專利名稱：難以發(fā)生熔斷器的切斷的誤識別的半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置，更具體地說，涉及例如大容量的動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)中，具備用以指定不良存儲單元和預(yù)備單元的置換等所采用的熔斷器元件的半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
大容量的DRAM中，很難獲得所有存儲單元中完全無缺陷的的合格品。因而，一般地說，采用在存儲單元陣列中設(shè)置預(yù)備存儲單元以置換缺陷部分，形成合格品的冗余結(jié)構(gòu)。
特開2001-210093號公報中，記載了通過用激光光線切斷與不良部分的地址對應(yīng)的熔斷器部來分離不良部分的電路、代之以預(yù)備部分進行動作的激光修剪方式中采用的修復(fù)信號發(fā)生電路。
有激光光線進行的熔斷器的切斷不充分的場合，這會產(chǎn)生以下缺點，即，內(nèi)部電路誤識別成熔斷器未切斷而不進行置換預(yù)備部分的置換動作，或進行完全與無關(guān)的地址對應(yīng)的存儲單元的置換。
熔斷器的切斷狀態(tài)不完全并流過一定值以上的電流時，由于通常穩(wěn)定地進行誤動作，因而可以容易地通過出貨前的測試去除。但是，切斷部僅僅有微小的殘留部分時，有可能會受到動作定時、動作溫度等復(fù)雜的動作因素的影響，將熔斷器識別成切斷或未切斷，因而會進行不穩(wěn)定的動作。而排除這樣的不穩(wěn)定動作的芯片很困難，在測試條件等中有較高的要求。
另外，微小的殘留部分引起的誤置換會導(dǎo)致制造成品率惡化的問題。
本發(fā)明的目的是提供難以發(fā)生熔斷器的切斷的誤識別的半導(dǎo)體裝置。
本發(fā)明是一種半導(dǎo)體裝置，具備第1連接電路、第1熔斷器元件以及第1鎖存器電路。第1連接電路根據(jù)第1控制信號，將第1內(nèi)部結(jié)點與施加了第1電源電位的第1電源結(jié)點連接。第1熔斷器元件設(shè)置在連接被施加了不同于第1電源電位的第2電源電位的第2電源結(jié)點和第1內(nèi)部結(jié)點的通路上，不揮發(fā)性地存儲導(dǎo)通狀態(tài)。第1鎖存器電路保持對應(yīng)于第1內(nèi)部結(jié)點的電位的邏輯值。第1鎖存器電路包括輸入與第1內(nèi)部結(jié)點連接的第1反相電路；根據(jù)第1反相電路的輸出將第1內(nèi)部結(jié)點驅(qū)動到第1電源電位的第1驅(qū)動器電路。第1驅(qū)動器電路根據(jù)第2控制信號改變驅(qū)動力。
根據(jù)本發(fā)明的其他方面的半導(dǎo)體裝置，包括第1連接電路；第1鎖存器電路；第1熔斷器元件；以及第2連接電路。第1連接電路根據(jù)第1控制信號，將第1內(nèi)部結(jié)點與施加了第1電源電位的第1電源結(jié)點連接。第1鎖存器電路保持對應(yīng)于第1內(nèi)部結(jié)點的電位的邏輯值。第1熔斷器元件設(shè)置在連接被施加了不同于第1電源電位的第2電源電位的第2電源結(jié)點和第1內(nèi)部結(jié)點的通路上，不揮發(fā)性地存儲導(dǎo)通狀態(tài)。第2連接電路設(shè)置在第1內(nèi)部結(jié)點和第2電源結(jié)點之間，與第1熔斷器元件串聯(lián)，根據(jù)第2控制信號改變電阻值。
根據(jù)本發(fā)明又一其他方面的半導(dǎo)體裝置，包括鎖存器電路；熔斷器元件；連接電路；以及脈沖發(fā)生電路。鎖存器電路保持對應(yīng)于初始設(shè)定成第1電源電位的輸入結(jié)點的電位的邏輯值。熔斷器元件設(shè)置在連接被施加了不同于第1電源電位的第2電源電位的電源結(jié)點和內(nèi)部結(jié)點的通路上，不揮發(fā)性地存儲導(dǎo)通狀態(tài)。連接電路在由窗脈沖指定的期間連接內(nèi)部結(jié)點和輸入結(jié)點。脈沖發(fā)生電路根據(jù)控制信號，改變窗脈沖的脈沖寬度。
本發(fā)明的主要優(yōu)點為，在熔斷器元件未完全切斷時，可調(diào)節(jié)切斷識別的狀態(tài)。從而，熔斷器元件的切斷部分即使有漏電流流過，也可避免切斷狀態(tài)的誤識別。
本發(fā)明的上述及其他目的、特征、方面及優(yōu)點通過參照附圖面所理解的本發(fā)明相關(guān)的詳細說明可變得清楚。


圖1是本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置2的結(jié)構(gòu)的示意方框圖。
圖2是圖1中的編程&比較電路的結(jié)構(gòu)的示意方框圖。
圖3是圖2中的編程部的構(gòu)成的示意電路圖。
圖4是圖2中的比較器的構(gòu)成的示意電路圖。
圖5是說明與本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的通常動作模式中的CA1-CA7對應(yīng)的熔斷器的切斷檢測動作的動作波形圖。
圖6是說明與本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的通常動作模式中的塊選擇對應(yīng)的熔斷器的切斷檢測動作的動作波形圖。
圖7是說明與本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的補救模式中的塊選擇對應(yīng)的熔斷器的切斷檢測動作的動作波形圖。
圖8是表示響應(yīng)熔斷器的切斷而使模式信號TMSIG變化的模式信號發(fā)生電路的構(gòu)成的電路圖。
圖9是表示塊編程電路的其他例的電路圖。
圖10是說明圖9所示塊編程電路的動作的動作波形圖。
圖11是用于實施例3的塊編程電路的構(gòu)成的示意電路圖。
圖12是用于實施例4的塊編程電路342的構(gòu)成的示意電路圖。
圖13是實施例5中的熔斷器電路部的構(gòu)成的示意電路圖。
圖14是用于實施例6的熔斷器電路部的構(gòu)成的示意電路圖。
圖15是用于實施例7的熔斷器電路的構(gòu)成的示意電路圖。
圖16是說明圖15所示電路的動作的動作波形圖。
圖17是圖15所示構(gòu)成的變形例的示意電路圖。
圖18是說明圖17所示電路的動作的動作波形圖。
具體實施例方式
以下，參照圖面詳細說明本發(fā)明的實施例。另外，圖中同一符號表示同一或相當(dāng)部分。
圖1是本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置2的構(gòu)成的概略方框圖。本說明書中，作為本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的例示，說明具備存儲陣列的半導(dǎo)體存儲裝置。
參照圖1，半導(dǎo)體裝置2具備包含有行列狀排列的多個存儲單元MC的存儲塊16.0～16.3。存儲塊16.0～16.3是將存儲單元陣列分割成4份的區(qū)域，從行地址中的RA0～RA8也可以由上位的規(guī)定的2比特來選擇其中之一。
圖1中，為了便于說明，各存儲塊16.0～16.3中表示了成512行、128列排列的正常存儲單元以及1列用以提高合格率的預(yù)備存儲單元的構(gòu)成。但是，實際上，往往排列更多行及列的正常存儲單元以及多列的預(yù)備存儲單元。另外，圖1中，表示了1個輸入輸出端子，但是實際上可設(shè)置4、8、16個輸入輸出端子，對輸入輸出端子設(shè)置如圖示的構(gòu)成。
半導(dǎo)體裝置2還包括接受地址信號ADD、時鐘信號CLK、控制信號EXTZRAS、EXTZCAS、/WE、/CS、CKE并輸出內(nèi)部控制信號CDE、CADE、列地址CA0～CA7、行地址RA0～RA8、信號RASORX及模式信號TMSIG的控制電路8?？刂齐娐?包含保持半導(dǎo)體裝置2的動作模式的模式寄存器9。另外，這里信號名所附的＂Z＂和＂/＂表示反相。
存儲塊16.0～16.3各包括行列狀配置的存儲單元MC；與存儲單元MC的行對應(yīng)設(shè)置的字線WL0～WL511；與存儲單元MC的列對應(yīng)設(shè)置的列線對CSL0～CSL127。
半導(dǎo)體裝置2還包括對來自控制電路8的行地址信號RA0～RA8解碼，選擇驅(qū)動字線WL0～WL511的X解碼器10。X解碼器10包括用以將存儲塊16.0～16.3的內(nèi)部地址指定的行(字線)驅(qū)動到選擇狀態(tài)的未圖示的字驅(qū)動器。
半導(dǎo)體裝置2還包括編程&比較電路24，根據(jù)響應(yīng)地址信號的輸入而激活的信號RASORX和列地址CA1～CA7，輸出表示是否選擇了預(yù)備存儲單元行的信號SCHIT；Y解碼器12，響應(yīng)控制信號CDE及信號SCHIT而激活，對列地址CA0～CA7解碼，選擇列選擇線CSL0～CSL127之一；備用Y解碼器28，根據(jù)信號SCHIT選擇備用列選擇線SCSL。
半導(dǎo)體裝置2還包括復(fù)用器18，選擇由列選擇線CSL0～CSL127及備用列選擇線SCSL指定的比特線對，以和外部進行數(shù)據(jù)收發(fā)；輸入電路22，接受從端子提供的信號DQ并傳輸?shù)綇?fù)用器18；輸出電路20，將從存儲塊16.0～16.3經(jīng)由復(fù)用器18讀出的數(shù)據(jù)作為信號DQ輸出到端子。
接著，說明動作的概略。
訪問正常存儲單元中的不良存儲單元時，用預(yù)備的存儲單元代替不良存儲單元，進行訪問。
X解碼器10通過9比特的地址信號，從512行中選擇一行。Y解碼器12通過7比特的地址信號CA1～CA7，從127列中選擇1列。編程&比較電路24中對不良列地址編程。編程&比較電路24比較輸入的地址信號和編程的不良列地址。輸入的地址信號若與不良列地址一致，信號SCHIT成為H電平，Y解碼器12的動作禁止，備用Y解碼器28激活備用列選擇線SCSL。
另一方面，輸入的地址信號若與不良列地址不一致，Y解碼器12根據(jù)地址信號CA0～CA7來選擇列。此時，備用Y解碼器28禁止動作。
圖2是表示圖1中的編程&比較電路的構(gòu)成的方框圖。
參照圖2，編程&比較電路24包括編程&比較電路30～33。編程&比較電路30～33分別與圖1的存儲塊16.0～16.3對應(yīng)設(shè)置。
編程&比較電路30包括編程部40和比較器45。編程部40根據(jù)信號RASORX，將內(nèi)置的熔斷器的設(shè)定信息作為信號FCA<7:1>讀出。信號RASORX是通過識別指示行激活的ACT指令和輸入的地址來激活的信號，在從指令A(yù)CT的輸入到指令PRE(預(yù)充電)的輸入為止的期間維持激活。
編程部40包括塊編程電路42，包含有在對應(yīng)的存儲塊中使用預(yù)備列時切斷的熔斷器元件FUSESCE，輸出塊選擇信號SCL<0>；地址編程電路44，包含有用以指定應(yīng)置換成預(yù)備列的不良列的地址的熔斷器元件FUSECA1～FUSECA7，輸出與不良列對應(yīng)的地址信號FCA<7:1>。
比較器45比較與不良列對應(yīng)的地址信號FCA<7:1>和輸入的列地址信號CA<7:1>的各比特，地址若一致，則激活用以選擇預(yù)備列的信號SCHIT<0>。
另外，編程&比較電路31～33與編程&比較電路30的不同在于，輸出與存儲塊16.1～16.3分別對應(yīng)的信號SCHIT<1>～SCHIT<8>。但是，編程&比較電路31～33的內(nèi)部的構(gòu)成與編程&比較電路30同樣，不重復(fù)說明。
圖3是表示圖2中的編程部的構(gòu)成的電路圖。
參照圖3，編程部40包括塊編程電路42，包含有對應(yīng)的存儲塊中使用預(yù)備列時切斷的熔斷器元件FUSESCE，輸出塊選擇信號SCL<0>；地址編程電路44，包含有用以指定應(yīng)置換成預(yù)備列的不良列的地址的熔斷器元件FUSECA1～FUSECA7，輸出與不良列對應(yīng)的地址信號FCA<1>～<7>。
塊編程電路42包括P溝道MOS晶體管46，連接于電源結(jié)點和結(jié)點N1之間，其柵極接受信號RASORX；熔斷器元件FUSESCE，其一端與接地結(jié)點連接；N溝道MOS晶體管48，連接于熔斷器元件FUSESCE的另一端和結(jié)點N1之間，其柵極接受信號RASORX。
塊編程電路42還包括鎖存器電路50，鎖存與結(jié)點N1的電位對應(yīng)的信息；NOR電路52，接受鎖存器電路50的輸出和信號ZRAD<0>，輸出信號SCL<0>。
鎖存器電路50包括反相器58，其輸入與結(jié)點N1連接；驅(qū)動電路56，根據(jù)反相器58的輸出將結(jié)點N1驅(qū)動到電源電位；NAND電路54，接受信號RASORX和模式信號TMSIG。NAND電路54的輸出是用以改變驅(qū)動電路56的驅(qū)動能力的信號。
驅(qū)動電路56包括P溝道MOS晶體管60，連接于電源結(jié)點和結(jié)點N1之間，其柵極接受反相器58的輸出；P溝道MOS晶體管62、64，串聯(lián)連接于電源結(jié)點和結(jié)點N1之間。P溝道MOS晶體管62、64的各柵極分別接受NAND電路54的輸出、反相器58的輸出。
地址編程電路44包括比特編程電路71～77。比特編程電路71～77分別包含熔斷器元件FUSECA1～FUSECA7。熔斷器元件FUSECA1～FUSECA7分別對應(yīng)地址比特CA1～CA7。
比特編程電路71包括連接電路82，根據(jù)信號RASORX連接結(jié)點N2和電源結(jié)點；熔斷器元件FUSECA1，其一端連接到接地結(jié)點；N溝道MOS晶體管86，連接于熔斷器元件FUSECA1的另一端和結(jié)點N2之間，其柵極接受信號SCL<0>。
連接電路82包括NOR電路88，一個輸入固定為L電平，另一個輸入接受信號RASORX；反相器90，接受NOR電路88的輸出并使之反相；P溝道MOS晶體管92，連接于電源結(jié)點和結(jié)點N2之間，其柵極接受反相器90的輸出。
比特編程電路71還包括鎖存器電路84，鎖存與結(jié)點N2的電位對應(yīng)的信息；反相器106，接受鎖存器電路84的輸出并反相，輸出信號FCA<1>。
鎖存器電路84包括反相器98，其輸入連接到結(jié)點N2；驅(qū)動電路96，根據(jù)反相器98的輸出將結(jié)點N2驅(qū)動到電源電位；NAND電路94，接受信號RASORX和模式信號TMSIG。NAND電路94的輸出是使驅(qū)動電路96的驅(qū)動能力變化的信號。
驅(qū)動電路96包括P溝道MOS晶體管100，連接于電源結(jié)點和結(jié)點N2之間，其柵極接受反相器98的輸出；P溝道MOS晶體管102、104，在電源結(jié)點和結(jié)點N2之間串聯(lián)連接。P溝道MOS晶體管102、104的各柵極分別接受NAND電路94的輸出和反相器98的輸出。
比特編程電路72～77與比特編程電路71的不同在于用FUSECA2～FUSECA7代替了FUSECA1，輸出對應(yīng)的信號FCA<2>～FCA<7>。但是，比特編程電路72～77的其他內(nèi)部的構(gòu)成與比特編程電路71同樣，不重復(fù)說明。
以下簡單說明動作。在對應(yīng)的存儲塊使用冗余電路時，切斷熔斷器元件FUSESCE。例如，熔斷器元件的切斷用激光光線進行。而且，與置換對象的地址對應(yīng)，切斷熔斷器元件FUSECA1～FUSECA7中的幾個。置換對象的地址的對應(yīng)比特若為＂H＂，則進行熔斷器元件的切斷。
熔斷器元件FUSESCE若切斷，則結(jié)點N1由鎖存器電路50鎖存為H電平。結(jié)果，信號SCL<0>成為H電平。從而，比特編程電路71中，N溝道MOS晶體管86導(dǎo)通，熔斷器元件FUSECA1是否切斷的情況被讀入鎖存器電路84。根據(jù)鎖存器電路84的鎖存結(jié)果，輸出信號FCA<1>。
另外，其他比特編程電路72～77中也同樣進行熔斷器元件的切斷狀況的檢測，輸出信號FCA<2>～FCA<7>。
圖4是表示圖2中的比較器的構(gòu)成的電路圖。
參照圖4，比較器45包括與地址信號CA<1>～CA<7>分別對應(yīng)的比特比較電路111～117；七輸入的NAND電路130，接受比特比較電路111～117的輸出；反相器132，接受NAND電路130的輸出并反相，輸出信號SCHIT<0>。
比特比較電路111包括反相器122，接受信號SCL<0>并反相；反相器124，接受反相器122的輸出并反相，輸出信號SCEA；NAND電路126，接受信號SCEA和地址信號CA<1>；鐘控反相器128，在信號FCA<1>為H電平時激活，接受NAND電路126的輸出并反相，輸出信號SCSF<1>；鐘控反相器120，在信號FCA<1>為L電平時激活，接受地址信號CA<1>并反相，輸出信號SCSF<1>。
比特比較電路112～117具有與比特比較電路111同樣的構(gòu)成，不重復(fù)其說明。
簡單說明比特比較電路111的動作。
未使用塊0的預(yù)備存儲單元列時，即信號SCL<0>為L電平時，信號SCEA為L電平，NAND電路126的輸出為H電平。
此時，由于圖3的N溝道MOS晶體管86保持非導(dǎo)通狀態(tài)，因而不管熔斷器元件是否切斷，信號FCA<1>～FCA<7>都成為H電平。
比特比較電路111中，鐘控反相器120被去激活，鐘控反相器128被激活。由鐘控反相器128將NAND電路126的輸出的H電平反相，信號SCSF<1>成為L電平。
由于信號SCSF<2>～SCSF<7>也同樣成為L電平，因而NAND電路130輸出H電平，該結(jié)果信號SCHIT<0>成為L電平。從而，不進行存儲塊16.0中的置換動作。
接著，在塊0的預(yù)備存儲單元列被使用的場合，即信號SCL<0>為H電平時，信號SCEA為H電平，NAND電路126的輸出為信號CA<1>的反相值。
此時，由于圖3的N溝道MOS晶體管86成為導(dǎo)通狀態(tài)，因而若熔斷器元件切斷，則信號FCA<1>成為H電平。另一方面，若熔斷器元件未切斷，則信號FCA<1>成為L電平。不良地址的對應(yīng)比特若為＂1＂，則切斷熔斷器，因而，結(jié)果信號FCA<1>在不良地址的對應(yīng)比特CA為＂1＂時成為H電平，在對應(yīng)比特為＂0＂時成為L電平。
若不良地址的對應(yīng)比特為＂1＂，信號FCA<1>為H電平，則鐘控反相器128被激活。從而，若信號CA<1>為H電平，則信號SCSF<1>成為H電平，另一方面，若信號CA<1>為L電平，則信號SCSF<1>成為L電平。結(jié)果，當(dāng)信號CA<1>與不良地址的對應(yīng)比特＂1＂一致時，信號SCSF<1>成為H電平，不一致時成為L電平。
反之，若不良地址的對應(yīng)比特為＂0＂，信號FCA<1>為L電平，則鐘控反相器120被激活。從而，信號CA<1>若為H電平，則信號SCSF<1>成為L電平，另一方面，信號CA<1>若為L電平，則信號SCSF<1>成為H電平。結(jié)果，當(dāng)信號CA<1>與不良地址的對應(yīng)比特＂0＂一致時，信號SCSF<1>成為H電平，不一致時成為L電平。
同樣，比特比較電路112～117中也進行輸入地址的對應(yīng)比特和不良地址的對應(yīng)比特的比較，輸出信號SCSF<2>～SCSF<7>。
通過NAND電路130、反相器132，所有的輸入地址比特與不良地址比特一致時，信號SCHIT<0>激活成H電平，進行不良列和預(yù)備列的置換。
圖5是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的通常動作模式中的CA1-CA7所對應(yīng)的熔斷器的切斷檢測動作的動作波形圖。
參照圖3、5，在時刻t0輸入指令A(yù)CT，進行行的激活。通常動作模式中，模式信號TMSIG設(shè)定成L電平。另外，熔斷器元件FUSECA1雖然用激光光線切斷，但是切斷不完全，有微小的殘留部分。
例如，在時刻t1輸入寫指令WT，令此時列地址信號CA<1>為H電平。熔斷器若切斷，則圖3的結(jié)點N2維持H電平，信號FCA<1>也成為H電平。由于信號CA<1>和信號FCA<1>一致，因而其他比特若完全一致，則激活備用列選擇線SCSL，以選擇備用列。
另外，如時刻t2以后所示，輸入寫指令WT，令此時列地址信號CA<1>為L電平。若熔斷器切斷，則圖3的結(jié)點N2維持H電平，信號FCA<1>成為H電平。由于信號CA<1>和信號FCA<1>不一致，因而不選擇備用列，正常列選擇線NCSL被激活。
但是，從指令A(yù)CT進行的行的激活到輸入寫指令WT為止的時間tRCD雖然規(guī)定有最小值，但是未規(guī)定最大值，因而不限于總是以相同定時輸入寫指令WT。從而，有進行時間tRCD長的讀出動作和寫入動作的場合。
熔斷器若切斷，圖3的結(jié)點N2應(yīng)該維持H電平，但是若熔斷器元件的切斷不完全，則結(jié)點N2的電位低下。通過預(yù)充電晶體管92已經(jīng)預(yù)充電的結(jié)點N2的寄生電容的電荷緩緩流到接地電位，結(jié)點N2的電位成為由P溝道MOS晶體管100的導(dǎo)通電阻與N溝道MOS晶體管86及熔斷器元件FUSECA1的殘留部分的合成電阻之比所確定的分壓電位。
結(jié)點N2的電位若變得小于反相器98的閾值電壓，則反相器98的輸出反相，P溝道MOS晶體管100成為截止?fàn)顟B(tài)，結(jié)點N2的電位通過N溝道MOS晶體管86及熔斷器元件FUSECA1的殘留部分而最終變成接地電位。此時，應(yīng)該為H電平的信號FCA<1>變化成L電平。
在時刻t5中，表示在進行這樣的時間tRCD長的寫入動作時輸入的列地址信號CA<1>為H電平的情況。表示本來應(yīng)該為H電平的不良地址比特的信號FCA<1>變成L電平。由于信號CA<1>和信號FCA<1>不一致，因而不選擇備用列，正常列選擇線NCSL被激活。
另外，在時刻t6中，表示在進行這樣的時間tRCD長的寫入動作時輸入的列地址信號CA<1>為L電平的情況。表示本來應(yīng)該為H電平的不良地址比特的信號FCA<1>變成L電平。由于信號CA<1>和信號FCA<1>一致，因而若其他比特完全一致，則激活備用列選擇線SCSL，以選擇備用列。
圖6是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的通常動作模式中的塊選擇所對應(yīng)的熔斷器的切斷檢測動作的動作波形圖。
參照圖3、圖6，在時刻t0輸入指令A(yù)CT，進行行的激活。通常動作模式中模式信號TMSIG設(shè)定成L電平。另外，熔斷器元件FUSESCE雖然由激光光線切斷，但是切斷不完全，有微小的殘留部分。
例如，在時刻t1輸入寫指令WT。熔斷器若切斷，則圖3的結(jié)點N1維持H電平，以信號ZRAD<0>為L電平作為前提，信號SCL<0>也成為H電平。此時信號CA<1>～CA<7>和信號FCA<1>～FCA<7>若分別一致，則激活備用列選擇線SCSL，以選擇備用列。
但是，從指令A(yù)CT進行的行的激活到輸入寫指令WT為止的時間tRCD雖然規(guī)定有最小值，但是未規(guī)定最大值，因而不限于總是以相同定時輸入寫指令WT。從而，有進行時間tRCD長的讀出動作和寫入動作的場合。
熔斷器若切斷，圖3的結(jié)點N1應(yīng)該維持H電平，但是由于熔斷器元件的切斷不完全時，結(jié)點N1的電位低下。通過預(yù)充電晶體管46已經(jīng)預(yù)充電的結(jié)點N1的寄生電容的電荷緩緩流到接地電位，結(jié)點N1的電位成為由P溝道MOS晶體管60的導(dǎo)通電阻與N溝道MOS晶體管48及熔斷器元件FUSESCE的殘留部分的合成電阻之比所確定的分壓電位。
結(jié)點N1的電位若變得小于反相器58的閾值電壓，則反相器58的輸出反相，P溝道MOS晶體管60成為截止?fàn)顟B(tài)，結(jié)點N1的電位通過N溝道MOS晶體管48及熔斷器元件FUSESCE的殘留部分而最終成為接地電位。此時，應(yīng)該為H電平的信號SCL<0>變化成L電平。
時刻t4中，表示了進行這樣的時間tRCD長的寫入動作的情況。時刻t4中若輸入寫入指令WT，則本來應(yīng)該為H電平的信號SCL<0>變成L電平。信號SCL<0>若為L電平，則圖8的比特程序電路71～77中不進行熔斷器元件的狀態(tài)的讀出，信號FCA<1>～FCA<7>都成為H電平。
信號SCL<0>為L電平，信號FCA<1>～FCA<7>都成為H電平，結(jié)果，圖4的比較器45將信號SCHIT<0>設(shè)定成L電平。從而，不選擇備用列，正常列選擇線NCSL被激活。
圖7是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的補救模式中的塊選擇所對應(yīng)的熔斷器的切斷檢測動作的動作波形圖。
參照圖3、圖7，在時刻t0中，輸入指令A(yù)CT，進行行的激活。補救模式中模式信號TMSIG設(shè)定成H電平。另外，熔斷器元件FUSESCE雖然用激光光線切斷，但是切斷不完全，有微小的殘留部分。
例如，在時刻t1輸入寫指令WT。熔斷器若切斷，則圖3的結(jié)點N1維持H電平，以信號ZRAD<0>為L電平作為前提，信號SCL<0>也成為H電平。此時信號CA<1>～CA<7>和信號FCA<1>～FCA<7>若分別一致，則激活備用列選擇線SCSL，以選擇備用列。
說明時刻t3以后執(zhí)行時間tRCD長的寫入動作的情況。
熔斷器若切斷，圖3的結(jié)點N1應(yīng)該維持在H電平。圖6中，說明熔斷器元件的切斷不完全時，結(jié)點N1的電位低下，信號SCE<0>成為L電平的情況。相對地，補救模式中，信號TMSIG設(shè)定成H電平。
通過預(yù)充電晶體管46已經(jīng)預(yù)充電的結(jié)點N1的寄生電容的電荷緩緩地流到接地電位，雖然結(jié)點N1的電位成為分壓電位，但是通過使P溝道MOS晶體管62、64導(dǎo)通，可以使分壓電位為比反相器58的閾值電壓高很多的值。由于反相器58的輸出未反相，因而信號SCL<0>保持H電平，不會反相成L電平。
從而，在時刻t4即使輸入寫入指令WT，信號SCL<0>也保持H電平。通常動作模式中由切斷部分的微小泄漏導(dǎo)致如虛線所示地誤動作的置換電路，如實線所示地正常動作，在時刻t4選擇備用列。
另外，對于圖5說明的CA1-CA7所對應(yīng)的熔斷器的切斷檢測動作，通過切換模式信號TMSIG，執(zhí)行與塊選擇所對應(yīng)的熔斷器的切斷檢測動作相同的動作。即，通過切換模式信號TMSIG，增大鎖存器電路的驅(qū)動器的能力，即使熔斷器切斷部分發(fā)生微小泄漏，也可以正確識別切斷。這樣，通過提高鎖存器電路的驅(qū)動能力，可確認是否可以消除不良。
以上的說明中，模式信號TMSIG根據(jù)圖1的模式寄存器9的設(shè)定，從控制電路8提供。但是，也可以根據(jù)熔斷器元件的切斷來改變模式信號TMSIG。這樣，則可以不改制掩模，在成品率低時，可在以后補救判定為不良的芯片。
圖8是表示根據(jù)熔斷器的切斷改變模式信號TMSIG的模式信號發(fā)生電路的構(gòu)成電路圖。
參照圖8，模式信號發(fā)生電路140包括P溝道MOS晶體管142，連接于電源結(jié)點和結(jié)點N4之間，其柵極接受信號/POR；熔斷器元件FUSETM，其一端連接到接地結(jié)點；N溝道MOS晶體管144，連接于熔斷器元件FUSETM的另一端和結(jié)點N4之間，其柵極接受信號/POR。
模式信號發(fā)生電路140還包括鎖存與結(jié)點N4的電位對應(yīng)的信息的鎖存器電路146。
鎖存器電路146包括反相器148，其輸入連接到結(jié)點N4；P溝道MOS晶體管150，連接于結(jié)點N4和電源結(jié)點之間，其柵極接受反相器148的輸出；反相器152，接受反相器148的輸出并反相，輸出模式信號TMSIG。
未圖示的電源導(dǎo)通復(fù)位電路若向半導(dǎo)體裝置投入電源，則將信號/POR暫時保持在L電平，然后令其為H電平，從而進行復(fù)位的解除。
復(fù)位解除后，若熔斷器元件FUSETM未切斷，則結(jié)點N4的電平成為L電平，信號TMSIG也成為L電平。
另一方面，復(fù)位解除后，若熔斷器元件FUSETM切斷，則結(jié)點N4的電平成為H電平，信號TMSIG也成為H電平。
若設(shè)置圖8所示的電路，在成品率低時，可在以后補救芯片。
以上實施例1中，通過設(shè)定規(guī)定的模式，使鎖存器電路內(nèi)部的驅(qū)動器的能力比通常動作模式時增大，可以降低熔斷器切斷的識別電阻。從而，補救模式中鎖存器電路的內(nèi)部的驅(qū)動器能力若增大，可確認是否可消除熔斷器的誤識別。另外，可以在以后補救發(fā)生熔斷器的誤識別的芯片。
實施例1中，說明了通過在測試時追加鎖存熔斷器元件的狀態(tài)的鎖存器電路內(nèi)部的反饋環(huán)的P溝道MOS晶體管來增大驅(qū)動能力的示例。也可以切換使用鎖存器電路內(nèi)部的反饋環(huán)的P溝道MOS晶體管。
圖9表示塊編程電路的其他例的電路圖。
參照圖9，塊編程電路202是在圖3所示塊編程電路42的構(gòu)成中，用鎖存器電路50A取代鎖存器電路50。鎖存器電路50A的輸入結(jié)點是結(jié)點N1A，在圖3所示鎖存器電路50的構(gòu)成中用驅(qū)動電路56A取代驅(qū)動電路56。塊編程電路202的其他構(gòu)成與圖3所示塊編程電路42的構(gòu)成同樣，因而不重復(fù)其說明。
驅(qū)動電路56A包括NAND電路204，其一個輸入與結(jié)點N1A連接，另一個輸入接受信號ZTMSIG；P溝道MOS晶體管206，連接于電源結(jié)點和結(jié)點N1A之間，其柵極接受NAND電路204的輸出；NAND電路208，其一個輸入與結(jié)點N1A連接，另一個輸入接受模式信號TMSIG；P溝道M0S晶體管210，連接于電源結(jié)點和結(jié)點N1A之間，其柵極接受NAND電路208的輸出。
信號ZTMSIG是模式信號TMSIG的反相值，在通常動作模式中設(shè)定成H電平。從而，驅(qū)動電路56A中，在通常動作模式中，P溝道MOS晶體管206將結(jié)點N1A驅(qū)動到電源電位，在補救模式中，P溝道MOS晶體管210將結(jié)點N1A驅(qū)動到電源電位。
通過將P溝道MOS晶體管210的驅(qū)動能力設(shè)計得比P溝道MOS晶體管206大，可以改善補救模式中熔斷器的狀態(tài)的誤識別。
圖10是說明圖9所示塊編程電路的動作的動作波形圖。
參照圖9、圖10，通過將信號TMSIG從L電平切換到H電平，時刻t4中的tRCD長的場合的寫入時，可以將結(jié)點N1A的波形從W1切換到W2。從而，可以改善補救模式中熔斷器的狀態(tài)的誤識別。
反之，若將P溝道MOS晶體管210的驅(qū)動能力設(shè)計得比P溝道MOS晶體管206小，通過將信號TMSIG從L電平切換到H電平，在時刻t4中的tRCD長的場合的寫入時，可以將結(jié)點N1A的波形從W2切換到W1。從而，可以嚴格檢出熔斷器的切斷部分的泄漏。
另外，雖然說明了應(yīng)用于發(fā)生信號SCL<0>的塊編程電路的示例，但是也可以將采用驅(qū)動器切換的構(gòu)成應(yīng)用于圖3的比特編程電路71～77。
如以上說明，通過不僅追加鎖存器電路的驅(qū)動器且可以切換，可以將熔斷器切斷部分的電阻值的識別切換到任一方向。從而，可進行具有不引起熔斷器切斷的誤識別的適當(dāng)?shù)娜菹薜淖罴羊?qū)動器大小調(diào)節(jié)。
圖11是表示實施例3中采用的塊編程電路的構(gòu)成的電路圖。
參照圖11，塊編程電路302包括P溝道MOS晶體管316，連接于電源結(jié)點和結(jié)點N5之間，其柵極接受信號RASORX；N溝道MOS晶體管318，連接于結(jié)點N5和結(jié)點N6之間，其柵極接受信號RASORX；熔斷器元件FUSESCEA，連接于結(jié)點N6和結(jié)點N7之間；連接電路330，根據(jù)信號TMSIG0～TMSIG2連接結(jié)點N7和接地結(jié)點。
塊編程電路302還包括鎖存器電路320，保持結(jié)點N5的電位；NOR電路322，接受鎖存器電路320的輸出和信號ZRAD<0>并輸出信號SCL<0>。
連接電路330包括并聯(lián)于結(jié)點N7和接地結(jié)點之間的N溝道MOS晶體管332、334、336。N溝道MOS晶體管332的柵極接受信號TMSIG0，導(dǎo)通時的電阻值為R0。N溝道MOS晶體管334的柵極接受信號TMSIG1，導(dǎo)通時的電阻值為R1。N溝道MOS晶體管336的柵極接受信號TMSIG2，導(dǎo)通時的電阻值為R2。另外，電阻值R0～R2間有R0＜R1＜R2的關(guān)系。
對于信號TMSIG0～TMSIG2的設(shè)定，例如，在通常動作模式中，信號TMSIG1設(shè)定成H電平，信號TMSIG0、TMSIG2設(shè)定成L電平。若通過選擇動作模式改變信號TMSIG0～TMSIG2的激活的組合，可以將熔斷器切斷部分的電阻值的識別調(diào)節(jié)成嚴格或?qū)捤伞?br> 例如，若激活信號TMSIG0，去激活信號TMSIG1、TMSIG2，則結(jié)點N7經(jīng)由電阻小的N溝道MOS晶體管332與接地結(jié)點連接。此時，成為連接電路330流過比通常動作模式多的電流的狀態(tài)，因而結(jié)點N5下拉到L電平。從而可嚴格檢查熔斷器的切斷。
相對地，若激活信號TMSIG2，去激活信號TMSIG0、TMSIG1，結(jié)點N7經(jīng)由電阻大的N溝道MOS晶體管336與接地結(jié)點連接。此時，成為連接電路330流過比通常動作模式少的電流的狀態(tài)。從而可以寬松地檢查熔斷器的切斷的判斷。
這樣，通過插入在熔斷器部和接地結(jié)點之間調(diào)節(jié)電流值的連接電路，可以調(diào)節(jié)在熔斷器元件未完全切斷時的切斷的識別情況?？梢愿鶕?jù)信號TMSIG0～TMSIG2的激活的組合增大調(diào)節(jié)幅度。例如，可以在某模式下激活信號TMSIG0～TMSIG2中的多個。
圖12是表示實施例4采用的塊編程電路342的構(gòu)成的電路圖。
參照圖12，塊編程電路342是在圖11說明的塊編程電路302的構(gòu)成中，用連接電路330A取代連接電路330。塊編程電路342的其他部分的構(gòu)成與圖11說明的塊編程電路302同樣，不重復(fù)說明。
連接電路330A包括電壓發(fā)生電路344，向結(jié)點N8輸出中間電壓；N溝道MOS晶體管346，連接于結(jié)點N7和接地結(jié)點之間，其柵極與結(jié)點N8連接。
電壓發(fā)生電路344包括N溝道MOS晶體管348，連接于電源結(jié)點和結(jié)點N8之間，其柵極接受信號TMSIG0；N溝道MOS晶體管350，連接于結(jié)點N8和結(jié)點N9之間，其柵極接受信號TMSIG1；N溝道MOS晶體管352，連接于結(jié)點N9和接地結(jié)點之間，其柵極接受信號TMSIG2。
電壓發(fā)生電路344還包括電阻元件354，連接于電源結(jié)點和結(jié)點N8之間；電阻元件356，連接于結(jié)點N8和結(jié)點N9之間；電阻元件358，連接于結(jié)點N9和接地結(jié)點之間。
電壓發(fā)生電路344中，通過使N溝道M05晶體管348、350、352選擇性地為導(dǎo)通狀態(tài)，可以變更結(jié)點N8的分壓電位。從而，可以控制N溝道MOS晶體管346的柵極電位，調(diào)節(jié)將結(jié)點N5驅(qū)動到接地電位的能力。
例如，通常動作模式中，信號TMSIG0～TMSIG2都去激活成L電平。從而，N溝道MOS晶體管346的柵極施加了由電阻元件354～358分壓的中間電壓。
若激活信號TMSIG0，去激活信號TMSIG1、TMSIG2，則結(jié)點N8經(jīng)由N溝道MOS晶體管348與電源電位連接。此時，由于成為N溝道MOS晶體管346中流過大的電流的狀態(tài)，因而結(jié)點N5下拉到L電平。從而，可以嚴格檢查熔斷器的切斷。
相對地，若激活信號TMSIG1，去激活信號TMSIG0、TMSIG2，則電阻元件356的兩端連接，電阻元件的分壓比變化，結(jié)點N8的中間電位低于通常動作模式時。此時，N溝道MOS晶體管346中流過的電流成為比通常動作模式時少的狀態(tài)。從而可以寬松地檢查熔斷器的切斷的判斷。
實施例4所示構(gòu)成也可獲得與實施例3同樣的效果。
進行實施例3說明的電流調(diào)節(jié)的連接電路可以在多個熔斷器電路部中共用。
圖13是表示實施例5中的熔斷器電路部的構(gòu)成的電路圖。
參照圖13，熔斷器電路402、404、406、408、410連接到共同的結(jié)點N10。結(jié)點N10和接地結(jié)點之間設(shè)有連接電路412。
連接電路412包括并聯(lián)于結(jié)點N10和接地結(jié)點之間的N溝道MOS晶體管432、434、436。N溝道MOS晶體管432的柵極接受信號TMSIG0，導(dǎo)通時的電阻值為R0。N溝道MOS晶體管434的柵極接受信號TMSIG1，導(dǎo)通時的電阻值為R1。N溝道MOS晶體管436的柵極接受信號TMSIG2，導(dǎo)通時的電阻值為R2。另外，電阻值R0～R2間有R0＜R1＜R2的關(guān)系。
熔斷器電路402包括P溝道MOS晶體管416，連接于電源結(jié)點和結(jié)點N11之間，其柵極接受信號RASORX；N溝道MOS晶體管418，連接于結(jié)點N11和結(jié)點N12之間，其柵極接受信號RASORX；熔斷器元件FUSESCEB，連接于結(jié)點N12和結(jié)點N10之間；鎖存器電路420，鎖存結(jié)點N11的電位；NOR電路422，接受鎖存器電路420的輸出和信號ZRAD<0>，輸出信號SCL<0>。鎖存器電路420包括反相器424，其輸入連接到結(jié)點N11；P溝道MOS晶體管426，連接于電源結(jié)點和結(jié)點N11，其柵極接受反相器424的輸出。
熔斷器電路402包括第1熔斷器元件。熔斷器電路404、406、408、410分別包括第2、第3、第4、第N熔斷器元件。熔斷器電路404、406、408、410所包含的熔斷器元件可以是圖3的熔斷器元件FUSECA1～FUSECA7，也可以是完全無關(guān)系的熔斷器元件。
通過這樣的方法，可以將整個冗余電路形成緊湊的結(jié)構(gòu)。
圖14是實施例6采用的熔斷器電路部的構(gòu)成的電路圖。
參照圖14，實施例6的熔斷器電路部包括NAND電路502，接受信號RASORX和信號TMSIG；P溝道MOS晶體管500，連接于電源結(jié)點和結(jié)點N12之間，其柵極接受NAND電路502的輸出；共同連接到結(jié)點N12的熔斷器電路504、506、508、510、512。
熔斷器電路504包括P溝道MOS晶體管546，連接于電源結(jié)點和結(jié)點N13之間，其柵極接受信號RASORX；熔斷器元件FUSESCEC，其一端與接地結(jié)點連接；N溝道MOS晶體管548，連接于熔斷器元件FUSESCEC的另一端和結(jié)點N13之間，其柵極接受信號RASORX；鎖存器電路550，鎖存結(jié)點N13的電位；NOR電路552，接受鎖存器電路550的輸出和信號ZRAD<0>，輸出信號SCL<0>。鎖存器電路550包括P溝道MOS晶體管560，連接于電源結(jié)點和結(jié)點N13之間，其柵極接受反相器558的輸出；P溝道MOS晶體管564，連接于結(jié)點N12和結(jié)點N13之間，其柵極接受反相器558的輸出。反相器558的輸出作為鎖存器電路550的輸出提供給NOR電路552。
熔斷器電路506～512可以包含圖3所示熔斷器元件FUSECA1～FUSECA7，也可以包含其他無關(guān)系的熔斷器元件。
這樣的構(gòu)成也可將全體的冗余電路形成緊湊的結(jié)構(gòu)。
熔斷器的切斷狀態(tài)的判定，可通過使判定期間可變來調(diào)節(jié)。
圖15是實施例7中采用的熔斷器電路的構(gòu)成的電路圖。
參照圖15，實施例7的熔斷器電路包括脈沖發(fā)生電路600，根據(jù)控制信號TM1～TM3改變表示判定期間的信號WINDOW的脈沖寬度；熔斷器電路602，判定用信號WINDOW表示的期間中熔斷器元件的切斷的狀態(tài)。
熔斷器電路602包括P溝道MOS晶體管606，連接于電源結(jié)點和結(jié)點N14之間，其柵極接受信號RASORX；熔斷器元件FUSESCED，其一端與接地結(jié)點連接；N溝道MOS晶體管608，連接于熔斷器元件FUSESCED的另一端和結(jié)點N14之間，其柵極接受信號RASORX。
熔斷器電路602還包括連接電路609，根據(jù)信號WINDOW連接結(jié)點N14和結(jié)點N15；鎖存器電路610，鎖存結(jié)點N15的電位；NOR電路612，接受鎖存器電路610的輸出和信號ZRAD<0>，輸出信號SCL<0>。
連接電路609包括反相器624，接受信號WINDOW并反相；P溝道MOS晶體管628，連接于結(jié)點N14和結(jié)點N15之間，其柵極接受反相器624的輸出；N溝道MOS晶體管626，連接于結(jié)點N14和結(jié)點N15之間，其柵極接受信號WINDOW。
鎖存器電路610包括反相器630，其輸入與結(jié)點N15連接；P溝道MOS晶體管632，連接于電源結(jié)點和結(jié)點N15之間，其柵極接受反相器630的輸出。
脈沖發(fā)生電路600包括反相延遲電路614，根據(jù)信號TM1激活，以規(guī)定的短延遲時間反相延遲信號WINDOW_ORG并輸出；反相延遲電路616，根據(jù)控制信號TM2激活，以比反相延遲電路614長的中等反相時間反相延遲并輸出信號WINDOW_ORG；反相延遲電路618，根據(jù)控制信號TM3激活，以比反相延遲電路616更長的延遲時間反相延遲并輸出信號WIMDOW_ORG。
脈沖發(fā)生電路600還包括NAND電路620；反相器622，接受NAND電路620的輸出并反相，輸出信號WINDOW。NAND電路620的一個輸入施加信號WINDOW_ORG。NAND電路620的另一個輸入連接到與反相延遲電路614、616、618的輸出之一連接的結(jié)點N19。反相延遲電路614、616、618的輸入都與結(jié)點N16連接。結(jié)點N16施加了信號WINDOW_ORG。
反相延遲電路614包括反相器634，接受控制信號TM1并反相；P溝道MOS晶體管636，連接于結(jié)點N16和結(jié)點N17之間，其柵極接受反相器634的輸出；N溝道MOS晶體管638，連接于結(jié)點N16和結(jié)點N17之間，其柵極接受控制信號TM1；N溝道MOS晶體管640，連接于結(jié)點N17和接地結(jié)點之間，其柵極接受反相器634的輸出。
反相延遲電路614還包括奇數(shù)級的反相器鏈642，其初級的輸入與結(jié)點N17連接，最終級的輸出與結(jié)點N18連接；P溝道MOS晶體管644，連接于結(jié)點N18和結(jié)點N19之間，其柵極接受反相器634的輸出；N溝道MOS晶體管646，連接于結(jié)點N18和結(jié)點N19之間，其柵極接受控制信號TM1。
反相延遲電路616、618中，取代控制信號TM1而分別施加控制信號TM2、TM3。另外，反相器鏈642的長度設(shè)定成按照反相延遲電路614、616、618的順序其長度變長。其他部分的反相延遲電路616、618的構(gòu)成與反相延遲電路614同樣，不重復(fù)說明。
圖16是說明圖15所示電路的動作的動作波形圖。
參照圖15、圖16，若在時刻t0輸入指令A(yù)CT，則與之響應(yīng)，信號WINDOW_ORG上升，由于來自該上升的延遲時間，信號WINDOW的脈沖寬度在激活各個控制信號TM1、TM2、TM3時不同，如圖示。從而，可以改變結(jié)點N14和結(jié)點N15連接的期間。
通過使用控制信號TM1～TM3，即使存在由于熔斷器的切斷狀態(tài)導(dǎo)致結(jié)點N14的電位變化的定時象場合A、場合B一樣的不同的裝置，也可通過控制窗脈沖寬度來識別不良，反之，通過使用控制信號TM1可識別非不良。
圖17表示圖15所示構(gòu)成的變形例的電路圖。
圖17是在圖15的構(gòu)成中，用脈沖發(fā)生電路600A取代脈沖發(fā)生電路600。脈沖發(fā)生電路600A包括NAND電路652，接受信號WINDOW_ORG和信號RAS；P溝道MOS晶體管654，連接于電源結(jié)點和結(jié)點N20之間，其柵極接受NAND電路652的輸出；NAND電路656，接受信號RASORX和從外部端子輸入的信號EXTWIN；反相器658，接受NAND電路656的輸出；N溝道MOS晶體管660，連接于結(jié)點N20和接地結(jié)點之間，其柵極接受反相器658的輸出。
脈沖發(fā)生電路600A還包括反相器661，其輸入與結(jié)點N20連接；反相器662，使反相器661的輸出反相，向結(jié)點N20輸出；反相器663，使反相器661的輸出反相，輸出信號WINDOW。反相器661、662形成保持結(jié)點N20的電位的鎖存器電路。
圖18是說明圖17所示電路的動作的動作波形圖。參照圖17、圖18，在時刻t0輸入指令A(yù)CT，與之響應(yīng)，信號WINDOW_ORG激活成脈沖狀。在施加指令A(yù)CT時，從外部端子提供的信號EXTWIN設(shè)定成L電平。響應(yīng)信號WINDOW_ORG的上升，信號WINDOW從L電平激活到H電平。
在時刻t4～t5，信號EXTWIN若從L電平上升到H電平，則與之響應(yīng)，信號WINDOW從H電平下降到L電平。通過改變信號EXTWIN的上升定時，可以控制信號WINDOW的激活期間。
如上所述，采用實施例7的結(jié)構(gòu)也可以調(diào)節(jié)在熔斷器元件未完全切斷時的切斷的識別情況。
雖然詳細說明了本發(fā)明，但是僅僅是進行例示而不是限定，應(yīng)當(dāng)明白本發(fā)明的精神和范圍僅僅由權(quán)利要求的范圍限定。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括第1連接電路，根據(jù)第1控制信號將第1內(nèi)部結(jié)點與提供第1電源電位的第1電源結(jié)點連接；第1熔斷器元件，設(shè)置在連接提供不同于上述第1電源電位的第2電源電位的第2電源結(jié)點和上述第1內(nèi)部結(jié)點的通路上，不揮發(fā)性地存儲導(dǎo)通狀態(tài)；第1鎖存器電路，保持與上述第1內(nèi)部結(jié)點的電位對應(yīng)的邏輯值，上述第1鎖存器電路包括第1反相電路，其輸入與上述第1內(nèi)部結(jié)點連接；第1驅(qū)動器電路，根據(jù)上述第1反相電路的輸出，將上述第1內(nèi)部結(jié)點驅(qū)動到上述第1電源電位，上述第1驅(qū)動器電路根據(jù)第2控制信號改變驅(qū)動力。
2.權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述第1驅(qū)動器電路包括第1場效應(yīng)型晶體管，根據(jù)上述第1反相電路的輸出，將上述第1內(nèi)部結(jié)點與上述第1電源電位連接；追加連接電路，在上述第2控制信號被激活且上述第1場效應(yīng)型晶體管導(dǎo)通時，將上述第1內(nèi)部結(jié)點與上述第1電源電位連接。
3.權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述第1驅(qū)動器電路包括第1場效應(yīng)型晶體管，根據(jù)上述第2控制信號而被選擇，根據(jù)上述第1反相電路的輸出，將上述第1內(nèi)部結(jié)點與上述第1電源電位連接；第2場效應(yīng)型晶體管，根據(jù)上述第2控制信號與上述第1場效應(yīng)型晶體管互補地被選擇，根據(jù)上述第1反相電路的輸出，將上述第1內(nèi)部結(jié)點與上述第1電源電位連接。
4.權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于還包括第2連接電路，將第2內(nèi)部結(jié)點1暫時與第1電源結(jié)點連接；第2熔斷器元件，設(shè)置在連接上述第2電源結(jié)點和上述第2內(nèi)部結(jié)點的通路上，不揮發(fā)性地存儲導(dǎo)通狀態(tài)；第2鎖存器電路，保持與上述第2內(nèi)部結(jié)點的電位對應(yīng)的邏輯值，上述第2鎖存器電路包括第2反相電路，其輸入與上述第2內(nèi)部結(jié)點連接；第2驅(qū)動器電路，根據(jù)上述第2反相電路的輸出，將上述第2內(nèi)部結(jié)點驅(qū)動到上述第1電源電位，上述第2驅(qū)動器電路根據(jù)第2控制信號改變驅(qū)動力，上述半導(dǎo)體裝置還包括電流供給電路，根據(jù)上述第2控制信號，向上述第1、第2驅(qū)動器電路追加供給驅(qū)動電流。
5.一種半導(dǎo)體裝置，包括第1連接電路，根據(jù)第1控制信號將第1內(nèi)部結(jié)點與提供第1電源電位的第1電源結(jié)點連接；第1鎖存器電路，保持與上述第1內(nèi)部結(jié)點的電位對應(yīng)的邏輯值；第1熔斷器元件，設(shè)置在連接提供不同于上述第1電源電位的第2電源電位的第2電源結(jié)點和上述第1內(nèi)部結(jié)點的通路上，不揮發(fā)性地存儲導(dǎo)通狀態(tài)；第2連接電路，設(shè)置在上述第1內(nèi)部結(jié)點和上述第2電源結(jié)點之間，與上述第1熔斷器元件串聯(lián)，根據(jù)第2控制信號改變電阻值。
6.權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述第2連接電路包含相互并聯(lián)的多個場效應(yīng)型晶體管，根據(jù)上述第2控制信號，上述多個場效應(yīng)型晶體管中的至少1個柵極控制成與上述多個場效應(yīng)型晶體管中的其他柵極不同的電位。
7.權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述第2連接電路包括電壓發(fā)生電路，根據(jù)上述第2控制信號改變輸出電壓；場效應(yīng)型晶體管，其柵極接受上述電壓發(fā)生電路的輸出，設(shè)置在上述第1內(nèi)部結(jié)點和上述第2電源結(jié)點之間，與上述第1熔斷器元件串聯(lián)。
8.權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述第2連接電路連接在上述第2內(nèi)部結(jié)點和上述第2電源結(jié)點之間，上述半導(dǎo)體裝置還包括第3連接電路，將第3內(nèi)部結(jié)點暫時與第1電源結(jié)點連接；第2鎖存器電路，保持與上述第3內(nèi)部結(jié)點的電位對應(yīng)的邏輯值；第2熔斷器元件，設(shè)置在連接上述第2內(nèi)部結(jié)點和上述第3內(nèi)部結(jié)點的通路上，不揮發(fā)性地存儲導(dǎo)通狀態(tài)。
9.一種半導(dǎo)體裝置，包括鎖存器電路，保持與初始設(shè)定成第1電源電位的輸入結(jié)點的電位對應(yīng)的邏輯值；熔斷器元件，設(shè)置在連接提供不同于上述第1電源電位的第2電源電位的電源結(jié)點和內(nèi)部結(jié)點的通路上，不揮發(fā)性地存儲導(dǎo)通狀態(tài)；連接電路，在由窗脈沖指定期間，將上述內(nèi)部結(jié)點與上述輸入結(jié)點連接；脈沖發(fā)生電路，根據(jù)控制信號改變上述窗脈沖的脈沖寬度。
10.權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于還包括輸入上述控制信號的端子。
全文摘要
通過切換模式信號(TMSIG)，與通常模式相比，可以增大鎖存器電路(50，84)的驅(qū)動器電路(56，96)的能力。從而，即使在熔斷器元件(FUSESCE，F(xiàn)USECA1～FUSECA7)的切斷部分發(fā)生微小泄漏時，也可正確識別切斷。這樣，通過提高鎖存器電路(50，84)的驅(qū)動能力，可以消除熔斷器的切斷的誤識別。從而，可提供難以發(fā)生熔斷器的切斷的誤識別的半導(dǎo)體裝置。
文檔編號G11C17/18GK1527325SQ20031011424
公開日2004年9月8日 申請日期2003年11月4日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月3日
發(fā)明者辻野光紀, 三木武夫, 夫, 野光紀 申請人:株式會社瑞薩科技