專利名稱：音/像光盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光盤，并特別涉及一種音/像(可記錄或可重寫的)光盤，其容量最大可達(dá)1110M字節(jié)，相當(dāng)于127分鐘的MPEG1 VCD記錄時間，同時不必改變記錄器的拾取頭就可以適應(yīng)該光盤和伺服固件。
換言之，“Philips”和“Sony”標(biāo)準(zhǔn)說明書已經(jīng)把高密度盤(VCD、CD-ROM、S-VCD、Photo-CD、CD-I)的容量限制在650M字節(jié)。因此，為了匹配已經(jīng)建立的邏輯格式，市場上的可記錄(CD-R)和可重寫(CD-RW)空白光盤已經(jīng)由“Philips”和“Sony”指定為650M字節(jié)的容量。這相當(dāng)于74分鐘的CD-Audio和VCD節(jié)目的記錄時間，而且約為40分鐘的S-VCD記錄時間。限制空白光盤的容量可防止視盤記錄器的市場滲透，在市場上，視盤記錄器可用來取代盒式磁帶錄像機。顯然，74分鐘的低質(zhì)量視頻記錄時間和40分鐘的高質(zhì)量視頻記錄時間對于視盤記錄器的市場發(fā)展來說是不夠的。
為了延長傳統(tǒng)780nm光拾取裝置的壽命，基于現(xiàn)有780nm波長、0.50NA拾取裝置為光盤提出了一種延長播放時間的光盤格式。該格式的一部分應(yīng)用到只讀光盤以及可寫/可重寫光盤，而其它部分只應(yīng)用到可重寫光盤。
高密度的DVD系列可記錄/可重寫產(chǎn)品由于記錄點較小的原因而允許較高的存儲密度。但其生產(chǎn)成本過高，并且這還意味著完全放棄現(xiàn)有的平臺。
相應(yīng)地，傳統(tǒng)的高密度盤產(chǎn)品具有以下的缺點。
首先，CD-R和CD-RW較小的存儲容量限制了用來取代傳統(tǒng)盒式磁帶錄像機的視盤記錄器的市場發(fā)展。
其次，傳統(tǒng)CD-R或CD-RW只允許在紋槽中記錄，因而需要兩張盤來存儲一個小時的低質(zhì)量VCD格式的視頻節(jié)目，并且需要更多張盤來存儲質(zhì)量較高的S-VCD格式的視頻節(jié)目。
增加傳統(tǒng)高密度盤容量的障礙既涉及物理方面也涉及邏輯方面。
邏輯格式是一個在其中硬件可表示光盤并啟動伺服控制環(huán)路以進(jìn)行讀寫的協(xié)議。該格式中的編碼方法包括用于尋址的必要信息、識別和驅(qū)動控制。在傳統(tǒng)的時間尋址格式中，所有的數(shù)字均以二進(jìn)制編碼的十進(jìn)制(BCD)表示，包括分字段、秒字段和幀字段，即在錄像機中以分秒幀表示。但是，該定義難以應(yīng)用到其它發(fā)明的相應(yīng)部分中。傳統(tǒng)時間尋址格式中的BCD把最大尋址時間限制為995974，而在傳統(tǒng)CD中通常只使用745974或更少的時間。這種BCD時間代碼可通過擺動的方式調(diào)制為空白介質(zhì)的尋跡紋槽并且在只讀CD中以數(shù)字代碼的形式呈現(xiàn)。
根據(jù)“Philips/Sony”CD-RW的應(yīng)用，在不必提供其它任何進(jìn)一步尋址的方法的情況下，傳統(tǒng)的地址編碼方法允許光盤地址最大可達(dá)700M字節(jié)或“79分59秒74幀”。
另外，相變可重寫光盤技術(shù)的傳統(tǒng)生產(chǎn)過程產(chǎn)生又寬又大的信息標(biāo)記，這將引起高串?dāng)_和抖動，同時使軌距變窄。這樣會引起解碼誤差。另外，在縮短軌距的同時，由于尋跡點尺寸有限，所以該點會檢測到相鄰軌跡的一部分，并且將引起尋跡誤差。這些都將對可重寫光盤設(shè)置苛刻的物理限制。而且，傳統(tǒng)的空白光盤只以紋槽進(jìn)行記錄。這些因素把傳統(tǒng)空白光存儲介質(zhì)(CD-R/CD-RW)的容量限制在了650M字節(jié)左右。
增加存儲容量的另一個主要障礙是拾取裝置物鏡的分辨率，它限制聚焦激光點的有限尺寸?？傊?，分辨率受限于光拾取裝置的數(shù)值孔徑(NA)。半寬度強度點尺寸(FWHM)約為0.5A/NA，這表示信息凹坑寬度和軌距必須與記錄點和讀出點處于同一數(shù)量級。這決定軌距和線速度，并因此限制信息凹坑的徑向和切向密度。傳統(tǒng)高密度盤產(chǎn)品使用0.45NA并提供大約700M字節(jié)的最大容量。如今，0.5NA的拾取頭已經(jīng)在市場上可獲得的記錄器中使用并且已經(jīng)是一項成熟的技術(shù)，這表明增加高密度盤的容量在商業(yè)上是可行的。
一般可通過增大信息凹坑或標(biāo)記的記錄密度來增加光盤容量。這可通過降低線速度并減小軌距來進(jìn)行。
但是，容量增加受到以下因素的限制。第一是增加軌跡間的串?dāng)_，由于軌跡密度的增加，這將會引起塊解碼誤差。第二是只允許光盤被尋址到99分59秒和74幀的傳統(tǒng)尋址編碼方法。然而，現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)將其進(jìn)一步限制為79分59秒和74幀。這里并沒有一種容易的方法用于進(jìn)一步尋址。第三是與低容量光盤相比的I3信號與I11信號的不同漏碼比。第四是高密度盤本身的物理尺寸以及記錄器/播放器的裝載機構(gòu)。第五是數(shù)字伺服控制固件，它可在這種長播放時間的可重寫光盤中識別附加的分鐘并均衡HF信號。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的是提供一種音/像光盤，它只尋跡記錄用的紋槽，能夠記錄存儲容量為1110M字節(jié)的音/像信息。這相當(dāng)于127分鐘的MPEG-1VCD節(jié)目的記錄時間。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種音/像光盤，它能夠成功地尋跡記錄用的臺面以便提供紋槽及臺面記錄，這樣，數(shù)據(jù)容量基本上最大可達(dá)2.2G字節(jié)，這相當(dāng)于254分鐘的MPEG-1 VCD質(zhì)量的節(jié)目。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種直徑為130mm的音/像光盤，以允許更大的容量并且不會給持有傳統(tǒng)高密度盤和DVD的消費者造成混亂。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種時間地址增加到159分59秒74幀的音/像光盤。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種盡可能減小抖動和串?dāng)_并提高解碼誤差容限的音/像光盤。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種音/像光盤，通過摻雜至少一種高熔點化合物而把存儲層相變合金(AgInSbTe)的原子比設(shè)置為最佳值，已經(jīng)針對在1X記錄中的0.5NA對該光盤進(jìn)行了優(yōu)化。
本發(fā)明的另一個目的是通過物理上縮短軌距并降低記錄線速度來增加音/像光盤的記錄時間。
相應(yīng)地，為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種用于音頻和可視數(shù)據(jù)的音/像(可重寫)光盤，它包括預(yù)先刻有紋槽的聚碳酸酯襯底，該襯底具有一個基底面和一個數(shù)據(jù)面，該數(shù)據(jù)面具有從內(nèi)徑到外徑的連續(xù)的螺旋狀紋槽。紋槽軌跡間的距離被定義為臺面。在預(yù)先刻有紋槽的聚碳酸酯襯底上，層疊濺射了不同的材料，從而形成四個濺射層以及在頂部和底部的旋涂保護(hù)漆。
第一濺射層是介質(zhì)隔熱層。第二濺射層是在介質(zhì)隔熱層上提供的存儲層。第三濺射層是在存儲層頂部提供的第二介質(zhì)熱擴散控制層。第四濺射層是在第二介質(zhì)熱擴散控制層上提供的反射散熱層。
存儲層由摻雜了諸如氧化釩這樣的高熔點化合物的銀-銦-銻-碲合金構(gòu)成。在寫處理過程中，光盤由聚焦的激光束照射，這樣，該合金層被加熱至高于熔點并被快速冷卻以使合金處于非晶態(tài)，這可被看作是具有不同對比度的標(biāo)記。這些標(biāo)記引起反射信號的差異并因此被用于數(shù)據(jù)存儲。在擦除處理過程中，合金被加熱至高于結(jié)晶溫度，從而把非晶態(tài)標(biāo)記恢復(fù)到高反射的晶體狀態(tài)。
圖2是根據(jù)本發(fā)明上述優(yōu)選實施例的

圖1中由虛線圓S圍繞的部分的部分截面圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明上述優(yōu)選實施例的音/像光盤一部分的放大正視圖，表示在音/像光盤數(shù)據(jù)面上提供的紋槽和臺面軌跡。
圖4是根據(jù)本發(fā)明上述優(yōu)選實施例的用于把音/像光盤裝入光盤記錄器或播放器的裝載器托架的透視圖。
本發(fā)明的AV-RW光盤是用于AV數(shù)據(jù)存儲的可刪除和可重寫光盤，當(dāng)然它并不限于AV數(shù)據(jù)存儲。空白介質(zhì)的用途類似于一張預(yù)先印制了書寫標(biāo)線的白紙。
為了簡化硬件設(shè)計并使硬件更容易與可在市場上通用的可記錄光盤兼容，本發(fā)明的音/像(可重寫)光盤使用與“Philips/Sony”CD-RW的技術(shù)規(guī)范相同的一組具有一些附加參數(shù)的地址位置，使用不同的時間編碼方法和參數(shù)定義。
根據(jù)本發(fā)明，音/像光盤的記錄時間通過物理及邏輯兩種格式加長。
鑒于可重寫的紋槽記錄格式的物理格式，我們想通過物理上縮短軌距并降低記錄線速度來延長記錄時間。但是，軌跡間串?dāng)_的增加會由于軌跡密度的增加而引起塊解碼誤差。其解決辦法是利用雜質(zhì)摻雜的方法把存儲合金的原子比設(shè)置為最佳值，從而在光盤的1X視頻記錄時優(yōu)化0.50NA光盤記錄器。另外也可采用一種不同的紋槽技術(shù)規(guī)范，這樣也可以減小抖動并提高解碼誤差容限。
相應(yīng)地，參考圖2，根據(jù)本發(fā)明的音/像光盤10包括一個預(yù)先刻有紋槽的聚碳酸酯襯底11。在預(yù)先刻有紋槽的聚碳酸酯襯底11上，層疊濺射了不同的材料，從而形成四個濺射層。第一濺射層是介質(zhì)隔熱層21，第二濺射層是設(shè)置在介質(zhì)隔熱層21上的存儲層22，第三濺射層是設(shè)置在存儲層22頂部的第二介質(zhì)熱擴散控制層23，第四濺射層是設(shè)置在第二介質(zhì)熱擴散控制層23上的反射散熱層24。
聚碳酸酯襯底11具有基底面111和數(shù)據(jù)面112，數(shù)據(jù)面112具有連續(xù)螺旋狀紋槽，該連續(xù)螺旋狀紋槽界定從內(nèi)徑到外徑徑向擴展的以臺面13隔開的紋槽軌跡12的圓周，紋槽軌跡12之間的距離被限定為臺面13。
介質(zhì)隔熱層21濺射到襯底11的數(shù)據(jù)面112上。濺射到介質(zhì)隔熱層21上的存儲層22由摻雜了高熔點化合物的相變合金構(gòu)成，該高熔點化合物的熔點比該相變合金的熔點高，其中通過雜質(zhì)(高熔點化合物)摻雜的方式可把存儲層22的原子比設(shè)置為最佳值。介質(zhì)熱擴散控制層23濺射到存儲層22上，反射散熱層24濺射到介質(zhì)熱擴散控制層23上。
用于對音/像光盤10提供外保護(hù)的旋涂保護(hù)漆層30涂覆在襯底11的基底面111和設(shè)置在襯底11的數(shù)據(jù)面112上的反射散熱層24上。
用母盤制作的預(yù)先刻有紋槽的壓模在襯底11上按擺動的形式制成紋槽軌跡12，通過注塑的方法把形成在壓模上的擺動從壓模上復(fù)制到襯底11上。介質(zhì)隔熱層21、介質(zhì)熱擴散控制層23和存儲層22通過濺射的方式沉積在襯底11上，保護(hù)漆層30涂覆在濺射疊層的周圍。在啟動光盤以進(jìn)行記錄的初始化處理過程中，音/像光盤通過激光加熱從低反射率的非晶態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)楦叻瓷渎实亩嗑B(tài)，這樣就使得音/像光盤可在視盤記錄器中進(jìn)行記錄。在進(jìn)行擦除時，記錄器的激光把存儲層合金加熱至高于結(jié)晶溫度并將其恢復(fù)為多晶結(jié)構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，介質(zhì)隔熱層21是ZnS.SiO2，它是防止聚碳酸酯襯底11熔化的隔熱層。存儲層22的相變合金是銀-銦-銻-碲合金(AgInSbTe)，其中，具體的合金包含重量百分比為3-10％的銀、重量百分比為3-10％的銦、重量百分比為40-70％的銻和重量百分比為20-40％的碲。摻雜在存儲層22相變合金中的高熔點化合物是氧化釩。介質(zhì)熱擴散控制層23是ZnS.SiO2，用于控制從存儲層22的AgInSbTe到散熱層24的熱擴散。反射散熱層24是AlTi。在聚碳酸酯襯底11的基底面111上可設(shè)置硬涂層用以進(jìn)一步的保護(hù)。
因此，根據(jù)本發(fā)明，存儲層22由摻雜了重量百分比為1-3％的氧化釩的重量百分比為97-99％的銀-銦-銻-碲合金構(gòu)成。為了使紋槽軌跡12細(xì)長清晰，音/像光盤10的紋槽軌跡12的底部約為300-350nm，而紋槽深度約為40-50nm。把氧化釩摻雜到濺射靶中可提高熱容限，這樣，記錄標(biāo)記40被限定在紋槽軌跡12的頂部區(qū)域，以作為細(xì)長清晰的標(biāo)記40，這樣可以盡可能地減小串?dāng)_和抖動，該摻雜處理在靶制造過程中進(jìn)行。
摻雜處理能夠以兩種方式進(jìn)行，一種比較容易控制的方式是在熱壓成一片靶之前把氧化釩粉末與Ag、In、Sb和Te粉末混合在一起。
另一種可選方式是一種不受控制的方式，按照這種方式，AgInSbTe靶摻雜了1-3％的釩。在濺射過程中，把氧氣注入濺射室中，這將引起反應(yīng)濺射，從而可以形成金屬氧化物。但這樣也會存在下面的情況，即氧化物并不限于氧化釩，而是還包括氧化銀、氧化銦、氧化銻和氧化碲。
摻雜的原理是把至少一種高熔點化合物添加到相變合金當(dāng)中，從而改變在存儲層22上進(jìn)行的熱擴散速率。存儲層22的垂直冷卻速率由AgInSbTe與散熱層24的AlTi之間的ZnS.SiO2層控制。但是，合金原子的遷移率和垂直熱穿透速率受到存儲層22內(nèi)部存在的高熔點化合物的限制。由于在激光曝光期間存儲層22的活動性是存儲層22的熱響應(yīng)及溫度的函數(shù)，所以我們把一些高熔點化合物摻雜到相變合金當(dāng)中，從而起到一些高溫屏障的作用，以減慢合金狀態(tài)變化的速度。這樣可使標(biāo)記更細(xì)更清晰，從而盡可能地減小串?dāng)_和抖動。
以下是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的具體的音/像(可重寫)光盤的通用技術(shù)規(guī)范。
音/像(可重寫)光盤(只有紋槽記錄)


*Tp軌距，Lv線速度在傳統(tǒng)上，存儲層只由相變合金構(gòu)成，為了防止串?dāng)_，紋槽軌跡和臺面的最小軌距必須是2.5μm。因而，紋槽記錄是一種常規(guī)的標(biāo)準(zhǔn)。但是，正如上面所公開的，通過在存儲層22的相變合金中摻雜諸如氧化釩這樣的高熔點化合物，在相變合金中可形成隔熱體，從而使其導(dǎo)熱性降低。氧化釩吸收一些熱量并減慢相變合金的狀態(tài)轉(zhuǎn)換速度。這種技術(shù)可使軌距減小至1.30μm+/-0.10μm的最小值，但仍然可以使標(biāo)記40足夠細(xì)長清晰，從而盡可能減小串?dāng)_和抖動。因而可以在襯底11上提供更多用于紋槽記錄的紋槽軌跡12。
而且，為了具有更大的存儲容量，在紋槽已被完全記錄之后，臺面記錄也是可行的。如圖3所示，利用本發(fā)明的音/像(可重寫)光盤可以進(jìn)行臺面記錄，其中軌距被調(diào)節(jié)至大約1.5-2μm，優(yōu)選為1.7μm，利用清晰至足以避免串?dāng)_和抖動的記錄標(biāo)記40，無論是紋槽軌跡12還是臺面13均可通過信號極性反轉(zhuǎn)進(jìn)行記錄。
音/像(可重寫)光盤(只有紋槽和臺面記錄)

在寫處理過程中，音/像光盤10由聚焦的激光照射，這樣，存儲層22被加熱至高于熔點并被快速冷卻以使銀-銦-銻-碲合金處于非晶態(tài)，如圖3所示，這可被看作是具有不同對比度的非晶態(tài)標(biāo)記40。這些非晶態(tài)標(biāo)記40引起反射信號的差異并因此被用于數(shù)據(jù)存儲。在擦除處理過程中，銀-銦-銻-碲合金被加熱至高于結(jié)晶溫度，從而把非晶態(tài)標(biāo)記40恢復(fù)到高反射的晶體狀態(tài)。
而且，為了允許更大的存儲容量并且不會給持有傳統(tǒng)高密度盤和DVD的消費者造成混亂，本發(fā)明音/像光盤的尺寸優(yōu)選設(shè)置為直徑130mm，當(dāng)然它并不限于上述尺寸。130mm的光盤不能插入傳統(tǒng)的裝盤托架中，傳統(tǒng)的裝盤托架僅能夠容納直徑為80mm或120mm的傳統(tǒng)高密度盤。
如圖4所示，光盤記錄器或播放器的裝盤托架5所示包括了一個托架51。在托架51上，直徑等于或略大于130mm的外光盤槽52可以在其中合適地容納本發(fā)明的光盤10。直徑分別等于或略大于120mm和80mm的另外的第一和第二內(nèi)光盤槽53、54也居中設(shè)置在外光盤槽上，以用于合適地容納傳統(tǒng)的高密度盤。矩形槽55重疊并居中形成在第二內(nèi)光盤槽54上，用于容納矩形的名片盤。另外，彼此隔開的四個光盤鎖56固定在外光盤槽52的圓周邊緣，以防止光盤在豎直裝入時掉落。
邏輯格式是一個在其中硬件可表示光盤并啟動伺服控制環(huán)路以進(jìn)行讀寫的協(xié)議。該格式中的編碼方法包括用于尋址的必要信息、識別和驅(qū)動控制。根據(jù)本發(fā)明，在視頻記錄器中，地址以分秒幀表示。它采用總共24比特表示時間地址，其中每個數(shù)字使用4比特。
正如在本發(fā)明的背景技術(shù)中所提及的，在傳統(tǒng)的時間尋址格式中，所有的數(shù)字均以二進(jìn)制編碼的十進(jìn)制(BCD)表示，它把最大可尋址時間限制為995974。因此，一秒鐘有75幀，而一分鐘有60秒。換言之，基于現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)平臺的最大可記錄和可讀取時間地址少于100分鐘，Philips/Sony公司的技術(shù)規(guī)范甚至已將其進(jìn)一步限定在79分59秒74幀。
為了獲得與傳統(tǒng)編碼方法的最大兼容性，一種創(chuàng)新的方法被優(yōu)選用于本發(fā)明的音/像(可重寫和可記錄)光盤，其中分鐘字段中的分鐘的第一個數(shù)字以十六進(jìn)制的格式利用四個二進(jìn)制數(shù)據(jù)比特表示。因此，0-9與BCD編碼相同，而11-15是以“A，B，C，D，E和F”表示的擴展編碼，它允許現(xiàn)有的專用記錄器識別該光盤并產(chǎn)生該數(shù)字光盤的時間地址。
在本發(fā)明的十六進(jìn)制-BCD格式中，連接地址可表示為M1M2S1S2F1F2 其中M1以十六進(jìn)制的格式(0，1，2，3，4，5，6，7，8，9，A，B，C，D，E，F(xiàn))表示，它完全利用M1幀中的四個尋址比特；
M2，S1，S2，F(xiàn)1，F(xiàn)2以二進(jìn)制編碼的十進(jìn)制格式(0-9)表示例如地址56分37秒72幀由三個數(shù)據(jù)字節(jié)(24比特)表示如下01010110 00110111 01110010一個應(yīng)用實例是視盤記錄器，其中基于本發(fā)明的直徑為130mm的音/像光盤能夠以MPEG-1 VCD的格式存儲最大可達(dá)127分59秒74幀的視頻節(jié)目，因而最大時間地址是

在進(jìn)行記錄時，根據(jù)應(yīng)用的不同，時間代碼由CPU系統(tǒng)利用檢查表連續(xù)產(chǎn)生并登記在介質(zhì)中。我們可使用雙相調(diào)頻把該地址結(jié)合到擺動信號中以用于在空白介質(zhì)模子中產(chǎn)生紋槽，或者在只讀光盤模子產(chǎn)生數(shù)字EFM信號之前與用戶數(shù)據(jù)一起被多路復(fù)用。一種商用視盤記錄器也可在記錄期間產(chǎn)生時間代碼并將其變換為本發(fā)明的音/像(可記錄)光盤上的凹坑和臺面。
相應(yīng)地，記錄時間代碼可從995974延長到1595974。在實際應(yīng)用中，用戶可根據(jù)應(yīng)用的不同改變記錄時間。對于視頻記錄器來說，空白光盤的時間地址被調(diào)制為22.05KHz的擺動信號，它可產(chǎn)生光盤上的尋跡紋槽。換言之，插入糾錯碼之后的24比特時間編碼比特流可通過雙相調(diào)頻的方式調(diào)制為音/像可重寫的記錄紋槽，其中使用的是頻率為22.05KHz的載波。
對于記錄的介質(zhì)來說，根據(jù)光盤的格式將其調(diào)制為數(shù)據(jù)比特流。換言之，在被轉(zhuǎn)換為串行FM信號之前，24比特的時間編碼流與數(shù)字視頻數(shù)據(jù)和糾錯碼一起被多路復(fù)用。
紋槽記錄通常通過上述編碼模式執(zhí)行。但是，為了具有更大的存儲容量，在紋槽已被完全記錄之后，臺面記錄也是可行的。臺面記錄只有在標(biāo)記串?dāng)_限制遠(yuǎn)小于基于只讀格式的凹坑的串?dāng)_限制時才可在音/像(可重寫)光盤中進(jìn)行。為了保證適當(dāng)?shù)挠涗涃|(zhì)量，必須耙染料化學(xué)制品(dyechemical)限定在紋槽中，因此，基于一次寫入式染料技術(shù)的音/像(可記錄)光盤能夠執(zhí)行臺面記錄。在臺面記錄模式中，時間代碼地址必須加入一個等于紋槽記錄結(jié)束地址的恒定偏移值。如果不考慮光盤的尺寸，這樣就可把音/像(可重寫)光盤的容量進(jìn)一步增加至320分鐘或2.81G字節(jié)的理論極限。
無論是臺面記錄還是紋槽記錄均是沿著螺旋狀紋槽從內(nèi)徑開始。在外徑的記錄紋槽的結(jié)尾或者在接近紋槽的邏輯結(jié)束極限時，對于臺面記錄模式來說，拾取頭將回掃并尋跡臺面。通過反轉(zhuǎn)尋跡信號的極性或者利用尋跡伺服環(huán)路中的軟件裝置可以進(jìn)行臺面和紋槽尋跡。由于利用臺面和紋槽的音/像(可重寫)光盤的軌距大于只利用紋槽的音/像(可重寫)光盤的軌距并且與市場上的介質(zhì)兼容，所以對驅(qū)動伺服環(huán)路的改動可減至最少。為了避免在拾取頭回掃期間臺面與紋槽的轉(zhuǎn)換中斷，一個大致相當(dāng)于3M字節(jié)存儲器的10秒FIFO緩沖器被結(jié)合于其中。臺面記錄的開始時間接著紋槽記錄的結(jié)束時間。在解碼時，等于紋槽記錄結(jié)束時間地址的恒定偏移量必須被加入驅(qū)動固件中。
該尋址方法也允許驅(qū)動器尋址一秒的每一幀。數(shù)字定時數(shù)據(jù)被調(diào)制為22.05KHz的載波以在模子中產(chǎn)生擺動紋槽。除了AV-RW之外，該尋址方法可進(jìn)一步延伸到其它應(yīng)用中，如只讀AV-CD、AV-ROM和一次寫入式AV-R。
在AVRW前部的一些特定扇區(qū)中，本發(fā)明的定時信息也被用來與驅(qū)動器通信，以通知驅(qū)動器有關(guān)總播放時間、記錄功率、寫速率等光盤識別信息。這些定義存在于音/像光盤的開始部分。
權(quán)利要求
1.一種音/像光盤，包括一個預(yù)先刻有紋槽的襯底，該襯底具有一個數(shù)據(jù)面，該數(shù)據(jù)面具有界定由沿邊的臺面隔開的紋槽軌跡的圓周的連續(xù)螺旋狀紋槽；一個濺射到所述襯底的所述數(shù)據(jù)面上的介質(zhì)隔熱層，用以形成防止所述襯底熔化的隔熱層；一個濺射到所述介質(zhì)隔熱層上的存儲層，用于記錄數(shù)據(jù)，其中所述存儲層由摻雜了高熔點化合物的相變合金構(gòu)成，該高熔點化合物的熔點比該相變合金的熔點高，從而把所述存儲層的原子比設(shè)置為最佳值；一個濺射到所述存儲層上的介質(zhì)熱擴散控制層，用來控制源自所述存儲層的熱擴散；一個濺射到所述介質(zhì)熱擴散控制層上的反射散熱層；以及涂覆在所述襯底的所述數(shù)據(jù)面上的所述反射散熱層上的旋涂保護(hù)漆層。
2.如權(quán)利要求1所述的音/像光盤，其特征在于無論是所述紋槽軌跡還是所述臺面均可利用記錄標(biāo)記通過信號極性反轉(zhuǎn)進(jìn)行記錄，其中臺面記錄在所述紋槽被完全記錄之后進(jìn)行。
3.如權(quán)利要求1所述的音/像光盤，其特征在于所述存儲層包含重量百分比為97-99％的所述相變合金和重量百分比為1-3％的所述高熔點化合物。
4.如權(quán)利要求2所述的音/像光盤，其特征在于所述存儲層包含重量百分比為97-99％的所述相變合金和重量百分比為1-3％的所述高熔點化合物。
5.如權(quán)利要求1所述的音/像光盤，其特征在于所述相變合金是銀-銦-銻-碲合金。
6.如權(quán)利要求5所述的音/像光盤，其特征在于所述高熔點化合物是氧化釩。
7.如權(quán)利要求2所述的音/像光盤，其特征在于所述相變合金是銀-銦-銻-碲合金。
8.如權(quán)利要求7所述的音/像光盤，其特征在于所述高熔點化合物是氧化釩。
9.如權(quán)利要求3所述的音/像光盤，其特征在于所述相變合金是銀-銦-銻-碲合金。
10.如權(quán)利要求9所述的音/像光盤，其特征在于所述高熔點化合物是氧化釩。
11.如權(quán)利要求4所述的音/像光盤，其特征在于所述相變合金是銀-銦-銻-碲合金。
12.如權(quán)利要求11所述的音/像光盤，其特征在于所述高熔點化合物是氧化釩。
13.如權(quán)利要求5所述的音/像光盤，其特征在于所述銀-銦-銻-碲合金包含重量百分比為3-10％的銀、重量百分比為3-10％的銦、重量百分比為40-70％的銻和重量百分比為20-40％的碲。
14.如權(quán)利要求6所述的音/像光盤，其特征在于所述銀-銦-銻-碲合金包含重量百分比為3-10％的銀、重量百分比為3-10％的銦、重量百分比為40-70％的銻和重量百分比為20-40％的碲。
15.如權(quán)利要求7所述的音/像光盤，其特征在于所述銀-銦-銻-碲合金包含重量百分比為3-10％的銀、重量百分比為3-10％的銦、重量百分比為40-70％的銻和重量百分比為20-40％的碲。
16.如權(quán)利要求8所述的音/像光盤，其特征在于所述銀-銦-銻-碲合金包含重量百分比為3-10％的銀、重量百分比為3-10％的銦、重量百分比為40-70％的銻和重量百分比為20-40％的碲。
17.如權(quán)利要求9所述的音/像光盤，其特征在于所述銀-銦-銻-碲合金包含重量百分比為3-10％的銀、重量百分比為3-10％的銦、重量百分比為40-70％的銻和重量百分比為20-40％的碲。
18.如權(quán)利要求10所述的音/像光盤，其特征在于所述銀-銦-銻-碲合金包含重量百分比為3-10％的銀、重量百分比為3-10％的銦、重量百分比為40-70％的銻和重量百分比為20-40％的碲。
19.如權(quán)利要求11所述的音/像光盤，其特征在于所述銀-銦-銻-碲合金包含重量百分比為3-10％的銀、重量百分比為3-10％的銦、重量百分比為40-70％的銻和重量百分比為20-40％的碲。
20.如權(quán)利要求12所述的音/像光盤，其特征在于所述銀-銦-銻-碲合金包含重量百分比為3-10％的銀、重量百分比為3-10％的銦、重量百分比為40-70％的銻和重量百分比為20-40％的碲。
21.如權(quán)利要求13所述的音/像光盤，其特征在于所述介質(zhì)隔熱層和所述介質(zhì)熱擴散控制層均由ZnS.SiO2構(gòu)成。
22.如權(quán)利要求15所述的音/像光盤，其特征在于所述介質(zhì)隔熱層和所述介質(zhì)熱擴散控制層均由ZnS.SiO2構(gòu)成。
23.如權(quán)利要求21所述的音/像光盤，其特征在于所述反射散熱層由AlTi構(gòu)成。
24.如權(quán)利要求22所述的音/像光盤，其特征在于所述反射散熱層由AlTi構(gòu)成。
25.如權(quán)利要求1-12之一所述的音/像光盤，其特征在于在被熱壓成一個濺射靶之前，通過把所述高熔點化合物與相變合金的元素以粉末的形式混合，所述高熔點化合物被摻雜到所述相變合金當(dāng)中，以用于濺射到所述音/像光盤的所述介質(zhì)隔熱層上。
26.如權(quán)利要求6，8，10或12所述的音/像光盤，其特征在于所述相變合金的濺射靶摻雜了重量百分比為1-3％的釩，這樣，在濺射室中把所述相變合金濺射到所述介質(zhì)隔熱層上期間，氧氣被注入所述濺射室中，氧化釩形成并摻雜到所述相變合金當(dāng)中，從而形成所述存儲層。
27.如權(quán)利要求1，6或10所述的音/像光盤，其特征在于所述高熔點化合物被摻雜到濺射靶中以提高熱容限，使得記錄標(biāo)記以細(xì)長清晰的形式限定在所述紋槽的頂部區(qū)域。
28.如權(quán)利要求27所述的音/像光盤，其特征在于軌距被最小化至1.30μm+/-0.10μm。
29.如權(quán)利要求2，8或12所述的音/像光盤，其特征在于所述高熔點化合物被摻雜到濺射靶中以提高熱容限，使得記錄標(biāo)記以細(xì)長清晰的形式限定在所述紋槽的頂部區(qū)域。
30.如權(quán)利要求29所述的音/像光盤，其特征在于軌距被最小化至1.5-2μm。
31.如權(quán)利要求27所述的音/像光盤，其特征在于所述紋槽的紋槽底部在300-350nm之間而且所述紋槽的深度在40-50nm之間。
32.如權(quán)利要求28所述的音/像光盤，其特征在于所述紋槽的紋槽底部在300-350nm之間而且所述紋槽的深度在40-50nm之間。
33.如權(quán)利要求29所述的音/像光盤，其特征在于所述紋槽的紋槽底部在400-450nm之間而且所述紋槽的深度在40-50nm之間。
34.如權(quán)利要求30所述的音/像光盤，其特征在于所述紋槽的紋槽底部在400-450nm之間而且所述紋槽的深度在40-50nm之間。
35.如權(quán)利要求1，2，10或12所述的音/像光盤，其特征在于所述紋槽是擺動紋槽。
36.如權(quán)利要求1-12之一所述的音/像光盤，其特征在于所述音/像光盤被制成具有130mm的直徑。
37.如權(quán)利要求28所述的音/像光盤，其特征在于所述音/像光盤被制成具有130mm的直徑。
38.如權(quán)利要求30所述的音/像光盤，其特征在于所述音/像光盤被制成具有130mm的直徑。
39.如權(quán)利要求38所述的音/像光盤，其特征在于所述臺面及紋槽記錄均從內(nèi)徑開始。
40.如權(quán)利要求1，2，3，4，6，8，10或12所述的音/像光盤，其特征在于所述音/像光盤的時間地址以十六進(jìn)制/二進(jìn)制編碼的十進(jìn)制的格式表示，其中分字段、秒字段和幀字段以24比特表示，其中所述分、秒和幀字段每一個都具有第一數(shù)字和第二數(shù)字并且所述24比特中的4比特被用于所述第一和第二數(shù)字中的每一個數(shù)字，其中所述分字段的所述第一數(shù)字以十六進(jìn)制的格式利用四個二進(jìn)制數(shù)據(jù)比特表示，而所述分字段的所述第二數(shù)字、所述秒字段的所述第一和第二數(shù)字以及所述幀字段的所述第一和第二數(shù)字以二進(jìn)制編碼的十進(jìn)制的格式表示。
41.如權(quán)利要求25所述的音/像光盤，其特征在于所述音/像光盤的時間地址以十六進(jìn)制/二進(jìn)制編碼的十進(jìn)制的格式表示，其中分字段、秒字段和幀字段以24比特表示，其中所述分、秒和幀字段每一個都具有第一數(shù)字和第二數(shù)字并且所述24比特中的4比特被用于所述第一和第二數(shù)字中的每一個數(shù)字，其中所述分字段的所述第一數(shù)字以十六進(jìn)制的格式利用四個二進(jìn)制數(shù)據(jù)比特表示，而所述分字段的所述第二數(shù)字、所述秒字段的所述第一和第二數(shù)字以及所述幀字段的所述第一和第二數(shù)字以二進(jìn)制編碼的十進(jìn)制的格式表示。
42.如權(quán)利要求26所述的音/像光盤，其特征在于所述音/像光盤的時間地址以十六進(jìn)制/二進(jìn)制編碼的十進(jìn)制的格式表示，其中分字段、秒字段和幀字段以24比特表示，其中所述分、秒和幀字段每一個都具有第一數(shù)字和第二數(shù)字并且所述24比特中的4比特被用于所述第一和第二數(shù)字中的每一個數(shù)字，其中所述分字段的所述第一數(shù)字以十六進(jìn)制的格式利用四個二進(jìn)制數(shù)據(jù)比特表示，而所述分字段的所述第二數(shù)字、所述秒字段的所述第一和第二數(shù)字以及所述幀字段的所述第一和第二數(shù)字以二進(jìn)制編碼的十進(jìn)制的格式表示。
43.如權(quán)利要求37所述的音/像光盤，其特征在于所述音/像光盤的時間地址以十六進(jìn)制/二進(jìn)制編碼的十進(jìn)制的格式表示，其中分字段、秒字段和幀字段以24比特表示，其中所述分、秒和幀字段每一個都具有第一數(shù)字和第二數(shù)字并且所述24比特中的4比特被用于所述第一和第二數(shù)字中的每一個數(shù)字，其中所述分字段的所述第一數(shù)字以十六進(jìn)制的格式利用四個二進(jìn)制數(shù)據(jù)比特表示，而所述分字段的所述第二數(shù)字、所述秒字段的所述第一和第二數(shù)字以及所述幀字段的所述第一和第二數(shù)字以二進(jìn)制編碼的十進(jìn)制的格式表示。
44.如權(quán)利要求38所述的音/像光盤，其特征在于所述音/像光盤的時間地址以十六進(jìn)制/二進(jìn)制編碼的十進(jìn)制的格式表示，其中分字段、秒字段和幀字段以24比特表示，其中所述分、秒和幀字段每一個都具有第一數(shù)字和第二數(shù)字并且所述24比特中的4比特被用于所述第一和第二數(shù)字中的每一個數(shù)字，其中所述分字段的所述第一數(shù)字以十六進(jìn)制的格式利用四個二進(jìn)制數(shù)據(jù)比特表示，而所述分字段的所述第二數(shù)字、所述秒字段的所述第一和第二數(shù)字以及所述幀字段的所述第一和第二數(shù)字以二進(jìn)制編碼的十進(jìn)制的格式表示。
45.如權(quán)利要求40所述的音/像光盤，其特征在于所述音/像光盤具有1100M字節(jié)的最大容量并能夠以MPEG-1 VCD的格式存儲最長可達(dá)159分59秒74幀的視頻節(jié)目。
46.如權(quán)利要求43所述的音/像光盤，其特征在于所述音/像光盤具有1100M字節(jié)的最大容量并能夠以MPEG-1 VCD的格式存儲最長可達(dá)159分59秒74幀的視頻節(jié)目。
47.如權(quán)利要求44所述的音/像光盤，其特征在于所述音/像光盤具有2.81G字節(jié)的最大容量并能夠以MPEG-1 VCD的格式存儲最長可達(dá)318分59秒74幀的視頻節(jié)目。
48.如權(quán)利要求45所述的音/像光盤，其特征在于數(shù)字定時數(shù)據(jù)被調(diào)制為22.05KHz的擺動信號，它在所述音/像光盤上形成紋槽。
49.如權(quán)利要求46所述的音/像光盤，其特征在于數(shù)字定時數(shù)據(jù)被調(diào)制為22.05KHz的擺動信號，它在所述音/像光盤上形成紋槽。
50.如權(quán)利要求47所述的音/像光盤，其特征在于數(shù)字定時數(shù)據(jù)被調(diào)制為22.05KHz的擺動信號，它在所述音/像光盤上形成紋槽。
51.如權(quán)利要求48所述的音/像光盤，其特征在于具有30nm的最大紋槽幅度。
52.如權(quán)利要求49所述的音/像光盤，其特征在于具有30nm的最大紋槽幅度。
53.如權(quán)利要求50所述的音/像光盤，其特征在于具有30nm的最大紋槽幅度。
54.一種音/像光盤，直徑130mm，以紋槽記錄的最大容量為1100M字節(jié)，記錄時間碼長達(dá)159分59秒74幀，而軌距短至1.30μm+/-0.10μm。
55.一種音/像光盤，直徑130mm，以臺面和紋槽記錄的最大容量為2.81G字節(jié)，記錄時間碼長達(dá)318分59秒74幀，而軌距短至1.50-2.00μm。
全文摘要
一種音/像光盤,它是“Philips－Sony”標(biāo)準(zhǔn)的擴展,其容量最大可達(dá)1110M字節(jié),相當(dāng)于127分鐘的VCD記錄時間,同時不必改變拾取裝置和寫策略,并且不必放棄現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)平臺就可以適應(yīng)該光盤和伺服固件,其中通過雜質(zhì)摻雜把存儲層合金的原子比設(shè)置為最佳值,從而針對在1X視頻記錄時的0.50NA對該介質(zhì)進(jìn)行了優(yōu)化。
文檔編號G11B7/258GK1360309SQ0114442
公開日2002年7月24日 申請日期2001年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2000年12月18日
發(fā)明者范繼良 申請人:大豐科技有限公司