本技術(shù)涉及服務(wù)器，尤其是涉及一種超算設(shè)備及數(shù)據(jù)中心。

背景技術(shù)：

1、隨著科技的發(fā)展，對(duì)服務(wù)器的算力要求越來越高，尤其是用于虛擬貨幣的超算設(shè)備，其算力芯片需要執(zhí)行巨量運(yùn)算，為了保證其正常運(yùn)行，對(duì)算力芯片的散熱要求極高，現(xiàn)有技術(shù)中，常常在算力芯片所在的算力板上貼合有散熱器，且使算力板和散熱器位于整個(gè)氣流通道上，以盡快將散熱器上的熱量帶走。

2、然而，隨著對(duì)散熱要求的不斷提高，在增大氣流通道上的氣流的同時(shí)，也會(huì)將更多的灰塵等異物帶入到氣流通道，這些灰塵極易沉積在算力板上，尤其是算力芯片上，隨著灰塵等異物的堆積，可能造成算力板短路等故障，且灰塵等異物的覆蓋還影響算力芯片的散熱效果，導(dǎo)致算力效率下降等問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、基于上述現(xiàn)狀，本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種超算設(shè)備及數(shù)據(jù)中心，以盡可能防止灰塵等異物沉積在算力板和算力芯片上，進(jìn)而提升整個(gè)設(shè)備的可靠性和運(yùn)算效率。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案如下：

3、本實(shí)用新型的第一方面提供了一種超算設(shè)備，包括殼體和超算單元；

4、所述殼體具有相對(duì)設(shè)置的進(jìn)風(fēng)口和出風(fēng)口；

5、所述超算單元安裝于所述殼體內(nèi)，并位于所述進(jìn)風(fēng)口和出風(fēng)口之間；

6、所述超算單元包括算力板、第一散熱器和密封件，所述算力板包括基板和多個(gè)算力芯片，所述基板的第一面沿第一方向設(shè)置有芯片區(qū)和裸板區(qū)，所述裸板區(qū)較所述芯片區(qū)更靠近所述進(jìn)風(fēng)口，所述多個(gè)算力芯片設(shè)置于所述芯片區(qū)；所述第一散熱器安裝于所述基板的第一面，所述第一散熱器具有與所述裸板區(qū)相對(duì)的延伸結(jié)構(gòu)；所述延伸結(jié)構(gòu)與所述裸板區(qū)在靠近所述進(jìn)風(fēng)口的邊緣區(qū)域設(shè)置有所述密封件；其中，所述第一方向?yàn)樗鲞M(jìn)風(fēng)口和所述出風(fēng)口的相對(duì)方向。

7、優(yōu)選地，所述密封件位于所述裸板區(qū)與所述延伸結(jié)構(gòu)之間。

8、優(yōu)選地，所述密封件為條形板狀結(jié)構(gòu)，其相對(duì)的兩個(gè)面分別與所述第一散熱器與所述基板貼合。

9、優(yōu)選地，所述延伸結(jié)構(gòu)與所述裸板區(qū)在靠近所述進(jìn)風(fēng)口的一側(cè)齊平；所述密封件貼合于所述延伸結(jié)構(gòu)和所述裸板區(qū)靠近所述進(jìn)風(fēng)口的側(cè)壁。

10、優(yōu)選地，所述密封件為條形結(jié)構(gòu)，包括第一段、第二段和第三段，所述第一段位于所述延伸結(jié)構(gòu)與所述裸板區(qū)靠近所述進(jìn)風(fēng)口的邊緣區(qū)域，并沿所述邊緣區(qū)域的邊沿延伸；所述第二段和所述第三段分別與所述第一段的兩端彎折相接，并分別位于所述第一散熱器與所述裸板區(qū)在第二方向上相對(duì)的兩個(gè)邊緣區(qū)域；其中，所述第二方向與所述第一方向垂直。

11、優(yōu)選地，在所述第一方向上投影，所述芯片區(qū)的投影位于所述密封件的投影范圍內(nèi)。

12、優(yōu)選地，所述密封件為硅膠件或者密封泡棉。

13、優(yōu)選地，所述密封件為導(dǎo)熱硅膠件。

14、優(yōu)選地，所述延伸結(jié)構(gòu)朝向進(jìn)風(fēng)口的迎風(fēng)面傾斜設(shè)置，所述迎風(fēng)面遠(yuǎn)離所述進(jìn)風(fēng)口的一端較靠近所述進(jìn)風(fēng)口的一端向遠(yuǎn)離所述算力板的方向傾斜。

15、優(yōu)選地，同一個(gè)所述基板的同一側(cè)沿第二方向設(shè)置有多個(gè)所述第一散熱器，多個(gè)所述第一散熱器在第二方向上覆蓋多個(gè)所述算力芯片；其中，所述第二方向垂直于所述第一方向；各所述第一散熱器靠近所述進(jìn)風(fēng)口的邊緣均設(shè)置有所述密封件；

16、所述基板背離所述算力芯片的第二面設(shè)置有第二散熱器，所述第二散熱器貼合并覆蓋所述基板，所述超算單元通過所述第二散熱器與所述殼體連接。

17、本實(shí)用新型的第二方面提供了一種數(shù)據(jù)中心，包括上述任一項(xiàng)所述的超算設(shè)備。

18、本實(shí)用新型的超算設(shè)備，通過在超算單元靠近進(jìn)風(fēng)口處的算力板與第一散熱器之間增加密封件，使算力板與第一散熱器之間的間隙在靠近進(jìn)風(fēng)口側(cè)的進(jìn)風(fēng)端即被封堵，因此，即使在進(jìn)風(fēng)口到出風(fēng)口的氣流通道上的氣流較大，灰塵等異物相對(duì)較多，這些灰塵等異物也在靠近整個(gè)超算單元時(shí)被密封件阻擋，從而在算力板與第一散熱器之間基本不會(huì)有灰塵等異物進(jìn)入，大大減少了灰塵等異物在算力板甚至是算力芯片上的沉積，從而降低了算力板由于灰塵等異物造成短路的幾率，且保證了算力芯片的散熱效果。且通過設(shè)置延伸結(jié)構(gòu)增大了第一散熱器的散熱面積，從而避免了由于基本上沒有直接流經(jīng)算力芯片的氣流而影響整個(gè)算力板的散熱效果。

19、本實(shí)用新型的其他有益效果，將在具體實(shí)施方式中通過具體技術(shù)特征和技術(shù)方案的介紹來闡述，本領(lǐng)域技術(shù)人員通過這些技術(shù)特征和技術(shù)方案的介紹，應(yīng)能理解所述技術(shù)特征和技術(shù)方案帶來的有益技術(shù)效果。

技術(shù)特征：

1.一種超算設(shè)備，其特征在于，包括殼體和超算單元；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超算設(shè)備，其特征在于，所述密封件位于所述裸板區(qū)與所述延伸結(jié)構(gòu)之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超算設(shè)備，其特征在于，所述密封件為條形板狀結(jié)構(gòu)，其相對(duì)的兩個(gè)面分別與所述第一散熱器與所述基板貼合。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超算設(shè)備，其特征在于，所述延伸結(jié)構(gòu)與所述裸板區(qū)在靠近所述進(jìn)風(fēng)口的一側(cè)齊平；所述密封件貼合于所述延伸結(jié)構(gòu)和所述裸板區(qū)靠近所述進(jìn)風(fēng)口的側(cè)壁。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超算設(shè)備，其特征在于，所述密封件為條形結(jié)構(gòu)，包括第一段、第二段和第三段，所述第一段位于所述延伸結(jié)構(gòu)與所述裸板區(qū)靠近所述進(jìn)風(fēng)口的邊緣區(qū)域，并沿所述邊緣區(qū)域的邊沿延伸；所述第二段和所述第三段分別與所述第一段的兩端彎折相接，并分別位于所述第一散熱器與所述裸板區(qū)在第二方向上相對(duì)的兩個(gè)邊緣區(qū)域；其中，所述第二方向與所述第一方向垂直。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超算設(shè)備，其特征在于，在所述第一方向上投影，所述芯片區(qū)的投影位于所述密封件的投影范圍內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超算設(shè)備，其特征在于，所述密封件為硅膠件或者密封泡棉。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超算設(shè)備，其特征在于，所述密封件為導(dǎo)熱硅膠件。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超算設(shè)備，其特征在于，所述延伸結(jié)構(gòu)朝向進(jìn)風(fēng)口的迎風(fēng)面傾斜設(shè)置，所述迎風(fēng)面遠(yuǎn)離所述進(jìn)風(fēng)口的一端較靠近所述進(jìn)風(fēng)口的一端向遠(yuǎn)離所述算力板的方向傾斜。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的超算設(shè)備，其特征在于，同一個(gè)所述基板的同一側(cè)沿第二方向設(shè)置有多個(gè)所述第一散熱器，多個(gè)所述第一散熱器在第二方向上覆蓋多個(gè)所述算力芯片；其中，所述第二方向垂直于所述第一方向；各所述第一散熱器靠近所述進(jìn)風(fēng)口的邊緣均設(shè)置有所述密封件；

11.一種數(shù)據(jù)中心，其特征在于，包括權(quán)利要求1-10任一項(xiàng)所述的超算設(shè)備。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)提供了一種超算設(shè)備及數(shù)據(jù)中心，包括殼體和超算單元；所述殼體具有相對(duì)設(shè)置的進(jìn)風(fēng)口和出風(fēng)口；所述超算單元安裝于所述殼體內(nèi)，并位于所述進(jìn)風(fēng)口和出風(fēng)口之間；所述超算單元包括算力板、第一散熱器和密封件，所述算力板包括基板和多個(gè)算力芯片，所述基板的第一面沿第一方向設(shè)置有芯片區(qū)和裸板區(qū)，所述裸板區(qū)較所述芯片區(qū)更靠近所述進(jìn)風(fēng)口，所述多個(gè)算力芯片設(shè)置于所述芯片區(qū)；所述第一散熱器安裝于所述基板的第一面，所述第一散熱器具有與所述裸板區(qū)相對(duì)的延伸結(jié)構(gòu)；所述延伸結(jié)構(gòu)與所述裸板區(qū)在靠近所述進(jìn)風(fēng)口的邊緣區(qū)域設(shè)置有所述密封件；其中，所述第一方向?yàn)樗鲞M(jìn)風(fēng)口和所述出風(fēng)口的相對(duì)方向。本技術(shù)的超算設(shè)備能夠防止灰塵等異物沉積在算力板和算力芯片上，進(jìn)而提升整個(gè)設(shè)備的可靠性和運(yùn)算效率。

技術(shù)研發(fā)人員：黎維國(guó),楊森烽
受保護(hù)的技術(shù)使用者：比特小鹿半導(dǎo)體科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240322
技術(shù)公布日：2024/12/12