一種電子設(shè)備的自毀裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種電子設(shè)備的自毀裝置,其包括:自毀觸發(fā)裝置,其設(shè)置在電子設(shè)備的殼體上,用于在電子設(shè)備的殼體被非法開(kāi)啟或破殼時(shí),觸發(fā)一自毀信號(hào),并將其輸出至自毀執(zhí)行裝置;自毀執(zhí)行裝置,其在檢測(cè)到所述自毀觸發(fā)裝置輸出的所述自毀信號(hào)后,利用脈沖高壓對(duì)所述電子設(shè)備的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片和/或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)進(jìn)行物理?yè)p壞;電池供電系統(tǒng):用于為電子設(shè)備和所述自毀裝置供電。
【專利說(shuō)明】一種電子設(shè)備的自毀裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及設(shè)備安全【技術(shù)領(lǐng)域】,尤其涉及一種電子設(shè)備的自毀裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]當(dāng)今的世界已經(jīng)完全步入了信息時(shí)代,在信息數(shù)據(jù)廣泛使用的今天,移動(dòng)設(shè)備(手機(jī)、平板等數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備)存儲(chǔ)介質(zhì)中的重要數(shù)據(jù)泄密已經(jīng)成為數(shù)據(jù)安全的一個(gè)潛在的重要威脅,這些設(shè)備上往往存有個(gè)人隱私信息、公司商業(yè)機(jī)密、甚至政府機(jī)關(guān)文件、軍工機(jī)密等重要數(shù)據(jù),一旦遺失或被盜將面臨重要數(shù)據(jù)遭泄密的風(fēng)險(xiǎn),重要數(shù)據(jù)將完全暴露在竊密者面前,即使設(shè)備安裝有任何高級(jí)別的安全軟件,設(shè)置了諸如多復(fù)雜的系統(tǒng)密碼,安全密碼等防護(hù),竊密者可能無(wú)法從移動(dòng)設(shè)備外設(shè)接口盜取數(shù)據(jù),但也難防止竊密者對(duì)設(shè)備開(kāi)殼后內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)進(jìn)行直接物理破解,輕而易舉的竊取重要數(shù)據(jù),將造成巨大損失。
[0003]為防止竊密者通過(guò)對(duì)設(shè)備開(kāi)殼后,對(duì)內(nèi)部的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片或存儲(chǔ)介質(zhì)(如FLASH芯片、內(nèi)部TF卡等),利用高科技儀器、手段進(jìn)行破解,現(xiàn)行傳統(tǒng)安全防范做法是利用檢測(cè)裝置,檢測(cè)數(shù)據(jù)面臨失密風(fēng)險(xiǎn)時(shí)(移動(dòng)設(shè)備一般均內(nèi)置電池),設(shè)備將啟動(dòng)內(nèi)部安全軟件對(duì)重要數(shù)據(jù)進(jìn)行擦除或格式化,通過(guò)對(duì)該方法的詳細(xì)分析及論證,主要存在的技術(shù)缺陷如下:
[0004]①速度慢,依賴性強(qiáng):在設(shè)備自動(dòng)啟動(dòng)安全軟件、命令對(duì)重要數(shù)據(jù)進(jìn)行逐位擦除或格式化,需要消耗大量時(shí)間,并且數(shù)據(jù)量越大,消耗的時(shí)間將越長(zhǎng),竊密者在打開(kāi)外殼后,及時(shí)切斷移動(dòng)設(shè)備的內(nèi)部電源,將不能完全擦除或格式化重要數(shù)據(jù)。并且進(jìn)行擦除或格式化工作需要依賴CPU或其它部件來(lái)完成,在移動(dòng)設(shè)備死機(jī)或關(guān)機(jī)狀態(tài)下可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)自毀工作無(wú)法完成。
[0005]②安全級(jí)別低:如果為了節(jié)省時(shí)間而采用刪除或快速格式化操作方法,專業(yè)人員仍可利用高科技手段對(duì)內(nèi)部存儲(chǔ)介質(zhì)進(jìn)行解密、修復(fù),刪除或格式化的數(shù)據(jù)仍有被恢復(fù)的可能性風(fēng)險(xiǎn)存在。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]有鑒于此,本實(shí)用新型提出了一種電子設(shè)備的自毀裝置。
[0007]根據(jù)本實(shí)用新型一方面,其提供了一種電子設(shè)備的自毀裝置,包括:
[0008]自毀觸發(fā)裝置,其設(shè)置在電子設(shè)備的殼體上,用于在電子設(shè)備的殼體被非法開(kāi)啟或破殼時(shí),觸發(fā)一自毀信號(hào),并將其輸出至自毀執(zhí)行裝置;
[0009]自毀執(zhí)行裝置,其在檢測(cè)到所述自毀觸發(fā)裝置輸出的所述自毀信號(hào)后,利用脈沖高壓對(duì)所述電子設(shè)備的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片和/或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)進(jìn)行物理?yè)p壞;
[0010]電池供電系統(tǒng):用于為電子設(shè)備和所述自毀裝置供電。
[0011]其中,所述自毀觸發(fā)裝置包括:
[0012]設(shè)置在電子設(shè)備殼體上的至少一個(gè)開(kāi)關(guān);
[0013]所述至少一個(gè)開(kāi)關(guān)包括:設(shè)置在所述電子設(shè)備上、下殼體相對(duì)位置處的上、下觸點(diǎn);當(dāng)所述電子設(shè)備的上、下殼體處于閉合狀態(tài)時(shí),所述上、下觸點(diǎn)電接觸,相應(yīng)的所述開(kāi)關(guān)處于閉合狀態(tài);當(dāng)所述電子設(shè)備的上、下殼體被分離時(shí),所述上、下觸點(diǎn)處于分離狀態(tài),相應(yīng)的所述開(kāi)關(guān)處于斷開(kāi)狀態(tài)。
[0014]其中,所述自毀觸發(fā)裝置包括多個(gè)串聯(lián)的所述開(kāi)關(guān),當(dāng)其中一個(gè)開(kāi)關(guān)處于斷開(kāi)狀態(tài)時(shí),所述自毀觸發(fā)裝置觸發(fā)一自毀信號(hào)。
[0015]其中,所述自毀觸發(fā)裝置包括多個(gè)并聯(lián)的所述開(kāi)關(guān),當(dāng)所有開(kāi)關(guān)都處于斷開(kāi)狀態(tài)時(shí),所述自毀觸發(fā)裝置觸發(fā)一自毀信號(hào)。
[0016]其中,所述自毀觸發(fā)裝置包括多個(gè)并聯(lián)的第一部分開(kāi)關(guān)和多個(gè)串聯(lián)的第二部分開(kāi)關(guān);當(dāng)?shù)谝徊糠珠_(kāi)關(guān)中的所有開(kāi)關(guān)處于斷開(kāi)狀態(tài),且第二部分開(kāi)關(guān)中的任意一個(gè)開(kāi)關(guān)處于斷開(kāi)狀態(tài)時(shí),所述自毀觸發(fā)裝置觸發(fā)一自毀信號(hào)。
[0017]其中,多個(gè)開(kāi)關(guān)分別設(shè)置在電子設(shè)備殼體的不同位置處。
[0018]其中,所述多個(gè)開(kāi)關(guān)分別設(shè)置在電子設(shè)備殼體的四個(gè)角落、側(cè)邊,和/或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片和/或存儲(chǔ)介質(zhì)所在位置處。
[0019]其中,所述自毀執(zhí)行裝置包括:檢測(cè)模塊、升壓模塊和脈沖控制模塊;
[0020]所述檢測(cè)模塊從所述自毀觸發(fā)裝置接收自毀信號(hào);所述檢測(cè)模塊還連接至電池供電系統(tǒng),并用于連通或隔離所述電池供電系統(tǒng)與升壓模塊、脈沖控制模塊;
[0021]所述升壓模塊在與所述電池供電系統(tǒng)連通后,產(chǎn)生直流高電壓,并將其輸出至脈沖控制I吳塊;
[0022]所述脈沖控制模塊在與所述電池供電系統(tǒng)連通后,將從所述升壓模塊接收到的直流高電壓轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷髅}沖電壓后,輸出至電子設(shè)備的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片和/或存儲(chǔ)介質(zhì)。
[0023]其中,所述檢測(cè)裝置包括:
[0024]第十一電阻(Rll),其第一端連接至節(jié)點(diǎn)A,第二端連接至所述電池供電系統(tǒng)提供的電源電壓Vbatteky ;
[0025]第十二電阻(R12),連接于節(jié)點(diǎn)A和節(jié)點(diǎn)B之間,其中,節(jié)點(diǎn)B接地;其中,節(jié)點(diǎn)A和節(jié)點(diǎn)B連接至所述自毀觸發(fā)電路的兩輸出端;
[0026]第十一三極管(Qll),其基極通過(guò)第十三電阻(R13)連接至節(jié)點(diǎn)A ;其集電極通過(guò)第十四電阻(R14)連接至電源電壓Vbatteky ;其發(fā)射極連接至地;
[0027]第十二 P溝道MOS管(M12),其G管腳通過(guò)第十五電阻(R15)連接至所述第十一三極管(Qll)的集電極,其S管腳連接至所述電源電壓Vbatteky;其D管腳連接至檢測(cè)模塊的輸出端。
[0028]其中,所述升壓模塊包括:
[0029]濾波電路,用于濾除由檢測(cè)模塊輸入信號(hào)中的雜波;
[0030]升壓電路,包括:儲(chǔ)能電感(L31)其第一端連接至濾波電路的輸出端,第二端通過(guò)第二i^一二極管(D21)連接至升壓電路的輸出端;升壓驅(qū)動(dòng)芯片(U302),其為EUP2586芯片,該EUP2586芯片的VIN管腳連接至儲(chǔ)能電感(L31)的第一端;SHDN管腳通過(guò)第二i^一電阻(R21)連接至濾波電路的輸出端,并通過(guò)第二十三電容(C23)接地;SW管腳連接至儲(chǔ)能電感(L31)的第二端;0VP管腳連接至第二i^一二極管(D21)的負(fù)極端;GND管腳接地;
[0031]電壓負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò),用于調(diào)整升壓電路輸出電壓的幅值,包括:第二十四電容(C24),其第一端連接至升壓驅(qū)動(dòng)芯片(U302)的FB管腳,其第二端連接至升壓電路的輸出端;第二十三電阻(R23),其與第二十四電阻(R24)串聯(lián)連接,其第一端連接至升壓電路的輸出端,第二端連接第二十四電阻(R24),還通過(guò)第二十二電阻(R22)連接至升壓驅(qū)動(dòng)芯片(U302)的FB管腳;第二十四電阻(R24),其與第二十三電阻(R23)串聯(lián)連接,其第一端連接至第二十三電阻R23的第二端,第二端接地;
[0032]儲(chǔ)能電路,包括并聯(lián)的第二十五電容(C25)和第二十六電容(C26),兩者的第一端連接至電壓負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò)的輸出端,第二端接地。
[0033]其中,所述脈沖控制模塊包括:
[0034]振蕩電路,其用于產(chǎn)生振蕩脈沖信號(hào);所述振蕩電路包括:第三i^一非門(mén)(NOT31)和第三十二非門(mén)(NOT 32);其中,第三i^一非門(mén)(NOT 31)和第三十二非門(mén)(NOT 32)首尾相接,且第三十一非門(mén)(NOT 31)的輸入端通過(guò)第三十一電阻(R31)連接至與所述第三十二非門(mén)(NOT 32)的輸出端連接的第三十二電容(C32)連接,其輸出端連接至該振蕩電路的輸出端,用于輸出所述振蕩脈沖信號(hào);第三十一非門(mén)(NOT 31)的輸出端還連接至第三十二電阻的第一端,第三十二電阻的第二端連接至所述第三十一電阻和第三十二電容之間;
[0035]脈沖電子開(kāi)關(guān)電路,包括:多個(gè)P溝道MOS管,每個(gè)P溝道MOS管的S管腳連接至升壓模塊的輸出端,G管腳通過(guò)電阻連接至升壓模塊的輸出端,D管腳分別連接至電子設(shè)備的不同數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片和/或存儲(chǔ)介質(zhì);
[0036]第三H^一三極管(Q31),其基極通過(guò)第三十三電阻(R33)連接至振蕩電路的輸出端,其發(fā)射極接地,每個(gè)上述P溝道MOS管的G管腳通過(guò)電阻和二極管連接至第三十一三極管Q31的集電極。
[0037]其中,所述電池供電系統(tǒng)通過(guò)設(shè)置,至少保留預(yù)設(shè)比例的電能供所述自毀執(zhí)行電路使用。
[0038]本實(shí)用新型提出的電子設(shè)備的自毀裝置能解決現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)缺陷,由于采用獨(dú)立運(yùn)行工作方式進(jìn)行設(shè)計(jì),與電子設(shè)備內(nèi)其它模塊電路無(wú)關(guān)聯(lián),工作狀態(tài)將不受電子設(shè)備內(nèi)CPU或其它部件影響,避免因電子設(shè)備死機(jī)、關(guān)機(jī)而導(dǎo)致自毀裝置失效,提高自毀裝置可靠性。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0039]圖1示出了本實(shí)用新型示出的電子設(shè)備的自毀裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0040]圖2示出了本實(shí)用新型實(shí)施例中自毀觸發(fā)裝置的框架結(jié)構(gòu)示意圖;
[0041]圖3示出了本實(shí)用新型實(shí)施例中自毀觸發(fā)裝置的等效電路示意圖;
[0042]圖4示出了本實(shí)用新型中檢測(cè)模塊的一種電路實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)示意圖;
[0043]圖5示出了本實(shí)用新型中升壓模塊的一種電路實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)圖;
[0044]圖6示出了本實(shí)用新型中脈沖控制電路的一種電路實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0045]為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明自,以下結(jié)合具體實(shí)施例,并參照附圖,對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。
[0046]圖1示出了本實(shí)用新型示出的電子設(shè)備的自毀裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示,所述自毀裝置包括:自毀觸發(fā)裝置101、自毀執(zhí)行裝置102和電池供電系統(tǒng)103。所述電池供電系統(tǒng)置于電子設(shè)備內(nèi)部。
[0047]其中,自毀觸發(fā)裝置101用于負(fù)責(zé)對(duì)數(shù)據(jù)安全性風(fēng)險(xiǎn)進(jìn)行檢測(cè),當(dāng)電子設(shè)備遭受非法開(kāi)殼、破殼等存在安全性風(fēng)險(xiǎn)的行為時(shí),所述自毀觸發(fā)裝置101將觸發(fā)一自毀信號(hào),并發(fā)送至自毀執(zhí)行裝置102。
[0048]自毀執(zhí)行裝置102用于負(fù)責(zé)檢測(cè)自毀信號(hào),并在檢測(cè)到自毀信號(hào)后對(duì)電子設(shè)備內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片及介質(zhì)(如FLASH、TF卡等)進(jìn)行物理?yè)p壞,物理?yè)p壞具有數(shù)據(jù)損壞的快速性以及不可修復(fù)特點(diǎn),能夠防止重要數(shù)據(jù)被讀取或解密,最大限度的保證存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的安全。
[0049]電池供電系統(tǒng)103為電子設(shè)備提供電能,同時(shí)為自毀執(zhí)行裝置啟動(dòng)提供電能;具體是通過(guò)設(shè)置電池管理系統(tǒng),使得電池供電系統(tǒng)將至少保留預(yù)定比例如10%的電能供自毀裝置使用,而其他電能如90%的電能供電子設(shè)備在正常運(yùn)行的時(shí)候使用,其用于保障自毀執(zhí)行裝置在任意狀態(tài)下均能正常啟動(dòng),實(shí)現(xiàn)自毀保護(hù)。
[0050]可選地,所述電子設(shè)備可以是移動(dòng)設(shè)備,如手機(jī)、平板電腦等具有數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的電子設(shè)備。
[0051]下面從上述三部分的具體電路結(jié)構(gòu)詳細(xì)介紹本實(shí)用新型提出的電子設(shè)備自毀裝置的具體細(xì)節(jié)。
[0052]圖2示出了本實(shí)用新型實(shí)施例中自毀觸發(fā)裝置的框架結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示,所述自毀觸發(fā)裝置包括:設(shè)置在電子設(shè)備上、下殼體相對(duì)位置處的至少一個(gè)開(kāi)關(guān),所述上、下殼體可處于分離和閉合的狀態(tài);其中所述開(kāi)關(guān)由兩個(gè)觸點(diǎn)構(gòu)成,即上觸點(diǎn)和下觸點(diǎn),所述上觸點(diǎn)安裝在電子設(shè)備的上殼體,下觸點(diǎn)位于所述電子設(shè)備的下殼體,當(dāng)上、下殼體組裝成閉合狀態(tài)時(shí),所述上、下觸點(diǎn)接觸形成電接觸,進(jìn)而使得上下觸點(diǎn)構(gòu)成的開(kāi)關(guān)處于閉合狀態(tài);當(dāng)上下殼體被分離后,所述上下觸點(diǎn)處于分離狀態(tài),使得所述開(kāi)關(guān)處于斷開(kāi)狀態(tài)。所述開(kāi)關(guān)可以包括多個(gè),分別安裝在上下殼的不同位置處。所述不同位置包括電子設(shè)備殼體的四個(gè)角落、側(cè)邊以及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片和/或存儲(chǔ)介質(zhì)所在位置處。
[0053]圖2示出的實(shí)施例中,Al為電子設(shè)備的上殼體,A2為電子設(shè)備的下殼體,a為裝入上殼體的上觸點(diǎn),b為裝入下殼體的下觸點(diǎn),上觸點(diǎn)a和下觸點(diǎn)b分別位于上、下殼組裝后相對(duì)位置處,當(dāng)上、下殼體組裝完成后a觸點(diǎn)和b觸點(diǎn)將處于閉合導(dǎo)通狀態(tài),共同組成開(kāi)關(guān)Kl,只有當(dāng)電子設(shè)備的開(kāi)關(guān)Kl位置處開(kāi)殼或破殼時(shí),開(kāi)關(guān)Kl的a、b兩觸點(diǎn)將分尚,Kl將處于斷開(kāi)狀態(tài),在電子設(shè)備的殼體四個(gè)角落位置均勻分布了四組此類開(kāi)關(guān)。當(dāng)然在其他實(shí)施例中,所述開(kāi)關(guān)的數(shù)量和位置不限于此,可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)置。
[0054]圖3示出了本實(shí)用新型實(shí)施例中自毀觸發(fā)裝置的等效電路示意圖。如圖3所示,安裝在移動(dòng)設(shè)備上下殼體上的開(kāi)關(guān)K1、K2、K3、K4串聯(lián)后連接至自毀執(zhí)行電路,自毀執(zhí)行電路通過(guò)檢測(cè)由4個(gè)開(kāi)關(guān)組成開(kāi)關(guān)回路的狀態(tài),作為啟動(dòng)自毀功能的依據(jù)。
[0055]在移動(dòng)設(shè)備外殼完好的狀態(tài)下,KU Κ2、Κ3、Κ4均處于閉合導(dǎo)通狀態(tài),開(kāi)關(guān)回路閉合,自毀執(zhí)行裝置將處于待機(jī)狀態(tài)。當(dāng)移動(dòng)設(shè)備外殼上任意一角落率先非法開(kāi)殼,都將導(dǎo)致該開(kāi)殼位置的開(kāi)關(guān)斷開(kāi),觸發(fā)自毀執(zhí)行裝置,立即啟動(dòng)自毀。采用此裝置可大大降低人為破壞自毀裝置的可能性,提高內(nèi)部數(shù)據(jù)的安全性,實(shí)現(xiàn)快速反應(yīng)、全方位的保證內(nèi)部數(shù)據(jù)安全。當(dāng)然,為了提高安全性,所述開(kāi)關(guān)可以不止安裝在移動(dòng)設(shè)備的四個(gè)角落處,還可以根據(jù)實(shí)際情況安裝在移動(dòng)設(shè)備的側(cè)邊處。可選地,所除了圖2示出的這種實(shí)施方式外,還可根據(jù)電子設(shè)備外殼形狀、以及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)在電子設(shè)備中所處的位置,在電子設(shè)備的殼體上設(shè)置多個(gè)上下觸點(diǎn)構(gòu)成的開(kāi)關(guān),使得這些開(kāi)關(guān)構(gòu)成并聯(lián)電路,并在檢測(cè)到所有開(kāi)關(guān)都斷開(kāi)后,再產(chǎn)生一自毀觸發(fā)信號(hào)給觸發(fā)執(zhí)行裝置。這是因?yàn)?,有些電子設(shè)備殼體的特殊設(shè)置,以及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)所處的位置決定,只有在殼體的某些位置被打開(kāi)以后,才有可能接觸到數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì),進(jìn)一步對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)上的數(shù)據(jù)進(jìn)行解密等,因此這種設(shè)置方式可以防止無(wú)意中電子設(shè)備某個(gè)位置處的上下殼體被分離,但是這種分離是無(wú)法接觸到數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的情況下,誤將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)中的數(shù)據(jù)刪除,造成不必要的損失。
[0056]此外,還可以是多個(gè)開(kāi)關(guān)中第一部分開(kāi)關(guān)并聯(lián),之后再跟第二部分開(kāi)關(guān)串聯(lián)連接,最終形成開(kāi)關(guān)回路,以在第一部分開(kāi)關(guān)全都斷開(kāi)和第二部分開(kāi)關(guān)中的任意一個(gè)開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí),自毀觸發(fā)裝置產(chǎn)生一自毀觸發(fā)信號(hào)給觸發(fā)執(zhí)行裝置。這可以根據(jù)具體的實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)置。
[0057]自毀執(zhí)行裝置的自毀原理是利用脈沖高壓加至移動(dòng)設(shè)備內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片及介質(zhì)引腳,造成芯片及介質(zhì)內(nèi)部晶圓、器件燒毀,實(shí)現(xiàn)快速、不可逆轉(zhuǎn)、不可修復(fù)的物理?yè)p壞,避免內(nèi)部重要數(shù)據(jù)丟失,保障數(shù)據(jù)的安全。
[0058]所述自毀執(zhí)行裝置包括:檢測(cè)模塊、升壓模塊以及脈沖控制模塊。
[0059]其中,所述檢測(cè)模塊與自毀觸發(fā)裝置連接,并從所述自毀觸發(fā)裝置接收自毀觸發(fā)信號(hào);所述檢測(cè)模塊還連接至電池供電系統(tǒng)103,其在接收到自毀觸發(fā)裝置的自毀觸發(fā)信號(hào)以后,連通所述電池供電系統(tǒng)103與升壓模塊和脈沖控制電路,使得所述電池供電系統(tǒng)103為所述升壓模塊和脈沖控制電路提供電源;所述檢測(cè)模塊在未檢測(cè)到自毀觸發(fā)信號(hào)時(shí),將所述電池供電系統(tǒng)103與升壓模塊和脈沖控制電路隔離,阻止所述電池供電系統(tǒng)103為升壓模塊和脈沖控制電路供電。
[0060]所述升壓模塊連接至檢測(cè)模塊,并在通過(guò)檢測(cè)模塊接收到電池供電系統(tǒng)提供的電源后,用于產(chǎn)生對(duì)存儲(chǔ)芯片及介質(zhì)造成物理?yè)p壞的高電壓,并輸出給脈沖控制模塊。
[0061]所述脈沖控制模塊接收所述升壓模塊輸出的直流高電壓,并將所述直流高電壓轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷髅}沖電壓后,加至存儲(chǔ)芯片及介質(zhì)的引腳,對(duì)它們內(nèi)部的晶圓或器件造成毀滅性的燒毀。
[0062]其中,所述脈沖控制模塊包括多個(gè)輸出端口,每個(gè)不同的輸出端口分別連接至電子設(shè)備不同類型的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)上;如所述輸出端口包括Flash輸出端口,用于連接至電子設(shè)備的Flash存儲(chǔ)卡上,TF卡輸出端口,連接至電子設(shè)備的TF卡等。采用脈沖高壓的優(yōu)點(diǎn)是瞬間功率大(因?yàn)槊}沖功率大部分將由升壓模塊的輸出電容C25、C26提供)。特別適用于多個(gè)存儲(chǔ)器件的場(chǎng)合下,由于各個(gè)存儲(chǔ)器件電性能存在差異,燒毀必定存在先后順序,最先燒毀的存儲(chǔ)器件勢(shì)必對(duì)其它正在燒毀的存儲(chǔ)器件造成影響,采用脈沖高壓方式由于瞬間功率大的特點(diǎn)可大大降低這種影響,自毀可靠性更高。
[0063]圖4示出了本實(shí)用新型中檢測(cè)模塊的一種電路實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)示意圖。如圖4所示,所述檢測(cè)模塊包括:
[0064]第十一電阻Rl I,其第一端連接至節(jié)點(diǎn)A,第二端連接至電源電壓Vbatteky ;
[0065]第十二電阻Rl2,連接于節(jié)點(diǎn)A和節(jié)點(diǎn)B之間,其中,節(jié)點(diǎn)B接地;
[0066]第H^一電容Cll,連接于節(jié)點(diǎn)A和節(jié)點(diǎn)B之間;
[0067]第十一三極管Q11,其基極通過(guò)第十三電阻R13連接至節(jié)點(diǎn)A ;其集電極通過(guò)第十四電阻R14連接至電源電壓Vbatteky ;其發(fā)射極連接至地;
[0068]第十二 P溝道MOS管M12,相當(dāng)于一電子開(kāi)關(guān),其G管腳(I腳)通過(guò)第十五電阻R15連接至第i^一三極管Qll的集電極,其S管腳(2腳)連接至電源Vbatteky ;其D管腳(3腳)連接至檢測(cè)模塊的輸出端。連接至升壓模塊以及脈沖控制模塊的電源供電端。
[0069]其中,電源電壓Vbat胃連接至電池供電系統(tǒng)的輸出端;節(jié)點(diǎn)A和節(jié)點(diǎn)B連接至自毀觸發(fā)電路的兩輸出端;檢測(cè)模塊的輸出端輸出電壓KILL_VDD。
[0070]可選地,第i^一電阻Rll和第十二電阻R12的阻值均為200kΩ。第十三電阻R13的阻值為2.2kQ。第十四電阻R14和第十五電阻R15的阻值分別為47kQ和lOOkQ。第
i電容Cll的電容值為0.1 μ F。該第^ 電容Cll用于濾除雜波干擾信號(hào),提高檢測(cè)模塊的準(zhǔn)確性,有效避免自毀裝置誤動(dòng)作,在某些情況下,該第十一電容Cll可以省略。
[0071]在設(shè)備外殼完好狀態(tài)下,節(jié)點(diǎn)Α、Β所在開(kāi)關(guān)回路閉合,電源電壓Vbatteky經(jīng)第十一電阻R11、節(jié)點(diǎn)A和節(jié)點(diǎn)B至地,三級(jí)管Qll的基極沒(méi)有流入電流而處于截止?fàn)顟B(tài),其集電級(jí)電位將上升至電源電壓Vbatteky,使得第十二 P溝道MOS管Μ12的G管腳(I腳)和S管腳(2腳)之間電壓為0V。該第十二 P溝道MOS管Μ12也處于截止?fàn)顟B(tài),檢測(cè)模塊輸出端輸出的電壓KILL_VDD為0V,最終升壓模塊以及脈沖控制模塊無(wú)供電而關(guān)閉。
[0072]在設(shè)備外殼遭受破壞,節(jié)點(diǎn)A、B之間的開(kāi)關(guān)回路斷開(kāi)時(shí),電源電壓Vbat■所產(chǎn)生的電流經(jīng)第十一電阻Rll和第十三電阻R13至三極管Qll的基極,三級(jí)管Qll處于飽和導(dǎo)通狀態(tài),三級(jí)管Qll集電級(jí)電位將下降至0V,使得第十二 P溝道MOS管M12的G管腳⑴和S管腳(2腳)之間電壓差值等于電源電壓Vbatteky,第十二 P溝道MOS管M12將處于飽和導(dǎo)通狀態(tài),電源電壓Vbat胃經(jīng)第十二 P溝道MOS管M12至檢測(cè)模塊輸出端,輸出電壓KILL_VDD,從而為升壓模塊以及脈沖控制模塊提供電源,啟動(dòng)自毀。
[0073]圖4僅僅示出了檢測(cè)模塊的一種電路實(shí)現(xiàn)圖,所述檢測(cè)模塊還可以通過(guò)其他電路來(lái)實(shí)現(xiàn),只要是本領(lǐng)域技術(shù)人員通過(guò)慣常的電路實(shí)現(xiàn)方式完成前述檢測(cè)模塊的功能,都在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0074]圖5示出了本實(shí)用新型中升壓模塊的一種電路實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)圖。如圖5所示,所述升壓模塊包括:
[0075]濾波電路,用于濾除由檢測(cè)模塊輸入信號(hào)中的雜波,由并聯(lián)的第二i^一電容C21和第二十二電容C22組成,兩者的第一端共同連接至檢測(cè)模塊的輸出端,第二端連接至地;
[0076]升壓電路,其包括儲(chǔ)能電感L31和升壓驅(qū)動(dòng)芯片U302 ;其中,所述儲(chǔ)能電感L31的第一端連接至濾波電路的輸出端,第二端通過(guò)第二十一二極管D21連接至升壓電路的輸出端;所述升壓驅(qū)動(dòng)芯片U302為EUP2586芯片,該EUP2586芯片的VIN管腳6連接至儲(chǔ)能電感L31的第一端;SHDN管腳4通過(guò)第二十一電阻R21連接至濾波電路的輸出端,并通過(guò)第二十三電容C23接地;SW管腳I連接至儲(chǔ)能電感L31的第二端;0VP管腳5連接至第二十一二極管D21的負(fù)極端;GND管腳2連接至地;
[0077]電壓負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò),用于調(diào)整升壓電路輸出電壓的幅值,包括:第二十四電容C24,其第一端連接至升壓驅(qū)動(dòng)芯片U302的FB管腳3,其第二端連接至升壓模塊的輸出端;第二十三電阻R23,其與第二十四電阻R24串聯(lián)連接,第一端連接至升壓模塊的輸出端,第二端連接第二十四電阻R24,還通過(guò)第二十二電阻R22連接至升壓驅(qū)動(dòng)芯片U302的FB管腳;第二十四電阻R24,其與第二十三電阻R23串聯(lián)連接,第一端連接至第二十三電阻R23的第二端,第二端接地;
[0078]儲(chǔ)能電路,包括并聯(lián)的第二十五電容C25和第二十六電容C26,兩者的第一端連接至電壓負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò)的輸出端,第二端連接至地。
[0079]其中,EUP2586是該升壓模塊電路的重要器件,是一款基于CMOS工藝的內(nèi)置下端MOS開(kāi)關(guān)的DC/DC轉(zhuǎn)換器,其內(nèi)置下端MOS開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通電阻為0.3 (典型值),能通過(guò)最大為3A的電流,并且具有2.6V?5.5V寬電壓輸入,IMHz開(kāi)關(guān)頻率,以及能實(shí)現(xiàn)93%以上的高效率電能轉(zhuǎn)換等特點(diǎn)。在應(yīng)對(duì)多個(gè)存儲(chǔ)器件的場(chǎng)合下,可更換更高功率的DC/DC轉(zhuǎn)換器,避免啟動(dòng)自毀功能時(shí),出現(xiàn)功率不足而導(dǎo)致升壓模塊輸出電壓迅速降低,造成自毀動(dòng)作失敗。
[0080]在電壓負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò)中,第二十四電容C24為補(bǔ)償電容,第二十三電阻R23為電壓負(fù)反饋的上偏置電阻,第二十四電阻R24為電壓負(fù)反饋的下偏置電阻,通過(guò)調(diào)節(jié)上偏置電阻和下偏置電阻的阻值,可以調(diào)節(jié)升壓模塊的輸出電壓的幅值。
[0081]在該升壓模塊中,可選地,所述儲(chǔ)能電感L31的電感值為10 μ H,第二十五電容C25和第二十六電容C26的電容值分別為1yF和I μ F。第二i^一電容C21和第二十二電容C22的電容值分別為1yF和0.1 μ F。第二 i^一電阻R21的阻值為1kQ,第二十三電容的電容值為I μ F。第二十四電容C24的電容值為220pF。第二十二電阻R22的電阻值為
1.lkQ。第二十三電阻的電阻值為750kQ。第二十四電阻R24的電阻值分別為5.49kQ。第二十五電容C25和第二十六電容C26的電容值分別為1yF和I μ F。
[0082]以下介紹該升壓模塊的電路工作原理:在升壓驅(qū)動(dòng)芯片U302內(nèi)置MOS管(升壓驅(qū)動(dòng)芯片SW管腳連接至內(nèi)置MOS管的D級(jí),GND管腳連接至內(nèi)置MOS管的S級(jí))導(dǎo)通時(shí),儲(chǔ)能電感L31與該MOS管形成回路,電源電壓KILL-VDD經(jīng)過(guò)所述回路形成的電流在儲(chǔ)能電感L31中轉(zhuǎn)化為磁能貯存,該MOS管關(guān)斷時(shí),儲(chǔ)能電感L31中的磁能轉(zhuǎn)化為電能在電感的兩端形成電壓,上負(fù)下正,該電壓疊加在電源電壓KILL-VDD的正端,疊加后的總電壓經(jīng)由第二i^一二極管D21后輸出至儲(chǔ)能電路中的第二十五電容C25和第二十六電容C26進(jìn)行儲(chǔ)存,實(shí)現(xiàn)升壓功能。
[0083]升壓模塊主要作用是將檢測(cè)模塊的輸出電壓KILL_VDD(電池電壓,約為3V?4.2V)升壓至KILL-27.5V高電壓,現(xiàn)行的存儲(chǔ)芯片及介質(zhì)(如FLASH、TF卡等)的工作電壓一般為3V?5V,最大值也不會(huì)超過(guò)10V,采用27.5V的高電壓,足以對(duì)它們內(nèi)部的晶元造成毀滅性的破壞。在應(yīng)對(duì)特殊耐高壓存儲(chǔ)器件時(shí),可根據(jù)存儲(chǔ)器件特性適當(dāng)提高此電壓,保障自毀功能的可靠性。
[0084]圖5示出了僅僅是升壓模塊的一種電路實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)慣常的技術(shù)手段,采用其他的電路結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)升壓模塊;只要采用本領(lǐng)域中慣常的技術(shù)手段實(shí)現(xiàn)前述升壓模塊功能的電路結(jié)構(gòu),均在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0085]圖6示出了本實(shí)用新型中脈沖控制電路的一種電路實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)示意圖。如圖6所示,所述脈沖控制電路包括:
[0086]振蕩電路,其用于產(chǎn)生振蕩脈沖信號(hào);可選地,所述振蕩脈沖信號(hào)的頻率可以為2Hz,脈寬可以為250ms的振蕩脈沖信號(hào);所述振蕩電路包括:第三i^一非門(mén)NOT 31和第三十二非門(mén)NOT 32。其中,第三i^一非門(mén)NOT 31和第三十二非門(mén)NOT 32首尾相接,且第Si非門(mén)NOT 31的輸入端通過(guò)第三i^一電阻R31連接至與所述第三十二非門(mén)NOT 32的輸出端連接的第三十二電容C32連接,其輸出端連接至該振蕩電路的輸出端,輸出所述振蕩脈沖信號(hào);第三十一非門(mén)NOT 31的輸出端還連接至第三十二電阻的第一端,第三十二電阻的第二端連接至所述第三十一電阻和第三十二電容之間;
[0087]脈沖電子開(kāi)關(guān)電路,包括:多個(gè)P溝道MOS管,每個(gè)P溝道MOS管的S管腳連接至升壓模塊的輸出端,G管腳通過(guò)電阻連接至升壓模塊的輸出端,D管腳分別連接至電子設(shè)備的不同數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片和/或存儲(chǔ)介質(zhì);圖6中示出了包括兩個(gè)P溝道MOS管的情形,具體為:第三十二 P溝道MOS管M32,其S管腳(2管腳)連接至升壓模塊的輸出端,其G管腳(I管腳)通過(guò)第三十七電阻R37連接至升壓模塊的輸出端,其D管腳(3管腳)連接至電子設(shè)備的FLASH芯片;第三十三P溝道MOS管M33,其S管腳(2管腳)連接至升壓模塊的輸出端,其G管腳(I管腳)通過(guò)第三十六電阻R36連接至升壓模塊的輸出端,其D管腳(3管腳)連接至電子設(shè)備的TF卡;
[0088]第三十一三極管Q31,其基極通過(guò)第三十三電阻R33連接至振蕩信號(hào)源的輸出端,其發(fā)射極連接至地,每個(gè)上述P溝道MOS管的G管腳通過(guò)電阻和二極管連接至第三十一三極管Q31的集電極,如上述第三十二 P溝道MOS管M32的G管腳(I管腳)通過(guò)第三十五電阻R35和第三十二二極管D32連接至該第三i^一三極管的集電極;上述第三十三P溝道MOS管M33的G管腳(I管腳)通過(guò)第三十四電阻R34和第三i^一二極管D31連接至該第Si三極管Q31的集電極。
[0089]在圖6所示的脈沖控制電路中,輸入端(KILL-27.5V)連接至升壓模塊的輸出端,第三i^一非門(mén)N0T31和第三十二非門(mén)N0T32的VCC管腳連接至檢測(cè)模塊的輸出端(KILL_VDD),其輸出端(KILL-FLASH)連接至電子設(shè)備內(nèi)的FLASH芯片,KILL_TF連接至電子設(shè)備內(nèi)的TF卡。由于第三i^一非門(mén)N0T31和第三十二非門(mén)N0T32在芯片上使用同一個(gè)VCC管腳和GND管腳,因此在連接電路的時(shí)候只要連接所述同一個(gè)管腳即可,故圖6中僅示出了第Si非門(mén)N0T31的VCC管腳和GND管腳的連接方式。
[0090]圖6僅示出了電子設(shè)備包括FLASH芯片和TF卡的情況,即僅示出了針對(duì)FLASH芯片和TF卡的兩個(gè)脈沖電子開(kāi)關(guān)電路。當(dāng)然,本實(shí)用新型的脈沖控制模塊還可以包括針對(duì)其他存儲(chǔ)芯片和介質(zhì)的脈沖電子開(kāi)關(guān)電路,其結(jié)構(gòu)與圖6示出的FLASH或TF卡的脈沖電子開(kāi)關(guān)電路相同,包括P溝道MOS管M33,且與其他的脈沖電子開(kāi)關(guān)電路并聯(lián)連接。
[0091]其中,振蕩信號(hào)源產(chǎn)生頻率為2Hz,脈寬為250ms的脈沖信號(hào),由第三i^一非門(mén)N0T31輸出至第三i^一三極管Q31,由第三i^一三極管Q31同時(shí)驅(qū)動(dòng)第三十三P溝道MOS管M33、第三十二 P溝道MOS管M32,在第三十二 P溝道MOS管M32及第三十三P溝道MOS管M33的D管腳形成頻率為2Hz,脈寬為250ms,幅度為27.5V的脈沖電壓,分別加至相應(yīng)的存儲(chǔ)器件。該第三i^一非門(mén)N0T31和第三十二非門(mén)N0T32位于同一芯片上,兩者的VCC管腳共同連接至電池供電系統(tǒng)的輸出端,GND管腳共同連接至地,此處不再詳細(xì)說(shuō)明。
[0092]第三十二電阻R32、第三十二電容C32決定脈沖信號(hào)源的頻率;第三i^一二極管D31和第三十二二極管D32起隔離作用,配合第三十四電阻R34、第三十五電阻R35共同隔離第三十三P溝道MOS管M33、第三十二 P溝道MOS管M32的G級(jí),避免在極端環(huán)境或條件下M33、M34中某一個(gè)MOS管損壞(如G、S擊穿)而影響到另外一個(gè)MOS管的正常工作,使得第三十三P溝道MOS管M33、第三十二 P溝道MOS管M32工作狀態(tài)互不影響,好處是在這種狀態(tài)下能提高自毀的數(shù)據(jù)量,最大限度減少重要數(shù)據(jù)被讀取或解密的風(fēng)險(xiǎn)。
[0093]該脈沖控制電路輸出的電壓KILL_Flash和KILL_TF均高達(dá)27.5V,分別可以對(duì)Flash芯片和TF卡造成物理?yè)p壞。需要說(shuō)明的是,物理?yè)p壞具有數(shù)據(jù)損壞的快速性以及不可修復(fù)特點(diǎn),能夠防止重要數(shù)據(jù)被讀取或解密,最大限度的保證存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的安全。
[0094]圖6示出了僅僅是脈沖控制模塊的一種電路實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)慣常的技術(shù)手段,采用其他的電路結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)脈沖控制模塊;只要采用本領(lǐng)域中慣常的技術(shù)手段實(shí)現(xiàn)前述升壓模塊功能的電路結(jié)構(gòu),均在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0095]本實(shí)用新型提出的電子設(shè)備的自毀裝置主要用于防止他人在無(wú)法從移動(dòng)設(shè)備外設(shè)接口盜取數(shù)據(jù)的情況下,對(duì)移動(dòng)設(shè)備非法開(kāi)殼后對(duì)內(nèi)部的存儲(chǔ)器件進(jìn)行物理破解。本實(shí)用新型數(shù)據(jù)自毀裝置能有效的保護(hù)數(shù)據(jù)安全。主要優(yōu)點(diǎn)如下:
[0096]①自毀裝置具備高準(zhǔn)確性、高靈敏度的特點(diǎn)
[0097]自毀裝置中的觸發(fā)裝置采用如4個(gè)等效開(kāi)關(guān)均勻分布在移動(dòng)設(shè)備外殼的四個(gè)角落,當(dāng)移動(dòng)設(shè)備外殼上任意一角落率先非法開(kāi)殼,都將導(dǎo)致該開(kāi)殼位置的開(kāi)關(guān)斷開(kāi),觸發(fā)自毀執(zhí)行裝置,立即啟動(dòng)自毀。采用此裝置可大大降低人為破壞自毀裝置的可能性,提高內(nèi)部數(shù)據(jù)的安全性,實(shí)現(xiàn)高準(zhǔn)確性、高靈敏全方位的保障內(nèi)部數(shù)據(jù)安全。
[0098]②自毀裝置具有快速性、無(wú)依賴性的特點(diǎn)
[0099]由于脈沖高壓具有瞬間高功率的特性,在I?2個(gè)脈沖周期時(shí)間范圍內(nèi)(I個(gè)脈沖時(shí)間為0.5S)足以造成數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片及介質(zhì)造成破壞,這種損壞消耗的時(shí)間與數(shù)據(jù)量大小無(wú)關(guān)。并且該自毀裝置具有獨(dú)立工作的特性,不依賴移動(dòng)設(shè)備內(nèi)的其它組件如(CPU等),即使在設(shè)備死機(jī)、關(guān)機(jī)或異常狀態(tài)下,自毀裝置也能正常工作,實(shí)現(xiàn)自毀功能。
[0100]③自毀裝置還具有數(shù)據(jù)保護(hù)的最高安全級(jí)別
[0101]自毀裝置利用高功率、高電壓脈沖能量對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片及介質(zhì)的內(nèi)部晶圓進(jìn)行毀滅性的物理破壞,造成內(nèi)部晶圓大面積擊穿、斷路、燒毀,這種物理?yè)p壞是不可逆轉(zhuǎn),采用何種手段也不可修復(fù)的,避免內(nèi)部重要數(shù)據(jù)被讀取或解密,具有數(shù)據(jù)保護(hù)的最高安全級(jí)別。而傳統(tǒng)做法對(duì)存儲(chǔ)芯片內(nèi)數(shù)據(jù)進(jìn)行格式化后,專業(yè)人員利用高科技手段進(jìn)行解密、修復(fù),刪除掉的數(shù)據(jù)仍有被恢復(fù)的可能性風(fēng)險(xiǎn)存在。
[0102]傳統(tǒng)安全防范做法對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行擦除或格式化存在的依耐性高、速度慢或數(shù)據(jù)保護(hù)安全級(jí)別低的技術(shù)缺陷。采用本實(shí)用新型的數(shù)據(jù)自毀裝置可解決傳統(tǒng)安全防范做法的技術(shù)缺陷,并且本裝置由于采用獨(dú)立工作模式,不依賴其它組件,與移動(dòng)設(shè)備兼容性極強(qiáng),具有適用性廣泛、移植性強(qiáng)、使用靈活等特點(diǎn),可為不同種類的移動(dòng)設(shè)備提供最高安全級(jí)別的數(shù)據(jù)保護(hù)。
[0103]以上所述的具體實(shí)施例,對(duì)本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明,應(yīng)理解的是,以上所述僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施例而已,并不用于限制本實(shí)用新型,凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi),所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種電子設(shè)備的自毀裝置,其包括: 自毀觸發(fā)裝置,其設(shè)置在電子設(shè)備的殼體上,用于在電子設(shè)備的殼體被非法開(kāi)啟或破殼時(shí),觸發(fā)一自毀信號(hào),并將其輸出至自毀執(zhí)行裝置; 自毀執(zhí)行裝置,其在檢測(cè)到所述自毀觸發(fā)裝置輸出的所述自毀信號(hào)后,對(duì)所述電子設(shè)備的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片和/或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)進(jìn)行物理?yè)p壞;其中,所述物理?yè)p壞是指將脈沖高壓加至所述電子設(shè)備的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片和/或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的引腳,造成內(nèi)部晶圓、器件的燒毀; 電池供電系統(tǒng):用于為電子設(shè)備和所述自毀裝置供電。
2.如權(quán)利要求1所述的自毀裝置,其中,所述自毀觸發(fā)裝置包括: 設(shè)置在電子設(shè)備殼體上的至少一個(gè)開(kāi)關(guān); 所述至少一個(gè)開(kāi)關(guān)包括:設(shè)置在所述電子設(shè)備上、下殼體相對(duì)位置處的上、下觸點(diǎn);當(dāng)所述電子設(shè)備的上、下殼體處于閉合狀態(tài)時(shí),所述上、下觸點(diǎn)電接觸,相應(yīng)的所述開(kāi)關(guān)處于閉合狀態(tài);當(dāng)所述電子設(shè)備的上、下殼體被分離時(shí),所述上、下觸點(diǎn)處于分離狀態(tài),相應(yīng)的所述開(kāi)關(guān)處于斷開(kāi)狀態(tài)。
3.如權(quán)利要求2所述的自毀裝置,其中,所述自毀觸發(fā)裝置包括多個(gè)串聯(lián)的所述開(kāi)關(guān),當(dāng)其中一個(gè)開(kāi)關(guān)處于斷開(kāi)狀態(tài)時(shí),所述自毀觸發(fā)裝置觸發(fā)一自毀信號(hào)。
4.如權(quán)利要求2所述的自毀裝置,其中,所述自毀觸發(fā)裝置包括多個(gè)并聯(lián)的所述開(kāi)關(guān),當(dāng)所有開(kāi)關(guān)都處于斷開(kāi)狀態(tài)時(shí),所述自毀觸發(fā)裝置觸發(fā)一自毀信號(hào)。
5.如權(quán)利要求2所述的自毀裝置,其中,所述自毀觸發(fā)裝置包括多個(gè)并聯(lián)的第一部分開(kāi)關(guān)和多個(gè)串聯(lián)的第二部分開(kāi)關(guān);當(dāng)?shù)谝徊糠珠_(kāi)關(guān)中的所有開(kāi)關(guān)處于斷開(kāi)狀態(tài),且第二部分開(kāi)關(guān)中的任意一個(gè)開(kāi)關(guān)處于斷開(kāi)狀態(tài)時(shí),所述自毀觸發(fā)裝置觸發(fā)一自毀信號(hào)。
6.如權(quán)利要求3-5任一項(xiàng)所述的自毀裝置,其中,多個(gè)開(kāi)關(guān)分別設(shè)置在電子設(shè)備殼體的不同位置處。
7.如權(quán)利要求6所述的自毀裝置,其中,所述多個(gè)開(kāi)關(guān)分別設(shè)置在電子設(shè)備殼體的四個(gè)角落、側(cè)邊,和/或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片和/或存儲(chǔ)介質(zhì)所在位置處。
8.如權(quán)利要求1所述的自毀裝置,其中,所述自毀執(zhí)行裝置包括:檢測(cè)模塊、升壓模塊和脈沖控制模塊; 所述檢測(cè)模塊從所述自毀觸發(fā)裝置接收自毀信號(hào);所述檢測(cè)模塊還連接至電池供電系統(tǒng),并用于連通或隔離所述電池供電系統(tǒng)與升壓模塊、脈沖控制模塊; 所述升壓模塊在與所述電池供電系統(tǒng)連通后,產(chǎn)生直流高電壓,并將其輸出至脈沖控制模塊; 所述脈沖控制模塊在與所述電池供電系統(tǒng)連通后,將從所述升壓模塊接收到的直流高電壓轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷髅}沖電壓后,輸出至電子設(shè)備的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片和/或存儲(chǔ)介質(zhì)。
9.如權(quán)利要求8所述的自毀裝置,其中,所述檢測(cè)裝置包括: 第十一電阻(Rll),其第一端連接至節(jié)點(diǎn)A,第二端連接至所述電池供電系統(tǒng)提供的電源電壓Vbattery ; 第十二電阻(R12),連接于節(jié)點(diǎn)A和節(jié)點(diǎn)B之間,其中,節(jié)點(diǎn)B接地;其中,節(jié)點(diǎn)A和節(jié)點(diǎn)B連接至所述自毀觸發(fā)電路的兩輸出端; 第十一三極管(011),其基極通過(guò)第十三電阻(R13)連接至節(jié)點(diǎn)A ;其集電極通過(guò)第十四電阻(R14)連接至電源電壓VBATTEKY;其發(fā)射極連接至地; 第十二 P溝道MOS管(M12),其G管腳通過(guò)第十五電阻(R15)連接至所述第i^一三極管(Q11)的集電極,其S管腳連接至所述電源電壓VBAT胃;其D管腳連接至檢測(cè)模塊的輸出端。
10.如權(quán)利要求8所述的自毀裝置,其中,所述升壓模塊包括: 濾波電路,用于濾除由檢測(cè)模塊輸入信號(hào)中的雜波; 升壓電路,包括:儲(chǔ)能電感(L31)其第一端連接至濾波電路的輸出端,第二端通過(guò)第二i^一二極管(D21)連接至升壓電路的輸出端;升壓驅(qū)動(dòng)芯片(U302),其為EUP2586芯片,該EUP2586芯片的VIN管腳連接至儲(chǔ)能電感(L31)的第一端;SHDN管腳通過(guò)第二i^一電阻(R21)連接至濾波電路的輸出端,并通過(guò)第二十三電容(C23)接地;SW管腳連接至儲(chǔ)能電感(L31)的第二端;OVP管腳連接至第二十一二極管(D21)的負(fù)極端;GND管腳接地; 電壓負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò),用于調(diào)整升壓電路輸出電壓的幅值,包括:第二十四電容(C24),其第一端連接至升壓驅(qū)動(dòng)芯片(U302)的FB管腳,其第二端連接至升壓電路的輸出端;第二十三電阻(R23),其與第二十四電阻(R24)串聯(lián)連接,其第一端連接至升壓電路的輸出端,第二端連接第二十四電阻(R24),還通過(guò)第二十二電阻(R22)連接至升壓驅(qū)動(dòng)芯片(U302)的FB管腳;第二十四電阻(R24),其與第二十三電阻(R23)串聯(lián)連接,其第一端連接至第二十三電阻R23的第二端,第二端接地; 儲(chǔ)能電路,包括并聯(lián)的第二十五電容(C25)和第二十六電容(C26),兩者的第一端連接至電壓負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò)的輸出端,第二端接地。
11.如權(quán)利要求8所述的自毀裝置,其中,所述脈沖控制模塊包括: 振蕩電路,其用于產(chǎn)生振蕩脈沖信號(hào);所述振蕩電路包括:第三十一非門(mén)(NOT 31)和第三十二非門(mén)(NOT 32);其中,第三i^一非門(mén)(N0T31)和第三十二非門(mén)(NOT 32)首尾相接,且第三i^一非門(mén)(NOT 31)的輸入端通過(guò)第三i^一電阻(R31)連接至與所述第三十二非門(mén)(NOT 32)的輸出端連接的第三十二電容(C32)連接,其輸出端連接至該振蕩電路的輸出端,用于輸出所述振蕩脈沖信號(hào);第三十一非門(mén)(NOT 31)的輸出端還連接至第三十二電阻的第一端,第三十二電阻的第二端連接至所述第三十一電阻和第三十二電容之間; 脈沖電子開(kāi)關(guān)電路,包括:多個(gè)P溝道M0S管,每個(gè)P溝道M0S管的S管腳連接至升壓模塊的輸出端,G管腳通過(guò)電阻連接至升壓模塊的輸出端,D管腳分別連接至電子設(shè)備的不同數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片和/或存儲(chǔ)介質(zhì); 第三i^一三極管(Q31),其基極通過(guò)第三十三電阻(R33)連接至振蕩電路的輸出端,其發(fā)射極接地,每個(gè)上述P溝道M0S管的G管腳通過(guò)電阻和二極管連接至第三十一三極管Q31的集電極。
12.如權(quán)利要求1所述的自毀裝置,其中,所述電池供電系統(tǒng)通過(guò)設(shè)置,至少保留預(yù)設(shè)比例的電能供所述自毀執(zhí)行電路使用。
【文檔編號(hào)】G06F21/81GK204203972SQ201420626478
【公開(kāi)日】2015年3月11日 申請(qǐng)日期:2014年10月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月27日
【發(fā)明者】趙曉巖 申請(qǐng)人:北京同方時(shí)訊電子股份有限公司