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再現(xiàn)記錄在光盤上的信息的裝置的制作方法

文檔序號:6762984閱讀:104來源:國知局
專利名稱:再現(xiàn)記錄在光盤上的信息的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及用于記錄版權(quán)內(nèi)容信息的光盤,和再現(xiàn)記錄在光盤內(nèi)的版權(quán)內(nèi)容信息的方法和裝置。
背景技術(shù)
在近年來的多媒體社會中,光盤諸如CD-ROM和DVD已經(jīng)得到引入注目的應(yīng)用。隨著光盤的廣泛使用一種所謂的盜版的ROM盤出現(xiàn),并通過非法的手段對光盤進(jìn)行制作翻印的復(fù)制,利用欺詐方法使盜版者得到版權(quán)所有人的利益。盜版的百分比在迅速地增加。光盤的非法復(fù)制由下述的方式。通常,盜版者購買由主管部門核準(zhǔn)的光盤,利用光驅(qū)通過再現(xiàn)記錄在光盤上的信息來制作主文件帶,并利用與普通的光盤制造方法同樣的方法由主文件帶批量生產(chǎn)盜版的復(fù)制品。
為了阻止上述的非授權(quán)的復(fù)制,將某些光盤設(shè)計成使他們只有專門對光盤進(jìn)行設(shè)計的人員才能對他們進(jìn)行復(fù)制。作為這種類型的光盤,例如由日本待公開的專利NO.7-85574所披露的一種方法,該方法包含利用一個預(yù)定的編碼器將主信息記錄在光記錄介質(zhì)上,并以條碼符號的形式將解碼主信息用的指示解碼器的關(guān)鍵信息儲存在鏡面區(qū)等區(qū)域內(nèi),再用再現(xiàn)裝置讀出關(guān)鍵信息,再利用由關(guān)鍵信息所指示編碼方法解碼和再現(xiàn)主信息等步驟。
上述的制止非授權(quán)的復(fù)制方法具有非常好的優(yōu)點(diǎn),它可以使一般的光盤使用者不能復(fù)制光盤。然而,所述的方法不能制止進(jìn)行不包含再現(xiàn)操作復(fù)制的復(fù)制手段,即,利用物理方式的復(fù)制或?qū)⒂涗浶盘枖?shù)據(jù)的凹—凸信號數(shù)據(jù)坑轉(zhuǎn)引到光盤表面上的復(fù)制手段。也就是,所述的復(fù)制方法不需要使用再現(xiàn)的手段,即使記錄在光盤上的原始信號數(shù)據(jù)是不純的和復(fù)雜的也可如原樣地復(fù)制光盤的凹—凸信號數(shù)據(jù)坑。所以,所述的制止非授權(quán)的復(fù)制的方法是不能用的。

發(fā)明內(nèi)容
由此,本發(fā)明的主要目的在于,提供一種光盤,它具有能制止對記錄在所述光盤表面上的信號數(shù)據(jù)的凹—凸信號數(shù)據(jù)坑用物理方法復(fù)制的手段。
本發(fā)明的其它目的還在于,提供一種再現(xiàn)記錄在光盤上的信息的方法和裝置,他們具有能夠制止將記錄在光盤表面上的信號數(shù)據(jù)的凹—凸坑用物理方法復(fù)制的手段。
為了實(shí)現(xiàn)上述的目的,按照本發(fā)明的一個方面,提供一種光盤,它用于記錄按預(yù)定的調(diào)制方法調(diào)制的并以凹—凸坑形式的信號數(shù)據(jù),所述的光盤包含第一區(qū)域,具有部分去除的反射膜;第二區(qū)域,用于記錄數(shù)據(jù)坑,所述的數(shù)據(jù)坑是不同于滿足預(yù)定調(diào)制方法要求的坑的數(shù)據(jù)坑。
按本方面的其它方面,提供一種光盤,用于記錄按預(yù)定的調(diào)制方法調(diào)制的以凹—凸數(shù)據(jù)坑形式的信號數(shù)據(jù),所述的光盤包含第一區(qū)域,具有部分去除的反射膜;第二區(qū)域,用于記錄數(shù)據(jù)坑,所述的數(shù)據(jù)坑是不同于滿足預(yù)定調(diào)制方法要求的坑的數(shù)據(jù)坑。
第一區(qū)域的位置信息記錄區(qū),用于記錄第一區(qū)在盤上的位置信息;第二區(qū)域的位置信息記錄區(qū),用于記錄第二區(qū)在盤上的位置信息;在上述的光盤中,具有部分去除反射膜的第一區(qū)域最好包含在用于記錄使用者數(shù)據(jù)的使用者數(shù)據(jù)記錄區(qū)內(nèi)。
在上述的光盤中,具有部分去除反射膜的第一區(qū)域最好在光盤的圓周方向包含一個部分,該部分由去除的反射膜形成,并使其長度大于由調(diào)制方法的要求所確定的最大的坑長度。
在上述的光盤中,每個記錄在第二區(qū)內(nèi)的數(shù)據(jù)坑最好長于由調(diào)制方法所確定的最大的坑長度。
其中,使每個記錄在第二區(qū)內(nèi)的坑的中心邊緣受到傾斜,其傾斜的程度逐步地大于每個坑的端部邊緣的。
在上述的光盤中,所述的第一區(qū)域位置信息記錄區(qū)和第二區(qū)域位置信息記錄區(qū)最好被記錄在一個除了用于記錄使用者數(shù)據(jù)的使用者數(shù)據(jù)記錄區(qū)外的區(qū)域內(nèi)。
按本方面的其它方面,提供一種再現(xiàn)記錄在光盤上的信息的方法,所述的光盤提供用于記錄按照預(yù)定的調(diào)制方法調(diào)制的以凹—凸坑的形式的信號數(shù)據(jù),所述的光盤包含具有部分去除反射膜的第一區(qū)域,和用于記錄數(shù)據(jù)坑的第二區(qū),所述的坑不同于滿足預(yù)定的調(diào)制方法要求的坑。
所述方法的步驟是根據(jù)第一區(qū)域的再現(xiàn)信號,探測具有部分去除反射膜的第一區(qū)域;根據(jù)第二區(qū)域的再現(xiàn)信號,探測不同于滿足預(yù)定調(diào)制方法要求的數(shù)據(jù)坑的坑信息;和依據(jù)由二個探測步所探測的結(jié)果,判斷記錄在光盤上的信息是否受到再現(xiàn)。
根據(jù)本發(fā)明的還有的方面,提供一種再現(xiàn)記錄在光盤上的信息的方法,所述的光盤提供按照預(yù)定的調(diào)制記錄方法調(diào)制的以凹—凸數(shù)據(jù)坑的形式記錄的信號數(shù)據(jù),所述的光盤包含一個具有部分去除反射膜的第一區(qū)域,以及一個第二區(qū)域,它用于記錄不同于滿足預(yù)定的調(diào)制方法要求的數(shù)據(jù)坑的坑,一個用于記錄盤上第一區(qū)域的位置信息的第一區(qū)域位置信息記錄區(qū),和一個用于記錄盤上第二區(qū)域的位置信息的第二區(qū)域位置信息記錄區(qū),所述的方法包含下述的步驟按照在第一區(qū)域位置信息記錄區(qū)內(nèi)記錄的盤上的第一區(qū)域的位置信息,再現(xiàn)在第一區(qū)域內(nèi)記錄的信息,并輸出第一區(qū)域再現(xiàn)的信號;按照在第二區(qū)域位置信息記錄區(qū)內(nèi)記錄的盤上的第二區(qū)域的位置信息,再現(xiàn)在第二區(qū)域內(nèi)記錄的信息,并輸出第二區(qū)域再現(xiàn)的信號;按照第一區(qū)域的再現(xiàn)信號探測具有部分去除反射膜的區(qū)域;
根據(jù)第二區(qū)域的再現(xiàn)信號,探測一個不同于滿足預(yù)定調(diào)制方法要求的數(shù)據(jù)坑的坑;根據(jù)由上述二個探測步所探測的結(jié)果,判斷是否記錄在光盤上的信息受到再現(xiàn)。
在上述的方法中,再現(xiàn)記錄在第一區(qū)域內(nèi)的步驟最好包含,再現(xiàn)以離焦?fàn)顟B(tài)記錄在第一區(qū)域內(nèi)的信息。
在上述的方法中,再現(xiàn)記錄在第一區(qū)域內(nèi)的步驟最好包含,通過尋找位于二個相鄰軌道之間的區(qū)域,再現(xiàn)以離焦?fàn)顟B(tài)記錄在第一區(qū)域內(nèi)信息的步驟。
在上述的方法中,探測具有部分去除反射膜的區(qū)域的步驟最好包含,探測是否在二個相鄰軌道上反射膜已被去除的步驟。
根據(jù)本發(fā)明的還有的方面,提供一種用于再現(xiàn)記錄在光盤上的信息的裝置,所述的光盤提供按照預(yù)定的調(diào)制方法調(diào)制的以凹—凸數(shù)據(jù)坑形式記錄信號數(shù)據(jù),所述的光盤包含一個具有部分去除反射膜的第一區(qū)域,以及一個第二區(qū),用于記錄不同于滿足預(yù)定的調(diào)制方法要求的數(shù)據(jù)坑的坑,所述的裝置包含一個第一區(qū)探測電路,用于依據(jù)從光盤再現(xiàn)的信號根據(jù)記錄在第一區(qū)內(nèi)的再現(xiàn)信息探測第一區(qū)域,并輸出第一探測信號;一個第二區(qū)探測電路,用于依據(jù)從光盤再現(xiàn)的信號根據(jù)記錄在第二區(qū)內(nèi)的再現(xiàn)信息探測第二區(qū)域,并輸出第二探測信號;和判斷裝置,用于依據(jù)第一和第二探測信號,判斷是否在光盤上記錄的信息受到再現(xiàn)。
按照本發(fā)明的還有的方面,提供一種再現(xiàn)記錄在光盤上的信息的裝置,所述的光盤提供依據(jù)預(yù)定的調(diào)制方法調(diào)制的以凹—凸坑的形式記錄的信號數(shù)據(jù),所述的光盤包含,具有一個部分去除反射膜的第一區(qū)域,一個第二區(qū)域,用于記錄不同于滿足預(yù)定調(diào)制方法要求的數(shù)據(jù)坑的坑,一個第一區(qū)域位置信息記錄區(qū),用于記錄盤上第一區(qū)域的位置信息,和一個第二區(qū)域位置信息記錄區(qū),用于記錄盤上第二區(qū)域的位置信息,所述的裝置包含一個第一探測觸發(fā)產(chǎn)生電路,用于依據(jù)記錄在第一區(qū)域位置信息記錄區(qū)的光盤上的第一區(qū)域位置信息產(chǎn)生一個第一探測觸發(fā)信號;一個第二探測觸發(fā)產(chǎn)生電路,用于依據(jù)記錄在第二區(qū)域位置信息記錄區(qū)的光盤上的第二區(qū)域位置信息產(chǎn)生一個第二探測觸發(fā)信號;一個第一區(qū)域探測電路,用于按照來自光盤的再現(xiàn)信號依據(jù)在第一區(qū)域內(nèi)記錄的再現(xiàn)信息探測第一區(qū)域,并輸出一個第一探測信號;一個第二區(qū)域探測電路,用于按照來自光盤的再現(xiàn)信號依據(jù)在第二區(qū)域內(nèi)記錄的再現(xiàn)信息探測第二區(qū)域,并輸出一個第二探測信號;判斷裝置,用于依據(jù)在第一探測觸發(fā)信號的有效時間間隔內(nèi)的第一探測信號,和在第二探測觸發(fā)信號的有效時間間隔內(nèi)的第二探測信號來判斷是否光盤上記錄的信息受到再現(xiàn)。
在上述的裝置中,第一區(qū)域探測電路最好包含一個第一比較器,用于將來自光盤的并再現(xiàn)記錄在第一區(qū)域內(nèi)信息的再現(xiàn)信號與預(yù)定的第一閾值進(jìn)行比較,同時輸出一個第一比較結(jié)果信號。
在上述的裝置中,第二區(qū)域探測電路最好包含一個第二比較器,用于將來自光盤的并再現(xiàn)記錄在第一區(qū)域內(nèi)信息的再現(xiàn)信號與預(yù)定的第二閾值進(jìn)行比較,同時輸出一個第二比較結(jié)果信號。
一個第三比較器,用于將來自光盤的并再現(xiàn)記錄在第二區(qū)域內(nèi)信息的再現(xiàn)信號與預(yù)定的第三閾值進(jìn)行比較,同時輸出一個第三比較結(jié)果信號。
一個算術(shù)邏輯電路,用于在第二比較結(jié)果信號和第三比較結(jié)果信號之間進(jìn)行邏輯運(yùn)算,并輸出一個邏輯運(yùn)算結(jié)果信號。
在上述的裝置中,第一區(qū)域探測電路最好依據(jù)來自光盤的再現(xiàn)信號探測第一區(qū)域有關(guān)記錄在第一區(qū)內(nèi)軌道上的再現(xiàn)信息,并探測來自光盤的有關(guān)在第一區(qū)內(nèi)其它軌道和相鄰于該軌道上記錄的再現(xiàn)信息的再現(xiàn)信號,并輸出第一探測信號。
按照本發(fā)明的其它的方面,提供一種再現(xiàn)記錄在光盤上的信息的方法,所述的光盤提供依據(jù)預(yù)定的調(diào)制方法調(diào)制的以凹—凸坑的形式記錄的信號數(shù)據(jù),所述的光盤包含具有部分去除反射膜的第一區(qū)域,所述的方法包含下述的步驟依據(jù)來自光盤的再現(xiàn)信號探測第一區(qū)域有關(guān)記錄在該區(qū)域內(nèi)的再現(xiàn)信息,并輸出第一探測信號;
依據(jù)第一探測信號判斷是否記錄在光盤上的信息受到再現(xiàn)。
在上述的方法中,探測第一區(qū)域和輸出第一探測信號的步驟最好包含如下的步驟依據(jù)來自光盤的再現(xiàn)信號探測第一區(qū)域的有關(guān)記錄在該區(qū)內(nèi)軌道上的再現(xiàn)信息,和依據(jù)來自光盤的有關(guān)再現(xiàn)記錄在第一區(qū)內(nèi)其它軌道上和相鄰于該軌道上的再現(xiàn)信息的再現(xiàn)信號,并輸出第一探測信號。
在上述的方法中,探測第一區(qū)域和輸出第一探測信號的步驟最好包含如下的步驟依據(jù)第一數(shù)據(jù)數(shù)是否從預(yù)定的扇區(qū)記址到所探測的第一區(qū)域來判斷是否第一區(qū)域已被探測,它是根據(jù)來自光盤的有關(guān)記錄在第一區(qū)域的軌道上的再現(xiàn)信號進(jìn)行計數(shù),基本上與從該扇區(qū)記址到所探測的第一區(qū)的第二數(shù)據(jù)數(shù)相一致,它還根據(jù)來自光盤的有關(guān)記錄在第一區(qū)域的其它軌道和相鄰該軌道上的再現(xiàn)信號進(jìn)行計數(shù)。
根據(jù)本發(fā)明的還有的方面,提供一種再現(xiàn)記錄于光盤上的信息的裝置,所述的光盤提供按照預(yù)定的調(diào)制方法調(diào)制的并以凹—凸坑的形式記錄信號的數(shù)據(jù),所述的光盤包含具有去除反射膜的第一區(qū)域,所述的裝置包含探測裝置,用于依據(jù)來自光盤的再現(xiàn)信號探測有關(guān)記錄在第一區(qū)域內(nèi)的再現(xiàn)信息的第一區(qū)域,并輸出一個第一探測信號。
判斷裝置,用于按照第一探測信號判斷是否記錄在光盤內(nèi)的信息受到再現(xiàn)。
在上述的裝置中,探測裝置最好依據(jù)來自光盤的再現(xiàn)信號探測有關(guān)記錄在第一區(qū)內(nèi)軌道上的再現(xiàn)信息的第一區(qū)域,并探測來自光盤的有關(guān)記錄在第一區(qū)域內(nèi)其它軌道和相鄰軌道上的再現(xiàn)信息的再現(xiàn)信號,并輸出第一探測信號。
在上述的裝置中,探測裝置最好依據(jù)是否從預(yù)定扇區(qū)地址到探測的第一區(qū)域的第一數(shù)據(jù)數(shù)來判斷是否第一區(qū)域受到探測,它的計數(shù)是基于來自光盤的有關(guān)記錄在第一區(qū)軌道內(nèi)的再現(xiàn)信息的再現(xiàn)信號,所述的第一數(shù)據(jù)數(shù)基本上與來自扇區(qū)地址和探測的第一區(qū)的第二數(shù)據(jù)數(shù)相一致,第二數(shù)據(jù)數(shù)的計數(shù)是依據(jù)光盤的有關(guān)記錄在第一區(qū)內(nèi)其它軌道和相鄰軌道上的再現(xiàn)信息的再現(xiàn)信號進(jìn)行的。


本發(fā)明的各種目的和特征將參照附圖和結(jié)合實(shí)施例通過下述的描述變得更為清楚,附圖中的相同的部件采用相同的標(biāo)號,其中,圖1表示按照本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施例的光盤1的平面結(jié)構(gòu)的平面視圖;圖2表示圖1中光盤1的截面結(jié)構(gòu)的截面視圖;圖3表示圖1中光盤1的第一區(qū)域2的截面結(jié)構(gòu)的截面視圖;圖4表示圖1中光盤1的第二區(qū)域3的放大視圖和表示長的數(shù)據(jù)坑107的平面結(jié)構(gòu)的平面視圖;圖5表示形成圖1所示光盤的非反射部分106的方法的截面圖和方框圖;圖6A,6B和6C表示在圖1所示光盤1的非反射部分106的區(qū)域內(nèi)再現(xiàn)信息時所獲得的再現(xiàn)信號的信號波形圖,其中,信號波形正比于對于周長的發(fā)射光的強(qiáng)度,其中圖6A表示在低調(diào)制度時再現(xiàn)信號的信號波形的波形圖,圖6B表示在高調(diào)制度時再現(xiàn)信號的信號波形的波形圖,圖6C表示在高調(diào)制度和離焦?fàn)顟B(tài)時再現(xiàn)信號的信號波形的波形圖;圖7表示用于本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例中的第一區(qū)域探測電路23a的結(jié)構(gòu)的方框圖;圖8表示形成在圖1所示的光盤1的第二區(qū)域內(nèi)的長數(shù)據(jù)坑107的平面結(jié)構(gòu)的平面圖;圖9A和9B表示圖8所示的長數(shù)據(jù)坑107的截面結(jié)構(gòu)視圖,其中,圖9A表示在圖8的位于長坑107的中心沿著A-A’線的截面視圖,圖9B表示在圖8的位于長坑107的中心沿著B-B’線的截面視圖;圖10表示用于本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施例的第二區(qū)域探測電路24a的結(jié)構(gòu)方框圖;圖11A,11B和11C表示利用圖10所示的第二區(qū)域探測電路24a探測第二區(qū)域的方法,其中,圖11A表示在包含長坑107區(qū)的區(qū)域內(nèi)再現(xiàn)信號的信號波形圖,圖11B表示從圖10所示的比較器8輸出信號CV1的信號波形的波形圖,它是利用第一閾值電壓V1th,圖11C表示從圖10所示的比較器9輸出信號CV2的信號波形的波形圖,它是利用第一閾值電壓V2th;圖12表示在再現(xiàn)每個光盤上的非反射部分106的區(qū)域和長坑107的區(qū)域內(nèi)的信息時所獲取的再現(xiàn)信號的信號波形的圖形表,其中,圖12(a)表示按照本發(fā)明的第一實(shí)施例在再現(xiàn)授權(quán)的光盤上的非反射部分106的區(qū)域和長坑107的區(qū)域內(nèi)的信息時所獲取的再現(xiàn)信號的信號波形的圖形表,圖12(b)表示在再現(xiàn)第一張盜制光盤上的非反射部分106的區(qū)域和長坑107的區(qū)域內(nèi)的信息時所獲取的再現(xiàn)信號的信號波形的圖形表,而圖12(c)表示在再現(xiàn)第二張盜制光盤上的非反射部分106的區(qū)域和長坑107的區(qū)域內(nèi)的信息時所獲取的再現(xiàn)信號的信號波形的圖形表;圖13表示按照本發(fā)明的第二優(yōu)選實(shí)施例的光盤1a的平面結(jié)構(gòu)的平面視圖;圖14表示在本發(fā)明的第二優(yōu)選實(shí)施例中所使用的第一區(qū)域探測電路23的結(jié)構(gòu)方框圖;圖15表示在本發(fā)明的第二優(yōu)選實(shí)施例中所使用的第二區(qū)域探測電路24的結(jié)構(gòu)方框圖;圖16表示在本發(fā)明的第三優(yōu)選實(shí)施例中所使用的第三光盤再現(xiàn)裝置的結(jié)構(gòu)方框圖;圖17表示探測使用在圖16所示的光盤再現(xiàn)裝置中的第一區(qū)域2的方法,和表示從光盤1的圓周方向上的每個軌道到第一區(qū)域2的相關(guān)性的放大平面視圖;圖18表示利用圖16所示的系統(tǒng)控制器進(jìn)行探測和判斷第一區(qū)域的第一部分進(jìn)程的流程圖;圖19表示利用圖16所示的系統(tǒng)控制器進(jìn)行探測和判斷第一區(qū)域的第二部分進(jìn)程的流程圖。
具體實(shí)施例方式
下面將詳細(xì)地介紹所引用的實(shí)施例。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例所述的光盤,光盤再現(xiàn)方法和光盤再現(xiàn)裝置將引用

。所述的光盤包含一種光盤和磁一光盤,例如CD,VCD,CD-ROM,CD-R,CD-RW,MD,DVD,DVD-ROM,DVD-RAM,和DVD-RW。
圖1表示按照本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的光盤1的平面結(jié)構(gòu)的平面視圖,圖2表示圖1所示光盤1的截面結(jié)構(gòu)的截面視圖,圖3表示圖1所示光盤1的第一區(qū)域2的截面結(jié)構(gòu)的截面視圖,圖4表示圖1所示光盤1的第二區(qū)域3的放大視圖和表示長坑107的平面結(jié)構(gòu)的平面視圖。
圖1表示整個光盤1的信息記錄區(qū)域的平面結(jié)構(gòu)。所述的信息記錄區(qū)包含,用于記錄控制信息的導(dǎo)入?yún)^(qū)111,用于記錄控制信息的數(shù)據(jù)記錄區(qū)112,它是用于由內(nèi)容控制信息和內(nèi)容數(shù)據(jù)組成的記錄內(nèi)容的用戶數(shù)據(jù)記錄區(qū),以及一個導(dǎo)出區(qū)113。在光盤1的中心有一個旋轉(zhuǎn)驅(qū)動孔1h。所述的導(dǎo)入?yún)^(qū)111,數(shù)據(jù)記錄區(qū)112和導(dǎo)出區(qū)113均依次從光盤1的內(nèi)側(cè)向其外側(cè)設(shè)置。在數(shù)據(jù)記錄區(qū)112內(nèi),將在下面詳述的第一區(qū)域2延伸到在光盤1的徑向有一個縱向方向,而將在下面詳述的第二區(qū)3延伸到在光盤1的周向有一個縱向方向。
如圖2所示,光盤1是一種由透明光盤基底100和光盤基底102的結(jié)合結(jié)構(gòu)形成。反射膜101由諸如鋁和金的材料利用公知技術(shù)中已知的濺射方法形成在透明光盤基底100的一個表面上,所述的基底上依據(jù)復(fù)制的方法在其上形成凹一凸的坑。于是,將由用其它步驟制作的光盤基底102的一個表面利用紫外固化樹脂粘合層粘合到形成有反射膜的透明光盤基底100的表面上,所述的紫外固化樹脂位于二個光盤基底100和102之間。之后,經(jīng)粘合的光盤基底100和102用紫外線照射,使粘合層得到固化,于是,使二個光盤基底100和102互相牢固地結(jié)合在一起。結(jié)果,制成所述的光盤1。圖3表示具有由圖1所示的光盤1內(nèi)部分去除的反射膜101所形成的非反射部分的第一區(qū)2的截面結(jié)構(gòu)。一種制作非反射區(qū)106的方法已公開在國際申請NO.WO96/16401中。參見該公開,將引用附圖5簡要地描述制作非反射部分106的方法。由上述參見圖2介紹的方法完成的光盤1在其透明光盤基底100的一側(cè)利用由YAG脈沖激光器所發(fā)出的脈沖激光照射,并利用聚集透鏡105使脈沖激光聚集到反射膜101上。于是,使反射膜部分地去除,因此,在所述的第一區(qū)域2內(nèi)形成非反射部分106。
圖6A-6C表示在圖1所示的光盤1的非反射部分106的區(qū)域內(nèi)復(fù)制信息時所獲得的復(fù)制信號的信號波形圖。在這種情形下,對于周長來說,信號波形正比于發(fā)射光的強(qiáng)度。圖6A表示在低調(diào)制度時再現(xiàn)信號的信號波形圖,圖6B表示在高調(diào)制度時再現(xiàn)信號的信號波形圖,圖6C表示在高調(diào)制度和離焦?fàn)顟B(tài)下再現(xiàn)信號的信號波形圖。
在由圖5所構(gòu)成光盤1的第一區(qū)2內(nèi)所記錄的信息利用光盤再現(xiàn)這種再現(xiàn)時,所得到的再現(xiàn)信號的信號波形包含如圖6A-6C所示的周期性改變的RF信號。在低調(diào)制度時,周期性RF信號的暗電平不充分地下降。在這種情況下,暗電平是指RF信號包絡(luò)的最暗的電平,即所謂包絡(luò)底部電平,所以,如圖6A所示,在非反射部分106區(qū)內(nèi)再現(xiàn)信號的電平與閾值相比較,即,第一工作電平,該電平低于RF信號的包絡(luò)底部電平一定的電平移動量,因此,可以探測所述的非反射部分106的存在。
在高調(diào)制度時,如圖6B所示,RF信號的包絡(luò)底部電平明顯地下降。于是,RF信號的包絡(luò)電平和非反射部分106的輸出電平之間的只有一點(diǎn)或沒有差別。所以,對于非反射部分106的探測是不容易的。然而,在這種情況下,所述的光學(xué)頭,即,在光盤再現(xiàn)裝置的光探測器受到控制,使加到光盤1的激光的光點(diǎn)成為離焦集狀態(tài)。于是,再現(xiàn)RF信號的包絡(luò)底部電平上升,所以,在RF信號的包絡(luò)底部電平和非反射部分106的區(qū)域內(nèi)的再現(xiàn)信號的電平之間存在明顯的差別。于是,可以很容易地探測非反射部分106的區(qū)域。實(shí)際上,欲使在光盤1上的激光光點(diǎn)處于離焦?fàn)顟B(tài),并產(chǎn)生記錄在光盤1上的信息時,在某些情況下,就不能產(chǎn)生再現(xiàn)的時鐘信號,所述的時鐘信號是由模擬處理器的PLL電路從再現(xiàn)信號產(chǎn)生的。所以,在某些情況下,PLL電路在激光光點(diǎn)成離焦?fàn)顟B(tài)之前就有效地工作,并且控制模擬控制器,使得在離焦?fàn)顟B(tài)之前就立刻保持和再現(xiàn)所述的再現(xiàn)時鐘信號。
還有,也可能利用對位于光盤1上的二個相鄰的軌道之間得的區(qū)域進(jìn)行尋軌的方法,再現(xiàn)記錄在第一區(qū)域內(nèi)的再現(xiàn)信號。在這種情況下,在一種類似于上述的方法中,包絡(luò)底部電平,即,不同于非反射部分106的任何區(qū)域內(nèi)的RF信號的暗電平上升,然而,再現(xiàn)的時鐘信號不可能由于RF信號之間的干擾而產(chǎn)生。因此,在軌道之間進(jìn)行尋軌之前就立刻使再現(xiàn)時鐘有效,并在尋軌之前就立刻處于再現(xiàn)狀態(tài)。
圖7表示在本發(fā)明第一個優(yōu)選實(shí)施例中所采用的第一區(qū)域探測電路23a的方框圖。所述的第一區(qū)域探測電路23a包含一個數(shù)據(jù)限制器4,一個包絡(luò)底部探測器5,一個電平移位電路6和一個比較器7。
參見圖7,由圖16所示的模擬處理器20輸出的用于將經(jīng)處理的模擬信號加到來自光盤的再現(xiàn)信號上的再現(xiàn)信號輸入到數(shù)據(jù)限制器4,比較器7的第一輸入端和包絡(luò)底部探測電路5。所述的數(shù)據(jù)限制器4利用預(yù)定的閾值將再現(xiàn)信號二進(jìn)制化,所述的再現(xiàn)信號是通過模擬處理器20從光盤輸入的。于是,數(shù)據(jù)限制器4將再現(xiàn)信號變換成數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù),即,一種二進(jìn)制的再現(xiàn)信號,并輸出該二進(jìn)制的再現(xiàn)信號。另一方面,包絡(luò)底部探測電路5探測包絡(luò)底部電平,該電平是輸入再現(xiàn)信號的包絡(luò)的最低電平,然后,對電平移位電路輸出一個具有探測包絡(luò)底部電平的低包絡(luò)信號。于是,電平移位電路6向下位移輸入的低包絡(luò)信號的包絡(luò)底部電平一定的電平位移量(見圖6A和6C),然后輸出一個具有上升電平位移的第一限位電平的閾值信號到比較器7的第二輸入端。之后,比較器7將輸入到第一輸入端的再現(xiàn)信號與具有輸入到第二輸入端的第一限位電平的閾值信號進(jìn)行比較。當(dāng)再現(xiàn)信號的電平低于第一限位電平,即,位于非反射部分106時,比較器7輸出一個低電平信號作為非反射部分探測信號。在上述的方式中,可以容易地對在具有反射膜部分去除的第一區(qū)域內(nèi)的非反射部分106進(jìn)行探測。
下面,將對于長度比用預(yù)定的調(diào)制方法測定的最大數(shù)據(jù)坑長度長的具有凹—凸長坑107的第二區(qū)域3進(jìn)行說明,即,對于長度不同于滿足上述調(diào)制方法要求的凹—凸坑進(jìn)行說明。如圖4和8所示的平面結(jié)構(gòu)中,在第二區(qū)域內(nèi)形成在平行于周長方向的縱向方向具有長度等于約100T的長坑107,例如,對于在數(shù)據(jù)記錄區(qū)112內(nèi)一般記錄用戶數(shù)據(jù)所提供的坑長度為3T-4T(這里,T表示相當(dāng)于一個再現(xiàn)的時鐘信號)。圖9A和9B表示圖8所示的長坑107的截面結(jié)構(gòu)。圖9A表示沿著圖8中長坑107的中心位置的A-A′線所作的截面視圖。圖9B表示沿著圖8中長坑107的中心位置的B-B′線所作的截面視圖。
如圖9A和9B所示,長坑107具有一種截面結(jié)構(gòu),其中,長坑107的每個截面邊緣的曲率半徑大于靠近圓周的,即縱向中心位置的曲率半徑(指位于在縱向二個端部位置之間的中點(diǎn)位置部分)。在長坑107中心的截面具有圖9A所示的截面形狀。而在長坑107的二個端部的截面具有圖9B所示的截面形狀。具有上述截面形狀的長坑107可以很容易地采用眾所周知的由適當(dāng)?shù)卦O(shè)定形成光盤1的透明光盤基底的條件來形成。
圖11A表示當(dāng)?shù)诙^(qū)域3內(nèi)記錄的信息再現(xiàn)在圓周方向時所獲得的再現(xiàn)信號的信號波形圖。在圖11A,11B和11C中所示的水平軸表示,在圓周方向以恒定的速度移動加在光盤1上的激光光點(diǎn)來再現(xiàn)第二區(qū)域3內(nèi)記錄的信息時相當(dāng)于圓周長度的經(jīng)過時間。
如圖11A所示,當(dāng)加到光盤1的激光的光點(diǎn)在圓周方向從長坑107的一端運(yùn)動到長坑107的縱向中心時,再現(xiàn)信號的電平朝著遞增的亮電平方向上升,之后,再現(xiàn)信號的電平在位于長坑107的縱向中心的長坑107內(nèi)到達(dá)最亮的電平。另外,當(dāng)加到光盤1的激光的光點(diǎn)在圓周方向從長坑107的中心運(yùn)動到長坑107的另一端時,再現(xiàn)信號的電平朝著暗電平方向逐步下降。再現(xiàn)信號的電平在長坑107的區(qū)域內(nèi)如上所述那樣改變可以用下述的理由說明。如圖9A所示,出現(xiàn)相干的長坑107的邊緣的曲率半徑大于長坑107的中心的曲率半徑,于是基本的坑深度D不等于一個特定的值,即,λ/4(其中,λ表示從激光頭18輸出的激光的平均波長),所以再現(xiàn)信號的電平升到亮電平。
下面,將參見圖10,11A,11B和11C描述識別第二區(qū)域3的方法。圖10表示用于本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施例的第二區(qū)域探測電路24a結(jié)構(gòu)的框圖。圖11A-11C表示利用圖10中所示的第二區(qū)域探測電路24a探測第二區(qū)域的方法。圖11A表示在包含長坑107的區(qū)域的區(qū)內(nèi)再現(xiàn)信號的信號波形的波形圖。圖11B表示從圖10所示比較器8的輸出信號CV1的信號波形的波形圖,其中使用第一閾值電壓V1th接近于亮電平。圖11C表示從圖10所示比較器9的輸出信號CV2的信號波形的波形圖,其中使用第二閾值電壓V2th接近于暗電平。
參見圖10,第二區(qū)域探測電路24a包含時間限制器4,二個比較器8和9,二個閾值電壓產(chǎn)生器8a和9a,二個計數(shù)器10和11,以及一個正常長度數(shù)據(jù)坑的鑒別電路12。在圖10中,與圖7所示的部件相同的部件用相同的標(biāo)號表示。
再次參見圖10,從圖16所示的用于將模擬信號經(jīng)處理加到光盤1的再現(xiàn)信號的模擬處理器20輸出的再現(xiàn)信號輸入到數(shù)據(jù)限制器4和二個比較器8獲得各自的第一輸入端。所示的數(shù)據(jù)限制器4對所述的再現(xiàn)信號二進(jìn)制化,所述的再現(xiàn)信號是利用預(yù)定的閾值,通過模擬處理器20從光盤1輸入的。由此,所述的數(shù)據(jù)限制器4將所述的再現(xiàn)信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù),即,一個二進(jìn)制的再現(xiàn)信號,然后,輸出所述的二進(jìn)制再現(xiàn)信號。另一方面,來自閾值電壓產(chǎn)生器8a的第一閾值電壓V1th被輸入到比較器8的第二輸入端。所述的比較器8將輸入到第一輸入端的再現(xiàn)信號與接近于亮電平的第一閾值電壓V1th進(jìn)行比較,之后,對計數(shù)器10輸出一個比較結(jié)果信號。在再現(xiàn)信號的電平等于或大于第一閾值電壓V1th時,所述的比較器8輸出一個高電平的比較結(jié)果信號。在另一種情況下,比較器8輸出一個低電平的比較結(jié)果信號。還有,從所述的閾值電壓產(chǎn)生器9a的第二閾值電壓V2th輸入到比較器9的第二輸入端。所述的比較器9將輸入到第一輸入端的再現(xiàn)信號與接近于暗電平的第二閾值電壓V2th進(jìn)行比較,然后,向計數(shù)器11輸出一個比較結(jié)果信號。在再現(xiàn)信號的電平等于或大于第二閾值電壓V2th時,所述的比較器9輸出一個高電平比較結(jié)果信號。在另一種情況下,所述的比較器9輸出一個低電平的比較結(jié)果信號。
每個計數(shù)器10和11計數(shù)通道數(shù)位時鐘信號pck,該時鐘信號在輸入比較結(jié)果信號是高電平的有效時間間隔內(nèi),該時鐘信號利用模擬處理器20從再現(xiàn)信號再現(xiàn)。然后,每個計數(shù)器10和11將計數(shù)結(jié)果(相應(yīng)于圖11B所示的時間間隔T1和圖11C所示的時間間隔T2,在這些時間間隔內(nèi)所示的比較結(jié)果信號是高電平的)的時間數(shù)據(jù)輸出到正常長度數(shù)據(jù)坑的鑒別電路12。由此,在圖11C所示的時間間隔T2等于或大于預(yù)定的第一閾值時間,以及時間間隔T2(在長坑107區(qū)域的時間間隔T2內(nèi)高電平比較結(jié)果信號的脈沖的前沿)的起始時間和時間間隔T1(在長坑107區(qū)域的時間間隔T1內(nèi)高電平比較結(jié)果信號的脈沖的前沿)的起始時間之間的時間間隔T2等于或大于預(yù)定的第二閾值時間時,所示的正常長度數(shù)據(jù)坑鑒別電路12判斷長坑107的存在,即,探測第二區(qū)域3的存在與否,之后,電路12輸出一個長坑探測信號。
在典型的正常坑的情況下,以按照預(yù)定調(diào)制方法調(diào)制的信號數(shù)據(jù)的形式將信號數(shù)據(jù)記錄在光盤1上,正??拥脑佻F(xiàn)電平突變地或突然地從暗電平改變到亮電平,同時使所示的改變的時間間隔基本上固定。然而,上述長坑107的再現(xiàn)電平逐步地從暗電平改變到亮電平,其改變的梯度大于典型的正??拥母淖兲荻?。所以,長坑107或第二區(qū)域3可很容易地利用上述的方法,即,利用圖10所示的第二區(qū)域探測電路24a來探測。
下面將對于非法盜版者制造如上述結(jié)構(gòu)的光盤1的所謂RF復(fù)制品的情況進(jìn)行介紹。這里所示的“RF復(fù)制”是指,利用從光盤1的再現(xiàn)信號得到的RF信號制作的壓模件制造光盤的復(fù)制品。
參見圖12,對于由上述方法制作光盤1的情況作出描述。圖12表示再現(xiàn)信號的信號波形的波形圖表,所示的再現(xiàn)信號是在對每個光盤上的非反射部分106的區(qū)域和長坑107的區(qū)域內(nèi)再現(xiàn)信息時所獲得的。圖12(a)表示根據(jù)本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施例,在授權(quán)光盤1上的非反射部分106的區(qū)域和長坑107的區(qū)域內(nèi)再現(xiàn)信息時所獲得的再現(xiàn)信號的信號波形的波形圖。圖12(b)表示由RF復(fù)制制作的第一盜版光盤上的非反射部分106的區(qū)域和長坑107的區(qū)域內(nèi)再現(xiàn)信息時所獲得的再現(xiàn)信號的信號波形的波形圖。圖12(c)表示在改變形成第一盜版光盤條件的情況下,在第二盜版光盤上的非反射部分106的區(qū)域和長坑107的區(qū)域內(nèi)再現(xiàn)信息時所獲得的再現(xiàn)信號的信號波形的波形圖。
通常,盜版光盤的非反射部分106作為長坑記錄,所述的盜版光盤是由原版的非反射部分106的再現(xiàn)信號的RF復(fù)制制得的。授權(quán)光盤的長坑107作為是否存在坑的判斷,由此所記錄的盜版光盤的長坑107好象所述的長坑107的長度受到減小似的。
所以,如圖12所示,在再現(xiàn)記錄在盜版光盤上的信息時,所述的RF信號包含一個在相應(yīng)于授權(quán)光盤的第一區(qū)域2的區(qū)域內(nèi)的長時間暗電平信號,于是,似乎在上述的區(qū)域內(nèi)形成所述的長坑107。然而,按照前面所述的的條件,可以得到處于暗電平的,并且是連續(xù)的(參見圖12(b)所示的分反射部分106的一列區(qū)域)再現(xiàn)信號的信號波形,或再現(xiàn)信號的信號波形類似于授權(quán)光盤(參見圖12(c)所示的分反射部分106的一列區(qū)域)的第二區(qū)域3的再現(xiàn)信號的信號波形。
記錄在相應(yīng)于授權(quán)光盤的第二區(qū)域3的部分內(nèi)的信息作為加在短的暗電平之間的長的亮電平來再現(xiàn)。在一個盜版的,非授權(quán)的光盤利用由RF信號制作的壓模復(fù)制時,記錄到一個短于正常的長坑107的坑。而,較短坑的再現(xiàn)電平從暗電平到亮電平的改變相比于授權(quán)光盤的長坑107來說更顯然或突然(參見圖12(b)和12(c)所示的長坑107的一列區(qū)域)。如上所述,根據(jù)非反射部分106的再現(xiàn)信號和長坑107的再現(xiàn)信號的結(jié)合來判斷是否所述的光盤是授權(quán)的光盤107。由此,可以判斷是否光盤1上所記錄的信息受到復(fù)制。
如上所述,按照優(yōu)選的實(shí)施例,所述的光盤用于按照預(yù)定的以凹—凸坑形式的調(diào)制方法記錄受調(diào)制的信號數(shù)據(jù),該光盤包含具有部分去除反射膜的第一區(qū)域2,和用于記錄坑的第二區(qū)域3,所述的坑是不同于滿足預(yù)定調(diào)制方法的要求的坑。于是,很容易識別盜版光盤,可以判斷它是否再現(xiàn)了記錄在光盤上的信息。由此,能提供保護(hù)版權(quán)所有者的權(quán)利的光盤1。
圖13表示按本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施例的光盤1a的平面結(jié)構(gòu)的平面視圖。按照第二優(yōu)選實(shí)施例的光盤1a其特征在于,按照第一實(shí)施例的光盤1具有一個稱為BCA(脈沖串分割區(qū)/Burst Cutting Area)13的記錄區(qū),其中第一區(qū)的位置信息被儲存在一個第一區(qū)的位置信息記錄區(qū)13a內(nèi),而第二區(qū)的位置信息被儲存在一個第二區(qū)的位置信息記錄區(qū)13b內(nèi)。光盤的其它結(jié)構(gòu)相同于第一優(yōu)選實(shí)施例所述的光盤的結(jié)構(gòu)。在第二優(yōu)選實(shí)施例的光盤1a上記錄的信息被再現(xiàn)時,可以根據(jù)記錄在BCA13內(nèi)的第一區(qū)域位置信息記錄區(qū)13a和第二區(qū)域位置信息記錄區(qū)13b中的位置信息,更容易地判斷是否該光盤是授權(quán)的光盤。
圖14表示用于本發(fā)明的第二優(yōu)選實(shí)施例的第一區(qū)域探測電路23的結(jié)構(gòu)方框圖。在圖14中,與圖7所示的第一區(qū)域探測電路23a的部件相同的部件用相同的標(biāo)號表示,從而略去對他們的詳細(xì)說明。在本優(yōu)選實(shí)施例中,在所述的BAC13內(nèi)寫入非反射部分106的地址和長坑107的地址,并且每個地址包含由ID數(shù)字和時鐘數(shù)字組成的位置信息。
參見圖14,第一區(qū)域探測電路23包含一個觸發(fā)脈沖產(chǎn)生電路14,一個計數(shù)器15,一個門閂電路16,一個BCA再現(xiàn)電路31和一個AND門電路,以及數(shù)據(jù)限制器4,包絡(luò)底部探測電路5,電平位移電路6和比較器7。
所述的BCA再現(xiàn)電路31再現(xiàn)記錄在光盤1a的BCA13內(nèi)的信息數(shù)據(jù),尤其是,再現(xiàn)由ID數(shù)字和時鐘數(shù)字組成的位置信息的地址,并輸出再現(xiàn)信息數(shù)據(jù)到觸發(fā)產(chǎn)生電路14。之后,觸發(fā)產(chǎn)生電路14產(chǎn)生一個觸發(fā)信號,用于根據(jù)記錄在BCA13內(nèi)的并由BCA再現(xiàn)電路31從BCA13再現(xiàn)的位置信息探測非反射部分106,并且所述的電路14將觸發(fā)信號輸出到AND門32的第二輸入端。換句話說,觸發(fā)產(chǎn)生電路14將包含在再現(xiàn)信號內(nèi)的地址與按照從模擬處理器20輸出的再現(xiàn)信號的位置信息和從BCA再現(xiàn)電路31的位置信息地址進(jìn)行比較。在這些地址互相一致時,觸發(fā)產(chǎn)生電路14輸出一個高電平觸發(fā)信號,由此進(jìn)行觸發(fā)。在這些地址互相不一致時,觸發(fā)產(chǎn)生電路14輸出一個低電平觸發(fā)信號,由此不能進(jìn)行觸發(fā)。在按照來自模擬處理器20的復(fù)位信號將計數(shù)器15的計數(shù)復(fù)位到零時,計數(shù)器15對通道位數(shù)時鐘信號pck計數(shù),即,對由模擬處理器20從再現(xiàn)信號產(chǎn)生的再現(xiàn)時鐘計數(shù),計數(shù)器15對門閂電路16輸出計數(shù)數(shù)據(jù)。在計數(shù)按復(fù)位信號復(fù)位時,所述的計數(shù)數(shù)據(jù)指示瞬時的圓周的位置信息。
來自比較器7的非反射部分的探測信號被輸入到AND門32的第一輸入端。只有在二個輸入信號都處于高電平時,所述的AND門32將一個高電平信號輸出到門閂電路16。所以,在由比較器7探測的非反射部分106和來自BCA13的位置信息與再現(xiàn)信號的位置信息一致時,AND門32將高電平信號輸入到門閂電路16。為響應(yīng)高電平信號,門閂電路16利用在由觸發(fā)產(chǎn)生電路14產(chǎn)生的有效觸發(fā)時間間隔內(nèi)所獲得的非反射部分探測信號來鎖住從計數(shù)器15輸出的計數(shù)數(shù)據(jù),之后,門閂電路16輸出校正探測的位置信息。
圖15表示用于本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施例的第二區(qū)域探測電路24結(jié)構(gòu)的方框圖。在圖15中,相同于圖14所示的第二區(qū)域探測電路24的部件用相同的標(biāo)號表示。
根據(jù)第二優(yōu)選實(shí)施例的第二區(qū)域探測電路24其特征在于,所示的第二探測電路24還包含BCA再現(xiàn)電路31和觸發(fā)產(chǎn)生電路14,以及數(shù)據(jù)限制器4,二個比較器8和9,二個閾值電壓產(chǎn)生器8a和9a,二個計數(shù)器10和11,和正常長度坑鑒別電路12。
參見圖15,采用以圖14所示的BCA再現(xiàn)電路31和觸發(fā)產(chǎn)生電路14相同的方式,觸發(fā)產(chǎn)生電路14根據(jù)由BCA再現(xiàn)電路31從BCA13再現(xiàn)的位置信息產(chǎn)生一個用于探測長坑107的觸發(fā)信號,所述的觸發(fā)產(chǎn)生電路14將觸發(fā)信號輸出到每個計數(shù)器10和11。只有在高電平觸發(fā)信號輸入到每個計數(shù)器10和11時,觸發(fā)產(chǎn)生電路14打開觸發(fā),并使計數(shù)器10和11只有在觸發(fā)的時間間隔內(nèi)進(jìn)行操作,之后,正常長度坑鑒別電路12判斷是否存在長坑107。
下面將介紹圖14所示的利用第一區(qū)域探測電路23和圖15所示的第二區(qū)域探測電路24識別光盤1a的識別方法。
首先,在再現(xiàn)記錄在光盤1a上的容納信息之前,由所述的BCA再現(xiàn)電路31讀出記錄在BCA內(nèi)的位置信息。然后,允許圖16所示的光學(xué)頭18按照位置信息進(jìn)行搜索,于是再現(xiàn)記錄在第一區(qū)域2內(nèi)的信息。從再現(xiàn)信號探測非反射部分106的方法相同于第一優(yōu)選實(shí)施例所述的方法,對此不再進(jìn)行說明。由于附加了有關(guān)在位置信息中所記錄的位置有或沒有長坑107的判斷,所以使版權(quán)保護(hù)的力度進(jìn)一步加強(qiáng)。還有,記錄在BCA13內(nèi)的位置信息利用BCA再現(xiàn)電路31讀出。于是,允許圖16所示的光學(xué)頭18按照位置信息進(jìn)行搜索,從而再現(xiàn)記錄在第二區(qū)域內(nèi)的信息。之后,根據(jù)再現(xiàn)信號來判斷長坑107的合法性。按照從第一區(qū)域2和第二區(qū)域3的再現(xiàn)信號的探測信號來進(jìn)行判斷是否光盤1是授權(quán)的光盤。于是,可以判斷是否記錄在電平1a上的信息是再現(xiàn)的信息。從而,可以防止所謂的RF復(fù)制,所以,可以強(qiáng)有力地或在某種程度上使版權(quán)得到保護(hù)。
在本優(yōu)選實(shí)施例中,例如,記錄在區(qū)域13a中的用于記錄第一區(qū)域2的位置信息和記錄在區(qū)域13b中的用于記錄第二區(qū)域3的位置信息的位置信息包含地址。尤其,如圖14和15所示,位置信息可以由ID數(shù)等的地址,以及從扇區(qū)頭部到被探測扇區(qū)的通道位數(shù)時鐘信號pck的時鐘數(shù)來確定。記錄在區(qū)域13a中的用于記錄第一區(qū)域2的位置信息和記錄在區(qū)域13b中的用于記錄第二區(qū)域3的位置信息不限于這些,還可以是其它類型的能確定非反射部分106和長坑107的各自位置的位置信息。
如上所述,按照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例,用于記錄以凹—凸坑的形式按一種預(yù)定的調(diào)制方法提供調(diào)制的信號數(shù)據(jù)的光盤1a包含,具有由部分去除反射膜形成的非反射部分106的第一區(qū)域2,以及用于記錄不同于滿足預(yù)定調(diào)制方法要求的數(shù)據(jù)坑的長坑107的第二區(qū)域3。還有,例如,所示的BCA13包括,用于記錄光盤1a上第一區(qū)域2的位置信息的第一區(qū)域位置信息記錄數(shù)據(jù)13a,以及用于記錄光盤1a上第二區(qū)域3的位置信息的第二區(qū)域位置信息記錄數(shù)據(jù)13b。形成在第一區(qū)域2內(nèi)的非反射部分106和形成在第二區(qū)域3內(nèi)的長坑107根據(jù)記錄在第一區(qū)域位置信息記錄數(shù)據(jù)13a和記錄在第二區(qū)域位置信息記錄數(shù)據(jù)13b內(nèi)的位置信息通過規(guī)定區(qū)域2和3的各自位置來識別。由此,使授權(quán)光盤1a較容易在高速時識別。所以,可以判斷記錄在光盤1a上的信息是否受到再現(xiàn)過。
圖16表示用于本發(fā)明第三優(yōu)選實(shí)施例中的光盤再現(xiàn)裝置的結(jié)構(gòu)方框圖。按照第三優(yōu)選實(shí)施例的光盤再現(xiàn)裝置包含,光學(xué)頭18,頭部信號放大器19,模擬處理器20,光盤控制器21,伺服控制電路22,第一區(qū)域探測電路23,第二區(qū)域探測電路24,系統(tǒng)控制器25和處理存儲器40。在圖16中,光盤1可用第二實(shí)施例的光盤1a來代替。
參見圖16,一個心軸馬達(dá)17以一定的轉(zhuǎn)數(shù)轉(zhuǎn)動光盤1。光頭18包括一個激光二極管和一個光探測器,并包含所謂的光接收器。由光學(xué)頭18再現(xiàn)的信號通過放大信號用的頭部信號放大器19輸入到模擬處理器20。所示的模擬處理器20具有AGC均衡,數(shù)據(jù)限制,PLL等功能。模擬處理器20將預(yù)定的模擬處理信號加到輸入模擬再現(xiàn)信號,并將經(jīng)處理的模擬信號輸出到光盤控制器21,第一區(qū)域探測電路23和第二區(qū)域探測電路24。
還有,光盤控制器21解調(diào)所示的再現(xiàn)信號數(shù)據(jù),并將誤差校正等信號加到所示的數(shù)據(jù)上。另外,伺服控制電路22控制心軸馬達(dá)17及光學(xué)頭18,由此伺服控制聚集,尋軌等操作。
所示的第一區(qū)域探測電路23包含,例如根據(jù)圖14所示的第二優(yōu)選實(shí)施例中的電路。根據(jù)從模擬處理器20輸出的再現(xiàn)信號,第一區(qū)域探測電路23探測具有由部分去除反射膜形成的非反射部分的第一區(qū)域2,然后,電路23輸出所述的探測區(qū)域信息。所述的第一區(qū)域探測電路23可以用圖7所示的第一優(yōu)選實(shí)施例中的第一區(qū)域探測電路23a來代替。所述的第二區(qū)域探測電路24包含,例如圖15所示的第二優(yōu)選實(shí)施例中的電路。根據(jù)從模擬處理器20輸出的再現(xiàn)信號,第二區(qū)域探測電路24探測具有長坑107的第二區(qū)域3,所述的長坑是不同于滿足預(yù)定調(diào)制方法要求的,而且其長度也不滿足于上述調(diào)制方法的任何要求的坑,之后,電路24輸出長坑探測信號。第二區(qū)域探測電路24可用圖10所示的第一優(yōu)選實(shí)施例中的第二區(qū)域探測電路24a來代替。所述的系統(tǒng)控制器25是一個利用處理存儲器40控制圖16所示的整個光盤再現(xiàn)裝置的操作用的控制器。
下面將參見圖17來介紹上述的光盤再現(xiàn)裝置的操作。
圖17表示探測用于圖16所示的光盤再現(xiàn)裝置中的第一區(qū)域2的方法,它是表示在圓周方向光盤1上每個軌道和第一區(qū)域2之間相互關(guān)系的放大平面視圖。在本實(shí)施例中,假設(shè)具有非反射部分106的第一區(qū)域2的位置信息先儲存在所述的BCA13內(nèi),其儲存的內(nèi)容由包含第一區(qū)域2的扇區(qū)的扇區(qū)地址,及從扇區(qū)頭部到所述的探測扇區(qū)的數(shù)據(jù)數(shù)(或時鐘數(shù))組成。探測具有長坑107的第二區(qū)域的方法相同于按第二優(yōu)選實(shí)施例的利用所述的第二區(qū)域探測電路14的方法,對此不再描述。
圖18和19表示由圖16所示的系統(tǒng)控制器執(zhí)行探測和判斷第一區(qū)域的過程的流程圖。
在圖18的S1步,首先,伺服控制電路22和光盤控制器21受到控制,以便從所述的BCA13讀出數(shù)據(jù),并將從BCA13讀出的第一區(qū)域2的位置信息讀出并儲存在處理存儲器40內(nèi)。在S2步,如圖17所示,按照儲存在處理存儲器40內(nèi)的位置信息發(fā)出指令,該指令用于控制伺服控制電路22去尋找包含第一區(qū)域2的扇區(qū)地址ID(n)的第n軌道,然后尋找包含扇區(qū)地址ID(n)的軌道,并再現(xiàn)記錄在尋找的軌道上的信息。之后,在S3步,判斷在再現(xiàn)過程是否第一區(qū)域2受到探測。直至給出YES,再重復(fù)S3步的處理。在給出YES時,在S4步,第一區(qū)域探測電路23探測包含探測扇區(qū)的地址和從扇區(qū)頭部到探測扇區(qū)的數(shù)據(jù)的探測位置信息。之后,在S5步,將由第一區(qū)域探測電路23探測的探測位置信息與先前存儲在處理存儲器40內(nèi)的第一區(qū)域2的位置信息進(jìn)行比較。在S6步,判斷探測的位置信息是否與第一區(qū)域2的位置信息一致。在探測的位置信息與第S6步中的第一區(qū)域2的位置信息不一致(在S6步是NO)時,處理過程回到S2步,為了再次探測第一區(qū)域2,需重復(fù)進(jìn)行上述的處理步驟。另一方面,在探測的位置信息與第S6步中的第一區(qū)域2的位置信息相一致(在S6步是YES)時,在S7步,如圖17所示,控制伺服控制電路22,以便尋找相同的軌道(即,第n軌道)。在S8步,判斷是否相同的扇區(qū)地址ID(n)得到探測。直至相同的扇區(qū)地址ID(n)得到探測為止,再重復(fù)S8步的處理。當(dāng)在S8步已探測了相同的扇區(qū)地址ID(n)時,再進(jìn)入圖19的S9步。
在圖19的S9步,控制伺服控制電路22,以便光學(xué)頭18眺到相鄰的下一個軌道。此時,由于時鐘數(shù)由第一區(qū)域探測電路23計數(shù),所以至少保持置于模擬處理器20內(nèi)的PLL電路,以便阻止PLL電路尋軌。在本優(yōu)選實(shí)施例中,如圖17所示,是否相鄰軌道,即第(n+1)軌道上的第一區(qū)域2由第一區(qū)域探測電路23探測,同樣需要檢查和確認(rèn)。從第n軌道上的扇區(qū)地址ID(n)到由第一區(qū)域探測電路23探測的第n軌道上的第一區(qū)域2的數(shù)據(jù)數(shù)(時鐘數(shù))基本上相等于從第n軌道上的扇區(qū)地址ID(n)到(由第一區(qū)域探測電路23探測的)相鄰軌道上的第一區(qū)域2的數(shù)據(jù)數(shù)(時鐘數(shù))。于是,由第一區(qū)域探測電路23探測的數(shù)據(jù)數(shù)實(shí)質(zhì)上互相一致。在二個探測的數(shù)據(jù)數(shù)實(shí)質(zhì)上相互一致時,所述的系統(tǒng)控制器25判斷所探測的區(qū)域是由去除反射膜形成的等于區(qū)域2。其專門的處理相當(dāng)于從S10步到S13步的處理。
之后,在S10步,將從第n軌道上的扇區(qū)地址ID(n)到第n軌道上的第一區(qū)域2的數(shù)據(jù)數(shù)(時鐘數(shù))與從第n軌道上的扇區(qū)地址ID(n)到相鄰的第n+1軌道上的第一區(qū)域2的數(shù)據(jù)數(shù)(時鐘數(shù))進(jìn)行比較。在S11步,判斷是否所示的數(shù)據(jù)數(shù)基本上互相一致。在這種情況下,可以對數(shù)據(jù)數(shù)或時鐘數(shù)進(jìn)行計數(shù),因?yàn)榇嬖谂c時鐘信號相當(dāng)?shù)臄?shù)據(jù)。一個判斷是否數(shù)據(jù)數(shù)實(shí)質(zhì)上相互一致的判據(jù)由下述的方式確定。判斷二種類型的數(shù)據(jù)數(shù)是否基本上相互一致,只要判斷數(shù)據(jù)數(shù)之間的差是否在幾個時鐘,如2或3個時鐘(或若干部分?jǐn)?shù)據(jù))內(nèi)。在S11步回答是YES時,在S12步,判斷所述的探測區(qū)域是由去除反射膜形成的第一區(qū)域,并使探測和判斷第一區(qū)域的處理結(jié)束。另一方面,在S11步回答是NO時,在S13步,判斷所述的探測區(qū)域不是第一區(qū)域,并使探測和判斷第一區(qū)域的處理結(jié)束。
參見圖18和19所示的探測和判斷第一區(qū)域的處理所利用的事實(shí)是,在徑向方向第一區(qū)域2的大小不同于軌距的大小,由此第一區(qū)域2至少超出若干個軌道。在本優(yōu)選實(shí)施例中,系統(tǒng)控制器25除了探測和判斷第一區(qū)域的處理外,還利用如第二優(yōu)選實(shí)施例所述的第二區(qū)域探測電路24對第二區(qū)域探測的結(jié)果作出判斷。于是,系統(tǒng)控制器25判斷是否在光盤上所記錄的信息受到再現(xiàn)。所以,系統(tǒng)控制器25可以更精確地判斷是否所述的光盤是授權(quán)的光盤。
如上所述,由去除反射膜形成的第一區(qū)域2依據(jù)扇區(qū)進(jìn)行探測,還依據(jù)從扇區(qū)的相鄰軌道上的預(yù)定扇區(qū)的數(shù)據(jù)數(shù)或時鐘數(shù)進(jìn)行探測。于是,利用同步驅(qū)動一個再現(xiàn)系統(tǒng)和一個記錄系統(tǒng)就可以容易地將授權(quán)光盤與例如稱為RF的盜版復(fù)制品相區(qū)別,因?yàn)檫@二個系統(tǒng)要求非常嚴(yán)格的轉(zhuǎn)動精度或精確度。
在上述的優(yōu)選實(shí)施例中,光盤再現(xiàn)裝置包含第一區(qū)域探測電路23或23a,以及第二區(qū)域探測電路24或24a。然而,本發(fā)明不限于此。所述的光盤再現(xiàn)裝置可以包含或者第一區(qū)域探測電路或者第二區(qū)域探測電路。
如上詳細(xì)所述,根據(jù)本發(fā)明,一種用于記錄以凹—凸數(shù)據(jù)坑形式的預(yù)定調(diào)制方法調(diào)制的信號數(shù)據(jù)的光盤包含,具有部分去除反射膜的第一區(qū)域,以及用于記錄與滿足預(yù)定調(diào)制方法要求的坑不同的坑第二區(qū)域。于是很容易識別盜版的光盤,并可以判斷是否記錄在光盤上的信息受到過再現(xiàn)。所以,版權(quán)所有者的權(quán)利可以確切地得到保護(hù)。
另外,所述的光盤還包含,記錄第一區(qū)域的位置信息的第一區(qū)域位置信息記錄區(qū),以及記錄第二區(qū)域的位置信息的第二區(qū)域位置信息記錄區(qū)。因此,第一區(qū)域和第二區(qū)域可以按照第一區(qū)域的位置信息和第二區(qū)域的位置信息來規(guī)定。所以,第一區(qū)域和第二區(qū)域很容易在高速時予以識別。由此,本發(fā)明的光盤具有很大的實(shí)用價值。
另外,在相鄰的軌道上再次探測第一區(qū)域,以探測由去除反射膜所形成的第一區(qū)域,之后,判斷是否光盤上記錄的信息受到過再現(xiàn)。所以,版權(quán)所有者的權(quán)利可以確切地得到保護(hù),并提供更有力的手段來反對盜版。
雖然本發(fā)明參見附圖和結(jié)合優(yōu)選的實(shí)施例進(jìn)行了充分的描述,但需指出,對于本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員來說對本發(fā)明的容納作出改變和變動是顯然的。顯然,這種改變和變動均包含在不偏離本發(fā)明從屬權(quán)利要求所限定的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種再現(xiàn)記錄在光盤上的信息的裝置,所述的光盤提供以凹—凸坑的形式記錄按預(yù)定的調(diào)制方法調(diào)制的信號數(shù)據(jù),所述的光盤包含(a)一個具有部分去除反射膜的第一區(qū)域,形成所述第一區(qū)域以延伸越過至少多個軌道,從而所述部分去除的反射膜的縱向平行于所述光盤的徑向,(b)一個第二區(qū)域,用于記錄凹—凸形的長坑,每個所述長坑在周邊方向上的長度大于滿足所述預(yù)定調(diào)制方法的坑的最大長度,(c)一個用于記錄所述光盤上的所述第一區(qū)域的位置信息的第一區(qū)域位置信息記錄區(qū),和(d)一個用于記錄所述光盤上的所述第二區(qū)域的位置信息的第二區(qū)域位置信息記錄區(qū),其中所述的裝置包括一個第一探測觸發(fā)產(chǎn)生電路,用于按照在所述的第一區(qū)域位置信息記錄區(qū)內(nèi)記錄的在所述光盤上的所述第一區(qū)域的所述位置信息,產(chǎn)生一個第一探測觸發(fā)信號;一個第二探測觸發(fā)產(chǎn)生電路,用于按照在所述的第二區(qū)域位置信息記錄區(qū)內(nèi)記錄的在所述光盤上的所述第二區(qū)域的所述位置信息,產(chǎn)生一個第二探測觸發(fā)信號;一個第一區(qū)域探測電路,用于依據(jù)在所述的第一區(qū)域內(nèi)記錄的再現(xiàn)信息從所述的光盤再現(xiàn)的信號來探測所述的第一區(qū)域,并輸出一個第一探測信號;一個第二區(qū)域探測電路,用于依據(jù)在所述的第二區(qū)域內(nèi)記錄的再現(xiàn)信息從所述的光盤再現(xiàn)的信號來探測所述的第二區(qū)域,并輸出一個第二探測信號;和判斷裝置,用于按照在所述第一探測觸發(fā)信號的有效時間間隔內(nèi)的所述第一探測信號和在所述第二探測觸發(fā)信號的有效時間間隔內(nèi)的所述第二探測信號,判斷在所述光盤上記錄的信息是否被再現(xiàn),其中所述的探測裝置依據(jù)從一個預(yù)定的扇區(qū)地址到所述探測的第一區(qū)域的第一數(shù)據(jù)數(shù)是否與從所述的扇區(qū)地址到所述探測的第一區(qū)域的第二數(shù)據(jù)數(shù)一致來判斷是否所述第一區(qū)域受到探測,所述的第一數(shù)據(jù)數(shù)是基于再現(xiàn)記錄在包含所述第一區(qū)域的軌道上的信息時來自所述光盤的再現(xiàn)信號計數(shù)的,所述的第二數(shù)據(jù)數(shù)是基于再現(xiàn)記錄在包括所述第一區(qū)域并鄰近所述軌道的另外軌道上記錄的信息時來自所述光盤的再現(xiàn)信號計數(shù)的。
全文摘要
一種光盤,提供以凹—凸坑的形式記錄按預(yù)定的調(diào)制方法調(diào)制的信號數(shù)據(jù),所述光盤包含具有部分去除反射膜的第一區(qū)域和具有與滿足預(yù)定調(diào)制方法要求的坑不同的坑的第二區(qū)域,第一區(qū)域包含由去除反射膜形成的部分其長度大于在光盤的圓周方向由調(diào)制方法確定的最大坑長,在光盤的坑受到復(fù)制時可利用對于光盤與盜版光盤在第一和第二區(qū)域各自再現(xiàn)信號的結(jié)合上的不同來阻止光盤的復(fù)制。
文檔編號G11B7/007GK1551130SQ200410048429
公開日2004年12月1日 申請日期2000年10月11日 優(yōu)先權(quán)日1999年10月13日
發(fā)明者弓場隆司, 之, 滝澤輝之, 守屋充郎, 郎, 大嵨光昭, 昭, 彥, 西岡昭彥, 一, 森岡幸一 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社
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