專利名稱：記憶體與其冗余修復(fù)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種記憶體，且特別是關(guān)于一種具有冗余修復(fù)的靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體(Static Random Access Memory，簡稱SRAM)。
背景技術(shù)：
隨著行動通訊裝置對于資料儲存容量需求上升，對于高容量、高集積度的靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體的需求也就越高。然而，對一個靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體(SRAM)而言，只要其中有一個元件區(qū)塊損壞，則整個記憶體便可能必須廢棄。
對于愈高集積度的記憶體元件而言，其制程良率愈不容易提升，如果可以對損壞元件進(jìn)行個別修補(bǔ)或是取代的話，就可必避免因制程的不確定性而造成良率的大幅下降，進(jìn)而減少晶片制造的成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的其中之一目的是在提供一種記憶體，利用一次寫入記憶體(one time program memory，簡稱OTP)儲存靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體(SRAM)中損壞區(qū)塊的位址與對應(yīng)的冗余單元的位址，并藉由冗余修復(fù)的技術(shù)，以大幅提升靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體(SRAM)的制程良率。
本發(fā)明的其中之一目的是在提供一種記憶體冗余修復(fù)的方法。利用一次寫入記憶體儲存靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體(SRAM)中損壞區(qū)塊的位址與對應(yīng)的冗余單元的位址，并藉由冗余修復(fù)的技術(shù)，以大幅提升靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體(SRAM)的制程良率。
為達(dá)成上述及其他目的，本發(fā)明提出一種記憶體，包括第一記憶單元與第二記憶單元，第一記憶單元具有一靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體單元與一冗余單元。第二記憶單元則耦接至第一記憶單元。其中，若靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體單元至少包括一損毀區(qū)塊時，決定冗余單元對應(yīng)于損毀區(qū)塊的冗余區(qū)塊，第二記憶單元儲存損毀區(qū)塊的位址與冗余區(qū)塊的位址。
為達(dá)成上述于其他目的，本發(fā)明提出一種記憶體冗余修復(fù)的方法，其中記憶體包括第一記憶單元與第二記憶單元，第一記憶單元包括靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體單元與冗余單元，第二記憶單元耦接至第一記憶單元，該方法包括下列步驟首先，測試靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體單元。然后，若靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體單元包括損毀區(qū)塊時，決定冗余單元對應(yīng)于損毀區(qū)塊的冗余區(qū)塊。接下來，儲存損毀區(qū)塊的位址與冗余區(qū)塊的位址。
前述的第一記憶單元在本發(fā)明一實施例中，包括一內(nèi)部讀取單元，耦接至靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體單元與冗余區(qū)塊，并根據(jù)第二記憶體所儲存的位址資料，讀取第一記憶體中所儲存的資料至一顯示單元。
前述的第一記憶體在本發(fā)明一實施例中，包括一外部讀寫單元，耦接至靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體單元與冗余區(qū)塊，并根據(jù)第二記憶體所儲存的位址資料，判斷至第一記憶體讀寫資料的位址。
前述的第二記憶單元在本發(fā)明一實施例中可為一次寫入記憶體。
本發(fā)明因采用低面積成本的一次寫入記憶體并結(jié)合冗余修復(fù)技術(shù)，在靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體(SRAM)的應(yīng)用上，可大幅提高靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體(SRAM)的制程良率。并且，結(jié)合兩種讀寫介面，分別適用于主機(jī)端資料的讀寫與顯示端資料的讀取介面，使本發(fā)明的靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體(SRAM)更適用行動通訊裝置的使用。
為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉本發(fā)明的較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下。


圖1為根據(jù)本發(fā)明一實施例的靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體的方塊圖。
圖2為根據(jù)本發(fā)明另一實施例的靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體冗余修復(fù)的方法的流程圖。
110、130記憶單元120內(nèi)建自我測試單元132內(nèi)部讀取單元134靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體單元136冗余單元138外部讀寫單元142寫入控制單元144讀取控制單元210～240流程圖步驟具體實施方式
接下來，以一靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體的實施例說明本發(fā)明的技術(shù)手段。圖1為根據(jù)本發(fā)明一實施例的靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體的方塊圖。靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體100包括記憶單元110、130以及內(nèi)建自我測試(build in self test，簡稱BIST)單元120。記憶單元110在本實施例中其記憶體類型包括一次寫入記憶體。記憶單元130尚包括靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體單元134(以下簡稱SRAM單元134)、冗余單元136、內(nèi)部讀取單元132、外部讀寫單元138。其中，冗余單元136亦包括多個靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體區(qū)塊，也就是說冗余單元136亦可作為靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體使用。外部讀取單元138則包括寫入控制單元142與讀取控制單元144。
SRAM單元134與冗余單元136分別耦接于內(nèi)部讀取單元132與外部讀取單元138之間，而記憶單元110耦接于內(nèi)部讀取單元132與外部讀寫單元138之間。內(nèi)建自我測試單元120則耦接于記憶單元110與記憶單元130之間，負(fù)責(zé)將記憶單元130中的測試結(jié)果儲存至記憶單元110中。
上述內(nèi)建自我測試單元120僅于測試階段運作，主要是在測試SRAM單元134中是否有毀損的記憶體元件或是損毀區(qū)塊，并將其位址資料儲存于記憶單元110。其中，當(dāng)SRAM單元134中有毀損的記憶體元件或是損毀區(qū)塊被檢測出來時，則依據(jù)上述檢測結(jié)果，決定冗余單元136中對應(yīng)于此損毀區(qū)塊的冗余區(qū)塊，同時將此一冗余區(qū)塊的位址資料儲存于記憶單元110之中。當(dāng)檢測完成后，內(nèi)建自我測試單元120會將SRAM單元134中所有損毀區(qū)塊的位址資料以及對應(yīng)于這些損毀區(qū)塊的冗余區(qū)塊的位址資料儲存至記憶單元110。換句話說，即記憶單元110存有SRAM單元134中損毀區(qū)塊的位址資料與冗余單元136中相對應(yīng)的位址資料。而對應(yīng)于個別損毀區(qū)塊的冗余區(qū)塊的位址在本實施例中則可由內(nèi)建自我測試單元120所運算而得。
外部讀寫單元138負(fù)責(zé)讀寫數(shù)位資料至SRAM單元134，并根據(jù)記憶單元110中的位址資料，決定數(shù)位資料的讀寫位址。外部讀寫單元138包括寫入控制單元142與讀取控制單元144，分別負(fù)責(zé)寫入與讀取的動作。以儲存資料而言，當(dāng)寫入控制單元142欲寫入數(shù)位資料至SRAM單元134時，則依據(jù)記憶單元110中所儲存的位址資料，決定數(shù)位資料所儲存的位址。并以冗余單元136中的冗余區(qū)塊取代SRAM單元134中的損毀區(qū)塊，以完成數(shù)位資料的儲存動作。因此，即使SRAM單元134具有毀損的記憶元件或是損毀區(qū)塊時，只要配合冗余單元136，SRAM單元134仍然可以正常運作與儲存資料。而冗余單元136則用以取代SRAM單元134中的損毀區(qū)塊，其對應(yīng)的位址資料則儲存于記憶單元110中，以使SRAM單元134可以正常運作。
在讀取方面，讀取控制單元144根據(jù)記憶單元110中所儲存的位址資料，至SRAM單元134與冗余單元136中讀取所需的資料。而內(nèi)部讀取單元132同樣負(fù)責(zé)資料讀取的動作，主要是由SRAM單元134與冗余單元136中讀取資料至顯示單元(例如液晶面板的驅(qū)動電路)。內(nèi)部讀取單元132同樣根據(jù)記憶單元110中所儲存的位址資料，至SRAM單元134與冗余單元136中讀取所需的資料。
圖2為根據(jù)本發(fā)明另一實施例的態(tài)隨機(jī)存取記憶體冗余修復(fù)的方法的流程圖。以下說明請同時參照圖1，此靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體100包括記憶單元110、130，記憶單元130包括靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體單元134與冗余單元136，靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體單元134則簡稱為SRAM記憶單元134，而記憶單元110耦接至記憶單元130，此方法包括下列步驟首先，在步驟210中，內(nèi)建自我測試單元120測試SRAM單元134，并找出其損毀區(qū)塊所在位址。在步驟220中，依照SRAM單元134中損毀區(qū)塊的位址，決定冗余單元136相對應(yīng)的于損毀區(qū)塊的冗余區(qū)塊，以取代此損毀區(qū)塊的功用。接著，在步驟230中，將損毀區(qū)塊與對應(yīng)的冗余區(qū)塊的位址儲存于記憶單元110中，記憶單元110在本實施例中可為一次寫入記憶體。然后，在步驟240中，記憶單元130中的外部讀寫單元138與內(nèi)部讀取單元132，根據(jù)記憶單元110中所儲存的位址資料，至SRAM單元134與冗余單元136中進(jìn)行資料的讀寫動作。本方法的其余細(xì)節(jié)皆以詳述于前述圖1實施例的說明中，在本技術(shù)領(lǐng)域具有通常知識者，經(jīng)由本發(fā)明的揭露應(yīng)可輕易推知，在此不加累述。
本發(fā)明因采用冗余修復(fù)技術(shù)于靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體中，并采用低面積成本的一次寫入記憶體來儲存相關(guān)的位址資料，以大幅增加靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體的制程良率。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種記憶體，其特征在于其包括一第一記憶單元，具有一靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體單元與一冗余單元；以及一第二記憶單元，耦接至該第一記憶單元；其中，若該靜態(tài)隨機(jī)存取記憶單元至少包括一損毀區(qū)塊時，決定該冗余單元對應(yīng)于該損毀區(qū)塊的一冗余區(qū)塊，該第二記憶單元儲存該損毀區(qū)塊的位址與該冗余區(qū)塊的位址。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶體，其特征在于其中該第一記憶單元包括一內(nèi)部讀取單元，耦接至該靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體單元與該冗余單元，并根據(jù)該第二記憶單元所儲存的位址資料，讀取該第一記憶單元中所儲存的資料至一顯示單元。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶體，其特征在于其中該第一記憶單元包括一外部讀寫單元，耦接至該靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體單元與該冗余單元，并根據(jù)該第二記憶單元所儲存的位址資料，判斷至該第一記憶單元讀寫資料的位址。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶體，其特征在于其中該第二記憶單元包括一次寫入記憶體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶體，其特征在于其更包括一內(nèi)建自我測試單元，用以測試該靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體單元中的該損毀區(qū)塊的位址。
6.一種記憶體冗余修復(fù)的方法，其特征在于該記憶體包括一第一記憶單元與一第二記憶單元，該第一記憶單元包括一靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體單元與一冗余單元，該第二記憶單元耦接至該第一記憶單元，該方法包括下列步驟測試該靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體單元；若該靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體單元至少包括一損毀區(qū)塊時，決定該冗余單元對應(yīng)于該損毀區(qū)塊的一冗余區(qū)塊；以及儲存該損毀區(qū)塊的位址與該冗余區(qū)塊的位址。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的記憶體冗余修復(fù)的方法，其特征在于其中在測試步驟中，包括以一內(nèi)建自我測試單元來測試該靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體單元。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的記憶體冗余修復(fù)的方法，其特征在于其中在儲存該損毀區(qū)塊的位址與該冗余區(qū)塊的位址的步驟中，使用該第二記憶單元儲存該損毀區(qū)塊的位址與該冗余區(qū)塊的位址。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的記憶體冗余修復(fù)的方法，其特征在于其中該第二記憶單元包括一次寫入記憶體。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的記憶體冗余修復(fù)的方法，其特征在于其中該第一記憶單元包括一內(nèi)部讀取單元，耦接至該靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體單元與該冗余單元，并根據(jù)該第二記憶單元所儲存的位址資料，讀取該第一記憶單元中所儲存的資料至一顯示單元。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的記憶體冗余修復(fù)的方法，其特征在于其中該第一記憶單元包括一外部讀寫單元，耦接至該該靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體單元與該冗余單元，并根據(jù)該第二記憶單元所儲存的位址資料，判斷至該第一記憶單元讀寫資料的位址。
全文摘要
一種記憶體與其冗余修復(fù)方法，此記憶體包括第一記憶單元與第二記憶單元。第一記憶單元具有一靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體單元與一冗余單元，第二記憶單元則耦接至第一記憶單元。其中，若靜態(tài)隨機(jī)存取記憶單元包括損毀區(qū)塊時，決定冗余單元對應(yīng)于損毀區(qū)塊的冗余區(qū)塊，第二記憶單元儲存損毀區(qū)塊的位址與冗余區(qū)塊的位址。
文檔編號G11C29/44GK101090000SQ20061008719
公開日2007年12月19日 申請日期2006年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月15日
發(fā)明者邱明正, 張偉宏, 張耀光 申請人:奇景光電股份有限公司