本涉及完全多平面操作啟用。

背景技術(shù)：

1、存儲器子系統(tǒng)可以包含存儲數(shù)據(jù)的一或多個存儲器裝置。存儲器裝置可以是例如非易失性存儲器裝置和易失性存儲器裝置。通常，主機(jī)系統(tǒng)可以利用存儲器子系統(tǒng)在存儲器裝置中存儲數(shù)據(jù)并從存儲器裝置中檢索數(shù)據(jù)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、描述了一種方法。所述方法可以包含：確定存儲器管芯的平面集合中的第一平面是無效平面；以及至少部分地基于所述確定來發(fā)布與用于所述存儲器管芯的所述平面集合的多平面操作相關(guān)聯(lián)的單個描述符，其中所述單個描述符包括用于所述多平面操作的多個命令，并且其中至少部分地基于所述第一平面是所述無效平面，所述多個命令中的第一命令是所述多個命令中的第二命令的副本，所述第二命令用于所述平面集合中的第二平面。

2、描述了一種方法。所述方法可以包含：接收與用于存儲器管芯的平面集合的多平面操作相關(guān)聯(lián)的單個描述符；以及至少部分地基于接收所述單個描述符來發(fā)布用于所述多平面操作的多個命令，其中所述單個描述符指示用于所述多平面操作的所述多個命令，并且其中所述多個命令中的第一命令是所述多個命令中的第二命令的副本。

3、描述了一種系統(tǒng)。所述系統(tǒng)可以包含多個存儲器部件和處理裝置，所述處理裝置與所述多個存儲器部件可操作地耦合以確定存儲器管芯的平面集合中的第一平面是有效平面；至少部分地基于所述平面集合中的第二平面是無效平面，復(fù)制用于所述平面集合的多平面操作的多個命令中的第一命令；以及至少部分地基于所述確定來發(fā)布與所述多平面操作相關(guān)聯(lián)的單個描述符，其中所述單個描述符指示所述多個命令包含所述第一命令和所述第一命令的副本。

技術(shù)特征：

1.一種方法，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述命令序列中的第一命令是所述命令序列中的第二命令的副本，并且所述命令序列中的第三命令是所述命令序列中的第四命令的副本。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中確定所述平面集合中的所述多個平面是所述無效平面是基于所述多個平面含有大量無效數(shù)據(jù)、所述多個平面超過所述存儲器管芯的無效頁面的閾值數(shù)量，或這兩者。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中發(fā)布所述單個描述符進(jìn)一步包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述單個描述符包括用于所述平面集合中的有效平面的命令。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述命令序列與讀取操作、寫入操作或擦除操作中的至少一個相關(guān)聯(lián)。

9.一種存儲器系統(tǒng)，包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器系統(tǒng)，其中所述處理電路進(jìn)一步經(jīng)配置以致使所述存儲器系統(tǒng)執(zhí)行以下操作：

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器系統(tǒng)，其中所述處理電路進(jìn)一步經(jīng)配置以致使所述存儲器系統(tǒng)執(zhí)行以下操作：

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器系統(tǒng)，其中所述命令序列中的第一命令是所述命令序列中的第二命令的副本，并且所述命令序列中的第三命令是所述命令序列中的第四命令的副本。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器系統(tǒng)，其中確定所述平面集合中的所述多個平面是所述無效平面是基于所述多個平面含有大量無效數(shù)據(jù)、所述多個平面超過所述存儲器管芯的無效頁面的閾值數(shù)量，或這兩者。

14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器系統(tǒng)，其中發(fā)布所述單個描述符進(jìn)一步經(jīng)配置以致使所述存儲器系統(tǒng)執(zhí)行以下操作：

15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器系統(tǒng)，其中所述單個描述符包括用于所述平面集合中的有效平面的命令。

16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器系統(tǒng)，其中所述命令序列與讀取操作、寫入操作或擦除操作中的至少一個相關(guān)聯(lián)。

17.一種非暫時性計算機(jī)可讀介質(zhì)，其存儲有代碼，所述代碼包括指令，所述指令可由處理器執(zhí)行以進(jìn)行以下操作：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的非暫時性計算機(jī)可讀介質(zhì)，其中所述指令可進(jìn)一步由所述處理器執(zhí)行以進(jìn)行以下操作：

19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的非暫時性計算機(jī)可讀介質(zhì)，其中所述指令可進(jìn)一步由所述處理器執(zhí)行以進(jìn)行以下操作：

20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的非暫時性計算機(jī)可讀介質(zhì)，其中所述命令序列中的第一命令是所述命令序列中的第二命令的副本，并且所述命令序列中的第三命令是所述命令序列中的第四命令的副本。

技術(shù)總結(jié)
本申請涉及完全多平面操作啟用。閃存控制器可以確定存儲器管芯的平面集合中的第一平面是無效平面。所述閃存控制器可以發(fā)布與用于所述存儲器管芯的所述平面集合的多平面操作相關(guān)聯(lián)的單個描述符。所述單個描述符可以包含用于所述多平面操作的多個命令，其中基于所述第一平面是所述無效平面，所述多個命令中的第一命令可以是所述多個命令中的第二命令的副本。在一些情況下，與非NAND控制器可以接收與用于所述存儲器管芯的所述平面集合的所述多平面操作相關(guān)聯(lián)的所述單個描述符。所述NAND控制器可以基于接收所述單個描述符來發(fā)布用于所述多平面操作的多個命令。

技術(shù)研發(fā)人員：吳建剛,林其松,輝俊勝,萬云秋,A·馬爾謝,P-C·陳
受保護(hù)的技術(shù)使用者：美光科技公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23