專利名稱：信息記錄媒體及其制造方法、其原盤制作方法及照射裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及信息記錄媒體用原盤制作方法等，更詳細(xì)地說，涉及利用提高了記錄位置精度的電子束照射的信息記錄媒體用原盤制作方法等。
背景技術(shù)：
近年來，隨著所記錄的信息量的增加，所需的信息記錄媒體的記錄容量及記錄密度、甚至記錄信息的存取速度都需要提高。為此，光盤基板的凹坑的大小幾刻槽的寬度都在年逐年變得細(xì)微，軌道間距也變得狹小。通常，光盤基板上事先形成的凹坑和刻槽等細(xì)微構(gòu)造都是以使用了激光的平版印刷法做成。因而，可以形成的凹坑和刻槽的最小尺寸依賴于由光源出射的激光的波長和聚光鏡的數(shù)值孔徑(NA)。由于暴光裝置的透鏡的數(shù)值孔徑NA為0.9，已接近極限值，因此，原來的使用激光的原盤暴光裝置通過縮短激光的波長，來應(yīng)對微細(xì)化的趨勢。具體地說，對于DVD使用例如波長為351nm的氪激光，與之相應(yīng)，對于BluRay Disc則可使用例如用了氬激光的振蕩線的第2高次諧波的波長為257nm或244nm的激光等。
在與光盤同樣使用平版印刷法來形成微細(xì)構(gòu)造的半導(dǎo)體制造工序中，則使用波長為193nm的氬氟化物準(zhǔn)分子激光等波長更短的激光。但是這樣的脈沖激光光源，由于各個脈沖光的強度不一致，有損于例如凹坑尺寸的均勻性，因而在半導(dǎo)體制作工序中所采用的不是面暴光方式而是直接描繪方式，這對光盤制作工序來說是不適合的。與此相應(yīng)，與使用了氬激光的振蕩線的第2高次諧波的遠(yuǎn)紫外線激光相比，尋求波長更短、并且可以連續(xù)振蕩的、可制成更細(xì)微的凹坑和刻槽的激光光源尚無結(jié)果。因此，在進一步提高記錄密度的光盤制造中，采用電子束描繪裝置的能性提高，正在持續(xù)地進行開發(fā)。
然而，原來，為了在光盤用原盤上制成螺旋狀的記錄軌道，大致分為以下兩種方式一種是保持暴光光束的光量及線速度一定、根據(jù)半徑位置來連續(xù)變化原盤的轉(zhuǎn)數(shù)及滑觸頭的移動速度的恒定線性速度(CLV-ConstantLinear Velocity)方式；另一種是保持原盤的轉(zhuǎn)數(shù)及滑觸頭的移動速度一定，根據(jù)半徑位置連續(xù)變化暴光光束的光量的恒定角速度(CAV-ConstantAngular Velocity)方式。通常，重視記錄容量的再生專用媒體及可以只記錄一次的追記媒體使用CLV方式制作，重視存取速度的計算機用途的媒體使用CAV方式制作。例如在光磁盤中所能見到的那樣，通過將地址正確地局限于預(yù)定位置，從而可以縮短存取時間。即為了正確地記錄在盤上的預(yù)定位置，就需必須半徑方向上的驅(qū)動控制和轉(zhuǎn)動控制更為容易的CAV方式。
近年來，以記錄密度的飛躍式提高為目的的，還提出了略微改變凹坑的記錄位置的多值記錄方式和通過多個凹坑列形成標(biāo)記的二維記錄等技術(shù)方案案，則必須提高光盤原盤的記錄位置精度。
另一方面，電子束描繪裝置使用的電子束中，由于不存在原來的使用了激光的原盤暴光裝置所安裝的聲光(AO)元件那樣可以任意控制光束透過率的元件，因此借助于改變通過開口部的電子數(shù)(電流值)來電子束照射量進行控制。但是，例如，固定原盤的轉(zhuǎn)數(shù)，原盤的半徑在20mm～60mm的范圍內(nèi)，形成螺旋狀的記錄軌道時，需要在最內(nèi)周和最外周上將電流值變化3倍左右。
此外，還存在以下問題電子束從基板向后方散射及難于對基板的沖電量進行控制；當(dāng)改變由電子槍放出的電流值時，電子束的軸線也會變動。因而，固定原盤的轉(zhuǎn)數(shù)，根據(jù)半徑位置改變電流值的CAV照射方式也非易事，這成為穩(wěn)定的光盤用原盤制造的一大障礙。
圖10是說明CLV方式的光盤用原盤的半徑位置和轉(zhuǎn)數(shù)的關(guān)系圖。圖10的橫軸是光盤用原盤的半徑位置，縱軸是轉(zhuǎn)數(shù)。曲線A表示CLV方式的成為光盤用原盤的目標(biāo)的理想的轉(zhuǎn)數(shù)的推移，表示半徑位置越大(外周)，轉(zhuǎn)數(shù)越小。如圖10所示，CLV方式中，微觀上，一邊保持光盤用原盤的轉(zhuǎn)數(shù)一定，一邊進行數(shù)字控制，以使得在非常短的時間間隔(轉(zhuǎn)數(shù)更新的間隔C)內(nèi)，轉(zhuǎn)數(shù)發(fā)生階梯狀變化(誤差B)。另一方面，由于轉(zhuǎn)動的慣性力，原盤的轉(zhuǎn)數(shù)也不會瞬時改變，通常，原盤的轉(zhuǎn)動是采取通過曲線A和數(shù)字控制使所輸出的階梯狀的指令值一點點往復(fù)的形式來進行。
轉(zhuǎn)數(shù)更新的間隔C受到表現(xiàn)與控制裝置的通信速度或應(yīng)答速度、控制裝置的轉(zhuǎn)數(shù)等之比特分辨率的制約。因此，如果所列轉(zhuǎn)數(shù)之比特數(shù)不足，并且誤差未累計到一定程度時，與曲線A之差就無法檢測的情況，及控制裝置的運算受到用于與其他輸出回路的通信的制約的情況，或者由于信息的輸入、輸出的通信失敗等，轉(zhuǎn)數(shù)的更新被間斷這樣的情況，就會產(chǎn)生很大的轉(zhuǎn)動控制誤差(誤差D)。
CLV驅(qū)動中，由于內(nèi)周和外周的轉(zhuǎn)數(shù)不同，所以轉(zhuǎn)數(shù)較大的內(nèi)周一側(cè)與外周相比，決定轉(zhuǎn)動速度的脈沖的頻率更新間隔就變得稀疏。因此，內(nèi)周上，更容易產(chǎn)生規(guī)定的要記錄的位置和實際的電子束照射的位置間的位置偏差。對此，一降低內(nèi)周的速度，由于盤整體的照射時間就顯著地延長，因而不能適應(yīng)高密度化的盤的制造。并且，由于通過延長照射時間，能增大電子束的輸出變動的影響，因此，在制造原盤時，對于穩(wěn)定地制造事先記錄的信息量飛躍式地增大的高密度光盤用原盤成為一大障礙。
另一方面，以開環(huán)進行的模擬控制的情況下，對于指示轉(zhuǎn)動速度的基準(zhǔn)時鐘，通過比較檢測原盤的轉(zhuǎn)動速度的旋轉(zhuǎn)編碼器的輸出，由于準(zhǔn)備了規(guī)定的鋸齒波波形，雖難于產(chǎn)生這樣的問題，但需要根據(jù)轉(zhuǎn)動速度的變化量細(xì)致地改變達因(ダイン)的設(shè)定，通常，由于這樣的管理并不容易，所以在主軸及滑觸頭控制之類單一方向驅(qū)動的例子中，以封閉環(huán)進行的數(shù)字控制仍是現(xiàn)在的主流。因此，CLV方式未必能進行理想的轉(zhuǎn)動控制。因此，為了以極高的精度來控制暴光位置，公認(rèn)為理想的是保持原盤轉(zhuǎn)數(shù)及滑觸頭的移動速度一定的CAV方式，例如，出現(xiàn)了在CAV方式中將電子束的每單位面積的照射量保持一定的暴光方法的報告(參照專利文獻1日本特開2000-011464號公報)。
但是，如專利文獻1中的記載，在CAV方式中將電子束的每單位面積的照射量保持一定的方法，需要在轉(zhuǎn)動速度不一致的內(nèi)周和外周，極大地改變由電子槍放出的電流值，因而存在電子束的軸線的變動不能避免之類的問題。
如專利文獻1中的記載，對電子束進行脈沖調(diào)制，利用脈沖的占空系數(shù)來控制電子束的照射量的方法，通常，在電子束的消隱中，以保持偏轉(zhuǎn)量為目的采用的不是應(yīng)答速度很快的靜電偏轉(zhuǎn)而是電磁偏轉(zhuǎn)，過渡性質(zhì)地改變了通過開口部的電子數(shù)，因此，存在所形成的刻槽的寬度的均勻性不足之類的問題。即，為了解決這個問題，有必要將轉(zhuǎn)數(shù)降低，由于盤整體的照射時間顯著延長，因而，不適合高密度化盤的制造。即使采用靜電偏轉(zhuǎn)的消隱，由于進行了調(diào)制，有必要增大電子束的偏轉(zhuǎn)量，即增加消隱中所使用的偏轉(zhuǎn)電極的容量，以產(chǎn)生對調(diào)制速度的制約。

發(fā)明內(nèi)容
這樣，本發(fā)明就是為了解決上述利用電子束描繪裝置對信息記錄媒體用的原盤進行暴光時，形成浮雕的技術(shù)問題而提出的。
即，本發(fā)明的目的在于提供一種利用記錄位置精度提高了的電子束照射來制作信息記錄媒體用原盤的方法。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種可以照射記錄位置精度提高了的電子束的信息記錄媒體用的原盤照射裝置。
本發(fā)明的又一目的在于提供一種記錄位置精度提高了的高密度的信息記錄媒體的制造方法。
本發(fā)明的再一目的在于提供一種記錄位置精度提高了的高密度的信息記錄媒體。
為了解決上述問題，本發(fā)明所提供了一種信息記錄媒體用原盤制作方法，該方法使用原盤照射裝置對具有利用電子束照射產(chǎn)生極性變化的電子束感應(yīng)抗蝕膜的原盤照射電子束，形成螺旋狀或同心圓狀的軌道；上述原盤照射裝置具有照射電子束的電子束照射裝置，保持原盤并使其轉(zhuǎn)動的驅(qū)動裝置，使電子束照射裝置與原盤在水平方向的相對位置進行變動的變動裝置；其特征在于將上述電子束照射的區(qū)域劃分成在半徑方向上按同心圓狀劃分成的多個記錄區(qū)域，使上述原盤的電子束照射的區(qū)域在每單位時間的電子束照射量保持一定，控制所劃分的上述各個記錄區(qū)域的上述原盤的轉(zhuǎn)數(shù)使其保持一定。
通過采用這樣的構(gòu)造，由于由電子槍放出的電流值能保持一定，因而可抑制電子束的軸線的變動，并且由于轉(zhuǎn)動速度固定，就能進行轉(zhuǎn)動誤差少的轉(zhuǎn)動控制，從而保持電子束照射的信息的高記錄位置精度。
在本發(fā)明中，將電子束照射的區(qū)域劃分成在半徑方向上同心圓狀的多個記錄區(qū)域是指在規(guī)定的裝置中可進行信息的記錄或再生的區(qū)域，通常，設(shè)置在原盤的內(nèi)周側(cè)的條形碼所代表的記錄了的原盤的管理信息的區(qū)域等不屬于此列。
另外，為了形成將規(guī)定的信息事先記錄在原盤上的凹坑，通常，雖采用通過消隱來遮擋電子束的方法，但伴隨這樣的控制，即使在改變原盤上所照射的每單位時間的電子束照射量的時候，在未進行電子束的遮擋的時刻，原盤上所照射的每單位時間的電子束照射量保持一定的信息記錄媒體用原盤制作方法仍在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
本發(fā)明中，優(yōu)選的方法是，在所劃分的上述記錄區(qū)域的邊界部上，控制轉(zhuǎn)數(shù)使其從外周所劃分的上述記錄區(qū)域向內(nèi)周所劃分的上述記錄區(qū)域呈階梯狀增加。若采用這種方法，就能降低每單位面積的電子束照射量的內(nèi)外周之差，并能進一步增大原盤上電子束的照射面積。
另外，在所劃分的記錄區(qū)域的邊界部上，通過控制使轉(zhuǎn)數(shù)從內(nèi)周所劃分的記錄區(qū)域向外周所劃分的記錄區(qū)域呈階梯狀減少，可得到同樣的效果，這樣的信息記錄媒體用原盤制作方法仍在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
進而，通過采用越向外周側(cè)的記錄區(qū)域轉(zhuǎn)數(shù)越提高的結(jié)構(gòu)，與原來的CAV方式比較，可減少電子束的照射時間，并可穩(wěn)定地制造信息記錄媒體。
本發(fā)明中，優(yōu)選的方法是，轉(zhuǎn)動的上述原盤所劃分的上述記錄區(qū)域的線速度的最大值與線速度的最小值之比控制在1.3以下。轉(zhuǎn)動的上述原盤所劃分的上述各個記錄區(qū)域間的平均線速度的最大值與平均線速度的最小值之比控制在1.1以下。
通過使轉(zhuǎn)動的原盤的各個記錄區(qū)域內(nèi)的線速度、各個記錄區(qū)域間的平均線速度及記錄區(qū)域的寬度在上述范圍內(nèi)，從而，對于各個記錄區(qū)域內(nèi)的具有利用電子束照射產(chǎn)生極性變化的電子束感應(yīng)抗蝕膜的原盤，可將通過進行規(guī)定的顯像處理所形成的刻槽溝的溝寬的變動調(diào)整到可允許的范圍內(nèi)。而且，若能通過控制使電子束照射的面積少，在電子束照射的全部區(qū)域中，將轉(zhuǎn)動的原盤的轉(zhuǎn)數(shù)保持一定，并使線速度的最大值與線速度的最小值之比在1.3以下的情況下，則可將在半徑方向上按同心圓狀劃分的記錄區(qū)域的數(shù)目設(shè)成1個。
本發(fā)明中，優(yōu)選的方法是，設(shè)置在上述圓盤的內(nèi)周側(cè)所劃分的上述記錄區(qū)域的寬度比設(shè)置在上述圓盤的外周側(cè)所劃分的上述記錄區(qū)域的寬度更小，這樣，可進一步降低設(shè)置在轉(zhuǎn)動線速度的變化量大的原盤的內(nèi)周側(cè)的記錄區(qū)域的，每單位面積的電子束的照射量的內(nèi)外周之差。即，即使在轉(zhuǎn)動線速度的變化量大的原盤的內(nèi)周側(cè)所設(shè)置的記錄區(qū)域中，也可進一步降低通過進行規(guī)定的顯像處理所形成的刻槽溝的溝寬的內(nèi)外周之差。
本發(fā)明中，優(yōu)選的方法是，在使用還具有使電子束在與軌道基本上垂直的方向上振動的電子束偏轉(zhuǎn)裝置的原盤照射裝置照射電子束，形成螺旋狀或同心圓狀的軌道的信息記錄媒體用原盤制作方法中，控制所劃分的各個記錄區(qū)域的電子束的偏轉(zhuǎn)量使其從內(nèi)周向外周增加。
通過采用這樣的結(jié)構(gòu)，可利用電子束照射來保持信息的高記錄位置精度，可在電子束照射的區(qū)域進一步降低通過進行規(guī)定的顯像處理所形成的刻槽溝的溝寬的內(nèi)外周之差。
進而，將各半徑位置r的線速度設(shè)為V(r)，在線速度為V(r)時不進行電子束的偏轉(zhuǎn)的前提下，將通過進行規(guī)定顯像處理所形成的刻槽溝的寬度設(shè)為W(r)，將與轉(zhuǎn)動同時通過進行電子束的偏轉(zhuǎn)所形成的刻槽溝的寬度設(shè)為Wmax的情況下，優(yōu)選控制各半徑位置r的電子束的偏轉(zhuǎn)量使其為Wmax-W(r)，從而可使所劃分的各個記錄區(qū)域的刻槽寬保持均勻。
為了使電子束的偏轉(zhuǎn)的頻率在V(r)/W(r)以上，優(yōu)選將電子束偏轉(zhuǎn)到與軌道方向基本上垂直，這樣，可抑制通過進行規(guī)定的顯像處理所形成的刻槽溝的蛇行波動。
其次，本發(fā)明提供一種信息記錄媒體用的原盤照射裝置，其特征在于，具有在具有利用電子束照射產(chǎn)生極性變化的電子束感應(yīng)抗蝕膜的原盤上，每單位時間照射一定量的電子束的電子束照射裝置，保持上述原盤并使其轉(zhuǎn)動的驅(qū)動裝置，變動電子束照射裝置與上述原盤的水平方向的相對位置的變動裝置，將上述原盤的電子束照射的區(qū)域劃分成在半徑方向上按同心圓狀劃分的多個記錄區(qū)域，使得所劃分的上述各個記錄區(qū)域的每單位時間的電子束照射量保持一定，并控制所劃分的各個記錄區(qū)域的上述原盤的轉(zhuǎn)數(shù)使其保持一定的控制裝置。
通過采用這樣的結(jié)構(gòu)，由于由電子槍放出的電流值能保持一定，從而，可抑制電子束的軸線的變動，并且由于轉(zhuǎn)動速度固定，就能進行轉(zhuǎn)動誤差少的轉(zhuǎn)動控制，并可保持電子束照射的信息的高記錄位置精度。
本發(fā)明中，優(yōu)選的方案是，還具有控制裝置，從而控制在被劃分的上述記錄區(qū)域的邊界部上，從外周所劃分的上述記錄區(qū)域向內(nèi)周所劃分的上述記錄區(qū)域，轉(zhuǎn)數(shù)呈階梯狀增加；若采用這種裝置，就能降低每單位面積的電子束照射量的內(nèi)外周之差，并能進一步增大原盤上電子束的照射面積。
本發(fā)明使用的信息記錄媒體用的原盤照射裝置中，優(yōu)選的方案是，進行所劃分的上述記錄區(qū)域的邊界部的上述原盤轉(zhuǎn)數(shù)的變更在10轉(zhuǎn)以內(nèi)；通過減少進行與記錄再生無關(guān)的轉(zhuǎn)數(shù)的變更過渡性質(zhì)的過渡區(qū)域的軌道，通過將這些軌道，從而可避免記錄容量的減少。
本發(fā)明使用的信息記錄媒體用的原盤照射裝置中，優(yōu)選的方案是，原盤照射裝置還具備進行原盤的轉(zhuǎn)動控制并輸出轉(zhuǎn)動的該原盤的角度信息的轉(zhuǎn)動角度信息輸出裝置；通過實施與用電子束記錄的信號發(fā)生裝置的再同步，從而，可修正在半徑方向上按同心圓狀劃分的多個記錄區(qū)域的邊界的半徑位置附近產(chǎn)生的、源于轉(zhuǎn)數(shù)變更的轉(zhuǎn)動誤差。進而，可提高在半徑方向上按同心圓狀劃分的多個記錄區(qū)域間的信息的記錄位置精度。
本發(fā)明使用的信息記錄媒體用的原盤照射裝置中，優(yōu)選的方案是，還具備控制上述電子束的偏轉(zhuǎn)量的偏轉(zhuǎn)控制裝置；通過控制電子束的偏轉(zhuǎn)量，使得增加在半徑方向上所劃分的記錄區(qū)域的從內(nèi)周向外周，偏轉(zhuǎn)到與軌道方向基本上垂直的方向上的電子束的偏轉(zhuǎn)量，就能進一步降低所形成的刻槽寬度的內(nèi)外周之差。并且，電子束的偏轉(zhuǎn)控制裝置優(yōu)選采用應(yīng)答速度快的靜電偏轉(zhuǎn)，從而可抑制通過進行規(guī)定的顯像處理所形成的刻槽溝的蛇行波動。
本發(fā)明使用的信息記錄媒體用的原盤照射裝置中，優(yōu)選的方案是，還具有利用消隱可對電子束進行遮擋的電子束的調(diào)制控制裝置。
另一方面，本發(fā)明提供一種信息記錄媒體的制造方法，它是制造具有規(guī)定的螺旋狀或同心圓狀的軌道的信息記錄媒體的制造方法，該方法具備形成具有規(guī)定的溝的信息記錄媒體用原盤的原盤形成工序，及形成用于轉(zhuǎn)印所形成的上述信息記錄媒體用原盤的溝的形狀的金屬鑄型的鑄型形成工序；其特征在于上述原盤形成工序使用規(guī)定的原盤照射裝置，該原盤照射裝置具有電子束照射裝置，改變電子束照射裝置與原盤的水平方向的相對位置的變動裝置，使上述原盤轉(zhuǎn)動的驅(qū)動裝置；使用上述電子束照射裝置對利用上述驅(qū)動裝置轉(zhuǎn)動的上述原盤表面的電子束感應(yīng)抗蝕膜照射電子束、使用上述變動裝置改變上述電子束照射裝置和上述原盤的水平方向的相對位置，使用上述電子束照射裝置照射電子束時，將上述原盤的上述電子束照射的區(qū)域劃分成在半徑方向上按同心圓狀劃分的多個記錄區(qū)域，并照射電子束使得上述原盤的電子束照射的區(qū)域的每單位時間的電子束照射量保持一定，上述原盤的上述轉(zhuǎn)數(shù)也保持一定。
進而，本發(fā)明提供一種信息記錄媒體，它是在基板上形成螺旋狀或同心圓狀的記錄用軌道的信息記錄媒體，其特征在于，具有在上述基板上按規(guī)定的寬度同心圓狀地劃分的多個記錄區(qū)域，及設(shè)置在所劃分的上述各個記錄區(qū)域的邊界部的、在基板的半徑方向的寬度在10軌道以下的過渡區(qū)域。
通過將本發(fā)明使用的信息記錄媒體的過渡區(qū)域設(shè)為10軌道以下，減少與記錄再生無關(guān)的軌道，就可以防止記錄容量的減少。在過渡區(qū)域或過渡區(qū)域的附近，優(yōu)選還具有可實現(xiàn)再同步的再同步控制標(biāo)記，從而可修正在原盤上照射電子束，形成在半徑方向上按同心圓狀劃分的多個記錄區(qū)域時產(chǎn)生的、源于記錄區(qū)域的邊界的半徑位置附近的轉(zhuǎn)數(shù)變更的轉(zhuǎn)動誤差。
本發(fā)明使用的信息記錄媒體中，優(yōu)選的方案是，在基板上按規(guī)定的寬度同心圓狀地劃分的各個記錄區(qū)域的外周側(cè)的半徑位置和內(nèi)周側(cè)的半徑位置之比在1.3以下。
此外，本發(fā)明使用的信息記錄媒體中，優(yōu)選的方案是，設(shè)置在信息記錄媒體具有的基板的內(nèi)周側(cè)的、所劃分的記錄區(qū)域的寬度比設(shè)置在該基板的外周側(cè)的、所劃分的上述記錄區(qū)域的寬度更小。
這樣，本發(fā)明提供了一種記錄位置精度提高了的、利用電子束照射的信息記錄媒體用原盤制作方法。


圖1是原盤照射裝置的說明圖。
圖2是原盤的記錄區(qū)域的說明圖。圖2(a)表示在半徑方向上均勻劃分的多個記錄區(qū)域；圖2(b)表示具有不同寬度的多個記錄區(qū)域。
圖3是將電子束偏轉(zhuǎn)到與軌道基本上垂直的方向的狀態(tài)的說明圖。
圖4是實施例中所使用的信息記錄媒體的說明圖。
圖5是比特錯誤率的測定裝置的說明圖。
圖6是為了得到實施例1的信息記錄媒體的原盤的電子束照射條件的說明圖。
圖7是為了得到實施例2的信息記錄媒體的原盤的電子束照射條件的說明圖。
圖8是為了得到實施例3的信息記錄媒體的原盤的電子束照射條件的說明圖。
圖9是為了得到實施例4的信息記錄媒體的原盤的電子束照射條件的說明圖。
圖10是CLV方式的光盤用原盤的半徑位置和轉(zhuǎn)數(shù)的關(guān)系的說明圖。
具體實施例方式
以下，參照附圖，詳細(xì)說明為實施本發(fā)明的最佳方式(以下稱“實施例”)。
圖1是本實施例所使用的原盤照射裝置的說明圖。圖1所示的原盤照射裝置100由容納作為電子束照射手段的電子光學(xué)系統(tǒng)的鏡塔10和具備原盤保持轉(zhuǎn)動裝置的試料室20構(gòu)成。鏡塔10和試料室20利用適當(dāng)?shù)恼婵昭b置(未圖示)保持真空狀態(tài)。電子光學(xué)系統(tǒng)具有安裝在鏡塔10的內(nèi)部、通過施加規(guī)定的電壓(譬如50kV)放射電子束19的熱電子放出型的電子槍11，縮小所放射的電子束19的聚光透鏡12、利用被波束調(diào)制器18調(diào)制的信號源17的信號，對被聚光透鏡12縮小的電子束19進行調(diào)制的消隱電極13，遮擋被消隱電極13偏轉(zhuǎn)的電子束19的孔徑14，根據(jù)控制器26的信號使電子束19的振幅發(fā)生偏轉(zhuǎn)的偏轉(zhuǎn)電極15，將電子束19縮小到微小的波束直徑并照射到原盤21上的物鏡16。
試料室20中設(shè)置有，作為保持原盤21并使之轉(zhuǎn)動的驅(qū)動裝置的轉(zhuǎn)動臺22和使原盤21在水平方向上移動，作為改變電子束19和原盤21在水平方向的相對位置的變動裝置的移動臺23，轉(zhuǎn)動臺22和移動臺23通過導(dǎo)向螺桿24傳遞AC伺服馬達25的動力。
如圖1所示，從電子槍11放射的電子束19通過聚光透鏡聚焦。消隱電極13利用信號源17的信號被波束調(diào)制器18調(diào)制的電場，使電子束19的行進方向發(fā)生偏轉(zhuǎn)，從而調(diào)制電子束19通過孔徑14的量。通過了孔徑14的電子束19通過偏轉(zhuǎn)電極15進行偏轉(zhuǎn)控制之后，由物鏡16再次聚焦，然后照射到原盤21的表面。
偏轉(zhuǎn)電極15通過控制器26的振幅控制信號來控制高頻振動的振幅，由此控制電子束19的偏轉(zhuǎn)量。控制器26根據(jù)電子束19照射到原盤21上的位置，及該位置的原盤21的轉(zhuǎn)數(shù)的信息而進行運算，從而控制電子束19的偏轉(zhuǎn)量。
控制器26根據(jù)照射到原盤21上的電子束19與原盤21在水平方向的相對位置利用轉(zhuǎn)數(shù)控制信號，控制AC伺服馬達25，從而也作為控制原盤21的轉(zhuǎn)數(shù)的原盤轉(zhuǎn)動控制裝置發(fā)揮作用。
其次，對原盤21進行說明。圖2是原盤21的記錄區(qū)域的說明圖。圖2(a)表示在半徑方向上均勻劃分的多個記錄區(qū)域；圖2(b)表示具有不同寬度的多個記錄區(qū)域。
如圖2(a)所示，原盤21a具有在半徑方向上按規(guī)定寬度均勻劃分的多個記錄區(qū)域(記錄區(qū)域1a～記錄區(qū)域3a)。被劃分的各個記錄區(qū)域的寬度雖沒有特別的限定，但通常的范圍是0.2～0.5mm，優(yōu)選范圍為0.5～5.0mm。
半徑方向上均勻劃分的各個記錄區(qū)域(記錄區(qū)域1a～記錄區(qū)域3a)的半徑方向的寬度通常如下決定。即，對于每個記錄區(qū)域按一定的轉(zhuǎn)數(shù)，原盤在轉(zhuǎn)動時，各個記錄區(qū)域的寬度預(yù)先予以設(shè)定，使得半徑方向上均勻劃分的各個記錄區(qū)域的最內(nèi)周側(cè)的線速度和最外周側(cè)的線速度之比(各個記錄區(qū)域的最外周的線速度/各個記錄區(qū)域的最內(nèi)周的線速度)通常在1.3以下，優(yōu)選在1.2以下的范圍。通過這樣設(shè)定各個記錄區(qū)域的寬度，半徑方向上均勻劃分的各個記錄區(qū)域內(nèi)的每單位面積的電子束照射量的內(nèi)外周之差就能夠進一步降低。即，通過進行規(guī)定的顯像處理，則可降低所形成的各個記錄區(qū)域內(nèi)的刻槽溝的溝寬的內(nèi)外周之差。
如圖2(b)所示，原盤21b具有在半徑方向上按規(guī)定寬度劃分的多個記錄區(qū)域(記錄區(qū)域1b～記錄區(qū)域3b)。各個記錄區(qū)域(記錄區(qū)域1b～記錄區(qū)域3b)的寬度的設(shè)定，使得在原盤21b的半徑方向上從內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)增大。
這樣，通過將原盤21b在半徑方向上按同心圓狀劃分的多個記錄區(qū)域(記錄區(qū)域1b～記錄區(qū)域3b)的寬度設(shè)成設(shè)置在內(nèi)周側(cè)的記錄區(qū)域的寬度比外周側(cè)的狹小，從而可進一步降低線速度變化大的內(nèi)周側(cè)的記錄區(qū)域內(nèi)的最內(nèi)周側(cè)的線速度與最外周側(cè)的線速度之比(各記錄區(qū)域的最外周的線速度/各個記錄區(qū)域的最內(nèi)周的線速度)，其結(jié)果是，線速度變化小的內(nèi)周側(cè)的區(qū)域內(nèi)的每單位面積的電子束照射量的內(nèi)外周之差能進一步降低。即，通過進行規(guī)定的顯像處理，可進一步降低所形成的內(nèi)周側(cè)的記錄區(qū)域內(nèi)的刻槽溝的溝寬的內(nèi)外周之差。
關(guān)于在半徑方向上按同心圓狀劃分的各個記錄區(qū)域的轉(zhuǎn)數(shù)，最好預(yù)先設(shè)定各個記錄區(qū)域的寬度，使得各記錄區(qū)域間的平均線速度的最大值和最小值之比(每個記錄區(qū)域的平均線速度的最大值/每個記錄區(qū)域的平均線速度的最小值)通常在1.1以下，優(yōu)選在1.05以下的范圍內(nèi)。通過這樣設(shè)定各記錄區(qū)域的轉(zhuǎn)數(shù)，可降低各個記錄區(qū)域的每單位面積的電子束照射量之差。即，通過進行規(guī)定的顯像處理，從而可減少所形成的各個記錄區(qū)域的刻槽溝的溝寬的變動。而且，通過將半徑方向上按同心圓狀劃分的各個記錄區(qū)域的轉(zhuǎn)數(shù)保持一定，從而可進行轉(zhuǎn)動誤差小的轉(zhuǎn)動控制，可利用電子束照射保持信息的高記錄位置精度。
最好對原盤21a和原盤21b的轉(zhuǎn)數(shù)進一步進行控制，使得在所劃分的記錄區(qū)域的邊界部，從外周所劃分的記錄區(qū)域向內(nèi)周所劃分的記錄區(qū)域，轉(zhuǎn)數(shù)呈階梯式增加。通過采用越往外周側(cè)的記錄區(qū)域，轉(zhuǎn)數(shù)就越高的結(jié)構(gòu)，與原來的CAV方式相比，可減少電子束的照射時間，可穩(wěn)定地制造信息記錄媒體。
在原盤21a和原盤21b的、所劃分的各記錄區(qū)域(記錄區(qū)域1a～記錄區(qū)域3a、記錄區(qū)域1b～記錄區(qū)域3b)的邊界部上，為了與各個記錄區(qū)域的轉(zhuǎn)數(shù)的變化相對應(yīng)，使信號再次達到同步的過渡區(qū)域(未圖示)通常設(shè)置為10個軌道左右。各記錄區(qū)域間，轉(zhuǎn)數(shù)的變更通常最好是以10轉(zhuǎn)以內(nèi)或10米秒以內(nèi)的任何一個短時間間隔進行。
如本實施例所使用的原盤照射裝置100那樣，一邊保持原盤21的轉(zhuǎn)數(shù)一定、一邊照射電子束19時，通常，對電子束感應(yīng)抗蝕薄膜照射的電子束19的、每單位面積的照射量達不到恒定。因此，各個記錄區(qū)域上所形成的記錄軌道的溝寬，在各記錄區(qū)域的最內(nèi)周側(cè)和最外周側(cè)都發(fā)生變化。
但是，即使在這樣記錄軌道的溝寬發(fā)生變動的情況下，通過利用和數(shù)信號使它們正常化，從而可在某種程度上修正信號強度。于是，通過預(yù)先設(shè)定，可在能夠允許的范圍內(nèi)調(diào)整各記錄區(qū)域內(nèi)的刻槽溝的溝寬的變動，從而使得原盤21的半徑方向上按同心圓狀劃分的多個記錄區(qū)域的寬和原盤21的轉(zhuǎn)數(shù)相適合。這樣，則可制造將原盤21整體的C/N比(載波噪音比)保持在允許值之內(nèi)的信息記錄媒體用原盤。
圖3是使電子束偏轉(zhuǎn)到與軌道基本上垂直的方向上的狀態(tài)的說明圖。圖3表示在原盤21的半徑方向上按同心圓狀劃分的多個記錄區(qū)域中的一個即區(qū)域1中，設(shè)置于內(nèi)周側(cè)上的軌道a(軌道a、軌道a+1、軌道a+2……)、設(shè)置于中周部分上的軌道b(軌道b、軌道b+1、軌道b+2……)、設(shè)置于外周側(cè)上的軌道c(軌道c、軌道c+1、軌道c+2……)的、在各自的軌道上所照射的電子束的高頻振動。
圖3中，橫軸表示原盤21的軌道方向，縱軸表示原盤21的半徑方向。如圖3所示，在與軌道基本上垂直的方向上，啟用使電子束19產(chǎn)生高頻振動的功能，通過有效地擴大照射到原盤21上的電子束19的照射面積，進行規(guī)定的顯像處理，從而可增加各記錄區(qū)域所形成的刻槽溝的溝寬。
照射到原盤21b的半徑方向上按規(guī)定寬度劃分的多個記錄區(qū)域上的電子束19的偏轉(zhuǎn)量，最好在各個區(qū)域中從原盤21的內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)增加。即，如圖3所示，內(nèi)周側(cè)的軌道a(軌道a、軌道a+1、軌道a+2……)與外周側(cè)相比，由于線速度慢，每單位面積的電子束照射量大，因此，最好進行使電子束19的偏轉(zhuǎn)量變少的控制；另一方面，外周側(cè)上的軌道c(軌道c、軌道c+1、軌道c+2……)，由于線速度快，每單位面積的電子束照射量少，因此，最好進行使電子束19的偏轉(zhuǎn)量變大的控制。
即，這樣，在本實施例中，若采用使電子束偏轉(zhuǎn)到與軌道基本上垂直方向上的方法，通常，通過控制電子束19的偏轉(zhuǎn)量，則可解決源于與原盤21在規(guī)定的半徑位置的線速度的連續(xù)變化相應(yīng)的每單位面積的電子束照射量的變化的、各記錄區(qū)域內(nèi)部的溝寬的內(nèi)外周之差產(chǎn)生的問題；可以一邊保持各個記錄區(qū)域的轉(zhuǎn)數(shù)一定，一邊實現(xiàn)在原盤21上形成均勻軌道的溝寬。
這樣，利用原盤21的半徑方向的位置信息和各記錄區(qū)域的轉(zhuǎn)動速度的信息，則可賦予規(guī)定的振動偏轉(zhuǎn)，擴大各記錄區(qū)域的電子束19的照射面積，從而降低所形成的刻槽溝的溝寬的內(nèi)外周之差。
在此，將各半徑位置r的線速度設(shè)為V(r)，在線速度為V(r)時電子束不偏轉(zhuǎn)的前提下，通過進行規(guī)定的顯像處理，使所形成的刻槽溝的溝寬為W(r)，通過在轉(zhuǎn)動的同時使電子束進行偏轉(zhuǎn)所形成的刻槽溝的寬設(shè)為Wmax時，在這種情況下，最好進行控制使得原盤21的各半徑位置r的電子束19的偏轉(zhuǎn)量為Wmax-W(r)。并且最好使電子束19偏轉(zhuǎn)到與軌道方向基本上垂直的方向，從而使得電子束19的偏轉(zhuǎn)的頻率達到V(r)/W(r)以上。
這樣，通過與利用偏轉(zhuǎn)電極15控制電子束19的高頻振動的振動量的組合，在原盤21的規(guī)定的記錄區(qū)域內(nèi)，源于與線速度的連續(xù)變化相應(yīng)的每單位面積的電子束照射量產(chǎn)生變化的記錄軌道的溝寬的變動被相互抵消，從而可一邊保持原盤21的各記錄區(qū)域的轉(zhuǎn)數(shù)一定，一邊保持記錄軌道溝寬的均勻。即，根據(jù)電子束19所照射的原盤21的位置信息和電子束19所照射的原盤21上的位置的轉(zhuǎn)數(shù)的信息進行運算，據(jù)此可設(shè)定電子束19的偏轉(zhuǎn)量，可進一步降低各記錄區(qū)域內(nèi)部的記錄軌道的溝寬的變動，從而可制造降低了原盤21整體的C/N比(載波噪音比)的信息記錄媒體用原盤。
下面，說明原盤21的結(jié)構(gòu)。原盤21在合適的基板上，旋轉(zhuǎn)涂覆電子束感應(yīng)抗蝕膜之后，通過加熱處理，除去多余的溶劑，從而形成電子束感應(yīng)抗蝕薄膜。
作為原盤21的基板，可以列舉例如，硅晶片、石英玻璃、鈉玻璃、表面形成導(dǎo)電層的石英玻璃、表面形成導(dǎo)電層的鈉玻璃等等。這其中，硅晶片的沖電量少最為適宜。
電子束感應(yīng)抗蝕膜以溶解堿性化合物調(diào)整為堿性的溶劑稀釋酸發(fā)生劑和粘結(jié)劑樹脂后使用。
作為酸發(fā)生劑，只要是通過電子束的照射，其化學(xué)結(jié)構(gòu)會發(fā)生變化，生成酸性物質(zhì)的即可，沒有特別限定?？梢粤信e例如，三氟甲基磺酸三苯基锍鹽(Triphenylsulfonium triflate)、九氟甲基磺酸三苯基锍鹽(Triphenylsulfoniumnonaflate)、三氟甲基磺酸二苯基碘鎓鹽(Bisphenyliodonium triflate)、九氟甲基磺酸二苯基碘鎓鹽(Bisphenyliodonium nonaflate)、九氟甲基磺酸二苯基-P-甲氧苯基鹽(Bisphenyl p-methoxyphenyl nonaflate)、九氟甲基磺酸二苯基-P-甲基苯基鹽(Bisphenyl p-methylphenyl nonaflate)等的鎓鹽類；甲磺酸?；涟孵?1.8-Naphthalimidyl methanesulfonate)、三氟甲基磺酸酰基萘胺酯(1.8-Naphthalimidyl triflate)、甲苯磺酸?；涟孵?1.8-Naphthalimidyltosylate)、苯偶姻甲苯磺酸酯(Benzoin Tosylate)等的磺酸酯類；雙(苯基磺?；?重氮甲烷(Bis(phenylsulfonyl)diazomethane)、雙(P-氯苯基磺?；?重氮甲烷(Bis(p-chrolophenylsulfonyl)diazomethane)、雙(環(huán)己基磺?；?重氮甲烷(Bis(cyclohexylsulfonyl)diazomethane)等的重氮甲烷。這其中，三氟甲基磺酸三苯基锍鹽(Triphenylsulfonium triflate)等的的鎓鹽類能實現(xiàn)高靈敏度而最適合。以下表示酸發(fā)生劑的具體實例。
TPS-105NAI-100 DPI-105三氟磺酸三苯基锍鹽1.8-甲磺酸?；涟孵? 三氟磺酸二苯基碘鎓鹽 TPS-109 NAI-105 DPI-109九氟磺酸三苯基锍鹽1.8-三氟磺酸?；涟孵ゾ欧撬岫交怄f鹽 MDS-105 NAI-101九氟磺酸二苯基P-甲氧苯基鹽 1.8-甲基磺酸?；涟孵? MDS-205 DAM-101 DAM-301九氟磺酸二苯基P-甲基苯基鹽 雙(苯基磺?；?重氮甲烷雙(環(huán)己基磺?；?重氮甲烷 DAM-102苯偶姻甲苯磺酸酯 雙(P-氯苯基磺?；?重氮甲烷作為粘結(jié)劑樹脂，只要是利用通過電子束的照射，使酸發(fā)生劑發(fā)生化學(xué)變化而生成的酸性物質(zhì)，在室溫或加熱狀態(tài)下發(fā)生極性變化的物質(zhì)即可，沒有特別的限定?？梢粤信e例如，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚甲基丙烯酸乙酯、聚甲基丙烯酸丁酯、聚甲基丙烯酸異丁酯、丙烯酸甲酯等的(甲基)丙烯酸酯類；多羥基苯乙烯衍生物等等。這其中，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)由于極性變化引起的顯像速度的變化大而最合適。并且，由于聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的分子量分布狹窄，因而可以減輕電子束照射區(qū)域上的顯像殘差而最合適。
溶劑只要是能溶解酸發(fā)生劑和粘結(jié)劑樹脂的物質(zhì)即可，沒有特別限定。例如，丙二醇-2-單甲基醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇單甲基醚(PE)等的溶纖劑類；甲基正戊基甲酮(HP)、甲基乙基酮(MEK)等的酮類；乳酸乙酯(EL)、醋酸丁酯(BA)等的酯類；以及這些的混合溶劑等；可以提高旋轉(zhuǎn)涂覆之后的電子束感應(yīng)抗蝕薄膜的膜厚均勻性而非常適合。其中，丙二醇-2-單甲基醚乙酸酯(PGMEA)和乳酸乙酯(EL)的混合溶劑效果最佳。并且，通過溶解堿性化合物調(diào)整堿性，以提高顯像后的刻槽溝的溝寬的均勻性。
作為堿性化合物，只要是能與通過電子束照射使酸發(fā)生劑產(chǎn)生化學(xué)變化生成的酸性物質(zhì)發(fā)生中和反應(yīng)的物質(zhì)即可，沒有特別的限定，但最好使用例如，雙(2-羥乙基)亞氨基三(羥甲基)甲烷(Bis(2-hydroxyethyl)iminotris(hydroxymethyl)methane)(BisTris)、三異丙醇胺(Triisopropanolamine)(TIPA)等的、在旋轉(zhuǎn)涂覆后的熱處理中不蒸發(fā)的不揮發(fā)性堿性化合物比較合適。其中，雙(2-羥乙基)亞氨基三(羥甲基)甲烷(Bis(2-hydroxyethyl)iminotris(hydroxymethyl)methane)(BisTris)在顯像后的電子線感應(yīng)抗蝕膜的側(cè)壁角陡峭而非常適合。以下表示堿性化合物的具體實例。
Bis-Tris雙(2-羥乙基)亞氨基、三(羥甲基)甲烷 TIPA三異丙醇胺為了提高由旋轉(zhuǎn)涂覆形成的電子線感應(yīng)抗蝕膜的膜厚的均勻性，最好在溶劑里添加微量的表面活性劑。表面活性劑里含有氟，在涂覆時抑制條紋的發(fā)生效果明顯而較為合適。
下面說明使用原盤照射裝置100，從被電子束照射的原盤21制作信息記錄媒體用原盤的方法。
將利用電子束照射、在電子線感應(yīng)抗蝕膜上形成規(guī)定隱像的原盤21，放在加熱板上從下面加熱，使對電子束感應(yīng)抗蝕膜的電子束19照射的區(qū)域的極性發(fā)生變化。緊接著，以堿性顯像液溶解極性發(fā)生了變化的電子束照射區(qū)域，得到抗蝕圖案。
顯像液只要是能夠溶解產(chǎn)生了極性變化的電子束感應(yīng)抗蝕膜的物質(zhì)即可，沒有特別的限定。最好是例如，氫氧化四甲銨(tetra-methyl-ammonium-hydroxide)(TMAH)水溶液、氫氧化鈉(NaOH)水溶液、氫氧化鉀(KOH)水溶液、磷酸緩沖液以及它們的混合物等。其中，氫氧化四甲銨(tetra-methyl-ammonium-hydroxide)(TMAH)水溶液在顯像后的電子束感應(yīng)抗蝕膜的側(cè)壁角陡峭而非常適合。
在這樣做成的電子束感應(yīng)抗蝕圖案的表面上形成導(dǎo)電膜后，進行電鍍鎳，通過從轉(zhuǎn)印了電子束感應(yīng)抗蝕圖案的信息記錄媒體用原盤上剝離鍍鎳層，從而可得到信息記錄媒體用原模。
本實施例中，為了得到作為目的的波束直徑，雖有必要增加電子束19的加速電壓，但通常，與加速電壓的提高相反，電子束感應(yīng)抗蝕膜的靈敏度下降。這樣的電子束感應(yīng)抗蝕膜的靈敏度下降，雖可以通過增加形成在原盤21上的電子束感應(yīng)抗蝕膜的膜厚來提高，但要能作到可充分保證原盤21上所形成的刻槽溝的深度和靈敏度的電子束感應(yīng)抗蝕膜的膜厚的必然一致卻是困難的。因此，最好將在原盤21上以電子束感應(yīng)抗蝕膜形成的抗蝕圖案作為蝕刻掩模，使用反應(yīng)性離子蝕刻等蝕刻方法，將以電子束感應(yīng)抗蝕膜所形成的刻槽溝的形狀轉(zhuǎn)印到原盤21上。
反應(yīng)性離子蝕刻所使用的氣體，只要是相對于電子束感應(yīng)抗蝕膜的蝕刻速度的原盤21的蝕刻速度，即蝕刻選擇比在1.0以上的氣體即可，沒有特別的限定。例如，CHF3、C2F6等的炭化氟氣體，它們的蝕刻選擇比都很大，比較合適。其中，C2F6的蝕刻速度的面內(nèi)均勻性良好，尤其合適。
緊接著，除去殘留在原盤21表面上的電子束感應(yīng)抗蝕膜，完成光信息記錄媒體用原盤的制作。電子束感應(yīng)抗蝕膜的除去方法，只要不會使原盤21上所轉(zhuǎn)印的形狀變壞即可，沒有特別限定。具體來說，可以利用氧等離子體清除、用有機溶劑來溶解，用堿溶液來溶解等。其中，在原盤上使用硅晶片的情況下，優(yōu)選不會引起硅晶片的化學(xué)蝕刻的氧等離子體清除。
在轉(zhuǎn)印了這樣做成的電子束感應(yīng)抗蝕圖案的信息記錄媒體用原盤的表面上形成導(dǎo)電膜后，進行電鍍鎳，通過從轉(zhuǎn)印了電子束感應(yīng)抗蝕圖案的信息記錄媒體用原盤上剝離鍍鎳層，從而得到信息記錄媒體用原模。
信息記錄媒體通常使用這樣做成的光信息記錄媒體用原模，例如，通過進行聚碳酸酯樹脂等的注射成型，在得到表面上形成了轉(zhuǎn)印有電子束感應(yīng)抗蝕圖案的記錄軌道的基板之后，在該基板上疊層制造記錄層等規(guī)定的各層。
使用由本實施例所使用的原盤照射裝置100制造的信息記錄媒體用原盤做成的信息記錄媒體，如上所述，在形成轉(zhuǎn)印有電子束感應(yīng)抗蝕圖案的螺旋狀或同心圓狀的記錄軌道的基板上，具有以規(guī)定寬度同心圓狀劃分的多個記錄區(qū)域，在被劃分的這些記錄區(qū)域的邊界部上，設(shè)置有基板的半徑方向的寬度在10軌道以下的過渡區(qū)域。
在過渡區(qū)域或過渡區(qū)域的附近，最好還具有可實現(xiàn)同步的再同步控制標(biāo)記，在原盤21上照射電子束19，就可以對在半徑方向上形成按同心圓狀劃分的多個記錄區(qū)域時產(chǎn)生的、源于記錄區(qū)域的邊界的半徑位置附近的轉(zhuǎn)數(shù)變更引起的轉(zhuǎn)動誤差進行修正。
設(shè)置在信息記錄媒體具有的基板的內(nèi)周側(cè)的、所劃分的記錄區(qū)域的寬度最好比設(shè)置在基板的外周側(cè)的、所劃分的記錄區(qū)域的寬度要小。各記錄區(qū)域的寬度，最好是設(shè)置在基板的內(nèi)周側(cè)的、所劃分的記錄區(qū)域的寬度要比設(shè)置在基板的外周側(cè)的、所劃分的記錄區(qū)域的寬度要小。并且，基板上按規(guī)定的寬度同心圓狀地劃分的各個記錄區(qū)域的外周側(cè)的半徑位置和內(nèi)周側(cè)的半徑位置之比最好在1.3以下。
這樣，若采用本實施例，通過使原盤21上電子束照射區(qū)域的每單位時間的電子束照射量保持一定，就能抑制電子束19的軸的變動，并且通過使轉(zhuǎn)動速度固定，就能進行轉(zhuǎn)動誤差少的轉(zhuǎn)動控制，從而可保持電子束19照射的信息的高記錄位置精度。
另外，通過提高記錄位置精度，就能制造控制了相鄰軌道之間的干擾和振動的位相干涉的高密度記錄媒體。進而，匯聚在盤的規(guī)定角度上，就可以記錄控制信號及地址信息，從而可制造存取速度快的大容量信息記錄媒體。
進而，將原盤21在半徑方向上按同心圓狀劃分成多個記錄區(qū)域，通過采用越靠近外周側(cè)的記錄區(qū)域轉(zhuǎn)數(shù)越提高的結(jié)構(gòu)，與原來的CAV方式比較，可減少電子束19的照射時間，并可穩(wěn)定地制造信息記錄媒體。
實施例以下根據(jù)實施例更詳細(xì)地說明本發(fā)明的實施方式。并且，本實施方式不限定于這些實施例。
(1)信息記錄媒體用原盤的制造首先，說明電子束感應(yīng)抗蝕膜的制造。
將200mg的三氟甲基磺酸三苯基锍鹽(Triphenylsulfonium triflate)，及重量平均分子量對數(shù)平均分子量之比率在1.2以下的分子量分散少的聚甲基丙烯酸甲酯10g溶解在54g的PGMEA和乳酸乙酯的混合溶劑中后得到的5.40g的溶液1，取雙(2-羥乙基)亞氨基三(羥甲基甲烷)(2-hydroxyethyl)iminotris(hydroxymethyl)methane)0.79g溶解在100g乳酸乙酯中得到的0.22g的溶液2，作為表面活性劑取2g的的住友3M公司制的FC-430，用100g的PGMEA稀釋得到的0.029g的溶液3，將它們相互混合，配制出電子束感應(yīng)抗蝕劑。將該電子束感應(yīng)抗蝕劑旋轉(zhuǎn)涂覆在硅晶片上，通過在加熱板上在110℃下加熱2分鐘，從而得到在硅晶片上形成膜厚80nm的電子束感應(yīng)抗蝕膜的原盤。
其次，說明原盤照射。
利用電子束照射裝置，在加速電壓為50kV、聚焦半角為9mrad、光束電流為225nA的條件下，通過使每單位時間的電子束照射量保持一定，從而在上述硅晶片上形成的電子束感應(yīng)抗蝕膜上按后述的布局形成潛像。
即，如后述的表1～表4所示，在原盤的半徑方向上預(yù)先設(shè)定有規(guī)定的寬度的同心圓狀劃分的多個記錄區(qū)域，在各個記錄區(qū)域按照規(guī)定的一定轉(zhuǎn)數(shù)轉(zhuǎn)動原盤，利用在各記錄區(qū)域中一定的電子束照射量，對與信息記錄媒體具有規(guī)定溝寬的軌道相對應(yīng)的部分進行電子束照射。轉(zhuǎn)數(shù)如表1～表4所示，在各個記錄區(qū)域呈階梯狀地變化。各記錄區(qū)域的原盤半徑方向上規(guī)定的寬度，在表1和表4中是5mm，在表2和表3中，則向原盤的外周方向增大。此外，在表3和表4中所示的暴光條件下，通過高頻振動進行電子束照射，進行使信息記錄媒體的軌道的溝寬保持一定的操作。并且，各記錄區(qū)域的邊界部分上設(shè)置用于使隨著每個區(qū)域上變化的轉(zhuǎn)數(shù)而變動的信號達到同步的過渡區(qū)域(寬度10軌道左右)。
然后，將完成電子束照射的硅晶片利用加熱板從下面加熱，使電子束感應(yīng)抗蝕膜的照射了電子束的區(qū)域的極性發(fā)生變化。用顯像液(東京應(yīng)化工業(yè)株式會社制NMD-3的稀釋溶液)對其進行顯像，通過溶解極性發(fā)生變化的區(qū)域，得到在硅晶片上形成的抗蝕圖案。接著，將電子束感應(yīng)抗蝕圖案作為蝕刻掩模，通過使用了C2F6氣體的反應(yīng)性離子蝕刻，將電子束感應(yīng)抗蝕圖案轉(zhuǎn)印到原盤上。并且通過利用氧等離子體清除，除去殘留的電子束感應(yīng)抗蝕膜，從而得到硅晶片制的光信息記錄媒體用原盤。
(2)信息記錄媒體的制作首先，說明聚碳酸酯基板的制作。
在上述的硅晶片制的光信息記錄媒體用原盤上，利用濺射法形成鎳導(dǎo)電膜之后，利用電鍍形成平均290μm的鎳膜。然后剝離硅晶片和鎳膜，得到光信息記錄媒體用原模。并且，通過聚碳酸酯樹脂的注射成型，得到在表面上形成電子束感應(yīng)抗蝕圖案的聚碳酸酯基板。
其次，說明信息記錄媒體的層狀結(jié)構(gòu)。
圖4是實施例中使用的信息記錄媒體的說明圖。圖4所示的信息記錄媒體400具有膜面入射型磁籌擴大媒體的示意結(jié)構(gòu)，在透明基板41上依次疊層有散熱層42、記錄層43、永磁層44、觸發(fā)層45、再生層46及增強層47，并在最外層形成保護涂層48。
透明基板41使用從上述的信息記錄媒體用原盤制成的原模，用注射成型法成形的聚碳酸酯基板。散熱層42是調(diào)整記錄再生時媒體的熱靈敏度的層，通過使用Al合金靶材料的濺射裝置，將膜厚調(diào)制成40nm。記錄層43是將信息作為磁化信息記錄的層，是使用從室溫到居里溫度具有過渡金屬優(yōu)勢的垂直磁化的TbFeCo構(gòu)成。記錄層43使用Tb、Fe、Co的單體靶材料同時濺射，具有補償溫度約為25℃、居里溫度為250℃的膜組成，膜厚為60nm。
永磁層44由Gd構(gòu)成，它是用于調(diào)整記錄層43和觸發(fā)層45兩者的靜磁性結(jié)合力的層。觸發(fā)層45由過渡金屬優(yōu)勢的TbFe構(gòu)成。觸發(fā)層45使用Tb、Fe的單體靶材料同時濺射，具有補償溫度在室溫以下的膜組成，膜厚為10nm。再生層46是從記錄層43轉(zhuǎn)印的磁籌擴大了的層，它由從室溫到居里溫度具有稀土類金屬優(yōu)勢的垂直磁化膜GdFeCo構(gòu)成。再生層46的成膜是使用Gd、Fe、Co的單體組成的靶材料同時濺射，通過控制對各靶材料供給的電力之比來調(diào)整膜組成。再生層46是垂直磁化膜，通過調(diào)節(jié)膜組成使其居里溫度約為260℃，補償溫度在居里溫度以上，膜厚為30nm。增強層47是用于使再生用光束在層內(nèi)進行多重干擾，以便有效地增加所檢測出的該(カ—)回轉(zhuǎn)角的層，它由SiN構(gòu)成。增強層47的成膜是使用Si作為靶材料，在Ar及氮環(huán)境下進行成膜，膜厚為35nm。保護涂層48是在增強層47上涂覆丙烯系的紫外線硬化型樹脂組成物，之后再通過紫外線照射使其硬化后形成，膜厚為15μm。
(3)比特錯誤率的測定對于用上述的方法制作而成的信息記錄媒體400上所形成的軌道的溝寬，按下面的順序測定比特錯誤率(錯誤發(fā)生的比特數(shù)對總的比特數(shù)之比)。圖5是比特錯誤率的測定裝置的說明圖。在此，使用了具有波長為405nm的激光和數(shù)值孔徑為0.85的物鏡的光磁盤驅(qū)動器。并且省略了伺服電路和光學(xué)系統(tǒng)等。圖5所示的比特錯誤率測定裝置500具有輸出光磁信號57的光驅(qū)頭51，分別輸出模擬隨機圖案信號53和與模擬隨機圖案信號53同步的激光脈沖信號54的比特錯誤分析器52，將模擬隨機圖案信號53變換成調(diào)制磁場的線圈驅(qū)動器55，將激光脈沖信號54變換成調(diào)制激光脈沖的激光驅(qū)動器56，處理從光驅(qū)頭51輸出的光磁信號57的帶通濾波器58及均衡器59。
下面，說明比特錯誤率測定裝置500的記錄動作。首先，從比特錯誤分析器52輸出模擬隨機圖案信號53和與模擬隨機圖案信號53正好同步的激光脈沖信號54。這些信號經(jīng)過線圈驅(qū)動器55和激光驅(qū)動器56分別轉(zhuǎn)換成調(diào)制磁場和調(diào)制激光脈沖，通過將磁場和激光作用在信息記錄媒體上，從比特錯誤分析器52輸出的模擬隨機數(shù)據(jù)作為磁籌記錄在媒體上。在此使用磁場大小為300Oe、激光功率為8mW的光脈沖磁場調(diào)制方式。
接著說明比特錯誤率測定裝置500的再生動作。首先，加上1.5mW～2mW的再生功率以便適當(dāng)?shù)丶ぐl(fā)磁籌擴大動作。從光驅(qū)頭51輸出的光磁信號57由帶通濾波器58和均衡器59控制，以盡量減少所記錄的模擬隨機圖案信號53的錯誤。比特錯誤分析器52進行光磁信號57的AD變換，并且將該AD變換后的再生信號與記錄時使用的模擬隨機圖案信號53進行比較。由此測定記錄時使用的模擬隨機圖案信號53的比特錯誤率。
實施例1如表1所示，利用上述的原盤的電子束照射方法，在半徑方向上設(shè)置8個寬度為5mm的同心圓狀劃分的記錄區(qū)域，在各個記錄區(qū)域中，按表1所示的轉(zhuǎn)數(shù)轉(zhuǎn)動原盤，對通過進行電子束照射形成的信息記錄媒體測定比特錯誤率。
圖6是用于得到實施例1的信息記錄媒體的原盤的電子束照射條件的說明圖。在圖6中，橫軸是在硅晶片上形成電子束感應(yīng)抗蝕膜的原盤的半徑(圖中左側(cè)是內(nèi)周)，縱軸是在半徑方向上分別按寬度5mm劃分的記錄區(qū)域的轉(zhuǎn)數(shù)及線速度。
如表1所示，轉(zhuǎn)數(shù)在每個記錄區(qū)域上是一定的，設(shè)定為從原盤的外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)呈階梯式增加。各記錄區(qū)域的平均線速度是1.767(記錄區(qū)域4)～1.814(記錄區(qū)域2)，平均線速度的最大值和最小值之比是1.03，設(shè)定為基本保持一定。在半徑方向上均勻劃分的各個記錄區(qū)域中最內(nèi)周側(cè)的線速度和最外周側(cè)的線速度之比(各個記錄區(qū)域的最外周的線速度/各個記錄區(qū)域的最內(nèi)周的線速度)是1.09(記錄區(qū)域8)～1.25(記錄區(qū)域1)。表1中還表示了測定了包含各記錄區(qū)域的內(nèi)周側(cè)的軌道和外周側(cè)的軌道在內(nèi)的多個任意軌道的比特錯誤率的算術(shù)平均值。
此外，表1中，內(nèi)周半徑是各記錄區(qū)域的最內(nèi)周的半徑(單位mm)，外周半徑是各記錄區(qū)域的最外周的半徑(單位mm)，轉(zhuǎn)數(shù)是各劃分的區(qū)域的一定的轉(zhuǎn)數(shù)(單位rpm)，內(nèi)周線速度是各記錄區(qū)域的最內(nèi)周的線速度度(單位m/sec)，外周線速度是各記錄區(qū)域的最外周的線速度(單位m/sec)，平均線速度是半徑方向上均勻劃分的各個記錄區(qū)域中的最內(nèi)周側(cè)的線速度和最外周側(cè)的線速度的算術(shù)平均線速度(單位m/sec)。此外，后述的表2～表4也同樣如此。
表1

從表1所示的結(jié)果可知，各記錄區(qū)域的線速度，從內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)僅增大了一點，內(nèi)周部的比特錯誤率比外周部相對較高，但在整個信息記錄媒體上卻被抑制得很低。
實施例2如表2所示，利用上述的原盤照射方法，設(shè)置了11個記錄區(qū)域，以使各個記錄區(qū)域的最內(nèi)周側(cè)的線速度和最外周側(cè)的線速度之比(各個記錄區(qū)域的最外周的線速度/各個記錄區(qū)域的最內(nèi)周的線速度)在規(guī)定的范圍內(nèi)，在各個記錄區(qū)域中，以表2所示的轉(zhuǎn)數(shù)轉(zhuǎn)動的條件下，對于通過進行電子束照射形成的信息記錄媒體測定了比特錯誤率。各記錄區(qū)域的半徑方向的寬度設(shè)定為內(nèi)周側(cè)與外周側(cè)部比較更窄。
圖7是用于得到實施例2的信息記錄媒體的原盤的電子束照射條件的說明圖。圖7中，橫軸是在硅晶片上形成電子束感應(yīng)抗蝕膜的原盤的半徑(圖中左側(cè)是內(nèi)周)，縱軸是在半徑方向上分別按規(guī)定寬度劃分的記錄區(qū)域的轉(zhuǎn)數(shù)及線速度。
如表2所示，轉(zhuǎn)數(shù)在每個記錄區(qū)域是一定的，設(shè)定為從原盤的內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)減少。各記錄區(qū)域的平均線速度是1.769(記錄區(qū)域9)～1.825(記錄區(qū)域1)，平均線速度的最大值和最小值之比是1.03，設(shè)定為基本保持一定。半徑方向上按規(guī)定寬度劃分的各個記錄區(qū)域中，最內(nèi)周側(cè)的線速度和最外周側(cè)的線速度之比(各個記錄區(qū)域的最外周的線速度/各個記錄區(qū)域的最內(nèi)周的線速度)是1.10(記錄區(qū)域1)～1.11(記錄區(qū)域6等)。比特錯誤率的測定結(jié)果示于表2。
表2

從表2所示的結(jié)果可知，通過設(shè)定各劃分區(qū)域的半徑方向的寬度，使得內(nèi)周側(cè)與外周側(cè)部相比更窄，并且向著半徑方向?qū)挾仍龃?，從而轉(zhuǎn)數(shù)變化較大的內(nèi)周側(cè)的記錄區(qū)域的比特錯誤率可抑制得很低，其結(jié)果可進一步降低整個信息記錄媒體的比特錯誤率。
實施例3如表3所示，利用上述的原盤照射方法，設(shè)置了11個記錄區(qū)域，以使各個記錄區(qū)域的最內(nèi)周側(cè)的線速度與最外周側(cè)的線速度之比(各個記錄區(qū)域的最外周的線速度/各個記錄區(qū)域的最內(nèi)周的線速度)在規(guī)定的范圍內(nèi)，在各個記錄區(qū)域中，在以表3所示的轉(zhuǎn)數(shù)轉(zhuǎn)動的條件下，對于通過進行電子束照射形成的信息記錄媒體測定了比特錯誤率。各記錄區(qū)域的半徑方向的寬度設(shè)定為內(nèi)周側(cè)與外周側(cè)部相比更窄。
本實施例中，使各記錄區(qū)域的電子束的高頻振動的振幅(振動頻率為47.9MHz)從內(nèi)周向外周的偏轉(zhuǎn)量連續(xù)地增加為每個記錄區(qū)域20nm，使整個原盤表面的刻槽溝寬度保持一定。
圖8是用于得到實施例3的信息記錄媒體的原盤的電子束照射條件的說<p>表3網(wǎng)頁布局對象

2.6文檔分發(fā)如上面所描述的，為了在這個網(wǎng)頁網(wǎng)絡(luò)上進行有效的分發(fā)和永久保存，一個與用戶相關(guān)的頁面布局被與它所涉及的共享對象分開。
當(dāng)一個被訂閱的出版物已經(jīng)準(zhǔn)備好進行分發(fā)時，這個網(wǎng)頁出版服務(wù)器在網(wǎng)頁ID服務(wù)器12的幫助下為每一個頁面，頁面實例，文檔，和文檔實例分配一個唯一的ID。
這個服務(wù)器計算一組優(yōu)化的共享內(nèi)容子集，并且為每一個子集產(chǎn)生一個多播信道，然后將將承載這個布局所使用的共享內(nèi)容的多播信道的名字標(biāo)記到每一個與用戶相關(guān)的布局上。然后，這個服務(wù)器通過合適的頁面服務(wù)器將每一個用戶的布局單播到這個用戶的打印機，并且當(dāng)這個單播完成時，在這個規(guī)定的信道上多播這個共享的內(nèi)容。在接收到其單播后，每一個頁面服務(wù)器和打印機訂閱這個頁面布局中所規(guī)定的多播信率。本實施例中，使各記錄區(qū)域的電子束的高頻振動的振幅(振動頻率為47.9MHz)從內(nèi)周向外周的偏轉(zhuǎn)量連續(xù)地增加，從而使整個原盤表面的刻槽溝寬度基本保持一定。
圖9是用于得到實施例4的信息記錄媒體的原盤的電子束照射條件的說明圖。圖9中，橫軸是在硅晶片上形成電子束感應(yīng)抗蝕膜的原盤的半徑(圖中左側(cè)是內(nèi)周)，縱軸是在半徑方向上分別按寬度5mm劃分的記錄區(qū)域的轉(zhuǎn)數(shù)、線速度及偏轉(zhuǎn)量。
如表4所示，轉(zhuǎn)數(shù)在每個記錄區(qū)域是一定的，設(shè)定為從原盤的內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)減少。各記錄區(qū)域的平均線速度是1.979(記錄區(qū)域1)～1.865(記錄區(qū)域6)，平均線速度的最大值與最小值之比是1.06，設(shè)定為基本保持一定。在半徑方向上均勻劃分的各個記錄區(qū)域中，最內(nèi)周側(cè)的線速度與最外周側(cè)的線速度之比(各個記錄區(qū)域的最外周的線速度/各個記錄區(qū)域的最內(nèi)周的線速度)是1.25(記錄區(qū)域1)～1.09(記錄區(qū)域8)。比特錯誤率的測定結(jié)果示于表4。
從表4所示的結(jié)果可知，通過將各記錄區(qū)域的電子束的高頻振動的振幅設(shè)定為從內(nèi)周向外周增大偏轉(zhuǎn)量，從而可在信息記錄媒體的整個區(qū)域進一步降低比特錯誤率。
表4

這樣，若采用本實施例使用的信息記錄媒體用的原盤制造方法，則可抑制電子束的軸線的變動，并可保持信息的高記錄位置精度；進而，通過與控制電子束偏轉(zhuǎn)量的組合，則可實現(xiàn)在信息記錄媒體的整個面上進一步降低比特錯誤率。
權(quán)利要求
1.一種信息記錄媒體用原盤制作方法，該方法使用原盤照射裝置對具有利用電子束照射產(chǎn)生極性變化的電子束感應(yīng)抗蝕膜的原盤照射電子束，形成螺旋狀或同心圓狀的軌道；上述原盤照射裝置具有照射電子束的電子束照射裝置，保持原盤并使其轉(zhuǎn)動的驅(qū)動裝置，使電子束照射裝置與原盤在水平方向的相對位置進行變動的變動裝置；其特征在于將上述電子束照射的區(qū)域劃分成在半徑方向上按同心圓狀劃分成的多個記錄區(qū)域，使上述原盤的電子束照射的區(qū)域在每單位時間的電子束照射量保持一定，控制所劃分的上述各個記錄區(qū)域的上述原盤的轉(zhuǎn)數(shù)使其保持一定。
2.如權(quán)利要求1中記載的信息記錄媒體用原盤制作方法，其特征在于在所劃分的上述記錄區(qū)域的邊界部上，控制轉(zhuǎn)數(shù)使其從外周所劃分的上述記錄區(qū)域向內(nèi)周所劃分的上述記錄區(qū)域呈階梯狀增加。
3.如權(quán)利要求1或2中記載的信息記錄媒體用原盤制作方法，其特征在于轉(zhuǎn)動的上述原盤所劃分的上述記錄區(qū)域的線速度的最大值與線速度的最小值之比控制在1.3以下。
4.如權(quán)利要求1至3中的任何1項記載的信息記錄媒體用原盤制作方法，其特征在于轉(zhuǎn)動的上述原盤所劃分的上述各個記錄區(qū)域間的平均線速度的最大值與平均線速度的最小值之比控制在1.1以下。
5.如權(quán)利要求1至4中的任何1項記載的信息記錄媒體用原盤制作方法，其特征在于設(shè)置在上述圓盤的內(nèi)周側(cè)所劃分的上述記錄區(qū)域的寬度比設(shè)置在上述圓盤的外周側(cè)所劃分的上述記錄區(qū)域的寬度更小。
6.如權(quán)利要求1至5中的任何1項記載的信息記錄媒體用原盤制作方法，其特征在于使用還具有使電子束在與上述軌道基本上垂直的方向上振動的電子束偏轉(zhuǎn)裝置的原盤照射裝置照射電子束，控制所劃分的上述各個記錄區(qū)域的上述電子束的偏轉(zhuǎn)量使其從內(nèi)周向外周增加。
7.一種信息記錄媒體用的原盤照射裝置，其特征在于，具有在具有利用電子束照射產(chǎn)生極性變化的電子束感應(yīng)抗蝕膜的原盤上，每單位時間照射一定量的電子束的電子束照射裝置，保持上述原盤并使其轉(zhuǎn)動的驅(qū)動裝置，變動電子束照射裝置與上述原盤的水平方向的相對位置的變動裝置，將上述原盤的電子束照射的區(qū)域劃分成在半徑方向上按同心圓狀劃分的多個記錄區(qū)域，使得所劃分的上述各個記錄區(qū)域的每單位時間的電子束照射量保持一定，并控制所劃分的各個記錄區(qū)域的上述原盤的轉(zhuǎn)數(shù)使其保持一定的控制裝置。
8.如權(quán)利要求7中記載的信息記錄媒體用的原盤照射裝置，其特征在于還具有控制裝置，從而控制在被劃分的上述記錄區(qū)域的邊界部上，從外周所劃分的上述記錄區(qū)域向內(nèi)周所劃分的上述記錄區(qū)域，轉(zhuǎn)數(shù)呈階梯狀增加。
9.如權(quán)利要求7或8中記載的信息記錄媒體用的原盤照射裝置，其特征在于進行所劃分的上述記錄區(qū)域的邊界部的上述原盤轉(zhuǎn)數(shù)的變更在10轉(zhuǎn)以內(nèi)。
10.如權(quán)利要求7至9中的任何1項記載的信息記錄媒體用的原盤照射裝置，其特征在于還具備進行上述原盤的轉(zhuǎn)動控制并輸出轉(zhuǎn)動的該原盤的角度信息的轉(zhuǎn)動角度信息輸出裝置。
11.如權(quán)利要求7至10中的任何1項記載的信息記錄媒體用的原盤照射裝置，其特征在于還具備控制上述電子束的偏轉(zhuǎn)量的偏轉(zhuǎn)控制裝置。
12.如權(quán)利要求11中記載的信息記錄媒體用的原盤照射裝置，其特征在于電子束的上述偏轉(zhuǎn)控制裝置采用靜電偏轉(zhuǎn)。
13.一種信息記錄媒體的制造方法，是制造具有規(guī)定的螺旋狀或同心圓狀的軌道的信息記錄媒體的制造方法，該方法具備形成具有規(guī)定的溝的信息記錄媒體用原盤的原盤形成工序，及形成用于轉(zhuǎn)印所形成的上述信息記錄媒體用原盤的溝的形狀的金屬鑄型的鑄型形成工序；其特征在于上述原盤形成工序使用規(guī)定的原盤照射裝置，該原盤照射裝置具有電子束照射裝置，改變電子束照射裝置與原盤的水平方向的相對位置的變動裝置，使上述原盤轉(zhuǎn)動的驅(qū)動裝置；使用上述電子束照射裝置對利用上述驅(qū)動裝置轉(zhuǎn)動的上述原盤表面的電子束感應(yīng)抗蝕膜照射電子束、使用上述變動裝置改變上述電子束照射裝置和上述原盤的水平方向的相對位置，使用上述電子束照射裝置照射電子束時，將上述原盤的上述電子束照射的區(qū)域劃分成在半徑方向上按同心圓狀劃分的多個記錄區(qū)域，并照射電子束使得上述原盤的電子束照射的區(qū)域的每單位時間的電子束照射量保持一定，上述原盤的上述轉(zhuǎn)數(shù)也保持一定。
14.一種信息記錄媒體，是在基板上形成螺旋狀或同心圓狀的記錄用軌道的信息記錄媒體，其特征在于，具有在上述基板上按規(guī)定的寬度同心圓狀地劃分的多個記錄區(qū)域，及設(shè)置在所劃分的上述各個記錄區(qū)域的邊界部的、在基板的半徑方向的寬度在10軌道以下的過渡區(qū)域。
15.如權(quán)利要求14中記載的信息記錄媒體，其特征在于所劃分的上述各個記錄區(qū)域的外周側(cè)的半徑位置和內(nèi)周側(cè)的半徑位置之比在1.3以下。
16.如權(quán)利要求14或15中記載的信息記錄媒體，其特征在于設(shè)置在上述基板的內(nèi)周側(cè)的、所劃分的上述記錄區(qū)域的寬度比設(shè)置在該基板的外周側(cè)的、所劃分的上述記錄區(qū)域的寬度更小。
全文摘要
涉及信息記錄媒體用原盤制作方法等。本發(fā)明提供一種利用電子束照射提高了記錄位置精度的信息記錄媒體用的原盤照射裝置。本發(fā)明的信息記錄媒體用的原盤照射裝置100具有對具有利用電子束照射產(chǎn)生極性變化的電子束感應(yīng)抗蝕膜的原盤(21)，每單位時間照射一定量的電子束(19)的電子束照射裝置，保持上述原盤(21)使并使其轉(zhuǎn)動的驅(qū)動裝置，變動電子束照射裝置和原盤(21)的水平方向的相對位置的變動裝置，在利用電子束照射裝置照射電子束(19)時根據(jù)相對位置控制原盤(21)的轉(zhuǎn)數(shù)的原盤轉(zhuǎn)動控制裝置。如采用這種原盤照射裝置(100)，則可制作降低了整個原盤21的記錄軌道的溝寬的變動及噪音水平的信息記錄媒體用原盤。
文檔編號G11B7/26GK1681012SQ200510063539
公開日2005年10月12日 申請日期2005年4月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月9日
發(fā)明者近禪, 杉山壽紀(jì), 井戶寬 申請人:日立麥克賽爾株式會社