寫入元數(shù)據(jù)的方法、設(shè)備、以及存儲(chǔ)裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種將元數(shù)據(jù)從第一存儲(chǔ)介質(zhì)寫入到第二存儲(chǔ)介質(zhì)中的方法、設(shè)備以及寫入元數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)裝置。所述方法包括：基于待寫入元數(shù)據(jù)的屬性標(biāo)識(shí)所述待寫入元數(shù)據(jù)；采用第一寫入方式寫入滿足第一屬性的元數(shù)據(jù)；以及采用第二寫入方式寫入滿足第二屬性的元數(shù)據(jù)。
【專利說(shuō)明】
寫入元數(shù)據(jù)的方法、設(shè)備、以及存儲(chǔ)裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及元數(shù)據(jù)回寫的領(lǐng)域，更具體地，本發(fā)明涉及寫入元數(shù)據(jù)的方法、設(shè)備、 以及存儲(chǔ)裝置?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]固態(tài)硬盤(SSD)是基于閃存的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備，其已經(jīng)得到了廣泛使用。SSD中的一個(gè)重要組件是閃存轉(zhuǎn)換層(FTL)，其位于SSD控制器中，并且用于將來(lái)自主機(jī)的邏輯塊地址 (LBA)映射為硬盤上的物理塊地址(PBA)。對(duì)于FTL，一般采用基于二級(jí)映射FTL算法，其中， 所謂的“二級(jí)映射”是指頁(yè)級(jí)映射和簇級(jí)映射。
[0003]然而，當(dāng)采用基于二級(jí)映射FTL算法時(shí)，映射表的數(shù)量將非常龐大。此時(shí)，如果只在關(guān)機(jī)時(shí)進(jìn)行元數(shù)據(jù)回寫，將會(huì)影響關(guān)機(jī)速度，因此需要在硬盤正常工作中適時(shí)地進(jìn)行元數(shù)據(jù)回寫。如果采用阻塞方式進(jìn)行元數(shù)據(jù)回寫，會(huì)阻塞用戶數(shù)據(jù)寫的速度;反之，如果用非阻塞方式回寫，則很難保證掉電后數(shù)據(jù)重構(gòu)的一致性。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于上述情況，本發(fā)明提供了將元數(shù)據(jù)從第一存儲(chǔ)介質(zhì)寫入到第二存儲(chǔ)介質(zhì)中的方法、設(shè)備、以及寫入元數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)裝置，其能夠同時(shí)兼顧數(shù)據(jù)寫入速度以及數(shù)據(jù)一致性的保護(hù)。
[0005]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種將元數(shù)據(jù)從第一存儲(chǔ)介質(zhì)寫入到第二存儲(chǔ)介質(zhì)中的方法，包括:基于待寫入元數(shù)據(jù)的屬性標(biāo)識(shí)所述待寫入元數(shù)據(jù);采用第一寫入方式寫入滿足第一屬性的元數(shù)據(jù)；以及采用第二寫入方式寫入滿足第二屬性的元數(shù)據(jù)。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種寫入元數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)裝置，包括:存儲(chǔ)單元，存儲(chǔ)元數(shù)據(jù);處理單元，基于待寫入元數(shù)據(jù)的屬性標(biāo)識(shí)所述待寫入元數(shù)據(jù)，采用第一寫入方式將滿足第一屬性的元數(shù)據(jù)寫入所述存儲(chǔ)單元，以及采用第二寫入方式將滿足第二屬性的元數(shù)據(jù)寫入所述存儲(chǔ)單元。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種將元數(shù)據(jù)從第一存儲(chǔ)介質(zhì)寫入到第二存儲(chǔ)介質(zhì)中的設(shè)備，包括:標(biāo)識(shí)單元，基于待寫入元數(shù)據(jù)的屬性標(biāo)識(shí)所述待寫入元數(shù)據(jù);第一寫入單元，采用第一寫入方式寫入滿足第一屬性的元數(shù)據(jù)；以及第二寫入單元，采用第二寫入方式寫入滿足第二屬性的元數(shù)據(jù)。
[0008]在本發(fā)明實(shí)施例的將元數(shù)據(jù)從第一存儲(chǔ)介質(zhì)寫入到第二存儲(chǔ)介質(zhì)中的方法、設(shè)備、以及寫入元數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)裝置中，通過(guò)對(duì)于不同屬性的元數(shù)據(jù)采用不同的回寫方式，從而能夠同時(shí)兼顧數(shù)據(jù)寫入速度以及數(shù)據(jù)一致性的保護(hù)?！靖綀D說(shuō)明】
[0009]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例的描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹。下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的示例性實(shí)施例。
[0010]圖1是圖示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的將元數(shù)據(jù)從第一存儲(chǔ)介質(zhì)寫入到第二存儲(chǔ)介質(zhì)中的方法的流程圖；
[0011]圖2是圖示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的元數(shù)據(jù)回寫的狀態(tài)轉(zhuǎn)變示例的示意圖；[0〇12]圖3是圖示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的示例映射表和簇表的示意圖；
[0013]圖4是圖示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的寫入元數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)裝置的配置框圖；以及 [〇〇14]圖5是圖示根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的將元數(shù)據(jù)從第一存儲(chǔ)介質(zhì)寫入到第二存儲(chǔ)介質(zhì)中的設(shè)備的配置框圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0015]在下文中，將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。注意，在本說(shuō)明書和附圖中，基本上相同的步驟和元素用相同的附圖標(biāo)記來(lái)表示，且對(duì)這些步驟和元素的重復(fù)解釋將被省略。
[0016]首先，參照?qǐng)D1描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的將元數(shù)據(jù)從第一存儲(chǔ)介質(zhì)寫入到第二存儲(chǔ)介質(zhì)中的方法10。圖1是圖示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的將元數(shù)據(jù)從第一存儲(chǔ)介質(zhì)寫入到第二存儲(chǔ)介質(zhì)中的方法10的流程圖。
[0017]這里，第一存儲(chǔ)介質(zhì)例如是RAM(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)等的易失性存儲(chǔ)器，而第二存儲(chǔ)介質(zhì)例如是ROM(只讀存儲(chǔ)器)、EPR0M(可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)、SSD等的非易失性存儲(chǔ)器。更具體地，因?yàn)榍笆觥颈尘凹夹g(shù)】中所提及的“元數(shù)據(jù)回寫”是指將元數(shù)據(jù)從易失性存儲(chǔ)器寫入到非易失性存儲(chǔ)器中，因此也可以作為這里所述的方法10的示例。
[0018]如圖1中所示，在本發(fā)明實(shí)施例的將元數(shù)據(jù)從第一存儲(chǔ)介質(zhì)寫入到第二存儲(chǔ)介質(zhì)中的方法10開始時(shí)，首先，在步驟S101，基于待寫入元數(shù)據(jù)的屬性標(biāo)識(shí)所述待寫入元數(shù)據(jù)。
[0019]具體地，待寫入元數(shù)據(jù)的屬性例如可以包括元數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量、層級(jí)等。例如，當(dāng)待寫入元數(shù)據(jù)為映射表時(shí)，映射表的數(shù)據(jù)量大，層級(jí)低；當(dāng)待寫入元數(shù)據(jù)為簇表時(shí)，簇表的數(shù)據(jù)量比映射表的數(shù)據(jù)量低，層級(jí)比映射表的層級(jí)高；當(dāng)待寫入元數(shù)據(jù)為例如指針、索引等的其它關(guān)鍵元數(shù)據(jù)時(shí)，這種元數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量最低，層級(jí)最高。
[0020]根據(jù)待寫入元數(shù)據(jù)的這些示例屬性，可以標(biāo)識(shí)所述待寫入元數(shù)據(jù)。這里所述的“標(biāo)識(shí)”例如可以是將某個(gè)元數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)為滿足第一屬性或第二屬性。也可以理解為，根據(jù)不同元數(shù)據(jù)的各自的屬性，可以將這些元數(shù)據(jù)分為例如兩類，第一類元數(shù)據(jù)滿足第一屬性，而第二類元數(shù)據(jù)滿足第二屬性。由此，可以在后續(xù)步驟中對(duì)不同類的元數(shù)據(jù)進(jìn)行不同的處理。[0021 ]更具體地，因?yàn)橛成浔砗痛乇淼臄?shù)據(jù)量相對(duì)于其它關(guān)鍵元數(shù)據(jù)來(lái)說(shuō)更大，并且它們的層級(jí)相對(duì)于其它關(guān)鍵元數(shù)據(jù)來(lái)說(shuō)更低，因此可以將映射表和簇表標(biāo)識(shí)為滿足第一屬性，將其它關(guān)鍵元數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)為滿足第二屬性，也就是說(shuō)，將映射表和簇表分類為第一類元數(shù)據(jù)，而將其它關(guān)鍵元數(shù)據(jù)分類為第二類元數(shù)據(jù)。[〇〇22]接著，在步驟S102,采用第一寫入方式寫入滿足第一屬性的元數(shù)據(jù)。
[0023]具體地，第一寫入方式例如可以為非阻塞方式。所謂的“非阻塞方式”是指在進(jìn)行元數(shù)據(jù)回寫時(shí)，不阻止用戶對(duì)第二存儲(chǔ)介質(zhì)的數(shù)據(jù)寫入等的其它動(dòng)作。也就是說(shuō)，通過(guò)非阻塞方式對(duì)元數(shù)據(jù)進(jìn)行的回寫、與用戶數(shù)據(jù)寫入可以同時(shí)并行地進(jìn)行，這樣可以保證用戶數(shù)據(jù)寫入的速度。
[0024]更具體地，如前所述，滿足第一屬性的元數(shù)據(jù)例如是映射表和簇表。因此，可以在步驟S102中采用非阻塞方式寫入映射表和簇表。[〇〇25]然后，在步驟S103,采用第二寫入方式寫入滿足第二屬性的元數(shù)據(jù)。
[0026]具體地，第二寫入方式例如可以為阻塞方式。所謂的“阻塞方式”是指在進(jìn)行元數(shù)據(jù)回寫時(shí)，阻止用戶對(duì)第二存儲(chǔ)介質(zhì)的數(shù)據(jù)寫入等的其它動(dòng)作。也就是說(shuō)，在通過(guò)阻塞方式進(jìn)行元數(shù)據(jù)回寫時(shí)，不會(huì)存在其它數(shù)據(jù)寫入動(dòng)作。這樣，在元數(shù)據(jù)寫入期間，數(shù)據(jù)不會(huì)被更改，因此可以保證掉電后數(shù)據(jù)重構(gòu)的一致性。
[0027]更具體地，如前所述，滿足第二屬性的元數(shù)據(jù)例如是除了映射表和簇表之外的其它關(guān)鍵元數(shù)據(jù)。因此，可以在步驟S103中采用阻塞方式寫入其它關(guān)鍵元數(shù)據(jù)。
[0028]—方面，因?yàn)槔缰羔?、索引等的其它關(guān)鍵元數(shù)據(jù)極為重要，也即，層級(jí)較高，所以，為了保證數(shù)據(jù)一致性，這些元數(shù)據(jù)在回寫過(guò)程中不能被修改，因此需要采用阻塞方式回寫這些元數(shù)據(jù)。此外，考慮到這些元數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量較小，因此它們的阻塞式回寫過(guò)程很短， 所以，對(duì)用戶數(shù)據(jù)寫入的阻塞時(shí)間也會(huì)很短，因此用戶數(shù)據(jù)寫入速度不會(huì)受到很大影響。
[0029]另一方面，與例如指針、索引等的其它關(guān)鍵元數(shù)據(jù)相比，映射表和簇表的數(shù)據(jù)量較大，因此如果采用阻塞方式回寫映射表和簇表時(shí)，用戶數(shù)據(jù)寫入的速度會(huì)受到較大影響，因此采用非阻塞方式回寫映射表和簇表更為適宜。此外，考慮到映射表和簇表的層級(jí)較低， 艮P，沒(méi)有上述那些關(guān)鍵元數(shù)據(jù)那么重要，因此，即使在非阻塞式回寫過(guò)程中映射表中的某些數(shù)據(jù)被用戶的寫入動(dòng)作更改，也不會(huì)造成如上述關(guān)鍵元數(shù)據(jù)被更改所導(dǎo)致的那么嚴(yán)重的后果。此外，如本文稍后將描述，也可以采取進(jìn)一步的措施來(lái)消除在非阻塞式回寫過(guò)程中元數(shù)據(jù)被更改所產(chǎn)生的不利影響。
[0030]在執(zhí)行了步驟S103之后，將元數(shù)據(jù)從第一存儲(chǔ)介質(zhì)寫入到第二存儲(chǔ)介質(zhì)中的方法 10結(jié)束。
[0031]應(yīng)理解，上述給出的待寫入元數(shù)據(jù)的屬性的具體示例僅為了便于理解本發(fā)明，而并非將本發(fā)明限于此。同理，上述給出的元數(shù)據(jù)的具體示例、以及對(duì)待寫入元數(shù)據(jù)的具體標(biāo)識(shí)方式(即，分類方式)的舉例也不對(duì)本發(fā)明構(gòu)成限制。本領(lǐng)域技術(shù)人員在本申請(qǐng)給出的教示的基礎(chǔ)上，可以根據(jù)實(shí)際情況，對(duì)任何可能的元數(shù)據(jù)基于其任何合適的屬性，進(jìn)行合適的標(biāo)識(shí)，并繼而采用合適的回寫方式。
[0032]在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的將元數(shù)據(jù)從第一存儲(chǔ)介質(zhì)寫入到第二存儲(chǔ)介質(zhì)中的方法 10中，通過(guò)對(duì)于不同屬性的元數(shù)據(jù)采用不同的回寫方式，也就是說(shuō)，采用兩種回寫方式相結(jié)合，從而能夠同時(shí)兼顧數(shù)據(jù)寫入速度以及數(shù)據(jù)一致性的保護(hù)。
[0033]可選地，雖然圖1中未示出，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的將元數(shù)據(jù)從第一存儲(chǔ)介質(zhì)寫入到第二存儲(chǔ)介質(zhì)中的方法10中，所述屬性至少包括所述待寫入元數(shù)據(jù)的優(yōu)先級(jí)，并且，所述步驟S101可以包括如下子步驟:
[0034]將所述待寫入元數(shù)據(jù)的優(yōu)先級(jí)與參考優(yōu)先級(jí)相比較;以及[〇〇35]如果所述待寫入元數(shù)據(jù)的優(yōu)先級(jí)低于所述參考優(yōu)先級(jí)，則將所述待寫入元數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)為滿足第一屬性，否則將所述待寫入元數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)為滿足第二屬性。
[0036]具體地，如前所述，待寫入元數(shù)據(jù)的屬性不限于前述舉例說(shuō)明的數(shù)據(jù)量、層級(jí)。例如，這里假設(shè)所述屬性至少包括待寫入元數(shù)據(jù)的優(yōu)先級(jí)。更具體地，優(yōu)先級(jí)例如可以根據(jù)待寫入元數(shù)據(jù)的例如數(shù)據(jù)量、層級(jí)等某些屬性(特性)來(lái)確定。例如，根據(jù)映射表的數(shù)據(jù)量大小和層級(jí)高低，可以將映射表的優(yōu)先級(jí)確定為1;根據(jù)簇表的數(shù)據(jù)量大小和層級(jí)高低，可以將簇表的優(yōu)先級(jí)確定為2;并且根據(jù)其它關(guān)鍵元數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量大小和層級(jí)高低，可以將這些關(guān)鍵元數(shù)據(jù)的優(yōu)先級(jí)確定為3。
[0037]這里，還可以假設(shè)參考優(yōu)先級(jí)等于3,則通過(guò)分別將映射表、簇表和其它關(guān)鍵元數(shù)據(jù)的優(yōu)先級(jí)與參考優(yōu)先級(jí)相比較，可以得到映射表和簇表的優(yōu)先級(jí)均低于參考優(yōu)先級(jí)，因此將映射表和簇表均標(biāo)識(shí)為滿足第一屬性，即，如前所述，將它們分類為第一類元數(shù)據(jù)。由于其它關(guān)鍵元數(shù)據(jù)的優(yōu)先級(jí)等于參考優(yōu)先級(jí)，因此將它們標(biāo)識(shí)為滿足第二屬性，即，如前所述，將它們分類為第二類元數(shù)據(jù)。由此，可以在后續(xù)步驟S102和S103中分別對(duì)不同標(biāo)識(shí)的元數(shù)據(jù)采用不同的寫入方式進(jìn)行寫入(回寫)。[〇〇38]應(yīng)理解，這里給出的優(yōu)先級(jí)也僅僅是屬性的一種示例，而不對(duì)本發(fā)明構(gòu)成限制。同樣，這里所述的基于優(yōu)先級(jí)對(duì)待寫入元數(shù)據(jù)進(jìn)行標(biāo)識(shí)(分類)的示例方式也不對(duì)本發(fā)明構(gòu)成限制。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際情況，基于其它任何合適的屬性來(lái)對(duì)待寫入元數(shù)據(jù)進(jìn)行標(biāo)識(shí)(分類)，以確定它們的寫入方式。
[0039]可選地，雖然圖1中未示出，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的將元數(shù)據(jù)從第一存儲(chǔ)介質(zhì)寫入到第二存儲(chǔ)介質(zhì)中的方法10中，所述滿足第一屬性的元數(shù)據(jù)包括第一元數(shù)據(jù)、以及第二元數(shù)據(jù)，并且所述滿足第二屬性的元數(shù)據(jù)包括第三元數(shù)據(jù)，并且，所述步驟S102可以包括如下子步驟:
[0040]拷貝出所述第一元數(shù)據(jù)；[〇〇41]采用第一寫入方式寫入所述第一元數(shù)據(jù)；
[0042]基于來(lái)自所述第二存儲(chǔ)介質(zhì)的第一反饋結(jié)束所述第一元數(shù)據(jù)的寫入；
[0043]基于所述第一元數(shù)據(jù)，修改所述第二元數(shù)據(jù)；
[0044]采用第一寫入方式寫入經(jīng)修改的第二元數(shù)據(jù)；以及
[0045]基于來(lái)自所述第二存儲(chǔ)介質(zhì)的第二反饋結(jié)束所述經(jīng)修改的第二元數(shù)據(jù)的寫入。
[0046]具體地，為了便于說(shuō)明，下面結(jié)合圖2詳細(xì)說(shuō)明上述可選的各個(gè)子步驟。圖2是圖示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的元數(shù)據(jù)回寫的狀態(tài)轉(zhuǎn)變示例的示意圖。[〇〇47]具體地，硬盤在正常工作時(shí)，例如，會(huì)通過(guò)一定策略觸發(fā)元數(shù)據(jù)回寫，并不斷對(duì)元數(shù)據(jù)的更新進(jìn)行增量式回寫。圖2中示出了單次元數(shù)據(jù)回寫的示意圖。[〇〇48]如圖2中所示，當(dāng)系統(tǒng)觸發(fā)了某次元數(shù)據(jù)回寫時(shí)，進(jìn)入第一元數(shù)據(jù)回寫狀態(tài)2201。 為了更便于說(shuō)明，假設(shè)第一元數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)于映射表的頁(yè)，更具體地，例如是更新了元數(shù)據(jù)的映射表的頁(yè)。此時(shí)，首先需要將需要寫入的映射表的這些頁(yè)拷貝出來(lái)，這是為了防止在非阻塞方式回寫過(guò)程中這些頁(yè)被實(shí)時(shí)地改變。然后，采用前述非阻塞方式回寫映射表中的這些頁(yè)， 直至接收到來(lái)自例如SSD的第二存儲(chǔ)介質(zhì)的第一反饋2210,才從此狀態(tài)2201轉(zhuǎn)變至第二元數(shù)據(jù)回寫狀態(tài)2202。
[0049]這里，第一反饋2210例如是從SSD反饋映射表中需要回寫的頁(yè)被全部回寫成功的反饋，也即，通過(guò)此第一反饋2210觸發(fā)狀態(tài)轉(zhuǎn)變。更具體地，例如，可以將映射表中需要回寫的頁(yè)的頁(yè)數(shù)發(fā)送給SSD，SSD當(dāng)所計(jì)數(shù)的完成回寫的頁(yè)的頁(yè)數(shù)等于需要回寫的頁(yè)的頁(yè)數(shù)時(shí)， 則發(fā)送該第一反饋2210。替代地，也可以由SSD發(fā)送完成回寫的頁(yè)的頁(yè)數(shù)，當(dāng)發(fā)送給SSD的需要回寫的頁(yè)的頁(yè)數(shù)與SSD發(fā)送回的完成回寫的頁(yè)的頁(yè)數(shù)相等時(shí)，判斷映射表的回寫完成，此時(shí)，第一反饋2210對(duì)應(yīng)于與需要回寫的頁(yè)的頁(yè)數(shù)相等的完成回寫的頁(yè)的頁(yè)數(shù)。應(yīng)理解，第一反饋2210不限于這里列舉的示例情況，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際情況，設(shè)計(jì)第一反饋2210的任何合適的實(shí)現(xiàn)方式。
[0050]在第一元數(shù)據(jù)(例如，映射表的頁(yè))完成回寫之后，S卩，從狀態(tài)2201轉(zhuǎn)變到狀態(tài) 2202,進(jìn)行第二元數(shù)據(jù)的回寫。具體地，為了便于說(shuō)明，假設(shè)第二元數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)于簇表。因?yàn)榇乇碇杏涗浟擞成浔淼捻?yè)的物理地址，因此，當(dāng)映射表的頁(yè)發(fā)生更新時(shí)，需要對(duì)應(yīng)地修改簇表中的對(duì)應(yīng)項(xiàng)。然后，在對(duì)應(yīng)修改之后，采用前述非阻塞方式對(duì)修改后的簇表進(jìn)行回寫。如圖2 中所示，與狀態(tài)2201類似地，直到接收到來(lái)自例如SSD的第二存儲(chǔ)介質(zhì)的第二反饋2220,才從狀態(tài)2202轉(zhuǎn)變至第三元數(shù)據(jù)回寫狀態(tài)2203。與第一反饋2210類似地，第二反饋2220表示簇表的所有頁(yè)回寫成功，也即，通過(guò)此第二反饋2220觸發(fā)狀態(tài)轉(zhuǎn)變。
[0051]在狀態(tài)2203中，對(duì)例如前述其它關(guān)鍵元數(shù)據(jù)的第三元數(shù)據(jù)進(jìn)行阻塞方式的回寫。 并且，在完成第三元數(shù)據(jù)回寫之后，本次元數(shù)據(jù)回寫結(jié)束，并且等待下一次元數(shù)據(jù)回寫的觸發(fā)。[〇〇52]為了更進(jìn)一步理解本發(fā)明，下面結(jié)合圖3以映射表和簇表為例說(shuō)明上述各個(gè)可選子步驟的應(yīng)用不例。圖3是圖不根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的不例映射表和族表的不意圖。[〇〇53]圖3(A)示出了示例性映射表301。映射表301中前8列中記錄了寫入數(shù)據(jù)，第9列指示映射表的邏輯頁(yè)號(hào)，映射表301每行左側(cè)的數(shù)據(jù)表示映射表頁(yè)對(duì)應(yīng)的物理地址。圖3(B)示出了與圖3(A)中的示例性映射表301對(duì)應(yīng)的示例性簇表302。簇表302用于記錄映射表301的頁(yè)的物理地址，如圖3(B)中所示的簇表302中的左側(cè)兩列所示。其中每列的上方分別示出了每列的物理地址對(duì)應(yīng)的邏輯頁(yè)號(hào)。[〇〇54] 具體地，假設(shè)第一次寫入數(shù)據(jù)200-215，則生成映射表放在物理地址100-101中，如圖3(A)所示的映射表301中的前兩行所示出的。其中，第一行對(duì)應(yīng)于邏輯頁(yè)號(hào)“vlpnO”，第二行對(duì)應(yīng)于邏輯頁(yè)號(hào)“vlpnl”。也就是說(shuō)，對(duì)于此次寫入，邏輯頁(yè)號(hào)“vlpnO”對(duì)應(yīng)于物理地址 100，其對(duì)應(yīng)于寫入數(shù)據(jù)200-207 (即，表301的第一行)，邏輯頁(yè)號(hào)“vlpnl”對(duì)應(yīng)于物理地址 101，其對(duì)應(yīng)于寫入數(shù)據(jù)208-215(即，表301的第二行)。相應(yīng)地，對(duì)于此次數(shù)據(jù)寫入，簇表302 在第一行中分別與邏輯頁(yè)號(hào)“vlpnO”和“vlpnl”對(duì)應(yīng)地記錄映射表301的頁(yè)的物理地址100 和 101〇[〇〇55]假設(shè)第二次寫入是重寫個(gè)別的頁(yè)。例如，如圖3(A)所示的映射表301中的第三行所示，將數(shù)據(jù)212重寫為216,并且將數(shù)據(jù)214重寫為217。此次重寫僅涉及邏輯頁(yè)號(hào)“vlpnl”，而不涉及邏輯頁(yè)號(hào)“vlpnO”，并且重寫后的“vlpnl”對(duì)應(yīng)于物理地址102。因此，相應(yīng)地，在圖3 (B)中所示的簇表302中的第二行中，對(duì)應(yīng)于邏輯頁(yè)號(hào)“vlpnO”的物理地址保持不變，S卩，仍為100，而對(duì)應(yīng)于邏輯頁(yè)號(hào)“vlpnl”重新記錄物理地址102。
[0056] 進(jìn)一步，假設(shè)第三次寫入是將210重寫為219以及將211重寫為218,如圖3(A)所示的映射表301中第四行所示的。此次重寫仍然僅涉及邏輯頁(yè)號(hào)“vlpnl”，而不涉及邏輯頁(yè)號(hào) “vlpnO”，并且重寫后的“vlpnl”對(duì)應(yīng)于物理地址103。因此，相應(yīng)地，在圖3(B)中所示的簇表 302中的第三行中，對(duì)應(yīng)于邏輯頁(yè)號(hào)“vlpnO”的物理地址保持不變，S卩，仍為100，而對(duì)應(yīng)于邏輯頁(yè)號(hào)“vlpnl”重新記錄物理地址103。[〇〇57]以上參考圖3詳細(xì)說(shuō)明了映射表與簇表之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系。對(duì)于上述三次寫入的每次，都可以如圖2中所示觸發(fā)元數(shù)據(jù)回寫，即在狀態(tài)2201中對(duì)映射表301中涉及元數(shù)據(jù)改變的頁(yè)進(jìn)行非阻塞回寫，并且在狀態(tài)2202中基于映射表301中的改變而相應(yīng)地修改簇表302， 并對(duì)修改后的簇表302進(jìn)行非阻塞回寫，這里不再贅述。
[0058]應(yīng)理解，圖3中所示的映射表和簇表的設(shè)置僅僅是一種示例情況，而不對(duì)本發(fā)明構(gòu)成限制。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以采用任何合適的映射表和簇表的設(shè)置方式。
[0059]進(jìn)一步可選地，雖然圖1中未示出，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的將元數(shù)據(jù)從第一存儲(chǔ)介質(zhì)寫入到第二存儲(chǔ)介質(zhì)中的方法10還可以包括步驟:采用第二寫入方式寫入在采用第一寫入方式寫入第一元數(shù)據(jù)和第二元數(shù)據(jù)期間第一元數(shù)據(jù)中改變的項(xiàng)。
[0060]具體地，為了便于理解，仍以第一元數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)于映射表且第二元數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)于簇表為例進(jìn)行舉例說(shuō)明。如前所述，在對(duì)映射表進(jìn)行回寫時(shí)，首先將映射表拷貝出來(lái)，然后再對(duì)映射表和對(duì)應(yīng)修改的簇表進(jìn)行非阻塞回寫。由此，所回寫的映射表和簇表對(duì)應(yīng)于非阻塞回寫過(guò)程之前的狀態(tài)。然而，在非阻塞回寫過(guò)程中，由于用戶數(shù)據(jù)寫入不被阻止，因此映射表中的元數(shù)據(jù)有可能通過(guò)硬盤的讀寫操作而被實(shí)時(shí)修改，從而導(dǎo)致對(duì)應(yīng)的其它關(guān)鍵元數(shù)據(jù)也被實(shí)時(shí)修改了。例如，如果發(fā)生如圖3中所示的重寫情況，則映射表的頁(yè)的物理地址會(huì)發(fā)生修改，從而作為關(guān)鍵元數(shù)據(jù)的vcount值也發(fā)生了修改，這樣被通過(guò)阻塞方式進(jìn)行回寫的關(guān)鍵元數(shù)據(jù)是修改后的關(guān)鍵元數(shù)據(jù)。也就是說(shuō)，所回寫的映射表中的頁(yè)的映射信息與所回寫的關(guān)鍵元數(shù)據(jù)會(huì)存在不一致。對(duì)于這種情況，當(dāng)硬盤正常關(guān)機(jī)時(shí)，這些不一致不會(huì)造成任何影響，然而，如果硬盤發(fā)生突然斷電等異常關(guān)機(jī)、且需要更為準(zhǔn)確的保證元數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)的一致性時(shí)，則需要通過(guò)上述可選步驟來(lái)恢復(fù)。
[0061]例如，可以在關(guān)鍵元數(shù)據(jù)中增加一項(xiàng)來(lái)保存在準(zhǔn)備開始對(duì)映射表進(jìn)行非阻塞式回寫、與開始對(duì)關(guān)鍵元數(shù)據(jù)進(jìn)行阻塞式回寫之間(即，在對(duì)映射表和簇表進(jìn)行非阻塞式回寫期間)映射表中修改的部分，并且，在阻塞式回寫關(guān)鍵元數(shù)據(jù)時(shí)，將所增加的該項(xiàng)一同進(jìn)行阻塞式回寫。這樣，如果正常關(guān)機(jī)，則可以在恢復(fù)時(shí)，利用元數(shù)據(jù)記錄的映射表修改項(xiàng)，對(duì)加載元數(shù)據(jù)的映射表的項(xiàng)，恢復(fù)出對(duì)應(yīng)的映射表版本。
[0062]通過(guò)上述可選步驟，可以進(jìn)一步防止異常關(guān)機(jī)情況導(dǎo)致的數(shù)據(jù)不一致。
[0063]可選地，雖然圖1中未示出，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的將元數(shù)據(jù)從第一存儲(chǔ)介質(zhì)寫入到第二存儲(chǔ)介質(zhì)中的方法10中，在所述步驟S101之前還可以包括步驟:基于選取策略選取所述要進(jìn)行寫入的元數(shù)據(jù)。
[0064]具體地，可以采用增量回寫策略，也就是說(shuō)，僅選取映射表中改變(更新)的頁(yè)進(jìn)行回寫，而非對(duì)全部頁(yè)進(jìn)行回寫，從而可以減少回寫數(shù)據(jù)量，減輕系統(tǒng)負(fù)擔(dān)。
[0065]應(yīng)理解，上述增量回寫策略僅僅為了舉例說(shuō)明，本發(fā)明不限于此。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際情況，采取任何合適的選取策略來(lái)選取待寫入的元數(shù)據(jù)。
[0066]進(jìn)一步可選地，雖然圖1中未示出，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的將元數(shù)據(jù)從第一存儲(chǔ)介質(zhì)寫入到第二存儲(chǔ)介質(zhì)中的方法10中，在上述基于選取策略選取所述要進(jìn)行寫入的元數(shù)據(jù)的可選步驟之前，還可以包括步驟:基于寫入策略觸發(fā)元數(shù)據(jù)寫入。
[0067]具體地，如圖2中所示，在觸發(fā)回寫時(shí)，進(jìn)行每次元數(shù)據(jù)的回寫。例如，寫入策略可以是當(dāng)元數(shù)據(jù)進(jìn)行了更新(改變)時(shí)。然而，應(yīng)理解，本發(fā)明不限于此，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際情況，采取任何合適的寫入策略來(lái)觸發(fā)元數(shù)據(jù)寫入。
[0068]可選地，雖然圖1中未示出，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的將元數(shù)據(jù)從第一存儲(chǔ)介質(zhì)寫入到第二存儲(chǔ)介質(zhì)中的方法10中，所述第一寫入方式可以為非阻塞方式，并且所述第二寫入方式可以為阻塞方式。由于前文已經(jīng)舉例說(shuō)明了非阻塞方式和阻塞方式這兩種回寫方式的詳細(xì)細(xì)節(jié)，因此這里不再贅述。
[0069]可選地，雖然圖1中未示出，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的將元數(shù)據(jù)從第一存儲(chǔ)介質(zhì)寫入到第二存儲(chǔ)介質(zhì)中的方法10可以基于二級(jí)映射FTL算法。具體地，例如，如前所述，可以采用例如圖3中所不的映射表和簇表結(jié)合映射的方式。
[0070]以上參照?qǐng)D1-3描述了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的將元數(shù)據(jù)從第一存儲(chǔ)介質(zhì)寫入到第二存儲(chǔ)介質(zhì)中的方法10。在所述方法10中，通過(guò)對(duì)于不同屬性的元數(shù)據(jù)采用不同的回寫方式，也就是說(shuō)，采用兩種回寫方式相結(jié)合，從而能夠同時(shí)兼顧數(shù)據(jù)寫入速度以及數(shù)據(jù)一致性的保護(hù)。
[0071]下面，將參照?qǐng)D4描述根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的寫入元數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)裝置40。圖4是圖示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的寫入元數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)裝置40的配置框圖。這里，所述存儲(chǔ)裝置 40例如可以是諸如SSD的非易失性存儲(chǔ)器。[〇〇72]如圖4所示，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的寫入元數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)裝置40可以包括存儲(chǔ)單元410 和處理單元420。[0〇73]存儲(chǔ)單元410存儲(chǔ)元數(shù)據(jù)。處理單元420基于待寫入元數(shù)據(jù)的屬性標(biāo)識(shí)所述待寫入元數(shù)據(jù)，采用第一寫入方式將滿足第一屬性的元數(shù)據(jù)寫入所述存儲(chǔ)單元410,以及采用第二寫入方式將滿足第二屬性的元數(shù)據(jù)寫入所述存儲(chǔ)單元410。[〇〇74] 可選地，所述屬性至少包括所述待寫入元數(shù)據(jù)的優(yōu)先級(jí)。并且，所述處理單元420 還:將所述待寫入元數(shù)據(jù)的優(yōu)先級(jí)與參考優(yōu)先級(jí)相比較；以及如果所述待寫入元數(shù)據(jù)的優(yōu)先級(jí)低于所述參考優(yōu)先級(jí)，則將所述待寫入元數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)為滿足第一屬性，否則將所述待寫入元數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)為滿足第二屬性。
[0075]可選地，所述滿足第一屬性的元數(shù)據(jù)包括第一元數(shù)據(jù)、以及第二元數(shù)據(jù)，并且所述滿足第二屬性的元數(shù)據(jù)包括第三元數(shù)據(jù)。并且，所述處理單元420還:拷貝出所述第一元數(shù)據(jù);采用第一寫入方式將所述第一元數(shù)據(jù)寫入所述存儲(chǔ)單元410;基于來(lái)自所述存儲(chǔ)單元的第一反饋，結(jié)束所述第一元數(shù)據(jù)的寫入;基于所述第一元數(shù)據(jù)，修改所述第二元數(shù)據(jù);采用第一寫入方式將經(jīng)修改的第二元數(shù)據(jù)寫入所述存儲(chǔ)單元410;以及基于來(lái)自所述存儲(chǔ)單元的第二反饋，結(jié)束所述經(jīng)修改的第二元數(shù)據(jù)的寫入。[〇〇76] 進(jìn)一步可選地，所述處理單元420還:采用第二寫入方式將在采用第一寫入方式寫入第一元數(shù)據(jù)和第二元數(shù)據(jù)期間第一元數(shù)據(jù)中改變的項(xiàng)寫入所述存儲(chǔ)單元410。[〇〇77]可選地，在所述基于待寫入元數(shù)據(jù)的屬性標(biāo)識(shí)所述待寫入元數(shù)據(jù)之前，所述處理單元420還:基于選取策略選取所述要進(jìn)行寫入的元數(shù)據(jù)。[〇〇78]進(jìn)一步可選地，在基于選取策略選取所述要進(jìn)行寫入的元數(shù)據(jù)之前，所述處理單元420還:基于寫入策略觸發(fā)元數(shù)據(jù)寫入。
[0079]可選地，所述第一寫入方式為非阻塞方式，并且所述第二寫入方式為阻塞方式。
[0080]可選地，所述處理單元420基于二級(jí)映射FTL算法。
[0081]以上參照?qǐng)D4描述了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的寫入元數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)裝置40。在所述存儲(chǔ)裝置40中，通過(guò)對(duì)于不同屬性的元數(shù)據(jù)采用不同的回寫方式，也就是說(shuō)，采用兩種回寫方式相結(jié)合，從而能夠同時(shí)兼顧數(shù)據(jù)寫入速度以及數(shù)據(jù)一致性的保護(hù)。
[0082]下面，將參照?qǐng)D5描述根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的將元數(shù)據(jù)從第一存儲(chǔ)介質(zhì)寫入到第二存儲(chǔ)介質(zhì)中的設(shè)備50。圖5是圖示根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的將元數(shù)據(jù)從第一存儲(chǔ)介質(zhì)寫入到第二存儲(chǔ)介質(zhì)中的設(shè)備50的配置框圖。這里，如前所述，第一存儲(chǔ)介質(zhì)例如是RAM等的易失性存儲(chǔ)器，而第二存儲(chǔ)介質(zhì)例如是R〇M、EPROM、SSD等的非易失性存儲(chǔ)器。[〇〇83]如圖5中所示，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的將元數(shù)據(jù)從第一存儲(chǔ)介質(zhì)寫入到第二存儲(chǔ)介質(zhì)中的設(shè)備50可以包括標(biāo)識(shí)單元510、第一寫入單元520以及第二寫入單元530。
[0084]標(biāo)識(shí)單元510基于待寫入元數(shù)據(jù)的屬性標(biāo)識(shí)所述待寫入元數(shù)據(jù)。第一寫入單元520 采用第一寫入方式寫入滿足第一屬性的元數(shù)據(jù)。并且，第二寫入單元530采用第二寫入方式寫入滿足第二屬性的元數(shù)據(jù)。
[0085]所述將元數(shù)據(jù)從第一存儲(chǔ)介質(zhì)寫入到第二存儲(chǔ)介質(zhì)中的設(shè)備50的各單元的配置和具體操作已經(jīng)在參照?qǐng)D1-3所述的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的將元數(shù)據(jù)從第一存儲(chǔ)介質(zhì)寫入到第二存儲(chǔ)介質(zhì)中的方法1 〇中詳細(xì)描述，在此不再重復(fù)。[〇〇86]以上，參照?qǐng)D1-5描述了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的將元數(shù)據(jù)從第一存儲(chǔ)介質(zhì)寫入到第二存儲(chǔ)介質(zhì)中的方法、設(shè)備、以及寫入元數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)裝置。[〇〇87]需要說(shuō)明的是，在本說(shuō)明書中，術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒(méi)有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒(méi)有更多限制的情況下，由語(yǔ)句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。[〇〇88] 最后，還需要說(shuō)明的是，上述一系列處理不僅包括以這里所述的順序按時(shí)間序列執(zhí)行的處理，而且包括并行或分別地、而不是按時(shí)間順序執(zhí)行的處理。
[0089]通過(guò)以上的實(shí)施方式的描述，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到本發(fā)明可借助軟件加必需的硬件平臺(tái)的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)，當(dāng)然也可以全部通過(guò)硬件來(lái)實(shí)施?；谶@樣的理解， 本發(fā)明的技術(shù)方案對(duì)【背景技術(shù)】做出貢獻(xiàn)的全部或者部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來(lái)， 該計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)品可以存儲(chǔ)在存儲(chǔ)介質(zhì)中，如R0M/RAM、磁碟、光盤等，包括若干指令用以使得一臺(tái)計(jì)算機(jī)設(shè)備(可以是個(gè)人計(jì)算機(jī)，服務(wù)器，或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例或者實(shí)施例的某些部分所述的方法。
[0090]在本發(fā)明實(shí)施例中，單元/模塊可以用軟件實(shí)現(xiàn)，以便由各種類型的處理器執(zhí)行。 舉例來(lái)說(shuō)，一個(gè)標(biāo)識(shí)的可執(zhí)行代碼模塊可以包括計(jì)算機(jī)指令的一個(gè)或多個(gè)物理或者邏輯塊，舉例來(lái)說(shuō)，其可以被構(gòu)建為對(duì)象、過(guò)程或函數(shù)。盡管如此，所標(biāo)識(shí)模塊的可執(zhí)行代碼無(wú)需物理地位于一起，而是可以包括存儲(chǔ)在不同位里上的不同的指令，當(dāng)這些指令邏輯上結(jié)合在一起時(shí)，其構(gòu)成單元/模塊并且實(shí)現(xiàn)該單元/模塊的規(guī)定目的。
[0091]在單元/模塊可以利用軟件實(shí)現(xiàn)時(shí)，考慮到現(xiàn)有硬件工藝的水平，所以可以以軟件實(shí)現(xiàn)的單元/模塊，在不考慮成本的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員都可以搭建對(duì)應(yīng)的硬件電路來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)應(yīng)的功能，所述硬件電路包括常規(guī)的超大規(guī)模集成(VLSI)電路或者門陣列以及諸如邏輯芯片、晶體管之類的現(xiàn)有半導(dǎo)體或者是其它分立的元件。模塊還可以用可編程硬件設(shè)備，諸如現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列、可編程陣列邏輯、可編程邏輯設(shè)備等實(shí)現(xiàn)。
[0092]以上對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種將元數(shù)據(jù)從第一存儲(chǔ)介質(zhì)寫入到第二存儲(chǔ)介質(zhì)中的方法，包括:基于待寫入元數(shù)據(jù)的屬性標(biāo)識(shí)所述待寫入元數(shù)據(jù)；采用第一寫入方式寫入滿足第一屬性的元數(shù)據(jù)；以及 采用第二寫入方式寫入滿足第二屬性的元數(shù)據(jù)。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述屬性至少包括所述待寫入元數(shù)據(jù)的優(yōu)先級(jí)，并 且其中，基于待寫入元數(shù)據(jù)的屬性標(biāo)識(shí)所述待寫入元數(shù)據(jù)包括:將所述待寫入元數(shù)據(jù)的優(yōu)先級(jí)與參考優(yōu)先級(jí)相比較；以及如果所述待寫入元數(shù)據(jù)的優(yōu)先級(jí)低于所述參考優(yōu)先級(jí)，則將所述待寫入元數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)為 滿足第一屬性，否則將所述待寫入元數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)為滿足第二屬性。3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述滿足第一屬性的元數(shù)據(jù)包括第一元數(shù)據(jù)、以及 第二元數(shù)據(jù)，并且所述滿足第二屬性的元數(shù)據(jù)包括第三元數(shù)據(jù)，并且其中，所述采用第一寫入方式寫入滿足第一屬性的元數(shù)據(jù)包括:拷貝出所述第一元數(shù)據(jù)；采用第一寫入方式寫入所述第一元數(shù)據(jù)；基于來(lái)自所述第二存儲(chǔ)介質(zhì)的第一反饋結(jié)束所述第一元數(shù)據(jù)的寫入；基于所述第一元數(shù)據(jù)，修改所述第二元數(shù)據(jù)；采用第一寫入方式寫入經(jīng)修改的第二元數(shù)據(jù)；以及基于來(lái)自所述第二存儲(chǔ)介質(zhì)的第二反饋結(jié)束所述經(jīng)修改的第二元數(shù)據(jù)的寫入。4.如權(quán)利要求3所述的方法，還包括:采用第二寫入方式寫入在采用第一寫入方式寫入第一元數(shù)據(jù)和第二元數(shù)據(jù)期間第一 元數(shù)據(jù)中改變的項(xiàng)。5.如權(quán)利要求1所述的方法，在所述基于待寫入元數(shù)據(jù)的屬性標(biāo)識(shí)所述待寫入元數(shù)據(jù) 之前，還包括:基于選取策略選取所述要進(jìn)行寫入的元數(shù)據(jù)。6.如權(quán)利要求5所述的方法，在基于選取策略選取所述要進(jìn)行寫入的元數(shù)據(jù)之前，還包 括:基于寫入策略觸發(fā)元數(shù)據(jù)寫入。7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一寫入方式為非阻塞方式，并且所述第二寫 入方式為阻塞方式。8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述方法基于二級(jí)映射FTL算法。9.一種寫入元數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)裝置，包括:存儲(chǔ)單元，存儲(chǔ)元數(shù)據(jù)；處理單元，基于待寫入元數(shù)據(jù)的屬性標(biāo)識(shí)所述待寫入元數(shù)據(jù)，采用第一寫入方式將滿 足第一屬性的元數(shù)據(jù)寫入所述存儲(chǔ)單元，以及采用第二寫入方式將滿足第二屬性的元數(shù)據(jù) 寫入所述存儲(chǔ)單元。10.如權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)裝置，其中，所述屬性至少包括所述待寫入元數(shù)據(jù)的優(yōu)先 級(jí)，并且其中，所述處理單元還:將所述待寫入元數(shù)據(jù)的優(yōu)先級(jí)與參考優(yōu)先級(jí)相比較；以及如果所述待寫入元數(shù)據(jù)的優(yōu)先級(jí)低于所述參考優(yōu)先級(jí)，則將所述待寫入元數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)為 滿足第一屬性，否則將所述待寫入元數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)為滿足第二屬性。11.如權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)裝置，其中，所述滿足第一屬性的元數(shù)據(jù)包括第一元數(shù)據(jù)、 以及第二元數(shù)據(jù)，并且所述滿足第二屬性的元數(shù)據(jù)包括第三元數(shù)據(jù)，并且其中，所述處理單元還:拷貝出所述第一元數(shù)據(jù)；采用第一寫入方式將所述第一元數(shù)據(jù)寫入所述存儲(chǔ)單元；基于來(lái)自所述存儲(chǔ)單元的第一反饋，結(jié)束所述第一元數(shù)據(jù)的寫入；基于所述第一元數(shù)據(jù)，修改所述第二元數(shù)據(jù)；采用第一寫入方式將經(jīng)修改的第二元數(shù)據(jù)寫入所述存儲(chǔ)單元；以及 基于來(lái)自所述存儲(chǔ)單元的第二反饋，結(jié)束所述經(jīng)修改的第二元數(shù)據(jù)的寫入。12.如權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)裝置，其中，所述處理單元還:采用第二寫入方式將在采用第一寫入方式寫入第一元數(shù)據(jù)和第二元數(shù)據(jù)期間第一元 數(shù)據(jù)中改變的項(xiàng)寫入所述存儲(chǔ)單元。13.如權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)裝置，其中，在所述基于待寫入元數(shù)據(jù)的屬性標(biāo)識(shí)所述待 寫入元數(shù)據(jù)之前，所述處理單元還:基于選取策略選取所述要進(jìn)行寫入的元數(shù)據(jù)。14.如權(quán)利要求13所述的存儲(chǔ)裝置，其中，在基于選取策略選取所述要進(jìn)行寫入的元數(shù) 據(jù)之前，所述處理單元還:基于寫入策略觸發(fā)元數(shù)據(jù)寫入。15.如權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)裝置，其中，所述第一寫入方式為非阻塞方式，并且所述第 二寫入方式為阻塞方式。16.如權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)裝置，其中，所述處理單元基于二級(jí)映射FTL算法。17.—種將元數(shù)據(jù)從第一存儲(chǔ)介質(zhì)寫入到第二存儲(chǔ)介質(zhì)中的設(shè)備，包括:標(biāo)識(shí)單元，基于待寫入元數(shù)據(jù)的屬性標(biāo)識(shí)所述待寫入元數(shù)據(jù)；第一寫入單元，采用第一寫入方式寫入滿足第一屬性的元數(shù)據(jù)；以及 第二寫入單元，采用第二寫入方式寫入滿足第二屬性的元數(shù)據(jù)。
【文檔編號(hào)】G06F3/06GK106020726SQ201610344167
【公開日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年5月23日
【發(fā)明人】劉文靜, 肖蔓君
【申請(qǐng)人】聯(lián)想(北京)有限公司