專利名稱：磁記錄方法及其裝置、及確定磁記錄介質(zhì)的抗磁力的設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁記錄方法及其裝置、以及用來確定磁記錄介質(zhì)的抗磁力的設(shè)備，其中在磁記錄方法中，磁信息以適當(dāng)?shù)碾娏髦涤涗浽谥T如磁卡、具有磁條的表格或磁票等磁記錄介質(zhì)上。
背景技術(shù)：
通常，磁卡包括具有不同類型磁條的兩種磁卡。一種是低抗磁力磁卡，通過具有小的寫電流的磁頭將磁信息記錄在所述低抗磁力磁卡上。另一種是高抗磁力磁卡，通過具有大的寫電流的磁頭將磁信息記錄在所述高抗磁力磁卡上。
有時，當(dāng)磁頭以大的寫電流將磁信息向低抗磁力磁卡上寫時，磁信息不能被寫入。因此，在磁頭讀磁信息時，就不可能檢測到正確的讀電壓，從而不能獲得寫入的信息。
當(dāng)磁頭以小的寫電流將磁信息向高抗磁力磁卡上寫時會產(chǎn)生同樣的問題。
因此，提出了確定高抗磁力磁卡或低抗磁力磁卡的技術(shù)，如下。
(1)在磁頭相對移動的同時，當(dāng)寫電流在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)增加時，以預(yù)定磁通變化每預(yù)定磁條長度(預(yù)定磁通變化/預(yù)定磁條長度)實施寫入。被寫磁條由讀出磁頭讀取。將來自讀出磁頭的電壓值與電流值進(jìn)行比較，以便在電壓值在允許范圍內(nèi)時選擇電流值。在電壓值超出允許范圍的情況下，改變寫入時預(yù)先選定的范圍，并且重復(fù)這樣的過程再次在磁條上實施寫，讀取被寫的磁條，并且確定寫電流值。從而，可以確定磁條的抗磁力，以便以適當(dāng)?shù)碾娏髦祵⒋判畔懺诖艞l上(見專利文件1)。
(2)提出一種磁信息記錄裝置，所述磁信息記錄裝置用來確定磁記錄介質(zhì)的抗磁力，并在根據(jù)所確定的結(jié)果改變施加在磁記錄介質(zhì)上的磁強度以對應(yīng)磁記錄介質(zhì)的抗磁力的同時，實施記錄。用于記錄信息的磁記錄介質(zhì)包括普通票(ordinary tickets)和季票(season tickets)兩種。表明這些票是高抗磁力磁卡還是低抗磁力磁卡的信息被寫入在這些票上。讀出磁頭讀取信息，以辨別鑄成(cast-in)的票是高抗磁力磁卡還是低抗磁力磁卡。基于這樣辨別的結(jié)果，使勵磁電流值適于票的抗磁力，以實施磁記錄(見專利文件2)。
以下描述為另一種測量方法。小的普通票是高抗磁力的記錄介質(zhì)。大的季票是低抗磁力的記錄介質(zhì)?；谄钡某叽绱_定傳送的票是普通票還是季票。在確定出有關(guān)票是小尺寸票的情況下，信息以高抗磁力寫在票上。同樣地，在確定出有關(guān)票是大尺寸票的情況下，信息以低抗磁力寫在票上。因此，以對應(yīng)票的大抗磁力或小抗磁力的磁強度實施磁記錄。
(3)磁卡讀取器讀取和確定所用磁卡的抗磁力。在這種情況下，用來確定數(shù)據(jù)磁道的抗磁力的確定裝置設(shè)在磁卡讀取器中，其中所述數(shù)據(jù)磁道用來記錄磁信息，而在所述磁卡讀取器中，插入在卡片插入口中的磁卡的磁信息由磁頭復(fù)制或記錄。以對應(yīng)低抗磁力磁卡的電流將測試數(shù)據(jù)記錄在取進(jìn)的磁卡的數(shù)據(jù)磁道上之后，在復(fù)制的數(shù)據(jù)對應(yīng)測試數(shù)據(jù)的情況下，復(fù)制測試數(shù)據(jù)，并且確定卡片為低抗磁力卡片(見專利文件3)。
(4)磁卡讀取器讀取和確定所用磁卡的抗磁力。在這種情況下，磁卡讀取器包括對應(yīng)多個磁道而設(shè)的多個磁頭，以復(fù)制或記錄多個磁道上的磁信息，其中所述多個磁道形成在插入卡片插入口中的磁卡上，而所述多個磁頭分別用來以不同的預(yù)定電流記錄或擦除數(shù)據(jù)；及抗磁力確定單元，所述抗磁力確定單元通過復(fù)制記錄或擦除結(jié)果來確定數(shù)據(jù)磁道的三種或更多種抗磁力。例如，以第一值電流在第一磁道上實施擦除之后實施復(fù)制，以第二值電流在第二磁道上實施擦除之后實施復(fù)制，然后基于所述復(fù)制結(jié)果的輸出電平與所述第一和第二值之間的關(guān)系確定磁卡的抗磁力(見專利文件4)。
(5)提出一種確定所用磁卡的抗磁力的方法。在這種情況下，所述方法包括以僅能夠擦除低抗磁力磁卡的數(shù)據(jù)的電流擦除所插入卡片的數(shù)據(jù)，此后復(fù)制卡片數(shù)據(jù)；以及在數(shù)據(jù)以毀壞狀態(tài)輸入的情況下，確定所插入的卡片是低抗磁力磁卡。通過復(fù)制的數(shù)據(jù)的反向磁化次數(shù)或通過記錄在預(yù)定卡片上的特定數(shù)據(jù)(STX線)的不能識別來確定數(shù)據(jù)的毀壞狀態(tài)，在所述方法中，磁頭復(fù)制或記錄形成在從卡片插入口插入的低抗磁力磁卡或高抗磁力磁卡上的磁信息。(見專利文件5)。
(6)可以省略確定磁性抗磁力的操作，使裝置的使用壽命延長，并且避免了由于錯誤判定而引起數(shù)據(jù)毀壞的危險。即使在實際所插入的磁卡為高抗磁力磁卡和低抗磁力磁卡中任一類型時，也可以在使用大的寫電流進(jìn)行記錄的操作之后通過利用小的寫電流再次實施記錄操作來實施記錄磁卡的操作，這樣所確定的磁信息可以被順利地寫入，而無需確定有關(guān)的磁卡是否是任一類型的卡片(見專利文件5)。[專利文件1]JP-A-2001-148101[專利文件2]JP-B-4-38045[專利文件3]JP-A-11-96506[專利文件4]JP-A-11-328604[專利文件5]JP-A-2000-155816[專利文件6]JP-A-2001-118206然而，專利文件1存在這樣的問題由于為了確定適當(dāng)?shù)膶戨娏鳎趴ū仨毐粋魉蛿?shù)次，因此確定的過程會花費很多時間。
而對于其余的專利文件2至6，可以確定一種磁卡是對應(yīng)高抗磁力還是對應(yīng)低抗磁力。低抗磁力磁卡的抗磁力分布在具體的、允許的區(qū)域中。然而，高抗磁力磁卡的抗磁力在很多情況下分布在不允許的區(qū)域中。因此，在很多情況下，每個高抗磁力磁卡的適當(dāng)寫電流是不同的。
對于專利文件2至6，即使在確定出磁卡抗磁力是高還是低時，也不能測量出適當(dāng)?shù)膶戨娏?，其中以所述適當(dāng)寫電流對抗磁力變化的各個磁卡實施寫入。
因此，希望找出適于各個磁卡的適當(dāng)寫電流。例如，可以想到通過將確定抗磁力的磁信息寫入磁卡并讀取這樣寫入的磁信息來找到適于磁卡抗磁力的適當(dāng)寫電流。
然而，在這種情況下，即使在異常發(fā)生在用來確定抗磁力且被寫在磁卡上的磁信息中時，磁力的確定也會照原樣進(jìn)行，這樣就不能獲得正常的抗磁力。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)優(yōu)選實施例，本發(fā)明提供一種磁記錄方法，其中在磁記錄介質(zhì)相對寫磁頭和讀出磁頭沿一個方向移動期間，寫磁頭以多個不同的電流值對磁記錄介質(zhì)實施預(yù)先寫入，讀出磁頭讀取預(yù)先寫入的信息，基于讀取的結(jié)果找出適于磁記錄介質(zhì)的適當(dāng)寫電流值，然后寫磁頭以這樣找出的寫電流的適當(dāng)值對磁記錄介質(zhì)實施正常寫入。
這里，磁記錄介質(zhì)是一種包括諸如磁條等磁記錄表面的介質(zhì)，以允許記錄或復(fù)制磁信息。
當(dāng)電流施加在磁頭上時，寫磁頭產(chǎn)生磁場，并且將磁信息寫在與磁頭接觸的磁記錄介質(zhì)的磁記錄表面上。當(dāng)寫磁頭相對磁記錄介質(zhì)沿一個方向移動時，所述寫磁頭順序地將磁信息寫在磁記錄介質(zhì)的磁記錄表面上。例如，在寫磁頭移動的同時實施寫入?？蛇x地，在磁記錄介質(zhì)移動的同時實施寫，這樣在寫磁頭和磁記錄介質(zhì)相對地沿一個方向移動的同時實施寫入。
當(dāng)讀出磁頭移至磁記錄介質(zhì)的磁記錄表面上時，產(chǎn)生磁場以在讀出磁頭上產(chǎn)生電壓，讀出磁頭依據(jù)電壓的變化從磁記錄介質(zhì)的磁記錄表面上讀取磁信息。當(dāng)讀出磁頭相對磁記錄介質(zhì)沿一個方向移動時，磁信息被順序地從磁記錄介質(zhì)的磁記錄表面讀取。例如，在讀出頭移動的同時實施讀取?？蛇x地，在磁記錄介質(zhì)移動的同時實施讀取，這樣在讀出磁頭和磁記錄介質(zhì)相對地沿一個方向移動的同時實施讀取。
這些寫磁頭和讀出磁頭可以沿傳送方向并排地設(shè)置在磁記錄介質(zhì)的同一傳送路徑上，或者具有讀取和寫入兩種功能的單個磁頭也可以用作兩個磁頭。
預(yù)先寫入是指在寫磁頭的寫電流值變化的同時，將磁信息寫入磁記錄介質(zhì)的磁記錄表面上。
正常寫入是指以適于磁記錄介質(zhì)的適當(dāng)寫電流值寫入磁信息，其中所述適當(dāng)寫電流值是基于預(yù)先寫入結(jié)果而被找出的。
適當(dāng)值是用來確定寫電流的，寫電流的所述適當(dāng)值適于每個的不同的抗磁力且將被施加在寫磁頭上。
每個磁記錄介質(zhì)具有不同的抗磁力。因此，確定適當(dāng)寫電流值以適于磁記錄介質(zhì)的每個抗磁力。
根據(jù)磁記錄方法，正常寫入所需的適當(dāng)值從對磁記錄介質(zhì)的預(yù)先寫入結(jié)果中找出，并實施正常寫入。根據(jù)優(yōu)選實施例，這時，在磁記錄介質(zhì)相對寫磁頭沿一個方向移動的同時，可以實施預(yù)先寫入和正常寫入的各個操作。
根據(jù)另一個優(yōu)選實施例，本發(fā)明進(jìn)一步提供一種磁記錄裝置，其包括用來將磁信息寫入磁記錄介質(zhì)的寫磁頭、用來從磁記錄介質(zhì)上讀取磁信息的讀出磁頭及控制磁頭的控制裝置，所述控制裝置包括預(yù)先寫入處理(processing)，在所述預(yù)先寫入處理中，磁記錄介質(zhì)相對寫磁頭和讀出磁頭沿一個方向移動期間，寫磁頭以多個不同的電流值對磁記錄介質(zhì)實施預(yù)先寫入；預(yù)先寫入讀取處理，在所述預(yù)先寫入讀取處理中，讀出磁頭讀取預(yù)先寫入的結(jié)果；適當(dāng)值獲取處理，在所述適當(dāng)值獲取處理中，基于預(yù)先寫入的結(jié)果獲得磁記錄介質(zhì)的寫電流的適當(dāng)值；及正常寫入處理，在所述正常寫入處理中，寫磁頭基于適當(dāng)值對磁記錄介質(zhì)實施正常寫入。
這里，磁記錄裝置可以由諸如卡片讀取器等構(gòu)成，其中所述卡片讀取器實施從磁記錄介質(zhì)讀取磁信息和向磁記錄介質(zhì)寫入磁信息的磁處理。
在適當(dāng)值獲取處理中，根據(jù)讀出磁頭讀取的輸出值/電壓計算出寫電流的適當(dāng)值。例如，檢測讀出磁頭讀取的波形數(shù)據(jù)的振幅峰值或靠近峰值的值，并從檢測的值中獲得寫電流的適當(dāng)值。
根據(jù)另一個優(yōu)選實施例，預(yù)先寫入處理在磁記錄介質(zhì)沿一個方向經(jīng)過寫磁頭一次的動作中完成。預(yù)先讀取處理在磁記錄介質(zhì)經(jīng)過讀出磁頭一次的動作中完成。
通過將讀出磁頭和寫磁頭并排設(shè)置在磁記錄介質(zhì)的同一傳送路徑上，可以僅在磁記錄介質(zhì)沿一個方向移動時實施寫入處理和讀取處理。因此，在優(yōu)選實施例中，可以通過較少次的傳送找出傳送的磁記錄介質(zhì)的抗磁力。
根據(jù)另一個優(yōu)選實施例，本發(fā)明進(jìn)一步提供一種用來確定磁記錄介質(zhì)的抗磁力的設(shè)備，所述設(shè)備包括用來傳送磁記錄介質(zhì)的傳送裝置；用來檢測磁記錄介質(zhì)的移動量的移動量檢測裝置；寫磁頭，在傳送裝置沿一個方向傳送磁記錄介質(zhì)時，所述寫磁頭以多個不同的電流值將磁信息寫入磁記錄介質(zhì)上；讀出磁頭，在寫磁頭將磁信息寫入磁記錄介質(zhì)之后，所述讀出磁頭讀取傳送裝置傳送的磁記錄介質(zhì)上的磁信息；及確定裝置，所述確定裝置基于讀出磁頭讀取的電壓和讀取時磁記錄介質(zhì)的移動量確定磁記錄介質(zhì)的抗磁力。
傳送裝置包括通過沿傳送方向排布諸如傳送輥子、傳送帶等傳送件而構(gòu)成的磁記錄介質(zhì)的傳送路徑，其中所述傳送輥子接收來自諸如電機等的扭矩而旋轉(zhuǎn)。傳送裝置具有沿取進(jìn)方向或返回方向移動的磁記錄介質(zhì)。
此外，寫磁頭和讀出磁頭排布在傳送路徑周圍。磁信息寫在經(jīng)過磁頭的磁記錄介質(zhì)上。并且，讀取經(jīng)過磁頭的磁記錄介質(zhì)上的磁信息。
移動量對應(yīng)電機等驅(qū)動傳送裝置以傳送磁記錄介質(zhì)時的傳送距離和傳送時間。
移動量檢測裝置檢測磁記錄介質(zhì)傳送時的移動量。例如，用作傳送裝置驅(qū)動源的電機的轉(zhuǎn)數(shù)與磁記錄介質(zhì)的移動量成比例。因此，檢測電機的轉(zhuǎn)數(shù)或檢測磁記錄介質(zhì)的移動距離就可以了。此外，當(dāng)以恒定速度傳送磁記錄介質(zhì)時，磁記錄介質(zhì)的移動距離與移動所花費的時間段成比例。因此，檢測磁記錄介質(zhì)的移動距離或移動的時間段就可以了。
當(dāng)讀取以多個不同電流值寫入的磁記錄介質(zhì)的磁信息時，確定裝置根據(jù)磁記錄介質(zhì)的移動量和響應(yīng)移動量并由讀出磁頭讀出的電壓變化確定磁記錄介質(zhì)的抗磁力。
根據(jù)另一個優(yōu)選實施例，可以根據(jù)電壓和磁記錄介質(zhì)的移動量測量出將磁信息寫入到磁記錄介質(zhì)上的寫入位置和將磁信息從磁記錄介質(zhì)上讀出的讀出位置，其中所述電壓為讀取寫入在磁記錄介質(zhì)上的磁信息時的電壓。并且可以測量磁記錄位置，從而可以找出磁記錄介質(zhì)的抗磁力。具體地，在沿一個方向傳送期間，在磁記錄介質(zhì)不是電流每變化一次就分別被傳送，而是沿一個方向被傳送的情況下，寫磁頭可以以諸如大電流、小電流等多個不同的電流值將寬的磁信息寫在磁記錄介質(zhì)上。因此，寫入磁信息時的傳送次數(shù)足以稱為預(yù)先寫入時的傳送次數(shù)。
根據(jù)另一優(yōu)選實施例，本發(fā)明進(jìn)一步提供一種確定磁記錄介質(zhì)的抗磁力的設(shè)備，所述設(shè)備包括用來傳送磁記錄介質(zhì)的傳送裝置；用來檢測磁記錄介質(zhì)的移動量的移動量檢測裝置；寫磁頭，用來將磁信息寫入傳送裝置傳送的磁記錄介質(zhì)中；寫電流波形存儲裝置，用來存儲寫磁頭的相對移動量而變化的寫電流值波形；寫電流改變裝置，用來根據(jù)存儲在寫電流波形存儲裝置中的寫電流值改變寫磁頭的寫電流；讀出磁頭，在寫磁頭將磁信息寫入磁記錄介質(zhì)之后，所述讀出磁頭讀取傳送裝置傳送的磁記錄介質(zhì)上的磁信息；及確定裝置，所述確定裝置基于讀出磁頭讀取的電壓、讀取時磁記錄介質(zhì)的移動量及存儲在寫電流波形存儲裝置中的寫電流值的時間變化確定磁記錄介質(zhì)的抗磁力，其中寫電流改變裝置重復(fù)改變同樣的波形多次。
對應(yīng)傳送距離改變的波形是表示寫入時對應(yīng)傳送距離量的電流值的波形。除了該波形以外，可以依據(jù)表示寫入時對應(yīng)時間量的電流值的函數(shù)形成波形?？梢杂靡苿恿繒r間代替?zhèn)魉途嚯x。
根據(jù)另一個優(yōu)選實施例，在用寫磁頭寫入的情況下，通過改變寫電流和重復(fù)相同波形多次獲得多個波形的信息。這樣，由于寫入相同波形，因此通過比較多個所獲得的波形可以確定各個波形的適用性。例如，當(dāng)三個波形中的兩個相同，而另一個波形與其余兩個波形不相同時，則認(rèn)為所述另一個波形不適合，為異常波形。結(jié)果，可以從除異常波形之外的多個波形中確定抗磁力。
根據(jù)另一個優(yōu)選實施例，本發(fā)明進(jìn)一步具有這樣的特征在傳送磁記錄介質(zhì)期間重復(fù)相同波形時，寫磁頭在分隔多個相同波形的時間段中不實施寫入。
代替距離，可以使用傳送時間分隔多個波形。
在這種情況下，由于用于分隔波形的不寫入部分在波形之間，因此可以分隔已被重復(fù)寫入的各個波形。
根據(jù)另一個優(yōu)選實施例，本發(fā)明進(jìn)一步具有這樣的特征在傳送記磁錄介質(zhì)期間重復(fù)相同波形時，寫電流改變裝置將寫磁頭的寫電流保持在構(gòu)成參考位置的另一波形大小上一段時間，在所述時間段中形成構(gòu)成參考位置的波形。
在這種情況中，單獨的、不同的波形形成在波形與波形之間。這樣的波形用作標(biāo)記，設(shè)置這樣的標(biāo)記可以將多個波形分隔開。由于這樣的標(biāo)記可以設(shè)置在用來定位波形的參考位置中，因此可以找出磁記錄介質(zhì)的移動量。
根據(jù)另一個優(yōu)選實施例，本發(fā)明進(jìn)一步具有這樣的特征在傳送磁記錄介質(zhì)期間，寫電流改變裝置使寫磁頭的寫電流的輸出與停止交替并且以預(yù)定的間隔重復(fù)。
在這種情況下，寫入中斷部分成為無波形的標(biāo)記，并用作測量波形位置的參考位置。具體地，由于波形和標(biāo)記可以在短的時間間隔中交替設(shè)置，因此即使某些波形丟失，也可以得出距離。由此，可以對應(yīng)磁記錄介質(zhì)的寫位置確定磁記錄介質(zhì)的傳送位置。
根據(jù)另一個優(yōu)選實施例，本發(fā)明進(jìn)一步具有這樣的特征在磁記錄介質(zhì)傳送期間，寫電流改變裝置階梯式增加寫電流，這樣寫電流每增加一次，保持寫電流的持續(xù)時間段改變。
在這種情況下，保持的持續(xù)時間段對于階梯式增加的每個寫電流是不同的。因此，保持的持續(xù)時間段之間的時間差成為各個階梯式寫入波形的標(biāo)記。
根據(jù)另一個優(yōu)選實施例，本發(fā)明進(jìn)一步提供一種確定磁記錄介質(zhì)的抗磁力的設(shè)備，所述設(shè)備包括用來傳送磁記錄介質(zhì)的傳送裝置；用來檢測磁記錄介質(zhì)的移動量的移動量檢測裝置；寫磁頭，用來將磁信息寫入傳送裝置傳送的磁記錄介質(zhì)中；寫電流波形存儲裝置，用來存儲寫磁頭的相對移動量而變化的寫電流值波形；寫電流改變裝置，用來根據(jù)存儲在寫電流波形存儲裝置中的寫電流值改變寫磁頭的寫電流；讀出磁頭，在寫磁頭將磁信息寫入磁記錄介質(zhì)之后，所述讀出磁頭讀取傳送裝置傳送的磁記錄介質(zhì)上的磁信息；及確定裝置，所述確定裝置基于讀出磁頭讀取的電壓、讀取時磁記錄介質(zhì)的移動量及存儲在寫電流波形存儲裝置中的寫電流值的時間變化確定磁記錄介質(zhì)的抗磁力，其中確定裝置基于這樣的位置決定讀出磁頭讀取時磁記錄介質(zhì)的移動量在該位置中，磁記錄介質(zhì)的該區(qū)域的兩端處的讀取電壓值較大，其波形由讀出磁頭讀取。
波形讀取區(qū)域的兩端對應(yīng)讀出磁頭讀取的每個波形的寫入開始端和寫入終止端。
在這種情況下，讀取電壓大的位置設(shè)為參考位置。因此，波形本身具有參考位置。
根據(jù)另一個優(yōu)選實施例，本發(fā)明進(jìn)一步提供一種確定磁記錄介質(zhì)的抗磁力的設(shè)備，所述設(shè)備包括寫磁頭，用來將磁信息寫入磁記錄介質(zhì)中；讀出磁頭，用來讀取磁記錄介質(zhì)的磁信息；用來傳送寫磁頭和讀出磁頭的傳送裝置；用來檢測寫磁頭和讀出磁頭的移動量的移動量檢測裝置；寫電流改變裝置，在傳送裝置沿一個方向傳送寫磁頭時，所述寫電流改變裝置用來改變寫磁頭的寫電流；讀取控制裝置，在寫磁頭將所述磁信息寫入磁記錄介質(zhì)上之后，所述讀取控制裝置使傳送裝置傳送寫磁頭，并且讀取磁記錄介質(zhì)上的磁信息；及確定裝置，所述確定裝置基于讀取控制裝置使用讀出磁頭讀取的值和讀取時讀出磁頭的移動量確定磁記錄介質(zhì)的抗磁力。
在這種情況下，當(dāng)磁記錄介質(zhì)固定、傳送寫磁頭和讀出磁頭時，記錄或從磁記錄介質(zhì)上復(fù)制磁信息。
根據(jù)另一個優(yōu)選實施例，本發(fā)明進(jìn)一步提供一種確定磁記錄介質(zhì)的抗磁力的設(shè)備，所述設(shè)備包括用來相對寫磁頭和讀出磁頭傳送磁記錄介質(zhì)的傳送裝置；用來檢測傳送裝置產(chǎn)生的移動量的移動量檢測裝置；寫電流改變裝置，在傳送裝置相對寫磁頭沿一個方向移動磁記錄介質(zhì)時，所述寫電流改變裝置用來改變磁頭的寫電流；及確定裝置，在寫磁頭將磁信息寫入磁記錄介質(zhì)上之后，所述確定裝置使讀出磁頭讀取磁記錄介質(zhì)的磁信息，其中所述磁記錄介質(zhì)相對寫磁頭移動，所述確定裝置還基于讀出磁頭讀取的電壓和讀取時的移動量確定磁記錄介質(zhì)的抗磁力。
在這種情況下，當(dāng)磁信息記錄在磁記錄介質(zhì)或從磁記錄介質(zhì)上復(fù)制時，在磁記錄介質(zhì)移至固定磁頭的位置處時實施記錄或復(fù)制?？梢栽诖蓬^移至固定磁記錄介質(zhì)的位置處實施記錄或復(fù)制。此外，不僅可以在磁記錄介質(zhì)和磁頭中任一移動時實施磁處理，還可以在兩者均移動時實施磁處理。
根據(jù)另一個實施例，本發(fā)明進(jìn)一步附加一種用來確定磁記錄介質(zhì)的抗磁力的設(shè)備，其特征在于讀出磁頭預(yù)先讀取磁記錄介質(zhì)的磁信息，所述設(shè)備包括磁信息存儲裝置，用來存儲預(yù)先讀取的磁記錄介質(zhì)的磁信息，確定裝置確定之后，寫磁頭以對應(yīng)確定裝置確定的抗磁力的電流將存儲在磁信息存儲裝置中的磁信息寫入磁記錄介質(zhì)。
在這種情況下，當(dāng)沿一個方向傳送磁記錄介質(zhì)時，通過讀取存儲在介質(zhì)中的磁信息找出抗磁力。并且可以以對應(yīng)抗磁力的電流實施寫入。
根據(jù)另一個優(yōu)選實施例，本發(fā)明進(jìn)一步提供一種確定磁記錄介質(zhì)的抗磁力的設(shè)備，所述設(shè)備包括用來相對寫磁頭和讀出磁頭傳送磁記錄介質(zhì)的傳送裝置；用來檢測傳送裝置產(chǎn)生的移動量的移動量檢測裝置；寫電流改變裝置，在傳送裝置相對寫磁頭沿一個方向移動磁記錄介質(zhì)時，所述寫電流改變裝置用來改變磁頭的寫電流；寫位置檢測裝置，用來檢測寫磁頭對磁記錄介質(zhì)實施寫入的位置；及確定裝置，在寫磁頭將磁信息寫入磁記錄介質(zhì)上之后，所述確定裝置使讀出磁頭讀取磁記錄介質(zhì)的磁信息，其中所述磁記錄介質(zhì)相對讀出磁頭移動，所述確定裝置還基于讀出磁頭讀取的電壓、讀取時的移動量和實施寫入的位置確定磁記錄介質(zhì)的抗磁力。
通過計算寫入信息的位數(shù)可以實現(xiàn)寫位置檢測裝置。
在這種情況下，當(dāng)磁信息記錄在磁記錄介質(zhì)或從磁記錄介質(zhì)上復(fù)制磁信息時，可以在磁記錄介質(zhì)和磁頭(寫磁頭、讀出磁頭)中任一個或兩者都移動時實施磁處理。此外，為了檢測在磁記錄介質(zhì)上實施寫入的位置，可以從寫入位置中找出磁記錄介質(zhì)的抗磁力。結(jié)果，通過找出適于磁記錄介質(zhì)的抗磁力的適當(dāng)寫電流值可以將磁信息寫入。
附圖簡述

圖1是根據(jù)第一實施例的卡片讀取器的控制電路方框圖；圖2是根據(jù)第一實施例的卡片讀取器的處理操作流程圖；圖3A至3C示出了根據(jù)第一實施例的卡片讀取器的磁處理操作；圖4是曲線圖，示出根據(jù)第一實施例的不同磁卡的波形數(shù)據(jù)實例；圖5是根據(jù)第二實施例的卡片讀取器的略圖的截面視圖；圖6是根據(jù)第二實施例的卡片讀取器的控制方框圖；圖7是根據(jù)第二實施例的卡片處理操作的流程圖；圖8示出了在根據(jù)第二實施例的預(yù)先寫入時的三個波形；圖9是根據(jù)第二實施例的波形寫入操作的流程圖；圖10是根據(jù)第二實施例的尋找適當(dāng)寫電流值的流程圖；圖11是根據(jù)第二實施例的波形視圖，示出了具有標(biāo)記波形的波形；圖12是根據(jù)第二實施例的流程圖，示出了具有標(biāo)記波形的波形的寫入操作；圖13是根據(jù)第二實施例的流程圖，示出了根據(jù)標(biāo)記波形尋找適當(dāng)寫電流的流程；圖14是根據(jù)第二實施例的波形視圖，其中找出了高抗磁力磁卡的適當(dāng)寫電流值；圖15是根據(jù)第二實施例的波形視圖，其中找出了低抗磁力磁卡的適當(dāng)寫電流值；圖16是根據(jù)第二實施例的波形視圖，示出了高抗磁力磁卡的波形的參考位置；圖17是根據(jù)第二實施例的波形視圖，示出了低抗磁力磁卡的波形的參考位置；圖18是根據(jù)第二實施例的間歇波形和間歇寫入中斷部分的波形視圖；圖19是根據(jù)第二實施例的不規(guī)則、階梯式波形的波形視圖。
具體實施例方式
下面將參考附圖描述本發(fā)明實施例。第一實施例附圖示出向磁卡寫信息和從磁卡讀磁信息的卡片讀取器。
圖1示出卡片讀取器30的控制電路方框圖?？ㄆx取器30具有包括電機編碼器31、CPU32、D/A轉(zhuǎn)換器33、電流控制電路34、寫磁頭35、讀出磁頭36、放大器37、A/D轉(zhuǎn)換器38、隨機存儲器(RAM)39和只讀存儲器(ROM)40的電路結(jié)構(gòu)。
電機編碼器31是設(shè)在傳送系統(tǒng)的電機上的編碼器。當(dāng)電機旋轉(zhuǎn)并輸出時，電機編碼器31使光電傳感器通過設(shè)在電機軸上的碟形件上的狹縫檢測脈沖數(shù)量。這樣，CPU32計算那時的電機驅(qū)動和轉(zhuǎn)數(shù)。
CPU32根據(jù)儲存在ROM40中的程序?qū)嵤┻B接至CPU32的裝置的控制處理。在磁信息根據(jù)程序?qū)懺诖趴ㄉ系那闆r中，從對磁卡的預(yù)先寫入結(jié)果中找到正常寫入所需的適當(dāng)寫電流值，并實施正常寫入。
首先，在實施預(yù)先寫入的情況下，寫電流階梯式地增加，那時以包括大電流值和小電流值的多個不同電流值實施預(yù)先寫入。多個不同電流值作為預(yù)備數(shù)據(jù)存儲在ROM40中。當(dāng)讀取進(jìn)行上述預(yù)先寫入的預(yù)備數(shù)據(jù)時，CPU32從預(yù)先寫入的結(jié)果中找出適于每個磁卡的各個抗磁力的適當(dāng)寫電流值。這樣找出的適當(dāng)值被設(shè)置為正常寫入中的電流值，并且電流值作為正常數(shù)據(jù)存儲在ROM40中。以正常數(shù)據(jù)的電流值實施正常寫入。
D/A轉(zhuǎn)換器33將數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為模擬信號。這時，D/A轉(zhuǎn)換器33為寫在磁卡C上的磁信息(預(yù)備數(shù)據(jù)和正常數(shù)據(jù))設(shè)置寫電流。具體地，基于數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)實施階梯式增加供至電流控制電路34上的電流的處理，其中所述數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)以階梯式增加電流值的方式設(shè)置。
電流控制電路34將寫數(shù)據(jù)輸出至寫磁頭35，其中所述寫數(shù)據(jù)是CPU32命令作為從D/A轉(zhuǎn)換器33提供的電流值。
寫磁頭35改變磁通量，從而將作為電流值的寫數(shù)據(jù)寫在磁卡C的磁條St上(見3A至3C)。
當(dāng)讀取寫在磁卡C的磁條St上的數(shù)據(jù)時，讀出磁頭36讀取獲得的電壓值(輸出值)。
放大器37將讀出磁頭36讀出的電壓值輸出至A/D轉(zhuǎn)換器38。
A/D轉(zhuǎn)換器38將模擬信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。并且，A/D轉(zhuǎn)換器38依照波形讀取電壓值，以便輸出與波形數(shù)據(jù)一致。RAM39臨時存儲CPU32中控制處理所述的數(shù)據(jù)等。
ROM40存儲諸如適當(dāng)電流值索引程序等必要的程序。適當(dāng)電流值索引程序保存初始電流值(最小電流值)數(shù)據(jù)、預(yù)定最大電流值(最大電流值)數(shù)據(jù)以及預(yù)備數(shù)據(jù)。并且，為了計算適當(dāng)寫電流值，預(yù)備數(shù)據(jù)被送至電流控制電路34。此外，實施預(yù)先寫入處理，以將電流值從最小電流值數(shù)據(jù)階梯式增加至最大電流值數(shù)據(jù)，從而將同樣的數(shù)據(jù)從D/A轉(zhuǎn)換器33送至電流控制電路34。這時，設(shè)有電機編碼器31的電機移動磁卡C，以便為連續(xù)的寫控制具有不同電流值的預(yù)備數(shù)據(jù)。
當(dāng)預(yù)先寫入處理終止時，通過放大器37從讀出磁頭36獲得的電壓值被轉(zhuǎn)換成A/D轉(zhuǎn)換器38中的波形數(shù)據(jù)。被轉(zhuǎn)換波形數(shù)據(jù)的振幅峰值被索引，峰值以前一點兒處的波形數(shù)據(jù)作為適當(dāng)值被設(shè)置為正常數(shù)據(jù)的寫電流值。
在這種情況下，適當(dāng)寫電流值設(shè)置在振幅峰值以前一點兒處的原因是當(dāng)越過振幅峰值時，輸出電壓處于飽和狀態(tài)(見圖4)。因此，將輸出電壓飽和之前的位置設(shè)為適當(dāng)寫電流值。
通過以上結(jié)構(gòu)，CPU32將預(yù)備數(shù)據(jù)和正常數(shù)據(jù)寫在磁卡的磁條上，以能夠讀取預(yù)備數(shù)據(jù)和正常數(shù)據(jù)及讀取它們的輸出值。
接著，將參考圖2的流程圖和圖3A至3C的磁處理操作描述卡片讀取器30的處理操作。
CPU32啟動適當(dāng)電流值索引程序。設(shè)置最小電流值，并開始磁卡C的傳送(步驟n1)。
CPU32使寫磁頭35將當(dāng)前電流值(數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù))作為預(yù)備數(shù)據(jù)寫在磁卡C的磁條St上，如圖3A所示(步驟n2)。
電流值增加一定的量(步驟n3)。
在增加的電流值小于最大電流值時，處理返回至步驟n2，并重復(fù)寫預(yù)備數(shù)據(jù)，直至增加的電流值達(dá)到最大電流值(步驟n4)。
利用這樣的重復(fù)，寫入預(yù)備數(shù)據(jù)的電流值呈階梯式增加，如圖3B所示。在該圖中，虛線示出的曲線圖代表一種方式，在這種方式中電流增加并且重復(fù)被寫，其中橫坐標(biāo)表示時間t，縱坐標(biāo)表示電流強度mA。
在達(dá)到最大電流值的情況下，讀出磁頭36讀取寫入的預(yù)備數(shù)據(jù)(步驟n5)。
這時，讀出磁頭36從磁條St中讀取預(yù)備數(shù)據(jù)的電壓值，以便能獲得如圖3C中虛線所示的電壓波形數(shù)據(jù)。表示波形數(shù)據(jù)的曲線圖代表從磁條St中輸出的電壓值的改變，其中橫坐標(biāo)表示電流強度mA，而縱坐標(biāo)表示電壓強度mV。
通過讀取預(yù)備數(shù)據(jù)獲得的波形數(shù)據(jù)由A/D轉(zhuǎn)換器38轉(zhuǎn)換成數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，以便檢測振幅峰值(步驟n6)。
將對應(yīng)峰值以前一點兒處的電流值設(shè)置為寫電流值(步驟n7)。
CPU32終止適當(dāng)電流值索引程序，實施將計算(所得)的適當(dāng)電流值作為正常數(shù)據(jù)寫在磁卡C的磁條St上的正常寫入(步驟n8)。
上述操作可以設(shè)置適于具有第一至第五波形數(shù)據(jù)A1至A5所示的不同抗磁力的磁卡C的第一至第五電流值P1至P5，其中第一至第五波形數(shù)據(jù)A1至A5對應(yīng)各種磁卡C，如圖4中曲線所示。即，第一電流值P1(大約215mA)為具有第一波形數(shù)據(jù)A1的磁卡而設(shè)，第二電流值P2(大約89mA)為具有第二波形數(shù)據(jù)A2的磁卡而設(shè)，第三電流值P3(大約72mA)為具有第三波形數(shù)據(jù)A3的磁卡而設(shè)，第四電流值P4(大約18mA)為具有第四波形數(shù)據(jù)A4的磁卡而設(shè)，第五電流值P5(大約17mA)為具有第五波形數(shù)據(jù)A5的磁卡而設(shè)，以便可以以適當(dāng)值實施正常寫入。
在這種情況下，第一至第三波形數(shù)據(jù)A1至A3對應(yīng)當(dāng)輸出電壓高時寫電流值也高的高抗磁力磁卡C。與其相反，第四和第五波形數(shù)據(jù)A4、A5對應(yīng)當(dāng)輸出電壓高時寫電流值小的低抗磁力磁卡C。
然而，當(dāng)超過各個電流值P1至P5時，產(chǎn)生飽和狀態(tài)。由此，為了獲得寫入的安全性(穩(wěn)定性)，當(dāng)出現(xiàn)飽和時，適于寫入的電流值可以設(shè)置在各個電流值上。
對于第一至第三波形數(shù)據(jù)A1至A3示出的高抗磁力磁卡C，為了獲得寫入的安全性(穩(wěn)定性)，可以設(shè)置為比飽和時的電流值更大的電流值(例如，為飽和時電流值的兩倍的電流值)。
在這種方式中，卡片讀取器30可以為高抗磁力磁卡和低抗磁力磁卡中的任何磁卡C搜尋適當(dāng)電流值，以實施正常寫入。
具體地，在磁卡C沿一個方向通過寫磁頭35一次的動作中完成預(yù)備數(shù)據(jù)的寫入。并且，在磁卡C通過讀出磁頭36一次的動作中完成預(yù)備數(shù)據(jù)的讀取。
盡管上述實施例在磁卡C的單次通過動作中實施預(yù)備數(shù)據(jù)的寫入和讀取，但它并不局限于此。例如，在往復(fù)傳送磁卡C的卡片讀取器中，可以這樣設(shè)置在單次通過的動作中實施預(yù)備數(shù)據(jù)的寫入，在沿返回方向磁卡C通過的后續(xù)動作中實施預(yù)備數(shù)據(jù)的讀取。在這種情況下，無需依賴寫磁頭35和讀出磁頭36之間的間隔，就可以將預(yù)備數(shù)據(jù)寫在整個磁條St上。第二實施例圖5示出設(shè)有確定磁卡抗磁力的裝置的卡片讀取器51的橫截面略圖。
卡片讀取器51包括設(shè)在主體52前表面上的卡片插入口53，磁卡C通過所述卡片插入口53插入或返回?？ㄆx取器51內(nèi)部包括卡片傳送路徑54，所述卡片傳送路徑54允許插入的磁卡C向前和向后傳送?？ㄆ瑐魉吐窂?4連接至卡片插入口。
圍繞卡片傳送路徑54排布且從卡片插入口53延伸深入內(nèi)部的是一對上和下向前傳送輥子R1和R2、磁頭55、一對上和下向后傳送輥子R3和R4。此外，第一至第三方向傳感器S1至S3排布在三個位置中。
在傳送輥子R1至R4中垂直相對的傳送輥子的轉(zhuǎn)軸以這樣的方式被連接它們由來自電機的扭矩驅(qū)動。電機未示出在圖5中。在電機旋轉(zhuǎn)時，傳送輥子旋轉(zhuǎn)。
因此，在上與下向前傳送輥子R1、R2之間以及在上與下向后傳送輥子R3、R4之間插入所插入的磁卡C。所插入的磁卡C沿取進(jìn)方向或返回方向傳送。電機以恒定的速度旋轉(zhuǎn)，傳送輥子隨之旋轉(zhuǎn)，從而以恒定的速度傳送磁卡C。
當(dāng)磁卡C傳送得與磁頭55接觸時，磁卡C被磁寫入或磁讀取。一個磁頭55排布在卡片傳送路徑54周圍，以對磁卡C實施磁寫入和磁讀取。此外，第一至第三檢測傳感器S1至S3檢測磁卡C經(jīng)過卡片傳送路徑54的位置。
圖6是卡片讀取器51的控制方框圖。
卡片讀取器51包括CPU61、存儲器62、磁寫入控制單元63、磁讀取控制單元64、磁頭55、電機控制單元65、電機M、旋轉(zhuǎn)編碼器66、卡片位置檢測單元67、第一至第三檢測傳感器S1至S3。
CPU61根據(jù)儲存在存儲器62中的程序控制連接至CPU61的裝置。
存儲器62儲存用來索引諸如適于各個磁卡的不同抗磁力的寫電流值等適當(dāng)電流值所用的程序、數(shù)據(jù)等。
磁寫入控制單元63包括D/A轉(zhuǎn)換器。D/A轉(zhuǎn)換器將從CPU61接收的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成模擬信號。磁寫入控制單元63控制輸出在確定時期對應(yīng)模擬信號的電流值。
磁讀取控制單元64通過讀取磁條的磁道來實施讀取控制。磁讀取控制單元64放大從磁頭55接收的信號。A/D轉(zhuǎn)換器將模擬信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。轉(zhuǎn)換的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)被送至CPU61。
磁頭55在施加電流時產(chǎn)生磁場。所施加的電流呈增加變化，以將磁信息記錄在與磁頭55接觸的磁卡C上。磁卡C傳送至磁頭55，從而順序?qū)懭氪罅啃畔ⅰ?br> 在使磁卡與磁頭接觸的同時，通過傳送已寫入磁信息的磁卡C產(chǎn)生磁場。電壓產(chǎn)生在對應(yīng)磁場變化的磁頭55上。磁頭55檢測磁場的變化，以讀取記錄在磁卡上的信息。
因此，在上述寫入時，通過從磁卡C上的預(yù)先寫入結(jié)果中找出正常寫入所需的適當(dāng)寫電流值來完成正常寫入。首先，在將要實施預(yù)先寫入時，寫電流呈階梯式增加，這時以包括大電流值和低電流值的多個不同電流值實施預(yù)先寫入。多個不同電流值作為預(yù)備數(shù)據(jù)儲存在存儲器62中。當(dāng)從磁卡C中讀取已經(jīng)歷預(yù)先寫入的預(yù)備數(shù)據(jù)時，CPU從預(yù)先寫入結(jié)果中找出適于各個磁卡的各個抗磁力的寫電流的適當(dāng)值。將這樣找出的適當(dāng)值設(shè)置為正常寫入的電流值，電流值作為正常數(shù)據(jù)存儲在存儲器62中。以正常數(shù)據(jù)的電流值實施正常寫入。
電機控制單元65從CPU61接收驅(qū)動信號或中斷信號，以控制電機M，使得電機M以恒定旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)。通過電機M沿向前方向或向后方向的旋轉(zhuǎn)，使磁卡C沿取進(jìn)方向或返回方向在卡片傳送路徑54上傳送。
旋轉(zhuǎn)編碼器66使光電傳感器通過設(shè)在電機M的電機軸上的碟形件中的狹縫檢測脈沖數(shù)量，并計算轉(zhuǎn)數(shù)。
卡片位置檢測單元67獲得來自排布在卡片傳送路徑54周圍的第一至第三檢測傳感器S1至S3的各個檢測信號。磁卡C出現(xiàn)的位置被輸出至CPU61。
根據(jù)存儲在存儲器62中的程序，CPU61以從最小電流值至最大電流值階梯式增長的電流值實施預(yù)備數(shù)據(jù)的寫入處理。這時，電機M沿取進(jìn)方向移動磁卡C，以順序?qū)懭腩A(yù)備數(shù)據(jù)。
當(dāng)預(yù)先寫入結(jié)束時，磁頭55從磁卡C中讀取預(yù)先寫入的磁信息。通過磁讀取控制單元64從磁頭55接收的電壓值作為波形數(shù)據(jù)被接收。波形數(shù)據(jù)的波形峰值被索引，波形峰值向前一點兒處的波形數(shù)據(jù)作為適當(dāng)值將被設(shè)置為適于正常數(shù)據(jù)寫入的寫電流值。
在這種情況下，將振幅峰值之前一點兒處設(shè)為適當(dāng)寫電流值的原因是當(dāng)越過振幅峰值時，輸出電壓處于飽和狀態(tài)(見圖4)。為了防止輸出電壓飽和，將輸出電壓飽和之前的位置設(shè)置為適當(dāng)寫電流值。
接著，將解釋從磁卡抗磁力的確定結(jié)果中找出適當(dāng)寫電流值的情況。
在沿一個方向傳送在卡片傳送路徑54上的磁卡C沿一個方向傳送期間，CPU61通過磁頭55以多個不同的電流值將磁信息寫入磁卡C上。磁信息寫入之后，磁頭55讀取傳送在卡片傳送路徑54上的磁卡C的磁信息?；谧x取電壓和讀取時磁卡C的移動量確定磁卡C的抗磁力。對應(yīng)抗磁力的電流值設(shè)置為適于寫入的電流值。
具體地，在磁卡C沿一個方向傳送的期間，磁頭55以呈階梯式增加的多個不同電流值將磁信息寫入磁卡C上。然后，僅沿一個方向的單次通過就可以寫入預(yù)備數(shù)據(jù)。因此，在寫電流值從一個值變化到另一確定值時，傳送次數(shù)為一次就足夠了。此外，當(dāng)磁卡C沿返回方向傳送時，由磁頭55讀取信息是否被正常寫入，其中根據(jù)寫入時的電流值能確定信息是否被正常寫入。
在檢測磁卡C的寫位置中，從CPU61至電機M的脈沖指令周期和從CPU61至磁頭55的寫指令周期是成比例的。因此，通過從磁卡讀取寫入的數(shù)據(jù)以及計算寫入的數(shù)據(jù)的位數(shù)可以知道對應(yīng)寫入在磁卡上的磁信息的寫位置。因此，通過計算送至電機M的寫指令周期可以檢測磁信息被寫入磁卡C上的位置。
作為檢測磁卡C上寫位置的其他測量方法，計算寫入信息的位數(shù)就足夠了。也可以測量旋轉(zhuǎn)編碼器的轉(zhuǎn)數(shù)，其中所述旋轉(zhuǎn)編碼器輸出電機M的轉(zhuǎn)數(shù)。
此外，也可以使連接至旋轉(zhuǎn)編碼器的輥子與磁卡C接觸以測量其轉(zhuǎn)數(shù)?？梢允褂眠@兩種測量方法的原因是測量值正比于磁卡C的移動量。
同時，當(dāng)從磁卡C讀取磁信息時，通過測量旋轉(zhuǎn)編碼器的旋轉(zhuǎn)量可以檢測讀取位置，其中所述旋轉(zhuǎn)編碼器輸出電機M的旋轉(zhuǎn)量。也可以使旋轉(zhuǎn)編碼器的輥子與磁卡C接觸以測量輥子的旋轉(zhuǎn)。
接著，將參考圖7描述卡片讀取器51的主要處理操作，其中圖7中示出了磁卡C傳送時的位置和流程圖。圖7的左面示出各個處理的順序。右面各個卡片讀取器51的橫截面視圖示出各個處理完成時磁卡C的位置?？拷趴–的箭頭指示方向，其中磁卡C在隨后的處理中移動。
電機控制單元65驅(qū)動電機M，以將插入在卡片讀取器51的卡片插入口53中的磁卡C取進(jìn)來。在磁卡C沿卡片取進(jìn)方向傳送期間，磁頭55讀取記錄在磁卡C的磁條上的磁信息。讀取的磁信息作為預(yù)備數(shù)據(jù)存儲在存儲器62中(步驟n11)。
讀取之后，磁卡C沿返回方向傳送。當(dāng)磁卡與磁頭55接觸時，用于數(shù)據(jù)擦除的電流作用在磁頭55上，以擦除磁卡C上的磁信息。因此，磁卡以預(yù)先寫入的備用狀態(tài)輸入(步驟n12)。
當(dāng)磁卡C上的磁信息擦除時，磁卡C再次沿取進(jìn)的方向向前傳送。在這樣的傳送期間，磁頭55實施預(yù)先寫入。在該預(yù)先寫入中，電流值從低電流值呈階梯式增加至大電流值(見圖8和9)(步驟n13)。
在其中電流值呈階梯式變化的預(yù)先寫入之后，磁卡C沿返回方向傳送，磁頭55讀取預(yù)先寫入在磁卡C上的磁信息。這時，同時計算編碼器的脈沖數(shù)。由此，獲得電機M的轉(zhuǎn)數(shù)。由于電機M的轉(zhuǎn)數(shù)和磁卡C的移動量成比例關(guān)系，因此可以從編碼器脈沖數(shù)中得出磁卡C的移動量。找出該移動量以使預(yù)先寫入的位置與寫入的數(shù)據(jù)彼此對應(yīng)(步驟n14)。
在讀取預(yù)先寫入的信息之后，磁卡向著卡片插入口53返回至原始位置，以為隨后的正常寫入做準(zhǔn)備。CPU61從讀取的磁信息中檢測適當(dāng)?shù)膶戨娏髦?見圖10)(步驟n15)。
CPU61從這樣的檢測結(jié)果中設(shè)置適當(dāng)?shù)膶戨娏髦?步驟n16)。
在設(shè)置了適當(dāng)寫電流值時，CPU61開始進(jìn)行正常的寫入，并沿取進(jìn)方向傳送磁卡C。在傳送磁卡時，磁頭55以適于寫入的寫電流值將磁信息寫入磁卡C。寫入的磁信息是步驟n11讀取的初始數(shù)據(jù)。存儲在存儲器62中的預(yù)定信息可以被寫入磁卡中。從而完成正常寫入(步驟n17)。
當(dāng)結(jié)束這樣的正常寫入時，在其上實施了正常寫入的磁卡C接著沿返回方向被傳送。在沿返回方向傳送期間，磁頭55從磁卡C上讀取磁信息。這時，確定磁信息是否正常地磁寫入磁卡C(步驟n18)。
當(dāng)確定讀取的數(shù)據(jù)對應(yīng)寫入的數(shù)據(jù)時，磁卡C返回至卡片插入口53(步驟n19)。使用者可以從卡片讀取器51的插入口取出磁卡C。從而，完成單個磁卡C在卡片讀取器51中的主要處理操作。
接著，將解釋在上述步驟n13中的預(yù)先寫入實例，其中電流值呈階梯式變化。
存儲器62存儲磁頭55的寫電流值的波形，其中所述波形對應(yīng)移動量而變化。施加在磁頭55上的寫電流值根據(jù)存儲在存儲器62中的寫電流值變化。在這種情況下，對應(yīng)移動量變化的波形是階梯式波形，其代表隨著傳送距離的變化在寫入時電流值的變化狀態(tài)。
在這種情況下，不是一個波形對應(yīng)一個磁條，而是同樣的波形對應(yīng)一個磁條重復(fù)多次。例如，如圖8所示，同樣的波形在縱向形成在磁卡C上的磁條上重復(fù)了三次。根據(jù)該波形，施加在磁頭55上的電流值改變，磁信息寫入磁條。從而，根據(jù)寫入的順序獲得第一至第三波形W1至W3。結(jié)果，由于寫入同樣的波形，因此即使在異常發(fā)生在任一波形中時，也可以通過對三個波形的比較確定所獲得的三個波形W1至W3的適用性。
例如，當(dāng)三個波形中的兩個波形相同，而另一個波形不同于其他兩個波形時，認(rèn)為所述另一個波形為壞的、異常波形。結(jié)果，可以依據(jù)除去異常波形以外的波形確定抗磁力。產(chǎn)生波形異常的原因在于磁條表面上的劃痕或灰塵附著在表面。
也可以由函數(shù)形成不同于所述波形的其他波形，函數(shù)仍然是隨傳送距離的變化在寫入時表示電流的值。代替?zhèn)魉途嚯x，也可以使用傳送時間。
形成寫入中斷部分81，在所述寫入中斷部分81中，在重復(fù)寫入三個波形W1至W3時，在小的持續(xù)時間段不實施寫入，以將波形與在前的寫入分離開。這樣，將寫入中斷部分81插入波形之間。由此，由于寫入中斷部分81可以設(shè)置在各個波形W1至W3的參考位置中，因此重復(fù)寫入的波形W1至W3可以彼此明確的區(qū)分開。
接著，將參考圖9解釋在電流值呈階梯式變化時實施預(yù)先寫入的操作。
為了在磁卡C上實施預(yù)先寫入，CPU61首先驅(qū)動電機M。從而，以一定的速度傳送磁卡(步驟n21)。
傳送期間在寫入波形之前，CPU61通過磁寫入控制單元63使磁頭55的寫電流暫停，以使寫入操作準(zhǔn)備一段時間，在這期間獲得寫入中斷部分81(步驟n22)。
當(dāng)準(zhǔn)備時間結(jié)束時，磁寫入控制單元63首先以最小電流值實施寫入(步驟n23)。
一位信息以最小電流值寫入(步驟n24)。
確定位的預(yù)定信息是否已被寫入(步驟n25)。當(dāng)確定一位的預(yù)定信息還未寫入時，再次寫入一位的信息(步驟n24)。當(dāng)確定一位的預(yù)定信息已寫入時，使用階梯式增加的電流值為寫入設(shè)置后續(xù)的電流值(步驟n26)。并且確定第一波形的寫入是否完成(步驟n27)。當(dāng)?shù)谝徊ㄐ蔚膶懭胛赐瓿蓵r，再次寫入一位的信息(步驟n24)。
寫入操作重復(fù)實施，直到以基于第一波形W1的電流值進(jìn)行的寫入完成(見圖8)，其中在重復(fù)實施寫入操作中，電流值一位一位地增加(步驟n24至步驟n27)。
其后，當(dāng)確定基于第一波形W1的寫入完成時(步驟n27)，處理基于后續(xù)波形形式繼續(xù)進(jìn)行寫入。在這種情況下，在寫入中斷部分81期間進(jìn)行寫入操作的準(zhǔn)備。在經(jīng)過磁卡C被傳送了對應(yīng)寫入中斷部分81的一段距離的時間段后，以步驟n23產(chǎn)生的最小電流值實施寫入。這樣，以基于第二波形W2的電流值一位一位地寫入信息(見圖8)?；诘诙ㄐ蜽2的寫入之后，重復(fù)同樣的程序，其中在所述程序中以基于第三波形W3的電流值一位一位地寫入信息(見圖8)(步驟n28)。
當(dāng)這樣的寫入結(jié)束時，寫電流停止，電機M的旋轉(zhuǎn)和輸出停止，以停止傳送磁卡C，從而結(jié)束預(yù)先寫入(步驟n29)。
這樣，以基于所有波形W1至W3的電流值寫入信息。在磁卡C沿一個方向從卡片傳送路徑54的開始端傳送至終止端的同時，寫入波形W1至W3。
接著，將參考圖10的流程圖解釋檢測正常寫入所需的適當(dāng)寫入電流值的操作。
預(yù)先寫入結(jié)束后移至卡片傳送路徑54的終止端的磁卡C沿返回方向傳送在卡片傳送路徑54上。在這樣傳送的同時，磁卡C與磁頭55接觸，以便基于寫入磁卡C的磁信息，讀取產(chǎn)生在磁頭55上的電壓。最大輸出電壓從讀取的電壓值中尋找(步驟n31)。
當(dāng)獲得最大輸出電壓時，根據(jù)電機信號(編碼器脈沖)計算和找出磁卡C的卡片位置(步驟n32)。
從這樣找出的卡片位置中得出在預(yù)先寫入時已寫入的信息的電流值。該電流值作為在磁卡C上進(jìn)行正常寫入所需的適當(dāng)電流值(步驟n33)。
接著，將解釋以基于小標(biāo)記波形的電流值寫入信息的情況，其中在尋找卡片位置的情況下，所述小標(biāo)記波形作為參考位置。圖11示出存儲在存儲器62中的第一至第三波形W11至W13，其中所述第一至第三波形W11至W13對應(yīng)寫電流的變化。除了三個波形外，高抗磁力的電流值標(biāo)記波形111和低抗磁力的電流值標(biāo)記波形112也儲存在存儲器62中。
這些標(biāo)記波形111、112僅在很短的傳送時間段內(nèi)將磁頭55的寫電流保持在標(biāo)記波形大小(圖中由條形圖表示)，在所述時間段中形成小的標(biāo)記波形。
因此，在寫入各個波形W11至W13之前，以基于與波形W11、W112不同的標(biāo)記波形111、112的電流寫入信息。這些標(biāo)記波形111、112的提供使所有的三個波形W11至W13能夠彼此區(qū)分開。由于波形設(shè)在用于定位波形的參考位置中，因此在將要找出磁卡C的傳送位置時，可以找出這些標(biāo)記波形111、112。
在實施寫入這些波形111、112的預(yù)先寫入的情況下，實施與圖7中流程圖所述的磁卡C的處理操作相同的處理。在圖7所示步驟n14中磁頭55讀取寫入磁卡C上的磁信息的情況下，通過讀取各個標(biāo)記波形111、112可以確定各個波形W11至W13的位置。
接著，將參考圖12解釋寫入處理的操作，在所述寫入處理操作中，波形W11至W13和標(biāo)記波形111、112被寫入。
為了在磁卡C上實施預(yù)先寫入，CPU61首先驅(qū)動電機M。從而以恒定的旋轉(zhuǎn)速度傳送磁卡(步驟n41)。
這時，當(dāng)已沿卡片傳送路徑54傳送的磁卡C與磁頭55接觸時，在基于各個波形W11至W13的寫入之前，CPU61通過磁寫入控制單元63暫時停止磁頭55的寫電流(步驟n42)。
其后，當(dāng)磁卡C到達(dá)標(biāo)記波形的寫入位置時，基于標(biāo)記波形111且以對應(yīng)高抗磁力的電流值的寫入首先開始。當(dāng)寫入實施一段基于標(biāo)記波形111的移動量時，以對應(yīng)高抗磁力的電流值寫入標(biāo)記波形111的操作結(jié)束(步驟n43)。
接著，在一段移動量期間停止寫電流，所述的一段移動量指示出與低抗磁力的電流值下的標(biāo)記波形112的區(qū)別(步驟n44)。
其后，當(dāng)磁卡C到達(dá)以低抗磁力的電流值寫入標(biāo)記波形112的位置時，開始以低抗磁力的電流值寫入標(biāo)記波形112(步驟n45)。
當(dāng)寫入實施一段基于標(biāo)記波形112的移動量時，終止以低抗磁力的電流值寫入標(biāo)記波形112。這樣，以各個標(biāo)記波形111、112的電流值寫入信息(步驟n46)。
在寫電流停止時，預(yù)定的時間段結(jié)束。其后，當(dāng)設(shè)置最小電流值時，程序開始以基于第一波形W11的電流值進(jìn)行信息寫入，其中電流值呈階梯式增加(步驟n47)。
在設(shè)置的最小電流值下，信息以一位寫入(步驟n48)。
確定具有預(yù)定位的信息是否已寫入(步驟n49)。當(dāng)確定具有預(yù)定位的信息還未寫入時，再次寫入一位的信息(步驟n48)。當(dāng)確定具有預(yù)定位的信息已寫入時，利用呈階梯式增加的電流值為寫入設(shè)置后續(xù)的電流值(步驟n50)。確定第一波形的寫入是否已完成(步驟n51)。當(dāng)?shù)谝徊ㄐ蔚膶懭脒€未完成時，再次寫入一位的信息(步驟n48)。
呈階梯式重復(fù)實施預(yù)先寫入操作，直至獲得第一波形W11(見圖11)，其中在預(yù)先寫入操作中，電流值的每一位根據(jù)波形而增加(步驟n5 1)。
其后，當(dāng)確定基于第一波形W11的寫入已完成時(步驟n51)，程序開始進(jìn)行基于后續(xù)波形的寫入。在這種情況下，在步驟n42至步驟n46中基于標(biāo)記波形111，112的寫入初步實施。其后，程序再次開始進(jìn)行對第二波形W12(見圖11)的處理(步驟n47至步驟n52)，以基于第二波形W12寫入信息。在基于第二波形W12寫入信息之后，重復(fù)同樣的處理，以基于第三波形W13(見圖11)寫入信息(步驟n42至步驟n52)。
當(dāng)這樣的寫入結(jié)束時，寫電流停止，電機M的旋轉(zhuǎn)也停止，以停止磁卡C的傳送，這樣結(jié)束了預(yù)先寫入(步驟n53)。
這樣，基于所有的波形111、112和W11至W13的電流值加至磁頭55，以寫信息。當(dāng)磁卡C沿一個方向從插入口附近的卡片傳送路徑54的起始端傳送至終止端時，基于所有三個波形W11至W13寫信息。
接著，將參考圖13所示的流程圖解釋在預(yù)先寫入結(jié)果的基礎(chǔ)上檢測適當(dāng)寫電流值的操作。
為了確定已被預(yù)先寫入的數(shù)據(jù)的適用性，沿返回方向傳送預(yù)先寫入已完成的磁卡C。在這樣的傳送期間，磁卡C與磁頭55接觸，以便基于寫入磁卡C的磁信息讀取產(chǎn)生的電壓。根據(jù)讀取時的電壓值可以從寫在磁卡C上的標(biāo)記波形111、112中檢測磁卡C的參考位置(步驟n61)。
CPU61從讀取的電壓值中尋找最大輸出的電壓值(步驟n62)。
計算從檢測到的參考位置至獲得最大輸出電壓的位置之間的距離(步驟n63)。
在對應(yīng)磁信息且已找出的卡片位置中找出在預(yù)先寫入時已被寫入的信息的電流值。找出正常寫入磁卡C所需的適當(dāng)電流值(步驟n64)。
在這種情況下，由于標(biāo)記波形111、112作為定位各個波形W11至W13的參考，因此可以正確地找到磁卡C中記錄磁信息的位置。
圖14示出高抗磁力磁卡的寫電流值的實例及讀取高抗磁力磁卡的結(jié)果。在圖中，以放大的比例示出三個波形中的一個波形。
示出在圖上部的波形數(shù)據(jù)示出電流值的波形141，其中當(dāng)CPU61根據(jù)儲存在存儲器62中的程序使磁頭55實施寫入時，施加所述電流值的波形141，并且所述電流值的波形141相對傳送距離變化，寫電流(mA)與傳送距離(mm)之間的關(guān)系表示在波形圖中。圖下部示出的波形數(shù)據(jù)示出用磁頭55讀取時獲得的電壓值的波形142，電壓值相對傳送距離變化，輸出電壓(mV)與傳送距離(mm)之間的關(guān)系表示在波形圖中。
從這些波形141、142中找出高抗磁力磁卡的適當(dāng)寫電流值，其中所述波形141、142對應(yīng)傳送距離變化。首先，使寫電流值隨時間從最小電流值變化至最大電流值，在預(yù)先寫入時施加且對應(yīng)傳送距離變化的電流值的波形141儲存在存儲器62中。
其后，檢測由磁頭55讀取且相對于傳送距離變化的電壓波形142的最大電壓值。接著，找出對應(yīng)檢測到的最大電壓值的波形峰值位置143。寫電流值144作為高抗磁力磁卡的適當(dāng)寫電流值，其中所述寫電流值144在波形峰值位置143與波形141的卡片寫位置的相交點上，而儲存在存儲器62中的所述波形141對應(yīng)上部傳送距離而變化。
圖15示出低抗磁力磁卡的寫電流值的實例及讀取低抗磁力磁卡的結(jié)果。在圖中，以放大的比例示出三個波形中的一個波形。
在這種情況下，示出在圖上部的波形數(shù)據(jù)示出電流值的波形151，其中當(dāng)CPU61根據(jù)儲存在存儲器62中的程序使磁頭55實施寫入時，施加所述電流值的波形151，并且所述電流值的波形151相對傳送距離隨時間變化，寫電流(mA)與傳送距離(mm)之間的關(guān)系表示在波形圖中。圖下部示出的波形數(shù)據(jù)示出用磁頭55讀取時獲得的電壓值的波形152，電壓值相對傳送距離變化，輸出電壓(mV)與傳送距離(mm)之間的關(guān)系表示在波形圖中。
從這些波形151、152中找出低抗磁力磁卡的適當(dāng)寫電流值，其中所述波形151、152對應(yīng)傳送距離變化。首先，使寫電流值隨時間從最小電流值變化至最大電流值，在預(yù)先寫入時施加且對應(yīng)傳送距離變化的電流值的波形151儲存在存儲器62中。
其后，檢測由磁頭55讀取且相對于傳送距離變化的電壓波形152的最大電壓值。接著，找出對應(yīng)檢測到的最大電壓值的波形峰值位置153。寫電流值154作為低抗磁力磁卡的適當(dāng)寫電流值，其中所述寫電流值154在波形峰值位置153與波形151的卡片寫位置的相交處，而存儲在存儲器62中的波形151對應(yīng)上部傳送距離而變化。
由此，在高抗磁力磁卡的情況中以及在低抗磁力磁卡的情況中，可以找出適于相關(guān)磁卡所擁有的抗磁力的寫電流值。因此，可以實施適于每個磁卡所擁有的抗磁力的寫入。具體地，在高抗磁力磁卡的情況中，在很多情況中卡片的抗磁力不相同。對于具有不同抗磁力的高抗磁力磁卡，可以找到適于每個磁卡的寫電流值。
此外，如圖16和17所示，由于寫入開始位置162、172逐漸上升，因此示出在圖下部中且對應(yīng)傳送距離而變化的電壓波形161、171是不確定的且很難獲得。相反地，波形161、171的寫入終止位置163、173具有高電壓值，并且清楚、容易獲得。
因此，寫入終止位置163、173作為波形的參考位置，其中寫電流值清楚地表示在讀取區(qū)域164、174的末端，而在所述讀取區(qū)域164、174中，通過磁頭55讀取從寫入開始位置162、172延伸至寫入終止位置的波形中的每個波形。基于參考位置，CPU61可以確定通過磁頭55讀取時磁卡C的移動量。
這樣，即使在寫入的波形沒有任何模糊的寫入開始位置或標(biāo)記波形的情況下，波形161、171本身也可以具有寫入?yún)⒖嘉恢谩?br> 圖18示出在另一個實施例中相對傳送距離變化的波形的實例，其中波形本身具有參考位置。間歇波形181的波形結(jié)構(gòu)對應(yīng)傳送距離變化。在間歇波形181中，磁頭55在電流值呈階梯式增長的同時實施寫入，寫電流輸出以及以短的間隔停止，這樣的輸出和停止交替產(chǎn)生并被重復(fù)。
在這樣的寫入中，在間歇波形181的基礎(chǔ)上，電流以短的間隔施加在磁頭55上，以便寫入信息。間歇寫入中斷部分182形成在不斷升高的間歇波形181之后，并且基于間歇波形181將電流施加在磁頭55上，以便寫入信息。因此，間歇寫入中斷部分182作為波形自身的參考位置。具體地，由于在間歇波形181和間歇寫入中斷部分182的基礎(chǔ)上，以短的傳送時間間隔施加電流，因此即使間歇波形181部分丟失，也可以將它們區(qū)分開來。
圖19示出在另一個實施例中相對傳送距離變化的波形的實例，其中波形本身具有參考位置。不規(guī)則階梯式波形191的波形結(jié)構(gòu)相對傳送距離變化。寫入不規(guī)則階梯式波形191，這樣在磁頭55在階梯式增加電流值的同時實施寫入時，持續(xù)時間段T1至T6以這樣的方式變化隨著寫入電流一次一次階梯式增加，持續(xù)時間段T1至T6逐漸延長。
在這樣的寫入中，由于每個階梯式增加的寫入電流值的持續(xù)時間段不同，因此用不同的持續(xù)時間段階梯式寫入的被寫入波形本身各不相同。每個不同的、不規(guī)則的階梯式波形191作為參考位置。即使在以這樣的方式輸出時，波形本身也可以具有參考位置。
此外，盡管將圖14至17所示的波形以與圖8至11所示的波形相同的方式表示為階梯式波形，但通過直線和曲線清楚地表示它們，因為這樣的表示容易變得不清楚。
本發(fā)明不局限于以上實施例的結(jié)構(gòu)，而是可以獲得很多實施例。例如，在上述實施例中，磁處理的實施為將磁卡C移至固定磁頭35、36、55的位置處，本發(fā)明不局限于此，而是磁處理的實施為寫磁頭、讀出磁頭或具有寫入和讀取兩種功能的單個磁頭移動經(jīng)過固定磁卡的位置。
權(quán)利要求
1.一種磁記錄方法，其特征在于，在磁記錄介質(zhì)相對寫磁頭和讀出磁頭沿一個方向移動期間，寫磁頭以多個不同的電流值對磁記錄介質(zhì)實施預(yù)先寫入，所述讀出磁頭讀取預(yù)先寫入的信息，基于讀取的結(jié)果找出所述磁記錄介質(zhì)的寫電流的適當(dāng)值，并且所述寫磁頭以這樣找出的適當(dāng)值對所述磁記錄介質(zhì)實施正常寫入。
2.一種磁記錄裝置，包括用來將信息寫入磁記錄介質(zhì)的寫磁頭，用來從所述磁記錄介質(zhì)上讀取磁信息的讀出磁頭，及控制所述磁頭的控制裝置，所述控制裝置包括預(yù)先寫入處理，在所述預(yù)先寫入處理中，所述磁記錄介質(zhì)相對所述寫磁頭和所述讀出磁頭沿一個方向移動期間，所述寫磁頭以多個不同的電流值對所述磁記錄介質(zhì)實施預(yù)先寫入，預(yù)先寫入讀取處理，在所述預(yù)先寫入讀取處理中，所述讀出磁頭讀取預(yù)先寫入的結(jié)果，適當(dāng)值獲取處理，在所述適當(dāng)值獲取處理中，基于所述預(yù)先寫入的結(jié)果獲得所述磁記錄介質(zhì)的寫電流的適當(dāng)值，及正常寫入處理，在所述正常寫入處理中，所述寫磁頭基于所述適當(dāng)值對所述磁記錄介質(zhì)實施正常寫入。
3.一種設(shè)備，用來確定磁記錄介質(zhì)的抗磁力，所述設(shè)備包括用來傳送所述磁記錄介質(zhì)的傳送裝置，用來檢測所述磁記錄介質(zhì)的移動量的移動量檢測裝置，寫磁頭，在所述傳送裝置沿一個方向傳送所述磁記錄介質(zhì)時，所述寫磁頭以多個不同的電流值將磁信息寫入所述磁記錄介質(zhì)，讀出磁頭，在所述寫磁頭將磁信息寫入所述磁記錄介質(zhì)之后，所述讀出磁頭讀取所述傳送裝置傳送的所述磁記錄介質(zhì)上的磁信息，及確定裝置，所述確定裝置基于所述讀出磁頭讀取的電壓和讀取時所述磁記錄介質(zhì)的移動量確定所述磁記錄介質(zhì)的抗磁力。
4.一種設(shè)備，用來確定磁記錄介質(zhì)的抗磁力，所述設(shè)備包括用來傳送所述磁記錄介質(zhì)的傳送裝置，用來檢測所述磁記錄介質(zhì)的移動量的移動量檢測裝置，寫磁頭，用來將磁信息寫入所述傳送裝置傳送的所述磁記錄介質(zhì)中，寫電流波形存儲裝置，用來存儲所述寫磁頭的相對移動量而變化的寫電流值波形，寫電流改變裝置，用來根據(jù)存儲在所述寫電流波形存儲裝置中的寫電流值來改變所述寫磁頭的寫電流，讀出磁頭，在所述寫磁頭將磁信息寫入所述磁記錄介質(zhì)之后，所述讀出磁頭讀取所述傳送裝置傳送的所述磁記錄介質(zhì)上的磁信息，及確定裝置，所述確定裝置基于所述讀出磁頭讀取的電壓、讀取時所述磁記錄介質(zhì)的移動量及存儲在所述寫電流波形存儲裝置中的寫電流值的時間變化確定所述磁記錄介質(zhì)的抗磁力，其特征在于，所述寫電流改變裝置重復(fù)改變同樣的波形多次。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用來確定磁記錄介質(zhì)的抗磁力的設(shè)備，其特征在于，在重復(fù)相同波形期間，所述寫磁頭在分隔多個相同波形的時間間隔內(nèi)不實施寫入。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用來確定磁記錄介質(zhì)的抗磁力的設(shè)備，其特征在于，在重復(fù)相同波形期間，所述寫電流改變裝置將所述寫磁頭的寫電流保持在構(gòu)成參考位置的另一波形大小上一段持續(xù)時間段，其中在所述持續(xù)時間段期間形成構(gòu)成所述參考位置的波形。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用來確定磁記錄介質(zhì)的抗磁力的設(shè)備，其特征在于，所述寫電流改變裝置使所述寫磁頭的寫電流的輸出與停止交替并且以預(yù)定的間隔重復(fù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用來確定磁記錄介質(zhì)的抗磁力的設(shè)備，其特征在于，所述寫電流改變裝置呈階梯式增加寫電流，這樣所述寫電流每增加一次，保持所述寫電流的持續(xù)時間段改變。
9.一種設(shè)備，用來確定磁記錄介質(zhì)的抗磁力，所述設(shè)備包括用來傳送所述磁記錄介質(zhì)的傳送裝置，用來檢測所述磁記錄介質(zhì)的移動量的移動量檢測裝置，寫磁頭，用來將磁信息寫入所述傳送裝置傳送的所述磁記錄介質(zhì)中，寫電流波形存儲裝置，用來存儲寫磁頭的相對移動量而變化的寫電流值波形，寫電流改變裝置，用來根據(jù)存儲在所述寫電流波形存儲裝置中的寫電流值來改變所述寫磁頭的寫電流，讀出磁頭，在所述寫磁頭將磁信息寫入所述磁記錄介質(zhì)之后，所述讀出磁頭讀取所述傳送裝置傳送的所述磁記錄介質(zhì)上的磁信息，及確定裝置，所述確定裝置基于所述讀出磁頭讀取的電壓、讀取時所述磁記錄介質(zhì)的移動量及存儲在所述寫電流波形存儲裝置中的寫電流值的時間變化確定所述磁記錄介質(zhì)的抗磁力，其特征在于，所述確定裝置基于這樣的位置確定由所述讀出磁頭讀取時的所述磁記錄介質(zhì)的移動量該位置是，在所述磁記錄介質(zhì)的由所述讀出磁頭讀取波形的區(qū)域的兩端中的讀取電壓大的位置。
10.一種設(shè)備，用來確定磁記錄介質(zhì)的抗磁力，所述設(shè)備包括寫磁頭，用來將信息寫入所述磁記錄介質(zhì)，讀出磁頭，用來讀取所述磁記錄介質(zhì)的磁信息，用來傳送所述寫磁頭和所述讀出磁頭的傳送裝置，用來檢測所述寫磁頭和所述讀出磁頭的移動量的移動量檢測裝置，寫電流改變裝置，在所述傳送裝置沿一個方向傳送所述寫磁頭時，所述寫電流改變裝置用來改變所述寫磁頭的寫電流，讀取控制裝置，在所述寫磁頭將磁信息寫入所述磁記錄介質(zhì)上之后，所述讀取控制裝置使所述傳送裝置傳送所述讀出磁頭，并且讀取所述磁記錄介質(zhì)上的磁信息，及確定裝置，所述確定裝置基于所述讀取控制裝置使用所述讀出磁頭讀取的值和讀取時所述讀出磁頭的移動量確定所述磁記錄介質(zhì)的抗磁力。
11.一種設(shè)備，用來確定磁記錄介質(zhì)的抗磁力，所述設(shè)備包括用來相對寫磁頭和讀出磁頭傳送所述磁記錄介質(zhì)的傳送裝置，用來檢測所述傳送裝置產(chǎn)生的移動量的移動量檢測裝置，寫電流改變裝置，在所述傳送裝置相對所述寫磁頭沿一個方向移動所述磁記錄介質(zhì)時，所述寫電流改變裝置用來改變所述磁頭的寫電流，及確定裝置，在所述寫磁頭將磁信息寫入所述磁記錄介質(zhì)上之后，所述確定裝置使所述讀出磁頭讀取所述磁記錄介質(zhì)的磁信息，其中所述磁記錄介質(zhì)相對所述寫磁頭移動，所述確定裝置還基于所述讀出磁頭讀取的電壓和讀取時的移動量確定所述磁記錄介質(zhì)的抗磁力。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的用來確定磁記錄介質(zhì)的抗磁力的設(shè)備，其特征在于，所述讀出磁頭預(yù)先讀取所述磁記錄介質(zhì)的磁信息，并且所述讀出磁頭包括用來存儲預(yù)先讀取的所述磁記錄介質(zhì)的磁信息的磁信息存儲裝置，及所述確定裝置進(jìn)行確定之后，所述寫磁頭以對應(yīng)所述確定裝置確定的抗磁力的電流將存儲在所述磁信息存儲裝置中的磁信息寫入所述磁記錄介質(zhì)。
13.一種設(shè)備，用來確定磁記錄介質(zhì)的抗磁力，所述設(shè)備包括用來相對寫磁頭和讀出磁頭傳送所述磁記錄介質(zhì)的傳送裝置，用來檢測所述傳送裝置產(chǎn)生的移動量的移動量檢測裝置，寫電流改變裝置，在所述傳送裝置相對所述寫磁頭沿一個方向移動所述磁記錄介質(zhì)時，所述寫電流改變裝置用來改變所述磁頭的寫電流，寫位置檢測裝置，用來檢測所述寫磁頭對所述磁記錄介質(zhì)實施寫入的位置，及確定裝置，在所述寫磁頭將磁信息寫入所述磁記錄介質(zhì)上之后，所述確定裝置使所述讀出磁頭讀取所述磁記錄介質(zhì)的磁信息，其中所述磁記錄介質(zhì)相對所述讀出磁頭移動，所述確定裝置基于所述讀出磁頭讀取的電壓、讀取時的移動量和實施寫入的位置確定所述磁記錄介質(zhì)的抗磁力。
全文摘要
本申請公開了一種用來為磁記錄介質(zhì)確定適當(dāng)寫電流和以所確定的適當(dāng)寫電流將磁信息寫入磁記錄介質(zhì)的方法和裝置。根據(jù)本發(fā)明，當(dāng)找出適于對磁記錄介質(zhì)實施寫入的電流值時，從電壓和磁記錄介質(zhì)的移動量中找出磁記錄介質(zhì)的抗磁力，其中以所述電壓讀取寫在磁記錄介質(zhì)上的磁信息，并且找出對應(yīng)抗磁力的電流值。
文檔編號G11B5/00GK1482597SQ0315430
公開日2004年3月17日 申請日期2003年8月14日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月28日
發(fā)明者守屋誠司, 芳井昌浩, 忠政明博, 堀之內(nèi)健司, 瀨崎學(xué), 健司, 博, 浩 申請人:歐姆龍株式會社