專利名稱：：雪崩擊穿存儲(chǔ)器件及其使用方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及使用產(chǎn)生光生電流的存儲(chǔ)器件以及一種使用該器件的方法。具體地說，本發(fā)明涉及采用雪崩擊穿記錄數(shù)據(jù)的一次寫入多次讀出光盤(WORM)器件以及一種使用該器件的方法。
背景技術(shù)：
：光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的最普通形式是壓縮光盤(CD)和數(shù)字通用光盤或數(shù)字化視頻光盤(DVD)?？梢杂墒褂谜呔幋a一次的CD和DVD稱為一次寫入多次讀出(WORM)CD和DVD。DVD與CD相似，只是采用了波長更小的光(如藍(lán)光而非紅光)以及雙面都可以編碼數(shù)據(jù)?？梢杂眉す馐鴮⒃摂?shù)據(jù)編碼或記錄在WORMCD和DVD上。由于串行執(zhí)行的緣故使得數(shù)據(jù)記錄得很慢。一種記錄類型是燒蝕式記錄。燒蝕式記錄是將材料加熱到其熔點(diǎn)以上而產(chǎn)生小孔。如果燒蝕式記錄處理沒有足夠地加熱材料，則會(huì)形成一個(gè)不穩(wěn)定的、可能在幾天后消失的不成形斑點(diǎn)。另一個(gè)問題是由光學(xué)CD或DVD內(nèi)的壓力導(dǎo)致的光學(xué)色差。光學(xué)色差、不穩(wěn)定的不成形斑點(diǎn)等的出現(xiàn)是燒蝕式WORMCD和DVD存在的問題。另一種記錄類型是相變式記錄。相變式記錄迅速加熱和冷卻相變層。通常，薄絕緣層和大功率記錄激光器一起使用以加熱相變層，冷卻層用于迅速散卻該熱量。絕緣層、冷卻層和大功率激光器將總體適用范圍限制在現(xiàn)有技術(shù)上并增加了制造費(fèi)用。另一種形式的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器是可編程只讀存儲(chǔ)器(PROM)。PROM是一種通過在存儲(chǔ)元件上施加電壓以禁止該元件，從而可以記錄一次的電尋址存儲(chǔ)器形式。由于PROM器件的串行特性使禁止元件的過程相對緩慢。一旦形成，就必須檢查PROM以確保其復(fù)雜結(jié)構(gòu)已經(jīng)正確形成。檢查過程增加了制造過程的時(shí)間和花費(fèi)。由于PROM器件的復(fù)雜結(jié)構(gòu)導(dǎo)致低產(chǎn)出，所以進(jìn)一步提高了制造成本。因此，極需要具有簡單結(jié)構(gòu)的可靠、快速記錄WORM器件，以便可以簡便的進(jìn)行記錄。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個(gè)方面提供了一種將數(shù)據(jù)記錄到光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)上的方法，包括在第一像素上提供第一電壓，該第一像素包括響應(yīng)施加在第一像素上的第二電壓而產(chǎn)生光的發(fā)光元件，并在對第一像素提供第一電壓期間對第一像素進(jìn)行照射，以感應(yīng)出光感生雪崩擊穿電流通過第一像素。該光感生雪崩擊穿電流改變第一像素，使得發(fā)光元件不能響應(yīng)施加在第一像素上的第二電壓而產(chǎn)生光。本發(fā)明的另一個(gè)方面提供了一種光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)，包括多個(gè)像素，每個(gè)像素包括發(fā)光元件，該發(fā)光元件能響應(yīng)施加在該發(fā)光元件上的第一電壓而雪崩擊穿，還能響應(yīng)施加在該發(fā)光元件上的第二電壓而產(chǎn)生光；以及陰極和陽極，用于將電壓施加到發(fā)光元件上。雪崩擊穿發(fā)生在對發(fā)光元件提供第一電壓期間照射該發(fā)光元件的時(shí)候。雪崩擊穿產(chǎn)生電流，該電流導(dǎo)致防止發(fā)光元件響應(yīng)施加在發(fā)光元件上的第二電壓而產(chǎn)生光的變化。本發(fā)明的另一方面提供了一種將數(shù)據(jù)記錄到具有多個(gè)像素的光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)上的方法，包括在像素上施加反向偏壓，該像素包括有機(jī)發(fā)光二極管，其響應(yīng)施加在該像素上的正向偏壓而產(chǎn)生光，以便在對該像素施加反向偏壓期間照射該像素，以感應(yīng)出光感生雪崩擊穿電流通過該像素，從而防止發(fā)光元件響應(yīng)施加在該像素上的正向偏壓而產(chǎn)生光。本發(fā)明的另一方面提供了一種具有多個(gè)像素的光存儲(chǔ)介質(zhì)，每個(gè)像素包括發(fā)光有機(jī)二極管，其能響應(yīng)施加在該發(fā)光有機(jī)二極管上的反向偏壓而雪崩擊穿，還能響應(yīng)施加在發(fā)光有機(jī)二極管上的正向偏壓而產(chǎn)生光；以及陰極和陽極，用于將電壓施加到發(fā)光有機(jī)二極管上。雪崩擊穿發(fā)生在對發(fā)光有機(jī)二極管施加反向偏壓期間照射該發(fā)光二極管的時(shí)候。雪崩擊穿產(chǎn)生電流，該電流導(dǎo)致防止發(fā)光有機(jī)二極管響應(yīng)施加在該發(fā)光有機(jī)二極管上的正向偏壓而產(chǎn)生光的變化。本發(fā)明的另一方面提供了一種將數(shù)據(jù)記錄到光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)上的方法，包括在包括發(fā)光元件的像素上施加反向偏壓，并對該像素進(jìn)行照射。照射像素和在該像素上施加反向偏壓的結(jié)合禁止了發(fā)光元件。本發(fā)明的另一方面提供了一種包括多個(gè)像素的光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)，每個(gè)像素包括發(fā)光元件，該發(fā)光元件能響應(yīng)施加在其上的第一電壓而被禁止，還能響應(yīng)施加在其上的第二電壓而產(chǎn)生光，以及陰極和陽極，用于將電壓施加到該發(fā)光元件上。該禁止發(fā)生在對發(fā)光元件施加第一電壓期間照射該發(fā)光元件的時(shí)候，并且產(chǎn)生電流，該電流導(dǎo)致防止發(fā)光元件響應(yīng)施加在該發(fā)光元件上的第二電壓而產(chǎn)生光的變化。圖1是圖解像素坑排列的器件層頂視圖；圖2是圖解陰極、陽極和像素坑的關(guān)系的器件層部分頂視圖；圖3是圖解另一個(gè)示范實(shí)施例中陰極總線部分、熔絲、陰極像素部分、陽極和像素坑的關(guān)系的器件層部分頂視圖；圖4是在處理之前基片的側(cè)視圖；圖5是壓上凹槽之后基片的側(cè)視圖；圖6是陰極層蒸汽沉積之后基片的側(cè)視圖；圖7是陰極層構(gòu)圖后部分完成的器件層側(cè)視圖；圖8是坑柱結(jié)構(gòu)層沉積后部分完成的器件層側(cè)視圖；圖9是在坑柱結(jié)構(gòu)層中形成像素坑后部分完成的器件層側(cè)視圖；圖10是發(fā)光像素材料沉積后部分完成的器件層側(cè)視圖；圖11是根據(jù)示范實(shí)施例的器件層側(cè)視圖；圖12是根據(jù)另一個(gè)示范實(shí)施例的多層迭片的側(cè)視圖；圖13是WORM器件的側(cè)視圖。具體實(shí)施例方式附圖中，相似的標(biāo)號(hào)表示相似的部件。圖11是根據(jù)本發(fā)明示范實(shí)施例的器件層或元件100成品的側(cè)視圖。該器件層成品100包括為器件層100提供結(jié)構(gòu)支撐的基片200?；?00表面上的凹槽202為陰極層204提供凹穴，使得可以在平坦(level)表面上形成坑柱結(jié)構(gòu)層210?？又Y(jié)構(gòu)層210包括限定和容納發(fā)光材料214、216的像素坑212?？又Y(jié)構(gòu)層210的一側(cè)是陰極層204，其具有透明導(dǎo)體子層206，用于保證陰極層204良好的導(dǎo)電性能；以及電子發(fā)射子層208，用于保證有足夠的多數(shù)載流子(電子)提供給n型發(fā)光材料214。坑柱結(jié)構(gòu)層210的另一側(cè)是陽極218，其完成通過每個(gè)像素坑212的電路，從而使能夠施加激勵(lì)電壓。正是該激勵(lì)電壓使發(fā)光材料214、216產(chǎn)生光。應(yīng)當(dāng)注意的是，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以在器件層100中包含替代和/或附加元件。N和P型發(fā)光材料214、216形成pn結(jié)，在正向偏壓下，該pn結(jié)在來自n型材料214的多數(shù)載流子(電子)與來自p型發(fā)光材料216的少數(shù)載流子(空穴)重新組合時(shí)發(fā)光(光子)。當(dāng)施加反向偏壓并且未照射像素時(shí)，小電流通過pn結(jié)。當(dāng)發(fā)光材料214、216由于雪崩擊穿而被照射時(shí)，該電流增大幾個(gè)量級(jí)。該雪崩擊穿電流可以用于改變pn結(jié)、陰極204、陽極208或其它元件，例如熔絲220，以防止光的產(chǎn)生。優(yōu)選地，將激勵(lì)電壓保持在照射時(shí)雪崩擊穿的最小電壓和沒有照射時(shí)雪崩擊穿的最小電壓之間。如果反向偏壓足夠大(例如5-8伏特)，無需照射就會(huì)形成雪崩擊穿，而如果反向偏壓太小，則根本不會(huì)發(fā)生雪崩擊穿。這兩個(gè)電壓之間是在照射時(shí)發(fā)生雪崩擊穿的電壓范圍。該照射可以用于選擇是否禁止像素，還可以在整層上同時(shí)(即并行地)執(zhí)行?；蛘?，只并行地記錄到一層的幾個(gè)部分中，例如，每隔一個(gè)像素地記錄以避免偶然或虛假的禁止。與串行記錄結(jié)束相比，并行記錄到像素的能力相當(dāng)大地減少了時(shí)間?？梢酝ㄟ^并行記錄到串聯(lián)的每個(gè)單層上，來記錄到多層器件上。在所有示例中，激勵(lì)電壓應(yīng)當(dāng)優(yōu)選設(shè)置為照射可以引起雪崩擊穿的電壓范圍中間的某個(gè)值，以允許制造上的變化及類似情況?？梢酝ㄟ^適當(dāng)選擇器件層100的材料，適當(dāng)選擇器件層100各種元件的幾何形狀，對器件層100的現(xiàn)有層或元件作進(jìn)一步處理和/或在器件層100中包含附加元件或?qū)拥姆绞?，來控制對光產(chǎn)生的防止。例如，通過使用電流閾值低于其它層的材料，可以改變層的一種或多種屬性或破壞該層而不影響其它層。層的改變也可以用幾何變化來控制，例如窄區(qū)，可增加通過窄區(qū)的電流并使得對于給定激勵(lì)這些區(qū)域首先失效或被改變。層的改變還可以通過對一層或多層作進(jìn)一步處理來控制，例如涂上保護(hù)層、引起擴(kuò)散或調(diào)整結(jié)晶度，以便選擇(例如減小或增加)一層或該層一部分的閾值。層的改變還可以通過附加層或元件來控制，例如熔絲220或氧化使能層(oxidationenablinglayer)。熔絲220可以是先于其它任何元件擊穿的附加二極管。氧化使能層可以添加在透明導(dǎo)體子層206和金屬單層電子發(fā)射子層208之間，使得金屬單層電子發(fā)射子層208可以結(jié)合氧化使能層以形成金屬氧化層。電子發(fā)射子層207的氧化可以防止發(fā)光，因?yàn)殡娮影l(fā)射子層208不再為發(fā)光提供足夠的載流子，或者電子發(fā)射子層208可能具有足夠大的阻抗而導(dǎo)致不再在發(fā)光材料214、216上施加發(fā)光所需電壓。在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，在器件層100中可以包含其它替換和/或附加元件。圖1是器件層100的頂視圖，圖解像素坑212的排列。像素坑212基本上大小相等，并以M×N矩陣排列。像素坑212呈圓形或基本圓形，其直徑小于或等于1μm。優(yōu)選地，像素坑212的直徑約為0.5μm或更小?；蛘?，像素坑212可以和期望值一樣大，典型地約為5μm或甚至10μm，或小于0.5μm。優(yōu)選地，像素坑212的大小在約0.5至1.0μm的范圍內(nèi)?；蛘撸袼乜?12可以是任意規(guī)則形狀，包括矩形、正方形、五邊形等，還可以是伸長的凹槽的多個(gè)部分。圖2是圖解陰極204、陽極218和像素坑212關(guān)系的器件層100部分頂視圖。在該示范實(shí)施例中，陰極204和陽極是設(shè)置在正交方向上的條狀導(dǎo)體。具有發(fā)光材料214、216的像素坑212位于陰極204和陽極218彼此交疊處。施加到一個(gè)陰極204和一個(gè)陽極218末端的激勵(lì)電壓導(dǎo)致該激勵(lì)電壓被施加到夾在該陰極204和該陽極218之間的像素坑212中的發(fā)光材料214、216上。該激勵(lì)電壓可以是正偏激勵(lì)電壓，其能夠使得由發(fā)光材料214、216產(chǎn)生光，也可以是反偏激勵(lì)電壓，以允許記錄數(shù)據(jù)。還可以配置為非條狀或正交，而配置為包含有源元件。圖3是圖解陰極總線部分204A、熔絲220、陰極像素部分204B、陽極218和像素坑212關(guān)系的器件層100部分頂視圖。該示范實(shí)施例與圖2的示范實(shí)施例相似，只是陰極204具有總線部分204A和由熔絲220連接的像素部分204B。熔絲220可以是總線部分204A和像素部分204B之間的區(qū)域，并在通過足夠大小的電流時(shí)變更。熔絲220的變更可能損壞熔絲220或改變其電導(dǎo)率。熔絲220的損壞使像素部分204B與總線部分204A電絕緣。如果熔絲220的電導(dǎo)率的改變足夠大，可能使像素部分204B與總線部分204A電絕緣，或通過分壓減小發(fā)光材料214、216上的電壓值?；瘜W(xué)改變(例如氧化)或物質(zhì)組織改變可能導(dǎo)致電導(dǎo)率的改變(例如晶體結(jié)構(gòu)改變?yōu)榉蔷w結(jié)構(gòu))。熔絲220可以由陰極204的一種或多種原材料、陰極204的一種或多種被改變(例如摻雜、氧化、或從非晶體結(jié)構(gòu)再結(jié)晶)的材料或單獨(dú)由完全不同的材料制成。形成熔絲220的區(qū)域可以窄于或等于像素部分204A?；蛘?，熔絲和像素部分可以在陽極218中而不是在陰極204中形成。圖4是處理前基片200的側(cè)視圖?；?00可以由任何適合的可壓印(imprintable)基片材料制成。例如，可以采用25μm厚的聚甲基丙烯酸甲酯基片。圖5是圖3中的基片200壓上凹槽202之后的側(cè)視圖。在示范實(shí)施例中，凹槽202的深度為幾百納米。凹槽202可以通過根據(jù)美國專利文獻(xiàn)USPat.5,772,905中公開的納米壓印平版印刷法的納米壓印而形成，或者通過其它適當(dāng)方法例如激光燒蝕而形成。圖6是圖5中的基片在陰極層204蒸汽沉積之后的側(cè)視圖。陰極層204包括透明導(dǎo)體子層206和電子發(fā)射子層208。透明導(dǎo)體子層206可以是透明導(dǎo)電氧化物，例如銦錫氧化物或鋁鋅氧化物或其它任何透明導(dǎo)電材料。電子發(fā)射子層208可以是任何金屬或其它具有低功函數(shù)和高載流子濃度的非金屬材料(例如鎂、鈀或聚合材料)。電子發(fā)射子層208可由單層制成?？梢詫ν该鲗?dǎo)體子層206進(jìn)行處理，以便促進(jìn)和/或控制層的變化。例如，透明導(dǎo)電氧化物層中可以先少量摻雜氧，然后沉積單層金屬作為電子發(fā)射子層208。然后，氧化物在產(chǎn)生雪崩擊穿電流的時(shí)候氧化金屬單層。金屬單層的氧化可用于增大單層的功函數(shù)，從而，在金屬單層被氧化之后即使仍然導(dǎo)電也防止光的產(chǎn)生?；蛘撸梢栽谕该鲗?dǎo)體子層206和電子發(fā)射子層208之間設(shè)置單獨(dú)的氧化使能層，而不摻雜。圖7是圖6所示的部分完成的器件層在陰極層204構(gòu)圖(patterning)后的側(cè)視圖。從納米壓印的基片200上凹槽202之外的區(qū)域中去除了陰極層204。去除陰極層204可以通過氬等離子體蝕刻、化學(xué)機(jī)械拋光或任何其它去除凹槽202之外的陰極層204而保留凹槽202內(nèi)部的陰極層204的方法進(jìn)行。也可以從凹槽202中去除陰極層204材料，以便為熔絲220提供空間。圖8是圖7所示的部分完成的器件層在坑柱結(jié)構(gòu)層210沉積后的側(cè)視圖?？又Y(jié)構(gòu)層210可以由紫外線矯正的光敏聚合物或其它任何能在亞微量范圍內(nèi)構(gòu)圖的適當(dāng)材料制成。圖9是圖8所示的部分完成的器件層在利用熱模壓紋方法或其它例如激光燒蝕的適當(dāng)方法在坑柱結(jié)構(gòu)層210中形成像素坑212后的側(cè)視圖。熱模壓紋方法采用了一種壓膜，其具有被配置來產(chǎn)生期望的像素坑212圖案的表面?？又Y(jié)構(gòu)層210相對較薄(例如約200nm)，可以具有直徑極小(例如約500nm或更小)的柱子。以活性離子蝕刻或其它適當(dāng)方法去除保留在像素坑212底部的坑柱結(jié)構(gòu)層210材料。然后用氧等離子體或其它適當(dāng)方法處理陰極層204，以便能與要沉積在像素坑212中的n型聚合物材料214良好地接通。還可以處理全部或部分陰極層204，以便幫助或允許雪崩擊穿電流改變或破壞器件層100的所有或部分組件，從而防止發(fā)光材料214、216在施加正向偏壓時(shí)發(fā)光。圖10是圖9所示的部分完成的器件層在發(fā)光材料214、216沉積后的側(cè)視圖。N型發(fā)光材料214通過液體沉積方法形成。液體沉積方法包括坑填充方法，例如分子粘附；和電沉積方法，例如電聚合。填充像素坑212的坑填充方法的能力受到所使用材料的粘附特性和分子大小的限制。P型發(fā)光材料216類似地形成在n型發(fā)光材料214上面。發(fā)光材料214、216可以是任何一種或多種能形成到pn發(fā)光二極管中的半導(dǎo)體有機(jī)聚合物材料。或者，也可以采用其它半導(dǎo)體材料，例如無機(jī)半導(dǎo)體。發(fā)光材料214、216可以選擇為厚度基本相同，且合并長度基本等于坑柱結(jié)構(gòu)層210厚度(例如每個(gè)發(fā)光層都是100nm厚)。形成發(fā)光材料214、216的一種或多種發(fā)光有機(jī)聚合物沉積在和/或流入到像素坑212中，因?yàn)槠渚鶠橐簯B(tài)。液體發(fā)光材料214、216最初沉積在器件層100的表面，然后從較高點(diǎn)向較低點(diǎn)流動(dòng)。非液體沉積物(例如蒸汽沉積物)不能流動(dòng)，將保留在最初沉積的地方。因此，液體發(fā)光材料214、216從坑柱結(jié)構(gòu)層210的頂部(即較高點(diǎn))流入像素坑212(即較低點(diǎn))中可以排除蝕刻最初沉積在像素坑212之外的發(fā)光有機(jī)聚合材料，或?qū)ζ錁?gòu)圖的需要。通過對坑柱結(jié)構(gòu)層210構(gòu)圖而對發(fā)光材料214、216間接構(gòu)圖。特別地，因?yàn)橄袼乜?12恰好是地形低點(diǎn)，所以對坑柱結(jié)構(gòu)層210構(gòu)圖產(chǎn)生引導(dǎo)液體沉積發(fā)光材料214、216進(jìn)入像素坑212的地形結(jié)構(gòu)。因此，坑柱結(jié)構(gòu)層210的圖案確定了發(fā)光材料214、216的圖案，而無需發(fā)光材料214、216的傳統(tǒng)構(gòu)圖。這一點(diǎn)很重要，因?yàn)榘l(fā)光材料214、216非常不適于用傳統(tǒng)方法構(gòu)圖，而坑柱結(jié)構(gòu)層210的材料很適于構(gòu)圖。因此，與發(fā)光材料214、216的尺寸限制相比，坑柱結(jié)構(gòu)層210小很多的尺寸限制允許減小像素大小，這大大增加了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的密度?？梢岳脷宓入x子體或其它適當(dāng)?shù)牡入x子體或利用更昂貴的拋光技術(shù)如化學(xué)機(jī)械拋光來去除過量的發(fā)光聚合物材料。圖11是圖10所示的部分完成的器件層在形成陽極218之后的側(cè)視圖。利用真空沉積或液體沉積將諸如銦錫氧化物的透明導(dǎo)體沉積到厚度約100nm。然后利用蝕刻處理對所沉積的透明導(dǎo)體構(gòu)圖，以形成陽極218。陽極218的添加完成了器件層100?，F(xiàn)在可以通過傳統(tǒng)方法測試器件層100，以確定器件層是否有缺陷。沒有缺陷的器件層100可以單獨(dú)用在器件中，或與其它沒有缺陷的器件層100層疊，從而形成可以在器件中使用的多層迭片。圖12是根據(jù)本發(fā)明示范實(shí)施例的多層迭片300的側(cè)視圖。迭片包括三個(gè)完整的器件層100R、100B、100G。完整的器件層100R、100B、100G各自產(chǎn)生不同頻率的光。圖中，第一個(gè)完整器件層100R產(chǎn)生紅光，第二個(gè)完整器件層100B產(chǎn)生藍(lán)光，而第三個(gè)完整器件層100G產(chǎn)生綠光。在任何一個(gè)給定的迭片300中，可以用粘合劑302，例如用壓敏粘合劑或熱焊接、光聚合劑或其它適當(dāng)?shù)姆椒?，使器件?00彼此粘接。如果發(fā)現(xiàn)器件層100損壞或有缺陷，可以從迭片300中剝除該器件層100。這提高了總產(chǎn)量，因?yàn)榈?00的制造減小了迭片的制造成本。圖13是WORM器件400的側(cè)視圖。WORM器件400包括發(fā)光陣列402、存儲(chǔ)器404和成像器406。存儲(chǔ)器404可以是本發(fā)明的單個(gè)層或迭片。發(fā)光陣列402可以是任何類型的發(fā)光器件，且不限于大功率記錄激光器等。發(fā)光陣列402提供對存儲(chǔ)器404的照射，以便將數(shù)據(jù)編碼到存儲(chǔ)器404中。成像器406可以是任何類型的成像器，能以所要求的速度檢測來自存儲(chǔ)器404的光。通常使用的成像器406包括互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)成像器或電荷耦合裝置(CCD)成像器。其它層和元件也可以集成到本發(fā)明中。例如，可以包括光學(xué)薄膜(例如減反射膜)以提高光在器件層之間的光學(xué)耦合。此外，已經(jīng)是本發(fā)明部分的層與元件可以選擇和/或形成為提供多種功能。例如，可以選擇用于耦合兩個(gè)相鄰器件層100的粘合劑的厚度和折射率，以更好地耦合器件層100之間的光。上述說明針對由元件的垂直堆疊(有時(shí)稱為單元)形成的器件。本發(fā)明也可以應(yīng)用到多個(gè)水平連接的單元。本發(fā)明中有機(jī)發(fā)光器件的小像素尺寸非常適合于光學(xué)存儲(chǔ)器。本發(fā)明還可以應(yīng)用于顯示器件，特別是彩色顯示器件和其它具有電致發(fā)光元件的器件。盡管詳細(xì)描述了本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施例及其優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)當(dāng)明白，在不脫離所附權(quán)利要求中限定的本發(fā)明的教授內(nèi)容、精神和范圍的情況下，可以對本發(fā)明進(jìn)行更改、替代、變形、修改、變更、置換和改造。權(quán)利要求1.一種將數(shù)據(jù)記錄到光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)中的方法，包括在第一像素上施加第一電壓，所述第一像素包括響應(yīng)施加在該第一像素上的第二電壓而產(chǎn)生光的發(fā)光元件；以及在將所述第一電壓施加到第一像素期間照射該第一像素，以感應(yīng)出光感生雪崩擊穿電流通過所述第一像素，其中，所述光感生雪崩擊穿電流改變所述第一像素，從而防止所述發(fā)光元件響應(yīng)施加在所述第一像素上的所述第二電壓而產(chǎn)生光。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述改變導(dǎo)致所述發(fā)光元件不能響應(yīng)所述第二電壓而產(chǎn)生光。3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，由于所述發(fā)光元件的pn結(jié)已被擊穿，因而所述發(fā)光元件不能響應(yīng)所述第二電壓而產(chǎn)生光。4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述發(fā)光元件由發(fā)光有機(jī)聚合物材料制成。5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一像素包括具有低功函數(shù)和高載流子濃度的電子發(fā)射子層，該電子發(fā)射子層由光感生雪崩擊穿電流改變，使得所述功函數(shù)增大，所述載流子濃度減小，從而防止所述發(fā)光元件響應(yīng)所述第二電壓而產(chǎn)生光。6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述電子發(fā)射子層是金屬單層。7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一像素陽極或陰極的至少一部分被所述光感生雪崩擊穿電流破壞，使得所述發(fā)光元件不能響應(yīng)所述第二電壓而產(chǎn)生光。8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一像素包括熔絲，該熔絲具有被所述光感生雪崩擊穿電流充分減小的電導(dǎo)率。9.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在第二像素上施加所述第一電壓，該第二像素包括響應(yīng)施加在所述第二像素上的所述第二電壓而產(chǎn)生光的發(fā)光元件；以及在對所述第二像素施加所述電壓期間照射所述第二像素，以感應(yīng)出光感生雪崩擊穿電流通過所述第二像素，其中，所述光感生雪崩擊穿電流改變所述第二像素，使得所述發(fā)光元件不能響應(yīng)施加在所述第二像素上的所述第二電壓而產(chǎn)生光，并且其中，對所述像素施加所述第一電壓和照射所述第一像素與對所述第二像素施加第一電壓和照射所述第二像素并行地進(jìn)行。10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一電壓是反向偏壓，而所述第二電壓是正向偏壓。11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述發(fā)光元件的尺寸小于或等于1μm。12.一種包括多個(gè)像素的光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)，每個(gè)像素包括發(fā)光元件，能響應(yīng)施加到該發(fā)光元件上的第一電壓而雪崩擊穿，并能響應(yīng)施加到該發(fā)光元件上的第二電壓產(chǎn)生光；以及陰極和陽極，用于將電壓施加到所述發(fā)光元件上，其中，所述雪崩擊穿發(fā)生在對所述發(fā)光元件施加所述第一電壓期間照射所述發(fā)光元件的時(shí)候，并且其中，所述雪崩擊穿產(chǎn)生電流，該電流導(dǎo)致防止所述發(fā)光元件響應(yīng)施加在所述發(fā)光元件上的第二電壓而產(chǎn)生光的變化。13.如權(quán)利要求12所述的介質(zhì)，其中，所述變化導(dǎo)致所述發(fā)光元件不能響應(yīng)所述第二電壓而產(chǎn)生光。14.如權(quán)利要求13所述的介質(zhì)，其中，由于所述發(fā)光元件的pn結(jié)已被擊穿，因而所述發(fā)光元件不能響應(yīng)所述第二電壓而產(chǎn)生光。15.如權(quán)利要求14所述的介質(zhì)，其中，所述發(fā)光元件由發(fā)光有機(jī)聚合物材料制成。16.如權(quán)利要求12所述的介質(zhì)，其中，所述陰極包括具有低功函數(shù)和高載流子濃度的電子發(fā)射子層，該電子發(fā)射子層可以由所述電流改變，使得所述功函數(shù)增大，所述載流子濃度減小，增大的功函數(shù)和減小的載流子濃度防止所述發(fā)光元件響應(yīng)所述第二電壓而產(chǎn)生光。17.如權(quán)利要求16所述的介質(zhì)，其中，所述電子發(fā)射子層是金屬單層。18.如權(quán)利要求12所述的介質(zhì)，其中，所述陽極或陰極的至少一部分被所述電流破壞，使得所述發(fā)光元件不響應(yīng)所述第二電壓而產(chǎn)生光。19.如權(quán)利要求12所述的介質(zhì)，還包括熔絲，該熔絲具有被所述擊穿電流充分減小的電導(dǎo)率。20.如權(quán)利要求12所述的介質(zhì)，其中，所述改變可以并行地進(jìn)行。21.一種將數(shù)據(jù)記錄到包括多個(gè)像素的光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)中的方法，包括在像素上施加反向偏壓，該像素包括響應(yīng)施加到所述像素上的正向偏壓而產(chǎn)生光的有機(jī)發(fā)光二極管；以及在對所述像素施加所述反向偏壓期間照射該像素，以感應(yīng)出光感生雪崩擊穿電流通過該像素，從而防止所述發(fā)光元件響應(yīng)施加在所述像素上的所述正向偏壓而產(chǎn)生光。22.一種包括多個(gè)像素的光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)，每個(gè)像素包括發(fā)光有機(jī)二極管，能響應(yīng)施加到該發(fā)光有機(jī)二極管上的反向偏壓而雪崩擊穿，并能響應(yīng)施加到該發(fā)光有機(jī)二極管上的正向偏壓產(chǎn)生光；以及陰極和陽極，用于將電壓施加到所述發(fā)光有機(jī)二極管上，其中，所述雪崩擊穿發(fā)生在對所述發(fā)光有機(jī)二極管施加所述反向偏壓期間照射所述發(fā)光有機(jī)二極管的時(shí)候，并且其中，所述雪崩擊穿產(chǎn)生電流，該電流導(dǎo)致防止所述發(fā)光有機(jī)二極管響應(yīng)施加在所述發(fā)光有機(jī)二極管上的正向偏壓而產(chǎn)生光的變化。23.一種將數(shù)據(jù)記錄到光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)中的方法，包括在像素上施加反向偏壓，該像素包括發(fā)光元件；以及照射該像素，其中，照射所述像素和在所述像素上施加所述反向偏壓的結(jié)合禁止了所述發(fā)光元件。24.如權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述結(jié)合導(dǎo)致所述發(fā)光元件不能響應(yīng)正向偏壓而產(chǎn)生光。25.如權(quán)利要求24所述的方法，其中，所述結(jié)合擊穿所述發(fā)光元件的pn結(jié)。26.如權(quán)利要求25所述的方法，其中，所述發(fā)光元件由發(fā)光有機(jī)聚合物材料制成。27.如權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述像素包括具有低功函數(shù)和高載流子濃度的電子發(fā)射子層；并且其中，通過增大所述功函數(shù)并減小所述載流子濃度，所述結(jié)合改變所述電子發(fā)射子層，使得所述發(fā)光元件不響應(yīng)正向偏壓而產(chǎn)生光。28.如權(quán)利要求27所述的方法，其中，所述電子發(fā)射子層是金屬單層。29.如權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述像素的陽極或陰極的至少一部分被所述結(jié)合破壞，使得所述發(fā)光元件不響應(yīng)正向偏壓而產(chǎn)生光。30.如權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述像素包括熔絲，該熔絲具有被所述結(jié)合充分減小的電導(dǎo)率。31.如權(quán)利要求23所述的方法，還包括多個(gè)像素。32.如權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述發(fā)光元件的尺寸小于或等于1μm。33.一種包括多個(gè)像素的光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)，每個(gè)像素包括發(fā)光元件，能響應(yīng)施加在該發(fā)光元件上的第一電壓而被禁止，還能響應(yīng)施加在該發(fā)光元件上的第二電壓而產(chǎn)生光；以及陰極和陽極，用于將電壓施加到所述發(fā)光元件上，其中，所述禁止發(fā)生在對所述發(fā)光元件施加所述第一電壓期間照射所述發(fā)光元件的時(shí)候，并且其中，所述禁止產(chǎn)生電流，該電流導(dǎo)致防止所述發(fā)光元件響應(yīng)施加在所述發(fā)光元件上的第二電壓而產(chǎn)生光的變化。34.如權(quán)利要求33所述的介質(zhì)，其中，所述變化導(dǎo)致所述發(fā)光元件不能響應(yīng)所述第二電壓而產(chǎn)生光。35.如權(quán)利要去34所述的介質(zhì)，其中，由于所述發(fā)光元件的pn結(jié)已被擊穿，因而所述發(fā)光元件不能響應(yīng)所述第二電壓而產(chǎn)生光。36.如權(quán)利要求35所述的介質(zhì)，其中，所述發(fā)光元件由發(fā)光有機(jī)聚合物材料制成。37.如權(quán)利要求33所述的介質(zhì)，其中，所述陰極包括具有低功函數(shù)和高載流子濃度的電子發(fā)射子層，該電子發(fā)射子層可以由所述電流改變，使得所述功函數(shù)增大，所述載流子濃度減小，增大的功函數(shù)和減小的載流子濃度防止所述發(fā)光元件響應(yīng)所述第二電壓而產(chǎn)生光。38.如權(quán)利要求37所述的介質(zhì)，其中，所述電子發(fā)射子層是金屬單層。39.如權(quán)利要求33所述的介質(zhì)，其中，所述陽極或陰極的至少一部分被所述電流破壞，使得所述發(fā)光元件不響應(yīng)所述第二電壓而產(chǎn)生光。40.如權(quán)利要求33所述的介質(zhì)，還包括熔絲，該熔絲具有被所述電流充分減小的電導(dǎo)率。41.如權(quán)利要求33所述的介質(zhì)，其中，所述改變可以并行地進(jìn)行。全文摘要反向偏壓結(jié)合選擇照射可以有選擇地將數(shù)據(jù)記錄到光學(xué)存儲(chǔ)器(300)中。由于可以并行地記錄數(shù)據(jù)，因而記錄處理可以很快完成。記錄處理產(chǎn)生用于改變元件的雪崩電流(208)。該變化可以是元件的損壞，也可以是屬性的改變，例如電導(dǎo)率或功函數(shù)(206)。文檔編號(hào)G11C13/04GK1543680SQ02816191公開日2004年11月3日申請日期2002年5月24日優(yōu)先權(quán)日2001年6月18日發(fā)明者博里斯·徹諾布羅德,弗拉迪米爾·施瓦茨,博里斯徹諾布羅德,米爾施瓦茨申請人:奧普泰拜特公司