專利名稱：激光模塊和使用它的光頭、光學(xué)信息記錄再現(xiàn)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用激光記錄和讀出在光盤、磁光盤等光記錄媒體上記錄的信息時(shí)的光學(xué)信息處理用激光模塊，尤其涉及DVD和CD的組合等使用多個(gè)波長(zhǎng)的激光模塊以及使用該模塊的光頭和光學(xué)信息記錄再現(xiàn)裝置。
背景技術(shù)：
使用780nm波長(zhǎng)的激光的CD(光盤)驅(qū)動(dòng)器中，要求提高便攜CD播放器的攜帶方便性、內(nèi)置CD-ROM的個(gè)人計(jì)算機(jī)等裝置的小型化薄型化，同時(shí)，對(duì)于作為其主要部件的光頭，需要減少部件數(shù)目和簡(jiǎn)化光學(xué)調(diào)整。因此，對(duì)應(yīng)部件數(shù)目減少和光學(xué)調(diào)整的簡(jiǎn)化，出現(xiàn)例如特開平10-150244所示的在組裝激光的反射面(以后稱為微鏡面)和受光元件的硅基板上裝載半導(dǎo)體激光器的激光模塊。
另一方面，近年來，具有CD的7倍記錄密度的使用650nm波長(zhǎng)的激光的DVD(數(shù)字多能盤)因使用原來的CD也使用的2波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)驅(qū)動(dòng)器而開始迅速普及。該驅(qū)動(dòng)器使用的光頭包含DVD用激光模塊、準(zhǔn)直透鏡、物鏡以及CD用的激光模塊、準(zhǔn)直透鏡、物鏡而使得光頭自身大型化。
而且，近年來，在光盤上可記錄的DVD-RAM(可重寫DVD盤)在市場(chǎng)上出現(xiàn)了，相對(duì)于原來的再現(xiàn)專用CD和DVD，使用具有大約10倍的功率的半導(dǎo)體激光器。因此，為放置半導(dǎo)體激光器自身過熱而要有放熱特性，但出現(xiàn)保持半導(dǎo)體激光器的壽命的重要課題，當(dāng)前半導(dǎo)體激光芯片和受光元件作為獨(dú)立部件構(gòu)成，半導(dǎo)體激光芯片正下方的分裝(sub mount)要使用AlN(氮化鋁)(導(dǎo)熱率是150W/m℃)、SiC(碳化硅)(導(dǎo)熱率是260W/m℃)等傳輸放熱性優(yōu)良的材料。這樣的部件數(shù)目的增加使光頭更大型化，同時(shí)增多了光學(xué)調(diào)整的場(chǎng)所，使得制造原價(jià)大幅度上升。
這樣，光盤驅(qū)動(dòng)器中與CD/DVD二者對(duì)應(yīng)追加DVD-RAM的記錄功能的多功能化與裝置的小型化薄型化的要求情況相反。并且，400nm波長(zhǎng)的蘭色激光器的開發(fā)也很活躍，不久的將來期待其實(shí)用化。因此，今后，需要考慮對(duì)具有與CD、DVD的互換性，同時(shí)也可對(duì)應(yīng)于蘭色激光器的3波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)的光盤驅(qū)動(dòng)器的需求。但是這樣的多功能化也增多光頭的部件數(shù)，不只難以把裝置小型化，而且出現(xiàn)光學(xué)調(diào)整復(fù)雜、大幅度提高成本的問題。
因此，今后，為使裝置的多功能化和小型化薄型化兩全，需要實(shí)用例如特開平10-21577所示的在具有受光元件和一段下陷的凹部部分(以后稱為下陷部)的硅基板上貼付2個(gè)半導(dǎo)體激光芯片、設(shè)置微鏡面的激光模塊。即，在CD和DVD的情況下，使用具有與它們分別對(duì)應(yīng)的激光光源和受光元件的激光模塊、光源切換部件、對(duì)應(yīng)于二者的波長(zhǎng)的物鏡和偏振衍射柵，選擇與CD或DVD盤對(duì)應(yīng)的激光將從激光光源到盤的光路視為與單波長(zhǎng)的激光模塊的情況相同。但是，為把多個(gè)激光芯片堆疊在具有微鏡面和受光元件以及放大器的硅基板上，有下面的問題。
圖9表示單波長(zhǎng)的激光模塊的結(jié)構(gòu)圖。光頭的結(jié)構(gòu)圖如圖10所示。
從半導(dǎo)體激光芯片1射出的激光由微鏡面5反射，通過物鏡6會(huì)聚在光盤7上。此時(shí)，為確保光盤7的光量，需要使激光芯片1和物鏡6的光軸相符，為使半導(dǎo)體激光芯片1小至0.3×0.7×0.1mm左右，芯片自身的位置控制變困難，根據(jù)貼附時(shí)產(chǎn)生微小的位置偏離這種制造技術(shù)將與芯片貼附時(shí)的微鏡面相對(duì)的激光的左右的角度精度設(shè)為±2°就可以了。并且，該角度誤差通過在將激光模塊9組裝到光頭時(shí)進(jìn)行與偏振衍射柵8、物鏡6、光頭7的位置配合調(diào)整來消除。但是，并排安裝2個(gè)激光芯片時(shí)的角度精度因?yàn)楦鱾€(gè)芯片各有±2°，使得整體的角度精度變?yōu)椤?°，得不到激光器與光盤之間的光路精度。
另一方面，為將對(duì)應(yīng)于CD和DVD的受光元件的放大器形成在與原來的單波長(zhǎng)相同的硅基板面積上，需要使用更細(xì)微進(jìn)行的LSI設(shè)計(jì)規(guī)則，但該過程進(jìn)展在微鏡面形成中出現(xiàn)下面所示的問題。即，微鏡面基于在氫氧化鈣水溶液進(jìn)行濕蝕刻中，與硅基板(100)面相對(duì)的(111)面的蝕刻速度大致慢2個(gè)數(shù)量級(jí)(位)的現(xiàn)象形成。此時(shí)，(111)傾斜面所成角度為54.7°，但通過蝕刻以硅基板的(011)方向?yàn)檩S從(100)面偏開θ角度的晶面(以后將角度θ稱為偏離角θ)，傾斜面變化為(54.7-θ)°，得到期望的角度。即，在激光相對(duì)模塊垂直向上過程中，偏離角為9.7°。但是，LSI的微細(xì)加工的進(jìn)展非常需要基于形成的過程控制，確保這樣大的偏離角度變得困難。因此，沿著物鏡光軸射出激光中，考慮微鏡面的角度的同時(shí)，還迫切需要裝載模塊的外殼結(jié)構(gòu)。
而且，DVD-RAM用激光器中，為了記錄，需要200mA左右的大電流。針對(duì)此，原來的激光模塊中，激光芯片的下部電極經(jīng)與成為微鏡面的傾斜面成直角方向的傾斜面在硅基板上布線，但該傾斜面具有接近垂直的角度，傾斜面處的布線膜厚度減薄，并且布線部的晶界增多，流過大電流時(shí)，引起晶界破壞，恐怕有到斷路處的遷移。
為防止DVD-RAM用激光器的發(fā)熱造成的短壽命，硅基板的下陷部上裝載激光器時(shí)，迫切要求在放熱性上下一些工夫。
發(fā)明的內(nèi)容本發(fā)明中，使用一種具有半導(dǎo)體激光芯片和包含受光元件和反射面的硅基板的激光模塊，其特征在于在下陷部的傾斜面上設(shè)置臺(tái)階，作為微鏡面和半導(dǎo)體激光芯片的位置確定用突接基準(zhǔn)。該模塊可適用于具有波長(zhǎng)不同的多個(gè)激光芯片的情況下，在微鏡面間實(shí)現(xiàn)高精度的射出角度，從激光模塊射出的激光通過物鏡會(huì)聚到光盤上，通過將其反射光通過偏振衍射柵導(dǎo)向所述模塊內(nèi)的受光元件，用與1激光模塊相等的部件數(shù)目實(shí)現(xiàn)光頭的小型化。
作為與以(011)方向?yàn)檩S在(100)面設(shè)置偏離角θ的硅基板的對(duì)應(yīng)，激光芯片和硅基板的安裝面以及微鏡面所成角度α為180°-(54.7-θ)°＝(125.3+θ)°，因此該微鏡面反射的光從垂直方向偏離2×{(180-α)°-45°}＝19.4-2θ)°。因此為通過物鏡會(huì)聚到光盤，將其反射光通過偏振衍射柵導(dǎo)向模塊內(nèi)的受光元件，其特征在于在激光模塊外殼的光頭安裝部或所述外殼內(nèi)的硅基板安裝部進(jìn)行該偏離部分的角度配合。
并且，在DVD-RAM或CD-R(可記錄CD盤)這樣的需要大電流的激光模塊中，為防止遷移產(chǎn)生，其特征在于在構(gòu)成下陷部側(cè)壁的傾斜面上設(shè)置臺(tái)階，在從激光芯片的下部電極的下陷部底部到硅基板的布線中，設(shè)置與激光芯片的縱向成角度的傾斜面來作成平緩斜面，經(jīng)過該平緩斜面。
而且，對(duì)于RAM的放熱，其特征在于激光芯片和硅基板的黏合使用導(dǎo)熱率優(yōu)良的AuSn，并且作為位于硅基板下部的外殼材料，改變?cè)瓉淼腒oval(科瓦爾鋁合金)、Al2O3(氧化鋁)(導(dǎo)熱率為17W/m℃)，而使用導(dǎo)熱率優(yōu)良的Fe(導(dǎo)熱率為75W/m℃)或SiN(導(dǎo)熱率為150W/m℃)等，或者作為散熱片材料，使用CuW(導(dǎo)熱率為210W/m℃)等導(dǎo)熱率優(yōu)良的材料。
附圖的簡(jiǎn)要說明圖1(A)是表示本發(fā)明的一實(shí)施例的激光模塊的斜視圖；圖1(B)是表示表示本發(fā)明的一實(shí)施例的激光模塊的下陷部放大圖；
圖1(C)是表示本發(fā)明的一實(shí)施例的激光模塊的剖面圖；圖2是表示本發(fā)明的2激光模塊的一實(shí)施例的平面圖；圖3是裝載本發(fā)明的2激光模塊的光頭裝置的簡(jiǎn)要結(jié)構(gòu)圖；圖4是原來的2激光模塊裝載光頭裝置的簡(jiǎn)要結(jié)構(gòu)圖；圖5是表示本發(fā)明的激光模塊的硅基板的一實(shí)施例的平面圖；圖6是表示本發(fā)明的2激光模塊的一實(shí)施例的平面圖；圖7是表示包含本發(fā)明的2激光模塊的外殼的一實(shí)施例的平面圖和剖面圖；圖8(A)是表示2激光模塊的最初的芯片貼合方法的平面圖；圖8(B)是表示2激光模塊的后來的芯片貼合方法的平面圖；圖9是原來的激光模塊的斜視圖；圖10是簡(jiǎn)略表示原來的光頭的結(jié)構(gòu)圖。
實(shí)施本發(fā)明的最佳實(shí)施例下面使用


本發(fā)明的實(shí)施例。
本發(fā)明的第一實(shí)施例如圖1的(A)、(B)、(C)所示。與原來的例子不同的是將硅基板的傾斜部分成2段，向內(nèi)的傾斜面作為微鏡面10、前方的傾斜面作為激光芯片的位置確定基準(zhǔn)面11。2個(gè)傾斜面之間的間隔通過微鏡面的NA設(shè)計(jì)求出，這里，為60μm。該尺寸由掩模精度確定，實(shí)現(xiàn)亞微米的精度。微鏡面10的寬度需要設(shè)定在不受激光的擴(kuò)束角和微鏡面角部附近的鏡面的畸變影響的范圍內(nèi)，這里，設(shè)定為100μm。該結(jié)構(gòu)的下陷部中，如沿著圖1(C)的d-d’剖面圖所示，通過在位置確定基準(zhǔn)面11上突出對(duì)接激光芯片初射面12的下端，實(shí)現(xiàn)角度精度±1°。而且，該方法不需要圖像處理等的復(fù)雜測(cè)定系統(tǒng)、位置調(diào)整用的復(fù)雜結(jié)構(gòu)部，可僅在位置確定基準(zhǔn)面上對(duì)押芯片來確定位置，可短時(shí)間生產(chǎn)。如圖1(C)的e-e’剖面圖所示，激光由微鏡面10反射照射到模塊外。
安裝2個(gè)激光芯片的實(shí)施例如圖2所示。圖2表示將2個(gè)激光芯片貼附在包含受光元件的硅基板的下陷臺(tái)(凹部部分)上的地方從上面看去的平面圖。2個(gè)激光芯片分別是CD用780nm波長(zhǎng)激光芯片13a和DVD-RAM用650nm波長(zhǎng)激光芯片13b，隔開約50μm間隔并排貼附在下陷臺(tái)14上。微鏡面10和芯片位置確定基準(zhǔn)面11的間隔為60μm，為蝕刻加工，二者間的間隔保持亞微米的精度。因此通過將2個(gè)激光芯片13a，13b突出對(duì)接在位置確定基準(zhǔn)面11上，實(shí)現(xiàn)各角度精度±1°，模塊整體也實(shí)現(xiàn)±1.4°。
圖2的實(shí)施例的激光模塊15裝載在光頭上的結(jié)構(gòu)圖如圖3所示。本實(shí)施例中，使用650nm波長(zhǎng)的DVD用激光芯片13b的射出光進(jìn)行準(zhǔn)直儀16、偏振衍射柵8、物鏡6、光盤7之間的位置調(diào)整。此時(shí)，780nm波長(zhǎng)的CD用激光芯片13a的射出光也經(jīng)過與DVD相同的路徑，將準(zhǔn)直儀16、偏振衍射柵8、物鏡6設(shè)置成CD/DVD共用部件，使得以與原來的單波長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)器同樣的大小實(shí)現(xiàn)與2波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)的裝置。不進(jìn)行CD自身的光路位置配合產(chǎn)生的若干光量減少通過增加CD用780nm波長(zhǎng)的激光芯片13a的功率而補(bǔ)償。
為與本實(shí)施例相比，圖4表示對(duì)應(yīng)DVD-RAM和CD的2波長(zhǎng)的原來的光頭結(jié)構(gòu)圖。RAM用66激光nm二極管18的射出光通過準(zhǔn)直儀19、分離棱鏡20、偏振衍射柵8、物鏡6會(huì)聚到光盤7上，盤反射的光再通過物鏡6、偏振衍射柵8由分離棱鏡20反射，通過準(zhǔn)直儀21進(jìn)入DVD用受光元件22中。另一方面，CD結(jié)構(gòu)是使用激光器和受光元件以及全息件一體化的CD全息單元23，通過準(zhǔn)直儀24后通過與DVD相同的光路，進(jìn)入CD全息單元23中的受光元件。該已有例子的部件數(shù)目是12個(gè)，是圖3所示的本實(shí)施例的2倍，并且彼此件光學(xué)調(diào)整非常復(fù)雜，光路調(diào)整花費(fèi)很多時(shí)間。本實(shí)施例中，部件數(shù)目減少同時(shí)，調(diào)整場(chǎng)所簡(jiǎn)化，實(shí)現(xiàn)大幅度降低成本。
并且，上述光頭安裝在光盤裝置上，通過使用對(duì)應(yīng)于CD或DVD盤的更換自動(dòng)地選擇780nm或650nm波長(zhǎng)的光源的電路，實(shí)現(xiàn)以與原來的單波長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)器相等的大小進(jìn)行2波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)的裝置。
接著，圖5表示出在與激光模塊的半導(dǎo)體激光芯片縱向的側(cè)面相對(duì)的傾斜面上具有臺(tái)階的實(shí)施例。該圖是安裝激光芯片前的狀態(tài)，表示可看到位于激光芯片下面的下部電極26的狀態(tài)。根據(jù)基盤面的蝕刻速度差，與半導(dǎo)體激光芯片縱向的側(cè)面相對(duì)的傾斜面a，a’，b具有接近垂直的角度，但c，d為比a，b更平緩的平緩斜面，由于d傾斜面更穩(wěn)當(dāng)，下部電極25經(jīng)d部在硅基板上部布線(26)，通過使電極膜厚均勻，即使是DVD-RAM用激光器這樣的需要大電流的情況下，有助于防止遷移，并且防止在將下陷部(凹部)設(shè)置得很深時(shí)的斷路。
而且，在下陷部的微鏡面?zhèn)群团c半導(dǎo)體激光芯片縱向方向的側(cè)面相對(duì)的傾斜面二者上設(shè)置臺(tái)階，接近激光芯片13a,13b的傾斜面作為芯片位置確定基準(zhǔn)的實(shí)施例表示在圖6中。芯片位置確定基準(zhǔn)面27、11分別進(jìn)行受光元件2與X、Y方向的精度配合。通過很好地管理蝕刻掩模的位置配合、蝕刻條件，實(shí)現(xiàn)與受光元件2相對(duì)的位置精度、X方向±5μm、Y方向±2μm。以這些作為基準(zhǔn)面，將激光芯片突出對(duì)接于X方向、Y方向，滿足與受光元件2的位置關(guān)系。此時(shí)，在接著芯片位置確定基準(zhǔn)27的位置上設(shè)置角度，緩和傾斜角，將布線29從下部電極經(jīng)斜面28在硅基板的上部作布線26，可防止遷移或斷路。因此，使用該下陷結(jié)構(gòu)，不進(jìn)行尺寸測(cè)定和圖像處理，通過將芯片押在下陷的傾斜面上可滿足激光的必要精度，不用芯片自身的調(diào)整作業(yè)，進(jìn)一步改善操作性，有利于成本降低。與半導(dǎo)體激光芯片縱向的側(cè)面相對(duì)的傾斜面的臺(tái)階位置不限于如圖5、6所示那樣，不用說在實(shí)現(xiàn)上述效果的范圍內(nèi)可設(shè)置在任何位置。微鏡面?zhèn)鹊呐_(tái)階形狀也不限于圖6所示的形狀，在實(shí)現(xiàn)上述效果的范圍內(nèi)可以是任意結(jié)構(gòu)，例如，作為在激光器13a，13b之間的中央部分沒有臺(tái)階的結(jié)構(gòu)，通過使單側(cè)的臺(tái)階11和激光器的接觸部分非常大也可突出對(duì)接激光器來確定位置，或者通過在基準(zhǔn)27和單側(cè)的臺(tái)階11上在X、Y方向上突出對(duì)接激光芯片可進(jìn)行位置確定。
而且，必須考慮DVD-RAM這樣的激光芯片的放熱的激光模塊的實(shí)施例如圖7所示。作為與硅基板4接觸的部分的外殼材料，使用導(dǎo)熱率優(yōu)良并且對(duì)于環(huán)境適應(yīng)性優(yōu)越的AlN?；蛘?，激光芯片13a，13b與下陷臺(tái)14的黏合材料29最好是AuSn焊劑(導(dǎo)熱率為57W/m℃)，或者即使在使用其他材料的情況下，激光芯片自身的導(dǎo)熱率需要在50W/m℃以上。下部電極25中使用TiPtAu。
通過下部電極25中為包含Au的材料，在黏合時(shí)下部電極25的Au溶入AuSn焊劑中，AuSn焊劑的熔點(diǎn)上升。因此，黏合激光芯片12a后，用相同的AuSn焊劑進(jìn)行另一側(cè)激光芯片12b的黏合時(shí)，不用擔(dān)心激光芯片12a的焊劑再熔化。這樣，通過使用包含Au的黏合材料和電極材料，實(shí)現(xiàn)放熱性和黏合多個(gè)激光芯片的操作性二者。并且，從外殼30的放熱通過將光頭的結(jié)構(gòu)體作成鋁模鑄合金、外殼底部與鋁模鑄合金間用SUS304(不銹鋼)金屬板(或磷青銅或FeNiCo或合金42)接觸而防止了熱的滯留。
圖7中，微鏡面的角度α如前所述基于LSI過程的微細(xì)加工中的偏離角θ而成為(125.3+θ)°，從將激光垂直反射的135°偏離(19.4-2θ)°。因此，到外殼30的硅基板4的安裝面31和外殼30的光頭安裝面32之間具有角度β＝(19.4-2θ)°，修正該偏離。
此時(shí)，由于α＝(125.3+θ)°、β＝(19.4-2θ)°，α、β的關(guān)系為2α+β＝270°。在外殼30的光頭安裝面32上具有角度，外殼30和硅基板4的安裝面31所成角度β可能為2α+β＝270°。
本發(fā)明的下陷部中，2個(gè)激光芯片接近裝載的制造方法如圖8(A)、8(B)所示。圖8(A)是從上面看將2個(gè)激光芯片之一的13a貼附在受光元件基板的位置的平面圖。首先，使用通過真空吸附進(jìn)行移動(dòng)安裝的風(fēng)井(air pit)33a，將激光芯片13a運(yùn)到下陷臺(tái)14處。接著使用位置確定夾具34將激光芯片13a押至傾斜面f。接著返回夾具34，在風(fēng)井33a在押付激光芯片13a的狀態(tài)下加熱，熔融黏合材料后在芯片上在數(shù)μm的范圍內(nèi)進(jìn)行往返振動(dòng)來進(jìn)行脫氣，之后，再用夾具34確定位置并冷卻，將激光芯片13a固定在下陷臺(tái)14上。
激光芯片13b的位置確定也同樣進(jìn)行，但2個(gè)芯片間的間隔僅為50μm，在2個(gè)芯片長(zhǎng)度上設(shè)置大小，確保位置確定夾具的操作性。激光芯片13b黏合時(shí)激光芯片13a不動(dòng)對(duì)應(yīng)改變2個(gè)激光芯片的黏合材料的熔點(diǎn)。使用AuSn系的黏合材料時(shí)，對(duì)應(yīng)地下部電極使用TiPtAu，劃線時(shí)將電極材料Au溶入AuSn中，使得比原來的AuSn熔點(diǎn)高，但使用PbSn系黏合材料時(shí)，黏合前后的熔點(diǎn)沒有急劇的變化，因此可改變2個(gè)激光芯片的黏合材料的熔點(diǎn)，把最初固定的黏合材料的熔點(diǎn)升高。如圖8(A)、(B)所示，例如，相對(duì)激光器插入方向，將其側(cè)壁部作成擴(kuò)展成扇形的形狀可提高激光器插入操作的效率。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性根據(jù)本發(fā)明，能夠以裝載激光芯片的激光模塊的高精度作廉價(jià)的供給，有利于光頭裝置的小型化和成本的降低。
權(quán)利要求
1.一種激光模塊，在包含受光元件的硅基板上設(shè)置凹部，在該凹部配置多個(gè)半導(dǎo)體激光芯片，其特征在于在所述凹部中配置的電極材料中包含Au，并且所述半導(dǎo)體激光芯片與所述凹部之間的黏合材料是AuSn，所述硅基板下部的外殼(package)材料為AlN或SiN，其導(dǎo)熱率為50W/m℃以上。
2.一種光頭，具有權(quán)利要求1所述的激光模塊、鋁模鑄結(jié)構(gòu)體，其特征在于所述激光模塊的外殼底部和所述的鋁模鑄結(jié)構(gòu)體之間用金屬接觸。
3.一種光頭，安裝1個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體激光芯片、具有微鏡面的硅基板和容納所述硅基板的外殼而構(gòu)成，其特征在于所述半導(dǎo)體激光芯片和所述硅基板的安裝面與微鏡面所成角度α以及所述安裝面與外殼到光頭的安裝面所成角度β之間具有關(guān)系2α+β＝270°(α＜135°、β＞0°)。
4.一種激光模塊，用包含受光元件的硅基板和2個(gè)半導(dǎo)體激光芯片構(gòu)成，其特征在于對(duì)所述2個(gè)半導(dǎo)體激光芯片的長(zhǎng)度設(shè)置長(zhǎng)短。
5.一種激光模塊，用包含受光元件的硅基板和2個(gè)半導(dǎo)體激光芯片構(gòu)成，其特征在于對(duì)所述2個(gè)半導(dǎo)體激光芯片的長(zhǎng)度設(shè)置長(zhǎng)短，將長(zhǎng)度短的半導(dǎo)體激光芯片和硅基板固定的黏合劑的熔點(diǎn)比將另一個(gè)長(zhǎng)度長(zhǎng)的半導(dǎo)體激光芯片和硅基板固定的黏合劑的熔點(diǎn)高。
全文摘要
本發(fā)明涉及裝載半導(dǎo)體激光芯片和反射面的激光模塊，為高精度確定半導(dǎo)體激光芯片的位置，同時(shí)縮短生產(chǎn)時(shí)間、實(shí)現(xiàn)小型化和低成本，使在硅基板上設(shè)置的反射面上具有臺(tái)階，通過將這些反射面作為出射激光的反射面和激光芯片的位置確定面，可高精度確定位置。對(duì)于記錄中需要大功率的激光模塊，在與半導(dǎo)體激光芯片縱向方向的側(cè)面相對(duì)的傾斜面上設(shè)置臺(tái)階，在從激光芯片的下部電極的下陷底部到硅基板上部的布線中，設(shè)置與激光芯片的縱向方向成角度的傾斜面來平緩斜面，經(jīng)過該平緩斜面緩解遷移的產(chǎn)生。
文檔編號(hào)G11B7/127GK1495739SQ0312846
公開日2004年5月12日 申請(qǐng)日期1999年8月4日 優(yōu)先權(quán)日1999年8月4日
發(fā)明者有川康之, 橘進(jìn), 重松和男, 田口英夫, 中村滋, 友部哲哉, 哉, 夫, 男 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立制作所, 株式會(huì)社瑞薩東日本半導(dǎo)體