一種通過bios對內(nèi)存進行電壓拉偏的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及計算機應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域,具體地說是一種通過B1S對內(nèi)存進行電壓拉偏的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著服務(wù)器硬件的不斷發(fā)展,服務(wù)器能夠搭配的內(nèi)存數(shù)目越來越多,速度性能得到顯著提高,內(nèi)存作為服務(wù)器硬件的核心部件,其是否正常穩(wěn)定的工作決定了服務(wù)器系統(tǒng)的穩(wěn)定性,在服務(wù)器測試過程中,需要測試內(nèi)存部件的穩(wěn)定性,其中對內(nèi)存電壓進行拉偏測試就是其中一種很重要的內(nèi)存測試,目前服務(wù)器內(nèi)存電壓為1.35V與1.5V兩種,以1.35V內(nèi)存為例,內(nèi)存電壓拉偏指,內(nèi)存是否能夠在1.35V上下某個電壓范圍內(nèi)正常穩(wěn)定工作,本發(fā)明以1.35V+-5%為例。即內(nèi)存是否能夠在(1.28—1.42) V穩(wěn)定工作進行說明。
[0003]傳統(tǒng)的對內(nèi)存電壓拉偏方法是通過外部硬件電路進行的,其存在如下缺點I)需要硬件電路配合,在測試不同通道內(nèi)存時需要不斷改變外部硬件電路,操作復(fù)雜。2)對電壓的控制精度較低,無法滿足對電壓進行精確拉偏的測試要求。本發(fā)明提出一種通過B1S對內(nèi)存進行電壓拉偏的方法,通過PC^U (Power Control Unit電源控制單元)對VR (VoltageRegulator 電壓調(diào)節(jié))芯片下達 SVID(Serial Voltage Identificat1n code 串行電壓識別碼)命令,這樣就可以準確調(diào)整內(nèi)存電壓值,可以很好的解決以上問題,非常方便的就可以對內(nèi)存電壓進行拉偏操作。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明的目的是提供一種通過B1S對內(nèi)存進行電壓拉偏的方法。
[0005]本發(fā)明的目的是按以下方式實現(xiàn)的,通過電源控制單元rcu對電壓調(diào)節(jié)芯片VR下達串行電壓識別碼SVID命令,準確調(diào)整內(nèi)存電壓值,對內(nèi)存電壓進行拉偏操作,系統(tǒng)包含
I)主板輸出輸出系統(tǒng)B1S ;2)電源控制單元P⑶;3)電壓調(diào)節(jié)芯片VR;具體步驟如下:
第一步:編寫B(tài)1S軟件,將所需要調(diào)整的電壓值創(chuàng)建在B1S菜單項中,開機進入B1S,從菜單中選擇將內(nèi)存電壓調(diào)整為1.28V,保存選擇內(nèi)容,重新啟動;
第二部:啟動過程中B1S將1.28V對應(yīng)的OxCF SVID值寫入MSR寄存器;
第三步:PCU通過MSR寄存器讀取到SVID值為OxCF,向VR下達命令,VR收到SVID命令后,將內(nèi)存電壓調(diào)整為1.28V,內(nèi)存拉偏操作結(jié)束。
[0006]B1S將電壓對應(yīng)的串行電壓識別碼SVID命令值寫入專用模型寄存器MSR,電源控制單元P⑶讀取專用模型寄存器MSR獲取串行電壓識別碼SVID命令值,電源控制單元P⑶將串行電壓識別碼SVID命令通過總線BUS向VR發(fā)送串行電壓識別碼SVID命令,電壓調(diào)節(jié)芯片VR收到命令后將內(nèi)存電壓調(diào)整為所需值。
[0007]主板B1S,在B1S中針對選擇不同的電壓值,向寄存器MSR寫入對應(yīng)串行電壓識別碼SVID值,調(diào)整的內(nèi)存電壓范圍是OV到1.52V。
[0008]PCU英文名稱Power Control Unit,是集成在INTEL處理器內(nèi)部的電源管理控制器,PCU讀取MSR寄存器獲取SVID值,將SVID通過SVID BUS發(fā)送給VR芯片。
[0009]VR芯片即Voltage Regulator Chip,是用來動態(tài)調(diào)節(jié)電壓的一個芯片,VR芯片在服務(wù)器主板上與內(nèi)存相連,當(dāng)VR芯片收到PCU發(fā)送的SVID值,將調(diào)整內(nèi)存電壓到所需的值,電壓值以5mv為單位進行精確調(diào)整。
[0010]本發(fā)明的有益效果是:相對于傳統(tǒng)通過硬件方式調(diào)整內(nèi)存電壓的方法,優(yōu)點是I)不需要外圍硬件電路配合,在測試不同通道內(nèi)存時不需要改變外部硬件電路,操作簡單;2)可以對內(nèi)存電壓進行精確調(diào)整,最小調(diào)整單位為5mv,這種精度是傳統(tǒng)硬件調(diào)整方式所遠不能達到的。通過本發(fā)明所提出的方法,充分解決了傳統(tǒng)對內(nèi)存電壓進行拉偏操作的缺點,可以非常簡單的完成對內(nèi)存電壓進行拉偏的操作,該方法在服務(wù)器系統(tǒng)內(nèi)存電壓穩(wěn)定性測試中有廣闊的應(yīng)用價值,具有較高的技術(shù)應(yīng)用價值。
【附圖說明】
[0011]圖1是框架關(guān)系圖;
圖2是操作步驟示意圖。
【具體實施方式】
[0012]參照說明書附圖對本發(fā)明的方法作以下詳細地說明。
[0013]—種通過B1S對內(nèi)存進行電壓拉偏的方法本發(fā)明主要包含I)主板B1S(BasicInput Output System,輸出輸出系統(tǒng));2) INTEL CPU 中的 PCU 單元;3) VR 芯片;B10S 將電壓對應(yīng)的SVID值寫入MSR (Model Specific Register專用模型寄存器)寄存器,PCU讀取MSR寄存器獲取SVID值,PCU通過SVID BUS向VR發(fā)送SVID命令,VR收到命令后將內(nèi)存電壓調(diào)整為所需值。三者之間的關(guān)系如圖1所示。
[0014]下面對如上三部分進行詳細說明。
[0015]I)主板B1S,在B1S中針對選擇不同的電壓值,向MSR寄存器寫入對應(yīng)SVID值,可以調(diào)整的內(nèi)存電壓范圍是OV到1.52V,例如1.28V與1.42V對應(yīng)的SVID分別為OxCF與OxEB ;
2)PCU英文名稱PowerControl Unit,是集成在INTEL處理器內(nèi)部的電源管理控制器,PCU讀取MSR寄存器獲取SVID值,將SVID通過SVID BUS發(fā)送給VR芯片;
3)VR芯片即Voltage Regulator Chip,是用來動態(tài)調(diào)節(jié)電壓的一個芯片。VR芯片在服務(wù)器主板上與內(nèi)存相連。當(dāng)VR芯片收到P⑶發(fā)送的SVID值,將調(diào)整內(nèi)存電壓到所需的值。電壓值可以5mv為單位進行精確調(diào)整,這是傳統(tǒng)硬件調(diào)整方式所不能達到的精度。
[0016]除說明書所述的技術(shù)特征外,均為本專業(yè)技術(shù)人員的已知技術(shù)。
【主權(quán)項】
1.一種通過B1S對內(nèi)存進行電壓拉偏的方法,其特征在于,通過電源控制單元P⑶對電壓調(diào)節(jié)芯片VR下達串行電壓識別碼SVID命令,準確調(diào)整內(nèi)存電壓值,對內(nèi)存電壓進行拉偏操作,系統(tǒng)包含I)主板輸出輸出系統(tǒng)B1S ;2)電源控制單元P⑶;3)電壓調(diào)節(jié)芯片VR ;具體步驟如下: 第一步:編寫B(tài)1S軟件,將所需要調(diào)整的電壓值創(chuàng)建在B1S菜單項中,開機進入B1S,從菜單中選擇將內(nèi)存電壓調(diào)整為1.28V,保存選擇內(nèi)容,重新啟動; 第二部:啟動過程中B1S將1.28V對應(yīng)的OxCF SVID值寫入MSR寄存器; 第三步:PCU通過MSR寄存器讀取到SVID值為OxCF,向VR下達命令,VR收到SVID命令后,將內(nèi)存電壓調(diào)整為1.28V,內(nèi)存拉偏操作結(jié)束。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓拉偏的方法,其特征在于,B1S將電壓對應(yīng)的串行電壓識別碼SVID命令值寫入專用模型寄存器MSR,電源控制單元PCU讀取專用模型寄存器MSR獲取串行電壓識別碼SVID命令值,電源控制單元PCU將串行電壓識別碼SVID命令通過總線BUS向VR發(fā)送串行電壓識別碼SVID命令,電壓調(diào)節(jié)芯片VR收到命令后將內(nèi)存電壓調(diào)整為所需值。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電壓拉偏的方法,其特征在于,主板B1S,在B1S中針對選擇不同的電壓值,向寄存器MSR寫入對應(yīng)串行電壓識別碼SVID值,調(diào)整的內(nèi)存電壓范圍是OV 到 1.52V。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電壓拉偏的方法,其特征在于,PCU英文名稱PowerControlUnit,是集成在INTEL處理器內(nèi)部的電源管理控制器,P⑶讀取MSR寄存器獲取SVID值,將SVID通過SVID BUS發(fā)送給VR芯片。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電壓拉偏的方法,其特征在于,VR芯片即VoltageRegulatorChip,是用來動態(tài)調(diào)節(jié)電壓的一個芯片,VR芯片在服務(wù)器主板上與內(nèi)存相連,當(dāng)VR芯片收到PCU發(fā)送的SVID值,將調(diào)整內(nèi)存電壓到所需的值,電壓值以5mv為單位進行精確調(diào)整。
【專利摘要】本發(fā)明提出一種通過BIOS對內(nèi)存進行電壓拉偏的方法,相對于傳統(tǒng)通過硬件方式調(diào)整內(nèi)存電壓的方法,優(yōu)點是1)不需要外圍硬件電路配合,在測試不同通道內(nèi)存時不需要改變外部硬件電路,操作簡單;2)可以對內(nèi)存電壓進行精確調(diào)整,最小調(diào)整單位為5mv,這種精度是傳統(tǒng)硬件調(diào)整方式所遠不能達到的。通過發(fā)明所提出的方法,充分解決了傳統(tǒng)對內(nèi)存電壓進行拉偏操作的缺點,可以非常簡單的完成對內(nèi)存電壓進行拉偏的操作,該方法在服務(wù)器系統(tǒng)內(nèi)存電壓穩(wěn)定性測試中有廣闊的應(yīng)用價值,具有較高的技術(shù)應(yīng)用價值。
【IPC分類】G06F11-22
【公開號】CN104572381
【申請?zhí)枴緾N201510057273
【發(fā)明人】李道童, 劉冰
【申請人】浪潮電子信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2015年2月4日