專利名稱：半導(dǎo)體緩沖能力調(diào)整方法、電子系統(tǒng)和半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種調(diào)整半導(dǎo)體緩沖能力的半導(dǎo)體緩沖能力調(diào)整方法、電子系統(tǒng)和半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
近年來根據(jù)用途開發(fā)、制造了各種各樣的半導(dǎo)體器件。在半導(dǎo)體器件中，有連接于存儲(chǔ)器控制器上使用的單體半導(dǎo)體存儲(chǔ)器和將該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器搭載在多個(gè)基板上并模塊化的各種半導(dǎo)體器件。
為了保證一定量以上的穩(wěn)定的信號(hào)質(zhì)量，必須將半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)、制造成具有適度的緩沖能力。
例如在施加的負(fù)載大的情況下，寄生輸入電容增加，因?yàn)榘雽?dǎo)體輸入信號(hào)波形的上升沿平緩，則必須提高緩沖能力。另一方面，在施加的負(fù)載小的情況下，寄生輸入電容減少，半導(dǎo)體輸入信號(hào)波形的上升沿過陡，所以必須降低緩沖能力?？紤]到這些，所以應(yīng)將半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)、制造成其緩沖能力與應(yīng)連接于輸入側(cè)電路的負(fù)載對(duì)應(yīng)的適當(dāng)值。
因此，半導(dǎo)體器件的緩沖能力無論是高還是低都必須根據(jù)負(fù)載來適當(dāng)調(diào)定。
但是，在實(shí)際制造的半導(dǎo)體器件中，由于設(shè)計(jì)方法、制造方法、使用環(huán)境不同，所以電氣特性上也產(chǎn)生差異。例如，半導(dǎo)體器件的制造工序(蝕刻、蒸發(fā)等)的半導(dǎo)體或絕緣體的尺寸(厚度等)偏差產(chǎn)生特性差異。
作為特性差異的種類，例如半導(dǎo)體輸入電容差異、半導(dǎo)體內(nèi)部的箝位二極管的特性差異等。另外，還有傳遞半導(dǎo)體信號(hào)的印刷基板上的阻抗差異。
當(dāng)這種特性差異超過限度時(shí)，半導(dǎo)體器件的緩沖能力變動(dòng)，信號(hào)波形的質(zhì)量惡化。這導(dǎo)致半導(dǎo)體器件的誤操作或元件破壞。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種可通過適當(dāng)設(shè)定半導(dǎo)體器件的緩沖能力來提高信號(hào)波形質(zhì)量的半導(dǎo)體緩沖能力調(diào)整方法、電子系統(tǒng)和半導(dǎo)體器件。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種半導(dǎo)體器件，其特征在于具備存儲(chǔ)表示半導(dǎo)體器件緩沖能力的特性信息的存儲(chǔ)器，和讀取所述存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的所述特性信息用的端子。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種半導(dǎo)體器件，其特征在于具備存儲(chǔ)表示半導(dǎo)體器件的制造商、制造工場(chǎng)、制造批量、制造工藝中至少一個(gè)屬性信息的存儲(chǔ)器，和讀取所述存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的所述屬性信息用的端子，從所述存儲(chǔ)器中讀出的所述屬性信息用于調(diào)整所述半導(dǎo)體器件的緩沖能力。
根據(jù)本發(fā)明的再一方面，提供一種電子系統(tǒng)，其特征在于具備包括存儲(chǔ)表示半導(dǎo)體器件固有電氣特性的特性信息的存儲(chǔ)器的半導(dǎo)體器件，從所述存儲(chǔ)器中讀取所述特性信息用的部件，和使用所述讀取的特性信息來調(diào)整半導(dǎo)體器件的緩沖能力的部件。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種電子系統(tǒng)，其特征在于具備半導(dǎo)體器件、檢測(cè)所述半導(dǎo)體器件溫度的溫度傳感器，和根據(jù)所述溫度傳感器得到的溫度信息來調(diào)整所述半導(dǎo)體器件的緩沖能力的部件。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種半導(dǎo)體緩沖能力調(diào)整方法，調(diào)整半導(dǎo)體器件的緩沖能力，其特征在于將表示所述半導(dǎo)體器件固有電氣特性的特性信息預(yù)先存儲(chǔ)在該半導(dǎo)體器件的內(nèi)部，從所述存儲(chǔ)器中讀取所述特性信息，和使用所述讀取的特性信息來調(diào)整半導(dǎo)體器件的緩沖能力。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種半導(dǎo)體緩沖能力調(diào)整方法，調(diào)整半導(dǎo)體器件的緩沖能力，其特征在于從所述半導(dǎo)體器件中讀取表示該半導(dǎo)體器件固有電氣特性的特性信息，使用所述讀取的特性信息來調(diào)整半導(dǎo)體器件的緩沖能力。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種半導(dǎo)體緩沖能力調(diào)整方法，調(diào)整半導(dǎo)體器件的緩沖能力，其特征在于用溫度傳感器來檢測(cè)所述半導(dǎo)體器件的溫度，根據(jù)所述溫度傳感器得到的溫度信息來調(diào)整所述半導(dǎo)體器件的緩沖能力。
根據(jù)下面的描述來闡明本發(fā)明的其它目的和優(yōu)點(diǎn)，這些目的和優(yōu)點(diǎn)可從描述中變得明顯，或可通過本發(fā)明的實(shí)踐來獲得。通過下面特別指出的說明和結(jié)合可實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和優(yōu)點(diǎn)。


引入并構(gòu)成說明書一部分的下述

本發(fā)明的實(shí)施例，并與上面給出的概述和下面給出的實(shí)施例的具體描述一起來說明本發(fā)明的原理。
圖1是表示本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體緩沖能力調(diào)整系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖；圖2是表示圖1所示系統(tǒng)的變形例的圖；圖3是表示圖2所示系統(tǒng)的變形例的圖；圖4A-圖4C是說明半導(dǎo)體的輸入信號(hào)波形的圖；圖5是分類表示取得半導(dǎo)體器件特性差異信息的方法的圖；圖6是表示設(shè)置在圖1系統(tǒng)的存儲(chǔ)器控制器內(nèi)部的緩沖能力調(diào)整用電路的一構(gòu)成例的圖；圖7是說明圖1系統(tǒng)動(dòng)作的流程圖；和圖8是說明圖3系統(tǒng)動(dòng)作的流程圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照附圖來說明本發(fā)明的實(shí)施例。
圖1是表示本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體緩沖能力調(diào)整系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖。在圖1的系統(tǒng)中，安裝在存儲(chǔ)器模塊上的多個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器成為緩沖能力的調(diào)整對(duì)象。用例如個(gè)人計(jì)算機(jī)或便攜信息終端等電子設(shè)備的形式來實(shí)現(xiàn)該系統(tǒng)。
本系統(tǒng)具有安裝多個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器(DRAM等)1a-1d的存儲(chǔ)模塊2、主要進(jìn)行關(guān)于硬件結(jié)構(gòu)的設(shè)定處理的BIOS(基本輸入/輸出系統(tǒng))3、和通過存儲(chǔ)器總線來控制存儲(chǔ)器模塊2的數(shù)據(jù)輸入輸出的存儲(chǔ)器控制器4。
存儲(chǔ)器模塊2上的各半導(dǎo)體存儲(chǔ)器由于其設(shè)計(jì)階段或制造階段中的各種原因而產(chǎn)生電氣特性差異(例如半導(dǎo)體器件的輸入電容差異、半導(dǎo)體器件內(nèi)部的箝位二極管特性差異、傳遞半導(dǎo)體器件信號(hào)的印刷基板的阻抗差異等)。當(dāng)存在這種差異時(shí)，各半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的輸入信號(hào)波形質(zhì)量下降。例如，在圖4A-圖4C所示的輸入信號(hào)波形(三種)中，圖4A為期望波形，圖4B所示輸入信號(hào)波形的上升沿過陡，變?yōu)榫彌_能力過強(qiáng)的狀態(tài)，圖4C所示輸入信號(hào)波形上升沿平緩，為緩沖能力過弱的狀態(tài)。
考慮到這些，在本實(shí)施例中，在存儲(chǔ)器模塊2中安裝存儲(chǔ)表示半導(dǎo)體器件固有電氣特性或半導(dǎo)體器件緩沖能力的特性信息的ROM5。上述特性信息包含用數(shù)值等表現(xiàn)各半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的特性差異(例如半導(dǎo)體器件的輸入電容差異、半導(dǎo)體器件內(nèi)部的箝位二極管特性差異、傳遞半導(dǎo)體器件信號(hào)的印刷基板的阻抗差異等)的‘特性差異信息’。由此，通過參照ROM5中存儲(chǔ)的特性差異信息，可調(diào)整半導(dǎo)體器件的緩沖能力，得到適當(dāng)?shù)男盘?hào)質(zhì)量。上述特性差異信息是在半導(dǎo)體器件的制造階段中測(cè)定的數(shù)據(jù)，在產(chǎn)品出廠前存儲(chǔ)在ROM5中。
另外，在上述ROM5中存儲(chǔ)表示預(yù)先測(cè)定的各半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的‘轉(zhuǎn)換速率(slew rate)’、‘驅(qū)動(dòng)能力’、‘電壓振幅’、‘電流特性’等特性信息來代替特性差異信息。根據(jù)這種特性信息也可把握特性差異，可求出緩沖能力的最佳值。
另外，半導(dǎo)體器件的特性差異也可因‘制造商’、‘制造工廠’、‘制造批量’、‘制造工序’等而不同。雖然由于制造時(shí)的環(huán)境、裝置、條件不同而產(chǎn)生特性差異，但反之，若‘制造商’、‘制造工廠’、‘制造批量’、‘制造工序’相同，差異的傾向也相同。因此，最好在ROM5中存儲(chǔ)這些屬性信息來代替特性差異信息。
另外，也可在ROM5中同時(shí)存儲(chǔ)上述特性差異信息、特性信息、屬性信息。
BIOS3在啟動(dòng)時(shí)主要進(jìn)行關(guān)于硬件結(jié)構(gòu)的設(shè)定處理，此時(shí)通過邊頻帶總線和外部端子來讀取存儲(chǔ)在ROM5中的特性差異信息，根據(jù)該特性差異信息，求出各半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的緩沖能力最佳值，通過本地總線來對(duì)存儲(chǔ)器控制器4進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整半導(dǎo)體存儲(chǔ)器1a-1d的緩沖能力的設(shè)定處理。
例如，BIOS3對(duì)圖4B所示輸入信號(hào)波形的上升沿過陡、緩沖能力過高狀態(tài)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器進(jìn)行降低緩沖能力的設(shè)定處理。另一方面，對(duì)圖4C所示輸入信號(hào)波形的上升沿平緩、緩沖能力過低狀態(tài)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器進(jìn)行提高緩沖能力的設(shè)定處理。
BIOS3進(jìn)行的上述處理也可通過OS下管理的應(yīng)用程序等來進(jìn)行。
存儲(chǔ)器控制器4根據(jù)BIOS3設(shè)定的內(nèi)容，向存儲(chǔ)器模塊2(各半導(dǎo)體存儲(chǔ)器)提供使各半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的緩沖能力變得適當(dāng)?shù)男盘?hào)強(qiáng)度的信號(hào)。
例如，在BIOS3進(jìn)行降低緩沖能力的設(shè)定處理的情況下，存儲(chǔ)器控制器4降低提供給對(duì)應(yīng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的信號(hào)強(qiáng)度。另一方面，在BIOS3進(jìn)行提高緩沖能力的設(shè)定處理的情況下，存儲(chǔ)器控制器4提高提供給對(duì)應(yīng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的信號(hào)強(qiáng)度。
圖2是表示圖1所示系統(tǒng)的變形例的圖。對(duì)與圖1相同的結(jié)構(gòu)要素附以相同符號(hào)，省略具體說明。
針對(duì)圖1系統(tǒng)中安裝在存儲(chǔ)器模塊上的多個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器1a-1d是緩沖能力的調(diào)整對(duì)象，圖2的系統(tǒng)中，單體的存儲(chǔ)器模塊1成為緩沖能力的調(diào)整對(duì)象。
另外，雖然在圖1的系統(tǒng)中ROM5中存儲(chǔ)各半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的特性差異信息，但在圖2的系統(tǒng)中，在該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器1的內(nèi)部存儲(chǔ)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器1的特性差異信息。即，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器1具有存儲(chǔ)特性差異信息的存儲(chǔ)部。特性差異信息是在制造階段事先測(cè)定的數(shù)據(jù)，在產(chǎn)品出廠前存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部中。
另外，也可在上述存儲(chǔ)部存儲(chǔ)表示預(yù)先測(cè)定的各半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的‘轉(zhuǎn)換速率’、‘驅(qū)動(dòng)能力’、‘電壓振幅’、‘電流特性’等特性信息來代替特性差異信息，另外，也可存儲(chǔ)表示‘制造商’、‘制造工廠’、‘制造批量’、‘制造工藝’等的屬性信息。也可同時(shí)在存儲(chǔ)部中存儲(chǔ)上述特性差異信息、特性信息、屬性信息。
BIOS3在啟動(dòng)時(shí)主要通過邊頻帶總線和外部端子從半導(dǎo)體存儲(chǔ)器1內(nèi)的存儲(chǔ)部讀取特性差異信息，根據(jù)該特性差異信息，求出半導(dǎo)體存儲(chǔ)器1的緩沖能力最佳值，通過本地總線來對(duì)存儲(chǔ)器控制器4進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器1的緩沖能力的設(shè)定處理。
存儲(chǔ)器控制器4根據(jù)BIOS3設(shè)定的內(nèi)容，向半導(dǎo)體存儲(chǔ)器1提供使半導(dǎo)體存儲(chǔ)器1的緩沖能力變得適當(dāng)?shù)男盘?hào)強(qiáng)度的信號(hào)。
圖3是表示圖2所示系統(tǒng)的變形例的圖。對(duì)與圖2相同的結(jié)構(gòu)要素附以相同符號(hào)，省略具體說明。
在圖2的系統(tǒng)中，根據(jù)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器1的存儲(chǔ)部中存儲(chǔ)的特性差異信息來求出緩沖能力的最佳值，但在圖3的系統(tǒng)中，在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器1的附近設(shè)置檢測(cè)該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器1溫度的溫度傳感器6，根據(jù)溫度傳感器6得到的溫度信息來求出緩沖能力的最佳值。
半導(dǎo)體特性不僅源于制造工序等，也源于溫度變化。在導(dǎo)體中通過電子時(shí)，若溫度高，則串聯(lián)電阻變大。在圖3的系統(tǒng)中，根據(jù)溫度信息可求出緩沖能力的最佳值。
BIOS3在啟動(dòng)時(shí)從溫度傳感器6中讀取半導(dǎo)體存儲(chǔ)器1的溫度信息，根據(jù)溫度信息，求出半導(dǎo)體存儲(chǔ)器1的緩沖能力最佳值，通過本地總線來對(duì)存儲(chǔ)器控制器4進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器1的緩沖能力的設(shè)定處理。
存儲(chǔ)器控制器4根據(jù)BIOS3設(shè)定的內(nèi)容向半導(dǎo)存儲(chǔ)器1提供使半導(dǎo)體存儲(chǔ)器1的緩沖能力變得適當(dāng)?shù)男盘?hào)強(qiáng)度的信號(hào)。
也可組合圖2的結(jié)構(gòu)和圖3的結(jié)構(gòu)，合用特性差異信息和溫度信息來求出緩沖能力的最佳值。
圖5是分類表示取得半導(dǎo)體器件特性差異信息的方法的圖。
符號(hào)A表示將半導(dǎo)體器件的特性差異信息存儲(chǔ)在規(guī)定的存儲(chǔ)媒體(磁存儲(chǔ)裝置等)中，必要時(shí)讀取特性差異信息的方法。作為此時(shí)的存儲(chǔ)媒體，只要可存儲(chǔ)并讀取信息就可，而無論種類如何。
符號(hào)B表示用規(guī)定的元件部分來保存半導(dǎo)體器件的特性差異信息，必要時(shí)讀取特性差異信息的方法。例如，可使用電阻和熔絲通過由信號(hào)的高/低組合構(gòu)成的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)來表現(xiàn)特性差異信息，并可通過將無源元件的常數(shù)設(shè)定為規(guī)定值來表現(xiàn)特性差異信息。作為此時(shí)的元件部分，只要可存儲(chǔ)并讀取信息就可，而無論種類如何。
符號(hào)C表示將半導(dǎo)體器件的特性差異信息保存在半導(dǎo)體器件自身中，必要時(shí)讀取特性差異信息的方法。在半導(dǎo)體器件內(nèi)可內(nèi)置使用上述符號(hào)A和B方法的存儲(chǔ)媒體和元件部分。因此，因?yàn)橐跃瑸閱挝粚?shí)施半導(dǎo)體的制造處理，所以在相同的晶片、管芯中差異傾向相同。因此，在半導(dǎo)體器件內(nèi)形成無源部件，通過調(diào)整其值，可獲知半導(dǎo)體器件自身的特性差異。
符號(hào)D表示使半導(dǎo)體器件實(shí)際動(dòng)作，通過進(jìn)行波形測(cè)定，來得到特性差異信息的方法。例如，通過使用公知的時(shí)域反射率測(cè)定法(TDRTime DomainReflectometry)技術(shù)，驅(qū)動(dòng)緩沖器，測(cè)量返回到緩沖器的反射波，可獲知半導(dǎo)體器件的差異。另外，通過使緩沖器的輸出定時(shí)變化，調(diào)整數(shù)據(jù)傳送的成功/失敗的交界，可獲知半導(dǎo)體器件的差異。
圖6是表示設(shè)置在圖1系統(tǒng)的存儲(chǔ)器控制器4內(nèi)部的緩沖能力調(diào)整用電路的一構(gòu)成例的圖。為了簡(jiǎn)化說明，在該圖中僅表示對(duì)應(yīng)于一個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的電路結(jié)構(gòu)，但實(shí)際上設(shè)置與成為調(diào)整對(duì)象的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器數(shù)量相同數(shù)量的調(diào)整用電路。
在存儲(chǔ)器控制器4的內(nèi)部設(shè)置寄存器41、信號(hào)控制部42、驅(qū)動(dòng)器43等。
寄存器41用于設(shè)定調(diào)整半導(dǎo)體器件緩沖能力的緩沖能力調(diào)整用數(shù)據(jù)?？赏ㄟ^BIOS3等軟件來執(zhí)行對(duì)該寄存器41的設(shè)定處理。
信號(hào)控制部42根據(jù)寄存器41中設(shè)定的數(shù)據(jù)內(nèi)容來控制驅(qū)動(dòng)器43的信號(hào)輸出。
信號(hào)控制部42控制驅(qū)動(dòng)器43，變更并輸出應(yīng)提供給半導(dǎo)體器件的信號(hào)強(qiáng)度。
上述電路結(jié)構(gòu)也適用于圖2或圖3的系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器控制器4。
下面參照?qǐng)D7來說明圖1系統(tǒng)的動(dòng)作。
當(dāng)系統(tǒng)電源接通時(shí)(步驟A1)，BIOS3啟動(dòng)(步驟A2)。因此，進(jìn)行關(guān)于系統(tǒng)內(nèi)硬件的設(shè)定處理。此時(shí)，BIOS3讀取存儲(chǔ)器模塊2的ROM5中存儲(chǔ)的特性差異信息(步驟A3)。
BIOS3根據(jù)讀取的特性差異信息導(dǎo)出各半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的緩沖能力的最佳值(步驟A4)，對(duì)存儲(chǔ)器控制器4進(jìn)行將半導(dǎo)體存儲(chǔ)器1a-1d的緩沖能力調(diào)整到適當(dāng)?shù)脑O(shè)定處理(步驟A5)。
當(dāng)對(duì)存儲(chǔ)器控制器4進(jìn)行設(shè)定處理時(shí)，根據(jù)設(shè)定內(nèi)容，從存儲(chǔ)器控制器4向半導(dǎo)體存儲(chǔ)器1提供將半導(dǎo)體存儲(chǔ)器1的緩沖能力調(diào)整到適當(dāng)?shù)男盘?hào)強(qiáng)度信號(hào)(步驟A6)。
將上述步驟A4中導(dǎo)出的緩沖能力最佳值存儲(chǔ)在規(guī)定的存儲(chǔ)部中，當(dāng)下次啟動(dòng)系統(tǒng)時(shí)不進(jìn)行從ROM5的讀取處理，可以使用保存的最佳值來進(jìn)行對(duì)存儲(chǔ)器控制器4的設(shè)定處理。
圖2的系統(tǒng)動(dòng)作與圖1的系統(tǒng)動(dòng)作相同。只是，緩沖能力的調(diào)整對(duì)象變?yōu)橐粋€(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器1。另外，因?yàn)樘匦圆町愋畔⒋鎯?chǔ)在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器1內(nèi)的存儲(chǔ)部中，所以從該存儲(chǔ)部中讀取特性差異信息。
下面參照?qǐng)D8來說明圖3系統(tǒng)的動(dòng)作。
當(dāng)系統(tǒng)電源接通時(shí)(步驟B1)，BIOS3啟動(dòng)(步驟B2)。由此，進(jìn)行關(guān)于系統(tǒng)內(nèi)硬件的設(shè)定處理。此時(shí)，BIOS3根據(jù)檢測(cè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器1的溫度的溫度傳感器來讀取溫度信息(步驟B3)。
之后，BIOS3根據(jù)讀取的溫度信息導(dǎo)出各半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的緩沖能力的最佳值(步驟B4)，對(duì)存儲(chǔ)器控制器4進(jìn)行將半導(dǎo)體存儲(chǔ)器1a-1d的緩沖能力調(diào)整到適當(dāng)?shù)脑O(shè)定處理(步驟B5)。
當(dāng)對(duì)存儲(chǔ)器控制器4進(jìn)行設(shè)定處理時(shí)，根據(jù)設(shè)定內(nèi)容，從存儲(chǔ)器控制器4向半導(dǎo)體存儲(chǔ)器1提供將半導(dǎo)體存儲(chǔ)器1的緩沖能力調(diào)整到適當(dāng)?shù)男盘?hào)強(qiáng)度信號(hào)(步驟B6)。
由此，根據(jù)本實(shí)施例，將存儲(chǔ)器模塊或半導(dǎo)體存儲(chǔ)器等半導(dǎo)體器件的特性差異信息或特性信息、屬性信息事先保存在規(guī)定的位置，在使用半導(dǎo)體器件時(shí)，通過參照該信息，可適當(dāng)設(shè)定半導(dǎo)體器件的緩沖能力。另外，通過使半導(dǎo)體器件實(shí)際動(dòng)作，測(cè)定波形，得到的特性差異信息可適當(dāng)設(shè)定半導(dǎo)體器件的緩沖能力。另外，通過利用半導(dǎo)體器件的溫度信息，可適當(dāng)設(shè)定半導(dǎo)體器件的緩沖能力。由此，可得到適合半導(dǎo)體器件的信號(hào)質(zhì)量，可實(shí)現(xiàn)防止該半導(dǎo)體器件的誤操作和元件破壞。
本發(fā)明不限于上述實(shí)施例，在不脫離其精神的范圍內(nèi)可進(jìn)行各種變更來實(shí)施。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，適當(dāng)設(shè)定半導(dǎo)體器件的緩沖能力，可提高信號(hào)波形的質(zhì)量。
其它優(yōu)點(diǎn)和變更對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言是顯而易見的。因此，本發(fā)明在其寬的方面不限于這里表示和描述的特定細(xì)節(jié)和相應(yīng)實(shí)施例。因此，在不脫離下面的權(quán)利要求和其等效描述定義的一般發(fā)明概念的精神或范圍下可進(jìn)行各種變更。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于具備存儲(chǔ)表示半導(dǎo)體器件緩沖能力的特性信息的存儲(chǔ)器、和讀取所述存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的所述特性信息用的端子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于所述存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的所述特性信息相當(dāng)于在所述半導(dǎo)體器件制造階段測(cè)定的數(shù)據(jù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于所述存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的所述特性信息表示半導(dǎo)體器件的轉(zhuǎn)換速率、驅(qū)動(dòng)能力、電壓振幅、電流特性中的至少一個(gè)。
4.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于具備存儲(chǔ)表示半導(dǎo)體器件的制造商、制造工場(chǎng)、制造批量、制造工藝中至少一個(gè)屬性信息的存儲(chǔ)器、和讀取所述存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的所述屬性信息用的端子，從所述存儲(chǔ)器中讀出的所述屬性信息用于調(diào)整所述半導(dǎo)體器件的緩沖能力。
5.一種電子系統(tǒng)，其特征在于具備包括存儲(chǔ)表示半導(dǎo)體器件固有電氣特性的特性信息的存儲(chǔ)器的半導(dǎo)體器件、從所述存儲(chǔ)器中讀取所述特性信息用的部件、和使用所述讀取的特性信息來調(diào)整半導(dǎo)體器件的緩沖能力的部件。
6.一種電子系統(tǒng)，其特征在于具備半導(dǎo)體器件、檢測(cè)所述半導(dǎo)體器件溫度的溫度傳感器，和根據(jù)所述溫度傳感器得到的溫度信息來調(diào)整所述半導(dǎo)體器件的緩沖能力的部件。
7.一種半導(dǎo)體緩沖能力調(diào)整方法，調(diào)整半導(dǎo)體器件的緩沖能力，其特征在于將表示所述半導(dǎo)體器件固有電氣特性的特性信息存儲(chǔ)在該半導(dǎo)體器件的內(nèi)部，從所述存儲(chǔ)器中讀取所述特性信息，使用所述讀取的特性信息來調(diào)整半導(dǎo)體器件的緩沖能力。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體緩沖能力調(diào)整方法，其特征在于所述特性信息相當(dāng)于在所述半導(dǎo)體器件制造階段測(cè)定的數(shù)據(jù)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體緩沖能力調(diào)整方法，其特征在于所述特性信息表示半導(dǎo)體器件的轉(zhuǎn)換速率、驅(qū)動(dòng)能力、電壓振幅、電流特性中的至少一個(gè)。
10.一種半導(dǎo)體緩沖能力調(diào)整方法，調(diào)整半導(dǎo)體器件的緩沖能力，其特征在于從所述半導(dǎo)體器件中讀取表示該半導(dǎo)體器件固有電氣特性的特性信息，使用所述讀取的特性信息來調(diào)整半導(dǎo)體器件的緩沖能力。
11.一種半導(dǎo)體緩沖能力調(diào)整方法，調(diào)整半導(dǎo)體器件的緩沖能力，其特征在于用溫度傳感器來檢測(cè)所述半導(dǎo)體器件的溫度，根據(jù)所述溫度傳感器得到的溫度信息來調(diào)整所述半導(dǎo)體器件的緩沖能力。
全文摘要
在存儲(chǔ)模塊(2)中安裝存儲(chǔ)用數(shù)值等表現(xiàn)各半導(dǎo)體存儲(chǔ)器(1a－1d)特性差異的特性差異信息的ROM(5)。特性差異信息是在例如半導(dǎo)體器件的制造階段測(cè)定的數(shù)據(jù)。BIOS(3)在啟動(dòng)時(shí)讀取存儲(chǔ)在ROM(5)中的特性差異信息，根據(jù)該特性差異信息，求出各半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的緩沖能力最佳值，通過本地總線來對(duì)存儲(chǔ)器控制器(4)進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整各半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的緩沖能力用的設(shè)定處理。存儲(chǔ)器控制器(4)根據(jù)BIOS(3)設(shè)定的內(nèi)容，向存儲(chǔ)器模塊(2)提供適合于各半導(dǎo)體存儲(chǔ)器緩沖能力的信號(hào)強(qiáng)度的信號(hào)。
文檔編號(hào)G11C16/02GK1427348SQ0214988
公開日2003年7月2日 申請(qǐng)日期2002年7月5日 優(yōu)先權(quán)日2001年7月5日
發(fā)明者蜂谷尚悟 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝