與顯示數(shù)據(jù)更新集成的觸摸感測的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供用于顯示裝置上的觸摸感測的系統(tǒng)、方法及設(shè)備。在一個方面中，提供一種用于減少顯示器上的電干擾的方法，所述顯示器包含雙穩(wěn)態(tài)顯示元件及觸摸感測元件而在顯示元件與觸摸感測元件之間不存在接地屏蔽層。所述方法可包含：利用顯示器驅(qū)動器電路將雙穩(wěn)態(tài)顯示元件陣列的至少一部分置于選定狀態(tài)；使所述顯示元件維持處于所述選定狀態(tài)；及在所述顯示元件保持處于所述選定狀態(tài)時使用不同于所述顯示器驅(qū)動器電路的觸摸感測驅(qū)動器電路來從觸摸感測元件獲得信號。
【專利說明】與顯示數(shù)據(jù)更新集成的觸摸感測
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及能夠進行位置觸摸感測的機電系統(tǒng)及相關(guān)顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]機電系統(tǒng)包含具有電元件及機械元件、激活器、換能器、傳感器、光學組件(例如鏡)及電子器件的裝置?？芍圃炀哂懈鞣N尺度(其包含(但不限于)微米尺度及納米尺度)的機電系統(tǒng)。例如，微機電系統(tǒng)(MEMS)裝置可包含具有從約I微米到數(shù)百微米或更大的尺寸范圍的結(jié)構(gòu)。納米機電系統(tǒng)(NEMS)可包含具有小于I微米的尺寸(其包含(例如)小于數(shù)百納米的尺寸)的結(jié)構(gòu)?？墒褂贸练e、蝕刻、光刻及/或其它微機械加工工藝(其蝕除襯底及/或沉積材料層的部分或添加層以形成電裝置及機電裝置)來產(chǎn)生機電元件。
[0003]一種類型的機電系統(tǒng)裝置稱為干涉式調(diào)制器(IMOD)。如本文中所使用，術(shù)語“干涉式調(diào)制器”或“干涉式光調(diào)制器”是指使用光學干涉原理來選擇性吸收及/或反射光的裝置。在一些實施方案中，干涉式調(diào)制器可包含一對導電板，其中一者或兩者可完全或部分具透明及/或具反射性且能夠在施加適當電信號之后相對運動。在一實施方案中，一個板可包含沉積在襯底上的固定層且另一板可包含通過空氣隙與所述固定層隔開的金屬隔膜。一個板相對于另一板的位置可改變?nèi)肷湓诟缮媸秸{(diào)制器上的光的光學干涉。干涉式調(diào)制器裝置具有廣泛應用且預期被用以改進現(xiàn)有產(chǎn)品及創(chuàng)造新產(chǎn)品(尤其是具有顯示能力的產(chǎn)品)°

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的系統(tǒng)、方法及裝置各具有若干創(chuàng)新方面，其單一者并不單獨負責本文中所揭示的合意屬性。
[0005]本發(fā)明中所述的標的物的一個創(chuàng)新方面提供用于減少顯示器上的電干擾的方法的實施方案。所述顯示器包含雙穩(wěn)態(tài)顯示元件及觸摸感測元件而在顯示元件與觸摸感測元件之間不存在接地屏蔽層。所述方法包含利用顯示驅(qū)動器電路來使顯示元件陣列的至少一部分處于選定狀態(tài)。所述方法進一步包含使所述顯示元件維持處于所述選定狀態(tài)。所述方法進一步包含實質(zhì)上僅在恒定保持電壓的施加期間使用不同于所述顯示驅(qū)動器電路的觸摸感測驅(qū)動器電路來從觸摸感測元件獲得信號。所述顯示元件可形成干涉式調(diào)制器的行及列陣列?？赏ㄟ^將地址電壓施加到所述陣列的共同線而使所述干涉式調(diào)制器處于選定狀態(tài)?？裳厮龉餐€施加保持電壓。可通過感測電容而從觸摸感測元件獲得信號。
[0006]本發(fā)明的另一方面提供具有觸摸感測能力的顯示設(shè)備的實施方案。所述顯示設(shè)備包含顯示元件陣列。所述顯示設(shè)備進一步包含觸摸感測元件陣列。所述觸摸感測元件形成于所述顯示元件上而未通過接地屏蔽層進行分離。所述顯示設(shè)備進一步包含經(jīng)配置以檢測來自所述觸摸感測元件的輸入的觸摸感測驅(qū)動器電路。所述顯示設(shè)備進一步包含經(jīng)配置以使所述顯示元件處于選定狀態(tài)的顯示驅(qū)動電路。其后，所述顯示驅(qū)動電路經(jīng)配置以使所述顯示元件處于所述選定狀態(tài)。所述顯示設(shè)備進一步包含電源及處理器。所述處理器經(jīng)配置以將圖像數(shù)據(jù)寫入到所述顯示驅(qū)動器電路。所述處理器進一步經(jīng)配置以實質(zhì)上僅在所述顯示元件被維持處于所述選定狀態(tài)時從所述觸摸感測驅(qū)動器電路獲得觸摸感測輸入。所述顯示元件可形成干涉式調(diào)制器的行及列陣列?？赏ㄟ^將地址電壓施加到所述陣列的共同線而使所述干涉式調(diào)制器處于選定狀態(tài)?？裳厮龉餐€施加保持電壓。所述觸摸感測電路可經(jīng)配置以通過感測觸摸感測元件的電容而從觸摸感測元件獲得信號。
[0007]本發(fā)明的又一方面提供具有觸摸感測能力的顯示設(shè)備的實施方案。所述顯示設(shè)備包含顯示元件及觸摸感測元件而在所述顯示元件與所述觸摸感測元件之間不存在接地屏蔽層。所述顯示設(shè)備包含用于使顯示元件陣列的至少一部分處于選定狀態(tài)的裝置。所述顯示設(shè)備進一步包含用于使所述顯示元件維持處于所述選定狀態(tài)的裝置。所述顯示設(shè)備進一步包含用于實質(zhì)上僅在所述顯示元件維持處于所述選定狀態(tài)時從觸摸感測元件獲得信號的裝置。
[0008]附圖及以下描述中闡釋本說明書中所述的標的物的一個或一個以上實施方案的細節(jié)。將從描述、圖式及技術(shù)方案明白其它特征、方面及優(yōu)點。應注意，以下圖式的相對尺寸可不按比例繪制。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1展示描繪干涉式調(diào)制器(IMOD)顯示裝置的一系列像素中的兩個相鄰像素的等角視圖的實例。
[0010]圖2展示說明并入有3X3干涉式調(diào)制器顯示器的電子裝置的系統(tǒng)框圖的實例。
[0011]圖3展示說明圖1的干涉式調(diào)制器的可移動反射層位置對所施加電壓的圖的實例。
[0012]圖4展示說明干涉式調(diào)制器在施加各種共同電壓及片段電壓時的各種狀態(tài)的表的實例。
[0013]圖5A展示說明圖2的3X3干涉式調(diào)制器顯示器中的顯示數(shù)據(jù)的幀的圖的實例。
[0014]圖5B展示可用以寫入圖5A中所說明顯示數(shù)據(jù)的幀的共同及片段信號的時序圖的實例。
[0015]圖6A展示圖1的干涉式調(diào)制器顯示器的部分橫截面的實例。
[0016]圖6B到6E展示干涉式調(diào)制器的不同實施方案的橫截面的實例。
[0017]圖7展示說明干涉式調(diào)制器的制造工藝的流程圖的實例。
[0018]圖8A到SE展示干涉式調(diào)制器的制造方法中的各種階段的橫截面示意圖的實例。
[0019]圖9展示具有觸摸感測層的顯示器的典型配置的實例。
[0020]圖1OA展示具有根據(jù)圖9的一般配置的干涉式調(diào)制器顯示層與觸摸感測層的橫截面的實例。
[0021]圖1OB展示干涉式調(diào)制器顯示層及觸摸感測層的替代實施方案的橫截面的實例。
[0022]圖11展示說明用于感測干涉式調(diào)制器顯示器上的觸摸的方法的流程圖的實例。
[0023]圖12展示說明用于感測干涉式調(diào)制器顯示器上的觸摸的另一方法的流程圖的實例。
[0024]圖13展示說明并入有3X3干涉式調(diào)制器顯示器及觸摸感測層的電子裝置的系統(tǒng)框圖的實例。[0025]圖14A及14B展示說明包含多個干涉式調(diào)制器的顯示裝置的系統(tǒng)框圖的實例。
[0026]各種圖式中的相同參考數(shù)字及標號指示相同元件。
【具體實施方式】
[0027]出于描述創(chuàng)新方面的目的，以下詳細描述針對于某些實施方案。然而，可以許多不同方式應用本文中的教示。可在經(jīng)配置以顯示圖像(無論運動中(例如視頻)或固定(例如靜止圖像)且無論是文字、圖形還是圖片)的任何裝置中實施所述實施方案。更特定來說，預期可在以下各種電子裝置中實施所述實施方案或可使所述實施方案與所述各種電子裝置相關(guān)聯(lián):例如(但不限于)移動電話、具備多媒體因特網(wǎng)功能的蜂窩式電話、移動電視接收器、無線裝置、智能電話、藍牙裝置、個人數(shù)據(jù)助理(PDA)、無線電子郵件接收器、手持式或便攜式計算機、上網(wǎng)本、筆記本計算機、智能本、打印機、復印機、掃描儀、傳真裝置、GPS接收器/導航器、相機、MP3播放器、攝像機、游戲控制臺、腕表、時鐘、計算器、電視監(jiān)視器、平板顯示器、電子閱讀裝置(例如電子閱讀器)、計算機監(jiān)視器、汽車顯示器(例如里程表顯示器等等)、駕駛艙控制裝置及/或顯示器、相機取景顯示器(例如，車輛中后視相機的顯示器)、電子照片、電子廣告牌或標牌、投影機、建筑結(jié)構(gòu)、微波、冰箱、立體聲系統(tǒng)、磁帶錄音機或播放器、DVD播放器、CD播放器、VCR、收音機、便攜式存儲器芯片、洗衣機、干衣機、洗衣機/干衣機、封裝(例如機電系統(tǒng)(EMS)、MEMS及非MEMS)、美學結(jié)構(gòu)(例如一件珠寶上的圖像的顯示)及各種機電系統(tǒng)裝置。本文中的教示還可用在以下非顯示器應用中:例如(但不限于)電子切換裝置、射頻濾波器、傳感器、加速度計、陀螺儀、運動感測裝置、磁力計、消費型電子器件的慣性組件、消費型電子產(chǎn)品的部件、可變?nèi)菘蛊?、液晶裝置、電泳裝置、驅(qū)動方案、制造工藝、電子測試設(shè)備。因此，教示不意在受限于僅圖中所描繪的實施方案，而是具有如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員所容易明白的廣泛適用性。
[0028]在一些實施方案中，如下所述的顯示裝置可并入觸摸感測能力。觸摸感測層與顯示層之間的非所要的干擾通常需要包含額外層以使觸摸傳感器免受顯示影響。額外層可不利地影響反射顯示裝置的性能。作為替代解決方案，所述觸摸感測層可僅在不更新顯示時“感測”。對于一些顯示元件類型(雙穩(wěn)態(tài)顯示元件為一個實例)，顯示驅(qū)動器電路可使元件處于選定狀態(tài)且通過施加恒定保持電壓而使所述元件維持處于所述選定狀態(tài)。觸摸感測驅(qū)動器電路可在顯示器處于所述選定狀態(tài)時執(zhí)行圖像更新之間的感測。因此，本文中所揭示的方法及系統(tǒng)的一些實施方案可無需額外層且不會犧牲顯示或觸摸感測性能。例如，下述的干涉式調(diào)制器(MOD)型顯示器的一些實施方案可并入觸摸面板而不會使觸摸傳感器的精度或IMOD的亮度或色彩保真度降級。
[0029]可應用所述實施方案的適合MEMS裝置的一個實例為反射顯示裝置。反射顯示裝置可并入MOD以使用光學干涉原理來選擇性吸收及/或反射入射在MOD上的光。MOD可包含吸收器、可相對于所述吸收器移動的反射器及界定于所述吸收器與所述反射器之間的光學諧振腔。所述反射器可被移動到兩個或兩個以上不同位置，這可改變所述光學諧振腔的尺寸且借此影響干涉式調(diào)制器的反射率。IMOD的反射光譜可產(chǎn)生可橫跨可見波長而位移以產(chǎn)生不同色彩的相當寬的光譜帶?？赏ㄟ^改變所述光學諧振腔的厚度(即，通過改變所述反射器的位置)而調(diào)整光譜帶的位置。
[0030]圖1展示描繪IMOD顯示裝置的一系列像素中的兩個相鄰像素的等角視圖的實例。IMOD顯示裝置包含一個或一個以上干涉MEMS顯示元件。在這些裝置中，MEMS顯示元件的像素可處于明亮或黑暗狀態(tài)。在明亮(“松弛”、“打開”或“導通”)狀態(tài)中，所述顯示元件將大部分的入射可見光反射到(例如)用戶。相反，在黑暗(“激活”、“閉合”或“斷開”)狀態(tài)中，所述顯示元件幾乎不反射入射可見光。在一些實施方案中，可顛倒導通與斷開狀態(tài)的光反射性質(zhì)。MEMS像素可經(jīng)配置以主要在允許除黑色及白色之外的彩色顯示的特定波長下反射。
[0031]IMOD顯示裝置可包含一行/列陣列的IMOD。每一 IMOD可包含定位于彼此相距一可變及受控距離的位置處以形成氣隙(也稱為光學間隙或諧振腔)的一對反射層，即，可移動反射層與固定部分反射層。所述可移動反射層可在至少兩個位置之間移動。在第一位置(即，松弛位置)中，所述可移動反射層可定位于與所述固定部分反射層相距相對較大距離的位置處。在第二位置(即，激活位置)中，所述可移動反射層可經(jīng)定位以更接近所述部分反射層。從所述兩個層反射的入射光可取決于所述可移動反射層的位置而相長或相消干涉，以產(chǎn)生用于每一像素的全反射或非反射狀態(tài)。在一些實施方案中，MOD可在未被激活時處于反射狀態(tài)以反射可見光譜內(nèi)的光，且可在被激活時處于黑暗狀態(tài)以反射可見光范圍外的光(例如紅外光)。然而，在一些其它實施方案中，MOD可在未被激活時處于黑暗狀態(tài)且在被激活時處于反射狀態(tài)。在一些實施方案中，所施加電壓的引入可驅(qū)使像素改變狀態(tài)。在一些其它實施方案中，所施加電荷可驅(qū)使像素改變狀態(tài)。
[0032]圖1中的像素陣列的所描繪部分包含兩個相鄰干涉式調(diào)制器12。左邊M0D12(如說明)中說明可移動反射層14，其處于與包含部分反射層的光學堆疊16相距預定距離的松弛位置。橫跨左邊IM0D12而施加的電壓Vtl不足以導致可移動反射層14的激活。右邊IM0D12中說明處于與光學堆疊16接近或相鄰的激活位置的可移動反射層14。橫跨右邊IM0D12而施加的電壓Vbias足以使可移動反射層14維持處于所述激活位置。
[0033]在圖1中，一般用箭頭13 (其指示入射在像素12上的光及從左邊像素12反射的光15)說明像素12的反射性。雖然圖中未詳細說明，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應了解，入射在像素12上的光13的大多數(shù)將透射穿過透明襯底20以朝向光學堆疊16。入射在光學堆疊16上的光的一部分將透射穿過光學堆疊16的部分反射層，且一部分將反射回來穿過透明襯底20。透射穿過光學堆疊16的光13的部分將在可移動反射層14處反射朝向(及穿過)透射襯底20。從光學堆疊16的部分反射層反射的光與從可移動反射層14反射的光之間的(相長或相消)干涉將確定從像素12反射的光15的(若干)波長。
[0034]光學堆疊16可包含單一層或若干層。所述層可包含電極層、部分反射和部分透射層及透明電介質(zhì)層中的一者或一者以上。在一些實施方案中，光學堆疊16具導電性、部分透明性及部分反射性，且可(例如)通過將上述層中的一者或一者以上沉積到透明襯底20上而制造。所述電極層可由各種材料(例如各種金屬，例如氧化銦錫(ITO))形成。所述部分反射層可由具部分反射性的各種材料(例如各種金屬(例如鉻(Cr))、半導體及電介質(zhì))形成。所述部分反射層可由一層或一層以上材料形成，且所述層中的每一者可由單一材料或材料的組合形成。在一些實施方案中，光學堆疊16可包含充當光學吸收器與導體兩者的單一半透明厚度的金屬或半導體，而(例如，光學堆疊16或IMOD的其它結(jié)構(gòu)的)不同的更多導電層或部分可用來匯流MOD像素之間的信號。光學堆疊16還可包含覆蓋一個或一個以上導電層或?qū)щ?吸收層的一個或一個以上絕緣或電介質(zhì)層。[0035]在一些實施方案中，光學堆疊16的(若干)層可圖案化成平行條帶且可形成顯示裝置中的行電極(如下進一步所述)。如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員所了解，術(shù)語“圖案化”在本文中用以指代遮掩以及蝕刻工藝。在一些實施方案中，高導電反射材料(例如鋁(Al))可用于可移動反射層14，且這些條帶可形成顯示裝置中的列電極?？梢苿臃瓷鋵?4可形成為經(jīng)沉積金屬層的一系列平行條帶(正交于光學堆疊16的行電極)以形成沉積在柱18頂部上的列及沉積于柱18之間的介入犧牲材料。當所述犧牲材料被蝕除時，所界定的間隙19或光學腔可形成于可移動反射層14與光學堆疊16之間。在一些實施方案中，柱18之間的間隔可為約I微米到1000微米，而間隙19可小于約10，000埃(A )。
[0036]在一些實施方案中，IMOD的每一像素(無論處于激活還是松弛狀態(tài))本質(zhì)上為由固定及移動反射層形成的電容器。當未施加電壓時，可移動反射層14a保持處于機械松弛狀態(tài)(如由圖1中的左邊像素12所說明)，且間隙19介于可移動反射層14與光學堆疊16之間。然而，當將電位差(例如電壓)施加到選定行及列中的至少一個者時，對應像素處的形成在行與列電極的交叉點處的所述電容器變得帶電且靜電力將所述電極拉在一起。如果所述所施加電壓超過閾值，那么可移動反射層14可變形且在光學堆疊16附近移動或抵著光學堆疊16移動。如由圖1中的右邊激活像素12所說明，光學堆疊16內(nèi)的電介質(zhì)層(圖中未展示)可防止短路，且控制層14與16之間的隔開距離。無論所施加的電位差的極性如何，表現(xiàn)均相同。雖然陣列中的一系列像素可在一些例子中被稱為“行”或“列”，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將易于了解，將一個方向稱為“行”且將另一方向稱為“列”是任意的。應重申，在一些定向中，行可被視為列且列可被視為行。此外，顯示元件可均勻地布置成正交的行及列(“陣列”)或布置成(例如)具有相對于彼此的某些位置偏移的非線性配置(“馬賽克”)。術(shù)語“陣列”及“馬賽克”可指代任一配置。因此，雖然顯示器被稱為包含“陣列”或“馬賽克”，但在任何情況下，元件本身無需彼此正交布置或安置成均勻分布，但可包含具有非對稱形狀及不均勻分布元件的布置。
[0037]圖2展示說明并入3X3干涉式調(diào)制器顯示器的電子裝置的系統(tǒng)框圖的實例。所述電子裝置包含可經(jīng)配置以執(zhí)行一個或一個以上軟件模塊的處理器21。除執(zhí)行操作系統(tǒng)以夕卜，處理器21還可經(jīng)配置以執(zhí)行一個或一個以上軟件應用程序，其包含網(wǎng)絡(luò)瀏覽器、電話應用程序、電子郵件程序或任何其它軟件應用程序。
[0038]處理器21可經(jīng)配置以與陣列驅(qū)動器22通信。陣列驅(qū)動器22可包含將信號提供到(例如)顯示陣列或面板30的行驅(qū)動器電路24及列驅(qū)動器電路26。由圖2中的線1-1展示圖1中所說明的MOD顯示裝置的橫截面。雖然圖2說明IMOD的3X3陣列(為了清晰起見)，但顯示陣列30可含有許多MOD且可使行中的MOD數(shù)目不同于列中的MOD數(shù)目，且反之亦然。
[0039]圖3展示說明圖1的干涉式調(diào)制器的可移動反射層位置對所施加電壓的圖的實例。對于MEMS干涉式調(diào)制器，行/列(即，共同/片段)寫入程序可利用這些裝置的滯后性質(zhì)，如圖3中所說明。干涉式調(diào)制器可能需要(例如)約10伏電位差以導致可移動反射層或鏡從松弛狀態(tài)改變到激活狀態(tài)。當所述電壓從所述值減小時，可移動反射層因所述電壓回降到低于(例如)10伏而維持其狀態(tài)，然而，可移動反射層未完全松弛，直到所述電壓下降到低于2伏為止。因此，存在約3伏到7伏的電壓范圍(如圖3中所展示)，其中存在使裝置穩(wěn)定于松弛或激活狀態(tài)的所施加電壓窗。此在本文中被稱為“滯后窗”或“穩(wěn)定窗”。對于具有圖3的滯后特性的顯示陣列30，行/列寫入程序可經(jīng)設(shè)計以每次尋址一個或一個以上行，使得在給定行的尋址期間，經(jīng)尋址行中的待激活的像素被暴露于約10伏的電壓差，且待松弛的像素被暴露于接近O伏的電壓差。在尋址之后，所述像素被暴露于穩(wěn)定狀態(tài)或約5伏的偏壓電壓差以使得其保持處于先前選通狀態(tài)。在此實例中，在被尋址之后，每一像素經(jīng)歷約3伏到7伏的“穩(wěn)定窗”內(nèi)的電位差。此滯后性質(zhì)特征使(例如)圖1中所說明的像素設(shè)計能夠在相同的所施加電壓條件下穩(wěn)定于激活或松弛的預先存在狀態(tài)。由于每一頂OD像素(無論處于激活狀態(tài)還是松弛狀態(tài))本質(zhì)上為由固定及移動反射層形成的電容器，所以可在滯后窗內(nèi)的穩(wěn)定電壓處保持此穩(wěn)定狀態(tài)而實質(zhì)上不消耗或損耗功率。再者，如果所施加電壓電位保持實質(zhì)上固定，那么幾乎沒有或無電流流入到IMOD像素中。
[0040]在一些實施方案中，根據(jù)給定行中的像素的狀態(tài)的所要改變(如果存在)，可通過沿列電極集合施加呈“片段”電壓形式的數(shù)據(jù)信號而產(chǎn)生圖像的幀?？梢来螌ぶ逢嚵械拿恳恍校沟靡淮我恍械貙懭胨鰩?。為將所要數(shù)據(jù)寫入到第一行中的像素，可將與所述第一行中的像素的所要狀態(tài)對應的片段電壓施加于列電極上，且可將呈特定“共同”電壓或信號形式的第一行脈沖施加到第一行電極。接著，可改變片段電壓集合以對應于第二行中的像素的狀態(tài)的所要變化(如果存在)，且可將第二共同電壓施加到第二行電極。在一些實施方案中，所述第一行中的像素不受沿列電極施加的片段電壓的變化影響，且保持于第一共同電壓行脈沖期間其被設(shè)定的狀態(tài)?？梢匝蚍绞结槍φ麄€系列的行或列重復此過程以產(chǎn)生所述圖像幀?？赏ㄟ^以每秒某所要數(shù)目的幀不斷重復此過程而用新的圖像數(shù)據(jù)刷新及/或更新所述幀。
[0041]橫跨每一像素而施加的片段與共同信號的組合(即，橫跨每一像素的電位差)確定每一像素的所得狀態(tài)。圖4展示說明在施加各種共同及片段電壓時干涉式調(diào)制器的各種狀態(tài)的表的實例。如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員所易于了解，可將“片段”電壓施加到列電極或行電極且可將“共同”電壓施加到列電極或行電極中的另一者。
[0042]如圖4(以及5B中所展示的時序圖)中所說明，當沿共同線施加釋放電壓VC.時，無論沿片段線而施加的電壓 (即，高片段電壓VSh及低片段電壓VSJ如何，均將使沿所述共同線的全部干涉式調(diào)制器組件置于松弛狀態(tài)(或稱為釋放或未激活狀態(tài))。特定來說，當沿共同線施加釋放電壓VC.時，橫跨調(diào)制器的電位電壓(或稱為像素電壓)在松弛窗(參看圖3，也稱為釋放窗)內(nèi)，此時沿所述像素的對應片段線施加高片段電壓VSh與低片段電壓VS^兩者。
[0043]當在共同線上施加保持電壓(例如高保持電壓VChquui或低保持電壓VChquu)時，干涉式調(diào)制器的狀態(tài)將保持恒定。例如，松弛的IMOD將保持處于松弛位置，且激活的IMOD將保持處于激活位置。保持電壓可經(jīng)選擇以使得在沿對應片段線施加高片段電壓VSh與低片段電壓￥&兩者時，像素電壓將保持在穩(wěn)定窗內(nèi)。因此，片段電壓擺動(即，高片段電壓VSh與低片段電壓VSlj之間的差值)小于正或負穩(wěn)定窗的寬度。
[0044]當在共同線上施加尋址或激活電壓(例如高尋址電壓VCadd H或低尋址電壓VCaddL)時，可通過沿相應片段線施加片段電壓而沿所述線將數(shù)據(jù)選擇性寫入到調(diào)制器。所述片段電壓可經(jīng)選擇以使得激活取決于所施加的片段電壓。當沿共同線施加尋址電壓時，片段電壓的施加將產(chǎn)生穩(wěn)定窗內(nèi)的像素電壓以導致像素保持未被激活。相比之下，另一片段電壓的施加將產(chǎn)生超出所述穩(wěn)定窗的像素電壓以導致像素的激活。導致激活的特定片段電壓可取決于所使用的尋址電壓而變動。在一些實施方案中，當沿共同線施加高尋址電壓VCaddη時，高片段電壓VSh的施加可導致調(diào)制器保持處于其當前位置，而低片段電壓V&的施加可導致所述調(diào)制器的激活。作為推論，當施加低尋址電壓VCai^時，片段電壓的效應可相反，其中高片段電壓VSh導致所述調(diào)制器的激活且低片段電不影響所述調(diào)制器的狀態(tài)(即，保持穩(wěn)定)。
[0045]在一些實施方案中，可使用始終產(chǎn)生橫跨調(diào)制器的相同極性電位差的保持電壓、尋址電壓及片段電壓。在一些其它實施方案中，可使用使調(diào)制器的電位差的極性交替的信號。橫跨調(diào)制器的極性的交替(即，寫入程序的極性的交替)可減少或抑制可發(fā)生在單一極性的重復寫入操作之后的電荷積累。
[0046]圖5A展示說明圖2的3X3干涉式調(diào)制器顯示器中的顯示數(shù)據(jù)的幀的圖的實例。圖5B展示可用以寫入圖5A中所說明的顯示數(shù)據(jù)的幀的共同信號及片段信號的時序圖的實例。所述信號可施加到(例如)圖2的3X3陣列，此將最終產(chǎn)生圖5A中所說明的線時間60e顯示布置。圖5A中的激活調(diào)制器處于黑暗狀態(tài)，即，其中反射光的實質(zhì)部分在可見光譜之外以便向(例如)觀看者產(chǎn)生暗色外觀。在寫入圖5A中所說明的幀之前，像素可處于任何狀態(tài)，但圖5B的時序圖中所說明的寫入程序假定:在第一線時間60a之前，每一調(diào)制器已被釋放且駐留于未激活狀態(tài)中。
[0047]在第一線時間60a期間:在共同線I上施加釋放電壓70 ;施加在共同線2上的電壓開始于高保持電壓72且移動到釋放電壓70 ;且沿共同線3施加低保持電壓76。因此，沿共同線I的調(diào)制器(共同1、片段1)、(1，2)及(1，3)在第一線時間60a的持續(xù)時間內(nèi)保持處于松弛或未激活狀態(tài)，沿共同線2的調(diào)制器(2，I)、(2,2)及(2，3)將移動到松弛狀態(tài)，且沿共同線3的調(diào)制器(3，I)、(3,2)及(3，3)將保持處于其先前狀態(tài)。參考圖4，當共同線
1、2或3均未暴露于在線時間60a期間導致激活的電壓電平(即，VC.-松弛及VCmD ^穩(wěn)定)時，沿片段線1、2及3而施加的片段電壓將不影響干涉式調(diào)制器的狀態(tài)。
[0048]在第二線時間60b期間，共同線I上的電壓移動到高保持電壓72，且因為共同線I上未施加尋址或激活電壓，所以無論所施加的片段電壓如何，沿共同線I的全部調(diào)制器均保持處于松弛狀態(tài)。沿共同線2的調(diào)制器因施加釋放電壓70而保持于松弛狀態(tài)，且當沿共同線3的電壓移動到釋放電壓70時，沿共同線3的調(diào)制器(3，I)、(3，2)及(3，3)將松弛。
[0049]在第三線時間60c期間，通過在共同線I上施加高尋址電壓74而尋址共同線I。因為在此尋址電壓的施加期間沿片段線I及2施加低片段電壓64，所以橫跨調(diào)制器(1，1)及(1，2)的像素電壓大于所述調(diào)制器的正穩(wěn)定窗的高端(即，電壓微分超過預定義閾值)且調(diào)制器(1，1)及(1，2)被激活。相反，因為沿片段線3施加高片段電壓62，所以橫跨調(diào)制器(1，3)的像素電壓小于調(diào)制器(1，1)及(1，2)的像素電壓且保持在所述調(diào)制器的正穩(wěn)定窗內(nèi)；調(diào)制器(1，3)因此保持松弛。同樣在線時間60(:期間，沿共同線2的電壓減小到低保持電壓76，且沿共同線3的電壓保持處于釋放電壓70以使沿共同線2及3的調(diào)制器處于松弛位置。
[0050]在第四線時間60d期間，共同線I上的電壓返回到高保持電壓72以使沿共同線I的調(diào)制器處于其相應尋址狀態(tài)。共同線2上的電壓減小到低尋址電壓78。因為沿片段線2施加高片段電壓62，所以橫跨調(diào)制器(2，2)的像素電壓低于所述調(diào)制器的負穩(wěn)定窗的低端以導致調(diào)制器(2，2)激活。相反，因為沿片段線I及3施加低片段電壓64，所以調(diào)制器(2，I)及(2，3)保持于松弛位置。共同線3上的電壓增大到高保持電壓72以使沿共同線3的調(diào)制器處于松弛狀態(tài)。
[0051]最后，在第五線時間60e期間，共同線I上的電壓保持處于高保持電壓72且共同線2上的電壓保持處于低保持電壓76以使沿共同線I及2的調(diào)制器處于其相應尋址狀態(tài)。共同線3上的電壓增大到高尋址電壓74以尋址沿共同線3的調(diào)制器。當在片段線2及3上施加低片段電壓64時，調(diào)制器(3，2)及(3，3)激活，同時沿片段線I而施加的高片段電壓62導致調(diào)制器(3，I)保持處于松弛位置。因此，在第五線時間60e結(jié)束時，3X3像素陣列處于圖5A中所展示的狀態(tài)，且無論在沿其它共同線(圖中未展示)的調(diào)制器被尋址時可發(fā)生的片段電壓的變動如何，只要沿共同線施加保持電壓，那么3X3像素陣列將保持處于那個狀態(tài)。
[0052]在圖5B的時序圖中，給定的寫入程序(例如線時間60a到60e)可包含使用高保持及尋址電壓或低保持及尋址電壓。一旦已針對給定的共同線而完成寫入程序(且共同電壓被設(shè)定為具有與激活電壓相同的極性的保持電壓)之后，像素電壓保持在給定的穩(wěn)定窗內(nèi)且不通過松弛窗，直到將釋放電壓施加在所述共同線上為止。此外，因為在尋址調(diào)制器之前釋放所述調(diào)制器被以作為寫入程序的部分，所以調(diào)制器的激活時間(非釋放時間)可確定所需的線時間。具體來說，在調(diào)制器的釋放時間大于激活時間的實施方案中，可施加釋放電壓達長于單一線時間，如圖5B中所描繪。在一些其它實施方案中，沿共同線或片段線而施加的電壓可變動以考慮到不同的調(diào)制器(例如不同色彩的調(diào)制器)的激活及釋放電壓的變動。
[0053]根據(jù)以上所闡釋原理而操作的干涉式調(diào)制器的結(jié)構(gòu)的細節(jié)可大幅變動。例如，圖6A圖6E展示包含可移動反射層14及其支撐結(jié)構(gòu)的干涉式調(diào)制器的不同實施方案的橫截面的實例。圖6A展示圖1的干涉式調(diào)制器顯示器的部分橫截面的實例，其中金屬材料條帶(即，可移動反射層14)沉積于從襯底20正交延伸的支撐件18上。在圖6B中，每一 MOD的可移動反射層14大體上呈方形或矩形形狀且經(jīng)由系鏈32在隅角處或隅角附近附接到支撐件。在圖6C中，可移動反射層14大體上呈方形或矩形形狀且從可包含柔性金屬的可變形層34懸垂下來?？勺冃螌?4可圍繞可移動反射層14的周邊而直接或間接連接到襯底
20。這些連接在本文中被稱為支撐柱。圖6C中所展示的實施方案具有由可移動反射層14的光學功能與由可變形層34實施的其機械功能的解耦引起的額外益處。此解耦允許用于反射層14的結(jié)構(gòu)設(shè)計及材料與用于可變形層34的結(jié)構(gòu)設(shè)計及材料獨立于彼此而優(yōu)化。
[0054]圖6D展不IMOD的另一實例,其中可移動反射層14包含反射子層14a?？梢苿臃瓷鋵?4擱置于支撐結(jié)構(gòu)(例如支撐柱18)上。支撐柱18使可移動反射層14與下固定電極(即，所說明IMOD中的光學堆疊16的部分)分離，使得(例如)在可移動反射層14處于松弛位置時，使間隙19形成于可移動反射層14與光學堆疊16之間。可移動反射層14還可包含可經(jīng)配置以充當電極的導電層14c，及支撐層14b。在此實例中，導電層14c安置于支撐層14b的一個側(cè)上(在襯底20的遠端處)，且反射子層14a安置于支撐層14b的另一側(cè)上(在襯底20的近端處)。在一些實施方案中，反射子層14a可具導電性且可安置于支撐層14b與光學堆疊16之間。支撐層14b可包含一層或一層以上介電材料(例如氮氧化硅(SiON)或二氧化硅(SiO2))。在一些實施方案中，支撐層14b可為層堆疊，例如(例如)SiO2 / SiON / SiO2三層堆疊。反射子層14a及導電層14c中的任一者或兩者可包含(例如)具有約0.5% Cu的Al合金或另一反射金屬材料。在介電支撐層14b上方及下方采用導電層14a、14c可平衡應力且提供增強的導電性。在一些實施方案中，反射子層14a及導電層14c可由用于各種設(shè)計用途(例如，實現(xiàn)可移動反射層14內(nèi)的特定應力分布)的不同材料形成。
[0055]如圖6D中所說明，一些實施方案還可包含黑色掩模結(jié)構(gòu)23。黑色掩模結(jié)構(gòu)23可形成于光學非作用區(qū)(例如，介于像素之間或柱18下方)中以吸收周圍或雜散光。黑色掩模結(jié)構(gòu)23還可通過抑制光從顯示器的非作用部分反射或抑制光透射穿過顯示器的非作用部分而改善顯示裝置的光學性質(zhì)，借此增大對比度。另外，黑色掩模結(jié)構(gòu)23可具導電性且經(jīng)配置以用作電匯流層。在一些實施方案中，行電極可連接到黑色掩模結(jié)構(gòu)23以減小所連接的行電極的電阻?？墒褂酶鞣N方法(包含沉積及圖案化技術(shù))來形成黑色掩模結(jié)構(gòu)23。黑色掩模結(jié)構(gòu)23可包含一個或一個以上層。例如，在一些實施方案中，黑色掩模結(jié)構(gòu)23包含充當光學吸收器的鑰鉻(MoCr)層、SiO2層及充當反射器及匯流層的鋁合金，其分別具有約30埃到80埃、500埃到1000埃及500埃到6000埃范圍內(nèi)的厚度。可使用各種技術(shù)(包含光刻及干式蝕刻)來圖案化所述一個或一個以上層，包含(例如)用于MoCr及SiO2層的四氟甲烷(CF4)及/或氧氣(O2)及用于鋁合金層的氯氣(Cl2)及/或三氯化硼(BCl3)。在一些實施方案中，黑色掩模23可為標準具(etalon)或干涉式堆疊結(jié)構(gòu)。在此類干涉式堆疊黑色掩模結(jié)構(gòu)23中，導電吸收器可用以傳輸或載送每一行或列的光學堆疊16中的下部固定電極之間的信號。在一些實施方案中，間隔層35可用來使吸收器層16a與黑色掩模23中的導電層大體電隔離。
[0056]圖6E展示MOD的另一實例，其中可移動反射層14為自撐式。與圖6D相比，圖6E的實施方案不包含支撐柱18。相反，可移動反射層14在多個位置處接觸下伏光學堆疊16，且可移動反射層14的曲率提供足夠支撐，使得在橫跨干涉式調(diào)制器的電壓不足以導致激活時，可移動反射層14返回圖6E的未激活位置。為清晰起見，可包含多個不同層的光學堆疊16在此處展示為包含光學吸收器16a及電介質(zhì)16b。在一些實施方案中，光學吸收器16a可充當固定電極與部分反射層兩者。
[0057]在例如圖6A圖6E所展示的實施方案中，MOD用作直觀式裝置，其中從透明襯底20的前側(cè)(B卩，與其上布置有調(diào)制器的側(cè)相對的側(cè))觀看圖像。在這些實施方案中，可配置及操作顯示裝置的背后部分(即，可移動反射層14背后的顯示裝置的任何部分，包含(例如)圖6C中所說明的可變形層34)且不影響或不利地影響顯示裝置的圖像質(zhì)量，這是因為反射層14光學屏蔽裝置的所述部分。例如，在一些實施方案中，可移動反射層14背后可包含總線結(jié)構(gòu)(圖中未說明)，其能夠使調(diào)制器的光學性質(zhì)與調(diào)制器的機電性質(zhì)(例如電壓尋址及由此尋址引起的移動)分離。另外，圖6A圖6E的實施方案可簡化處理，例如圖案化。
[0058]圖7展示說明干涉式調(diào)制器的制造工藝80的流程圖的實例，且圖8A到SE展示此制造工藝80的對應階段的橫截面示意圖的實例。在一些實施方案中，除了圖7中未展示的其它框之外，可實施制造工藝80以制造(例如)圖1及6中所說明的一般類型的干涉式調(diào)制器。參考圖1、圖6及7，工藝80開始于框82，其中形成襯底20上的光學堆疊16。圖8A說明形成于襯底20上的此光學堆疊16。襯底20可為透明襯底(例如玻璃或塑料)，其可具柔性或相對剛性且不彎曲，且可能已經(jīng)受先前制備過程(例如清潔)以促進光學堆疊16的高效形成。如上所論述，光學堆疊16可具導電性、部分透明性及部分反射性且可(例如)通過將具有所要性質(zhì)的一個或一個以上層沉積到透明襯底20上而制造。在圖8A中，光學堆疊16包含具有子層16a及16b的多層結(jié)構(gòu)，但一些其它實施方案中可包含更多或更少子層。在一些實施方案中，子層16a、16b中的一者可配置有光學吸收性質(zhì)與導電性質(zhì)兩者，例如經(jīng)組合導體/吸收器子層16a。另外，子層16a、16b中的一者或一者以上可圖案化成平行條帶且可形成顯示裝置中的行電極。可通過此項技術(shù)中已知的遮掩及蝕刻工藝或另一適合工藝而執(zhí)行此圖案化。在一些實施方案中，子層16a、16b中的一者可為絕緣或電介質(zhì)層，例如沉積于一個或一個以上金屬層(例如一個或一個以上反射層及/或?qū)щ妼?上的子層16b。另外，光學堆疊16可圖案化成形成顯示器的行的個別平行條帶。
[0059]工藝80繼續(xù)到框84，其中形成光學堆疊16上的犧牲層25。隨后，移除犧牲層25 (例如在框90中)以形成空腔19，因此，圖1所說明的所得干涉式調(diào)制器12中未展示犧牲層25。圖SB說明包含形成于光學堆疊16上的犧牲層25的經(jīng)部分制造裝置。在光學堆疊16上形成犧牲層25可包含以經(jīng)選擇以在后續(xù)移除之后提供具有所要設(shè)計尺寸的間隙或空腔19 (還參看圖1及SE)的厚度來沉積二氟化氙(XeF2)可蝕刻材料(例如鑰(Mo)或非晶硅(Si))。可使用沉積技術(shù)(例如物理氣相沉積(PVD，例如濺鍍)、等離子增強型化學氣相沉積(PECVD)、熱化學氣相沉積(熱CVD)或旋轉(zhuǎn)涂布)而實施犧牲材料的沉積。
[0060]工藝80繼續(xù)到框86，其中形成支撐結(jié)構(gòu)，例如圖1、圖6及8C中所說明的柱18。柱18的形成可包含:圖案化犧牲層25以形成支撐結(jié)構(gòu)孔隙；接著，使用沉積方法(例如PVD、PECVD、熱CVD或旋轉(zhuǎn)涂布)來將材料(例如聚合物或無機材料(例如氧化硅))沉積到所述孔隙中以形成柱18。在一些實施方案中，形成于犧牲層中的所述支撐結(jié)構(gòu)孔隙可穿過犧牲層25與光學堆疊16兩者而延伸到下伏襯底20，使得柱18的下端接觸襯底20，如圖6A中所展示。替代地，如圖8C中所描繪，形成于犧牲層25中的所述孔隙可延伸穿過犧牲層25，但未穿過光學堆疊16。例如，圖SE說明支撐柱18的下端與光學堆疊16的上表面接觸。可通過將一層支撐結(jié)構(gòu)材料沉積于犧牲層25上且圖案化位于犧牲層25的孔隙遠處的所述支撐結(jié)構(gòu)材料的部分而形成柱18或其它支撐結(jié)構(gòu)。所述支撐結(jié)構(gòu)可位于所述孔隙內(nèi)(如圖SC中所說明)，但也可至少部分在犧牲層25的一部分上延伸。如上所注，犧牲層25及/或支撐柱18的圖案化可通過圖案化及蝕刻工藝而執(zhí)行，且也可通過替代蝕刻方法而執(zhí)行。
[0061]工藝80繼續(xù)到框88，其中形成可移動反射層或隔膜，例如圖1、圖6及8D中所說明的可移動反射層14?？赏ㄟ^一個或一個以上沉積步驟(例如反射層(例如鋁、鋁合金)沉積)及一個或一個以上圖案化、遮掩及/或蝕刻步驟而形成可移動反射層14。可移動反射層14可具導電性且被稱為導電層。在一些實施方案中，可移動反射層14可包含多個子層14a、14b、14c，如圖8D中所展示。在一些實施方案中，子層中的一者或一者以上(例如子層14a、14c)可包含針對其光學性質(zhì)而選擇的高反射子層，且另一子層14b可包含針對其機械性質(zhì)而選擇的機械子層。由于犧牲層25仍存在于框88中所形成的經(jīng)部分制造的干涉式調(diào)制器中，所以可移動反射層14通常不可在此階段中移動。含有犧牲層25的經(jīng)部分制造IMOD在本文中也可被稱為“未釋放的” MOD。如以上結(jié)合圖1所述，可移動反射層14可圖案化成形成顯示器的列的個別平行條帶。
[0062]工藝80繼續(xù)到框90，其中形成空腔，例如圖1、圖6及8E中所說明的空腔19?？赏ㄟ^將犧牲層25 (框84中所沉積)暴露于蝕刻劑而形成空腔19。例如，可例如，通過將犧牲層25暴露于氣態(tài)或蒸氣狀蝕刻劑(例如源于固體XeF2的蒸汽)并持續(xù)對移除所要數(shù)量的材料(通常相對于空腔19的周圍結(jié)構(gòu)而選擇性移除)為有效的時間周期，而通過干式化學蝕刻移除可蝕刻犧牲材料(例如Mo或非晶Si)。還可使用其它蝕刻方法，例如濕式蝕刻及/或等離子蝕刻。由于在框90期間移除犧牲層25，所以可移動反射層14通常可在此階段之后移動。在移除犧牲材料25之后，所得的經(jīng)完全或部分制造的MOD在本文可被稱為“釋放的” IMOD。
[0063]根據(jù)以上所闡釋原理，IMOD顯示陣列可另外包含觸摸位置感測組件以在屏幕顯示應用程序中實現(xiàn)對特征的圖形交互式選擇。若干不同方法可用以實施觸摸位置感測。一種此方法是基于電容感測。電容性觸摸屏幕通常包含絕緣體(例如玻璃)，其用透明導體(例如氧化銦錫(ITO))涂覆或圖案化以形成透明觸摸傳感器?？赏ㄟ^使用兩個層的正交跡線而感測所述層相交點處的電容。相交點處的電容將在另一導體(例如一手指)接近跡線相交點時改變。此電容變化可被測量且用以產(chǎn)生觸摸位置數(shù)據(jù)。
[0064]在包含觸摸位置感測的許多顯示器中，電容性觸摸傳感器通常位于顯示元件的緊密接近處。因此，經(jīng)發(fā)送以控制顯示元件的操作的信號可能會無意地影響每一跡線相交點處的電容。例如，沿數(shù)據(jù)線發(fā)送以操作MOD顯示元件的電壓的變化可影響觸摸感測層的電容，從而導致錯誤觸摸位置數(shù)據(jù)。因此，一般需包含額外層以分離顯示層與觸摸感測層的電操作。因為額外層可部分吸收或干擾光，所以添加額外層可不利地影響反射顯示元件(例如IMOD裝置)的性能。
[0065]圖9展示具有觸摸感測層的顯示器的典型配置。顯示裝置98可包含顯示層100、接地屏蔽層102、觸摸感測層104及透明覆蓋層108。在一個實施方案中，觸摸感測層104可為電容性觸摸屏幕，其通常包含用透明導體(例如氧化銦錫(ITO))涂覆或圖案化的絕緣體(例如玻璃)以形成透明觸摸傳感器106。緊密接近于觸摸屏幕的導體(例如人體手指)導致傳感器處的電容變化，所述電容變化可被測量且用以確定觸摸位置。當觸摸感測面板104進一步與顯示層100集成時，經(jīng)施加以更新顯示層100上的圖像的電壓可干擾電容感測信號，從而導致錯誤觸摸位置數(shù)據(jù)，這是因為顯示層緊密接近于觸摸感測面板。在一些實施方案中，此距離小于3毫米且距離越近干擾越大?？蓪⒔拥仄帘螌?02(例如ITO屏蔽層)放置于觸摸感測層104與顯示層100之間以減少顯示層100與觸摸感測層104之間的非所要的干擾。
[0066]圖1OA展示干涉式調(diào)制器顯示層的橫截面的實例，所述干涉式調(diào)制器顯示層具有根據(jù)圖9的一般配置的觸摸感測層。圖1OA描繪具有兩個干涉式調(diào)制器(IMOD)的干涉式調(diào)制器顯示層112。也如圖1中所說明，顯示層112包含柔性反射層114及透明層120，從而在此實施方案中形成雙穩(wěn)態(tài)顯示元件。在MOD顯示層上包含具有嵌入式觸摸傳感器106的觸摸感測層104以及絕緣層110及透明覆蓋層108。根據(jù)以上所闡釋原理，橫跨MOD顯示層112的某些所施加電壓的引入將驅(qū)動IMOD以(例如)使狀態(tài)變成激活或未激活位置。將接地ITO屏蔽層102放置于MOD顯示層112與觸摸感測層104之間以防止這些電壓干擾觸摸感測元件106的感測信號。
[0067]圖1OA中的配置可顯著影響MOD顯示性能。如圖1OA中所展示，環(huán)境光111行進穿過觸摸感測層104及接地屏蔽層102中的每一者兩次。這些層可反射或吸收進入到MOD元件的層中及反射離開所述層的環(huán)境光111。因為每一 IMOD顯示元件的觀看狀態(tài)取決于其反射性質(zhì)，所以所吸收光可顯著影響顯示性能。此外，透明導體不一定等比例地吸收全部波長的光，其可給予顯示器非所要的色調(diào)。例如，ITO按比例吸收更多藍光，從而趨向于給予具有ITO層的屏幕淡紅色調(diào)。因此，圖1OA表示會不利地影響MOD顯示性能的不合意的配置。
[0068]圖1OB展示干涉式調(diào)制器顯示層及觸摸感測層的替代實施方案的橫截面的實例。圖1OB展示MOD顯示層112上的觸摸感測層104，而無需使用接地屏蔽層。也如圖1中所說明，顯示層112包含柔性反射層114及透明層120，從而在此實施方案中形成雙穩(wěn)態(tài)顯示元件。在此配置中，環(huán)境光111可僅行進穿過一個觸摸感測層104。在此配置中，ITO層的不利反射及吸收會減少。
[0069]為了減少MOD顯示層112與觸摸感測層104之間的干擾，如圖1OB中所描繪，可僅在顯示未被更新時或?qū)嵸|(zhì)上僅在顯示未被更新時選擇性地“感測”觸摸傳感器。對于MOD顯示器，在使MOD置于選定狀態(tài)(即，新圖像數(shù)據(jù)已被寫入到IMOD元件)之后，顯示驅(qū)動器電路可將恒定保持電壓(例如以上所述的高保持電壓VCkm h或低保持電壓VCrail J施加在共同線上。因為所施加電壓電位保持實質(zhì)上固定，所以干涉式調(diào)制器的狀態(tài)可保持穩(wěn)定且顯示驅(qū)動器電路可幾乎不或不產(chǎn)生電流。相應地，因為所施加保持電壓在圖像更新期間保持固定，所以觸摸傳感器可不經(jīng)歷任何電磁干擾。通過避免感測與更新IMOD顯示器的重疊，每一操作可在彼此不干擾的情況下進行。施加恒定保持電壓為使顯示器維持處于選定狀態(tài)的一種方式(對于本文中具體所述的MOD顯示裝置的一些方案)，但其不是此技術(shù)的唯一應用。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應了解，本文中所揭示的技術(shù)除可應用于IMOD顯示器外，還可應用于各種類型的顯示器。例如，可置于選定狀態(tài)的任何顯示技術(shù)可受益于本文中所揭示的技術(shù)，在所述選定狀態(tài)中，當圖像未被更新或刷新達一時間周期時且當顯示驅(qū)動器的電壓及電流變化與觸摸感測電子器件相比相對小時，圖像不會顯著降級。
[0070]圖11展示說明可與如圖1OB中所描繪的裝置一起使用以減少MOD顯示層112與觸摸感測層104之間的干擾的干涉式調(diào)制器顯示器上的感測觸摸方法的流程圖的實例。所述方法開始于框150，其中使IMOD顯示陣列置于選定狀態(tài)。在一些實施方案中，根據(jù)顯示器上的圖像，可通過將圖像數(shù)據(jù)寫入到每一個別MOD元件而使IMOD顯示陣列置于選定狀態(tài)。在已寫入圖像數(shù)據(jù)之后，在框152中使顯示器保持處于所述選定狀態(tài)。在一個實施方案中，此可通過橫跨每一 IMOD元件施加恒定保持電壓以使IMOD陣列保持處于所述選定狀態(tài)而完成。所述方法繼續(xù)到框154，其中當所述顯示陣列保持處于所述選定狀態(tài)時從觸摸感測元件獲得信號。使顯示器在此周期期間維持處于所述選定狀態(tài)會減小來自IMOD顯示器(其具有從觸摸傳感器接收的信號)的電磁干擾的水平。
[0071]在從觸摸感測元件獲得信號(如框154中所述)之后，所述信號可經(jīng)處理以確定觸摸位置數(shù)據(jù)。在觸摸傳感器信號經(jīng)處理以確定觸摸位置數(shù)據(jù)時，顯示陣列可不一定保持處于選定狀態(tài)。處理觸摸器感測信號以確定觸摸位置數(shù)據(jù)可發(fā)生在從觸摸感測元件獲得信號后的任何時候，且可與使顯示陣列置于選定狀態(tài)同時執(zhí)行、在使顯示陣列置于選定狀態(tài)之前執(zhí)行或在使顯示陣列置于選定狀態(tài)之后執(zhí)行。因此，處理觸摸傳感器信號以確定觸摸位置數(shù)據(jù)可在使顯示陣列或顯示元件維持處于選定狀態(tài)的時間期間或可不在所述時間期間執(zhí)行。相應地，處理觸摸傳感器信號以確定觸摸位置數(shù)據(jù)可與將圖像數(shù)據(jù)寫入到顯示元件同時執(zhí)行。
[0072]圖12展示說明可與如圖1OB中所描繪的裝置一起使用以減少IMOD顯示層112與觸摸感測層104之間的干擾的干涉式調(diào)制器顯示器上的另一感測觸摸方法的流程圖的實例。所述方法開始于框160，此時圖像數(shù)據(jù)被寫入到設(shè)定數(shù)目的像素行，使得使用陣列驅(qū)動器電路使沿每一行的每一像素置于與顯示器上的圖像部分對應的選定狀態(tài)。在圖像數(shù)據(jù)已被寫入到所述行之后，所述方法前進到框162，其中陣列驅(qū)動器電路使像素維持處于所述選定狀態(tài)。在一個實施方案中，此可通過將恒定保持電壓施加到先前寫入的行中的每一者以使沿每一行的像素維持處于選定狀態(tài)而完成。一旦所述行處于選定狀態(tài)，所述方法便前進到框164，其中使用觸摸感測電路來從沿像素行定位的觸摸感測元件獲得信號。根據(jù)此實施方案，可使用顯示驅(qū)動器電路來寫入許多顯示線，接著以反復方式使用觸摸感測驅(qū)動器電路來感測觸摸感測層的一個或一個以上線。
[0073]在從觸摸感測元件獲得信號(如框164中所述)之后，所述信號可經(jīng)處理以確定觸摸位置數(shù)據(jù)。如上所述，處理觸摸傳感器信號以確定觸摸位置數(shù)據(jù)可發(fā)生在從觸摸感測元件獲得信號后的任何時候，且可與使顯示元件置于選定狀態(tài)同時執(zhí)行、在使顯示元件置于選定狀態(tài)之前執(zhí)行或在使顯示元件置于選定狀態(tài)之后執(zhí)行。因此，處理觸摸傳感器信號以確定觸摸位置數(shù)據(jù)可在使顯示元件維持處于選定狀態(tài)的時間期間執(zhí)行或可不在所述時間期間執(zhí)行。相應地，處理觸摸傳感器信號以確定觸摸位置數(shù)據(jù)可與將圖像數(shù)據(jù)寫入到顯示元件同時執(zhí)行。
[0074]另外，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應了解，各種其它方法可實現(xiàn)如圖11及12中所述的結(jié)果。在一個實施方案中，在感測電路驅(qū)動器執(zhí)行觸摸感測時，顯示陣列驅(qū)動器可使整個MOD像素陣列保持處于選定狀態(tài)。在其它實施方案中，在感測電路驅(qū)動器對接近所述子陣列的觸摸感測元件執(zhí)行觸摸感測時，顯示陣列驅(qū)動器可使選定子陣列或顯示器的任何其它所界定區(qū)保持處于選定狀態(tài)。在其它實施方案中，在顯示陣列驅(qū)動器更新顯示器的另一區(qū)時，顯示陣列驅(qū)動器可使所界定區(qū)保持處于選定狀態(tài)，且感測電路驅(qū)動器可在所述所界定區(qū)中執(zhí)行觸摸感測。
[0075]圖13展示系統(tǒng)框圖的實例，其說明并入有3X3干涉式調(diào)制器顯示器及觸摸感測層的電子裝置。所述電子裝置包含可經(jīng)配置以執(zhí)行一個或一個以上軟件模塊的處理器121。處理器121可經(jīng)配置以與顯示陣列驅(qū)動器124通信。顯示陣列驅(qū)動器可包含將信號提供到(例如)顯示陣列或面板122的行驅(qū)動器電路128及列驅(qū)動器電路126。為了清楚起見，顯示陣列122被說明為IMOD的3X3陣列。顯示陣列122可含有不同數(shù)目的IMOD。此外，在各種實施方案中，每一行中的IMOD數(shù)目與每一列中的IMOD數(shù)目可相同或可不同。
[0076]此外，處理器121可經(jīng)配置以與感測電路驅(qū)動器130通信。感測電路驅(qū)動器130可包含行感測電路132及列感測電路134。感測電路驅(qū)動器130能夠驅(qū)動信號或?qū)⑿盘柺┘拥骄哂杏|摸感測元件106的觸摸感測層104。所描繪的觸摸感測層104僅表示具有觸摸感測元件106的層。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解可能用于實施觸摸感測層104的各種方法及配置。例如，在電容感測層中，兩個正交行的導電跡線(例如透明導體，例如氧化銦錫(ITO))布置于絕緣襯底中的層中且用絕緣及保護表面包覆涂覆。例如，手指接近于交叉跡線中的任一者會導致所述位置處的感測電容變化。替代地，還可實施非電容性觸摸感測裝置，例如電阻觸摸面板，其中壓力使非電容性觸摸傳感裝置的電極層變形以導致其連接到下層且因此改變接觸點處的電壓?？赏ㄟ^測量接觸點處的電壓而檢測所述觸摸。
[0077]對于電容性觸摸感測層，感測電路可連接到嵌入到層中的兩個導電跡線層，所述層可測量兩個跡線相交處的電容。以此方式，可測量有效電容且將其與預期電容比較以確定一區(qū)是否被觸摸?？商峁└鞣N感測電路及方法以感測電容變化。在一個實施方案(圖中未展示)中，電容可耦合到感應參考元件L及反饋放大器電路以用作振蕩器，所述振蕩器以由與兩個跡線的相交點相關(guān)聯(lián)的有效電容確定的L-C諧振頻率操作。不同于預期振蕩頻率的所測量振蕩頻率指示明顯存在觸摸接觸或接近接觸。電感器值可經(jīng)選擇以使得所形成的諧振電路的振蕩頻率超出與掃描顯示像素的陣列相關(guān)聯(lián)的頻率范圍。此特定實施方案僅為用于測量電容及確定觸摸的一個實例且未期望是詳盡的。
[0078]如圖13中所描繪，處理器121可與顯示陣列驅(qū)動器124及感測電路驅(qū)動器130兩者通信以完成上述圖11及12中所描繪的方法。例如，處理器121可與顯示陣列驅(qū)動器124通信以將圖像數(shù)據(jù)寫入到顯示器。在寫入圖像數(shù)據(jù)之后，顯示陣列驅(qū)動器124可橫跨像素而施加恒定保持電壓以使像素保持處于選定狀態(tài)。接著，處理器121可與感測電路驅(qū)動器通信以在像素處于選定狀態(tài)時執(zhí)行感測。
[0079]在已執(zhí)行感測之后，處理器121可處理觸摸傳感器信號以確定觸摸位置數(shù)據(jù)。處理器121可在觸摸感測元件的感測發(fā)生后的任何時候確定觸摸位置數(shù)據(jù)，所述確定可與將圖像數(shù)據(jù)寫入到顯示器同時、在將圖像數(shù)據(jù)寫入到顯示器之前或在將圖像數(shù)據(jù)寫入到顯示器之后。因此，處理觸摸傳感器信號以確定觸摸位置數(shù)據(jù)可在使像素保持處于選定狀態(tài)的時間期間執(zhí)行或可不在所述時間期間執(zhí)行。相應地，可與將圖像數(shù)據(jù)寫入到顯示元件同時地執(zhí)行處理觸摸傳感器信號以確定觸摸位置數(shù)據(jù)。
[0080]因此，上述實施方案可允許(例如)MOD型顯示器利用觸摸面板而不會使觸摸傳感器的精度或IMOD的亮度或色彩保真度降級。應了解，可在廣泛各種顯示類型及觸摸傳感器配置中實施所述實施方案。例如，所述實施方案可并入到具有觸摸屏幕能力的廣泛各種發(fā)射/透射型顯示器(例如IXD或CH-1XD顯示器)、反射型顯示器(例如電泳或電濕潤顯示器)或半穿透半反射型顯示器中。例如，就LCD或elnk顯示器而言，上述方法及實施方案可建置于顯示驅(qū)動器中。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解用于陣列驅(qū)動器及其它驅(qū)動器電路的各種其它配置，如下進一步所述。
[0081]圖14A及14B展示說明包含多個干涉式調(diào)制器的顯示裝置40的系統(tǒng)框圖的實例。顯示裝置40可為(例如)蜂窩式或移動電話。然而，顯示裝置40的相同組件或其略微變動還說明各種類型的顯示裝置，例如電視機、電子閱讀器及便攜式媒體播放器。
[0082]顯示裝置40包含外殼41、顯示器30、天線43、揚聲器45、輸入裝置48及麥克風46?？捎筛鞣N制造工藝(包含注射模制及真空成形)中的任一者形成外殼41。另外，可由各種材料(包含(但不限于)塑料、金屬、玻璃、橡膠及陶瓷或其組合)中的任一者制成外殼41。外殼41可包含可與具有不同色彩或含有不同標志、圖片或符號的其它可移除部分互換的可移除部分(圖中未展示)。
[0083]如本文中所述，顯示器30可為各種顯示器(包含雙穩(wěn)態(tài)或模擬顯示器)中的任一者。顯示器30還可經(jīng)配置以包含平板顯示器(例如等離子、EL、0LED、STN IXD或TFT IXD)或非平板顯示器(例如CRT或其它顯像管裝置)。另外，顯示器30可包含干涉式調(diào)制器顯示器，如本文中所述。
[0084]圖14B中示意性地說明顯示裝置40的組件。顯示裝置40包含外殼41且可包含至少部分圍封于外殼41內(nèi)的額外組件。例如，顯示裝置40包含網(wǎng)絡(luò)接口 27，網(wǎng)絡(luò)接口 27包含與收發(fā)器47耦合的天線43。收發(fā)器47連接到與調(diào)節(jié)硬件52連接的處理器21。調(diào)節(jié)硬件52可經(jīng)配置以調(diào)節(jié)信號(例如，對信號進行濾波)。調(diào)節(jié)硬件52連接到揚聲器45及麥克風46。處理器21還連接到輸入裝置48及驅(qū)動器控制器29。驅(qū)動器控制器29耦合到幀緩沖器28及陣列驅(qū)動器22，陣列驅(qū)動器22接著耦合到顯示陣列30。電力供應器50可根據(jù)特定顯示裝置40設(shè)計所要求將電力提供到全部組件。
[0085]網(wǎng)絡(luò)接口 27包含天線43及收發(fā)器47，使得顯示裝置40可經(jīng)由網(wǎng)絡(luò)而與一個或一個以上裝置通信。網(wǎng)絡(luò)接口 27還可具有一些處理能力以減輕(例如)處理器21的數(shù)據(jù)處理需求。天線43可發(fā)射及接收信號。在一些實施方案中，天線43根據(jù)IEEE16.11標準(包含 IEEE16.11(a), (b)或(g))或 IEEE802.11 標準(包含 IEEE802.11a、b、g 或 η)而發(fā)射及接收RF信號。在一些其它實施方案中，天線43根據(jù)藍牙(BLUETOOTH)標準而發(fā)射及接收RF信號。就蜂窩式電話而言，天線43經(jīng)設(shè)計以接收碼分多址(CDMA)、頻分多址(FDMA)、時分多址(TDMA)、全球移動通信系統(tǒng)(GSM)、GSM /通用包無線電服務(GPRS)、增強型數(shù)據(jù)GSM環(huán)境(EDGE)、陸地集群無線電(TETRA)、寬帶CDMA(W-CDMA)、演進數(shù)據(jù)優(yōu)化(EV-DO)、IxEV-DO,EV-DO Rev A、EV_D0 Rev B、高速包接入(HSPA)、高速下行鏈路包接入(HSDPA)、高速上行鏈路包接入(HSUPA)、演進型高速包接入(HSPA+)、長期演進(LTE)、AMPS或用以在無線網(wǎng)絡(luò)(例如利用3G或4G技術(shù)的系統(tǒng))內(nèi)通信的其它已知信號。收發(fā)器47可預處理從天線43接收的信號，使得所述信號可由處理器21接收且由處理器21進一步操縱。收發(fā)器47還可處理從處理器21接收的信號，使得所述信號可經(jīng)由天線43而從顯示裝置40發(fā)射。
[0086]在一些實施方案中，可由接收器替換收發(fā)器47。另外，可由可存儲或產(chǎn)生待發(fā)送到處理器21的圖像數(shù)據(jù)的圖像源替換網(wǎng)絡(luò)接口 27。處理器21可控制顯示裝置40的總體操作。處理器21從網(wǎng)絡(luò)接口 27或圖像源接收數(shù)據(jù)(例如壓縮圖像數(shù)據(jù))且將所述數(shù)據(jù)處理成原始圖像數(shù)據(jù)或易于處理成原始圖像數(shù)據(jù)的格式。處理器21可將經(jīng)處理數(shù)據(jù)發(fā)送到驅(qū)動器控制器29或幀緩沖器28以將其存儲。原始數(shù)據(jù)通常指代識別圖像內(nèi)各位置處的圖像特性的信息。例如，此類圖像特性可包含色彩、飽和度及灰度級。
[0087]處理器21可包含微控制器、CPU或邏輯單元以控制顯示裝置40的操作。調(diào)節(jié)硬件52可包含放大器及濾波器以將信號發(fā)射到揚聲器45及從麥克風46接收信號。調(diào)節(jié)硬件52可為顯示裝置40內(nèi)的離散組件，或可并入于處理器21或其它組件內(nèi)。
[0088]驅(qū)動器控制器29可直接從處理器21或從幀緩沖器28獲取由處理器21產(chǎn)生的原始圖像數(shù)據(jù)，且可適當?shù)刂匦赂袷交紙D像數(shù)據(jù)以將其高速發(fā)射到陣列驅(qū)動器22。在一些實施方案中，驅(qū)動器控制器29可將原始圖像數(shù)據(jù)重新格式化成具有類光柵格式的數(shù)據(jù)流，使得其具有適合于橫跨顯示陣列30而掃描的時間順序。接著，驅(qū)動器控制器29將經(jīng)格式化信息發(fā)送到陣列驅(qū)動器22。雖然驅(qū)動器控制器29 (例如LCD控制器)通常作為獨立集成電路(IC)與系統(tǒng)處理器21相關(guān)聯(lián)，但可以許多方式實施此類控制器。例如，控制器可作為硬件嵌入處理器21中、作為軟件嵌入處理器21中或與陣列驅(qū)動器22完全集成于硬件中。
[0089]陣列驅(qū)動器22可從驅(qū)動器控制器29接收經(jīng)格式化信息且可將視頻數(shù)據(jù)重新格式化成一組平行波形，所述組平行波形每秒多次施加到來自顯示器的χ-y像素矩陣的數(shù)百及有時數(shù)千(或更多)引線。
[0090]在一些實施方案中，驅(qū)動器控制器29、陣列驅(qū)動器22及顯示陣列30適合于本文中所述的任何類型顯示器。例如，驅(qū)動器控制器29可為常規(guī)顯示器控制器或雙穩(wěn)態(tài)顯示器控制器(例如IMOD控制器)。另外，陣列驅(qū)動器22可為常規(guī)驅(qū)動器或雙穩(wěn)態(tài)顯示器驅(qū)動器(例如IMOD顯示器驅(qū)動器)。再者，顯示陣列30可為常規(guī)顯示陣列或雙穩(wěn)態(tài)顯示陣列(例如包含IMOD陣列的顯示器)。在一些實施方案中，驅(qū)動器控制器29可與陣列驅(qū)動器22集成。此實施方案常用在高度集成系統(tǒng)(例如蜂窩式電話、手表及其它小面積顯示器)中。
[0091]在一些實施方案中，輸入裝置48可經(jīng)配置以允許(例如)用戶控制顯示裝置40的操作。輸入裝置48可包含小鍵盤(例如QWERTY鍵盤或電話小鍵盤)、按鈕、開關(guān)、搖桿、觸敏屏幕或壓敏或熱敏隔膜。麥克風46可配置為顯示裝置40的輸入裝置。在一些實施方案中，通過麥克風46的聲音命令可用于控制顯示裝置40的操作。
[0092]電力供應器50可包含如此項技術(shù)中眾所周知的各種能量存儲裝置。例如，電力供應器50可為可再充電電池，例如鎳鎘電池或鋰離子電池。電力供應器50還可為再生能源、電容器或太陽能電池(包含塑料太陽能電池或太陽能電池涂料)。電力供應器50還可經(jīng)配置以從壁式插座接收電力。
[0093]在一些實施方案中，控制可編程性可駐留于可位于電子顯示系統(tǒng)的若干位置中的驅(qū)動器控制器29中。在一些其它實施方案中，控制可編程性駐留于陣列驅(qū)動器22中?？稍谌魏螖?shù)目的硬件及/或軟件組件及各種配置中實施上述優(yōu)化。
[0094]結(jié)合本文中所揭示的實施方案而描述的各種說明性邏輯、邏輯塊、模塊、電路及算法步驟可實施為電子硬件、計算機軟件或兩者的組合。已大體上在功能性方面描述了且在上述各種說明性組件、塊、模塊、電路及步驟中說明了硬件及軟件的可互換性。以硬件還是軟件實施此功能性取決于強加于整個系統(tǒng)上的特定應用及設(shè)計約束。
[0095]可用通用單芯片或多芯片處理器、數(shù)字信號處理器(DSP)、專用集成電路(ASIC)、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)或其它可編程邏輯裝置、離散門或晶體管邏輯、離散硬件組件或其經(jīng)設(shè)計以執(zhí)行本文中所述功能的任何組合來實施或執(zhí)行用以實施結(jié)合本文中所揭示的方面而描述的各種說明性邏輯、邏輯塊、模塊及電路的硬件及數(shù)據(jù)處理設(shè)備。通用處理器可為微處理器或任何常規(guī)處的理器、控制器、微控制器或狀態(tài)機。處理器還可實施為計算裝置的組合(例如DSP與微處理器的組合)、多個微處理器、與DSP核心結(jié)合的一個或一個以上微處理器，或任何其它此配置。在一些實施方案中，可由專用于給定功能的電路來執(zhí)行特定步驟及方法。
[0096]在一個或一個以上方面中，可以硬件、數(shù)字電子電路、計算機軟件、固件(包含本說明書中所揭示的結(jié)構(gòu)及其結(jié)構(gòu)等效物)或其任何組合中實施所述功能。本說明書中所述的標的物的實施方案還可實施為一個或一個以上計算機程序(即，計算機程序指令的一個或一個以上模塊)，其在計算機存儲媒體上被編碼以由數(shù)據(jù)處理設(shè)備執(zhí)行或用以控制數(shù)據(jù)處理設(shè)備的操作。
[0097]所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將易于明白本發(fā)明中所述實施方案的各種修改，且可在不背離本發(fā)明的精神或范圍的情況下將本文中所界定的一般原理應用于其它實施方案。因此，本發(fā)明無意受限于本文中所展示的實施方案，但應被給予與本文中所揭示的權(quán)利要求書、原理及新穎特征一致的最廣范圍。詞“示范性”在本文中專用以表示“充當實例、例子或說明”。本文中被描述為“示范性”的任何實施方案沒有必要被理解為比其它實施優(yōu)選或有利。另外，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將易于了解，術(shù)語“上部”及“下部”有時用以使圖式描述簡易，且指示與適當定向頁上的圖式的定向?qū)南鄬ξ恢?，且可能不反映如圖所實施的MOD的適當定向。
[0098]在單獨實施方案的背景下描述于本說明書中的某些特征還可以組合形式實施于單一實施方案中。相反，還可在多個實施方案中單獨或以任何適合子組合方式實施單一實施方案的背景下所述的各種特征。再者，雖然特征可在上文中被描述為作用于某些組合且甚至最初被如此主張，但在一些狀況下，可從所述組合刪除來自所主張的組合的一個或一個以上特征，且所述所主張的組合可針對子組合或子組合的變化。
[0099]類似地，雖然圖式中依特定順序描繪操作，但此不應被理解為需要依所展示特定順序或相繼順序執(zhí)行此類操作或需要執(zhí)行全部所說明的操作以實現(xiàn)合意的結(jié)果。在某些狀況中，多任務處理或同時處理可為有利的。再者，上述實施方案中的各種系統(tǒng)組件的分離不應被理解為全部實施方案中需要此分離，且應了解，所述程序組件及系統(tǒng)可大體一起集成在單一軟件產(chǎn)品或封裝到多個軟件產(chǎn)品中。另外，其它實施方案在所附權(quán)利要求書的范圍中。在一些情況中，權(quán)利要求書中所敘述的動作可以不同順序執(zhí)行且仍實現(xiàn)合意的結(jié)果。
【權(quán)利要求】
1.一種用于減少顯示器上的電干擾的方法，所述方法包括: 利用顯示驅(qū)動器電路來使顯示元件陣列的至少一部分置于選定狀態(tài)； 使所述顯示元件維持處于所述選定狀態(tài)；及 實質(zhì)上僅在所述顯示元件保持處于所述選定狀態(tài)時使用不同于所述顯示驅(qū)動器電路的觸摸感測驅(qū)動器電路來從觸摸感測元件獲得信號。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中通過將恒定保持電壓施加到所述顯示元件陣列的所述部分而維持所述選定狀態(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述觸摸感測元件定位成緊密接近所述顯示元件陣列的所述部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，所述方法進一步包括: 利用所述顯示驅(qū)動器電路來使所述陣列的至少第二部分置于第二選定狀態(tài)，同時從所述觸摸感測元件獲得所述 信號。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述方法進一步包括: 與從所述觸摸感測元件獲得信號并行地利用所述顯示驅(qū)動器電路來使所述陣列的不同部分置于所述選定狀態(tài)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1到5中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述顯示元件形成干涉式調(diào)制器的行及列陣列，其中每一干涉式調(diào)制器包含: 可移動反射層；及 固定部分反射層，其定位于距所述可移動反射層可變及受控距離處，其中所述可移動反射層的位置確定像素觀看狀態(tài)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其進一步包括通過將地址電壓施加到所述陣列的共同線而使所述干涉式調(diào)制器置于選定狀態(tài)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述共同線包含沿所述陣列的行或列而定位的電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中沿所述共同線施加保持電壓。
10.根據(jù)權(quán)利要求1到5中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述觸摸感測元件布置成陣列。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其進一步包括通過感測觸摸感測元件的電容而從觸摸感測元件獲得信號。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中觸摸感測元件包含透明導體。
13.一種具有觸摸感測能力的顯示設(shè)備，其包括: 顯示元件陣列； 觸摸感測元件陣列，其中所述觸摸感測元件形成于所述顯示元件上且未通過接地屏蔽層分離； 觸摸感測驅(qū)動器電路，其經(jīng)配置以檢測來自所述觸摸感測元件的至少一部分的輸入；顯示驅(qū)動電路，其經(jīng)配置以使所述顯示元件的至少一部分置于選定狀態(tài)，其中所述顯示驅(qū)動電路其后經(jīng)配置以使所述顯示元件的所述部分維持處于所述選定狀態(tài)；及處理器，其經(jīng)配置以 將圖像數(shù)據(jù)寫入到所述顯示驅(qū)動器電路；及在所述顯示元件的所述部分維持處于所述選定狀態(tài)時從觸摸感測元件的所述至少一部分獲得觸摸感測輸入。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示設(shè)備，其中觸摸感測元件的所述部分定位成緊密接近顯示元件的所述部分。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示設(shè)備，其中所述顯示驅(qū)動電路經(jīng)配置以使所述顯示元件陣列的至少第二部分置于第二選定狀態(tài)，同時所述處理器從觸摸感測元件的所述部分獲得觸摸感測輸入。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示設(shè)備，其中所述顯示驅(qū)動電路經(jīng)配置以使所述顯示元件陣列的不同部分置于所述選定狀態(tài)，其中與從所述觸摸感測驅(qū)動器電路獲得觸摸感測輸入并行地執(zhí)行所述陣列的所述不同部分的放置。
17.根據(jù)權(quán)利要求13到16中任一權(quán)利要求所述的顯示設(shè)備，其中所述顯示元件陣列形成干涉式調(diào)制器的行及列陣列，其中每一干涉式調(diào)制器包含 可移動反射層；及 固定部分反射層，其定位于距所述可移動反射層可變及受控距離處，其中所述可移動反射層的位置確定像素觀看狀態(tài)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示設(shè)備，其中所述顯示驅(qū)動電路經(jīng)配置以通過將地址電壓施加到所述陣列的共同線而使干涉式調(diào)制器置于所述選定狀態(tài)。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的顯示設(shè)備，其中所述共同線包含沿所述陣列的行或列而定位的電極。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示設(shè)備，其中保持電壓是沿所述共同線而施加。
21.根據(jù)權(quán)利要求13到16中任一權(quán)利要求所述的顯示設(shè)備，其中所述觸摸感測驅(qū)動器電路進一步經(jīng)配置以通過感測觸摸感測元件的電容而從所述觸摸感測元件獲得信號。
22.根據(jù)權(quán)利要求13到16中任一權(quán)利要求所述的顯示設(shè)備，其中觸摸感測元件包含透明導體。
23.根據(jù)權(quán)利要求13到16中任一權(quán)利要求所述的顯示設(shè)備，其中所述處理器進一步經(jīng)配置以處理圖像數(shù)據(jù)，且其中所述雙穩(wěn)態(tài)顯示設(shè)備進一步包含: 存儲器裝置，其經(jīng)配置以與所述處理器通信。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的顯示設(shè)備，其進一步包括: 控制器，其經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)的至少一部分發(fā)送到所述顯示驅(qū)動電路。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的顯示設(shè)備，其進一步包括: 圖像源模塊，其經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)發(fā)送到所述處理器。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的顯示設(shè)備，其中所述圖像源模塊包含接收器、收發(fā)器及發(fā)射器中的至少一者。
27.根據(jù)權(quán)利要求23所述的顯示設(shè)備，其進一步包括: 輸入裝置，其經(jīng)配置以接收輸入數(shù)據(jù)且將所述輸入數(shù)據(jù)傳送到所述處理器。
28.根據(jù)權(quán)利要求13到16中任一權(quán)利要求所述的顯示設(shè)備，其中所述顯示元件包含雙穩(wěn)態(tài)顯示元件。
29.根據(jù)權(quán)利要求13到16中任一權(quán)利要求所述的顯示設(shè)備，其中所述顯示元件陣列與所述觸摸感測元件陣列之間不存在接地屏蔽層。
30.一種具有觸摸感測能力的顯示設(shè)備，其包括: 用于使顯示元件陣列的至少一部分置于選定狀態(tài)的裝置； 用于使所述顯示元件維持置于所述選定狀態(tài)的裝置；及 用于實質(zhì)上僅在所述顯示元件維持處于所述選定狀態(tài)時從觸摸感測元件獲得信號的裝直。
【文檔編號】G06F3/041GK103733165SQ201280039080
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2012年8月8日 優(yōu)先權(quán)日:2011年8月10日
【發(fā)明者】唐納德·J·艾洛威, 馬克·M·米格納德, 威廉·J·卡明斯, 羅素·A·馬汀 申請人:高通Mems科技公司