專利名稱：一種電容式內(nèi)嵌觸摸屏及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種電容式內(nèi)嵌觸摸屏及顯示裝置。
背景技術(shù)：
隨著小巧、便攜式電子設(shè)備的飛速發(fā)展,市場對觸摸屏(Touch Screen Panel)的需求與日俱增。目前，觸摸屏按照組成結(jié)構(gòu)可以分為:外掛式觸摸屏(Add on Mode TouchPanel)、覆蓋表面式觸摸屏(On Cell Touch Panel)、以及內(nèi)嵌式觸摸屏(In Cell TouchPanel)。其中,夕卜掛式觸摸屏是將觸摸屏與液晶顯示屏(Liquid Crystal Display, LCD)分開生產(chǎn)，然后貼合到一起成為具有觸摸功能的液晶顯示屏，外掛式觸摸屏存在制作成本較高、光透過率較低、模組較厚等缺點。而內(nèi)嵌式觸摸屏將觸摸屏的觸控電極內(nèi)嵌在液晶顯示屏內(nèi)部，可以減薄模組整體的厚度，又可以大大降低觸摸屏的制作成本，受到各大面板廠家青睞。目前的電容式內(nèi)嵌(in cell)觸摸屏是在現(xiàn)有的TFT (Thin Film Transistor,薄膜場效應(yīng)晶體管)陣列基板上直接另外增加觸控驅(qū)動信號線和觸控感應(yīng)信號線實現(xiàn)的，即在TFT陣列基板的表面制作兩層相互異面相交的條狀I(lǐng)TO (Indium Tin Oxides，銦錫金屬氧化物)電極，這兩層ITO電極分別作為觸摸屏的觸控驅(qū)動信號線和觸控感應(yīng)信號線，在兩條ITO電極的異面相交處形成感應(yīng)電容。其工作過程為:在對作為觸控驅(qū)動信號線的ITO電極加載觸控驅(qū)動信號時，檢測觸控感應(yīng)信號線通過感應(yīng)電容耦合出的電壓信號，在此過程中，有人體接觸觸 摸屏?xí)r，人體電場就會作用在感應(yīng)電容上，使感應(yīng)電容的電容值發(fā)生變化，進(jìn)而改變觸控感信號應(yīng)線耦合出的電壓信號，根據(jù)電壓信號的變化，就可以確定觸點位置。 上述電容式內(nèi)嵌觸摸屏的結(jié)構(gòu)設(shè)計，由于增加觸控驅(qū)動信號線和觸控感應(yīng)信號線，需要在現(xiàn)有的TFT陣列基板上增加新的膜層，導(dǎo)致在制作TFT陣列基板時需要增加新的工藝，使生產(chǎn)成本增加，不利于提高生產(chǎn)效率。

實用新型內(nèi)容本實用新型實施例提供了一種電容式內(nèi)嵌觸摸屏及顯示裝置，用以實現(xiàn)成本較低、生產(chǎn)效率較高的電容式內(nèi)嵌觸摸屏。本實用新型實施例提供的一種電容式內(nèi)嵌觸摸屏，包括具有數(shù)據(jù)信號線的薄膜晶體管TFT陣列基板，且在TFT陣列基板內(nèi)設(shè)有呈矩陣排列的多個像素單元；TFT陣列基板具有位于相鄰行的像素單元之間的觸控驅(qū)動信號線；TFT陣列基板中的至少一條數(shù)據(jù)信號線作為觸控讀取信號線；TFT陣列基板具有位于觸控讀取信號線和觸控驅(qū)動信號線交疊處所限定區(qū)域內(nèi)的觸控電極和觸控切換單元；觸控電極與相鄰的觸控驅(qū)動信號線電性相連，且通過觸控切換單元與相鄰的觸控讀取信號線電性相連；在顯示時間段，對觸控讀取信號線施加灰階信號，觸控切換單元處于關(guān)閉狀態(tài)；在觸控時間段，對觸控驅(qū)動信號線施加觸控驅(qū)動信號，觸控切換單元處于導(dǎo)通狀態(tài)，觸控驅(qū)動信號經(jīng)過觸控電極后輸出到觸控讀取信號線。本實用新型實施例提供的一種顯示裝置，包括本實用新型實施例提供的電容式內(nèi)嵌觸摸屏。本實用新型實施例的有益效果包括:本實用新型實施例提供的一種電容式內(nèi)嵌觸摸屏及顯示裝置，在TFT陣列基板中相鄰行的像素單元之間設(shè)置觸控驅(qū)動信號線；將TFT陣列基板中的至少一條數(shù)據(jù)信號線作為觸控讀取信號線；在觸控讀取信號線和觸控驅(qū)動信號線交疊處所限定區(qū)域內(nèi)設(shè)置觸控電極和觸控切換單元；觸控電極與相鄰的觸控驅(qū)動信號線電性相連，且通過觸控切換單元與相鄰的觸控讀取信號線電性相連。在顯示時間段，對觸控讀取信號線施加灰階信號，觸控切換單元處于關(guān)閉狀態(tài)；在觸控時間段，對觸控驅(qū)動信號線施加觸控驅(qū)動信號，觸控切換單元處于導(dǎo)通狀態(tài)，觸控驅(qū)動信號經(jīng)過觸控電極后輸出到觸控讀取信號線。由于使用數(shù)據(jù)信號線分時復(fù)用，作為觸控讀取信號線接收觸控電極耦合的電壓信號，實現(xiàn)觸控功能，在現(xiàn)有的TFT陣列基板制備工藝的基礎(chǔ)上，不需要增加額外的工藝即可制成觸摸屏，節(jié)省了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率。并且，使用數(shù)據(jù)信號線作為觸控讀取信號線，可以避免增加單獨(dú)控制觸控讀取信號線的驅(qū)動芯片1C，能節(jié)省制作成本。

圖1和圖2分別為本實用新型實施例提供的電容式內(nèi)嵌觸摸屏中TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實用新型實施例提供的一個像素單元的電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本實用新型實施例提供的觸摸屏的驅(qū)動時序示意圖；圖5為本實用新型實施例`提供的觸摸屏中的觸控電極和觸控子電極的分布示意圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖，對本實用新型實施例提供的電容式內(nèi)嵌觸摸屏及顯示裝置的具體實施方式
進(jìn)行詳細(xì)地說明。附圖中各層薄膜厚度和形狀不反映TFT陣列基板真實比例，目的只是示意說明本實用新型內(nèi)容。本實用新型實施例提供的一種電容式內(nèi)嵌觸摸屏，包括具有數(shù)據(jù)信號線的薄膜晶體管TFT陣列基板，如圖1所示，且在TFT陣列基板內(nèi)設(shè)有呈矩陣排列的多個像素單元01 ；TFT陣列基板具有位于相鄰行的像素單元之間的觸控驅(qū)動信號線02 ；TFT陣列基板中的至少一條數(shù)據(jù)信號線Data作為觸控讀取信號線03 ；TFT陣列基板具有位于觸控讀取信號線03和觸控驅(qū)動信號線02交疊處所限定區(qū)域內(nèi)的觸控電極04和觸控切換單元05 ;觸控電極04與相鄰的觸控驅(qū)動信號線02電性相連，且通過觸控切換單元05與相鄰的觸控讀取信號線03電性相連；在顯示時間段，所述觸控切換單元處于關(guān)閉狀態(tài)，對觸控讀取信號線施加灰階信號；在觸控時間段，觸控切換單元處于導(dǎo)通狀態(tài)，對觸控驅(qū)動信號線施加觸控驅(qū)動信號，觸控驅(qū)動信號經(jīng)過觸控電極后輸出到觸控讀取信號線。本實用新型實施例提供的上述電容式內(nèi)嵌觸摸屏，由于使用數(shù)據(jù)信號線分時復(fù)用，作為觸控讀取信號線接收觸控電極耦合的電壓信號，實現(xiàn)觸控功能，能在現(xiàn)有的TFT陣列基板制備工藝的基礎(chǔ)上，不需要增加額外的工藝即可制成觸摸屏，節(jié)省了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率。并且，使用數(shù)據(jù)信號線作為觸控讀取信號線，可以避免增加單獨(dú)控制觸控讀取信號線的驅(qū)動芯片1C，能節(jié)省制作成本。一般地，觸摸屏的觸控精度通常在毫米級，而TFT陣列基板的顯示精度通常在微米級，可以看出，觸摸屏所需的觸控驅(qū)動信號線和觸控讀取信號線比TFT陣列基板顯示所需的柵極信號線和數(shù)據(jù)信號線要少的多。因此，本實用新型實施例提供的上述觸摸屏在具體實施時，可以僅將各觸控驅(qū)動信號線之間的間距設(shè)置為相同；或者僅將各觸控讀取信號線之間的間距設(shè)置為相同；也可以將各觸控驅(qū)動信號線之間的間距設(shè)置為相同，同時各觸控讀取信號線之間的間距也設(shè)置為相同。例如以圖1所示為例，各觸控驅(qū)動信號線02之間間隔兩行像素單元01，各觸控讀取信號線03之間間隔兩列像素單元01。較佳地，在具體實施時，可以將各觸控驅(qū)動信號線之間的間距與各觸控讀取信號線之間的間距設(shè)置為相同，以統(tǒng)一觸摸屏的觸控精度。本實用新型實施例中所指的精度是指觸摸屏的一個觸控電極或者顯示屏的像素電極的尺寸。較佳地，本實用新型實施例提供的上述觸摸屏，在設(shè)置觸控驅(qū)動信號線時，可以將各觸控驅(qū)動信號線與TFT陣列基板中的柵極信號線同層設(shè)置且保證兩者相互絕緣，即在制備各柵極信號線的同時制備出與其相互絕緣的觸控驅(qū)動信號線，這樣，在制備TFT陣列基板時不需要增加額外的制備工序，只需要通過一次構(gòu)圖工藝即可形成柵極信號線和觸控驅(qū)動信號線的圖形，能夠節(jié)省制備成本，提升產(chǎn)品附加值。當(dāng)然也可以在不同膜層上分別制備柵極信號線和觸控驅(qū)動信號線，在此不做限定。進(jìn)一步地，本實用新型實施例提供的上述觸摸屏在具體實施時，如圖2所示，觸控切換單元05的具體結(jié)構(gòu)可以為第一 TFT器件Tl ;其中，第一 TFT器件Tl的柵極可以和觸控掃描信號線06電性相連，·漏極和觸控讀取信號線03電性相連，源極和觸控電極04電性相連。較佳地，觸控掃描信號線06的具體實現(xiàn)方式可以是將TFT陣列基板中與觸控驅(qū)動信號線02位于相同像素單元01之間的間隙處的柵極信號線Gate作為觸控掃描信號線06，也可以在TFT陣列基板中單獨(dú)設(shè)置觸控掃描信號線06。設(shè)置的觸控掃描信號線06的作用為控制觸控切換單元05的導(dǎo)通或關(guān)閉狀態(tài)，在觸控時間段，通過對各觸控掃描信號線06依次施加觸控掃描信號可以定位觸摸點的縱向坐標(biāo)即y方向坐標(biāo)，通過逐列檢測觸控讀取信號線03上的電壓信號變化可以得到觸摸點的橫向坐標(biāo)即X方向坐標(biāo)，從而實現(xiàn)觸控功能。此外,在具體實施時,還可以省去觸控掃描信號線06,將第一TFT器件Tl的柵極與觸控驅(qū)動信號線02相連，這樣，觸控驅(qū)動信號線02就具有控制觸控切換單元05的導(dǎo)通或關(guān)閉狀態(tài)的作用。同理，在觸控時間段，對各觸控驅(qū)動信號線02依次施加觸控驅(qū)動信號，就可以定位觸摸點的縱向坐標(biāo)即I方向坐標(biāo)通過逐列檢測觸控讀取信號線03上的電壓信號變化可以得到觸摸點的橫向坐標(biāo)即X方向坐標(biāo)，從而實現(xiàn)觸控功能。上述觸控切換單元05的具體結(jié)構(gòu)只是示意說明，當(dāng)然，觸控切換單元05的具體結(jié)構(gòu)也可以是其它結(jié)構(gòu)，在此不做限定。較佳地，本實用新型實施例提供的上述觸摸屏中的第一 TFT器件可以采用與陣列基板中連接像素電極和數(shù)據(jù)信號線的第二 TFT器件相同的LTPS (Low TemperaturePoly-slicon，低溫多晶硅)技術(shù)形成，這樣在現(xiàn)有的TFT陣列基板制備工藝的基礎(chǔ)上，不需要增加額外的工藝步驟即可制成觸摸屏，節(jié)省了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率。進(jìn)一步地，在具體實施時，作為觸控切換單元的第一 TFT器件會與TFT陣列基板中連接像素電極和數(shù)據(jù)信號線的第二 TFT器件組成反相器結(jié)構(gòu)。具體地，該反相器結(jié)構(gòu)可以是第一 TFT器件為P型TFT器件，第二 TFT器件為N型TFT器件。當(dāng)然，也可以是第一 TFT器件為N型TFT器件，第二 TFT器件為P型TFT器件，在此不作限定。下面以第一 TFT器件為P型TFT器件，第二 TFT器件為N型TFT器件為例對本實用新型實施例提供的觸摸屏的具體工作過程進(jìn)行詳細(xì)說明。例如，如圖3所示的一個像素單元的電路結(jié)構(gòu)示意圖，P型的第一 TFT器件Tl和N型的第二 TFT器件T2共用作為觸控掃描信號線的柵極信號線Gate以及作為觸控讀取信號線的數(shù)據(jù)信號線Data。圖3中電路結(jié)構(gòu)的驅(qū)動時序，如圖4所示，具體為:首先，將觸摸屏顯示每一幀的時間分成顯示時間段和觸控時間段，例如觸摸屏的顯示一幀的時間為16.7ms，選取其中5ms作為觸控時間段，其他的11.7ms作為顯示時間段，當(dāng)然也可以根據(jù)IC芯片的處理能力適當(dāng)?shù)恼{(diào)整兩者的時長，在此不做具體限定。在顯示時間段，對觸摸屏中的每條柵極信號線Gatel，Gate2......Gate η依次施加
的高電平的顯示掃描信號(為正值的電壓信號)。根據(jù)反相器的原理，此時N型的第二 TFT器件Τ2導(dǎo)通，P型的第一 TFT器件Tl處于關(guān)閉狀態(tài)；同時對數(shù)據(jù)信號線Data施加灰階信號，該灰階信號通過N型的第二 TFT器件T2加 載到顯示電容C2上，實現(xiàn)正常顯示。其中，顯示電容C2是由像素電極和公共電極形成的。這樣，即使在顯示階段觸控電極上帶有電壓信號，由于P型的第一 TFT器件Tl處于關(guān)閉狀態(tài)，觸控電容Cl上的電壓信號也不會輸出到數(shù)據(jù)信號線Data上，也就不會干擾正常顯示。在觸控時間段，對觸摸屏中的作為觸控掃描信號線的每條柵極信號線Gatel，Gate2……Gate η依次施加低電平的觸控掃描信號(為負(fù)值的電壓信號)，對每條觸控驅(qū)動信號線S1，S2……Sn施加觸控驅(qū)動信號，該觸控驅(qū)動信號可以和觸控掃描信號同步，當(dāng)然可以對每條觸控驅(qū)動信號線SI，S2……Sn同時施加觸控驅(qū)動信號，在此不做限定，該觸控驅(qū)動信號會加載到與其連接的觸控電極上。根據(jù)反相器的原理，此時，N型的第二 TFT器件T2處于關(guān)閉狀態(tài)，P型的第一 TFT器件Tl導(dǎo)通，觸控驅(qū)動信號經(jīng)過觸控電容Cl的作用后會輸出到觸控讀取信號線。觸控電容Cl是由觸控電極和公共電極形成的，當(dāng)有人體接觸觸摸屏?xí)r，人體電容△ C就會作用在觸控電容Cl上，使觸控電極上的電壓信號發(fā)生變化，進(jìn)而改變觸控讀取信號線接收到的電壓信號，通過逐列檢測觸控讀取信號線上的電壓信號變化可以得到觸摸點的橫向坐標(biāo)即X方向坐標(biāo)，而通過對觸控掃描信號線上依次加載的觸控掃描信號可以得到觸摸點的縱向坐標(biāo)即y方向坐標(biāo)，從而得到觸摸的位置，即實現(xiàn)觸控功能。在具體實施時，可以在現(xiàn)有的IC芯片基礎(chǔ)上，增加一個控制數(shù)據(jù)信號線的IC芯片以實現(xiàn)對輸出電壓信號的檢測，實現(xiàn)觸控功能。根據(jù)上述描述可知，利用反相器的原理，采用對柵極信號線加載不同的電壓信號的方式可以實現(xiàn)單一選擇導(dǎo)通與其連接的N型TFT器件，還是導(dǎo)通與其連接的P型TFT器件，以實現(xiàn)觸控和顯示的靈活切換。[0040]具體地，本實用新型實施例提供的上述觸摸屏，在觸控讀取信號線和觸控驅(qū)動信號線交疊處所限定區(qū)域內(nèi)設(shè)置觸控電極時，可以采用金屬或透明導(dǎo)電氧化物作為觸控電極的材料。較佳地，在具體實施時，每個觸控電極和像素電極可以異層設(shè)置。具體地，可以增加一層膜層，將觸控電極設(shè)置在像素電極的上方，但需要保證觸控電極在像素電極所在膜層上的投影與像素電極無交疊部分。當(dāng)然，若觸控電極的材料為透明導(dǎo)電氧化物，觸控電極也可以與TFT陣列基板中的像素電極同層制備且保證兩者相互絕緣。當(dāng)觸控電極和像素電極同層制備時，由于每個觸控電極都僅在觸控讀取信號線和觸控驅(qū)動信號線的交疊處所限定區(qū)域內(nèi)設(shè)置，為保證觸摸屏的開口率，每個觸控電極的面積會設(shè)置的比較小，這不利于提高觸控靈敏度。因此，較佳地，在本實用新型實施例提供的上述觸摸屏中，如圖5所示，還包括:與觸控電極04電性相連且位于相鄰像素單元01之間的間隙處的至少一個觸控子電極07。這樣，可以在保證觸摸屏的開口率的基礎(chǔ)上，盡量增加每個觸控電極的觸控面積，以提高觸控感應(yīng)的靈敏度?；谕粚嵱眯滦蜆?gòu)思，本實用新型實施例還提供了一種顯示裝置，包括本實用新型實施例提供的上述電容式內(nèi)嵌觸摸屏，該顯示裝置可以為:手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。該顯示裝置的實施可以參見上述電容式內(nèi)嵌觸摸屏的實施例，重復(fù)之處不再贅述。本實用新型實施例提供的一種電容式內(nèi)嵌觸摸屏及顯示裝置，在TFT陣列基板中相鄰行的像素單元之間設(shè)置觸控驅(qū)動信號線；將TFT陣列基板中的至少一條數(shù)據(jù)信號線作為觸控讀取信號線；在觸控讀取信號線和觸控驅(qū)動信號線交疊處所限定區(qū)域內(nèi)設(shè)置觸控電極和觸控切換單元；觸控電極與相鄰的觸控驅(qū)動信號線電性相連，且通過觸控切換單元與相鄰的觸控讀取信號線電性相連。在顯示時間段，對觸控讀取信號線施加灰階信號，觸控切換單元處于關(guān)閉狀態(tài)；在觸控時間段，對觸控驅(qū)動信號線施加觸控驅(qū)動信號，觸控切換單元處于導(dǎo)通狀態(tài)，觸控 驅(qū)動信號經(jīng)過觸控電極后輸出到觸控讀取信號線。由于使用數(shù)據(jù)信號線分時復(fù)用，作為觸控讀取信號線接收觸控電極耦合的電壓信號，實現(xiàn)觸控功能，在現(xiàn)有的TFT陣列基板制備工藝的基礎(chǔ)上，不需要增加額外的工藝即可制成觸摸屏，節(jié)省了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率。并且，使用數(shù)據(jù)信號線作為觸控讀取信號線，可以避免增加單獨(dú)控制觸控讀取信號線的驅(qū)動芯片1C，能節(jié)省制作成本。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本實用新型進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本實用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實用新型的這些修改和變型屬于本實用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實用新型也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種電容式內(nèi)嵌觸摸屏，包括具有數(shù)據(jù)信號線的薄膜晶體管TFT陣列基板，且在所述TFT陣列基板內(nèi)設(shè)有呈矩陣排列的多個像素單元，其特征在于， 所述TFT陣列基板具有位于相鄰行的像素單元之間的觸控驅(qū)動信號線； 所述TFT陣列基板中的至少一條數(shù)據(jù)信號線作為觸控讀取信號線； 所述TFT陣列基板具有位于所述觸控讀取信號線和所述觸控驅(qū)動信號線交疊處所限定區(qū)域內(nèi)的觸控電極和觸控切換單元；所述觸控電極與相鄰的觸控驅(qū)動信號線電性相連，且通過所述觸控切換單元與相鄰的觸控讀取信號線電性相連； 在顯示時間段，對所述觸控讀取信號線施加灰階信號，所述觸控切換單元處于關(guān)閉狀態(tài)；在觸控時間段，對所述觸控驅(qū)動信號線施加觸控驅(qū)動信號，所述觸控切換單元處于導(dǎo)通狀態(tài)，所述觸控驅(qū)動信號經(jīng)過所述觸控電極后輸出到觸控讀取信號線。
2.如權(quán)利要求1所述的電容式內(nèi)嵌觸摸屏，其特征在于，所述TFT陣列基板中，與所述觸控驅(qū)動信號線位于相同像素單元之間的間隙處的柵極信號線作為觸控掃描信號線； 所述觸控切 換單元為第一 TFT器件；其中，所述第一 TFT器件的柵極和所述觸控掃描信號線電性相連，漏極和所述觸控讀取信號線電性相連，源極和所述觸控電極電性相連； 所述第一 TFT器件與所述TFT陣列基板中連接像素電極和數(shù)據(jù)信號線的第二 TFT器件組成反相器結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求2所述的電容式內(nèi)嵌觸摸屏，其特征在于，所述第一TFT器件為P型TFT器件，所述第二 TFT器件為N型TFT器件。
4.如權(quán)利要求1所述的電容式內(nèi)嵌觸摸屏，其特征在于，各所述觸控驅(qū)動信號線之間的間距相同；和/或，所述觸控讀取信號線之間的間距相同。
5.如權(quán)利要求1所述的電容式內(nèi)嵌觸摸屏，其特征在于，各所述觸控驅(qū)動信號線與所述TFT陣列基板中的柵極信號線同層設(shè)置且相互絕緣。
6.如權(quán)利要求1所述的電容式內(nèi)嵌觸摸屏，其特征在于，所述觸控電極的材料為金屬或透明導(dǎo)電氧化物。
7.如權(quán)利要求6所述的電容式內(nèi)嵌觸摸屏，其特征在于，所述觸控電極的材料為透明導(dǎo)電氧化物；所述觸控電極與所述TFT陣列基板中的像素電極同層設(shè)置且相互絕緣。
8.如權(quán)利要求1-7任一項所述的電容式內(nèi)嵌觸摸屏，其特征在于，還包括:與所述觸控電極電性相連且位于相鄰像素單元之間的間隙處的至少一個觸控子電極。
9.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-8任一項所述的電容式內(nèi)嵌觸摸屏。
專利摘要本實用新型公開了一種電容式內(nèi)嵌觸摸屏及顯示裝置，在TFT陣列基板中相鄰行的像素單元之間設(shè)置觸控驅(qū)動信號線；將TFT陣列基板中的至少一條數(shù)據(jù)信號線作為觸控讀取信號線；在觸控讀取信號線和觸控驅(qū)動信號線交疊處設(shè)定區(qū)域內(nèi)設(shè)置觸控電極和觸控切換單元。對數(shù)據(jù)信號線實行分時復(fù)用，并將數(shù)據(jù)信號線作為觸控讀取信號線輸出觸控電極耦合的電壓信號，實現(xiàn)觸控功能，在現(xiàn)有的TFT陣列基板制備工藝的基礎(chǔ)上，不需要增加額外的工藝即可制成觸摸屏，節(jié)省了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率。并且，使用數(shù)據(jù)信號線作為觸控讀取信號線，可以避免增加單獨(dú)控制觸控讀取信號線的驅(qū)動芯片IC，能節(jié)省制作成本。
文檔編號G06F3/044GK203102245SQ20132011244
公開日2013年7月31日 申請日期2013年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月12日
發(fā)明者木素真, 胡明 申請人:合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司