電容式觸控面板結(jié)構(gòu)及制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種電容式觸控面板結(jié)構(gòu)及制作方法，依據(jù)本發(fā)明，對于單一導(dǎo)電膜構(gòu)造亞層，或者匹配制作方法的兩次成型工藝，所形成的導(dǎo)電膜具有更好的質(zhì)量可控性，表現(xiàn)在產(chǎn)品的面電阻值分布范圍比較小，更容易獲得目標(biāo)面電阻的產(chǎn)品，因而，使產(chǎn)品具有更好的使用性能。另一方面，透光率相對較高，保證了導(dǎo)電膜另一重要指標(biāo)處于相對較高的水平。
【專利說明】電容式觸控面板結(jié)構(gòu)及制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種電容式觸控面板結(jié)構(gòu)，以及該電容式觸控面板的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]電容式觸控面板，如中國專利文獻CN12736760A，其基本結(jié)構(gòu)如圖1所示，它由基板I和依次堆疊在該基板I上的遮蔽層2、第一透明導(dǎo)電層3、絕緣層4和第二透明導(dǎo)電層5構(gòu)成。圖中顯示之結(jié)構(gòu)為放大形式的顯示，實際所形成的電容結(jié)構(gòu)非常微小，在這種微電路結(jié)構(gòu)中，電阻是影響其性能的關(guān)鍵指標(biāo)，同時產(chǎn)品電阻范圍是影響產(chǎn)品整體形成的重要指標(biāo)。
[0003]在前述的內(nèi)容中，關(guān)于導(dǎo)電層，強調(diào)其一特征為透明，在于觸控面板(touchpanel,又稱觸控屏、觸摸屏)行業(yè)生產(chǎn)的觸控面板結(jié)構(gòu)一般為在玻璃基板或PET(Polyethylene terephthalate,聚對苯二甲酸乙二脂)上派鍍一層或多層一定厚度的ITO(氧化銦錫導(dǎo)電膜)，經(jīng)蝕刻后形成一定形狀的ITO線路，當(dāng)使用者觸摸時，表面行或列的交叉處感應(yīng)單元的互電容會產(chǎn)生變化，根據(jù)上述變化觸控IC (integrated circuit,集成電路)最終檢測出觸摸點的具體位置。ITO是一種N型氧化無半導(dǎo)體，其性能指標(biāo)主要有兩個，即電阻率和透光率(又稱穿透率)。
[0004]其中本領(lǐng)域所使用電阻率通常是用面電阻(又稱方塊電阻，簡稱方阻)表示，如前所述，在如基板上濺鍍一層或多層一定厚度的ΙΤ0，多層時各層均構(gòu)造為獨立的功能層，如文獻12736760A中所示的第一透明導(dǎo)電層3和第二透明導(dǎo)電層5，各層均是一次濺鍍成型，效率比較高。
[0005]然而，由此成型出的如透明導(dǎo)電層的面電阻在不同的產(chǎn)品個體間差別比較大，換言之，產(chǎn)品面電阻的分布范圍比較大，且整體上面電阻相對比較高，影響觸控面板的性能。
[0006]另一方面，關(guān)于透明導(dǎo)電層的另一項指標(biāo)，也就是穿透率，在現(xiàn)有工藝條件下，并沒有很好的進一步提高穿透率的技術(shù)手段。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]因此，本發(fā)明的目的在于提供一種具有較高產(chǎn)品性能的電容式觸控面板結(jié)構(gòu)，同時提供一種該電容式觸控面板的制作方法，。
[0008]依據(jù)本發(fā)明的一個方面，一種電容式觸控面板結(jié)構(gòu)，包括:
一透明基板；
一遮蔽層，由不透光的材質(zhì)層堆疊于透明基板一面形成，用以遮蔽位于透明基板另一面的顯示裝置所發(fā)射光線；且該遮蔽層具有遮蔽圖案，用以暴露出相應(yīng)于該遮蔽圖案的透明基板；
一第一透明導(dǎo)電層，配置在遮蔽層及暴露出的透明基板上；
一絕緣層，疊置在第一透明導(dǎo)電層上；
一第二透明導(dǎo)電層，該第二透明導(dǎo)電層包括第一亞層和第二亞層，其中第一亞層疊置在絕緣層上與第一透明導(dǎo)電層相對的一面，而第二亞層則鍍制在第一亞層上。
[0009]依據(jù)本發(fā)明的另一個方面，一種電容式觸控面板結(jié)構(gòu)，包括:
一透明基板；
一遮蔽層，由不透光的材質(zhì)層堆疊于透明基板一面形成，用以遮蔽位于透明基板另一面的顯示裝置所發(fā)射光線；且該遮蔽層具有遮蔽圖案，用以暴露出相應(yīng)于該遮蔽圖案的透明基板；
一緩沖層，覆蓋在遮蔽層及暴露出的透明基板上；
一第一透明導(dǎo)電層，疊置在緩沖層上；
一絕緣層，疊置在第一透明導(dǎo)電層上；
一第二透明導(dǎo)電層，該第二透明導(dǎo)電層包括第一亞層和第二亞層，其中第一亞層疊置在絕緣層上與第一透明導(dǎo)電層相對的一面，而第二亞層則鍍制在第一亞層上。
[0010]依據(jù)本發(fā)明的在一個方面，一種電容式觸控面板制作方法，包括以下步驟:
在給定的基板上形成一遮蔽層，其中遮蔽層由不透光的材質(zhì)構(gòu)成，用以遮蔽由該基板下方的顯示裝置所發(fā)射出的光線，且遮蔽層蝕刻有用以暴露出部分基板的遮蔽圖案；在所述遮蔽層及暴露出的基板上形成一第一透明導(dǎo)電層；
在所述第一透明導(dǎo)電層上疊置絕緣層；
在絕緣層上進一步濺鍍第二透明導(dǎo)電層的第一亞層，得到第一中間件；
將第一中間件移出濺鍍工藝所處的真空室，然后再送入真空室抽真空到預(yù)定真空度； 進而在第一亞層上進一步濺鍍第二透明導(dǎo)電層的第二亞層。
[0011]依據(jù)本發(fā)明的在一個方面，一種電容式觸控面板制作方法，包括以下步驟:
在給定的基板上形成一遮蔽層，其中遮蔽層由不透光的材質(zhì)構(gòu)成，用以遮蔽由該基板下方的顯示裝置所發(fā)射出的光線，且遮蔽層蝕刻有用以暴露出部分基板的遮蔽圖案；
在所述遮蔽層及暴露出的基板上形成以緩沖層；
在所述緩沖層上疊置一第一透明導(dǎo)電層；
在所述第一透明導(dǎo)電層上疊置絕緣層；
在絕緣層上進一步濺鍍第二透明導(dǎo)電層的第一亞層，得到第一中間件；
將第一中間件移出濺鍍工藝所處的真空室，然后再送入真空室抽真空到預(yù)定真空度； 進而在第一亞層上進一步濺鍍第二透明導(dǎo)電層的第二亞層。
[0012]依據(jù)本發(fā)明，對于單一導(dǎo)電膜構(gòu)造亞層，或者匹配制作方法的兩次成型工藝，所形成的導(dǎo)電膜具有更好的質(zhì)量可控性，表現(xiàn)在產(chǎn)品的面電阻值分布范圍比較小，更容易獲得目標(biāo)面電阻的產(chǎn)品，因而，使產(chǎn)品具有更好的使用性能。另一方面，透光率相對較高，保證了導(dǎo)電膜另一重要指標(biāo)處于相對較高的水平。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1為已知觸控面板單面結(jié)構(gòu)的主剖結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖2為依據(jù)本發(fā)明的一種觸控面板單面結(jié)構(gòu)的主剖結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]圖3為已知絕緣層在電容位的配置結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖4為依據(jù)本法明的絕緣條在電容位的配置結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖5為電容位結(jié)構(gòu)配置示意圖。[0018]圖6為依據(jù)本發(fā)明的一種觸控面板單面結(jié)構(gòu)制作方法流程圖。
【具體實施方式】
[0019]為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更清楚的理解本發(fā)明的發(fā)明原理和具體手段的效用。本發(fā)明實現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體附圖，進一步闡述本發(fā)明。
[0020]請參見說明書附圖2，在第一實施例中，依據(jù)本發(fā)明的觸控面板單面結(jié)構(gòu)，以匹配安裝的顯示裝置所處的面為下面，那么相對的面即為基板I的上面，基板I為其他部分依附的基礎(chǔ)，構(gòu)造為基準(zhǔn)層，在基，I的上面設(shè)置遮蔽層2、然后是第一透明導(dǎo)電層3、絕緣層4以及第二透明導(dǎo)電層5。
[0021]關(guān)于基板1，基于觸控面板的選材，如使用玻璃構(gòu)成透明的基板板材，在其他的應(yīng)用中，根據(jù)具體的應(yīng)用環(huán)境和技術(shù)配置，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可具體選擇諸如采用N型基板或者P型基板，以及其他如玻璃基的絕緣材質(zhì)的透明基板。
[0022]如圖1所示，基于堆疊結(jié)構(gòu)，在基板I的上面依次堆疊遮蔽層2、第一透明導(dǎo)電層
3、絕緣層4，以及第二透明導(dǎo)電層5，該第二透明導(dǎo)電層5和第一透明導(dǎo)電層3，以及疊加在兩者之間的絕緣層形成電容，據(jù)以形成觸控結(jié)構(gòu)。
[0023]首先關(guān)于第二透明導(dǎo)電層5，如圖2所示，用虛線分開的兩個部分表示為第二透明導(dǎo)電層5的兩個亞層，即第一亞層51和第二亞層52，其整體上并沒有明顯的分界線，但應(yīng)當(dāng)是兩種性質(zhì)有差異的亞層。
[0024]首先制備第一亞層51，然后以第一亞層51為基礎(chǔ)再在其上生長出第二亞層52。
[0025]有關(guān)于其機理，目前還無從知道，在此也不做出任何推測。
[0026]當(dāng)前有關(guān)于降低導(dǎo)電膜面電阻的諸多嘗試均在一次成型上，降低面電阻的代價越來越高，但所取得的成效卻極為有限。雙亞層結(jié)構(gòu)的出現(xiàn)突破了這一瓶頸，不僅有效地降低了面電阻，而且產(chǎn)品的面電阻的分布范圍也比較窄。
[0027]請參見下表，工藝所成型的導(dǎo)電膜厚度一致，通過四探針測試儀進行面電阻的測量。
【權(quán)利要求】
1.一種電容式觸控面板結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 一透明基板； 一遮蔽層，由不透光的材質(zhì)層堆疊于透明基板一面形成，用以遮蔽位于透明基板另一面的顯示裝置所發(fā)射光線；且該遮蔽層具有遮蔽圖案，用以暴露出相應(yīng)于該遮蔽圖案的透明基板； 一第一透明導(dǎo)電層，配置在遮蔽層及暴露出的透明基板上； 一絕緣層，疊置在第一透明導(dǎo)電層上； 一第二透明導(dǎo)電層，該第二透明導(dǎo)電層包括第一亞層和第二亞層，其中第一亞層疊置在絕緣層上與第一透明導(dǎo)電層相對的一面，而第二亞層則鍍制在第一亞層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式觸控面板結(jié)構(gòu)，其特征在于，第一亞層的厚度小于第二亞層的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電容式觸控面板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一透明導(dǎo)電層具有復(fù)數(shù)個第一圖案，第一圖案間相互分離且配置成平行于第一方向； 所述第二透明導(dǎo)電層具有復(fù)數(shù)個第二圖案，第二圖案間相互分離且配置成平行于第二方向，該第二方向與所述 第一方向間呈一夾角，從而第一圖案與第二圖案所形成的交錯位構(gòu)成電容位； 所述絕緣層由與第二圖案--對應(yīng)的絕緣條按照第二方向排布而成，從而，在第一透明導(dǎo)電層與第二透明導(dǎo)電層交錯處形成電容位的絕緣介質(zhì)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容式觸控面板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一圖案由多個第一本體部藉由第一連接部順次連接形成，相應(yīng)地，第二圖案由多個第二本體部藉由第二連接部順次連接形成； 所述絕緣條位于相應(yīng)第二圖案的正下方，且其在第二圖案上的投影與第二圖案相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電容式觸控面板結(jié)構(gòu)，其特征在于，第一本體部為菱形結(jié)構(gòu)，該菱形結(jié)構(gòu)一對角線平行于第一方向或者第二方向，且其兩條對角線的長度比區(qū)間為[1,2]； 第一連接部為長方條結(jié)構(gòu)，且其在第一方向上的長度與在第二方向上的長度比區(qū)間為[1.5，2.5]。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容式觸控面板結(jié)構(gòu)，其特征在于，第一圖案與所述第二圖案相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式觸控面板結(jié)構(gòu)，其特征在于，進一步包括一外部連線層，形成于所述第二透明導(dǎo)電層上，用于打線以連接外部組件。
8.一種電容式觸控面板結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 一透明基板； 一遮蔽層，由不透光的材質(zhì)層堆疊于透明基板一面形成，用以遮蔽位于透明基板另一面的顯示裝置所發(fā)射光線；且該遮蔽層具有遮蔽圖案，用以暴露出相應(yīng)于該遮蔽圖案的透明基板； 一緩沖層，覆蓋在遮蔽層及暴露出的透明基板上； 一第一透明導(dǎo)電層，疊置在緩沖層上； 一絕緣層，疊置在第一透明導(dǎo)電層上；一第二透明導(dǎo)電層，該第二透明導(dǎo)電層包括第一亞層和第二亞層，其中第一亞層疊置在絕緣層上與第一透明導(dǎo)電層相對的一面，而第二亞層則鍍制在第一亞層上。
9.一種電容式觸控面板制作方法，其特征在于，包括以下步驟: 在給定的基板上形成一遮蔽層，其中遮蔽層由不透光的材質(zhì)構(gòu)成，用以遮蔽由該基板下方的顯示裝置所發(fā)射出的光線，且遮蔽層蝕刻有用以暴露出部分基板的遮蔽圖案；在所述遮蔽層及暴露出的基板上形成一第一透明導(dǎo)電層； 在所述第一透明導(dǎo)電層上疊置絕緣層； 在絕緣層上進一步濺鍍第二透明導(dǎo)電層的第一亞層，得到第一中間件； 將第一中間件移出濺鍍工藝所處的真空室，然后再送入真空室抽真空到預(yù)定真空度； 進而在第一亞層上進一步濺鍍第二透明導(dǎo)電層的第二亞層。
10.一種電容式觸控面板制作方法，其特征在于，包括以下步驟: 在給定的基板上形成一遮蔽層，其中遮蔽層由不透光的材質(zhì)構(gòu)成，用以遮蔽由該基板下方的顯示裝置所發(fā)射出的光線，且遮蔽層蝕刻有用以暴露出部分基板的遮蔽圖案； 在所述遮蔽層及暴露出的基板上形成以緩沖層； 在所述緩沖層上疊置一第一透明導(dǎo)電層； 在所述第一透明導(dǎo)電層上疊置絕緣層； 在絕緣層上進一步濺鍍第二透明導(dǎo)電層的第一亞層，得到第一中間件； 將第一中間件移出濺鍍工藝所處的真空室，然后再送入真空室抽真空到預(yù)定真空度； 進而在第一亞層上進一步濺鍍第二透明導(dǎo)電層的第二亞層。
【文檔編號】G06F3/044GK103838450SQ201410072802
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2014年3月3日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月3日
【發(fā)明者】林錦源, 周中偉, 彭惠祺 申請人:山東華芯富創(chuàng)電子科技有限公司