觸控面板的電極層的結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型是關(guān)于一種觸控面板的電極層的結(jié)構(gòu)，其利用不同材料架構(gòu)出多層導(dǎo)電層，以組合為一種新穎的觸控面板電極，且其利用控制每一導(dǎo)電層的厚度不超過30nm的方式，加上每一層導(dǎo)電材料的顏色不同，進(jìn)而得以在改善電極在低阻抗之際，一并排除存在明顯蝕刻痕跡的缺點(diǎn)。
【專利說明】觸控面板的電極層的結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型是關(guān)于一種電極層的結(jié)構(gòu)，尤指一種使用不同材質(zhì)的導(dǎo)電物質(zhì)為上下堆棧，而建構(gòu)出具有多層結(jié)構(gòu)電極層，以改善觸控面板電極痕跡的結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]觸控面板(Touch Panel)與我們?nèi)粘Ｉ畹年P(guān)系越來越密切，其結(jié)構(gòu)中透明的電極層是攸關(guān)其質(zhì)量及效能的重要組件。
[0003]以電阻式觸控面板為例，電阻式觸控面板主要組成包含一片下部電極與一片上部電極，中間散布間隙物支撐，使上下電極板不會因距離過于貼近而意外導(dǎo)通，邊緣再印上銀電極以提供外接電源。觸控時(shí)利用壓力使上下電極導(dǎo)通，經(jīng)由控制器測知面板電壓變化而計(jì)算出接觸點(diǎn)位置。
[0004]請參考圖1，其為習(xí)知觸控面板結(jié)構(gòu)示意圖；如圖所示，其上電極板11的下方，以及下電極板12的上方設(shè)置有單一層面的導(dǎo)電層2，兩個(gè)電極板中間則以黏合層3作隔離；而在覆蓋有導(dǎo)電層2的下電極板12的上方則另外還設(shè)置有阻隔點(diǎn)4。
[0005]于觸控面板當(dāng)中，導(dǎo)電層2的阻抗值與厚度成一定反比關(guān)系，即阻抗要越低，則導(dǎo)電層2厚度會越厚，但透光性相對較差，而使應(yīng)用受限；但更重要的是，增加厚度的情況下也就增加了電極線路區(qū)與電極蝕刻區(qū)的對比，對比的增加也造成蝕刻痕跡的加重。
[0006]因此，為了能夠降低阻抗，有需要將導(dǎo)電層的厚度提升，但又考慮到要降低蝕刻痕跡，以使相關(guān)的產(chǎn)品具有高市場價(jià)值，實(shí)有必要在結(jié)構(gòu)上做進(jìn)一步的改良、提出相關(guān)的解決辦法。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0007]本實(shí)用新型的主要目的，在于提供一種觸控面板的電極層的結(jié)構(gòu)，其使用不同材質(zhì)的上下堆棧，而建構(gòu)出具有多層結(jié)構(gòu)、呈透明且導(dǎo)電的電極層，并且在控制每一電極層的分層的厚度不超過30nm的方式，在提高電極層總厚度而降低阻抗的設(shè)計(jì)之下，搭配每一個(gè)分層所使用的導(dǎo)電材料不同，而因此在不同材質(zhì)的顏色差異特性上可讓光線通過時(shí)有互補(bǔ)或干擾的作用，輔以改善蝕刻痕跡明顯的缺點(diǎn)。
[0008]為了達(dá)到上述的目的，本實(shí)用新型揭示了種觸控面板的電極層的結(jié)構(gòu)，其設(shè)置于一基板之上，其包含:一第一導(dǎo)電層；以及一第二導(dǎo)電層，設(shè)置于該第一導(dǎo)電層之上；其中，該第一導(dǎo)電層以及該第二導(dǎo)電層的材質(zhì)為金屬氧化物、導(dǎo)電高分子材料或者導(dǎo)電納米漿料，且該第一導(dǎo)電層以及該第二導(dǎo)電層的材質(zhì)不同。依此結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)布置，即可讓觸控面板得以在改善電極在低阻抗之際，一并排除存在明顯蝕刻痕跡的缺點(diǎn)。
[0009]上述技術(shù)方案中，其中該基板為玻璃、聚酯薄膜或塑料板。
[0010]上述技術(shù)方案中，其更包含一第三導(dǎo)電層，設(shè)置于該第二導(dǎo)電層之上。
[0011]上述技術(shù)方案中，其中該第三導(dǎo)電層的材質(zhì)，為金屬氧化物、導(dǎo)電高分子材料或者導(dǎo)電納米漿料，且該第一導(dǎo)電層、該第二導(dǎo)電層以及該第三導(dǎo)電層的材質(zhì)均不同。[0012]上述技術(shù)方案中，其中該第一導(dǎo)電層以及該第二導(dǎo)電層的厚度不大于30nm。
[0013]上述技術(shù)方案中，其中該第三導(dǎo)電層的厚度不大于30nm。
[0014]上述技術(shù)方案中，其中該金屬氧化物為銦錫氧化物、氧化鋅、鎵鋅氧化物、鋁鋅氧化物或氟錫氧化物。
[0015]上述技術(shù)方案中，其中該導(dǎo)電納米漿料包含復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)電納米粒子，該些導(dǎo)電納米粒子的形狀為圓球狀、線絲狀或扁平狀。
[0016]上述技術(shù)方案中，其中該基板為該觸控面板的上電極板或下電極板。
[0017]上述技術(shù)方案中，其中該觸控面板為電阻式、電容式或投射電容式。
[0018]實(shí)施本實(shí)用新型的有益效果:本實(shí)用新型針對觸控面板當(dāng)中的電極層結(jié)構(gòu)進(jìn)行改良，使原本使用單一材質(zhì)設(shè)置而為單一層面的電極層，在改利用不同材質(zhì)的堆棧設(shè)置之下，形成金屬氧化物層、導(dǎo)電高分子層以及導(dǎo)電納米漿料層的復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)電層組合結(jié)構(gòu)，其可以改善表面低阻抗的電極蝕刻痕跡。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明，附圖中:
[0020]圖1:其為先前技術(shù)的觸控面板結(jié)構(gòu)示意圖，用以表示其僅具有單一導(dǎo)電層面的電極層； [0021]圖2:其為本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的觸控面板結(jié)構(gòu)示意圖，用以表示其具有雙導(dǎo)電層面的電極層；
[0022]圖3A~3C:其為本實(shí)用新型中，由不同材料所構(gòu)成的導(dǎo)電層堆棧結(jié)構(gòu)示意圖；以及
[0023]圖4:其為本實(shí)用新型另一較佳實(shí)施例的觸控面板結(jié)構(gòu)示意圖，用以表示其具有三導(dǎo)電層面的電極層。
[0024]【圖號對照說明】
[0025]I 基板
[0026]11 上電極板
[0027]12 下電極板
[0028]2 導(dǎo)電層
[0029]21,22第一導(dǎo)電層
[0030]23,24第二導(dǎo)電層
[0031]25,26第三導(dǎo)電層
[0032]3 黏合層
[0033]4 阻隔點(diǎn)
[0034]51 金屬氧化物層
[0035]52 導(dǎo)電高分子層
[0036]53 導(dǎo)電納米漿料層。
【具體實(shí)施方式】
[0037]為使對本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)特征及所達(dá)成的功效有更進(jìn)一步的了解與認(rèn)識，用以較佳的實(shí)施例及附圖配合詳細(xì)的說明，說明如下:[0038]首先，請參考圖2，其揭示了本實(shí)用新型在觸控面板上應(yīng)用時(shí)所形成的結(jié)構(gòu)；如圖所不，其結(jié)構(gòu)包含上電極板11 ;下電極板12 ;第一導(dǎo)電層21、22 ;第二導(dǎo)電層23、24 ;黏合層3以及復(fù)數(shù)個(gè)阻隔點(diǎn)4。其中，上電極板11以及下電極板12分別位于觸控面板的上部電極以及下部電極等兩個(gè)部分，分別作為承載導(dǎo)電層的結(jié)構(gòu)。而以下部電極為例，第一導(dǎo)電層22設(shè)置于下電極板12 ;第二導(dǎo)電層24設(shè)置于第一導(dǎo)電層22之上，而此第二導(dǎo)電層24以及第一導(dǎo)電層22即組合構(gòu)成了本實(shí)用新型所指的電極層。黏合層3用以接合覆蓋有導(dǎo)電層的電極板11以及下電極板12，并區(qū)隔出一空間；而阻隔點(diǎn)(Dot Spacer) 4則是位于覆蓋有導(dǎo)電層的下電極板12之上，也就是下部電極之上。
[0039]前述上電極板11以及下電極板12皆為基板1，類型可為玻璃、聚酯薄膜(PETfiIm)或塑料板，但設(shè)置于其上的電路與電極則實(shí)為相同。
[0040]本實(shí)用新型的電極層并非為單一層面的結(jié)構(gòu)，而是至少由兩層的導(dǎo)電層所構(gòu)成，此第一導(dǎo)電層21、22與第二導(dǎo)電層23、24的區(qū)別在于其所使用的材質(zhì)并不相同，為依序設(shè)置而形成。第一導(dǎo)電層21、22與第二導(dǎo)電層23、24的材質(zhì)可為金屬氧化物、導(dǎo)電高分子材料或是導(dǎo)電納米漿料，這兩個(gè)導(dǎo)電層并不會同時(shí)選用相同的材質(zhì)。另外，上述不同材質(zhì)所構(gòu)的第一導(dǎo)電層21、22以及第二導(dǎo)電層23、24的厚度皆不大于30nm。
[0041]在上述的材質(zhì)中，金屬氧化物為銦錫氧化物(ITO)、氧化鋅(ZnO)、鎵鋅氧化物(GZO)、鋁鋅氧化物(AZO)或氟錫氧化物(FTO)等透明導(dǎo)電氧化物材料，其可透過物理濺射、涂布或蒸鍍等方式完成設(shè)置。在材質(zhì)種類的選用上，只要能滿足要求的規(guī)格，通過應(yīng)有的測試，并且考慮到可取得性、制程的便利兼容性和價(jià)格等因素，即可找出較合適的材質(zhì)。
[0042]導(dǎo)電納米漿料包含了復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)電納米粒子，粒徑約為數(shù)納米到數(shù)十納米，可透過涂布液或是黏結(jié)劑的搭配而設(shè)置于基板之上，形成透明的導(dǎo)電層。該些導(dǎo)電納米粒子的形狀可為圓球狀、線絲狀或扁平狀，其成分并不限定于是銅、銀等金屬類納米粒子，也可以是具有導(dǎo)電性的非金屬類納米粒子，例如納米碳管(Carbon Nanotubes, CNTs)。當(dāng)納米碳管薄薄地涂布在基板上時(shí)，也可以成為透明的導(dǎo)電層。
[0043]導(dǎo)電高分子材料具有既透明又導(dǎo)電的本質(zhì)，所以也可應(yīng)用于觸控面板作為電極層，同時(shí)其亦可承受很大程度的彎曲而不破裂。本實(shí)用新型所使用的導(dǎo)電高分子材料并不限定高分子的種類或是高分子的分子量多寡。
[0044]透過使用兩層的導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)，并選用金屬氧化物、導(dǎo)電高分子材料或是導(dǎo)電納米漿料等材料中其中的二者作為兩個(gè)導(dǎo)電層的材質(zhì)，形成如圖3A?3C所示的金屬氧化物層51 —導(dǎo)電高分子層52 /金屬氧化物層51—導(dǎo)電納米漿料層53 /導(dǎo)電高分子層52—導(dǎo)電納米漿料層53等組合(但不限于此些堆棧順序)，不但較使用單一材質(zhì)做為單一導(dǎo)電層的電極層結(jié)構(gòu)得以存在較低的阻抗，同時(shí)也可減少因蝕刻造成電極線路區(qū)與電極蝕刻區(qū)之間具有明顯蝕刻痕跡的問題。
[0045]本實(shí)用新型中的不同導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)具有顏色上調(diào)控的功能，透過顏色間的干擾或是互補(bǔ)作用，而進(jìn)一步讓蝕刻痕跡趨于不明顯。在一定的厚度之下，當(dāng)金屬氧化物以淡黃色呈現(xiàn)時(shí)，即可使用偏藍(lán)色的導(dǎo)電高分子進(jìn)行顏色上的調(diào)整，此時(shí)顏色先通過金屬氧化物構(gòu)成的導(dǎo)電層時(shí)，會先有大量黃光反射到眼睛，而等到光線到達(dá)偏藍(lán)色的導(dǎo)電高分子時(shí)，會反射出藍(lán)光，而藍(lán)光加上黃光就的互補(bǔ)結(jié)果就偏向白光。而又當(dāng)黃光遇到藍(lán)色層時(shí)，黃光同時(shí)亦會被反射被吸收或是減弱，達(dá)到干擾的目的。本實(shí)用新型透過不同材質(zhì)而顏色不同的導(dǎo)電層結(jié)合，使得各個(gè)導(dǎo)電層的厚度被精確控制之下，除了能夠降低阻抗，在使用者的觀看質(zhì)量上也相當(dāng)理想。
[0046]請參考圖4，本實(shí)用新型的另一實(shí)施例進(jìn)一步設(shè)置一第三導(dǎo)電層25、26，設(shè)置于該第二導(dǎo)電層22、24之上，使上部電極以及下部電極得以呈現(xiàn)三層的外觀。
[0047]在三層的結(jié)構(gòu)中，各個(gè)導(dǎo)電層的材質(zhì)亦是由金屬氧化物、導(dǎo)電高分子材料或是導(dǎo)電納米漿料所構(gòu)成，各個(gè)導(dǎo)電層使用不同的材料，透過使用雷射光、黃光蝕刻、壓印、印刷、轉(zhuǎn)印等方式進(jìn)行設(shè)置。另外，于此實(shí)施例中，不同材質(zhì)所構(gòu)的第一導(dǎo)電層21、22，第二導(dǎo)電層23,24以及第三導(dǎo)電層25、26的厚度也是不大于30nm。
[0048]在此些層面的堆棧的制作上，較佳地選擇考慮各層面的物化特性而做先后的區(qū)分；例如將需要高溫加工的金屬氧化物排列于第一層，接著涂布導(dǎo)電高分子或是導(dǎo)電納米漿料；而若是三層結(jié)構(gòu)，那就依序設(shè)置金屬氧化物、導(dǎo)電高分子以及導(dǎo)電納米漿料；這是考慮到導(dǎo)電納米漿料的化學(xué)及物理穩(wěn)定度比導(dǎo)電高分子來得強(qiáng)，所以將導(dǎo)電高分子置于中間層為較佳的選擇。而于蝕刻處理的操作上，則可選擇使用紅外線雷射于堆棧完成后做一次性蝕刻,但本實(shí)用新型并不限制為此種蝕刻方法。
[0049]透過本實(shí)用新型針對觸控面板當(dāng)中的電極層結(jié)構(gòu)進(jìn)行改良，使原本使用單一材質(zhì)設(shè)置而為單一層面的電極層，在改利用不同材質(zhì)的堆棧設(shè)置之下，形成金屬氧化物層、導(dǎo)電高分子層以及導(dǎo)電納米漿料層的復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)電層組合結(jié)構(gòu)，其可以改善表面阻抗低于60 Ω的電極蝕刻痕跡，但亦可以使用高于60 Ω的電極設(shè)計(jì)。
[0050]綜上所述，本實(shí)用新型詳細(xì)揭示了一種觸控面板的電極層的結(jié)構(gòu)，其利用不同材料架構(gòu)出多層導(dǎo)電層，以組合為一種新穎的觸控面板電極，可廣泛地應(yīng)用于電阻式、電容式或投射電容式觸控面板。且其利用控制每一層導(dǎo)電層的厚度不超過30nm的方式，加上每一層導(dǎo)電材料的顏色不同，進(jìn)而得以在改善電極在低阻抗之際，一并排除存在明顯蝕刻痕跡的缺點(diǎn)。在兼顧到低阻抗以及無蝕刻痕跡等多個(gè)優(yōu)點(diǎn)之下，總結(jié)而言，本實(shí)用新型無疑提供了一種充分展現(xiàn)經(jīng)濟(jì)價(jià)值的一種觸控面板的電極層的結(jié)構(gòu)。
[0051]應(yīng)當(dāng)理解的是，對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)上述說明加以改進(jìn)或變換，而所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本實(shí)用新型所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種觸控面板的電極層的結(jié)構(gòu)，該電極層設(shè)置于一基板之上，其特征在于，其包含: 一第一導(dǎo)電層；以及 一第二導(dǎo)電層，設(shè)置于該第一導(dǎo)電層之上； 其中，該第一導(dǎo)電層以及該第二導(dǎo)電層的材質(zhì)為金屬氧化物、導(dǎo)電高分子材料或者導(dǎo)電納米漿料，且該第一導(dǎo)電層以及該第二導(dǎo)電層的材質(zhì)不同。
2.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該基板為玻璃、聚酯薄膜或塑料板。
3.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，其更包含一第三導(dǎo)電層，設(shè)置于該第二導(dǎo)電層之上。
4.如權(quán)利要求3所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第三導(dǎo)電層的材質(zhì)，為金屬氧化物、導(dǎo)電高分子材料或者導(dǎo)電納米漿料，且該第一導(dǎo)電層、該第二導(dǎo)電層以及該第三導(dǎo)電層的材質(zhì)均不同。
5.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第一導(dǎo)電層以及該第二導(dǎo)電層的厚度不大于30nm。
6.如權(quán)利要求3所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第三導(dǎo)電層的厚度不大于30nm。
7.如權(quán)利要求1或4所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該金屬氧化物為銦錫氧化物、氧化鋅、鎵鋅氧化物、鋁鋅氧化物或氟錫氧化物。
8.如權(quán)利要求1或4所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該導(dǎo)電納米漿料包含復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)電納米粒子，該些導(dǎo)電納米粒子的形狀為圓球狀、線絲狀或扁平狀。
9.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該基板為該觸控面板的上電極板或下電極板。
10.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該觸控面板為電阻式、電容式或投射電容式。
【文檔編號】G06F3/045GK203746035SQ201320896192
【公開日】2014年7月30日 申請日期:2013年12月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月30日
【發(fā)明者】林榮豐 申請人:林榮豐