通過霍爾傳感器感測滑動(dòng)的方法和使用該方法的感測系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】一種通過霍爾傳感器感測滑動(dòng)的方法和使用該方法的感測系統(tǒng)。該通過傳感器感測滑動(dòng)的方法包括：將一個(gè)或更多個(gè)霍爾元件分組為一個(gè)或更多個(gè)分組，測量由磁場源所生成的磁場強(qiáng)度，以及對在一個(gè)或更多個(gè)霍爾元件處的磁場強(qiáng)度進(jìn)行比較以確定是否發(fā)生水平滑動(dòng)。
【專利說明】通過霍爾傳感器感測滑動(dòng)的方法和使用該方法的感測系統(tǒng)
[0001] 相關(guān)申請的交叉引用
[0002] 本申請根據(jù)35USC119(a)要求于2013年8月29日向韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第 10-2013-0103458號(hào)韓國專利申請的權(quán)益，其整個(gè)公開通過引用并入本文以用于所有目的。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003] 下面的說明涉及一種通過霍爾傳感器感測滑動(dòng)的方法和使用該方法的感測系統(tǒng)。

【背景技術(shù)】
[0004] 第20-0167871號(hào)韓國實(shí)用新型注冊涉及一種用于感測翻蓋式無繩電話的翻蓋的 打開或關(guān)閉的裝置，并且描述了包括PCB(印刷電路板）、磁傳感器以及翻蓋的構(gòu)思。PCB被 安裝在本體中，并且可以通過選擇按鈕而訪問。磁傳感器檢測在PCB底部處的磁力以控制 裝置的電力供給。因此，現(xiàn)有技術(shù)受限于其檢測翻蓋的運(yùn)動(dòng)的能力。例如，現(xiàn)有技術(shù)未描述 感測是否發(fā)生翻蓋離開終端裝置的表面的水平滑動(dòng)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 提供本
【發(fā)明內(nèi)容】
，以介紹在以下的【具體實(shí)施方式】中進(jìn)一步描述的簡化形式的概念 的集合。本
【發(fā)明內(nèi)容】
不旨在確定要求保護(hù)的主題的關(guān)鍵特征或?qū)嵸|(zhì)特征，也不旨在用作確 定要求保護(hù)的主題的范圍的輔助內(nèi)容。
[0006] 在一個(gè)通常的方面中，一種通過傳感器感測滑動(dòng)的方法包括：布置一個(gè)或更多個(gè) 霍爾元件；布置磁場源，該磁場源配置成生成磁場；將一個(gè)或更多個(gè)霍爾元件分組為一個(gè) 或更多個(gè)分組；以及使用一個(gè)或更多個(gè)霍爾元件測量由磁場源所生成的磁場強(qiáng)度。
[0007] 該方法還可以包括：將在一個(gè)或更多個(gè)霍爾元件處所生成的磁場強(qiáng)度進(jìn)行比較； 確定是否發(fā)生水平滑動(dòng)，其中布置一個(gè)或更多個(gè)霍爾元件包括將一個(gè)或更多個(gè)霍爾元件布 置在第一本體上；布置磁場源包括將磁場源布置在與第一本體相對應(yīng)的第二本體上；以及 確定是否發(fā)生水平滑動(dòng)包括確定是否發(fā)生第二本體離開第一本體的表面的水平滑動(dòng)。
[0008] 比較磁場強(qiáng)度可以包括檢查在一個(gè)或更多個(gè)霍爾元件處所生成的磁場強(qiáng)度的相 似度。
[0009] 檢查相似度可以包括確定從分組的第一霍爾元件所收集的磁場強(qiáng)度與從分組的 第二霍爾元件所收集的磁場強(qiáng)度的比例。
[0010] 對磁場強(qiáng)度進(jìn)行比較還可以包括測量磁場強(qiáng)度的標(biāo)準(zhǔn)偏差。
[0011] 確定是否發(fā)生第二本體離開第一本體的表面的水平滑動(dòng)可以包括響應(yīng)于相似度 和所述標(biāo)準(zhǔn)偏差滿足閾值，確定未發(fā)生第二本體的滑動(dòng)。
[0012] 確定是否發(fā)生第二本體離開第一本體的表面的水平滑動(dòng)可以包括響應(yīng)于相似度 和標(biāo)準(zhǔn)偏差中之一未滿足閾值，確定發(fā)生了第二本體的滑動(dòng)。
[0013] 相似度的閾值可以為從大約0. 5到大約1. 5的范圍。
[0014] 標(biāo)準(zhǔn)偏差的閾值可以為從大約0到大約0. 5的范圍。
[0015] 第一本體可以包括包含傳感器芯片的終端。
[0016] 第二本體可以包括包含磁體的翻蓋。
[0017] 使用磁場源與一個(gè)或更多個(gè)霍爾元件之間的距離確定一個(gè)或更多個(gè)分組。
[0018] 在另一通常的方面中，一種感測裝置包括：一個(gè)或更多個(gè)霍爾元件，配置成收集外 部磁場強(qiáng)度；相似度測量單元，配置成測量磁場強(qiáng)度的相似度；以及標(biāo)準(zhǔn)偏差測量單元，配 置成測量磁場強(qiáng)度的標(biāo)準(zhǔn)偏差。
[0019] 該裝置還可以包括：檢查單元，配置成檢查是否滿足相似度和標(biāo)準(zhǔn)偏差中之一； 以及確定單元，配置成確定是否發(fā)生蓋離開包括一個(gè)或更多個(gè)霍爾元件的表面的水平滑 動(dòng)。
[0020] 確定單元可以配置成響應(yīng)于相似度和標(biāo)準(zhǔn)偏差滿足閾值，確定未發(fā)生第二本體的 滑動(dòng)。
[0021] 確定單元可以配置成響應(yīng)于相似度和標(biāo)準(zhǔn)偏差中之一未滿足閾值，確定發(fā)生了第 二本體的滑動(dòng)。
[0022] 相似度的閾值可以為從大約0. 5到大約1. 5的范圍。
[0023] 標(biāo)準(zhǔn)偏差的閾值可以為從大約0到大約0. 5的范圍。
[0024] 在另一通常的方面中，一種用于感測蓋的水平滑動(dòng)的裝置可以包括：一個(gè)或更多 個(gè)霍爾元件，布置在裝置上，并且配置成檢測由在蓋上的磁場源所生成的磁場強(qiáng)度；分組單 元，配置成將一個(gè)或更多個(gè)霍爾元件分組成一個(gè)或更多個(gè)分組；以及確定單元，配置成確定 是否發(fā)生蓋的水平滑動(dòng)。
[0025] 確定單元可以配置成通過將一個(gè)或更多個(gè)分組的一個(gè)或更多個(gè)霍爾元件的相似 度和標(biāo)準(zhǔn)偏差與相似度閾值和標(biāo)準(zhǔn)偏差閾值進(jìn)行比較，確定是否發(fā)生蓋的水平滑動(dòng)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0026] 圖1是示出了顯示終端和翻蓋的示例的圖。
[0027] 圖2是示出了霍爾傳感器（或傳感器芯片）的示例的圖。
[0028] 圖3是示出了由至少一個(gè)霍爾元件檢測的磁場強(qiáng)度的集合的示例的圖。
[0029] 圖4是示出了對至少一個(gè)霍爾元件分組進(jìn)行分類的過程的示例的圖。
[0030] 圖5是示出了避免滑動(dòng)的示例和移除翻蓋的水平滑動(dòng)的處理的圖。
[0031] 圖6是示出了磁相似度和磁標(biāo)準(zhǔn)偏差的示例的圖。
[0032] 圖7是示出了通過生成翻蓋的水平滑動(dòng)移除磁場強(qiáng)度的變化的圖。
[0033] 貫穿附圖和【具體實(shí)施方式】之中，除非另外描述或規(guī)定，否則相同的附圖參考標(biāo)記 將被理解為指的是相同的元件、特征以及結(jié)構(gòu)。附圖不按照比例，并且出于明晰、例示以及 方便的目的可以夸大附圖中的元件的相對尺寸、比例以及繪制。

【具體實(shí)施方式】
[0034] 提供下面的【具體實(shí)施方式】以輔助讀者獲得在本文中所描述的方法、設(shè)備和/或系 統(tǒng)的全面理解。然而，對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員，在本文中所描述的系統(tǒng)、設(shè)備和/或 方法的各種改變、修改、以及等價(jià)形式將是明顯的。所描述的處理步驟和/或操作的演進(jìn)為 示例；然而，步驟和/或操作的序列不限于在此所陳述的序列，并且除了需要按照一定的順 序發(fā)生的步驟和/或操作之外，可以如在本【技術(shù)領(lǐng)域】內(nèi)已知地改變。另外，出于改進(jìn)明晰和 簡明的目的，省略了對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員所熟知的功能和結(jié)構(gòu)的說明。
[0035] 在本文中所描述的特征可以被例示為不同的形式，并且在本文中所描述的特征不 應(yīng)被解釋為限于在本文中所描述的示例。此外，提供在本文中所描述的示例，使得本公開將 是透徹且完整的，并且將本公開的完整范圍傳達(dá)給本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員。
[0036] 圖1是示出了包括顯示終端和翻蓋的電子裝置的示例的圖。
[0037] 參照圖1，電子裝置1包括第一本體（body) 100和第二本體200。第一本體100可 以對應(yīng)于顯示終端。出于方便的原因，第一本體100可以指的是顯示終端100。顯示終端 100包括霍爾傳感器110和主體（mainbody) 120。第二本體200可以對應(yīng)于翻蓋200。出 于方便的原因，第二本體200可以指的是翻蓋200。翻蓋200可以包括磁體210和覆蓋單元 220。在此，顯示終端100和翻蓋200僅是按照其各自功能而命名的，并且在其他示例中，可 以整體地實(shí)現(xiàn)顯示終端100和翻蓋200。即，翻蓋200可以直接地耦接到顯示終端100或耦 接到背面?zhèn)入姵厣w。
[0038] 顯示終端100可以對應(yīng)于無線通信裝置，諸如蜂窩電話、智能電話以及雙向無線 電設(shè)備。顯示終端100可以包括霍爾傳感器（即，傳感器芯片）110和主要本體120。
[0039] 霍爾傳感器110可以感測由翻蓋200的磁體210所生成的磁場。霍爾傳感器110 可以為矩形形狀，并且可以包括在每個(gè)拐角處的至少一個(gè)霍爾元件。在一個(gè)示例中，如圖4 所示，霍爾傳感器110包括在每個(gè)拐角處的單一霍爾元件。在另一示例中，霍爾傳感器110 包括在每個(gè)拐角處的兩個(gè)或更多個(gè)霍爾元件?；魻杺鞲衅?10可以指的是傳感器芯片。換 言之，霍爾傳感器110可以包括在每個(gè)拐角處的單個(gè)霍爾元件或兩個(gè)或更多個(gè)霍爾元件。 當(dāng)在每個(gè)拐角處布置兩個(gè)霍爾元件時(shí)，霍爾傳感器110可以包括總共八個(gè)霍爾元件。
[0040] 主要本體120可以包括顯示裝置和無線收發(fā)器。
[0041] 翻蓋200可以對應(yīng)于能夠保護(hù)顯示器和顯示終端100的外觀的蓋，并且具體地，其 保護(hù)顯示終端100避免劃痕或由掉落所引起的損壞。翻蓋200可以包括生成磁場的磁體210 和覆蓋顯示終端100的正面的覆蓋單元220。翻蓋200的打開或關(guān)閉，或翻蓋200的水平滑 動(dòng)可以生成磁場的變化，其由顯示終端100的霍爾傳感器110檢測。例如，水平滑動(dòng)對應(yīng)于 由外部力在關(guān)于顯示終端100的表面或霍爾傳感器110的水平方向上所生成的翻蓋200的 移動(dòng)。
[0042] 磁體210在霍爾傳感器110附近生成磁場。磁體210耦接到或附接到覆蓋單元 220,以根據(jù)覆蓋單元220的移動(dòng)而移動(dòng)，并且在霍爾傳感器110附近的磁場根據(jù)覆蓋單元 220的移動(dòng)而改變。
[0043] 覆蓋單元220保護(hù)顯示終端100的正面，并且可以內(nèi)部地或外部地包括磁體210。 磁體210可以生成磁場作為磁場源。
[0044] 圖2是示出霍爾傳感器的示例的框圖。
[0045] 參照圖2,霍爾傳感器110包括分組分類單元111、磁場強(qiáng)度測量單元112、相似度 測量單元113、標(biāo)準(zhǔn)偏差測量單元114、檢查單元117、水平滑動(dòng)確定單元115、以及控制單元 116。
[0046] 分組分類單元111可以基于至少一個(gè)霍爾元件150中的每個(gè)與磁體210之間的距 離將至少一個(gè)霍爾元件150分類為分組。可以基于磁體210與至少一個(gè)霍爾元件150之間 的距離確定每個(gè)分組。分組分類單元111可以將至少一個(gè)霍爾元件150中的每個(gè)預(yù)分配 為分組。如圖4(a)所示，例如，當(dāng)四個(gè)霍爾元件150分別地布置在霍爾傳感器110的拐角 處時(shí)，第一分組410a包括在磁體210附近的兩個(gè)霍爾元件150a、150b，并且第二分組410b 包括遠(yuǎn)離磁體210的兩個(gè)霍爾兀件150c、150d。S卩，第一霍爾分組410a包括第一霍爾兀件 150a和第二霍爾元件150b。第一霍爾元件150a和第二霍爾元件150b相似地離開磁體210， 所以霍爾元件可以感測到相似的磁場強(qiáng)度。從磁體200的角度，第一霍爾元件和第二霍爾 元件以基本上相等的距離離開磁體210,并且檢測到相似的磁場強(qiáng)度。
[0047] 同樣地，第二分組410b包括第三霍爾元件150c和第四霍爾元件150d。在此示例 中，當(dāng)在第一分組410a與第二分組410b之間對磁場強(qiáng)度進(jìn)行比較時(shí)，第一分組410a的磁 場強(qiáng)于第二分組410b的磁場。
[0048] 圖3是示出了由至少一個(gè)霍爾元件檢測的磁場強(qiáng)度的集合的示例的圖。
[0049] 在圖3(a)中，線310指示由圖4(a)的第一分組410a所檢測到的磁場強(qiáng)度，并且 線320指示由圖4(a)的第二分組410b所檢測到的磁場強(qiáng)度。由第一分組所檢測到的磁場 強(qiáng)度強(qiáng)于由第二分組所檢測到的磁場強(qiáng)度，這是因?yàn)榇朋w210與第一分組之間的距離近于 磁體210與第二分組之間的距離。由在第一分組中的每個(gè)霍爾元件所檢測到的磁場強(qiáng)度基 本上相同。因此，相似度測量單元113對在同一分組中的霍爾元件之間的相似度進(jìn)行測量 和比較。不需要比較第一分組與第二分組的相似度，這是因?yàn)橛傻谝环纸M所檢測到的磁場 的磁場強(qiáng)度與由第二分組所檢測到的磁場的磁場強(qiáng)度不同?？梢詫⒅辽僖粋€(gè)霍爾元件中的 每個(gè)預(yù)分配到指定的分組，這是因?yàn)樵诜w200中磁體210是靜止的。
[0050] 圖4示出了兩個(gè)示例；在第一示例中，未發(fā)生霍爾傳感器110的水平滑動(dòng)，而在第 二示例中，發(fā)生了霍爾傳感器110的水平滑動(dòng)。例如，在圖4(a)中未發(fā)生霍爾傳感器110 的水平滑動(dòng)，并且在圖4(b)中可能發(fā)生霍爾傳感器110的水平滑動(dòng)。參照圖4(a)，在第一 分組中的霍爾元件之間的相似度高。參照圖4(b)，由于翻蓋200的水平滑動(dòng)，磁體210移動(dòng) 接近霍爾元件150b。在此示例中，第一分組中的第一霍爾元件150a和第二霍爾元件150b 的磁場強(qiáng)度可以改變，并且相似度閾值可以發(fā)生偏離。同樣地，第二分組中的第三霍爾元件 150c和第四霍爾元件150d的磁場強(qiáng)度可以改變，并且相似度閾值可以偏離。
[0051] 再次參照圖2,磁場強(qiáng)度測量單元112測量由翻蓋200的磁體210所生成的磁場 強(qiáng)度和磁場方向。磁場強(qiáng)度測量單元112可以實(shí)現(xiàn)為霍爾元件150。應(yīng)當(dāng)理解，霍爾效應(yīng) 是沿著電導(dǎo)體的電壓差異（霍爾電壓）、導(dǎo)體中的橫向電流以及與電流垂直的磁場的乘積。 霍爾電壓與電流的量和磁場強(qiáng)度成正比，并且當(dāng)電流的量為常數(shù)時(shí)，霍爾電壓與磁場強(qiáng)度 成正比。磁場強(qiáng)度測量單元112測量由磁體210所生成的磁場強(qiáng)度。
[0052] 檢查單元117通過對由磁場強(qiáng)度測量單元112所測量的每個(gè)測量值的磁場強(qiáng)度進(jìn) 行比較，檢查在每個(gè)霍爾元件處的磁場強(qiáng)度。檢查單元117對磁場強(qiáng)度彼此進(jìn)行比較，以檢 查相似度和標(biāo)準(zhǔn)偏差是否滿足一定標(biāo)準(zhǔn)。因此，檢查單元117可以包括相似度測量單元113 和標(biāo)準(zhǔn)偏差測量單元114。相似度測量單元113對在至少一個(gè)霍爾元件150處的磁場強(qiáng)度 的相似度進(jìn)行測量和比較，并且標(biāo)準(zhǔn)偏差測量單元114對在至少一個(gè)霍爾元件150處的磁 場強(qiáng)度的標(biāo)準(zhǔn)偏差進(jìn)行測量和比較。
[0053] 相似度測量單元113可以確定每個(gè)分組中的霍爾元件之間的相似度。例如，相似 度測量單元113可以測量指定分組中的霍爾元件之間的相似度。即，相似度指示在每個(gè)分 組中的霍爾元件處的磁場強(qiáng)度的相似程度，并且相似度可以滿足下面的數(shù)學(xué)等式1。
[0054][數(shù)學(xué)等式1]
[0055]相似度=HA/HB
[0056] HA:霍爾元件A的磁場強(qiáng)度
[0057] HB:霍爾元件B的磁場強(qiáng)度
[0058] 假定第一霍爾元件和第二霍爾元件被包括在第一分組中，并且第一霍爾元件的磁 場強(qiáng)度的值對應(yīng)于HA以及第二霍爾元件的磁場強(qiáng)度的值對應(yīng)于HB，當(dāng)HA和HB的值分別地 被測量為500mT時(shí)，相似度可以對應(yīng)于值1。在另一示例中，當(dāng)HA的值被測量為500mT并且 HB的值被測量為530mT時(shí)，相似度對應(yīng)于值0. 943。相似度比例越接近于值1，則霍爾元件 A和霍爾元件B的磁場強(qiáng)度的變化越相似。
[0059] 如圖4(b)所示，當(dāng)發(fā)生水平滑動(dòng)時(shí)，第一分組中的第一霍爾元件150a和第二霍爾 元件150b的磁場強(qiáng)度可以改變。因此，當(dāng)發(fā)生水平滑動(dòng)時(shí)，水平滑動(dòng)確定單元115可以確 定翻蓋異常地打開。同樣地，可以使用第二分組檢測相同的效果。
[0060] 在圖2中，標(biāo)準(zhǔn)偏差測量單元114可以確定通過磁場強(qiáng)度測量單元112所收集的 每個(gè)磁場強(qiáng)度的標(biāo)準(zhǔn)偏差。標(biāo)準(zhǔn)偏差不僅可以在指定的分組處而且可以在所有的霍爾元件 150處對磁場強(qiáng)度進(jìn)行比較。磁標(biāo)準(zhǔn)偏差指示從至少一個(gè)霍爾元件150中的每個(gè)所收集的 磁場強(qiáng)度偏離磁場強(qiáng)度的平均的程度。當(dāng)霍爾元件的數(shù)量為4時(shí)，可以根據(jù)數(shù)學(xué)等式2計(jì) 算磁標(biāo)準(zhǔn)偏差。
[0061] 可以基于磁體210的數(shù)量和尺寸改變標(biāo)準(zhǔn)偏差（M_sd)的閾值的范圍。閾值可以 為從大約0到大約0. 5的范圍。S卩，閾值可以是小于0. 5的任何值。當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)偏差超過0. 5 時(shí)，可以確定標(biāo)準(zhǔn)偏差未滿足標(biāo)準(zhǔn)。
[0062][數(shù)學(xué)等式2]

【權(quán)利要求】
1. 一種通過傳感器感測滑動(dòng)的方法，包括： 布置一個(gè)或更多個(gè)霍爾元件； 布置磁場源，所述磁場源配置成生成磁場； 將所述一個(gè)或更多個(gè)霍爾元件分組為一個(gè)或更多個(gè)分組；以及 使用所述一個(gè)或更多個(gè)霍爾元件，測量由所述磁場源所生成的磁場強(qiáng)度。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括： 將在所述一個(gè)或更多個(gè)霍爾元件處所生成的磁場強(qiáng)度進(jìn)行比較； 確定是否發(fā)生水平滑動(dòng)，其中 布置一個(gè)或更多個(gè)霍爾元件包括將一個(gè)或更多個(gè)霍爾元件布置在第一本體上； 布置磁場源包括將所述磁場源布置在與所述第一本體相對應(yīng)的第二本體上；以及 確定是否發(fā)生水平滑動(dòng)包括確定是否發(fā)生所述第二本體離開所述第一本體的表面的 水平滑動(dòng)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，對磁場強(qiáng)度進(jìn)行比較包括檢查在所述一個(gè)或更 多個(gè)霍爾元件處所生成的磁場強(qiáng)度的相似度。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，檢查相似度包括確定從分組的第一霍爾元件所 收集的磁場強(qiáng)度與從分組的第二霍爾元件所收集的磁場強(qiáng)度的比例。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，對磁場強(qiáng)度進(jìn)行比較還包括測量所述磁場強(qiáng)度 的標(biāo)準(zhǔn)偏差。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，確定是否發(fā)生所述第二本體離開所述第一本體 的表面的水平滑動(dòng)包括：響應(yīng)于所述相似度和所述標(biāo)準(zhǔn)偏差滿足閾值，確定未發(fā)生所述第 二本體的滑動(dòng)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，確定是否發(fā)生所述第二本體離開所述第一本體 的表面的水平滑動(dòng)包括：響應(yīng)于所述相似度和所述標(biāo)準(zhǔn)偏差中之一未滿足閾值，確定發(fā)生 了所述第二本體的滑動(dòng)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述相似度的閾值為從大約0. 5到大約1. 5的范 圍。
9. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述標(biāo)準(zhǔn)偏差的閾值為從大約0到大約0. 5的范 圍。
10. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述第一本體包括包含傳感器芯片的終端。
11. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述第二本體包括包含磁體的翻蓋。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，使用所述磁場源與所述一個(gè)或更多個(gè)霍爾元件 之間的距離確定所述一個(gè)或更多個(gè)分組。
13. -種感測裝置，包括： 一個(gè)或更多個(gè)霍爾元件，配置成收集外部磁場強(qiáng)度； 相似度測量單元，配置成測量所述磁場強(qiáng)度的相似度；以及 標(biāo)準(zhǔn)偏差測量單元，配置成測量所述磁場強(qiáng)度的標(biāo)準(zhǔn)偏差。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的感測裝置，還包括： 檢查單元，配置成檢查是否滿足所述相似度和所述標(biāo)準(zhǔn)偏差中之一；以及 確定單元，配置成確定是否發(fā)生蓋離開包括所述一個(gè)或更多個(gè)霍爾元件的表面的水平 滑動(dòng)。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的感測裝置，其中，所述確定單元配置成響應(yīng)于所述相似度 和所述標(biāo)準(zhǔn)偏差滿足閾值，確定未發(fā)生第二本體的滑動(dòng)。
16. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的感測裝置，其中，所述確定單元配置成響應(yīng)于所述相似度 和所述標(biāo)準(zhǔn)偏差中之一未滿足閾值，確定發(fā)生了第二本體的滑動(dòng)。
17. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的感測裝置，其中，所述相似度的閾值為從大約0. 5到大約 1.5的范圍。
18. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的感測裝置，其中，所述標(biāo)準(zhǔn)偏差的閾值為從大約0到大約 0. 5的范圍。
19. 一種用于感測蓋的水平滑動(dòng)的裝置，包括： 一個(gè)或更多個(gè)霍爾元件，布置在所述裝置上，并且配置成檢測由在所述蓋上的磁場源 所生成的磁場強(qiáng)度； 分組單元，配置成將所述一個(gè)或更多個(gè)霍爾元件分組為一個(gè)或更多個(gè)分組；以及 確定單元，配置成確定是否發(fā)生所述蓋的水平滑動(dòng)。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的裝置，其中，所述確定單元配置成通過將所述一個(gè)或更多 個(gè)分組的所述一個(gè)或更多個(gè)霍爾元件的相似度和標(biāo)準(zhǔn)偏差與相似度閾值和標(biāo)準(zhǔn)偏差閾值 進(jìn)行比較，確定是否發(fā)生所述蓋的水平滑動(dòng)。
【文檔編號(hào)】G06F3/01GK104423572SQ201410210358
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2014年5月19日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月29日
【發(fā)明者】樸承煥, 陳炯男 申請人:美格納半導(dǎo)體有限公司