按壓式指紋識(shí)別傳感器及電子裝置制造方法
【專利摘要】本申請涉及按壓式指紋識(shí)別傳感器及電子裝置。一種按壓式指紋識(shí)別傳感器包括：傳感器層，所述傳感器層包括：多個(gè)第一電極，排列為包括多個(gè)第一電極行和多個(gè)第一電極列的矩陣；多個(gè)第二電極，排列為包括多個(gè)第二電極行和多個(gè)第二電極列的矩陣，各第一電極行與各第二電極行交替布置，列方向上相鄰的第一電極和第二電極一一對應(yīng)地以一檢測間隙相對從而構(gòu)成多個(gè)電容型指紋識(shí)別單元；多個(gè)列向?qū)Ь€，分別沿列方向在相鄰的第一電極之間和第二電極之間延伸并與多個(gè)第二電極列一一對應(yīng)，每個(gè)列向?qū)Ь€連接到對應(yīng)的第二電極列中的第二電極且與第一電極電隔離；多個(gè)絕緣層；多個(gè)橋接線，分別連接行方向上相鄰的第一電極。
【專利說明】按壓式指紋識(shí)別傳感器及電子裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開涉及指紋識(shí)別傳感器，具體而言，涉及一種按壓式(area-type)指紋識(shí)別傳感器及包括該按壓式指紋識(shí)別傳感器的電子裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]人體某些生物特征(如指紋/掌紋)是人體獨(dú)一無二的特征，并且它們的復(fù)雜度能夠提供用于鑒別的足夠特征數(shù)量。
[0003]指紋/掌紋指紋等識(shí)別技術(shù)是目前最成熟且價(jià)格便宜的生物特征識(shí)別技術(shù)。指紋識(shí)別技術(shù)已得到廣泛應(yīng)用。我們不僅在門禁、考勤系統(tǒng)中可以看到指紋識(shí)別技術(shù)的身影，市場上還有更多指紋識(shí)別的應(yīng)用:如筆記本電腦、手機(jī)、汽車、銀行支付都可應(yīng)用指紋識(shí)別的技術(shù)。特別是隨著智能手機(jī)的不斷發(fā)展，將出現(xiàn)大量與指紋識(shí)別相關(guān)的需求，例如利用指紋識(shí)別解鎖手機(jī)、保護(hù)隱私信息、保證交易安全等。
[0004]用于指紋識(shí)別的傳感器包括電阻式傳感器、光學(xué)式傳感器、以及電容式傳感器等。
[0005]電容式指紋識(shí)別傳感器一般可分為滑擦式(swipe-type)和按壓式(area-type)?；潦絺鞲衅饕笥脩粼趥鞲衅魃戏揭砸欢Χ?、速度和方向滑動(dòng)手指，對用戶的使用要求較高。按壓式傳感器只需用戶以一定力度在傳感器上方按壓，而無須滑動(dòng)手指。
[0006]按壓式指紋識(shí)別傳感器一般被形成在單晶硅基板上，因此存在當(dāng)手指用力按壓時(shí)發(fā)生破裂問題。為了解決硅片在接收用戶無數(shù)次按壓或非正常按壓而易損壞的問題，現(xiàn)決一般采用硬度較高的藍(lán)寶石保護(hù)指紋傳感器的硅基材。但是，藍(lán)寶石成本較高，致使整個(gè)指紋識(shí)別系統(tǒng)成本較高。采用硅基材的指紋傳感器一般通過CMOS半導(dǎo)體工藝形成，該方法工藝復(fù)雜，導(dǎo)致基于硅基材的電容式指紋識(shí)別傳感器生產(chǎn)成本昂貴。
[0007]制造指紋識(shí)別傳感器需要在基材例如硅襯底上形成一定數(shù)量感應(yīng)單元和開關(guān)單元。若感應(yīng)單元的數(shù)量不足，則指紋識(shí)別的分辨率低，這將導(dǎo)致無法準(zhǔn)確進(jìn)行指紋識(shí)別、或者需要用戶多次輸入指紋而使用戶體驗(yàn)感差。另外，指紋識(shí)別傳感器的基材面積相對有限。在有限面積內(nèi)形成較高分辨率的指紋傳感器也是一個(gè)技術(shù)挑戰(zhàn)。
[0008]需要一種新的按壓式指紋識(shí)別傳感器的方案。
[0009]在所述【背景技術(shù)】部分公開的上述信息僅用于加強(qiáng)對本公開的背景的理解，因此它可以包括不構(gòu)成對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本申請公開一種新穎的按壓式指紋識(shí)別傳感器及包括該按壓式指紋識(shí)別傳感器的電子裝置。
[0011]本公開的其他特性和優(yōu)點(diǎn)將通過下面的詳細(xì)描述變得顯然，或部分地通過本公開的實(shí)踐而習(xí)得。
[0012]根據(jù)本公開的一個(gè)方面，提供一種按壓式指紋識(shí)別傳感器，包括:傳感器層，所述傳感器層包括:多個(gè)第一電極，排列為包括多個(gè)第一電極行和多個(gè)第一電極列的矩陣；多個(gè)第二電極，排列為包括多個(gè)第二電極行和多個(gè)第二電極列的矩陣，各第一電極行與各第二電極行交替布置，列方向上相鄰的第一電極和第二電極對應(yīng)地以一檢測間隙相對從而構(gòu)成多個(gè)電容型指紋識(shí)別單元；多個(gè)列向?qū)Ь€，分別沿列方向在相鄰的第一電極之間和第二電極之間延伸并與多個(gè)第二電極列對應(yīng)，每個(gè)列向?qū)Ь€連接到對應(yīng)的第二電極列中的第二電極且與第一電極電隔離；多個(gè)絕緣層，設(shè)置在每個(gè)列向?qū)Ь€與相鄰的第一電極之間并至少覆蓋第一電極之間的列向?qū)Ь€部分；多個(gè)橋接線，分別連接行方向上相鄰的第一電極，且越過對應(yīng)的列向?qū)Ь€上的絕緣層以與列向?qū)Ь€電隔離。
[0013]根據(jù)一些實(shí)施例，傳感器還包括支承基底，傳感器層與支承基底相對或相背。
[0014]根據(jù)一些實(shí)施例，第一電極為驅(qū)動(dòng)電極或感應(yīng)電極，第二電極相應(yīng)地為感應(yīng)電極或驅(qū)動(dòng)電極。
[0015]根據(jù)一些實(shí)施例，所述多個(gè)第一電極的寬度彼此相等且其寬度范圍為20 μ m-45 μ m,所述多個(gè)第一電極在行方向上等間距設(shè)置且其節(jié)距范圍為50 μ m-60 μ m,檢測間隙的大小彼此相等且在20 μ m-40 μ m范圍內(nèi)，列方向上相鄰的電容型指紋識(shí)別單元之間的距離等于或大于檢測間隙。
[0016]根據(jù)一些實(shí)施例，所述傳感器層和所述多個(gè)橋接線包括導(dǎo)電網(wǎng)格。
[0017]根據(jù)一些實(shí)施例，所述傳感器層和所述多個(gè)橋接線包括金屬顆粒、石墨烯、碳納米管或?qū)щ姼叻肿硬牧稀?br> [0018]根據(jù)一些實(shí)施例,所述絕緣層包括二氧化娃或有機(jī)絕緣材料。
[0019]根據(jù)一些實(shí)施例，傳感器還包括:第一壓印層，設(shè)置在所述支承基底上，所述第一壓印層表面設(shè)置有多個(gè)第一凹槽，所述傳感器層設(shè)置在所述多個(gè)第一凹槽中。
[0020]根據(jù)一些實(shí)施例，傳感器還包括:第二壓印層，形成在所述傳感器層和，所述第二壓印層表面設(shè)置有多個(gè)第二凹槽，所述多個(gè)橋接線設(shè)置在所述多個(gè)第二凹槽中，部分所述第一壓印層和部分所述第二壓印層構(gòu)成所述多個(gè)絕緣層。
[0021]根據(jù)一些實(shí)施例，所述支承基底為強(qiáng)化玻璃、鋼化玻璃、陶瓷、藍(lán)寶石、PET膜或FPC基底。
[0022]根據(jù)一些實(shí)施例，傳感器還包括保護(hù)層，與多個(gè)橋接線位于傳感器層的相同側(cè)或相反側(cè)。
[0023]根據(jù)一些實(shí)施例，所述保護(hù)層包括DLC膜、AF膜、二氧化硅或UV膠。
[0024]根據(jù)本公開的另一方面，一種電子裝置包括如前述任一項(xiàng)所述的按壓式指紋識(shí)別傳感器。
[0025]根據(jù)一些實(shí)施例，所述電子裝置包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)，所述按壓式指紋識(shí)別傳感器位于所述顯示區(qū)。
[0026]根據(jù)一些實(shí)施例，所述電子裝置包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)，所述按壓式指紋識(shí)別傳感器位于所述非顯示區(qū)。
[0027]根據(jù)一些實(shí)施例，電子裝置還包括透明蓋板，所述透明蓋板具有貫通開口，所述按壓式指紋識(shí)別傳感器設(shè)置在所述貫通開口中。
[0028]根據(jù)一些實(shí)施例，電子裝置還包括透明蓋板，所述指紋識(shí)別傳感器設(shè)置在所述透明蓋板上，所述傳感器層與所述透明蓋板相對或相背。
[0029]根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的按壓式指紋識(shí)別傳感器具有可靠性高、成本低廉、分辨率高等優(yōu)點(diǎn)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0030]通過參照附圖詳細(xì)描述其示例實(shí)施方式，本公開的上述和其它特征及優(yōu)點(diǎn)將變得更加明顯。
[0031]圖1示意性示出電容式指紋檢測元件的工作原理圖；
[0032]圖2示意性示出根據(jù)本公開一示例實(shí)施方式的按壓式指紋識(shí)別傳感器的布局圖；
[0033]圖3示出當(dāng)手指按壓在指紋識(shí)別傳感器上方時(shí)獲得的多條線狀指紋圖像；
[0034]圖4示出多條線狀指紋圖案拼合成的一個(gè)完整指紋圖像；
[0035]圖5示意性示出根據(jù)本公開一示例實(shí)施方式的按壓式指紋識(shí)別傳感器的電極結(jié)構(gòu)的俯視圖；
[0036]圖6示意性示出圖5的指紋識(shí)別傳感器沿一行的剖視圖；
[0037]圖7示意性示出通過壓印工藝形成的指紋識(shí)別傳感器；
[0038]圖8示意性示出可用于指紋識(shí)別傳感器的導(dǎo)電網(wǎng)格；及
[0039]圖9示意性示出根據(jù)本公開一示例實(shí)施方式的電子裝置。

【具體實(shí)施方式】
[0040]現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實(shí)施方式。然而，示例實(shí)施方式能夠以多種形式實(shí)施，且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的實(shí)施方式；相反，提供這些實(shí)施方式使得本公開將全面和完整，并將示例實(shí)施方式的構(gòu)思全面地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在圖中，為了清晰，夸大了區(qū)域和層的厚度。在圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同或類似的部分，因而將省略它們的詳細(xì)描述。
[0041]此外，所描述的特征、結(jié)構(gòu)或特性可以以任何合適的方式結(jié)合在一個(gè)或更多實(shí)施例中。在下面的描述中，提供許多具體細(xì)節(jié)從而給出對本公開的實(shí)施例的充分理解。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識(shí)到，可以實(shí)踐本公開的技術(shù)方案而沒有所述特定細(xì)節(jié)中的一個(gè)或更多，或者可以采用其它的方法、組元、材料等。在其它情況下，不詳細(xì)示出或描述公知結(jié)構(gòu)、材料或者操作以避免模糊本公開的各方面。
[0042]本公開提供一種指紋識(shí)別傳感器及包括該指紋識(shí)別傳感器的電子裝置，可以降低成本，并可在有限面積基材上形成足夠數(shù)量驅(qū)動(dòng)電極以提高指紋識(shí)別分辨率。
[0043]圖1示意性示出電容式指紋檢測元件的工作原理圖。
[0044]如圖1所示，電容式指紋檢測元件包括指紋識(shí)別單元，并覆蓋以保護(hù)層117。指紋識(shí)別單元可包括感應(yīng)電極101和驅(qū)動(dòng)電極103，二者之間具有一檢測間隙107。指紋識(shí)別單元為多個(gè)，并可排列單行或多行，圖中僅示出一個(gè)指紋識(shí)別單元。指紋識(shí)別單元的感應(yīng)電極101和驅(qū)動(dòng)電極103可構(gòu)成一個(gè)基本電容器。
[0045]當(dāng)手指190在指紋識(shí)別單元上方按壓或滑擦?xí)r，感應(yīng)電極101和驅(qū)動(dòng)電極103之間的電容耦合會(huì)根據(jù)指紋脊192還是指紋谷194位于檢測間隙107上方而有不同改變。這是因?yàn)橹讣y脊的介電常數(shù)通常是空氣(指紋谷)的10至20倍。因此，指紋識(shí)別單元在指紋脊下比在指紋谷下具有更大等效電容。通過檢測指紋識(shí)別單元的電容變化(例如，通過從驅(qū)動(dòng)電極容性耦合至感應(yīng)電極的信號(hào)的變化檢測電容變化)，可以判定位于該單元上方的是指紋脊還是指紋谷，從而得到指紋圖像。
[0046]圖2示意性示出根據(jù)本公開一示例實(shí)施方式的按壓式指紋識(shí)別傳感器的布局圖。
[0047]如圖2所示，按壓式指紋識(shí)別傳感器可包括多個(gè)以矩陣形式設(shè)置的指紋識(shí)別單元200。指紋識(shí)別單元200可以使如圖1所示的指紋識(shí)別單元，例如包括感應(yīng)電極101和驅(qū)動(dòng)電極103。
[0048]當(dāng)手指按壓在傳感器上方時(shí)，如圖2所示的按壓式指紋識(shí)別傳感器可一次獲得整個(gè)指紋圖像，而無需滑動(dòng)手指。為了獲得整個(gè)指紋圖像，可對單個(gè)或一組指紋識(shí)別單元200進(jìn)行識(shí)別采樣，獲得反映指紋脊或指紋谷的單位指紋圖像，直到完成對所有單元的識(shí)別采樣。可以按行或按列對識(shí)別單元200進(jìn)行順序采樣，也可以進(jìn)行隨機(jī)采樣。
[0049]例如，如圖3所示，通過按行對指紋識(shí)別單元200進(jìn)行順序采樣，從一行指紋識(shí)別單元可獲得一條反映指紋脊和指紋谷的線狀指紋圖像。通過逐行采樣，可獲得多條行方向上的線狀指紋圖像。所述多條線狀指紋圖案可拼合成一個(gè)完整指紋圖像，如圖4所示。
[0050]圖5示意性示出根據(jù)本公開一示例實(shí)施方式的按壓式指紋識(shí)別傳感器的電極結(jié)構(gòu)的俯視圖，圖6示出圖5的電極結(jié)構(gòu)沿一行的剖視圖。
[0051]如圖5和6所示，按壓式指紋識(shí)別傳感器100包括基底111、設(shè)置在基底111上的傳感器層121、多個(gè)絕緣層131、多個(gè)橋接線141和保護(hù)層161。
[0052]基底111可為強(qiáng)化玻璃、鋼化玻璃、陶瓷、藍(lán)寶石、PET膜或FPC基底。
[0053]傳感器層121可包括多個(gè)第一電極101、多個(gè)第二電極103和多個(gè)列向?qū)Ь€105。
[0054]多個(gè)第一電極101排列為包括多個(gè)第一電極行和多個(gè)第一電極列的矩陣。多個(gè)第二電極103也排列為包括多個(gè)第二電極行和多個(gè)第二電極列的矩陣。各第一電極行與各第二電極行交替布置。列方向上相鄰的第一電極101和第二電極103 對應(yīng)地以一檢測間隙G相對從而構(gòu)成多個(gè)電容型指紋識(shí)別單元200。
[0055]第一電極101為驅(qū)動(dòng)電極或感應(yīng)電極，第二電極103相應(yīng)地為感應(yīng)電極或驅(qū)動(dòng)電極。
[0056]多個(gè)第一電極101的寬度wl可彼此相等，其寬度范圍可為20 μ m-45 μ m。多個(gè)第一電極101在行方向上可等間距設(shè)置，其節(jié)距d范圍可為50 μ m-60 μ m。檢測間隙G的大小可彼此相等且在20 μ m-40 μ m范圍內(nèi)。列方向上相鄰的電容型指紋識(shí)別單元之間的距離G2可與檢測間隙G相同，或大于檢測間隙G。
[0057]多個(gè)列向?qū)Ь€105分別沿列方向在相鄰的第一電極101之間和第二電極103之間延伸并與多個(gè)第二電極列一一對應(yīng)。每個(gè)列向?qū)Ь€105連接到對應(yīng)的第二電極列中的第二電極103。每個(gè)列向?qū)Ь€105與第一電極101電隔離。
[0058]多個(gè)絕緣層131設(shè)置在每個(gè)列向?qū)Ь€105與相鄰的第一電極101之間并至少覆蓋列向?qū)Ь€105位于第一電極101之間的部分。絕緣層131的材料可包括二氧化硅或有機(jī)絕緣材料。
[0059]多個(gè)橋接線141分別連接行方向上相鄰的第一電極101，且越過對應(yīng)的位于第一電極101之間的列向?qū)Ь€105上的絕緣層131以與列向?qū)Ь€105電隔離。
[0060]根據(jù)本公開的一些實(shí)施例，一個(gè)第一電極行和一個(gè)列向?qū)Ь€105可定位一個(gè)指紋識(shí)別單元200。通過向第一電極行之一施加驅(qū)動(dòng)信號(hào)，從列向?qū)Ь€105之一讀出感應(yīng)信號(hào)，即可從相應(yīng)指紋識(shí)別單元獲得單元指紋圖像。
[0061]根據(jù)本公開，通過采用橋接線，可以在同一層實(shí)現(xiàn)按壓式傳感器，具有結(jié)構(gòu)簡單的優(yōu)點(diǎn)和成本優(yōu)勢。
[0062]第一和第二電極101和103、列向?qū)Ь€105、橋接線141的材質(zhì)可以相同，也可以不同。形成第一和第二電極的材料可選自ITO(氧化銦錫)、或金屬單質(zhì)顆粒如金、銀、銅、鋅、鋁的一種或兩種以上、金屬合金導(dǎo)電材料、石墨烯、碳納米管材料、納米導(dǎo)電材料如納米銀等，但本公開不限于此。
[0063]指紋識(shí)別傳感器100還可包括保護(hù)層161。保護(hù)層161覆蓋傳感器層121、多個(gè)絕緣層131和多個(gè)橋接線141。保護(hù)層161包括DLC膜、AF膜、二氧化硅或UV膠。保護(hù)層可通過噴涂或印刷工藝形成。
[0064]在形成保護(hù)層161之前，可選地，還可以形成覆蓋層151。覆蓋層151可以是有機(jī)絕緣層。
[0065]以上雖然以圖6為例描述了根據(jù)本公開一示例實(shí)施方式的按壓式指紋識(shí)別傳感器的結(jié)構(gòu)，但本公開不限于此。例如，保護(hù)層161的位置可以不同。具體而言，在形成覆蓋層151之后，可不形成保護(hù)層161，而是將形成的傳感器翻轉(zhuǎn)過來使得覆蓋層151結(jié)合到另一基板上。這時(shí)，可以在基底111上形成保護(hù)層161，或者在去掉基底111之后形成保護(hù)層161。這種結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)是，靠近傳感器層121的一面作為手指按壓面，因此按壓面更平坦，手指距離傳感器層的距離可更近。
[0066]根據(jù)圖5和圖6的指紋識(shí)別傳感器可利用半導(dǎo)體工藝形成，例如，通過沉積、光刻、蝕刻等工藝形成。根據(jù)本公開的一些實(shí)施例，也可通過印刷或壓印工藝形成如圖5-6所示的指紋識(shí)別傳感器。
[0067]下面參照圖7描述通過壓印工藝形成的指紋識(shí)別傳感器。
[0068]如圖7所示，與根據(jù)圖4的指紋識(shí)別傳感器的區(qū)別在于，根據(jù)圖7的指紋識(shí)別傳感器還包括第一壓印層123和第二壓印層133。第一壓印層123形成在基底111上，第一壓印層第一壓印層123的表面設(shè)置有多個(gè)第一凹槽125，傳感器層121設(shè)置在多個(gè)第一凹槽125中。第二壓印層133形成在傳感器層121上。第二壓印層133表面設(shè)置有多個(gè)第二凹槽135，多個(gè)橋接線141設(shè)置在多個(gè)第二凹槽135中。部分第一壓印層123和部分第二壓印層133構(gòu)成絕緣層131。
[0069]壓印層123和133例如可為為紫外固化樹脂、熱固膠、光固膠或自干膠。
[0070]根據(jù)一示例實(shí)施方式，第一電極101和第二電極103可包括導(dǎo)電網(wǎng)格104，如圖8所示。這時(shí)，凹槽125和135具有與導(dǎo)電網(wǎng)格107相應(yīng)的結(jié)構(gòu)。采用導(dǎo)電網(wǎng)格，降低了成本，當(dāng)仍可達(dá)到指紋識(shí)別的良好效果。
[0071]指紋識(shí)別傳感器100還可包括引線(未示出)，用于將指紋識(shí)別傳感器100連接到外部電路，例如指紋識(shí)別電路。引線也可容置于凹槽中，并可具有與第一電極101和第一電極103相同的材質(zhì)。引線也可包括導(dǎo)電網(wǎng)格。
[0072]指紋識(shí)別電路可向驅(qū)動(dòng)電極順序提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)，并可通過感應(yīng)電極檢測感應(yīng)信號(hào)，從而識(shí)別指紋。但本公開不限于此。
[0073]根據(jù)本公開實(shí)施方式的指紋識(shí)別傳感器，通過利用壓印層在非硅基底上形成電極和引線，可以提高傳感器的可靠性，并可以較低成本在有限面積內(nèi)形成較高分辨率的指紋傳感器。另外，可降低批量生產(chǎn)成本。
[0074]下面簡要描述利用壓印工藝制造根據(jù)本公開實(shí)施方式的指紋識(shí)別傳感器的方法。
[0075]首先，準(zhǔn)備基底111，例如PET基底。接著，可在基底111上形成第一壓印層123。壓印層123可以為紫外固化樹脂、熱固膠、光固膠或自干膠等。然后，在壓印層123遠(yuǎn)離基底111的表面上通過壓印工藝形成第一凹槽125。第一凹槽125根據(jù)實(shí)際需要可以為例如網(wǎng)格狀。
[0076]然后，可使用刮涂技術(shù)在第一凹槽125中填充例如納米銀墨水，并在大約150°C條件下烘烤燒結(jié)，使納米銀墨水中的銀單質(zhì)燒結(jié)成導(dǎo)電電極圖案，從而形成第一電極101、第二電極103和列向?qū)Ь€105，并可根據(jù)需要形成引線。根據(jù)一實(shí)施例，銀墨水固含量大約35%，溶劑在燒結(jié)中揮發(fā)。
[0077]接著，在所得結(jié)構(gòu)上形成第二壓印層133。壓印層133可與第一壓印層123為相同材質(zhì)。然后，在壓印層133遠(yuǎn)離基底111的表面上通過壓印工藝形成第二凹槽135。第二凹槽135根據(jù)實(shí)際需要可以為例如網(wǎng)格狀。然后，利用類似以上的工藝，在第二凹槽135中形成橋接線141。第二凹槽135具有與橋接線141相適應(yīng)的形狀，即暴露部分第一電極101的表面而沒有暴露列向?qū)Ь€105。
[0078]最好，可在所得結(jié)構(gòu)上形成保護(hù)層151，或者翻轉(zhuǎn)所得結(jié)構(gòu)后形成保護(hù)層151。
[0079]圖9示意性示出根據(jù)本公開一示例實(shí)施方式的電子裝置500，其中可包括前述的指紋識(shí)別傳感器100。電子裝置500例如可以是智能手機(jī)、平板電腦等。
[0080]如圖9所示，電子裝置包括透明蓋板501。透明蓋板501包括顯示區(qū)511和非顯示區(qū)515。指紋識(shí)別傳感器可設(shè)置于顯示區(qū)511或非顯示區(qū)515。
[0081]根據(jù)一些實(shí)施例，透明蓋板501具有貫通開口 503，按壓式指紋識(shí)別傳感器101可設(shè)置在貫通開口 503中。
[0082]根據(jù)一些實(shí)施例，指紋識(shí)別傳感器100設(shè)置在透明蓋板501上，傳感器層121與透明蓋板501相對。根據(jù)另一些實(shí)施例，指紋識(shí)別傳感器100設(shè)置在透明蓋板501上，傳感器層121與透明蓋板501相背。
[0083]以上具體地示出和描述了本公開的示例性實(shí)施方式。應(yīng)該理解，本公開不限于所公開的實(shí)施方式，相反，本公開意圖涵蓋包含在所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等效布置。
【權(quán)利要求】
1.一種按壓式指紋識(shí)別傳感器，其特征在于，包括: 傳感器層，所述傳感器層包括: 多個(gè)第一電極，排列為包括多個(gè)第一電極行和多個(gè)第一電極列的矩陣； 多個(gè)第二電極，排列為包括多個(gè)第二電極行和多個(gè)第二電極列的矩陣，各第一電極行與各第二電極行交替布置，列方向上相鄰的第一電極和第二電極對應(yīng)地以一檢測間隙相對從而構(gòu)成多個(gè)電容型指紋識(shí)別單元； 多個(gè)列向?qū)Ь€，分別沿列方向在相鄰的第一電極之間和第二電極之間延伸并與多個(gè)第二電極列對應(yīng)，每個(gè)列向?qū)Ь€連接到對應(yīng)的第二電極列中的第二電極且與第一電極電隔離； 多個(gè)絕緣層，設(shè)置在每個(gè)列向?qū)Ь€與相鄰的第一電極之間并至少覆蓋第一電極之間的列向?qū)Ь€部分； 多個(gè)橋接線，分別連接行方向上相鄰的第一電極，且越過對應(yīng)的列向?qū)Ь€上的絕緣層以與列向?qū)Ь€電隔離。
2.如權(quán)利要求1所述的按壓式指紋識(shí)別傳感器，其特征在于，還包括支承基底，傳感器層與支承基底相對或相背。
3.如權(quán)利 要求1所述的按壓式指紋識(shí)別傳感器，其特征在于，第一電極為驅(qū)動(dòng)電極或感應(yīng)電極，第二電極相應(yīng)地為感應(yīng)電極或驅(qū)動(dòng)電極。
4.如權(quán)利要求1所述的按壓式指紋識(shí)別傳感器，其特征在于，所述多個(gè)第一電極的寬度彼此相等且其寬度范圍為20 μ m-45 μ m,所述多個(gè)第一電極在行方向上等間距設(shè)置且其節(jié)距范圍為50 μ m-60 μ m,檢測間隙的大小彼此相等且在20 μ m-40 μ m范圍內(nèi)，列方向上相鄰的電容型指紋識(shí)別單元之間的距離等于或大于檢測間隙。
5.如權(quán)利要求1所述的按壓式指紋識(shí)別傳感器，其特征在于，所述傳感器層和所述多個(gè)橋接線包括導(dǎo)電網(wǎng)格。
6.如權(quán)利要求1所述的按壓式指紋識(shí)別傳感器，其特征在于，所述傳感器層和所述多個(gè)橋接線包括金屬顆粒、石墨烯、碳納米管或?qū)щ姼叻肿硬牧稀?br> 7.如權(quán)利要求1所述的按壓式指紋識(shí)別傳感器，其特征在于，所述絕緣層包括二氧化娃或有機(jī)絕緣材料。
8.如權(quán)利要求1所述的按壓式指紋識(shí)別傳感器，其特征在于，還包括:第一壓印層，設(shè)置在所述支承基底上，所述第一壓印層表面設(shè)置有多個(gè)第一凹槽，所述傳感器層設(shè)置在所述多個(gè)第一凹槽中。
9.如權(quán)利要求8所述的按壓式指紋識(shí)別傳感器，其特征在于，還包括:第二壓印層，形成在所述傳感器層和，所述第二壓印層表面設(shè)置有多個(gè)第二凹槽，所述多個(gè)橋接線設(shè)置在所述多個(gè)第二凹槽中，部分所述第一壓印層和部分所述第二壓印層構(gòu)成所述多個(gè)絕緣層。
10.如權(quán)利要求2所述的按壓式指紋識(shí)別傳感器，其特征在于，所述支承基底為強(qiáng)化玻璃、鋼化玻璃、陶瓷、藍(lán)寶石、PET膜或FPC基底。
11.如權(quán)利要求1所述的按壓式指紋識(shí)別傳感器，其特征在于，還包括保護(hù)層，與多個(gè)橋接線位于傳感器層的相同側(cè)或相反側(cè)。
12.如權(quán)利要求11所述的按壓式指紋識(shí)別傳感器，其特征在于，所述保護(hù)層包括DLC膜、AF膜、二氧化硅或UV膠。
13.一種電子裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至12中任一項(xiàng)所述的按壓式指紋識(shí)別傳感器。
14.如權(quán)利要求13所述的電子裝置，其特征在于，所述電子裝置包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)，所述按壓式指紋識(shí)別傳感器位于所述顯示區(qū)。
15.如權(quán)利要求13所述的電子裝置，其特征在于，所述電子裝置包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)，所述按壓式指紋識(shí)別傳感器位于所述非顯示區(qū)。
16.如權(quán)利要求13所述的電子裝置，其特征在于，還包括透明蓋板，所述透明蓋板具有貫通開口，所述按壓式指紋識(shí)別傳感器設(shè)置在所述貫通開口中。
17.如權(quán)利要求13所述的電子裝置，其特征在于，還包括透明蓋板，所述指紋識(shí)別傳感器設(shè)置在所述透明蓋板 上，所述傳感器層與所述透明蓋板相對或相背。
【文檔編號(hào)】G06K9/00GK104077575SQ201410313513
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2014年7月2日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月2日
【發(fā)明者】譚強(qiáng), 丁國棟, 蔣亞兵 申請人:南昌歐菲生物識(shí)別技術(shù)有限公司, 南昌歐菲光科技有限公司, 深圳歐菲光科技股份有限公司, 蘇州歐菲光科技有限公司