存儲(chǔ)控制設(shè)備、存儲(chǔ)設(shè)備、信息處理系統(tǒng)及其處理方法
【專利摘要】提供了一種存儲(chǔ)控制設(shè)備，包括：讀取處理單元，其從存儲(chǔ)器單元陣列的特定區(qū)域讀取數(shù)據(jù)和反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息，所述反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息指示所述數(shù)據(jù)處于反轉(zhuǎn)狀態(tài)還是非反轉(zhuǎn)狀態(tài)，所述存儲(chǔ)器單元陣列的特定區(qū)域相關(guān)聯(lián)地用第一強(qiáng)度存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù)和反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息；以及寫入處理單元，其用與所述第一強(qiáng)度不同的第二強(qiáng)度，將通過反轉(zhuǎn)所述數(shù)據(jù)獲得的數(shù)據(jù)和通過將由所述反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息指示的狀態(tài)改變?yōu)橄喾礌顟B(tài)獲得的狀態(tài)寫入所述特定區(qū)域。
【專利說明】存儲(chǔ)控制設(shè)備、存儲(chǔ)設(shè)備、信息處理系統(tǒng)及其處理方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開涉及存儲(chǔ)控制設(shè)備。特別地，本公開涉及用于非易失性存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)控制設(shè)備、存儲(chǔ)設(shè)備、信息處理系統(tǒng)、其處理方法和指示計(jì)算機(jī)執(zhí)行該方法的程序。
【背景技術(shù)】
[0002]在信息處理系統(tǒng)中，使用DRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)等作為工作存儲(chǔ)器。這樣的DRAM通常是易失性存儲(chǔ)器，并且因此當(dāng)中斷電源時(shí)，存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的內(nèi)容丟失。另一方面，近年來已經(jīng)使用非易失性存儲(chǔ)器(NVM:非易失性存儲(chǔ)器)。這樣的非易失性存儲(chǔ)器廣泛地分為用于大數(shù)據(jù)量的數(shù)據(jù)存取的閃速存儲(chǔ)器和可以以小數(shù)據(jù)量高速隨機(jī)存取數(shù)據(jù)的非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(NVRAM:非易失性RAM)。這里，作為閃速存儲(chǔ)器的典型示例，可以例示NAND型閃速存儲(chǔ)器。另一方面，作為非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的示例，可以例示ReRAM(電阻 RAM)、PCRAM (相變 RAM)、MRAM (磁阻 RAM)等。
[0003]ReRAM是使用可變電阻元件的非易失性存儲(chǔ)器，存儲(chǔ)器不需要在數(shù)據(jù)寫入之前以塊為單位擦除數(shù)據(jù)，并且可以僅對(duì)其需要的頁面執(zhí)行直接重寫。這點(diǎn)是與存儲(chǔ)浮置柵極的電荷存儲(chǔ)量的閾值作為數(shù)據(jù)的NAND閃速存儲(chǔ)器等的不同。可變電阻元件可以以兩個(gè)狀態(tài)記錄I位的信息，兩個(gè)狀態(tài)是高電阻狀態(tài)(HRS:高電阻狀態(tài))和低電阻狀態(tài)(LRS:低電阻狀態(tài))。
[0004]另一方面，已經(jīng)提出了用于使用更高脈沖電壓執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入，以便延長這種非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)保持力的技術(shù)(例如，參照J(rèn)P2009-507327T)。根據(jù)使用這種高脈沖電壓的數(shù)據(jù)寫入，在延長這種寫入之后的數(shù)據(jù)保持力的同時(shí)，對(duì)于存儲(chǔ)器單元施加的壓力也增力口，因此耐久性劣化。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]在上述現(xiàn)有技術(shù)的技術(shù)中，通過調(diào)整脈沖電壓的強(qiáng)度，可以不同地使用兩個(gè)可用的存儲(chǔ)特性。然而，該現(xiàn)有技術(shù)的技術(shù)是當(dāng)新執(zhí)行程序或擦除時(shí)使用的技術(shù)，并且假設(shè)執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入一次之后特性不改變。
[0006]希望非易失性存儲(chǔ)器中寫入的靈活改變強(qiáng)度。
[0007]根據(jù)本公開的第一實(shí)施例，提供了一種存儲(chǔ)控制設(shè)備，包括:讀取處理單元，其從存儲(chǔ)器單元陣列的特定區(qū)域讀取數(shù)據(jù)和反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息，所述反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息指示所述數(shù)據(jù)處于反轉(zhuǎn)狀態(tài)還是非反轉(zhuǎn)狀態(tài)，所述存儲(chǔ)器單元陣列的特定區(qū)域相關(guān)聯(lián)地用第一強(qiáng)度存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù)和反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息；以及寫入處理單元，其用與所述第一強(qiáng)度不同的第二強(qiáng)度，將通過反轉(zhuǎn)所述數(shù)據(jù)獲得的數(shù)據(jù)和通過將由所述反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息指示的狀態(tài)改變?yōu)橄喾礌顟B(tài)獲得的狀態(tài)寫入所述特定區(qū)域。因此，實(shí)現(xiàn)改變非易失性存儲(chǔ)器中的寫入強(qiáng)度，同時(shí)保持?jǐn)?shù)據(jù)的邏輯狀態(tài)的效果。
[0008]根據(jù)本公開的第一實(shí)施例，所述存儲(chǔ)器單元陣列可以是可變電阻元件。所述第一強(qiáng)度可以是普通強(qiáng)度，其指示電阻高于預(yù)定閾值的高電阻狀態(tài)和電阻低于預(yù)定閾值的低電阻狀態(tài)之一。所述第二強(qiáng)度可以是這樣的強(qiáng)度，其對(duì)于高電阻狀態(tài)指示其中電阻高于所述第一強(qiáng)度的高電阻狀態(tài)的電阻的電阻狀態(tài)，并且對(duì)于低電阻狀態(tài)指示其中電阻低于所述第一強(qiáng)度的低電阻狀態(tài)的電阻的電阻狀態(tài)。因此，實(shí)現(xiàn)提升可變電阻元件的保持?jǐn)?shù)據(jù)的特性的效果。
[0009]根據(jù)本公開的第一實(shí)施例，所述存儲(chǔ)器單元陣列可以是可變電阻元件。所述第二強(qiáng)度可以是普通強(qiáng)度，其指示電阻高于預(yù)定閾值的高電阻狀態(tài)和電阻低于預(yù)定閾值的低電阻狀態(tài)之一。所述第一可以強(qiáng)度是這樣的強(qiáng)度，其對(duì)于高電阻狀態(tài)指示其中電阻高于所述第二強(qiáng)度的高電阻狀態(tài)的電阻的電阻狀態(tài)，并且對(duì)于低電阻狀態(tài)指示其中電阻低于所述第二強(qiáng)度的低電阻狀態(tài)的電阻的電阻狀態(tài)。因此，實(shí)現(xiàn)提升可變電阻元件的耐久性的效果。
[0010]根據(jù)本公開的第一實(shí)施例，所述存儲(chǔ)器單元陣列可以與所述數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)地存儲(chǔ)強(qiáng)度信息，所述強(qiáng)度信息指示用所述第一強(qiáng)度或第二強(qiáng)度存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù)。所述讀取處理單元可以與所述數(shù)據(jù)一起讀取所述強(qiáng)度信息。當(dāng)所述強(qiáng)度信息指示用所述第一強(qiáng)度存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù)時(shí)，所述寫入處理單元可以用所述第二強(qiáng)度，在特定區(qū)域中執(zhí)行通過反轉(zhuǎn)所述數(shù)據(jù)獲得的數(shù)據(jù)和通過將由所述反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息指示的狀態(tài)改變?yōu)橄喾礌顟B(tài)獲得的狀態(tài)的寫入，并且當(dāng)所述強(qiáng)度信息指示用所述第二強(qiáng)度存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù)時(shí)，可以不執(zhí)行寫入。因此，實(shí)現(xiàn)根據(jù)強(qiáng)度信息控制寫入強(qiáng)度的改變的效果。
[0011]根據(jù)本公開的第一實(shí)施例，當(dāng)所述反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息指示非反轉(zhuǎn)狀態(tài)時(shí)，所述寫入處理單元可以用所述第二強(qiáng)度，在特定區(qū)域中執(zhí)行通過反轉(zhuǎn)所述數(shù)據(jù)獲得的數(shù)據(jù)和作為反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息的指示反轉(zhuǎn)狀態(tài)的信息的寫入，并且當(dāng)所述反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息指示反轉(zhuǎn)狀態(tài)時(shí)，可以不執(zhí)行寫入。因此，實(shí)現(xiàn)根據(jù)反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息控制寫入強(qiáng)度的改變的效果。
[0012]根據(jù)本公開的第二實(shí)施例，提供了一種存儲(chǔ)設(shè)備，包括:存儲(chǔ)器單元陣列，其相關(guān)聯(lián)地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息，所述反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息指示所述數(shù)據(jù)處于反轉(zhuǎn)狀態(tài)還是非反轉(zhuǎn)狀態(tài)；讀取處理單元，其從所述存儲(chǔ)器單元陣列的特定區(qū)域讀取所述數(shù)據(jù)和反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息，所述存儲(chǔ)器單元陣列的特定區(qū)域用第一強(qiáng)度存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù)和反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息；以及寫入處理單元，其用與所述第一強(qiáng)度不同的第二強(qiáng)度，將通過反轉(zhuǎn)所述數(shù)據(jù)獲得的數(shù)據(jù)和通過將由所述反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息指示的狀態(tài)改變?yōu)橄喾礌顟B(tài)獲得的狀態(tài)寫入所述特定區(qū)域。因此，實(shí)現(xiàn)改變非易失性存儲(chǔ)器中的寫入強(qiáng)度，同時(shí)保持?jǐn)?shù)據(jù)的邏輯狀態(tài)的效果。
[0013]根據(jù)本公開的第三實(shí)施例，提供了一種信息處理系統(tǒng)，包括:存儲(chǔ)器單元陣列，其相關(guān)聯(lián)地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息，所述反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息指示所述數(shù)據(jù)處于反轉(zhuǎn)狀態(tài)還是非反轉(zhuǎn)狀態(tài)；主機(jī)計(jì)算機(jī)，其發(fā)出用于改變存儲(chǔ)強(qiáng)度的命令到所述存儲(chǔ)器單元陣列；讀取處理單元，其從所述存儲(chǔ)器單元陣列的特定區(qū)域讀取所述數(shù)據(jù)和反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息，所述存儲(chǔ)器單元陣列的特定區(qū)域用第一強(qiáng)度存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù)和反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息；以及寫入處理單元，其用與所述第一強(qiáng)度不同的第二強(qiáng)度，將通過反轉(zhuǎn)所述數(shù)據(jù)獲得的數(shù)據(jù)和通過將由所述反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息指示的狀態(tài)改變?yōu)橄喾礌顟B(tài)獲得的狀態(tài)寫入所述特定區(qū)域。因此，實(shí)現(xiàn)了根據(jù)用于改變存儲(chǔ)的命令，改變非易失性存儲(chǔ)器中的寫入強(qiáng)度，同時(shí)保持?jǐn)?shù)據(jù)的邏輯狀態(tài)的效果。
[0014]根據(jù)上述本技術(shù)的實(shí)施例，可以實(shí)現(xiàn)靈活地改變非易失性存儲(chǔ)器中的寫入強(qiáng)度的極好效果。
【專利附圖】

【附圖說明】[0015]圖1是示出根據(jù)本技術(shù)實(shí)施例的信息處理系統(tǒng)的總體配置示例的圖；
[0016]圖2是示出根據(jù)本技術(shù)實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器300的配置示例的圖；
[0017]圖3是示出根據(jù)本技術(shù)的第一實(shí)施例的存儲(chǔ)器單元陣列300的每個(gè)頁面的字段配置示例的圖；
[0018]圖4是用于描述可變電阻元件的設(shè)置操作的曲線圖；
[0019]圖5是用于描述可變電阻元件的重置操作的曲線圖；
[0020]圖6是用于描述可變電阻元件的強(qiáng)設(shè)置操作的曲線圖；
[0021]圖7是用于描述可變電阻元件的強(qiáng)重置操作的曲線圖；
[0022]圖8是示出根據(jù)本技術(shù)實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器300的寫入處理的過程示例的流程圖；
[0023]圖9是示出根據(jù)本技術(shù)的第一實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器300的到強(qiáng)寫入狀態(tài)的改變處理的過程示例的流程圖；
[0024]圖10是示出根據(jù)本技術(shù)的第一實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器300的到普通寫入狀態(tài)的改變處理的過程示例的流程圖；
[0025]圖11是示出根據(jù)本技術(shù)實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器300的讀取處理的過程示例的流程圖；
[0026]圖12是示出根據(jù)本技術(shù)的第二實(shí)施例的存儲(chǔ)器單元陣列310的每個(gè)頁面的字段配置示例的圖；
[0027]圖13是示出根據(jù)本技術(shù)的第二實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器300的到強(qiáng)寫入狀態(tài)的改變處理的過程示例的流程圖；以及
[0028]圖14是示出根據(jù)本技術(shù)的第二實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器300的到普通寫入狀態(tài)的改變處理的過程示例的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]下文中，將參照附圖詳細(xì)描述本公開的優(yōu)選實(shí)施例。注意，在本說明書和附圖中，具有基本相同功能和結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)元件用相同的參考標(biāo)號(hào)標(biāo)識(shí)，并且省略這些結(jié)構(gòu)元件的重復(fù)說明。
[0030]下文中，將描述用于實(shí)施本技術(shù)的實(shí)施例(下文中，稱為實(shí)施例)。將按以下順序提供描述。
[0031]1.第一實(shí)施例(其中使用反轉(zhuǎn)標(biāo)記和強(qiáng)寫入標(biāo)記的示例)
[0032]2.第二實(shí)施例(其中反轉(zhuǎn)標(biāo)記兼做強(qiáng)寫入標(biāo)記的示例)
[0033]3.修改示例(其中指定大小的示例)
[0034]〈1.第一實(shí)施例>
[0035][信息處理系統(tǒng)的配置]
[0036]圖1是示出根據(jù)本技術(shù)實(shí)施例的信息處理系統(tǒng)的總體配置示例的圖。該信息處理系統(tǒng)包括處理器110、DRAM120、非易失性存儲(chǔ)器(NVM) 300和存儲(chǔ)器控制器200。非易失性存儲(chǔ)器300和存儲(chǔ)器控制器200包括在存儲(chǔ)器模塊400中。存儲(chǔ)器模塊400是權(quán)利要求中描述的存儲(chǔ)設(shè)備的示例。此外，處理器110是權(quán)利要求中描述的主機(jī)計(jì)算機(jī)的示例。
[0037]處理器110是通過運(yùn)行各種程序進(jìn)行信息處理的處理設(shè)備。該處理器110通過重復(fù)使用DRAM120的存儲(chǔ)區(qū)域作為工作區(qū)域的數(shù)據(jù)加載或存儲(chǔ)，運(yùn)行程序。此外，處理器110經(jīng)由存儲(chǔ)器控制器200存取NVM300中存儲(chǔ)的各種數(shù)據(jù)。
[0038]DRAMl20是用作處理器110的主存儲(chǔ)設(shè)備的易失性存儲(chǔ)器。該DRAM120存儲(chǔ)處理器110運(yùn)行程序所需的數(shù)據(jù)。
[0039]非易失性存儲(chǔ)器300是用作處理器110的輔助存儲(chǔ)設(shè)備的非易失性存儲(chǔ)器。通過存儲(chǔ)器控制器200的控制存取該非易失性存儲(chǔ)器300?？梢杂砷W速存儲(chǔ)器或由非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(NVRAM)配置非易失性存儲(chǔ)器300。該非易失性存儲(chǔ)器300可以應(yīng)用于SnD(存儲(chǔ)和下載)模式和XIP (片內(nèi)執(zhí)行)模式兩者。在SnD模式中，處理器110經(jīng)由DRAM120存取非易失性存儲(chǔ)器300中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。因此，非易失性存儲(chǔ)器300中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)首先傳送到DRAM120，然后作為存儲(chǔ)器空間存取。另一方面，在XIP模式中，非易失性存儲(chǔ)器300中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)可以作為處理器110的存儲(chǔ)器空間存取而沒有改變。在XIP模式中，DRAM120本身可以通過允許非易失性存儲(chǔ)器300覆蓋DRAM120的角色而省略。
[0040]存儲(chǔ)器控制器200控制非易失性存儲(chǔ)器300，并且連接處理器110和非易失性存儲(chǔ)器300。存儲(chǔ)器控制器200具有用于在非易失性存儲(chǔ)器300之間傳送數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)緩沖器。該數(shù)據(jù)緩沖器可以實(shí)現(xiàn)為存儲(chǔ)器控制器200的外部存儲(chǔ)器設(shè)備，或者實(shí)現(xiàn)為內(nèi)部存儲(chǔ)器。
[0041][非易失性存儲(chǔ)器的配置]
[0042]圖2是示出根據(jù)本技術(shù)實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器300的配置示例的圖。該非易失性存儲(chǔ)器300包括存儲(chǔ)器單元陣列310、控制單元320、地址寄存器330、命令寄存器340、地址解碼器350、緩沖器360、反轉(zhuǎn)控制單元370和外部接口(I/F) 390。
[0043]存儲(chǔ)器單元陣列310是其中以網(wǎng)格形狀排列存儲(chǔ)器單元陣列的陣列，存儲(chǔ)器單元陣列保持每個(gè)位的預(yù)定狀態(tài)。存儲(chǔ)器單元陣列310的存儲(chǔ)器單元陣列形成由可變電阻元件配置的電阻改變存儲(chǔ)器?？勺冸娮柙梢砸詢蓚€(gè)狀態(tài)記錄I位的數(shù)據(jù)，兩個(gè)狀態(tài)為高電阻狀態(tài)(HRS:高電阻狀態(tài))和低電阻狀態(tài)(LRS:低電阻狀態(tài))。具有“O”或“I”的任一狀態(tài)的任一電阻狀態(tài)的關(guān)聯(lián)是任意的，但是下文中將通過設(shè)置HRS的邏輯狀態(tài)為“I”并且LRS的邏輯狀態(tài)為“O”提供描述。
[0044]存儲(chǔ)器單元陣列310包括多個(gè)頁面。在每個(gè)頁面中，如圖3所示記錄數(shù)據(jù)311、反轉(zhuǎn)標(biāo)記312和強(qiáng)寫入標(biāo)記313。對(duì)于數(shù)據(jù)311，例如，假設(shè)32位數(shù)據(jù)為一個(gè)字的數(shù)據(jù)。
[0045]反轉(zhuǎn)標(biāo)記312指示相應(yīng)的數(shù)據(jù)311是否以轉(zhuǎn)換狀態(tài)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元陣列310中。反轉(zhuǎn)標(biāo)記312與“O”或“I”的任一狀態(tài)的關(guān)聯(lián)也是任意的。例如，如果以非反轉(zhuǎn)狀態(tài)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)311，那么反轉(zhuǎn)標(biāo)記312可以清除為“0”，并且如果以反轉(zhuǎn)狀態(tài)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)311，那么反轉(zhuǎn)標(biāo)記312可以維持為“I”。該反轉(zhuǎn)標(biāo)記312是權(quán)利要求中描述的反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息的示例。應(yīng)該注意，對(duì)于反轉(zhuǎn)標(biāo)記312，I位的反轉(zhuǎn)標(biāo)記312邏輯上對(duì)于一個(gè)數(shù)據(jù)塊311是足夠的，但是其可以設(shè)計(jì)為具有多個(gè)位，以便提升可靠性。
[0046]強(qiáng)寫入標(biāo)記313指示相應(yīng)數(shù)據(jù)311是否以強(qiáng)寫入狀態(tài)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元陣列310中。強(qiáng)寫入狀態(tài)是在高電阻狀態(tài)(強(qiáng)HRS)的情況下電平高于普通狀態(tài)的電阻狀態(tài)，并且是在低電阻狀態(tài)(強(qiáng)LRS)的情況下電平低于普通狀態(tài)的電阻狀態(tài)，如下面將描述的。強(qiáng)寫入標(biāo)記313與“O”或“I”的任一狀態(tài)的關(guān)聯(lián)也是任意的。例如，如果數(shù)據(jù)311沒有以強(qiáng)寫入狀態(tài)存儲(chǔ)，那么強(qiáng)寫入標(biāo)記313可以清除為“0”，并且如果數(shù)據(jù)311以強(qiáng)寫入狀態(tài)存儲(chǔ)，那么強(qiáng)寫入標(biāo)記313可以維持為“I”。該強(qiáng)寫入標(biāo)記313是權(quán)利要求中描述的強(qiáng)度信息的示例。應(yīng)該注意，對(duì)于強(qiáng)寫入標(biāo)記313，I位的強(qiáng)寫入標(biāo)記313邏輯上對(duì)于一個(gè)數(shù)據(jù)塊311是足夠的，但是其可以設(shè)計(jì)為具有多個(gè)位，以便提升可靠性。
[0047]控制單元320是控制非易失性存儲(chǔ)器300中包括的每個(gè)塊的控制器。該控制單元320接收來自命令寄存器340的命令，并且輸出控制信號(hào)到存儲(chǔ)器單元陣列310。此外，控制單元320輸出控制信號(hào)到反轉(zhuǎn)控制單元370，以便控制緩沖器360的反轉(zhuǎn)或非反轉(zhuǎn)。應(yīng)該注意，控制單元320是權(quán)利要求中描述的讀取處理單元或?qū)懭胩幚韱卧氖纠?br> [0048]地址寄存器330是接收由外部I/F390指示的寫入地址或讀取地址，然后臨時(shí)保持地址的寄存器。地址寄存器330中保持的地址提供到地址解碼器350。
[0049]命令寄存器340是接收由外部I/F390指示的命令，然后臨時(shí)保持命令的寄存器。命令寄存器340中保持的命令提供到控制單元320。作為命令寄存器340中保持的命令，例如假設(shè)用于指示在存儲(chǔ)器單元陣列310中寫入寫入數(shù)據(jù)的寫入命令，以及用于從存儲(chǔ)器單元陣列310讀取讀取數(shù)據(jù)的讀取命令。此外，在本實(shí)施例中，還包括用于將普通寫入狀態(tài)改變?yōu)閺?qiáng)寫入狀態(tài)的改變命令，以及用于將強(qiáng)寫入狀態(tài)改變?yōu)槠胀▽懭霠顟B(tài)的改變命令。
[0050]地址解碼器350解碼從地址寄存器330提供的地址，并且設(shè)置對(duì)應(yīng)于該地址的存儲(chǔ)器單元陣列310的頁面區(qū)域作為存取目標(biāo)。
[0051]緩沖器360是用于存取時(shí)存儲(chǔ)器單元陣列310的頁面區(qū)域的緩沖器。例如，作為寫入存取期間存儲(chǔ)器單元陣列310上的寫入目標(biāo)的寫入數(shù)據(jù)保持在其中。此外，讀取存取期間從存儲(chǔ)器單元陣列310讀取的讀取數(shù)據(jù)保持在其中。該緩沖器360還保持對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)311的反轉(zhuǎn)標(biāo)記312和強(qiáng)寫入標(biāo)記313，如圖3所示。
[0052]反轉(zhuǎn)控制單元370根據(jù)來自控制單元320的指令指示緩沖器360反轉(zhuǎn)保持的數(shù)據(jù)。應(yīng)該注意，該反轉(zhuǎn)控制單元370是權(quán)利要求中描述的寫入處理單元的示例。
[0053]外部接口 390是用于與存儲(chǔ)器控制器200的數(shù)據(jù)交換的接口。
[0054][可變電阻元件的狀態(tài)轉(zhuǎn)變]
[0055]圖4是用于描述可變電阻元件的設(shè)置操作的曲線圖。如上所述，可變電阻元件設(shè)為高電阻狀態(tài)(HRS)和低電阻狀態(tài)(LRS)的兩個(gè)狀態(tài)的任一。如果曲線圖的水平軸指示電阻值，并且其垂直軸指示累積位的相對(duì)數(shù)目，那么電阻值的分布分為低值部分和高值部分。低電阻值的部分處于LRS中，并且高電阻值的部分處于HRS中。如圖所示，通過使得電流在存儲(chǔ)器單元中流動(dòng)從HRS到LRS的狀態(tài)轉(zhuǎn)變的操作稱為設(shè)置操作。在此情況下，為了在執(zhí)行設(shè)置操作之后驗(yàn)證是否正常地完成設(shè)置操作，使用在低電阻側(cè)而不是兩個(gè)分布的中央提供的設(shè)置驗(yàn)證閾值R_verify (設(shè)置)。當(dāng)驗(yàn)證失敗時(shí)，再次嘗試設(shè)置操作。
[0056]圖5是用于描述可變電阻元件的重置操作的曲線圖。如圖所示，通過使得電流在與設(shè)置操作的方向相反的方向在存儲(chǔ)器單元中流動(dòng)從LRS到HRS的狀態(tài)轉(zhuǎn)變的操作稱為重置操作。在此情況下，為了在執(zhí)行重置操作之后驗(yàn)證是否正常地完成重置操作，使用在高電阻側(cè)而不是兩個(gè)分布的中央提供的重置驗(yàn)證閾值R_verify (重置)。當(dāng)驗(yàn)證失敗時(shí)，再次嘗試重置操作。
[0057]圖6是用于描述可變電阻元件的強(qiáng)設(shè)置操作的曲線圖。如上所述，在可變電阻元件中，在HRS和LRS的兩種狀態(tài)下可能出現(xiàn)其電阻強(qiáng)于通常的寫入狀態(tài)。該曲線圖示出當(dāng)電阻狀態(tài)設(shè)為比LRS中更低電阻狀態(tài)時(shí)的強(qiáng)LRS。通過比普通設(shè)置操作進(jìn)一步擴(kuò)展設(shè)置期間的施加電壓脈沖的大小或?qū)挾?，?shí)現(xiàn)該強(qiáng)LRS。在此情況下，為了在執(zhí)行強(qiáng)設(shè)置操作之后驗(yàn)證是否正常地完成強(qiáng)設(shè)置操作，使用在低電阻側(cè)提供的強(qiáng)設(shè)置驗(yàn)證閾值R_verify (強(qiáng)設(shè)置)而不是設(shè)置驗(yàn)證閾值。當(dāng)驗(yàn)證失敗時(shí)，再次嘗試強(qiáng)設(shè)置操作。
[0058]圖7是用于描述可變電阻元件的強(qiáng)重置操作的曲線圖。該曲線圖示出當(dāng)電阻狀態(tài)設(shè)為比HRS中更高電阻狀態(tài)時(shí)的強(qiáng)HRS。通過比普通重置操作進(jìn)一步擴(kuò)展重置期間的施加電壓脈沖的大小或?qū)挾?，?shí)現(xiàn)該強(qiáng)HRS。在此情況下，為了在執(zhí)行強(qiáng)重置操作之后驗(yàn)證是否正常地完成強(qiáng)重置操作，使用在高電阻側(cè)提供的強(qiáng)重置驗(yàn)證閾值R_verify (強(qiáng)重置)而不是重置驗(yàn)證閾值。當(dāng)驗(yàn)證失敗時(shí)，再次嘗試強(qiáng)重置操作。
[0059]由強(qiáng)設(shè)置操作和強(qiáng)重置操作導(dǎo)致的強(qiáng)LRS和強(qiáng)HRS統(tǒng)稱為強(qiáng)寫入狀態(tài)。在強(qiáng)寫入狀態(tài)下的存儲(chǔ)器單元中，因?yàn)榕c由普通設(shè)置操作或普通重置操作導(dǎo)致的LRS和HRS相比，電阻值不容易反轉(zhuǎn)，所以可以延長數(shù)據(jù)保持特性。另一方面，因?yàn)樵趶?qiáng)寫入狀態(tài)下施加在存儲(chǔ)器單元上的壓力增加，并且耐久性劣化，所以存在電阻狀態(tài)返回普通寫入狀態(tài)的情況。
[0060]為了設(shè)置在強(qiáng)寫入狀態(tài)，需要從HRS到強(qiáng)LRS或從LRS到強(qiáng)HRS的轉(zhuǎn)變。另一方面，為了從強(qiáng)寫入狀態(tài)返回普通寫入狀態(tài)，需要從強(qiáng)HRS到LRS或從強(qiáng)LRS到HRS的轉(zhuǎn)變。換句話說，為了進(jìn)行強(qiáng)寫入狀態(tài)到普通寫入狀態(tài)之間的狀態(tài)改變，需要從HRS和LRS的兩個(gè)狀態(tài)中的當(dāng)前狀態(tài)到不同狀態(tài)的轉(zhuǎn)變操作。為此，如果進(jìn)行強(qiáng)寫入狀態(tài)和普通寫入狀態(tài)之間的狀態(tài)改變，而不改變“O”或“ I”的邏輯狀態(tài)，在相關(guān)技術(shù)中技術(shù)中需要包括設(shè)置和重置的兩個(gè)操作。因此，在該實(shí)施例中，當(dāng)進(jìn)行強(qiáng)寫入狀態(tài)和普通寫入狀態(tài)之間的狀態(tài)改變時(shí)，通過倒轉(zhuǎn)反轉(zhuǎn)標(biāo)記312的內(nèi)容，反轉(zhuǎn)邏輯狀態(tài)的解釋，因此設(shè)置或重置操作的數(shù)目可以抑制為執(zhí)行一次。
[0061][非易失性存儲(chǔ)器的操作]
[0062]圖8是示出根據(jù)本技術(shù)實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器300的寫入處理的過程示例的流程圖。
[0063]當(dāng)從處理器110發(fā)出寫入命令時(shí)，寫入命令保持在命令寄存器340中，寫入地址保持在地址寄存器330中，并且寫入數(shù)據(jù)保持在緩沖器360中(步驟S911)。
[0064]然后，反轉(zhuǎn)控制單元370清除緩沖器360的反轉(zhuǎn)標(biāo)記為指示非反轉(zhuǎn)狀態(tài)的“O” (步驟S912)。此外，反轉(zhuǎn)控制單元370清除緩沖器360的強(qiáng)寫入標(biāo)記為指示數(shù)據(jù)不以強(qiáng)寫入狀態(tài)存儲(chǔ)的狀態(tài)的“O”(步驟S913)。
[0065]此后，如上所述在緩沖器360中準(zhǔn)備的寫入數(shù)據(jù)、反轉(zhuǎn)標(biāo)記和強(qiáng)寫入標(biāo)記以普通寫入狀態(tài)寫入存儲(chǔ)器單元陣列310 (步驟S914)。在此情況下，其上寫入數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器單元處于HRS或LRS的任一狀態(tài)。
[0066]圖9是示出根據(jù)本技術(shù)的第一實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器300的到強(qiáng)寫入狀態(tài)的改變處理的過程示例的流程圖。
[0067]當(dāng)從處理器110發(fā)出到強(qiáng)寫入狀態(tài)的改變命令時(shí)，強(qiáng)寫入狀態(tài)改變命令保持在命令寄存器340中，并且改變目標(biāo)地址保持在地址寄存器330中(步驟S921)。
[0068]然后，從對(duì)應(yīng)于改變目標(biāo)地址的存儲(chǔ)器單元陣列310的區(qū)域執(zhí)行數(shù)據(jù)讀取，并且該數(shù)據(jù)保持在緩沖器360中(步驟S922)。換句話說，緩沖器360保持讀取數(shù)據(jù)、反轉(zhuǎn)標(biāo)記和強(qiáng)寫入標(biāo)記。在此情況下，當(dāng)緩沖器360中保持的強(qiáng)寫入標(biāo)記清除為指示以強(qiáng)寫入狀態(tài)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的狀態(tài)的“I”時(shí)(步驟S923:否)，到強(qiáng)寫入狀態(tài)的改變處理結(jié)束。另一方面，當(dāng)緩沖器360中保持的強(qiáng)寫入標(biāo)記清除為指示未以強(qiáng)寫入狀態(tài)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的狀態(tài)的“O”時(shí)(步驟S923:是)，以下處理繼續(xù)。
[0069]反轉(zhuǎn)控制單元370反轉(zhuǎn)緩沖器360中保持的反轉(zhuǎn)標(biāo)記的內(nèi)容(步驟S924)。此外，反轉(zhuǎn)控制單元370反轉(zhuǎn)緩沖器360中存儲(chǔ)的讀取數(shù)據(jù)(步驟S925)。此外，反轉(zhuǎn)控制單元370維持緩沖器360中保持的強(qiáng)寫入標(biāo)記為指示以強(qiáng)寫入狀態(tài)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的狀態(tài)的“I”。
[0070]此后，以此方式在緩沖器360中準(zhǔn)備的讀取數(shù)據(jù)、反轉(zhuǎn)標(biāo)記和強(qiáng)寫入標(biāo)記以強(qiáng)寫入狀態(tài)寫入存儲(chǔ)器單元陣列310中(步驟S927)。在此情況下，其中寫入數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器單元處于強(qiáng)HRS或強(qiáng)LRS的任一狀態(tài)，即強(qiáng)寫入狀態(tài)。
[0071]圖10是示出根據(jù)本技術(shù)的第一實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器300的到普通寫入狀態(tài)的改變處理的過程示例的流程圖。
[0072]當(dāng)從處理器110發(fā)出到普通寫入狀態(tài)的改變命令時(shí)，到普通寫入狀態(tài)改變命令保持在命令寄存器340中，并且改變目標(biāo)地址保持在地址寄存器330中(步驟S931)。
[0073]然后，從存儲(chǔ)器單元陣列310的對(duì)應(yīng)于改變目標(biāo)地址的區(qū)域執(zhí)行數(shù)據(jù)讀取，然后該數(shù)據(jù)保持在緩沖器360中(步驟S932)。換句話說，緩沖器360保持讀取數(shù)據(jù)、反轉(zhuǎn)標(biāo)記和強(qiáng)寫入標(biāo)記。在此情況下，如果緩沖器360中保持的強(qiáng)寫入標(biāo)記清除為指示未以強(qiáng)寫入狀態(tài)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的“O”時(shí)(步驟S933:否)，則到普通寫入狀態(tài)的改變處理結(jié)束。另一方面，如果緩沖器360中保持的強(qiáng)寫入標(biāo)記維持為指示以強(qiáng)寫入狀態(tài)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的“I”時(shí)(步驟S933:是)，則以下處理繼續(xù)。
[0074]反轉(zhuǎn)控制單元370反轉(zhuǎn)緩沖器360中保持的反轉(zhuǎn)標(biāo)記的內(nèi)容(步驟S934)。此外，反轉(zhuǎn)控制單元370反轉(zhuǎn)緩沖器360中存儲(chǔ)的讀取數(shù)據(jù)(步驟S935)。此外，反轉(zhuǎn)控制單元370清除緩沖器360中保持的強(qiáng)寫入標(biāo)記為指示未以強(qiáng)寫入狀態(tài)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的狀態(tài)的“O”。
[0075]此后，以此方式在緩沖器360中準(zhǔn)備的讀取數(shù)據(jù)、反轉(zhuǎn)標(biāo)記和強(qiáng)寫入標(biāo)記以普通寫入狀態(tài)寫入存儲(chǔ)器單元陣列310中(步驟S937)。在此情況下，其中寫入數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器單元處于HRS或LRS的任一狀態(tài)，即普通寫入狀態(tài)。
[0076]圖11是示出根據(jù)本技術(shù)實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器300的讀取處理的過程示例的流程圖。
[0077]當(dāng)從處理器110發(fā)出讀取命令時(shí)，讀取命令保持在命令寄存器340中，并且讀取地址保持在地址寄存器330中(步驟S941)。
[0078]然后，從存儲(chǔ)器單元陣列310的對(duì)應(yīng)于讀取地址的區(qū)域執(zhí)行數(shù)據(jù)讀取，然后數(shù)據(jù)保持在緩沖器360中(步驟S942)。換句話說，緩沖器360保持讀取數(shù)據(jù)和反轉(zhuǎn)標(biāo)記。應(yīng)該注意，在讀取處理中，始終不需要強(qiáng)寫入標(biāo)記，但是可以同時(shí)由緩沖器360讀取。
[0079]此時(shí)，如果緩沖器360中保持的反轉(zhuǎn)標(biāo)記維持為指示數(shù)據(jù)反轉(zhuǎn)的狀態(tài)的“I” (步驟S943:是)，則反轉(zhuǎn)控制單元370反轉(zhuǎn)緩沖器360中保持的讀取數(shù)據(jù)(步驟S944)。另一方面，如果緩沖器360中保持的反轉(zhuǎn)標(biāo)記清除為指示數(shù)據(jù)未反轉(zhuǎn)的狀態(tài)的“O”(步驟S943:否)，則不反轉(zhuǎn)讀取數(shù)據(jù)。
[0080]此后，以此方式在緩沖器360中準(zhǔn)備的讀取數(shù)據(jù)經(jīng)由外部I/F390輸出到存儲(chǔ)器控制器200 (步驟S945)。
[0081]以此方式，根據(jù)第一實(shí)施例，當(dāng)在強(qiáng)寫入狀態(tài)和普通寫入狀態(tài)進(jìn)行狀態(tài)改變時(shí)，通過倒轉(zhuǎn)反轉(zhuǎn)標(biāo)記312的內(nèi)容反轉(zhuǎn)邏輯狀態(tài)的解釋，從而設(shè)置或重置操作的數(shù)目可以抑制為執(zhí)行一次。換句話說，當(dāng)在強(qiáng)寫入狀態(tài)和普通寫入狀態(tài)進(jìn)行狀態(tài)改變時(shí)，存儲(chǔ)器單元中的寫入數(shù)目可以減半。此外，當(dāng)在強(qiáng)寫入狀態(tài)和普通寫入狀態(tài)進(jìn)行狀態(tài)改變時(shí)，不伴隨從存儲(chǔ)器控制器200的數(shù)據(jù)接收，因此可以實(shí)現(xiàn)快速狀態(tài)改變。
[0082]<2.第二實(shí)施例>
[0083]在上述第一實(shí)施例中，使用反轉(zhuǎn)標(biāo)記和強(qiáng)寫入標(biāo)記兩者執(zhí)行反轉(zhuǎn)控制和強(qiáng)度控制，但是在第二實(shí)施例中，通過將強(qiáng)寫入標(biāo)記的功能分配給反轉(zhuǎn)標(biāo)記，簡化控制。應(yīng)該注意，信息處理系統(tǒng)的總體配置和非易失性存儲(chǔ)器300的配置與參照?qǐng)D1和2描述的那些相同。
[0084][非易失性存儲(chǔ)器的配置]
[0085]圖12是示出根據(jù)本技術(shù)的第二實(shí)施例的存儲(chǔ)器單元陣列310的每個(gè)頁面的字段配置示例的圖。在該第二實(shí)施例中，每個(gè)頁面存儲(chǔ)數(shù)據(jù)311和反轉(zhuǎn)標(biāo)記312。換句話說，配置為省略第一實(shí)施例的強(qiáng)寫入標(biāo)記313。
[0086]在第二實(shí)施例中，反轉(zhuǎn)標(biāo)記312指示相應(yīng)的數(shù)據(jù)311是否以反轉(zhuǎn)的狀態(tài)存儲(chǔ)在儲(chǔ)存器單元陣列310中，并且指示數(shù)據(jù)是否以強(qiáng)寫入狀態(tài)存儲(chǔ)。同樣在此情況下，標(biāo)記與“O”或“I”的任一狀態(tài)的關(guān)聯(lián)是任意的。例如，如果數(shù)據(jù)311以非反轉(zhuǎn)狀態(tài)存儲(chǔ)，并且以強(qiáng)寫入狀態(tài)存儲(chǔ)，則反轉(zhuǎn)標(biāo)記可以清除為“O”。此外，如果數(shù)據(jù)311以反轉(zhuǎn)狀態(tài)存儲(chǔ)，并且以強(qiáng)寫入狀態(tài)存儲(chǔ)，則反轉(zhuǎn)標(biāo)記312也可以維持為“I”。通過設(shè)置反轉(zhuǎn)標(biāo)記312始終與強(qiáng)度信息同步而不使用其他應(yīng)用中的反轉(zhuǎn)標(biāo)記，僅使用反轉(zhuǎn)標(biāo)記312的控制是可能的。
[0087][非易失性存儲(chǔ)器的操作]
[0088]根據(jù)本技術(shù)的第二實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器300的寫入和讀取處理的過程與參照?qǐng)D8和11描述的第一實(shí)施例中的那些相同。
[0089]圖13是示出根據(jù)本技術(shù)的第二實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器300的到強(qiáng)寫入狀態(tài)的改變處理的過程示例的流程圖。
[0090]當(dāng)從處理器110發(fā)出到強(qiáng)寫入狀態(tài)的改變命令時(shí)，強(qiáng)寫入狀態(tài)改變命令保持在命令寄存器340中，并且改變目標(biāo)地址保持在地址寄存器330中(步驟S951)。
[0091]然后，從存儲(chǔ)器單元陣列310的對(duì)應(yīng)于改變目標(biāo)地址的區(qū)域執(zhí)行數(shù)據(jù)讀取，然后該數(shù)據(jù)保持在緩沖器360中(步驟S952)。換句話說，緩沖器360保持讀取數(shù)據(jù)和反轉(zhuǎn)標(biāo)記。此時(shí)，如果緩沖器360中保持的反轉(zhuǎn)標(biāo)記維持為指示以強(qiáng)寫入狀態(tài)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的狀態(tài)的“I”時(shí)(步驟S953:否)，則到強(qiáng)寫入狀態(tài)的改變處理結(jié)束。另一方面，如果緩沖器360中保持的反轉(zhuǎn)標(biāo)記清除為指示未以強(qiáng)寫入狀態(tài)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的狀態(tài)的“O”時(shí)(步驟S953:是)，則以下處理繼續(xù)。
[0092]反轉(zhuǎn)控制單元370反轉(zhuǎn)緩沖器360中保持的反轉(zhuǎn)標(biāo)記的內(nèi)容為“I”(步驟S954)。因此，數(shù)據(jù)311轉(zhuǎn)而指示以反轉(zhuǎn)狀態(tài)存儲(chǔ)并且以強(qiáng)寫入狀態(tài)存儲(chǔ)。此外，反轉(zhuǎn)控制單元370反轉(zhuǎn)緩沖器360中存儲(chǔ)的讀取數(shù)據(jù)(步驟S955)。
[0093]此后，以此方式在緩沖器360中準(zhǔn)備的讀取數(shù)據(jù)和反轉(zhuǎn)標(biāo)記以強(qiáng)寫入狀態(tài)寫入存儲(chǔ)器單元陣列310中(步驟S957)。在此情況下，其中寫入數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器單元處于強(qiáng)HRS或強(qiáng)LRS的任一狀態(tài)，即強(qiáng)寫入狀態(tài)。
[0094]圖14是示出根據(jù)本技術(shù)的第二實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器300的到普通寫入狀態(tài)的改變處理的過程示例的流程圖。
[0095]當(dāng)從處理器110發(fā)出到普通寫入狀態(tài)的改變命令時(shí)，到普通寫入狀態(tài)的改變命令保持在命令寄存器340中，并且改變目標(biāo)地址保持在地址寄存器330中(步驟S961)。[0096]然后，從存儲(chǔ)器單元陣列310的對(duì)應(yīng)于改變目標(biāo)地址的區(qū)域執(zhí)行數(shù)據(jù)讀取，然后該數(shù)據(jù)保持在緩沖器360中(步驟S962)。換句話說，緩沖器360保持讀取數(shù)據(jù)和反轉(zhuǎn)標(biāo)記。此時(shí)，如果緩沖器360中保持的反轉(zhuǎn)標(biāo)記清除為指示未以強(qiáng)寫入狀態(tài)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的狀態(tài)的“O”時(shí)(步驟S963:否)，則到普通寫入狀態(tài)的改變處理結(jié)束。另一方面，如果緩沖器360中保持的反轉(zhuǎn)標(biāo)記維持為指示以強(qiáng)寫入狀態(tài)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的狀態(tài)的“I”時(shí)(步驟S963:是)，則以下處理繼續(xù)。
[0097]反轉(zhuǎn)控制單元370反轉(zhuǎn)緩沖器360中保持的反轉(zhuǎn)標(biāo)記的內(nèi)容為“O”(步驟S964)。因此，數(shù)據(jù)311轉(zhuǎn)而指示以非反轉(zhuǎn)狀態(tài)存儲(chǔ)并且以普通寫入狀態(tài)存儲(chǔ)。此外，反轉(zhuǎn)控制單元370反轉(zhuǎn)緩沖器360中存儲(chǔ)的讀取數(shù)據(jù)(步驟S965)。
[0098]此后，以此方式在緩沖器360中準(zhǔn)備的讀取數(shù)據(jù)和反轉(zhuǎn)標(biāo)記以普通寫入狀態(tài)寫入存儲(chǔ)器單元陣列310中(步驟S967)。在此情況下，其中寫入數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器單元處于HRS或LRS的任一狀態(tài)，即普通寫入狀態(tài)。
[0099]以此方式，根據(jù)本技術(shù)的第二實(shí)施例，可以通過分配強(qiáng)寫入標(biāo)記的功能到反轉(zhuǎn)標(biāo)記，簡化反轉(zhuǎn)控制和寫入強(qiáng)度控制。
[0100]<3.修改示例>
[0101][對(duì)于多個(gè)頁面的處理]
[0102]在上述第一和第二實(shí)施例中，假設(shè)僅僅對(duì)應(yīng)于指定地址的頁面是寫入狀態(tài)改變處理的目標(biāo)，但是多個(gè)頁面可以設(shè)為處理目標(biāo)。在此情況下，認(rèn)為通過與強(qiáng)寫入狀態(tài)改變命令和普通寫入狀態(tài)改變命令一起指定改變目標(biāo)的大小(頁面的數(shù)目)，基于指定地址執(zhí)行存儲(chǔ)器單元陣列310中的數(shù)據(jù)寫入如頁面數(shù)目一樣多次，從而改變寫入狀態(tài)。因此，可以設(shè)置要改變連續(xù)區(qū)域的寫入狀態(tài)。
[0103][刷新操作]
[0104]在上述第一和第二實(shí)施例中，假設(shè)強(qiáng)寫入狀態(tài)和普通寫入狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)變，但是也考慮比普通寫入狀態(tài)更弱的弱寫入狀態(tài)(下文中，稱為弱寫入狀態(tài))與普通寫入狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)變。在此，假設(shè)以普通寫入狀態(tài)執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入之后過去長時(shí)間段，導(dǎo)致劣化的保持力，并且從而導(dǎo)致弱寫入狀態(tài)的情況。在此情況下，讀取弱寫入狀態(tài)的數(shù)據(jù)，反轉(zhuǎn)讀取數(shù)據(jù)，并且反轉(zhuǎn)反轉(zhuǎn)標(biāo)記，從而以普通寫入狀態(tài)執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入。因此，可以恢復(fù)僅接在寫入之后的初始保持力，保持?jǐn)?shù)據(jù)的內(nèi)容。換句話說，根據(jù)該修改示例，可以有效地實(shí)現(xiàn)刷新操作。
[0105]應(yīng)該注意，上述實(shí)施例是用于實(shí)現(xiàn)本技術(shù)的示例，并且實(shí)施例中的各項(xiàng)目與權(quán)利要求中的發(fā)明特定項(xiàng)目處于對(duì)應(yīng)關(guān)系。同時(shí)，權(quán)利要求中的發(fā)明特定項(xiàng)目與本技術(shù)的實(shí)施例的各項(xiàng)目處于對(duì)應(yīng)關(guān)系，與發(fā)明特定項(xiàng)目的名稱相同的名稱給到本技術(shù)的實(shí)施例的各項(xiàng)目。然而，本技術(shù)不限于各實(shí)施例，并且可以通過在本技術(shù)范圍內(nèi)不同地修改實(shí)施例。
[0106]此外，在上述實(shí)施例中描述的處理過程可以理解為包括一系列處理的方法，或者指示計(jì)算機(jī)執(zhí)行一系列處理的程序和其中存儲(chǔ)這樣的程序的記錄介質(zhì)。作為記錄介質(zhì)，例如，可以使用⑶(致密盤)、MD (迷你盤)、DVD (數(shù)字多功能盤)、存儲(chǔ)卡、藍(lán)光盤(藍(lán)光盤(注冊(cè)商標(biāo)))等。
[0107]本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，取決于設(shè)計(jì)要求和其他因素，可以出現(xiàn)各種修改、組合、字組合和更替，只要它們?cè)谒綑?quán)利要求或其等價(jià)物的范圍內(nèi)。
[0108]此外，本技術(shù)還可以配置如下。[0109](I) 一種存儲(chǔ)控制設(shè)備，包括:
[0110]讀取處理單元，其從存儲(chǔ)器單元陣列的特定區(qū)域讀取數(shù)據(jù)和反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息，所述反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息指示所述數(shù)據(jù)處于反轉(zhuǎn)狀態(tài)還是非反轉(zhuǎn)狀態(tài)，所述存儲(chǔ)器單元陣列的特定區(qū)域相關(guān)聯(lián)地用第一強(qiáng)度存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù)和反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息；以及
[0111]寫入處理單元，其用與所述第一強(qiáng)度不同的第二強(qiáng)度，將通過反轉(zhuǎn)所述數(shù)據(jù)獲得的數(shù)據(jù)和通過將由所述反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息指示的狀態(tài)改變?yōu)橄喾礌顟B(tài)獲得的狀態(tài)寫入所述特定區(qū)域。
[0112](2)如(I)所述的存儲(chǔ)控制設(shè)備，
[0113]其中所述存儲(chǔ)器單元陣列是可變電阻元件，
[0114]其中所述第一強(qiáng)度是普通強(qiáng)度，其指示電阻高于預(yù)定閾值的高電阻狀態(tài)和電阻低于預(yù)定閾值的低電阻狀態(tài)之一，并且
[0115]其中所述第二強(qiáng)度是這樣的強(qiáng)度，其對(duì)于高電阻狀態(tài)指示其中電阻高于所述第一強(qiáng)度的高電阻狀態(tài)的電阻的電阻狀態(tài)，并且對(duì)于低電阻狀態(tài)指示其中電阻低于所述第一強(qiáng)度的低電阻狀態(tài)的電阻的電阻狀態(tài)。
[0116](3)如(I)所述的存儲(chǔ)控制設(shè)備，
[0117]其中所述存儲(chǔ)器單元陣列是可變電阻元件，
[0118]其中所述第二強(qiáng)度是普通強(qiáng)度，其指示電阻高于預(yù)定閾值的高電阻狀態(tài)和電阻低于預(yù)定閾值的低電阻狀態(tài)之一，并且
[0119]其中所述第一強(qiáng)度是這樣的強(qiáng)度，其對(duì)于高電阻狀態(tài)指示其中電阻高于所述第二強(qiáng)度的高電阻狀態(tài)的電阻的電阻狀態(tài)，并且對(duì)于低電阻狀態(tài)指示其中電阻低于所述第二強(qiáng)度的低電阻狀態(tài)的電阻的電阻狀態(tài)。
[0120](4)如(I)到(3)的任一所述的存儲(chǔ)控制設(shè)備，
[0121]其中所述存儲(chǔ)器單元陣列存儲(chǔ)強(qiáng)度信息，所述強(qiáng)度信息指示用與所述數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的所述第一強(qiáng)度或第二強(qiáng)度存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù)，
[0122]其中所述讀取處理單元與所述數(shù)據(jù)一起讀取所述強(qiáng)度信息，并且
[0123]其中當(dāng)所述強(qiáng)度信息指示用所述第一強(qiáng)度存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù)時(shí)，所述寫入處理單元用所述第二強(qiáng)度，在特定區(qū)域中執(zhí)行通過反轉(zhuǎn)所述數(shù)據(jù)獲得的數(shù)據(jù)和通過將由所述反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息指示的狀態(tài)改變?yōu)橄喾礌顟B(tài)獲得的狀態(tài)的寫入，并且當(dāng)所述強(qiáng)度信息指示用所述第二強(qiáng)度存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù)時(shí)，不執(zhí)行寫入。
[0124]( 5 )如(I)到(3 )的任一所述的存儲(chǔ)控制設(shè)備，其中當(dāng)所述反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息指示非反轉(zhuǎn)狀態(tài)時(shí)，所述寫入處理單元用所述第二強(qiáng)度，在特定區(qū)域中執(zhí)行通過反轉(zhuǎn)所述數(shù)據(jù)獲得的數(shù)據(jù)和作為反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息的指示反轉(zhuǎn)狀態(tài)的信息的寫入，并且當(dāng)所述反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息指示反轉(zhuǎn)狀態(tài)時(shí)，不執(zhí)行寫入。
[0125](6) 一種存儲(chǔ)設(shè)備，包括:
[0126]存儲(chǔ)器單元陣列，其相關(guān)聯(lián)地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息，所述反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息指示所述數(shù)據(jù)處于反轉(zhuǎn)狀態(tài)還是非反轉(zhuǎn)狀態(tài)；
[0127]讀取處理單元，其從所述存儲(chǔ)器單元陣列的特定區(qū)域讀取所述數(shù)據(jù)和反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息，所述存儲(chǔ)器單元陣列的特定區(qū)域用第一強(qiáng)度存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù)和反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息；以及
[0128]寫入處理單元，其用與所述第一強(qiáng)度不同的第二強(qiáng)度，將通過反轉(zhuǎn)所述數(shù)據(jù)獲得的數(shù)據(jù)和通過將由所述反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息指示的狀態(tài)改變?yōu)橄喾礌顟B(tài)獲得的狀態(tài)寫入所述特定區(qū)域。
[0129](7) 一種信息處理系統(tǒng),包括:
[0130]存儲(chǔ)器單元陣列，其相關(guān)聯(lián)地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息，所述反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息指示所述數(shù)據(jù)處于反轉(zhuǎn)狀態(tài)還是非反轉(zhuǎn)狀態(tài)；
[0131]主機(jī)計(jì)算機(jī)，其發(fā)出用于改變存儲(chǔ)強(qiáng)度的命令到所述存儲(chǔ)器單元陣列；
[0132]讀取處理單元，其從所述存儲(chǔ)器單元陣列的特定區(qū)域讀取所述數(shù)據(jù)和反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息，所述存儲(chǔ)器單元陣列的特定區(qū)域用第一強(qiáng)度存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù)和反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息；以及
[0133]寫入處理單元，其用與所述第一強(qiáng)度不同的第二強(qiáng)度，將通過反轉(zhuǎn)所述數(shù)據(jù)獲得的數(shù)據(jù)和通過將由所述反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息指示的狀態(tài)改變?yōu)橄喾礌顟B(tài)獲得的狀態(tài)寫入所述特定區(qū)域。
[0134](8) 一種存儲(chǔ)控制方法，包括:
[0135]從存儲(chǔ)器單元陣列的特定區(qū)域讀取數(shù)據(jù)和反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息，所述反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息指示所述數(shù)據(jù)處于反轉(zhuǎn)狀態(tài)還是非反轉(zhuǎn)狀態(tài)，所述存儲(chǔ)器單元陣列的特定區(qū)域相關(guān)聯(lián)地用第一強(qiáng)度存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù)和反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息；以及
[0136]用與所述第一強(qiáng)度不同的第二強(qiáng)度，將通過反轉(zhuǎn)所述數(shù)據(jù)獲得的數(shù)據(jù)和通過將由所述反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息指示的狀態(tài)改變?yōu)橄喾礌顟B(tài)獲得的狀態(tài)寫入所述特定區(qū)域。
[0137]本申請(qǐng)包含涉及于2012年7月4日向日本專利局提交的日本優(yōu)先權(quán)專利申請(qǐng)JP2012-150064中公開的主題，在此通過引用并入其全部內(nèi)容。
【權(quán)利要求】
1.一種存儲(chǔ)控制設(shè)備，包括: 讀取處理單元，其從存儲(chǔ)器單元陣列的特定區(qū)域讀取數(shù)據(jù)和反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息，所述反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息指示所述數(shù)據(jù)處于反轉(zhuǎn)狀態(tài)還是非反轉(zhuǎn)狀態(tài)，所述存儲(chǔ)器單元陣列的特定區(qū)域相關(guān)聯(lián)地用第一強(qiáng)度存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù)和反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息；以及 寫入處理單元，其用與所述第一強(qiáng)度不同的第二強(qiáng)度，將通過反轉(zhuǎn)所述數(shù)據(jù)獲得的數(shù)據(jù)和通過將由所述反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息指示的狀態(tài)改變?yōu)橄喾礌顟B(tài)獲得的狀態(tài)寫入所述特定區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)控制設(shè)備， 其中所述存儲(chǔ)器單元陣列是可變電阻元件， 其中所述第一強(qiáng)度是普通強(qiáng)度，其指示電阻高于預(yù)定閾值的高電阻狀態(tài)和電阻低于預(yù)定閾值的低電阻狀態(tài)之一，并且 其中所述第二強(qiáng)度是這樣的強(qiáng)度，其對(duì)于高電阻狀態(tài)指示其中電阻高于所述第一強(qiáng)度的高電阻狀態(tài)的電阻的電阻狀態(tài)，并且對(duì)于低電阻狀態(tài)指示其中電阻低于所述第一強(qiáng)度的低電阻狀態(tài)的電阻的電阻狀態(tài)。
3.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)控制設(shè)備， 其中所述存儲(chǔ)器單元 陣列是可變電阻元件， 其中所述第二強(qiáng)度是普通強(qiáng)度，其指示電阻高于預(yù)定閾值的高電阻狀態(tài)和電阻低于預(yù)定閾值的低電阻狀態(tài)之一，并且 其中所述第一強(qiáng)度是這樣的強(qiáng)度，其對(duì)于高電阻狀態(tài)指示其中電阻高于所述第二強(qiáng)度的高電阻狀態(tài)的電阻的電阻狀態(tài)，并且對(duì)于低電阻狀態(tài)指示其中電阻低于所述第二強(qiáng)度的低電阻狀態(tài)的電阻的電阻狀態(tài)。
4.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)控制設(shè)備， 其中所述存儲(chǔ)器單元陣列與所述數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)地存儲(chǔ)強(qiáng)度信息，所述強(qiáng)度信息指示用所述第一強(qiáng)度或第二強(qiáng)度存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù)， 其中所述讀取處理單元與所述數(shù)據(jù)一起讀取所述強(qiáng)度信息，并且其中當(dāng)所述強(qiáng)度信息指示用所述第一強(qiáng)度存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù)時(shí)，所述寫入處理單元用所述第二強(qiáng)度，在特定區(qū)域中執(zhí)行通過反轉(zhuǎn)所述數(shù)據(jù)獲得的數(shù)據(jù)和通過將由所述反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息指示的狀態(tài)改變?yōu)橄喾礌顟B(tài)獲得的狀態(tài)的寫入，并且當(dāng)所述強(qiáng)度信息指示用所述第二強(qiáng)度存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù)時(shí)，不執(zhí)行寫入。
5.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)控制設(shè)備，其中當(dāng)所述反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息指示非反轉(zhuǎn)狀態(tài)時(shí)，所述寫入處理單元用所述第二強(qiáng)度，在特定區(qū)域中執(zhí)行通過反轉(zhuǎn)所述數(shù)據(jù)獲得的數(shù)據(jù)和作為反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息的指示反轉(zhuǎn)狀態(tài)的信息的寫入，并且當(dāng)所述反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息指示反轉(zhuǎn)狀態(tài)時(shí)，不執(zhí)行寫入。
6.—種存儲(chǔ)設(shè)備,包括: 存儲(chǔ)器單元陣列，其相關(guān)聯(lián)地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息，所述反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息指示所述數(shù)據(jù)處于反轉(zhuǎn)狀態(tài)還是非反轉(zhuǎn)狀態(tài)； 讀取處理單元，其從所述存儲(chǔ)器單元陣列的特定區(qū)域讀取所述數(shù)據(jù)和反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息，所述存儲(chǔ)器單元陣列的特定區(qū)域用第一強(qiáng)度存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù)和反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息；以及 寫入處理單元，其用與所述第一強(qiáng)度不同的第二強(qiáng)度，將通過反轉(zhuǎn)所述數(shù)據(jù)獲得的數(shù)據(jù)和通過將由所述反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息指示的狀態(tài)改變?yōu)橄喾礌顟B(tài)獲得的狀態(tài)寫入所述特定區(qū)域。
7.—種信息處理系統(tǒng),包括: 存儲(chǔ)器單元陣列，其相關(guān)聯(lián)地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息，所述反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息指示所述數(shù)據(jù)處于反轉(zhuǎn)狀態(tài)還是非反轉(zhuǎn)狀態(tài)； 主機(jī)計(jì)算機(jī)，其發(fā)出用于改變存儲(chǔ)強(qiáng)度的命令到所述存儲(chǔ)器單元陣列； 讀取處理單元，其響應(yīng)于所述命令，從所述存儲(chǔ)器單元陣列的特定區(qū)域讀取所述數(shù)據(jù)和反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息，所述存儲(chǔ)器單元陣列的特定區(qū)域用第一強(qiáng)度存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù)和反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息；以及 寫入處理單元，其用與所述第一強(qiáng)度不同的第二強(qiáng)度，將通過反轉(zhuǎn)所述數(shù)據(jù)獲得的數(shù)據(jù)和通過將由所述反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息指示的狀態(tài)改變?yōu)橄喾礌顟B(tài)獲得的狀態(tài)寫入所述特定區(qū)域。
8.一種存儲(chǔ)控制方法，包括: 從存儲(chǔ)器單元陣列的特定區(qū)域讀取數(shù)據(jù)和反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息，所述反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息指示所述數(shù)據(jù)處于反轉(zhuǎn)狀態(tài)還是非反轉(zhuǎn)狀態(tài)，所述存儲(chǔ)器單元陣列的特定區(qū)域相關(guān)聯(lián)地用第一強(qiáng)度存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù)和反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息；以及 用與所述第一強(qiáng)度不同的第二強(qiáng)度，將通過反轉(zhuǎn)所述數(shù)據(jù)獲得的數(shù)據(jù)和通過將由所述反轉(zhuǎn)狀態(tài)信息指示的狀態(tài)`改變?yōu)橄喾礌顟B(tài)獲得的狀態(tài)寫入所述特定區(qū)域。
【文檔編號(hào)】G06F3/06GK103530238SQ201310261314
【公開日】2014年1月22日 申請(qǐng)日期:2013年6月27日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月4日
【發(fā)明者】石井健, 筒井敬一, 中西健一, 大久保英明, 藤波靖, 足立直大, 新橋龍男 申請(qǐng)人:索尼公司