專(zhuān)利名稱(chēng)：信息記錄介質(zhì)及其生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及利用光或電記錄、刪除、重寫(xiě)和復(fù)制信息用的信息記錄介質(zhì)及其生產(chǎn)方法。
背景技術(shù)：
利用激光束進(jìn)行光學(xué)記錄、刪除、重寫(xiě)和復(fù)制信息用的信息記錄介質(zhì)包括相變光信息記錄介質(zhì)。為了在相變光信息記錄介質(zhì)中記錄、刪除和重寫(xiě)信息，要利用的一種現(xiàn)象是，記錄層(相變材料層)在結(jié)晶相和非晶相之間能夠可逆相變。一般來(lái)說(shuō)，在記錄信息時(shí)，高能激光束(記錄能)照射在記錄層上，其曝光于高能激光束中的部分熔融后快速冷卻，相變成非晶相，以記錄信息。當(dāng)刪除信息時(shí)，用能量低于記錄能的低能激光束(刪除能)照射記錄層中處于非晶相的部分，記錄層被加熱并慢慢冷卻，使被照射部分恢復(fù)為結(jié)晶相，從而將記錄的信息刪除。因此，通過(guò)用能量的高能和低能之間調(diào)制的激光束照射記錄層，可以在刪除相變光信息記錄介質(zhì)中記錄的信息的同時(shí)記錄或重寫(xiě)新的信息(例如，可以參見(jiàn)YoshitoTsunoda等人的“Basics and applications of optical disk storage”，The Instituteof Electronics，Information and Communication Engineers，1995，第2章)。
另外，不用上述激光束照射記錄層時(shí)，可以用其上施加電流時(shí)產(chǎn)生的焦耳熱改變記錄層的相變材料的狀態(tài)，以此將信息記錄到電相變信息記錄介質(zhì)的記錄層上。這種電相變信息記錄介質(zhì)利用其上施加電流時(shí)產(chǎn)生的焦耳熱，從而使記錄層的相變材料的狀態(tài)在結(jié)晶相(低電阻)和非晶相(高電阻)之間變化。為了閱讀信息，探測(cè)結(jié)晶相和非晶相之間的電阻差。當(dāng)夾在電極之間的非晶相記錄層薄膜上施加的電流遞增時(shí)，在某一閾電流值時(shí)記錄層薄膜相變?yōu)榻Y(jié)晶相，其電阻快速下降。另外，當(dāng)在結(jié)晶相記錄層薄膜上施加大電流和短周期寬脈沖時(shí)，記錄層薄膜熔融并快速冷卻，使其恢復(fù)高電阻非晶相。因此可以用其作為可再寫(xiě)的信息記錄介質(zhì)。用標(biāo)準(zhǔn)電氣設(shè)備很容易探測(cè)結(jié)晶相和非晶相之間的電阻差，因此，可以用這種記錄層得到可再寫(xiě)的信息記錄介質(zhì)(例如，可以參見(jiàn)Makoto Kikuchi的“Basics of Amprphous Semiconductors”，Ohmsha，Ltd，1982，第8章)。
相變光信息記錄介質(zhì)的例子包括本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)明的已經(jīng)工業(yè)化的4.7GB/DVD-RAM。4.7GB/DVD-RAM的結(jié)構(gòu)示于

圖10，其中，信息記錄介質(zhì)12具有7層結(jié)構(gòu)，從激光入射側(cè)觀察時(shí)，該結(jié)構(gòu)包括依次排列的基板1、入射側(cè)介電膜2、入射側(cè)界面膜3、記錄膜4、入射相反側(cè)(counterincident side)界面膜5、入射相反側(cè)介電膜6、光吸收校正膜7和反射膜8。
入射側(cè)介電膜2和入射相反側(cè)介電膜6具有光學(xué)功能和熱功能。對(duì)于光學(xué)功能來(lái)說(shuō)，為了增加信號(hào)幅度，調(diào)節(jié)光學(xué)距離，使記錄膜4的光吸收效率增加，使結(jié)晶相和非晶相之間的反射系數(shù)的變化幅度增加。對(duì)于熱功能來(lái)說(shuō)，諸如基板1和仿真基板10的耐熱性低的部分與在記錄時(shí)要加熱到高溫的記錄膜4隔離。傳統(tǒng)上用80mol％ZnS和20mol％SiO2的混合物作為介質(zhì)材料，其具有良好的透明性、高折射率、低導(dǎo)熱性、良好的絕熱性能、良好的機(jī)械性能和良好的耐潮濕性。注意通過(guò)用矩陣法進(jìn)行計(jì)算時(shí)，可以精確地確定入射側(cè)介電膜2和入射相反側(cè)介電膜6的膜厚，從而形成使記錄膜4的結(jié)晶相和非晶相之間的光反射量有很大差別的條件，會(huì)有大量的光被吸收在記錄膜4中(例如，可以參見(jiàn)HiroshiKubota的“Wave Optics”，Iwanami Shoten，1971，第3章)。
記錄膜4通過(guò)使用高速結(jié)晶材料不僅具有初始記錄/重寫(xiě)性能，而且還具有優(yōu)異的檔案(archival)性能(很長(zhǎng)時(shí)間后復(fù)制記錄信號(hào)的性能)、優(yōu)異的檔案重寫(xiě)性能(很長(zhǎng)時(shí)間后將記錄的信號(hào)刪除或重寫(xiě)的性能)，高速結(jié)晶材料包括Ge-Sn-Sb-Te，其中，GeTe-Sb2Te3上的假二元相變材料中的一部分Ge被Sn替代。
入射側(cè)界面膜3和入射相反側(cè)界面膜5的作用分別是防止入射側(cè)介電膜2和記錄膜4之間及入射相反側(cè)介電膜6和記錄膜4之間發(fā)生質(zhì)量傳遞。質(zhì)量傳遞是通過(guò)在記錄膜4上照射激光束進(jìn)行重復(fù)記錄和重寫(xiě)時(shí)的一種現(xiàn)象，其中，用于入射側(cè)介電膜2和入射相反側(cè)介電膜6的80mol％ZnS和20mol％SiO2的混合物中的S擴(kuò)散到記錄膜中。當(dāng)S擴(kuò)散到記錄膜中時(shí)，其重復(fù)的重寫(xiě)性能將遭到破壞(例如，參見(jiàn)N.Yamada等人，Japanese Journal of Applied Physics，Vol 37(1998)，2104-2110頁(yè))。為了防止重復(fù)的重寫(xiě)性能遭到破壞，可以將含Ge的氮化物用于入射側(cè)界面膜3和入射相反側(cè)界面膜5(例如，參見(jiàn)日本未審公開(kāi)專(zhuān)利H10-275360)。
上述技術(shù)能夠達(dá)到優(yōu)異的重寫(xiě)性能和很高的可靠性，并且已經(jīng)導(dǎo)致4.7GB/DVD-RAM的工業(yè)化。
另外，為了進(jìn)一步提高信息記錄介質(zhì)的性能，人們研究了很多其它的技術(shù)。例如，對(duì)于光信息記錄介質(zhì)來(lái)說(shuō)，人們研究了用斑直徑減小的激光束進(jìn)行高密度記錄的技術(shù)，通過(guò)下述措施可以達(dá)到這一目的使用波長(zhǎng)短于傳統(tǒng)上使用的紅色激光束的波長(zhǎng)的藍(lán)色-紫色激光束，或者使用排列在激光束入射側(cè)上的更薄的基板和具有很高數(shù)值孔徑(NA)的物鏡。另外，在人們研究的其它技術(shù)中，用具有兩個(gè)信息層的光信息記錄介質(zhì)使其存儲(chǔ)能力加倍，用從其一側(cè)進(jìn)入的激光束在兩個(gè)信息層中記錄和復(fù)制信息(例如，參見(jiàn)日本未審公開(kāi)專(zhuān)利2000-36130和2002-144736)。
為了增加信息記錄介質(zhì)的容量和用減小的斑直徑進(jìn)行記錄，需要即使在記錄標(biāo)記很小的情況下也能形成形狀良好的記錄標(biāo)記的光信息記錄介質(zhì)。當(dāng)小斑直徑用于記錄時(shí)，在記錄層上照射激光束的時(shí)間較短。因此，為了形成小的記錄標(biāo)記，形成記錄層的材料必須快速結(jié)晶，或者必須將具有高結(jié)晶促進(jìn)效應(yīng)的界面層排列成與記錄層接觸的狀態(tài)。
另外，在從兩個(gè)信息層的一側(cè)記錄和復(fù)制信息的光信息記錄介質(zhì)中(下面有時(shí)候稱(chēng)之為兩層光信息記錄介質(zhì))，為了使用穿過(guò)靠近激光束入射側(cè)的信息層(下面有時(shí)候稱(chēng)之為第一信息層)的激光束并在遠(yuǎn)離激光束入射側(cè)的信息層(下面有時(shí)候稱(chēng)之為第二信息層)上記錄和復(fù)制信息，必須通過(guò)使記錄層極其薄化而提高第一信息層的透明度。但是，當(dāng)記錄層薄化時(shí)，記錄層結(jié)晶時(shí)形成的晶核數(shù)量減少，原子的移動(dòng)距離縮短。因此，記錄層越薄，形成結(jié)晶相越困難(即，結(jié)晶速度降低)。
另外，如果通過(guò)縮短信息記錄介質(zhì)的信息記錄時(shí)間提高信息傳輸速率，則結(jié)晶時(shí)間縮短。因此，為了得到能夠承載高傳輸速率的信息記錄介質(zhì)，必須提高記錄層的結(jié)晶性能。另外，高傳輸速率時(shí)記錄信息與低傳輸速率時(shí)記錄信息相比，因?yàn)橛涗泴釉诩訜岷罂焖倮鋮s，所以記錄后非晶相中形成的微晶核的百分比下降。換句話說(shuō)，更易于得到更穩(wěn)定的非晶相。長(zhǎng)期儲(chǔ)存后，非晶相具有變成更穩(wěn)定能態(tài)的趨勢(shì)，因此，當(dāng)以高傳輸速率記錄信息時(shí)，記錄層難以進(jìn)一步結(jié)晶，檔案重寫(xiě)性能將遭到破壞。
本發(fā)明的發(fā)明人進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)顯示用具有下述組成的材料作為記錄層時(shí)，可以改善記錄層的結(jié)晶速度(結(jié)晶能力)用Sn取代GeTe-Sb2Te3線上或與其鄰近的假二元體系中的一部分Ge。此時(shí)，如果Sn的取代量增加，則信號(hào)幅度會(huì)降低，因?yàn)榻Y(jié)晶相和非晶相之間的光學(xué)變化會(huì)越來(lái)越小。另外，因?yàn)槿绻鸖n量增加，則記錄的非晶相會(huì)逐步結(jié)晶，所以檔案性能會(huì)遭到破壞，特別是以低傳輸速率記錄信息時(shí)。
如上所述，難以在增加其容量的同時(shí)在一個(gè)信息記錄介質(zhì)中同時(shí)達(dá)到高傳輸速率下的檔案重寫(xiě)性能和低傳輸速率下的檔案性能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種多層信息記錄介質(zhì)，特別是雙層信息記錄介質(zhì)，其中，記錄層的結(jié)晶性能得以改善，能夠同時(shí)達(dá)到高傳輸速率下的檔案重寫(xiě)性能和低傳輸速率下的檔案性能，還具有良好的重復(fù)重寫(xiě)性能。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，信息記錄介質(zhì)至少有兩個(gè)信息層。信息記錄介質(zhì)至少包括第一信息層和第二信息層，第一信息層包括能夠用光學(xué)裝置或電氣裝置在結(jié)晶相和非晶相之間產(chǎn)生可逆相變的第一記錄層，第二信息層包括能夠用光學(xué)裝置或電氣裝置在結(jié)晶相和非晶相之間產(chǎn)生可逆相變的第二記錄層。第一記錄層含有Ge、Te和Bi，第二記錄層含有Sb和至少一種選自V、Mn、Ga、Ge、Se、Ag、In、Sn、Te、Pb、Bi和Au的元素M1。因此，在得到的信息記錄介質(zhì)中，第一信息層和第二信息層具有高傳輸速率下的檔案重寫(xiě)性能和低傳輸速率下的檔案性能。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，第一記錄層還可以含有Sb。在這種情況下，第一記錄層包括Ge、Te、Bi和Sb。因?yàn)镾b能夠改善熱穩(wěn)定性，所以能夠改善低傳輸速率下的檔案性能。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，第一記錄層還可以含有Sn。在這種情況下，第一記錄層包括Ge、Te、Bi和Sn。因?yàn)镾n能夠改善結(jié)晶性能，所以能夠改善高傳輸速率下的檔案重寫(xiě)性能。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，第一記錄層還可以含有1.0原子％或更多的Bi。從而可以達(dá)到高傳輸速率下的檔案重寫(xiě)性能和良好的低傳輸速率下的檔案性能。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，第一記錄層可以用組成式GeaBibTe3+a表示，其中，0＜a≤60，1.5≤b≤7。根據(jù)該信息記錄介質(zhì)，可以達(dá)到高傳輸速率下的檔案重寫(xiě)性能和良好的低傳輸速率下的檔案性能。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，第一記錄層可以用組成式(Ge-M2)aBibTe3+a表示，其中，M2是至少一種選自Sn和Pb的元素。根據(jù)該信息記錄介質(zhì)，取代Ge-Bi-Te三元組合物中的Ge的Sn和/或Pb能夠改善其結(jié)晶性能，因此能夠改善高傳輸速率下的檔案重寫(xiě)性能。特別優(yōu)選地是，在第一記錄層的組成中，M2是15％或更低。這是因?yàn)槿绻鸐2的組成比例很大，則來(lái)自第一記錄層的信號(hào)幅度將減小。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，第一記錄層的組成可以用組成式Gea(Bi-Sb)bTe3+a表示，根據(jù)該信息記錄介質(zhì)，取代Ge-Bi-Te三元組合物中的Bi的Sb改善了熱穩(wěn)定性，所以能夠改善低傳輸速率下的檔案性能。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，第一記錄層的組成可以用組成式(Ge-M2)a(Bi-Sb)bTe3+a表示，根據(jù)該信息記錄介質(zhì)，取代Ge-Bi-Te三元組合物中的Ge的Sn和/或Pb改善了其結(jié)晶性能，取代Bi的Sb提高了熱穩(wěn)定性，所以能夠達(dá)到高傳輸速率下的檔案重寫(xiě)性能和低傳輸速率下的檔案性能。特別優(yōu)選地是，在第一記錄層的組成中，M2是15％或更低。這是因?yàn)槿绻鸐2的組成比例很大，則來(lái)自第一記錄層的信號(hào)幅度將減小。
注意在第一記錄層中使用組成式為GeaBibTe3+a、(Ge-M2)aBibTe3+a、Gea(Bi-Sb)bTe3+a和(Ge-M2)a(Bi-Sb)bTe3+a的材料時(shí)，第一記錄層是結(jié)晶相時(shí)第一信息層的透射率Tc(％)與第一記錄層是非晶相時(shí)第一信息層的透射率Ta(％)的差值會(huì)降低到5％或更小。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，信息記錄介質(zhì)至少包括兩個(gè)信息層，即第一信息層和第二信息層，第一信息層具有能夠用光學(xué)裝置或電氣裝置在結(jié)晶相和非晶相之間產(chǎn)生可逆相變的第一記錄層，第二信息層具有能夠用光學(xué)裝置或電氣裝置在結(jié)晶相和非晶相之間產(chǎn)生可逆相變的第二記錄層。第一記錄層含有Ge、Te、Sb，第二記錄層含有Sb和至少一種選自V、Mn、Ga、Ge、Se、Ag、In、Sn、Te、Pb、Bi和Au的元素M1。因此，在得到的信息記錄介質(zhì)中，第一信息層和第二信息層具有高傳輸速率下的檔案重寫(xiě)性能和低傳輸速率下的檔案性能。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，第一記錄層可以用組成式GeaSbbTe3+a表示，其中，0＜a≤60，1.5≤b≤7。根據(jù)該信息記錄介質(zhì)，特別能夠改善低傳輸速率下的檔案性能。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，第一記錄層可以用組成式(Ge-M2)aSbbTe3+a表示，其中，M2是至少一種選自Sn和Pb的元素。根據(jù)該信息記錄介質(zhì)，取代Ge-Sb-Te三元組合物中的Ge的Sn和/或Pb能夠改善其結(jié)晶性能，因此能夠改善高傳輸速率下的檔案重寫(xiě)性能。特別優(yōu)選地是，在第一記錄層的組成中，M2是15％或更低。這是因?yàn)槿绻鸐2的組成比例很大，則來(lái)自第一記錄層的信號(hào)幅度將減小。
注意在第一記錄層中使用組成式為GeaSbbTe3+a和(Ge-M2)aSbbTe3+a的材料時(shí)，第一記錄層是結(jié)晶相時(shí)第一信息層的透射率Tc(％)與第一記錄層是非晶相時(shí)第一信息層的透射率Ta(％)的差值會(huì)降低到5％或更小。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，第二記錄層可以用組成式SbxM1100-x表示，其中，50≤x≤95原子％。根據(jù)該信息記錄介質(zhì)，可以達(dá)到高傳輸速率下的檔案重寫(xiě)性能和低傳輸速率下的檔案性能。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，第二記錄層可以用組成式SbyM1100-y表示，其中，0＜y≤20原子％。根據(jù)該信息記錄介質(zhì)，可以達(dá)到高傳輸速率下的檔案重寫(xiě)性能和低傳輸速率下的檔案性能。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，第二記錄層可以用組成式Gea(Bi-Sb)bTe3+a表示，根據(jù)該信息記錄介質(zhì)，取代Ge-Bi-Te三元組合物中的Bi的Sb改善了其熱穩(wěn)定性，所以能夠改善低傳輸速率下的檔案性能。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，第二記錄層可以用組成式(Ge-M2)a(Bi-Sb)bTe3+a表示。根據(jù)該信息記錄介質(zhì)，取代Ge-Bi-Te三元組合物中的Ge的Sn和/或Pb改善了其結(jié)晶性能，取代Bi的Sb提高了熱穩(wěn)定性，所以能夠達(dá)到高傳輸速率下的檔案重寫(xiě)性能和低傳輸速率下的檔案性能。特別優(yōu)選地是，在第二記錄層的組成中，M2是15％或更低。這是因?yàn)槿绻鸐2的組成比例很大，則來(lái)自第二記錄層的信號(hào)幅度將減小。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)至少包括兩個(gè)信息層，即第一信息層和第二信息層，第一信息層具有能夠用光學(xué)裝置或電氣裝置在結(jié)晶相和非晶相之間產(chǎn)生可逆相變的第一記錄層，第二信息層具有能夠用光學(xué)裝置或電氣裝置在結(jié)晶相和非晶相之間產(chǎn)生可逆相變的第二記錄層。第一記錄層和第二記錄層都含有Ge、Te和Bi。因此，在得到的信息記錄介質(zhì)中，第一信息層和第二信息層具有高傳輸速率下的檔案重寫(xiě)性能和低傳輸速率下的檔案性能。
另外，第一記錄層和第二記錄層中的至少一個(gè)可以含有1.0原子％或更多的Bi。從而可以達(dá)到高傳輸速率下的檔案重寫(xiě)性能和低傳輸速率下的檔案性能。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，第一記錄層和第二記錄層中的至少一個(gè)可以用組成式GeaBibTe3+a表示。根據(jù)該信息記錄介質(zhì)，可以達(dá)到高傳輸速率下的檔案重寫(xiě)性能和低傳輸速率下的檔案性能。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，第一記錄層和第二記錄層中的至少一個(gè)可以用組成式(Ge-M2)aBibTe3+a表示。根據(jù)該信息記錄介質(zhì)，取代Ge-Bi-Te三元組合物中的Ge的Sn和/或Pb能夠改善其結(jié)晶性能，因此能夠改善高傳輸速率下的檔案重寫(xiě)性能。特別優(yōu)選地是，在該記錄層的組成中，M2是15％或更低。這是因?yàn)槿绻鸐2的組成比例很大，則來(lái)自該記錄層的信號(hào)幅度將減小。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，信息記錄介質(zhì)還包括鄰近第一記錄層和第二記錄層中的至少一個(gè)的表面設(shè)置的界面層，界面層含有一種或多種選自下述物質(zhì)的組成Ga2O3、SnO2、ZrO2、HfO2、Nb2O5、Ta2O5、SiO2、Cr2O3、Al2O3、TiO2、ZnO、Zr-N、Hf-N、Nb-N、Ta-N、Si-N、Cr-N、Ge-N、Al-N、Ge-Si-N、Ge-Cr-N、YF3、LaF3、CeF3、GdF3、DyF3、ErF3、YbF3、C和ZnS。根據(jù)該信息記錄介質(zhì)，鄰近記錄層設(shè)置的界面層能夠抑制原子向記錄層中的擴(kuò)散，從而可以改善重復(fù)重寫(xiě)性能。另外，界面層能夠提高記錄層的結(jié)晶性能，因此還可以改善高傳輸速率下的檔案重寫(xiě)性能。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，第一信息層可以至少依次包括第一入射側(cè)介質(zhì)層、第一入射側(cè)界面層、第一記錄層、第一入射相反側(cè)界面層、第一反射層和透射率調(diào)節(jié)層。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，可以得到第一信息層中透射率高、具有良好的刪除性能和良好的重寫(xiě)性能的信息記錄介質(zhì)。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，第二信息層可以至少依次包括第二入射側(cè)介質(zhì)層、第二入射側(cè)界面層、第二記錄層、第二入射相反側(cè)界面層、第二入射相反側(cè)介質(zhì)層和第二反射層。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，可以得到第二信息層中記錄敏感性高、具有良好的刪除性能和良好的重寫(xiě)性能的信息記錄介質(zhì)。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，相對(duì)于第二信息層來(lái)說(shuō)，第一信息層放置在光學(xué)裝置側(cè)。因此，來(lái)自光學(xué)裝置的激光束會(huì)經(jīng)由第一信息層到達(dá)第二信息層。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，第一記錄層的厚度可以是9nm或更小。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，可以得到第一信息層中的透射率高、具有良好的刪除性能和良好的重寫(xiě)性能的信息記錄介質(zhì)。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，第一記錄層的厚度可以是6-15nm。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，可以得到第二信息層中的記錄敏感性高、具有良好的刪除性能和良好的重寫(xiě)性能的信息記錄介質(zhì)。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，一種在基板上至少有兩個(gè)信息層的信息記錄介質(zhì)的生產(chǎn)方法，其包括能夠產(chǎn)生相變的第一記錄層的形成步驟和能夠產(chǎn)生相變的第二記錄層的形成步驟。在第一記錄層的形成步驟中使用含Ge、Te和Bi的濺射目標(biāo)，在第二記錄層的形成步驟中使用含Sb和至少一種選自V、Mn、Ga、Ge、Se、Ag、In、Sn、Te、Pb、Bi和Au的元素M1的濺射目標(biāo)。根據(jù)該方法，在生產(chǎn)的信息記錄介質(zhì)中，第一記錄層包括Ge、Te和Bi，第二記錄層包括Sb和M1。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，在第一記錄層的形成步驟中使用的濺射目標(biāo)還可以含有Sb。根據(jù)該方法，在生產(chǎn)的信息記錄介質(zhì)中，第一記錄層包括Ge、Sb、Te和Bi。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，在第一記錄層的形成步驟中使用的濺射目標(biāo)還可以含有Sn。根據(jù)該方法，在生產(chǎn)的信息記錄介質(zhì)中，第一記錄層包括Ge、Sn、Te和Bi。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，可以在第一記錄層的形成步驟中使用含0.5原子％或更多Bi的濺射目標(biāo)。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，可以選擇濺射目標(biāo)的組成，使得用在第一記錄層的形成步驟中使用的濺射目標(biāo)形成的第一記錄層可以用組成式GeaBibTe3+a表示，其中，0＜a≤60，1.5≤b≤7。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，可以選擇濺射目標(biāo)的組成，使得用在第一記錄層的形成步驟中使用的濺射目標(biāo)形成的第一記錄層可以用組成式(Ge-M2)aBibTe3+a表示，其中，M2是至少一種選自Sn和Pb的元素。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，可以選擇濺射目標(biāo)的組成，使得用在第一記錄層的形成步驟中使用的濺射目標(biāo)形成的第一記錄層可以用組成式Gea(Bi-Sb)bTe3+a表示。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，一種至少有兩個(gè)信息層的信息記錄介質(zhì)的生產(chǎn)方法，其包括能夠產(chǎn)生相變的第一記錄層的形成步驟和能夠產(chǎn)生相變的第二記錄層的形成步驟，其中，在第一記錄層的形成步驟中使用含Ge、Te和Sb的濺射目標(biāo)，在第二記錄層的形成步驟中使用含Sb和至少一種選自V、Mn、Ga、Ge、Se、Ag、In、Sn、Te、Pb、Bi和Au的元素M1的濺射目標(biāo)。根據(jù)該方法，在生產(chǎn)的信息記錄介質(zhì)中，第一記錄層包括Ge、Te和Sb，第二記錄層包括Sb和M1。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，可以選擇濺射目標(biāo)的組成，使得用在第一記錄層的形成步驟中使用的濺射目標(biāo)形成的第一記錄層可以用組成式GeaSbbTe3+a表示，其中，0＜a≤60，1.5≤b≤7。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，可以選擇濺射目標(biāo)的組成，使得用在第一記錄層的形成步驟中使用的濺射目標(biāo)形成的第一記錄層可以用組成式(Ge-M2)aSbbTe3+a表示，其中，M2是至少一種選自Sn和Pb的元素。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，可以選擇濺射目標(biāo)的組成，使得用在第一記錄層的形成步驟中使用的濺射目標(biāo)形成的第一記錄層可以用組成式(Ge-M2)a(Bi-Sb)bTe3+a表示。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，可以選擇濺射目標(biāo)的組成，使得用在第二記錄層的形成步驟中使用的濺射目標(biāo)形成的第二記錄層可以用組成式SbxM1100-x表示，其中，50≤x≤95原子％。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，可以選擇濺射目標(biāo)的組成，使得用在第二記錄層的形成步驟中使用的濺射目標(biāo)形成的第二記錄層可以用組成式SbyM1100-y表示，其中，0＜y≤20原子％。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，可以選擇濺射目標(biāo)的組成，使得用在第二記錄層的形成步驟中使用的濺射目標(biāo)形成的第二記錄層可以用組成式Gea(Bi-Sb)bTe3+a表示。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，可以選擇濺射目標(biāo)的組成，使得用在第二記錄層的形成步驟中使用的濺射目標(biāo)形成的第二記錄層可以用組成式(Ge-M2)a(Bi-Sb)bTe3+a表示。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，一種至少有兩個(gè)信息層的信息記錄介質(zhì)的生產(chǎn)方法，其包括能夠產(chǎn)生相變的第一記錄層的形成步驟和能夠產(chǎn)生相變的第二記錄層的形成步驟，其中，在第一記錄層的形成步驟和第二記錄層的形成步驟中都使用含Ge、Te和Bi的濺射目標(biāo)。根據(jù)該方法，在生產(chǎn)的信息記錄介質(zhì)中，第一記錄層和第二記錄層都包括Ge、Te和Bi。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，可以在第二記錄層的形成步驟中使用含0.5原子％或更多Bi的濺射目標(biāo)。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，可以選擇濺射目標(biāo)的組成，使得用在第二記錄層的形成步驟中使用的濺射目標(biāo)形成的第二記錄層可以用組成式GeaBibTe3+a表示。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，可以選擇濺射目標(biāo)的組成，使得用在第二記錄層的形成步驟中使用的濺射目標(biāo)形成的第二記錄層可以用組成式(Ge-M2)aBibTe3+a表示。
附圖簡(jiǎn)述圖1是示出本發(fā)明實(shí)施方案1的信息記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖2是示出本發(fā)明實(shí)施方案2的信息記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖3是示出本發(fā)明實(shí)施方案3的信息記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖4是示出本發(fā)明實(shí)施方案4的信息記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖5是描述用本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)記錄和復(fù)制信息用的記錄和復(fù)制設(shè)備的一部分結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖6是示出本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)和電信息記錄和復(fù)制設(shè)備的一部分結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖7是示出本發(fā)明的大容量電信息記錄介質(zhì)的一部分結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖8是示出本發(fā)明的電信息記錄介質(zhì)及其記錄和復(fù)制系統(tǒng)的一部分結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖9是示出在本發(fā)明的電信息記錄介質(zhì)中的記錄和刪除脈沖波形的一個(gè)例子的視圖。
圖10是4.7GB/DVD-RAM層結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的截面圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參考附圖描述本發(fā)明的實(shí)施方案。注意上述實(shí)施方案只是一些例子，本發(fā)明不應(yīng)當(dāng)局限于此。另外，在上述實(shí)施方案中，同樣的部分用同樣的符號(hào)表示，這樣可以避免對(duì)其重復(fù)說(shuō)明。
實(shí)施方案1下面描述本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施方案的信息記錄介質(zhì)。圖1示出第一個(gè)實(shí)施方案的信息記錄介質(zhì)15的局部截面。信息記錄介質(zhì)15是多層光信息記錄介質(zhì)，可以用從其一側(cè)照來(lái)的激光束11記錄和復(fù)制信息。
信息記錄介質(zhì)15包括N(N是≥2的非負(fù)整數(shù))組利用光學(xué)隔離層(optical separation layers)20、19和17等依次形成在基板14上的信息層21、18和第一信息層16及透明層13。從激光束11的入射側(cè)數(shù)起，第1至第(N-1)組的第一信息層16和信息層18是光學(xué)透明信息層(下面將從激光束11的入射側(cè)數(shù)起的第N組的信息層稱(chēng)為“第N個(gè)信息層”)。
透明層13是用樹(shù)脂如光固化樹(shù)脂(特別是紫外線固化樹(shù)脂)或延遲作用樹(shù)脂或類(lèi)似電介質(zhì)等形成的。優(yōu)選地是，透明層13相對(duì)于使用的激光束11吸收少量光，并且在短波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有很小的光學(xué)雙折射。另外，透明層13可以是透明盤(pán)狀聚碳酸酯、無(wú)定形聚烯烴、PMMA或其它樹(shù)脂或玻璃。在這種情況下，可以用光固化樹(shù)脂(特別是紫外線固化樹(shù)脂)、延遲作用樹(shù)脂或其它樹(shù)脂將透明層13粘結(jié)在第一入射側(cè)介電膜102上。
用于高密度記錄時(shí)，激光束11的波長(zhǎng)λ優(yōu)選是450nm或更短，因?yàn)榫劢辜す馐?1的斑直徑取決于波長(zhǎng)λ(波長(zhǎng)λ越短，得到的斑直徑越小)。波長(zhǎng)λ更優(yōu)選是350-450nm，因?yàn)槿绻逃?50nm，則透明層13等的光吸收性增加。
基板14是透明盤(pán)狀基板。例如，基板14可以是聚碳酸酯、無(wú)定形聚烯烴、PMMA或其它樹(shù)脂或玻璃。
如果需要，基板14在其信息層21一側(cè)的表面上可以設(shè)置導(dǎo)向槽，用于引導(dǎo)激光束。位于與信息層21相對(duì)的一側(cè)的基板14的表面優(yōu)選是光滑的?；?4優(yōu)選由聚碳酸酯構(gòu)成，因?yàn)槠渚哂袃?yōu)異的遷移性(transfer)和規(guī)模生產(chǎn)能力，并且便宜。另外，基板14的厚度優(yōu)選是0.5-1.2mm，使基板14具有足夠高的強(qiáng)度，信息記錄介質(zhì)15的厚度約為1.2mm。另外，如果透明層13的厚度約為0.6mm(當(dāng)NA＝0.6時(shí)，可以得到良好的記錄和復(fù)制性能)，則基板14的厚度優(yōu)選是0.55-0.65mm。另外，如果透明層13的厚度約為0.1mm(當(dāng)NA＝0.85時(shí)，可以得到良好的記錄和復(fù)制性能)，則基板14的厚度優(yōu)選是1.05-1.15mm。
光學(xué)隔離層20、19和17等是用光固化樹(shù)脂(特別是紫外線固化樹(shù)脂)、延遲作用樹(shù)脂或其它樹(shù)脂或電介質(zhì)等形成的。優(yōu)選地是，光學(xué)隔離層相對(duì)于使用的激光束11吸收少量光，并且在短波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有很小的光學(xué)雙折射。
設(shè)置光學(xué)隔離層20、19和17等的目的是區(qū)分第一信息層16、信息層18、21等在信息記錄介質(zhì)15中的焦點(diǎn)位置。光學(xué)隔離層20、19和17等的厚度要求等于或大于焦點(diǎn)深度ΔZ，焦點(diǎn)深度ΔZ由物鏡的數(shù)值孔徑NA和激光束11的波長(zhǎng)λ所確定。如果假定光焦點(diǎn)的參比強(qiáng)度是沒(méi)有像差時(shí)的80％，則ΔZ大致是ΔZ＝λ/{2(NA)2}。當(dāng)λ＝405nm且NA＝0.85時(shí)，ΔZ＝0.280μm，±0.3μm表示焦點(diǎn)的深度范圍。因此，在這種情況下，光學(xué)隔離層20、19和17等的厚度要求是0.6μm或更大。第一信息層16與每一個(gè)信息層18、21及其它信息層的距離優(yōu)選在用物鏡能夠?qū)⒓す馐? 1聚焦的范圍內(nèi)。因此，光學(xué)隔離層20、19和17等的總厚度優(yōu)選在物鏡所允許的誤差范圍內(nèi)(如50μm或更小)。
在光學(xué)隔離層20、19和17等中，如果需要，可以在激光束11入射側(cè)的表面上形成導(dǎo)向槽，用于引導(dǎo)激光束。
在這種情況下，當(dāng)從一側(cè)照射激光束11時(shí)，用穿過(guò)第1至第(K-1)個(gè)信息層的激光束11可以對(duì)第K個(gè)信息層(K是1＜K≤N的非負(fù)整數(shù))讀取和寫(xiě)入。
另外，第一信息層至第N個(gè)信息層中的任何一個(gè)都可以是只讀式信息層(ROM只讀存儲(chǔ))或一次寫(xiě)入多次讀取(write-once-read-many)的信息層(WO一次寫(xiě)入)。
下面詳述第一信息層16的結(jié)構(gòu)。
第一信息層16包括第一入射側(cè)介電膜102、第一入射側(cè)界面膜103、第一記錄膜104、第一入射相反側(cè)界面膜105、第一反射膜108和透射率調(diào)節(jié)膜109，這些膜層從激光束11的入射側(cè)開(kāi)始依次排列。
第一入射側(cè)介電膜102用電介質(zhì)制成。第一入射側(cè)介電膜102的作用是防止第一記錄膜104氧化、腐蝕、變形等，調(diào)節(jié)光學(xué)距離以提高第一記錄膜104的光吸收效率，增加結(jié)晶相和非晶相之間反射系數(shù)的差別以增加信號(hào)幅度。第一入射側(cè)介電膜102可以用氧化物如TiO2、ZrO2、HfO2、ZnO、Nb2O5、Ta2O5、SiO2、Al2O3、Bi2O3、Cr2O3、SnO2或Ga2O3制成。還可以用氮化物如C-N、Ti-N、Zr-N、Hf-N、Nb-N、Ta-N、Si-N、Ge-N、Cr-N、Al-N、Ge-Si-N或Ge-Cr-N。還可以用硫化物如ZnS、碳化物如SiC或氟化物如YF3、LaF3、CeF3、GdF3、DyF3、ErF3或YbF3或C。還可以用上述材料的混合物。例如，ZnS-SiO2是ZnS和SiO2的混合物，用作第一入射側(cè)介電膜102的材料時(shí)特別好。ZnS-SiO2是無(wú)定形材料，具有高折射率、快速沉積速度、良好的機(jī)械性能和良好的抗?jié)裥浴?br> 可以用矩陣法經(jīng)過(guò)計(jì)算精確確定第一入射側(cè)介電膜102的膜厚，以滿(mǎn)足下述條件第一記錄膜104的記錄層在結(jié)晶相和非晶相之間反射光量的差值很大，第一記錄膜104中的光吸收性很大，第一信息層16的透射率很大。
第一入射側(cè)界面膜103的作用是防止第一入射側(cè)介電膜102和第一記錄膜104之間由于重復(fù)記錄而產(chǎn)生的質(zhì)量傳遞。優(yōu)選地是，第一入射側(cè)界面膜103的材料很少吸收光，具有高熔點(diǎn)，使其在記錄過(guò)程中不會(huì)熔融，還具有良好的粘結(jié)第一記錄膜104的性能。具有高熔點(diǎn)使其在記錄過(guò)程中不會(huì)熔融是在其上照射高能激光束11時(shí)避免熔融和被第一記錄膜104污染的一個(gè)必要性能。如果第一入射側(cè)界面膜103的材料被污染，則第一記錄膜104的組成將發(fā)生變化，使其重寫(xiě)性能受到極大地破壞。另外，材料具有良好的粘結(jié)第一記錄膜104的性能是確保其可靠性的一個(gè)必要性能。
可以用與第一入射側(cè)介電膜102相同類(lèi)型的材料制成第一入射側(cè)界面膜103。特別優(yōu)選使用含Cr、M3和O的材料(這里的M3是一種或多種選自Zr和Hf的元素)。另外優(yōu)選地是，Cr和O形成Cr2O3，M3和O形成M3O2，從而成為Cr2O3和M3O2的混合物。Cr2O3是與第一記錄膜104有良好粘結(jié)性的材料。另外，在氧化物材料中，ZrO2和HfO2是高熔點(diǎn)(約2700-2800℃)和導(dǎo)熱性較低的透明材料，這意味著優(yōu)異的重復(fù)重寫(xiě)性能。將這兩種氧化物材料混合時(shí)，即使其部分連接于第一記錄膜104而形成，則也可能得到具有良好的重復(fù)重寫(xiě)性能和高可靠性的信息記錄介質(zhì)15。為了保證優(yōu)異的與第一記錄膜104的粘結(jié)性，Cr2O3-M3O2中Cr2O3的量?jī)?yōu)選是10mol％或更大，為了使第一入射側(cè)界面膜103中的光吸收性保持很小的值，其量?jī)?yōu)選是60mol％或更小(光吸收性有隨Cr2O3增加而增加的趨勢(shì))。Cr2O3-M3O2中Cr2O3的含量更優(yōu)選是20-50mol％。
另外，C是用作第一入射側(cè)界面膜103的優(yōu)異材料，因?yàn)槠渑c記錄層有良好的粘結(jié)性。優(yōu)選C還因?yàn)樗潜阋说牟牧稀?br> 第一入射側(cè)界面膜103可以是除Cr、M3和O外還含有Si的材料。另外優(yōu)選地是，Cr和O形成Cr2O3，M3和O形成M3O2，Si和O形成SiO2，從而成為SiO2、Cr2O3和M3O2的混合物。當(dāng)其中含有SiO2時(shí)，透明度提高，從而可以得到記錄性能優(yōu)異的第一信息層16。為了保證優(yōu)異的與第一記錄膜104的粘結(jié)性，SiO2-Cr2O3-M3O2中的SiO2含量?jī)?yōu)選是5mol％或更大且50mol％或更小，SiO2-Cr2O3-M3O2中的SiO2含量更優(yōu)選是10-40mol％。另外，為了保證良好的記錄重寫(xiě)性能，SiO2和Cr2O3的總含量小于或等于95mol％。
第一入射側(cè)界面膜103的膜厚優(yōu)選是1-10nm，更優(yōu)選2-7nm，使得在第一信息層16是記錄前后反射的光量不會(huì)因第一入射側(cè)界面膜103中光的吸收而減少。
第一入射相反側(cè)界面膜105的作用是調(diào)節(jié)光學(xué)距離以提高第一記錄膜104的光吸收效率，提高記錄前后反射光量的變化值以增加信號(hào)幅度?？梢杂门c第一入射側(cè)介電膜102相同類(lèi)型的材料制成第一入射相反側(cè)界面膜105。另外，與第一入射側(cè)界面膜103類(lèi)似，優(yōu)選使用含Cr、M3和O的材料。另外優(yōu)選地是，Cr和O形成Cr2O3，M3和O形成M3O2，從而成為Cr2O3和M3O2的混合物。第一入射相反側(cè)界面膜105的粘結(jié)性比第一入射側(cè)界面膜103的粘結(jié)性差。因此，Cr2O3-M3O2中Cr2O3的量?jī)?yōu)選是20-80mol％，并比第一入射側(cè)界面膜103中的大。Cr2O3-M3O2中Cr2O3的含量更優(yōu)選是30-70mol％。
與第一入射側(cè)界面膜103一樣，第一入射相反側(cè)界面膜105可以是除Cr、M3和O外還含有Si的材料。另外優(yōu)選地是，Cr和O形成Cr2O3，M3和O形成M3O2，Si和O形成SiO2，從而成為SiO2、Cr2O3和M3O2的混合物。為了保證良好的與第一記錄膜104的粘結(jié)性，SiO2-Cr2O3-M3O2中的SiO2含量是40mol％或更小，并比第一入射側(cè)界面膜103中的低。SiO2-Cr2O3-M3O2中的SiO2含量?jī)?yōu)選是5-35mol％。另外，為了保證良好的記錄重寫(xiě)性能，SiO2和Cr2O3的總含量小于或等于95mol％。
第一入射相反側(cè)界面膜105的膜厚優(yōu)選是2-75nm，更優(yōu)選2-40nm。如果在該范圍內(nèi)選擇第一入射相反側(cè)界面膜105的膜厚，第一記錄膜104中產(chǎn)生的熱可以有效地?cái)U(kuò)散到第一反射膜108一側(cè)中。
第一記錄膜104由在其上照射激光束11時(shí)在結(jié)晶相和非晶相之間產(chǎn)生可逆相變的材料制成。例如，可以用含Ge、Te和Bi的材料形成第一記錄膜104。另外，第一記錄膜104優(yōu)選含有1.0原子％或更多的Bi。更具體地說(shuō)，可以用以式GeaBibTe3+a表示的材料形成第一記錄膜104，該式優(yōu)選滿(mǎn)足關(guān)系式0＜a≤60，更優(yōu)選滿(mǎn)足關(guān)系式4≤a≤40，使得非晶相穩(wěn)定，低傳輸速率下的檔案性能良好，熔點(diǎn)很少增加，結(jié)晶速度很少降低，并且高傳輸速率下的檔案重寫(xiě)性能良好。另外，優(yōu)選非晶相是穩(wěn)定的，滿(mǎn)足關(guān)系式1.5≤b≤7，使得結(jié)晶速度很少降低，更優(yōu)選滿(mǎn)足關(guān)系式2≤b≤4。
另外，可以用以組成式(Ge-M2)aBibTe3+a表示的材料形成第一記錄膜104，其中，M2是選自Sn和Pb的一種或多種元素。如果使用這種材料，取代Ge的元素M2改善其結(jié)晶性能，因此，即使第一記錄膜104的膜厚很小，也能夠得到足夠的刪除率。元素M2更優(yōu)選是Sn，因?yàn)槠涠拘缘汀Ｈ绻褂眠@種材料，優(yōu)選滿(mǎn)足關(guān)系式0＜a≤60(更優(yōu)選4≤a≤40)和1.5≤b≤7(更優(yōu)選2≤b≤4)。在第一記錄膜104的組成中，M2優(yōu)選小于或等于15％。
另外，還可以用含Ge、Sb、Te和Bi的材料形成第一記錄膜104。更具體地說(shuō)，還可以用以式Gea(Bi-Sb)bTe3+a表示的材料形成第一記錄膜104。如果使用這種材料，取代Bi的Sb使非晶相更穩(wěn)定，從而可以改善低傳輸速率下的檔案性能。如果使用這種材料，優(yōu)選滿(mǎn)足關(guān)系式0＜a≤60(更優(yōu)選4≤a≤40)，1.5≤b≤7(更優(yōu)選2≤b≤4)。
另外，可以用以組成式(Ge-M2)a(Bi-Sb)bTe3+a表示的材料形成第一記錄膜104。如果使用這種材料，優(yōu)選滿(mǎn)足關(guān)系式0＜a≤60(更優(yōu)選4≤a≤40)，1.5≤b≤7(更優(yōu)選2≤b≤4)。在第一記錄膜104的組成中，M2優(yōu)選小于或等于15％。
另外，可以用含Ge、Te和Sb的材料形成第一記錄膜104。更具體地說(shuō)，可以用以式GeaSbbTe3+a表示的材料形成第一記錄膜104。如果使用這種材料，Sb使非晶相更穩(wěn)定，從而可以改善低傳輸速率下的檔案性能。如果使用這種材料，優(yōu)選滿(mǎn)足關(guān)系式0＜a≤60(更優(yōu)選0≤a≤40)，1.5≤b≤7(更優(yōu)選2≤b≤4)。
另外，可以用以組成式(Ge-M2)aSbbTe3+a表示的材料形成第一記錄膜104。如果使用這種材料，取代Ge的元素M2改善其結(jié)晶性能，因此，即使第一記錄膜104的膜厚很小，也能夠得到足夠的刪除率。如果使用這種材料，優(yōu)選滿(mǎn)足關(guān)系式0＜a≤60(更優(yōu)選0≤a≤40)，1.5≤b≤7(更優(yōu)選2≤b≤4)。另外，在第一記錄膜104的組成中，M2優(yōu)選小于或等于15％。
要求第一信息層16有很高的透射率，使得記錄和復(fù)制所必需的足量的激光能夠從激光束11的入射側(cè)到達(dá)第一信息層16上方的信息層。因此，第一記錄膜104的膜厚優(yōu)選小于或等于9nm，更優(yōu)選為4-8nm。
第一反射膜108具有光學(xué)功能，增加第一記錄膜104中吸收的光量。另外，第一反射膜108還具有熱功能，能夠?qū)⒌谝挥涗浤?04中產(chǎn)生的熱快速擴(kuò)散，從而使第一記錄膜104易于成為非晶相。另外，第一反射膜108的作用是保護(hù)多層膜不受操作環(huán)境的影響。
可以用高導(dǎo)熱性材料如Ag、Au、Cu或Al制成第一反射膜108。還可以使用合金如Al-Cr、Al-Ti、Au-Pd、Au-Cr、Ag-Pd、Ag-Pd-Cu、Ag-Pd-Ti、Ag-Ru-Au、Ag-Cu-Ni、Ag-Zn-Al、Ag-Nd-Au、Ag-Nd-Cu或Cu-Si。特別優(yōu)選用Ag合金作為第一反射膜108的材料，因?yàn)槠鋵?dǎo)熱性很好。第一反射膜108的膜厚優(yōu)選是3-15nm，從而能夠使第一信息層16的透射率盡可能高，更優(yōu)選8-12nm。如果第一反射膜108的膜厚在該范圍內(nèi)，則其熱擴(kuò)散功能將很充分，可以確保第一信息層16具有足夠的反射系數(shù)，可以使第一信息層16具有足夠的透射率。
透射率調(diào)節(jié)膜109由電介質(zhì)制成，其作用是調(diào)節(jié)第一信息層16的透射率。透射率調(diào)節(jié)膜109能夠使第一記錄層104是結(jié)晶相時(shí)的第一信息層16的透射率Tc(％)與第一記錄層104是非晶相時(shí)的第一信息層16的透射率Ta(％)都很高。更具體地說(shuō)，與不設(shè)置透射率調(diào)節(jié)膜109時(shí)相比，具有透射率調(diào)節(jié)膜109的第一信息層16的透射率大約增加2-10％。另外，透射率調(diào)節(jié)膜109還具有有效擴(kuò)散第一記錄膜104中產(chǎn)生的熱的作用。
為了增強(qiáng)提高第一信息層16的透射率Tc和Ta的效應(yīng)，透射率調(diào)節(jié)膜109的折射率n和消光系數(shù)k優(yōu)選滿(mǎn)足不等式2.0≤n和k≤0.1，更優(yōu)選滿(mǎn)足不等式2.4≤n≤3.0和k≤0.05。
透射率調(diào)節(jié)膜109的膜厚d優(yōu)選是(1/32)λ/n≤d≤(3/16)λ/n或(17/32)λ/n≤d≤(11/16)λ/n，更優(yōu)選(1/16)λ/n≤d≤(5/32)λ/n或(9/16)λ/n≤d≤(21/32)λ/n。另外，上述范圍優(yōu)選是3nm≤d≤40nm或60nm≤d≤130nm，更優(yōu)選7nm≤d≤30nm或65nm≤d≤120nm，例如可以采用的方法是將激光束11的波長(zhǎng)λ和透射率調(diào)節(jié)膜109的折射率n選擇為350nm≤λ≤450nm和2.0≤n≤3.0。在該范圍內(nèi)選擇d時(shí)，第一信息層16的透射率Tc和Ta都可以提高。
透射率調(diào)節(jié)膜109還可以用氧化物如TiO2、ZrO2、HfO2、ZnO、Nb2O5、Ta2O5、SiO2、Al2O3、Bi2O3、Cr2O3或Sr-O制成。還可以用氮化物如Ti-N、Zr-N、Hf-N、Nb-N、Ta-N、Si-N、Ge-N、Cr-N、Al-N、Ge-Si-N或Ge-Cr-N制成。還可以用硫化物如ZnS或氟化物如YF3、LaF3、CeF3、GdF3、DyF3、ErF3或YbF3制成。還可以用上述材料的混合物。其中，特別優(yōu)選含TiO2的材料和TiO2。這些材料具有很大的折射率(n＝2.6-2.8)、很小的消光系數(shù)k(k＝0.0-0.05)，因此能夠增強(qiáng)第一信息層16的透射率提高效應(yīng)。
第一信息層16的透射率Tc和Ta優(yōu)選滿(mǎn)足不等式40＜Tc和40＜Ta，更優(yōu)選滿(mǎn)足不等式46＜Tc和46＜Ta，使得記錄和復(fù)制所必需的足量的激光能夠從激光束11的入射側(cè)到達(dá)相對(duì)于第一信息層16位于激光束11的入射側(cè)的相反一側(cè)的信息層。
第一信息層16的透射率Tc和Ta優(yōu)選滿(mǎn)足關(guān)系式-5≤(Tc-Ta)≤5，更優(yōu)選滿(mǎn)足關(guān)系式-3≤(Tc-Ta)≤3。如果Tc和Ta滿(mǎn)足該條件，則離激光束11的入射側(cè)比第一信息層16更遠(yuǎn)的一側(cè)的信息層被寫(xiě)入或讀取時(shí)，由于第一信息層16的第一記錄膜104的狀態(tài)，對(duì)透射率變化的影響很小，從而可以得到良好的記錄和復(fù)制性能。
優(yōu)選地是，在第一信息層16中，第一記錄膜104是結(jié)晶相時(shí)的反射系數(shù)Rc1(％)與第一記錄膜104是非晶相時(shí)的反射系數(shù)Ra1(％)滿(mǎn)足關(guān)系式Ra1＜Rc1。因此，在沒(méi)有信息記錄時(shí)的初始狀態(tài)下反射系數(shù)很高，所以能夠穩(wěn)定地進(jìn)行記錄和復(fù)制。另外，為了增加反射系數(shù)差(Rc1-Ra1)以得到良好的記錄和復(fù)制性能，Rc1和Ra1優(yōu)選滿(mǎn)足不等式0.1≤Ra1≤5和4≤Rc1≤15，更優(yōu)選滿(mǎn)足不等式0.1≤Ra1≤3和4≤Rc1≤10。
可以用下述方法生產(chǎn)信息記錄介質(zhì)15。
首先利用光學(xué)隔離層在基板14(例如，其厚度是1.1mm)上依次形成(N-1)層信息層。每一個(gè)信息層都由單層膜或多層膜組成。每一層都可以在成膜裝置中通過(guò)依次濺射將要成為所用材料的濺射目標(biāo)的方式形成。另外，也可以在信息層上涂布光固化樹(shù)脂(特別是紫外線固化樹(shù)脂)或延遲作用樹(shù)脂，其后旋轉(zhuǎn)基板14，以使樹(shù)脂均勻擴(kuò)散(旋涂)并使樹(shù)脂硬化，以此形成光學(xué)隔離層。另外，當(dāng)光學(xué)隔離層具有用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽時(shí)，將其上形成有導(dǎo)向槽的基板(模具)與硬化前的樹(shù)脂密切接觸，然后將基板14和被覆蓋的模具旋轉(zhuǎn)，用于旋涂。樹(shù)脂固化后，除去基板(模具)，從而形成導(dǎo)向槽。
用這種方法，利用光學(xué)隔離層在基板14上形成(N-1)層信息層，然后形成用于制備的光學(xué)隔離層17。
然后在光學(xué)隔離層17上形成第一信息層16。更具體地說(shuō)，首先利用光學(xué)隔離層形成(N-1)層信息層。然后將其上形成有光學(xué)隔離層17的基板14置于成膜設(shè)備中，從而在光學(xué)隔離層17上形成透射率調(diào)節(jié)膜109?？梢栽贏r氣氛中或Ar氣和反應(yīng)氣(一種或多種選自氧氣和氮?dú)獾臍怏w)的混合氣氛中將含構(gòu)成透射率調(diào)節(jié)膜109的化合物的濺射目標(biāo)濺射，用該方法形成透射率調(diào)節(jié)膜109。還可以在Ar氣和反應(yīng)氣的混合氣氛中通過(guò)反應(yīng)性濺射由構(gòu)成透射率調(diào)節(jié)膜109的金屬組成的濺射目標(biāo)形成透射率調(diào)節(jié)膜109。
然后在透射率調(diào)節(jié)膜109上形成第一反射膜108?？梢栽贏r氣氛中或Ar氣和反應(yīng)氣的混合氣氛中將由構(gòu)成第一反射膜108的金屬或合金組成的濺射目標(biāo)濺射，用該方法形成第一反射膜108。
然后在第一反射膜108上形成第一入射相反側(cè)界面膜105。可以用類(lèi)似于透射率調(diào)節(jié)膜109的方法形成第一入射相反側(cè)界面膜105。
然后在第一入射相反側(cè)界面膜105上形成第一記錄膜104?？梢愿鶕?jù)其組成用單一電源通過(guò)濺射下述濺射目標(biāo)形成第一記錄膜104由Ge-Te-Bi合金組成的濺射目標(biāo)、由Ge-M2-Te-Bi合金組成的濺射目標(biāo)、由Ge-Sb-Te-Bi合金組成的濺射目標(biāo)、由Ge-M2-Sb-Te-Bi合金組成的濺射目標(biāo)、由Ge-Te-Sb合金組成的濺射目標(biāo)或由Ge-M2-Te-Sb合金組成的濺射目標(biāo)。
可以用Ar氣、Kr氣、Ar氣和反應(yīng)氣的混合氣或Kr氣和反應(yīng)氣的混合氣作為用于濺射的保護(hù)氣。另外，還可以用多個(gè)電源同時(shí)濺射選自Ge、Sb、Te、Bi和M2的目標(biāo)形成第一記錄膜104。另外，還可以用多個(gè)電源同時(shí)濺射作為選自Ge、Sb、Te、Bi和M2的元素組合的二元濺射目標(biāo)或三元濺射目標(biāo)形成第一記錄膜104。同樣在這些情況下，在Ar氣氛中、在Kr氣氛中、在Ar氣和反應(yīng)氣的混合氣氛中或Kr氣和反應(yīng)氣的混合氣氛中通過(guò)濺射，形成第一記錄膜104。再者，在第一記錄膜104的形成步驟中，優(yōu)選使用含0.5原子％或更多Bi的濺射目標(biāo)。
然后在第一記錄膜104上形成第一入射側(cè)界面膜103。可以用類(lèi)似于透射率調(diào)節(jié)膜109的方法形成第一入射側(cè)界面膜103。
然后在第一入射側(cè)界面膜103上形成第一入射側(cè)介電膜102?？梢杂妙?lèi)似于透射率調(diào)節(jié)膜109的方法形成第一入射側(cè)介電膜102。
最后在第一入射側(cè)介電膜102上形成透明層13。可以用旋涂法在第一入射側(cè)介電膜102上涂布光固化樹(shù)脂(特別是紫外線固化樹(shù)脂)或延遲作用樹(shù)脂，然后使樹(shù)脂硬化，以此形成透明層13。另外，透明層13可以是透明盤(pán)狀聚碳酸酯、無(wú)定形聚烯烴、PMMA或其它樹(shù)脂或玻璃基板。在這種情況下，可以用下述方法形成透明層13在第一入射側(cè)介電膜102上涂布光固化樹(shù)脂(特別是紫外線固化樹(shù)脂)、延遲作用樹(shù)脂或其它樹(shù)脂，在旋涂的同時(shí)使基板緊密地接觸在第一入射側(cè)介電膜102上，然后將樹(shù)脂硬化。另外還可以事先在基板上均勻涂布粘結(jié)性樹(shù)脂，然后使其與第一入射側(cè)介電膜102緊密接觸。
另外，形成第一入射側(cè)介電膜102后或形成透明層13后，如果需要，可以進(jìn)行用于將第一記錄膜104的整個(gè)表面結(jié)晶的初始化步驟。可以通過(guò)在其上照射激光束將第一記錄膜104結(jié)晶。
實(shí)施方案2在本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施方案中，信息記錄介質(zhì)由兩組(即，N＝2)信息層構(gòu)成，每一個(gè)信息層都位于本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施方案的多層光學(xué)信息記錄介質(zhì)中。圖2示出第二個(gè)實(shí)施方案的信息記錄介質(zhì)22的部分橫截面。信息記錄介質(zhì)22是通過(guò)從其一側(cè)照射激光束11能夠記錄和復(fù)制信息的雙層光學(xué)信息記錄介質(zhì)。
信息記錄介質(zhì)22由依次形成在基板14上的第二信息層23、光學(xué)隔離層17、第一信息層16和透明層13組成。可以用與第一個(gè)實(shí)施方案中所述的相同的材料制成基板14、光學(xué)隔離層17、第一信息層16和透明層13，此外，其形狀和功能也與第一個(gè)實(shí)施方案中所述的形狀和功能相同。
下面詳述第二信息層23的結(jié)構(gòu)。
第二信息層23包括第二入射側(cè)介電膜202、第二入射側(cè)界面膜203、第二記錄膜204、第二入射相反側(cè)界面膜205、第二入射相反側(cè)介電膜206和第二反射膜208，這些膜層從激光束11的入射側(cè)開(kāi)始依次排列。用穿過(guò)透明層13、第一信息層16和光學(xué)隔離層17的激光束11對(duì)第二信息層23讀取和寫(xiě)入。
可以用與第一個(gè)實(shí)施方案中的第一入射側(cè)介電膜102相同的材料制備第二入射側(cè)介電膜202。其功能也與第一個(gè)實(shí)施方案中的第一入射側(cè)介電膜102的功能相同。
可以用矩陣法經(jīng)過(guò)計(jì)算精確確定第二入射側(cè)介電膜202的膜厚，以滿(mǎn)足下述條件第二記錄膜204在結(jié)晶相時(shí)和在非晶相時(shí)二者之間反射光量的變化增大。
可以用與第一個(gè)實(shí)施方案中的第一入射側(cè)界面膜103類(lèi)似的材料制備第二入射側(cè)界面膜203。其功能和形狀也與第一個(gè)實(shí)施方案中的第一入射側(cè)界面膜103的類(lèi)似。
可以用與第一個(gè)實(shí)施方案中的第一入射相反側(cè)界面膜105類(lèi)似的材料制備第二入射相反側(cè)界面膜205。其功能和形狀也與第一個(gè)實(shí)施方案中的第一入射相反側(cè)界面膜105的類(lèi)似。
可以用與第二入射側(cè)介電膜202相同類(lèi)型的材料制備第二入射相反側(cè)介電膜206。ZnS-SiO2是ZnS和SiO2的混合物，也是良好的用于第二入射相反側(cè)介電膜206的材料。
第二入射相反側(cè)介電膜206的膜厚優(yōu)選是2-75nm，更優(yōu)選2-40nm。當(dāng)在該范圍內(nèi)選擇第二入射相反側(cè)介電膜206的膜厚時(shí)，第二記錄膜204中產(chǎn)生的熱能夠有效地?cái)U(kuò)散到第二反射膜208一側(cè)中。
第二記錄膜204由通過(guò)照射激光束11能夠在結(jié)晶相和非晶相之間產(chǎn)生可逆相變的材料制成。例如，可以用含Sb和M1的材料形成第二記錄膜204，其中，M1是一種或多種選自V、Mn、Ga、Ge、Se、Ag、In、Sn、Te、Pb、Bi和Au的元素。更具體地說(shuō)，第二記錄膜204可以用以組成式SbxM1100-x(原子％)表示的材料形成。如果x滿(mǎn)足不等式50≤x≤95，則第二記錄膜204是結(jié)晶相時(shí)信息記錄介質(zhì)22的反射系數(shù)與第二記錄膜204是非晶相時(shí)的反射系數(shù)的差值增加，從而能夠得到良好的記錄和復(fù)制性能。另外，如果75≤x≤95，則結(jié)晶速度特別高，從而可以得到良好的高傳輸速率下的重寫(xiě)性能。另外，如果50≤x≤75，則非晶相變得特別穩(wěn)定，從而可以得到良好的低傳輸速率下的記錄性能。
另外，第二記錄層204還可以用以組成式SbyM1100-y(原子％)表示的材料形成。如果y滿(mǎn)足不等式0＜y≤20，則第二記錄膜204具有很高的結(jié)晶性能，從而可以得到良好的記錄和復(fù)制性能，因?yàn)槠渲邪嘶瘜W(xué)計(jì)量組成范圍內(nèi)的GeTe-Sb2Te3。
還可以用與第一個(gè)實(shí)施方案中的第一記錄膜104類(lèi)似的材料制備第二記錄膜204。
第二記錄膜204的膜厚優(yōu)選是6-15nm，使第二信息層23具有很高的記錄敏感性。如果第二記錄膜204很厚，則由于平面方向上的熱擴(kuò)散對(duì)鄰近區(qū)域造成的熱影響提高。另外，如果第二記錄膜204很薄，則第二信息層23的反射系數(shù)下降。因此，第二記錄膜204的膜厚優(yōu)選是8-13nm。
可以用與第一個(gè)實(shí)施方案中的第一反射膜108類(lèi)似的材料制備第二反射膜208。第二反射膜208的膜厚優(yōu)選是30nm或更大，從而得到充分的熱擴(kuò)散功能。在該范圍內(nèi)時(shí)，如果第二反射膜208的膜厚大于200nm，則其熱擴(kuò)散功能太大，第二信息層23的記錄敏感性下降。因此，第二反射膜208的膜厚優(yōu)選是30-200nm。
可以在第二反射膜208和第二入射相反側(cè)介電膜206之間設(shè)置界面膜207。在這種情況下，界面膜207可以用導(dǎo)熱性比第二反射膜208的材料的導(dǎo)熱性低的材料制成。如果Ag合金用于第二反射膜208，則Al或Al合金可以用于界面膜207。另外，界面膜207可以用元素如Cr、Ni或C或氧化物如Ga2O3、SnO2、TiO2、ZrO2、HfO2、ZnO、Nb2O5、Ta2O5、SiO2、Al2O3、Bi2O3或Cr2O3制成。還可以用氮化物如C-N、Ti-N、Zr-N、Nb-N、Ta-N、Si-N、Ge-N、Cr-N、Al-N、Ge-Si-N或Ge-Cr-N制成。還可以用硫化物如ZnS或碳化物如SiC或氟化物如LaF3制成。還可以使用上述材料的混合物。另外，其膜厚優(yōu)選是3-100nm(更優(yōu)選10-50nm)。
可以用下述方法生產(chǎn)信息記錄介質(zhì)22。
首先形成第二信息層23。更具體地說(shuō)，首先制備基板14(其厚度例如是1.1mm)，然后放置在成膜裝置中。
然后在基板14上形成第二反射膜208。當(dāng)形成第二反射膜208時(shí)，如果在基板14上形成用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽，則在形成有導(dǎo)向槽的一側(cè)上形成第二反射膜208?？梢杂妙?lèi)似于第一個(gè)實(shí)施方案中形成第一反射膜108的方法形成第二反射膜208。
然后，如果需要，在第二反射膜208上形成界面膜207。在Ar氣氛中或Ar氣和反應(yīng)氣的混合氣氛中將由構(gòu)成界面膜207的元素或化合物組成的濺射目標(biāo)濺射，以此形成界面膜207。
然后在在第二反射膜208或根據(jù)需要設(shè)置的界面膜207上形成第二入射相反側(cè)介電膜206。可以用類(lèi)似于第一個(gè)實(shí)施方案中形成透射率調(diào)節(jié)膜109的方法形成第二入射相反側(cè)介電膜206。
然后，在第二反射膜208、或界面膜207、或第二入射相反側(cè)介電膜206上形成第二入射相反側(cè)界面膜205。可以用類(lèi)似于第一個(gè)實(shí)施方案中形成透射率調(diào)節(jié)膜109的方法形成第二入射相反側(cè)界面膜205。
然后，在第二入射相反側(cè)界面膜205上形成第二記錄膜204。可以用類(lèi)似于第一個(gè)實(shí)施方案中形成第一記錄膜104的方法用與其組成相符的濺射目標(biāo)形成第二記錄膜204。
然后，在第二記錄膜204上形成第二入射側(cè)界面膜203。可以用類(lèi)似于第一個(gè)實(shí)施方案中形成透射率調(diào)節(jié)膜109的方法形成第二入射側(cè)界面膜203。
然后，在第二入射側(cè)界面膜203上形成第二入射側(cè)介電膜202?？梢杂妙?lèi)似于第一個(gè)實(shí)施方案中形成透射率調(diào)節(jié)膜109的方法形成第二入射側(cè)介電膜202。
用這種方法形成第二信息層23。
然后在第二信息層23的第二入射側(cè)介電膜202上形成光學(xué)隔離層17。在第二入射側(cè)介電膜202上旋涂光固化樹(shù)脂(特別是紫外線固化樹(shù)脂)或延遲作用樹(shù)脂，然后使樹(shù)脂硬化，以此形成光學(xué)隔離層17。另外，如果光學(xué)隔離層17具有用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽，則其上形成有導(dǎo)向槽的基板(模具)與硬化前的樹(shù)脂接觸，樹(shù)脂固化后，除去基板(模具)，以此形成導(dǎo)向槽。
另外，形成第二入射側(cè)介電膜202后或形成光學(xué)隔離層17后，如果需要，可以進(jìn)行用于將第二記錄膜204的整個(gè)表面結(jié)晶的初始化步驟?？梢酝ㄟ^(guò)在其上照射激光束將第二記錄膜204結(jié)晶。
然后在光學(xué)隔離層17上形成第一信息層16。更具體地說(shuō)，首先在光學(xué)隔離層17上依次形成透射率調(diào)節(jié)膜109、第一反射膜108、第一入射相反側(cè)界面膜105、第一記錄膜104、第一入射側(cè)界面膜103和第一入射側(cè)介電膜102。每一層都可以用第一個(gè)實(shí)施方案中所述的方法形成。
最后，在第一入射側(cè)介電膜102上形成透明層13?？梢杂玫谝粋€(gè)實(shí)施方案中所述的方法形成透明層13。
另外，形成第一入射側(cè)介電膜102后或形成透明層13后，如果需要，可以進(jìn)行用于將第一記錄膜104的整個(gè)表面結(jié)晶的初始化步驟?？梢酝ㄟ^(guò)在其上照射激光束將第一記錄膜104結(jié)晶。
另外，形成第一入射側(cè)介電膜102后或形成透明層13后，如果需要，可以進(jìn)行用于將第二記錄膜204和第一記錄膜104的整個(gè)表面結(jié)晶的初始化步驟。在這種情況下，如果首先將第一記錄膜104結(jié)晶，則將增加結(jié)晶第二記錄膜204所需要的激光能。因此，優(yōu)選首先將第二記錄膜104結(jié)晶。
實(shí)施方案3下面描述本發(fā)明第三個(gè)實(shí)施方案的信息記錄介質(zhì)。圖3示出第三個(gè)實(shí)施方案的信息記錄介質(zhì)27的局部截面。信息記錄介質(zhì)27是類(lèi)似于第一個(gè)實(shí)施方案中所述的信息記錄介質(zhì)15的多層光信息記錄介質(zhì)，可以用從其一側(cè)照來(lái)的激光束11記錄和復(fù)制信息。
信息記錄介質(zhì)27包括N組利用光學(xué)隔離層17、19等依次形成在基板24上的第一信息層16、并形成在基板26上的利用粘結(jié)層25粘結(jié)的信息層18和信息層21。
基板24和基板26可以是類(lèi)似于基板14的透明盤(pán)狀基板?？梢杂脴?shù)脂如聚碳酸酯、無(wú)定形聚烯烴或PMMA或玻璃制成基板24和基板26。
如果需要，位于第一入射側(cè)介電膜102一側(cè)的基板24的表面上和位于信息層21一側(cè)的基板26的表面上可以設(shè)置導(dǎo)向槽，用于引導(dǎo)激光束。位于與第一入射側(cè)介電膜102相對(duì)的一側(cè)的基板24的表面和位于與信息層21相對(duì)的一側(cè)的基板26的表面優(yōu)選是光滑的。作為用于基板24和基板26的材料，特別優(yōu)選使用聚碳酸酯，因?yàn)槠渚哂袃?yōu)異的遷移性和規(guī)模生產(chǎn)能力，并且便宜。另外，基板24和基板26的厚度優(yōu)選是0.3-0.9mm，使基板24和基板26具有足夠高的強(qiáng)度，信息記錄介質(zhì)27的厚度約為1.2mm。
粘結(jié)層25優(yōu)選是用樹(shù)脂如光固化樹(shù)脂(特別是紫外線固化樹(shù)脂)或延遲作用樹(shù)脂制成。優(yōu)選地是，粘結(jié)層25相對(duì)于使用的激光束11的光吸收量少，并且在短波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有很小的光學(xué)雙折射。另外，粘結(jié)層25的厚度優(yōu)選是0.6-50μm，其原因與光學(xué)隔離層19、17等相同。
對(duì)用與第一個(gè)實(shí)施方案中相同的符號(hào)表示的部分不再描述。
可以用下述方法生產(chǎn)信息記錄介質(zhì)27。
首先在基板24(其厚度例如是0.6mm)上形成第一信息層16。如果在基板24上形成用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽，則在形成有導(dǎo)向槽的一側(cè)上形成第一信息層16。更具體地說(shuō)，將基板24置于成膜裝置中，依次形成第一入射側(cè)介電膜102、第一入射側(cè)界面膜103、第一記錄膜104、第一入射相反側(cè)界面膜105、第一反射膜108和透射率調(diào)節(jié)膜109。每一層都是用與第一個(gè)實(shí)施方案中相同的方法形成的。然后利用光學(xué)隔離層依次形成(N-2)層信息層。
另外，在基板26(其厚度例如是0.6mm)上形成信息層21。信息層由單層膜或多層膜制成?？梢杂门c第一個(gè)實(shí)施方案中相同的方法在成膜裝置中通過(guò)將要成為材料的濺射目標(biāo)濺射的方式依次形成每一層。
最后用粘結(jié)層25將其上形成有信息層的基板24和基板26彼此粘結(jié)在一起。更具體地說(shuō)，將樹(shù)脂如光固化樹(shù)脂(特別是紫外線固化樹(shù)脂)或延遲作用樹(shù)脂涂布在信息層21上，基板24與用于旋涂的信息層21密切接觸。然后使樹(shù)脂硬化。另外還可以事先將粘結(jié)劑樹(shù)脂均勻涂布在信息層21上，然后使其與基板24密切接觸。
然后，基板24與基板26相互密切接觸后，如果需要，可以進(jìn)行用于將第一記錄膜104的整個(gè)表面結(jié)晶的初始化步驟?？梢酝ㄟ^(guò)在其上照射激光束將第一記錄膜104結(jié)晶。
實(shí)施方案4在本發(fā)明的第四個(gè)實(shí)施方案中，信息記錄介質(zhì)由第三個(gè)實(shí)施方案的多層光學(xué)信息記錄介質(zhì)中的兩組(即，N＝2)信息層構(gòu)成。圖4示出第四個(gè)實(shí)施方案的信息記錄介質(zhì)29的部分截面圖。信息記錄介質(zhì)29是兩層光信息記錄介質(zhì)，其以與第二個(gè)實(shí)施方案中所述的信息記錄介質(zhì)22相同的方式通過(guò)從其一側(cè)照射激光束11來(lái)記錄和復(fù)制信息。
信息記錄介質(zhì)29由形成在基板24上的第一信息層16和形成在基板28上的第二信息層23構(gòu)成，二者用粘結(jié)層25相互粘結(jié)。
基板28是類(lèi)似于基板14的透明盤(pán)狀基板?？梢杂脴?shù)脂如聚碳酸酯、無(wú)定形聚烯烴或PMMA或玻璃制成基板28。
如果需要，位于第二反射膜208一側(cè)的基板28的表面上可以形成導(dǎo)向槽，用于引導(dǎo)激光束。位于與第二反射膜208相對(duì)的一側(cè)的基板28的表面優(yōu)選是光滑的。作為基板28的材料，聚碳酸酯特別有用，因?yàn)槠渚哂袃?yōu)異的遷移性和規(guī)模生產(chǎn)能力，并且便宜。另外，基板28的厚度優(yōu)選是0.3-0.9mm，使基板28具有足夠高的強(qiáng)度，信息記錄介質(zhì)29的厚度約為1.2mm。
對(duì)用與第二個(gè)和第三個(gè)實(shí)施方案中相同的符號(hào)表示的部分不再描述。
可以用下述方法生產(chǎn)信息記錄介質(zhì)29。
首先在基板24(其厚度例如是0.6mm)上形成第一信息層16。如果在基板24上形成用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽，則在形成有導(dǎo)向槽的一側(cè)上形成第一信息層16。更具體地說(shuō)，將基板24置于成膜裝置中，依次形成第一入射側(cè)介電膜102、第一入射側(cè)界面膜103、第一記錄膜104、第一入射相反側(cè)界面膜105、第一反射膜108和透射率調(diào)節(jié)膜109。每一層都是用與第一個(gè)實(shí)施方案中相同的方法形成的。
另外，形成透射率調(diào)節(jié)膜109后，如果需要，可以進(jìn)行用于將第一記錄膜104的整個(gè)表面結(jié)晶的初始化步驟?？梢酝ㄟ^(guò)在其上照射激光束將第一記錄膜104結(jié)晶。
另外，在基板28(其厚度例如是0.6mm)上形成第二信息層23。如果在基板28上形成用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽，則在形成有導(dǎo)向槽的一側(cè)上形成第二信息層23。更具體地說(shuō)，將基板28置于成膜裝置中，依次形成第二反射膜208、界面膜207、第二入射相反側(cè)介電膜206、第二入射相反側(cè)界面膜205、第二記錄膜204、第二入射側(cè)界面膜203和第二入射側(cè)介電膜202。每一層都是用與第一個(gè)實(shí)施方案中相同的方法形成的。
另外，形成第二入射側(cè)介電膜202后，如果需要，可以進(jìn)行用于將第二記錄膜204的整個(gè)表面結(jié)晶的初始化步驟?？梢酝ㄟ^(guò)在其上照射激光束將第二記錄膜204結(jié)晶。
最后用粘結(jié)層25將其上形成有第一信息層16的基板24和其上形成有第二信息層23的基板28彼此粘結(jié)在一起。更具體地說(shuō)，將樹(shù)脂如光固化樹(shù)脂(特別是紫外線固化樹(shù)脂)或延遲作用樹(shù)脂涂布在第一信息層16或第二信息層23上，基板24與用于旋涂的基板28密切接觸。然后使樹(shù)脂硬化。另外還可以事先將粘結(jié)劑樹(shù)脂均勻涂布在第一信息層16或第二信息層23上，并使基板24與基板28相互接觸。
然后，如果需要，可以進(jìn)行用于將第二記錄膜204和第一記錄膜104的整個(gè)表面結(jié)晶的初始化步驟。在這種情況下，由于與第二個(gè)實(shí)施方案相同的原因，優(yōu)選首先使第二記錄膜204結(jié)晶。
實(shí)施方案5在本發(fā)明的第五個(gè)實(shí)施方案中，下面將描述用本發(fā)明第1-4個(gè)實(shí)施方案中所述的信息記錄基質(zhì)記錄和復(fù)制信息的方法。
圖5示意性地示出本發(fā)明的記錄和復(fù)制信息的方法使用的記錄和復(fù)制裝置35的部分結(jié)構(gòu)。如圖5所示，記錄和復(fù)制裝置35包括用于轉(zhuǎn)動(dòng)信息記錄介質(zhì)34的主軸馬達(dá)30、半導(dǎo)體激光器32和具有用于將半導(dǎo)體激光器32發(fā)射的激光束11聚焦的物鏡31的光學(xué)頭33。信息記錄介質(zhì)34是第1-4個(gè)實(shí)施方案中所述的信息記錄基質(zhì)，其包括多個(gè)信息層(如第一信息層16和第二信息層23)。物鏡31將激光束11聚集在信息層上。
將激光束11的功率在高能即最大功率(Pp(mW))和低能即偏移功率(bias power)(Pb(mW))之間調(diào)制，可以在信息記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄、刪除和覆蓋信息的操作。當(dāng)用最大功率的激光束11照射時(shí)，在一部分記錄層上局部形成非晶相，非晶相變成記錄印記。在記錄印記之間照射偏移功率的激光束11時(shí)，形成結(jié)晶相(刪除部分)。另外，最大功率的激光束11通常以稱(chēng)為多脈沖的脈沖串照射。另外，多脈沖可以只通過(guò)包括最大功率和偏移功率的功率電平進(jìn)行調(diào)制，也可以通過(guò)0至最大功率范圍內(nèi)的功率電平進(jìn)行調(diào)制。
另外，復(fù)制功率(Pr(mW))定義為低于最大功率和偏移功率的功率電平的功率，記錄印記的光學(xué)狀態(tài)不受其上照射的該功率電平的激光束11的影響，用信息記錄介質(zhì)可以得到用于復(fù)制和記錄印記的足量的反射光。在復(fù)制功率的激光束11照射信息記錄介質(zhì)時(shí)得到的信息記錄介質(zhì)的信號(hào)被探測(cè)器讀取，從而復(fù)制出信息信號(hào)。
物鏡31的數(shù)值孔徑NA優(yōu)選是0.5-1.1(更優(yōu)選0.6-0.9)，以將激光束的斑直徑調(diào)節(jié)為0.4-0.7μm。激光束11的波長(zhǎng)優(yōu)選是450nm或更短(更優(yōu)選350-450nm)。記錄信息時(shí)信息記錄介質(zhì)的線速度優(yōu)選是1-20m/s(更優(yōu)選2-15m/s)，從而能夠產(chǎn)生由于復(fù)制光造成的很小的結(jié)晶度，還能夠得到充分的刪除率。
當(dāng)在信息記錄介質(zhì)22和具有兩個(gè)信息層的信息記錄介質(zhì)29中的第一信息層16上記錄信息時(shí)，在第一記錄膜104上調(diào)節(jié)激光束11的焦點(diǎn)，使得通過(guò)透明層13的激光束11能夠用于在第一記錄膜104上記錄信息。復(fù)制時(shí)使用的激光束11是被第一記錄膜104反射后通過(guò)透明層13的激光束。當(dāng)在第二信息層23上記錄信息時(shí)，在第二記錄膜204上調(diào)節(jié)激光束11的焦點(diǎn)，使得通過(guò)透明層13、第一信息層16和光學(xué)隔離層17的激光束11能夠用于記錄信息。復(fù)制時(shí)使用的激光束11是被第二記錄膜204反射后通過(guò)光學(xué)隔離層17、第一信息層16和透明層13的激光束。
另外，如果在基板14、光學(xué)隔離層20、19和17上形成引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽，則信息可以記錄在靠近激光束11入射側(cè)的導(dǎo)向槽表面上(即，導(dǎo)向槽)或更遠(yuǎn)的導(dǎo)向槽表面上(即，連接盤(pán)(land))。另外還可以在導(dǎo)向槽和連接盤(pán)上都記錄信息。
用下述方法評(píng)價(jià)記錄性能用(1-7)調(diào)制法在0-Pp(mW)之間調(diào)制激光束11的功率，記錄印記長(zhǎng)度為0.149μm(2T)-0.596μm(8T)的隨機(jī)信號(hào)，用時(shí)間間隔分析儀測(cè)量前端之間和后端之間的波動(dòng)信號(hào)(jitter)。
另外，用下述方法測(cè)定刪除性能在0-Pp(mW)之間調(diào)制激光束11的功率，在相同的導(dǎo)向槽上連續(xù)和交替記錄印記長(zhǎng)度為0.149μm(2T)-0.671μm(9T)的信號(hào)，用光譜分析儀測(cè)量用2T信號(hào)重寫(xiě)9T信號(hào)時(shí)9T信號(hào)振幅的衰減因數(shù)(下面稱(chēng)為刪除率)。另外，刪除率是負(fù)值，優(yōu)選其絕對(duì)值更大。更具體地說(shuō)，優(yōu)選是-25dB或更小。
另外，用下述方法評(píng)價(jià)重寫(xiě)次數(shù)在0-Pp(mW)之間調(diào)制激光束11的功率，在相同的導(dǎo)向槽上連續(xù)記錄印記長(zhǎng)度為0.149μm(2T)-0.596μm(8T)的隨機(jī)信號(hào)，用時(shí)間間隔分析儀測(cè)量前端之間和后端之間每一次重寫(xiě)時(shí)的波動(dòng)信號(hào)。重寫(xiě)次數(shù)的最大值定義為波動(dòng)信號(hào)值比第一次測(cè)量中前端之間的波動(dòng)信號(hào)值和后端之間的波動(dòng)信號(hào)值的平均波動(dòng)信號(hào)值增加3％時(shí)的重寫(xiě)次數(shù)。另外，測(cè)量功率值Pp和Pb，使平均波動(dòng)信號(hào)值是最小值。
用下述方法測(cè)定檔案性能和檔案重寫(xiě)性能。首先，在0-Pp(mW)之間調(diào)制激光束11的功率，在相同的導(dǎo)向槽上連續(xù)記錄印記長(zhǎng)度為0.149μm(2T)-0.596μm(8T)的隨機(jī)信號(hào)，用時(shí)間間隔分析儀測(cè)量重寫(xiě)10次時(shí)信號(hào)的前端之間和后端之間的波動(dòng)信號(hào)。然后，在溫度為90℃、相對(duì)濕度為20％的恒溫恒濕箱內(nèi)使其上記錄有信號(hào)的樣品靜置100小時(shí)，測(cè)量曝光前記錄的信號(hào)的前端之間和后端之間的波動(dòng)信號(hào)，將得到的結(jié)果與曝光(exposure)前的波動(dòng)信號(hào)值比較，用于評(píng)價(jià)檔案性能。另外，用下述方法評(píng)價(jià)檔案重寫(xiě)性能測(cè)量曝光前重寫(xiě)一次的信號(hào)曝光100小時(shí)后的前端之間和后端之間的波動(dòng)信號(hào)，將結(jié)果與曝光前的波動(dòng)信號(hào)值比較。
實(shí)施方案6下面描述本發(fā)明第六個(gè)實(shí)施方案的信息記錄介質(zhì)。圖6示出第六個(gè)實(shí)施方案的電信息記錄介質(zhì)41的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子。電信息記錄介質(zhì)41是通過(guò)施加電流在其上記錄和復(fù)制信息的信息記錄介質(zhì)。
作為基板36的材料，可以使用樹(shù)脂基板如聚碳酸酯、玻璃基板、陶瓷基板如Al2O3、半導(dǎo)體基板如Si或金屬基板如Cu。此處以使用Si基板為例子進(jìn)行描述。在電信息記錄介質(zhì)41具有的結(jié)構(gòu)中，在基板36上依次形成下部電極37、第一記錄層38、第二記錄層39和上部電極40。形成下部電極37和上部電極40的目的是在第一記錄層38和第二記錄層39上施加電流。
可以用施加電流時(shí)產(chǎn)生的焦耳熱能夠在結(jié)晶相和非晶相之間產(chǎn)生可逆相變的材料制成第一記錄層38和第二記錄層39。利用結(jié)晶相和非晶相之間電阻變化的現(xiàn)象記錄信息?？梢杂门c第一個(gè)實(shí)施方案的第一記錄膜104相同的材料制成第一記錄層38，可以用與第二個(gè)實(shí)施方案的第二記錄膜204相同的材料制成第二記錄層39。
可以分別用類(lèi)似于形成第一個(gè)實(shí)施方案的第一記錄膜104和第二個(gè)實(shí)施方案的第二記錄膜204的方法形成第一記錄層38和第二記錄層39。
另外，下部電極37和上部電極40可以用單一金屬元素如Al、Au、Ag、Cu或Pt制成，也可以用合金材料制成，合金材料含有一種或多種上述元素作為主要組分，還含有如果需要的其它一種或多種元素，這些元素用于改善抗?jié)裥曰蛘{(diào)節(jié)其導(dǎo)熱性。可以通過(guò)在Ar氣氛中濺射金屬母體材料或合金母體材料形成下部電極37和上部電極40。
利用應(yīng)用部分42將電信息記錄介質(zhì)41與電信息記錄和復(fù)制裝置47電連接。通過(guò)這種電信息記錄和復(fù)制裝置47，脈沖電源45利用開(kāi)關(guān)44連接在下部電極37和上部電極40之間，從而在第一記錄層38和第二記錄層39上施加電流脈沖。另外，為了探測(cè)由于第一記錄層38和第二記錄層39的相變?cè)斐傻碾娮柚档淖兓?，電阻測(cè)量?jī)x43利用開(kāi)關(guān)46連接在下部電極37和上部電極40之間。為了將第一記錄層38或第二記錄層39的非晶相(高電阻狀態(tài))變化到結(jié)晶相(低電阻狀態(tài))，關(guān)閉開(kāi)關(guān)44(同時(shí)，打開(kāi)開(kāi)關(guān)46)，在電極之間施加電流脈沖。因此，施加電流脈沖部分的溫度高于材料的結(jié)晶溫度，低于其熔點(diǎn)，并且在結(jié)晶期內(nèi)保持該溫度。為了使結(jié)晶相再次返回非晶相，在更短的時(shí)間內(nèi)施加比結(jié)晶期間更高的電流脈沖，使記錄層達(dá)到比其熔點(diǎn)更高的溫度，然后快速冷卻。另外，電信息記錄和復(fù)制裝置47的脈沖電源45是能夠釋放如圖9所示的記錄和刪除脈沖波形的電源。
在本申請(qǐng)中，用ra1表示第一記錄層38處于非晶相時(shí)的電阻值，用rc1表示第一記錄層38處于結(jié)晶相時(shí)的電阻值，用ra2表示第二記錄層39處于非晶相時(shí)的電阻值，用rc2表示第二記錄層39處于結(jié)晶相時(shí)的電阻值。此時(shí)，如果rc1≤rc2＜ra1＜ra2或rc1≤rc2＜ra2＜ra1或rc2≤rc1＜ra1＜ra2或rc2≤rc1＜ra2＜ra1，則第一記錄層38或第二記錄層39的總電阻值可以設(shè)定四個(gè)不同的值，包括ra1+ra2、ra1+rc2、ra2+rc1和rc1+rc2。因此，通過(guò)用電阻測(cè)量?jī)x43測(cè)量電極之間的電阻值可以同時(shí)測(cè)定四種不同的狀態(tài)，即，二進(jìn)制信息。
當(dāng)多個(gè)電信息記錄介質(zhì)41矩陣排列時(shí)，可以組構(gòu)如圖7所示的大容量電信息記錄介質(zhì)48。每一個(gè)存儲(chǔ)單元51都有一個(gè)微區(qū)，其中形成有作為電信息記錄介質(zhì)41的相同結(jié)構(gòu)。通過(guò)選擇一個(gè)字線49和一個(gè)位線50可以將信息記錄在每一個(gè)存儲(chǔ)單元51上，并且可以從每一個(gè)存儲(chǔ)單元51復(fù)制。
圖8示出使用電信息記錄介質(zhì)48的信息記錄體系的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子。存儲(chǔ)設(shè)備53包括電信息記錄介質(zhì)48和尋址標(biāo)記電路52。通過(guò)尋址標(biāo)記電路52，電信息記錄介質(zhì)48的每一個(gè)字線49和位線50被指定，從而使信息記錄在每一個(gè)存儲(chǔ)單元51上，并且可以從每一個(gè)存儲(chǔ)單元51復(fù)制。另外，存儲(chǔ)設(shè)備53與外電路54電連接，外電路54至少包括脈沖電源55和電阻測(cè)量?jī)x56，使信息可以記錄在電信息記錄介質(zhì)48上，并且可以從電信息記錄介質(zhì)48復(fù)制。
下面用實(shí)施例詳述本發(fā)明。
實(shí)施例1作為第一個(gè)實(shí)施例，生產(chǎn)圖2所示的信息記錄介質(zhì)22，然后檢測(cè)第一記錄膜104的材料和第一信息層16的檔案性能及檔案重寫(xiě)性能之間的關(guān)系。更具體地說(shuō)，制造信息記錄介質(zhì)22的樣品，其包括第一記錄膜104的具有不同材料的第一信息層16。然后測(cè)定第一信息層16的檔案性能及檔案重寫(xiě)性能。
用下述步驟制造樣品。首先制備聚碳酸酯基板作為基板14(直徑為120mm，厚度為1.1mm)，其上形成用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽(深度為20nm，磁道間距為0.32μm)。然后用濺射法在聚碳酸酯基板上依次形成下述層。這些層包括作為第二反射膜208的Ag-Pd-Cu層(厚度為80nm)、作為界面膜207的Al層(厚度為10nm)、作為第二入射相反側(cè)介電膜206的ZnS-SiO2層(厚度為22nm，SiO2占20mol％)、作為第二入射相反側(cè)界面膜205的(SiO2)20(Cr2O3)30(ZrO2)50(mol％)層(厚度為5nm)、作為第二記錄膜204的Ge22BiSbTe25層(厚度為10nm)、作為第二入射側(cè)界面膜203的(SiO2)35(Cr2O3)30(ZrO2)35(mol％)層(厚度為5nm)和作為第二入射側(cè)介電膜202的ZnS-SiO2層(厚度為60nm，SiO2占20mol％)。
然后將紫外線固化樹(shù)脂涂布在第二入射側(cè)介電膜202上，其上放置導(dǎo)向槽深度為20nm、磁道間距為0.32μm的基板，并且基板與其密切接觸。然后旋轉(zhuǎn)基板，形成均勻的樹(shù)脂層。樹(shù)脂固化后，除去基板。根據(jù)該方法，制成厚度為25μm的光學(xué)隔離層17，并且在第一信息層16側(cè)上形成用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽。
然后用濺射法在光學(xué)隔離層17上依次形成下述層。這些層包括作為透射率調(diào)節(jié)膜109的TiO2層(厚度為20nm)、作為第一反射膜108的Ag-Pd-Cu層(厚度為10nm)、作為第一入射相反側(cè)界面膜105的(SiO2)20(Cr2O3)30(ZrO2)50(mol％)層(厚度為10nm)、第一記錄膜104(厚度為6nm)、作為第一入射側(cè)界面膜103的(SiO2)35(Cr2O3)30(ZrO2)35(mol％)層(厚度為5nm)和作為第一入射側(cè)介電膜102的ZnS-SiO2層(厚度為40nm，SiO2占20mol％)。最后將紫外線固化樹(shù)脂涂布在第一入射側(cè)介電膜102上，用聚碳酸酯薄板(直徑為120mm，厚度為65μm)與第一入射側(cè)介電膜102接觸，然后旋轉(zhuǎn)該薄板，形成均勻的樹(shù)脂層。然后將紫外線照射在其上以將樹(shù)脂固化，從而制成厚度為75μm的透明層13。然后進(jìn)行初始化步驟，其中，用激光束將第二記錄膜204和第一記錄膜104結(jié)晶。用這種方法生產(chǎn)第一記錄膜104的材料不同的多個(gè)樣品。
至于得到的這些樣品，用圖5所示的記錄和復(fù)制裝置35測(cè)定信息記錄介質(zhì)22的第一信息層16的檔案性能及檔案重寫(xiě)性能。在該例子中，將激光束11的波長(zhǎng)設(shè)定為405nm，物鏡31的數(shù)值孔徑NA設(shè)定為0.85，測(cè)定過(guò)程中樣品的線速度設(shè)定為4.9m/s、9.8m/s和19.7m/s，最短的印記長(zhǎng)度設(shè)定為0.149μm。另外，信息記錄在導(dǎo)向槽表面上。
對(duì)于信息記錄介質(zhì)22的第一信息層16的第一記錄膜104的材料，第一信息層16的檔案性能及檔案重寫(xiě)性能的評(píng)價(jià)結(jié)果示于表1。在表1中，1X表示線速度為4.9m/s，2X表示線速度為9.8m/s，4X表示線速度為19.7m/s。另外，用下面的符號(hào)表示檔案性能及檔案重寫(xiě)性能如果曝光前波動(dòng)信號(hào)值與曝光后波動(dòng)信號(hào)值的差值小于1％，則用“A”表示；如果差值等于或大于1％但小于2％，則用“B”表示；如果差值等于或大于2％但小于3％，則用“C”表示；如果差值等于或大于3％，則用“D”表示。
表1

結(jié)果，對(duì)于其中的第一記錄膜104含有Ge、Te和Bi的樣品1-c、其中的第一記錄膜104含有Ge、Sb、Te和Bi的樣品1-e來(lái)說(shuō)，至于1X中的檔案性能、2X中的檔案性能和檔案重寫(xiě)性能及4X中的檔案重寫(xiě)性能等所有這些性能，都能夠達(dá)到良好的性能，其中，曝光前波動(dòng)信號(hào)值與曝光后波動(dòng)信號(hào)值的差值小于3％。另外，在形成第一記錄膜104的步驟中使用的濺射目標(biāo)含有0.5原子％或更多的Bi，而第一記錄膜104含有1.0原子％或更多的Bi。具體來(lái)說(shuō)，樣品1-e在1X中具有特別好的檔案性能。另外，其中的第一記錄膜104不含Ge的樣品1-a在1X中沒(méi)有充分的檔案性能。另外，其中的第一記錄膜104不含Bi的樣品1-b和1-d在4X中沒(méi)有充分的檔案重寫(xiě)性能。
從上述結(jié)果可以發(fā)現(xiàn)，第一記錄膜104的材料優(yōu)選含有Ge、Te和Bi或含有Ge、Sb、Te和Bi。
另外，對(duì)于其中的第一記錄膜104含有Ge、Sn、Te和Bi的樣品1-f來(lái)說(shuō)，至于1X中的檔案性能、2X中的檔案性能和檔案重寫(xiě)性能及4X中的檔案重寫(xiě)性能等所有這些性能，都能夠達(dá)到良好的性能。
實(shí)施例2作為第二個(gè)實(shí)施例，生產(chǎn)圖2所示的信息記錄介質(zhì)22，然后檢測(cè)第二記錄膜204的材料和第二信息層23的檔案性能及檔案重寫(xiě)性能之間的關(guān)系。更具體地說(shuō)，制造的信息記錄介質(zhì)22的樣品，其包括具有不同材料的第二記錄膜204的第二信息層23。然后測(cè)定第二信息層23的檔案性能及檔案重寫(xiě)性能。
用下述步驟制造樣品。首先制備聚碳酸酯基板作為基板14(直徑為120mm，厚度為1.1mm)，其上形成用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽(深度為20nm，磁道間距為0.32μm)。然后用濺射法在聚碳酸酯基板上依次形成下述層。這些層包括作為第二反射膜208的Ag-Pd-Cu層(厚度為80nm)、作為界面膜207的Al層(厚度為10nm)、作為第二入射相反側(cè)介電膜206的ZnS-SiO2層(厚度為22nm，SiO2占20mol％)、作為第二入射相反側(cè)界面膜205的(SiO2)20(Cr2O3)30(ZrO2)50(mol％)層(厚度為5nm)、第二記錄膜204(厚度為10nm)、作為第二入射側(cè)界面膜203的(SiO2)35(Cr2O3)30(ZrO2)35(mol％)層(厚度為5nm)和作為第二入射側(cè)介電膜202的ZnS-SiO2層(厚度為60nm，SiO2占20mol％)。
然后將紫外線固化樹(shù)脂涂布在第二入射側(cè)介電膜202上，其上放置具有導(dǎo)向槽(深度為20nm、磁道間距為0.32μm)的基板，并且密切接觸。然后旋轉(zhuǎn)基板，形成均勻的樹(shù)脂層。樹(shù)脂固化后，除去基板。根據(jù)該方法，制成厚度為25μm的光學(xué)隔離層17，并且在第一信息層16側(cè)上形成用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽。
然后用濺射法在光學(xué)隔離層17上依次形成下述層。這些層包括作為透射率調(diào)節(jié)膜109的TiO2層(厚度為20nm)、作為第一反射膜108的Ag-Pd-Cu層(厚度為10nm)、作為第一入射相反側(cè)界面膜105的(SiO2)20(Cr2O3)30(ZrO2)50(mol％)層(厚度為10nm)、作為第一記錄膜104的Ge22Bi2Te25(厚度為6nm)、作為第一入射側(cè)界面膜103的(SiO2)35(Cr2O3)30(ZrO2)35(mol％)層(厚度為5nm)和作為第一入射側(cè)介電膜102的ZnS-SiO2層(厚度為40nm，SiO2占20mol％)。最后將紫外線固化樹(shù)脂涂布在第一入射側(cè)介電膜102上，用聚碳酸酯薄板(直徑為120mm，厚度為65μm)與第一入射側(cè)介電膜102接觸，然后旋轉(zhuǎn)該薄板，形成均勻的樹(shù)脂層。然后照射紫外線以將樹(shù)脂固化，從而制成厚度為75μm的透明層13。然后進(jìn)行初始化步驟，其中，用激光束將第二記錄膜204和第一記錄膜104結(jié)晶。用這種方法生產(chǎn)第二記錄膜204的材料不同的多個(gè)樣品。
用圖5所示的記錄和復(fù)制裝置35測(cè)定信息記錄介質(zhì)22的第二信息層23的檔案性能及檔案重寫(xiě)性能。在該例子中，將激光束11的波長(zhǎng)設(shè)定為405nm，物鏡31的數(shù)值孔徑NA設(shè)定為0.85，測(cè)定過(guò)程中樣品的線速度設(shè)定為4.9m/s、9.8m/s和19.7m/s，最短的印記長(zhǎng)度設(shè)定為0.149μm。另外，信息記錄在導(dǎo)向槽表面上。
對(duì)于信息記錄介質(zhì)22的第二信息層23的第二記錄膜204的不同材料，第二信息層23的檔案性能及檔案重寫(xiě)性能的評(píng)價(jià)結(jié)果示于表2。在表2中，1X表示線速度為4.9m/s，2X表示線速度為9.8m/s，4X表示線速度為19.7m/s。另外，用下面的符號(hào)表示檔案性能及檔案重寫(xiě)性能如果曝光前波動(dòng)信號(hào)值與曝光后波動(dòng)信號(hào)值的差值小于2％，則用“A”表示；如果差值等于或大于2％但小于3％，則用“B”表示；如果差值等于或大于3％，則用“C”表示。
表2

結(jié)果，對(duì)于其中的第二記錄膜204含有Sb和至少一種選自V、Mn、Ga、Ge、Se、Ag、In、Sn、Te、Pb、Bi和Au的元素M1的樣品2-a至2-m來(lái)說(shuō)，至于1X中的檔案性能、2X中的檔案性能和檔案重寫(xiě)性能及4X中的檔案重寫(xiě)性能等所有這些性能，都能夠達(dá)到良好的性能。另外，其中的第二記錄膜204不含M1的樣品2-n在1X中沒(méi)有充分的檔案性能。
從上述結(jié)果可以發(fā)現(xiàn)，第二記錄膜204的材料優(yōu)選含Sb和M1。
實(shí)施例3作為第三個(gè)實(shí)施例，生產(chǎn)圖2所示的信息記錄介質(zhì)22，然后檢測(cè)第一記錄膜104的材料和第一信息層16的刪除率、在其上進(jìn)行記錄和重寫(xiě)的次數(shù)、檔案性能及檔案重寫(xiě)性能之間的關(guān)系。更具體地說(shuō)，制造的信息記錄介質(zhì)22的樣品包括具有用于第一記錄膜104的不同材料的第一信息層16。然后測(cè)定第一信息層16的刪除率、在其上進(jìn)行記錄和重寫(xiě)的次數(shù)、檔案性能及檔案重寫(xiě)性能。
用下述步驟制造樣品。首先制備聚碳酸酯基板作為基板14(直徑為120mm，厚度為1.1mm)，其上形成用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽(深度為20nm，磁道間距為0.32μm)。然后用濺射法在聚碳酸酯基板上依次形成下述層。這些層包括作為第二反射膜208的Ag-Pd-Cu層(厚度為80nm)、作為界面膜207的Al層(厚度為10nm)、作為第二入射相反側(cè)介電膜206的ZnS-SiO2層(厚度為22nm，SiO2占20mol％)、作為第二入射相反側(cè)界面膜205的(SiO2)20(Cr2O3)30(ZrO2)50(mol％)層(厚度為5nm)、作為第二記錄膜204的Ge22BiSbTe25層(厚度為10nm)、作為第二入射側(cè)界面膜203的(SiO2)35(Cr2O3)30(ZrO2)35(mol％)層(厚度為5nm)和作為第二入射側(cè)介電膜202的ZnS-SiO2層(厚度為60nm，SiO2占20mol％)。
然后將紫外線固化樹(shù)脂涂布在第二入射側(cè)介電膜202上，其上放置具有深度為20nm、磁道間距為0.32μm的導(dǎo)向槽的基板，并且密切接觸。然后旋轉(zhuǎn)基板，形成均勻的樹(shù)脂層。樹(shù)脂固化后，除去基板。根據(jù)該方法，制成厚度為25μm的光學(xué)隔離層17，并且在第一信息層16側(cè)上形成用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽。
然后用濺射法在光學(xué)隔離層17上依次形成下述層。這些層包括作為透射率調(diào)節(jié)膜109的TiO2層(厚度為20nm)、作為第一反射膜108的Ag-Pd-Cu層(厚度為10nm)、作為第一入射相反側(cè)界面膜105的(SiO2)20(Cr2O3)30(ZrO2)50(mol％)層(厚度為10nm)、第一記錄膜104(厚度為6nm)、作為第一入射側(cè)界面膜103的(SiO2)35(Cr2O3)30(ZrO2)35(mol％)層(厚度為5nm)和作為第一入射側(cè)介電膜102的ZnS-SiO2層(厚度為40nm，SiO2占20mol％)。最后將紫外線固化樹(shù)脂涂布在第一入射側(cè)介電膜102上，用聚碳酸酯薄板(直徑為120mm，厚度為65μm)與第一入射側(cè)介電膜102接觸，然后旋轉(zhuǎn)該薄板，形成均勻的樹(shù)脂層。然后將紫外線照射在其上以將樹(shù)脂固化，從而制成厚度為75μm的透明層13。然后進(jìn)行初始化步驟，其中，用激光束將第二記錄膜204和第一記錄膜104結(jié)晶。用這種方法生產(chǎn)第一記錄膜104的材料不同的多個(gè)樣品。
至于得到的這些樣品，用圖5所示的記錄和復(fù)制裝置35測(cè)定信息記錄介質(zhì)22的第一信息層16的刪除率、在其上進(jìn)行記錄和重寫(xiě)的次數(shù)、檔案性能及檔案重寫(xiě)性能。在該例子中，將激光束11的波長(zhǎng)設(shè)定為405nm，物鏡31的數(shù)值孔徑NA設(shè)定為0.85，測(cè)定過(guò)程中樣品的線速度設(shè)定為4.9m/s和9.8m/s，最短的印記長(zhǎng)度設(shè)定為0.149μm。另外，信息記錄在導(dǎo)向槽表面上。
對(duì)于信息記錄介質(zhì)22的第一信息層16的第一記錄膜104的不同材料，線速度為4.9m/s時(shí)第一信息層16的刪除率、在其上進(jìn)行記錄和重寫(xiě)的次數(shù)、檔案性能及檔案重寫(xiě)性能的評(píng)價(jià)結(jié)果示于表3，線速度為9.8m/s時(shí)的評(píng)價(jià)結(jié)果示于表4。另外，用下面的符號(hào)表示檔案性能及檔案重寫(xiě)性能如果曝光前波動(dòng)信號(hào)值與曝光后波動(dòng)信號(hào)值的差值小于2％，則用“A”表示；如果差值等于或大于2％但小于3％，則用“B”表示；如果差值等于或大于3％，則用“C”表示。
表3

表4

結(jié)果，對(duì)于其中的第一記錄膜104用組成式GeaBibTe3+a表示，其中的a和b滿(mǎn)足不等式0＜a≤60，1.5≤b≤7的樣品3-b至3-j和3-n至3-q來(lái)說(shuō)，在線速度是4.9m/s的低傳輸速率和線速度是9.8m/s的高傳輸速率的過(guò)程中，至于刪除率、重復(fù)重寫(xiě)性能、檔案性能和檔案重寫(xiě)性能等所有這些性能，都能夠達(dá)到良好的性能。另外還發(fā)現(xiàn)樣品3-a、3-m和3-r在低傳輸速率下的檔案性能略有不足，因?yàn)榈谝挥涗浤?04中的結(jié)晶速度太快。另外還發(fā)現(xiàn)樣品3-k和3-l在高傳輸速率下的刪除率和檔案重寫(xiě)性能略有不足，因?yàn)榈谝挥涗浤?04中的結(jié)晶速度太慢。
從上述結(jié)果可以發(fā)現(xiàn)當(dāng)?shù)谝挥涗浤?04的材料用GeaBibTe3+a表示時(shí)，a和b優(yōu)選滿(mǎn)足不等式0＜a≤60，1.5≤b≤7。
實(shí)施例4作為第四個(gè)實(shí)施例，用與第三個(gè)實(shí)施例相同的方法生產(chǎn)圖2所示的信息記錄介質(zhì)22，然后檢測(cè)第一記錄膜104的材料和第一信息層16的刪除率、檔案性能及檔案重寫(xiě)性能之間的關(guān)系。
對(duì)于信息記錄介質(zhì)22的第一信息層16的第一記錄膜104的不同材料，線速度為4.9m/s時(shí)第一信息層16的刪除率、檔案性能及檔案重寫(xiě)性能的評(píng)價(jià)結(jié)果示于表5，線速度為9.8m/s時(shí)的評(píng)價(jià)結(jié)果示于表6。另外，用下面的符號(hào)表示檔案性能及檔案重寫(xiě)性能如果曝光前波動(dòng)信號(hào)值與曝光后波動(dòng)信號(hào)值的差值小于2％，則用“A”表示；如果差值等于或大于2％但小于3％，則用“B”表示；如果差值等于或大于3％，則用“C”表示。
表5

表6

結(jié)果，對(duì)于其中的第一記錄膜104用組成式(Ge-Sn)aBibTe3+a表示，其中的a和b滿(mǎn)足不等式0＜a≤60，1.5≤b≤7的樣品4-b至4-j和4-n至4-q來(lái)說(shuō)，在線速度是4.9m/s的低傳輸速率和線速度是9.8m/s的高傳輸速率的過(guò)程中，至于刪除率、重復(fù)重寫(xiě)性能、檔案性能和檔案重寫(xiě)性能等所有這些性能，都能夠達(dá)到良好的性能。另外還發(fā)現(xiàn)樣品4-a、4-m和4-r在低傳輸速率下的檔案性能略有不足，因?yàn)榈谝挥涗浤?04中的結(jié)晶速度太快。另外還發(fā)現(xiàn)樣品4-k和4-l在高傳輸速率下的刪除率和檔案重寫(xiě)性能略有不足，因?yàn)榈谝挥涗浤?04中的結(jié)晶速度太慢。
從上述結(jié)果可以發(fā)現(xiàn)當(dāng)?shù)谝挥涗浤?04的材料用組成式(Ge-Sn)aBibTe3+a表示時(shí)，a和b優(yōu)選滿(mǎn)足不等式0＜a≤60，1.5≤b≤7。
另外從上述結(jié)果還發(fā)現(xiàn)即使為保證透射率而將第一記錄膜104的厚度減至6nm，也能夠得到在高傳輸速率下足夠高的刪除率和檔案重寫(xiě)性能，因?yàn)槿〈鶪e的Sn改善了結(jié)晶性能。
另外，當(dāng)?shù)谝挥涗浤?04中使用含有以Pb代替Sn的材料時(shí)，能夠得到類(lèi)似的結(jié)果。
實(shí)施例5至于圖2所示的信息記錄介質(zhì)22的第一信息層16，用于第一記錄膜104的材料可以用組成式Gea(Bi-Sb)bTe3+a或(Ge-M2)a(Bi-Sb)bTe3+a表示，其中，M2是一種或多種選自Sn和Pb的元素。然后進(jìn)行與第三個(gè)實(shí)施例類(lèi)似的試驗(yàn)，得到的結(jié)果相同，即，a和b優(yōu)選滿(mǎn)足不等式0＜a≤60，1.5≤b≤7。
實(shí)施例6至于圖2所示的信息記錄介質(zhì)22的第一信息層16，用于第一記錄膜104的材料可以用組成式GeaSbbTe3+a或(Ge-M2)aSbbTe3+a表示，其中，M2是一種或多種選自Sn和Pb的元素。然后進(jìn)行與第三個(gè)實(shí)施例類(lèi)似的試驗(yàn)，得到的結(jié)果相同，即，a和b優(yōu)選滿(mǎn)足不等式0＜a≤60，1.5≤b≤7。
實(shí)施例7作為第七個(gè)實(shí)施例，生產(chǎn)圖2所示的信息記錄介質(zhì)22，然后檢測(cè)第二信息層23的第二記錄膜204的材料和第二信息層23的刪除率、在其上進(jìn)行記錄和重寫(xiě)的次數(shù)、檔案性能及檔案重寫(xiě)性能之間的關(guān)系。
用下述步驟制造樣品。首先制備聚碳酸酯基板作為基板14(直徑為120mm，厚度為1.1mm)，其上形成用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽(深度為20nm，磁道間距為0.32μm)。然后用濺射法在聚碳酸酯基板上依次形成下述層。這些層包括作為第二反射膜208的Ag-Pd-Cu層(厚度為80nm)、作為界面膜207的Al層(厚度為10nm)、作為第二入射相反側(cè)介電膜206的ZnS-SiO2層(厚度為22nm，SiO2占20mol％)、作為第二入射相反側(cè)界面膜205的(SiO2)20(Cr2O3)30(ZrO2)50(mol％)層(厚度為5nm)、第二記錄膜204(厚度為10nm)、作為第二入射側(cè)界面膜203的(SiO2)35(Cr2O3)30(ZrO2)35(mol％)層(厚度為5nm)和作為第二入射側(cè)介電膜202的ZnS-SiO2層(厚度為60nm，SiO2占20mol％)。
然后將紫外線固化樹(shù)脂涂布在第二入射側(cè)介電膜202上，其上放置導(dǎo)向槽深度為20nm、磁道間距為0.32μm的基板，并且基板與其密切接觸。然后旋轉(zhuǎn)基板，形成均勻的樹(shù)脂層。樹(shù)脂固化后，除去基板。根據(jù)該方法，制成厚度為25μm的光學(xué)隔離層17，并且在第一信息層16側(cè)上形成用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽。
然后用濺射法在光學(xué)隔離層17上依次形成下述層。這些層包括作為透射率調(diào)節(jié)膜109的TiO2層(厚度為20nm)、作為第一反射膜108的Ag-Pd-Cu層(厚度為10nm)、作為第一入射相反側(cè)界面膜105的(SiO2)20(Cr2O3)30(ZrO2)50(mol％)層(厚度為10nm)、作為第一記錄膜104的Ge22Bi2Te25層(厚度為6nm)、作為第一入射側(cè)界面膜103的(SiO2)35(Cr2O3)30(ZrO2)35(mol％)層(厚度為5nm)和作為第一入射側(cè)介電膜102的ZnS-SiO2層(厚度為40nm，SiO2占20mol％)。最后將紫外線固化樹(shù)脂涂布在第一入射側(cè)介電膜102上，用聚碳酸酯薄板(直徑為120mm，厚度為65μm)與第一入射側(cè)介電膜102接觸，然后旋轉(zhuǎn)該薄板，形成均勻的樹(shù)脂層。然后將紫外線照射在其上以將樹(shù)脂固化，從而制成厚度為75μm的透明層13。然后進(jìn)行初始化步驟，其中，用激光束將第二記錄膜204和第一記錄膜104結(jié)晶。用這種方法生產(chǎn)第二記錄膜204的材料不同的多個(gè)樣品。
至于得到的這些樣品，用圖5所示的記錄和復(fù)制裝置35測(cè)定信息記錄介質(zhì)22的第二信息層23的刪除率、進(jìn)行記錄和重寫(xiě)的次數(shù)、檔案性能及檔案重寫(xiě)性能。在該例子中，將激光束11的波長(zhǎng)設(shè)定為405nm，物鏡3 1的數(shù)值孔徑NA設(shè)定為0.85，測(cè)定過(guò)程中樣品的線速度設(shè)定為4.9m/s和9.8m/s，最短的印記長(zhǎng)度設(shè)定為0.149μm。另外，信息記錄在導(dǎo)向槽表面上。
線速度為4.9m/s時(shí)第二信息層23的刪除率、進(jìn)行記錄和重寫(xiě)的次數(shù)、檔案性能及檔案重寫(xiě)性能的評(píng)價(jià)結(jié)果示于表7，線速度為9.8m/s時(shí)的評(píng)價(jià)結(jié)果示于表8。另外，用下面的符號(hào)表示檔案性能及檔案重寫(xiě)性能如果曝光前波動(dòng)信號(hào)值與曝光后波動(dòng)信號(hào)值的差值小于2％，則用“A”表示；如果差值等于或大于2％但小于3％，則用“B”表示；如果差值等于或大于3％，則用“C”表示。
表7

表8

結(jié)果，對(duì)于其中的第二記錄膜204用組成式SbxM1100-x表示，其中M1是一種或多種選自Te和Ge的元素，x滿(mǎn)足不等式50≤x≤95的樣品5-a至5-f來(lái)說(shuō)，在線速度是4.9m/s的低傳輸速率和線速度是9.8m/s的高傳輸速率的過(guò)程中，至于刪除率、重復(fù)重寫(xiě)性能、檔案性能和檔案重寫(xiě)性能等所有這些性能，都能夠達(dá)到良好的性能。
另外還發(fā)現(xiàn)當(dāng)用于第二記錄膜204的材料中用V、Mn、Ga、Se、Ag、In、Sn、Pb、Bi或Au代替作為M1的Te或Ge時(shí)，能夠得到相同的結(jié)果。
從上述結(jié)果可以發(fā)現(xiàn)當(dāng)?shù)诙涗浤?04的材料用組成式SbxM1100-x表示時(shí)，x優(yōu)選滿(mǎn)足不等式50≤x≤95。
實(shí)施例8作為第八個(gè)實(shí)施例，用與第七個(gè)實(shí)施例相同的方法生產(chǎn)圖2所示的信息記錄介質(zhì)22，然后檢測(cè)第二信息層23的第二記錄膜204的材料和第二信息層23的刪除率、進(jìn)行記錄和重寫(xiě)的次數(shù)、檔案性能及檔案重寫(xiě)性能之間的關(guān)系。
線速度為4.9m/s時(shí)第二信息層23的刪除率、進(jìn)行記錄和重寫(xiě)的次數(shù)、檔案性能及檔案重寫(xiě)性能的評(píng)價(jià)結(jié)果示于表9，線速度為9.8m/s時(shí)的評(píng)價(jià)結(jié)果示于表10。另外，用下面的符號(hào)表示檔案性能及檔案重寫(xiě)性能如果曝光前波動(dòng)信號(hào)值與曝光后波動(dòng)信號(hào)值的差值小于2％，則用“A”表示；如果差值等于或大于2％但小于3％，則用“B”表示；如果差值等于或大于3％，則用“C”表示。
表9

表10

結(jié)果，對(duì)于其中的第二記錄膜204用組成式SbyM1100-y表示，其中M1是一種或多種選自Te和Ge的元素，y滿(mǎn)足不等式0＜y≤20的樣品6-a、6-b、6-c、6-d和6-e來(lái)說(shuō)，在線速度是4.9m/s的低傳輸速率和線速度是9.8m/s的高傳輸速率的過(guò)程中，至于刪除率、重復(fù)重寫(xiě)性能、檔案性能和檔案重寫(xiě)性能所有這些性能，都能夠達(dá)到良好的性能。另外還發(fā)現(xiàn)樣品6-f在低傳輸速率下的檔案性能略有不足，因?yàn)榈诙涗浤?04中的結(jié)晶速度太快。
另外還發(fā)現(xiàn)當(dāng)用于第二記錄膜204的材料中用V、Mn、Ga、Se、Ag、In、Sn、Pb、Bi或Au代替作為M1的Te或Ge時(shí)，能夠得到相似的結(jié)果。
從上述結(jié)果可以發(fā)現(xiàn)當(dāng)?shù)诙涗浤?04的材料用組成式SbyM1100-y表示時(shí)，y優(yōu)選滿(mǎn)足不等式0＜y≤20。
實(shí)施例9作為第九個(gè)實(shí)施例，用與第六個(gè)實(shí)施例相同的方法生產(chǎn)圖2所示的信息記錄介質(zhì)22，然后檢測(cè)第二信息層23的第二記錄膜204的材料和第二信息層23的刪除率、進(jìn)行記錄和重寫(xiě)的次數(shù)、檔案性能及檔案重寫(xiě)性能之間的關(guān)系。
線速度為4.9m/s時(shí)第二信息層23的刪除率、進(jìn)行記錄和重寫(xiě)的次數(shù)、檔案性能及檔案重寫(xiě)性能的評(píng)價(jià)結(jié)果示于表11，線速度為9.8m/s時(shí)的評(píng)價(jià)結(jié)果示于表12。另外，用下面的符號(hào)表示檔案性能及檔案重寫(xiě)性能如果曝光前波動(dòng)信號(hào)值與曝光后波動(dòng)信號(hào)值的差值小于2％，則用“A”表示；如果差值等于或大于2％但小于3％，則用“B”表示；如果差值等于或大于3％，則用“C”表示。
表11

表12

結(jié)果，對(duì)于其中的第二記錄膜204用組成式Gea(Bi-Sb)bTe3+a表示，其中的a和b滿(mǎn)足不等式0＜a≤60， 1.5≤b≤7的樣品7-b至7-j和7-n至7-q來(lái)說(shuō)，在線速度是4.9m/s的低傳輸速率和線速度是9.8m/s的高傳輸速率的過(guò)程中，至于刪除率、重復(fù)重寫(xiě)性能、檔案性能和檔案重寫(xiě)性能等所有這些性能，都能夠達(dá)到良好的性能。另外還發(fā)現(xiàn)樣品7-a、7-m和7-r在低傳輸速率下的檔案性能略有不足，因?yàn)榈诙涗浤?04中的結(jié)晶速度太快。另外還發(fā)現(xiàn)樣品7-k和7-l在高傳輸速率下的刪除率和檔案重寫(xiě)性能略有不足，因?yàn)榈诙涗浤?04中的結(jié)晶速度太慢。
從上述結(jié)果可以發(fā)現(xiàn)當(dāng)?shù)诙涗浤?04的材料用Gea(Bi-Sb)bTe3+a表示時(shí)，a和b優(yōu)選滿(mǎn)足不等式0＜a≤60，1.5≤b≤7。
實(shí)施例10至于圖2所示的信息記錄介質(zhì)22的第二信息層23，用于第二記錄膜204的材料可以用組成式(Ge-M2)a(Bi-Sb)bTe3+a表示，其中，M2是一種或多種選自Sn和Pb的元素。然后進(jìn)行與第八個(gè)實(shí)施例類(lèi)似的試驗(yàn)，得到的結(jié)果相同，即，a和b優(yōu)選滿(mǎn)足不等式0＜a≤60，1.5≤b≤7。
實(shí)施例11作為第十一個(gè)實(shí)施例，生產(chǎn)圖2所示的信息記錄介質(zhì)22，然后檢測(cè)第二信息層23的第二記錄膜204的材料和第二信息層23的刪除率、進(jìn)行記錄和重寫(xiě)的次數(shù)、檔案性能及檔案重寫(xiě)性能之間的關(guān)系。另外還檢測(cè)第一信息層16的第一記錄膜104的材料和第一信息層16的刪除率、進(jìn)行記錄和重寫(xiě)的次數(shù)、檔案性能及檔案重寫(xiě)性能之間的關(guān)系。更具體地說(shuō)，制造的信息記錄介質(zhì)22的樣品包括具有不同材料的第二記錄膜204的第二信息層23，還包括具有不同材料的第一記錄膜104的第一信息層16。然后測(cè)定第二信息層23和第一信息層16的刪除率、進(jìn)行記錄和重寫(xiě)的次數(shù)、檔案性能及檔案重寫(xiě)性能。
用下述步驟制造樣品。首先制備聚碳酸酯基板作為基板14(直徑為120mm，厚度為1.1mm)，其上形成用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽(深度為20nm，磁道間距為0.32μm)。然后用濺射法在聚碳酸酯基板上依次形成下述層。這些層包括作為第二反射膜208的Ag-Pd-Cu層(厚度為80nm)、作為界面膜207的Al層(厚度為10nm)、作為第二入射相反側(cè)介電膜206的ZnS-SiO2層(厚度為22nm，SiO2占20mol％)、作為第二入射相反側(cè)界面膜205的(SiO2)20(Cr2O3)30(ZrO2)50(mol％)層(厚度為5nm)、第二記錄膜204(厚度為10nm)、作為第二入射側(cè)界面膜203的(SiO2)35(Cr2O3)30(ZrO2)35(mol％)層(厚度為5nm)和作為第二入射側(cè)介電膜202的ZnS-SiO2層(厚度為60nm，SiO2占20mol％)。
然后將紫外線固化樹(shù)脂涂布在第二入射側(cè)介電膜202上，其上放置導(dǎo)向槽深度為20nm、磁道間距為0.32μm的基板，并且基板與其密切接觸。然后旋轉(zhuǎn)基板，形成均勻的樹(shù)脂層。樹(shù)脂固化后，除去基板。根據(jù)該方法，制成厚度為25μm的光學(xué)隔離層17，并且在第一信息層16側(cè)上形成用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽。
然后用濺射法在光學(xué)隔離層17上依次形成下述層。這些層包括作為透射率調(diào)節(jié)膜109的TiO2層(厚度為20nm)、作為第一反射膜108的Ag-Pd-Cu層(厚度為10nm)、作為第一入射相反側(cè)界面膜105的(SiO2)20(Cr2O3)30(ZrO2)50(mol％)層(厚度為10nm)、第一記錄膜104(厚度為6nm)、作為第一入射側(cè)界面膜103的(SiO2)35(Cr2O3)30(ZrO2)35(mol％)層(厚度為5nm)和作為第一入射側(cè)介電膜102的ZnS-SiO2層(厚度為40nm，SiO2占20mol％)。最后將紫外線固化樹(shù)脂涂布在第一入射側(cè)介電膜102上，用聚碳酸酯薄板(直徑為120mm，厚度為65μm)與第一入射側(cè)介電膜102接觸，然后旋轉(zhuǎn)該薄板，形成均勻的樹(shù)脂層。然后照射紫外線以將樹(shù)脂固化，從而制成厚度為75μm的透明層13。然后進(jìn)行初始化步驟，其中，用激光束將第二記錄膜204和第一記錄膜104結(jié)晶。用這種方法生產(chǎn)第二記錄膜204和第一記錄膜104的材料不同的多個(gè)樣品。
至于得到的這些樣品，用圖5所示的記錄和復(fù)制裝置35測(cè)定信息記錄介質(zhì)22的第二信息層23和第一信息層16的刪除率、進(jìn)行記錄和重寫(xiě)的次數(shù)、檔案性能及檔案重寫(xiě)性能。在該例子中，將激光束11的波長(zhǎng)設(shè)定為405nm，物鏡31的數(shù)值孔徑NA設(shè)定為0.85，測(cè)定過(guò)程中樣品的線速度設(shè)定為4.9m/s和9.8m/s，最短的印記長(zhǎng)度設(shè)定為0.149μm。另外，信息記錄在導(dǎo)向槽表面上。
線速度為4.9m/s時(shí)第二信息層23的刪除率、進(jìn)行記錄和重寫(xiě)的次數(shù)、檔案性能及檔案重寫(xiě)性能的評(píng)價(jià)結(jié)果示于表13，線速度為9.8m/s時(shí)的評(píng)價(jià)結(jié)果示于表14。另外，線速度為4.9m/s時(shí)第一信息層16的刪除率、進(jìn)行記錄和重寫(xiě)的次數(shù)、檔案性能及檔案重寫(xiě)性能的評(píng)價(jià)結(jié)果示于表15，線速度為9.8m/s時(shí)的評(píng)價(jià)結(jié)果示于表16。另外，用下面的符號(hào)表示檔案性能及檔案重寫(xiě)性能如果曝光前波動(dòng)信號(hào)值與曝光后波動(dòng)信號(hào)值的差值小于2％，則用“A”表示；如果差值等于或大于2％但小于3％，則用“B”表示；如果差值等于或大于3％，則用“C”表示。
表13


表14

表15


表16


結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在第二信息層23和第一信息層16中，對(duì)于其中的第二記錄膜204和第一記錄膜104都用組成式GeaBibTe3+a表示。其中的a和b滿(mǎn)足不等式0＜a≤60和1.5≤b≤7的樣品8-b至8-j和8-n至8-q來(lái)說(shuō)，在線速度是4.9m/s的低傳輸速率和線速度是9.8m/s的高傳輸速率下，至于刪除率、重復(fù)重寫(xiě)性能、檔案性能和檔案重寫(xiě)性能等所有這些性能，都能夠獲得良好的性能。另外還發(fā)現(xiàn)樣品8-a、8-m和8-r在低傳輸速率下的檔案性能略有不足，因?yàn)榈诙涗浤?04和第一記錄膜104中的結(jié)晶速度太快。另外還發(fā)現(xiàn)樣品8-k和8-l在高傳輸速率下的刪除率和檔案重寫(xiě)性能略有不足，因?yàn)榈诙涗浤?04和第一記錄膜104中的結(jié)晶速度太慢。
從上述結(jié)果可以發(fā)現(xiàn)當(dāng)?shù)诙涗浤?04和第一記錄膜104的材料用組成式GeaBibTe3+a表示時(shí)，a和b優(yōu)選滿(mǎn)足不等式0＜a≤60和1.5≤b≤7。
另外，盡管在上述樣品中第二記錄膜204和第一記錄膜104是用組成相同的材料制成的，但是，只要第二記錄膜204和第一記錄膜104的材料是用組成式GeaBibTe3+a表示且a和b滿(mǎn)足不等式0＜a≤60和1.5≤b≤7，則當(dāng)?shù)诙涗浤?04和第一記錄膜104是用不同的材料制成時(shí)也能夠得到與上述樣品同樣的結(jié)果。
實(shí)施例12至于圖2所示的信息記錄介質(zhì)22的第二信息層23和第一信息層16，第二記錄膜204或第一記錄膜1 04使用的材料用組成式(Ge-M2)aBibTe3+a表示，然后進(jìn)行與第十一個(gè)實(shí)施例類(lèi)似的試驗(yàn)，得到的結(jié)果相同，即，a和b優(yōu)選滿(mǎn)足不等式0＜a≤60，1.5≤b≤7。
實(shí)施例13作為第十三個(gè)實(shí)施例，生產(chǎn)圖2所示的信息記錄介質(zhì)22，然后檢測(cè)第一記錄膜104的膜厚和刪除率、進(jìn)行記錄和重寫(xiě)的次數(shù)、檔案性能及檔案重寫(xiě)性能之間的關(guān)系。更具體地說(shuō)，制造的信息記錄介質(zhì)22的樣品包括第一記錄膜104的膜厚不同的第一信息層16。然后測(cè)定第一信息層16的刪除率、進(jìn)行記錄和重寫(xiě)的次數(shù)、檔案性能及檔案重寫(xiě)性能。
用下述步驟制造樣品。首先制備聚碳酸酯基板作為基板14(直徑為120mm，厚度為1.1mm)，其上形成用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽(深度為20nm，磁道間距為0.32μm)。然后用濺射法在聚碳酸酯基板上依次形成下述層。這些層包括作為第二反射膜208的Ag-Pd-Cu層(厚度為80nm)、作為界面膜207的Al層(厚度為10nm)、作為第二入射相反側(cè)介電膜206的ZnS-SiO2層(厚度為22nm，SiO2占20mol％)、作為第二入射相反側(cè)界面膜205的(SiO2)20(Cr2O3)30(ZrO2)50(mol％)層(厚度為5nm)、作為第二記錄膜204的Ge22BiSbTe25層(厚度為10nm)、作為第二入射側(cè)界面膜203的(SiO2)35(Cr2O3)30(ZrO2)35(mol％)層(厚度為5nm)和作為第二入射側(cè)介電膜202的ZnS-SiO2層(厚度為60nm，SiO2占20mol％)。
然后將紫外線固化樹(shù)脂涂布在第二入射側(cè)介電膜202上，其上放置導(dǎo)向槽深度為20nm、磁道間距為0.32μm的基板，并且基板與其密切接觸。然后旋轉(zhuǎn)基板，形成均勻的樹(shù)脂層。樹(shù)脂固化后，除去基板。根據(jù)該方法，制成厚度為25μm的光學(xué)隔離層17，并且在第一信息層16的一側(cè)上形成用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽。
然后用濺射法在光學(xué)隔離層17上依次形成下述層。這些層包括作為透射率調(diào)節(jié)膜109的TiO2層(厚度為20nm)、作為第一反射膜108的Ag-Pd-Cu層(厚度為10nm)、作為第一入射相反側(cè)界面膜105的(SiO2)20(Cr2O3)30(ZrO2)50(mol％)層(厚度為10nm)、作為第一記錄膜104的Ge22Bi2Te25層、作為第一入射側(cè)界面膜103的(SiO2)35(Cr2O3)30(ZrO2)35(mol％)層(厚度為5nm)和作為第一入射側(cè)介電膜102的ZnS-SiO2層(厚度為40nm，SiO2占20mol％)。最后將紫外線固化樹(shù)脂涂布在第一入射側(cè)介電膜102上，用聚碳酸酯薄板(直徑為120mm，厚度為65μm)與第一入射側(cè)介電膜102接觸，然后旋轉(zhuǎn)該薄板，形成均勻的樹(shù)脂層。然后照射紫外線以將樹(shù)脂固化，從而制成厚度為75μm的透明層13。然后進(jìn)行初始化步驟，其中，用激光束將第二記錄膜204和第一記錄膜104結(jié)晶。用這種方法生產(chǎn)第一記錄膜104的膜厚不同的多個(gè)樣品。
至于得到的這些樣品，用圖5所示的記錄和復(fù)制裝置35測(cè)定信息記錄介質(zhì)15的第一信息層16的刪除率、進(jìn)行記錄和重寫(xiě)的次數(shù)、檔案性能及檔案重寫(xiě)性能。在該例子中，將激光束11的波長(zhǎng)設(shè)定為405nm，物鏡31的數(shù)值孔徑NA設(shè)定為0.85，測(cè)定過(guò)程中樣品的線速度設(shè)定為4.9m/s和9.8m/s，最短的印記長(zhǎng)度設(shè)定為0.149μm。另外，信息記錄在導(dǎo)向槽表面上。
線速度為4.9m/s時(shí)第一信息層16的刪除率、進(jìn)行記錄和重寫(xiě)的次數(shù)、檔案性能及檔案重寫(xiě)性能的評(píng)價(jià)結(jié)果示于表17，線速度為9.8m/s時(shí)的評(píng)價(jià)結(jié)果示于表18。另外，用下面的符號(hào)表示檔案性能及檔案重寫(xiě)性能如果曝光前波動(dòng)信號(hào)值與曝光后波動(dòng)信號(hào)值的差值小于2％，則用“A”表示；如果差值等于或大于2％但小于3％，則用“B”表示；如果差值等于或大于3％，則用“C”表示。
表17

表18

結(jié)果發(fā)現(xiàn)，對(duì)于其中的第一記錄膜104的厚度為9nm或更小的樣品9-c、9-d、9-e和9-f來(lái)說(shuō)，在線速度是4.9m/s的低傳輸速率和線速度是9.8m/s的高傳輸速率下，至于刪除率、重復(fù)重寫(xiě)性能、檔案性能和檔案重寫(xiě)性能等所有這些性能，都能夠達(dá)到良好的性能。另外還發(fā)現(xiàn)其中的第一記錄膜104的厚度大于9nm的樣品9-a和9-b在低傳輸速率下的檔案性能略有不足，因?yàn)榈谝挥涗浤?04中的結(jié)晶速度太快。
從上述結(jié)果可以發(fā)現(xiàn)第一記錄膜104的厚度優(yōu)選是9nm或更小。
實(shí)施例14作為第十四個(gè)實(shí)施例，生產(chǎn)圖2所示的信息記錄介質(zhì)22，然后檢測(cè)第二信息層23的第二記錄膜204的膜厚和第二信息層23的刪除率、進(jìn)行記錄和重寫(xiě)的次數(shù)、檔案性能及檔案重寫(xiě)性能之間的關(guān)系。更具體地說(shuō)，制造的信息記錄介質(zhì)22的樣品包括第二記錄膜204的膜厚不同的第二信息層23。然后測(cè)定第二信息層23的刪除率、進(jìn)行記錄和重寫(xiě)的次數(shù)、檔案性能及檔案重寫(xiě)性能。
用下述步驟制造樣品。首先制備聚碳酸酯基板作為基板14(直徑為120mm，厚度為1.1mm)，其上形成用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽(深度為20nm，磁道間距為0.32μm)。然后用濺射法在聚碳酸酯基板上依次形成下述層。這些層包括作為第二反射膜208的Ag-Pd-Cu層(厚度為80nm)、作為界面膜207的Al層(厚度為10nm)、作為第二入射相反側(cè)介電膜206的ZnS-SiO2層(厚度為22nm，SiO2占20mol％)、作為第二入射相反側(cè)界面膜205的(SiO2)20(Cr2O3)30(ZrO2)50(mol％)層(厚度為5nm)、作為第二記錄膜204的Ge22BiSbTe25層、作為第二入射側(cè)界面膜203的(SiO2)35(Cr2O3)30(ZrO2)35(mol％)層(厚度為5nm)和作為第二入射側(cè)介電膜202的ZnS-SiO2層(厚度為60nm，SiO2占20mol％)。
然后將紫外線固化樹(shù)脂涂布在第二入射側(cè)介電膜202上，其上放置導(dǎo)向槽深度為20nm、磁道間距為0.32μm的基板，并且密切接觸。然后旋轉(zhuǎn)基板，形成均勻的樹(shù)脂層。樹(shù)脂固化后，除去基板。根據(jù)該方法，制成厚度為25μm的光學(xué)隔離層17，并且在第一信息層16側(cè)上形成用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽。
然后用濺射法在光學(xué)隔離層17上依次形成下述層。這些層包括作為透射率調(diào)節(jié)膜109的TiO2層(厚度為20nm)、作為第一反射膜108的Ag-Pd-Cu層(厚度為10nm)、作為第一入射相反側(cè)界面膜105的(SiO2)20(Cr2O3)30(ZrO2)50(mol％)層(厚度為10nm)、作為第一記錄膜104的Ge22Bi2Te25層(厚度為6nm)、作為第一入射側(cè)界面膜103的(SiO2)35(Cr2O3)30(ZrO2)35(mol％)層(厚度為5nm)和作為第一入射側(cè)介電膜102的ZnS-SiO2層(厚度為40nm，SiO2占20mol％)。最后將紫外線固化樹(shù)脂涂布在第一入射側(cè)介電膜102上，用聚碳酸酯薄板(直徑為120mm，厚度為65μm)與第一入射側(cè)介電膜102接觸，然后旋轉(zhuǎn)該薄板，形成均勻的樹(shù)脂層。然后照射紫外線以將樹(shù)脂固化，從而制成厚度為75μm的透明層13。然后進(jìn)行初始化步驟，其中，用激光束將第二記錄膜204和第一記錄膜104結(jié)晶。用這種方法生產(chǎn)第二記錄膜204的膜厚不同的多個(gè)樣品。
至于得到的這些樣品，用圖5所示的記錄和復(fù)制裝置35測(cè)定信息記錄介質(zhì)22的第二信息層23的刪除率、進(jìn)行記錄和重寫(xiě)的次數(shù)、檔案性能及檔案重寫(xiě)性能。在該例子中，將激光束11的波長(zhǎng)設(shè)定為405nm，物鏡31的數(shù)值孔徑NA設(shè)定為0.85，測(cè)定過(guò)程中樣品的線速度設(shè)定為4.9m/s和9.8m/s，最短的印記長(zhǎng)度設(shè)定為0.149μm。另外，信息記錄在導(dǎo)向槽表面上。
線速度為4.9m/s時(shí)的第二信息層23的刪除率、進(jìn)行記錄和重寫(xiě)的次數(shù)、檔案性能及檔案重寫(xiě)性能的評(píng)價(jià)結(jié)果示于表19，線速度為9.8m/s時(shí)的評(píng)價(jià)結(jié)果示于表20。另外，用下面的符號(hào)表示檔案性能及檔案重寫(xiě)性能如果曝光前波動(dòng)信號(hào)值與曝光后波動(dòng)信號(hào)值的差值小于2％，則用“A”表示；如果差值等于或大于2％但小于3％，則用“B”表示；如果差值等于或大于3％，則用“C”表示。
表19

表20

結(jié)果發(fā)現(xiàn)，對(duì)于其中的第二記錄膜204的厚度為6-15nm的樣品10-b、10-c、10-d、10-e和10-f來(lái)說(shuō)，在線速度是4.9m/s的低傳輸速率和線速度是9.8m/s的高傳輸速率的過(guò)程中，至于刪除率、重復(fù)重寫(xiě)性能、檔案性能和檔案重寫(xiě)性能等所有這些性能，都能夠達(dá)到良好的性能。另外還發(fā)現(xiàn)其中的第二記錄膜204的厚度大于15nm的樣品10-a在低傳輸速率下的檔案性能不足，因?yàn)榈诙涗浤?04中的結(jié)晶速度太快。另外還發(fā)現(xiàn)其中的第二記錄膜204的厚度小于6nm的樣品10-g在高傳輸速率下的刪除率和檔案重寫(xiě)性能不足，因?yàn)榈诙涗浤?04中的結(jié)晶速度太慢。
從上述結(jié)果可以發(fā)現(xiàn)第二記錄膜204的厚度優(yōu)選是6-15nm。
實(shí)施例15作為第十五個(gè)實(shí)施例，生產(chǎn)圖4所示的信息記錄介質(zhì)29，然后進(jìn)行類(lèi)似于第十二個(gè)實(shí)施例和第十三個(gè)實(shí)施例的試驗(yàn)。
用下述步驟制造樣品。首先制備聚碳酸酯基板作為基板28(直徑為120mm，厚度為0.6mm)，其上形成用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽(深度為40nm，磁道間距為0.344μm)。然后用濺射法在聚碳酸酯基板上依次形成下述層。這些層包括作為第二反射膜208的Ag-Pd-Cu層(厚度為80nm)、作為界面膜207的Al層(厚度為10nm)、作為第二入射相反側(cè)介電膜206的ZnS-SiO2層(厚度為22nm，SiO2占20mol％)、作為第二入射相反側(cè)界面膜205的(SiO2)20(Cr2O3)30(ZrO2)50(mol％)層(厚度為5nm)、作為第二記錄膜204的Ge22BiSbTe25層、作為第二入射側(cè)界面膜203的(SiO2)35(Cr2O3)30(ZrO2)35(mol％)層(厚度為5nm)和作為第二入射側(cè)介電膜202的ZnS-SiO2層(厚度為60nm，SiO2占20mol％)。
另外，制備聚碳酸酯基板作為基板24(直徑為120mm，厚度為0.58mm)，其上形成用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽(深度為40nm，磁道間距為0.344μm)。然后用濺射法在聚碳酸酯基板上依次形成下述層。這些層包括作為第一入射側(cè)介電膜102的ZnS-SiO2層(厚度為40nm，SiO2占20mol％)、作為第一入射側(cè)界面膜103的(SiO2)35(Cr2O3)30(ZrO2)35(mol％)層(厚度為5nm)、作為第一記錄膜104的Ge22Bi2Te25層、作為第一入射相反側(cè)界面膜105的(SiO2)20(Cr2O3)30(ZrO2)50(mol％)層(厚度為10nm)、作為第一反射膜108的Ag-Pd-Cu層(厚度為10nm)和作為透射率調(diào)節(jié)膜109的TiO2層(厚度為20nm)。
然后將紫外線固化樹(shù)脂涂布在透射率調(diào)節(jié)膜109上，基板28的第二入射側(cè)介電膜202和透射率調(diào)節(jié)膜109接觸，然后將其旋轉(zhuǎn)，形成均勻的樹(shù)脂層(厚度為20μm)。然后照射紫外線以將樹(shù)脂固化，從而用粘結(jié)層25將基板24和基板28粘結(jié)在一起。最后進(jìn)行初始化步驟，將第二記錄膜204和第一記錄膜104的整個(gè)表面結(jié)晶。
至于得到的這些樣品，用與第十二個(gè)實(shí)施例和第十三個(gè)實(shí)施例相同的方法測(cè)定信息記錄介質(zhì)29的第一信息層16和第二信息層23的刪除率、進(jìn)行記錄和重寫(xiě)的次數(shù)、檔案性能及檔案重寫(xiě)性能。
在該例子中，將激光束11的波長(zhǎng)設(shè)定為405nm，物鏡31的數(shù)值孔徑NA設(shè)定為0.65，測(cè)定過(guò)程中樣品的線速度設(shè)定為8.6m/s和17.2m/s，最短的印記長(zhǎng)度設(shè)定為0.294μm。另外，信息記錄在導(dǎo)向槽表面上。
結(jié)果與第十二個(gè)實(shí)施例和第十三個(gè)實(shí)施例類(lèi)似，當(dāng)?shù)谝挥涗浤?04的膜厚小于9nm和第二記錄層的膜厚是6-15nm時(shí)，信息記錄介質(zhì)29的第一信息層16和第二信息層23具有良好的刪除率、能夠進(jìn)行許多次記錄和重寫(xiě)、具有良好的檔案性能和檔案重寫(xiě)性能。
實(shí)施例16在第一至第十五個(gè)實(shí)施例中，即使當(dāng)?shù)谝蝗肷鋫?cè)界面膜103、作為第一入射相反側(cè)界面膜105、第二入射側(cè)界面膜203和第二入射相反側(cè)界面膜205中含有一種或多種選自Ga2O3、SnO2、ZrO2、HfO2、Nb2O5、Ta2O5、SiO2、Cr2O3、Al2O3、TiO2、ZnO、Zr-N、Hf-N、Nb-N、Ta-N、Si-N、Cr-N、Ge-N、Al-N、Ge-Si-N、Ge-Cr-N、YF3、LaF3、CeF3、GdF3、DyF3、ErF3、YbF3、C和ZnS的化合物，也能夠得到同樣的結(jié)果。
實(shí)施例17作為第十七個(gè)實(shí)施例，生產(chǎn)圖1所示的信息記錄介質(zhì)15，其具有4個(gè)信息層，即N＝4，然后檢測(cè)每一個(gè)信息層的檔案性能及檔案重寫(xiě)性能。
用下述步驟制造樣品。首先制備聚碳酸酯基板作為基板14(直徑為120mm，厚度為1.1mm)，其上形成用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽(深度為20nm，磁道間距為0.32μm)。然后用濺射法在聚碳酸酯基板上依次形成下述層。這些層包括作為第四反射層408的Ag-Pd-Cu層(厚度為80nm)、作為界面層407的Al層(厚度為10nm)、作為第四入射相反側(cè)介質(zhì)層406的ZnS-SiO2層(厚度為22nm，SiO2占20mol％)、作為第四入射相反側(cè)界面層405的(SiO2)20(Cr2O3)30(ZrO2)50(mol％)層(厚度為5nm)、作為第四記錄層404的Ge22BiSbTe25層(厚度為12nm)、作為第四入射側(cè)界面層403的(SiO2)35(Cr2O3)30(ZrO2)35(mol％)層(厚度為5nm)和作為第四入射側(cè)介質(zhì)層402的ZnS-SiO2層(厚度為60nm，SiO2占20mol％)。
然后將紫外線固化樹(shù)脂涂布在第四入射側(cè)介質(zhì)層402上，其上放置導(dǎo)向槽深度為20nm、磁道間距為0.32μm的基板，并且基板與其密切接觸。然后旋轉(zhuǎn)基板，形成均勻的樹(shù)脂層。樹(shù)脂固化后，除去基板。根據(jù)該方法，制成厚度為10μm的光學(xué)隔離層20，并且在第一信息層16側(cè)上形成用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽。
然后用濺射法在光學(xué)隔離層20上依次形成下述層。這些層包括作為第三透射率調(diào)節(jié)層309的TiO2層(厚度為20nm)、作為第三反射層308的Ag-Pd-Cu層(厚度為10nm)、作為第三入射相反側(cè)界面層305的(SiO2)20(Cr2O3)30(ZrO2)50(mol％)層(厚度為10nm)、作為第三記錄層304的Ge20Bi2Te23層(厚度為6nm)、作為第三入射側(cè)界面層303的(SiO2)35(Cr2O3)30(ZrO2)35(mol％)層(厚度為5nm)和作為第三入射側(cè)介質(zhì)層302的ZnS-SiO2層(厚度為40nm，SiO2占20mol％)。
然后將紫外線固化樹(shù)脂涂布在第三入射側(cè)介質(zhì)層302上，其上放置導(dǎo)向槽深度為20nm、磁道間距為0.32μm的基板，并且基板與其密切接觸。然后旋轉(zhuǎn)基板，形成均勻的樹(shù)脂層。樹(shù)脂固化后，除去基板。根據(jù)該方法，制成厚度為10μm的光學(xué)隔離層19，并且在第一信息層16側(cè)上形成用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽。
然后用濺射法在光學(xué)隔離層19上依次形成下述層。這些層包括作為第二透射率調(diào)節(jié)層209的TiO2層(厚度為20nm)、作為第二反射膜208的Ag-Pd-Cu層(厚度為10nm)、作為第二入射相反側(cè)界面膜205的(SiO2)20(Cr2O3)30(ZrO2)50(mol％)層(厚度為10nm)、作為第二記錄膜204的Ge30Bi2Te33層(厚度為5nm)、作為第二入射側(cè)界面膜203的(SiO2)35(Cr2O3)30(ZrO2)35(mol％)層(厚度為5nm)和作為第二入射側(cè)介電膜202的ZnS-SiO2層(厚度為40nm，SiO2占20mol％)。
然后將紫外線固化樹(shù)脂涂布在第二入射側(cè)介質(zhì)層202上，其上放置導(dǎo)向槽深度為20nm、磁道間距為0.32μm的基板，并且基板與其密切接觸。然后旋轉(zhuǎn)基板，形成均勻的樹(shù)脂層。樹(shù)脂固化后，除去基板。根據(jù)該方法，制成厚度為10μm的光學(xué)隔離層17，并且在第一信息層16側(cè)上形成用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽。
然后用濺射法在光學(xué)隔離層17上依次形成下述層。這些層包括作為透射率調(diào)節(jié)膜109的TiO2層(厚度為20nm)、作為第一反射膜108的Ag-Pd-Cu層(厚度為10nm)、作為第一入射相反側(cè)界面膜105的(SiO2)20(Cr2O3)30(ZrO2)50(mol％)層(厚度為10nm)、作為第一記錄膜104的Ge40Bi2Te43層(厚度為4nm)、作為第一入射側(cè)界面膜103的(SiO2)35(Cr2O3)30(ZrO2)35(mol％)層(厚度為5nm)和作為第一入射側(cè)介電膜102的ZnS-SiO2層(厚度為40nm，SiO2占20mol％)。
最后將紫外線固化樹(shù)脂涂布在第一入射側(cè)介電膜102上，用聚碳酸酯薄板(直徑為120mm，厚度為60μm)與第一入射側(cè)介電膜102接觸，然后旋轉(zhuǎn)該薄板，形成均勻的樹(shù)脂層。然后照射紫外線以將樹(shù)脂固化，從而制成厚度為70μm的透明層13。然后進(jìn)行初始化步驟，其中，用激光束依次將第四記錄膜404、第三記錄膜304、第二記錄膜204和第一記錄膜104結(jié)晶。用這種方法生產(chǎn)具有四個(gè)信息層的信息記錄介質(zhì)15。
至于上述得到的信息記錄介質(zhì)15，用圖5所示的記錄和復(fù)制裝置35測(cè)定信息記錄介質(zhì)15的四個(gè)信息層的檔案性能及檔案重寫(xiě)性能。在該例子中，將激光束11的波長(zhǎng)設(shè)定為405nm，物鏡3 1的數(shù)值孔徑NA設(shè)定為0.85，測(cè)定過(guò)程中樣品的線速度設(shè)定為4.9m/s(1X)和9.8m/s(2X)，最短的印記長(zhǎng)度設(shè)定為0.149μm。另外，信息記錄在導(dǎo)向槽表面上。
每一個(gè)記錄層的組成和膜厚、1X時(shí)的檔案性能和2X時(shí)的檔案重寫(xiě)性能之間的關(guān)系示于表21。另外，用下面的符號(hào)表示檔案性能及檔案重寫(xiě)性能如果曝光前波動(dòng)信號(hào)值與曝光后波動(dòng)信號(hào)值的差值小于2％，則用“A”表示；如果差值等于或大于2％但小于3％，則用“B”表示；如果差值等于或大于3％，則用“C”表示。
表21

結(jié)果發(fā)現(xiàn)所有這四個(gè)信息層都能夠得到良好的1X時(shí)的檔案性能和2X時(shí)的檔案重寫(xiě)性能。
實(shí)施例18作為第十八個(gè)實(shí)施例，生產(chǎn)圖6所示的電信息記錄介質(zhì)41。檢測(cè)由于施加電流造成的相變。
制備具有用氮化物處理表面的Si基板作為基板36。然后用濺射法在基板36上依次形成下述層。這些層包括由Pt制成、其面積為10μm×10μm、厚度為0.1μm的下部電極37，由Ge22Bi2Te25制成、其面積為5μm×5μm、厚度為0.1μm的第一記錄層38，由Sb70Te25Ge5制成、其面積為5μm×5μm、厚度為0.1μm的第二記錄層39，由Pt制成、其面積為5μm×5μm、厚度為0.1μm的上部電極40。然后將Au導(dǎo)線粘結(jié)在下部電極37和上部電極40上，從而利用應(yīng)用部分(applying portion)42使電信息記錄和復(fù)制裝置47與電信息記錄介質(zhì)41連接。根據(jù)這種電信息記錄和復(fù)制裝置47，脈沖電源45利用開(kāi)關(guān)44連接在下部電極37和上部電極40之間，另外，用利用開(kāi)關(guān)46連接在下部電極37和上部電極40之間的電阻測(cè)量?jī)x43探測(cè)由于第一記錄層38和第二記錄層39的相變?cè)斐傻碾娮柚档淖兓?br> 在本申請(qǐng)中，第一記錄層38的熔點(diǎn)Tm1是630℃，結(jié)晶溫度Tx1是170℃，結(jié)晶時(shí)間tx1是100ns。另外，第二記錄層39的熔點(diǎn)Tm2是550℃，結(jié)晶溫度Tx2是200℃，結(jié)晶時(shí)間tx2是50ns。另外，第一記錄層38是非晶相時(shí)的電阻值ra1是500Ω，而結(jié)晶相時(shí)的電阻值rc1是10Ω。第二記錄層39是非晶相時(shí)的電阻值ra2是800Ω，而結(jié)晶相時(shí)的電阻值rc2是20Ω。
當(dāng)?shù)谝挥涗泴?8和第二記錄層39均處于作為第一狀態(tài)的非晶相時(shí)，在下部電極37和上部電極40之間施加圖9所示的在記錄波形501中Ic1＝5mA且tc1＝150ns的電流脈沖。然后只有第一記錄層38從非晶相變成結(jié)晶相(下面稱(chēng)為第二狀態(tài))。另外，在第一狀態(tài)下的下部電極37和上部電極40之間施加圖9所示的在記錄波形502中Ic2＝10mA且tc2＝100ns的電流脈沖。然后只有第二記錄層39從非晶相變成結(jié)晶相(下面稱(chēng)為第三狀態(tài))。另外，在第一狀態(tài)下的下部電極37和上部電極40之間施加圖9所示的在記錄波形503中Ic2＝10mA且tc1＝150ns的電流脈沖。然后第一記錄層38和第二記錄層39均從非晶相變成結(jié)晶相(下面稱(chēng)為第四狀態(tài))。
接下來(lái)，當(dāng)?shù)谝挥涗泴?8和第二記錄層39均處于結(jié)晶相和低電阻狀態(tài)的第四狀態(tài)下時(shí)，在下部電極37和上部電極40之間施加圖9所示的在記錄波形504中Ia1＝20mA、Ic2＝10mA且tc2＝100ns的電流脈沖。結(jié)果，只有第一記錄層38從結(jié)晶相變成非晶相(第三狀態(tài))。另外，在第四狀態(tài)下，在下部電極37和上部電極40之間施加圖9所示的在記錄波形505中Ia2＝15mA且ta2＝50ns的電流脈沖。結(jié)果，只有第二記錄層39從結(jié)晶相變成非晶相(第二狀態(tài))。另外，在第四狀態(tài)下，在下部電極37和上部電極40之間施加圖9所示的在刪除波形506中Ia1＝20mA且ta1＝50ns的電流脈沖。結(jié)果，第一記錄層38和第二記錄層39均從結(jié)晶相變成非晶相(第一狀態(tài))。
另外，在第二狀態(tài)或第三狀態(tài)下，施加圖9所示的在記錄波形503中Ic2＝10mA且tc1＝150ns的電流脈沖。結(jié)果，第一記錄層38和第二記錄層39均從非晶相變成結(jié)晶相(第四狀態(tài))。另外，在第二狀態(tài)或第三狀態(tài)下，施加圖9所示的在刪除波形507中Ia1＝20mA、Ic2＝10mA、tc1＝150ns和ta1＝50ns的電流脈沖。結(jié)果，第一記錄層38和第二記錄層39均從結(jié)晶相變成非晶相(第一狀態(tài))。另外，在第二狀態(tài)下，施加圖9所示的在記錄波形508中Ia1＝20mA、Ic2＝10mA、tc2＝100ns和ta1＝50ns的電流脈沖。結(jié)果，第一記錄層38從結(jié)晶相變成非晶相，而第二記錄層39從非晶相變成結(jié)晶相(第三狀態(tài))。另外，在第三狀態(tài)下，施加圖9所示的在記錄波形509中Ia2＝15mA、Ic1＝5mA、tc1＝150ns和ta2＝50ns的電流脈沖。結(jié)果，第一記錄層38從非晶相變成結(jié)晶相，而第二記錄層39從結(jié)晶相變成非晶相(第二狀態(tài))。
從上述結(jié)果可以發(fā)現(xiàn)至于圖6所示的電力相變型信息記錄介質(zhì)41，第一記錄層38和第二記錄層39中的每一個(gè)都可以在結(jié)晶相和非晶相之間進(jìn)行電力可逆變化，從而得到四種狀態(tài)。這四種狀態(tài)包括第一記錄層38和第二記錄層39都是非晶相的第一狀態(tài)，第一記錄層38是結(jié)晶相而第二記錄層39是非晶相的第二狀態(tài)，第一記錄層38是非晶相而第二記錄層39是結(jié)晶相的第三狀態(tài)和第一記錄層38和第二記錄層39都是結(jié)晶相的第四狀態(tài)。
根據(jù)本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)和該介質(zhì)的生產(chǎn)方法，在得到的信息記錄介質(zhì)中，第一信息層和第二信息層具有高傳輸速率下的檔案重寫(xiě)性能和低傳輸速率下的檔案性能，還能夠得到良好的重復(fù)重寫(xiě)性能?？梢杂米饔糜诠鈱W(xué)或電力記錄、刪除、重寫(xiě)和復(fù)制信息的信息記錄介質(zhì)和該介質(zhì)的生產(chǎn)方法。
權(quán)利要求
1.一種至少有兩個(gè)信息層的信息記錄介質(zhì)，其包括第一信息層，其包括能夠用光學(xué)裝置或電氣裝置在結(jié)晶相和非晶相之間產(chǎn)生可逆相變的第一記錄層；和第二信息層，其包括能夠用光學(xué)裝置或電氣裝置在結(jié)晶相和非晶相之間產(chǎn)生可逆相變的第二記錄層；其中，第一記錄層含有Ge、Te和Bi，和第二記錄層含有Sb和選自V、Mn、Ga、Ge、Se、Ag、In、Sn、Te、Pb、Bi和Au的至少一種元素M1。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的信息記錄介質(zhì)，其中，第一記錄層還含有Sb。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的信息記錄介質(zhì)，其中，第一記錄層還含有Sn。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)的信息記錄介質(zhì)，其中，第一記錄層含有1.0原子％或更多的Bi。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的信息記錄介質(zhì)，其中，第一記錄層用組成式GeaBibTe3+a表示，其中，0＜a≤60，1.5≤b≤7。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的信息記錄介質(zhì)，其中，第一記錄層用組成式(Ge-M2)aBibTe3+a表示，其中，M2是選自Sn和Pb的至少一種元素，并且0＜a≤60，1.5≤b≤7。
7.根據(jù)權(quán)利要求2的信息記錄介質(zhì)，其中，第一記錄層用組成式Gea(Bi-Sb)bTe3+a表示，其中，0＜a≤60，1.5≤b≤7。
8.根據(jù)權(quán)利要求2的信息記錄介質(zhì)，其中，第一記錄層用組成式(Ge-M2)a(Bi-Sb)bTe3+a表示，其中，M2是選自Sn和Pb的至少一種元素，并且0＜a≤60，1.5≤b≤7。
9.一種至少有兩個(gè)信息層的信息記錄介質(zhì)，其包括第一信息層，其包括能夠用光學(xué)裝置或電氣裝置在結(jié)晶相和非晶相之間產(chǎn)生可逆相變的第一記錄層；和第二信息層，其包括能夠用光學(xué)裝置或電氣裝置在結(jié)晶相和非晶相之間產(chǎn)生可逆相變的第二記錄層；其中，第一記錄層含有Ge、Te和Sb，和第二記錄層含有Sb和至少一種選自V、Mn、Ga、Ge、Se、Ag、In、Sn、Te、Pb、Bi和Au的元素M1。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的信息記錄介質(zhì)，其中，第一記錄層用組成式GeaSbbTe3+a表示，其中，0＜a≤60，1.5≤b≤7。
11.根據(jù)權(quán)利要求9的信息記錄介質(zhì)，其中，第一記錄層用組成式(Ge-M2)aSbbTe3+a表示，其中，M2是至少一種選自Sn和Pb的元素，并且0＜a≤60，1.5≤b≤7。
12.根據(jù)權(quán)利要求1-11中任一項(xiàng)的信息記錄介質(zhì)，其中，第二記錄層用組成式SbxM1100-x表示，其中，50≤x≤95原子％。
13.根據(jù)權(quán)利要求1-11中任一項(xiàng)的信息記錄介質(zhì)，其中，第二記錄層用組成式SbyM1100-y表示，其中，0＜y≤20原子％。
14.根據(jù)權(quán)利要求1-11中任一項(xiàng)的信息記錄介質(zhì)，其中，第二記錄層用組成式Gea(Bi-Sb)bTe3+a表示，其中，0＜a≤60，1.5≤b≤7。
15.根據(jù)權(quán)利要求1-11中任一項(xiàng)的信息記錄介質(zhì)，其中，第二記錄層用組成式(Ge-M2)a(Bi-Sb)bTe3+a表示，其中，M2是至少一種選自Sn和Pb的元素，并且0＜a≤60，1.5≤b≤7。
16.一種至少有兩個(gè)信息層的信息記錄介質(zhì)，其包括第一信息層，其包括能夠用光學(xué)裝置或電氣裝置在結(jié)晶相和非晶相之間產(chǎn)生可逆相變的第一記錄層；和第二信息層，其包括能夠用光學(xué)裝置或電氣裝置在結(jié)晶相和非晶相之間產(chǎn)生可逆相變的第二記錄層；其中，第一記錄層和第二記錄層都含有Ge、Te和Bi。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的信息記錄介質(zhì)，其中，第一記錄層和第二記錄層中的至少一個(gè)含有1.0原子％或更多的Bi。
18.根據(jù)權(quán)利要求16的信息記錄介質(zhì)，其中，第一記錄層和第二記錄層中的至少一個(gè)用組成式GeaBibTe3+a表示，其中，0＜a≤60，1.5≤b≤7。
19.根據(jù)權(quán)利要求16的信息記錄介質(zhì)，其中，第一記錄層和第二記錄層中的至少一個(gè)用(Ge-M2)aBibTe3+a表示，其中，M2是至少一種選自Sn和Pb的元素，并且0＜a≤60，1.5≤b≤7。
20.根據(jù)權(quán)利要求1-19中任一項(xiàng)的信息記錄介質(zhì)，其還包括鄰近第一記錄層和第二記錄層中的至少一個(gè)的表面而設(shè)置的界面層，其中，界面層含有至少一種選自下述物質(zhì)的組成Ga2O3、SnO2、ZrO2、HfO2、Nb2O5、Ta2O5、SiO2、Cr2O3、Al2O3、TiO2、ZnO、Zr-N、Hf-N、Nb-N、Ta-N、Si-N、Cr-N、Ge-N、Al-N、Ge-Si-N、Ge-Cr-N、YF3、LaF3、CeF3、GdF3、DyF3、ErF3、YbF3、C和ZnS。
21.根據(jù)權(quán)利要求1-20中任一項(xiàng)的信息記錄介質(zhì)，其中，第一信息層依次包括，至少，第一入射側(cè)介質(zhì)層、第一入射側(cè)界面層、第一記錄層、第一入射相反側(cè)界面層、第一反射層和透射率調(diào)節(jié)層。
22.根據(jù)權(quán)利要求1-21中任一項(xiàng)的信息記錄介質(zhì)，其中，第二信息層依次包括，至少，第二入射側(cè)介質(zhì)層、第二入射側(cè)界面層、第二記錄層、第二入射相反側(cè)界面層、第二入射相反側(cè)介質(zhì)層和第二反射層。
23.根據(jù)權(quán)利要求1-22中任一項(xiàng)的信息記錄介質(zhì)，其中，相對(duì)于第二信息層來(lái)說(shuō)，第一信息層放置在光學(xué)裝置側(cè)。
24.根據(jù)權(quán)利要求1-23中任一項(xiàng)的信息記錄介質(zhì)，其中，第一記錄層的厚度是9nm或更小。
25.根據(jù)權(quán)利要求1-24中任一項(xiàng)的信息記錄介質(zhì)，其中，第二記錄層的厚度是6-15nm。
26.一種在基板上至少有兩個(gè)信息層的信息記錄介質(zhì)的生產(chǎn)方法，該方法包括下述步驟形成能夠產(chǎn)生相變的第一記錄層；和形成能夠產(chǎn)生相變的第二記錄層；其中，在第一記錄層的形成步驟中使用含Ge、Te和Bi的濺射目標(biāo)；和在第二記錄層的形成步驟中使用含Sb和至少一種選自V、Mn、Ga、Ge、Se、Ag、In、Sn、Pb、Te、Bi和Au的元素M1的濺射目標(biāo)。
27.根據(jù)權(quán)利要求26的信息記錄介質(zhì)的生產(chǎn)方法，其中，在第一記錄層的形成步驟中使用的濺射目標(biāo)還含有Sb。
28.根據(jù)權(quán)利要求26或27的信息記錄介質(zhì)的生產(chǎn)方法，其中，在第一記錄層的形成步驟中使用的濺射目標(biāo)還含有Sn。
29.根據(jù)權(quán)利要求26-28中任一項(xiàng)的信息記錄介質(zhì)的生產(chǎn)方法，其中，在第一記錄層的形成步驟中使用含0.5原子％或更多Bi的濺射目標(biāo)。
30.根據(jù)權(quán)利要求26的信息記錄介質(zhì)的生產(chǎn)方法，其中，用第一記錄層形成步驟中使用的濺射目標(biāo)形成的第一記錄層用組成式GeaBibTe3+a表示，其中，0＜a≤60，1.5≤b≤7。
31.根據(jù)權(quán)利要求26的信息記錄介質(zhì)的生產(chǎn)方法，其中，用第一記錄層形成步驟中使用的濺射目標(biāo)形成的第一記錄層用組成式(Ge-M2)aBibTe3+a表示，其中，M2是選自Sn和Pb的至少一種元素，并且0＜a≤60，1.5≤b≤7。
32.根據(jù)權(quán)利要求27的信息記錄介質(zhì)的生產(chǎn)方法，其中，用第一記錄層形成步驟中使用的濺射目標(biāo)形成的第一記錄層用組成式Gea(Bi-Sb)bTe3+a表示，其中，0＜a≤60，1.5≤b≤7。
33.根據(jù)權(quán)利要求27的信息記錄介質(zhì)的生產(chǎn)方法，其中，用第一記錄層形成步驟中使用的濺射目標(biāo)形成的第一記錄層用組成式(Ge-M2)a(Bi-Sb)bTe3+a表示，其中，M2是選自Sn和Pb的至少一種元素，并且0＜a≤60，1.5≤b≤7。
34.一種至少有兩個(gè)信息層的信息記錄介質(zhì)的生產(chǎn)方法，該方法包括下述步驟形成能夠產(chǎn)生相變的第一記錄層；和形成能夠產(chǎn)生相變的第二記錄層；其中，在第一記錄層的形成步驟中使用含Ge、Te和Sb的濺射目標(biāo)；和在第二記錄層的形成步驟中使用含Sb和選自V、Mn、Ga、Ge、Se、Ag、In、Sn、Pb、Te、Bi和Au的至少一種元素M1的濺射目標(biāo)。
35.根據(jù)權(quán)利要求34的信息記錄介質(zhì)的生產(chǎn)方法，其中，用第一記錄層形成步驟中使用的濺射目標(biāo)形成的第一記錄層用組成式GeaSbbTe3+a表示，其中，0＜a≤60，1.5≤b≤7。
36.根據(jù)權(quán)利要求34的信息記錄介質(zhì)的生產(chǎn)方法，其中，用第一記錄層形成步驟中使用的濺射目標(biāo)形成的第一記錄層用組成式(Ge-M2)aSbbTe3+a表示，其中，M2是選自Sn和Pb的至少一種元素，并且0＜a≤60，1.5≤b≤7。
37.根據(jù)權(quán)利要求26-36中任一項(xiàng)的信息記錄介質(zhì)的生產(chǎn)方法，其中，用在第二記錄層形成步驟中使用的濺射目標(biāo)形成的第二記錄層用組成式SbxM1100-x表示，其中，50≤x≤95原子％。
38.根據(jù)權(quán)利要求26-36中任一項(xiàng)的信息記錄介質(zhì)的生產(chǎn)方法，其中，用在第二記錄層形成步驟中使用的濺射目標(biāo)形成的第二記錄層用組成式SbyM1100-y表示，其中，0＜y≤20原子％。
39.根據(jù)權(quán)利要求26-36中任一項(xiàng)的信息記錄介質(zhì)的生產(chǎn)方法，其中，用在第二記錄層形成步驟中使用的濺射目標(biāo)形成的第二記錄層用組成式Gea(Bi-Sb)bTe3+a表示，其中，0＜a≤60，1.5≤b≤7。
40.根據(jù)權(quán)利要求26-36中任一項(xiàng)的信息記錄介質(zhì)的生產(chǎn)方法，其中，用在第二記錄層形成步驟中使用的濺射目標(biāo)形成的第二記錄層用組成式(Ge-M2)a(Bi-Sb)bTe3+a表示，其中，M2是選自Sn和Pb的至少一種元素，并且0＜a≤60，1.5≤b≤7。
41.一種至少有兩個(gè)信息層的信息記錄介質(zhì)的生產(chǎn)方法，該方法包括下述步驟形成能夠產(chǎn)生相變的第一記錄層；和形成能夠產(chǎn)生相變的第二記錄層；其中，在第一記錄層的形成步驟和第二記錄層的形成步驟中都使用含Ge、Te和Bi的濺射目標(biāo)。
42.根據(jù)權(quán)利要求41的信息記錄介質(zhì)的生產(chǎn)方法，其中，在第二記錄層的形成步驟中使用含0.5原子％或更多Bi的濺射目標(biāo)。
43.根據(jù)權(quán)利要求41的信息記錄介質(zhì)的生產(chǎn)方法，其中，用第二記錄層形成步驟中使用的濺射目標(biāo)形成的第二記錄層用組成式GeaBibTe3+a表示，其中，0＜a≤60，1.5≤b≤7。
44.根據(jù)權(quán)利要求41的信息記錄介質(zhì)的生產(chǎn)方法，其中，用在第二記錄層形成步驟中使用的濺射目標(biāo)形成的第二記錄層用組成式(Ge-M2)aBibTe3+a表示，其中，M2是選自Sn和Pb的至少一種元素，并且0＜a≤60，1.5≤b≤7。
全文摘要
本發(fā)明提供一種多層信息記錄介質(zhì)，即使長(zhǎng)期作檔案記錄后也具有良好的復(fù)制性能和良好的記錄和重寫(xiě)性能及良好的重復(fù)重寫(xiě)性能。信息記錄介質(zhì)(22)至少有在結(jié)晶相和非晶相之間能夠產(chǎn)生可逆相變的第一記錄層(104)和第二記錄層(204)，第一記錄層(104)含有Ge、Te和Bi，而第二記錄層(204)含有Sb和一種或多種選自V、Mn、Ga、Ge、Se、Ag、In、Sn、Te、Pb、Bi和Au的元素M1。
文檔編號(hào)G11B7/254GK1538424SQ20041003179
公開(kāi)日2004年10月20日 申請(qǐng)日期2004年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月25日
發(fā)明者西原孝史, 兒島理惠, 山田升, 惠 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社