本發(fā)明是關于觸控顯示技術，特別是一種觸控電極呈網(wǎng)格狀的觸控顯示裝置。

背景技術：

近年來，為了達到攜帶便利、操作人性化等的目的，諸多電子產(chǎn)品已以觸控面板作為輸入設備來取代傳統(tǒng)的鍵盤或鼠標。于此些整合觸控面板作為輸入設備的電子裝置中，以同時具有觸控與顯示功能的觸控顯示裝置為現(xiàn)代備受矚目的產(chǎn)品之一。

在傳統(tǒng)的觸控顯示裝置中，一般是以透明的金屬氧化物材料，如氧化銦錫(ito)來形成進行觸控感測用的觸控電極層，以避免觸控電極層影響到顯示效果。不過，銦乃為稀有金屬，其不易取得且價格昂貴，因而較不利于市場上的競爭。再者，氧化銦錫又具有易黃化、易損壞、不可撓與阻值高等問題。因此，近年來遂開發(fā)出一種以導電細線配制而成的金屬網(wǎng)格(metalmesh)來取代傳統(tǒng)所采用的金屬氧化物材料。

然而，金屬網(wǎng)格的金屬線雖細，但金屬線本身并不透光。因此，當金屬網(wǎng)格與顯示面板貼合后，金屬網(wǎng)格易和顯示面板的像素陣列產(chǎn)生疊紋(moire)的目視效果，而嚴重影響觸控顯示裝置的顯示效果。

技術實現(xiàn)要素：

有鑒于此，在一實施例中，一種觸控顯示裝置，包含基板、像素陣列、遮光圖案層以及觸控電極層。像素陣列設置于基板上。像素陣列包含多個像素單元，并且此些像素單元沿第一方向排列。各像素單元包含多個子像素。遮光圖案層于基板的正投影位于各子像素的交界處。觸控電極層于基板的正投影重疊于多個像素單元。觸控電極層包含網(wǎng)格陣列。網(wǎng)格陣列包含多個網(wǎng)格單元，各網(wǎng)格單元于第一方向上具有最大寬度，且最大寬度介于0.9至1.1個像素單元于第一方向上的寬度。

在一實施例中，一種觸控顯示裝置，包含基板、像素陣列、遮光圖案層以及觸控電極層。像素陣列設置于基板上。像素陣列包含多個像素單元，并且此些像素單元沿第一方向排列。各像素單元包含多個子像素。遮光圖案層于基板的正投影位于各子像素的交界處。觸控電極層于基板的正投影重疊于多個像素單元。觸控電極層包含網(wǎng)格陣列。網(wǎng)格陣列包含多個網(wǎng)格單元，各網(wǎng)格單元于第一方向上具有最大寬度，且最大寬度介于1.3至1.4個像素單元于第一方向上的寬度。

在一實施例中，一種觸控顯示裝置，包含基板、像素陣列、遮光圖案層以及觸控電極層。像素陣列設置于基板上。像素陣列包含多個像素單元，并且此些像素單元沿第一方向排列。各像素單元包含多個子像素。遮光圖案層于基板的正投影位于各子像素的交界處。觸控電極層于基板的正投影重疊于多個像素單元。觸控電極層包含網(wǎng)格陣列。網(wǎng)格陣列包含多個網(wǎng)格單元，各網(wǎng)格單元于第一方向上具有最大寬度，且最大寬度介于1.9至2.1個像素單元于第一方向上的寬度。

在一實施例中，一種觸控顯示裝置，包含基板、像素陣列、遮光圖案層以及觸控電極層。像素陣列設置于基板上。像素陣列包含多個像素單元，并且此些像素單元沿第一方向排列。各像素單元包含多個子像素。遮光圖案層于基板的正投影位于各子像素的交界處。觸控電極層于基板的正投影重疊于多個像素單元。觸控電極層包含網(wǎng)格陣列。網(wǎng)格陣列包含多個網(wǎng)格單元，各網(wǎng)格單元于第一方向上具有最大寬度，且最大寬度介于3.9至4.1個像素單元于第一方向上的寬度。

綜上所述，本發(fā)明實施例的觸控顯示裝置，當各網(wǎng)格單元的最大長度或最大寬度尺寸對應于大約1個像素單元、1.33個像素單元、2個像素單元或4個像素單元的尺寸時，觸控顯示裝置100的疊紋(moire)的可視性可降得更低。此外，將觸控電極層的各網(wǎng)格單元的多個共用部中的至少二個對應于遮光圖案層設置，以使得各網(wǎng)格單元的至少二個共用部在基板上的正投影和遮光圖案層在基板上的正投影可重疊，藉以降低觸控顯示裝置的疊紋的可視性。

以下在實施方式中詳細敘述本發(fā)明的詳細特征及優(yōu)點，其內(nèi)容足以使任何熟習相關技藝者了解本發(fā)明的技術內(nèi)容并據(jù)以實施，且根據(jù)本說明書所揭露的內(nèi)容、申請專利范圍及圖式，任何熟習相關技藝者可輕易地理解本發(fā)明相關的目的及優(yōu)點。

附圖說明

圖1為本發(fā)明第一實施例的觸控顯示面板的側(cè)視結構示意圖。

圖2為像素陣列與觸控電極層的第一實施態(tài)樣的概要示意圖。

圖3為圖2中像素單元的一實施態(tài)樣的概要示意圖。

圖4為像素陣列與觸控電極層的第二實施態(tài)樣的概要示意圖。

圖5為圖4中像素單元的一實施態(tài)樣的概要示意圖。

圖6為網(wǎng)格單元的一實施例的概要示意圖。

圖7為像素陣列與觸控電極層的第三實施態(tài)樣的概要示意圖。

圖8為像素陣列與觸控電極層的第四實施態(tài)樣的概要示意圖。

圖9為像素陣列與觸控電極層的第五實施態(tài)樣的概要示意圖。

圖10為點亮主像素區(qū)且網(wǎng)格單元為四邊形時其最大寬度、相對于像素陣列的旋轉(zhuǎn)角度以及moire干擾指數(shù)的關系示意圖。

圖11為全點亮且網(wǎng)格單元為四邊形時其最大寬度、相對于像素陣列的旋轉(zhuǎn)角度以及moire干擾指數(shù)的關系示意圖。

圖12為觸控電極層相對于像素陣列旋轉(zhuǎn)0.25度的概要示意圖。

圖13觸控電極層相對于像素陣列旋轉(zhuǎn)-0.25度的概要示意圖。

圖14為像素陣列與觸控電極層的第六實施態(tài)樣的概要示意圖。

圖15為像素陣列與觸控電極層的第七實施態(tài)樣的概要示意圖。

圖16為僅點亮主像素區(qū)且網(wǎng)格單元為圓形時其最大寬度、相對于像素陣列的旋轉(zhuǎn)角度以及moire干擾指數(shù)的關系示意圖。

圖17為像素單元包含兩個子像素且網(wǎng)格單元為四邊形時其最大寬度、相對于像素陣列的旋轉(zhuǎn)角度以及moire干擾指數(shù)的關系示意圖。

圖18為本發(fā)明第二實施例的觸控顯示面板的側(cè)視結構示意圖。

圖19為本發(fā)明第三實施例的觸控顯示面板的側(cè)視結構示意圖。

其中，附圖標記：

100觸控顯示裝置110基板

120像素陣列121像素單元

1211子像素130遮光圖案層

140觸控電極層141網(wǎng)格陣列

142網(wǎng)格單元150對向基板

160顯示介質(zhì)層170貼合基板

180黏合層c1共用部

d1第一方向d2第二方向

dl數(shù)據(jù)線e1像素電極

e11像素電極e12像素電極

l1最大寬度l2最大長度

m1主動元件m11主動元件

m12主動元件mp1主像素區(qū)

sl掃描線sp1次像素區(qū)

t1十字線圖案t11間隙

t12連接電極θ夾角

β旋轉(zhuǎn)角度a1對準軸線

a2對準軸線

具體實施方式

以下結合附圖和具體實施例對本發(fā)明進行詳細描述，但不作為對本發(fā)明的限定。

圖1為本發(fā)明第一實施例的觸控顯示面板的側(cè)視結構示意圖，且圖2為像素陣列與觸控電極層的第一實施態(tài)樣的概要示意圖。請參閱圖1至圖2，觸控顯示裝置100包含基板110、像素陣列120、遮光圖案層130以及觸控電極層140。像素陣列120設置于基板110上，且遮光圖案層130和觸控電極層140對應于像素陣列120設置。在一些實施例中，基板110可以透明基板，例如玻璃基板、塑膠基板、石英基板、或其他合適材質(zhì)制成。

像素陣列120包含多個像素單元121。像素單元121可沿第一方向d1排列成具有多個像素列的矩陣，且各像素單元121包含沿第一方向d1依序排列的多個子像素1211。在一實施例中，各像素單元121可采用直條狀(stripepixel)的排列方式來配置多個子像素1211。換言之，此時各個像素單元121可由三個子像素1211所構成，如圖2所示。而在另一實施例中，各像素單元121可采用子像素渲染(sub-pixelrendering)的排列方式來配置多個子像素1211。換言之，此時各個像素單元121則可由二個子像素1211所構成。在一些實施例中，各子像素1211的形狀可為矩形。但本發(fā)明并非以此為限，各子像素1211的形狀亦可依據(jù)設計需求而呈現(xiàn)特殊的形狀，例如呈現(xiàn)“ㄍ”字型。

遮光圖案層130可稱為黑矩陣(blackmatrix)，且可用以遮蔽各子像素1211之間的漏光現(xiàn)象或像素陣列120中不用以顯示的區(qū)域。因此，遮光圖案層130可相對于像素陣列120設置，且遮光圖案層130于基板110上的正投影可位于各子像素1211之間交界處，以遮蔽像素陣列120中不用以顯示的區(qū)域。在一些實施例中，遮光圖案層130的材質(zhì)可為黑色光阻材料或無機材料，例如具有低反射率的金屬(如鉻、鎳等)，但本發(fā)明并非僅限于此。

如圖1所示，在一些實施例中，觸控顯示裝置100可更包含對向基板150以及顯示介質(zhì)層160。對向基板150與基板110相對設置，遮光圖案層130配置于對向基板150上，且遮光圖案層130與顯示介質(zhì)層160皆位于基板110與對向基板150之間。在一些實施例中，對向基板150可以是透明基板，例如玻璃基板、塑膠基板、石英基板、或其他合適材質(zhì)制成。此外，顯示介質(zhì)層160可包含液晶材料、有機發(fā)光材料、油墨、電子墨水或其他合適的顯示材料。但本發(fā)明并非以此為限。

觸控電極層140于基板110的正投影可重疊于多個像素單元121。于此，如圖1所示，觸控顯示裝置100可為外嵌式(on-cell)觸控顯示面板，且觸控電極層140可對應于像素陣列120而設置于對向基板150之上。以下，是以外嵌式(on-cell)觸控顯示面板為例來進行說明，但本發(fā)明并非以此為限。

請參閱圖2，觸控電極層140包含網(wǎng)格陣列141，且網(wǎng)格陣列141可包含多個網(wǎng)格單元142。各網(wǎng)格單元142可為由導電細線所構成的封閉網(wǎng)格圖案，例如菱形、類菱形或四邊形網(wǎng)格圖案。于此，各網(wǎng)格單元142的網(wǎng)格圖案彼此實質(zhì)上相同。各網(wǎng)格單元142具有多個共用部c1，且任兩相鄰的各個網(wǎng)格單元142可以其多個共用部c1之一和另一網(wǎng)格單元142的其中一個共用部c1相接，藉以構成網(wǎng)格陣列141。

在一些實施例中，共用部c1可為各網(wǎng)格單元142的一頂點及/或一邊緣。換言之，各網(wǎng)格單元142是以其頂點及/或邊緣與相鄰的另一網(wǎng)格單元142的頂點及/或邊緣相接。此外，兩個相鄰的網(wǎng)格單元142以其共用部c1相接時，此二個網(wǎng)格單元142的共用部c1會彼此重疊。換言之，任二相鄰的網(wǎng)格單元142可視為以一個共用部c1相連。

在一些實施例中，在各網(wǎng)格單元142的多個共用部c1中，至少會有二個共用部c1，如網(wǎng)格單元142的其中兩個頂點，于基板110的正投影會和遮光圖案層130于基板110的正投影重疊，以降低觸控顯示裝置100的疊紋(moire)的可視性。在一實施例中，如圖2所示，各網(wǎng)格單元142的所有頂點(共用部c1)亦可對應于遮光圖案層130設置，以使得于所有頂點于基板110的正投影可完全與遮光圖案層130于基板110的正投影重疊，藉以達到更佳的疊紋不可視性。

圖3為圖2中子像素的一實施態(tài)樣的概要示意圖。請參閱圖2與圖3，像素單元121可包含以陣列形式設置于基板110上的多個子像素1211，每個子像素1211包含主動元件m1以及像素電極e1。在一實施例中，各個子像素1211可僅包含單一像素區(qū)。換言之，此時各像素單元121的各個子像素1211可由一個主動元件m1以及一個像素電極e1所組成。

此外，基板110上更可配置多條掃描線sl以及數(shù)據(jù)線dl。各主動元件m1耦接至對應的掃描線sl、數(shù)據(jù)線dl以及像素電極e1，以使得各子像素1211的像素電極e1可經(jīng)由主動元件m1和對應的掃描線sl與數(shù)據(jù)線dl電性連接。

于此，各掃描線sl可沿第一方向d1延伸且分別沿第二方向d2排列于任兩相鄰的子像素間，而各數(shù)據(jù)線dl則可沿第二方向d2延伸且沿第一方向d1排列于任兩相鄰的子像素間，其中第一方向d1與第二方向d2彼此垂直。換言之，以觸控顯示裝置100的顯示側(cè)的視角觀看時，各掃描線sl與數(shù)據(jù)線dl將完全由遮光圖案層130所遮蔽。

圖4為像素陣列與觸控電極層的第二實施態(tài)樣的概要示意圖，且圖5為圖4中像素單元的一實施態(tài)樣的概要示意圖。請參閱圖4與圖5，在另一實施態(tài)樣中，各個子像素1211亦可包含兩個以上的像素區(qū)。以下，以具有兩個像素區(qū)的子像素1211為例進行說明。舉例而言，各個子像素1211可由二個主動元件m11、m12以及二個像素電極e11、e12所組成。其中，由主動元件m11所控制的像素區(qū)可稱為主像素區(qū)mp1，由主動元件m12所控制的像素區(qū)可稱為次像素區(qū)sp1，且主像素區(qū)mp1和次像素區(qū)sp1可依據(jù)顯示效果而被分別點亮或同時點亮。

于此，像素電極e11、e12彼此相隔間隙t11，以使彼此隔離。此外，主動元件m11、m12鄰近于像素電極e11的一側(cè)設置，且主動元件m12可通過連接電極t12跨過主像素區(qū)mp1以連接位于次像素sp1的像素電極e12，而使得連接電極t12和間隙t11可在子像素1211上形成一個十字圖案t1。

在一些實施態(tài)樣中，如圖4所示，各網(wǎng)格單元142的多個共用部c1中的至少一者，例如其中一個頂點，對應于子像素1211的十字線圖案t1的交叉中心位置設置，以使得各網(wǎng)格單元132的至少一個共用部c1于基板110的正投影可位在對應的十字線圖案t1上，藉以降低觸控顯示裝置100的疊紋(moire)的可視性。

圖6為網(wǎng)格單元的一實施例的概要示意圖。請參閱圖4與圖6，各網(wǎng)格單元142在第一方向d1上可具有一最大寬度l1。

在一實施態(tài)樣中，如圖2與圖4所示，各網(wǎng)格單元142的最大寬度l1可介于0.9個至1.1個像素單元121在第一方向d1上的寬度，以使觸控顯示裝置100的疊紋干擾現(xiàn)象可較輕微。此外，各網(wǎng)格單元142在第二方向d2上亦可具有一最大長度l2。于此，各網(wǎng)格單元142的最大長度l2可介于0.9個至1.1個像素單元121在第二方向d2上的長度。換言之，各網(wǎng)格單元142的最大長度l2與像素單元121于第二方向d2上的長度比例大致相當于最大寬度l1與像素單元121的寬度比例，此時各網(wǎng)格單元142大致上是對應于1*1像素單元121為基準而構建出來的。

圖7為像素陣列與觸控電極層的第三實施態(tài)樣的概要示意圖。請參閱圖6與圖7，在一實施態(tài)樣中，各網(wǎng)格單元142的最大寬度l1可介于1.3個至1.4個像素單元121在第一方向d1上的寬度，以使觸控顯示裝置100的疊紋干擾現(xiàn)象可較輕微。此外，各網(wǎng)格單元142在第二方向d2上亦可具有一最大長度l2。于此，各網(wǎng)格單元142的最大長度l2可介于1.3個至1.4個像素單元121在第二方向d2上的長度。舉例而言，如圖7所示，當各個像素單元121是采用直條狀的排列方式來配置多個子像素1211時，各網(wǎng)格單元142的最大寬度l1大致上與4個子像素1211在第一方向d1上的寬度相同。而當各個像素單元121是采用子像素渲染的排列方式來配置多個子像素1211時，各網(wǎng)格單元142的最大寬度l1大致上與2.66個子像素1211在第一方向d1上的寬度相同。換言之，各網(wǎng)格單元142的最大長度l2與像素單元121于第二方向d2上的長度比例大致相當于最大寬度l1與像素單元121的寬度比例，此時各網(wǎng)格單元142大致上是對應于1.33*1.33像素單元121(即，4個采用直條狀的排列方式所配置的子像素1211或2.66個采用子像素渲染的排列方式所配置的子像素)為基準而構建出來的。

圖8為像素陣列與觸控電極層的第四實施態(tài)樣的概要示意圖。請參閱圖6與圖8，在一實施態(tài)樣中，各網(wǎng)格單元142的最大寬度l1可介于1.9個至2.1個像素單元121在第一方向d1上的寬度，以使觸控顯示裝置100的疊紋干擾現(xiàn)象可較輕微。此外，各網(wǎng)格單元142在第二方向d2上亦可具有一最大長度l2。于此，各網(wǎng)格單元142的最大長度l2可介于1.9個至2.1個像素單元121在第二方向d2上的長度。換言之，各網(wǎng)格單元142的最大長度l2與像素單元121于第二方向d2上的長度比例大致相當于最大寬度l1與像素單元121的寬度比例，此時各網(wǎng)格單元142大致上是對應于2*2像素單元121為基準而構建出來的。

圖9為像素陣列與觸控電極層的第五實施態(tài)樣的概要示意圖。請參閱圖6與圖9，在一實施態(tài)樣中，各網(wǎng)格單元142的最大寬度l1可介于3.9個至4.1個像素單元121在第一方向d1上的寬度，以使觸控顯示裝置100的疊紋干擾現(xiàn)象可較輕微。此外，各網(wǎng)格單元142在第二方向d2上亦可具有一最大長度l2。于此，各網(wǎng)格單元142的最大長度l2可介于3.9個至4.1個像素單元121在第二方向d2上的長度。換言之，各網(wǎng)格單元142的最大長度l2與像素單元121于第二方向d2上的長度比例大致相當于最大寬度l1與像素單元121的寬度比例，此時各網(wǎng)格單元142大致上是對應于4*4像素單元121為基準而構建出來的。

在一實施例中，觸控電極層140和像素陣列120可分別具有對準軸線a1、a2，例如平行于第二方向d2。如圖4所示，當觸控電極層140對準于像素陣列120設置(即，觸控電極層140相對于像素陣列120并無偏轉(zhuǎn))時，觸控電極層140的對準軸線a1可和像素陣列120的對準軸線a2重合。而當觸控電極層140因制程因素(例如，機械對位的誤差)而相對于像素陣列120出現(xiàn)偏轉(zhuǎn)時，如圖12或圖13所示，觸控電極層140的對準軸線a1將無法和像素陣列120的對準軸線a2重合，且觸控電極層140的對準軸線a1和像素陣列120的對準軸線a2之間會夾一旋轉(zhuǎn)角度β。

此外，觸控電極層140和像素陣列120疊合后的影像可轉(zhuǎn)成明度影像，且此明度影像可經(jīng)由傅立葉轉(zhuǎn)換成頻率域的多個moire點(moirepoint)后，再將低于某一選定條件的多個moire點的數(shù)量統(tǒng)計出來以得到moire干擾指數(shù)。其中，moire干擾指數(shù)越高代表疊紋的干擾情形越嚴重。在一些實施例中，選定條件可為觸控顯示裝置100的顯示階調(diào)為128階以下且在非正視的視角、觸控顯示裝置100的顯示階調(diào)為128階以下且在正視的視角或觸控顯示裝置100的顯示階調(diào)為128階以上等，本發(fā)明并非以此為限。

圖10為點亮主像素區(qū)且網(wǎng)格單元為四邊形時其最大寬度、相對于像素陣列的旋轉(zhuǎn)角度以及moire干擾指數(shù)的關系示意圖。請參閱圖10，在一實施態(tài)樣中，以觸控顯示裝置100的顯示階調(diào)為64階并采用直條狀的排列方式所配置的子像素1211為例，在像素陣列120的各子像素1211具有主像素區(qū)mp1和次像素區(qū)sp1，且各子像素1211僅點亮主像素區(qū)mp1(即，僅有主像素區(qū)mp1被驅(qū)動顯示)之下，并搭配上具有多個呈四邊形的網(wǎng)格單元142的觸控電極層140，且觸控電極層140相對于像素陣列120的旋轉(zhuǎn)角度β分別為0度、介于0到0.25度以及介于0到0.5度時，觸控電極層140的各網(wǎng)格單元142的最大寬度l1大致上是在和3個、4個、6個或12個子像素1211的寬度相同時，觸控顯示裝置100可具有較低的moire干擾指數(shù)。

圖11為全點亮且網(wǎng)格單元為四邊形時其最大寬度、相對于像素陣列的旋轉(zhuǎn)角度以及moire干擾指數(shù)的關系示意圖。請參閱圖11，在一實施態(tài)樣中，以觸控顯示裝置100的顯示階調(diào)為64階并采用直條狀的排列方式所配置的子像素1211為例，在像素陣列120的各子像素1211具有主像素區(qū)mp1和次像素區(qū)sp1，且各子像素1211的主像素區(qū)mp1和次像素區(qū)sp1全點亮(即，主像素區(qū)mp1和次像素區(qū)sp1皆被驅(qū)動顯示)之下，并搭配上具有多個呈四邊形的網(wǎng)格單元142的觸控電極層140，且觸控電極層140相對于像素陣列120的旋轉(zhuǎn)角度β分別為0度、介于0到0.25度以及介于0到0.5度時，觸控電極層140的各網(wǎng)格單元142的最大寬度l1大致上是在和3個、4個、6個或12個子像素1211的寬度相同時，觸控顯示裝置100可具有較低的moire干擾指數(shù)。

換言之，在各子像素1211具有二個以上的像素區(qū)的條件下，無論各子像素1211的各像素區(qū)僅有一者或全部被驅(qū)動顯示，當觸控電極層140的各網(wǎng)格單元142的最大寬度l1大致上在和3個、4個、6個或12個子像素1211的寬度相同時，觸控顯示裝置100可具有較低的moire干擾指數(shù)。

圖12為觸控電極層相對于像素陣列旋轉(zhuǎn)0.25度的概要示意圖，且圖13觸控電極層相對于像素陣列旋轉(zhuǎn)-0.25度的概要示意圖。請參閱圖4、圖12與圖13，在一般狀態(tài)下，如圖4所示，觸控電極層140可對準于像素陣列120設置且并無相對于像素陣列120偏轉(zhuǎn)，即旋轉(zhuǎn)角度β為0。此時，觸控電極層140的各網(wǎng)格單元142的共用部c1在基板110上的正投影可分別和對應的十字線圖案t1或遮光圖案層130在基板110上的正投影重疊。

然而，觸控電極層140亦可能因制程因素相對于像素陣列120偏轉(zhuǎn)，而形成旋轉(zhuǎn)角度β。在一實施態(tài)樣中，如圖12所示，觸控電極層140相對于像素陣列120的旋轉(zhuǎn)角度β可為0.25度(以左旋為正角)。在另一實施態(tài)樣中，如圖13所示，觸控電極層140相對于像素陣列120的旋轉(zhuǎn)角度β可為-0.25度(以右旋為負角)。

于此，當觸控電極層140相對于像素陣列120具有不為0度的旋轉(zhuǎn)角度β時，觸控電極層140的各網(wǎng)格單元142的共用部c1在基板110上的正投影將略微和對應的十字線圖案t1相互偏離。然，如圖10和圖11所示，雖然觸控電極層140相對于像素陣列120具有不為0度的旋轉(zhuǎn)角度β時，將使得觸控顯示裝置100的moire干擾指數(shù)略微提升，但在觸控電極層140的各網(wǎng)格單元142的最大寬度l1在和3個、4個、6個或12個子像素1211的寬度相同時，觸控顯示裝置100大致上可具有較低的moire干擾指數(shù)。

圖14為像素陣列與觸控電極層的第六實施態(tài)樣的概要示意圖，且圖15為像素陣列與觸控電極層的第七實施態(tài)樣的概要示意圖。在一些實施態(tài)樣中，各網(wǎng)格單元142的形狀除可為四邊形(例如，圖4所示)外，亦可為圓形(例如，圖14所示)或六邊形(例如，圖15所示)等。然而，本發(fā)明并非以此為限，各網(wǎng)格單元142的形狀可為任何合適的形狀。

圖16為僅點亮主像素區(qū)且網(wǎng)格單元為圓形時其最大寬度、相對于像素陣列的旋轉(zhuǎn)角度以及moire干擾指數(shù)的關系示意圖。請參閱圖16，在一實施態(tài)樣中，以觸控顯示裝置100的顯示階調(diào)為64階并采用直條狀的排列方式所配置的子像素1211為例，在像素陣列120的各子像素1211具有主像素區(qū)mp1和次像素區(qū)sp1，且各子像素1211僅點亮主像素區(qū)mp1(即，僅有主像素區(qū)mp1被驅(qū)動顯示)之下，并搭配上具有多個呈圓形的網(wǎng)格單元142的觸控電極層140，且觸控電極層140相對于像素陣列120的旋轉(zhuǎn)角度β分別為0度、介于0到0.25度以及介于0到0.5度時，觸控電極層140的各網(wǎng)格單元142的最大寬度l1大致上是在和3個、4個、6個或12個子像素1211的寬度相同時，即和1個、1.33個、2個或4個像素單元121的寬度相同時，觸控顯示裝置100可具有較低的moire干擾指數(shù)。

圖17為像素單元包含兩個子像素且網(wǎng)格單元為四邊形時其最大寬度、相對于像素陣列的旋轉(zhuǎn)角度以及moire干擾指數(shù)的關系示意圖。請參閱圖17，在一實施態(tài)樣中，以觸控顯示裝置100的顯示階調(diào)為64階并采用子像素渲染的排列方式所配置的子像素1211為例，并搭配上具有多個呈四邊形的網(wǎng)格單元142的觸控電極層140，且觸控電極層140相對于像素陣列120的旋轉(zhuǎn)角度β分別為0度、介于0到0.25度以及介于0到0.5度時，觸控電極層140的各網(wǎng)格單元142的最大寬度l1大致上是在和2個、2.66個、4個或8個子像素1211的寬度相同時，即和1個、1.33個、2個或4個像素單元121的寬度相同時，觸控顯示裝置100可具有較低的moire干擾指數(shù)。

在一些實施態(tài)樣中，如圖6所示，各網(wǎng)格單元142的至少一邊緣與第一方向d1之間的夾角θ可介于44.5度至45.5度之間。在另一實施態(tài)樣中，各網(wǎng)格單元142的至少一邊緣與第一方向d1之間的夾角θ則可介于44.75度至45.25度之間。此外，在又一實施例中，當各網(wǎng)格單元142的至少一邊緣與第一方向d1之間的夾角θ實質(zhì)上為45度時，觸控顯示裝置100可具有較佳的疊紋不可視性。

在一些實施態(tài)樣中，各網(wǎng)格單元142的形狀較佳地可呈菱形，以使觸控顯示裝置100的疊紋的可視性可降得更低。

在一些實施態(tài)樣中，各網(wǎng)格單元142可由呈為直線、弧線、波浪線、折線或其組合的導電細線所構成的封閉網(wǎng)格圖案。此外，網(wǎng)格單元142的材質(zhì)可為金屬(如金、鋁、銅、銀等)、金屬合金、金屬的復合層、金屬合金的復合層、有機導電材料、氧化物導電材料等。但本發(fā)明并非以此為限。

在一實施態(tài)樣中，構成各網(wǎng)格單元142的導電細線的寬度可介在1微米(μm)至10微米之間。而在另一實施態(tài)樣中，構成各網(wǎng)格單元142的導電細線的寬度則可介在2微米至7微米之間。此外，在又一實施態(tài)樣中，當構成各網(wǎng)格單元142的導電細線的寬度介在3微米至5微米之間時，觸控顯示裝置100的觸控、顯示效果會較佳。

圖18為本發(fā)明第二實施例的觸控顯示面板的側(cè)視結構示意圖。請參閱圖18，在一實施例中，觸控顯示裝置100可為內(nèi)嵌式(in-cell)觸控顯示面板，且遮光圖案層130與觸控電極層140可以此順序?qū)谙袼仃嚵?20依序設置于對向基板150之上而夾設于對向基板150和基板110之間。然而本發(fā)明并非以此為限，亦可改以觸控電極層140至遮光圖案層130的順序?qū)谙袼仃嚵?20依序設置于對向基板150上而夾設于對向基板150和基板110之間。

圖19為本發(fā)明第三實施例的觸控顯示面板的側(cè)視結構示意圖。在另一實施例中，觸控顯示裝置100更可為外掛式(out-cell)觸控顯示面板。此時，觸控顯示裝置100更包含貼合基板170，且觸控電極層140可先設置于貼合基板170上后，再藉由黏合層180將貼合基板170對應于像素陣列120貼合于對向基板150之上。需注意的是，于此所示的黏合層180雖為全面鋪設于貼合基板170和對向基板150之間，但本發(fā)明并非以此為限，黏合層180亦可僅設置于周邊區(qū)塊或兩側(cè)，而使得貼合基板170和對向基板150在中央?yún)^(qū)塊可具有空隙。

綜上所述，本發(fā)明實施例的觸控顯示裝置，當各網(wǎng)格單元的最大長度或最大寬度尺寸對應于大約1個像素單元、1.33個像素單元、2個像素單元或4個像素單元的尺寸時，觸控顯示裝置100的疊紋(moire)的可視性可降得更低。此外，將觸控電極層的各網(wǎng)格單元的多個共用部中的至少二個對應于遮光圖案層設置，以使得各網(wǎng)格單元的至少二個共用部在基板上的正投影和遮光圖案層在基板上的正投影可重疊，藉以降低觸控顯示裝置的疊紋的可視性。

雖然本發(fā)明的技術內(nèi)容已經(jīng)以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神所作些許的更動與潤飾，皆應涵蓋于本發(fā)明的范疇內(nèi)，因此本發(fā)明的保護范圍當視后附的申請專利范圍所界定者為準。