)BANKM為激活狀態(tài)(H電平)、并選擇該存儲(chǔ)塊(第一～第I存儲(chǔ)塊中的第J存儲(chǔ)塊)時(shí)，來(lái)自該存儲(chǔ)塊(第J存儲(chǔ)塊)的讀數(shù)據(jù)信號(hào)通過(guò)對(duì)應(yīng)該存儲(chǔ)塊的轉(zhuǎn)發(fā)塊的緩沖器BFE1、BFE2…進(jìn)行緩沖處理后，向讀數(shù)據(jù)線RD0L、RD1L…輸出。另一方面，當(dāng)存儲(chǔ)選擇信號(hào)BANKM為非激活狀態(tài)(L電平)、該存儲(chǔ)塊(第J的存儲(chǔ)塊)為非選擇時(shí)，對(duì)應(yīng)該存儲(chǔ)塊的轉(zhuǎn)發(fā)塊的緩沖器BFE1、BFE2…的輸出狀態(tài)被設(shè)定成高阻抗?fàn)顟B(tài)。由此，可以將來(lái)自存儲(chǔ)選擇信號(hào)為激活的其他存儲(chǔ)塊的讀數(shù)據(jù)信號(hào)準(zhǔn)確地輸出給邏輯電路塊LB。而且，在本實(shí)施方式中，當(dāng)從主機(jī)側(cè)進(jìn)行存取時(shí)，選擇對(duì)應(yīng)存取區(qū)域的存儲(chǔ)塊，并只選擇該存儲(chǔ)塊的字線WL。由此，通過(guò)轉(zhuǎn)發(fā)塊，將讀數(shù)據(jù)信號(hào)從所選擇的存儲(chǔ)塊輸出到讀數(shù)據(jù)線RD0L、RD1L…。
7.3子像素驅(qū)動(dòng)單元的配置圖22是表示子像素驅(qū)動(dòng)單元的配置例子。在圖22中，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊包括輸出分別對(duì)應(yīng)一個(gè)子像素的圖像數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)信號(hào)的多個(gè)子像素驅(qū)動(dòng)單元SDC1～SDC180。即在沿D 1方向(沿子像素驅(qū)動(dòng)單元的長(zhǎng)邊方向)配置多個(gè)子像素驅(qū)動(dòng)單元的同時(shí)，沿著與D1方向垂直的D2方向配置多個(gè)子像素驅(qū)動(dòng)單元。然后，用于將數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊的輸出線和顯示面板的數(shù)據(jù)線進(jìn)行電連接的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器用焊盤(pán)配置在數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊的D2方向側(cè)。而且，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器用焊盤(pán)也配置在存儲(chǔ)塊的D2方向側(cè)。
例如，圖15的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器DRa的驅(qū)動(dòng)單元DRC1可由圖22的子像素驅(qū)動(dòng)單元SDC1、SDC2、SDC3構(gòu)成。在這里，SDC1、SDC2、SDC3是各R(紅)用、G(綠色)用、B(青)用子像素驅(qū)動(dòng)單元，從存儲(chǔ)塊輸入對(duì)應(yīng)第一個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)的R、G、B的圖像數(shù)據(jù)(R1、G1、B1)。然后，子像素驅(qū)動(dòng)單元SDC1、SDC2、SDC3，進(jìn)行這些圖像數(shù)據(jù)(R1、G1、B1)的D/A轉(zhuǎn)換，將第一個(gè)R、G、B的數(shù)據(jù)信號(hào)(數(shù)據(jù)電壓)輸出到對(duì)應(yīng)第一個(gè)數(shù)據(jù)線的R、G、B用焊盤(pán)。
同樣，驅(qū)動(dòng)單元DRC2由R用、G用、B用子像素驅(qū)動(dòng)單元SDC4、SDC5、SDC6構(gòu)成，從存儲(chǔ)塊輸入對(duì)應(yīng)第二個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)的R、G、B像素圖像數(shù)據(jù)(R2、G2、B2)。然后，子像素驅(qū)動(dòng)器單元SDC4、SDC5、SDC6進(jìn)行這些圖像數(shù)據(jù)(R2、G2、B2)的D/A轉(zhuǎn)換，將第二個(gè)R、G、B的數(shù)據(jù)信號(hào)(數(shù)據(jù)電壓)輸出到對(duì)應(yīng)第二個(gè)數(shù)據(jù)線的R、G、B用焊盤(pán)。其他的子像素驅(qū)動(dòng)單元也相同。
而且，子像素?cái)?shù)不局限于三個(gè)，也可以是大于等于四個(gè)。而且，子像素驅(qū)動(dòng)單元的配置也不局限于圖22，比如也可以沿著D2方向堆棧配置R用、G用、B用子像素驅(qū)動(dòng)單元。
7.4讀出放大器、存儲(chǔ)單元的配置圖23是表示讀出放大器、存儲(chǔ)單元配置的例子。對(duì)應(yīng)讀出放大器塊內(nèi)的一個(gè)像素部分包括R用讀出放大器SAR0～SAR5、G用讀出放大器SAG0～SAG5、B用讀出放大器SAB0～SAB5。而且，在圖23中，兩個(gè)(廣義為多個(gè))讀出放大器(及緩沖器)在D1方向上堆棧配置。然后，在堆棧配置的第一、第二讀出放大器SAR0、SAR1的D1方向側(cè)沿D1方向排列的兩行存儲(chǔ)單元列(縱向型單元)內(nèi)，上側(cè)的行的存儲(chǔ)單元列的位線例如連接于第一讀出放大器SAR0，下側(cè)的行的存儲(chǔ)單元列的位線例如連接于第二讀出放大器SAR1。然后，第一、第二讀出放大器SAR0、SAR1將從存儲(chǔ)單元讀出的圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行信號(hào)放大，由此，從SAR0、SAR1輸出兩位圖像數(shù)據(jù)。關(guān)于其他讀出放大器和存儲(chǔ)單元的關(guān)系也相同。
在圖23的情況下，在一個(gè)水平掃描期間內(nèi)的圖像數(shù)據(jù)的多次讀出可如下述實(shí)現(xiàn)。即在第一水平掃描期間(第一掃描線的選擇期間)內(nèi)，首先選擇字線WL1a，然后進(jìn)行圖像數(shù)據(jù)的第一次讀出，并輸出第一次數(shù)據(jù)信號(hào)DATAa。在這種情況下，來(lái)自讀出放大器SAR0～SAR5、SAG0～SAG5、SAB0～SAB5的R、G、B圖像數(shù)據(jù)分別輸入到子像素驅(qū)動(dòng)單元SDC1、SDC2、SDC3。接著，同樣，在第一水平掃描期間內(nèi)選擇字線WL1b，然后進(jìn)行圖像數(shù)據(jù)的第二次讀出，并輸出第二次數(shù)據(jù)信號(hào)DATAb。在這種情況下，來(lái)自讀出放大器SAR0～SAR5、SAG0～SAG5、SAB0～SAB5的R、G、B圖像數(shù)據(jù)分別輸入到子像素驅(qū)動(dòng)單元SDC91、SDC92、SDC93。
7.5配線區(qū)域替換排列在本實(shí)施方式中，可將用于把子像素驅(qū)動(dòng)單元(驅(qū)動(dòng)單元)的輸出信號(hào)引出線的排列順序進(jìn)行替換排列的替換排列配線區(qū)域設(shè)置在子像素驅(qū)動(dòng)單元(驅(qū)動(dòng)單元)的配置區(qū)域內(nèi)。這樣可將配線層的切換控制在最小限度，所以，可縮小數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊和焊盤(pán)之間的配線區(qū)域在D2方向上的寬度，從而可實(shí)現(xiàn)薄而細(xì)長(zhǎng)芯片。
例如圖24的E1、E2所示，子像素驅(qū)動(dòng)單元的輸出信號(hào)(數(shù)據(jù)信號(hào))的引出線例如沿D2方向(縱方向)配線。這些引出線是用于從數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊取出子像素驅(qū)動(dòng)單元的輸出信號(hào)的線，例如通過(guò)第四層的鋁配線層ALD形成。而且，在圖24中，用于連接子像素驅(qū)動(dòng)單元的輸出線和顯示面板的數(shù)據(jù)線的焊盤(pán)P1、P2、P3…配置在數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊及存儲(chǔ)塊的D2方向側(cè)。
而且，在圖24中，將用于將這些引出線的排列順序進(jìn)行替換排列的替換排列配線區(qū)域(第一、第二替換排列配線區(qū)域)設(shè)置在子像素驅(qū)動(dòng)單元的配置區(qū)域。具體來(lái)說(shuō)，替換排列配線區(qū)域形成于作為子像素驅(qū)動(dòng)單元內(nèi)的本地線的第一、第二層的鋁配線層ALA、ALB的上層區(qū)域。然后，在該替換排列配線區(qū)域中，以與焊盤(pán)排列順序?qū)?yīng)的順序，進(jìn)行引出線排列順序的替換排列。在這里的所謂與焊盤(pán)的排列順序?qū)?yīng)的替換排列，既可以是焊盤(pán)的排列順序，也可以是按所定的規(guī)則變更焊盤(pán)排列順序的順序。而且，替換排列配線區(qū)域是由E1、E2所示的引出線、后述的E6～E9的引出位置變更線而形成的配線區(qū)域。
例如在圖24中，其單元號(hào)碼不為3的倍數(shù)(廣義為J的倍數(shù)。J為大于等于2的整數(shù))的子像素驅(qū)動(dòng)單元SDC1、SDC2、SDC4、SDC5、SDC7、SDC8…屬于第一組，其單元號(hào)碼為3的倍數(shù)的子像素驅(qū)動(dòng)單元SDC3、SDC6、SDC9…屬于第二組。
E1所示的第一組引出線是屬于第一組的子像素驅(qū)動(dòng)單元SDC1、SDC2、SDC4、SDC5、SDC7、SDC8的…輸出信號(hào)的引出線。在第一替換排列配線區(qū)域中，對(duì)該E1所示的第一組引出線的排列順序進(jìn)行替換排列。具體來(lái)說(shuō)，在第一替換排列配線區(qū)域中，引出線的排列順序被替換排列成焊盤(pán)P1、P2、P4、P5、P7、P8…的順序。即以去除其焊盤(pán)號(hào)碼為3的倍數(shù)的焊盤(pán)的焊盤(pán)排列順序，進(jìn)行引出線排列順序的替換排列。由此，在數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊的D2方向側(cè)的邊界(引出端口)上，以SDC1、SDC2、SDC4、SDC5、SDC7、SDC8的…順序，對(duì)子像素驅(qū)動(dòng)單元的輸出線的引出線進(jìn)行替換排列并排列。
另一方面，E2所示的第二組引出線是屬于第二組的子像素驅(qū)動(dòng)單元SDC3、SDC6、SDC9…的輸出信號(hào)引出線。在第二替換排列配線區(qū)域中，對(duì)該E2所示的第二組引出線的排列順序進(jìn)行替換排列。具體來(lái)說(shuō)，在第二替換排列配線區(qū)域中，將引出線排列順序替換排列成焊盤(pán)P3、P6、P9…的順序。即以其焊盤(pán)號(hào)碼為3的倍數(shù)的焊盤(pán)排列順序，進(jìn)行引出線排列順序的替換排列。由此，在數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊的D2方向側(cè)的邊界(引出端口)上，以SDC3、SDC6、SDC9…的順序，對(duì)子像素驅(qū)動(dòng)單元的輸出線的引出線進(jìn)行替換排列后排列。
這樣，只要在子像素驅(qū)動(dòng)內(nèi)設(shè)置替換排列配線區(qū)域、并進(jìn)行引出線排列順序的替換排列，就可以將配線層的更換控制在最小限度，該配線層位于焊盤(pán)和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊之間的配線區(qū)域即E3所示的區(qū)域。其結(jié)果，可縮小E3所示的配線區(qū)域在D2方向上的寬度WIT，從而可實(shí)現(xiàn)薄而細(xì)長(zhǎng)芯片。
而且，在E3所示的配線區(qū)域中，如E4所示，用于連接E1所示的第一組引出線與焊盤(pán)P1、P2、P4、P5、P7、P8…的連接線用第三層鋁配線層ALC(廣義來(lái)說(shuō)是所給與的層的線)進(jìn)行配線。另一方面，如E5所示，用于連接E2所示的第二組引出線與焊盤(pán)P3、P6、P9…的連接線用第四層的鋁配線層ALD(廣義來(lái)說(shuō)是與所給與的層不同的層的線)進(jìn)行配線。
例如E4所示的連接線是連接來(lái)自子像素驅(qū)動(dòng)單元SDC10的引出線和焊盤(pán)P10的線。另一方面，E5所示的連接線是用于連接來(lái)自子像素驅(qū)動(dòng)單元SDC9的引出線和焊盤(pán)P9的線。在這種情況下，E4的連接線在鋁配線層ALC形成，E5的連接線在與ACL不同層的鋁配線層ALD形成。因此，不需要進(jìn)行配線層的切換，可在E3的配線區(qū)域內(nèi)將E4的連接線和E5的連接線重疊配線。其結(jié)果，進(jìn)一步縮小了E3的配線區(qū)域在D2方向的寬度WIT，從而可實(shí)現(xiàn)薄而細(xì)長(zhǎng)芯片。
7.6引出位置變更線在本實(shí)施方式中，將用于變更圖24的E1、E2所示的引出線的引出位置的引出位置變更線在替換排列配線區(qū)域進(jìn)行配線。例如E6所示的QCL1及QCL2是用于變更子像素驅(qū)動(dòng)單元SDC1、SDC2輸出信號(hào)(輸出線)的引出位置的引出位置變更線。同樣，E7所示的QCL4、QCL5是SDC4、SDC5的引出位置變更線，E8所示的QCL7、QCL8是SDC7、SDC8的引出位置變更線，E9所示的QCL10、QCL11是SDC10、SDC11的引出位置變更線。
在這里例如E6所示，引出位置變更線QCL1、QCL2橫跨沿D1方向配置的多個(gè)子像素驅(qū)動(dòng)單元SDC1、SDC2，沿D1方向(橫向方向)配線。即橫跨沿著D1方向配置的兩個(gè)子像素驅(qū)動(dòng)單元SDC1、SDC2，對(duì)兩根引出位置變更線QCL1、QCL2進(jìn)行配線。由此，可從沿著第一替換排列配線區(qū)域的D1方向的任意位置，用引出線取出子像素驅(qū)動(dòng)單元SDC1、SDC2的輸出信號(hào)。
即引出位置變更線QCL1、QCL2在第三層的鋁配線層ALC進(jìn)行配線。因此，如果在沿著D1方向配線的引出位置變更線QCL1、QCL2的任意位置上形成ALC和ALD的電鍍通孔，就可以從該電鍍孔的形成位置，沿D2方向?qū)υ贏LD形成的引出線進(jìn)行配線。由此，可從D1方向的任意引出位置將引出線沿D2方向進(jìn)行配線，從而易于進(jìn)行引出線排列順序的替換排列。
圖25(A)是表示各鋁配線層的使用狀態(tài)的例子。例如沿縱或橫方向配線的第一鋁配線層ALA用作電路塊的晶體管源極/漏極/柵極的連接線等。主要沿縱方向配線的第二鋁配線層ALB用作電源線、信號(hào)線和灰階電壓供給線等。主要沿橫向方向配線的第三鋁配線層ALC用作數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的引出位置變更線和存儲(chǔ)器的圖像數(shù)據(jù)供給線等。主要沿縱方向配線的第四鋁配線層ALD用作數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的引出線和灰階電壓供給線等。而且，主要沿橫方向配線的作為頂層金屬的第五鋁配線層ALE用作進(jìn)行非鄰接電路塊間的配線的全局線等。
圖25(B)所示是在子像素驅(qū)動(dòng)單元內(nèi)配線的鋁配線層ALC的布局例子。在圖25(B)中，引出位置變更線和DAC驅(qū)動(dòng)用線在寬幅的鋁配線層ALC上沿D1方向(橫方向)配線。而且，例如作為一個(gè)像素的18根圖像數(shù)據(jù)供給線在鋁配線層ALC沿D1方向配線。這樣，在子像素驅(qū)動(dòng)單元內(nèi)，多個(gè)圖像數(shù)據(jù)供給線和圖24的E6等所示的引出位置變更線在同一層的鋁配線層ALC配線。
而且，在本實(shí)施方式中，用于向子像素驅(qū)動(dòng)單元的D/A轉(zhuǎn)換器DAC供給灰階電壓的灰階電壓供給線跨過(guò)多個(gè)子像素驅(qū)動(dòng)單元、并沿D2方向配線。具體來(lái)說(shuō)，有效地利用沒(méi)有配置引出線的空區(qū)域，通過(guò)與引出線同一層的鋁配線層ALD，對(duì)該灰階電壓供給線進(jìn)行配線。
這樣，在本實(shí)施方式中，沿D1(橫)方向的引出位置變更線和圖像數(shù)據(jù)供給線在鋁配線層ALC配線。另一方面，沿D2(縱)方向的引出線和灰階電壓供給線在與ALC不同層的鋁配線層ALD配線。如果這樣，用兩層鋁配線層ALC、ALD，就可以高效地配置引出位置變更線、圖像數(shù)據(jù)供給線、引出線、灰階電壓供給線。因此，即使不用ALE等其他層的鋁配線層也可以完成，由于可將ALE用于全局線等，所以可提高配線效率，從而可實(shí)現(xiàn)薄而細(xì)長(zhǎng)芯片。
而且，在本實(shí)施方式中，在子像素驅(qū)動(dòng)單元的輸出部SSQ的區(qū)域內(nèi)，設(shè)置替換排列配線區(qū)域。例如圖24所示，第一替換排列配線區(qū)域設(shè)置在第一組子像素驅(qū)動(dòng)單元SDC1、SDC2、SDC4、SDC5、SDC7、SDC8…的輸出部SSQ的區(qū)域。而且，第二替換排列配線區(qū)域設(shè)置在第二組子像素驅(qū)動(dòng)單元SDC3、SDC6、SDC9…的輸出部SSQ的區(qū)域。由此，可有效地利用子像素驅(qū)動(dòng)單元的輸出部SSQ的區(qū)域，實(shí)現(xiàn)引出線排列順序的替換排列。即如圖24的E1、E2所示，在輸出部SSQ的區(qū)域進(jìn)行引出線的配線，只要將SSQ的區(qū)域設(shè)定為替換排列配線區(qū)域，就可在SSQ兩側(cè)的DAC的區(qū)域進(jìn)行灰階電壓供給線的配線。因此，可以將引出線和灰階電壓供給線在相同層的鋁配線層ALD進(jìn)行配線，從而可提高配線效率。
7.7子像素驅(qū)動(dòng)單元的布置圖26所示是子像素驅(qū)動(dòng)單元的詳細(xì)布局的例子。如圖26所示，各子像素驅(qū)動(dòng)單元SDC1～SDC180包括鎖存電路LAT、電平轉(zhuǎn)換器L/S、D/A轉(zhuǎn)換器DAC、輸出部SSQ。而且，也可以在鎖存電路LAT和電平轉(zhuǎn)換器L/S之間設(shè)置用于灰階控制的FRC(Frame RateControl)電路等其他邏輯電路。
子像素驅(qū)動(dòng)單元包含的鎖存電路LAT，將來(lái)自存儲(chǔ)塊MB1的作為一個(gè)子像素的六位圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行鎖存。電平轉(zhuǎn)換器L/S轉(zhuǎn)換來(lái)自鎖存電路LAT的六位圖像數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓電平。D/A轉(zhuǎn)換器DAC利用灰階電壓進(jìn)行六位圖像數(shù)據(jù)的D/A轉(zhuǎn)換。輸出部SSQ包括進(jìn)行D/A轉(zhuǎn)換器DAC的輸出信號(hào)的阻抗轉(zhuǎn)換的運(yùn)算放大器OP(連接電壓輸出器)，驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)一個(gè)子像素的1根數(shù)據(jù)線。而且，輸出部SSQ，除運(yùn)算放大器OP以外，還可包括放電用、8色顯示用、DAC驅(qū)動(dòng)用的晶體管(開(kāi)關(guān)元件)。
如圖26所示，各子像素驅(qū)動(dòng)單元(第一、第二數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器DRa、DRb)包括LV區(qū)域(廣義為第一電路區(qū)域)，配置有以LV(LowVoltage)電壓電平(廣義為第一電壓電平)的電源進(jìn)行動(dòng)作的電路；以及MV區(qū)域(廣義為第二電路區(qū)域)，配置有以比LV高的MV(Middle Voltage)電壓電平(廣義為第二電壓電平)的電源進(jìn)行動(dòng)作的電路。在這里，LV是邏輯電路塊LB、存儲(chǔ)塊MB等的工作電壓。MV是D/A轉(zhuǎn)換器、運(yùn)算放大器、電源電路等的工作電壓。掃描驅(qū)動(dòng)器的輸出晶體管通過(guò)供給HV(High Voltage)的電壓電平(廣義為第三電壓電平)的電源而驅(qū)動(dòng)掃描線。
例如，在子像素驅(qū)動(dòng)單元的LV區(qū)域(第一電路區(qū)域)內(nèi)配置鎖存電路LAT(或者其他的邏輯電路)。在MV區(qū)域(第二電路區(qū)域)內(nèi)配置D/A轉(zhuǎn)換器DAC、包括運(yùn)算放大器OP的輸出部SSQ。然后，電平轉(zhuǎn)換器L/S將LV的電壓電平的信號(hào)轉(zhuǎn)換成MV的電壓電平的信號(hào)。
而且，在圖26中，沿子像素驅(qū)動(dòng)單元SDC1～SDC180的D4方向側(cè)設(shè)置緩沖器電路BF1。該緩沖器電路BF1將來(lái)自邏輯電路塊LB的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)進(jìn)行緩沖處理，然后輸出到子像素驅(qū)動(dòng)單元SDC1～SDC180。換言之，作為驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)的轉(zhuǎn)發(fā)塊而發(fā)揮作用。
具體來(lái)說(shuō)，緩沖器電路BF 1包括配置在LV區(qū)域的LV緩沖器、配置在MV區(qū)域的MV緩沖器。LV緩沖器接收到來(lái)自邏輯電路塊LB的LV電壓電平的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)(鎖存信號(hào)等)后進(jìn)行緩沖處理，并輸出給沿D2方向側(cè)配置的子像素驅(qū)動(dòng)單元的LV區(qū)域的電路(LAT)。而且，MV緩沖器接收到來(lái)自邏輯電路塊LB的LV電壓電平的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)(DAC控制信號(hào)、輸出控制信號(hào)等)，通過(guò)電平轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換為MV的電壓電平后進(jìn)行緩沖處理，并輸出給配置在其D2方向側(cè)的子像素驅(qū)動(dòng)單元的MV區(qū)域的電路(DAC、SSQ)。
然后，如本實(shí)施方式圖26所示，以各子像素驅(qū)動(dòng)單元的MV區(qū)域彼此(或LV區(qū)域之間)沿D1方向鄰接的方式，配置子像素驅(qū)動(dòng)單元SDC1～SDC180。即鄰接的子像素驅(qū)動(dòng)單元沿D2方向隔著鄰接邊界進(jìn)行對(duì)稱配置。例如，子像素驅(qū)動(dòng)單元SDC1和SDC2配置成MV區(qū)域鄰接。而且，子像素驅(qū)動(dòng)單元SDC3和SDC91也配置成MV區(qū)域鄰接。子像素驅(qū)動(dòng)單元SDC2和SDC3配置成LV區(qū)域彼此鄰接。
如圖26所示，如果將MV區(qū)域鄰接配置，就不需要在子像素驅(qū)動(dòng)單元之間設(shè)置護(hù)環(huán)等。因此，與使MV區(qū)域和LV區(qū)域鄰接的方法相比，可縮小數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊在D1方向的寬度，從而可實(shí)現(xiàn)集成電路裝置的小面積化。
而且，如果根據(jù)圖26的配置方法，可以將鄰接的子像素驅(qū)動(dòng)單元的MV區(qū)域作為子像素驅(qū)動(dòng)單元的輸出信號(hào)的引出線的配線區(qū)域而有效利用，從而可提高設(shè)計(jì)效率。
而且，在圖22、圖26所示的本實(shí)施方式中，將第一、第二數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器DRa、DRb配置成其MV區(qū)域彼此(第二電路區(qū)域)鄰接。而且，配置成第一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器DRa的LV區(qū)域(第一電路區(qū)域)鄰接第一存儲(chǔ)塊MB1(第J存儲(chǔ)塊)、第二數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器DRb的LV區(qū)域(第一電路區(qū)域)鄰接第二存儲(chǔ)塊MB2(第J+1的存儲(chǔ)塊)。例如在圖22、圖26中，第一存儲(chǔ)塊MB1鄰接第一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器DRa的子像素驅(qū)動(dòng)單元SDC1、SDC4、SDC7…SDC88的LV區(qū)域而配置。而且，第二存儲(chǔ)塊MB2鄰接第二數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器DRb的子像素驅(qū)動(dòng)單元SDC93、SDC96、SDC99…SDC180的LV區(qū)域而配置。而且，存儲(chǔ)塊MB1、MB2以LV的電壓電平的電源進(jìn)行工作。因此，如果這樣，只要將子像素驅(qū)動(dòng)單元的LV區(qū)域鄰接存儲(chǔ)塊配置，就可以縮小由數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊及存儲(chǔ)塊構(gòu)成的宏單元在D1方向的寬度，從而可縮小集成電路裝置的面積。
7.8D/A轉(zhuǎn)換器圖27表示的是子像素驅(qū)動(dòng)單元包括的D/A轉(zhuǎn)換器(DAC)的詳細(xì)構(gòu)成的例子。該D/A轉(zhuǎn)換器是進(jìn)行所謂競(jìng)賽式D/A轉(zhuǎn)換的電路，包括灰階電壓選擇器SLN1～SLN11、SLP1～SLP11和預(yù)譯碼器120。
在這里，灰階電壓選擇器SLN1～SLN11是由N型(廣義上為第一導(dǎo)電型)的晶體管構(gòu)成的選擇器，灰階電壓選擇器SLP1～SLP11是由P型(廣義上為第二導(dǎo)電型的)晶體管構(gòu)成的選擇器，這些N型、P型的晶體管成對(duì)地構(gòu)成傳輸門(mén)。例如構(gòu)成SLN1的N型晶體管和構(gòu)成SLP1的P型晶體管成對(duì)地構(gòu)成傳輸門(mén)。
在灰階電壓選擇器SLN1～SLN8、SLP1～SLP8的輸入終端上，分別連接V0～V3、V4～V7、V8～V11、V12～V15、V16～V19、V20～V23、V24～V27、V28～V31的灰階電壓供給線。然后，在輸入圖像數(shù)據(jù)D0～D5后，預(yù)譯碼器120進(jìn)行如圖28(A)所示真值表的譯碼處理。然后將選擇信號(hào)S1～S4、XS1～XS4分別輸出給各個(gè)灰階電壓選擇器SLN1～SLN8、SLP1～SLP9。而且，將各個(gè)選擇信號(hào)S5～S8、XS5～XS8分別輸出給SLN9及SLN10、SLP9及SLP10，將S9～S12、XS9～XS12分別輸出給SLN11、SLP11。
例如，在圖像數(shù)據(jù)D0～D5為(100000)時(shí)，如圖28(A)的真值表所示，選擇信號(hào)S2、S5、S9(XS2、XS5、XS9)為激活狀態(tài)。由此，灰階電壓選擇器SLN1、SLP1選擇灰階電壓V1，SLN9、SLP9選擇SLN1、SLP1的輸出，SLN11、SLP11選擇SLN9、SLP9的輸出。因此，在輸出部SSQ上輸出灰階電壓V1。同樣，在圖像數(shù)據(jù)D0～D5為(010000)時(shí)，由于選擇信號(hào)S3(XS3)為激活狀態(tài)，所以，灰階電壓選擇器SLN1、SLP1選擇灰階電壓V2，在輸出部SSQ上輸出灰階電壓V2。而且，在圖像數(shù)據(jù)D0～D5為(001000)時(shí)，選擇信號(hào)S1、S6、S9(XS1、XS6、XS9)為激活狀態(tài)。因此，灰階電壓選擇器SLN2、SLP2選擇灰階電壓V4，SLN9、SLP9選擇SLN2、SLP2的輸出，SLN11、SLP11選擇SLN9、SLP9的輸出。因此，在輸出部SSQ上輸出灰階電壓V4。
而且，在本實(shí)施方式中如圖28(B)、(C)所示，用于向圖27的D/A轉(zhuǎn)換器供給灰階電壓V0～V31的灰階電壓供給線跨越多個(gè)子像素驅(qū)動(dòng)單元沿D2(D4)方向配線。例如，在圖28(B)中，跨越沿D2方向排列的子像素驅(qū)動(dòng)單元SDC1、SDC4、SDC7，灰階電壓供給線向D2方向配線。而且，如圖28(B)、(C)所示，這些灰階電壓供給線在D/A轉(zhuǎn)換器(灰階電壓選擇器)的配置區(qū)域上配線。
具體來(lái)說(shuō)，如圖28(B)所示，在子像素驅(qū)動(dòng)單元的D/A轉(zhuǎn)換器的配置區(qū)域內(nèi)，沿D2方向配置N型晶體管區(qū)域(P型阱)、P型晶體管區(qū)域(N型阱)。另一方面，在子像素驅(qū)動(dòng)單元的D/A轉(zhuǎn)換器以外的電路(輸出部、電平轉(zhuǎn)換器、鎖存電路)的配置區(qū)域內(nèi)，沿著與D2方向垂直的D1方向配置N型晶體管區(qū)域(P型阱)、P型晶體管區(qū)域(N型阱)。換言之，沿D2方向鄰接的子像素驅(qū)動(dòng)單元隔著沿AD1方向的鄰接邊界而對(duì)稱配置。例如驅(qū)動(dòng)單元SDC1和SDC4隔著其鄰接邊界而對(duì)稱配置，SDC4和SDC7隔著其鄰接邊界而對(duì)稱配置。
例如，構(gòu)成子像素驅(qū)動(dòng)單元SDC1的D/A轉(zhuǎn)換器的灰階電壓選擇器SLN1～SLN11的N型晶體管形成于如圖28(B)所示的子像素驅(qū)動(dòng)單元的N型晶體管區(qū)域NTR1，構(gòu)成灰階電壓選擇器SLP1～SLP11的P型晶體管形成于P型晶體管區(qū)域PTR1。具體來(lái)說(shuō)如圖28(C)所示，構(gòu)成灰階電壓選擇器SLN11的N型晶體管TRF1、TRF2、構(gòu)成灰階電壓選擇器SLN9、SLN10的N型晶體管TRF3、TRF4，形成于N型晶體管區(qū)域NTR1。另一方面，構(gòu)成灰階電壓選擇器SLP11的P型晶體管TRF5、TRF6、構(gòu)成灰階電壓選擇器SLP9、SLP10的P型晶體管TRF7、TRF8，形成于P型晶體管區(qū)域PTR1。而且，子像素驅(qū)動(dòng)單元的其他的電路的N型晶體管區(qū)域、P型晶體管區(qū)域沿D1方向配置，與此相對(duì)，N型晶體管區(qū)域NTR1、P型晶體管區(qū)域PTR1沿D2方向配置。
在圖27的D/A轉(zhuǎn)換器中，例如構(gòu)成灰階電壓選擇器SLN1的N型晶體管、構(gòu)成灰階電壓選擇器SLP1的P型晶體管成對(duì)地構(gòu)成傳輸門(mén)。因此，如果沿D2方向進(jìn)行灰階電壓供給線的配線，對(duì)于這些P型、N型晶體管，可共同連接灰階電壓供給線，從而易于構(gòu)成傳輸門(mén)，從而可能提高布局效率。
另一方面，除D/A轉(zhuǎn)換器以外的電路，例如，對(duì)鎖存電路，需要輸入來(lái)自存儲(chǔ)塊的圖像數(shù)據(jù)。而且，如圖28(B)所示，該圖像數(shù)據(jù)通過(guò)沿D 1方向配線的圖像數(shù)據(jù)供給線供給。而且，由圖26的布局所明確的那樣，在子像素驅(qū)動(dòng)單元內(nèi)的信號(hào)流動(dòng)方向是D1方向。因此，如圖28(B)所示，如果將除D/A轉(zhuǎn)換器以外的電路的N型晶體管區(qū)域、P型晶體管區(qū)域沿D1方向排列配置，就可以沿信號(hào)流動(dòng)方向高效地布局。因此，圖28(B)的晶體管區(qū)域的排列對(duì)于圖26那樣配置的子像素驅(qū)動(dòng)單元為優(yōu)選的布局。
如上所述，有關(guān)本實(shí)施例作了詳細(xì)地說(shuō)明?？梢詫?shí)施實(shí)質(zhì)上不脫離本發(fā)明的新內(nèi)容及效果的多種變形，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，想必容易理解這一點(diǎn)。因此，這類變形應(yīng)全部包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。例如，在說(shuō)明書(shū)或者附圖中，至少一次與更為廣義或者同義的不同用語(yǔ)(第一接口區(qū)域、第二接口區(qū)域等)一起記載的用語(yǔ)(輸出側(cè)I/F區(qū)域、輸入側(cè)I/F區(qū)域等)在說(shuō)明書(shū)和附圖的任何地方都可以置換為不同的用語(yǔ)。而且，集成電路裝置和電子設(shè)備的構(gòu)成、配置、動(dòng)作也不局限于本實(shí)施方式所說(shuō)明的內(nèi)容，可進(jìn)行各種變形。
符號(hào)說(shuō)明CB1～CBN第一～第N電路塊10集成電路裝置12輸出側(cè)I/F區(qū)域14輸入側(cè)I/F區(qū)域20存儲(chǔ)器 22存儲(chǔ)單元陣列24行地址譯碼器 26列地址譯碼器28讀/寫(xiě)電路40邏輯電路42控制電路 44顯示時(shí)間控制電路46主機(jī)接口電路 48RGB接口電路50數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器 52數(shù)據(jù)鎖存電路54D/A轉(zhuǎn)換電路 56輸出電路70掃描驅(qū)動(dòng)器 72移位寄存器73掃描地址生成電路 74地址譯碼器76電平轉(zhuǎn)換器 78輸出電路90電源電路 92升壓電路94調(diào)節(jié)電路 96VCOM生成電路98控制電路 110灰階電壓生成電路112選擇用電壓生成電路 114灰階電壓選擇電路116調(diào)整寄存器
權(quán)利要求
1.一種集成電路裝置，其特征在于，包括第一～第N電路塊，以從作為集成電路裝置的短邊的第一邊朝向?qū)γ娴牡谌叺姆较驗(yàn)榈谝环较?、以從作為集成電路裝置的長(zhǎng)邊的第二邊朝向?qū)γ娴牡谒倪叺姆较驗(yàn)榈诙较驎r(shí)，沿所述第一方向配置，其中，N為大于等于2的整數(shù)，所述第一～第N電路塊包括至少一個(gè)存儲(chǔ)塊，用于存儲(chǔ)圖像數(shù)據(jù)；以及至少一個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊，用于驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)線，其中，所述存儲(chǔ)塊和所述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊沿著所述第一方向鄰接配置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，其特征在于所述第一～第N電路塊包括第一～第I存儲(chǔ)塊，其中，I為大于等于2的整數(shù)；第一～第I數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊，其相對(duì)于所述各第一～第I存儲(chǔ)塊，分別沿著所述第一方向鄰接配置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路裝置，其特征在于以所述第一方向的相反方向?yàn)榈谌较驎r(shí)，在所述第一～第I存儲(chǔ)塊中的第J存儲(chǔ)塊的所述第三方向側(cè)，鄰接配置所述第一～第I數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊中的第J數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊，其中，1≤J＜I，在所述第J存儲(chǔ)塊的所述第一方向側(cè)，鄰接配置所述第一～第I存儲(chǔ)塊中的第J+1存儲(chǔ)塊，在所述第J+1存儲(chǔ)塊的所述第一方向側(cè)，鄰接配置所述第一～第I數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊中的第J+1數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成電路裝置，其特征在于在所述第J個(gè)存儲(chǔ)塊與所述第J+1存儲(chǔ)塊之間，共用列地址譯碼器。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路裝置，其特征在于以所述第一方向的相反方向?yàn)榈谌较驎r(shí)，在所述第一～第I存儲(chǔ)塊中的第J存儲(chǔ)塊的所述第三方向側(cè)，鄰接配置所述第一～第I數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊中的第J數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊，其中，1≤J＜I，在所述第J存儲(chǔ)塊的所述第一方向側(cè)，鄰接配置所述第一～第I數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊中的第J+1數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊，在所述第J+1數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊的所述第一方向側(cè)，鄰接配置所述第一～第I存儲(chǔ)塊中的第J+1存儲(chǔ)塊。
6.根據(jù)權(quán)利要求2至5中任一項(xiàng)所述的集成電路裝置，其特征在于當(dāng)從主機(jī)側(cè)存取時(shí)，只選擇對(duì)應(yīng)所述第一～第I存儲(chǔ)塊中的存取區(qū)域的存儲(chǔ)塊的字線。
7.根據(jù)權(quán)利要求2至6中任一項(xiàng)所述的集成電路裝置，其特征在于包括分別鄰接配置于所述第一～第I存儲(chǔ)塊的各個(gè)存儲(chǔ)塊的多個(gè)轉(zhuǎn)發(fā)塊，所述多個(gè)轉(zhuǎn)發(fā)塊分別包括來(lái)自各所述第一～第I存儲(chǔ)塊的讀數(shù)據(jù)信號(hào)用緩沖器，當(dāng)存儲(chǔ)選擇信號(hào)變?yōu)榧せ睢⒉⑦x擇所述第一～第I存儲(chǔ)塊中的第J存儲(chǔ)塊時(shí)，來(lái)自所述第J存儲(chǔ)塊的讀數(shù)據(jù)信號(hào)通過(guò)對(duì)應(yīng)于所述第J存儲(chǔ)塊的轉(zhuǎn)發(fā)塊的緩沖器進(jìn)行緩沖處理，并向讀數(shù)據(jù)線輸出，其中，1≤J＜I，當(dāng)所述存儲(chǔ)選擇信號(hào)變?yōu)榉羌せ睢⒉⑶宜龅贘存儲(chǔ)塊為非選擇時(shí)，對(duì)應(yīng)于所述第J存儲(chǔ)塊的轉(zhuǎn)發(fā)塊的緩沖器的輸出狀態(tài)被設(shè)定為高阻抗?fàn)顟B(tài)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的集成電路裝置，其特征在于在所述存儲(chǔ)塊中，連接于所述存儲(chǔ)塊的存儲(chǔ)單元的字線沿著所述第二方向進(jìn)行配線，在所述存儲(chǔ)塊中，相對(duì)于所述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊輸出存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)塊內(nèi)的圖像數(shù)據(jù)的位線沿著所述第一方向配線。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的集成電路裝置，其特征在于在一個(gè)水平掃描期間，從所述存儲(chǔ)塊向所述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊多次讀出存儲(chǔ)于所述存儲(chǔ)塊的圖像數(shù)據(jù)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成電路裝置，其特征在于由于在一個(gè)水平掃描期間中選擇所述存儲(chǔ)塊中的多條不同的字線，因此，在一個(gè)水平掃描期間中，多次讀出存儲(chǔ)于所述存儲(chǔ)塊的圖像數(shù)據(jù)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的集成電路裝置，其特征在于所述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊包括沿所述第一方向堆棧配置的多個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路裝置，其特征在于所述多個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器中的第一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器將在第一水平掃描期間中從所述存儲(chǔ)塊第一次讀出的圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行鎖存，并對(duì)鎖存的圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行D/A轉(zhuǎn)換轉(zhuǎn)換，并將通過(guò)D/A轉(zhuǎn)換轉(zhuǎn)換所得到的數(shù)據(jù)信號(hào)輸出到數(shù)據(jù)信號(hào)輸出線，所述多個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器中的第二數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器將在所述第一水平掃描期間中從所述存儲(chǔ)塊第二次讀出的圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行鎖存，并對(duì)鎖存的圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行D/A轉(zhuǎn)換轉(zhuǎn)換，并將通過(guò)D/A轉(zhuǎn)換轉(zhuǎn)換所得到的數(shù)據(jù)信號(hào)輸出到數(shù)據(jù)信號(hào)輸出線。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的集成電路裝置，其特征在于所述多個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器中的第一、第二數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器分別包括第一電路區(qū)域，配置有以第一電壓電平的電源進(jìn)行工作的電路；第二電路區(qū)域，配置有以比所述第一電壓電平高的第二電壓電平的電源進(jìn)行工作的電路，其中，所述第一、第二數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器以所述第一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的第一電路區(qū)域鄰接第一存儲(chǔ)塊、所述第二數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的第一電路區(qū)域鄰接第二存儲(chǔ)塊的方式配置。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一項(xiàng)所述的集成電路裝置，其特征在于如果以顯示面板的水平掃描方向的像素?cái)?shù)為HPN、以一像素的圖像數(shù)據(jù)的位數(shù)為PDB、以存儲(chǔ)塊的塊數(shù)為MBN、以在一個(gè)水平掃描期間從存儲(chǔ)塊讀出的圖像數(shù)據(jù)的讀出次數(shù)為RN，則所述存儲(chǔ)塊的讀出放大器塊包括沿著所述第二方向排列的P個(gè)讀出放大器，所述讀出放大器的個(gè)數(shù)P為P＝(HPN×PDB)/(MBN×RN)。
15.根據(jù)權(quán)利要求1至14中任一項(xiàng)所述的集成電路裝置，其特征在于在所述存儲(chǔ)塊的讀出放大器塊中，將多個(gè)讀出放大器堆棧配置在所述第一方向。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的集成電路裝置，其特征在于在堆棧配置的第一、第二讀出放大器的所述第一方向側(cè)沿著所述第一方向排列的兩行存儲(chǔ)單元列中，上側(cè)的行的存儲(chǔ)單元列的位線連接于所述第一讀出放大器，下側(cè)的行的存儲(chǔ)單元列的位線連接于所述第二讀出放大器。
17.根據(jù)權(quán)利要求1至16中任一項(xiàng)所述的集成電路裝置，其特征在于將用于將所述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊的輸出線和所述數(shù)據(jù)線進(jìn)行電連接的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器用焊盤(pán)配置在所述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊的所述第二方向側(cè)，同時(shí)，也配置在所述存儲(chǔ)塊的所述第二方向側(cè)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的集成電路裝置，其特征在于所述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊包括多個(gè)子像素驅(qū)動(dòng)單元，各子像素驅(qū)動(dòng)單元分別輸出與一個(gè)子像素的圖像數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)，用于將所述子像素驅(qū)動(dòng)單元的輸出信號(hào)的引出線的排列順序進(jìn)行替換排列的替換排列配線區(qū)域被設(shè)置在所述子像素驅(qū)動(dòng)單元的配置區(qū)域內(nèi)。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的集成電路裝置，其特征在于在第一替換排列配線區(qū)域內(nèi)，對(duì)第一組引出線的排列順序進(jìn)行替換排列，其中，第一組引出線是指屬于所述多個(gè)子像素驅(qū)動(dòng)單元中的第一組的子像素驅(qū)動(dòng)單元的輸出信號(hào)的引出線；在第二替換排列配線區(qū)域內(nèi)，對(duì)第二組引出線的排列順序進(jìn)行替換排列，其中，第二組引出線是指屬于所述多個(gè)子像素驅(qū)動(dòng)單元內(nèi)的第二組的子像素驅(qū)動(dòng)單元的輸出信號(hào)引出線。
20.根據(jù)權(quán)利要求1至19中任一項(xiàng)所述的集成電路裝置，其特征在于所述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊包括多個(gè)子像素驅(qū)動(dòng)單元，各子像素驅(qū)動(dòng)單元分別用于輸出與一個(gè)子像素的圖像數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)，用于將來(lái)自所述存儲(chǔ)塊的圖像數(shù)據(jù)供給所述子像素驅(qū)動(dòng)單元的圖像數(shù)據(jù)供給線橫跨多個(gè)所述子像素驅(qū)動(dòng)單元、并沿著所述第一方向配線。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的集成電路裝置，其特征在于所述子像素驅(qū)動(dòng)單元包括使用灰階電壓進(jìn)行圖像數(shù)據(jù)的D/A轉(zhuǎn)換轉(zhuǎn)換的D/A轉(zhuǎn)換器，用于向所述D/A轉(zhuǎn)換器提供所述灰階電壓的灰階電壓供給線橫跨多個(gè)所述子像素驅(qū)動(dòng)單元、并沿著所述第二方向配線。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的集成電路裝置，其特征在于在所述子像素驅(qū)動(dòng)單元的所述D/A轉(zhuǎn)換器的配置區(qū)域內(nèi)，沿著所述第二方向配置N型晶體管區(qū)域、P型晶體管區(qū)域，在所述子像素驅(qū)動(dòng)單元的所述D/A轉(zhuǎn)換器以外的電路配置區(qū)域內(nèi)，沿著所述第一方向配置N型晶體管區(qū)域、P型晶體管區(qū)域。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的集成電路裝置，其特征在于通過(guò)配置在所述D/A轉(zhuǎn)換器的所述配置區(qū)域的N型晶體管區(qū)域、P型晶體管區(qū)域的N型晶體管、P型晶體管構(gòu)成所述D/A轉(zhuǎn)換器的電壓選擇器的傳輸門(mén)。
24.根據(jù)權(quán)利要求1至23中任一項(xiàng)所述的集成電路裝置，其特征在于，包括第一接口區(qū)域，在所述第一～第N電路塊的所述第二方向側(cè)，沿著所述第四邊設(shè)置；第二接口區(qū)域，以所述第二方向的相反方向?yàn)榈谒姆较驎r(shí)，在所述第一～第N電路塊的所述第四方向側(cè)，沿著所述第二邊設(shè)置。
25.一種電子設(shè)備，其特征在于，包含根據(jù)權(quán)利要求1至24中任一項(xiàng)所述的集成電路裝置；以及由所述集成電路裝置驅(qū)動(dòng)的顯示面板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可實(shí)現(xiàn)縮小電路面積及提高設(shè)計(jì)效率的集成電路裝置、以及電子設(shè)備。以從作為集成電路裝置的短邊的第一邊朝向?qū)γ娴牡谌叺姆较驗(yàn)榈谝环较?D1)、以從作為集成電路裝置的長(zhǎng)邊的第二邊朝向?qū)γ娴牡谒倪叺姆较驗(yàn)榈诙较?D2)時(shí)，集成電路裝置包括沿著所述D1方向配置的第一～第N電路塊(CB1～CBN)。電路塊(CB1～CBN)包括用于存儲(chǔ)圖像數(shù)據(jù)的至少一個(gè)存儲(chǔ)塊(MB)、以及用于驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)線的至少一個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊(DB)。沿著所述D1方向鄰接配置存儲(chǔ)塊(MB)和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊(DB)。
文檔編號(hào)G11C7/16GK1892794SQ200610091108
公開(kāi)日2007年1月10日 申請(qǐng)日期2006年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月30日
發(fā)明者熊谷敬, 石山久展, 前川和廣, 伊藤悟, 藤瀨隆史, 唐澤純一, 小平覺(jué), 牧克彥, 井富登, 森口昌彥 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社