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磁盤重映射方法、裝置及電子設(shè)備的制作方法

文檔序號:6550616閱讀:212來源:國知局
磁盤重映射方法、裝置及電子設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例提供一種磁盤重映射方法、裝置及電子設(shè)備。本發(fā)明磁盤重映射方法,包括:在磁盤中熱數(shù)據(jù)區(qū)域發(fā)生壞道時(shí),采用獨(dú)立磁盤冗余陣列RAID的冗余機(jī)制,將所述壞道所在區(qū)域的數(shù)據(jù)通過重映射方式恢復(fù)到所述磁盤的保留區(qū)域之后,確定一冷數(shù)據(jù)區(qū)域作為目標(biāo)區(qū)域;交換所述保留區(qū)域與所述目標(biāo)區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù),以實(shí)現(xiàn)通過所述目標(biāo)區(qū)域的物理地址訪問所述熱數(shù)據(jù)。本發(fā)明實(shí)施例的熱數(shù)據(jù)訪問通過直接訪問原冷數(shù)據(jù)區(qū)域,這就保證了磁盤的讀寫性能;同時(shí)降低了壞道擴(kuò)散的概率,提高了存儲系統(tǒng)的可靠性。
【專利說明】磁盤重映射方法、裝置及電子設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明實(shí)施例涉及信息存儲技術(shù),尤其涉及一種磁盤重映射方法、裝置及電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]由于硬盤采用磁介質(zhì)存儲信息,硬盤壞道是信息存儲中常見問題。其中,壞道包括硬盤磁介質(zhì)損壞和硬盤產(chǎn)生邏輯錯(cuò)誤。傳統(tǒng)的獨(dú)立磁盤冗余陣列(Redundant Arrays ofInexpensive Disks,簡稱:RAID)中成員盤在出現(xiàn)壞道時(shí),通過RAID技術(shù)將恢復(fù)的數(shù)據(jù)寫入磁盤保留區(qū)域;然后,建立壞道區(qū)域到磁盤保留區(qū)域的地址重映射(Remap)表,因此,后續(xù)若對該壞道區(qū)域進(jìn)行訪問,將首先查詢地址重映射表獲得上述恢復(fù)的數(shù)據(jù)在磁盤保留區(qū)域的物理地址,再訪問該物理地址對應(yīng)的數(shù)據(jù)。
[0003]通過上述方式重映射方法恢復(fù)壞道中數(shù)據(jù),易導(dǎo)致壞道區(qū)域擴(kuò)散;另外,在讀寫已經(jīng)發(fā)生壞道區(qū)域的數(shù)據(jù)時(shí),磁頭來回?cái)[動,導(dǎo)致讀寫性能下降。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明實(shí)施例提供一種磁盤重映射方法、裝置及電子設(shè)備,以降低壞道區(qū)域擴(kuò)散的概率,并提升磁盤讀寫性能。
[0005]第一方面,本發(fā)明實(shí)施例提供一種磁盤重映射方法,包括:
[0006]在磁盤中熱數(shù)據(jù)區(qū)域發(fā)生壞道時(shí),采用獨(dú)立磁盤冗余陣列RAID的冗余機(jī)制,將所述壞道所在區(qū)域的數(shù)據(jù)通過重映射方式恢復(fù)到所述磁盤的保留區(qū)域之后,確定一冷數(shù)據(jù)區(qū)域作為目標(biāo)區(qū)域;
[0007]交換所述保留區(qū)域與所述目標(biāo)區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù),以實(shí)現(xiàn)通過所述目標(biāo)區(qū)域的物理地址訪問所述熱數(shù)據(jù)。
[0008]在第一方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,所述確定一冷數(shù)據(jù)區(qū)域作為目標(biāo)區(qū)域,包括:
[0009]查找所述磁盤中的所有冷數(shù)據(jù)區(qū)域,對比各所述冷數(shù)據(jù)區(qū)域,找到各所述冷數(shù)據(jù)區(qū)域中被訪問次數(shù)滿足預(yù)設(shè)條件的一區(qū)域,作為所述目標(biāo)區(qū)域。
[0010]根據(jù)第一方面或第一方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式,在第一方面的第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,所述交換所述保留區(qū)域與所述目標(biāo)區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù),包括:
[0011]將所述保留區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù)遷入到緩存器;
[0012]將所述目標(biāo)區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù)遷入到所述保留區(qū)域;
[0013]將所述緩存器中的存儲數(shù)據(jù)遷入到所述目標(biāo)區(qū)域。
[0014]根據(jù)第一方面或第一方面的第一種或第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式,在第一方面的第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,所述目標(biāo)區(qū)域所在的磁盤不同于發(fā)生壞道的磁盤。
[0015]第二方面,本發(fā)明實(shí)施例提供一種磁盤重映射裝置,包括:
[0016]確定模塊,用于在磁盤中熱數(shù)據(jù)區(qū)域發(fā)生壞道時(shí),采用獨(dú)立磁盤冗余陣列RAID的冗余機(jī)制,將所述壞道所在區(qū)域的數(shù)據(jù)通過重映射方式恢復(fù)到所述磁盤的保留區(qū)域之后,確定一冷數(shù)據(jù)區(qū)域作為目標(biāo)區(qū)域;
[0017]處理模塊,與所述確定模塊連接,用于交換所述保留區(qū)域與所述確定模塊所確定的所述目標(biāo)區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù),以實(shí)現(xiàn)通過所述目標(biāo)區(qū)域的物理地址訪問所述熱數(shù)據(jù)。
[0018]在第二方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,所述確定模塊具體用于:
[0019]查找所述磁盤中的所有冷數(shù)據(jù)區(qū)域,對比各所述冷數(shù)據(jù)區(qū)域,找到各所述冷數(shù)據(jù)區(qū)域中被訪問次數(shù)滿足預(yù)設(shè)條件的一區(qū)域,作為所述目標(biāo)區(qū)域。
[0020]根據(jù)第二方面或第二方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式,在第二方面的第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,所述處理模塊具體用于:
[0021]將所述保留區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù)遷入到緩存器;
[0022]將所述目標(biāo)區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù)遷入到所述保留區(qū)域;
[0023]將所述緩存器中的存儲數(shù)據(jù)遷入到所述目標(biāo)區(qū)域。
[0024]根據(jù)第二方面或第二方面的第一種或第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式,在第二方面的第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,所述目標(biāo)區(qū)域所在的磁盤不同于發(fā)生壞道的磁盤。
[0025]第三方面,本發(fā)明實(shí)施例提供一種電子設(shè)備,包括:存儲器和與所述存儲器連接的處理器,其中,所述存儲器存儲執(zhí)行指令,當(dāng)接收到寫操作時(shí),所述處理器與所述存儲器之間通信,所述處理器執(zhí)行所述執(zhí)行指令使得所述電子設(shè)備執(zhí)行如第一方面任一項(xiàng)所述的方法。
[0026]本發(fā)明實(shí)施例的熱數(shù)據(jù)訪問通過直接訪問原冷數(shù)據(jù)區(qū)域,這就保證了磁盤的讀寫性能;同時(shí)降低了壞道擴(kuò)散的概率,提高了存儲系統(tǒng)的可靠性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0027]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖做一簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0028]圖1為本發(fā)明磁盤重映射方法實(shí)施例一的流程圖;
[0029]圖2為未出現(xiàn)壞道的磁盤存儲數(shù)據(jù)示例圖;
[0030]圖3為壞道產(chǎn)生并修復(fù)后的磁盤存儲數(shù)據(jù)示例圖;
[0031]圖4為本發(fā)明磁盤重映射方法實(shí)施例一中磁盤存儲數(shù)據(jù)示例圖;
[0032]圖5為另一未出現(xiàn)壞道的磁盤存儲數(shù)據(jù)示例圖;
[0033]圖6為本發(fā)明磁盤重映射方法實(shí)施例二中磁盤存儲數(shù)據(jù)示例圖;
[0034]圖7為本發(fā)明磁盤重映射方法實(shí)施例三的流程圖;
[0035]圖8為本發(fā)明磁盤重映射裝置實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0036]圖9為本發(fā)明電子設(shè)備實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0037]為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒景l(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0038]圖1為本發(fā)明磁盤重映射方法實(shí)施例一的流程圖。本發(fā)明實(shí)施例提供一種磁盤重映射方法,該方法可以由磁盤重映射裝置執(zhí)行,該裝置可以集成在個(gè)人計(jì)算機(jī)(Personal Computer,簡稱:PC)、筆記本電腦、平板電腦或個(gè)人數(shù)字助手(Personal DigitalAssistant,簡稱:PDA)等電子設(shè)備中。如圖1所示,該方法包括:
[0039]S101、在磁盤中熱數(shù)據(jù)區(qū)域發(fā)生壞道時(shí),采用RAID的冗余機(jī)制,將該壞道所在區(qū)域的數(shù)據(jù)通過重映射方式恢復(fù)到磁盤的保留區(qū)域之后,確定一冷數(shù)據(jù)區(qū)域作為目標(biāo)區(qū)域。
[0040]S102、交換保留區(qū)域與目標(biāo)區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù),以實(shí)現(xiàn)通過目標(biāo)區(qū)域的物理地址訪問熱數(shù)據(jù)。
[0041]在壞道產(chǎn)生時(shí),如果壞道區(qū)域?yàn)闊釘?shù)據(jù)區(qū)域,則發(fā)生壞道的區(qū)域還是會大概率地被主機(jī)或者后臺輸入輸出(Input/Output,簡稱:10)訪問,這樣該壞道區(qū)域所在磁盤的負(fù)荷會增大,對存儲系統(tǒng)的數(shù)據(jù)讀寫會有一定的性能影響。以下通過與現(xiàn)有技術(shù)的對比,說明本發(fā)明實(shí)施例的有益效果。
[0042]其中,圖2為未出現(xiàn)壞道的磁盤存儲數(shù)據(jù)示例圖。圖3為壞道產(chǎn)生并修復(fù)后的磁盤存儲數(shù)據(jù)示例圖。如圖2所示,磁盤20包括保留區(qū)域21、熱數(shù)據(jù)區(qū)域22、熱數(shù)據(jù)區(qū)域23和熱數(shù)據(jù)區(qū)域24。如圖3所示,磁盤30包括保留區(qū)域31、熱數(shù)據(jù)區(qū)域32、壞道區(qū)域33、壞道區(qū)域34和壞道區(qū)域35。當(dāng)主機(jī)或后臺1訪問壞道區(qū)域33或壞道區(qū)域34或壞道區(qū)域35中存儲數(shù)據(jù)時(shí),需先查詢地址映射表36,找到修復(fù)后的熱數(shù)據(jù)區(qū)域32,熱數(shù)據(jù)區(qū)域32的磁頭進(jìn)行重新尋道,對該熱數(shù)據(jù)進(jìn)行讀寫。
[0043]本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案如圖4所示,圖4為本發(fā)明磁盤重映射方法實(shí)施例一中磁盤存儲數(shù)據(jù)示例圖。其中,磁盤40包括保留區(qū)域41、熱數(shù)據(jù)區(qū)域42和冷數(shù)據(jù)區(qū)域43。在磁盤40中熱數(shù)據(jù)區(qū)域42發(fā)生壞道時(shí),采用RAID的冗余機(jī)制,將該壞道所在區(qū)域的數(shù)據(jù)通過重映射方式恢復(fù)到保留區(qū)域41之后,確定冷數(shù)據(jù)區(qū)域43作為目標(biāo)區(qū)域;交換保留區(qū)域41與目標(biāo)區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù),使得熱數(shù)據(jù)重新分布到磁盤40中可以提供正常訪問的區(qū)域。
[0044]對比上述現(xiàn)有技術(shù)和本發(fā)明實(shí)施例技術(shù)方案可知,本發(fā)明實(shí)施例的熱數(shù)據(jù)訪問不再通過地址映射表間接進(jìn)行,而是直接訪問原冷數(shù)據(jù)區(qū)域即可,這就保證了磁盤的讀寫性能;同時(shí)降低了壞道擴(kuò)散的概率,提高了存儲系統(tǒng)的可靠性。
[0045]在上述實(shí)施例中,補(bǔ)充說明的是,熱數(shù)據(jù)與冷數(shù)據(jù)的定義有多種。例如,將限定時(shí)間內(nèi)訪問次數(shù)大于或等于預(yù)設(shè)次數(shù)的數(shù)據(jù)定義為熱數(shù)據(jù),而限定時(shí)間內(nèi)訪問次數(shù)小于預(yù)設(shè)次數(shù)的數(shù)據(jù)定義為冷數(shù)據(jù),等等,這里不再一一贅述。
[0046]在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上,確定一冷數(shù)據(jù)區(qū)域作為目標(biāo)區(qū)域可以包括:查找磁盤中的所有冷數(shù)據(jù)區(qū)域,對比各冷數(shù)據(jù)區(qū)域,找到各冷數(shù)據(jù)區(qū)域中被訪問次數(shù)滿足預(yù)設(shè)條件的一區(qū)域,作為目標(biāo)區(qū)域。
[0047]進(jìn)一步地,交換保留區(qū)域與目標(biāo)區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù)可以包括:將保留區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù)遷入到緩存器;將目標(biāo)區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù)遷入到保留區(qū)域;將緩存器中的存儲數(shù)據(jù)遷入到目標(biāo)區(qū)域,從而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的互換。其中,緩存器可以為內(nèi)存等存儲器件。
[0048]一種具體的實(shí)現(xiàn)場景中,目標(biāo)區(qū)域所在的磁盤不同于發(fā)生壞道的磁盤。如圖5所示,磁盤50中有3個(gè)熱數(shù)據(jù)區(qū)域(熱數(shù)據(jù)區(qū)域51、熱數(shù)據(jù)區(qū)域52和熱數(shù)據(jù)區(qū)域53)出現(xiàn)壞道,同時(shí),至少存在磁盤60、磁盤70和磁盤80,其中,磁盤60包括冷數(shù)據(jù)區(qū)域61 ;磁盤70包括冷數(shù)據(jù)區(qū)域71 ;磁盤80包括冷數(shù)據(jù)區(qū)域81。通過本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案,磁盤重映射后的示例圖如圖6所示,即熱數(shù)據(jù)區(qū)域51與冷數(shù)據(jù)區(qū)域61中存儲數(shù)據(jù)交換,熱數(shù)據(jù)區(qū)域52與冷數(shù)據(jù)區(qū)域71中存儲數(shù)據(jù)交換,熱數(shù)據(jù)區(qū)域53與冷數(shù)據(jù)區(qū)域81中存儲數(shù)據(jù)交換,進(jìn)一步增加目標(biāo)區(qū)域的可選范圍,保證磁盤重映射方法的可實(shí)施性。
[0049]接下來通過實(shí)施例說明該磁盤重映射方法的應(yīng)用。圖7為本發(fā)明磁盤重映射方法實(shí)施例三的流程圖。如圖7所示,該方法可以包括:
[0050]S701、下發(fā)至磁盤的1返回壞道錯(cuò)誤碼。
[0051]S702、根據(jù)壞道錯(cuò)誤碼采用RAID修復(fù)數(shù)據(jù)。
[0052]該步驟中,如果修復(fù)失敗,則執(zhí)行S703 ;否則,執(zhí)行S704。
[0053]S703、流程異常結(jié)束。
[0054]以通過地址映射表進(jìn)行訪問。
[0055]S704、將恢復(fù)后的數(shù)據(jù)寫入磁盤保留區(qū)域,并創(chuàng)建地址映射表。
[0056]S705、查找磁盤上的冷數(shù)據(jù)區(qū)域。
[0057]S705中,若查找失敗,則執(zhí)行S703,通過地址映射表進(jìn)行訪問;否則,執(zhí)行S706。
[0058]S706、數(shù)據(jù)交換。
[0059]具體地,將熱數(shù)據(jù)遷入到內(nèi)存,然后將冷數(shù)據(jù)遷入到原熱數(shù)據(jù)區(qū)域,最后將內(nèi)存中的熱點(diǎn)數(shù)據(jù)遷入到原冷數(shù)據(jù)區(qū)域,完成冷熱數(shù)據(jù)的交換。
[0060]S707、流程正常結(jié)束。
[0061]本發(fā)明實(shí)施例不僅保證了熱數(shù)據(jù)區(qū)域損壞后的磁盤訪問性能,而且降低磁盤中壞帶擴(kuò)散的概率,提升存儲系統(tǒng)的可靠性。
[0062]圖8為本發(fā)明磁盤重映射裝置實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明實(shí)施例提供一種磁盤重映射裝置,該該裝置可以集成在PC、筆記本電腦、平板電腦或PDA等電子設(shè)備中。如圖8所示,磁盤重映射裝置80包括:確定模塊81和處理模塊82。
[0063]其中,確定模塊81用于在磁盤中熱數(shù)據(jù)區(qū)域發(fā)生壞道時(shí),采用RAID的冗余機(jī)制,將壞道所在區(qū)域的數(shù)據(jù)通過重映射方式恢復(fù)到磁盤的保留區(qū)域之后,確定一冷數(shù)據(jù)區(qū)域作為目標(biāo)區(qū)域;處理模塊82,與確定模塊81連接,用于交換保留區(qū)域與確定模塊81所確定的目標(biāo)區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù),以實(shí)現(xiàn)通過目標(biāo)區(qū)域的物理地址訪問熱數(shù)據(jù)。
[0064]本發(fā)明實(shí)施例的磁盤重映射裝置,可以用于執(zhí)行上述任一方法實(shí)施例的技術(shù)方案,例如,圖1或圖7所示方法實(shí)施例的技術(shù)方案,其實(shí)現(xiàn)原理和技術(shù)效果類似,此處不再贅述。
[0065]在上述實(shí)施例中,確定模塊81可以具體用于:查找磁盤中的所有冷數(shù)據(jù)區(qū)域,對比各冷數(shù)據(jù)區(qū)域,找到各冷數(shù)據(jù)區(qū)域中被訪問次數(shù)滿足預(yù)設(shè)條件的一區(qū)域,作為目標(biāo)區(qū)域。
[0066]在上述實(shí)施例中,處理模塊82可以具體用于:將保留區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù)遷入到緩存器;將目標(biāo)區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù)遷入到保留區(qū)域;及,將緩存器中的存儲數(shù)據(jù)遷入到目標(biāo)區(qū)域。
[0067]需要說明的是,在上述任一實(shí)施例中,目標(biāo)區(qū)域所在的磁盤,可以不同于發(fā)生壞道的磁盤,也可以與發(fā)生壞道的磁盤相同。
[0068]圖9為本發(fā)明電子設(shè)備實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖9所示,電子設(shè)備90包括:存儲器91和與存儲器91連接的處理器92。其中,存儲器91存儲執(zhí)行指令,當(dāng)接收到寫操作時(shí),處理器92與存儲器91之間通信,處理器92執(zhí)行執(zhí)行指令使得電子設(shè)備90執(zhí)行上述任一方法實(shí)施例中的技術(shù)方案。
[0069]本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解:實(shí)現(xiàn)上述各方法實(shí)施例的全部或部分步驟可以通過程序指令相關(guān)的硬件來完成。前述的程序可以存儲于一計(jì)算機(jī)可讀取存儲介質(zhì)中。該程序在執(zhí)行時(shí),執(zhí)行包括上述各方法實(shí)施例的步驟;而前述的存儲介質(zhì)包括:R0M、RAM、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質(zhì)。
[0070]最后應(yīng)說明的是:以上各實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案,而非對其限制;盡管參照前述各實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改,或者對其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換;而這些修改或者替換,并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種磁盤重映射方法,其特征在于,包括: 在磁盤中熱數(shù)據(jù)區(qū)域發(fā)生壞道時(shí),采用獨(dú)立磁盤冗余陣列RAID的冗余機(jī)制,將所述壞道所在區(qū)域的數(shù)據(jù)通過重映射方式恢復(fù)到所述磁盤的保留區(qū)域之后,確定一冷數(shù)據(jù)區(qū)域作為目標(biāo)區(qū)域; 交換所述保留區(qū)域與所述目標(biāo)區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù),以實(shí)現(xiàn)通過所述目標(biāo)區(qū)域的物理地址訪問所述熱數(shù)據(jù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述確定一冷數(shù)據(jù)區(qū)域作為目標(biāo)區(qū)域,包括: 查找所述磁盤中的所有冷數(shù)據(jù)區(qū)域,對比各所述冷數(shù)據(jù)區(qū)域,找到各所述冷數(shù)據(jù)區(qū)域中被訪問次數(shù)滿足預(yù)設(shè)條件的一區(qū)域,作為所述目標(biāo)區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述交換所述保留區(qū)域與所述目標(biāo)區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù),包括: 將所述保留區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù)遷入到緩存器; 將所述目標(biāo)區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù)遷入到所述保留區(qū)域; 將所述緩存器中的存儲數(shù)據(jù)遷入到所述目標(biāo)區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,所述目標(biāo)區(qū)域所在的磁盤不同于發(fā)生壞道的磁盤。
5.一種磁盤重映射裝置,其特征在于,包括: 確定模塊,用于在磁盤中熱數(shù)據(jù)區(qū)域發(fā)生壞道時(shí),采用獨(dú)立磁盤冗余陣列RAID的冗余機(jī)制,將所述壞道所在區(qū)域的數(shù)據(jù)通過重映射方式恢復(fù)到所述磁盤的保留區(qū)域之后,確定一冷數(shù)據(jù)區(qū)域作為目標(biāo)區(qū)域; 處理模塊,與所述確定模塊連接,用于交換所述保留區(qū)域與所述確定模塊所確定的所述目標(biāo)區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù),以實(shí)現(xiàn)通過所述目標(biāo)區(qū)域的物理地址訪問所述熱數(shù)據(jù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置,其特征在于,所述確定模塊具體用于: 查找所述磁盤中的所有冷數(shù)據(jù)區(qū)域,對比各所述冷數(shù)據(jù)區(qū)域,找到各所述冷數(shù)據(jù)區(qū)域中被訪問次數(shù)滿足預(yù)設(shè)條件的一區(qū)域,作為所述目標(biāo)區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的裝置,其特征在于,所述處理模塊具體用于: 將所述保留區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù)遷入到緩存器; 將所述目標(biāo)區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù)遷入到所述保留區(qū)域; 將所述緩存器中的存儲數(shù)據(jù)遷入到所述目標(biāo)區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求5-7任一項(xiàng)所述的裝置,其特征在于,所述目標(biāo)區(qū)域所在的磁盤不同于發(fā)生壞道的磁盤。
9.一種電子設(shè)備,其特征在于,包括:存儲器和與所述存儲器連接的處理器,其中,所述存儲器存儲執(zhí)行指令,當(dāng)接收到寫操作時(shí),所述處理器與所述存儲器之間通信,所述處理器執(zhí)行所述執(zhí)行指令使得所述電子設(shè)備執(zhí)行如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的方法。
【文檔編號】G06F3/06GK104035886SQ201410284344
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2014年6月23日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月23日
【發(fā)明者】雷延釗, 何革 申請人:華為技術(shù)有限公司
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