一種硬幣檢測系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種硬幣檢測系統(tǒng)，包括激勵線圈、徑向磁梯度計、軸向磁梯度計、定位裝置、信號激勵源、驅(qū)動電路、模擬前端電路以及處理器。在信號激勵源和驅(qū)動電路對激勵線圈進(jìn)行激勵后，激勵線圈產(chǎn)生了平行于待測硬幣軸向的激勵磁場，在激勵磁場的作用下，待測硬幣通過內(nèi)部產(chǎn)生的渦流進(jìn)而產(chǎn)生感生磁場，徑向磁梯度計和軸向磁梯度計檢測該磁場在待測硬幣徑向和軸向的磁場分量，并將檢測到的信號輸送給模擬前端電路進(jìn)行放大，處理器對模擬前端電路輸送的放大信號進(jìn)行處理并輸出，根據(jù)輸出信號的諧振幅度以及相位等信息，便能獲知硬幣的材料、花色、面值等信息并能分辨真?zhèn)?。本發(fā)明提供的硬幣檢測系統(tǒng)具有精度高、靈敏度高、動態(tài)線性范圍寬等優(yōu)點。
【專利說明】—種硬幣檢測系統(tǒng)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種硬幣檢測系統(tǒng)，尤其涉及一種使用磁阻傳感器形成磁梯度計的硬幣檢測系統(tǒng)。

【背景技術(shù)】
[0002]硬幣是現(xiàn)代社會不可缺少的一部分，是人與人進(jìn)行物質(zhì)交換的必要工具，在日常生活中具有龐大的流通量。隨著硬幣使用越來越廣泛，交通、金融等機構(gòu)中對于硬幣的面值、真?zhèn)闻袛嘁约坝矌诺那妩c應(yīng)用的依賴程度越來越高。目前，對于硬幣清點及真?zhèn)舞b定主要有以下幾種方式:(1)通過對硬幣施加交變磁場，然后測量其感生渦流場來判斷硬幣的材料，進(jìn)而辨其真?zhèn)?，這種方法主要是通過采用感應(yīng)線圈或者是感應(yīng)線圈和霍爾傳感器組合來測量硬幣的軸向磁場，這只能測得一種辨別特征信號，對于那些具有相似諧振頻率、振幅或相位的不同硬幣，這種方法明顯不能準(zhǔn)確判斷真?zhèn)巍?2)使用多個磁阻傳感器構(gòu)成傳感單元陣列來檢測硬幣周圍的磁場分布，從而來判斷硬幣面值及其真?zhèn)?，如專利申請CN103617669A公開的一種硬幣檢測裝置，這種裝置也只能檢測一個方向的信號，對于那些具有相似直徑，并在同一方向上具有相似響應(yīng)的硬幣，這種方法的判斷結(jié)果精確度也不夠高，并且其測量結(jié)果包含有所施加的脈沖場所產(chǎn)生新的信號，需要后續(xù)處理來將該信號去除，操作過程相對比較復(fù)雜，并且會降低其分辨率。(3)采用對發(fā)射線圈進(jìn)行可變頻率輸入，在不同頻率點測量接收器的輸出來檢驗硬幣的真?zhèn)?，如美國專利申請US4086527所公開的檢驗方法，該方法雖然能獲知輸出信號的振幅、相位、諧振頻率等信息，但其仍然采用的是單軸傳感器，很難辨別一些具有相似特征的硬幣。此外，還有采用脈沖場激勵再移除脈沖場以及相移等方法來檢驗真?zhèn)?，這些方法都只能提供一種辨別特征的信號，不能準(zhǔn)確分辨出那些具有該種相似特征的硬幣。隨著硬幣偽造技術(shù)變得越來越高超，現(xiàn)有的硬幣檢測裝置不能滿足現(xiàn)代交通和金融等機構(gòu)中對硬幣檢測的高精度要求。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)所存在的缺陷，提供一種結(jié)構(gòu)簡單、準(zhǔn)確度高、靈敏度高、動態(tài)線性范圍寬的硬幣檢測系統(tǒng)。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:一種硬幣檢測系統(tǒng)，該硬幣檢測系統(tǒng)包括激勵線圈，徑向磁梯度計和軸向磁梯度計；
所述激勵線圈用于向待測硬幣提供軸向的激勵磁場，所述激勵磁場在所述待測硬幣內(nèi)部感生渦流，所述渦流產(chǎn)生感生磁場；
所述徑向磁梯度計包括至少兩個徑向磁阻傳感器且所述軸向磁梯度計包括至少兩個軸向磁阻傳感器，所述徑向磁阻傳感器和所述軸向磁阻傳感器各自分別相對所述激勵線圈的中心面或中心點對稱分布；所述徑向磁梯度計用于檢測所述感生磁場在所述激勵線圈對應(yīng)兩側(cè)且沿所述待測硬幣徑向上的磁場分量之差，所述軸向磁梯度計用于檢測所述感生磁場在所述激勵線圈對應(yīng)兩側(cè)且沿所述待測硬幣軸向上的磁場分量之差，所述對應(yīng)兩側(cè)是指沿著所述激勵線圈軸向上相對的兩側(cè)；
所述激勵線圈被定位，其定位方式使得所述待測硬幣的表面與所述激勵線圈的中心面平行，并且所述待測硬幣的表面與所述中心面之間的距離至少為所述激勵線圈高度的一半。
[0005]優(yōu)選的，所述硬幣檢測系統(tǒng)進(jìn)一步包括:用于激勵所述激勵線圈的信號激勵源和驅(qū)動電路，用于放大所述徑向磁梯度計和所述軸向磁梯度計所產(chǎn)生的信號的模擬前端電路，以及用于計算所述模擬前端電路輸出的放大信號的實部分量和虛部分量的處理器。
[0006]優(yōu)選的，所述信號激勵源所產(chǎn)生的信號含有交流信號，所述交流信號包含有至少一個頻率分量；所述處理器計算與每一頻率分量相對應(yīng)的放大信號的實部分量和虛部分量。
[0007]優(yōu)選的，所述信號激勵源還用于在所述交流信號存續(xù)期間施加直流信號，所述激勵線圈所產(chǎn)生的激勵磁場為直流磁場和交流磁場的疊加場。
[0008]優(yōu)選的，當(dāng)所述待測硬幣的材料為鐵磁材料或所述待測硬幣的表面涂覆有鐵磁材料時，施加所述直流磁場后，輸出信號的幅值會降低；當(dāng)所述待測硬幣的材料為導(dǎo)體時，所述直流磁場不影響輸出信號的幅值。
[0009]優(yōu)選的，所述硬幣檢測系統(tǒng)能檢測出每種類型的硬幣所對應(yīng)的實部分量和虛部分量的幅值。
[0010]優(yōu)選的，所述激勵線圈為單個線圈或多個線圈相疊加組成的陣列，所述激勵線圈所圍成的圓周直徑大于或等于所述待測硬幣的直徑。
[0011]優(yōu)選的，所述徑向磁梯度計位于所述激勵線圈的內(nèi)部邊緣且位于所述待測硬幣邊緣的下方，所述徑向磁阻傳感器相對所述激勵線圈的中心對稱；所述軸向磁梯度計位于所述激勵線圈的內(nèi)部且位于或接近所述待測硬幣的中心的下方，所述軸向磁阻傳感器沿所述激勵線圈的軸向相對所述激勵線圈的中心對稱分布。
[0012]優(yōu)選的，所述硬幣檢測系統(tǒng)還包括第一 PCB和第二 PCB，所述徑向磁阻傳感器分別位于所述第一 PCB和第二 PCB上，所述軸向磁阻傳感器分別位于所述第一 PCB和第二 PCB上，所述激勵線圈被固定于所述第一 PCB和第二 PCB之間；所述待測硬幣位于第一 PCB和第二 PCB的上方。
[0013]優(yōu)選的，所述徑向磁阻傳感器為X軸線性傳感器，所述軸向磁阻傳感器為Z軸線性傳感器，所述X軸線性傳感器的敏感方向與所述待測硬幣的徑向平行，所述Z軸線性傳感器的敏感方向與所述待測硬幣的軸向平行。
[0014]優(yōu)選的，所述X軸線性傳感器、所述Z軸線性傳感器為單電阻、半橋或全橋結(jié)構(gòu)，所述單電阻、半橋的橋臂或全橋的橋臂由一個或多個相互電連接的磁電阻元件組成。
[0015]優(yōu)選的，所述磁性電阻元件為Hall, SMRE (半導(dǎo)體磁電阻元件)，AMR, GMR或TMR元件。
[0016]優(yōu)選的，所述硬幣檢測系統(tǒng)還包括一定位裝置，所述定位裝置用于定位所述待測硬幣所放置的位置，使得所述待測硬幣接近于所述徑向磁梯度計和所述軸向磁梯度計的一側(cè)。
[0017]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下技術(shù)效果:
(I)使用徑向和軸向磁梯度計來感測待測硬幣所感生的渦流磁場的徑向和軸向磁場分量，實現(xiàn)雙軸測量，并且不受激勵磁場的影響，這能大大提高測量的準(zhǔn)確度；
(2)在沒有放置待測硬幣時，兩個磁梯度計不會顯示任何激勵信號，這能使得激勵信號不會產(chǎn)生飽和效應(yīng)，并能盡可能的提高增益，從而提高分辨率；
(3)徑向和軸向磁梯度計是由線性磁阻傳感器構(gòu)成，例如TMR傳感器，這能提高硬幣檢測系統(tǒng)的靈敏度以及增大動態(tài)線性范圍；此外，相對于線圈，磁阻傳感器體積更小、成本更低，這使得硬幣檢測系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)更加緊湊，還能節(jié)省成本；
(4)本發(fā)明中的兩個磁梯度計能溫度補償系統(tǒng)響應(yīng)，消除熱漂移誤差。
[0018]

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0020]圖1為本發(fā)明中硬幣檢測系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]圖2為本發(fā)明中硬幣檢測系統(tǒng)部分細(xì)節(jié)剖面圖。
[0022]圖3為本發(fā)明中硬幣檢測系統(tǒng)部分細(xì)節(jié)俯視圖。
[0023]圖4A-4B為測量頻率為IKHz時，硬幣周圍磁場的實部和虛部分量與測量位置的關(guān)系曲線。
[0024]圖5A-5B為測量頻率為1KHz時，硬幣周圍磁場的實部和虛部分量與測量位置的關(guān)系曲線。
[0025]圖6A-6D為不同材質(zhì)的硬幣所感生的渦流場的實部分量和虛部分量與頻率之間關(guān)系的計算結(jié)果。
[0026]圖7A-7B為I元和0.1元硬幣的測試結(jié)果曲線。
[0027]圖8為10種類型硬幣在頻率為160Hz和9800Hz時的測量結(jié)果。
[0028]圖9A-9B分別為軸向磁梯度計和徑向磁梯度計對兩種類型硬幣進(jìn)行測量得到的輸出曲線。

【具體實施方式】
[0029]下面將參考附圖并結(jié)合實施例，來詳細(xì)說明本發(fā)明。
實施例
[0030]圖1為本發(fā)明中的硬幣檢測系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖，該硬幣檢測系統(tǒng)包括信號激勵源
1、驅(qū)動電路2、激勵線圈3、待測硬幣4、徑向磁梯度計5、軸向磁梯度計6、模擬前端電路7以及處理器8。工作時，在信號激勵源I和驅(qū)動電路2對激勵線圈3進(jìn)行激勵后，激勵線圈3產(chǎn)生了平行于待測硬幣4軸向的激勵磁場10，在該激勵磁場10的作用下，在待測硬幣4內(nèi)部產(chǎn)生渦流進(jìn)而感生磁場11，徑向磁梯度計5和軸向磁梯度計6分別檢測該磁場在待測硬幣4的徑向和軸向方向上激勵線圈3對應(yīng)兩側(cè)的磁場分量之差，這里的對應(yīng)兩側(cè)是指沿著激勵線圈軸向(如圖2中縱向的虛線所示)上相對的兩側(cè)，在本實施例中是指上下兩側(cè)，然后將檢測到的信號輸送給模擬前端電路7進(jìn)行放大，處理器8對模擬前端電路7輸送的放大信號進(jìn)行處理并通過輸出端9輸出，處理器8可包含有MCU或DSP,所輸出的信號為電壓信號，可轉(zhuǎn)換為磁場信號，該磁場信號包含有實部和虛部，輸出信號與硬幣的材質(zhì)、大小、花色以及硬幣相對于徑向磁梯度計5和軸向磁梯度計6的位置有關(guān)，為了避免因位置不同而造成的影響，故用定位柱將待測硬幣定位。不同的硬幣具有其標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值，通過將檢測結(jié)果與標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值對比分析，便能判斷出面值及其真?zhèn)?。在本實施例中，信號激勵源I為正弦信號，但其也可為其他包含有一個或多個頻率分量的交流信號，在交流信號激勵成功后進(jìn)行檢測，將測量結(jié)果與標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值對比分析，還可以在交流信號激勵成功并檢測輸出信號后，再對待測硬幣4施加個直流磁場，該直流磁場可由外加的永磁體產(chǎn)生，還可通過信號激勵源I對激勵線圈3施加直流信號產(chǎn)生，在本實施例中為后者，然后又再次檢測輸出信號，這種情況下對材質(zhì)為導(dǎo)體的硬幣，其測量結(jié)果沒有影響，但對材質(zhì)為鐵磁材料或表面涂覆有鐵磁層(例如鎳)的硬幣，其測量結(jié)果將會有所改變，輸出信號的幅值會呈現(xiàn)降低的趨勢，這樣能進(jìn)一步提高分辨硬幣真?zhèn)蔚臏?zhǔn)確度。
[0031]圖2和圖3分別為本硬幣檢測系統(tǒng)中激勵線圈、待測硬幣、徑向、軸向磁梯度計等的細(xì)節(jié)剖視圖和俯視圖。徑向磁梯度計和軸向磁梯度計被激勵線圈所包圍，它們分別包含有兩個X軸線性磁阻傳感器15，15’和兩個Z軸線性磁阻傳感器16，16’，其中X軸線性磁阻傳感器15，15’不僅位于激勵線圈3的內(nèi)部邊緣并相對于激勵線圈3的中心對稱，也對稱分布在待測硬幣4邊緣的下方，Z軸線性磁阻傳感器16，16’不僅相對于激勵線圈的中心相對稱，也分布在待測硬幣4中心的下方，也可以位于接近待測硬幣4中心的下方，X軸線性磁阻傳感器15，15’和Z軸線性磁阻傳感器16，16’對稱分布的目的在于:(1)無待測硬幣，但具有激勵磁場時，徑向磁梯度計和軸向磁梯度計的輸出信號均為O ;(2)在有待測硬幣時，徑向磁梯度計和軸向磁梯度計能測量對應(yīng)的磁場梯度。本發(fā)明中，X軸線性磁阻傳感器15，15’還可以分布在激勵線圈3的同一左側(cè)或右側(cè)，且上下對稱。當(dāng)然徑向磁梯度計和軸向磁梯度計也可位于激勵線圈的外部，本發(fā)明對此不做限制。
[0032]X軸線性磁阻傳感器15和Z軸線性磁阻傳感器16設(shè)置在靠近待測硬幣的PCB 13上，X軸線性磁阻傳感器15’和Z軸線性磁阻傳感器16’設(shè)置在遠(yuǎn)離待測硬幣4的PCB14上，PCB13和PCB14相同。X軸線性磁阻傳感器15，15’的敏感方向與待測硬幣4的徑向平行，即從待測硬幣4的中心指向其邊緣，Z軸線性磁阻傳感器16，16’的敏感方向與待測硬幣4的軸向平行，即從待測硬幣4的中心指向外，在圖2中由于PCB13和PCB14的放置方向相反，所以X軸線性磁阻傳感器15，15’和Z軸線性磁阻傳感器16，16’的敏感方向分別各自相互反平行。在本實例中，X軸線性傳感器15，15’和Z軸線性磁阻傳感器16，16’為梯度全橋結(jié)構(gòu)，其橋臂由一個或多個相互電連接的TMR元件組成。此外，X軸線性傳感器15，15’和Z軸線性磁阻傳感器16，16’為單電阻或梯度半橋結(jié)構(gòu)，其橋臂也可以由一個或多個相互電連接的Hall, AMR或GMR等磁電阻元件組成。激勵線圈3位于兩個PCB13，14之間，將X軸線性傳感器15，15’和Z軸線性磁阻傳感器16，16’圍住，激勵線圈3為單個線圈，但如有需要增強信號，并使得其所產(chǎn)生的在待測硬幣4周圍的磁場更加均勻，這時也可以使用多個線圈相疊加組成的陣列，激勵線圈3所圍成的圓周直徑大于或等于待測硬幣4的直徑，激勵線圈3被上下兩個PCB13，14定位，使得待測硬幣4位于其一側(cè)，在本實施例中，待測硬幣4位于其上方，詳細(xì)來說，就是待測硬幣4的表面與激勵線圈3的中心面(圖2中的橫向虛線所示)平行，并且待測硬幣4的表面與激勵線圈3中心面之間的距離至少為激勵線圈高度H的一半。激勵線圈3中的電流方向如圖2中的17，18所示，即從17進(jìn)入，從18出來，電流方向與激勵線圈的中心面平行，在X軸線性磁阻傳感器15和15’處所產(chǎn)生的磁場方向相同，在Z軸線性磁阻傳感器16和16’處所產(chǎn)生的磁場方向也相同,但它們的敏感方向分別相反，所以通過運算可以使其相互抵消，對測量結(jié)果不造成影響。而相比X軸線性磁阻傳感器15’和Z軸線性磁阻傳感器16’，X軸線性磁阻傳感器15和Z軸線性磁阻傳感器16離待測硬幣4更近，從而對待測硬幣4所感生的渦流場形成梯度磁場測量。圖2和圖3的定位柱12是用于對待測硬幣4進(jìn)行定位，從而避免因待測硬幣4所放置的位置不同而造成的影響，定位柱12的放置位置并不限于圖中所示，例如，也可以放置在圖中所示位置的對側(cè)。
[0033]圖4A-4B分別為測量頻率為IKHz時，材質(zhì)為不銹鋼、表面鍍有鎳的硬幣所感生的渦流場的實部分量和虛部分量與測量位置的關(guān)系曲線。圖中的位置O代表著硬幣的中心點。其中，曲線19，22為軸向磁梯度計的模擬結(jié)果，曲線20，21為徑向磁梯度計的模擬結(jié)果。從圖4A中可以看出，在硬幣中心附近的軸向磁場分量最大并且分布均勻，而徑向磁場分量在硬幣邊緣最大，對比圖4A和圖4B可以發(fā)現(xiàn)，硬幣所感生的渦流場的實部分量受測量位置的影響更大。
[0034]圖5A-5B分別為測量頻率為1KHz時，材質(zhì)為不銹鋼、表面鍍有鎳的硬幣周圍磁場的實部分量和虛部分量與測量位置的關(guān)系曲線。其中，曲線23，26為軸向磁梯度計的模擬結(jié)果，曲線24，25為徑向磁梯度計的模擬結(jié)果。從圖5中也可以得出與圖4中相同的結(jié)論。
[0035]圖6A-6D為不同材質(zhì)的硬幣所感生的渦流場的實部分量和虛部分量與頻率之間關(guān)系的計算結(jié)果。其中，圖6A中硬幣材質(zhì)為純鎳，圖6B中硬幣材質(zhì)為不銹鋼表面鍍有厚度為10um的鎳，圖6C中硬幣材質(zhì)為不銹鋼表面鍍有厚度為1um的鎳，圖6D中硬幣材質(zhì)為純不銹鋼，曲線27，31，35，39為徑向磁梯度計所測得的實部分量，曲線28，32，36，40為徑向磁梯度計所測得的虛部分量，曲線29，33，37，41為軸向磁梯度計所測得的實部分量，曲線30，34，38，42為軸向磁梯度計所測得的虛部分量。從這幾幅圖中可以看出，不同材質(zhì)的硬幣，其測量結(jié)果也不同，實部分量對可磁導(dǎo)的材料更加敏感，而虛部分量敏感于渦流，根據(jù)各頻率所對應(yīng)的實、虛部分量便可獲知硬幣的面值、材質(zhì)等信息。
[0036]圖7A-7B分別為I元和0.1元硬幣的測試結(jié)果曲線。其中，曲線44，45和曲線48，49分別為軸向磁梯度計所測得的實部分量與虛部分量；曲線43，46和曲線47，50分別為徑向磁梯度計所測得的實部分量與虛部分量。對比這兩圖可以看出，不同面值的硬幣，其輸出結(jié)果也不同。將測量結(jié)果與標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值對比，便可判斷出面值及其真假。有些硬幣在某個頻率處、某個方向上的測量結(jié)果相同或者很相近，導(dǎo)致不好判斷面值及其真假，這時需要結(jié)合多個頻率所對應(yīng)的輸出結(jié)果來進(jìn)行判斷。如表I及與表I相對應(yīng)的圖8所示:
表I

【權(quán)利要求】
1.一種硬幣檢測系統(tǒng)，其特征在于，該硬幣檢測系統(tǒng)包括激勵線圈，徑向磁梯度計和軸向磁梯度計； 所述激勵線圈用于向待測硬幣提供軸向的激勵磁場，所述激勵磁場在所述待測硬幣內(nèi)部感生渦流，所述渦流產(chǎn)生感生磁場； 所述徑向磁梯度計包括至少兩個徑向磁阻傳感器且所述軸向磁梯度計包括至少兩個軸向磁阻傳感器，所述徑向磁阻傳感器和所述軸向磁阻傳感器各自分別相對所述激勵線圈的中心面或中心點對稱分布；所述徑向磁梯度計用于檢測所述感生磁場在所述激勵線圈對應(yīng)兩側(cè)且沿所述待測硬幣徑向上的磁場分量之差，所述軸向磁梯度計用于檢測所述感生磁場在所述激勵線圈對應(yīng)兩側(cè)且沿所述待測硬幣軸向上的磁場分量之差，所述對應(yīng)兩側(cè)是指沿著所述激勵線圈軸向上相對的兩側(cè)； 所述激勵線圈被定位，其定位方式使得所述待測硬幣的表面與所述激勵線圈的中心面平行，并且所述待測硬幣的表面與所述中心面之間的距離至少為所述激勵線圈高度的一半。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬幣檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述硬幣檢測系統(tǒng)進(jìn)一步包括:用于激勵所述激勵線圈的信號激勵源和驅(qū)動電路，用于放大所述徑向磁梯度計和所述軸向磁梯度計所產(chǎn)生的信號的模擬前端電路，以及用于計算所述模擬前端電路輸出的放大信號的實部分量和虛部分量的處理器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硬幣檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述信號激勵源所產(chǎn)生的信號含有交流信號，所述交流信號包含有至少一個頻率分量；所述處理器計算與每一頻率分量相對應(yīng)的放大信號的實部分量和虛部分量。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硬幣檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述信號激勵源還用于在所述交流信號存續(xù)期間施加直流信號，所述激勵線圈所產(chǎn)生的激勵磁場為直流磁場和交流磁場的疊加場。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硬幣檢測系統(tǒng)，其特征在于，當(dāng)所述待測硬幣的材料為鐵磁材料或所述待測硬幣的表面涂覆有鐵磁材料時，施加所述直流磁場后，輸出信號的幅值會降低；當(dāng)所述待測硬幣的材料為導(dǎo)體時，所述直流磁場不影響輸出信號的幅值。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硬幣檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述硬幣檢測系統(tǒng)能檢測出每種類型的硬幣所對應(yīng)的實部分量和虛部分量的幅值。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的硬幣檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述激勵線圈為單個線圈或多個線圈相疊加組成的陣列，所述激勵線圈所圍成的圓周直徑大于或等于所述待測硬幣的直徑。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬幣檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述徑向磁梯度計位于所述激勵線圈的內(nèi)部邊緣且位于所述待測硬幣邊緣的下方，所述徑向磁阻傳感器相對所述激勵線圈的中心對稱；所述軸向磁梯度計位于所述激勵線圈的內(nèi)部且位于或接近所述待測硬幣的中心的下方，所述軸向磁阻傳感器沿所述激勵線圈的軸向相對所述激勵線圈的中心對稱分布。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬幣檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述硬幣檢測系統(tǒng)還包括第一PCB和第二 PCB，所述徑向磁阻傳感器分別位于所述第一 PCB和第二 PCB上，所述軸向磁阻傳感器分別位于所述第一 PCB和第二 PCB上，所述激勵線圈被固定于所述第一 PCB和第二PCB之間；所述待測硬幣位于第一 PCB和第二 PCB的上方。
10.根據(jù)權(quán)利要求1、2、7或8任一項所述的硬幣檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述徑向磁阻傳感器為X軸線性傳感器，所述軸向磁阻傳感器為Z軸線性傳感器，所述X軸線性傳感器的敏感方向與所述待測硬幣的徑向平行，所述Z軸線性傳感器的敏感方向與所述待測硬幣的軸向平行。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的硬幣檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述X軸線性傳感器、所述Z軸線性傳感器為單電阻、半橋或全橋結(jié)構(gòu)，所述單電阻、半橋的橋臂或全橋的橋臂由一個或多個相互電連接的磁電阻元件組成。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的硬幣檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述磁性電阻元件為Hall，AMR, GMR, TMR或半導(dǎo)體磁電阻元件。
13.根據(jù)權(quán)利要求1、2、7或8所述的硬幣檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述硬幣檢測系統(tǒng)還包括一定位裝置，所述定位裝置用于定位所述待測硬幣所放置的位置，使得所述待測硬幣接近于所述徑向磁梯度計和所述軸向磁梯度計的一側(cè)。
【文檔編號】G07D5/08GK104134269SQ201410284349
【公開日】2014年11月5日 申請日期:2014年6月23日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月23日
【發(fā)明者】詹姆斯·G·迪克, 郭海平 申請人:江蘇多維科技有限公司