專利名稱：光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備以及像差調(diào)正方法
背景技術(shù)：
相關(guān)技術(shù)描述迄今為止，人們已經(jīng)對作為一種信息信號的記錄介質(zhì)的光盤進行了提高其記錄密度的多種嘗試。例如，就具有大約65mm直徑的磁光盤來講，有人提議將承載信息信號的記錄軌道的磁道間距由1.6μm減小到0.95μm，用以將記錄密度增加到原先的大約5倍。
為了在具有上述道間距減小的磁光盤上記錄信息信號，以及為了再現(xiàn)記錄下的信息信號，掃描磁光盤上形成的記錄軌道的光束的光點直徑必須更小。其理由是，假如光束的光點直徑變得比記錄軌道的道間距大，那么就不能準確地探測記錄軌道，由此則不能在期望的記錄軌道上記錄或者再現(xiàn)信息信號。
因此，有人建議利用一種具有設(shè)計用于輻射短波光束的光源的光拾取裝置，來減小照射在磁光盤上的光束的光點直徑。假如將輻射短波光束的光拾取裝置用于記錄和/或再現(xiàn)磁光盤，因為光束的光點直徑明顯小于記錄軌道的寬度，就不能準確地探測期望的記錄軌道，因此不能準確地記錄和/或再現(xiàn)信息信號。
為了識別記錄軌道的道間距值，以最終能夠用通用的光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備記錄和/或再現(xiàn)具有不同記錄密度的多種類型的磁光盤，已經(jīng)有人建議一種光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備，其包括一個具有多個光源的光拾取裝置，每個光源都輻射一個短波光束和一個長波光束。
這種光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備設(shè)計為在多個光源之間切換以輻射不同波長的光束，使其適于多種類型的磁光盤，所述多種類型的磁光盤的記錄軌道具有互不相同的道間距值。
對于具有1.6μm道間距的磁光盤，雙折射比具有0.95μm道間距的磁光盤更顯著，且因此當光束沿著光徑傳送到磁光盤時在光學系統(tǒng)中產(chǎn)生了象散差。因此，光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備用于具有1.6μm磁道間距的磁光盤時，監(jiān)控關(guān)于整個光學系統(tǒng)的這種象散差的值。另一方面，對于具有0.95μm磁道間距的磁光盤，其雙折射小于具有1.6μm磁道間距的磁光盤，因此在光學系統(tǒng)中的象散差減低了。關(guān)于上述的光拾取裝置，其具有多個光源，該裝置自身尺寸增大了，使其難以用于需要減小尺寸的光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備中。
關(guān)于輻射例如約650nm的短波光束的半導體激光器，其功率消耗大于輻射例如約780nm的長波光束的半導體激光器。使用具有較大功率消耗的半導體激光器的光拾取裝置，不適合于靠電池供電的便攜式光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備。另外，關(guān)于具有較大功率消耗的半導體激光器，溫度系數(shù)較大且經(jīng)受很大的自身加熱，因此，當將該半導體激光器安裝到光拾取裝置上時，需要消除熱輻射的措施，以使得當將該半導體激光器安裝到光拾取裝置上時，光束的振蕩穩(wěn)定，其結(jié)果是難于減小光拾取裝置的尺寸和厚度。
而且，輻射短波光束的半導體激光器比適合于以780nm波長振蕩光束的半導體激光器(其使用廣泛)更貴些，因此，假如使用這種半導體激光器，就不可能減少光拾取裝置以及光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備的費用。
假如，使用用于具有0.95μm道間距的磁光盤的光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備，在具有1.6μm磁道間距的磁光盤上記錄或者再現(xiàn)信息信號，就會出現(xiàn)如下的問題在記錄和/或再現(xiàn)光學系統(tǒng)中易于產(chǎn)生象散差。
假如，在用于具有0.95μm磁道間距的磁光盤的記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備中，在具有1.6μm磁道間距的磁光盤上記錄或者再現(xiàn)信息信號，就會出現(xiàn)如下的問題在上述象散差的影響下，在檢測ADER(累進的地址誤差率)即ADIP(槽前地址)誤差率的聚焦偏差的最佳點，和具有0.95μm磁道間距的磁光盤的RF信號(再生信號)的聚焦偏差的最佳點之間，產(chǎn)生一個差值。
相對于適合對具有0.95μm磁道間距的磁光盤進行記錄和/或再現(xiàn)信息信號的光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備的聚焦偏差，尤其有必要對適合對具有1.6μm磁道間距的磁光盤進行記錄和/或再現(xiàn)信息信號的聚焦偏差進行電補償。
但是，由于存在于各自不同的記錄和/或再現(xiàn)系統(tǒng)中的象散差不同，最佳補償量也各不相同，從而難于補償校正。
還存在這種情況，其中，由于磁光盤外形變化或者磁光盤傾斜放置，光束不是以正確的角度入射到磁光盤的記錄表面。假使這樣，這里就出現(xiàn)了一個問題入射到磁光盤記錄表面的光束就不會沿著與光盤記錄表面垂直的方向反射，于是該反射光束就會產(chǎn)生彗形像差，從而有損信息信號的讀出效率。
因此本發(fā)明的一個目的是提供一種記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備，其中，該設(shè)備尺寸與厚度可以進一步減小，而且，可以在具有0.95μm磁道間距的磁光盤與具有1.6μm磁道間距的磁光盤上記錄或者再現(xiàn)信息信號。本發(fā)明的另一個目的是提供一種對這種記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備校正像差的方法。
本發(fā)明的概述為達到上述目的，依照本發(fā)明的光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備包括用于輻射具有約780nm波長光束的光源，具有約0.62數(shù)值孔徑NA且用于將光源輻射的光束會聚照射到光盤上的物鏡，用于形成照射到光盤的光束中的像差的像差形成裝置，以及用于接收來自光盤的反射光的光接收裝置。依據(jù)盤片識別裝置識別出的盤片種類，像差形成裝置用于修正在光束中產(chǎn)生的不同種類的像差，以便對光盤進行信息信號記錄和/或再現(xiàn)。
依照本發(fā)明的光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備對具有不同的道間距值的多種類型的光盤記錄或再現(xiàn)信息信號，同時對光學系統(tǒng)中產(chǎn)生的象散差與彗形像差進行校正，以實現(xiàn)對具有不同的道間距值的多種類型的光盤進行信息信號最優(yōu)化記錄和/或再現(xiàn)。
依照本發(fā)明的像散校正方法用于一種光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備，該設(shè)備具有用于輻射具有約780nm波長光束的光源，具有約0.62數(shù)值孔徑NA且用于將光源輻射的光束會聚，從而把得到的會聚光照射到光盤上的物鏡，用于形成照射到光盤的光束中的像差的像差形成裝置，以及用于接收來自光盤的反射光的光接收裝置。該像散校正方法包含第一像散生成裝置校正步驟，將具有不同記錄軌道道間距值因而具有不同的記錄密度值的多個光盤中具有較小道間距值的一張載入設(shè)備中，驅(qū)動像差形成裝置，且基于利用光接收裝置從光盤中讀出的信息信號校正彗形像差；以及第二像散生成裝置校正步驟，將具有較大道間距值的光盤載入設(shè)備中，驅(qū)動像差形成裝置，且基于利用光接收裝置從光盤中讀出的信息信號校正彗形像差。
利用本發(fā)明的像散校正方法，對具有不同道間距值的多種類型的光盤記錄或再現(xiàn)信息信號，同時校正象散差與彗形像差以便對具有不同的道間距值的多種類型的光盤進行信息信號最優(yōu)化記錄和/或再現(xiàn)。
附圖的簡要說明

圖1是顯示應(yīng)用本發(fā)明像散校正方法的光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備的方框圖。
圖2是顯示第一磁光盤記錄軌道的示意平面圖。
圖3是顯示第二磁光盤記錄軌道的示意平面圖。
圖4是顯示用于本發(fā)明的液晶器件的透視圖。
圖5是顯示設(shè)置在液晶器件上的每個電極圖形的示意平面圖。
圖6是顯示透過液晶器件的光束的與液晶分子取向相同的偏振分量和同一光束的與液晶分子取向垂直的偏振分量之間相位差隨著施加到液晶器件上的驅(qū)動電壓變化的曲線圖。
圖7是顯示讀出RF信號時的抖動隨著施加到液晶器件上的驅(qū)動電壓變化的曲線圖。
圖8是顯示RF信號誤差率隨著施加到液晶器件的跨過第一與第二電極圖形和公共電極圖形上的驅(qū)動電壓變化的曲線圖。
圖9是顯示用于本發(fā)明的像散校正裝置的構(gòu)造的方框圖。
圖10是顯示ADER隨著施加到液晶器件的跨過第一電極圖形和公共電極圖形上的驅(qū)動電壓變化的曲線圖。
圖11是顯示依照本發(fā)明的像散校正方法的流程圖。
圖12是顯示設(shè)置在液晶器件上的每個電極圖形的另一個實施例的透視平面圖。
優(yōu)選實施例的描述參照附圖，將詳細闡明本發(fā)明的優(yōu)選實施例。應(yīng)該注意到，本發(fā)明不局限于這里闡明的實施例，而且可以作不背離其范圍的適當修改。
圖1顯示了本發(fā)明具體實施的光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備的示意性構(gòu)造。
本發(fā)明光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備1包括光拾取裝置3，其具有一個光學系統(tǒng)(未示出)，用于將光束照射到作為記錄介質(zhì)的磁光盤2上，以及用于探測從磁光盤2反射回來的光束；磁頭4，其用于施加根據(jù)要記錄到磁光盤2上的信息信號調(diào)制的外加磁場；以及主軸馬達5，其抓住磁光盤且用于象用于旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)機構(gòu)那樣驅(qū)動這個磁光盤。
在具體實施本發(fā)明的光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備1中，面對著光拾取裝置3且中間隔著磁光盤2安裝磁頭4，并且和光拾取裝置3的移動保持同步一致的磁頭4可以在磁光盤2的內(nèi)緣和外緣之間移動。
這樣設(shè)置在光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備1中的光拾取裝置3包括半導體激光器11，作為輸出光束的光源，輸出的光束照射在磁光盤2的信號記錄表面上。
這個半導體激光器11輻射的光束的波長大約為780nm，該激光器廣泛地用為光拾取裝置的光源，所述光拾取裝置用于從具有記錄軌道道間距約1.6μm的光盤讀取信息。
光拾取裝置3在半導體激光器11一邊按照由半導體激光器11開始的次序依次包括光柵12和光束分離器13。
光柵12將半導體激光器11輻射的光束L1分離為一個主光束和兩個輔助光束，用于通過三光束法獲得軌道誤差信號。
光束分離器13將照射在磁光盤2上的光束和從磁光盤2反射回來的光束分離開。同時，這里使用一個渥拉斯頓棱鏡的組合棱鏡作為光束分離器13。
光拾取裝置3包括準直棱鏡14，其用于使以預定輻射角從半導體激光器11輻射的光束準直；和物鏡15，其用于會聚由棱鏡14準直過的光束且用于將會聚的光束照射到磁光盤2的信號記錄表面上(當沿著來自半導體激光器11的光束由光束分離器13傳送過來的方向來看時，光束是沿著這個次序來傳送的)。
光拾取裝置3還包括檢偏器16，其用于將返回光束的克爾旋轉(zhuǎn)角轉(zhuǎn)換為輸出光強度；復合棱鏡17；以及光檢測器18，其作為光接收裝置用于接收由磁光盤2反射回來且通過檢偏器16以及復合棱鏡17的光束(當沿著反射由磁光盤2反射回來的光束分離器13返回光束的方向來看時，光束是沿著這個次序來傳送的)。
這些部件中，根據(jù)歸因于接收到的由磁光盤2反射返回的光束的偏振面旋轉(zhuǎn)角的差的光量變化，光檢測器18將記錄在磁光盤2上的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為輸出電信號。
同時，數(shù)值孔徑NA約為0.62的物鏡用作物鏡15，用于將光束會聚到磁光盤2上。具有780nm波長的光束，透射過物鏡15被會聚并照射到磁光盤2上，形成一個聚束光點，在聚焦點的光點直徑約為1.53μm。也就是，數(shù)值孔徑NA約為0.62的物鏡15將具有780nm波長的光束會聚，且在物鏡15的聚焦點照射到磁光盤2的信號記錄表面上，以致形成光點直徑約為1.53μm的聚束光點。
應(yīng)該注意到，在直徑約64mm的磁光盤2中，具有140MB記錄容量的第一磁光盤2a的記錄軌道21，如圖2所示，形成的道間距Tp1約1.6μm。這個記錄軌道21包括作為數(shù)據(jù)記錄區(qū)的凹槽21G，以及在槽21G兩邊的波動的凸區(qū)21L，用于產(chǎn)生軌道控制和地址探測信號。
在直徑約64mm的磁光盤2中，具有650MB記錄容量的第二磁光盤2b的記錄軌道22，如圖3所示，形成的道間距Tp2約0.95μm。這個記錄軌道22包括數(shù)據(jù)記錄區(qū)凸區(qū)22L；位于凸區(qū)22L一側(cè)的凹槽22G1，其用于界定記錄軌道22；以及位于凸區(qū)22L另一側(cè)的波動的凹槽22G2，其用于產(chǎn)生軌道控制和地址探測的信號。
應(yīng)該注意到，為了優(yōu)選地在磁光盤2的所希望的記錄軌道上記錄和/或再現(xiàn)信息信號，由光拾取設(shè)備3發(fā)射出的光束需要準確地掃描磁光盤2的記錄軌道。為了使該光束準確掃描磁光盤2的記錄軌道，至少需要生成軌道控制信號以便光束掃描位置能夠基于這個軌道控制信號得到控制。即，為了使該光束通過軌道控制信號準確掃描記錄軌道，該光束需要照射到記錄軌道的整個寬度上，以便探測波動的凸區(qū)21L、22L或凹槽22G、22G1和22G2。
利用光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備1，通過由作為單一光源的半導體激光器11射出的單一光束，在具有1.6μm道間距的第一磁光盤2a上記錄信息信號或由第一磁光盤2a再現(xiàn)信息信號、以及在具有0.95μm道間距的第二磁光盤2b上記錄信息信號或由第二磁光盤2b再現(xiàn)信息信號。
同樣，利用依照本發(fā)明的光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備1，作為產(chǎn)生像差的裝置的液晶器件31設(shè)置在會聚透鏡14和物鏡15之間。這個液晶器件31用于校正象散差和彗形像差，以便校正光束直徑，在具有1.6μm道間距的第一磁光盤2a上記錄和/或者由第一磁光盤2a再現(xiàn)信息信號，以及在具有0.95μm道間距的第二磁光盤2b上記錄和/或者由第二磁光盤2b再現(xiàn)信息信號。
特別地，液晶器件31的第一電極板33和第二電極板34設(shè)置液晶板32的兩側(cè)，如圖4和5所示，液晶板32中密封著液晶分子。
在這些電極板中，第一電極板33包括一對位于圓孔35兩邊的電極圖形，光束從圓孔35中穿過作為參考光。這兩個電極圖形中的一個稱為第一電極圖形36a，另一個稱為第二電極圖形36b。
在第一電極板33上，一對電極圖形形成在第一電極圖形36a和第二電極圖形36b的外側(cè)。形成在第一電極圖形36a外側(cè)的電極圖形是第三電極圖形36c，而形成在第二電極圖形36b外側(cè)的電極圖形是第四電極圖形36d。
在這些第一至第四電極圖形之間和周圍形成的電極圖形稱為第五電極圖形37。
在第二電極板34上形成公共電極圖形37，正對著這些第一至第五電極圖形36a至36e。
跨在第一至第五電極圖形36a至36e和公共電極圖形37上由液晶驅(qū)動單元(未示出，與各個電極圖形相連接)施加電壓相同或不同的驅(qū)動電壓。通過在各個電極圖形上施加的驅(qū)動電壓，驅(qū)動電壓施加到液晶板32上，用以在液晶板32中改變液晶分子取向。
因此，利用本發(fā)明光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備1，由半導體激光器11射出的光束的光束直徑可通過液晶器件31得到校正，以達到信息信號在具有1.6μm道間距的第一磁光盤2a上的最佳記錄和/或由第一磁光盤2a的最佳再現(xiàn)、以及在具有0.95μm道間距的第二磁光盤2b上的最佳記錄和/或由第二磁光盤2b的最佳再現(xiàn)。
在液晶器件31中，驅(qū)動電壓VLC1、VLC2、VLC3、VLC4和VLC5，施加在第一至第五電極圖形36a至36e以及公共電極圖形37上，它們施加在各個電極圖形上，由此相應(yīng)于各個驅(qū)動電壓VLC1至VLC5改變各自的液晶分子的取向。利用液晶分子取向這樣的改變，光束通過液晶器件31產(chǎn)生相位差。這個相位差，取決于施加到液晶器件31上的各個驅(qū)動電壓VLC1至VLC5，其是在與液晶器件31取向方向相同的偏振光分量和與液晶器件31取向方向相垂直的偏振光分量之間產(chǎn)生的，且對于各個電極圖形局部地設(shè)定不同的值，各個電極圖形是第一至第五驅(qū)動電壓VLC1至VLC5的不同值的函數(shù)。液晶器件31將上述的相位差合成為由光學系統(tǒng)產(chǎn)生的象散差與彗形像差，以校正各個驅(qū)動電壓VLC1至VLC5，由此經(jīng)物鏡15調(diào)節(jié)的聚束光點的波前像差的RMS(均方根)值將為最小值。
在光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備1中，假設(shè)在具有1.6μm道間距的第一磁光盤2a上記錄信息信號或由第一磁光盤2a再現(xiàn)信息信號，將分別施加到液晶器件31第一、第二與第五電極圖形36a、36b與36e上的驅(qū)動電壓VLC1、VLC2與VLC5設(shè)定為特定的相同電壓，同時將施加到第三與第四電極圖形36c、36d的驅(qū)動電壓VLC3與VLC4設(shè)定為與驅(qū)動電壓VLC1、VLC2與VLC5不同的同一電壓，由此在光束中產(chǎn)生象散差，控制光點直徑，校正象散差。
假設(shè)在具有0.95μm道間距的第二磁光盤2b上記錄或由第二磁光盤2b再現(xiàn)信息信號，則調(diào)整施加到液晶器件31各個電極圖形上的各個驅(qū)動電壓VLC1至VLC5以便不在光束中產(chǎn)生象散差。其理由是，具有0.95μm道間距的第二磁光盤2b只經(jīng)受較小程度的雙折射且因此僅僅產(chǎn)生很小的象散差。尤其，施加到第一與第四電極圖形36a、36d的驅(qū)動電壓VLC1、VLC4和施加到第二與第三電極圖形36b、36c的驅(qū)動電壓VLC2、VLC3分另向參考電壓的正側(cè)和負側(cè)移動(下面將詳細闡述)，以校正彗形像差。
同時，假設(shè)在具有0.95μm道間距的第二磁光盤2b上記錄或由第二磁光盤2b再現(xiàn)信息信號，預先調(diào)整并設(shè)定參考電壓，因此施加到各個電極圖形與公共電極圖形37的驅(qū)動電壓VLC1至VLC5的平均值將落入相位差的2/λ的鄰近區(qū)域內(nèi)，所述相位差是在與光束穿過液晶器件31的液晶分子取向方向相同的偏振分量和與該方向垂直的偏振分量之間產(chǎn)生的。
圖6顯示了當施加到液晶器件31各個電極圖形的各個驅(qū)動電壓VLC1至VLC5時設(shè)定為同一電壓時改變該同一電壓的相位差的變化，由此上述相位差將落在λ/2的鄰近區(qū)域內(nèi)。圖7顯示了當施加到液晶器件31各個電極圖形的各個驅(qū)動電壓VLC1至VLC5設(shè)定為同一電壓時改變該同一電壓的讀出RF信號的抖動，由此上述相位差將落在λ/2的鄰近區(qū)域內(nèi)。
從圖6和7中可以看到，當調(diào)整施加到各個電極圖形的各個電極圖形VLC1至VLC5由此上述相位差逼近λ/2時，RF信號的抖動非常顯著地減小，是在磁光盤2上記錄和/或由磁光盤2再現(xiàn)信息信號所非常期望得到的。這個調(diào)整參考電壓下面被稱為電壓VLC(ref)。
假設(shè)在具有0.95μm道間距的第二磁光盤2b上記錄或由第二磁光盤2b再現(xiàn)信息信號，就沒必要去校正歸因于雙折射的象散差。但是，施加到液晶器件31各個電極圖形上用于校正彗形像差的VLC1至VLC5的平均電壓，是為了上述相位差逼近λ/2的調(diào)整的電壓VLC(ref)。此時，施加到第一與第四電極圖形36a、36d的驅(qū)動電壓VLC1、VLC4和施加到第二與第三電極圖形36b、36c的驅(qū)動電壓VLC2、VLC3分別向參考電壓的正側(cè)和負側(cè)移動(下面將詳細闡述)，以校正彗形像差。
施加到第五電極圖形36e上的驅(qū)動電壓VLC5恒定保持為VLC(ref)。應(yīng)該注意到，施加到第一至第四電極圖形36a至36d的驅(qū)動電壓VLC1至VLC4移動，由此施加到各個電極圖形的VLC1至VLC5平均值將保持在電壓VLC(ref)，以這樣一種方法讀出RF信號的抖動將為最小值。
如上所述調(diào)整的驅(qū)動電壓VLC1、VLC4和驅(qū)動電壓VLC2、VLC3，下面分別稱為電壓VLC(coma+)與電壓VLC(coma-)。
假設(shè)在具有1.6μm道間距的第一磁光盤2a上記錄信息信號或由第一磁光盤2a再現(xiàn)信息信號，施加到第一、第二與第五電極圖形36a、36b和36e以及共電極圖形37上的驅(qū)動電壓VLC1、VLC2至VLC5是上述的VLC(ref)，其與施加到第三與第四電極圖形36c、36d和公共電極圖形37上的驅(qū)動電壓VLC3、VLC4不同。也即，施加到第三與第四電極圖形36c、36d的驅(qū)動電壓VLC3、VLC4，被調(diào)整到使校正光學系統(tǒng)的象散差最優(yōu)化的電壓。
圖8顯示了在具有1.6μm道間距的第一磁光盤2a上記錄信息信號或由第一磁光盤2a再現(xiàn)信息信號時，施加到第一、第二與第五電極圖形36a、36b、36e和公共電極圖形37的驅(qū)動電壓VLC1、VLC2與VLC5固定在上述電壓VLC(ref)，同時施加到液晶器件31的第三與第四電極圖形36c、36d的驅(qū)動電壓VLC3、VLC4變化時的ADER的變化。
現(xiàn)在只是簡單地解釋一下ADER。在附圖2和3中，區(qū)域A至D代表光電檢測器18接收到的光束的拆分區(qū)域，光電檢測器18被分割開對應(yīng)這些區(qū)域A至D。光電檢測器18計算由其與區(qū)域A至D對應(yīng)的部分接收的光束等級。該等級就是ADER。也即，通過如下運算就可以得到ADER當盤片是第一磁光盤2a時，光束等級是(A+D)-(B+C)，或者當盤片是第二磁光盤2b時，光束等級是(A+B+C+D)。
如圖9曲線圖所示，調(diào)整施加到第三與第四電極圖形36c、36d的驅(qū)動電壓VLC3與VLC4以致差不多處于抑制的ADER區(qū)域。這個調(diào)整電壓是VLC(AS)。
因此，假設(shè)在具有1.6μm道間距的第一磁光盤2a上記錄信息信號或由第一磁光盤2a再現(xiàn)信息信號，施加到第三與第四電極圖形36c、36d的驅(qū)動電壓VLC3、VLC4將是調(diào)整電壓VLC(AS)。
現(xiàn)在參照圖9描述光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備1的不同部分的控制以及各種信號的流程。
光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備1包括微處理器61，其連接到驅(qū)動液晶器件31的液晶驅(qū)動單元62、聚焦驅(qū)動單元63以及軌道驅(qū)動單元64上。液晶驅(qū)動單元62、聚焦驅(qū)動單元63以及軌道驅(qū)動單元64連接到光拾取裝置3上且在微處理器61的控制信號作用下控制對光拾取裝置3的驅(qū)動。
基于來自微處理器61的控制信號，光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備1將各個驅(qū)動電壓VLC1至VLC5施加到液晶器件31的各個電極圖形36a至36e上。同時，微處理器61作為盤片識別裝置判定磁光盤2的種類，以便根據(jù)磁光盤2的種類來改變和調(diào)整施加到各個電極圖形36a至36e的各個驅(qū)動電壓VLC1至VLC5。
基于來自微處理器61的控制信號，光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備1將聚焦偏差施加到光拾取設(shè)備3上以引發(fā)聚焦伺服機構(gòu)作用。
應(yīng)該注意到，為了減小錯誤率，將聚焦偏差調(diào)整到從光拾取裝置3讀取的RF信號能夠優(yōu)選地再現(xiàn)的電壓范圍中間部分。這個調(diào)整的聚焦偏差在下文中稱為聚焦偏差VFB。
微處理器61控制軌道驅(qū)動單元64，使得光拾取裝置3將能準確掃描記錄軌道。
參照圖8，微處理器61連接到旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元65上。基于來自微處理器61的控制信號，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元65控制主軸馬達5，其結(jié)果是使磁光盤2以預設(shè)轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)。
光拾取裝置3連接到RF放大器66上半部，以便將通過光拾取裝置3再現(xiàn)的RF信號送到放大RF信號的RF放大器66。RF放大器66連接到DSP(數(shù)字信號處理器)67上且將RF信號送到DSP67，在此RF信號轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號。
DSP67連接到微處理器61以及ECC/ACIRC(糾錯碼/改進的交叉交錯Reed-Solomon碼)單元68上。由DSP67，將ADER即ADIP的錯誤率送到微處理器61，同時將EFM(八至十四調(diào)制)信號送到ECC/ACIRC單元68。
ECC/ACIRC單元68連接到微處理器61上且對輸入的EFM信號執(zhí)行解碼和糾錯處理，以便將得到的錯誤率送到微處理器61。
微處理器61連接到作為存儲裝置的RAM(隨機存貯器)69上，且將液晶驅(qū)動單元62、聚焦驅(qū)動單元63以及軌道驅(qū)動單元64由各種發(fā)送自DSP67與ECC/ACIRC單元68的錯誤信息調(diào)整為RAM69中的電壓VLC(ref)、VLC(AS)、VLC (coma+)、VLC(coma-)與聚焦偏差VFB的存儲的調(diào)整優(yōu)選值。同時，例如EPROM(可擦可編程只讀存儲器)可用作為RAM69。
當光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備1在磁光盤2上記錄信息信號或再現(xiàn)磁光盤2上的信息信號的時候，微處理器61通過微處理器61從微處理器61中讀取電壓VLC(ref)、VLC(AS)、VLC(coma+)、VLC(coma-)與聚焦偏差VFB(作為參數(shù)，根據(jù)這些參數(shù)判別出類型)來判別磁光盤2的類型。
具體假設(shè)判定盤片為具有道間距1.6μm的第一磁光盤2a，讀出電壓VLC(ref)作為驅(qū)動電壓VLC1、VLC2與VLC5，同時讀出VLC(AS)作為驅(qū)動電壓VLC3與VLC4。假設(shè)微處理器61識別出盤片為具有道間距0.95μm的第二磁光盤2b，讀出電壓VLC(coma+)作為驅(qū)動電壓VLC1、VLC4，讀出電壓VLC(coma-)作為驅(qū)動電壓VLC2與VLC3，且讀出電壓VLC(ref)作為驅(qū)動電壓VLC5。至于聚焦偏差，對這兩種磁光盤中任一個讀出聚焦偏差VFB。
現(xiàn)在結(jié)合附圖11來說明上述光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備1的像差校正方法。
首先，在步驟S1，將具有道間距為0.95μm的第二磁光盤2b載入光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備1。在來自微處理器61的控制信號的作用下，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元65控制主軸馬達5使第二磁光盤2b旋轉(zhuǎn)。微處理器61判別第二磁光盤2b的類型。
然后，在步驟S2，來自微處理器61的控制信號控制聚焦驅(qū)動單元63，聚焦偏差由聚焦驅(qū)動單元63施加到光拾取裝置3上以調(diào)整物鏡15相對于第二磁光盤2b的焦距，基于光拾取設(shè)備3讀出的RF信號錯誤率引發(fā)聚焦伺服機構(gòu)作用。這里，使用電壓VLC(λ/2)作為施加到液晶器件31各個電極圖形的驅(qū)動電壓VLC1至VLC5，而電壓VLC(λ/2)是依賴經(jīng)驗獲取的電壓，用以得到上述相位差λ/2。
然后，在步驟S3，微處理器61基于光拾取設(shè)備3讀出的RF信號錯誤率檢驗聚焦偏差是否最優(yōu)。如果聚焦偏差不是最優(yōu)，程序返回到步驟S2。如果聚焦偏差是最優(yōu)，程序進行到步驟S4。
在步驟S4，將被微處理器61檢驗為最優(yōu)的聚焦偏差在RAM69中存儲為聚焦偏差。
然后，在步驟S5，通過來自微處理器61的控制信號控制液晶驅(qū)動單元62?；诠馐叭≡O(shè)備3讀出的RF信號錯誤率，對施加到液晶器件31電極圖形上的驅(qū)動電壓VLC1至VLC5進行調(diào)整，以便相位差處于λ/2的鄰域。
然后，在步驟S6，微處理器61基于光拾取設(shè)備3讀出的RF信號錯誤率檢驗相位差是否等于λ/2。如果相位差不等于λ/2，程序返回到步驟S5。反之，如果相位差等于λ/2，程序進行到步驟S7。
假設(shè)在步驟S7，微處理器61已經(jīng)檢驗出相位差等于λ/2，則施加到液晶器件31各個電極圖形的驅(qū)動電壓VLC1至VLC5在RAM69中存儲為電壓VLC(ref)。
然后，在步驟S8，通過來自微處理器61的控制信號控制液晶驅(qū)動單元62?；诠馐叭≡O(shè)備3讀出的RF信號錯誤率，將分別施加到第一與第四電極圖形36a、36d的驅(qū)動電壓VLC1與VLC4，以及分別施加到第二與第三電極圖形36b、36c的驅(qū)動電壓VLC2與VLC3，分別向參考電壓VLC(ref)的正側(cè)和負側(cè)移動(下面將詳細闡述)，因此調(diào)整偏移量，液晶器件31各個電極圖形的平均驅(qū)動電壓將為VLC(ref)。
然后，在步驟S9，微處理器61基于光拾取設(shè)備3讀出的RF信號錯誤率檢驗上述偏移量是否最優(yōu)。如果偏移量不是最優(yōu)，程序返回到步驟S8。如果上述偏移量是最優(yōu)，程序進行到步驟S10。
然后，在步驟S10，假設(shè)微處理器61檢驗出的偏移量是最優(yōu)，則將分別施加到第一與第四電極圖形36a、36d的驅(qū)動電壓VLC1與VLC4，以及分別施加到第二與第三電極圖形36b、36c的驅(qū)動電壓VLC2與VLC3，在RAM69中分別存儲為VLC(coma+)、VLC(coma-)。
然后，在步驟S11，卸下具有道間距為0.95μm的第二磁光盤2b，同時將具有道間距為1.6μm的第一磁光盤2a載入到位。在來自微處理器61的控制下，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元65控制主軸馬達5使第一磁光盤2a旋轉(zhuǎn)。微處理器61判別第一磁光盤2a的類型。
然后，在步驟S12，液晶驅(qū)動單元62在微處理器61的控制下將電壓VLC(ref)施加到液晶器件31的第一、第二與第五電極圖形36a、36b與36e以及公共電極圖形37上，同時將與電壓VLC(ref)不同的驅(qū)動電壓VLC3與VLC4施加到第三與第四電極圖形36c與36d以及公共電極圖形37上應(yīng)該注意的是，電壓VLC(ref)被施加并固定為液晶器件31的第一、第二與第五電極圖形36a、36b與36e以及公共電極圖形37上的驅(qū)動電壓VLC1VLC2與VLC5，同時改變施加到第三與第四電極圖形36c與36d以及公共電極圖形37上的驅(qū)動電壓VLC3與VLC4，以便由光拾取設(shè)備3讀出的RF信號檢測出的ADER最優(yōu)。
在步驟S13，由光拾取設(shè)備3讀出的RF信號檢測ADER，且微處理器61判定這個ADER是否最優(yōu)。如果ADER不是最優(yōu)，程序返回到步驟S12。如果ADER是最優(yōu)，程序進行到步驟S14。
在步驟S14，假設(shè)微處理器61已經(jīng)驗證ADER是最優(yōu)，則將施加到液晶器件31的第三與第四電極圖形36c與36d的驅(qū)動電壓VLC3、VLC4在RAM69中存儲為VLC(AS)。
通過上述步驟，聚焦偏差VFB與電壓VLC(ref)、VLC(AS)、VLC(coma+)、VLC(coma-)存儲在RAM69中。當在光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備1的磁光盤2上記錄信息信號或由磁光盤2再現(xiàn)信息信號的時候，上述電壓可用于校正象散差或彗形像差。
假定在調(diào)整光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備1的像差其間，電壓VLC(λ/2)預先存儲在RAM69中。
優(yōu)選地在光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備1作為產(chǎn)品發(fā)貨之前完成對施加到液晶器件31的各個電極圖形上的驅(qū)動電壓VLC1至VLC5的調(diào)整，由此易于對獨特的光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備1的記錄和/或再現(xiàn)光學系統(tǒng)進行調(diào)整。
在上述的實施例中，在最初載入和調(diào)整第二磁光盤后載入且調(diào)整第一光盤。作為操作程序，這個過程可以反過來進行，那即，在最初載入與調(diào)整第一磁光盤后載入且調(diào)整第二光盤。
在后一種情況，對第一磁光盤執(zhí)行同樣的過程步驟S1至S7，由此將與第一磁光盤光學屬性匹配的聚焦偏差VFB與參考電壓VLC(ref)存儲在存儲器中。
在將參考電壓VLC(ref)存儲在存儲器中之后，調(diào)整VLC(AS)且用第二磁光盤取代第一磁光盤?；趨⒖茧妷篤LC(ref)，調(diào)整電壓VLC(coma+)和VLC(coma-)且將其存儲在存儲器中。
依照本發(fā)明，如上所述，在液晶器件31的幫助下，可在磁光盤2上記錄信息信號或由磁光盤2再現(xiàn)信息信號，所述磁光盤2具有互不相同的記錄軌道道間距值且因此具有不同記錄密度值。而且，在磁光盤的記錄和/或再現(xiàn)的光學系統(tǒng)中可以非常容易地修正象散差與彗形像差。此外，在光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備1中，由于光拾取裝置3沒有必要具有多個數(shù)目的光源，可減小該裝置的尺寸、厚度以及費用。
在液晶器件的改進中，可以用如圖12所示的通用的電極圖形校正象散差。在這種情況下，可以通過給兩個電極圖形施加不同的驅(qū)動電壓值校正象散差，兩個電極圖形即位于孔35兩邊的一對新月形的電極圖形71以及為橢圓形電極圖形71所環(huán)繞的電極圖形72。但是，在這種情況下，需要諸如液晶器件的用于校正彗形像差的校正裝置。因此，基于簡化裝置結(jié)構(gòu)和降低費用的考慮，能夠利用單獨的液晶器件校正象散差與彗形像差的液晶器件31是更優(yōu)選的。
權(quán)利要求
1.一種光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備，其包括盤片旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，其用于有選擇地在其上加載具有互不相同的記錄軌道道間距值且因此具有不同記錄密度值的多種光盤；盤片識別裝置，其用于識別加載在所述盤片旋轉(zhuǎn)機構(gòu)上的光盤種類；光源，其用于射出具有約780nm波長的光束；物鏡，其用于會聚由所述光源射出的光束以照射所述光盤，所述物鏡具有約0.62的數(shù)值孔徑(NA)；像差形成裝置，其用于在由所述物鏡射到所述光盤上的光束中形成像差；光接收裝置，其用于接收來自所述光盤的反射光；以及控制裝置，其用于依據(jù)由所述盤片識別裝置識別的所述光盤的種類驅(qū)動所述像差形成裝置，以校正在所述光束中形成的不同種類的像差，以便對所述光盤記錄和/或再現(xiàn)信息信號。
2.依照權(quán)利要求1所述的光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備，其中所述像差形成裝置由具有多個電極圖形的液晶器件構(gòu)成，且其中所述控制裝置控制施加到所述電極圖形上的驅(qū)動電壓以校正在所述電極圖形中形成的像差。
3.依照權(quán)利要求2所述的光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備，其中由所述控制裝置校正的像差既包含象散差又包含彗形像差。
4.依照權(quán)利要求1所述的光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備，其中當在所述盤片識別裝置中將盤片分別校驗為第一盤片或第二盤片的時候，所述控制裝置控制施加到所述電極圖形上的驅(qū)動電壓，以校正象散差或彗形像差。
5.一種光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備，其包括盤片旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，其用于有選擇地在其上加載具有第一雙折射系數(shù)的第一光盤和具有第二雙折射系數(shù)的第二光盤，所述第二雙折射系數(shù)大于所述第一雙折射系數(shù)；盤片識別裝置，其用于識別加載在所述盤片旋轉(zhuǎn)機構(gòu)上的光盤種類；光源，其用于射出具有單一波長的光束；物鏡，其用于會聚由所述光源射出的光束，以將會聚光照射在加載在所述盤片旋轉(zhuǎn)機構(gòu)上的光盤上；像差形成裝置，其用于在由所述物鏡射到所述光盤上的光束中形成像差；光接收裝置，其用于接收來自所述光盤的反射光；以及控制裝置，其用于依據(jù)由所述盤片識別裝置識別的所述光盤的種類驅(qū)動所述像差形成裝置，以校正在光束中形成的像差，以便對所述光盤記錄和/或再現(xiàn)信息信號。
6.依照權(quán)利要求5所述的光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備，其中所述像差形成裝置由具有多個電極圖形的液晶器件構(gòu)成，且其中所述控制裝置控制施加到所述電極圖形上報的驅(qū)動電壓，以校正在會聚到所述光盤上的光束中形成的像差。
7.依照權(quán)利要求6所述的光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備，其中由所述控制裝置校正的像差包括象散差和彗形像差。
8.依照權(quán)利要求5所述的光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備，其中在所述盤片識別裝置將光盤分別校驗為第一盤片或第二盤片的情況下，所述控制裝置控制施加到所述電極圖形上的驅(qū)動電壓，以便校正象散差或彗形像差。
9.一種用于調(diào)正光盤裝置中像差的方法，光盤裝置可有選擇地加載具有第一雙折射系數(shù)的第一光盤或具有第二雙折射系數(shù)的第二光盤，所述第二雙折射系數(shù)大于所述第一雙折射系數(shù)，并且光盤裝置包括位于光源和物鏡之間的液晶器件，所述物鏡將由所述光源射出的光束會聚到加載在所述光盤裝置上的光盤上，所述方法包括如果載入的光盤是第一光盤，則對聚焦偏差最優(yōu)化的最優(yōu)化步驟；存儲在所述最優(yōu)化步驟得到的最優(yōu)化聚焦偏差值的步驟；第一調(diào)整步驟，調(diào)整施加到所述液晶器件上的電壓，以便使沿著所述液晶器件排列方向的偏振光分量和沿著與所述液晶器件的所述排列方向垂直的方向的另一個偏振光分量之間的相位差將約為λ/2，λ是波長；將在所述第一調(diào)整步驟調(diào)整的電壓作為參考電壓存儲在存儲器中的步驟；第二調(diào)整步驟，調(diào)整施加到所述液晶器件上的電壓，以便基于所述參考電壓校正彗形像差；以及將在所述第二調(diào)整步驟調(diào)整的電壓作為彗形像差校正電壓存儲在存儲器中的步驟。
10.依照權(quán)利要求9的像差調(diào)配正方法，其中，如果在所述第二調(diào)整步驟之后載入第二盤片，則基于在所述第一調(diào)整步驟調(diào)整的參考電壓校正象散差。
11.一種用于調(diào)正光盤裝置中像差的方法，光盤裝置可有選擇地加載具有第一雙折射系數(shù)的第一光盤或具有第二雙折射系數(shù)的第二光盤，所述第二雙折射系數(shù)大于所述第一雙折射系數(shù)，并且光盤裝置包括位于光源和物鏡之間的液晶器件，所述物鏡將由所述光源射出的光束會聚到加載在所述光盤裝置上的光盤上，所述方法包括如果載入的光盤是第二光盤，則對聚焦偏差最優(yōu)化的最優(yōu)化步驟；存儲在所述最優(yōu)化步驟得到的最優(yōu)化聚焦偏差值的步驟；第一調(diào)整步驟，調(diào)整施加到所述液晶器件上的電壓，以便使沿著所述液晶器件排列方向的偏振光分量和沿著與所述液晶器件的所述排列方向垂直的方向的另一個偏振光分量之間的相位差將約為λ/2，λ是波長；將在所述第一調(diào)整步驟調(diào)整的電壓作為參考電壓存儲在存儲器中的步驟；第二調(diào)整步驟，調(diào)整施加到所述液晶器件上的電壓，以便基于所述參考電壓校正象散差；以及將在所述第二調(diào)整步驟調(diào)整的電壓作為象散差校正電壓存儲在存儲器中的步驟。
12.依照權(quán)利要求11的像差調(diào)正方法，其中，如果在所述第二調(diào)整步驟之后載入第一盤片，基于在所述第一調(diào)整步驟調(diào)整的參考電壓校正彗形像差。
全文摘要
光學系統(tǒng)中的象散差將得到校正。確切的講,在光盤裝置中,可有選擇地載入具有第一雙折射系數(shù)的第一光盤或具有第二雙折射系數(shù)的第二光盤,所述第二雙折射系數(shù)大于所述第一雙折射系數(shù),并且光盤裝置包括液晶器件31,位于光源11和物鏡15之間,所述物鏡15將由所述光源射出的光束會聚到加載在光盤裝置上的光盤2上,調(diào)整施加到液晶器件31的電壓以分別對第一盤片或第二盤片校正彗形像差或象散差。
文檔編號G11B7/135GK1372255SQ0114573
公開日2002年10月2日 申請日期2001年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2000年12月28日
發(fā)明者小林由平 申請人:索尼公司