專利名稱：多重字符信息的譯碼方法與裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種多重字符信息的譯碼方法與裝置，其應(yīng)用于一光驅(qū)裝置。
背景技術(shù)：
如圖1所示，一錯(cuò)誤修正碼(ECC)叢集10包括152個(gè)長(zhǎng)距離碼(LDC)數(shù)據(jù)行、一SYNC(同步)數(shù)據(jù)行11及三個(gè)叢發(fā)指針子碼(BIS)數(shù)據(jù)行12，其中由該SYNC數(shù)據(jù)行11及三個(gè)BIS數(shù)據(jù)行12將該LDC數(shù)據(jù)行分離成4個(gè)LDC區(qū)塊13。該原始LDC數(shù)據(jù)是不連續(xù)的且被交錯(cuò)至不同LDC區(qū)塊13內(nèi)。某些ECC編碼或譯碼技術(shù)描述于美國(guó)專利US 6,378,100、US 6,367,049、US6,604,217及US 2003/020871中，其中US 6,378,100揭示了一種多重字符信息編碼方法，US 6,367,049揭示一種利用交錯(cuò)技術(shù)的編碼方法，US 6,604,217揭示了一種將同步(SYNC)碼、BIS碼或其動(dòng)態(tài)或靜態(tài)組合作為擦寫(erasure)的譯碼方法，且US 2003/0208714(US 6,604,217的延續(xù)案)進(jìn)一步揭示了一種將SYNC碼作為擦寫指針的方法。另外，Narahara等人揭示了一種使用LDC及BIS碼的錯(cuò)誤修正方法，其出版于Jpn.J.Appl.Phys第39卷(2000)，第912-919頁(yè)。
然而，上文所提及的專利及文章僅提出一種用于譯碼ECC數(shù)據(jù)的方法的概念，亦即，其未明確地揭示實(shí)際的實(shí)施方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種可有效譯碼多重字符信息(如ECC數(shù)據(jù))的方法及實(shí)施裝置?，F(xiàn)今，本發(fā)明的方法及裝置可應(yīng)用于所謂的藍(lán)光盤片(Blu-raydisk)譯碼。
與LDC碼相比，BIS碼具有較高的保護(hù)性，使得在BIS碼中更容易檢測(cè)到錯(cuò)誤。若在一列ECC叢集中的兩相近BIS碼內(nèi)檢測(cè)出錯(cuò)誤，則表示錯(cuò)誤可發(fā)生于該列及該兩個(gè)BIS碼之間的LDC數(shù)據(jù)中。因此，該LDC數(shù)據(jù)的一擦寫位可標(biāo)記為一擦寫指針，進(jìn)而增加LDC譯碼或修正效率。此外，亦可采用包括于ECC叢集中的SYNC碼及將其與BIS碼組合以產(chǎn)生LDC擦寫位。若檢測(cè)到一同步擦寫指針及其相近BIS擦寫指針，則安置于其間的LDC數(shù)據(jù)可能具有一個(gè)或多個(gè)錯(cuò)誤。
該BIS擦寫指針或LDC擦寫位可儲(chǔ)存于一存儲(chǔ)器中，例如一動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)。然而，該LDC數(shù)據(jù)交錯(cuò)在該ECC叢集內(nèi)，亦即該原始LDC數(shù)據(jù)是不連續(xù)的且安置于多個(gè)LDC區(qū)塊內(nèi)，所以必須個(gè)別地自DRAM擷取每一LDC數(shù)據(jù)的位置。因此，若所有擦寫指針皆儲(chǔ)存于該DRAM內(nèi)，則該DRAM的頻寬必須增加，而將降低譯碼效率。
為增加ECC譯碼效率，本發(fā)明揭示一種多重字符信息的譯碼方法，其包含(a)至(e)的步驟。在步驟(a)中，提供一包含高保護(hù)性碼字符(BIS)及低保護(hù)性碼字符(LDC)的多重字符信息叢集(ECC)。在步驟(b)中，將高保護(hù)性及低保護(hù)性碼字符儲(chǔ)存于一第一存儲(chǔ)器(如DRAM)中。在步驟(c)中，將高保護(hù)性碼字符譯碼以產(chǎn)生顯示是否出現(xiàn)譯碼錯(cuò)誤的高保護(hù)性字符擦寫指針。在步驟(d)中，將高保護(hù)性字符擦寫指針儲(chǔ)存至一第二存儲(chǔ)器(如SRAM)。在步驟(e)中，譯碼該低保護(hù)性碼字符。同時(shí)，通過(guò)找出接近該多重字符信息叢集中的低保護(hù)性碼字符的高保護(hù)性碼字符及查尋接近該低保護(hù)性碼字符的高保護(hù)性碼字符的高保護(hù)性字符擦寫指針來(lái)標(biāo)記一低保護(hù)性碼字符的一擦寫位。
上述方法可通過(guò)一包含一第一存儲(chǔ)器、一譯碼器、一映像電路、一第二存儲(chǔ)器及一擦寫產(chǎn)生器的裝置加以實(shí)施。該第一存儲(chǔ)器用于儲(chǔ)存一多重字符信息叢集的高保護(hù)性碼字符及低保護(hù)性碼字符。該譯碼器耦合至該第一存儲(chǔ)器用以譯碼高保護(hù)性碼字符以便產(chǎn)生高保護(hù)性字符擦寫指針。該映像電路耦合至該譯碼器且用于指出對(duì)應(yīng)于一列多重字符信息叢集中的高保護(hù)性字符擦寫指針的高保護(hù)性碼字符的位置，以便為高保護(hù)性字符擦寫指針提供位置信息(localities)。該第二存儲(chǔ)器耦合至該映像電路以儲(chǔ)存具有位置信息的高保護(hù)性字符擦寫指針。該擦寫產(chǎn)生器耦合至該第二存儲(chǔ)器以通過(guò)查尋該第二存儲(chǔ)器中的高保護(hù)性字符擦寫指針來(lái)產(chǎn)生一低保護(hù)性碼字符的擦寫位，其中對(duì)應(yīng)于高保護(hù)性字符擦寫指針的高保護(hù)性碼字符為接近于一列多重字符信息叢集中的低保護(hù)性碼字符。


圖1顯示一公知ECC叢集；圖2a至圖2c例示本發(fā)明的ECC叢集的譯碼裝置；
圖3顯示一ECC叢集以說(shuō)明本發(fā)明的譯碼方法；圖4顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的儲(chǔ)存于一初始化SRAM中的SYNC擦寫指針及BIS擦寫指針；圖5a及圖5b顯示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的儲(chǔ)存于一SRAM中的SYNC擦寫指針及BIS擦寫指針；圖5c顯示LDC與SYNC/BIS碼的對(duì)應(yīng)關(guān)系；圖5d顯示解交錯(cuò)后該第一及第二區(qū)段的LDC數(shù)據(jù)；圖6a顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的用于建立擦寫位的詳細(xì)電路結(jié)構(gòu)；圖6b至圖6d顯示包含地址字段信息及使用者控制數(shù)據(jù)的BIS數(shù)據(jù)；及圖7及圖8顯示根據(jù)本發(fā)明的用于譯碼ECC叢集的其它裝置。
符號(hào)說(shuō)明10 錯(cuò)誤修正碼(ECC)叢集11 同步(SYNC)數(shù)據(jù)行12 叢發(fā)指針子碼(BIS)數(shù)據(jù)行13 LDC區(qū)塊20 裝置21 DRAM 22 LDC/BIS譯碼器23 SRAM 24 解調(diào)變器25 同步錯(cuò)誤電路 26 解交錯(cuò)電路26′解交錯(cuò)電路 26″部分解交錯(cuò)電路26部分解交錯(cuò)電路27 映像電路 28 BIS至LDC擦寫產(chǎn)生器30 ECC叢集31 SYNC行
32 BIS數(shù)據(jù)行 33 LDC區(qū)塊50 裝置51 AF/UC映像電路52 AF譯碼器60 裝置61 DRAM62 LDC/BIS譯碼器64 解調(diào)變器65 同步錯(cuò)誤電路66 解交錯(cuò)電路 81 組合邏輯82 表 83 控制單元84 第一多任務(wù)器85 第二多任務(wù)器86 當(dāng)前擦寫標(biāo)記緩存器87 下一擦寫標(biāo)記緩存器88 先前標(biāo)記緩存器具體實(shí)施方式
圖2a是本發(fā)明的多重字符信息的譯碼裝置20示意圖。該裝置20包括一第一存儲(chǔ)器(如DRAM 21)、一LDC/BIS譯碼器22、一第二存儲(chǔ)器(如SRAM 23)、一解調(diào)變器24、一同步錯(cuò)誤電路25、一解交錯(cuò)電路26、一映像電路27、一BIS至LDC擦寫產(chǎn)生器28。
如圖3所示，一ECC叢集30包括一SYNC碼行31、三個(gè)BIS資料行32及四個(gè)LDC區(qū)塊33，其中每一區(qū)塊33具有38個(gè)LDC數(shù)據(jù)行。此外該ECC叢集30包括496個(gè)列。BIS數(shù)據(jù)行32(自左及右)分別由BIS1、BIS2及BIS3表示。
再參考圖2a，該ECC叢集30內(nèi)的LDC及BIS數(shù)據(jù)由解調(diào)變器24解調(diào)變至8位，且接著將LDC及BIS數(shù)據(jù)儲(chǔ)存在一建置于該解交錯(cuò)電路26內(nèi)的一內(nèi)部存儲(chǔ)器(如SRAM)中以進(jìn)行解交錯(cuò)。該LDC及BIS數(shù)據(jù)分別解交錯(cuò)成304個(gè)具有248個(gè)位組長(zhǎng)度的LDC碼及24個(gè)具有62個(gè)字節(jié)的長(zhǎng)度的BIS碼，且將該ECC叢集30的SYNC碼傳送至該同步錯(cuò)誤電路25，用以進(jìn)行SYNC錯(cuò)誤檢測(cè)以產(chǎn)生SYNC擦寫指針。當(dāng)檢測(cè)到包括于該多重字符信息叢集的同步碼的錯(cuò)誤時(shí)，同步擦寫指針接著產(chǎn)生且儲(chǔ)存于該第一存儲(chǔ)器中。當(dāng)?shù)捅Ｗo(hù)性碼字符(codewords)被譯碼，如同BIS擦寫指針，同步擦寫指針充當(dāng)高保護(hù)性字符擦寫指針(word erasure indicators)用于產(chǎn)生擦寫位。
若檢測(cè)到SYNC錯(cuò)誤，SYNC擦寫指針將為“1”，否則為“0”。對(duì)于SYNC錯(cuò)誤的判定，若在SYNC位置上接收的解調(diào)變前數(shù)據(jù)不同于SYNC模式，例如藍(lán)光的SYNC0模式＝01 010 000 000 010 000 000 010，或在兩個(gè)相近SYNC行31之間的數(shù)據(jù)數(shù)量不正確，或發(fā)現(xiàn)任何不連續(xù)的SYNC碼，或讀出信道(readchannel)顯示相近于SYNC碼的數(shù)據(jù)不可靠，其均可被認(rèn)為是一SYNC錯(cuò)誤。之后，該SYNC擦寫指針及經(jīng)解交錯(cuò)的LDC及BIS數(shù)據(jù)被儲(chǔ)存于該DRAM 21中?；蛘撸鐖D2b所示，亦可將一解交錯(cuò)電路26′置于DRAM 21與SRAM 23/譯碼器22之間，如此該LDC及BIS數(shù)據(jù)是先儲(chǔ)存于DRAM 21中，譯碼時(shí)才解交錯(cuò)。另一替代方法為在DRAM 21儲(chǔ)存一部分解交錯(cuò)的LDC及BIS數(shù)據(jù)，且LDC及BIS數(shù)據(jù)的其余部分在自DRAM讀取的同時(shí)被解交錯(cuò)，如圖2c所示，采用一個(gè)部分解交錯(cuò)電路26″及另一個(gè)部分解交錯(cuò)電路26。
將儲(chǔ)存于DRAM 21中的BIS數(shù)據(jù)傳送至LDC/BIS譯碼器22以進(jìn)行譯碼，藉此產(chǎn)生BIS擦寫指針。舉例而言，若在譯碼期間檢測(cè)到錯(cuò)誤，則BIS擦寫指針為“1”，否則為“0”。然后BIS擦寫指針經(jīng)過(guò)映像電路27來(lái)擺在適當(dāng)位置，指出ECC叢集30中與BIS擦寫指針對(duì)應(yīng)的BIS數(shù)據(jù)以建立該ECC叢集30中的BIS擦寫指針與LDC數(shù)據(jù)之間的位置關(guān)系。
該映像電路27的可能映像函數(shù)顯示如下(N，C)(u×31+r，e)其中(N，C)為BIS區(qū)塊中的位置；N表示在一BIS碼(0～61)中的位置；C表示BIS碼序號(hào)(0～23)；且其中(u，r，e)為BIS叢集中的位置；u表示該單元序號(hào)u＝mod({div(N，2)+8-div(C，3)}，8)+8×mod(N，2)；r表示該列序號(hào)；r＝div(N，2)；e表示欄序號(hào)e＝mod({C+div(N，2)}，3)。
之后，儲(chǔ)存BIS擦寫指針于該SRAM 23中。此外，可傳送SYNC擦寫指針且將其儲(chǔ)存于該SRAM 23中。因此，每一列ECC叢集30中有四個(gè)可能的擦寫指針，所以采用四個(gè)位來(lái)儲(chǔ)存該可能的該SYNC擦寫指針及三個(gè)BIS擦寫指針。因此一字節(jié)可儲(chǔ)存一ECC叢集中的兩列擦寫指針，且每一ECC叢集需要248個(gè)字節(jié)(496×4/8＝248)。
在開(kāi)始譯碼一ECC叢集時(shí)，必須初始化SRAM 23以覆寫其中的先前數(shù)據(jù)，亦即讀取儲(chǔ)存于DRAM 21中的SYNC擦寫指針覆寫SRAM 23中所述的字段的SYNC擦寫指針，且將BIS擦寫指針全部重設(shè)為初始值-零。圖4顯示一初始化的SRAM23中的字節(jié)，其中DRAM 21中的地址0及地址4的SYNC擦寫指針?lè)謩e為SYNC擦寫指針S0及S1。S0為該第一列的同步擦寫指針，而S1為該第二列的同步擦寫指針，且BIS擦寫指針被重設(shè)為“0”。
圖5a顯示儲(chǔ)存于SRAM 23中的擦寫指針的實(shí)例，其中第二列的SYNC及BIS2字段及第一列的BIS1及BIS3字段顯示錯(cuò)誤。所述的情形意指錯(cuò)誤可發(fā)生在接近或介于該ECC叢集的相同列內(nèi)顯示錯(cuò)誤的SYNC或BIS數(shù)據(jù)的LDC數(shù)據(jù)內(nèi)。
如圖4所示，圖2a中SRAM 23的1字節(jié)包含第一及第二列的SYNC及BIS擦寫指針?；蛘?，該SRAM 23的1字節(jié)亦可包含行方向的擦寫指針，即該擦寫指針可沿行而非列儲(chǔ)存。如圖5b所示，將列“n”的SYNC、BIS1擦寫指針、BIS2擦寫指針及BIS3擦寫指針?lè)謩e儲(chǔ)存于一SRAM的字節(jié)k、字節(jié)k+1、字節(jié)k+2及字節(jié)k+3的位“0”內(nèi)，而將列“n+1”的SYNC、BIS1擦寫指針、BIS2擦寫指針及BIS3擦寫指針?lè)謩e儲(chǔ)存于一SRAM的字節(jié)k、字節(jié)k+1、字節(jié)k+2及字節(jié)k+3的位“1”內(nèi)。所述的擦寫指針亦可由對(duì)SRAM 23的寫及/或讀效率有益的任一其它映像格式儲(chǔ)存。舉例而言，通過(guò)用于LDC的譯碼順序或通過(guò)BIS或SYNC錯(cuò)誤的位置或通過(guò)格式αloci可儲(chǔ)存所述的擦寫指針，其中α為質(zhì)多項(xiàng)式(primitive polynomial)的根，且loci為序號(hào)i，在LDC碼字符中的第i字符的擦寫位不為零。
當(dāng)譯碼一LDC數(shù)據(jù)時(shí)，BIS至LDC擦寫產(chǎn)生器28自SRAM 23擷取ECC叢集中的LDC數(shù)據(jù)附近的BIS數(shù)據(jù)的BIS擦寫指針或擷取ECC叢集中的LDC數(shù)據(jù)附近的SYNC碼的SYNC擦寫指針。因此，基于該SYNC或BIS擦寫指針可產(chǎn)生一LDC擦寫位，亦即通過(guò)將該LDC數(shù)據(jù)位置映像回該ECC叢集，及查尋儲(chǔ)存于該SRAM 23中的SYNC及BIS擦寫指針可產(chǎn)生該LDC擦寫位。
在LDC譯碼期間，可應(yīng)用一遞增LDC擦寫存取方法。對(duì)兩個(gè)相近的LDC碼字符而言，歸因于交錯(cuò)特性大多數(shù)擦寫位是指向相同的SYNC及BIS擦寫指針，僅部分擦寫位需查尋儲(chǔ)存于SRAM 23中的不同的SYNC及BIS擦寫指針。如圖5c圓圈部分所示，因?yàn)榻诲e(cuò)的順序，除了交錯(cuò)使得兩碼字符i及i+2被一SYNC/BIS分離時(shí)外，大多數(shù)碼字符i及i+2的擦寫讀取相同的SYNC/BIS。因此，當(dāng)讀取碼字符i+2的擦寫時(shí)，僅需要更新跨過(guò)SYNC/BIS的擦寫的部分。
如表1所顯示，有四種可能的策略可標(biāo)記一LDC擦寫位。應(yīng)注意“x”表示不需注意，其可為“1”或“0”。
策略0若在LDC數(shù)據(jù)兩側(cè)的BIS數(shù)據(jù)的BIS擦寫指針為“1”，則產(chǎn)生一LDC擦寫位以表示該LDC數(shù)據(jù)區(qū)域可有一或多個(gè)錯(cuò)誤。
策略1若自左側(cè)的第二BIS數(shù)據(jù)及右面鄰近LDC數(shù)據(jù)的BIS數(shù)據(jù)的BIS擦寫指針為“1”，或左邊鄰近LDC數(shù)據(jù)的BIS數(shù)據(jù)及自右側(cè)的第二BIS數(shù)據(jù)的BIS擦寫指針為“1”，則產(chǎn)生一LDC擦寫。(左側(cè)表示使用LDC數(shù)據(jù)前，而右側(cè)表示使用LDC數(shù)據(jù)后，由LDC數(shù)據(jù)前、后的兩BIS/SYNC來(lái)產(chǎn)生不同策略)策略2若鄰近LDC數(shù)據(jù)的前兩個(gè)BIS數(shù)據(jù)或后兩個(gè)BIS數(shù)據(jù)的BIS擦寫指針為“1”，則產(chǎn)生一LDC擦寫。
策略3若在鄰近LDC數(shù)據(jù)的任一側(cè)的BIS碼的BIS擦寫指針為“1”，則產(chǎn)生一LDC擦寫。
實(shí)務(wù)上，一SYNC擦寫指針可搭配BIS擦寫指針，且功能與BIS擦寫指針相同，用于產(chǎn)生一LDC擦寫位。使用前述策略通過(guò)查尋SRAM 23中所儲(chǔ)存的SYNC及BIS擦寫指針來(lái)產(chǎn)生該LDC擦寫位?；蛘?，在BIS譯碼后，該擦寫指針可先完成策略選擇及計(jì)算，再儲(chǔ)存于SRAM 23中。然后通過(guò)自SRAM 23查尋策略選擇結(jié)果以產(chǎn)生該LDC擦寫位。
表1


上述策略可自動(dòng)切換。舉例而言，首先采用寬松策略3，接著采用嚴(yán)格策略2。若策略3所產(chǎn)生的擦寫位的數(shù)目超過(guò)臨界數(shù)目(例如32)，則表示存在許多的LDC錯(cuò)誤，使得其后的譯碼作用無(wú)法執(zhí)行。該擦寫位的設(shè)置可被自動(dòng)切換成另一策略直到該擦寫位的數(shù)目小于一臨界數(shù)目。若在該ECC叢中發(fā)生任一譯碼錯(cuò)誤，需重新從盤片讀取數(shù)據(jù)時(shí)，只有當(dāng)彼等數(shù)據(jù)無(wú)法通過(guò)錯(cuò)誤檢測(cè)碼(EDC)檢查的部分，需要重新覆寫DRAM 21內(nèi)經(jīng)解調(diào)變后的數(shù)據(jù)。其中圖5c的LDC數(shù)據(jù)在解交錯(cuò)后按次序排列，且在此以第一及第二區(qū)段舉例說(shuō)明。如圖5d所示，若該第一區(qū)段通過(guò)EDC檢查，但該第二區(qū)段未通過(guò)，則當(dāng)重新從盤片讀取數(shù)據(jù)至DRAM時(shí)，僅須覆寫該第二區(qū)段。譯碼時(shí)，LDC碼字符0-8因?yàn)橥ㄟ^(guò)EDC檢查而不需譯碼。對(duì)于譯碼碼字符9而言，因?yàn)樵撋喜繉儆趨^(qū)段“0”，且該下部屬于區(qū)段“1”，屬于區(qū)段“0”的部分的擦寫位在被讀取時(shí)必須設(shè)為“0”，并且保護(hù)區(qū)段“0”的部分于譯碼時(shí)不被改變。因此，對(duì)于重新從盤片讀取ECC叢集譯碼產(chǎn)生該LDC擦寫位時(shí)會(huì)使用之前錯(cuò)誤檢測(cè)碼的結(jié)果。
之后，將該LDC擦寫位傳輸至LDC/BIS譯碼器22以修正相關(guān)LDC數(shù)據(jù)，且將修正的LDC數(shù)據(jù)發(fā)送回DRAM 21。
圖6a顯示用于建立上述表1的擦寫位的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。SRAM 23的內(nèi)容的一可能格式顯示為表82，其含有248個(gè)字節(jié)，且每一字節(jié)儲(chǔ)存屬于ECC叢集中的兩列的SYNC及BIS數(shù)據(jù)。以一個(gè)擦寫接著一個(gè)擦寫的方式將表82的內(nèi)容轉(zhuǎn)發(fā)至下一擦寫標(biāo)記緩存器87，且進(jìn)一步轉(zhuǎn)發(fā)至一當(dāng)前擦寫標(biāo)記緩存器86及一先前標(biāo)記緩存器88。將該下一擦寫標(biāo)記緩存器87、該當(dāng)前擦寫標(biāo)記緩存器86及該先前標(biāo)記緩存器88的輸出傳送至一組合邏輯81以設(shè)置上面三種策略的擦寫位。一第一多任務(wù)器84(mux)連接至該組合邏輯81的三個(gè)輸出端SX、SLR及SLLRR，且根據(jù)建立擦寫位策略的一控制訊號(hào)“strategy_sel_reg”來(lái)選擇其中一輸出端。一第二多任務(wù)器85連接至該第一多任務(wù)器84及一控制單元83以選擇該LDC區(qū)域的擦寫。
顯示于圖6b、圖6c及圖6d的BIS數(shù)據(jù)中包含地址字段(Address Field；AF)信息及使用者控制(User Control；UC)數(shù)據(jù)，其中AF包含地址及其配核碼(parity codes)。因?yàn)榈刂肥沁B續(xù)的，根據(jù)已知地址可向前或向后推導(dǎo)所有地址。因此，BIS的AF數(shù)據(jù)位置可與一預(yù)期AF數(shù)據(jù)的位置相比較。若該AF位置不同于預(yù)期的AF位置，則其被認(rèn)為是一擦寫指針。另外，AF數(shù)據(jù)有編碼保護(hù)，因此AF的譯碼結(jié)果可做為擦寫指針。若該UC數(shù)據(jù)未被指定應(yīng)用時(shí)，則UC數(shù)據(jù)的字節(jié)可設(shè)置為00h。將BIS的UC數(shù)據(jù)部分與0相比較，若不同，則該位置可被認(rèn)為是擦寫指針。因?yàn)锳F及UC是已知的，所以BIS區(qū)塊的配核碼可由計(jì)算得出?？杀容^經(jīng)計(jì)算后的配核碼與BIS接收配核碼的數(shù)據(jù)以產(chǎn)生擦寫指針。另外，通過(guò)比較在BIS ECC譯碼器之前的AF或UC預(yù)期數(shù)據(jù)，亦可做為BIS譯碼時(shí)的擦寫指針以增強(qiáng)該BIS譯碼錯(cuò)誤修正，而B(niǎo)IS譯碼能力提升可進(jìn)而提供更多的LDC擦寫指針以改良LDC數(shù)據(jù)錯(cuò)誤修正。
參考圖7，由BIS碼所保護(hù)用于判定在一盤片中的位置的地址字段(AF)信息及使用者控制信息(UC)以產(chǎn)生LDC擦寫指針。與圖2a的裝置20相較，一裝置50包含進(jìn)一步增加的AF譯碼器52及AF/UC映像電路51。該使用者控制數(shù)據(jù)(UC)信息未被應(yīng)用指定時(shí)通常等于零。因此，若相近叢集之間的地址序號(hào)不正確，或使用者控制數(shù)據(jù)不等于零，或該錯(cuò)誤在AF譯碼期間被檢測(cè)出，則可將它們認(rèn)為是AF/UC譯碼錯(cuò)誤。所產(chǎn)生的AF/UC擦寫指針被儲(chǔ)存于SRAM 23中或DRAM 21中以產(chǎn)生LDC擦寫位。所述的產(chǎn)生的AF/UC擦寫指針亦可與BIS/SYNC擦寫指針整合以進(jìn)行LDC譯碼。
或者，亦可采用不具SRAM的裝置。參考圖8，一種用于譯碼多重字符信息的裝置60包括一DRAM61、一解調(diào)變器64、一同步錯(cuò)誤電路65、一解交錯(cuò)電路66及一LDC/BIS譯碼器62。該解調(diào)變器64、該同步錯(cuò)誤電路65及該解交錯(cuò)電路66的操作與圖2a所示者相同，但用于LDC譯碼的BIS擦寫指針是被儲(chǔ)存于DRAM 61而非SRAM 23中。因?yàn)長(zhǎng)DC數(shù)據(jù)在一ECC叢集中交錯(cuò)，亦即LDC數(shù)據(jù)不連續(xù)且安置于多個(gè)LDC區(qū)塊中，所以必須個(gè)別地自DRAM 61中擷取每一LDC數(shù)據(jù)的位置。因此，若所有擦寫指針儲(chǔ)存進(jìn)DRAM 61，則該DRAM的頻寬必須增加，如此一來(lái)其譯碼效率與圖2a中的裝置20相比會(huì)減少。但其優(yōu)點(diǎn)為可省略SRAM、相關(guān)映像電路及擦寫產(chǎn)生器，如此便可簡(jiǎn)化電路。
為減少對(duì)譯碼效率的影響，可以遞增方式存取擦寫指針區(qū)域(如圖5c所示)以減少對(duì)DRAM頻寬的影響。或應(yīng)用另一不具精確BIS位置映像的擦寫指針存取方法來(lái)減少DRAM存取。換言之，所述的被讀出的擦寫指針可用于多個(gè)碼字符(codeword)而只有部分位于不同區(qū)域的擦寫指針精確性受到影響，如圖5c，若此二個(gè)LDC碼字符皆用相同的擦寫指針，則跨過(guò)不同區(qū)域的擦寫指針(如圖上圓圈部分)精確性會(huì)受到影響。因?yàn)榇嬖谝唤?jīng)簡(jiǎn)化的BIS位置映像操作，所以擦寫指針對(duì)映LDC數(shù)據(jù)的位置部分不精確。該經(jīng)簡(jiǎn)化的BIS位置映像操作亦可用于圖2a中SRAM 23的存取。此外，在BIS譯碼后，該擦寫指針可完成策略選擇及計(jì)算，且其后被儲(chǔ)存于DRAM中。
對(duì)于LDC譯碼而言，由諸如BIS、SYNC、AF、UC的不同方法所產(chǎn)生的擦寫指針可適當(dāng)搭配作為L(zhǎng)DC的擦寫。對(duì)于BIS譯碼而言，由AF、UC或SYNC所產(chǎn)生的擦寫指針皆可為BIS的擦寫信息；亦即使用地址字段信息，通過(guò)地址字段信息的地址比較或譯碼錯(cuò)誤等信息以判定BIS的擦寫指針。相似地，亦可通過(guò)使用者控制數(shù)據(jù)信息判定BIS的擦寫指針。此外，來(lái)自讀取信道的SYNC及數(shù)據(jù)質(zhì)量信息可為BIS譯碼的擦寫指針的提示。
本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特點(diǎn)已揭示如上，然而熟悉本項(xiàng)技術(shù)的人士仍可能基于本發(fā)明的教示及揭示而作種種不背離本發(fā)明精神的替換及修飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)不限于實(shí)施例所揭示，而應(yīng)包括各種不背離本發(fā)明的替換及修飾，并為以下的權(quán)利要求所涵蓋。
權(quán)利要求
1.一種多重字符信息的譯碼方法，包含以下步驟提供一包括高保護(hù)性碼字符及低保護(hù)性碼字符的多重字符信息叢集；將該低保護(hù)性碼字符儲(chǔ)存于一第一存儲(chǔ)器；將該高保護(hù)性碼字符譯碼以產(chǎn)生是否出現(xiàn)譯碼錯(cuò)誤的高保護(hù)性字符擦寫指針；將該高保護(hù)性字符擦寫指針儲(chǔ)存于一第二存儲(chǔ)器；通過(guò)一自該第二存儲(chǔ)器讀取的擦寫指針以譯碼自該第一存儲(chǔ)器讀取的該低保護(hù)性碼字符；及基于接近該多重字符信息叢集中的任一低保護(hù)性碼字符的該高保護(hù)性碼字符擦寫指針來(lái)標(biāo)記一用于該低保護(hù)性碼字符譯碼的抹除位。
2.如權(quán)利要求1所述的多重字符信息的譯碼方法，其中該多重字符信息叢集為一錯(cuò)誤修正碼叢集，且該高及低保護(hù)性碼字符分別為叢發(fā)指針子碼及長(zhǎng)距離碼。
3.如權(quán)利要求1所述的多重字符信息的譯碼方法，還包含以下步驟檢測(cè)包括于該多重字符信息叢集中的同步碼的錯(cuò)誤以產(chǎn)生同步擦寫指針；及將該同步擦寫指針儲(chǔ)存于該第一存儲(chǔ)器；其中在譯碼該低保護(hù)性碼字符時(shí)，該同步擦寫指針作為該高保護(hù)性字符擦寫指針用以產(chǎn)生該擦寫位。
4.如權(quán)利要求2所述的多重字符信息的譯碼方法，其中該叢發(fā)指針子碼包括地址字段信息，且通過(guò)該地址字段信息的譯碼錯(cuò)誤或地址比較缺陷以判定該高保護(hù)性字符擦寫指針。
5.如權(quán)利要求2所述的多重字符信息的譯碼方法，其中該叢發(fā)指針子碼包括使用者控制數(shù)據(jù)，且通過(guò)該使用者控制數(shù)據(jù)判定該高保護(hù)性字符擦寫指針。
6.如權(quán)利要求1所述的多重字符信息的譯碼方法，其中若至少一個(gè)接近該低保護(hù)性碼字符的該高保護(hù)性字符擦寫指針的顯示一錯(cuò)誤，則標(biāo)記該擦寫位。
7.如權(quán)利要求1所述的多重字符信息的譯碼方法，其中在將該高及低保護(hù)性碼字符儲(chǔ)存于該第一存儲(chǔ)器前，將該高及低保護(hù)性碼字符解交錯(cuò)。
8.如權(quán)利要求1所述的多重字符信息的譯碼方法，其中由一可自動(dòng)地自一策略切換至另一策略的彈性策略判定該擦寫位。
9.如權(quán)利要求1所述的多重字符信息的譯碼方法，其中在將一新多重字符信息叢集譯碼前，將該第二存儲(chǔ)器初始化。
10.如權(quán)利要求3所述的多重字符信息的譯碼方法，其中在將一新多重字符信息叢集譯碼前，使用同步擦寫指針將該第二存儲(chǔ)器初始化。
11.一種多重字符信息的譯碼方法，包含以下步驟將該多重字符信息的低保護(hù)性碼字符儲(chǔ)存于一存儲(chǔ)器；將該多重字符信息的高保護(hù)性碼字符譯碼以產(chǎn)生顯示是否出現(xiàn)譯碼錯(cuò)誤的高保護(hù)性字符擦寫指針；將該高保護(hù)性字符擦寫指針儲(chǔ)存于該存儲(chǔ)器；通過(guò)一自該存儲(chǔ)器讀取的擦寫指針譯碼該低保護(hù)性碼字符；及基于接近該多重字符信息叢集中的任一低保護(hù)性碼字符的高保護(hù)性碼字符擦寫指針來(lái)標(biāo)記一用于譯碼該低保護(hù)性碼字符的擦寫位。
12.如權(quán)利要求11所述的多重字符信息的譯碼方法，其中該多重字符信息叢集為一錯(cuò)誤修正碼叢集，且該高及低保護(hù)性碼字符分別為叢發(fā)指針子碼及長(zhǎng)距離碼。
13.如權(quán)利要求11所述的多重字符信息的譯碼方法，還包含以下步驟檢測(cè)包括于該多重字符信息叢集中的同步碼的錯(cuò)誤以產(chǎn)生同步擦寫指針；及將該同步擦寫指針儲(chǔ)存于該存儲(chǔ)器；其中在譯碼該低保護(hù)性碼字符時(shí)，該同步擦寫指針作為該高保護(hù)性字符擦寫指針用以產(chǎn)生該擦寫位。
14.如權(quán)利要求11所述的多重字符信息的譯碼方法，其中在將該高及低保護(hù)性碼字符儲(chǔ)存于該存儲(chǔ)器前，將該高及低保護(hù)性碼字符解交錯(cuò)。
15.一種多重字符信息的譯碼方法，包含以下步驟提供一包括同步碼及低保護(hù)性碼字符的多重字符信息叢集；檢測(cè)該同步碼的任一錯(cuò)誤標(biāo)記，以產(chǎn)生同步擦寫指針；將該同步擦寫指針儲(chǔ)存于一存儲(chǔ)器；及通過(guò)該同步擦寫指針譯碼該低保護(hù)性字符。
16.一種多重字符信息的譯碼方法，包含以下步驟提供一包括地址字段信息、使用者控制數(shù)據(jù)及低保護(hù)性碼字符的多重字符信息叢集；檢測(cè)該地址字段信息或使用者控制數(shù)據(jù)的任一錯(cuò)誤標(biāo)記，以產(chǎn)生地址字段信息/使用者控制數(shù)據(jù)擦寫指針；將該地址字段信息/使用者控制數(shù)據(jù)擦寫指針儲(chǔ)存于一存儲(chǔ)器；及利用至少一個(gè)該地址欄信息/使用者控制數(shù)據(jù)擦寫指針的譯碼該低保護(hù)性碼字符。
17.一種多重字符信息的譯碼方法，包含以下步驟提供一包括地址字段信息、使用者控制數(shù)據(jù)及高保護(hù)性碼字符的多重字符信息叢集；檢測(cè)該地址字段信息或使用者控制數(shù)據(jù)的任一錯(cuò)誤標(biāo)記，以便于產(chǎn)生地址字段信息/使用者控制數(shù)據(jù)擦寫指針；將該地址欄信息/使用者控制數(shù)據(jù)擦寫指針儲(chǔ)存于一存儲(chǔ)器；及利用至少一個(gè)該地址欄信息/使用者控制數(shù)據(jù)擦寫指針的譯碼該高保護(hù)性碼字符。
18.一種多重字符信息的譯碼裝置，包含一第一存儲(chǔ)器，用于儲(chǔ)存一多重字符信息叢集的高保護(hù)性碼字符，該多重字符信息叢集還包含低保護(hù)性碼字符；一譯碼器，用于將該高保護(hù)性碼字符及正確數(shù)據(jù)譯碼至第一存儲(chǔ)器，以產(chǎn)生高保護(hù)性字符擦寫指針；一第二存儲(chǔ)器，其耦合至該譯碼器，用于儲(chǔ)存該高保護(hù)性字符擦寫指針，其中該第二存儲(chǔ)器與該第一存儲(chǔ)器分離；及一擦寫產(chǎn)生器，其耦合至該第二存儲(chǔ)器，用于為該低保護(hù)性碼字符產(chǎn)生擦寫位，其中若接近該多重字符信息叢集中任一低保護(hù)性碼字符的該第二存儲(chǔ)器的高保護(hù)性字符擦寫指針顯示錯(cuò)誤，則該擦寫產(chǎn)生器標(biāo)記一擦寫位。
19.如權(quán)利要求18所述的多重字符信息的譯碼裝置，還包含一映像電路，其耦合至該譯碼器及該第二存儲(chǔ)器，用于提供位置信息給該高保護(hù)性字符擦寫指針。
20.如權(quán)利要求18所述的多重字符信息的譯碼裝置，其中該譯碼器進(jìn)一步利用該擦寫位以譯碼該低保護(hù)性碼字符。
21.如權(quán)利要求18所述的多重字符信息的譯碼裝置，還包含一解交錯(cuò)電路，其連接至該第一存儲(chǔ)器，用于解交錯(cuò)該高及低保護(hù)性碼字符。
22.如權(quán)利要求18所述的多重字符信息的譯碼裝置，還包含一同步錯(cuò)誤電路，其連接至該第一存儲(chǔ)器，用于檢測(cè)該多重字符信息叢集中同步碼的錯(cuò)誤，其中該同步錯(cuò)誤電路產(chǎn)生同步擦寫指針，在譯碼該低保護(hù)性碼字符時(shí)，該同步擦寫指針產(chǎn)生擦寫位。
23.如權(quán)利要求18所述的多重字符信息的譯碼裝置，還包含一地址字段及使用者控制數(shù)據(jù)映像電路，用于產(chǎn)生由一譯碼錯(cuò)誤或一地址字段信息的一地址錯(cuò)誤或由使用者控制數(shù)據(jù)錯(cuò)誤的地址字段擦寫指針。
24.如權(quán)利要求23所述的多重字符信息的譯碼裝置，還包含一地址字段譯碼器，其連接至該地址字段及使用者控制數(shù)據(jù)映像電路，用于譯碼該地址字段信息。
25.如權(quán)利要求18所述的多重字符信息的譯碼裝置，其中該多重字符信息叢集為一錯(cuò)誤修正碼叢集，且該高及低保護(hù)性碼字符分別為叢發(fā)指針子碼及長(zhǎng)距離碼。
26.如權(quán)利要求18所述的多重字符信息的譯碼裝置，其中該第一存儲(chǔ)器為一動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。
27.如權(quán)利要求18所述的多重字符信息的譯碼裝置，其中該第二存儲(chǔ)器為一靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。
28.如權(quán)利要求18所述的多重字符信息的譯碼裝置，其中在一新多重字符信息叢集被譯碼前，該第二存儲(chǔ)器被初始化。
29.一種多重字符信息的譯碼裝置，包含一存儲(chǔ)器，用于儲(chǔ)存一多重字符信息叢集的高保護(hù)性碼字符，該多重字符信息叢集還包含低保護(hù)性碼字符；及一譯碼器，用于譯碼該高保護(hù)性碼字符以產(chǎn)生具有位置信息的高保護(hù)性字符擦寫指針至該存儲(chǔ)器；其中若接近該低保護(hù)性碼字符的一高保護(hù)性碼字符的高保護(hù)性字符擦寫指針顯示錯(cuò)誤，則標(biāo)記一低保護(hù)性碼字符的一擦寫位。
30.如權(quán)利要求29所述的多重字符信息的譯碼裝置，其中該多重字符信息叢集為一錯(cuò)誤修正碼叢集，且該高及低保護(hù)性碼字符分別為叢發(fā)指針子碼及長(zhǎng)距離碼。
31.如權(quán)利要求29所述的多重字符信息的譯碼裝置，其中該第一存儲(chǔ)器為一動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。
全文摘要
本發(fā)明的多重字符信息的譯碼方法包含步驟(a)至(e)。在步驟(a)中，提供一包括高保護(hù)性碼字符(如BIS)及低保護(hù)性碼字符(如LDC)的多重字符信息叢集(如ECC)。在步驟(b)中，將該高及低保護(hù)性碼字符儲(chǔ)存在一第一存儲(chǔ)器(如DRAM)中。在步驟(c)中，譯碼所述的高保護(hù)性碼字符以產(chǎn)生顯示是否發(fā)生譯碼錯(cuò)誤的高保護(hù)性字符擦寫指針。在步驟(d)中，將該高保護(hù)性字符擦寫指針儲(chǔ)存在一第二存儲(chǔ)器(如SRAM)中。在步驟(e)中，譯碼該低保護(hù)性碼字符。同時(shí)，通過(guò)找出接近該多重字符信息叢集中的低保護(hù)性碼字符的高保護(hù)性碼字符及查尋接近該低保護(hù)性碼字符的高保護(hù)性碼字符的高保護(hù)性字符擦寫指針來(lái)標(biāo)記一低保護(hù)性碼字符的一擦寫位。
文檔編號(hào)G11B20/18GK1756089SQ20051009306
公開(kāi)日2006年4月5日 申請(qǐng)日期2005年8月25日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月27日
發(fā)明者吳文義, 林利蓮, 謝嘉鴻 申請(qǐng)人:聯(lián)發(fā)科技股份有限公司